LOGISTICA PRODUCIEI DE PLCUE DE SILICIU PENTRU

CIRCUITE INTEGRATE

I. Procedee tehnologice: etape i filiere

Pentru fabricarea unui circuit integrat tehnologia microelectronic pune n aplicare un
numar important de etape tehnologice elementare. Etapele pe care le vom studia n acest
curs fac posibil evoluia materiei din starea sa natural dezordonat (nisip) ctre o structur
de mare complexitate i ordonat pn la limita posibilului. Principalele etape ce vor fi
abordate n cele ce urmeaz sunt:
* purificarea siliciului,
* fabricarea cristalului de siliciu,
* fabricarea plachetelor de siliciu,

Figura 1: Profesiile legate de semiconductori prezentate pornind de la o sinoptic simplificat a unui ciclu de
fabricaie.Tehnologia microelectronic este plasat n centrul unui mare numr de activiti diverse.

* epitaxia,
* procedeele de dopare: difuzie i implantare de dopant,
1

* oxidarea: aceast etap reprezint o specificitate a materialului Siliciu,

* depunerile: - depunerea de materiale semiconductoare,
- depunerea de materiale izolante,
- depunerea de materiale conductoare,
* gravarea :

- gravarea chimic (umed),

- gravarea uscat,

* fotolitogravura.
Vom numi "filiera tehnologic" un ansamblu de etape ai caror parametri i a cror
succesiune au fost stabilite de un fabricant i pe care acesta le va aplica pentru a fabrica
componente de mai multe tipuri. Acest demers este impus de complexitatea mare a unui
procedeu de fabricaie complet (care poate s conin peste 400 de etape elementare).
Ciclul complet de fabricaie poate fi schematizat dup cum se arat n figura 2.
Pornind de la materia prim (siliciu pur) se fabric un lingou, iar apoi plachete care sunt
supuse unui numr mare de etape tehnologice elementare. Aceste etape se aplic uneori
repetat, fluxul tehnologic formnd cicluri (bucle). Spre exemplu etapa de fotolitografie, care
const n a transfera un motiv distinct de pe o masc pe plachet, poate interveni de un
numr mare de ori n cursul fabricaiei unui anumit circuit integrat. n tehnologiile recente pot
interveni pn la 15 fotolitografii pe parcursul fabricrii unui circuit.

Figura 2: Ciclul de fabricaie simplificat al unui circuit integrat.

Cnd ciclul de fabricaie (constnd n parcurgerea unui numr de etape, uneori n mod
repetat) este ncheiat, plachetele sunt testate i apoi decupate. Decuparea, realizat dup
direcia axelor cristalografice, permite obinerea cipurilor (structuri semiconductoare avnd
forma de mici dreptunghiuri). De notat c, prin controlul proceselor i ameliorarea
randamentelor de fabricaie, cipurile au evoluat de la dimensiunea de 1 mm 2 n 1970 la civa
cm2 n 1995.
Cipurile sunt apoi ncapsulate (n capsule normalizate de circuit integrat), care vor fi la
rndul lor montate pe circuite imprimate.
n unele cazuri se monteaz mai multe cipuri n aceeai capsul i se interconecteaz
prin trasee interne. Se limiteaz astfel numrul interconexiunilor externe. Acestea sunt numite
circuite hibride i pot avea mai multe sute de pini pentru conexiuni spre exterior. Circuitele
sunt apoi montate direct pe plci imprimate sau n conectori speciali (socluri).

II. Purificarea siliciului

II.1. Sursele de siliciu
Siliciul exist n cantitate mare la suprafaa globului terestru. Este al doilea material ca
rspndire n scoara terestr:
O2 (46%),

Si (28%),

Al (8%).

Temperatura sa de topire este de 1415C, adic destul de ridicat, iar afinitatea sa

chimic este puternic la temperaturi mari. Sursele naturale de Si sunt n principal silicaii
(nisip, etc...), dar i zirconul, jadul, mica, quartz-ul, deci diverse materiale continand n esen
SiO2 (silice). Siliciul exist esenialmente sub form oxidat i necesit pe de o parte s fie
redus, iar pe de alt parte s fie purificat pn la stadiul numit "de calitate electronic" sau
EGS (Electronic Grade Silicon). Dificultatea n obinerea siliciului const n aceea c silicea
nu poate fi redus simplu, folosind hidrogen, i deci trebuie gsit o tehnic adaptat de
reducere (cu carbon, la temperatur nalt).

