Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
In ultimii ani, de când se pune tot mai acut problema economisirii energiei şi a materiilor
prime, a creşterii productivităţii muncii si a fiabilităţii produselor, s-au dezvoltat o serie de
procedee neconvenţionale pentru depunerea de straturi metalice sau nemetalice, ca: depunerea
chimică din vapori, sau procedeul CVD (Chemical Vapor Deposition) si depunerea fizică din
vapori, sau procedeul PVD (Physical Vapor Deposition), fiecare in mai multe variante.
Dintre numeroasele aplicaţii ale acestor metode moderne de depunere câteva reţin in mod
deosebit atenţia.
In domeniul sculelor de prelucrat prin aschiere, din datele prezentate în literatură, rezultă ca
anual se consuma in jur de 100.000 tone de oţeluri pentru confecţionarea lor, care practic nu mai
sunt recuperate. O prelungire a vieţii acestor scule prin diverse metode ar putea duce la economii
de peste 750 milioane dolari numai cu materiile prime. Prin procedeele amintite mai sus, s-au
realizat depuneri de unul sau mai multe straturi de tipul TiN, TiC sau Al 2O3, pe diferite scule
aşchietoare, rezultând o creştere deosebită a fiabilităţii lor. Unele firme au produs scule pe care s-
au depus până la 13 straturi, groase de l μm, alternativ, de nitrură de titan şi carbură de titan, cu
care se prelucreaza foarte bine şi piesele turnate. Pentru exemplificare, burghie acoperite cu TiN au
prezentat o mărire a durabilităţii de până la 10 ori comparativ cu cele revenite în abur, putând să fie
utilizate cu o viteză de aşchiere cu 50% mai mare la o durabilitate identică sau chiar mai mare
(fig.1).
Tabelul 1.
Proprietăţile TiN pentru acoperirea oţelurilor de scule
Caracteristici TiN Oţel rapid
Duritate înaltă 2400 850
Coeficient redus de frecare [μ] 0,06 0,1
Conductivitate termică mare [W/m.K] 27 21
Inerţie chimică [ºC] 649 121
Punct înalt de topire [ºC] 2926 1260
Parametru de reţea a0 [Å] 4,22 … 4,23 -
Densitate ρ [g/cm ] 3
5 …5,4 -
1
Straturile de TiN prezintă proprietăţi excelente: plasticitate remarcabilă (fără ca stratul să se
desprindă la solicitări), duritate mare, inerte chimic faţă de multe medii corozive, un coeficient mic
de frecare, punct inalt de topire (tab.1). Culoarea lor este galben-aurie, iar in cazul prezenţei fazei
Ti2N aspectul este alb. Duritatea stratului de TiN depus depinde si de temperatura substratului (a
piesei pe care se depune) conform figurii 2. Structura unui strat depus de TiN arată ca în figurile 3
şi 4.
Metoda depunerii chimice din vapori constă in obţinerea straturilor prin trecerea unui
2
amestec de gaze reactante, care conţin conponentele dorite, peste suprafaţa unui material incalzit.
Procesele de depuneri chimice din vapori se împart in: CVD la presiune normala, CVD la presiune
scăzuta şi CVD stimulată de plasmă şi se caracterizeaza in general prin temperaturi de lucru mai
ridicate decât la procedeele PVD (uneori până la peste 1000°C).
a) Depunerea chimică din vapori la presiune normală. Constă in realizarea unui strat subţire prin
reacţie eterogenă la suprafaţa substratului aflat intr-un reactor in care presiunea totală este de 1
atm. Avantajele principale ale metodei sunt: pe aproape orice material se poate tolera temperatura
de depunere, vitezele de depunere sunt relativ mari (1000 A/min), uniformitatea şi
reproductibilitatea sunt foarte bune. Dintre dezavantaje se pot aminti: piesele trebuie incălzite
pentru a se putea realiza reacţia dorită, utilizarea de gaze toxice, explozive sau corozive, durata
lunga a ciclului.
