Cursuri Teao

Curs 1
• Introducere
• Procese utilizate pentru microprelucrarea semiconductorilor
• Microprelucrarea de suprafata a siliciului si GaAs; tehnici de

realizare a structurilor MEMS prin microprelucrarea de
suprafata
• Microprelucrarea de volum a siliciului; tehnici de realizare a

structurilor MEMS prin microprelucrarea de volum a siliciului
• Microprelucrarea de volum a GaAs; tehnici de realizare a

structurilor MEMS prin microprelucrarea de volum a GaAs
• Concluzii
INTRODUCERE
• 1959 Richard Feynman - “There is a plenty of room at the bottom”;

erau expuse benefiiciile miniaturizari (rezolutie spatiala superioara, o
viteza de operare mai mare si posibilitatea de a fabrica dispozitive pe
scara larga); a mentionat si realizarea de dispozitive micrometrice care
sa fie mobile si care sa realizeze diferite functii specifice
• tehnologiile puse la punct pentru realizarea circuitelor integrate au

fost utilizate pentru a realiza o noua generatie de dispozitive
cunoscute sub numele de structuri micro-electro-mecanice (MEMS) -
spre deosebire de circuitele integrate, structurile MEMS sunt intr-
adevar mobile si pot realiza unele functii in cadrul circuitului
• Kurt Petersen (1982) - “Silicon as a micromechanical material”; tehnici

de realizare a dispozitivelor MEMS pornind de la senzori de presiune si
accelerometre, pana la micromotoare; aceste dispozitive pot fi
realizate la scara mai mica, putand fi mai rapide si mai ieftine decat
dispozitivele echivalente conventionale
bazele microprelucrarii mecanice a siliciului - inceputul anilor 1960; pana
la inceputul anilor 1970 cercetarea a fost orientata in special pe corodarea
anizotropa a siliciului
primele rezultate obtinute in domeniul microprelucrarii compusilor

semiconductori (GaAs/AlGaAs) – la mijlocul anilor ’80 (1983, B. Hök)
anii 1980 - depuneri de straturi subtiri → corodarea selectiva pentru

realizarea structurilor
anii 1990 - revolutie tehnologica: dezvoltarea de sisteme

microelectromecanice (MEMS) complexe, complet integrate, in care
senzorii, actuatorii si elementele de comanda ale dispozitivelor sunt
fabricate concomitent pe acelasi cip, utilizand atat procese specifice
circuitelor integrate cat si procese de microprelucrare
Metode de microprelucrare: de volum si de suprafata
•microprelucrarea de volum - sectiuni ale plachetei de siliciu sunt corodate

selectiv pentru a forma structura dorita
•microprelucrarea de suprafata, pe fata a plachetei sunt depuse si prelucrate in

etape filme subtiri de diferite materiale ; dupa finalizarea configurarii acestor
straturi, o parte dintre acestea urmeaza sa fie inepartate prin utilizarea unor
solutii de corodare selective
•unul dintre domeniile noi in care s-a produs o schimbare esentiala de la aparitia
noilor tehnologii a fost cel al microundelor si undelor milimetrice
•agentia americana DARPA (1999) - RF MEMS (structuri micro-electro-mecanice

pentru radio frecventa) sunt aplicatiile cele mai promitatoare ale microtehnologiei
• Introducere

suprafata


• Concluzii
Procese utilizate pentru microprelucrarea
semiconductorilor
In acest capitol vor fi prezentate principale tipuri de procese utilizate

pentru realizarea structurilor MEMS:
• depuneri de filme subtiri (PVD)
• depuneri de filme subtiri (CVD)
• depuneri prin ingrosare electrochimica
• metode de configurarea a straturilor subtiri
• corodarea umeda
• corodarea uscata
• fotolitografie
• masti
Depuneri de filme subtiri (PVD)
Depunerea de straturi subtiri din stare de vapori (PVD – Physical
Vapor Deposition) este unul dintre procesele fundamentale utilizate pentru
depunere pe plachete/probe a diferitelor tipuri de straturi. Acest proces
implica transferul de materie de la sursa la proba la nivel atomic.
In cadrul acestui proces materialul utilizat pentru acoperire, care se

gaseste cel mai adesea initial in stare solida, este transformat mai intai in
vapori, dupa care este transportat la proba dorita unde are loc condensarea.
Faza gazoasa Faza gazoasa

Transport
Condensare
Evaporare
Faza condensata Faza condensata

Cum functioneaza acest tip de depunere?
Acest proces se realizeaza in vid si implica patru pasi:
evaporarea materialului;
transportul;
reactia;
depunerea.
Evaporarea
In aceasta prima faza materialul “brut” este evaporat fie prin incalzire, fie
prin bombardare cu electroni sau ioni.
Transportul
Transportul materialului pana pe proba se realizeaza datorita energiei
cinetice acumulate in cursul procesului de evaporare si are loc in general in
linie dreapta de la materialul primar la proba.
Reactia
In general procesul de depunere din faza de vapori are loc fara vreo reactie
in timpul depunerii, deoarece procesul este utilizat in special pentru
depunerea de filme subtiri metalice sau (mai nou) a unor compusi care pot
fi achizitionati de pe piata.
Este posibila insa depunerea de oxizi, nitruri sau carburi prin utilizarea ca
material primar a unui metal ai caror atomi vor reactiona in timpul
transportului spre proba cu gazul din incinta in care are loc depunerea. In
aceste cazuri, dupa vidarea incintei este introdus un gaz de reactie care
poate fi oxigenul (in cazul oxizilor), azotul (pentru depunerea nitrurilor) sau
metanul (pentru prepararea carburilor).
Depunerea
In aceasta ultima faza are loc condensarea materialului pe suprafata
probei/plachetei.
In functie de procesul dorit, este posibila aparitia unor reactii la nivelul
plachetei intre gazul reactiv si substrat, reactii care au loc simultan cu
procesul de depunere si pot afecta calitativ procesul.
Straturile subtiri depuse prin aceasta metoda sunt utilizate pentru foarte multe
scopuri. In domeniul structurilor MEMS (structuri micro-electro-mecanice) sunt
utilizate in primul rand pentru realizarea structurilor (cum ar fi rezistente,
inductoare, capacitoare, filtre antene, componente aflate in miscare etc sau
pentru realizarea contactelor dispozitivelor active).
De asemenea, pot fi utilizate pentru imbunatatirea performantelor mecanice in

anumite zone – imbunatatirea rezistentei mecanice, reducerea fortelor de
frecare sau reducerea adeziunii intre diferite straturi aflate in miscare. O serie
de straturi depuse prin aceasta metoda pot fi utilizate pentru protectia
structurilor realizate (in special SiO2 sau Si3N4).
Variante ale procesului de depunere din stare de vapori:

depunerea prin evaporare
electron-beam
sputtering
descarcare catodica
ablatie laser
In continuare vor fi analizate primele trei metode de depunere, utilizate mai pe
larg in domeniul semiconductorilor.
Depunerea prin evaporare termica
Principiul fizic
Depunerea prin evaporare implica doua procese de baza: evaporarea materialului
cu ajutorul unei surse de caldura si condensarea pe substratul dorit.
Procesul are loc in vid pentru indepartarea particulelor din incinta inainte de
inceperea procesului, particule ce pot afecta calitatea filmului depus. Cu cat vidul
este mai inalt cu atat apare posibilitatea ca materialul evaporat sa ajunga la
substrat fara a se ciocni cu eventualele particule ramase in camera de lucru.
Drumul liber mediu – drumul mediu parcurs de o particula intre doua ciocniri; 10-6
torr (4nm) → 60m!!
Acest lucru este foarte important pentru calitatea filmelor depuse – materialul
evaporat poate reactiona cu particulele “straine” din incinta (aluminiu poate forma
oxidul de aluminiu in prezenta oxigenului).
Daca evaporarea este realizata la presiune atmosferica sau in vid de slaba calitate:
– depunere neuniforma si filmul tinde sa nu fie continuu si sa devina rugos;
depunere va fi difuza.
Calitatea filmului obtinut este influentata de calitatea suprafetei pe care este
realizata depunere – daca suprafata respectiva este rugoasa atunci filmul depus nu
va fi uniform.
Deoarece depunere materialului este realizata sub un anumit unghi, orice
geometrie in relief poate bloca o anumita zona, astfel incat materialul sa nu se
depuna – fenomenul de umbrire.
Echipamentul
Orice astfel de sistem necesita o pompa de vid – 10-6 torr.
Sistemul include de asemenea o sursa de energie pentru evaporarea materialului si
unul sau mai multe creuzete pentru plasarea materialului.
Configuratii posibile pentru plaserea sursei de energie si a materialului.

Creuzetele – materiale refractare (W, Ta, Mo, grafit, alumina etc)
Monitor, etc shutter
Filament – W, Mo, Ta
Suportul plachetelor – fix sau mobil (simplu sau de tip planetar)
Rata tipica de depunere – 1-20Å/secunda.

Materiale depuse (tipic): Au, Ag, Al, Cu, Cr,
Ge, Ga, Mg, In etc
Avantaje: simple, robuste, foarte raspandite.
Dezavantaj: temperatura maxima ~ 1800°C
– nu pot fi depuse materiale refractare.
Depunerea cu fascicul de electroni (e-beam)
Sistemul utilizat in acest caz este practic identic cu sistemul descris anterior,
cu exceptia modului in care este realizata evaporarea materialului.
Prezentarea schematica a modului de desfasurare a procesului de evaporare a

materialului.
Sistemul este mult mai complex, dar extrem de versatil
Utilizeaza creuzete pentru materiale, care sunt plasate intr-un suport racit de
cupru
Rata de depunere tipica pentru un astfel de sistem – 10-100 Å/secunda
Tensiunea maxima de emisie poate ajunge pana la 15kV
Temperatura maxima care poate fi atinsa in cursul procesului – 3000°C
Poate realiza depuneri de materiale refractare (Ni, Pt, Ir, Ti, V, Mo, W, Al 2O3,
SiO, SiO2, TiO2 etc)
Puritate mai buna a materialelor depuse
Sistemul utilizat pentru realizarea de depuneri cu fascicul de electroni.

Depunerea prin sputtering (“imprastiere”)
Sputtering – mecanismul prin care atomi sunt dislocati de pe suprafata unui material ca
rezultat al coliziuni cu particule de energie mare
Depunerea prin sputtering – tehnica de a depune un material prin evaporare in care atomi
sau moleculele sunt extrase din materialul tinta prin bombardarea cu particule de energie
inalta, astfel incat particulele extrase sa condenseze pe un substrat sub forma unui film
subtire
Tehnica foarte raspandita pentru depunerea de diferite tipuri de filme subtiri – metalice (Al,
Pt, Au, Ti, W etc) sau dielectrice (oxizi, nitruri)
Tehnica de depunere prin sputtering poate fi descrisa ca o succesiune a urmatorilor pasi: 1.

generarea ionilor si directionarea catre tinta; 2. bombardarea cu ioni a tintei si extragerea
atomilor sau moleculelor din tinta; 3. particulele extrase din tinta sunt transportate catre
substrat printr-o regiune cu presiune scazuta; 4. condenarea pe substrat si formarea filmului
subtire.
Descrierea schematica a procesului

Spre deosebire de tehnicile anterioare de depunere de filme subtiri, acest proces se desfasoara
la o presiune de 10-2-10-3 torr – dupa realizarea vidului, in incinta este introdus un gaz inert (de
obicei este utilizat argonul).
Sursele pentru sputtering – magnetroane care utilizeaza campuri electrice si magnetice
puternice pentru captarea electronilor in apropierea suprafetei magnetroanelor – tinta. Electroni
captati au o traiectorie elicoidala datorita campului magnetic, ceea ce conduce la coliziuni cu
atomii gazului neutru din incinta – activarea plasmei.
O parte din ionii generati bombardeaza tinta – sunt extrasi atomi sau molecule din materialul
tinta.
Particulele extrase sunt neutre – nu vor fi afectate de “capcana” magnetica si se vor propaga
spre substrat unde vor condensa.
In cazul materialelor dielectrice, pentru evitarea incarcari electrostatice a suprafetelor este
utilizat RF sputtering – anodul si catodul sunt schimbate intre ele cu o frecventa foarte mare.
Sisteme utilizate pentru diferite depuneri prin sputtering.

Pentru depunerea anumitor compusi:
-sunt utilizate gaze reactive pentru formarea plasmei, astfel incat in urma reactiei
dintre materialul tinta si gazul din incinta pe substrat se depune compusul dorit.( Sputtering
reactiv )
Sputteringul reactiv este utilizat in general pentru depunerea de oxizi si nitruri.
Compozitia unui film poate fi controlata foarte fin variind presiunile relative ale gazului inert si a
celui reactiv.
Stoichiometria filmelor depuse este un parametru foarte important in optimizarea proprietatilor
functionale – de exemplu, stresul rezidual in filmele de SiNx sau indicele de refractie al celor de
SiOx.
In cursul proceselor de sputtering reactiv in functie de parametri procesului compusi

pot sa se formeze in diferite zone ale incintei cum sunt:
•la suprafata tintei,
•in timpul transportului materialului tinta
•pe suprafata substratului
Aceasta tehnica de depunere a filmelor subtiri este dupa cum se poate observa extrem de
complexa datorita numerosilor parametri care pot varia in timpul procesului – dar ofera expertilor
in domeniu multe grade de libertate in timpul cresteri filmelor pentru obtinerea de filme subtiri de
calitate.
Sputtering reactiv
Avantaje:
•uniformitate foarte buna pe suprafete extinse;
•control foarte bun al grosimi filmelor (in cazul filmelor foarte subtiri);
•un bun control al compozitiei aliajelor;
•asigura o acoperire foarte buna a denivelarilor in comparatie cu depunerea prin evaporare
termica;
•se poate realiza o curatare a substratului in vid inaintea realizari depunerii;
•nu exista posibilitatea deteriorari dispozitivelor datorita razelor X ca in cazul depunerilor prin
e-beam;
•adeziune mai buna decat in cazul celorlalte metode prezentate;
•posibilitatea de a depune practic orice material prin aceasta metoda.
Dezavantaje:
•metoda este costisitoare;
•rata de depunere a unor materiale este foarte scazuta;
•tendinta mai mare de a introduce impuritati in substrat decat celelalte metode datorita
conditiilor de operare;
•unele materiale pot fi degradate datorita bombardamnetului ionic.
Originea stresului rezidual in filme depuse prin PVD
stress = trad = effort unitar; strain = trad = alungire relativa

stres compresiv - capacitatea unui material de a suporta forte de tensiune care
actioneaza in sensul comprimarii acestuia.
Efortul unitar datorat

efortului unitar in sensul
buclare- delaminare
simulare  poza SEM 
Originea stresului rezidual in filme depuse prin PVD
stres tensil - capacitatea unui material de a suporta forte de tensiune care actioneaza in sensul
destinderii acestuia.
Surse ale stresului
Cel mai adesea distingem 3 componente ale stresului:
-Stresul termic
-datorat diferentei intre coeficientii de expansiune termica ai stratului depus si
substratului
-Stresul Inrinsec
-introdus de diferite surse in timpul procesului de depunere: stres datorat cresterii, stres
de coerenta.
-Stresul Extrinsec
-datorat factorilor externi: darcini externe, stress rezultat in urma functionarii
dispozitivului, expunerea la mediu
Depuneri de filme subtiri (CVD)
Depunerea din vapori chimici (CVD)

-un proces chimic utilizat pentru a obtine materiale solide de mare
puritate cu performante foarte bune pentru diferite aplicatii si este utilizat in special
pentru a produce filme subtiri pentru industria semiconductorilor.
Intr-un proces CVD tipic, placheta (substratul) este expusa unuia sau mai multor
precursori volatili care reactioneaza si/sau se descompun pe suprafata substratului
pentru a se obtine depunerea dorita. Frecvent in camera de reactie apar produsi
de reactie volatili care sunt indepartati prin curgerea gazului in incinta.
Procesul de realizare a microstructurilor include de cele mai multe ori depunerea

de materiale prin CVD in cele mai diverse forme, incluzand aici straturi
monocristaline, policristaline, amorfe si epitaxiale. Printre materialele care pot fi
depuse prin aceasta tehnica putem enumera: oxizi, nitruri, oxinitruri, polisiliciul,
diferite straturi dielectrice “high-k”, carbura de siliciu, CLD (carbon-like-diamond),
carbonanotuburi etc.
Tipuri de depunere prin CVD
CVD cu pereti incalziti CVD asistat cu plasma
Diferite tipuri de echipamente CVD sunt utilizate pe scara larga pentru depunerea de
filme subtiri, in functie de cerintele procesului respectiv.
In general, pe piata sunt disponibile diferite configuratii ale acestor echipamente,
diferind intre ele prin felul in care reactiile sunt initiate (modul de activare a
procesului) si prin conditiile de lucru.
In general multe dintre aceste echipamente sunt complementare prin modul de
realizare a depunerilor – nu se poate spune ca o facilitate tehnologica este suficient
sa detina un astfel de echipament pentru a realiza toate depunerile dorite. Acest
lucru va deveni evident in continuare cand vom descrie pe scurt tipurile de CVD-uri
disponibile.
Presiunea la care opereaza:
APCVD (CVD la presiune atmosferica) – in acest caz presiunea la care se
desfasoara procesele este presiunea atmosferica normala (temperatura de operare
~400°C; depunerea nu este conforma)
LPCVD (CVD la presiune scazuta) – procesele sunt realizate la presiune scazuta
(0,1-1 torr); presiunea scazuta tinde sa reduca si reactiile nedorite cu alte gaze din
camera si sa imbunatateasca uniformitatea filmelor depuse; temperaturi de
depunere ~900°C
UHVCVD (CVD la vid ultra inalt) – presiune foarte scazuta in timpul procesarii
(~10-8 torr)
Caracteristicile fizice ale vaporilor (tehnici mai putin utilizate in domeniul

semiconductorilor):
AACVD (CVD asistat cu aerosoli) – in acest tip de proces precursorul este
transportat la substrat prin intermediul aerosolilor; tehnica este utilizata in cazul
precursorilor nevolatili
DLICVD (CVD cu injectia directa a lichidului) – precursorul este in stare lichida;
utilizand aceasta tehnica rata de depunere obtinuta poate avea valori foarte mari
Metode care utilizeaza plasma:
MPCVD (plasmă cu microunde asistată pentru depunerea chimică de vapori) –
temperaturi de operare de peste 700°C
PECVD (CVD intensificata de plasma) – utilizeaza plasma pentru intensificarea
ratei reactiilor chimice; permite atat operarea la temperaturi scazute (pana la
300°C), cat si la temperaturi inalte (peste 700°C) – in functie de procesul dorit
RPECVD (CVD intensificata de plasma de la distanta) – similar cu PECVD, doar
ca substratul nu este plasat in zona plasmei; permite procesarea la temperaturi
foarte scazute – pana la temperatura camerei
ALCVD (depunerea de straturi atomice prin CVD) – depunere succesiva de straturi

atomice ale diferitilor precursori, care reactioneaza intre ele formand filme cristaline;
grosimea filmului depinde doar de numarul de cicluri realizate in cursul procesari –
controlul grosimii este extrem de simplu, iar acuratetea deosebita; conformitate si
reproductibilitate exceptionale a straturilor depuse; posibilitatea de a depune o
gama foarte larga de materiale; nivel foarte scazut al impuritatilor; posibilitatea
realizarii procesului la temperaturi foarte scazute; procesul este foarte lent;
HWCVD (hot wire CVD) – utilizeaza un filament pentru decompunerea chimica a
gazului sursa
MOCVD (metalorganic CVD) – in acest caz sunt utilizati precursori metalorganici;

pot fi depuse straturi diferite, cu un control foarte bun al grosimi, astfel incat poate fi
obtinut un material cu anumite proprietati optice si electrice; pot fi crescute straturi
epitaxiale de compusi AIIIBV (GaAs, AlAs, AlGaAs etc) atat pentru realizarea de
dispozitive, cat si pentru studiul teoretic; pot fi realizate straturi dopate; pot fi
crescute selectiv zone epitaxiale
VPE (epitaxie din faza de vapori) – metoda preferata de realizare a filmelor subtiri
cristaline pe un substrat; utilizata extensiv in industria semiconductorilor, in special
unde este necesara obtinerea unor filme subtiri de mare puritate si cu foarte putine
defecte structurale, sau unde este necesara realizarea unei structuri multistrat
pentru a fi incorporata in structuri speciale; MOVPE (metalorganicVPE) – o varianta
care utilizeaza precursori metalorganici; cele doua tehnici sunt utilizate in special
pentru cresterea epitaxiala a compusilor semiconductori
Exemplificarea unor procese utilizate intensiv in realizarea
circuitelor integrate
Polisiliciul
Polisiliciul este unul dintre materialele utilizate intens in microprelucrarea
semiconductorilor, pentru realiarea diferitelor componente ale structurilor, dar si ca
strat de sacrificiu.
Siliciul policristalin este obtinut prin descompunerea silanului:

SiH4 → Si + 2H2
Reactia este realizata de obicei in sistem de tip LPCVD si poate fi realizata din silan
pur sau diluat cu azot. Temperatura necesara pentru realizarea procesului este de
600-650°C, la o presiune de 0,1-1 torr – caz in care rata de depunere este de 10-
20nm/minut.
Exista posibilitatea de dopare a straturilor depuse prin adaugarea de fosfina,

diboran sau arsen in camera de reactie.
Dioxidul de siliciu
Probabil cel mai utilizat material in procesarea semiconductorilor:
 este utilizat intesiv in industrie pentru realizarea strucuturilor multistrat (se pot
realiza 18 straturi suprapuse in realizarea circuitelor integrate)
 pasivarea dispozitivelor
 straturi izolatoare
 realizarea de elemente mobile
 straturi de sacrificiu/planarizarea suprafetelor
 realizarea de membrane pentru microprelucrarea de volum
SiO2 poate fi depus prin mai multe tipuri de procese descrise anterior (APCVD,
LPCVD, PECVD, ALD). Cele mai utilizate gaze pentru obtinerea straturilor subtiri
sunt silanul (SiH4) si oxigenul, diclorosilanul (SiCl2H2) si oxidul nitros (N2O) sau
tetraetilortosilicatul (TEOS; Si(OC2H5)4):
SiH4 + O2 → SiO2 + 2 H2
SiCl2H2 + 2 N2O → SiO2 + 2 N2 + 2 HCl
Si(OC2H5)4 → SiO2 + produsi de reactie
Procesul de depunere este ales in functie de stabilitatea termica a substratului
– pentru silan 300-500°C, diclorosilan ~ 900°C, TEOS 650-750°C.
Utilizand diferite gaze suplimentare in timpul procesului este posibila doparea
straturilor de SiO2 depuse pentru obtinerea efectelor dorite (doparea substratului,
planarizare, strat de sacrificiu).
Nitrura de siliciu
Si3N4 este de asemenea un strat des intalnit in fabricarea de structuri si dispozitive

pentru izolarea anumitor portiuni, pentru pasivarea structurilor, realizarea de
elemente mobile sau membrane dielectrice.
Pentru obtinerea straturilor de Si3N4 se utilizeaza silanul sau diclorosilanul care

reactioneaza cu amoniacul:
3 SiH4 + 4 NH3 → Si3N4 + 12 H2
3 SiCl2H2 + 4 NH3 → Si3N4 + 6 HCl + 6 H2
Nitrura de siliciu este depusa in general la temperaturi inalte (~1400°C) si pot sa

apara probleme majore datorita stresului rezidual. Exista insa si posibilitatea
depuneri de straturi prin PECVD la temperaturi scazute – mai mult, in acest caz
exista chiar posibilitea controlului stresului rezidual din filmul depus.
Depuneri prin ingrosare electrochimica
Ingrosarea electrochimica este un proces utilizat pentru obtinerea unor acoperiri (de
obicei metalice) ale suprafetelor sub actiunea curentului electric. Depunerea este
realizata prin aplicarea unei sarcini negative obiectul “tinta” si imersia acestuia intr-o
solutie cotinand o sare a metalului pe care dorim sa-l depunem. Ionii metalici din
solutie (incarcati pozitiv) vor fi astfel directionati catre obiect, unde vor fi neutralizati
de sarcinile negative si vor realiza acoperirea dorita a obiectului.
Prezentarea schematica a unei celule electrlitice.

Procesul este utilizat in special pentru depunerea de starturi subtiri ale unor
materiale cu proprietati deosebite – de exemplu, pentru depunerea unor straturi
abrazive, lubrificante, pentru protectia impotriva coroziunii, din motive estetice etc.
In domeniul semiconductorilor procesul este utilizat pentru atingerea grosimii dorite

a straturilor subtiri care nu pot fi realizate prin alte metode – procesul este
complementar cu procesele prezentate anterior pentru realizarea de filme subtiri
metalice; reprezinta singura solutie practica de a obtine straturi metalice de calitate
cu o grosime mai mare de 1μm.
Procesul este foarte util si din considerente economice: dupa cum am vazut,
procesele de depunere din stare de vapori fizici depun materialul evaporat in toata
incinta – de altfel majoritatea materialului este pierdut in acest mod, doar o
cantitate mica fiind utilizata pentru realizarea procesului dorit. In cazul ingrosarii
electrochimice materialul poate fi depus doar in zonele dorite, consumul de
material fiind cu 2-3 ordine de marime mai mic.
Metode de configurare a straturilor subtiri
Pentru realizarea dispozitivelor dorite este necesara configurarea straturilor subtiri

depuse – pentru formarea liniilor de transmisie a elementelor pasive, a contactelor
etc.
In functie de facilitatea tehnologica in care sunt realizate structurile dorite este

posibil sa fie la dispozitie una sau mai multe metode de a configura straturile subtiri
depuse prin diferite metode.
Metodele uzuale de configurare sunt cele de corodare a straturilor, lift-off, ingrosare

prin mascare sau ablatie laser.
Primele 3 metode mentionate sunt cele utilizate in general in facilitatile pentru

realizarea circuitelor integrate sau a structurilor MEMS si vor fi cele prezentate pe
larg in continuare.
Configurarea straturilor subtiri prin corodare
depunerea stratului de metal prin

evaporare depunerea, tratarea si configurarea
stratului de fotorezist
corodarea stratului de metal

indepartarea stratului de fotorezist
Aceasta este solutia de configurare a straturilor subtiri devenita clasica.
Avantajul acestei metode este acela ca este o metoda verificata, foarte bine pusa la
punct in aproape toate laboratoarele.
Solutiile de corodare pentru diferite tipuri de metalizari sau straturi dielectrice pot fi
gasite cu usurinta in cartile de specialitate, majoritatea acestor solutii fiind universal
utilizate datorita rezultatelor bune si a reproductibilitatii rezultatelor.
Disponibilitatea pe scara larga a solutiilor.
Costurile necesare sunt foarte reduse.
Timpul necesar pentru realizarea proceselor este unul foarte redus.
In majoritatea cazurilor este posibila utilizarea mai multor solutii, fiecare dintre
aceste solutii putand fi utilizata in anumite scopuri (in functie de viteza de corodare
sau selectivitatea fata de alte materiale)
Dezavantaje ale acestui proces

Profilul obtinut; in functie de structura finala dorita poate fi un impediment major.
Nu orice material poate fi configurat in acest mod
Solutiile utilizate si/sau produsii de reactie pot fi extrem de toxici
Neutralizarea solutiilor poate fi costisitoare
O alternativa a corodari umede – corodarea in plasma.
Anumite tipuri de instalatii pot produce pereti verticali (RIE) – structura obtinuta
este mult mai apropiata de structura dorita
Pentru procesare sunt utilizate gaze, in cantitati foarte mici
In general produsii de reactie sunt mai putin daunatori mediului inconjurator
Echipamentele sunt foarte costisitoare.

Unele gaze speciale sunt greu de procurat
Nu orice material poate fi configurat in acest mod
Timp de procesare este indelungat
Proces puternic dependent de geometria instalatiei
Utilizarea ingrosarii electrochimice
Acest proces este utilizat pe scara larga in fabricarea de circuite si dispozitive.

Avantajul major fata de celelalte metode de configurare – economic; fata de o
depunere PVD consumul de material este cu 2-3 ordine de marime mai mic.
Metoda este utilizata foarte mult pentru depunerea metalelor pretioase (Au).
Metoda este foarte bine pusa la punct si reproductibila
Unul dintre putinele dezavantaje ale metodei – neutralizarea solutiilor reziduale
Metoda este utilizata pentru obtinerea de straturi cu grosime mare – peste 1μm;
in functie de necesitati este posibila obtinerea de straturi de zeci de microni.
Foarte utila in realizarea de dispozitive mobile
Realizarea de structuri si dispozitive RF
Depunere metal suport pentru
Depunere si configurare fotorezist
ingrosarea electrochimica
Realizare ingrosare electrochimica Indepartare fotorezist
Corodare strat utilizat

pentru ingrosare
Configurarea straturilor subtiri prin lift-off
depunerea si tratarea
stratului de fotorezist configurarea stratului de fotorezist
depunerea metalului prin evaporare indepartarea stratului de fotorezist

impreuna cu metalul suplimentar de
pe placheta
Metoda cea mai precisa de a configura straturile subtiri depuse prin PVD – practic
dimensiunile dorite in proiectare si care se regasesc pe mastile utilizate sunt
transferate foarte fidel pe substrat.
Precautii:
panta fotorezistului utilizat
grosimea maxima a stratului depus
temperatura de desfasurare a procesului
Dezavantaje: - procesul nu este unul “curat”, nu poate fi utilizat in industria

circuitelor integrate.
Foarte util in cazul substratelor “sensibile” chimic – cazul compusilor AIIIBV.

• Introducere

suprafata


• Concluzii
semiconductorilor



• corodarea umeda
• fotolitografie
• masti
Masti
Procesul de proiectare a mastilor necesita cunoasterea amanuntita a fluxului

tehnologic de realizarea a structurilor.
Flux tehnologic = pasi tehnologici care trebuiesc urmati pentru realizarea oricarei
structuri.
Pentru descrierea completa a fluxului tehnologic orice pas trebuie descris in amanunt
- orice mica schimbare in procesare conduce (de obicei) la o schimbare majora in
fluxul general si in special in proiectarea mastilor.
Fluxul tehnologic / proiectarea mastilor – un proces extrem de delicat in care

tehnologia disponibila pentru fabricarea dispozitivelor trebuie utilizata pentru
obtinerea unor structuri cu parametri cat mai apropiati de cei obtinuti prin
simulare/modelare.
De cele mai multe ori layout-ul furnizat de programele specializate de simulare nu

sunt foarte apropiate de posibilitatile oferite de tehnologie – din acest motiv atat
layout-ul furnizat, cat si tehnologia disponibila, trebuiesc adaptate unul la celalalt
pentru a face posibila realizarea structurilor/dispozitivelor cu parametri
reali/experimentali/masurati cat mai apropiati de cei teoretici.
PRACTIC NICI UN LAYOUT OBTINUT NU POATE FI TRECUT DIRECT IN REALIZAREA
MASTILOR – atat datorita modului de realizare a simularilor, cat si datorita particularitailor
proceselor tehnologice.
realizarea de structuri pe membrane semiconductoare sau dielectrice
Antena 77GHz pe membrana dielectrica – substratul Si

<100> HR
•layout-ul furnizeaza doar configuratia aflata pe
membrana; simularea 3D a structuri ar necesita un timp
mult mai indelungat pentru realizarea structuri de simulat,
timp mai indelungat de simulare si resurse substantial
sporite ale computerelor utilizate.
•trebuiesc stabilite marginile membranei si dimensiunile
substratului din jurul membranei (foarte important pentru
stabilitate)
pentru o analiza mai detaliata a posibilitatilor de realizare a unei structuri – o
structura putin mai complicata, de tipul comutatoarelor MEMS
tehnologia de realizare – foarte asemanatoare cu cea de realizare a puntilor
aeriene, foarte utile pentru realizarea de conexiuni intre diferite elemente
componente ale dispozitivelor
complexitate deosebita a proiectari unui flux tehnologic – se observa ca in
exemplul de mai sus, pentru doar 5 masti utilizate in fabricarea de comutatoare
MEMS avem de ales in final intre 96 de posibilitati diferite realizare!!!
trebuie stiuta foarte bine tehnologia in care urmeaza sa fie realizate structurile
trebuie sa alegem cu atentie metoda de realizare a fiecarui pas din procesare
In proiectarea mastilor sunt si alti factori foarte importanti de care trebuie tinut
seama. Un prim factor extrem de important care trebuie stabilit intotdeauna – tipul
de fotorezist utilizat pentru fiecare proces; acest lucru influenteaza decisiv
polaritatea mastilor utilizate.
In afara cunoasterii proceselor si a fotorezistului/fotorezistilor utilizati mai apare un

factor decisiv in realizarea unor masti – realizarea semnelor de aliniere. Semnele
de aliniere sunt utilizate pentru a se asigura suprapunerea sau conectarea corecta
a diferitelor straturi depuse pentru formarea structuri dorite. In majoritatea cazurilor
critice abaterile maxime pot fi controlate relativ usor daca sunt utilizate semne de
aliniere corespunzatoare.
Realizarea propriu-zisa a mastilor este mult mai simpla, tehnica de fabricare
semanand foarte mult cu fotogravura.
Tehnica clasica de obtinere a mastilor – cu ajutorul rubilitului
pentru fabricare era utilizat un material special format dintr-un suport transparent
acoperit cu un alt material, mai subtire, opac – rubilit;
pe ruby era trasata structura dorita la o anumita scara (100:1);
utilizand tehnici clasice de fotografiere structura era transferata la o scara redusa
pe o placa (gel sau crom);
in cazurile speciale era utilizat un alt pas de reducere – reticul (structura dorita
marita de un anumit numar de ori – 5, 10 sau20)
reticulul era introdus intr-un echipament special (fotorepetor) unde structura era
redusa la dimensiunea finala si repetata cu foarte mare precizie pentru obtinerea
masti finale.
Desi greoaie in utilizare, tehnica era deosebit de flexibila – posibilitati de obtinere a

unor geometrii cu dimensiuni foarte mici intr-o structura de dimensiuni considerabile.
In acest mod era posibila obtinerea de structuri avand dimensiunea minima 1µm.
Tehnicile moderne de realizare a mastilor sunt cele de scriere directa pe placa
utilizand un fascicul laser – generator de modele (PG – pattern generator).
Un astfel de echipament are foarte multe avantaje in

comparatie cu metoda clasica:
se pot realiza structuri si dimensiuni mult mai mari,
care sa incorporeze structuri cu dimensiuni foarte
mici
dimensiunea minima a structurilor care pot fi
realizate – 0,6µm
gridul de adresare – 50nm
posibilitati multiple de scriere a structurilor
posibilitate de expunere 3D
posibilitate de utilizare a unor fisiere in diferite
formate – faciliteaza foarte mult transferul de la
pachetul de simulare la realizarea efectiva a mastilor
Laser Pattern Generator – posibilitate de scriere directa pe placheta, cu
Hedelberg Instruments alinierea fata de structurile existente (la cele de
ultima generatie chiar posibilitate de aliniere
fata/spate
multiple facilitati de verificare a structurilor realizate
viteze de scriere selectabile
posibilitatea realizari oricarui tip de geometrie
• Introducere

suprafata


• Concluzii
Microprelucrarea de suprafata a siliciului si GaAs; tehnici de realizare
a structurilor MEMS prin microprelucrarea de suprafata
primele rezultate in domeniu – siliciul (materialul cel mai utilizat si in prezent)

bazele microprelucrari siliciuliu – inceputul anilor 1960, prin dezvoltarea
tehnologiei de realizare a circuitelor integrate
la inceput – utilizata pentru realizarea de structuri relativ simple de traductori (in
special senzori de presiune)
anii ’80 – tehnici de depunere de straturi subtiri de calitate; intelegerea
proprietatilor acestor straturi – microprelucrari utilizand corodarea selectiva a
diferitelor straturi componente ale structurilor
sfarsitul anilor ’80 – primele micromotoare prin microprelucrarea de suprafata
dupa 1990 – important influx de capital → sisteme microelectromecanice (MEMS)
complexe, complet integrate, in care senzorii, actuatorii si elementele de comanda
ale dispozitivelor sunt fabricate concomitent pe acelasi cip
tehnologii noi, din ce in ce mai complexe au fost puse la punct
Microprelucrarea de suprafata:
Microprelucrarea de suprafata este bazata pe utilizarea unor pasi tehnologici

repetitivi pentru realizarea circuitelor integrate
Bazele utilizarii tehnicilor fotolitografice pentru definirea de geometrii care devin pe

rand subiectul procesarii chimice care modifica proprietatile substratului de siliciu
sau definesc geometrii in straturile subtiri depuse
Aceasta secventa de pasi a fost dezvoltata in anii 1960, sub numele de procese
planare, pentru realizarea de circuite integrate
Dispozitivele sunt realizate simultan in urma unor pasi tehnologici interconectati intr-
o secventa de fabricare, pot fi facute extrem de fiabile si cu o precizie foarte buna
chiar si la dimensiuni foarte mici
Straturi de sacrificiu – elementul fundamental in microprelucrarea de suprafata
pentru realizarea unei componente a unui dispozitiv utilizand un anumit strat depus,
un strat aflat sub acesta (depus anterior) este indepartat astfel incat sa elibereze
componenta, aceasta ramanand ancorata de substrat in punctele definite anterior
stratul care este indepartat, utilizat la formarea dispozitivului, poarta numele de strat
de sacrificiu
metoda a fost pusa in practica pentru prima data la mijlocul anilor 1960 de grupul
condus de Nathanson la Westinghouse Research Laboratory, cand a utilizat o
consola pe post de poarta oscilanta pentru un tranzistor cu efect de camp
Tranzistorul cu poarta rezonanta - IEEE TED-14, no. 3, 1967, H. C. Nathanson, W.E. Newell, R.A. Wickstrom
and J.R. Davis Jr.
tehnologia dezvoltata - din multe puncte de vedere cu multe decade peste

posibilitatile reale de exploatare
integrarea tehnologiei MOS cu microstructurile de suprafata de polisiliciu - tehnologie
comerciala pentru realizarea accelerometrelor de relativ de putin timp (dupa 1990)
potentialul microprelucrarii de suprafata utilizand straturi metalice a fost recunoscut rapid –
grupul condus de Newcomb la Universitatea Stanford a inceput sa dezvolte un proces de
realizare a unui micromotor actionat magnetic, care a anticipat caracteristicile primelor
micromotoare realizate cu aproape 20 de ani mai tarziu
Structura de micromotor realizata de M. Mehreganyt si Yu-Chong Tai (1970)

inceputul anilor 1980 – prima structura de siliciu policristalin (polisiliciu), utilizand
dioxidul de siliciu ca strat de sacrificiu (Universitatea Berkeley, California)
microprelucrarea de suprafata utilizand polisiliciul a fost recunoscuta rapid ca fiind

foarte promitatoare si a inceput sa fie utilizata atat in mediul academic cat si in
industrie – spre deosebire de tehnologia utilizata la realizarea tranzistorului cu poarta
rezonanta
motivele acestei receptivitati crescute fata de ceea ce s-ar putea numi a doua
lansare a microprelucrarii de suprafata sunt multiple: industria circuitelor integrate a
facut pasi mari in cele doua decade care au trecut si a putut oferi o infrastructura
majora microprelucrarii de suprafata; apare comunitatea cercetatorilor specializati in
realizarea de microstructuri pe siliciu a aparut la inceputul anilor 1980
succesul comercial inregistrat de microstructurile senzitive de presiune au creat

convingerea ca necesitatile in materie de senzori din lumea reala pot fi solutionate
utilizand noile tehnologii
realizarea cu succes a primelor structuri de micromotoare prin microprelucrarea de

suprafata a siliciului (in jurul anului 1990) a stimulat finantarile din partea guvernelor
si a industriei de profil pentru dezvoltarea de noi structuri MEMS
aplicatiile practice ale dispozitive microprelucrate rotative au fost puse in evidenta
abia la mijlocul anilor ’90 (de exemplu, realizarea unui scanner optic) – acest lucru
nediminuand meritele insa impactul formidabil produs de realizarea lor initiala
Microscanner cu rotorul si statorul fabricate din polisiliciu - A.A. Yasseen, S.W. Smith, F.L. Merat, M.
Mehregany, Diffraction Grating Scanners Using Polysilicon Micromotors, IEEE Journal of Selected
Topics in Quantum Electronics, vol. 5, nr. 1, ianuarie/februarie 1999
multe procese specifice tehnologiei de microprelucrare, ca si dispozitivele
fabricate, au evoluat semnificativ de la primii pasi realizati in domeniu – de exemplu,
caracteristicile principale ale directiilor de varf din microfotonica isi regasesc bazele
in cercetari datand din 1986
realizarea pentru prima data a unor elemente de sustinere articulate si sub forma
de arc, utilizarea fortelor electrostatice pentru a obtine deformari ale structurilor,
realizarea de actuatoare cu elemente interdigitate (drive-comb actuators) si a
microvibromotoarelor sau ideea inovativa de a “plia” structurile au ajutat la
transformarea tehnologiei pana in punctul in care se gaseste astazi
aceste idei combinate au facut posibila realizare de structuri tridimensionale (3D)

care sa realizeze diferite functii in cadrul dispozitivelor (cum ar fi realizarea interfatei
dintre un fascicul optic si o fibra optica conventionala cu scopul de a realiza alinierea
cuplajului, comutare sau scanare)
desi circuitele MEMS integrate monolitic necesita procese de fabricare complexe,

regasim provocari majore de a reusi integrarea dispozitivelor electronice cu
structurile microprelucrate
Fotografii SEM ale unui element de sustinere articulat (stanga), respectiv un sistem de tip
manivela realizat cu ajutorul a patru elemente de sustinere articulate (dreapta)
Fotografie SEM a unui element de sustinere sub forma de arc

