Depuneri de straturi subțiri în vid

Aplicaţia 9

DEPUNERI DE STRATURI SUBȚIRI ÎN VID

9.1 Metode de depunere de straturi subțiri în vid

Denumirea de «straturi subţiri» este rezervată straturilor de grosime
micronică sau submicronică depuse pe suprafaţa unui material, denumit
substrat.
Depunerile de straturi subţiri pe anumiţi suporţi (sticlă, ceramică,
semiconductoare, metale, etc.), cu grosimi de zecimi de microni sau microni,
sunt destul de frecvent utilizate în optică, producerea de componente
electronice, laseri, fotocelule, dar şi în alte tehnici de vârf.
Principalele metode utilizate pentru obţinerea de straturi subţiri sunt:
 depunerea în fază de vapori chimici, sau CVD (Chemical Vapor
Deposition);
 depunerea în fază de vapori fizici, sau PVD (Physical Vapor
Deposition).
Clasificarea este dată de schema (figura 9.1):

CVD
Procese chimice
CVD laser CVD
plasma CVD

Procese de Procese
de evaporare Pulverizare catodică în cc
depunere
straturi subţiri (termice) sistem diodă sau triodă
Pulverizare catodică în cc
Procese de cu catod incandescent
Procese fizice
pulverizare Pulverizare catodică
PVD
catodică sistem magnetron
Procese de Pulverizare catodică în
implantare radiofrecvenţă
ionică

Fig 9.1 Clasificarea procedeelor de depunere a straturilor subţiri

Depunerile în fază de vapori chimici sunt tehnologii chimice, de aceea

vom trata câteva dintre depunerile tip PVD (tehnologii electrice).
9.2 Depunerea în fază de vapori fizici – PVD
Depunerea în fază de vapori fizici - PVD prezintă mai multe avantaje în
raport cu depunerea CVD: peliculele sunt mai dense, procesul este uşor de
controlat şi nu există poluare.
-2
Procedeul se desfăşoară la presiuni scăzute (sub 10 torr), iar
o
temperatura suprafeţei de acoperit (substratul) este relativ mică (sub 500 C).
9.2.1 Depunere prin evaporare termică
Este metoda cea mai veche, apărută pe scară industrială la nivelul anului

Autor: Dr.ing.Georgel PAICU 1

 Depuneri de straturi subțiri în vid

1950. Se depun straturi subţiri (metale, semiconductori, dielectrici,

feromagnetici, lacuri protectoare, etc.) pe metale, materiale anorganice (sticlă,
ceramică, siliciu) sau materiale plastice, în scopul obţinerii de acoperiri
funcţionale sau decorative. Tehnologia este larg utilizată în industria optică
(straturi antireflex, filtre optice, oglinzi de proiectoare, etc.), decoraţiuni
(metalizări de mase plastice, etc.), condiţionarea foilor (ambalaje, fabricarea
condensatoarelor, etc.).
Această metodă constă în evaporarea sau sublimarea materialului de
depus într-un creuzet în vid prin încălzirea la temperatură
înaltă. Materialul evaporat se depune prin
condensare pe suprafaţa piesei, denumită 1 5
substrat. Procedeul este deosebit de simplu, 2 6
dat schematic în figura 9.2.
Într-o incintă 1, vidată prin racordul 9 la
-4 -10 7
presiuni de 10 …10 torr, creuzetul 3 este
încălzit cu dispozitivul de evaporare 4 sub formă 3 8
de element rezistiv (filament refractar).
În urma încălzirii, materialul din creuzet 9
se evaporă treptat după atingerea temperaturii 4
de topire. Unele metale (Zn, Cd, Mg) sau unele
materiale semiconductoare (compuși) trec Fig. 9.2 Depunere prin evaporare
direct în stare de vapori, adică sublimează.
-4
La presiuni sub 10 torr atomii sau moleculele substanţei evaporate au
un drum liber mediu de peste 50 cm, deci se propagă rectiliniu, normal la
suprafață, sub formă de fascicule moleculare înguste (raze), analoge
fasciculelor luminoase. Particulele se vor depune, după rotirea ecranului 8, pe
substratul 6.
Pentru a da stratului subţire configuraţia dorită se folosesc măşti speciale
7 plasate în faţa substratului. Ele se fabrică din table subţiri, din materiale cu
presiune de vapori redusă, coeficient de dilatare mic şi inactive chimic cu vaporii
din incintă.
Celelalte elemente sunt: încălzitorul de degazare termică a pereţilor 5 şi
elementul încălzitor 2 pentru încălzirea substratului în vederea obţinerii unei
depuneri uniforme.
În general, există mai multe metode de evaporare a materialului din
creuzet: prin încălzire prin efect Joule a unui filament refractar, prin inducţie, cu
arc electric, cu fascicul de electroni sau cu fascicul laser. Prima şi a doua
metodă se utilizează la materiale uşor de topit (Pb, Cd, Ag, Al, Cr, Au, Ni), iar
celelalte - la vaporizarea materialelor refractare.
Viteza de depunere depinde de temperatura sursei, de distanţa între
creuzet şi substrat şi de coeficientul de aderenţă la substrat al metalelor
evaporate. Viteza de depunere variază între 1 nm/min şi 10 µm/min.
Evaporarea termică este o metodă foarte simplă ce nu are nevoie de
injectarea unui gaz pentru crearea de plasmă.
Dezavantajele metodei:
o este dificil de depus materiale foarte refractare sau materiale cu
tensiune de vapori redusă;
o nu permite stăpânirea facilă a compoziţiei chimice în cazul unui aliaj,
deoarece are loc un proces de distilare a componentei mai volatile;