O instalaţie de depunere prin metoda CVD conţine în general următoarele părţi
componente: sursele de gaze, sistemul de distribuţie si de amestecare a gazelor, camera de reacţie,
sistemul de încalzire si sistemul de neutralizare a gazelor reziduale (fig. 5 si fig. 6).
b) Depunerea chimică din vapori la presiune scăzută. De această dată presiunea în reactorul de
lucru este in jur de 1 torr (1 mmHg, 1 atm = 760 mmHg), instalaţia fiind similară cu cea de la presiune
normală, in plus fiind prevazut sistemul de vidare (fig. 7).
Avantajul metodei constă in obţinerea de straturi subţiri pe un număr mare de piese aşezate la
distanţe apropiate. Grosimile maxime ale straturilor depuse sunt in jur de 10 μm.
3
c) Depunerea chimică din vapori stimulată de plasmă permite realizarea straturilor cu ajutorul unei
descărcări electrice (de obicei in radiofrecvenţă) prin vaporii componentelor sistemului, la presiune
scăzută. Reacţiile de formare a straturilor au loc in principal prin acţiunea descarcarii luminescente
ajutată uneori de incălzirea pieselor.
Calitatea straturilor este determinată, in afară de natura si puritatea reactanţilor folosiţi, de
configuraţia instalaţiei de depunere si de metoda de cuplare a plasmei in instalaţie. Sunt preferate
sistemele cuplate capacitiv celor cuplate inductiv deoarece pentru a iniţia şi a menţine descărcarea
este necesară o putere mai mică. Avantajul metodei constă în obţinerea de straturi la temperaturi
joase, inclusiv temperatura camerei. Este însă dificilă realizarea straturilor de grosimi şi
proprietăţi uniforme pe suprafeţe mari, cu viteze de depunere adecvate, datorită complexităţii
reacţiilor chimice în plasmă.
4
Fig. 9. Instalaţie de depunere a straturilor subţiri prin placare ionică cu sursă
evaporată cu fascicul de electroni in plasma RF: 1-incinta vidata; 2- substrat şi
catod; 3- sursa de evaporat; 4- tun electronic; 5-alimentare RF; 6- retea de adaptare
RF; 7- ecran de protecţie; 8- descărcare luminiscentă; 9- ieşire spre pompa de vid.
Componentele principale ale unui sistem de implantare ionică sunt redate în figura 10.
Printr-o sursă de ioni este trecut un curent de gaz (azot de exemplu). Electronii emişi cu viteză
mare de către un filament de wolfram puternic încălzit lovesc moleculele de azot, smulgându-le
electroni şi formând ioni de azot. Aceştia sunt extraşi din sursa ionică pe cale electrostatică, apoi
focalizaţi într-un fascicul şi acceleraţi până la o energie cinetică de 100 eV. Posedând o energie
cinetică foarte mare, ionii de azot lovesc suprafeţele pieselor şi pătrund in regiunile superficiale.
d) Depunerea din fascicule ionice. Depunerea straturilor subţiri cu ajutorul fasciculelor ionice se
realizeaza prin două variante principale: depunerea directă a materialului dintr-un fascicul ionic ce
conţine elementul sau compusul dorit şi depunerea materialului indirect din ţinte bombardate de
către ionii introduşi din exterior.
Metoda depunerii directe constă in formarea unui strat subţire din componentele unui
fascicul de ioni de energie joasă când acesta se izbeşte de un substrat (fig. 11).