Procesul de lift-off
acest proces este unul utilizat foarte des datorita posibilitatii de definire a
structurilor pe suprafata plachetei cu o acuratete deosebita – practic dimensiunea
dorita a dispozitivului nu sufera modificari, prin aceasta metoda obtinandu-se
dimensiunile cele mai apropiate de cele proiectate
a) depunerea si tratarea stratului de fotorezist a’) depunerea stratului de metal prin evaporare
b) configurarea stratului de fotorezist b’) depunerea, tratarea si configurarea stratului de fotorezist

c) depunerea metalului prin evaporare c’) corodarea stratului de metal
d) indepartarea stratului de fotorezist impreuna d’) indepartarea stratului de fotorezist

cu metalul suplimentar de pe placheta
Compararea proceselor de metalizare prin lift-off si corodare

in cazul metalizarii clasice primul proces este depunerea metalizari (a’),
fotorezistul urmand sa fie depus si configurat (b’), fiind folosit pentru mascarea
zonelor unde este de dorit sa ramana in final metalul; geometria este obtinuta prin
corodarea metalului ramas descoperit (c’), pentru ca in final sa fie indepartat
fotorezistul utilizat la mascare (d’)
in cazul procesului de lift-off pasi urmati putem observa ca sunt inversati: primii
pasi sunt depunerea si configurarea fotorezistului (a-b), dupa care urmeaza
depunerea metalului prin evaporare sau e-beam (c) si indepartarea fotorezistului
impreuna cu metalul suplimentar de pe placheta (d)
In cazul procesului de lift-off se impun niste precautii:
nu este posibila utilizarea unui fotorezist subtire – in general se recomanda ca

grosimea maxima a metalului depus sa nu depaseasca 1/3 din grosimea stratului de
fotorezist
este necesara realizarea unei pante “inverse” a fotorezistului - pentru ruperea

automata a metalizari in acea zona datorita difentei de altitudine; doua metode:
utlizarea unui fotorezist pozitiv obisnuit si tratarea suprafetei cu clorobenzen inainte
de developare; utilizarea de fotorezisti reversibili (de exemplu AZ 5214) pentru care,
in urma proceselor termice si de expunere speciale, panta inversa este obtinuta
automat
Evaporarea sub unghi
foarte interesant din punctul de vedere al aplicatiilor, dar mult mai rar utilizat (“tilted
evaporation technique”)
Fig. 1.7: Realizarea metalizarii printr-un proces de evaporare sub unghi.
pot fi realizate structuri metalizate avand dimensiuni mai mici decat cele definite
pe masca, utilizand stratul de fotorezist depus pentru a masca o parte din substrat
se utilizeaza in combinatie cu procesul de lift-off
instalatiile trebuiesc adaptate pentru acest tip de metalizare, procesul avand

probleme de repetitivitate
Punti aeriene
aplicatii multiple, in special pentru realizarea de conexiuni intre diferite elementele
componente ale dispozitivelor; cea mai simpla structura care poate fi realizata prin
utilizarea unui strat de sacrificiu
procesul sta la baza oricarui proces necesar pentru dezvoltarea de structuri
suspendate / mobile complexe
Fluxul tehnologic prezentat porneste de la o geometrie realizata pe placheta,
dorindu-se realizarea unei conexiuni intre doua puncte separate de alte trasee
metalice (a).
a) structura de pornire pentru realizarea unei punti aeriene
Primul pas este de a defini locurile in care vor fi realizate conexiunile (b); pentru
acest pas este utilizat in general un strat de fotorezist. Acest pas necesita o atentie
deosebita deoarece acest strat va defini in final distanta dintre linia de transmisie
(realizata anterior) si punte.
b) depunerea si definirea primului strat de fotorezist

Dupa definirea picioarelor puntii, un strat metalic subtire este depus pe intreaga
suprafata a plachetei (c), grosimea acestui strat fiind mai mica de 0,1 microni. Acest
strat, care este depus in conditii optime prin sputtering, joaca in continuare un dublu
rol: in prima faza este utilizat pentru separarea stratului de fotorezist in care au fost
definite picioarele puntii de cel in care urmeaza sa fie definita puntea propriu-zisa (d),
pentru ca in final sa fie utilizat pentru realizarea ingrosarii electrochimice a puntii (e).
c) depunerea stratului subtire de metal
d) depunerea si definirea celui de al doilea strat de fotorezist
e) realizarea punti aeriene prin ingrosare electrochimica

Ultimul pas in realizarea unei astfel de structuri consta in eliberarea structurii prin
indepartarea celor doua straturi de fotorezist si a stratului subtire metalic din zonele
nedorite (f).
(f) eliberarea structuri

Flux tehnologic de obtinere a unei structuri de punte aeriana.
Procese de planarizare
deosebit de important atat pentru realizarea de circuite integrate de mare

densitate, permitand realizarea de interconexiuni intre diferitele nivele de metalizare,
cat si pentru realizarea de structuri MEMS
realizarea planarizari intre diferitii pasi tehnologici necesari realizarii unei structuri
multistrat sunt simplificate problemele asociate realizarii acesteia, eliminand
problemele de proiectare asociate unei topografii neplanare
in cazul MEMS-urilor planarizarea suprafetelor permite obtinerea de diferite tipuri

de straturi subtiri plane care sunt integrate in anumite dispozitive
pentru obtinerea de microlentile sau micromotoare, planarizarea suprafetelor este

esentiala pentru obtinerea structurilor dorite, in timp ce in alte cazuri (punti aeriene,
console) procesul poate imbunatati esential performantele dispozitivelor
Exemplu clasic al inconvenientelor care pot sa apara in cazul neutilizarii tehnicilor de
planarizare in cazul realizarii unui micromotor.
Racordul unui micromotor in cazul in care structura nu a fost planarizata (stanga) si

in cazul realizarii planarizarii structurii (dreapta).
Beneficii ale proceselor de planarizare:
in cazul proceselor de fotolitografie: micsoreaza necesitatea focalizarii in

profunzime, reduce efectele de reflexie care apar datorita topografiei si reduce
variatiile care apar in grosimea stratului de fotorezist in vecinatatea treptelor
in cazul proceselor de corodare: reduce timpul de supracorodare necesar

datorita topografiei
in cazul proceselor de depunere: imbunatateste acoperirea treptelor pentru o

depunere ulterioara
Tehnici de planarizare:
depunere prin spinning a unor straturi (de exemplu polyimida sau sticla);
depunerea urmata de corodare a unui strat;
corodarea chimica-mecanica.
Depunere prin spinning a unor straturi
peste structura obtinuta in pasul anterior este depus un strat gros dintr-un alt
material (sticla, polyimida)
stratul gros de material depus – estomparea automata a topografiei existe →
planarizare locala
c
a
b d
Metode de planarizare prin depunerea unor straturi pe suprafata plachetei

(a-depunerea unui singur strat; b-depunerea unui strat prin spinning urmata de o depunere prin
CVD; c- depunerea unui strat prin CVD urmata de o depunere prin spinning – proces mai
potrivit pentru o planarizare locala; d-realizarea planarizarii prin depunerea a trei straturi)
In cazul in care procesul de planarizare nu este critic se poate utiliza o varianta a

celei prezentate in figura a: pe intreaga placheta este depus un strat fotosensibil
care este apoi configurat sa ramana doar in jurul structurii realizate prin utilizarea
unei masti inverse fata de cea utilizata la realizarea structurii; prin aceasta metoda
foarte simpla se poate obtine o planarizare foarte convenabila pentru realizarea unor
structuri nu foarte complicate.
Depunere urmata de corodare
proces utilizat pentru planarizarea unui strat realizat printr-o depunere conforma
(de exemplu, un strat de SiO2)
dupa depunere – suprafata este acoperita cu un strat de fotorezist gros →
estompeaza topografia existenta
corodare – solutie cu rata ~ egala pentru fotorezist si materialul depus
se depune un nou strat pentru obtinerea grosimi dorite
Planarizare prin depunere urmata de corodare.

Corodare chimica-mecanica (Chemical-Mechanical Polishing – CMP)
cea mai importanta datorita posibilitatilor multiple pe care le ofera atat pentru
industrie cat si pentru cercetare
se realizeaza o planarizare globala printr-un proces simplu si rapid, putand fi

aplicat pentru planarizarea diferitelor straturi depuse pe placheta
procesul consta in lipirea plachetei pe un suport rotativ si presarea acesteia pe o

suprafata polizanta in prezenta unui agent chimic
Tipuri de echipamente care pot fi utilizate pentru CMP

(a)
(b) (c)
Prezentarea fluxului tehnologic de realizarea a unor elemente pasive incastrate in polyimida

(a) si a doua structuri realizate experimental (inductor spiralat – b, capacitor fix – c).
Curs 3
semiconductorilor

• corodarea umeda
• litografie
• masti
Cuprins:
Scurta introducere microscopia electronica de baleiaj
Cateva alicatii ale litografiei cu electroni
Procese tehnologice in litografia cu electroni
Imprastierea electronilor la interactiunea cu rezistul
Efecte in proximitate si incarcare electrica
Rezisti utilizati, specificatii
Schema de principiu a unei instalatii EBL
Strategii de scriere
Litografia straturilor moi (soft lithography)
Microscopul electronic de baleiaj - SEM
-utilizam electronii in loc de fotoni cu rol in vizualizarea suprafetei probelor

-posibilitati de vizualizare mult mai bune comparativ cu microscopul optic
-este necesara o incinta vidata pentru a putea obtine fasciculul de electroni
-dupa introducerea probei este creat vidul, apoi putem vizualiza suprafata probei
-datorita profunzimii de camp putem vedea in relief suprafata probei
Principiu de functionare
-o unda de electroni este emisa termionic dintr-un tun electronic prevazut cu un catod
(filmanet de tungsten).
-tungstenul este folosit pentru emisia electronilor deoarece are punctul de topire cel
mai ridicat, iar presiunea vaporilor este cea mai joasa astfel putand fi incalzit pentru
emisie de electroni. Un avantaj in plus pretul redus.
-LaB6, acesta putand fi utilizat intr-un SEM standard cu filament de tungsten unde vidul
ajunge sa aiba valoarea necesara unui tun cu emisie in camp (FEG- field emission
gun).
Unda de electroni - valori de energie tipice de la 0.5 keV pana la 40 KeV.
Schema de principiu a unui microscop electronic de baleiaj - SEM
Fasciculul de electroni:
- este focalizat de una sau doua lentile de focalizare rezultand un spot intre 5nm si
0.4 mm in diametru
- apoi trece printr-o pereche de bobine de scanare sau placi pentru deflexie situate
in coloana electronica, tipic sunt asezate in zona lentilelor finale. Astfel unda este
deflectata pe x si pe y astfel incat sa baleiem in rastru o arie dreptunghiulara pe
suprafata probei.
Cand unda de electroni interactioneaza cu proba, electronii pierd energie prin
imprastieri repetate aleatorii si / sau absorbtie in interiorul volumului de intercatie.
Acest volum se extinde pe o

distanta de la 5 nm la 100nm
de suprafata probei in
interiorul acesteia. Volumul
de interactie depinde de
energia electronilor, numarul
atomic al specimenului si
densitatea acestuia.
Schema de principiu a unui

microscop de baleiaj tipic SEM
In urma interactiei intre unda de elctroni si proba rezulta:
- electroni de energie inalta rezultati ca urmare a imprastierii elastice
- electroni secundari rezultati ca urmare a imprastierii inelastice si a emisiei de
radiatie electromagnetica
Fiecare dintre acestea doua este detectat putand fi folosit la obtinerea imaginii.
Curentul absorbit poate fi detectat si utilizat de asemenea la crearea imaginilor.
 Schema de principiu a unui

Cu ajutorul amplificatoarelor electronice amplificam semnalele care sunt afisate ca
variatie a intensitatii curentului emis de tubul catodic.
Baleierea in rastru se face prin sincronizare cu pozitia undei pe proba din microscop,
iar imaginea rezultata este o distributie a intensitatii semnalului emis din aria baleiata
a probei.
Aceasta poate poate fi
capturata prin fotografiere cu
ajutorul unui tub catodic cu
rezolutie mare. Mai nou
imaginea este capturata digital
si este afisata pe monitorul unui
computer, apoi salvata pe
harddisk.
 Schema de principiu a unui

Litografia cu fascicul de electroni -EBL
Electron beam lithografy
Variante complementare:
EBID – electron beam induced deposition
Folosim fascicul de electroni in loc de expunere cu fotoni
Aplicatii ale litografiei cu

electroni
- circuite integrate fotonice

- expunere in pmma
-proces de liftoff folosind
masca la corodare de Crom
-corodare uscata
Litografia cu fascicul de electroni
Aplicatii
Aplicatii
Procese tehnologice
Pe substrat prin spin coating este depus un electrono-

Spin coating rezist (rezist sensibil la unda de electroni).
Placheta cu rezist este expusa la fasciculul electronic.
Posibiltati de procesare a probei:
Expunere la
unda de electroni -corodarea stratului de sub rezist sau a substratului
-lift-off
Depunere
corodare metal Inainte de fiecare proces este aleasa doza
(C/cm2) cu care este expus rezistul.
Indepartare Indepartare Lift-off

rezist rezist
Procese tehnologice
EBID – depunere cu ajutorul fasciculului de electroni
Duza
de gaz •In incinta instalatiei EBL pot fi instalate si cateva
duze de gaz.
•Aceste duze sunt aduse in proximitatea fasciculului
electronic unde elibereaza un gaz
•ca urma a intractiei dintre moleculele de gaz si
fascicolul de electroni gazul se descompune.
Corodare •Pe substrat este depus un strat metalic
•ca si in cazul litografiei cu fascicul de electroni
obtinem trasee metalice foarte mici, dar procesul
dureaza foarte mult
•stratul metalic poate fi utilizat si ca masca pentru
corodari ulterioare sau ca traseu
Timpul de scriere cu unda de electroni
Timpul minim necesar pentru o doza data este dat de formula:

D xA=TxI
T - timpul pentru expunera punctului (poate fi timp de expunere / dimensiune pas),
I- curentul aferent fasciculului de electroni,
D- doza,
A- aria care rebuie expusa
Exemplu A= 1cm2, D=10-3C/cm2, I=10-9A, T=106 secunde timp minim de scriere (cam
12 zile)
In timpul minim de scriere nu sunt incluse

timpul ca masa pe care este fixata proba sa se deplaseze dintr-un punct in altul,
timpul necesar ca unda sa fie oprita (blocata de pe placheta in timpul deflexiei)
timpul necesar pentru realizarea unor corectii sau ajustari ale fascicolului in timpul
scrierii
In concluzie timpul necesar pentru a scrie suprafata de 700 cm2 a unei plechete de 300
mm este de 22 ani.
Dezavantaj comparativ cu litografia optica este cu mult mai lenta.
Avantaj - reproductibilitate exceptionala
Interactiunea cu rezistul - efecte
Exemplu
Clearing dose - doza de expunere
520 C/cm2
Sectiune transversala a santului dupa 30 secunde de developare
Doza de expunere: reguli empirice
Unda
incidenta 1. Doza independenta de grosimea rezistului
2. Doza dependenta de energia undei
Efecte in proximitatea locului unde se efectueaza scrierea cu fasciculul de electroni
incident
beam
Efecte care apar in timpul

procesului de scriere cu
fascicul de electroni
SE - electroni secundari
BSE - electroni retroimprastiati
Efecte in proximitatea locului de de expunere
•dependenta puternica de energia undei, substrat, configuratia de scriere
•diverse metode pentru corectie a efectului de proximitate
exemplu variatia dozei, energiei electronilor din fascicol
Cateva notiuni de baza
•Electroni secundari - electroni generati in urma proceselor de ionizare. Acestia se

numesc secundari deoarece sunt generati prin alte radiatii (radiatie primara) sau prin
imprastiere inelastica.
•Imprastiere inelastica - in urma ciocniriilor electronii pierd energie
•Radiatia primara - poate fi sub forma de ioni, electroni sau fotoni care au suficienta
energie astfel incat sa depaseasca potentialul de ionizare.
•Electronii retroimprastiati ( Backscattered electrons ) - electroni cu energie inalta cu

originea in unda de electroni care sunt imprastiati elastic. Elementele grele (cu numar
atomic mare) imprastie electronii mai puternic decat elementele usoare (numar
atomic mic). Acestia sunt utilizati pentru a determina contrastul chimic intre arii ale
probei care au compozitii chimice diferite.
•Imprastiere elastica - in urma ciocniriilor electronii nu pierd pierd energie

Influenta energiei electronilor simulari
Electronii din fascicol au energie mare  expunerea rezistului si la cativa

micrometrii de locul unde are loc expunerea (datorita electronilor retroimprastiati).
Cu ajutorul simularilor Monte Carlo, rezulta un undercut mai puternic cand energia
electronilor din fascicol este mica.
Posibilitatea de aparitie a unor efecte in proximitatea locului unde fascicolul

interactioneaza cu proba este mai mica.
Electron beam resolution
Rezolutia datorata curentului:

limita opticii electronice se afla in
intervalul 1-2 nm
Unda de electroni: rezolutia microscopului
Efectul datorat acumularii de sarcina pe suprafata substratului
Configuratia de straturi utilizata pentru

evidentierea incarcarii electrostatice
galben sarcina indusa in izolator
Deplasarea si/ sau distorsionarea

structuriilor expuse datorita sarcinii
acumulate la suprafata izolatorului
Solutii pentru dispersarea sarcinii acumulate:
•depunerea rezistului pe un strat conductiv(metal)

•depunerea unui strat de polimer conductiv peste electronorezist
2. metal/ rezist/substrat
1. rezist/metal/substrat
Dezavantaj:
•Inca un pas tehnologic - depunerea unui metal prin
evaporare termica sau sputtering.
Dezavantaj: •Introducerea substratului cu polimer in instalatia de
inca un pas tehnologic - depunere  contaminarea instalatiei de depunere
depunerea unui metal prin
evaporare termica sau
sputtering 3. polimer conductiv/rezist/substrat:
Un pas aditional de spin coating

Tipuri de rezisti utilizati in EBL si cateva caracteristici
Consideratii privitoare la rezistul folosit
-verificarea ariei expuse in configuratia rezultata → rezist pozitiv sau negativ
-verificarea rezolutiei necesare, senzitivitatii pentru procesari ulterioare

(rezistenta la corodare samd, ...)
-care rezist poate fi utlizat in laborator (tratament termic, lumina galbena, ...)
-alegerea rezistului trebuie facuta in cadrul fiecarui proces nou
Limitele de rezolutie
-limitare datorita fasciculului de electroni
-imprastiere in rezist (rezist gros)
-difractie (limitata datorita rezistului)
-dimensiunea polimerului (~5-10 nm)

Schema de principiu a unei instalatii EBL
Schema de principiu a unei instalatii EBL
Tunuri electronice:
Pentru emisie termica,

utilizam filament de
tungsten sau LaB6
Pentru emisie in camp,

rece sau termica
Termo - emisie in camp

avantaje: timp de viata ridicat al filamentului, stabilitatea in timp a intenaitatii
fascicului, rezolutie buna
Schema de principiu a unei intalatii EBL
Deflexia fascicolului
Electro-statica Electro-magnetica
Deflexie rapida Deflexie mare
Nota: Pentru a plasa cu acuratete pe supafata probei fascicolul de electroni

si pentru a avea rezolutie mare deflexia maxima a sistemului nu trebuie sa
fie mai mare de 100 m.
Metode de scriere cu fascicul de electroni
•Pentru a putea scrie pe poba utilizam blocurile: Blanking amplifier, pattern generator,
deflection amplifiers.
•Pentru controlul deflexiei fascicolului folosim blocurile pattern generator, deflection
amplifiers.
Unda Gausiana
- baleiere vectoriala
•necesita optica electromagnetica cu

rezolutie inalta care sa fie optimizata pentru
cele mai mici diametre ale spotului.
•Utilzat in special in cadrul unitatiilor de

cercetare-dezvoltare
Metode de scriere cu fascicul de electroni
pentru realizarea mastiilor
Unda configurata Unda gausiana

Baleiere vectoriala Baleierea rastrului
Necesitati: Necesitati:
•optica electromagnetica complexa cu •optica electromagnetica complexa cu
aperturi de modelare a fascicolului necesitatea deflexiei la o frecventa de
•capabilitate mare de curent 200 MHz in timp ce deplasam masa cu
proba
•utilizam blanking amplifier pentru a
opri fascicolul astfel incat sa nu fie
scrise decat zonele de interes datorita
baleierii rastrului.
Litografia straturilor moi - soft lithopgraphy
Nanoimprint technology
Prin litografia straturilor moi configuram un

rezist prin aplicarea unei matrite, in loc sa
alteram propriatiile chimice ale rezistului
prin iradiere sau bombardare cu particule
incarcate.
•Dupa imprimare in rezist, corodam anizotrop astfel incat sa eliminam rezistul rezidual
existent in aria comprimata astfel incat sa rezulte structura.
•Ex: In structura pot fi imprimate gauri circulare avand 10 nm diametru si adancime 40 nm

Scanning Probe Lithography – litografia prin baleierea probei
Litografie cu AFM
Dip Pen
AFM data storage
Configurarea suprafetei utilizand MEMS (dispozitive microelectromecanice)

Litografie cu AFM
Depunerea lichidelor in volume

ultra mici.
•biomolecule functionalizate pe microarii (proteine,

DNA) care pot fi depuse cu ajutorul varfurilor
microscopice
•Depuneri de nanoparticule metalice astfel incat

sa formam conexiuni avand particule catalizatoare
pentru a obtine diverse functii optice si / sau
chimice
•corodarea rezistiilor, depunerea precursoriilor de

tip sol gel, …
Sol-gel – tehnica chimica
Pasi proces sol gel:
-1 prepararea solutiei si evolutia acesteia catre o forma gelatinoasa
-2 depunerea gelului pe substratul dorit prin spin coating sau dip coating
-3 reactia de eliberare a produsilor de reactie pe substrat
-4 tratament termic
Precursori tipici: alcoxizi metalici, cloruri metalice.

Acestea sunt supuse unor reactii de hidroliza sau policondensare pentru a forma un
coloid.
Structura de baza obtinuta sau morfologia fazei obtinute poate varia de la particule
coloidale discrete catre lanturi continue polimerice.
Ex: descompunere TEOS –si rezulta SiO2

Aplicatie: poate fi folosit pentru obtinerea de straturi cu indice de rafractie controlabil,
Ex: solutie SiO2 +TiO2 controland procentul unuia dintre compusi relativ la celalalt
Asa putem obtine straturi cu indice de refractie ajustabil.
Aplicatii:
Acoperiri protective, filme subtiri si fibre
Litografie cu AFM
Cantilevere Nadis cu canal inchis
• Avantaje canal inchis:

‐ un control mai bun asupra cantitatii
de material, cerneala depusa
‐ functionare mai buna in lichid
• proces de microfabricatie nou
•Dezavantaj:
vascozitate redusa a rezistului utilizat
• arie 1‐dim
• unu sau doua tipuri de
cantilever cu canal
utilizate
• Rezervor pe cip
Vedere de sus asupra configuratiei cu mai

multe varfuri pentru scriere
Memorie de stocare nano bazata pe varfuri AFM
AFM – microscopie de forta atomica

Curs 4
• Introducere

suprafata


• Concluzii
Microprelucrarea de suprafata a siliciului si GaAs; tehnici de
realizare a structurilor MEMS prin microprelucrarea de suprafata
Arseniura de galiu (GaAs) si compusii sai poseda o serie de parametrii de material

extrem de interesanti pentru aplicatiile din domeniul micromecanii.
Aceste materiale sunt foarte bine cunoscute in special in optoelectronica, RF si in

domeniul circuitelor si dispozitivelor electronice ultrarapide.
Pentru aceste aplicatii majoritatea tehnicilor necesare microprelucrarii au fost

dezvoltate pana la mijlocul anilor 90.
Fiind un material cu proprietati piezoelectrice, optoelectrice si semiconductoare,

GaAs poate sa ofere avantaje semnificative aplicatiilor din domeniul senzorilor in
special.
Mai mult, GaAs poate fi utilizat pentru realizarea de circuite si dispozitive pentru
temperatura inalta, permitand utilizarea intr-un domeniu larg de temperatura a
senzorilor integrati.
Proprietatile micromecanice ale GaAs, AlGaAs, Si si cuartului (datele prezentate sunt
preluate din literatura)
GaAs AlAs Si Cuart
Structura cristalina Zinc blenda Zinc blenda Diamant (CFC) Cuart (trigonal)
Constanta de retea, a [pm] 565,330 566,139 543,106 490,4
c 539,4
Densitatea,  [g/cm3] 5,3165 3,7290 2,3290 2,649
Punct de topire, TM [˚C] 1238 1740 1413 1710
Coeficientulde dilatare termica,
11 [ppm/K] 6,0 4,2 2,6 13,7
33 7,5
Constanta de rigiditate [GPa]
c11 118,8 120,2 165,6 86,8
c12 53,8 57,0 63,98 7,04
c44 59,4 58,9 79,51 58,2
c13 11,91
c14 -18,04
c33 105,75
Duritate, Hv(100) [GPa] 7 5 10 12
Rezilienta, KIc [MPam1/2] 0,44 1,7 0,9 -
Rezistenta la rupere, f [GPa] 2,7 - 6,0 1,7
Proprietati structurale
 diferentele dintre constantele de retea ale GaAs si AlGaAs sunt foarte mici –
permite obtinerea de heterostructuri continand aliaje de foarte buna calitate, fara
aparitia unui stress residual semnificativ in filmele crescute
 densitatea GaAs este cu circa 60% mai mare decat a AlAs si cel putin dubla fata de
cea a siliciului sau cuartului – densitatea ocupand un rol foarte important in
comportarea mecanica a dispozitivelor (de exemplu in cazul aplicatiilor in domeniul
accelerometrelor sau rezonatoarelor)
 Structura cristalina si anizotropiile induse de aceasta – aspecte foarte importante in
comportarea mecanica si in microprelucrarea monocristalelor:
 GaAs si AlAs - cristale cu structura de tip zinc-blenda; simetrie cristalina care
aminteste de structura elementara a diamantului (ca si in cazul siliciului); diferenta
– cele doua retele cubice cu fete centrate (fcc), deplasate la un sfert din diagonala
cubului retelei una de cealalta, sunt ocupate de elemente diferite
 aceasta reducere a simetriei conduce la aparitia unui moment dipolar in directia
diagonala <111>; in cazul GaAs, norul electronic este mutat spre atomii de arsen,
rezultand un coeficient piezoelectric nenul
 problema de rezistenta care apare in planele {111} conduce la aparitia planelor de
clivare primare pe directia {110}; planele {111} formeaza perechi de plane “bogat in
Ga”, respectiv “bogat in As”, opuse unul celuilalt
Rezistenta mecanica
 plachetele de GaAs – recunoscute pentru fragilitatea lor → GaAs putin luat in considerare
ca material pentru structuri mecanice
 usor casant → GaAs se va deforma elastic pana in momentul produceri ruperii
 rezistenta la rupere (f) este proportionala cu constanta de material KIc (rezilienta) si este
limitata de cea mai mare concentratie a stresului, adesea cel mai important defect →
reducerea volumului mecanic activ = reducerea automata a riscului aparitiei unui defect
major si posibilitatea obtineri unei structuri durabile; este util de stiut dimensiunea maxima a
defectelor acceptabila pentru aplicatia mecanica – care in majoritatea cazurilor trebuie sa
fie sub 0,1μm in diametru
 defectele de suprafata - de obicei mult mai importante, fiind centre concentratoare de stres
si situate in puncte in care stresul este extrem, de exemplu in zonele curbate;
 siliciu - calitatea suprafetei - importanta absoluta pentru rezistenta la rupere in
micromecanica; reducerea defectelor de suprafata prin oxidarea
 pentru GaAs – se pot reduce defectele de suprafata, dar pentru micromecanica este
importanta dimensiunea si densitatea precipitatului de arsen - este de dorit ca acest
precipitat sa aiba o dispersie cat mai fina
 GaAs pentru micromecanica – rezistenta mai buna decat cuartul si este mult mai bun decat
alte materiale care sunt utilizate in mod curent in constructii (de exemplu, otelul obisnuit are
o rezistenta la rupere de doar 0,8Gpa); comparativ cu siliciul rezistenta GaAs este situata la
doar aproximativ 50%, este totusi suficient de mare pentru utilizarea lui in realizarea
diferitelor structuri
in unele aplicatii foarte importante sunt abilitatile de a rezista la uzura, socuri termice si
oboseala; GaAs – mult inferior siliciului sau cuartului, avand o duritate sau conductivitate
termica mai scazute, oxizi mai putin stabili si oboseala amplificata de mediul ambient (de
exemplu apa)
duritatea si rezistenta la rupere mai scazute a GaAs – rata de uzura mult mai mare decat
siliciul; pentru GaAs – sunt necesare o porozitate si un numar de zgarieturi mult mai mici ale
suprafatei
AlAs – rezistenta la rupere este atat de mare incat, desi duritatea este scazuta, materialul va
avea o rezistenta mecanica mai buna decat GaAs (pentru aceleasi densitati si dimensiuni ale
defectelor); Din punct de vedere chimic AlAs – mai reactiv →nu se recomanda contactul partilor
mecanice cu mediul ambient
AlxGa1-xAs (x < 50%) - rezistenta mecanica superioara datorata continututlui de aluminiu
imbatranirea materialelor (siliciu si GaAs) – impuritati cxare se oxideaza si difuzeaza in
cristal; procesul poate fi minimizat prin depunerea unui oxid gros; rata de imbatranire –
importanta in cazul in cazul unor structuri cum ar fi rezonatoarele
GaAs poate fi utilizat pentru realizarea de structuri mecanice daca este protejat prin realizarea
unor straturi intermediare protectoare sau prin incapsularea structurilor. Aceste solutii au fost
adoptate pentru realizarea de structuri micromecanice in ultimii 15 ani, acolo unde este posibila
adoptarea lor, fapt care a dus la indepartarea limitarilor severe in utilizarea GaAs in
micromecanica. Putem sa spunem, ca din punct de vedere al rezistentei mecanice a
materialului, GaAs este inferior altor materiale, insa, in majoritatea aplicatiilor, rezistenta
mecanica nu este factorul decisiv in alegerea substratului.
Proprietati elastice si termice
 GaAs si cuart – mai putin rigide ca siliciul → avantaj sau dezavantaj (in functie
de aplicatia dorita)
 GaAs – modul de elasticitate este cu aproape 30% mai mic de cat cel al siliciului
(bara de aceeasi lungime va trebui sa fie cu 11% mai groasa pentru a obtine
acelasi efect la indoire)
 frecventa de rezonanta – direct proportionala cu modulul de elasticitate
 comportarea elastica a unui material monocristalin – anizotropa (descrisa de
matricea tensorului constantei de rigiditate - cij); matricea tensorului → este
posibila calcularea modulului de elasticitate si a raportului Poisson
 comportarea elastica a materialelor anizotrope – importanta in orice aplicatie
mecanica din domeniul senzorilor si elementelor in miscare; trebuie luata in
considerare la realizarea unui dispozitiv; metoda de simulare cea mai
recomandata pentru studiul comportarii elastice a unui dispozitiv complex – cea
a elementelor finite
 din tabel – valoarea coeficientului de dilatare termica a GaAs → 6 ppm/K; din
interpolarea liniara a datelor cunoscute pentru AlxGa1-xAs (se banuieste o
relatie liniara intre coeficientul de dilatare termica si compozitie) → pentru AlAs ~
4,2ppm/K
masuratorile pentru determinarea stresului → o expresie aproximativa pentru
deformarea reziduala (εi) al unui strat epitaxial AlxGa1-xAs crescut pe GaAs (100):
εi (x, ΔT) = 1,4 10-6 x ΔT
cu ΔT – diferenta dintre temperatura initiala si cea finala; stresul poate fi calculat
usor in continuuare utilizand legea Hook: σ = E ε
dependenta elasticitatii de temperatura → modificarea semnalului oferit de

traductori sau a comportarii elementelor aflate in miscare
de exemplu, schimbarea frecventei de rezonanta conduce automat la schimbari

ale elasticitatii si dimensiunilor → unul dintre motivele pentru care cuartul este
utilizat ca referinta pentru rezonatoare (dependenta de temperatura fiind extrem de
scazuta deoarece in unele directii cristaline schimbarea elasticitatii si a
dimensiunilor elimina orice alte influente, in timp ce pentru GaAs si siliciu acest
lucru nu este posibil)
Proprietati chimice
GaAs – materialul cel mai putin stabil (comparativ cu alte materiale utilizate in microprelucrarile
de suprafata sau volum, cum ar fi siliciul sau cuartul).
Acest lucru poate fi observat din solutiile de corodare utilizate in microprelucrare pentru fiecare
material
Solutia de corodare Observatii
KOH:H2O2:H2O -Solutie de corodare a siliciului. Produce suprafete corodate plane, tip oglinda. Poate fi utilizata
pentru corodarea electrochimica. Corodeaza SiO2.
EDP: H2O2:H2O -Solutie de corodare a siliciului. Poate fi utilizata pentru corodarea electrochimica in locul KOH.
Corodarea nu este la fel de precisa, dar rata de corodare a SiO2 este mult mai mica.
HF:NH4F:H2O -Solutie de corodare a cuartului. Rata de corodare este influentata semnificativ de conditiile in
care este realizata corodarea.
1%Br2:CH3OH -Suprafete tip oglinda rezultate in urma corodarii. Corodarea este intensificata la marginea masti.
Selectivitatea este invers proportionala cu procentul de Br din solutie. Ataca lent SiO2. Corodari
lente in profunzime.
H3PO4:H2O2:CH3O -Reproductibilitate foarte buna a ratei de corodare si cavitati corodate cu suprafata inferioara
H plana si lustruita (rugozitate foarte mica). Se obtin structuri tip mesa cu o panta buna, in timp ce
sau : H2O o panta inversa este mai putin precis definita.
-Selectivitate GaAs:AlGaAs pana la 100. Rezulta cavitati cu suprafata inferioara plana.
acid -Cea mai utilizata solutie de corodare pentru proprietatile selective, poate coroda izotrop
citric:H2O2:H2O heterostructuri GaAs:AlGaAs cu o selectivitate foarte buna (pana la 500 raportul ratelor de
NH3OH: H2O2:H2O corodare), in functie de conditiile de corodare. In anumite concentratii poate conduce la corodari
anizotrope. Produce straturi cu suprafete poroase, ceea ce conduce la scaderea ratei de corodare
daca pH-ul solutiei este mai mic de 9,6.
-Se obtine un raport al ratelor de corodare pentru GaAs si AlGaAs foarte mare atunci cand
continutul de aluminiu este mai mare de 50%, ca si in cazul siliciului si oxizilor dopati cu fosfor.
HF:H2O Aceasta solutie este utilizata pentru corodarea straturilor de sacrificiu.
 din punct de vedere chimic AlxGa1-xAs si GaAs difera destul de mult → o buna
selectivitate a corodarii in functie de solutia de corodare utilizata
 extrem de favorabil pentru microprelucrarea de volum si suprafata, putandu-se
realiza sisteme de tipul GaAs/AlGaAs in care corodarile dorite se “opresc”
automat (rata de corodare a unuia dintre compusi are o rata de corodare extrem
de mica in comparatie cu a celuilalt)
 pentru realizarea structurilor microprelucrate este utilizata corodarea anizotropa
pentru a obtine o forma bine predefinita a partilor mecanice active; deoarece
materialele difera destul de mult din punctul de vedere al anizotropiei cristalelor,
si anizotropia va diferi in consecinta
 lipsa de simetrie a GaAs care conduce la aparitia efectului piezoelectric si
proprietati chimice diferite ale celor plane (111) din GaAs, facand practic o
pereche de plane unul “bogat in Ga”, cel de al doilea “bogat in As”; corodare
anizotropa – planele de As (111) sunt corodate mult mai rapid decat cele de Ga
(111)
 plachete (100) - corodare tip mesa a peretilor pe directia <110>, in timp ce pe
directia ortogonala pereti laterali vor avea o panta inversa; panta inversa -
problematica la stoparea corodarii la marginea unei membrane ( nu este foarte
bine definita in momentul stoparii pentru corodari de profunzime) si factor
concentrator de stress la marginea membranei (critic pentru stabilitatea mecanica
a membranei)
GaAs poate fi corodat electrochimic – selectivitate buna
optoelectric activ – pot fi utilizate procedee de corodare fotochimica si

electrofotochimica; cele mai mari selectivitati ale ratelor de corodare
metode mai exotice - corodarea asistata de laser (pentru obtinerea de gauri

pentru conexiuni prin substrat - “via holes”) sau corodarea holografica (pentru
obtinerea de graticule pe plachete)
In concluzie, pentru microprelucrarea GaAs utilizand corodarea umeda exista o

multime de solutii, dar definirea precisa a unor structuri pe membrane poate fi
dificila.
Prin comparatie, pentru siliciu sunt disponibile o multitudine de tehnici de corodare

umeda prin care se obtin cu precizie structuri foarte bine definite, fiind de obicei
preferat pentru realizarea diverselor structuri mecanice.
Microprelucrarea de suprafata a GaAs
Metodele utilizate in microprelucrarea de suprafata sunt practic identice cu metodele

utilizate in cazul siliciului:
straturi de sacrificiu – elementul fundamental in microprelucrarea de suprafata
pentru realizareade elemente suspendate/mobile
procese de lift-off – utilizate intens in cazul GaAs datorita chimiei bogate care
permite corodarea substratului in solutii de o mare diversitate
procese de evaporare sub unghi (tilted evaporation) – permite realizarea de linii
metalizate sub rezolutia permisa de fotogravura
punti aeriene
procese de planarizare
cresterea si configurarea de straturi epitaxiale
Desi rolul predominant a fost si continua sa fie ocupat de siliciu, abordarea compusilor
semiconductori pentru realizarea structurilor MEMS a suscitat un interes din ce in ce mai mare
datorita diverselor aplicatii in domeniul senzorilor, optice sau RF.
Daca aplicatiile pe siliciu abunda, inclusiv ghiduri de unda sau oglinzi auto-asamblate, numarul
crescand de materiale alternative si-au gasit utilitatea in diferite aplicatii. Diferite aplicatii in
domeniul senzorilor, precum si cele care integreaza pe un singur cip detectorii si sursele, sunt
imposibil de realizat pe substrat de siliciu.
Utilizarea compusilor semiconductori pentru realizarea de structuri MEMS si MOEMS rezolva o
serie de probleme importante atat datorita proprietatilor deosebite ale materialelor (descrise
anterior), cat si posibilitati de a creste cu usurinta straturi epitaxiale.
MBE (Molecular Beam Epitaxy – epitaxie din fascicul molecular) – metoda de obtinere a
straturilor epitaxiale; procesul este realizat in vid inalt sau ultra inalt (10-10 torr); rata de
depunere – extrem de redusa (tipic – mai mica de 1000nm /ora) → acest lucru permite
crsterea epitaxiala a filmelor (practic filmul depus prin aceasta metoda este depus ca o
continuare a retelei substratului); rata de depunere mai mica → calitate mai buna a filemlor
depuse → necesita un vid mai inalt
MBE utilizeaza surse solide pentru realizarea depunerilor – elemente ultrapure (6N);
materialele (de ex., galiu si arsenul pentru cresterea de straturi epitaxiale de GaAs) - incalzite
separat pana incep sa sublimeze lent; in stare gazoasa se propaga prin incinta pana la
substrat unde condenseaza si pot reactiona intre ele (de ex., Ga si As, pentru a forma un
monocristal); termenul de fascicul - atomi evaporati nu reactioneaza intre ei sau cu gazele
remanente in camera pana nu ating suprafata probei datorita drumului liber mediu foarte lung
al atomilor
 crestere epitaxiala → structura monocristalina → automat interfete plane si
grosimi extrem de bine controlate, spre deosebire de materialele policristaline
(de exemplu, polisiliciul)
 stresul rezidual al acestor filme epitaxiale – controlat cu o acuratete mult mai

buna (prin fitarea retelelor) decat in cazul materialelor policristaline (unde
controlul este realizat de obicei prin cicluri de tratamente termice)
 alegerea potrivita a unei combinatii de compusi semiconductori (sisteme de

materiale avand la baza GaAs sau InP) permite o incorporare directa a diferitelor
functii (optice, RF) in structurile mecanice – spre deosebire de siliciu, compusii
semiconductori poseda o structura de benzi energetice directe si au fost utilizati
in mod traditional pentru realizarea de elemente optice (si nu numai) active si
pasive
 chimia “bogata” – poate fi utilizata pentru realizarea de structuri MEMS/MOEMS;

exista numeroase combinatii de materiale si solutii de corodare care pot elibera
structurile MEMS/MOEMS
Fotografie SEM a unui inductor Structura de comutator MEMS
spiralat suspendat pentru 60GHz
Fotografii SEM ale unor structuri realizate prin microprelucrarea de suprafata utilizand ca strat
de sacrificiu polyimida (structura rotativa, respectiv membrana suspendata)
Introducere
Procese utilizate pentru microprelucrarea semiconductorilor
Microprelucrarea de suprafata a siliciului si GaAs; tehnici de realizare a

structurilor MEMS prin microprelucrarea de suprafata
Microprelucrarea de volum a siliciului; tehnici de realizare a structurilor