Autor: Dr.ing.Georgel PAICU 2

 Depuneri de straturi subțiri în vid

o stratul poate fi contaminat prin reacţia cu materialul creuzetului, cu

filamentul sau prin degazarea pereţilor prin încălzire;
o evaporarea cu fascicul de electroni produce radiaţii X ce pot fi la
originea defectelor cristaline.
Rămâne o metodă apreciată de elaborare a peliculelor foarte pure, la
-6
presiuni foarte mici (sub 10 torr).
9.2.2 Depunere prin pulverizare catodică
Instalaţiile de acest tip au căpătat o pondere industrială importantă abia
după anul 1970, deşi încă din 1852 Grove a observat că într-un tub de
descărcare, pe peretele din sticlă, se formează un depozit metalic în zona
electrodului negativ.
Pulverizarea catodică elimină din neajunsurile metodei anterioare: gama
de materiale de acoperire este mai largă, aderenţa şi durabilitatea stratului
depus este mai bună, randamentul acoperirii mai înalt.
a) Depunerea prin pulverizare catodică în curent continuu
În figura 9.3 este prezentat principiul instalaţiei. Într-o incintă 1, vidată prin
-6
racordul 9 la presiuni de 10 torr, sunt dispuşi doi electrozi: anodul 3 şi catodul
5. Primul este conectat la potenţialul pământului şi la polul plus al unei surse de
tensiune continuă, iar catodul la polul minus al aceleaşi surse. De obicei se
folosesc tensiuni între 1…10 kV.
Pe întreaga suprafaţă a catodului (pe
direcţia anodului) se plasează materialul 6, 1
de depus, denumit ţintă, iar pe suportul 5
anodic - piesele 7, de acoperit. 2
Un gaz de lucru, de regulă argon de
înaltă puritate (argon spectral, de puritate 6
99,9993%), este introdus treptat în incintă, la 7
. -2
presiune de (2...7) 10 torr. Sub acţiunea
3
câmpului electric apare extragerea de 8
4
electroni din catod, accelerarea acestora, 9
ciocnirea cu atomii de argon şi transformarea
acestora în ioni pozitivi. Se formează o Fig. 9.3 Depunere prin pulverizare
catodică - în sistem diodă
plasmă în spaţiul dintre cei doi electrozi.
Ionii pozitivi de argon bombardează ţinta (aflată la potențial negativ) şi-i
extrage atomi.
Extragerea atomilor din ţintă se poate explica prin faptul că, în locul de
impact al ionilor de gaz, atomii primesc energii mari, vibrează pe direcţia
normalei la suprafaţă şi pot învinge forţele de legătură din material. Marea
majoritate a atomilor pulverizaţi sunt dirijați spre suportul anod, pătrunzând intim
în piesele dispuse în apropierea anodului datorită vitezelor mari de deplasare a
particulelor (de 15…20 ori mai mari faţă de evaporarea în vid) şi asigurând o
acoperire aderentă. Distanţa dintre electrozi se alege în aşa fel încât să
corespundă spaţiului întunecat al descărcării, din apropierea catodului, întrucât
această regiune este foarte stabilă faţă de variaţia parametrilor descărcării.
Viteza de pulverizare este proporțională cu numărul de ioni incidenți, deci
cu curentul descărcării, deci va scădea la scăderea presiunii. Creșterea
presiunii nu este permisă prea mult deoarece atomii pulverizați se întorc spre
catod sau își schimbă direcția prin ciocnirile cu atomii de gaz. Un optim pentru

