EPITAXIA

I) Definitie:
Epitaxia este o etapa tehnologica ce consta in a creste un cristal peste alt cristal. Etimologic "epi" inseamna
"pe" iar "taxis" inseamna "aranjare". Aceasta tehnicava utiliza deci un substrat pe post de germene cristalin si
va face sa creasca un nou strat pe monocristalul de baza, prin aport de atomi din exterior. Noul strat obtinut
astfel poate fi dopat sau nedopat.
Vom vorbi despre:
- homoepitaxie, daca materialele sunt identice (exemplu : cresterea prin epitaxie a unui strat de
siliciu n- peste un strat de siliciu n+, implicata in jonctiunea colector-baza a unui tranzistor bipolar,
permitand cresterea capabilitatii in tensiune - figura 14);
- heteroepitaxie, daca materialele sunt diferite (exemplu : cresterea prin epitaxie a unui strat de
GaxAl1-xAs peste un strat de GaAs; acest ansamblu permite fabricarea de super-retele sau de straturi cu
mare mobilitate, destinate tranzistorilor HEMT - High Electron Mobility Transistor.
In acest ultim caz cresterea nu va fi posibila de cat daca exista compatibilitate intre retelele cristaline ale
celor doua materiale (aceeasi geometrie a retelei si distante intre atomi ce difera cu cel mult 1...2 % ).

Figura 14: exemplu de epitaxie n- pe un substrat de typ n+; se va spune ca substratul a fost epitaxiat.

II) Mecanisme fizice de baza:

Pentru a intelege cresterea epitaxiala, trebuie sa studiem mai intai posibilitatile de fixare in reteaua cristalina
a atomilor singulari ce ajung in proximitatea suprafetei. In primul rand trebuie ca atomii sa se poata deplasa
la nivelul suprafetei cristalului, pentru a gasi un sit cristalin liber. Pentru aceasta este trebuie sa li se transfere
energie, de obicei sub forma de caldura. In functie de puctul in care atomii ating suprafata, pot apare diferite
situatii inainte de formarea legaturilor chimice cu cristalul de baza. Trei mecanisme sunt preponderente:
- un atom ajunge pe suprafata, dar o paraseste imediat, legatura posibila in puctul respectiv fiind prea
slaba pentru a-l retine (cazul A),
- un atom cade intr-o "gaura" a retelei si stabileste imediat legaturi suficient de puternice pentru a ramane
definitiv fixat in retea (cazul B),
- un atom se agata de o "treapta" a retelei si, intr-o medie a cazurilor, se fixeaza in retea (cazul C).

Figura 15: Mecanismele elementare ale cresterii epitaxiale. Atomii care ajung in "gauri" sau "trepte" ale
retelei se fixeaza in retea.

Analiza acestor mecanisme (prezentate aici intr-o maniera simplificata) arata ca, in primul rand, se vor umple
"gaurile" retelei si ca procesul de crestere a cristalului se va face strat cu strat. Aceasta se intampla cu
conditia ca aportul de atomi din exterior sa fie bine dozat si ca acesti atomi sa aiba energie suficienta pentru a
se deplasa la suprafata cristalului, pentru a ajunge in puncte in care se pot "agata". Indeplinirea acestor
conditii va depinde de metoda experimentala utilizata.

III) Metodele experimentale:

Exista in principal trei tipuri de metode experimentale:
- epitaxia prin jet mplecular - MBE (Molecular Beam Epitaxy),
- epitaxia in faza lichida - LPE (Liquid Phase Epitaxy),
- epitaxia in faza de vapori - VPE (Vapor Phase Epitaxy).
Exista utilaje specifice pentru fiecare din aceste tehnici.

Epitaxia prin jet molecular (MBE)

Aceasta tehnica consta in a proiecta molecule la suprafata substratului. Procesul are loc in vid inaintat, pentru
a preveni orice ciocnire sau contaminare pe parcurs. Principiul sursei de atomi este cel al evaporarii in vid
prin incalzire (celula Knudsen). Sursele de vapori pot fi de naturi sau cu dopaje diferite. Pentru fiecare
element evaporat trebuie adaptata puterea sursei de caldura a celulei, dar si a port-substratului. Prin reglajul
celulelor de vaporizare se creeaza un jet de molecule in directia substratului; se pot realiza astfel, strat cu
strat, structuri foarte complexe cum ar fi super-retele, diode laser, tranzistori HEMT. Se obtine astfel o foarte
mare precizie a cresterii epitaxiale, putandu-se realiza jonctiuni foarte abrupte, dar procesul este foarte lent si
nu poate fi aplicat de cat unui singur substrat de fiecare data. Viteza de crestere este de ordinul a 1 nm/minut.
Tehnica aceasta este deci foarte costisitoare si nu se aplica de cat pentru realizarea de dispozitive cu valoare
adaugata mare.
Acest sistem cu vid foarte avansat, 10-10 Torr, permite reglarea si masurarea parametrilor in-situ (in timpul
procesului), principalele metode de masurare necesitand vid inaintat : difractia de electroni, spectroscopia
Auger, ESCA (XPS sau UPS), difractia razelor X, etc... Poate fi verificata astfel continuu calitatea retelei
cristaline in formare, in timpul cresterii epitaxiale.