MEMS prin microprelucrarea de volum a siliciului
Microprelucrarea de volum a GaAs; tehnici de realizare a structurilor MEMS

prin microprelucrarea de volum a GaAs
Concluzii
Microprelucrarea de volum a siliciului; tehnici de realizare a
Tehnologia MEMS pentru microunde poate rezolva multe probleme dificile care apar
la frecvente inalte in domeniul comunicatiilor mobile
Dramatica dezvoltare din ultima perioada a sistemelor de comunicatie individuale a

fortat aparitia pe piata a unor dispozitive miniaturizate eficiente, lucru care a fost
posibil doar prin dezvoltarea structurilor RF MEMS.
Termenul RF MEMS – se refera la proiectarea si fabricarea de structuri MEMS

pentru circuite integrate de radio frecventa, nu trebuie interpretat ca structuri MEMS
traditionale care opereaza in radio frecventa.
 dezvoltarea circuitelor integrate pentru microunde si unde milimetrice necesita
realizarea de linii de transmisie cu pierderi si dispersii mici
 linii microstrip si ghiduri de unda coplanare (CPW) – probleme in domeniul

microundelor si undelor milimetrice: pierderi datorate dielectricului (cresc odata cu
frecventa), prin dispersie, moduri parazite introduse de substrat si pierderi prin
radiatie
 pierderile sunt proportionale cu f3 si cu (r -1)2
 pentru a evita aceste probleme si a imbunatati performantele circuitelor si

dispozitivelor la cresterea frecventei este necesara in principal o subtiere a
substratului pe care se realizeaza structurile - elimina pierderile asociate
dielectricului, precum si dispersiile care apar la interfata dielectric / aer
 solutie alternativa de limitarea in frecventa a circuitelor - intregrarea intregului

dispozitiv pe o membrana dielectrica subtire prin utilizarea tehnicilor de
microprelucrare mecanica
 in ultimii ani foarte multe studii s-au axat pe dezvoltarea tehnologiilor de

microprelucrare a siliciului si composilor AIIIBV pentru dezvoltarea aplicatiilor in
domeniul senzorilor
 eforturile depuse pentru obtinerea de membrane si cantilevere – a stimulat de
asemenea realizarea de noi structuri microprelucrate mecanic
 unul dintre cele mai interesante domenii din punctul de vedere al aplicatiilor este
cel al tehnologiilor de realizare a circuitelor pentru microunde si unde milimetrice
pe membrane semiconductoare si dielectrice
 tehnologie a fost introdusa de grupul condus de L.P.B. Katehi si G.M. Rebeiz (de
la Universitatea Ann Arbor din Michigan) in domeniul circuitelor planare pentru
microunde, sub forma unei linii de transmisie ecranate, semanand cu o linie CPW
suspendata in aer
 elementele pasive planare cu constante concentrate pentru microunde (inductorii

si capacitorii) – utilizate in circuitele integrate monolitic de microunde (MMIC) ca
elemente de adaptare, limitare a polarizarii / blocare a curentului continuu si
componente de filtrare; pentru frecvente pana la 15…20GHz, elementele cu
constante concentrate sunt mai mici decat linia lor de transmisie din circuitul
echivalent, manifestand pierderi scazute si o largime de banda larga; totusi
inductori prezinta o capacitate parazita mare cu planul de baza si intre liniile de
transmisie; capacitorii planari interdigitati – o capacitate parazita mare cu planul
de masa, care le afecteaza performantele in microunde
problemele asociate cu capacitatea parazita ale inductorilor si capacitorilor planari
si atenuarea datorata dielectricului in structurile distribuite pot fi rezolvate prin
intregrarea lor pe membrane dielectrice, comportandu-se ca si cum ar fi suspendate
in aer → reducerea capacitatii parazite conduce la cresterea frecventei de
rezonanta a inductorilor planari fara a schimba valoarea inductantei si a rezistentei
serie asociate
liniile CPW realizate pe membrane corespund mult mai bine pentru transmiterea
semnalului in domeniul undelor milimetrice
In privinta membranelor este unanim recunoscut faptul ca ele sunt foarte rezistente
din punct de vedere mecanic, putand rezista fara probleme schimbarilor presiunii
atmosferice fara a se rupe si pot supravietui procedurilor de utilizare din cadrul
activitatii de zi cu zi din laboratoare.
Scopul microprelucrarii de volum este de a indeparta selectiv o cantitate
semnificativa de siliciu din substrat. Acest lucru este realizat uneori prin indepartarea
substratului («sapare») sub structura cand aceasta este necesar sa fie mobila,
pentru realizarea de membrane pe una din fetele plachetei sau cand se doreste
realizarea de santuri, gauri sau alte structuri.
bazele microprelucrarii de volum a siliciului – odata cu punerea la punct a

metodelor de corodare a siliciului
dezvoltarea de microsenzori pe siliciu (prima ramura care a beneficiat de

microprelucrarea de volum) necesita fabricarea de componente micromecanice (de
exemplu, in cazul senzorilor de presiune diafragme, iar in cazul accelerometrelor
cantilevere), realizate prin corodarea selectiva a unor zone din substratul de siliciu
pentru a “elibera” geometriile dorite
corodarea anizotropa – raportata in 1967; studiata intens si pusa la punct in

urmatoarea decada
au fost dezvoltate o serie de tehnici de stopare automata a corodarii pentru a pune
la punct procese de fabricatie mai flexibile
Aceste tehnici au fost utilizate pentru a realiza componente micromecanice “la
moda” si putem sa spunem ca formeaza baza proceselor tehnologice de
microprelucrare de volum.
In timp ce microprelucrarea de volum a devenit o tehnologie de baza pentru

realizarea de elemente micromecanice, nevoile mereu mai mari de flexibilitate in
cadrul dispozitivelor si de crestere a performantelor au motivat dezvoltarea de
concepte noi si tehnologii de microprelucrare – utilizarea stratului de sacrificiu
(tehnologie pusa la punct in anul 1958) in fabricarea de elemente de circuit a dat
nastere in 1985 conceptului de microprelucrare de suprafata – care marcheaza
punctul in care substratul de Si este utilizat in mod special ca suport mecanic pentru
elementele fabricate.
Mult mai recent capacitatea tehnologiei de microprelucrare a fost extinsa prin

posibilitatea lipirii substraturilor de siliciu pe alte materiale si a corodarii cu fascicul
de ioni reactivi (RIE si DRIE), precum si punerea la punct a proceselor de ingrosare
electrochimica si fotolitografiei de mare precizie.
Tehnici utilizate in microprelucrarea de volum:

corodarea umeda
corodarea uscata
bonding
Corodarea umeda
In functie de substratul utilizat:
•izotropa
•anizotropa
Corodarea izotropa – putin utilizata in realizarea de structuri MEMS datorita

caracteristicilor procesului (puternic influentat atat de conditiile de realizare -
proportiile solutiei de corodare, temperatura, agitatie; defectele de crestere ale
plachetei)
Procesul pentru realizarea de elemente de pasive de circuit pentru microunde a fost

pus la punct la IMT in anul 1998. Pe ambele fete ale plachetei sunt depuse cate un
strat de SiO2 (termic, 7000Å) si unul de Si3N4 (CVD, 5000Å).
Tot prin CVD (Chemical Vapour Deposition) este depus pe fata plachetei un strat de
SiO2 (10000Å) – acest al treilea strat are rolul de a diminua stresul rezidual in
structura finala.
Dupa definirea structurii pe fata plachetei, pe spate este depus un strat de CrAu (Cr
– 500Å / Au – 10000Å) prin care sunt definite ferestrele de corodare – straturile de
nitrura si oxid de siliciu depuse pe spatele plachetei nu pot fi utilizate pentru
mascare datorita unei selectivitati reduse la utilizarea solutiei de tip HNA.
capacitor interdigitat
capacitor interdigitat (vedere de jos)
(vedere de sus)
inductor meandru
(vedere de jos)
inductor meandru
(vedere de sus)
Structuri de elemente pasive realizate pe membrane dielectrice subtiri (SiO2/Si3N4,

~1,5μm) realizate prin corodarea izotropa a siliciului <111>
Corodarea anizotropa
 corodarile anizotrope (“dependente de orientare”) au o rata mult mai mare pe o

anumita directie cristalina decat pe alta, conducand in timp la dezvelirea planelor
cristaline care sunt corodate mai lent
 solutiile sunt evident incetinite de planele (111) din siliciu in raport cu actiunea pe
celelalte plane. In functie de tipul plachetei, planele (111) formeaza fie un unghi
de 54,74° cu suprafata plachetei (pentru siliciul <100>) fie sunt perpendiculare
pe aceasta (in cazul siliciului <110>)
In realizarea de structuri MEMS – solutii de corodare alcaline (KOH, NaOH).
• usor de procurat
• rezultate repetitive
• conditii usor de reprodus

Primele rezultate in RF MEMS utilizand aceasta metoda au fost obtinute de grupul
de la Ann Arbor Univ., Michigan.
Incepand cu anul 1997 au fost obtinute primele rezultate si in Europa, primele

grupuri implicate fiind celel de la LAAS-CNRS Toulouse si IMT-Bucuresti impreuna
cu CNR-M2T Roma.
a b c
Fotografii ale unei structuri de capacitor interdigitat obtinut de IMT in colaborare cu

CNR-M2T (a-fotografie de pe fata plachetei; b-de pe spate; c-fotografie SEM)
primele rezultate obtinute de IMT– elemente de circuit pasive obtinute pe
membrane dielectrice pe substrat de siliciu de orientare <100> de mare rezistivitate
pentru realizarea membranelor a fost utilizat un sandwich SiO2/Si3N4/SiO2 avand

o grosime totala de 1,5μm (SiO2 termic 7500Å; Si3N4 CVD 3000Å; SiO2 CVD CVD
4500Å). Mascarea pe spatele plachetei pentru realizarea membranelor a fost
realizata prin utilizarea primelor doua straturi
corodarea substratului de siliciu a fost realizata utilizand o solutie de corodare de

KOH 20% la o temperatura de 80°C, rata de corodare fiind de aproximativ
1,2μm/min.
Dorita posibilitatilor oferite de aceasta tehnologie, rezultatele nu au intarziat sa

apara: noi tipuri de structuri, din ce in ce mai complexe, au fost proiectate si realizate
– filtre, antene sau module de receptie hibride.
Unele dintre primele structuri de filtre cu linii cuplate.
Structura de filtru trece Structura de filtru trece

banda pentru 38GHz. banda pentru 77GHz.
•Fluxul tehnologic de realizare a acestui tip de structuri este relativ simplu: mai intai
pe intreaga placheta este depus un strat de TiAu subtire (0,1µm in total);
• pe aceasta suprafata este depus si configurat un strat de fotorezsit;
•structura este realizata prin ingrosarea electrochimica a aurului – deoarece pentru
scaderea pierderilor este necesara realizarea unui strat de aur cu o grosime minima
de 2µm;
•aurul suplimentar este indepartat prin corodare;
•printr-un proces de aliniere fata-spate sunt definite pe spatele plachetei ferestrele
pentru corodarea substratului;
•sunt indepartate straturile de Si3N4 si SiO2 de pe spatele plachetei prin corodarea
in plasma;
•substratul este corodat umed pentru realizarea membranelor.
Rezultatele experimentale si teoretice pentru cele doua structuri de filtre trece banda
realizate (pentru 38GHz, respectiv 77GHz).
Rezultatele teoretice si experimentale Rezultatele teoretice si experimentale

obtinute pentru filtrul trece banda pentru obtinute pentru filtrul trece banda pentru
38GHz realizat pe o membrana de 77GHz realizat pe o membrana de
SiO2/Si3N4/SiO2 avand ca substrat siliciu de SiO2/Si3N4/SiO2 avand ca substrat siliciu
mare rezistivitate. de mare rezistivitate.
Raspunsul filtrului pentru 38GHz arata un minim pentru pierderile de insertie de 2dB,
respectiv pierderi de reflexie maxime de 16,5dB pentru o frecventa centrala situata la
36,4GHz. In cazul filtrului de 77GHz, pierderile minime de insertie sunt de 1,5dB, in
timp ce pierderile prin reflexie maxime sunt de 44,5dB – pentru o frecventa centrala
75,5GHz. Se poate observa o concordanta foarte buna intre rezultatele parametrilor
S simulati si masurati – simularile au fost realizate utilizand software-ul IE3D de la
Zeland.
Primele experimente pentru realizarea de antene pe membrane dielectrice subtiri pe
substrat de siliciu de inalta rezistivitate au fost realizate la inceputul anilor 2000.
Unele dintre primele structuri de antene realizate au fost cele pentru frecventele de
77GHz, respectiv 94GHz.
Fotografii optice ale unei antene pentru 94GHz – dreapta de pe fata plachetei,
stanga de pe spatele plachetei.
Return loss for 77 GHz antenna Return loss for 94 GHz antenna
0 0
-5 -5
Return loss [dB]
Return loss [dB]

-10 -10
-15 -15
-20 -20
measured measured
-25 -25
simulated simulated
-30 -30
70 75 80 85 90 85 90 95 100
Frequency (GHz) Frequency (GHz)
Rezultatele teoretice si experimentale Rezultatele teoretice si experimentale

pentru antena de 77GHz pentru antena de 94GHz
Se poate observa concordanta excelenta dintre rezultatele previzionate si cele

experimentale. Diferentele care apar in frecventa intre cele doua rezultate pot fi
atribuite conditiilor de masura: masuratorile au fost efectuate pe placheta, nefiind
posibila asigurarea unor conditii reale de spatiu liber in timpul testarii.
Pentru antena de 77GHz pierderile prin reflexie au fost de -24,5dB la 74,5GHz si cu o
largime a benzii de 8% la 10dB – diferenta fata de simulari, unde largimea benzii a
fost de 6,6% este atribuita liniei de transmisie CPW utilizata pentru alimentarea
structurii (care nu a fost inclusa in simulari).
In cazul antenei pentru 94GHz, pierderile prin reflexie au fost de 27,5dB la 92,8GHz,
cu o largime la 10dB de 7,2% - in acest caz rezultatele sunt intr-un acord foarte bun
cu teoria care prevede o largime a benzii de 7%.
Corodarea “uscata”
 cele mai utilizate metode de corodare "uscata": corodarea in plasma si RIE

(Reactive Ion Etching).
 RIE – energia externa, sub forma de semnal de radio frecventa, conduce reactiile
chimice care au loc in incinta in care gazele utilizate se afla la presiune scazuta
(inlocuind astfel temperaturile inalte sau substantele chimice extrem de reactive);
ionii, avand o energie mare, furnizeaza energia necesara astfel incat aceste reactii
pot fi realizate la temperaturi relativ scazute (temperatura camerei in comparatie
cu cateva sute de grade Celsius)
 clorofluorocarburile – pot fi utilizate pentru procese de depunere de polimeri in

paralel cu corodarea (uneori sunt necesare reactii cu compusii fotorezistului
pentru producerea polimerilor); in zonele in care bombardamentul cu ioni este
scazut (cum ar fi peretii laterali ai cavitatilor corodate) – se formeaza un strat de
polimer de tip carbura de fluor bogat in fluoruri care inhiba corodarea laterala; pe
suprafetele orizontale, unde bombardamentul ionic este cel mai puternic, stratul
de polimer este mai bogat in carbon si mai subtire, permitand o corodare
substantiala a siliciului; prin ajustarea compozitiei amestecului reactant,
anizotropia poate fi controlata si pot fi pusi la punct algoritmi pentru a controla
caracteristicile de corodare, dupa cum a fost demonstrat
Corodarea “uscata”
utilizand aceste metode se pot realiza corodari care sa acopere intregul spectru –
de la izotrope la anizotrope.
o mare parte a retetelor utilizate pentru corodarea uscata a siliciului nu ataca

metalele sau dielectricii utilizati in tehnologia CMOS
in cazul solutiilor izotrope - supracorodarea poate fi utilizata pentru realizarea de

punti aeriene sau console
este posibila modularea locala a ratei de corodare prin concentratia doparii
Posibilitati de crestere a anizotropiei:
racirea criogenica a plachetei – prin racirea suportului plachetei la temperatura

azotului lichid (77K) si utilizarea unui gaz pentru transferul caldurii in timpul
procesului, placheta poate fi mentinuta la temperaturi criogenice in timpul procesului;
mecanismul consta in condensarea gazului de reactie pe peretii structurii corodate –
in timp ce gazul care condenseaza pe fundul structurii este indepartat de
bombardamentul ionic; un astfel de echipament poate sa produca un raport al ratelor
de corodare de 30:1 si este capabil sa realizeze cavitati avand adancimea egala cu
grosimea unei plachete de siliciu
Deep RIE (DRIE – corodare de mare adancime cu fascicul de ioni reactivi), se
bazeaza pe o sursa de plasma de mare densitate si o alternare a procesului de
corodare cu unul de depunere a unui polimer cu rol de protectie pentru a atinge o
anizotropie de ordinul 30:1 (peretii formeaza unghiuri de 90±2º, cu o selectivitate a
corodarii fotorezistului cuprinsa intre 50 si 100:1,
DRIE - pentru dioxidul de siliciu: 120200:1 si o rata de corodare de 2-3μm/min.;

utilizand aceasta metoda putem obtine cavitati cu adancimea maxima de circa
1mm; o adancime precisa a cavitatilor corodate se poate obtine prin utilizarea unui
material avand o rata de corodare mult mai mica, in care procesul se opreste
automat (“etch stop layer”) – de exemplu un strat de SiO2 incastrat in substrat
Combinarea metodelor descrise anterior cu diferite metode de lipire a plachetelor

(bonding) este posibila realizarea unei mari varietati de dispozitive.
In acest fel, placheta “purtatoare” poate fi utilizata pentru formarea unei cavitati
deasupra careia, dupa lipirea celei de a doua plachete poate fi realizata o structura
suspendata capabila sa se deplaseze in jurul pozitiei de echilibru
Prezentarea schematica a procesului de obtinere a unor structuri suspendate
prin corodarea substratului de siliciu
Fotografii SEM ale unor structuri realizate prin corodare uscata si lipirea a doua plachete
pentru obtinerea de straturi “etch-stop” incastrate in structura: a – structura de sustinere
mobila, tip arc; b – structura de accelerometru
In radio frecventa – obtinerea de cavitati pentru realiza structuri pe membrane; prin
aceasta metoda au fost realizate o serie de structuri de filtre, antene sau module de
receptie pe diferite tipuri de membrane dielectrice.
(a) (b)
Fotografii SEM ale unei structuri de filtru trece banda pentru 5,2GHz:
a – de pe fata plachetei; b – de pe spatele plachetei.
in acest caz membrana pe care este realizat filtrul a fost un sandwich de tipul
SiO2/Si3N4/ SiO0.7N0.7 cu o grosime totala de 6,4μm
Microscopia optică vs. microscopia electronică
Avantaje:
Microscopia optică Microscopia electronică
de baleiaj
• rezoluţia* [μm] • rezoluţia** [nm]
• imagine color • focalizarea (adâncimea de focalizare)
• viteza de lucru şi contactul permanent • poziţionarea probei (rotirea şi înclinarea
cu proba până la 90° a mesei de lucru)
• manevrarea fizică a probei • posibilitatea de a lucra cu mai multe probe
simultan
• examinarea probelor de natură organică,
a suprafeţelor transparente, materialelor Imagine optică →
dielectrice, amestecurilor lichide etc.
• costurile de achiziţie şi întreţinere
a echipamentului
* Cel mai mic interval detectabil

dintre două puncte adiacente.
** Coincide cu dimensiunea
spotului fasciculului incident.
Imagine SEM →
Limitările microscopiei optice
Detaliul minim ce poate fi perceput de un echipament este determinat de lungimea de
undă. Spectrul vizibil este cuprins între 700 şi 350 nm (lungimea de undă a luminii
utilizată în microscopia optică variază între 700 şi 400 nm).
Lungimea de undă tipică pentru spectrul vizibil Energia fotonilor corespunzătoare spectrului vizibil
Capacitatea de vizualizare a celor mai performante microscoape optice este limitată de o

valoare a lungimii de undă de 200 nm (în cazul utilizării radiaţiei ultraviolete) rezultând o
mărire maximă de aproximativ 1000x. Un detaliu de 200 nm va fi perceput de ochiul uman
ca având 200 μm, astfel că o mărire superioară devine practic inutilă.
Un echipament SEM (Scanning Electron Microscope / Microscop electronic de baleiaj) se
foloseşte de electroni ale căror valori energetice sunt de ordinul a keVolţilor, având de-a
face aici cu energii de până la 1000 de ori mai mari decât în cazul luminii vizibile.
- Microscopia optică poate fi utilizată pentru examinarea formei, structurii şi compoziţiei

materialelor, a probelor biologice, pulberilor, investigarea preliminară a structurilor
tehnologice.
- Microscopia electronică este dedicată domeniilor micro- şi nanotehnologiei, unde
miniaturizarea componentelor sau a sistemelor reprezintă cerinţa de bază în dezvoltarea
tehnologică.
Microscopia optică acoperă o gamă largă de tehnici inclunzând aici:
- microscopia cu contrast de fază;
- microscopia de contrast prin interferenţă;
- microscopia cu lumină polarizată;
- microscopia cu lumină fluorescentă.
Într-un sistem microscopic confocal, un singur punct luminos (sau uneori un grup de astfel de puncte ori
o fantă luminoasă) este baleiat pe suprafaţa unei probe. Acest punct reprezintă proiecţia pe specimen a
limitei de difracţie şi este produs ori prin iluminarea unei aperturi situate pe traiectoria fasciculului de
lumină ori, în general, prin focalizarea unei raze laser paralele - de aceea dispozitivul este cunoscut sub
denumirea de microscop confocal cu laser (CLSM - Confocal Laser Scanning Microscope).
Majoritatea echipamentelor CLSM sunt implementate ca sisteme de vizualizare alături de un microscop
optic conveţional. Rezoluţia obţinută de un microscop confocal poate fi chiar de două ori mai bună
decât cea obţinută cu un microscop clasic.
Microscopia electronică:
O descriere elementară a unui microscop electronic îl caracterizează ca fiind un accelerator de electroni
ce focalizează un fascicul de electroni cu ajutorul unor lentile electromagnetice. Tensiunea de accelerare
(HV – High Voltage / Accelerating Voltage) este cuprinsă de regulă între 500 V şi 50 kV. Lentilele
direcţionează fasciculul de electroni pe suprafaţa probei şi redau o imagine mărită a acesteia dupa ce
este străbătută de electroni. Lentilele şi suportul pentru probe sunt situate pe axa verticală în interiorul
unei coloane cilindrice ce permite ca interiorul să fie menţinut în vid. Vidarea spaţiului din coloana
verticală este necesară pentru ca electronii să nu interacţioneze cu moleculele de aer şi astfel să fie
deviaţi de pe traiectorie înainte de a lovi suprafaţa probei.
Microscopia Electronică de Baleiaj (SEM - Scanning Electron Microscopy) constă în
vizualizarea caracteristicilor de suprafaţă ale probei cu ajutorul electronilor acceleraţi. Topografia
suprafeţei unei mostre este generată cu ajutorul electronilor reflectaţi (retroîmprăştiaţi: BSE –
Backscattered Electrons) sau emişi de către stratul superficial al probei (electroni secundari: SE –
Secondary Electrons) aflat sub bombardamentul electronilor primari. Aceasta se poate realiza prin
focalizarea unui fascicul subţire şi concentrat de electroni într-un mic punct de expunere aflat pe probă.
Apoi, acest punct foarte mic este deplasat dintr-o parte în alta (baleiat) prin redirecţionarea fasciculului
astfel încât doar o fâşie foarte îngustă din probă - a cărei lăţime corespunde cu diametrul spotului - să fie
parcursă de punctul luminos al fasciculului incident. SEM-ul poate fi utilizat pentru vizualizarea
topografiei probei sau pentru determinarea compoziţiei locale, a structurii cristaline şi a orientării
cristalografice, precum şi a proprietăţilor optice şi electrice ale acesteia.
Microscopia Electronică cu Transmisie (TEM - Transmission Electron Microscopy)
implică străpungerea straturilor subţiri superficiale ale probei, pătrunzând în profunzime pentru a
dezvălui interiorul acesteia. Se pot obţine astfel imagini clare asupra structurii (dimensiuni, formă,
distribuţia straturilor), compoziţiei (distribuţia elementelor, incluzând aici şi existenţa spaţiilor libere
dintre ele), cristalografiei (structura cristalină a straturilor şi natura defectelor întâlnite în cristal). Pentru
a desfăşura o examinare cu adevărat eficientă, probele expuse trebuie să fie foarte subţiri (de ordinul
micrometrilor) dar suficient de rezistente pentru a face faţă vidului din interiorul echipamentului, fiind
necesară o preparare foarte meticuloasă a probei. TEM-ul este puternic utilizat în ştiinţa materialelor sau
metalurgie, fiind un instrument indispensabil pentru detectarea defectelor de material sau a distribuţiei
uniforme a straturilor.
Microscopia Electronică de Baleiaj cu Transmisie (STEM – Scanning Transmission
Electron Microscopy) reuneşte deopotrivă tehnicile SEM şi TEM pe un echipament TEM având ca
sursă de electroni principali tunul termionic cu catod de LaB6 ce produce un fascicul incident de
transmisie cu intensitate ridicată şi un diametru al spotului extrem de mic. Acesta este baleiat pe
suprafaţă şi, datorită intensităţii mari a curentului pe probă (PC – Probe Current), permite caracterizarea
probelor cu structură mai voluminoasă în maniera TEM-ului. Majoritata echipamentelor STEM sunt
reprezentate de TEM-uri convenţionale prevăzute cu bobine de scanare, fiind capabile de a obţine atât
imagini TEM/ STEM, cât şi SEM pentru straturi groase.
Criteriile de selecţie pentru stabilirea locaţiei SEM-ului
Factori perturbatori: a) vibraţiile;
b) perturbaţiile sonore;
c) interferenţele electromagnetice.
a) Vibraţiile reprezintă cel mai important factor ce trebuie luat în consideraţie la stabilirea unei locaţii
adecvate pentru un microscop electronic, întrucât acestea afectează negativ atât utilizarea
echipamentului, cât şi integritatea sa pe parcursul funcţionării. Poziţionarea SEM-ului direct pe podea
elimina acest risc, dar daca acest lucru nu este posibil – în general echipamentele sunt montate deasupra
nivelului solului pentru a facilita circulaţia fluxului de aer şi spaţiul necesar diverselor utilităţi – se
impune instalarea unei mese antivibraţionale. Picioarele mesei trebuie să fie poziţionate sub punctele de
sprijin ale microscopului astfel încât platforma să nu amplifice nivelul rezonator al instrumentului.
Aceasta manieră de poziţionare poate fi înlocuită cu o pernă de aer care să disipeze vibraţiile.
Schiţa unei mese antivibraţionale pt. un SEM de 1 kg
privire din lateral privire de sus
b) Un nivel acustic crescut (<75 dB) poate deteriora performanţele unui SEM. Circulaţia aerului
specifică unei camere albe şi diminuarea dimensiunilor semiconductorilor au determinat creşterea
importanţei acordate perturbaţiilor zgomotoase. De regulă, nivelul de zgomot produs de
semiconductori trebuie luat în considerare pentru caracteristici mai mici de 1,3 µm. Sistemul
antivibraţional poate creşte sensibilitatea ansamblului la excitaţiile sonore prin faptul că
dimensiunile considerabile ale instrumentului nu sunt acordate suprafeţei suportului, fiind
separate de arcurile moi ale ansamblului izolator.
Aceste perturbaţii sonore pot fi controlate în primul rând prin proiectarea
corespunzătoare a camerei, adică prin instalarea unor dispozitive de atenuare la ambele capete (de
admisie şi evacuare) ale sistemului de ventilaţie. Camerele albe prevăzute cu aceste dispozitive ar
trebui să aibă un nivel de zgomot >72 dB. Dacă încăperea nu este prevazută cu aceşti atenuatori,
ar trebui lăsat un spaţiu destinat exclusiv acestora în perspectiva achiziţionării unor asemenea
echipamente. De asemenea, se pot utiliza materiale de izolare fonică pentru realizarea filtrelor de
aer, însă acestea adaugă un risc nedorit de reducere a duratei de viaţă a instalaţiei de aerisire,
chiar dacă această abordare constructivă diminuează nivelul de zgomot cu aproximativ 5 - 6 dB.
O altă soluţie constă în izolarea fonică individuală a diverselor componente, însă
apare şi dezavantajul unei exploatări mai greoaie a SEM-ului, întrucât utilizatorul va fi obligat să
deschidă în prealabil un panou pentru schimbarea unei lentile sau montarea unei noi probe etc.
Însă dacă un SEM foarte sensibil şi trebuie să opereze într-un mediu foarte zgomotos, această
soluţie se poate dovedi viabilă.
c) Curentul electric generează câmpuri magnetice ce pot influenţa performanţele SEM-ului. În general,
câmpul magnetic ar trebui măsurat ca procedură standard încă dinainte ca prezenţa acestuia să se facă
simţită.
Una dintre principalele surse de perturbaţii este reţeaua electrică implementată în general
într-un sistem de tuburi şi conducte, iar un defect oarecare sau intesitatea prea mare a curentului din
reţea afectează negativ funcţionarea microscopului. Pentru eliminarea câmpului magnetic extern este
necesară utilizarea unor cabluri coaxiale, chiar dacă nu reprezintă o procedură comună în astfel de
aplicaţii. O alternativă viabilă constă în răsucirea firelor în interiorul tubului şi este preferabilă faţă de
recablarea incintei. În plus, prin răsucirea firelor s-a constatat diminuarea problemelor ridicate de
existenţa unor câmpuri externe când curenţii erau compensaţi.
O problemă curentă generată de aceste interferenţe electromagnetice se datorează valorilor
mari ale curenţilor de masă apăruţi în conductele de apă, de gaz sau în niturile şi armăturile metalice din
pereţi. Această situaţie apare datorită procedurilor normale de împământare şi reprezintă o problemă
extrem de dificil de rezolvat. Dacă purtătorul de curent este identificat corect, o posibilă remediere
constă în obturarea căii de transport a curentului cu ajutorul unui material dielectric, spre exemplu prin
încastrarea unui racord dielectric într-o conductă de cupru. În general curentul gaseşte o nouă cale de
propagare şi astfel problema persistă. De cele mai multe ori unica soluţie practică şi eficientă constă în
devierea conductei respective sau mutarea microscopului.
Cablurile ar trebui să ocolească echipamentele sensibile la interferenţele electromagnetice,
însă trebuie acordată o atenţie deosebită cablului de alimentare al SEM-ului, acesta fiind deviat pe un
traseu cât mai scurt. De asemenea, este foarte important de urmărit ca aceste cabluri să nu fie distribuite
circular în jurul SEM-ului, deoarece pot apărea implicaţii dezastruoase în funcţionarea microscopului.
Intensitatea câmpul magnetic se diminuează odată cu creşterea distanţei, astfel că o soluţie
simplă şi la îndemână este poziţionarea echipamentelor sensibile la o distanţă suficientă de sursele
magnetice. Tuburile catodice şi în special monitoarele cu tub catodic (CRT) sunt o puternică sursă de
radiaţii electromagnetice, astfel că se recomandă utilizarea unui monitor LCD.
Microscopul Electronic de Baleiaj - Construcţie şi funcţionare
Principiul de funcţionare
Coloana verticală a SEM-ului