Autor: Dr.ing.Georgel PAICU 3

 Depuneri de straturi subțiri în vid

. -2
presiune este între (2...7) 10 torr.
Tehnica pulverizării catodice este larg folosită la obţinerea straturilor
subţiri ale diferitelor metale, în special greu fuzibile, cum sunt Mo, W, Ta, etc.
Pentru obţinerea unor pelicule metalice sau semiconductoare cu o bună
structură cristalină, suportul anodic este încălzit la o anumită temperatură cu
ajutorul elementului încălzitor 8, dar o temperatură prea mare (cauzată de
bombardamentul electronilor) poate conduce la scăderea vitezei de depunere,
de aceea se prevede și răcirea forțată cu apă prin circulație în interiorul
anodului. Un obturator 2 asigură momentul declanşării sau al opririi depunerii.
Un avantaj incontestabil al metodei pulverizării catodice constă în faptul
că prin acest procedeu se pot obţine straturi subţiri având compoziţia
materialului pulverizat. Acest fapt face ca metoda să fie cu predilecţie folosită
pentru obţinerea straturilor din materiale semiconductoare sau din aliaje
metalice sau magnetice, chiar în cazul în care vitezele de pulverizare ale
componentelor diferă mult între ele. Întâi pulverizează componenta mai volatilă,
ceea ce va conduce la faptul că stratul depus va conţine în regiunea de contact
cu suportul o cantitate mai mare din această componentă. Ulterior însă, datorită
sărăcirii regiunilor superficiale ale ţintei în materialul cu coeficient mare de
pulverizare, va creşte viteza de evaporare a materialului de bază care se va
depune în continuare pe suport, luând naştere pelicule având compoziţia
materialului ţintei.
Un dezavantaj al metodei de pulverizare catodică este conţinutul mare de
impurităţi gazoase în peliculă (mai mare decât în cazul metodei evaporării
termice). Prin bombardamentul ionic asupra pereţilor şi a altor elemente ale
incintei de descărcare sau a suportului anodic se produc gaze active, care pot
afecta calitatea stratului subţire.
Dezavantajul menţionat poate fi folosit ca avantaj dacă se dorește
obţinerea unor straturi dielectrice, oxizi, nitruri, hidruri, etc. Procedeul se
numește pulverizare reactivă, denumit şi pulverizare electrochimică. Astfel
pentru obţinerea de oxizi se introduce oxigen simultan cu gazul de lucru
(argonul). Analog, se pot obţine şi alte combinaţii chimice ca: nitruri (prin
introducerea azotului și a argonului), hidruri cum sunt AsH2, SbH2, BiH2 (prin
introducerea de hidrogen și argon), etc.
b) Depunerea prin pulverizare catodică în radiofrecvenţă se aplică în
special la depunerea de straturi subţiri din materiale de rezistivitate foarte mare.
În cazul clasic - sistem diodă – ţinta din material dielectric se comportă
asemeni unui condensator alimentat cu tensiune continuă, care se încarcă
rapid. Ionii pozitivi, care bombardează ținta, se acumulează la suprafaţa
acesteia, creând o sarcină spaţială care, prin câmpul format, respinge ionii de
plasmă. Pentru a evita acest fenomen, se creează o plasmă alimentată în
curent alternativ de înaltă frecvenţă.
Tensiunea ridicată (de ordinul kilovolților), de înaltă frecvenţă (10…20
MHz), de la un generator de putere (0,2…10 kW) este aplicată între electrodul 1
(conectat la masă) și placa metalică 3, pe care este fixat dielectricul 5, sau o
altă substanţă de evaporat (figura 9.4). Suporturile 2 pe care are loc
condensarea sunt plasate la circa 25 - 30 mm de materialul ţintă 5.
Ca gaz de lucru se foloseşte de obicei argonul spectral, admis prin
racordul 4, după vidarea prealabilă a incintei prin racordul 8. Presiunea de lucru
-3
este în jurul a 10 torr. Pentru mărirea concentraţiei de ioni de gaz (fără a mări