II.2. Puritatea chimic cerut

Calitatea electronic sau microelectronic este n fapt greu de obinut i necesit
aplicarea succesiv a unui numr mare de etape de purificare. S ne amintim c ntreaga
teorie a dispozitivelor semiconductoare este construit n ipoteza unui cristal perfect sau
3

cvasi-perfect. Noiunea de dopaj ine cont de faptul c se poate controla concentraia atomilor
dopani la nivelul de 1014 cm-3. Chiar dac acest numr poate s par mare, el este de fapt
extrem de mic n raport cu numrul de atomi pe unitatea de volum din reeaua cristalin. n
cazul siliciului, cristalul conine 5.10 22 atomi pe cm3. Aceasta nseamn c puritatea chimic
cerut trebuie s fie mai bun de 10-9, adic de o parte la miliard (sau 0,001 ppm).
Demersul va consta deci n a obine, ntr-o prim etap, siliciu de calitate numit
"metalurgic" sau MGS (Metallurgic Grade Silicon), iar apoi n a purifica materialul pn la
stadiul de puritate "electronic" sau EGS (Electronic Grade Silicon).

II.3. Reducerea silicei

ntr-o prim etap se efectueaz electroliza silicei topite ntr-un cuptor cu arc electric.
Se folosete cuptorul cu arc pentru a putea atinge temperatura nalt de topire a silicei. SiO 2
este amestecat cu carbon (crbune).
Electrodul cuptorului cu arc este din grafit i se consum n timpul procesului (figura 3).
Bilanul global al reaciei de reducere este urmtorul (n realitate rezultatul se obine n urma
unui numr mare de reacii chimice intermediare):
SiC(lichid) + SiO2 (lichid) ---> Si (lichid) + SiO (gaz) + CO (gaz)

Figura 3: Electroliza silicei permind obinerea siliciului topit de calitate metalurgic

Dup aceast operaie siliciul obinut are puritatea de 98%. Puritatea trebuie deci
mrit n continuare cu multe ordine de mrime, pn la a obine un material utilizabil n
microelectronic.

II.4. Fabricarea plachetelor

Fabricarea plachetelor pornind de la siliciul purificat necesit parcurgerea unui numr
mare de etape. n primul rnd se cere realizat un monocristal, n form de lingou, care va fi
decupat apoi n discuri subiri ce vor reprezenta plachetele.
a) polisiliciu ct mai pur posibil:
Siliciul purificat este folosit pentru a forma arjele cu care se ncarc reactorul de
cretere a monocristalului. Problema o constituie puritatea chimic a materialului care, n
ciuda valorii sale ridicate, este nc slab n raport cu gradul de dopare uzual.
Acest cristal de siliciu comport 5.10 22 atomi pe cm3. La o puritate de 0,999999 (dificil
de atins) dopajul neintenionat echivalent poate fi de 5.10 16 cm-3.
b) pregtirea arjei ce va fi topit i transformat n lingou:
n aceast arj se pot introduce elemente dopante, dac se dorete obinerea de
plachete (substraturi) dopate. Se adaug n acest caz dopant n proporie calculat n raport
cu arja.
c) tragerea i creterea cristalului:
arja, introdus ntr-un creuzet din grafit, este topit. Pornind de la un germene de
cretere, se efectueaz tragerea progresiv a lingoului, asigurnd condiii de proces foarte
precise (temperatura creuzetului cu arja topit, a incintei, gradientul de temperatur,
transferul de cldur, viteza de tragere a germenului, etc...). n funcie de viteza de tragere se
obin lingouri de diverse diametre.
1964 : 25 mm
1969 : 50 mm
1974 : 75 mm
1978 : 100 mm
1982 : 125 mm
1985 : 150 mm
1990 : 200 mm
1998 : 300 mm
5

Figura 4: Evoluia dimensiunilor substraturilor (plachetelor) din siliciu, de la nceputurile epocii circuitelor
integrate

Figura 5 : Tragerea unui lingou prin tehnica Czochralski. Diametrul lingoului este determinat de
parametri fizici n timpul tragerii.