Schema completă a unui SEM
Tunul electronic emite un fascicul de electroni pornind de la orificiul anodului. Mici bobine deflectoare, sau o
pereche de fini adaptori mecanici, direcţionează raza respectivă pe verticală în josul axei optice a coloanei
microscopului. Acest proces se desfăşoară destul de uşor având în vedere contribuţia însemnată adusă şi de
bobinele electromagnetice, ce reprezintă patru sau opt electromagneţi poziţionaţi în jurul axei optice. Diametrul
fasciculului pe suprafaţa probei este de regulă controlat de un sistem alcătuit din două perechi de lentile
electromagnetice (C1 şi C2). Un prim grup de lentile (C1) micşorează punctul de intersecţie de la anodul tunului
(punctul de unde par a fi generaţi electronii primari) şi formează un fascicul fin şi bine definit. Al doilea grup de
condensatori (C2) este de regulă legat de primul şi deci nu poate fi controlat independent.
Diametrului spotului este controlat de către C1. Mici reglaje ale diametrului razei se pot realiza prin coborârea
sau înălţarea etajului probei, ceea ce va modifica setările lui C2 nevoit să întrerupă focalizarea şi astfel funcţia
de micşorare a spotului. Cu cât distanţa de focalizare este mai mică, cu atât diametrul spotului va fi mai mic şi
implicit vom avea o rezoluţie mai bună. Apertura finală, care este de regulă singura apertură ce poate fi
controlată din exteriorul coloanei SEM, poate fi utilizată pentru reglarea unghiului de convergenţă al fluxului
electronic la contactul cu suprafaţa probei.
Adâncimea câmpului este definită ca

fiind distanţa de-a lungul axei optice
în care un punct ideal de pe probă
nu este împrăştiat de către microscop
într-un spot mai mare decât limita
rezoluţiei. Toate punctele de pe probă
din cadrul adâncimii de câmp apar
absolut identice în imagine. Dependenţa adâncimii de câmp faţă de unghiul
de convergenţă al fasciculului incident
Aberaţiile lentilelor se vor atenua sau cel puţin vor fi mai uşor de corectat prin menţinerea fasciculului cât mai
aproape de axa optică, în special în zonele de acţiune a lentilelor electromagnetice. Procesul de baleiere este
astfel îndeplinit prin utilizarea a două seturi de bobine deflectoare.
Poziţia şi puterea bobinelor deflectoare este determinată de trecerea fluxului incident prin perechea
de lentile finale (ale obiectivului) unde se crează un punct de pivotare pe axa optică. În cazul multor
microscoape, bobinele de scanare sunt pre-aliniate de către producător iar o eventuală realiniere operată de către
utilizator devine imposibilă. Apertura finală este poziţionată astfel încât să fie cât mai apropiată de punctul de
pivotare şi mărimea acesteia afectează doar convergenţa fasciculului, neinfluenţând procesul de scanare.
Corectarea astigmatismului în cazul unui SEM se poate realiza cu ajutorul unui singur set de bobine poziţionate
astfel încât să deformeze fluxul într-o manieră simetrică care apoi va lovi proba cu o formă circulară.
Celelalte componente ale SEM-ului (cu excepţia detectorilor) sunt electronice. Un generator de
scanare controlează atât propagarea transversală a fasciculului pe probă, cât şi sincronizarea spotului de pe ecran
cu procesul de scanare. Aşadar, generatorul pentru scanare determină mărirea imaginii, controlând dimensiunile
suprafeţei vizualizate în timp ce imaginea de pe monitor este afişată la dimensiuni constante. Semnalul provenit
de la detector este amplificat înainte de a fi utilizat pentru controlul luminozităţii pixelilor monitorului şi implicit
contrastul imaginii. Nicio componentă electronică a microscopului nu necesită o aliniere înaintea şi în timpul
scanării, chiar dacă se impun anumite reglaje.
• Elementele constructive ale SEM-ului:
1. Coloana verticală: a) Tunul electronic;
b) Sistemul de centrare a tunului;
c) Apertura de injecţie;
d) Lentilele electromagnetice;
e) Apertura fixă;
f) Lentila auxiliară IML şi bobinele de centrare;
g) Stigmatorii;
h) Bobinele de scanare.
2. Camera probei şi detectorii: a’) Camera probei;
b’) Etajul probei;
c’) Sistemul de detecţie.
3. Sistemul de vidare
1. a) Tunul electronic este o sursă de electroni acceleraţi. Majoritatea microscoapelor electronice
folosesc un tun electronic termionic. Acesta nu îndeplineşte numai rolul de sursă de electroni acceleraţi, ci poate
fi descris şi ca o “lentilă magnetică” preliminară, întrucât generează un puternic fascicul de electroni de energie
mare pe care îl direcţionează în jos de-a lungul coloanei verticale a microscopului.
● Tunul termionic cu filament de tungsten este format dintr-un catod, cilindru Wehnelt (grilă) şi un anod.
Catodul şi cilindrul Wehnelt sunt conectate la un potenţial
electric negativ; anodul şi restul componentelor coloanei sunt
conectate la masă. Catodul este format dintr-un filament de
wolfram încălzit la o temperatură foarte înaltă ce provoacă
emisia de electroni liberi. Un filament este încălzit şi astfel
emite un mare număr de electroni termionici. Aceştia sunt
apoi acceleraţi către un anod şi pătrund printr-un orificiu aflat
în centrul acestuia către sistemul de condensatori al
microscopului. Prin aplicarea unei tensiuni de polarizare
asupra cilindrului Wehnelt, tunul se va comporta ca o lentilă
electrostatică. Astfel, electronii sunt emişi doar într-o zonă
restrânsă a filamentului, iar traiectoriile acestora se intersectează în drumul lor către apertura anodului.
Tensiunea dintre cilindrul Wehnelt şi anod reprezintă tensiunea de accelerare a electronilor şi, prin urmare,
energia acestora. Fluxul de electroni produs de tunul de electroni este caracterizat de curentul de emisie.
Curentul de emisie poate fi modificat prin crearea unui potenţial negativ între cilindrul Wehnelt şi catod.
Sunt trei parametri esenţiali ce pot fi influenţaţi prin controlul tunului electronic:
- intensitatea curentului electric din filament (şi astfel temperatura acestuia);
- tensiunea de polarizare a grilei (a cilindrului Wehnelt);
- tensiunea de accelerare.
● Tunul cu emisie în câmp se bazează pe fenomenul de tunelare caracteristic electronilor generaţi
de un vârf metalic şi transportaţi de un câmp electric foarte puternic. S-a constatat că prin emiterea electronilor
de pe o suprafaţă, sursa acestora pare a fi un singur punct aflat în substrat datorită prezenţei câmpului electric,
iar electronii tind să fie emişi tangenţial faţă de stratul de suprafaţă, într-un vârf semisferic, astfel că această
sursă aparentă nu este de fapt un singur punct, ci o zonă semisferică din substrat. Este preferat un vârf de
tungsten încălzit în detrimentul unui fir îndoit din acelaşi material, existând posibilitatea obţinerii unei
luminozităţi sporite prin folosirea unei surse mai mici. Astfel, acest catod practic implică ambele tehnologii -
termionică şi cu emisie în câmp - şi este cunoscut sub denumirea de “catod T-F (Thermal-Field)” sau “catod
Schottky”. În prezent, tunul electronic cu emisie în câmp câştigă teren deoarece necesită un sistem de pompare
mai accesibil ca preţ.
Vârful de emisie în câmp este în general realizat din fir de tungsten foarte
bine ascuţit prin şlefuire electrolitică, ajungând la 10 ÷ 100 nm în diametru,
însă având dimensiuni mult mai mici pentru sursa aparentă. Dezavantajul
constă în faptul că un simplu vârf de tungsten poate fi foarte sensibil faţă de
gradul de contaminare al suprafeţei. Pe de altă parte, catodul cu emisie în
câmp este foarte sensibil la dimensiuni, forme şi condiţiile suprafeţei studiate.
Anodul electrostatic este de asemenea foarte vulnerabil la contaminare.
Se impune menţinerea unui câmp electric mare, deoarece un vârf de tungsten chiar foarte bine încălzit poate să
nu emită electroni deloc în lipsa acestuia. În cazul tunului cu emisie în câmp, polarizarea dintre tensiunea
aplicată primului anod şi tensiunea accelerată de la catod determină curentul de emisie. Cel de-al doilea anod
este legat la masă, iar diferenţa de potenţial dintre acesta şi catod stabileşte acceleraţia indusă electronilor.
Forma anodurilor este atent selectată în vederea minimizării aberaţiilor. Chiar dacă eliberează electroni foarte
uşor, un singur atom provenit de pe suprafaţa probei poate ridica substanţial bariera energetică pentru emisie
electronică, reducând implicit capacitatea de emisie şi provocând instabilitate în funcţionare.
● Tunul termionic cu catod de LaB6 nu poate fi încălzit direct (ca tungstenul), astfel că este
necesară aplicarea unui montaj special sau a unui dispozitiv de încălzire separat pentru a-i furniza catodului
temperatura de 1700 ÷2100º K necesară funcţionării. Vârful cristalului este foarte bine ascuţit, apoi acesta din
urmă este la rândul său ascuţit sub un unghi foarte mic. Acest ultim retuş asigură suprafaţa de emisie a
electronilor. Fără aplatizarea vârfului (sau dacă vârful se toceşte), emisia electronilor s-ar produce de pe o
suprafaţă nedefinită din jurul punctului şi astfel rezoluţia echipamentului ar avea de suferit.
LaB6 (Hexaborură de lantan) s-a dovedit a fi un material excelent pentru a forma o sursă de
electroni datorită uşurinţei cu care acesta eliberează electronii. Însă acest tip de tun electronic nu este o opţiune
viabilă pentru analiza cu raze X, deoarece prezintă un proces de emisie relativ instabil datorat în egală măsură
caracteristicilor de material şi a contaminării. Catodul de LaB6 asigură un ordin de mărire mai mare decât cel din
tungsten şi o strălucire sporită. Un alt avantaj este dat şi de durata de viaţa mai mare, însă aceste performanţe
sunt atinse cu anumite sacrificii. Catodul de LaB6 necesită o vidare mai mare decât în cazul tungstenului, ceea ce
implică achiziţionarea unor sisteme de pompare mult mai costisitoare. Tunul electronic prezintă aceeaşi
configuraţie structurală ca şi în cazul catodului de tungsten. Totuşi, montajul catodului este diferit, fiind
elaborate până acum trei metode de implementare:
← Metoda Broers: se utilizează un fir de tungsten (de aproximativ 2 cm lungime) înfăşurat în

jurul cristalului de LaB6. Această metodă foloseşte caldura şi electronii generaţi de înfăşurarea
de tungsten pentru încălzirea vârfului. Prin direcţionarea căldurii spre suportul cristalului, situat
la celălalt capăt, este diminuată influenţa reactivităţii ridicate a acestui material.
← Metoda Vogel: este utilizat un catod scurt de LaB6 care este încălzit direct de trecerea unui
curent electric prin structură. Se utilizează conectori electrici rigizi care asigură şi funcţia de
susţinere a vârfului.
← Metoda Ferris: un cristal scurt de LaB6 este susţinut de o coardă sau un fir străbătut de un
curent electric pentru a încălzi catodul. Cristalul este încălzit prin conducţie de la coarda de
susţinere care trebuie să fie realizată dintr-un material inactiv din punct de vedere chimic, cum
ar fi grafitul.
b) Dispozitivul de centrare a tunului este format dintr-un sistem de bobine de deflexie
electromagnetice, fiind poziţionat sub tun. Scopul acestui sistem este de a înclina fascicolul de electroni emis de
tunul de electroni astfel încât fascicolul să intre axial în sistemul optic al coloanei. Sistemul este controlat prin
procedura de aliniere a tunului. Tunul este corect centrat dacă este selectată partea din mijloc, cea mai intensă a
fascicolului de electroni şi dacă strălucirea imaginii este maximă.
c) Apertura de injecţie este plasată sub bobinele de centrare ale tunului. Scopul acesteia este de a
elimina zonele marginale ale fasciculului de electroni emis de tun.
d) Toate lentilele electromagnetice ce operează într-un microscop optic modern funcţionează în
acelaşi mod. În principiu acestea generează un câmp electromagnetic poziţionat simetric faţă de axa optică
centrală a microscopului. Ar fi simplu de realizat cu o bobină care să înfăşoare acest ax optic, însă în practică
apare problema de a restricţiona extinderea câmpului
electromagnetic, pentru ca acesta să acţioneze ca o „lentilă subţire”. Introducerea unui obturator metalic (care
poate fi schimbat destul de usor) reprezintă o rezolvare accesibilă. Modul de funcţionare al lentilelor
electromagnetice constă în răsturnarea imaginii şi rotirea acesteia în jurul axei optice în funcţie de puterea lor
proprie. Din moment ce marele avantaj al lentilelor magnetice este reprezentat de faptul că puterea (şi gradul de
focalizare) este uşor controlabilă prin reglarea curentului electric din bobine, rezultă că orice variaţie a lentilelor
de vizualizare implică rotirea imaginii. Acest efect este mai uşor de observat în cazul TEM-ului, atunci când
mărirea (adică lentilele de proiecţie) sau focalizarea (lentilele obiectivului) este modificată, lentilele
eletromagnetice intervin în alinierea coloanei microscopului.
● Lentilele condensoare sunt lentile electromagnetice puternice destinate scăderii factorului de
micşorare al sursei virtuale. Cu cât excitaţia pe condensator este mai mare, cu atât este mai mică distanţa focală
şi cu atât este mai mare factorul de micşorare. Factorul de micşorare dorit poate fi obţinut, în majoritatea
situaţiilor prin diverse combinaţii ale factorului de micşorare al celor doi condensatori. Cu cât se doreşte o
dimensiune mai mică a spotului sau cu cât este mai mic curentul pe probă, cu atât este mai mare excitaţia pe
condensator. Condensatorul C1 influenţează micşorarea sursei de electroni iar condensatorul C2 influenţează de
asemenea dimensiunea unghiului de deschidere.
← Grupul de lentile magnetice: C1 - Lentilele condensoare (lentile de proiecţie)
C2 - Lentilele obiectivului
● Lentilele obiectivului au scopul de a focaliza (sau a defocaliza) fasciculul

incident pe regiunea dorită de pe probă. În funcţie de performanţele
echipamentului, acestea pot micşora spotul intermediar al fluxului electronic de
10 până la 100 de ori, pentru ca în final diametrul spotului ce se proiectează pe
probă să aibă doar 5 nm. Acest grup de lentile dispune şi de o apertură - apertura
finală - foarte importantă deoarece diametrul său reprezintă un parametru
ajustabil pentru coloana de electroni şi este adesea folosită pentru modificarea
brută a caracteristicilor instrumentului; de exemplu, de la modul de vizualizare în
rezoluţie înaltă la analiza cantitativă cu raze X. Această apertură poate fi
considerată asemănătoare cu cea a unui aparat de fotografiat, deoarece nu doar
controlează luminozitatea, ci oferă şi posibilitatea de a controla adâncimea de
focalizare.
Structura unui obiectiv (lentilele de formare a imaginii)

e) Apertura fixă configurează diametrul fasciculul incident rezultat. Aceasta este amplasată în
suportul de la capătul conductei centrale de vid a coloanei, la aproximativ 60 mm sub condensatorul C2.
Dimensiunea optimă a orificiului aperturii este de 50 μm. Selectarea aperturii este efectuată în funcţie de
cerinţele privind adâncimea de câmp sau rezoluţia. În general, este preferată o apertură mai mică pentru a
îmbunătăţi adâncimea de câmp, iar aceasta va reduce numărul electronilor ce bombardează proba.
f) IML este o lentilă magnetică slabă, folosită pentru modificarea deschiderii fasciculului care intră
în lentila O1 sau pentru proiectarea fasciculului focalizat pe suprafaţa probei atunci când O1 este oprită.
Modificarea excitaţiei IML produce modificarea direcţiei fasciculului de electroni şi de-a lungul axului optic,
astfel încât este necesară compensarea acestei deplasări prin intermediului bobinelor de centrare IML Centring.
g) Stigmatorul este de tip electromagnetic, octopol. Este folosit pentru compensarea
astigmatismului în toate modurile de vizualizare.
h) Două etaje ale bobinelor de scanare înfăşurate toroidal pe
inele de ferită. La bobine este conectată o sursă de curent având forma
dinţi de ferăstrău. Frecvenţa dinţilor de ferăstrău determină viteza de
scanare a fasciculului de electroni, amplitudinea determină câmpul vizual
al microscopului şi, prin urmare, mărirea. Amplitudinea dinţilor de
ferăstrău a ambelor etaje de bobine de scanare poate fi comandată separat,
astfel încât este posibil să se modifice nu numai mărirea ci şi poziţia
„punctului de pivotare”, adică punctul în care fasciculul de electroni pentru
scanare intersectează axa coloanei. Este posibil să se deplaseze fasciculul de
electroni mijlociu prin adăugarea offset-ului CC la dinţii de ferăstrău,
independent pentru ambele etaje. Bobinele de scanare împreună cu
stigmatorul şi cu conectorii formează un singur bloc constructiv. Fluxul de
electroni este deviat de către bobinele de scanare pentru a fi direcţionat spre
apertura abiectivului pentru ca apoi să bombardeze proba.
Devierea fasciculului incident se obţine prin utilizarea unor perechi de bobine electromagnetice ale căror linii de
câmp străbat coloana verticală a microscopului. În principiu, în bobine este indus un curent continuu, iar cele
două perechi de bobine variază curentul pe verticală şi pe orizontală. Acesta este un proces care în general se
desfăşoară automat, utilizatorul având sarcina de a selecta timpul necesar unei scanări. Obiectivul este ultima
lentilă magnetică a coloanei, cea care formează fasciculul de electroni final. În modurile de funcţionare
obişnuite, excitaţia acesteia este determinată de distanţa de lucru (distanţa dintre piesa polară a obiectivului
inferior şi suprafaţa probei).
2. a’) Camera probei este un corp concav gol, situat sub coloană, în care este poziţionată proba. În
modul de funcţionare camera trebuie să fie vidată, necesitând un grad de vid sporit faţă de coloana verticală.
b’) Etajul probei ataşat la uşa din partea frontală a camerei are rolul de a susţine proba. Etajul
permite deplasarea motorizată a probei pe orizontală şi pe verticală, precum şi rotirea sa (de asemenea înclinare
motorizată). Deplasarea pe verticală a probei, ce are ca scop reglarea distanţei de lucru, se face automat prin
comenzile date de operator. Proba este fixată pe suport într-un mod ce îi asigură izolarea, astfel încât să fie
posibilă determinarea curentului absorbit de probă. Picoampermetrul este fixat la un port al camerei şi conectat
la probă prin intermediul unui conector coaxial. În plus, picoampermetrul funcţionează şi ca un avertizor sonor
în ceea ce priveşte contactul probei cu alte părţi ale microscopului (piesa polară a obiectivului, detectoarele etc).
c’) Sistemul de detecţie este realizat din detectoare ale produşilor interacţiunii electronilor cu
suprafaţa probei. Selecţia semnalului ce urmează a fi detectat este obligatoriu independentă de modul de
vizualizare. Majoritatea microscoapelor sunt echipate cu doi sau trei detectori de semnal. În orice situaţie este
urmărită poziţia relativă a probei şi a detectorului, astfel încât fasciculul incident să întâlnească suprafaţa probei
iar semnalul electronilor secundari să poată fi recepţionat de pe o suprafaţă cât mai mare.
Detectorii SEM-ului: SE (Detector pentru electronii secundari)
BSE (Detectorul pentru electronii retroîmprăştiaţi)
EDX (Detectorul de raze X)
Electronii secundari (a) sunt de regulă detectaţi cu ajutorul unui detector Everhart - Thornley.
Orice SEM este obligatoriu echipat cu un detector pentru electronii secundari de tip Everhart-Thornley.
Acesta constă într-un scintilator aflat în spatele unei site metalice ce poate fi polarizată pozitiv (pentru a
atrage electronii secundari de energie mică) sau negativ (pentru a-i respinge). Acest detector accelerează
electronii secundari de energie joasă care au apărut la suprafaţa probei şi îi focalizează pe scintilator. Din
moment ce electronii secundari pot fi atraşi spre detector pe traiectorii curbilinii, poziţia detectorului SE
nu este crucială şi nu necesită aşezarea acestuia în vecinătatea probei. Scintilaţiile care apar în urma
interacţiunii dintre electroni şi scintilator sunt transmise, prin intermediul ghidajului optic, către
fotomultiplicatorul din exteriorul camerei microscopului. Înainte ca semnalul de ieşire al
fotomultiplicatorului să fie transmis către echipamentele electronice, acesta este amplificat de către
preamplificatorul ataşat mecanic la cameră.
Detectorul pentru electronii retroîmprăştiaţi este de tip scintilator. Electronii retroîmprăştiaţi
(b) - de energie mare - pot fi detectaţi la rândul lor cu un detector Everhart - Thornley a cărei grilă este
polarizată negativ spre a respinge electronii secundari de energie mică. Totuşi, este indicată utilizarea unui
detector specific. Această poziţie are avantajul că detectorul dispune de un unghi de „captare” a
electronilor mare şi totuşi departe de probă, aflat imediat sub lentilele obiectivului. Este foarte important
ca proba să nu fie ridicată accidental foarte aproape de detector, deoarece scintilatorul detectorului este
foarte fragil şi uşor deteriorabil. Un cristal scintilator inelar (YAG), cu o suprafaţă conductoare, este plasat
pe axul optic, exact sub extensia polară inferioară a obiectivului. Electronii retroîmprăştiaţi de înaltă
energie ce ajung pe scintilator fără a fi acceleraţi suplimentar excită atomii scintilatorului şi emit succesiv
fotoni vizibili. Fotonii sunt transportaţi de către ghidajul optic prin ieşirea laterală a scintilatorului către
catodul fotomultiplicatorului şi apoi sunt prelucraţi ca şi semnalul provenind de la electronii secundari.
Detectorul de raze X a devenit de asemenea destul de familiar pentru SEM-uri, chiar dacă
iniţial a fost dedicat microanalizatorului electronic (EPMA). Proiectanţii au încercat să-l integreze cât mai
aproape de probă cu putinţă pentru a-i spori eficienţa, iar un conductor de Si (sau Li) poate fi montat pe un
mecanism culisant ce permite controlul distanţei faţă de probă. Este evident faptul că un astfel de detector
montat ca în Fig. (c) va capta o mare parte a razelor X emise dacă este montat în poziţia [1] decât dacă ar
fi poziţionat ca în cazul [2]. Având un astfel de detector, este foarte important ca utilizatorul să cunoască
dimensiunile şi geometria probei pentru a nu se produce un contact accidental între probă şi detector.
3) Sistemul de pompare asigură vidul înaintat din coloană şi din cameră necesar funcţionării
microscopului, îndeplinind două funcţii: de evacuare a aerului şi de a preîntâmpina contaminarea tunului
electronic, a aperturilor sau a probei cu orice impurităţi atomice sau moleculare ce ar putea exista în
coloana microscopului. Evacuarea aerului din coloană şi din cameră este esenţială pentru funcţionarea
echipamentului întrucât astfel se minimizează fenomenul de împrăştiere a electronilor din fasciculul
incident pe o distanţă de aproximativ 1 m. Această cerinţă este destul de uşor de îndeplinit cu ajutorul unui
sistem de pompare obişnuit ce asigură o presiune de peste 10-2 Pa (10-4 Torr) în coloana verticală. În
privinţa contaminării, sistemele de vid moderne şi dispozitivele de anti-contaminare sunt proiectate să
diminueze acest efect prin indepărtarea cât mai multor corpuri moleculare din gazul rezidual aflat în
coloana microscopului.
● Pompa rotativă este cea mai simplă pompă mecanică, evacuând aerul şi gazele reziduale
prin rotirea unor pale scufundate într-un recipient cu ulei sintetic. Aceste echipamente sunt relativ ieftine,
însă destul de zgomotoase şi sunt adesea folosite doar în situaţii de urgenţă, cum ar fi defectarea pompei
de difuzie. Principalele dezavantaje ale pompei rotative sunt zgomotul, mirosul de ulei, vibraţiile şi
tendinţa de a uza excesiv curelele de transmisie şi rulmenţii. Datorită acestor motive, pompele rotative
sunt instalate cât mai departe de microscop cu putinţă şi sunt utilizate doar intermitent când este absolut
necesar.
● Pompele turbomoleculare sunt destul de des întâlnite alături de echipamentele SEM,
adesea fiind susţinute de o pompă rotativă mică. Acestea funcţionează ca un ventilator foarte rapid care
absoarbe moleculele de gaz din conducta de pompare. Avantajele unei astfel de pompe sunt determinate
de capacitatea de pompare, de la nivelul presiunii atmosferice până la 10-5 Torr, valoare ce poate fi atinsă
prin folosirea unei singure pompe care ar trebui - cel puţin teoretic - să nu injecteze în sistem uleiuri
dăunătoare. Dezavantajul este datorat chiar vitezei rotative extrem de mari a ventilatorului, deoarece
acesta începe să devină zgomotos la pornire, degajă gaz şi, mult mai grav, rulmenţii ventilatorului necesită
întreţinere periodică şi meticuloasă şi au o durată de funcţionare destul de scurtă.
● Pompele de difuzie conţin ulei sau mercur care sunt încălzite până la degajarea unei
cantităţi semnificative de vapori. Aceştia sunt apoi direcţionaţi prin intermediul unor conducte într-un
asemenea mod încât antrenează moleculele de gaz din sistemul de vid care vor difuza către ieşire de unde
sunt evacuate de o pompă rotativă. Pompele de difuzie nu încep să funcţioneze decât dacă presiunea este
sub 10 Pa (10-1 Torr), astfel că microscopul trebuie să fie ventilat iniţial prin utilizarea unei pompe
rotative. Dezavantajul unei pompe de difuzie constă în faptul că eliminarea totală a vaporilor din coloana
microscopului este practic imposibilă, iar dacă aerul intră în contact cu uleiul încins pot rezulta efecte
dezastruoase. În cazul unor SEM-uri (şi a TEM-urilor) combinaţia dintre pompa rotativă şi cea de difuzie
a fost înlocuită cu o pompă turbomoleculară.
● Pompele ionice funcţionează pe principiul atragerii gazelor ionizate de către un electrod.
Dacă electrodul respectiv este receptiv la atomii şi moleculele de gaz (acţionează ca un acumulator),
atunci se poate vorbi de o pompă cu acumulator de gaze. Acest tip de pompă este mai curată decât o
pompă cu difuzie, însă de asemenea nu poate funcţiona corespunzător la presiune atmosferică şi astfel
trebuie susţinută la rândul său.
● Pompele criogenice sunt acţionate datorită faptului că atomii de gaz vor condensa la
contactul cu o suprafaţă rece şi astfel sunt desprinse din starea de vapori. Pompa criogenică este utilizată
în alcătuirea unor dispozitive de anti-contaminare pentru îndepărtarea moleculelor mari din coloană. În
acest scop sunt instalate plăci de cupru răcite cu azot lichid langă probă şi deasupra pompei de difuzie cu
ulei. În mod evident acestea funcţionează doar într-un mediu răcoros, iar prin încălzirea camerei probei
gazele condensate în prealabil se vor dispersa iarăşi în sistem.
Microscopia optică vs. microscopia electronică
Avantaje:
Microscopia optică Microscopia electronică
de baleiaj
• rezoluţia* [μm] • rezoluţia** [nm]
• imagine color • focalizarea (adâncimea de focalizare)
• viteza de lucru şi contactul permanent • poziţionarea probei (rotirea şi înclinarea
cu proba până la 90° a mesei de lucru)
• manevrarea fizică a probei • posibilitatea de a lucra cu mai multe probe
simultan
• examinarea probelor de natură organică,
a suprafeţelor transparente, materialelor Imagine optică →
dielectrice, amestecurilor lichide etc.
• costurile de achiziţie şi întreţinere
a echipamentului
* Cel mai mic interval detectabil

dintre două puncte adiacente.
** Coincide cu dimensiunea
spotului fasciculului incident.
Imagine SEM →
Modul de funcţionare al SEM-ului
Un echipament SEM (Scanning Electron Microscope / Microscop electronic de
baleiaj) utilizează un fascicul de electroni acceleraţi focalizat cu ajutorul unui
sistem de lentile electromagnetice şi aperturi pe suprafaţa unei probe. Tensiunea
de accelerare (HV – High Voltage / Accelerating Voltage) este cuprinsă de regulă
între 500 V şi 50 kV. Lentilele direcţionează fasciculul de electroni incidenţi pe
suprafaţa probei şi redau o imagine mărită a acesteia cu ajutorul electronilor
secundari generaţi. Coloana electro-optică şi suportul pentru probe sunt situate
pe axa verticală în interiorul unei coloane cilindrice vidate. Vidarea spaţiului din
coloana verticală este necesară pentru ca electronii să nu interacţioneze cu
moleculele de aer şi astfel să fie deviaţi de pe traiectorie înainte de a lovi
suprafaţa probei.
Microscopia electronică de baleiaj constă în vizualizarea caracteristicilor de
suprafaţă ale probei cu ajutorul electronilor secundari. Suprafeţa unei mostre este
redată cu ajutorul electronilor reflectaţi (retroîmprăştiaţi: BSE – Backscattered
Electrons) sau emişi de către stratul superficial al probei (electroni secundari: SE
– Secondary Electrons) aflat sub bombardamentul electronilor acceleraţi
(incidenţi). Aceasta se realizează prin focalizarea unui fascicul concentrat de
electroni într-un mic punct de expunere aflat pe probă. Apoi, acest punct foarte
mic este deplasat dintr-o parte în alta (baleiat) prin redirecţionarea fasciculului
astfel încât doar o regiune restrânsă a probei - a cărei lăţime corespunde cu
diametrul spotului - să fie parcursă (baleiată) de punctul luminos al fasciculului.
Factori perturbatori pentru funcţionarea SEM-ului
a) Vibraţiile: afectează negativ atât utilizarea echipamentului, cât şi integritatea sa în
timpul funcţionării.
– poziţionarea echipamentului pe o masă antivibraţională şi o pernă de aer care să preia şi
să amortizeze vibraţiile.
b) Perturbaţiile sonore: Un nivel acustic crescut (< 75 dB) poate deteriora performanţele
unui SEM. Circulaţia aerului din încăpere poate fi un factor de perturbaţie.
– proiectarea corespunzătoare a camerei, instalarea unor dispozitive de atenuare la ambele
capete (de admisie şi evacuare) ale sistemului de ventilaţie.
– utilizarea materialelor de izolare fonică pentru realizarea filtrelor de aer.
– izolarea fonică individuală a diverselor componente => dezavantajul utilizării mai
greoaie a SEM-ului.
c) Interferenţele electromagnetice: Curentul electric generează câmpuri magnetice ce pot
influenţa performanţele SEM-ului. Una dintre principalele surse de perturbaţii este reţeaua
electrică.
– poziţionarea echipamentelor sensibile la o distanţă suficientă de sursele magnetice.
– răsucirea firelor şi izolarea acestora cu materiale dielectrice.
– evitarea conductelor de apă, de gaz sau a niturilor şi armăturilor metalice din pereţi.
– cablurile să nu fie distribuite circular în jurul SEM-ului.
– evitarea utilizării telefoanelor mobile, monitoarelor CRT etc. în imediata vecinătate a
SEM-ului.
Microscopul Electronic de Baleiaj
Construcţie şi funcţionare
Principiul de funcţionare
Coloana verticală a SEM-ului

Elementele constructive ale SEM-ului
1. Coloana verticală:
a) Tunul electronic: • sursă de electroni acceleraţi.
• generează un puternic fascicul de electroni primari de energie mare pe care îl
direcţionează în jos de-a lungul coloanei verticale a microscopului.
b) Sistemul de centrare a tunului: • format dintr-un sistem de bobine de deflexie
electromagnetice, fiind poziţionat sub tun.
• înclină fasciculul incident astfel încât să pătrundă axial în sistemul optic al coloanei.
• este controlat prin procedura de aliniere a tunului.
c) Apertura de injecţie: • poziţionată sub bobinele de centrare ale tunului.
• elimină zonele marginale ale fasciculului de electroni acceleraţi.
d) Lentilele electromagnetice condensoare: • generează un câmp electromagnetic
poziţionat simetric faţă de axa optică centrală a microscopului.
→ Lentilele condensoare: • variază factorul de micşorare al sursei virtuale.
→ Lentilele obiectivului: • focalizează (sau defocalizează) fasciculul incident pe
regiunea dorită de pe probă.
• controlează luminozitatea şi adâncimea de focalizare prin intermediul aperturii finale.
e) Apertura fixă: • configurează diametrul fasciculul incident.
• este selectată în funcţie de cerinţele privind adâncimea de câmp sau rezoluţia.
f) Lentila auxiliară IML şi bobinele deflectoare (de centrare): • este o lentilă magnetică
slabă, folosită pentru proiectarea fasciculului focalizat pe suprafaţa probei.
g) Stigmatorul: • de tip electromagnetic.
• folosit pentru compensarea astigmatismului.
h) Bobinele de scanare (lentilele obiectivului): • două etaje ale bobinelor
înfăşurate toroidal pe inele de ferită conectate la o sursă de curent electric.
• determină viteza de scanare a fasciculului.
• controlează câmpul vizual al microscopului şi mărirea.
i) Apertura finală: • colimează fasciculul primar pe suprafaţa probei.
Bobinele de scanare (h), împreună cu stigmatorii (g) şi conectorii formează un
singur bloc constructiv. Fluxul de electroni primari este deviat către bobinele de
scanare, apoi prin apertura obiectivului (i) sunt direcţionaţi pe suprafaţa probei.
2. Camera probei şi detectorii:

a’) Camera probei: • situată la baza coloanei electro-optice.
• în timpul funcţionării trebuie să fie vidată, necesitând un grad de vid sporit
faţă de coloana verticală.
b’) Etajul (masa) probei: • susţine proba, fiind ataşat la uşa de acces a camerei.
• permite deplasarea probei pe orizontală şi pe verticală, înclinarea şi rotirea sa.
c’) Sistemul de detecţie: SE (Detector pentru electronii secundari)
BSE (Detectorul pentru electronii retroîmprăştiaţi)
EDX (Detectorul de raze X)
• captează semnalul secundar, detectat independent de modul de vizualizare.
Electronii secundari (a) sunt detectaţi cu ajutorul unui detector Everhart – Thornley
(detector pentru electronii secundari - SE). Acesta constă într-un scintilator aflat în
spatele unei site metalice ce poate fi polarizată pozitiv (pentru a atrage electronii secundari
de energie mică) sau negativ (pentru a-i respinge). Acest detector accelerează electronii
secundari de energie joasă care au apărut la suprafaţa probei şi îi focalizează pe scintilator.
Întrucât electronii secundari pot fi atraşi spre detector pe traiectorii curbilinii, poziţia
detectorului SE nu este importantă şi nu necesită aşezarea acestuia în vecinătatea probei.
Detectorul pentru electronii retroîmprăştiaţi (BSE) este de tip scintilator. Electronii
retroîmprăştiaţi (b) - de energie mare - pot fi detectaţi la rândul lor cu un detector Everhart -
Thornley a cărui grilă este polarizată negativ spre a respinge electronii secundari de energie
mică. Totuşi, este indicată utilizarea unui detector specific.
Detectorul de raze X (EDX sau EDS) trebuie poziţionat cât mai aproape de probă pentru a
capta cu succes razele X eliberate de substrat. Constă într-un conductor de Si (sau Li) montat
pe un mecanism culisant ce permite controlul distanţei faţă de probă. Un detector montat ca
în Fig. (c) va capta o cantitate mai mare a razelor X emise dacă este montat în poziţia [1]
decât dacă ar fi poziţionat ca în cazul [2]. Utilizarea unui astfel de detector presupune ca
utilizatorul să cunoască dimensiunile şi geometria probei pentru a nu se produce un contact
accidental între probă şi detector.
3. Sistemul de vidare (pompare): asigură vidul înaintat din coloană şi din cameră necesar
funcţionării microscopului.
Îndeplineşte simultan două funcţii:
→ preîntâmpină contaminarea coloanei microscopului şi a camerei probei: prin indepărtarea
moleculelor de gazul rezidual şi a impurităţilor aflate în coloana microscopului.
→ evacuează aerul din incintă: limitează fenomenul de împrăştiere a electronilor.
Sistemul de pompare trebuie să asigure o presiune minimă de 10-2 Pa (10-4 Torr) în coloana
verticală.
● Pompa rotativă este cea mai simplă pompă mecanică.
Avantaje: ieftină, uşor de întreţinut şi de înlocuit.
Dezavantaje: zgomotoasă în funcţionare, degajă miros de ulei sintetic, induce vibraţii.
● Pompa turbomoleculă funcţionează adesea în tandem cu o pompă rotativă mică,
acţionând ca un ventilator foarte rapid care absoarbe moleculele de gaz printr-o conductă de
pompare.
Avantaje: capacitate de pompare foarte mare, ajungând până la 10-5 Torr.
Dezavantaje: zgomotoasă la pornire, uzura rapidă a pieselor mobile din cauza vitezei mari
de rotaţie a ventilatorului.
● Pompa de difuzie conţine ulei sau mercur care sunt încălzite până la degajarea unei
cantităţi semnificative de vapori.
● Pompa ionică funcţionează pe principiul atragerii gazelor ionizate de către un electrod.
● Pompa criogenică este acţionată prin condensarea atomilor de gaz la contactul cu o
suprafaţă rece.
Semnalele generate şi optica electronică
Fasciculul incident (care scanează proba) este format din electroni acceleraţi la tensiuni
de ordinul kilovolţilor (uzual, 0,5 ÷ 30 kV). Când electronii incidenţi pătrund în probă,
interacţionează cu câmpurile electrice ale atomilor probei. Sarcina pozitivă a protonilor este
concentrată în nucleu, în timp ce sarcina negativă a electronilor este dispersată în învelişul
electronic. Electronii din fascicul pot suferi împrăştieri elastice (fără pierderi de energie)
modificându-şi direcţia de deplasare, iar după un anumit număr de astfel de deflexii, se pot
întorce. Din acest motiv se numesc electroni retroîmprăştiaţi (backscattered electrons - BSE).
Numărul acestor electroni (semnalul de electroni retroîmprăştiaţi) depinde în mod esenţial de
numărul atomic Z al atomilor probei. Când un electron din fasciculul incident pătrunde în
material, cea mai probabilă situaţie constă în ciocnirea acestuia cu un alt electron ce orbitează în
jurul unui atom al probei respective. Dacă electronul incident are suficientă energie pentru a
devia electronul orbital de la traiectoria sa, acesta din urmă devine un electron liber. Această
reacţie de împrăştiere inelastică reduce energia electronului primar, însă acesta poate pătrunde în
profunzimea probei sub influenţa unor numeroase alte asemenea coliziuni şi eliberând electroni
până rămâne fără energie.
Simultan cu împrăştierea elastică are loc şi o împrăştiere inelastică a electronilor. În
acest proces, electronii din fascicul transferă prin diferite mecanisme energie atomilor probei,
procesul având loc în mod gradual, aşa încât electronii traversează mai multe straturi atomice
înainte de a-şi pierde energia. Un electron ce se apropie de un atom poate să-şi împartă energia
proprie cu acel atom în timp ce este deviat şi îşi modifică la rândul său direcţia de propagare în
material. Câmpul electromagnetic al nucleului întârzie un electron provenit din fasciculul
incident ce trece pe lângă atomul respectiv. Această reacţie imprimă electronului primar o altă
direcţie, iar acesta emite o rază X de energie egală cu valoarea cedată prin ciocniri. Electronul
primar pierde foarte puţină energie prin această reacţie, chiar dacă este respins cu 180º, însă
atomul implicat intră în oscilaţie şi generează caldură. Electronii fasciculului incident ce sunt
afectaţi de acest fenomen de împrăştiere multiplă pot fi deviaţi astfel încât să fie eliberaţi de pe
suprafaţa probei. Împrăştierea inelastică produce o varietate de semnale utile: electroni
secundari, raze X caracteristice, electroni Auger şi catodoluminiscenţă (Fig. 1).
1
Combinarea efectelor de împrăştiere elastică şi inelastică are ca efect pătrunderea
fascicolului electronic într-o zonă cu formă şi volum specifice fiecărui material în parte, numită
volum de interacţiune. Acest volum este dependent de tensiunea de accelerare a electronilor, iar
faptul că semnalele utile sunt emise din acest volum care este mai extins decât spotul electronic
de pe probă, face ca rezoluţia echipamentului să fie în general inferioară rezoluţiei specificate de
producător, rezoluţie care este măsurată pe probe speciale - granule de aur pe carbon.
Fig. 1 - Semnalele generate în microscopia electronică de baleiaj
Electronii secundari sunt eliberaţi de pe suprafaţa probei la trecerea fasciculului primar

(incident) prin apertura finală şi generează semnalul secundar ce va fi amplificat, captat de către
detector şi, în final, va crea imaginea. Există două tipuri de semnale secundare ce contribuie la
2
formarea imaginii:
- semnalul secundar generat de electronii secundari propriu-zişi prin interacţiunea
fascicul primar - probă;
- semnalul secundar determinat de electronii retroîmprăştiaţi ce se propagă în afara
probei. Acest semnal reprezintă aproximativ 80% din intensitatea întregului semnal generat de
electronii secundari eliberaţi de pe suprafaţa probei.
•I• Semnalele generate de interacţiunea electron - solid:

Conform Fig. 1, există numeroase semnale secundare produse prin bombardarea unei
suprafeţe conductive cu un fascicul de electroni. Obţinerea acestor semnale are loc într-un punct
de incidenţa în care aceşti electroni pătrund în probă şi interacţionează cu câmpurile electrice ale
atomilor probei.
Toate echipamentele SEM sunt prevăzute cu un detector de electroni secundari ce poate
fi polarizat negativ pentru a favoriza detecţia electronilor retroîmprăştiaţi. Acest mod de
vizualizare poate intensifica detaliile topografice surprinse în imagine. Imaginea obţinută pe baza
electronilor retroîmprăştiaţi este foarte utilă în reducerea efectului de încărcare electrostatică a
anumitor materiale dielectrice, din moment ce electronii retroîmprăştiaţi sunt emişi de sub stratul
superficial neconductiv şi nu vor fi afectaţi de acesta.
1. Electronii secundari (SE):

Semnalul generat prin emisia de electroni secundari este cel mai des utilizat semnal
secundar. Contactul dintre un electron primar şi un electron provenit de la un atom al probei duce
la pierderea energiei celui dintâi, rezultând prin urmare un electron secundar. Această pierdere
energetică va contribui la ionizarea atomului respectiv şi în vederea restabilirii echilibrului se va
emite un electron având o energie cinetică foarte mică (uzual 50 eV - valoare acceptată prin
convenţie), numit electron secundar. Aceşti electroni sunt electronii păturilor atomice exterioare
ale probei, care interacţionează inelastic cu un electron incident. Electronii secundari se
deplasează în interiorul materialului, iar cei care vor părăsi substratul generează semnalul de
electroni secundari (SE).
În ceea ce priveşte distribuţia energetică a electronilor secundari, în Fig. 2 se poate
observa că aproximativ 90% dintre aceştia sunt emişi cu enegii cinetice mai mici de 10 eV.
3
Datorită valorii scăzute a energiei cinetice, electronii secundarii pot ieşi din probă numai dacă
sunt foarte aproape de suprafaţa acesteia. Seiler (în 1967) a demonstrat că electronii secundari
pot părăsi proba numai dacă sunt generaţi la mai puţin de 5λ de suprafaţa acesteia, unde λ este
drumul mediu mijlociu al electronilor secundari în probă, având valorile aproximative de 1 nm
pentru metale şi 10 nm pentru izolatori.
Drumul liber mijlociu al electronilor între două împrăştieri elestice este:
A

N o Q
Unde: N 0 - numărul lui Avogadro;