Autor: Dr.ing.Georgel PAICU 4

 Depuneri de straturi subțiri în vid

presiunea de gaz introdus) întreaga incintă sau numai spaţiul de descărcare se

plasează în câmp magnetic longitudinal creat bobinele 6. Aplicarea câmpului
magnetic măreşte viteza de depunere de 2…3 ori ca urmare a măririi
concentraţiei ionilor de gaz pe seama creşterii numărului de ciocniri cu
electronii, siliţi să parcurgă un drum spiralat în jurul liniilor de câmp magnetic.
Ionii pozitivi de argon, având mase mari, se plasează în partea de jos a incintei.
În alternanţa negativă, ţinta atrage ionii pozitivi care, având energii mari,
pulverizează materialul 5. În alternanţa pozitivă sunt atraşi electronii din plasmă,
care neutralizează sarcina electrică spaţială pozitivă creată anterior. Răcirea
electrozilor se face prin circulația de apă rece 9. Inelul de gardă 7, conectat
ferm la masă, favorizează repartiția câmpului electric.
Impendanţa ansamblului electrod 1
5
1 –plasmă – electrod 3 este dependentă de
materialul ţintei şi de presiunea gazului. De
2
6 aceea, se interpune între generatorul de
radiofrecvenţă (GRF) şi electrodul 3 un
adaptor de impendanţă - 10, realizat din
3
două condensatoare reglabile şi o
7 inductanţă ajustabilă.
Viteza de condensare poate fi
8
4 reglată prin varierea puterii generatorului
GRF de radiofrevenţă, a presiunii de lucru, a
9 10 intensităţii câmpului magnetic şi a tempe-
9
raturii suportului. Pentru toţi aceşti para-
Fig. 9.4 Depunere prin pulverizare metri fixaţi, viteza de depunere depinde şi
catodică în radiofrecvenţă
de natura materialului pulverizat.
Prin pulverizare catodică în radiofrecvenţă se pot obţine straturi subţiri nu
numai din materiale dielectrice, ci şi din materiale semiconductoare şi din
diferite metale, precum şi pelicule de oxizi, nitruri, etc. (prin pulverizare
reactivă). Una din aplicaţiile frecvente prin această metodă este realizarea de
filme subţiri multistrat izolator-conductor (pentru obţinerea condensatoarelor cu
straturi subţiri), folosind o instalaţie echipată cu mai multe materiale ţintă.
9.3 Desfășurarea aplicației
9.3.1 Prezentarea instalației din laborator.
Instalația din laborator permite depunerea în vid înalt de straturi subțiri
prin pulverizare catodică de radiofrecvență. Ea serveşte la depunerea unor
pelicule metalice sau semi-conductoare, ori la corodarea suporturilor depunerii.
În cadrul Lucrării 8 a fost descrisă instalația de vidare, care oferă
posibilitatea de realizare de vid înalt și de măsurare a nivelului de vid.
În interiorul incintei vidate (figura 9.5.a) se află cei doi electrozi (1 și 2)
alimentați cu tensiune ridicată de la un generator de radiofrecvență. Electrodul
superior (1) este conectat la potențialul masei circuitului, iar cel inferior (2) este
izolat față de masă. Pe el se plasează materialul țintă. Pe electrodul superior se
fixează, prin lipire, piesa de acoperit.
În jurul electrodului inferior (2) se plasează un inel de gardă (3) conectat
la masă. Gazul de lucru (argon) - folosit și pentru spălări ale incintei - este
admis în incintă prin conducta de admisie (4). Electrozii au posibilitatea de a fi
răciți forțat cu apă printr-un canal interior.