O alt tehnic poate fi folosit pentru realizarea lingourilor de mari dimensiuni. Ea

pornete de la un lingou de siliciu policristalin obinut n reactorul de reducere a
triclorosilanului. Creterea cristalului se obine pornind de la un germene fixat la extremitatea
lingoului, prin deplasarea unei zone topite (figura 6). Aceast zon este nclzit pn la
limita fuziunii siliciului de ctre o bobin parcurs de curent de nalta frecven, care induce n
lingou cureni turbionari (Foucault).

Figura 6: Cristalizarea lingoului i purificarea prin metoda fuziunii zonale.

Aceast metod este folosit totodat i pentru purificarea lingoului; se exploateaz n

fapt fenomenul de difuzie a impuritilor ntr-un solid, la temperatur nalt. n acest caz se
pot monta pn la trei bobine parcurse de cureni de IF n jurul lingoului. Este un mijloc de
obinere a lingourilor cu dopaj rezidual slab, necesare n special la fabricarea de componente
electronice de putere (realizarea de zone cvasi-intrinseci, care permit creterea capabilitii
n tensiune).
n fine, o a treia tehnic poate fi folosit pentru tragerea de lingouri. n cazul
componentelor semiconductoare III-V lingoul se poate realiza ntr-un bac paralelipipedic.
Cristalizarea se efectueaz progresiv, pornind de la una din extremiti; aceasta este metoda
numit "Bridgman".

Figura 7: Tragerea unui lingou prin metoda Brigman.

d) tierea capetelor lingoului:

Operaia const n eliminarea extremitilor lingoului, care sunt fie imperfect
cristalizate, fie bogate n impuriti (n special dac s-a folosit tehnica fuziunii zonale).

e) controlul rezistivitii la extremitile lingoului:

Datorit variaiei concentraiei de impuriti n timpul tragerii, rezistivitatea final
variaz de-a lungul lingoului. Se impune o verificare a acestui parametru n raport cu
7

specificaiile tehnologice (gama de variaie). Tehnica de msurare folosit este de tipul "cu
patru vrfuri".
f) determinarea reperelor cristalografice ale lingoului printr-o metod de difracie a
razelor X i marcarea lingoului.
Este necesar s se cunoasc orientrile cristalografice, pentru a putea decupa
materialul de-a lungul axelor cristalografice, la sfritul procesului de fabricaie. Dup
reperarea planurilor cristalografice se creeaz o teitur care va servi ca referin (va indica
axa 100 spre exemplu).

g) polizajul cilindric:
n cursul tragerii diametrul lingoului variaz uor, suprafaa fiind ondulat. Pentru a
obine plachete de acelai diametru este necesar o polizare cilindric.
h) polizarea unei teituri de referin cristalografic i geometric:
Acest reper va folosi ca referin n cursul procedeului de fabricaie (orientarea zonelor
de conducie n raport cu axele cristalului, reperarea motivelor n cursul fotolitografiei,
decuparea cipurilor dup axele cristalografice). De altfel se vor realiza suplimentar i alte
repere, n funcie de tipul de dopaj al substratului i de orientarea sa cristalografic. De notat
c la plachetele de 200 mm nu subzist dect un reper cristalografic n form de cresttur;
natura substratului este indicat prin inscriptionare (realizat cu laser).

Figura 8: Tesituri de identificare a plachetelor. Se pot distinge usor tipurile de dopaj n si p si orientarile
cristalografice.

i) decuparea plachetelor :
Decuparea se face cu ajutorul unui fierstru diamantat avnd grosimea de
aproximativ 400 m.
-fierstru: aproximativ 400 m grosime
-plachet: aproximativ 400 m ... 600 m brut, dup tiere

Lund n considerare i eliminarea capetelor de lingou i polizarea, se elimin n total

50% - 60% din lingou. n practic, plachetele cu diametre superioare la 150 mm au cel puin
500 m grosime, pentru a reduce fragilitatea mecanic n cursul etapelor tehnologice.
Aceast grosime este redus nainte de decuparea cipurilor la 250 - 300 m (etapa de
subiere), pentru a facilita schimburile termice (i electrice) cu suportul cipului.
j) tratament termic:
Operaia de tiere creeaz tensiuni mecanice n cristal. Se cere relaxarea cristalului
printr-o cretere lent a temperaturii pn la 600...700C (recoacere). La aceast temperatur
atomii au suficient energie proprie pentru a se reaeza n siturile cristaline.
Acest tratament termic prezint totodat avantajul de a diminua efectul atomilor de
oxigen (de tip donor) i de a stabiliza rezistivitatea.
k) polizarea marginilor (debavurarea):