 - densitatea materialului probei [g/cm3];
A - greutatea atomică [g/mol].
Fig. 2 - Originea celor două surse de electroni secundari: SE1 şi SE2
Un alt aspect important legat de emisia de electroni secundari este acela că ei sunt emişi
de fapt din două zone relativ distincte de pe probă, aşa cum se vede în Fig. 2. În punctul de
incidenţă din probă sunt emişi electronii secundari SE1 iar în punctul de ieşire a electronilor
retroîmprăştiaţi sunt emişi electronii secundari SE2. Deoarece aceştia din urmă sunt o consecinţă
a retroîmprăştierii, caracteristicile semnalului SE2 sunt în fapt legate de proprietăţile electronilor
4
retroîmprăştiaţi. De aceea, ca şi semnalul BSE, semnalul SE2 este un semnal de rezoluţie mai
scăzută decât cea a semnalului SE1. Electronii secundari pot fi clasificaţi astfel:
a) SE de tip 1 - reprezintă electronii secundari produşi de fluxul incident ce vin în contact
cu suprafaţa probei,
- stabilesc rezoluţia fundamentală a imaginii;
b) SE de tip 2 - sunt produşi de către electronii retroîmprăştiaţi la părăsirea suprafeţei,
- pot fi până la 4 ori mai numeroşi decât electronii secundari de tip 1;
c) SE de tip 3 - sunt generaţi de electronii retroîmprăştiaţi ce lovesc diversele componente
ale microscopului (lentilele obiectivului, etajul probei sau suportul probei),
- volumele de reacţie create pe suprafaţa probei generează electroni
secundari şi retroîmprăştiaţi, ca şi raze X aflate în contact cu respectivele componenete;
d) SE de tip 4 - sunt produşi de fasciculul incident ce vine în contact cu apertura finală,
de regulă în cazul unor echipamente SEM ce nu deţin un sistem de aperturi variabile;
e) SE de tip 5 - apar de asemenea ca urmare a contactului electronilor retroîmprăştiaţi cu
anumite componente ale microscopului de unde ricoşează şi iradiază o suprafaţă îndepartată de
zona investigată.
2. Electronii retroîmprăştiaţi (BSE):

Electronii ale căror traiectorii intersectează suprafaţa probei de două ori - în punctul de
impact al fasciculului incident (la intrare) şi în vecinatatea acestuia (la ieşirea din probă) - se
numesc electroni retroîmprăştiaţi. Un electron retroîmprăştiat este definit ca un electron care
trece prin multiple procese de împrăştiere şi este eliberat cu o energie mai mare de 50 eV.
Aceştia iau naştere datorită coliziunilor elastice cu atomii probei şi de regulă reţin aproximativ
80% din energia lor initială. Numărul de electroni retroîmprăştiaţi produşi creşte proporţional cu
numărul atomilor din probă. Din acest motiv, o probă care este formată din două sau mai multe
elemente ce diferă semnificativ în ceea ce priveşte numărul lor atomic, va produce o imagine ce
ilustrează un contrast mai bun al elementelor, în ciuda omogenităţii materialului. Elementele al
căror număr atomic este mai mare vor produce mai mulţi electroni retroîmprăştiaţi şi astfel vor
apărea în imagine mai luminoase decât cele aflate în vecinătatea lor. În general, aceşti electroni
suferă mai multe ciocniri elastice, care cumulate produc modificarea traiectoriei electronului cu
până la 1800. Procesul de retroîmprăştiere este caracterizat de coeficientul de retroîmprăştiere:
5
nBSE I BSE
 
nB IB
Unde: nB - numărul de electroni din fascicolul incident;
nBSE - numărul de electroni retroîmprăştiaţi;
IB - curentul de fascicol;
IBSE - curentul de electroni retroîmprăştiaţi.
Coeficientul de retroîmprăştiere creşte proporţional cu numărul atomic al atomilor
materialului probei iar această proprietate permite decelarea diferenţelor compoziţionale prin
analizarea semnalului BSE. Distribuţia energetică a electronilor retroîmprăştiaţi este prezentată
în Fig. 3 pentru câteva materiale. Se observă că această distribuţie este continuă şi porneşte de la
valoarea energiei electronilor incidenţi. Adică, există un număr apreciabil de electroni care sunt
retroîmprăştiaţi fără a suferi ciocniri inelastice premergătoare schimbării cu 180º a traiectoriei.
De asemenea, se pote observa că un număr mic de electroni incidenţi se propagă pe distanţe mari
în material, pierzându-şi toată energia în procese de ciocnire inelastică. Pentru majoritatea
materialelor cu număr atomic mare şi intermediar, electronii retroîmprăştiaţi au o distribuţie după
energie care se concentrează în regiunea 0,7 ÷ 0,9 E0 (E0 fiind energia electronilor incidenţi).
Pentru materialele cu număr atomic mic distribuţia energetică este mult aplatizată
prezentând un maxim lărgit şi nici un peak (vârf de intensitate maximă).
Fig. 3 - Distribuţia energetică a electronilor retroîmprăştiaţi pentru câteva materiale:

carbon, aluminiu, cupru, argint, aur
6
Regiunea probei de pe care sunt generaţi electronii retroîmprăştiaţi este mult mai extinsă
decât în cazul electronilor secundari. Datorită energiei cinetice mai mari, aceşti electroni se pot
elibera din regiuni foarte adânci ale probei faţă de cei secundari. Prin ciocnire cu atomii
invecinaţi, unii electroni retroîmprăştiaţi pot genera raze X, electroni Auger, catodoluminiscenţă
şi chiar electroni secundari adiţionali.
De asemenea, se pot identifica trei tipuri de electroni retroîmprăştiaţi:
a) BSE de tip 1 - pătrund direct în detectorul Everhart - Thornley (detector BSE),
- se propagă în linii drepte până întâlnesc o suprafaţă de contact,
- au energie mare şi nu sunt afectaţi de tensiunea din incintă;
b) BSE de tip 2 - ramân o perioadă mai lungă de timp în substratul probei, de regulă fiind
eliberaţi mult mai departe decât locul de interacţiune cu fasciculul incident,
- aceşti electroni au pierdut mai multă energie decât cei colectaţi
convenţional de către detector, datorită ciocnirilor repetate cu atomii suferite în substrat;
c) BSE de tip 3 - lovesc componentele microscopului şi sunt redirecţionate către detector.
3. Alte semnale secundare:

Electronii secundari şi cei retroîmprăştiaţi sunt cele mai importante surse de vizualizare
diponibile în microscopia electronică de baleiaj, însă nu sunt singurele particule generate de o
suprafaţă aflată sub bombardament electronic.
a) Razele X caracteristice: Când un electron de pe un nivel atomic inferior este eliberat
prin ciocnirea cu un electron primar, lasă un loc liber în stratul energetic. Pentru a restabili
echilibrul în urma ionizării, un electron de pe un strat superior al atomului coboară pe nivelul
anterior şi înlocuieşte electronul desprins. Datorită acestui fenomen, electronul implicat pierde
energie, iar această energie se numeşte radiaţie X sau rază X. Razele X sunt utile pentru
identificarea elementelor dintr-o probă (analiză calitativă). Radiaţiile X sunt de tip
electromagnetic. Acestea se propagă în linie dreaptă şi se răspândesc sferic din sursa care le
emană, sub formă de fascicul divergent. Deoarece intensitatea razelor X scade cu pătratul
distanţei, detectorul trebuie să fie poziţionat cât mai aproape de probă.
b) Electronii Auger sunt produşi în momentul în care un electron de pe un strat superior
ocupă poziţia ramasă liberă pe un nivel inferior în urma dislocării unui electron sub influenţa
unui electron primar sau a unuia retroîmprăştiat. Energia suplimentară degajată în acest proces
7
poate fi transportată de un electron Auger. Deoarece energia acestor electroni este aproximativ
egală cu diferenţa dintre cele două nivele, ca şi în cazul radiaţiilor X, un electron Auger poate fi
caracterizat în funcţie de tipul elementului de pe suprafaţa căruia a fost eliberat, putându-se
efectua o analiză chimică a probei (AES - Auger Electron Spectroscopy). Datorită energiilor
scăzute de care dispun, electronii Auger poate fi emişi numai din imediata vecinătate a stratului
superficial.
c) Catodoluminiscenţa: Când o probă este iradiată cu un fascicul electronic, electronii
de valenţă ai atomului sunt excitaţi. Lumina emisă în timpul acestui proces în care se crează un
gol în banda de valenţă se recombină cu electronii şi apare fenomenul de catodoluminiscenţă.
Anumite materiale (în special cele conţinând fosfor) vor elibera energie în exces sub forma unor
fotoni atunci când electronii se vor recombina pentru a umple golurile datorate influenţei fluxului
de electroni primari asupra probei. Prin colectarea acestor fotoni utilizând un tub catodic şi un
fotomultiplicator asemănător cu cel folosit în cazul detectorului de electroni secundari, se poate
forma o imagine prin metoda punct cu punct. Cea mai bună rezoluţie ce poate fi atinsă cu această
metodă este de aproximativ 50 nm.
•II• Noţiuni de optică electronică:

Optica electronică este domeniul electronicii care studiază mişcarea electronilor în vid,
într-un câmp electric sau magnetic. Există un număr de diferenţe esenţiale între optica luminii şi
cea a electronilor. Optica clasică se bazează pe refracţia (sau reflexia) luminii. În cadrul
sistemelor electro-optice se utilizează câmpuri electrostatice sau magnetice pentru a controla
traiectoria fasciculului de electroni. Nu există o interfaţă bine-definită în mediul refractar al
câmpurilor, aşa cum este cazul lentilelor solide ale opticii fotonice. În plus, electronii aflaţi sub
influenţa unui câmp magnetic se rotesc în jurul axelor optice, ceea ce reprezintă un efect specific
opticii electronice. Electronii aflaţi în mişcare într-un mediu vidat se deplasează în linii drepte, ca
şi lumina, însă un număr mare de electroni ce se deplasează împreună (sub forma de fascicul) va
face ca forţele de respingere dintre aceştia să provoace divergenţa fasciculului.
În cazul instrumentelor moderne, lentilele electrostatice (Fig. 4) sunt utilizate doar în
componenţa tunului electric, lentilele magnetice fiind prezente în restul coloanei verticale unde
au rolul de a direcţiona şi modela fluxul electronic. Lentilele electrostatice necesită poziţionarea
unor suprafeţe conductive foarte aproape de fasciculul electronic pentru a produce un câmp
8
electric de mare intensitate. Aceste suprafeţe trebuie să fie foarte precise şi extrem de netede, iar
pe de altă parte sunt uşor de contaminat. Câmpurile magnetice sunt de obicei create prin
intermediul unor bobine aflate complet în afara sistemului de vidare, astfel că nu pot fi
contaminate cu uşurintă ca în cazul lentilelor electrostatice. Avantajul celor din urmă este acela
că pot fi prelucrate sub orice dimensiune, oricât de mici, şi oferă un răspuns mult mai rapid la
devierea fasciculului. Datorită acestor motive sunt folosite şi pentru obturarea fasciculului.
Fig. 4 - Lentilele electrostatice

Un câmp electric de înaltă intensitate va accelera o particulă încărcată electric, cum este
cazul electronului. În cadrul unui SEM, acest principiu este exploatat în alcătuirea tunului
electric pentru a asigura accelerarea iniţială a electronilor primari. Câmpul electric poate fi de
asemenea utilizat pentru focalizarea fasciculului incident. În Fig. 4 un şir de trei cilindre ale
căror axe optice coincid cu axa fluxului electric, ilustrează principiul focalizării electrostatice
(forma cilindrică a electrozilor este doar ilustrativă; aceştia pot fi situaţi între aperturi şi pot avea
forme de disc). Electronii ce pătrund în acest sistem din partea stângă se vor afla sub influenţa
unui câmp electric creat de diferenţa de potenţial dintre primele două cilindre. Electronii vor
primi un impuls de-a lungul axei primului cilindru şi vor beneficia de o accelerare odată cu
creşterea câmpului magnetic negativ. La pătrunderea acestora în cel de-al doilea cilindru, vor
primi un nou impuls de-a lungul pereţilor cilindrului, însă datorită faptului că se deplasează cu
viteză mare de-a lungul axei optice, modificarea direcţiei va fi aproape insesizabilă comparativ
cu impulsul iniţial. La intrarea în cel de-al doilea câmp electric, electronii vor primi un nou
impuls de-a lungul pereţilor cilindrului. La pătrunderea prin acest câmp, vor fi deceleraţi datorită
creşterii câmpului electrostatic pozitiv. În final, vor primi un nou impuls de-a lungul axelor
cilindrilor, iar la ieşirea din sistem fasciculul de electroni va avea aceeaşi viteză şi va fi focalizat.
9
Dacă cilindrul median ar fi la un potenţial pozitiv faţă de celelalte două, s-ar obţine un sistem de
lentile electrostatice divergente.
Câmpurile magnetice pot fi de asemenea utilizate ca lentile pentru fluxuri de particule
încărcate. În cadrul unui echipament SEM, lentilele electromagnetice sunt utilizate aproape în
exclusivitate pentru lentilele condensoare şi cele ale obiectivului. Aceste lentile sunt de fapt
bobine electrice. Un solenoid este o bobină cilindrică având o înfăşurare de conductori. Într-un
SEM, lentilele sunt complet împachetate într-un inveliş feromagnetic compact şi înconjurat de
fire metalice, cu un mic şanţ în jurul circumferinţei interioare ce are rolul de a concetra câmpul
Fig. 5 - Lentilele electromagnetice

magnetic extern într-o regiune restrânsă ce poate fi situată oriunde pe suprafaţa interioară.
Intensitatea câmpului magnetic generat este proporţională cu numărul spiralelor înmulţit cu
valoarea curentului electric ce străbate bobina. Sunt necesare câmpuri magnetice destul de mari
pentru a focaliza un fascicul electronic aflat la tensiunea de accelerare întâlnită într-un
echipament SEM (până la 50 kV).
10
Sistemul format din două perechi de lentile magnetice:
Într-un astfel de montaj, prima secţiune formează o imagine micşorată a spotului pe care
o expune la intrarea în cel de-al doilea sistem de lentile, devenind sursa pentru ce-a de-a doua
secţiune. Pentru a obţine mărirea totală a acestui sistem, trebuie înmulţite matematic valorile
măririlor realizate de cele două sisteme împreună. Astfel se poate obţine o micşorare substanţială
a imaginii unei surse de electroni prin utilizarea unui sistem de mai multe lentile. Acest sistem
poate fi extins chiar şi pentru mai multe perechi de lentile electromagnetice, însă apar probleme
legate de propagarea şi coerenţa fasciculului de electroni, numite aberaţii electro-optice.
O definiţie simplă a acestor aberaţii poate fi enunţată plastic ca fiind deviaţii
de la stadiul normal sau obişnuit. În optică, acest termen defineşte un număr
de efecte ce împiedică un flux de fotoni să se refracte după un tipar ideal, iar
în optica electronică aberaţiile reprezintă o stare de normalitate; acestea nu
pot fi înlăturate complet prin soluţii constructive, însă pot fi diminuate de
către un operator priceput. Aberaţiile, cum ar fi astigmatismul, distorsiunile
etc., sunt inerente, indiferent de material sau precizia vizualizării.
Fig. 6 - Sistem de
două lentile magnetice
11
Curs 7
• Introducere

suprafata


• Concluzii
corodarea umeda
corodarea uscata
bonding
Corodarea uscata urmata de corodarea umeda
combinarea celor doua tehnici de corodare pentru obtinerea unor profile deosebite
aceasta combinatie este deosebit de utila pentru realizarea anumitor structuri
Structuri de antene de tip Yagi-Uda – datorita caracteristicilor antenei:
antenele de tip Yagi-Uda au un singur lob care este situat in acelasi plan cu
antena,
antenele dublu foldate au doua loburi perpendiculare pe planul antenei.
In cazul antenelor Yagi-Uda, emisia avand loc in planul antenei care este situata pe
placheta de siliciu, apare o problema majora: siliciu aflat pe directia de emisie va
duce la o scadere semnificativa a semnalului emis. Din acest motiv este imperios
necesara indepartarea siliciului de pe directia semnalului.
Spre deosebire de antenele prezentate anterior, de tip slot, aceste antene necesita o
tehnologie mai complexa si in acelasi timp mai spectaculoasa.
definirea pe fata plachetei a structurilor de antene – aceasta parte a fluxului
tehnologic urmeaza aceeasi pasi ca in cazul realizarii antenelor dublu foldate
Realizarea antenelor pe membrane dielectrice prin corodarea umeda a substratului

de orientare <100> nu este posibila datorita profilului care se obtine automat prin
aceasta metoda.
O alternativa – corodarea uscata (DRIE) a siliciului; datorita peretilor practic verticali

care pot fi obtinuti este posibila realizarea pe directia de emisie a unui perete de
siliciu foarte subtire (de pana la 50µm).
Experimentele realizate – stres foarte puternic in zona peretului subtire → conduce

la ruperea peretelui si la distrugerea membranelor.
Solutia – combinarea metodelor de corodare: dupa realizarea ferestrelor de corodare

pe spatele plachetei se incepe printr-un proces de corodare uscata, prin care este
indepartat siliciul pana cand mai raman circa 50µm.
In continuare procesul de corodare se realizeaza umed, astfel incat intregul perete

aflat pe directia de propagare este indepartat aproape complet.
Fluxul tehnologic de realizare a antenelor Yagi-Uda pe acest tip de membrane
 corodare a peretelui aflat pe directia de propagare a semnalului
 fotografii ale unei structuri de antena Yagi-Uda obtinuta prin acest proces
Compararea rezultatelor experimentale si teoretice pentru antena Yagi-Uda.
Valoarea minima a pierderilor prin reflexie este de -18dB

Se observa o foarte buna concordanta intre rezultatele simulate si cele
experimentale in acest caz
Bonding
proces important care permite lipiri fara a introduce alte substante in proces
procesul de bonding presupune doi pasi:
pas 1: la temperatura camerei, cele doua plachete sunt apropiate si lipite

utilizand fortele de adeziune de suprafata (este realizat un proces de aliniere daca
este necesar);
pas 2: plachetele sunt supuse unui tratament termic sau este aplicat un curent
(in functie de procesul utilizat) pentru realizarea unor legaturi puternice
prin acest proces se obtine lipirea plachetelor, legatura fiind foarte puternica, fara
introducerea unor straturi suplimentare, fiind foarte stabila la temperaturi ridicate
procesul este utilizat intr-o varietate foarte mare de aplicatii – fabricarea

substraturilor semiconductoare, dispozitive micro- si optoelectronice avansate sau
structuri MEMS
 doua tehnici utilizate cu precadere:
•field assisted bonding (lipirea electrostatica) – combina o forta electrostatica

cu o temperatura ridicata pentru a se obtine o reactie (electro-)chimica de
suprafata
•direct bonding (lipirea directa) – se utilizeaza forta de adeziune spontana care

apare cand doua suprafete sunt aduse in contact intim – cea mai utilizata
tehnica de lipire directa, numita si fusion bonding, implica utilizarea ulterioara a
unui tratament termic pentru a obtine o lipire mai puternica
Tehnica “direct bonding” poate fi aplicata prin cel putin 3 metode diferite:
aplicand doar un camp electrostatic intre straturile subtiri epitaxiale pe

sticla sau plachete de siliciu acoperite cu SiO2 (epitaxial lift-off technique);
“fusion bonding” la temperaturi inalte;
“fusion bonding” la temperaturi mai scazute in atmosfera reductoare

Una dintre problemele majore care trebuiesc rezolvate in procesare – alinierea
pentru obtinerea unei structuri finale de calitate cat mai buna.
Prezentarea schematica a unui proces de bonding (a) – doua plachete avand suprafete
diferite sunt aduse in contact si presate pentru a realiza lipirea plachetelor pe o
suprafata cat mai extinsa. Harta suprafetelor pentru doua plachete cu diametrul de 4”
(b) – profile tipice.
Introducere
Procese utilizate pentru microprelucrarea semiconductorilor
Microprelucrarea de suprafata a siliciului si GaAs; tehnici de realizare a

Microprelucrarea de volum a siliciului; tehnici de realizare a structurilor MEMS

prin microprelucrarea de volum a siliciului
Microprelucrarea de volum a GaAs; tehnici de realizare a structurilor MEMS

prin microprelucrarea de volum a GaAs
Concluzii
Microprelucrarea de volum a GaAs; tehnici de realizare a structurilor
MEMS prin microprelucrarea de volum a GaAs
Corodarea umeda – utilizarea de diferite solutii pentru indepartarea unei parti din
material.
Procedura de corodare – parte importanta a diferitilor pasi de procesare necesari

pentru fabricarea de componente sau dispozitive.
Corodarea GaAs se poate realiza pentru indepartarea unei parti deteriorate de

material, sau pentru a forma structuri de tip mesa pentru izolarea unei parti a
structurii, pentru realizarea de porti ingropate in FET-uri, ca parte a procesului de
curatare a plachetei, pentru realizarea de membrane etc.
Solutiile de corodare – actioneaza in primul rand oxidand suprafata si apoi

dizolvand oxidul, indepartand astfel atomii de galiu si arsen.
(a) (b)
Comportamentul tipic al plachetelor de GaAs de orientare (100) in timpul

corodarii umede : (a) in cazul in care marginile mastii sunt paralele cu planele
de clivaj <110> ; (b) in cazul in care marginile masti fac un unghi de 45° cu
aceste plane.
Alt tip de plachete (utilizate destul de des pentru realizarea de dispozitive prin
microprelucrarea de volum) - de orientare (111).
Un avantaj al acestor plachete consta in principal in corodarea izotropa, nefiind

necesare precautiile mentionate anterior in proiectarea si realizarea dispozitivelor.
[3(H2SO4)]:[1(H2O2)]:[1(H2O)] [1(NH4OH)]:[1(H2O2)]
[1(H3PO4)]:[1(CH3OH)]:[3(H2O2)]
Rezultate obtinute utilizand diferite

solutii pentru corodarea plachetelor
de GaAs (111).
Corodarea uscata (asistata de plasma)
Tehnicile de corodare in plasma sunt cele care utilizeaza plasma pentru
directionarea reactiilor chimice sau a fasciculelor de ioni energetici pentru a
indeparta materialul.
Corodarea uscata ofera o serie de avantaje in raport cu procesul de coroare umeda:
corodarea uscata – ofera un control excelent la un pret scazut, directionalitate

substantiala si poate avansa mult mai rapid pe o directie in raport cu celelalte (mai
puternic anizotropa)
in anumite conditii – rata de corodare laterala aproape nula; supracorodarea pe

sub modelul mastii – drastic redusa → esential cand geometria corodata are
dimensiunile din planul plachetei de ordinul de marime al grosimi materialului
(corodarea uscata este capabila sa configureze geometrii de dimensiuni mai reduse
decat corodarea umeda)
controlul superior – avantaj substrantial al corodari uscate pentru obtinerea unor

dimensiuni mici (chiar de ordinul micronului)
conditiile de corodare – pot fi ajustate pentru a produce la marginea profilului

pante destul de line atunci cand este necesara realizarea unei treceri metalizate
Corodarea uscata ofera o serie de avantaje in raport cu procesul de coroare umeda:
volumul de gaze utilizate – mult mai mic decat cel de fluide utilizat in corodarea
umeda, cu o puritate mai buna si un grad de contaminare mai scazut
pricipalul dezavantaj – dependenta complexa a rezultatului procesului de parametri
acestuia
Corodarea uscata este foarte importanta in particular pentru GaAs pentru obtinerea de
corodari anizotrope – spre deosebire de siliciu, in cazul GaAs nu exista solutii de
corodare care sa produca o supracorodare neglijabila a geometriei mascate.
in cazul GaAs supracorodarea laterala care se obtine in timpul corodarilor umede
este in general de aceeasi dimensiune cu adancimea corodari
pentru obtinerea de gauri adanci si inguste in substrat (de genul conexiunilor via
holes) este necesara utilizarea tehnicilor de corodare uscata
Corodarea uscata cuprinde mai multe tehnici diferite, printre care corodarea in plasma,
corodarea cu ioni reactivi (RIE – Reactive Ion Etching), corodarea cu fascicul de ioni
reactivi (RIBE – Reactive Ion-Beam Etching), sputter etching, ion milling sau, mai nou,
DRIE.
difera prin mecanismul utilizat pentru corodare, directivitate/anizotropie, configuratia

echipamentului, presiunea gazului
Corodarea in plasma se refera in general la orice proces in care plasma genereaza specii
reactive care servesc dupa aceea la corodarea chimica a materialului aflat in imediata vecinatate
a plasmei. Corodarea poate fi in intregime chimica, avand tendinta de a fi izotropa. Reactiile
chimice cu substratul pot fi directionate sau intensificate de energia cinetica a ionilor care vin – in
aceasta situatie reactia se numeste chimica asistata cinetic (configuratie planara).
Corodarea RIE este similara cu cea in plasma in care speciile reactive generate sunt utilizate
pentru corodarea materialului. Caracteristici distinctive:
utilizeaza doar corodarea chimica asistata cinetic si tinde sa aiba o directivitate puternica,
nefiind de asteptat o corodare izotropa
pentru imbunatatirea directionalitatii, RIE se realizeaza intr-un tip diferit de reactor; electrodul pe
care este plasata placheta este semnificativ mai mic decat cel de al doilea (care este reprezentat
de obicei de incinta camerei) – din aceasta configuratie rezulta in principal o cadere mai mare de
tensiune pe electrodul pe care este plasata placheta, fiind de ordinul sutelor de volti;
electrodul mai mic (cel pe care este plasata placheta) este cel alimentat, cel de al doilea fiind
legat la pamant;
procesul se desfasoara la presiuni scazute (tipic intre 0,01 si 0.1 torr)
Corodarea DRIE – asemanatoare cu RIE, dar utilizeaza un pas suplimentar de pasivare a

peretilor pentru cresterea anizotropiei proceselor de corodare; rata de corodare mult mai mare.
Printre primele rezultate obtinute, care au pus in evidenta posibilitatea
microprelucrarii de volum a GaAs si a evidentiat potentialul de a obtine structuri
mobile care pot fi apoi integrate in alte dispozitive (cum ar fi dispozitive
optomecanice, RF, piezoelectrice, senzori etc), au fost obtinute la Universitatea
Uppsala.
structuri de console prin corodarea umeda a GaAs
In primul caz (stanga), structurile de console au fost obtinute dupa realizarea unui proces de dubla
aliniere, dupa care a fost realizat un proces de corodare pe fata plachetei pentru definirea
consolelor, iar in final acestea au fost eliberate in urma corodarii plachetei de pe spate.
In cazul al doilea (dreapta), au fost utilizate straturi epitaxiale de tip «etch-stop» (oprire automata a
corodarii datorita unei rate de corodare mult mai mica) – dupa utilizarea unei solutii de corodare
neselective pentru definirea structurilor pe fata plachetei, a fost utilizata o solutie de coroare
selectiva pentru eliberarea consolelor.
Ca strat pentru oprirea automata a corodarii a fost utilizat AlxGa1-xAs, unde, pentru obtinerea
selectivitatii dorite pentru solutia de corodare (in acest caz a fost utilizata solutia H2O2 :NH3, sub
forma de spray, cu pH 7,05), x trebuie sa fie intre 0,3 si 0,5).
Utilizand procese de microprelucrare de volum asemanatoare, pe baza proceselor de corodare
umeda, dar si microprelucrarea de suprafata pentru definitivarea structurilor, au fost obtinute
structuri de senzori.
Structura de senzor de presiune: prezentare schematica a unei astfel de structuri, respectiv

fotografie SEM a structurii realizate.
Structura de accelerometru, realizata de asemenea prin corodarea umeda a substratului. In

acest caz, in realizarea structurii este utilizat un strat piezoelectric pe care este realizata
structura propriu-zisa, strat care are rolul de a transmite unei diode cu tunelare orice variatie a
stressului din film datorita masei inertiale realizata prin corodarea umeda a substratului.
Fotografie a unei structuri de accelerometru.

Unul dintre primele rezultate obtinute in domeniul RF a fost obtinerea unei linii de transmisiune
coplanare fabricata pe o membrana dielectrica, substratul de GaAs fiind indepartat prijn
corodare umeda.
Prezentare schematica a unei linii de transmisiune realizata pe membrana dielectrica pe

substrat de GaAs.
obtinerea de elemente pasive de circuit prin microprelucrarea mecanica a substratului de

GaAs; initial prin corodarea umeda a GaAs, fie pe membrane de GaAs cu grosimi de 15-
20µm, fie pe membrane dielectrice, sau chiar suspendate in aer.
alte structuri au fost realizate pe membrane semiconductoare pe substrat de
GaAs, incepand sa fie utilizata din ce in ce mai mult corodarea uscata a
substratului si straturi crescute epitaxial pentru stoparea automata a corodarilor – in
acest caz, stratul «ecth-stop» utilizat a fost tot de tipul AlxGa1-xAs, cu fractiunea x a
fost mai mare de 0,5
Filtre trece banda pentru 38GHz, respectiv 77GHz, realizate pe membrane

semiconductoare pe substrat de GaAs prin corodarea RIE a substratului
Un rezultat extrem de spectaculos a fost obtinut in anul 1998 de catre P. Siegel
s.a.: prin combinarea tehnicilor de microprelucrare de suprafata (printre care si
tehnici de bonding) si a tehnicilor de microprelucrare de volum (in acest caz a fost
utilizata corodarea umeda), a putut fi obtinuta o dioda Schottky suspendata pe o
membrana semiconductoare avand o frecventa de 2,5THz.
Realizarea de structuri de senzori pentru presiune
Mecanismul de functionare al acestui element senzitiv se bazeaza pe schimbarea
valorii rezistentei datorita deformarii membranei la modificarea parametrilor externi
(aplicarea unei presiuni sau modificarea temperaturii).
Structura, avand o lungime de 42,8mm, o latime a liniei de 40µm si fiind plasata pe o
membrana de polyimida de 3,5x3,5mm2 (avand modulul lui Young 2,4Gpa si raportul
Poisson 0,25), este capabila sa ne dea un raspuns relevant in functie de schimbarea
parametrilor.
Fotografie a senzorului de presiune realizat pe membrana de polyimida.

Rezultatele obtinute pentru o variatie a presiunii in domeniul 0-2 bar, respectiv
variatia temperaturii pana la 300°C; rezultatele obtinute au fost repetitive, prezinta
o buna liniaritate a variatiei rezistentei structurii si este de remarcat absenta
efectului de histerezis.
Variatia rezistentei relative in functie de

temperatura la presiune normala.
Variatia rezistentei relative in functie de

presiunea aplicata la temperatura camerei.
Realizarea de structuri senzitive bazate pe efectul de tunelare cuantica
Efectul de tunelare (denumit si tunelare cuantica sau tunelarea mecanica a undelor) este un
fenomen evanescent de cuplare a undelor care apare in contextul mecanicii cuantice datorita
comportarii particulelor guvernate de ecuatiile de unda Schrödinger. Toate ecuatiile de unda
manifesta efecte de cuplare ocazionale a undelor in cazul unor conditii corespunzatoare.
Scara la care efectele de tip tunelare apar depind de lungimea de unda a undei care
traverseaza bariera (mediul despartitor). De exemplu, pentru electroni grosimea tipica a barierei
de tunelare este de cativa nanometri, pentru particule alfa grosimea este mult mai mica, in timp
ce pentru fenomene asemanatoare implicand lumina grosimea este mult mai mare.
Utilizarea acestui fenomen pentru realizarea unor structuri senzitive are un avantaj major:
principiul de detectie permite obtinerea unei schimbari majore a semnalului traductorilor in
conditiile unei modificari minore a parametrilor masurati. Acest fapt se traduce in final in
posibilitatea obtinerii unor structuri senzitive extrem de sensibile.
Bineinteles ca exista si dificultati importante in realizarea structurilor: utilizarea efectului de
tunelare ca principiu de lucru necesita pregatirea conditiilor necesare obtinerii efectului, ceea ce
din din punct de vedere practic nu este intotdeauna un lucru facil.
Prezentarea schematica a celulei modelate:

a=500µm; h=7µm; x – distanta dintre membrana si varfurile nanometrice
Fotografii SEM ale retelei de varfuri nanometrice
vedere de ansamblu a retelei de varfuri detaliu al unui varf nanometric metalizat

nanometrice
zona varfurilor dupa realizarea liniilor

metalizate
Fotografii ale membranelor polyimidice realizate prin corodarea umeda izotropa a substratului de GaAs
Structura senzitiva dupa asamblarea Fotografie a structuri pregatite

din partile componente. pentru masuratori.
Desi curentul inregistrat pentru aceasta sursa de radiatie a fost mic, dupa cum se
poate observa in figura, a putut fi constatata influenta sursei de radiatie asupra
structurii senzitive, fiind pusa in evidenta posibilitatea utilizari efectului de tunelare
pentru a obtine astfel de structuri senzitive.
Variatia intensitatii curentului in functie de

tensiune aplicata
Realizarea de filtre trece banda
structuri de filtre pe membrane semiconductoare – primele rezultate spectaculoase
in acest domeniu, utilizand avantajele corodari RIE a substratului si cele oferite de
cresterea epitaxiala
Structuri de filtre trece banda realizate pe membrane semiconductoare prin corodarea RIE a
substratului de GaAs (in stanga pentru 38GHz, respectiv pentru 77GHz in dreapta).
Analiza WLI a filtrului de 77GHz

Masuratorile in microunde au pus in evidenta pierderi de insertie de 1,46dB la
38GHz, respectiv pierderi prin reflexie de maxim 34,2dB la 36,4GHz, in timp ce
pentru cea de a doua structura piederile de insertie minime au fost de 1,87dB la
72,4GHz, iar pierderile prin reflexie de maxim 17,4dB la 74,8GHz. Aceste rezultate
sunt destul de apropiate de cele obtinute teoretic, diferenta intre valorile frecventelor
centrale masurate si simulate ale filtrelor fiind mai mica de 3,4%. Aici trebuie insa
mentionat si faptul ca metalizarea utilizata pentru realizarea structurilor a fost mai
subtire decat cea utilizata in cadrul simularilor (~0,8µm, fata de 2µm)
Parametri S masurati pentru filtrul de 38GHz, respectiv pentru cel de 77GHz.

Realizarea de module de receptie integrate monolitic
Profitand de accesul la o tehnologie foarte bine pusa la punct, la inceputul anilor

2000 a fost poriectate si realizate structuri de module de receptie integrate monolitic
realizate pe substrat de GaAs. Pana in acest moment au fost realizate mai multe
tipuri de astfel de module de receptie pentru frecvente cuprinse intre 38GHz si
100GHz, utilizand atat antene dublu foldate cat si Yagi-Uda.
Detectorul (modulul de receptie) este folosit pentru a furniza un semnal de iesire
care sa contina informatia din semnalul de intrare si anume amplitudinea sau variatia
de amplitudine a semnalului respectiv.
Ambele variante au fost utilizate pentru caracterizarea modulului de receptie.
Detectorul este un dispozitiv cu variatie patratica deoarece tensiunea de iesire este
proportionala cu patratul tensiunii de intrare sau cu patratul puterii de la intrare.
Poate fi folosit ca o sursa de tensiune continua care este proportionala cu
amplitudinea semnalului de radiofrecventa.
Este necesara o filtrare, pentru a inlatura toate componentele cu exceptia celei de
curent continuu.
Detectoarele pot fi folosite si pentru a detecta modulatia de amplitudine, daca
spectrul de iesire contine o componenta la frecventa de modulatie m.
Asigurand o filtrare pentru a rejecta semnalul continuu si frecventele mai mari
decat m, rezulta un semnal de iesire ca va contine numai semnalul modulat.
Circuitul de detectie are o dioda Schottky “activa” plasata in centrul ariei de antene,
un filtru trece jos, elemente de adaptare si o a doua dioda Schottky “pasiva”.
Dioda activa asigura detectia semnalului de microunde.
Filtrul trece jos extrage componentele de joasa frecventa din semnalul detectat si
separa partea de microunde a receptorului de iesirea amplificatorului video.
Dioda “pasiva”, identica cu cealalta, este utilizata pentru compensarea termica si a
tensiunii offset.
Modulul receptor integrat fiind de tipul cu conversie directa prezinta o serie de
avantaje: complexitate redusa (nu necesita oscilator local de zgomot redus, filtre
complexe de microunde sau amplificatoare); costuri scazute; nivel mare de integrare;
greutate mica; dimensiuni reduse; filtrare la frecventa (video) scazuta.
Simularea si proiectarea intregii structuri a modulului de receptie integrat

micoprelucrat este dificila deoarece este compusa din zone dielectrice diferite (o
zona de volum, una de membrana si o tranzitie de la volum la membrana). Pentru a
asigura corecta modelare si proiectare structura a fost divizata cele trei zone si
fiecare a fost modelata separat. Aceste zone contin:
componente suspendate pe membrana;
componente situate pe semiconductor volum;
regiunea de tranzitie membrana – volum.
In urma simularilor realizate → layout
 peste structura astfel obtinuta trebuiesc “suprapuse” restrictiile necesare fabricari

dispozitivului – caracteristicile fiecarui proces trebuiesc suprapuse pentru
obtinerea in final a unei structuri cu parametri cat mai apropiati de proiectare
 problemele care trebuiesc luate in considerare in astfel de cazuri – dimensiunile
membranelor si cele legate de stabilitatea mecanica a structurilor finale
Fluxul tehnologic si proiectarea/realizarea mastilor
Pentru realizarea acestor structuri sunt utilizate plachete de GaAs de inalta
rezistivitate, pe care sunt crescute epitaxial (MBE) straturile necesare fabricari
membranei (GaAs/AlGaAs) si cele necesare diodei Schottky.
Pornind de la aceasta structura, mai intai sunt configurate straturile diodei – corodari
mesa (depunere fotorezist, configurare, realizare corodare).
Corodarea mesa a stratului n

Corodarea mesa a stratului n+
realizarea contactului Ohmic – prin lift-off (depunere fotorezist, configurare,
depunere metal, indepartare fotorezist + metal suplimentar); tratament termic
 ingrosare contact Ohmic – lift-off
 configurare antena – TiAu (~0,8μm), lift-off
polyimida – suport pentru contactul Schottky (etalare poly, tratament termic;
depunere si configurare fotorezist, corodare poly, tratament termic)
realizare contact Schottky – lift-off
 pregatirea pentru separarea automata in cipuri – corodarea straturilor membranei
pe fata plachetei
pregatirea pentru realizarea membranelor – lipire pe suport de sticla; lapuire
(subtiere) la 100-150μm
 realizare membrane – depunere si configurare fotorezist; indepartarea de pe
suportul de sticla; corodare RIE
• Introducere
• Microprelucrarea de suprafata a siliciului si GaAs; tehnici de realizare a

• Microprelucrarea de volum a siliciului; tehnici de realizare a structurilor

MEMS prin microprelucrarea de volum a siliciului
• Microprelucrarea de volum a GaAs; tehnici de realizare a structurilor

MEMS prin microprelucrarea de volum a GaAs
• Concluzii
Concluzii
Pentru microprelucrarea semiconductorilor, fie de suprafata fie de volum, exista
foarte multe metode puse la punct care pot fi utilizate in functie de rezultatul dorit si
de tehnologia disponibila.
Pentru o anumita aplicatie, alegerea metodei optime de corodare sau de a configura

un strat pe suprafata plachetei depinde de numerosi factori, printre care putem
enumera: geometria cavitatii care se realizeaza, rugozitatea rezultata in urma
corodarii, costurile implicate de process (substante si echipament), siguranta,
compatibilitate sau disponibilitate. In multe cazuri, pentru realizarea unei structuri
simple cum ar fi o membrane sau o cavitate, simpla corodare umeda a siliciului
poate fi suficienta. In alte cazuri, cand este necesara o supracorodare atent
controlata pentru realizarea structurii, o coroare in plasma va fi mult mai adecvata.
Desi sumele necesare pentru punerea la punct a unei tehnologii viabile nu sunt de
loc neglijabile, potentialul oferit pentru imbunatatirea vietii de zi cu zi a condus la o
infuzie extrem de puternica de capital in ultimii 10-15 ani atat din partea guvernelor
cat si din partea unor puternice firme (dintre care putem spune ca se detaseaza
compania Samsung care in anul 2002 a investit in cercetare peste 2 miliarde de
dolari ...), conducand la aparitia de la laboratoare puternice in practic intreaga lume.
Curs 8
Cuprins:
•Cresterea epitaxiala a siliciului