Autor: Dr.ing.Georgel PAICU 5

 Depuneri de straturi subțiri în vid

Sub incinta vidată se află generatorul de radiofrecvență (figura 9.5.b),

având schema electrică prezentată în figura 9.6. Se distind elementele: 1 –
transformatorul ridicător de tensiune Tr, 6, 7 – condensatoarele variabile C6 și
C4, 8 – triodă de putere, 9 – condensatorul C3 al circuitului oscilant, 10, 11 –
inductanțele L2 și L3 cu reglaj mutual.

6
7
8
1
9
5
10

11
4
3

a) b)
Fig. 9.5 Instalația de depunere prin pulverizare catodica de radiofrecvență
Generatorul de radiofrecvență este realizat cu un oscilator de tip Hartley,
ce furnizează pe descărcare o putere de 300 W, la frecvenţă de 27,12 MHz.
Oscilatorul este alimentat în curent continuu de la un redresor
monoalternanţă cu filtraj în , având tensiunea alternativă de intrare reglabilă în
treptele: 1500 V, 2000V și 2500V. Această tensiune este furnizată de
secundarul transformatorului ridicător de tensiune Tr, prevăzut cu trei trepte de
reglare.
P L2 L3 C4 L4 C5

K D1 L1
Tr C3
I

C10
R1 C1 C2
R2 L5

A1 T
C7
C6
13V
A2
C9 C8

Fig.9.6. Schema electrică a instalaţiei

Autor: Dr.ing.Georgel PAICU 6

 Depuneri de straturi subțiri în vid

Circuitul oscilant C3-L2 determină frecvența oscilatorului, conform relației

lui Thomson:
1
f0 
2 L2  C3

Această frecvență este riguros constantă: fg = 27,12 MHz

Extragerea energiei pentru descărcare este asigurată de inductanţa L3 în
cuplaj variabil cu autotransformatorul de alimentare a grilei L2. Adaptarea
sarcinii din incinta I, la frecvenţa de rezonanţă a circuitului oscilant de extracţie
L3-C4, se obţine prin intermediul condensatoarelor variabile C4 (dependent de
puterea transmisă descărcării, deci de coeficientul de cuplaj L2-L3) și C5
(dependent de frecvenţa de rezonanţă a circuitului L3-C4 și mărimea sarcinii,
frecvenţa ce poate diferi de cea a circuitului de grilă fg.
Prin intermediul miliampermetrului A1 (maxim 0,6 A) se măsoară curentul
anodic al tubului oscilator T (RD 200B TESLA), iar cu A2 (maxim 0,6 A) curentul
de grilă al aceluiaşi tub.
Reglajul trebuie să urmarească obţinerea unui randament maxim pentru
condiţiile de lucru date (presiune, distanţa dintre electrozi, aria electrozilor,
tensiune de alimentare) la un curent anodic minim. Trebuie avut în vedere că
suprafaţa maximă supusă pulverizării este un disc cu diametru de 50 mm , iar
2
densitatea de curent optimă este de 0,5 A / cm . În aceste condiţii, suportul
poate avea un diametru maxim de 100 mm pentru abaterea maximă a grosimii
-9
peliculei depuse să nu depăşească 10 m.
9.3.2 Realizarea unei depuneri și determinări experimentale
Materialul supus pulverizării se aşează pe electrodul inferior, iar suportul
condensării pe electrodul opus, situat la o distanţă de circa 30 mm. Ambii
electrozi sunt răciţii cu apă la interior. Ionii pozitivi se cumulează în vecinatatea
electrodului legat la masă, pulverizăndu-i suprafaţa. În acelaşi timp, împiedică
formarea unei sarcinii spaţiale pozitive în vecinătatea celui de al doilea electrod.
În acest fel procesul este dirijat.
Se va urmări: influența puterii descărcării Pa, frecvenței - f și presiunii - p
asupra vitezei și calității depunerii. Măsurând puterea consumată din rețeaua
electrică – Pe și considerând datele de lucru ale oscilatorului se va determina
randamentul electric al procesului.

Autor: Dr.ing.Georgel PAICU 7