Metoda depunerii indirecte constă in utilizarea pulverizării cu fascicul extern de ioni,
pentru a indeparta materialul ţintei, urmata de depunerea acestuia pe piesă. O variantă a acestei
metode este pulverizarea reactivă cu fascicul ionic, care constă in utillzarea unor fascicule de ioni
reactivi care reactionează cu ţinta, stratul subţire depunându- se pe piese sau fiind format chiar la
suprafaţa acestora.
e) Pulverizarea catodică. Este procesul prin care, dintr-o ţintă bombardata cu ioni pozitivi
acceleraţi de un câmp electric, sunt puşi in libertate atomi neutri care ulterior se depun pe piese. Un
5
sistem de pulverizare multifuncţional, procedeul "dioda", este prezentat in figura 12.
In forma sa cea mai simplă procesul se bazeaza pe urmatorul principiu (fig. 13): intr-o
incintă vidată sub 10-2 Pa sunt dispuşi doi electrozi plani la o distanţă de câţiva centimetri. Unul din
electrozi este conectat la polul negativ al unui generator de tensiune (câţiva kV), iar celălalt la
masă. Dupa vidarea incintei presiunea se ridică la cca. 10 Pa prin admisia in incintă a unui flux
controlat de argon, astfel că apare o descărcare luminescentă intre electrozi. Plasma obţinută este
alcătuită din molecule de argon, ioni de argon şi electroni. In imediata apropiere a catodului apare
o zona neluminoasă, spaţiul Crookes, in care are loc cea mai mare parte din căderea de potenţial si
in care ionii rezultaţi prin ciocnirea moleculelor de argon cu electronii câmpului electric sunt
acceleraţi şi bombardează catodul cu o energie de mai mulţi keV, provocând ejecţia atomilor
catodului. Aceşti atomi sunt proiectaţi in toate direcţiile ajungând in final pe anod sau pe orice altă
piesă aşezată pentru acoperire in faţa anodului.
Fenomenul de ionizare datorită ciocnirilor electronilor cu atomii gazului inert poate avea
loc când energia cinetică a electronilor depăşeşte energia de ionizare, Wi [eV] : (me.v2)/2 >Wi
unde: me - masa electronului; v – viteza electronului
6
pulverizării nu depinde numai de energia ionilor incidenţi ci şi de masa acestora (m i) precum si de
masa atomilor reţelei “ma" (fig. 14).
Considerând ciocnirea ion - atom ca o ciocnire intre sfere elastice, energia medie
transferată reţelei "Er", in urma a două ciocniri consecutive a ionului cu atomii din nodurile reţelei,
este dată de relaţia lui Arifov: Er = k.Ei , unde Ei este energia cinetică a ionului incident.
Alţi factori care influenţează randamentul de pulverizare sunt: orientarea ionului incident
faţă de ţintă, natura si temperatura ţintei, presiunea gazelor reziduale din incintă.
Dintre dezavantajele procedeului diodă clasic pot fi amintite: la presiunea de lucru, drumul
liber mediu al unei molecule de gaz va fi foarte mic (aprox. 5 mm), atomii ejectaţi din ţintă având
toate şansele să întâlnească molecule de gaz, cu efect de reducere a vitezei de depunere; este
necesară o tensiune de lucru mai mare de 3000 V cu implicaţii în geometria sistemului (catozi
plani şi paraleli), distanţă determinată între anod şi catod (1-3 cm).
Inlocuind câmpul electric continuu cu un câmp alternativ de inaltă frecvenţă (2- 4 kV)
descărcarea poate fi menţinută până la o presiune de 10 -1 Pa (când drumul liber mediu este de
aproximativ 50 cm), atomii ejectaţi neîntâlnind in traiectoria lor molecule de gaz. Acest procedeu
diodă numit "de înaltă frecvenţă” permite şi pulverizarea de materiale izolante, SiO 2 de exemplu,
pe un suport oarecare.
7
Fig. 16. Schema unei instalaţii de pulverizare catodică
procedeu "diodă" în câmp magnetic: 1- anod; 2- catod; 3- ţintă;
4- substrat (piese); 5- bobină; 6- butelie de argon; 7- vană de
reglaj; 8- racord la sistemul de vidare.