•Oxidarea siliciului
•Difuzie
•Implantare Ionica
•Elipsometrie
•Spectroscopie Raman
•Metode de masura a rezistivitatii
•Tehnici de prototipizare rapida:
Stereolitografie
Sinterizare Laser
Depunere prin Jet de cerneala
Rapid tooling
•Flux de fabricatie al unui GLV
•Metoda de ajustare a indicelui de refractie pentru un ghid optic
Cresterea epitaxiala a siliciului
Crestere epitaxiala - metoda de a depune un film monocristalin pe un substrat monocristalin
Epitaxie - termen provenit din greaca “epi - deasupra” “taxis - ordonat”.
Filmele epitaxiale pot fi crescute din precursori gazosi sau lichizi.
Substratul actioneaza ca un cristal samanta  filmul depus preia structura de latice a substratului.
Orientarea este identica cu a substratului.
Homoepitaxie  filmul depus are aceiasi compozitie cu a substratului (dc nu heteroepitaxie)

 daca filmul depus este de acelasi tip cu substratul, atunci este mai pur decat substratul
Heteroepitaxia  depunem materiale diferite de cel din care este format substratul
Ex: GaN pe substrat de safir, AlGaInP pe substrat de GaAs
Cresterea epitaxiala este un proces utilizat in fabricarea tranzistoarelor bipolare sau CMOS, dar si
pentru GaAs.
Factori care privesc procesul de fabricatie:

 uniformitatea, rezistivitatea si grosimea stratului depus,
 puritatea suprafetei si atmosferei din camera de depunere,
 prevenirea difuziei impuritatiilor din subsatratul dopat in stratul epitaxial,
 Imperfectiuni in procesul de crestere,
 protejarea suprafetei in timpul procesului de productie,
 manipularea
Oxidarea siliciului
Oxidarea termica  metoda de a obtine un strat subtire de oxid (de regula oxid de siliciu) pe
suprafata unei plachete semiconductoare.
Oxidarea silciului
 agentul de oxdiare difuzeaza prin oxid la temperatura inalta reactionand cu acesta.
 procesul este realizat la temperatura inalta intre 800 si 1200°C
poate fi realizat fie in atmosfera de vapori de apa si oxigen sau numai in atmosfera de oxigen
In mediul oxidant pot fi introduse si cateva procente de HCl. Acidul elimina ionii metalici care
apar in oxid.
 Initial oxidarea este violenta ducand la apritia unei interfete intre oxid si siliciu. Aceasta interfata
este un strat compus din oxid si siliciu.
reactor orizontal - plachetele dispuse pe un suport de cuartz sunt introduse din lateral
Dezavantaje: praful din instalatie cade pe toate plachetele
Datorita curentiilor de convectie din instalatie partea inferioara a reactorului este mai rece decat
partea superioara.
reactor vertical - avantaj praful cade numai pe placheta dispusa cel mai sus pe suport.
Dezavantaj: un reactor vertical nu poate fi intredus in fiecare facilitate microtehnologica datorita
inaltimii acestuia.
Avantaj: datorita confiuratiei grosimea oxidului este uniforma.
Cand grosimea stratului de oxid a ajuns un jur de 80 nm interfata devine neglijabila

Si + 2H2O  SiO2 + 2H2 
Si + O2  SiO2
 Oxid termic: 46% din grosimea finala este grosimea consumata din siliciu.
Oxidarea siliciului
Schema unui cuptor utilizat la oxidarea siliciului
Aparatul este un cuptor incalzit cu rezistenta, un tub de quartz in care sunt continute plachetele
de siliciu, acestea fiind dispuse pe un suport de quartz, o sursa de fie oxigen pur sau vapori de
apa.
Un flux constant de aer este mentinut prin cuptor.
Oxidarea umeda este preferata oxidarii uscate in procesul de crestere a oxizilor grosi datorita
ratei de crestere mai mari.
In cazul procesului de oxidare rapida atomii de Siliciu sau de impuritate au mai multe legaturi
nesatisfacute comparativ cu procesul de oxidare uscata.
Astfel un curent poate trece de-a lungul interfetei Si-SiO2. Oxidul rezultat in urma oxidarii umede
este mai putin dens, astfel constantele dielectrice corespunzatoare sunt mai reduse decat in cazul
oxidului uscat.
Spre deosebire de alte materiale in cazul oxidarii siliciului atomii de oxigen trec prin stratul de
dioxid de siliciu pentru a interactiona cu siliciu si a forma oxidul. In cazul fierului atomii de fier trec
prin stratul de rugina pentru interactiona cu oxigenul.
Oxidarea siliciului
Timpul necesar cresterii unui oxid gros uscat este foarte mare, astfel nu putem creste oxizi grosi
uscati.
Oxizii grosi sunt crescuti in atmosfera de oxigen si vapori de apa, folosind un proces hibrid intre
oxidarea uscata si oxidarea umeda.
Acest proces hibrid incepe intodeauna cu un proces de oxidare uscata ca sa avem intotdeauna
interfete cat mai bune oxid siliciu.
Procesul de oxidare depinde de orientarea plachetei. Ca masca pentru oxidare folosim nitrura
de siliciu. Pe fiecare plecheta de siliciu exista oxid nativ foarte subtire cam 2-3 nm.
Ionii mobili ai metalelor pot degrada performantele dispozitivelor MOSFET (Sodiu este un caz
particular). Cu ajutorul clorului putem imobiliza atomii de sodiu prin obtinerea clorurii de sodiu.
Clorul este introdus sub forma de compusi cum ar fi acid clorhidric, tricloretilena. Datorita
prezentei acestor compusi rata de oxidare creste.
Oxigenul difuzeaza prin stratul de

mascare ajungand si sub masca,
astfel apare bird’s beak.
Poza TEM : bird's beak Incarcarea

obtinut prin LOCOS plachetelor in cuptor
Difuzia
Intr-un proces de difuzie atomii dopanti sunt plasati pe suprafata semiconductorului din faza
gazoasa a dopantului sau prin utilizarea surselor de dopant plasate direct pe placheta (o
placheta mai mica cu specia dopanta).
Plachetele sunt introduse intr-un cuptor. Temparatura la care are loc acest proces este intre
800 si 1200°C in cazul siliciului.
Procesul de difuzie este descrris in mod ideal de ecuatia lui Pick’s:
Unde C este concentratie speciei dopante, D este coeficientul de difuzie, t – timpul, x- distanta
fata de suprafata plachetei. Conditiile initiale: C(x, 0) = 0 la t=0, conditiile pe frontiera C(0, t) =
Cs (initial dopantul este la suprafata), iar mediul considerat semi-infinit are C(0,t)=0
Solutia ecuatiei care satisface conditiile initiale si cele de pe frontiera este:
unde erfc este functia de complementara de eroare, D este coeficientul de difuzie, functie de
Temperatura avand expresia:
undee Ea este energia de activare a procesului de difuzie termica, k este constanta Boltzmann ,
si D0 este o constanta de diffuzie.
Coeficientul de difuzie este independent de concentratia de dopanti, atunci cand aceasta are
valori mici. Daca concentratia de dopanti depaseste o valoare caracteristica dependenta de
temperatura numita concentratia intrinseca a purtatoriilor [Ni(T)], coeficientul de difuzie va
depinde de concentratia de dopant.
Difuzie
D este independent de concentratia de dopant, procesul de diffuzie se numeste difuzie

intrinseca, in caz contrar fiind denumit difuzie extrinseca.
Difuzie intrinseca: profilul de difuzie este o functie erfc
Difuzie extrinseca: profilul de difuzie este complex si deviaza de la teoria de baza. Sunt folosite
modele mai complexe sau tabele de adevar pentru a prezice adancimea de difuzie.
Coeficientii de difuzie ai dopantiilor uzuali sunt considerabil mai mici in dioxidul de siliciu decat
in siliciu. Astfel oxidul poate fi utilizat cu rol de masca de difuzie.
Relatie intre coeficientul de

difuzie si concentratia
dopantului intr-un material
semiconductor.
Profil de difuzie teoretic al speciei

atomilor dopanti intr-o placheta de siliciu.
Difuzie
Cuptor vertical care poate fi utilizat pentru

difuzie, oxidare sau pentru depunere
chimica din stare de vapori (CVD)
Implantare Ionica
Implantarea ionica este indusa de impactul dintre ionii de inalta energie si un substrat
semiconductor.
Energii tipice ale ionilor: intre 20 si 200 KeV,
Densitatile ioniilor incidemti pe suprafata pot fi intre 1011 si 1016 ioni / cm2.
Un implantator ionic de curent mediu consta dintr-o sursa de ioni, un magnet analizor, apertura
si lentile, ub de accelerare, placi de deflexie x si y, beam mask si cupa faraday.
Dupa generarea ioniilor in sursa de ioni, campul magnetic al analizorului este setat la o valoare
in functie de raportul sarcina masa al ionillor astfel incat ionii sa fie deflectati catre apertura
unde unda de ionica este colimata.
Acesti ioni sunt apoi accelerati in tubul de accelerare. Unda ionica este apoi deflectata in
planul x-y utilizant placiile de deflexie inainte de a lovi placheta care este plasata in cupa
faraday.
Exemple de e;emente implantate: B, P, As.
Dupa implantare plachetele sunt tratate termic pentru a activa electric dopantiisi a se reface
reteaua cristalina.
Oxigenul este implantat de asemenea in siliciu pentru a obtine straturi de oxid ingropat.
After implantations, wafers are given a rapid thermal anneal to activate electrically the dopants.
Distributia ioniilor implantati are in mod normal forma gausiana, iar adancimea de patrundere
este legata de energia ionilor.
Implantare Ionica
Schema unui implantator ionic de curent mediu

Implantare Ionica
a) b)
Projected range (adancime de patrundere) (a) si abatere; (b) a ionilor de B, P si As
Implantati in siliciu avand energii diferite (Sze 1985)
Elipsometrie
Elipsometria - determina masura in care se modifica polarizatia luminii in cazul reflexiei (sau
transmisiei) de pe proba.
Modul in care este modificata polarizarea este determinat de proprietatiile probei (grosime,
indice de refractie complex, tensorul functiei dielectrice).
In cazul elipsometriei spectroscopice spectrele sunt masurate prin modificarea lungimii de unda
a luminii.
Unghiul de incidenta este ales atfel incat senzitivitatea masuratorii sa fie maximizata.
In cazul probelor emiconductoare unghiul de incidenta este in intervalul 70-80.
Caracteristici:
Sonda utilizata: lumina
Valoarea masurata: raportul amplitudinilor si diferenta de faza intre undele luminoase avand
polarizare p sau s.
Domeniul de masura: infrarosu–vizibil /ultraviolet
Elipsometru 
Elipsometrie
Arii de aplicatii:
Pe substrat semiconductor  Filme subtiri, dielectrici de poarta, filme pentru litografie
In chimie  filme polimerice, monostraturi autoasamblate, proteine ADN
Afisoare  filme TFT, oxizi transparent conductivi, Led organic
Acoperiri optice  dielectrici High k sau low k pentru acoperiri antireflexie
stocarea datelor  Medii bazate pe schimbare de faza pentru CD DVD, straturi magnetooptice
monitorizare in timp real  depunere chimica din stare de vapori CVD,epitaxie din fascicul
molecular MBE, corodare, oxidare, tratament termic…
Restrictii:
 rugozitatea suprafetei trebuie sa fie mica
 masuratoarea trebuie realizata la incidenta oblica
 grosimea stratului masurat nu trebuie sa fie mai mare decat limita de absorbtie
Elipsometrie
Montaj elipsometric clasic
Avantaje:
 Precizie inalta (senzitivitatea la grosimea stratului: ∼01Å)
 masuratoare nedistructiva
 metoda de caracterizare rapida
 Arie larga de aplicatii
 Caracterizari variate: obtinem inclusiv constantelor optice si grosimile filmelor
 Posibilitate de Monitorizare in timp real (controlul reactiei)
Dezavantaje:
 Necesitatea unui model optic in analiza datelor (caracterizare indirecta)
 Anaaiza datelor tinde sa fie complicata
 Rezolutie spatiala redusa (dimeniune spot: cativa mm)
 Dificultate in caracterizarea coeficientilor de absorbtie scazuti
Elipsometrie
Exemplu al unei structuri multistrat caracterizata prin metoda ellipsometrica
Model utilizat
SiO2 CVD indice de refractie SiO2 termic indice de refractie
TiO2 indice de refractie

Spectru
Psi - Delta
Indice de refractie al unui strat SiO2

- TiO2 (90% SiO2 + 10% Ti O2.)
Spectroscopie Raman
In 1928 Sir Chandraskhra Venkata Raman a descoperit fenomenul care ii poarta numele.
Pe vremea aceia intrumentatia era “barbara”.
Sir Raman a utilizat lumina soarelui ca sursa, un telescop pentru colectare, Iar cu rol de
detector au fost ochii sai.
Detectia unui astfel de fenomen aproape imperceptibil a fost intradevar remarcabila.
Imprastierea raman este o tehnica spectroscopica molecular-vibrationala derivata dintr-un

proces de imprastiere inelastica a luminii.
Un foton al radiatiei laser este imprastiat de o molecula pierzand (sau castigand) energie in
timpul acestui poroces.
Cantitatea de energie pierduta este data de modificarea in energia (lungimea de unda)
fotonului.
Pierderea de energie este caracteristica unei anumite legaturi chimice in molecula.
Spectroscopia raman poate fi privita ca modalitate de a obtine o amprenta spectrala unica
unei molecule, mai mult decat atat unei structuri moleculare individuale.
Datorita avantajelor, precum si naturii specifice spectroscopia raman a devenit o unealta

puternica pentru analiza si / sau monitorizare chimica.
In functie de echipamentul utilizat si accesorii putem obtine informatii referitoare la
caracteristici fizice precum: faza cristalina si orientare, forma polimorfica si distributia
superficiala de stres intrinsec.
Spectroscopie Raman
Montaj al unui spectrometru raman

Spectroscopie Raman
Avantaje:
 multe materiale organice si anorganice se preteaza analizei raman. Acestea pot fi solide,
lichide, polimeri sau vapori
 Nu este necesara pregatirea in prealabil a probei
 Prezenta apei nu are influenta.
 caracterizare non-destructiva.
 foarte specifica in urma prelucrarii obtinem date similare cu amprenta chimica a materialului.
 Spectrele Raman sunt achizitionate relativ repede.
 Probele pot fi analizate prin sticla sau impachetate in polimer.
 Radiatia laser si radiatia imprastiata raman pot fi transmise prin fibre optice pentru a fi
analizate la distanta.
 Intervalul 4000 cm-1 - 50 cm-1 poate fi acoperit intr-o singura inregistrare.
 Spectrele raman pot fi colectate din volume foarte mici (< 1 mm in diametru).
 Materialele inorganice pot fi analizate usor cu spectroscopia raman.
Dezavatantaje:
 nu poate fi utilizata pentru metale sau aliaje.
 Semnalul raman este foarte slab. Pentru detectie avem nevoie de instrumentatie senzitiva si
puternic optimizata.
 fluorescenta datorata impuritatiilor sau probei poate ascunde spectrul raman. Exista compusi
care devin fluorescenti atunci cand sunt iradiati cu laserul.
 Incalzirea probei datorata radiatiei laser intense poate distruge probe sau acoperi spectrul
raman.
fluorescenta - proprietatea pe care o au unele substante de a emite lumina( cât timp sunt iradiate
cu radiatii luminoase sau ultraviolete).
Spectroscopie Raman
Exemplu al unui spectru raman (nanotuburi de carbon single wall)
Banda G
Banda D
Moduri de
vibratie radiale
Banda G – vibratiile stratului atomic de carbon 1580 cm -1

- depinde de lungimea nanotubului de carbon
Banda D – vibratie datorate dezordinii cristaline 1330 cm -1
Moduri de vibratie radiale – obtinem latimea nanotubului de carbon
Spectroscopie Raman
Exemplu al unui spectru raman

Spectroscopie Raman
Forme ale spectroscopiei Raman
 Surfaced enhanced Raman spectroscopy (SERS) Spectroscopie raman accentuata datorita

configuratiei suprafetei probei
 Tip enhanced Raman spectroscopy (TERS) Spectroscopie raman accentuata datorita varfului
 Resonance Raman spectroscopy Spectroscopie raman de rezonanta
 Raman tomography Tomografie raman
 Raman imaging Imagistica Raman
 Coherent anti-stokes Raman spectroscopy (CARS)
 Stimulated Raman spectroscopy Spectrosopie raman stimulata

Tehnici de prototipizare rapida: Stereolitografie
O cuva cu rasina fotosensibila contine o platforma cu deplasare verticala.

Partea in constructie este dispuza pe o platforma care se deplaseaza in jos cu pas de o
grosime de strat (tipic 0.1 mm).
Cu ajutorul radiatiei laser trasam forma fiecarui strat astfel intarim rasina fotosensibila.
Rasina neexpusa este apoi inlaturata.
Pentru ca este un proces stratificat modelul final va avea o suprafata in trepte.
Prin sablare putem elimina aspectul in trepte al modelului.
Orientarea modelului este importanta din punct de vedere al timpului de constructie.
Dispunand axa lunga orizontal reducem timpul necesar constructiei.
Schema de principiu a unei instalatii de stereolitografie

Pas 1 Pas 3
Produs final
Pas 2 Pas 4
Pasii 1-4 sunt repetati in functie de numarul de

etape ale procesului de productie
In timpul procesului de fabricatie pentru a

preveni ca extremitatiile sa devina prea slabe
este necesar sa luam in calcul diversi suporti
pentru a fixa modelul.
Acestea pot fi generati prin programul care

creaza configuratia de expunere in cazul
fiecarui strat.
In figurile alaturate putem observa de ce este

nevoie sa folosim suporti.
Tehnici de prototipizare rapida:Sinterizare Laser
Posibilitate de depunere a multor tipuri de materiale, si anume: policarbonat, nylon, nylon- sticla.
Utilajul consta din doua rezervoare de pulbere dispuse pe fiecare parte a ariei de lucru.
Rola de nivelare deplaseaza pulberea de la un rezervor catre celalalt apoi laserul traseaza
configuratia pe strat.
Platforma de lucru se deplaseaza in jos cu un pas egal cu o grosime de un strat.
Procesul se repeta pana cand obtinem dispozitivul dorit.
Schema principiala a unei intsalatii de sinterizare laser:
Comparatie cu stereolitografia:
Dispozitivele obtinute prin sinterizare laser sunt considerabil mai rezistente, putem obtine pana
piese functionale
Radiatia laser sudeaza selectiv materialul sub forma de pudra: nylon, elastomer, metal;
Paleta larga de materiale si posibilitatea de a aproxima materiale plastice utilizate uzual.
Nu exista pas de corodare cu ioni
Procesul este simplu
Putem obtine structuri cu balamale folosind materiale termoplastice
Suprafata poate deveni poroasa daca nu utilizam un material izolator cu rol de intaitor.
Materialul neexpus poate fi indepartat usor prin periere sau suflare.
Flux de fabricatie al unui GLV
Valva electromecanica difractiva
 Comuta si moduleaza lumina prin intermediul difractiei
 Avantaje ale acestei metode: modulare cu viteza mare, atenuarea fina a tonurilor de gri,
scalabilitate la nivel de pixel.
 Compus din mai multe microbarne suspendate desaupra unui substrat
 microbarnele sunt conductive si puternic reflective, astfel daca sunt actionate alternativ
formeaza o retea de difractie
 Microbarnele sunt formate din doua straturi unul conductiv reflectiv, si unul dielectric
 Lungimea de unda pentru functionare este oricare in domeniul viizibil in functie de
aplicatie ex 640nm rosu
 actionare ? Doua posibilitati: cu contact fizic si fara contact fizic
 Cu contact fizic grosimea stratului de sacrificiu λ/4
 Fara contact fizic grosimea stratului de sacrificiu este 5λ/4
GLV actuat Schema unui element al

GLV
Schema unui element al GLV

Sub stratul izolator 2 avem substratul
a) Oxidarea termica a siliciului,
b) Depunerea si configurarea stratului de

crom (electrodul de jos),
c) Depunerea si configurarea stratului de

titan (stratul de sacrificiu),
d) Depunerea nitrurii de siliciu,
e) Depunerea stratului de aluminiu,

configurarea aluminiului si nitrurii prin RIE,
f) Indepartarea stratului de sacrificiu

Ghid optic cu indice de refractie 1.6 ? / SiO2/Si
Buffer – SiO2 n=1.46, Core – n=1.6, Caladding – n=1.5, substratul este siliciu.
Materiale disponibile: pmma n=1.5, Su8 n=1.6, TiO2 n=2, SiO2 n=1.46.
Dispozitiv de obtinut
Ghid optic cu indice de refractie 1.75 ? / SiO2/Si
Buffer – SiO2 n=1.46, Core – n=1.6, Caladding – n=1.5, substratul este siliciu.
Materiale disponibile: pmma n=1.5, Su8 n=1.6, TiO2 n=2, SiO2 n=1.46.
Posibilitate 1: Core – Su8, Caladding – pmma
Posibilitate 2: Core – obtinut in urma unui proces de tip solgel rezultand un strat combinatie de
SiO2 si TiO2, Caladding – pmma
Posibilitate 3: Core – obtinut in urma unui proces de tip solgel rezultand un strat combinatie de
SiO2 si TiO2, Caladding – pmma
 Dispozitiv de obtinut
Curs 9
Cuprins:
Depunere de materiale organice din stare de vapori OVPD

Fluxuri tehnologice
•Microoglinda actuata electrotermic
•Microoglinda actuata electrostatic
 O tehnica utilizata pentru depunerea materialelor organice

 Folosim avantajele transportului in stare gazoasa:
 controlul depunerii (cantitatea de material transportat este cunoscuta)
 comutare intre depuneriile de diversel straturi
 viteza mare de depunere
 scalabilitate datorita utilizarii unor duze foarte mici
 Proces flexibil folosim multe surse
 reducerea costului:
 eficienta inalta in utilizarea materialului
 depuneri parazitice minime
 nu este necesar vid inalt
 posibilitate de configurare a sursei / surselor externe de material
Schema unei instalatii de OVPD

Configuratia liniei de productie:

Capacitate anuala de imprimare: 13000m2
Sistemul este modular si complet automatizat:

 1 modul pentru pretratament in plasma
 tehnologia stratului organic
 OVPD – 1modul cu posibilitate de depunere pana la 6 straturi
 VTE (evaporare termica in vid) – 5 module cu posibilitate de depunere pana la 6
straturi pe fiecare modul
 depunere de straturi metalice – 2 module
 exemplu de metale: Al, Ag
 posibilitate de depunere inclusiv dopant si amterial gazda
Exemplu de linie tehnologica:

Principiul de control al procesului
PVap – presiunea vaporilor f(T)

P0 – presiune de vapori referinta [mbar]
ΔHs – eficienta de sublimare [kJ/mol]
R – constanta gazelor [8.31451 J/kmol]
T – temperatura [K]
In cazul unui proces de OVPD rata de depunere este

Presiunea vaporilor in proportionala cu fluxul molar al materialului sursa dat de:
functie de temperatura
Ecuatia Clausius Clapeyron
qm – fluxul molar [mol/minut]

qs – fluxul de azot in sursa
V –volumul molar [22.4l/mol]
P – presiunea in surs [mbar]
Ecuatia Clausius Clapeyron – modalitate de a caracteriza

tranzitia disontinua intre doua faze ale materiei. Pe o
diagrama (P-T) linia care separa cele doua faze este
Rata de depunere versus flux cunoscuta sub numele de curba de coexistenta.
de azot: acelasi material la
temperaturi diferite
OVPD pentru cercetare dezvoltare
 Proces relativ usor cu cost redus, mentenanta redusa

 Poate fi utilizat in cercetare fundamentala si analiza cantitativa
 Arie de aplicatii:
 arhitecturi de dispozitiv noi si complexe
 Investigarea de materiale organice noi sintetizabile
 dispozitive utilizate in aplicatii de iluminare
 celule solare, tranzistoare,
 Arie de OLED, afisoare full color
Avantajele cheie ale OVPD:

 Scalabilitate depunere pe aire mare
 duze apropiate cuplate
= eficienta (>60%), nu creste temperatura sursei
 Eficienta
 rata de depunere mare
 Castig
 control precis al depunerii prin controlul fluxului de masa
 comutare rapida intre depunerile diverselor straturi prin valvele de control
 contaminare si gestiunea particulelor
 Condensarea parazita este redusa
 Nu exista parti mobile in timpul depunerii
 Cost de utilizare redus (Consum de material, Investitie si facilitati)
Specificatiile OVPD utilizat in cercetare – dezvoltare
 Utilizam placi de sticla cu formatul 100 x 100 pana la 150 x 150 mm2
 Rate de depunere 1-30 A /s
 Capacitatea sursei 5g
 Numarul de materiale organice disponibile intre 12 si 20
 Temperatura maxima pana la 450 C
 Mascare: rotatia segmentului acuratetea de aliniere +-100 μm
 Port de incarcare compatibil cu sistemele de manipulare existente in cercetare dezvoltare
 Depunere pe substrat flexibil
 Manipularea substratului si a mastii
 Posibilitate de manipulare manuala sau automata
Sistem OVPD utilizat in

cercetare dezvoltare 
Modulul sursa de tip tub orizontal cu 4 surse

Detalii:
 Permite dezvoltarea prin cercetare folosind cantitai mici de matarial organic, si depuneri
intermitente.
 Cartusul cu material si incalzitor este detasabil putand fi stocat la temperaturi joase cand nu
este utilizat pentru vre-o depunere
Cartus cu 4 surse:
Rata de depunere Alq3 versus

fluxul din sursa la t=289 C
 Rata de depunere
Alq3 versus fluxul din
sursa la diferite
temperaturi
Comparatie cu spinning
 Pierderi de material mult mai mici
 OVPD dureaza mai mult
 Nu mai este nevoie de utilizarea unui solvent.
 Suprafata este mult mai buna
 Nu este o tehnica de depunere atat de ieftina precum spinningul
 Exista echipamente pentru cercetare cat si pentru productie
 Putem depune succesiv mai multe materiale fara sa fie nevoie sa schimbam sursa sau sa
mutam placheta pentru tratamente termice samd
 Nici o parte mobila in timpul procesului de depunere

Microoglinda actuata electrotermic
Tipuri de structuri
 structuri actuate electrotermomecanic (actuator bimorf)
 structuri actuate electrostatic (bare de torsiune)
Simulari ale structurii:

 raspunsul microoglinzii (deplasarea de-a lungul axei z verticala)
 distributia efortului in urma tensiunii aplicate pe structura
 Distributia de Temperatura in functie de tensiunea aplicata
Actionarea structurii se face cu ajutorul actuatorului bimorf.
Actuator bimorf –actuator format din 2 straturi cu coeficienti de dilatare termica diferiti.
In cazul de fata este format dintr-un metal si un dielectric.
Structura este formata din 3 straturi:
Structura finala
Substrat utilizat?
Material utilizat ca dielectric?
Metal utilizat?
Substrat utilizat?
 siliciu <100>
 siliciu <110>
 siliciu <111>
 Ga As
Matrial utilizat ca dielectric?
 Si3N4
 SiO2 depus CVD
 SiO2 termic
Metal utilizat?
 Al
 Au
acest proces este unul utilizat foarte des datorita posibilitatii de definire a structurilor pe
suprafata plachetei cu o acuratete deosebita – practic dimensiunea dorita a dispozitivului nu
sufera modificari, prin aceasta metoda obtinandu-se dimensiunile cele mai apropiate de cele
proiectate
a) depunerea si tratarea stratului de fotorezist c) depunerea metalului prin evaporare
b) configurarea stratului de fotorezist d) indepartarea stratului de fotorezist impreuna

cu metalul suplimentar de pe placheta
Metalizare
a’) depunerea stratului de metal prin evaporare c’) corodarea stratului de metal
b’) depunerea, tratarea si configurarea stratului de fotorezist d’) indepartarea stratului de fotorezist
Fotolitografie
In domeniul semiconductorilor este nevoie de materiale speciale pentru mascarea
anumitor zone din substrat sau straturile subtiri depuse in scopul definiri diferitelor
elemente constituente ale structuri – trasee metalizate, ferestre de corodare, straturi de
sacrificiu, contacte etc. Materialul cel mai utilizat in acest scop este un polimer fotosensibil
numit fotorezist.
Fotorezistul este format din trei componente: polimerul propriu-zis care formeaza marea
masa a fotorezistului; o substanta fotoactiva care sub actiunea unei radiatii de o anumita
lungime de unda poate sa desfaca sau sa creeze legaturi chimice in polimer; un solvent.
Prin fotolitografie sau fotogravura se intelege intregul lant de pasi care trebuiesc urmati
pentru depunere si configurarea unui strat de fotorezist.
Pasii care trebuiesc urmati pentru configurare sunt urmatorii:
 depunerea straturi de fotorezist prin spinning
 tratament termic pentru eliminarea unei parti de solvent si stabilizarea fotorezistului

(„pre-bake” sau „soft bake”)
 expunerea prin masca
 developarea – configurarea stratului de fotorezist in forma dorita
tratament termic pentru stabilizare – eliminarea solventului („post–bake” sau „hard–

bake”)
Spinner – instalatie de depunere a fotorezistilor.
Depunerea este realizata prin spinning – placheta este asezata pe un suport de care este
fixata cu ajutorul vidului; fotorezistul este pus in mijlocul plachetei si se intinde uniform pe
intreaga placheta ca urmare a rotirii sale cu viteze foarte mari (intre 2000 si 10000 rpm).
Grosimea unui anumit fotorezist poate fi controlata intr-o anumita masura prin viteza de
depunere, dar, in functie de procesul dorit in continuare, trebuie ales tipul adecvat de
fotorezist.
Developarea – procesul de configurare a stratului de fotorezist in forma dorita prin

indepartarea polimerului mai putin stabil (cu mai putine legaturi chimice) intr-un solvent
(developant).
Dupa modul in care se comporta in momentul expuneri la radiatie, fotorezisti utilizati pot fi
de doua feluri:
pozitivi – cei la care prin expunere sunt rupte legaturile chimice, zonele respective fiind
indepartate la developare
negativi – prin expunere sunt realizate o serie de legaturi suplimentare, astfel incat zonele
expuse vor fi cele care raman pe placheta in urma developari
In general exista tipuri de fotorezisti mai mult sau mai putin dedicate anumitor tipuri de
procese, cum ar fi pentru configurare prin lift-off, corodare sau ingrosare electrochimica.
Un factor decisiv in alegerea fotorezistului utilizat – dimensiunea minima a structuri care
urmeaza sa fie configurata.
in general fotorezisti pozitivi au o rezolutie mai buna, fiind utilizati mai mult din acest
motiv
fotorezistii negativi – sensibilitate mai buna (timp de expunere mai mic, expunere in
profunzime mai rapida si mai uniforma pentru straturi groase – linii mai bine definite)
rezistenta la corodare – mare pentru cei negativi, medie pentru cei pozitivi
solventii utilizati – solutii apoase pentru cei pozitivi, solutii organice pentru cei negativi
Procesele de fotolitografie sunt etape critice in fluxul de fabricatie deoarece aici se
defineste geometria circuitului.
Moduri de expunere:
prin contact („hard vacuum” sau „soft vacuum”) – masca utilizata este lipita de stratul de
fotorezist, geometria existenta fiind transferata cu mare fidelitate pe placheta; masca este
deteriorata mai rapid, substratul poate fi deteriorat (in cazul utilizari unui substrat sensibil din
punct de vedere mecanic)
prin proximitate – masca este situata in apropierea fotorezistului, dar nu lipita; geometria
nu este transferata cu aceeasi fidelitate ca in cazul anterior, aparand zone difuze; in general
geometriile obtinute sunt putin mai mari
prin proiectie – sisteme utilizate in industrie, permit reducerea dimensiunilor existente pe
masca cu un anumit factor → se pot obtine geometrii mult mai fine
scriere directa – echipamente care utilizeaza diferite surse (fascicul laser, fascicul de
electroni) pentru impresionarea directa a fotorezistului pe placheta; astfel de echipamente cu
utilizeaza masti pentru transferul geometriilor; dimensiunile obtinute sunt mult mai mici; pot fi
realizate structuri 3D; timpul necesar este mult mai lung
Corodarea umeda - bazata pe oxidarea suprafetei substratului pentru a forma compusi care
sa poata fi indepartati fizic din substrat
Corodarea siliciului – cunoscuta inca de la sfarsitul anilor 1940.

Corodarea siliciului este puternic influentata de orientarea plachetelor – fiecare orientare
diferita a substratului va conduce la obtinerea unui profil de corodare diferit; orientarea
plachetei trebuie aleasa in functie de dispozitivul dorit.
Corodarea umeda anizotropa
 Corodarile anizotrope (dependente de orientare) au o rata mult mai mare pe o anumita

directie cristalina decat pe alta, conducand in timp la dezvelirea planelor cristaline care sunt
corodate mai lent
 Solutiile care urmeaza sa fie discutate aici sunt evident incetinite de planele (111) din
siliciu in raport cu actiunea pe celelalte plane
 In functie de tipul plachetei, planele (111) formeaza fie un unghi de 54,74° cu suprafata
plachetei (pentru siliciul <100>) fie sunt perpendiculare pe aceasta (in cazul siliciului <110>)
 Pentru colturile concave ale cavitatilor corodarea se opreste automat la intersectia

planelor (111); colturile convexe vor fi corodate, permitand in acest fel realizarea de structuri
de tip cantilever – efort considerabil in proiectarea mastilor pentru a lua in considerare
aceste efecte
 Rata de corodare poate fi modulata prin dopare sau electrochimic
 Mecanismul reactiei a fost in general elucidat, DAR cel al modularii prin dopare sau al
corodarii anizotrope pe planele cristaline nu a fost pe deplin explicat
 Fenomenul propagari fisurilor si proprietatea corodarii anizotrope de a se opri pe un

anumit plan cristalin sunt in mod normal rezultatul propagarii in lungul planului cu cea mai
mica densitate atomica, DAR aceasta teorie nu poate explica toate proprietatile de mai sus
Solutia utilizata ?

KOH:H2O2:H2O -Solutie de corodare a siliciului. Produce suprafete corodate plane, tip oglinda. Poate fi utilizata pentru
corodarea electrochimica. Corodeaza SiO2.
EDP: H2O2:H2O -Solutie de corodare a siliciului. Poate fi utilizata pentru corodarea electrochimica in locul KOH.
Corodarea nu este la fel de precisa, dar rata de corodare a SiO2 este mult mai mica.
HF:NH4F:H2O -Solutie de corodare a cuartului. Rata de corodare este influentata semnificativ de conditiile in care
este realizata corodarea.
1%Br2:CH3OH -Suprafete tip oglinda rezultate in urma corodarii. Corodarea este intensificata la marginea masti.
Selectivitatea este invers proportionala cu procentul de Br din solutie. Ataca lent SiO2. Corodari lente
in profunzime.
H3PO4:H2O2:CH3OH -Reproductibilitate foarte buna a ratei de corodare si cavitati corodate cu suprafata inferioara plana si
sau : H2O lustruita (rugozitate foarte mica). Se obtin structuri tip mesa cu o panta buna, in timp ce o panta
inversa este mai putin precis definita.
acid citric:H2O2:H2O -Selectivitate GaAs:AlGaAs pana la 100. Rezulta cavitati cu suprafata inferioara plana.
NH3OH: H2O2:H2O -Cea mai utilizata solutie de corodare pentru proprietatile selective, poate coroda izotrop
heterostructuri GaAs:AlGaAs cu o selectivitate foarte buna (pana la 500 raportul ratelor de corodare),
in functie de conditiile de corodare. In anumite concentratii poate conduce la corodari anizotrope.
Produce straturi cu suprafete poroase, ceea ce conduce la scaderea ratei de corodare daca pH-ul
solutiei este mai mic de 9,6.
HF:H2O -Se obtine un raport al ratelor de corodare pentru GaAs si AlGaAs foarte mare atunci cand continutul
de aluminiu este mai mare de 50%, ca si in cazul siliciului si oxizilor dopati cu fosfor. Aceasta solutie
este utilizata pentru corodarea straturilor de sacrificiu.
Flux tehnologic
corodarea stratului de oxid
oxidare termica
corodare uda pe fata a siliciului

pentru eliberarea structurii 
 metalizare
 Metalizare etapa II
Microoglinda actuata electrostatic
 Principiul de functionare al
microoglinzii actionate electrostatic
Microoglinda – oglinda la scara microscopica
Dispozitiv de tip MEMS optic.
In cazul de fata dispozitivul se deplaseaza unidirectional.
Actionare electrostatica – datorita diferentei de tensiune

dintre electrodul inferior si cel superior electrodul
superior se deplaseaza catre electrodul inferior.
Curba de histertezis a deplasamentului oglinzii 
Hysterezis loop of displacement
Tensiune de pullin – tensiunea la care
12
electrodul superior accelereaza catre
electrodul inferior (nu mai avem control al
10 inaltimii)
displacement (micrometers)
8 Din  rezulta tensiunea de pullin 104 V

6 Din  rezulta tensiunea la care electrodul
superior revine dupa contactul cu stratul
4
izolator 80 V
2
0
0 20 40 60 80 100 120
voltage (volts)
 1.
 2.
 3.
 4.
 5.
 5.
 6.
 1. Depunerea stratului de material izolator (izolator 1)
 2. metalizare Depunerea stratului de metal 1 (electrod inferior)

Apoi configurare strat.
 3. Depunerea stratului de material izolator (izolator 2)

Apoi configurare strat.
 4. configurarea stratului de sacrificiu.
 5. metalizare Depunerea stratului de metal 2 (electrod superior)
in cadrul procesului de metalizare corodarea stratului de metal
 6. corodarea selectiva a stratului de sacrificiu pentru eliberarea

structurii.
 1. Depunerea stratului de material izolator (izolator 1) SiN,

SiO2,
 2. metalizare Depunerea stratului de metal 1 (electrod inferior)

Al, Cr, Ti
 3. Depunerea stratului de material izolator (izolator 2) SiN,

SiO2,
 4. configurarea stratului de sacrificiu. Ca strat de sacrificiu

putem utiliza polimida, SiO2, SiN in functie de materialele alese ca
strat izolator
 5. metalizare Depunerea stratului de metal 2 (electrod superior)

Al
in cadrul procesului de metalizare corodarea stratului de metal
 6. corodarea selectiva a stratului de sacrificiu pentru eliberarea

structurii.
Curs 10
Cuprins:
Difractia razelor x pe cristale

Fluxuri tehnologice:
 Senzor de presiune piezorezistiv
 Senzor ISFET pentru monitorizarea gazelor
 antena yagi uda
 punti aeriene
Difractia razelor x pe cristale - XRD
In 1912 Max von Laue a descoperit ca un cristal poate difracta razele X, confirmand
ipoteza ca aceste radiatii, putin cunoscute la acea vreme, au o natura ondulatorie (unde
electromagnetice).
In 1913 W. L. Bragg si H. W. Bragg au interpretat difractia razelor X ca o reflexie pe

planele cristaline (reflexie Bragg sau difractie Bragg).
Un cristal este constituit dintr-un aranjament regulat de atomi, ioni sau molecule dispusi
in nodurile unei retele tripluperiodice (retea cristalina). W. L.
Bragg a intuit ca un asemenea cristal poate fi privit ca alcatuit dintr-un setde plane
paralele, echidistante cu distanta interplanara d in care se gasesc nodurile retelei
(continand atomi/ioni).
In retea pot fi duse mai multe asemenea familii (seturi) de plane cristaline.
Cand se trimite un fascicul plan paralel de raze X pe planele cristaline, fiecare element
din planele retelei actioneaza ca un ‘centru de imprastiere’, din care pleaca unde sferice
(principiul lui Huygens). Aceste unde sferice se suprapun formand frontul de unda
reflectat. Astfel lungimea de unda  ramane neschimbata fata de cea corespunzatoare
undelor incidente iar directiile normale pe frontul de unda incident respectiv reflectat
indeplinesc conditia: unghiul de incidenta = unghiul de reflexie.
Interferenta constructiva apare daca diferenta de drum , dintre undele reflectate planele
cristaline ale unei familii este un multiplu intreg al lungimii de unda  :  = n  ; n = 1, 2, 3, ..…
pentru plane adiacente, diferenta de drum Δ1 dintre razele incidente este egala cu diferenta de
drum  2 dintre razele reflectate si:
2 d sin
2 =  +  = ⋅⋅
Din relatiile de mai sus se obtine legea Bragg (conditia de difractie pe cristale):
2 ⋅ d ⋅ sin  = n ⋅ 
 - unghiul de reflexie Bragg.