Figura 16: Incinta de epitaxie prin jet molecular - MBE (Molecular Beam Epitaxy) (dupa D.V Morgan et K.
Board [3]).

Epitaxia in faza lichida (LPE)

Aceasta tehnica consta in a face sa creasca cristalul prin punerea in contact a suprafetei cu o sursa lichida de
atomi. Este acelasi principiu ca in cazul tragerii lingourilor prin metoda Czochralski. Se cer controlate foarte
bine schimburile de caldura in timpul procesului, pentru a evita lichefierea cristalului de baza. Metoda
prezinta avantajul de a fi foarte rapida, viteza de crestere putand ajunge la ordinul unui micron pe minut dar,
bineinteles, nu are precizia metodei MBE.
 Figura 17: Dispozitiv cu bai multiple pentru epitaxie in faza lichida. Baile pot contine material de baza sau
dopanti diferiti, pentru a realiza heteroepitahie (spre exemplu pentru realizarea unui hetereotranzistor
bipolar).
Epitaxia in faza de vapori (VPE)
Acest procedeu consta in a creste cristalul prin aport de atomi continuti intr-un gaz. In reactor gazul se
disociaza, furnizand atomi (de siliciu spre exemplu), carese depun pe suprafata plachetelor. Acestea din urma
sunt incalzite, pentru a asigura conditii bune de crestere. Vom vedea in continuare ca, in functie de
temperatura, reactiile ce se produc pot fi foarte diferite, putind conduce la efecte negative in unele cazuri.
Totodata se cere controlat echilibrul chimic prin injectia de gaz rezultat din descompunerea sursei de atomi.
Vom da in continuare mai multe detalii asupra acestor reactii diverse.

Figura 18: Banc pentru epitaxie in faza de vapori (VPE). Gazele injectate contin in general
triclorosilan, acid clorhidric si hidrogen.

Procedee de epitaxie a siliciului, in faza de vapori

Exista diverse tipuri de procedee pentru epitaxia siliciului, in functie de sursa de siliciu folosita, aceasta
putand fi: SiCl4, SiHCl3, SiH2Cl2 sau SiH4.
1) daca se foloseste ca sursa SiCl4, reactia este:
SiCl4gaz + 2H2gaz Si solid + 4HCl gaz
Reactia se efectueaza in general la aproximativ 1250°C, ceea ce antreneaza o redistribuire importanta a
dopantilor in timpul epitaxiei.

2) folosind triclorosilan, SiHCl3, reactia este :

SiHCl3gaz + H2gaz Si solid + 3HCl gaz
Se efectueaza la aproximativ 1100 °C ; este metoda industriala actualmente cea mai utilizata.

3) pornind de la piroliza diclurosilanului, SiH2Cl2 , reactia este :

SiH2Cl2gaz Si solid + 2HCl gaz
Aceasta reactie permite obtinerea unei bune calitati a cristalului, la o viteza de crestere relativ ridicata.
In ansamblu, cele trei metode prezentate mai sus au inconvenientul de a genera acid clorhidric, care poate
ataca siliciul in curs de crestere. Pe de alta parte prezinta avantajul ca, prin reglarea presiunii partiale a
acestui produs, se poate controla viteza de crestere.
4) folosind silanul, SiH4 :
Piroliza silanului este o reactie ireversibila:
SiH4gaz -> Si solid + 2H2 gaz
Reactia se produce la 1000°C, fara a rezulta compusi clorati. Aceasta tehnica permite realizarea de jonctiuni
abrupte, intrucat temperatura de lucru nu este foarte ridicata, deci difuzia dopantilor in timpul cresterii
epitaxiale e mult diminuata. Pe de alta parte silanul este un produs scump si periculos (se aprinde instantaneu
in contact cu aerul), iar viteza de crestere realizata este mica.