Cand un material (proba) este iradiat cu un fascicul paralel de raze x monocromatice,

structura atomica a acestuia are comportament similar unei retele de difractie tridimensionale
astfel incat razele x sunt difractate la diverse unghiuri.
configuratia de difractie include pozitia, (unghiul) si intensitatiile undei difractate rezultand

informatii despre proba.
cu ajutorul unghiurilor putem calcula distantele interplanare intre atomi (distantele D).
Deoarece fiecare material cristalin va avea o figura de difractie caracteristica aceasta fiind o
amprenta unica a pozitiei (d) si intensitatii (I), informatiile sunt utilizate mai departe pentru a
identifica tipul de material prin compararea cu materialele existente in baza de date. Astfel
putem identifica compusii cristalini, chiar si intr-o proba complexa.
Pozitia varfurilor difractate furnizeaza informatii referitoare la aranjamentul atomic si la

modul cum sunt aranjati atomii in interiorul compusului cristalin (dimensiunea celulei unitare
sau parametrul laticii). Informatiile despre intensitate sunt utilizate pentru a evalua tipul si
matura atomiilor.
latimea varfurilor este un parametru utilizat in determinarea efortului unitar existent la

nivel de nanocristalit
Avantaj principal:
 In principiu structura poate fi determinata in absenta oricarei informatii aditionale.
Dezavantaje majore
 Necesita cristale bine ordonate
 Pentru a rezolva problema fazei trebuie sa folosim derivate sau imprastietori anormali.
 Analiza structurii nu se face de regula la rezolutie atomicaproblema cu identificarea atomilor
si determinarea geometriei
Constrangeri impuse probei

Necesita faza cristalina cu lungimea de 0.1 mm pe o dimensiune, (cateva mg de proteina,
cristal)
Este necesar suficient material (~10 mg sau mai mult) pentru a gasi conditiile de cristalizare
In cazul structriilor noi, trebuie sa putem rezolva problema fazei experimental
Senzor de presiune piezorezistiv
Senzorul este format din rezistoare difuzate in siliciu.
Pentru a putea masura presiunea trebuie ca rezistoarele difuzate sa fie pe membrana.
In functie de presiune se modifica rezistenta piezoresiztoarelor.
Flux tehnologic?
Piezorezistoare
Siliciu
Masca corodare
Piezorezistoare
Siliciu
Masca corodare
acest proces este unul utilizat foarte des datorita posibilitatii de definire a structurilor pe
suprafata plachetei cu o acuratete deosebita – practic dimensiunea dorita a dispozitivului nu
sufera modificari, prin aceasta metoda obtinandu-se dimensiunile cele mai apropiate de cele
proiectate
a) depunerea si tratarea stratului de fotorezist c) depunerea metalului prin evaporare
d) indepartarea stratului de fotorezist

b) configurarea stratului de fotorezist
impreuna cu metalul suplimentar de pe
placheta
Metalizare
a’) depunerea stratului de metal prin evaporare c’) corodarea stratului de metal
b’) depunerea, tratarea si configurarea stratului de fotorezistd’) indepartarea stratului de fotorezist

Fotolitografie
In domeniul semiconductorilor este nevoie de materiale speciale pentru mascarea anumitor
zone din substrat sau straturile subtiri depuse in scopul definiri diferitelor elemente
constituente ale structuri – trasee metalizate, ferestre de corodare, straturi de sacrificiu,
contacte etc. Materialul cel mai utilizat in acest scop este un polimer fotosensibil numit
fotorezist.
Fotorezistul este format din trei componente: polimerul propriu-zis care formeaza marea
masa a fotorezistului; o substanta fotoactiva care sub actiunea unei radiatii de o anumita
lungime de unda poate sa desfaca sau sa creeze legaturi chimice in polimer; un solvent.
Prin fotolitografie sau fotogravura se intelege intregul lant de pasi care trebuiesc urmati
pentru depunere si configurarea unui strat de fotorezist.
Pasii care trebuiesc urmati pentru configurare sunt urmatorii:
 depunerea straturi de fotorezist prin spinning

 tratament termic pentru eliminarea unei parti de solvent si stabilizarea fotorezistului („pre-
bake” sau „soft bake”)
 expunerea prin masca
 developarea – configurarea stratului de fotorezist in forma dorita
tratament termic pentru stabilizare – eliminarea solventului („post–bake” sau „hard–bake”)
Spinner – instalatie de depunere a fotorezistilor.
Depunerea este realizata prin spinning – placheta este asezata pe un suport de care este
fixata cu ajutorul vidului; fotorezistul este pus in mijlocul plachetei si se intinde uniform
pe intreaga placheta ca urmare a rotirii sale cu viteze foarte mari (intre 2000 si 10000
rpm).
Grosimea unui anumit fotorezist poate fi controlata intr-o anumita masura prin viteza de
depunere, dar, in functie de procesul dorit in continuare, trebuie ales tipul adecvat de
fotorezist.
Developarea – procesul de configurare a stratului de fotorezist in forma dorita prin

indepartarea polimerului mai putin stabil (cu mai putine legaturi chimice) intr-un solvent
(developant).
Dupa modul in care se comporta in momentul expuneri la radiatie, fotorezisti utilizati pot fi
de doua feluri:
pozitivi – cei la care prin expunere sunt rupte legaturile chimice, zonele respective fiind
indepartate la developare
negativi – prin expunere sunt realizate o serie de legaturi suplimentare, astfel incat zonele
expuse vor fi cele care raman pe placheta in urma developari
In general exista tipuri de fotorezisti mai mult sau mai putin dedicate anumitor tipuri de
procese, cum ar fi pentru configurare prin lift-off, corodare sau ingrosare electrochimica.
Un factor decisiv in alegerea fotorezistului utilizat – dimensiunea minima a structuri care
urmeaza sa fie configurata.
in general fotorezisti pozitivi au o rezolutie mai buna, fiind utilizati mai mult din acest
motiv
fotorezistii negativi – sensibilitate mai buna (timp de expunere mai mic, expunere in
profunzime mai rapida si mai uniforma pentru straturi groase – linii mai bine definite)
rezistenta la corodare – mare pentru cei negativi, medie pentru cei pozitivi
solventii utilizati – solutii apoase pentru cei pozitivi, solutii organice pentru cei negativi
Procesele de fotolitografie sunt etape critice in fluxul de fabricatie deoarece aici se
defineste geometria circuitului.
Moduri de expunere:
prin contact („hard vacuum” sau „soft vacuum”) – masca utilizata este lipita de stratul de
fotorezist, geometria existenta fiind transferata cu mare fidelitate pe placheta; masca este
deteriorata mai rapid, substratul poate fi deteriorat (in cazul utilizari unui substrat sensibil
din punct de vedere mecanic)
prin proximitate – masca este situata in apropierea fotorezistului, dar nu lipita; geometria
nu este transferata cu aceeasi fidelitate ca in cazul anterior, aparand zone difuze; in general
geometriile obtinute sunt putin mai mari
prin proiectie – sisteme utilizate in industrie, permit reducerea dimensiunilor existente pe
masca cu un anumit factor → se pot obtine geometrii mult mai fine
scriere directa – echipamente care utilizeaza diferite surse (fascicul laser, fascicul de
electroni) pentru impresionarea directa a fotorezistului pe placheta; astfel de echipamente cu
utilizeaza masti pentru transferul geometriilor; dimensiunile obtinute sunt mult mai mici; pot
fi realizate structuri 3D; timpul necesar este mult mai lung
Corodarea umeda - bazata pe oxidarea suprafetei substratului pentru a forma compusi care
sa poata fi indepartati fizic din substrat
Corodarea siliciului – cunoscuta inca de la sfarsitul anilor 1940.

Corodarea siliciului este puternic influentata de orientarea plachetelor – fiecare orientare
diferita a substratului va conduce la obtinerea unui profil de corodare diferit; orientarea
plachetei trebuie aleasa in functie de dispozitivul dorit.
Corodarea umeda anizotropa
 Corodarile anizotrope (dependente de orientare) au o rata mult mai mare pe o anumita

directie cristalina decat pe alta, conducand in timp la dezvelirea planelor cristaline care sunt
corodate mai lent
 Solutiile care urmeaza sa fie discutate aici sunt evident incetinite de planele (111) din siliciu
in raport cu actiunea pe celelalte plane
 In functie de tipul plachetei, planele (111) formeaza fie un unghi de 54,74° cu suprafata
plachetei (pentru siliciul <100>) fie sunt perpendiculare pe aceasta (in cazul siliciului <110>)
 Pentru colturile concave ale cavitatilor corodarea se opreste automat la intersectia planelor
(111); colturile convexe vor fi corodate, permitand in acest fel realizarea de structuri de tip
cantilever – efort considerabil in proiectarea mastilor pentru a lua in considerare aceste efecte
 Rata de corodare poate fi modulata prin dopare sau electrochimic
 Mecanismul reactiei a fost in general elucidat, DAR cel al modularii prin dopare sau al
corodarii anizotrope pe planele cristaline nu a fost pe deplin explicat
 Fenomenul propagari fisurilor si proprietatea corodarii anizotrope de a se opri pe un anumit

plan cristalin sunt in mod normal rezultatul propagarii in lungul planului cu cea mai mica
densitate atomica, DAR aceasta teorie nu poate explica toate proprietatile de mai sus
Solutia utilizata ?

KOH:H2O2:H2O -Solutie de corodare a siliciului. Produce suprafete corodate plane, tip oglinda. Poate fi
utilizata pentru corodarea electrochimica. Corodeaza SiO2.
EDP: H2O2:H2O -Solutie de corodare a siliciului. Poate fi utilizata pentru corodarea electrochimica in locul
KOH. Corodarea nu este la fel de precisa, dar rata de corodare a SiO2 este mult mai mica.
HF:NH4F:H2O -Solutie de corodare a cuartului. Rata de corodare este influentata semnificativ de conditiile in
care este realizata corodarea.
1%Br2:CH3OH -Suprafete tip oglinda rezultate in urma corodarii. Corodarea este intensificata la marginea
masti. Selectivitatea este invers proportionala cu procentul de Br din solutie. Ataca lent SiO2.
Corodari lente in profunzime.
H3PO4:H2O2:CH3O -Reproductibilitate foarte buna a ratei de corodare si cavitati corodate cu suprafata inferioara
H plana si lustruita (rugozitate foarte mica). Se obtin structuri tip mesa cu o panta buna, in timp
sau : H2O ce o panta inversa este mai putin precis definita.
-Selectivitate GaAs:AlGaAs pana la 100. Rezulta cavitati cu suprafata inferioara plana.
acid citric:H2O2:H2O -Cea mai utilizata solutie de corodare pentru proprietatile selective, poate coroda izotrop
NH3OH: H2O2:H2O heterostructuri GaAs:AlGaAs cu o selectivitate foarte buna (pana la 500 raportul ratelor de
corodare), in functie de conditiile de corodare. In anumite concentratii poate conduce la
corodari anizotrope. Produce straturi cu suprafete poroase, ceea ce conduce la scaderea ratei
de corodare daca pH-ul solutiei este mai mic de 9,6.
-Se obtine un raport al ratelor de corodare pentru GaAs si AlGaAs foarte mare atunci cand
HF:H2O continutul de aluminiu este mai mare de 50%, ca si in cazul siliciului si oxizilor dopati cu
fosfor. Aceasta solutie este utilizata pentru corodarea straturilor de sacrificiu.
- flux tehnologic -
SiO2 SiO2
Piezorezistoare
Siliciu difuzate
Siliciu
Si3N4 Si3N4
Masc
aFotorezist SiO2
SiO2 Piezorezistoa
re difuzate
Siliciu
Siliciu
Si3N4 – corodare in
Si3N4
plasma
Fotorezist
SiO2 Piezorezistoa
re difuzate
Siliciu Siliciu
– corodare in KOH
Si3N4
Si3N4 – corodat in
plasma
Senzor ISFET pentru monitorizarea gazelor
Senzorul ISFET pe siliciu este configurat pe varful

unei microsonde, cu dimensiunea 2000 x 300 µm.
Polisiliciu
oxid CVD
TiW/Au Si3N4
oxid
p+
Substrat Si
Difuzia
Intr-un proces de difuzie atomii dopanti sunt plasati pe suprafata semiconductorului
din faza gazoasa a dopantului sau prin utilizarea surselor de dopant plasate direct pe
placheta (o placheta mai mica cu specia dopanta).
Plachetele sunt introduse intr-un cuptor. Temparatura la care are loc acest proces este
intre 800 si 1200°C in cazul siliciului.
Procesul de difuzie este descrris in mod ideal de ecuatia lui Pick’s:
Unde C este concentratie speciei dopante, D este coeficientul de difuzie, t – timpul, x- distanta
fata de suprafata plachetei. Conditiile initiale: C(x, 0) = 0 la t=0, conditiile pe frontiera C(0, t) =
Cs (initial dopantul este la suprafata), iar mediul considerat semi-infinit are C(0,t)=0
Solutia ecuatiei care satisface conditiile initiale si cele de pe frontiera este:
unde erfc este functia de complementara de eroare, D este coeficientul de difuzie, functie de
Temperatura avand expresia:
undee Ea este energia de activare a procesului de difuzie termica, k este constanta Boltzmann ,
si D0 este o constanta de diffuzie.
Coeficientul de difuzie este independent de concentratia de dopanti, atunci cand aceasta are
valori mici. Daca concentratia de dopanti depaseste o valoare caracteristica dependenta de
temperatura numita concentratia intrinseca a purtatoriilor [Ni(T)], coeficientul de difuzie va
depinde de concentratia de dopant.
Difuzie
D este independent de concentratia de dopant, procesul de diffuzie se numeste difuzie

intrinseca, in caz contrar fiind denumit difuzie extrinseca.
Difuzie intrinseca: profilul de difuzie este o functie erfc
Difuzie extrinseca: profilul de difuzie este complex si deviaza de la teoria de baza. Sunt folosite
modele mai complexe sau tabele de adevar pentru a prezice adancimea de difuzie.
Coeficientii de difuzie ai dopantiilor uzuali sunt considerabil mai mici in dioxidul de siliciu
decat in siliciu. Astfel oxidul poate fi utilizat cu rol de masca de difuzie.
Relatie intre coeficientul de

difuzie si concentratia
dopantului intr-un material
semiconductor.
Profil de difuzie teoretic al speciei atomilor

dopanti intr-o placheta de siliciu.
Implantare Ionica
Implantarea ionica este indusa de impactul dintre ionii de inalta energie si un substrat
semiconductor.
Energii tipice ale ionilor: intre 20 si 200 KeV,
Densitatile ioniilor incidenti pe suprafata pot fi intre 1011 si 1016 ioni / cm2.
Un implantator ionic de curent mediu consta dintr-o sursa de ioni, un magnet analizor, apertura
si lentile, ub de accelerare, placi de deflexie x si y, beam mask si cupa faraday.
Dupa generarea ioniilor in sursa de ioni, campul magnetic al analizorului este setat la o valoare
in functie de raportul sarcina masa al ionillor astfel incat ionii sa fie deflectati catre apertura unde
unda de ionica este colimata.
Acesti ioni sunt apoi accelerati in tubul de accelerare. Unda ionica este apoi deflectata in planul
x-y utilizant placiile de deflexie inainte de a lovi placheta care este plasata in cupa faraday.
Exemple de e;emente implantate: B, P, As.
Dupa implantare plachetele sunt tratate termic pentru a activa electric dopantiisi a se reface
reteaua cristalina.
Oxigenul este implantat de asemenea in siliciu pentru a obtine straturi de oxid ingropat.
After implantations, wafers are given a rapid thermal anneal to activate electrically the dopants.
Distributia ioniilor implantati are in mod normal forma gausiana, iar adancimea de patrundere
este legata de energia ionilor.
Implantare Ionica
a) b)
Projected range (adancime de patrundere) (a) si abatere; (b) a ionilor de B, P si As
Implantati in siliciu avand energii diferite (Sze 1985)
- flux tehnologic -
Si3N4
oxid p+ oxid
Substrat Si Substrat Si
Polisiliciu Si3N4
p+ oxid p+ oxid
- flux tehnologic parte -
Polisiliciu Si3N4 Separare
p+ oxid
Polisiliciu corodare EDP

oxid CVD
TiW/Au
Substrat Si
antenele de tip Yagi-Uda au un singur lob care este situat in acelasi plan cu antena,
In cazul antenelor Yagi-Uda, emisia avand loc in planul antenei care este situata pe placheta
de siliciu, apare o problema majora:
 siliciu aflat pe directia de emisie  scadere semnificativa a semnalului emis.
Au crescut electrochimic
Au depus
Membrana SiO2 / Si3N4

Siliciu
Directia de emisie a
antenei Yagi-Uda
antenele de tip Yagi-Uda au un singur lob care este situat in acelasi plan cu antena,
In cazul antenelor Yagi-Uda, emisia avand loc in planul antenei care este situata pe placheta
de siliciu, apare o problema majora:
 siliciu aflat pe directia de emisie  scadere semnificativa a semnalului emis.
Au crescut electrochimic
Ti Au depus
Membrana SiO2 / Si3N4

Siliciu
corodarea umeda
corodarea uscata
bonding
Corodarea uscata urmata de corodarea umeda
combinarea celor doua tehnici de corodare pentru obtinerea unor profile deosebite
aceasta combinatie este deosebit de utila pentru realizarea anumitor structuri
Realizarea antenelor pe membrane dielectrice prin corodarea umeda a substratului de

orientare <100> nu este posibila datorita profilului care se obtine automat prin aceasta
metoda.
Realizarea antenelor pe membrane dielectrice prin corodarea umeda a substratului de
orientare <100> nu este posibila datorita profilului care se obtine automat prin aceasta
metoda.
O alternativa – corodarea uscata (DRIE) a siliciului; datorita peretilor practic verticali care
pot fi obtinuti este posibila realizarea pe directia de emisie a unui perete de siliciu foarte
subtire (de pana la 50µm).
Experimentele realizate – stres foarte puternic in zona peretului subtire → conduce la ruperea
peretelui si la distrugerea membranelor.
Solutia – combinarea metodelor de corodare: dupa realizarea ferestrelor de corodare pe

spatele plachetei se incepe printr-un proces de corodare uscata, prin care este indepartat
siliciul pana cand mai raman circa 50µm.
In continuare procesul de corodare se realizeaza umed, astfel incat intregul perete aflat pe
directia de propagare este indepartat aproape complet.
Fluxul tehnologic de realizare a antenelor Yagi-Uda pe acest tip de membrane
Punti aeriene
aplicatii multiple, in special pentru realizarea de conexiuni intre diferite elementele
componente ale dispozitivelor; cea mai simpla structura care poate fi realizata prin
utilizarea unui strat de sacrificiu
procesul sta la baza oricarui proces necesar pentru dezvoltarea de structuri suspendate /
mobile complexe
15 minute pentru deteminarea fluxului tehnologic al structurii
Punte aeriana - structura finala a

straturilor
galben - strat de aur
Depuneri prin ingrosare electrochimica
Ingrosarea electrochimica este un proces utilizat pentru obtinerea unor acoperiri (de obicei
metalice) ale suprafetelor sub actiunea curentului electric. Depunerea este realizata prin
aplicarea unei sarcini negative obiectul “tinta” si imersia acestuia intr-o solutie cotinand o
sare a metalului pe care dorim sa-l depunem. Ionii metalici din solutie (incarcati pozitiv) vor
fi astfel directionati catre obiect, unde vor fi neutralizati de sarcinile negative si vor realiza
acoperirea dorita a obiectului.
Prezentarea schematica a unei celule electrolitice.

Procesul este utilizat in special pentru depunerea de starturi subtiri ale unor materiale cu
proprietati deosebite – de exemplu, pentru depunerea unor straturi abrazive, lubrificante,
pentru protectia impotriva coroziunii, din motive estetice etc.
In domeniul semiconductorilor procesul este utilizat pentru atingerea grosimii dorite a

straturilor subtiri care nu pot fi realizate prin alte metode – procesul este complementar cu
procesele prezentate anterior pentru realizarea de filme subtiri metalice; reprezinta singura
solutie practica de a obtine straturi metalice de calitate cu o grosime mai mare de 1μm.
Procesul este foarte util si din considerente economice: dupa cum am vazut, procesele de
depunere din stare de vapori fizici depun materialul evaporat in toata incinta – de altfel
majoritatea materialului este pierdut in acest mod, doar o cantitate mica fiind utilizata
pentru realizarea procesului dorit. In cazul ingrosarii electrochimice materialul poate fi
depus doar in zonele dorite, consumul de material fiind cu 2-3 ordine de marime mai mic.
Punti aeriene
Fluxul tehnologic prezentat porneste de la o geometrie realizata pe placheta, dorindu-se
realizarea unei conexiuni intre doua puncte separate de alte trasee metalice (a).
a) structura de pornire pentru realizarea unei punti aeriene
Primul pas este de a defini locurile in care vor fi realizate conexiunile (b); pentru acest pas
este utilizat in general un strat de fotorezist. Acest pas necesita o atentie deosebita deoarece
acest strat va defini in final distanta dintre linia de transmisie (realizata anterior) si punte.
b) depunerea si definirea primului strat de fotorezist

Dupa definirea picioarelor puntii, un strat metalic subtire este depus pe intreaga suprafata a
plachetei (c), grosimea acestui strat fiind mai mica de 0,1 microni. Acest strat, care este depus
in conditii optime prin sputtering, joaca in continuare un dublu rol: in prima faza este utilizat
pentru separarea stratului de fotorezist in care au fost definite picioarele puntii de cel in care
urmeaza sa fie definita puntea propriu-zisa (d), pentru ca in final sa fie utilizat pentru
realizarea ingrosarii electrochimice a puntii (e).
c) depunerea stratului subtire de metal
d) depunerea si definirea celui de al doilea strat de fotorezist
e) realizarea punti aeriene prin ingrosare electrochimica

Ultimul pas in realizarea unei astfel de structuri consta in eliberarea structurii prin
indepartarea celor doua straturi de fotorezist si a stratului subtire metalic din zonele nedorite
(f).
(f) eliberarea structuri

Flux tehnologic de obtinere a unei structuri de punte aeriana.
Curs 11
Cuprins:
 Difuzia
 Cateva in plus despre corodare
 Structuri
 Tema
Difuzia
FLUX
ECUATIA DE TRANSFORT
STRATURI DIFUZATE
ABATERI DE LA TEORIA ELEMENTARA A DIFUZIEI
REDISTRIBUTIA IN TIMFUL OXIDARII
DIFUZIA PRIN STRATUL DE SiO2
REDISTRIBUTIA IN CRESTEREA EPITAXIALA

Difuzia în solide
Scopul principal al tehnologiei semiconductorilor este de a croi tipul si concentratia de

impuritati in regiuni specifice ale cristalului semiconductor.
Calea cea mai practica de atingere a acestui scop este difuzia in solide. De aceea,
difuzia diferitelor impuritati in semiconcluctoare a fost studiata foarte intens.
Astfel de studii au fost usurate de faptul ca caracteristicile electrice ale jonctiunilor pn si

a altor dispozitive semiconductoare obtinute prin difuzie in solid, pot fi folosite direct în
masurarea concentratilor de impuritati. Folosind astfel de masuratori electrice, pot fi
determinate relativ exact, concentratii de ordinul a 10 pariti per milion.
FLUXUL
Fluxul unei specii oarecare, se defineste ca F = numarul de particule care trec

prin unitatea de arie in unitatea de timp.
Pentru a se obtine expresia fluxului F, se considera exemplul miscarii
impuritatior încarcate pozitiv intr-un cristal.
Atomii cristalului formeaza o serie de bariere de potenial dupa cum se
reprezinta in figura de mai jos, care impiedica miscarea impuritatilor ionizate. Inaltimea
barierii de potential, W, este in majoritatea materialelor de ordinul electron-voltilor.
Distanta dintre barierele succesive de potential, a, este de ordinul constantei retelei,
care este de obicei de cativa angstromi.
Modelul miscarii ionice In interiorul unu cristal; distributia
de potenIal cu si fara polarizare apilcata.
Daca se aplica un camp electric constant, distribuia de potential functie de distanta se

va înclina.  trecerea particulelor incarcate pozitiv este mai usoara spre dreapta si mai
dificila spre stînga.
Fluxul F in pozitia x:
Acest flux va fi media fluxurilor din pozitia (x-a/2) si (x+a/2).
La rindul lor, aceste doua f luxuri sint date de F1-F2 i respectiv F3-F4.
O forma limita extrem de importanta a acestei relatii, se obtine in cazul în care cimpul
este relativ mic, E<< kT[qa.
Observînd. ca pentru x0 cosh(x)=1 si sinh(z)=x, rezulta pentru impuritatiile incarcate
pozitiv: unde:
Dependenta de temperatura a coeficientulul de difuzie poate fi reprezenta prin:
In semiconductoare, difuzia impuritatiilor substitutionale (impuritatiile care se plaseaza

in nodurile din reteaua siliciului), se desfoara de obicei prin saltul impuritatior in
vacanele de siliciu din retea.
Energia de activare Ea corespunde mai degraba energiei necesare pentru a se forma o

vacanta in siliciu decat energiei necesare pentru miscarea impuritatii.
Pentru a se forma o valenta trebuie sa fie rupte legturile siliciu-siliciu, este de asteptat
sa existe o relatie intre marimea benzii interzise a semiconductorului si energia de
activare a coeficientilor de difuzie a impuritatilor substitutionale.
Energiile de activare pentru coeficientii de difuzie ai impuritatilor de tip acceptor si donor

sint intre 3 si 4 eV in siliciu.
Energiile de activare similare pentru difuzia in germauiu sunt intre 2 si 3 eV
de 3 pana la 4 ori largimea benzii interzise a siliciului, respectiv a germaniului.
impuriti interstitiale - impuriti care se plaseaza in spatiul dintre atomii de siliciu, si nu in

nodurile retelei cristaline. (de exemplu manganul si nichelul In siliciu)se misca de obicei
mult mai rapid decit impuritatile substituionale.
Mecanismul atomic al difuziei aurului in siliciu este destul de complex , se presupune
micarea aurului interstitial, dar este influentat de asemena, de concentratia vacantelor.
Coeficientul de difuzie al diverselor Coeficientul de difuzie al diverselor

impuritati in Si impuritati in SiO2, amorf
ECUATIA DE TRANSPORT
Elementul folosit pentru deducerea ecuatiei

de transport 
Bilantul materialtilui continut in elementul

marginit de planele x + Δx 
Conditie pentru : In interiorul acestui element sa nu se formeze si nici sa nu se

consume material. 
In 3D 
Dac e înlocuiete expresia pentru fluxul unei specii încarcate pozitiv, si daca se
presupune coeficientul de difuzie independent de concentratie, se ajunge la o forma mai
simpla a ecuatiei de transport
In majoritatea cazurilor se poate face presupunerea ca, cîmpul electric e 0. 
Conductia caldurii în solutie este descrisa de o ecuatie identica, exceptand faptul ca

coeficientul de difuzie D este inlocuit prin coeficientul de difuzie termica k.
solutiIe problemelor de conductie a caldurii se vor putea folosi in problemele de
difuzie in solid.
STRATURI DIFUZATE
difuzia in solid este_cel mai des folosita in tehnologia semiconductoarelor putru

formarea straturilor difuzate cu impuritati.
Formarea straturilor difuzate se realizeaza într-un proces în doua etane.
 In prima etapa (predifuzie), impuritatile sînt introduse în semiconductor pana
la cîteva zecimi de micron.
 Odata introduse In semiconductor (difuzie), împuritatile sunt apoi difuzate mai adanc
pentru a se produce o distributie de concentratie convenabila fara a se mai adauga
impuritati seiniconductorului.
Predifuzia
Predifuzia este de obicei realizata prin asezarea probei semiconductoare într-un cuptor
prin care circula un gaz inert, care contine impuritatile cerute.
Cuptorul si debitele sînt similare cu acelea folosite in oxidarea termica. Temperatura

este de obicei cuprinsa intre 800°C si 1200°C.
Impuritatile pot fi introduse în gazul purtator In cîteva moduri, anume:
Sursa solida. In una din metode, impuritatea este introdusa in gazul purtator de la o
sursa solida care se evapora. Daca la sursa se atinge echilibrul, presiunea partiala a
impuritatii continute în gaz va fi egala cu presiunea ei de vapori la temperatura sursei.
O sursa solida poate fi folosita in predifuzia majoritii impuritatilor.
Materialul sursei este de obicei un oxid al impurtatii de exemplu P 2O5 pentru fosfor, B2O3
pentru bor, As2O3 pentru arsen, Sb2O4 pentru stibiu. Oxidul este transportat la suprafata
semiconductorului de catre gaz unde este apoi redus.
Un exemplu de astfel de reactie de reducere poate fi

P2O5 (gaz) + Si (solid) - P + SiO2 (solid).
la suprafata siliciului se formeaza in timpul pedifuziei un strat de oxid
Impuritatile pot fi introduse în gazul purtator In cîteva moduri, anume:
Sursa lichida . Un compus lichid poate de asemenea folosi ca sursa de impuritati prin
trecerea gazuini purtator prin incinta care contine lichidul. Incinta cu lichidul in ea este
mentinuta la o temperatura fixa. Gazul care barboteaza prin lichid, atinge echilibrul cu
lichidul, rezultînd o presiune partiala a compusului de impuritate in gazul care este in
incinta, egala cu presiunea de vapori a lichidului la temperatura lui. Sursele lichide sunt
disponibile pentru diferite impuritati, de exemplu POCl 3, pentru predifuzia fosforului si
BBr3, pentru predifuzia borului.
 Transport chimic. O a treia metoda de introducere a unei impuritati in curentul de gaz

se realizeaza printr-o reactie chimica care are loc la sursa. Un exemplu de astfel de
proces de transport chimic este acela al galiului. Sursa folosita la predifuzia galiului
poate fi oxidul de galiu,Ga2O3 . S-a gasit ca galiul se introduce in gazul purtator numai in
prezenta hidrogenului. Aceasta particularitate indica faptul ca la sursa are loc o reactie
chimica. O reactie posibila poate fi
Ga2O3 (solid) + 2Ga (vapori) + 3H2O
Experientele arata proportionalitatea concentratiei de galiu cu raportul dintre

concentratia hidrogenului si cea a apei la puterea 1.5, cea ce indica ca aceasta reactie
este corecta.
Daca nu exista rezistenta la transportul impuritatii din gaz spre suprafata solidului,
concentratia la suprafa solidului va fi în echilibru cu presiunea partiala a impuritati în
gaz.
Exista totusi, pentru fiecare impuritate o
concentratie maxima care poate intra in solid la o
temperatura data - solubilitatea solida a impuritatii.
Concentratia la suprafata este intr-adevar

proportionala cu presiunea partiala in gaz la
concentratii joase cu o eventuala saturatie care este
de ateptat la atingerea limitei solubilitatii solide.
Solubilitatile solide in siliciu 
concentratia la suprafata a borului

in si in functie de presiunea partiala a
oxidului de bor in gazul purtator
pentru o predifuzie la 1100⁰ C
In practica industriaIa pedifuzia este de obicei realizata cu o presiune partiala a
impuritatii în gazul purtator suficiebt de mare astfel incat centratia la suprafata in
semiconductor sa corespunda solubilitati solide a impuritatii.
In astfel de conditi, concentratia partiala este independenta de presiunea partiala a

imuritatii fiind reproductibila chiar daca presiunea partiala nu este.
Distributia de impuritati în semiconductor, care rezulta dupa predifuzie.
Deoarece prin predifuzie concentatia impuritatii la suprafata C este mentinuta constanta,

se poate rezolva ecuatia de difuzie.
Solutia care satisface ecuatia de difuzie ca si conditile la limita, este data de functia
cpmplementara de eroare, una din cele mai importante functii in teoria difuziei.
Solutie Conditii
Distribuia de concentratie care rezultà într-un proces de predifuzie conform teoriei este
reprezentatà atît la scara liniara cat si logaritmica, concentratia normata (normata la
concentratia la suprafata care este constanta), in functie de distanta, pentru trei valori
diferite ale lungiinii de difuzie, corespunzînd la trei valori consecutive ale timpului de
predifuzie.
Odata eu cresterea timpului impuritatea patrunde din ce in ce mai adînc in solid.
Aceasta patrundere poate fi reprezentata prin numarul total al atoniilor de impuritate într-
o sectiune de 1 cm2 din semiconductor:
Scara normala  Scara logaritmica 

Functia complementara de eroare (erfc).
Concentratia normata in tunctie de distanta
pentru valori crescatoare aIe timpului.
O alta marime de importanta considerabila in determinarea caracteristicior dispozitivelor
semiconductoare este gradientul concentratiei:
Folosind aproximatia asimptotica pentru functia complementara de care este valabila în

unele cazuri practice, aceasta poate fi scrisa ca:
Difuzia
In urma predifuziei se obtin de obicei centratii de suprafa care sunt egale cu solubilitatea
solida a impuritatii,
Adesea este necesar sa se coboare concentratia la suprafa sub aceasta valoare. Mai
mult înca, se cere adesea sa se transporte impuritatile mai adinc in serniconductor, fara
sa se creasca on acelasi timp numarul total de impuritati in interiorul semiconductorului.
Ambele aceste cerinte pot fi realizate printr-un tratament termic ulterior la temperatura
înalta într-un gaz care nu contine nici o impuritate.
In practica, acest tratarnent termic aditional, difuzia, se face de obicei într-un mediu
oxidant.
Majoritatea impuritatilor difuzeaza mai repede in siliciu decit in SiO 2 (galiul - exceptie ).
Astfel, daca tratamentul termic se reaIizeaza intr-o atmosfera oxidanta, stratul de oxid
care rezulta va tinde sa inchid impuritatiile in siliciu; nici alte impuritai nu vor mai fi
adaugate si nici nu va scapa o cantitate semnificativa de impuritati, deoarece oxidul
actioneaza ca o masca efectiva împotriva difuziei acestor impuritati.
Distributia de concentratie dupa difuzie este prin urmare data de acea solutie a ecuatiei
de difuzie care satisface conditile la limita:
care fac ca Q sa fie mentinut constant in semiconduetor, in timpul etapei de difuzie.

Conditia initiala este data de
deoarece distributia de impuritati la începutul etapei de difuzie este distributia de

impuritai care rezulta dupa etapa de predifuzie.
Aceasta este o problein greu de rezolvat. Totusi, pentru rnajoritatea cazurilor practice,
sqrt(Dt) pentru difuzie este mult mai mare decat pentru predifuzie.
Se poate considera adîncimea de patrundere a profilului predifuzat, neglijabil de mica în
comparatie cu acea a celui final care rezulta dupa treapta de difuzie.
Corespunzator, profilul predifuzat se poate reprezenta maternatic printr-o functie delta.
Distributia de concentratie dupa difuzie în conditile acestei aproximatii va fi data atunci
de:
Aceasta este bine cunoscuta distribuie Gaussiana. Se vede ca in aceasta solutie,

cantitatea totala de impuritati din solid, Q, este constanta in virtutea conditiei la limita.
Deoarece odata cu trecerea timpului impuritatile se misca spre volumul solidului, pentru
a pastra Q total constant, concentratia linga suprafa trebuie sa scada:
Distributia de concentratie este data de:

Distributia impuritatior pentru un profil
Gaussian este artata in figura unde s-a
reprezentat concentratia impuritatilor
normata fata de Q, care este constant, in
functie de distanta pentru trei valori
cresctoare ale lungirnii de difuzie sau trei
valori succesive ale timpului de difuzie.
Se vede ca panta fiecarei distributii de

impuritai la x = 0 este zero, corespunzînd
primei conditii la limita si ca profilul de
difuzie se extinde spre interiorul
semiconductornlui, concentratia la
suprafata scazand eu cresterea timpului
de difuzie.
In cazul distributiei Gaiissiene s-a

introdus de asemenea si timpul ca
variabila in celàlalt parametru de
noamare, concentratia la suprafata.
Distributia Gaussiana: concentratia

normata functie de distanta pentru valori
crescatoare ale timpului.
Functile de difuzie: concentratia normata in
functie de distanta normata.
Este important de remarcat ca atît pentru

functia complementara de eroare cît si
pentru distribuia Gaussiana, concentratia
este o functie de o distanta normata, x/2
sqrt(Dt).
Deci, daca se normeaza concentratia la
concentratia de suprafata, distributile se
pot reprezenta printr-o singura curba,
valabila pentru once valoare a timpului,
dupà cum se arata in figura.
Difuzia in doua etape: predifuzia
urmata de difuzie. Liniile pline
reprezinta dlstributiIe finale exacte.
Linile intrerupte corespund cazului in
care distribuia predifuziei este
aproximata printr-o functie - delta la
z = 0.
EDP are trei proprietati care o fac indispensabila pentru microprelucrare:
1) Este izotropa, astfel este posibil sa obtinem geometri care nu pot fi obtinute altfel;
2) Solutie puternic selectiva avand o gama larga de materiale care pot fi folosite pentru
mascare, de ex: SiO2, Si3N4, Cr, Au;
3) Este dependenta puternic de specia dopanta avand rata de corodare aproape 0 in
siliciu puternic dopat cu bor
KOH diluata in apa este dependenta de orientare, de fapt are rate de corodare mult
mai mari pe directiile <110> si <111> mai mari dect EDP. Din acest motiv este util sa
corodam plachete <110> datorita ratei diferentiale de corodare obtinem gropi adanci.
Corodarea sub masca este minima. Dezavantajul KOH este ca SiO2 este corodat cu o
rata destul de mare astfel nu poate fi utilizat ca masca in multe aplicatii. Si3N4, este
materialul preferat pentru mascare la corodarea in KOH.
HNA este o solutie de corodare complexa iar ratele de corodare sunt disponibile,
caracteristiciile de corodare fiind dependente de concentratia dopantului in siliciu.
Fiecare componenta a HNA are o rata de corodre proprie a siliciului, rata de corodare
totala fiind o rata de corodare combinata.
Din nefericire aceasta solutie este dificil de mascat deoarece SiO2 este corodat cu o
rata corespunzatoare celor 3 componente ale solutiei. SiO poate fi utilizat pe perioade
scurte, SiN sau Au pot fi utilizati pe perioade mai lungi, caracteristiciile de mascare nu
sunt aceleasi ca si in cazul EDP. In cazul structuriilor micromecanice solutia este
utilizata cand avem configuratii, santuri adanci (in consecinta masti foarte rezistente).
Corodarea siliciului
Corodarea siliciului monocristalin este realizata in 4 pasi :

 Injectarea de goluri in semiconductor in scopul aducerii acestuia intr-o stare de
oxidare inalta
 Atasarea unei grupari hidroxil OH- la siliciul incarcat pozitiv
 reactia dintre siliciul hidratat si agentul de complexare din solutie
 Disolutia produsilor de reactie in solutia de corodare
Orice solutie de corodare trebuie sa furnizeze o sursa de goluri precum si grupari

hidroxil, trebuie de asemenea sa contina un agent de complexare ale carui specii
reactante sa fie solubile in solutia de corodare.
Structuri
Ghid optic
Structuri
Se cere fluxul tehnologic?

structura:
Cuplor tip retea de difractie

Tema: 3 puncte
Fluxuri tehnologic pentru:
Structura
Ghidurile sunt din SiO2
fiecare pas continut in fluxul tehnologic trebuie descris mai amanuntit,
oridinea pasilor este foarte importanta.
SiOXNY - oxinitrura de siliciu
Tema 3 puncte:
Sau varianta 2
 Flux tehnologic pentru structura de mai jos:

fiecare pas continut in fluxul tehnologic trebuie descris mai amanuntit,
oridinea pasilor este foarte importanta.
SiOXNY - oxinitrura de siliciu
Tema 3 puncte:
Sau
 Flux tehnologic pentru partea din dreapta a figurii de jos, zona cu fotodioda si
ghidul: (Indicatie se considera substrat dopat p)
Curs 12
Cuprins:
 Difuzia continuare
 Structuri

Difuzia
FLUX
ECUATIA DE TRANSFORT
STRATURI DIFUZATE
METODA CELOR 4 SONDE
REDISTRIBUTIA IN TIMFUL OXIDARII
DIFUZIA PRIN STRATUL DE SiO2
REDISTRIBUTIA IN CRESTEREA EPITAXIALA

Evaluarea straturilor difuzate
Evaluarea straturilor difuzate este relativ simpla daca stratul difuzat forrneaza o
jonctiune pn cu substratul. Adancimea acestei jonctiuni, xj, poate fi schitata prin scobirea
in semiconductor si corodarea suprafetei cu o solutie care reactioneaza selectiv cu cele
doua parti ale jonctiunii, rezultand astfel o deosebire de culoare intre partile p si n.
Determinarea adancimii jonctiunii

prin scobire si colorare selectiva.
Aceasta metoda face posibila determinarea adancimii jonctiunii xj cu o acuratete de

aproximativ 0,1 microni folosind tehnicile optice.
Adîncimea jonctiunii xj este definita de conditia C(xj, t) = CB
Astfel, daca adancimea jonciunii si concentratia de volum CB sunt cunoscute,
concentratia la suprafa Cs, ca si restul distributiei de impuritati pot fi calculate cu conditia
de a se putea presupune ca distributia de concentratie urmeaza una sau alta din functile
simple de difuzie.
O verificare importanta si usor de realizat asupra valabilitatii acestei
presupuneri se poate face prin masurarea rezistivitatii medii a stratului difuzat. Inversul
rezistivitatii medii a unui strat de tip n (de exemplu) este:
unde s-au insumat conductantele paralele ale straturior elementare de grosime dx ale
stratului difuzat.
Pentru a evalua integrala care apare in aceasta ecuatie, trebule sa avem:
(1) o relatie intre mobilitate si concentraia de purtatori
(2) o relatie intre concentratia de purtatori si de distanta.
Pentru ionizarea completa a impuritatilor, aceasta va fi aproximativ aceeasi eu
distributia impuritatilor.
Vom ilustra acum procedeul de evaluare a rezistivitatii medii, considerand cea mai
simpla din distributile posibile: aceca corespunzatoare unui profil ,,dreptunghiular”.
In cazul unei distributii ,,dreptunghiulare”, integrala din expresia anterioara
poate fi evaluata cu usurinta si rezulta:
Determinarea rezistivitatii
medii a straturilor difuzate.
Daca se ia n= 85 cm2/V• s si p = 45 cm2/V• s - valorile limita ale mobilitatii atinse la

concentratii mari de imparitati in siliciu asa s-a considerat in cazul straturilor difuzate se
pot obtine relatii intre concentratia de suprafata si rezistivitatea medie pentru o distributie
,,dreptunghiulara” atIt pentru straturile de tip n cit si pentru cele de tip p.
Concentratia de suprafata in functie de
rezistivitatea medie-distributia
dreptunghiulara.
Desigur distributia
dreptunghiulara nu este de obicei o
distributie realista.
Integrala anterioara a fost

de asemenea evaluata numeric
pentru cele doua functii de difuzie,
functia complementara de eroare si
cea gaussiana, pentru cazul
siliciului.
In slideul urmator este din nou reprezentata concentratia la suprafata C B in

functie de rezistivitatea medie , pentru diferite concentrati ale substratului C B.
Luand in considerare variatia masurata experimental a mobilitatii electronilor si

golurilor in functie de concentratia de impuritati, obtinem aceiasi forma generala ca a
acelora obtinute prin aproximarea grosoIana prin profil ,,dreptunghiular”.
Concentratia de
suprafata in functie
de rezistivitatea
medie, strat de tip
n, distributie erfc.
Concentratia de
de rezistivitatea
medie, strat de tip
n, distributie
Gaussiana. 
 Concentratia de
de rezistivitatea
medie, strat tip p,
dlstributie erfc
Concentratia de
suprafat in functie
de rezistivitatea
medie, strat de tip
p, distributie
gausiana 
Rezistivitatea medie a straturilor difuzate se masoara de obicei prin metoda celor 4 sonde.
Pe suprafata semiconductorului sunt aezate 4 sonde. Curentul trece prin cele doua sonde
marginale si caderea de tensiune data de trecerea acestui curent, este masurata intre cele
doua sonde din mijioc. Asfel orice problema, data de rezistenta de contact intre sonde si
semiconductor, este eliminata. Pentru a lega masuratorile caderii de tensiune V si curentului I
de rezistivitatea medie a stratului difuzat, trebuie rezolvata problema electrostatica care ia in
considerare propagarea curentului intre cele doua sonde marginale. Facand acest lucru,
rezultatul peutru straturile cu dimensiunile laterale mari, grosimea xj mica in comparatie cu
distanta dintre sonde este:
 Vedere de SUS
 Masurarea rezistivitati medii folosind
metoda celor patru sonde.
Deoarece o distanta tipica dintre contacte este s = 1000 m aceasta conditie
este cu prisosinta indeplinita pentru straturile difuzate. Daca concenmtratia de suprafata
determinata pe baza masuratorilor rezistivitatii medii concorda cu aceea obinuta din
masuratorile de adancime a jonctiunii, se poate conchide ca profilul dituziei urmeaz Intr-
adevar distributia presupusà.
 Deoarece plachetele semiconductoare sunt in general taiate Ia grosimi de 200
pana la 400 m, metoda poate fi de asemenea folosita pentru a calcula rezistivitatea
plachetelor prin masuratori cu 4 sonde, substituind In locul lui xj grosimea plachetelor y. Daca
fie dimensiunea plachetelor, fie dimensiunea Iaterala a probei este comparabila cu distanta
dintre sonde, trebuie introdusi factori de corectie.
a. Straturi difuzate bidimensionale
In tehnologia planara, procesul de difuzie are loc de obicei prin ferestre taiate
intr-o masca de difuzie (de obicei un strat de SiO2). Ca urmare, impuritatile vor difuza
paralel cu suprafata precum si normal la suprafata. Forma jonctiunii rezultata linga
marginea ferestrei se observa experimental a fi aproximativ cilindrica
Distributia paralela cu suprafata se abate de la distributia de tip functie de
eroare, dar aeasta deviatie duce la mai putin de 15 sau 20% eroare in localizarea
jonctiunii. Astfel, cu aceasta eroare, forma jonctiunii poate fi intr-adevar privita ca
diindrica. Calculele pentru cazul etapei de difuzie duc la concluzii similare.
Comparatie intre distributile de concentratie 1

normala si 2 paralela la suprafata, pentru conditiile
corespunzatoare predifuziei
Distributia normala la suprafata este de tipul

functiei complementare de eroare.
b. Difuzia ajutata de camp
Cind impuritatile donoare sau acceptoare intra in cristalul de siliciu, ele devin
ionizate. Asa dar, trebuie sa se considere simultan miscarea donorior ionizati (sau a
acceptorilor), si a electronilor (sau a golurilor).
Ori de cite ori doua particule incarcate care au mobilitati diferite se misca
simultan va rezulta un camp electric intern care ajuta la miscarea celei mai incete dintre
cele doua particule.
O formula modificata pentru fluxul ionilor este:
unde C este concentratia ionilor si n i concentratia electronilor sau a golurior intr-un

semiconductor care nu contine deloc nici donori, nici acceptori Ia temperatura de difuzie
(concentratia intrinseca a purtatorilor).
Expresia de mai sus poate fi scrisa in forma
Def :coeficientul efectiv de difuzie al impuritatilor (include efectul cimpului electric intern).
-este o functie de concentratie
Valorile limita ale coeficientului efectiv de difuzie:
La o temperatura data si la o valoare data a lui n daca concentratia de impuritati este
relativ mica, adica C << ni, Def = D  cimpul intern nu are efect.
Invers, C >> ni, Def = 2D  campul electric poate determina o dublare a coeficientului
de difuzie.
Pentru comparatie, se arata de asenenea o distributie de tip functie de eroare
complementara unde nu se ia in considerare efectul cimpului intern si care este
suprapusa in distributia corecta la concentratii mici.
Se vede ca efectul cimpului intern determina un gradient mai mic in vecinatatea
suprafetei. Aceasta se intimpla deoarece cimpul electric ajuta cu cea mai mare
eficacitate miscarea ionilor in regiunea celei mai mari concentratii de impuritati.
Astfel, in aceasta regiune, gradientul de concentratie nu trebuie sa fie asa de
abrupt pentru a mentine acelasai flux in semiconductor.
Ilustrarea efectului campului electric intern

asupra distributiei concentratiei de impuritati
intr-un semiconductor
Este evident ca pentru concentratia la suprafata cea mai mica distributia
urmeaza indeaproape functia complementara de eroare. Se vede de asemenea ca
distributia incepe sa devieze de la forma functiei de eroare cand concentratia la
suprafata intrece 1019 cm-3 (ni in siliciu la 1100°C, temperatura de difuzie, este
aproximativ 1019 cm-3 ).
Profilul intermediar poate fi socotit ca determinat

de efectul difuziei ajutata de camp.
Totusi cand concentratia de suprafata a borului

creste mai departe si intrece 1020 cm-3, profilul incepe sa
devieze de la distribuia de tip functie complementara de
eroare intr-un grad mai mare decat cel care ar fi
determinat de efectul difuziei ajutate de camp.
Intr-un astfel de caz trebuie sa se considere alte

cauze ale abaterii.
Distributia masurata
experimental a borului in
siliclu, pentru diferite
concentratii de suprafa.
Efectul de impingere a Efectul tensiunilor mecanice ale retelei
emitorului: difuzia O anomalie importanta observata cand
anormala data de o a doua concentratia de suprafata intrece o anumita valoare (efect
difuzie de concentratie de impingere a emitorului sau se mai denumeste si efectul
mare. de scufundare a emitorului, sau de ,,difuzie cooperativ”).
El consta din accentuarea difuziei unui strat
difuzat in regiunea unde al doilea strat difuzat de
concentratie mare patrunde in siliciu. Aceasta se observa
adesea in structurile de tranzistor unde trebuie sa
foIoseasca doua difuzii consecutive, in care a doua,
difuzia emitorului, are o concentratie mare de suprafata.
 distributia borului in siliciu atat intr-o regiune en o
concentratie mare de fosfor difuzat cat si oriunde in probà.
Este evident ca difuzia fosforului ,,Impinge” distributia
borului inaintea ei. Aceasta atrage dupã sine o margine
neregulata a jonctiunii.
Cea mai plauzibila explicatie pare aceea in care sunt
implicate tensiunile mecanice ale retelei la o concentratie
mare de impuritati. Aceasta presupunere este sustinuta de
o experientã in care pe suprafata siliciului in timpul
procesului de difuzie se exercita presiune prin intermediul
unei sonde. In zona sondei, impuritatile patrund intr-
adevar mai adanc in siliciu decat altfel.
probleme la fabricarea tranzistoarelor de inalta freventa care necesita un interval
strans intre cele doua fronturi de difuzie.
Viteza de stabilire a concentratiei la suprafata in difuzia in solid
In tratarea problemei predifuziei, s-a presupus ca concentratia la suprafata a
impuritatilor CS este constanta in timpul predifuziei.
La Inceput, nu exista impuritati in semiconductor si deci concentratia la
suprafata trebuie sa fie zero. Deoarece, fizic, concentratia de suprafata nu poate sari
instantaneu de la zero la valoarea ei finala constanta, va exista o perioada de ajustare in
care conditia la limita simpla C(0, t)= CS nu mai poate fi mentinuta.
Durata acestei perioade initiale este determinata de vitezele relative ale:
(i) transportului impuritatilor din volumul gazului spre suprafata
(ii) ale difuziei in solid de Ia suprafata spre interiorul semiconductorului.
Astfel, o limitare exterioara a vitezei transportului impuritatilor va influenta
procesul de difuzie in stare solida.
Se va considera acum solutia problemei predifuziei in conditiile unei astfel de
limitari externe a difuziei. Conditia initiala in care s-a rezolvat problema predifuziei:
C(x, 0) = 0 , ca si una din conditiile Ia limita C(, t ) = 0 raman neschimbate. Totusi, a
doua conditie la limita a constantei concentratiei de suprafata se va inlocui cu conditia:
care specifica faptul ca fluxul spre suprafata prin transferul de masa in gaz este egal cu
fluxul la suprafata prin difuzia in solid. Cu h s-a notat coeficientul de transfer de masa in
faza gazoasa. In functie de concentratia in solid. Solutia acestel probleme este:
Aceasta solutie consta dintr-o functie complementara de eroare din care este scazut un
termen de corectie. Cand parametrul ht/sqrt(Dt) devine foarte mare termenul de
corectie devine neglijabil. Este evident ca, aproximativ, ht/sqrt(Dt) atinge valoarea 10
solutia se transforma in functia complementara de eroare.
Astfel parametrul fara dimensiuni ht/sqrt(Dt) asigura o estimare directa a perioadei de
timp in care are loc aceasta ajustare a concentraei de suprafata.
Acest timp va fi de ordinul t ~ 100(D/h 2).
Ca o estimare, se poate lua hG = 5 cm/s pentru coeficientul do transfer de
masa in faza gazoasa.
Efectul Iimitarii externe a vitezei asupra

difuziei in stare sollda: predifuzia
impuritatilor
Coeficientul de transfer de masa in functie de concentratile in solid este dat de relatia h
= hG/HkT.
Constante din legea lui Henry pe haza datelor pentru bor: H = 2x1025 atom/cm3
si se obtine h = 2x10-8 cm/s, sau aproximativ 70 m/h.
Pentru D~ 1  m2/h, aceasta valoare conduce la Ia t= 0,02 h sau ceva rnai mult
de un minut.
Deoarece predifuzile sunt adesea de durata de numai cateva minute,
influenta limitarii vitezei in faza gazoasa poate deveni apreciabila.
Problema cornplementara predifuziei este aceea a iesirii impuritatilor din
semiconductor adesea denumita exdifuzie.
Conditia initiala pentru aceastä problema va fi o distributie uniforma
corespunzatoare concentratiei din volum CB:
C(x,0)=CB
iar conditile la limita vor fi:
Aici se presupune ca concentratia impuritatilor in volumul gazului este zero.

Solutia aeestei probleme este foarte asemanatoare cu cea de la predifuzie.
Ea este data de relatia:
Se vede ca aceasta solutie consta dintr-o functie simpla de eroare la care se
adauga un termen dependent de parametrul ht/sqrt(Dt).
Cand acest parametru devine mare, termenul aditional devine foarte mic.
In figura de mai jos este evident ca solutia tinde cätre functia de eroare, pentru
ht/sqrt(Dt) > 10.
Masuratorile experimentale ale distributiei de impuritati intr-o proba de siliciu,
rezultand dintr-o expunere intr-o atmosfera de hidrogen sunt artate in figura din slide-ul
urmator.
Efectul limitarii externe a vitezei asupra difuziei

in stare solida ex-difuzia impuritatilor
Este evident ca majoritatea
punctelor experimentale se aseaza sub
curba teoretica corespunzatoare lui
ht/sqrt(Dt)= 5.
Pentru timpul si temperatura
acestor experiente, aceasta arata ca
valoarea lui h in acest caz este mai mare
decat aproximativ 10 m/h, care este
conform cu estimarea anterioarà de 70
Ex-difuzia inipuritatilor din siliciu dupa m/h.
expunerea intr-un mediu ambiant de H2 ,
timp de 30 minute, Ia 275°C.
REDISTRIBUIREA IMPURITATILOR IN TIMPUL OXIDARII TERMICE
In timp ce consideratile precedente s-au ocupat de deviatile de la conditia la

limita aplicata pentru etapa de predifuzie, in acest capitol se va considera un fenomen
care poate cauza abateri de Ia conditia la limita aplicata la tratarea etapei de difuzie,
dC/dx = 0 la x = 0.
Pentru a ajunge la aceasta conditie Ia limita s-a rationat ca deoarece
majoritatea impuritatilor difuzeaza mult mai incet in bioxid de siliciu decit in siliciu, stratul
de oxid crescut in etapa de difuzie va inchide efectiv impuritatile in siliciu.
In realitate sltuatia interfata siliciu - bioxid de siliciu este mult mai complexa.
S-a gasit ca inipuritatile in siliciu se redistribuie in apropierea unui oxid crescut termic.
Acest fapt se datoreaza citorva factori.
Daca doua faze oarecare solid, gaz sau lichid sunt puse in contact, o impuritate
continuta in una din cele doua faze se va redistribui intre ele pana se atinge echilibrul.
La echilibru raportul concentratilor in cele doua ferestre este o constanta.
Rapoitul dintre concentratia de echilibru din siliciu si acea din bioxidul de siliciu
este denumit coeficient de segregatie si este definit ca:
Alt factor care influenteaza procesul de redistribiiire a impuritatilor in timpul

oxidarii termice este faptul ca impuritatea poate avea tendinta sa scape prin stratul de
oxid.
Daca coeficientul de difuzie al impuritii in oxid este mic, acest factor va fi
neimportant, dar daca coeficientul de difuzie este relativ mare, acest factor poate afecta
in mod esenial distributia impuritatior in siliciu.
Un al treilea factor care conteaza in procesul de redistribuire este faptul ca
datorita cresterii stratului de oxid limita care separa fazele oxid si siliciu se misca in
functie de timp.
Viteza realtiva a acestei miscari in comparatie cu viteza de difuzie este
importanta in determinarea amploarei procesului de redistributie.
Este de remarcat faptul ca, chiar daca coeficientul de segregatie al unei
impuritati m = 1, va avea loc totusi o redistributie a impuritatilor in siliciu.
Stratul de oxid are un volum mai mare decatt siliciul consumat pentru crearea
lui. Astfel, aceeasi cantitate de impuritati va fi acum distribuita intr-un volum mai mare,
determinand o scadere a impuritati liaga suprafata siliciului.
Cazurile de redistribuire a impuritatilor pot fi impartite in doua grupuri:
In unul oxidul are tendinta sa capteze impuritatea, in celalalt sa rejecteze
impuritatea.
In fiecare caz, situatia poate fi diferita pentru difuzia lenta sau rapida in oxid. In
slideul urmator se da cate un exemplu, observat experimental, pentru fiecare din cele
patru cazuri.
Se va considera acum premiza initiala si rezuitatele teoriei procesului de
redistributie. Aceasta teorie este bazat pe o solutie a ecuatiei de difuzie cu conditi la
limita variabile si descrie redistributia unei concentratii de dopant, in siliciu, mai
uniforme.
Conditile la limita pentru aceasta problem sunt:
concentratia de impuritati la interfata gaz-oxid este constanta,
departe in substratul de siliciu, concentratia tinde spre concentratia din volum CB
In plus, trebuie satisfacute si doua conditii de Imperechere la interfata siliciu oxid.
Prima este aceea ca de cele doua parti ale
interfetei oxid-siliciu concentratiile trebuie sa fie
in raportul dat de coeficientul de segregatie m.
A doua: Odata cu cresterea oxidului impuritatea
trebuie sa se conserve la interfata mobila oxid-
siliciu.
Se presupune de asemenea ca
cresterea oxidului se produce proportional cu
radacina patrata a timpului de oxidare, adica
x0 =sqrt(Bt) unde B este constanta cresterii
parabolice.
Solutia care da distribtia de impuritati
in siliciu in stratul de bioxid de siliciu se exprima
prin funuctia de eroare si functia
complementara de eroare.
Cea mai importanta caracteristica a

acestei soluti este expresia care rezulta pentru
Patru cazuri diferite ale redistribuiei
concentratia de impuritati Ia interfata pe partea
impuritatilor in siliciu data de oxidarea
corespunzatoare siliciului:
termica
D0, D sunt coeficientli de difuzie a impuritatii in oxid, respectiv in siliciu, iar
=0,45 raportul dintre grosimea siliciului consumat in timpul oxidarii si grosimea oxidului
rezultat.
Concentratile la interfata mobila oxid siliciu sunt indpendente dei tinpul de
oxidare. Cu alte cuvinte atit oxidarea cat si difuzia se desfaoara in functie de timp la
puterea ½, din aceast cauza variabila timp dispare din expresia pentru concentratia de
suprafata.
Astfel la interfata se atinge un regim stationar.
Ultima relatie din slideul anterior arata ca, in concordanta cu discutia calitativa
anterioara concentratia la suprafata in siliciu este o functie de coeficientul de segregatie
m, de vitezele relative de difuzie in siliciu si in oxid. D0/D, (iii) vitezele relative ale oxidarii
si difuziei, B/D.
Se vede ca, cu cat viteza de oxidare creste de exemplu Ia o ternperatura data,
oxidand in vapori de apa si flux in oxigen amploarea redistributiei va creste, dupa cum
se vede din concentratia de suprafata mai mare a fosforului si concentratia de suprafata
mai mica a borului. (slideul urmator)
Aceste doua figuri dau concentratia de suprafata in functie de temperatura de
oxidare. Cantitatea de impuritati pierduta din siliciu ca urmare a redistributiei constituie
alta problema.
In timp ce concentratia de suprafata depinde de temperatura de oxidare dupa
cum se vede din cele doua figuri de rnai sus, cantitatea de impuritati pierduta va depinde
de asemenea de intinderea perturbari si distributiei initiale uniforme a impuritatilor.
Aceasta, Ia randul ei, este data aproximativ de lungimea de difuzie a impuritati, 2
sqrt(Dt).
Distributia calculata a
concentraliei borului
in siliciu dupa oxidare
Ia diferite temperaturi
(O2, x0 = 0,2 μm).
Concentratia Ia suprafata a profilele calculate ale distribuiei borului in siliciu

fosforului in siliciu dupa dupa oxidare la diferite temperaturi, pentru fiecare
oxidarea termica (m = 10). oxidare rezultand un strat de oxid de 0,2 μm grosime.
Este de remarcat faptul ca odata cu cresterea

temperaturii de oxidare, concentratia de suprafata a borului
descreste.
Totusi, deoarece si coeficientul de difuzie al borului
descreste,_extinderea scaderii concentratiei va fi de
asemeuea mai mica Ia temperaturi mai joase.
Aceste calcule au fost verificate in totalitate de
Concentratia de suprafata
masuratorile experimentale.
a borului in siliciu dupa
oxidarea termica (m = 0,3).
-In tabel se dau coeficientli de segregatie ai
impuritatilor acceptoare si donoare
importante, determinate prin cateva telinici
experimentale.
Pentru comparatie, s-au dat si valorie acestor
coeficienti de segregatie care au fost prezise
pe baza consideratilor termodinamice de
solubilitate.
Pana acum sa luat in considerare numai

probema simpla a redistributiei unei concentratii de
impuritati prezente in siliciu initial uniform. O problema
chiar mai importanta din punct de vedere practic este
redistributia unui strat predifuzat in etapa de difuzie.
Deoarece distributia initiala este mai
complicata, aceasta problerna este mai greu de
studiat atat experimental cit si teoretic. Rezultatele
unui studiu al redistributiei dupa oxidarea termica a
straturilor difuzate cu bor slut aratate in figura.
Aici curba teoretica reprezinta rezultatele
calculelor numerice pentru un coeficient de segregatie
presupus a fi m=0,1 in timp ce punctele experimentale
au fost obtinute prin sectionari si masuratori succesive
Redistributia stratului difuzat ale rezistivitatii medii a straturilor difuzate in bor.
cu bor dupa oxidarea termica
Solutia este normata la concentratia de la suprafata din timpul etapei de
predifuzie care precede etapa de difuzie. Este evident cä rezultatele prezentate in
aceasta figura sunt intr-o concordanta globala in ceea ce era de asteptat din analiza
redistributiei unui substrat de siliciu uniform dopat.
DIFUZIA PRINTR-UN STRAT BE BIOXID BE SILICIU (MASCAREA CU OXID)

Faptul ca stratul de bioxid de siliciu este relativ impermeabil la unele impuritati
acceptoare si donoare a fost un factor extrem de important in dezvoltarea tehnologiei
planare. Pentru a avea o imagine mai cantitativa a fenomenului de mascare, se va
considera acum predifuzia unei impuritati printr-un strat de bioxid de siliciu. Se
prestipune ca grosimea acestui strat ramane constanta in timpul predifuziei. Distributia
impuritatilor
Conditia initiala pentru aceasta problema de
difuzie este aceea ca atat in oxid cat si in siliciu
concentratia impuritatilor este zero. Conditile la limita
sunt:
(I) concentratia la suprafata exterioara a oxidului in
timpul etapei de predifuzie este o constanta Co,
corespunzatoare constantei CS din cazul considerat
anterior al predifuziei intr-un semiconductor
neacoperit cu oxid
(II) in interiorul semiconductorului departe de
Ilustrare schematica a distributiei suprafata concentratia de impuritati trebuie sa fie
de impuritati care rezulta dupa nula.
predifuzia printr-un strat de oxid.
In plus, trebuie satisfcute cele doua conditi de concentratie si flux Ia interfata:
(I)raportul concentratilor la interfata oxid-siliciu este determinat de coeficientul de
segregatie m;
(II) fluxul impuritatilor prin aceasta interfata este continu.
Solutia acestei probleme se obtine sub forma unei serii infinite. Totusi, pentru
valori relativ mici ale lui x, astfel ca x << sqrt( D/D0) x0 , serile infinite se pot aproxima
numai prin primul termen, obinandu-se
O problema particulara importanta este adancimea jonctiunii formate in siliciu

dintr-un strat protector de oxid cand impuritatea a fost difuzata prin acest strat.
Localizarea acestei jonctiuni este definit prin condiia C(xj, t) = CB iar prin substitutie in
relatia de mai sus rezulta:
Rezultatele calculelor numerice ale adincimii jonctiuni in functie de grosimea

oxidului x0, bazate pe serile infinite, sunt date in figura din slideul urmator. Tar al
predifuziei galinini la 1100°C. Curbele au fost calculate pentru difenite valori presupuse
ale coeficientului de segregatie m. Este evident cã, independent de valoarea lui m,
pentru valoni mici ale lui xj, toate curbele se apropie de o relatie liniara.
Panta acestei linii drepte tinde asimptotic spre r. Forma relatiei experimentale, x j in
functie de x0 pentru valori relativ mari ale lui xj prin comparatie cu familia de curbe
teoretice, permite estimarea coeficieutului de segregatie m. Coeficienti de segregatie
estimati in acest mod din datele experimentale asupra predifuziei galiului si borului
printr-un strat de oxid sunt inclusi in tabelul anterior.
O marime importanta din punct de vedere tehnologic,
grosimea minima de oxid ceruta pentru a preveni
formarea unei jonctiuni in siliciu, grosimea de mascare,
se calculeaza usor din relatia anterioara punand xj = 0.
Comparaie intre calculele teoretice si rezultatele
experimentale pentru predifuzia galiulul la 1100°C
REDISTRIBUTIA IMPURITATILOR IN CRESTEREA EPITAXIALA

La creterea epitaxiala, stratul contine fie impuritati diferite fata de cele ale substratului,
fie aceleasi impuritati, dar in conceutratii diferite. De obicei este de dorit, ca gradienti de
concentraie a dopantior intre strat si substrat sa fie abrupta. Totusi, cresterea epitaxiala
se realizeaza la temperaturi inalte si deci difuzia impuritatilor va fi relativ rapida.
Deoarece difuzia tinde sa niveleze gradienii de concentraie la interfata dintre
stratul epitaxial si substrat, difuzia irnpuritatilor in timpul cresterii epitaxiale este de o
importanta practica evidenta.
Distributia de impuritati langa interfata strat epitaxial-substrat consta din doua
componente (figura urmatoare). Una a carei concentraie este notata prin C1 este data
de impuritatea care difuzeaza spre afara substratului; cealalta, a carei concentratie este
notata cu C2 este impuritatea dopanta exterioara, care este incorporata intentionat in
stratul crescut si care in timpul cresterii difuzeaza spre interiorul substratului. Distributia
totala a impuritatilor este determinata de suma acestor douà componente, daca sunt
impuritati de acelasi tip si de diferenta daca slut impuritati de tipuri opuse. In ultimul caz
se va forma o jonctiune pn la intersecia celor doua distributii de concentratii de impuritati
Problema de difuzie corepunzatoare impuritati substratului se rezolva pe baza conditile
initiale C1(x,0)=Csub si a conditiei la limita C1(- ,t)=Csub care arata ca distributia initiala in
substrat este o constanta, Csub corespunzatoare concentratiei de dopant in substrat si ca
distributia impuritatilor in interiorul substratului, departe de interfata, ramane
neperturbata in timpul cresterii epitaxiale.
A doua conditie la limita este data de:
unde h este coeficietul de transfer de masa in faza gazoasa in functie de concentratile in
solid iar V este viteza de cretere a stratului. Expresia este de fapt formularea conservarii
impuritatior la suprafata stratului care creste. Datorita importantei ei, in continuare se va
deduce aceasta conditie la limita.
Cantitatea totala de impuritati din substrat, pe unitatea de arie, continuta in interiorul
substratului semiconductor si a stratului este data de:
Viteza de descrestere in timp a lui Q(t) este data la

randul ei de:
unde s-a folosit regula lui Leibnitz de derivare

a integralelor. Ultima parte a relatiei este expresia
pentru scurgerea impuritatilor prin suprafata unui solid,
catre un mediu ambiant gazos, daca concentratia
Distribuia de impuritati Ia
impuritatilor in gaz este zero.
cresterea epitaxiala.
Mai departe, se observa ca tinand cont de ecuatia difuziei se obtine
Solutia acestei probleme este destul de complicata in special cand aceasta din
urma conditie la limita este specificata pentru o limita variabila. Pentru scopurile noastre,
aeeasta solutie se poate reprezenta ca:
care arata ca distributia de concentratie normata este o functie de distanta

normata, de un parametru al vitezei de scurgere si de un parametru al vitezei de
crestere. Pentru V = 0, solutia se reduce la cazul ex-difuziei cu viteza limitata extern
care a fost discutat mai inainte.
Mult mai important, solutia are o forma limita foarte simpla pentru cazul in care
Vt /sqrt(Dt) >> 1. In acest caz, solutia este data cu foarte buna aproximatie de:
independent de valoarea lui h.

Rezultatele calculelor bazate pe solutia cornpleta, pentru cazul ht /sqrt(Dt) >> 1 si pentru
diferite valori ale parametrului Vt /sqrt(Dt) sint artate In figura urmatoare.
Este evident ca distributia impuritatilor
aproximeaza forma simpla data (ecuatia anterioara pentru
valorile lui Vt/sqrt(Dt) > 5.
Deoarece grosimile tipice ale straturilor epitaxiale
sunt de ordinul 10 m, in timp ce valorile tipice ale lui
sqrt(Dt) pot fi de ordinul a mai putin de 1 m valorile tipice
ale parametrului de crestere Vt/sqrt(Dt) vor fi mai mari
decat 10 deci ,,infinit” mari pentru scopurile acestor calcule.
Ca urmare, solutia simpla data de expresia anterioara
reprezinta o foarte buna aproximatie pentru conditile
practice ale cresterii epitaxiale. (La aceeasi concluzie se
ajunge si pe baza calculelor efectuate pentru valori ale
parametrului vitezei de scurgere ht/sqrt(Dt) cuprinse intre
10-3 si 103.
Distributia impuritatilor Este usor sa se dea o interpretare acestei forme
care difuzeaza dinspre simple limita a solutiei exacte. Viteza cresterii stratului este
substrat atit de mare in raport cu viteza de difuzie dinspre substrat
incat in ceea ce priveste profilul de difuzie stratul creste
spre o grosime infinita, aproape instantaneu.
Astfel distributia de concentratie va fi apropiata do aceea care s-a obtinut in

problema difuziei intre doua spatii semiinfinite.
Difuzia impuritati de dopare externa este descrisa de solutia ecuatiei de difuzie initiala
C2(x, 0) = 0 si conditile la limita C2(- , t) = 0; C2(xj, t) = Cj .
Prima conditie Ia limita stabileste ca departe in interiorul substratului, concentratia
impuritati dopante externe dispare. A dona arata ca, concentratia impuritatii dopante
externe este o constanta Cf (la suprafaa stratului crescut Cf este determinat de
concentratia de impuritati in amestecul de gaz).
Solutia acetei probleme (destul de complicata) poate fi reprezentata ca:
Pentru Vt/sqrt(Dt) >> 1 si pentru distante x>>

2 sqrt(Dt) aceasta solutie poate fi aproximata simplu,
punand C2(x, 0) = Cf
Solutia combinata care descrie distributia
neta a impuritatilor in creterea epitaxiala, poate fi deci
obinuta din:
C(x,t) = C1(x, t) +/- C2(x, t)
unde semnul pozitiv este luat pentru
impuritati de acelasi tip si semnul negativ, pentru
irnpuritati de tip opus.
Masuratori experimentale extensive au
verificat solutia data mai sus.
Un exemplu de astfel de masuratori este
Distributia impuritatilor dupa
aratat in figura.
cresterea epitaxiala (stibiu,
20 minute Ia 1275°C)
In tratarea de mai sus s-a presupus ca distributia de impuritati in stratul
epitaxial este determinata numai de procesul de difuzie in solid.
Acesta este intr-adevar cazul, cu conditia sa se ia precautii pentru eliminarea
contarninarii atat de la reactor cit si de pe spatele substratului puternic dopat. S-a aratat
ca impuritatile de pe spatele substratului sunt purtate de curentul de gaz si incorporate
in stratul crescut epitaxial, rezultand o distribuie mult mai gradata a impuritatilor
substratului decit cea care ar fi fost data de difuzia in solid.
Acest fenomen este adesea denumit autodopare.
Structuri
Modulator optic obtinut pe placheta SOI (silicon on insulator)

Modulator optic mai vechi care exploateaza o dioda PIN polarizata direct in combinatie
cu o cavitate rezonanta. Pe o placheta SOI putem integra o cavitate rezonanta Fabry–
Perot cu rol de modulator optic in infrarosu (1.3 m).
Cavitatea poate fi dusa la rezonanta prin optimizarea grosimii straturilor.
Structuri
Fotodetector Metal–Semiconductor–Metal (MSM)
materialul semiconductor Ge pe Si
Ge amorf a fost utilizat pentru a creste inaltimea barierei contactelor Schottky.
Structuri
Fotodioda
materialul semiconductor Ge pe Si
Ge amorf a fost utilizat pentru a creste inaltimea barierei contactelor Schottky.
Photodiode with Fabry–Perot resonant cavity

Cursuri Teao

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cursuri Teao

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Curs 1

• Procese utilizate pentru microprelucrarea semiconductorilor

• Microprelucrarea de suprafata a siliciului si GaAs; tehnici de

• Microprelucrarea de volum a siliciului; tehnici de realizare a

• Microprelucrarea de volum a GaAs; tehnici de realizare a

• 1959 Richard Feynman - “There is a plenty of room at the bottom”;

• tehnologiile puse la punct pentru realizarea circuitelor integrate au

• Kurt Petersen (1982) - “Silicon as a micromechanical material”; tehnici

primele rezultate obtinute in domeniul microprelucrarii compusilor

anii 1980 - depuneri de straturi subtiri → corodarea selectiva pentru

anii 1990 - revolutie tehnologica: dezvoltarea de sisteme

•microprelucrarea de volum - sectiuni ale plachetei de siliciu sunt corodate

•microprelucrarea de suprafata, pe fata a plachetei sunt depuse si prelucrate in

•agentia americana DARPA (1999) - RF MEMS (structuri micro-electro-mecanice

• Procese utilizate pentru microprelucrarea semiconductorilor

• Microprelucrarea de suprafata a siliciului si GaAs; tehnici de

• Microprelucrarea de volum a siliciului; tehnici de realizare a

• Microprelucrarea de volum a GaAs; tehnici de realizare a

In acest capitol vor fi prezentate principale tipuri de procese utilizate

• depuneri de filme subtiri (PVD)

• depuneri de filme subtiri (CVD)

• depuneri prin ingrosare electrochimica

• metode de configurarea a straturilor subtiri

In cadrul acestui proces materialul utilizat pentru acoperire, care se

Faza gazoasa Faza gazoasa

Faza condensata Faza condensata

De asemenea, pot fi utilizate pentru imbunatatirea performantelor mecanice in

Variante ale procesului de depunere din stare de vapori:

Configuratii posibile pentru plaserea sursei de energie si a materialului.

Rata tipica de depunere – 1-20Å/secunda.

Prezentarea schematica a modului de desfasurare a procesului de evaporare a

Sistemul utilizat pentru realizarea de depuneri cu fascicul de electroni.

Tehnica de depunere prin sputtering poate fi descrisa ca o succesiune a urmatorilor pasi: 1.

Descrierea schematica a procesului

Sisteme utilizate pentru diferite depuneri prin sputtering.

Sputteringul reactiv este utilizat in general pentru depunerea de oxizi si nitruri.

In cursul proceselor de sputtering reactiv in functie de parametri procesului compusi

stress = trad = effort unitar; strain = trad = alungire relativa

Efortul unitar datorat

Cel mai adesea distingem 3 componente ale stresului:

Depunerea din vapori chimici (CVD)

Procesul de realizare a microstructurilor include de cele mai multe ori depunerea

CVD cu pereti incalziti CVD asistat cu plasma

Caracteristicile fizice ale vaporilor (tehnici mai putin utilizate in domeniul

ALCVD (depunerea de straturi atomice prin CVD) – depunere succesiva de straturi

MOCVD (metalorganic CVD) – in acest caz sunt utilizati precursori metalorganici;

Siliciul policristalin este obtinut prin descompunerea silanului:

Exista posibilitatea de dopare a straturilor depuse prin adaugarea de fosfina,

Si3N4 este de asemenea un strat des intalnit in fabricarea de structuri si dispozitive

Pentru obtinerea straturilor de Si3N4 se utilizeaza silanul sau diclorosilanul care

Nitrura de siliciu este depusa in general la temperaturi inalte (~1400°C) si pot sa

Prezentarea schematica a unei celule electrlitice.

In domeniul semiconductorilor procesul este utilizat pentru atingerea grosimii dorite

Pentru realizarea dispozitivelor dorite este necesara configurarea straturilor subtiri

In functie de facilitatea tehnologica in care sunt realizate structurile dorite este

Metodele uzuale de configurare sunt cele de corodare a straturilor, lift-off, ingrosare

Primele 3 metode mentionate sunt cele utilizate in general in facilitatile pentru

depunerea stratului de metal prin

corodarea stratului de metal

Dezavantaje ale acestui proces

Echipamentele sunt foarte costisitoare.

Acest proces este utilizat pe scara larga in fabricarea de circuite si dispozitive.

Realizare ingrosare electrochimica Indepartare fotorezist