Dup tiere, pe marginile plachetelor rmn bavuri ce se cer eliminate. De altfel se

realizeaz n acelai timp i o rotunjire a muchiilor, pentru a uura manipularea plachetelor n
cursul procesului de fabricaie. Prin aceasta se evit degradarea dispozitivelor de prindere i
se suprim amorsele de fisuri.
l) trierea plachetelor n funcie de grosime:
Dup decupare grosimile plachetelor pot fi sensibil diferite. Pentru reducerea timpului
de polizare plachetele se triaz n game de grosime ce difer prin 100 m, spre exemplu.
m) acoperirea plachetelor cu o suspensie de alumin i polizarea:
Pentru a ameliora starea suprafeelor, plachetele sunt polizate cu ajutorul unei mixturi
coninnd granule de alumin de dimensiuni micronice.
n) curirea:
Aceasta etap const n a elimina produsele abrazive i substanele contaminante,
prin spalare cu solveni i ap deionizat.
o) atacul chimic al plachetelor:
n cursul diverselor etape precedente se formeaz la suprafaa plachetelor un strat de
oxid nativ coninnd impuriti. Acestea sunt sau metale i pot fi eliminate cu soluii acide, sau
substane organice ce pot fi eliminate folosind soluii bazice:
- soluii acide: HNO3, CH3COOH,
- soluii bazice: KOH. Nu se folosete sod (NaOH) pentru ca natriul este un poluant
violent al oxizilor, n particular pentru oxidul de gril al tranzistorilor MOS.
n final oxidul nativ este atacat cu o soluie de acid fluorhidric (HF). Se obine astfel o
suprafa chimic neutr, naintea polizrii "oglind".
p) deteriorarea feei inferioare:
Partea util a plachetei (n care se vor creea componentele electronice) se gsete
foarte aproape de suprafaa superioar. Se dorete realizarea unei caliti maxime a
materialului n acest zon, att sub aspectul gradului de puritate (atomi strini) ct i al
defectelor cristalografice (macle, dislocri, etc...). n acest scop se creeaz intenionat defecte
pe faa inferioar, prin sablaj sau bombardament laser, ceea ce produce o cretere a
rugozitii i genereaz defecte locale. Aplicnd ulterior un tratament termic, impuritile de pe
faa activ a plachetei vor migra prin substrat spre faa inferioar i vor fi captate de defectele
create aici, acestea oferind stri energetice favorabile fixrii atomilor.

10

Figura 9: Se creeaz intenionat defecte pe faa inferioar. Aceasta i pierde aspectul de "oglind". Operaia
permite ameliorarea calitii n zona util, aflat n proximitatea feei superioare.

q) triere n funcie de grosime:

Prin operaia precedent se modific grosimile plachetelor. Se face o nou triere n
game de grosime.
r) pregtirea pentru polizarea final a feei active:
Plachetele se monteaz n aparatul de polizat.

Figura 10: Plachetele se monteaza n aparatul de polizat. Acesta conine suporturi rotative n form de disc
(satelii), pentru a realiza o polizare ct mai uniform a plachetelor.

s) eliminarea excesului de grosime:

Se elimin aproximativ 25 m.
t) polizajul final "oglind" :
Acest polizaj poate fi mecanic sau mecano-chimic. Se cer eliminate zgrieturile, i
micile umflturi. Operaia se efectueaz cu o main identic cu cea din figura10, dar cu
discuri abrazive mai puin agresive i folosind o soluie abraziv coninnd granule foarte mici.
u) demontare, curire, triere:
11

Aceste ultime operaii sunt:

- demontarea plachetelor de pe suporturile de polizare,
- curirea final,
- trierea final n functie de grosimi.
v) testarea rezistivitii plachetelor, triajul final n funcie de rezistivitate:
Formarea loturilor ce urmeaz s se livreze clienilor se face printr-un triaj n funcie de
rezistivitate.
w) reperarea - marcarea:
Se marchaz lotul, lingoul, data cu ajutorul unui fascicul laser. Aceast reperare face
posibil urmrirea plachetei de-a lungul ntregii linii de fabricaie.

x) curarea final, n camera alb:

Pentru a demara ansamblul etapelor ce formeaz procedeul de fabricaie a circuitelor
integrate, plachetele trebuie s fie perfect curate (fr grsime, fr particule de praf, etc...).
O curare final este necesar.
y) inspecia vizual:
Omul este la ora actual cel mai bun inspector. El poate detecta vizual i n scurt timp
variaiile de culoare, zgrieturile, particulele de praf cu dimensiuni mai mici de un micron. Un
sistem automat de control cu baleiaj optic al ntregii suprafee a plachetei nu ar fi nc
suficient de performant. S considerm spre exemplu o suprafa de controlat avnd
dimensiunile de 10 cm x 10 cm. Suprafaa ar trebui baleiat punct cu punct, punctul de
msur fiind de 0,05 m x 0,05 m. Un astfel de punct necesit cel puin 1 s pentru a fi
analizat. n acest caz timpul total de control pentru suprafaa considerat ar fi:

Este un timp enorm i deci nerealist. De fapt ochiul uman este mult mai performant
pentru ca trateaz informaia n mod paralel, graie milioanelor de celule de pe retin!
12

z) testul de planeitate:
Planeitatea este foarte important pentru litografie. Exist n prezent maini pentru
testarea planeitii bazate pe msuri optice (devierea unui fascicul laser).
Dup parcurgerea ansamblului acestor etape placheta este pregatit pentru a suferi
etapele de fabricaie a circuitelor integrate (sau a componentelor electronice discrete).

III. Epitaxia
III.1. Definiie:
Epitaxia este o etap tehnologic ce const n a crete un cristal peste alt cristal.
Aceast tehnic va utiliza deci un substrat pe post de germene cristalin i va face s creasc
un nou strat pe monocristalul de baz, prin aport de atomi din exterior. Noul strat obinut astfel
poate fi dopat sau nedopat.
Vom vorbi despre:
- homoepitaxie, dac materialele sunt identice (exemplu: creterea prin epitaxie a
unui strat de siliciu n- peste un strat de siliciu n+, implicat n jonctiunea colector baz a unui
tranzistor bipolar, permind creterea capabilitii n tensiune - figura 11);
- heteroepitaxie, dac materialele sunt diferite.
n acest ultim caz creterea nu va fi posibil dect dac exist compatibilitate ntre
reelele cristaline ale celor dou materiale (aceeai geometrie a reelei i distane ntre atomi
ce difer cu cel mult 1...2 %).

Figura 11: exemplu de epitaxie n- pe un substrat de tip n+; se va spune ca substratul a fost epitaxiat.

III.2. Mecanisme fizice de baz:

Trebuie studiate posibilitile de fixare n reeaua cristalin a atomilor singulari ce ajung
n proximitatea suprafeei. Atomii trebuie s se poat deplasa la nivelul suprafeei
13

cristalului, pentru a gsi un sit cristalin liber. Pentru aceasta trebuie s li se transfere energie.
n funcie de punctul n care atomii ating suprafaa, pot apare diferite situaii nainte de
formarea legturilor chimice cu cristalul de baz. Trei mecanisme sunt preponderente:
- un atom ajunge pe suprafa, dar o prsete imediat, legtura posibil n punctul
respectiv fiind prea slab pentru a-l reine (cazul A),
- un atom cade ntr-o "gaura" a reelei i stabilete imediat legturi suficient de
puternice pentru a rmne definitiv fixat n reea (cazul B),
- un atom se aga de o "treapt" a reelei i, ntr-o medie a cazurilor, se fixeaz n
reea (cazul C).

Figura 12: Mecanismele elementare ale creterii epitaxiale.

Atomii care ajung n "guri" sau "trepte" ale reelei se fixeaz n reea.

Analiza acestor mecanisme (prezentate aici ntr-o manier simplificat) arat c, n

primul rnd, se vor umple "gurile" reelei i ca procesul de cretere a cristalului se va face
strat cu strat. Aceasta se ntmpl cu condiia ca aportul de atomi din exterior s fie bine
dozat i c aceti atomi s aib energie suficient pentru a se deplasa la suprafaa cristalului,
pentru a ajunge n puncte n care se pot "aga". ndeplinirea acestor condiii va depinde de
metoda utilizat.

III.3. Metodele practice:

Exist n principal trei tipuri de metode practice:
- epitaxia prin jet molecular - MBE (Molecular Beam Epitaxy),
- epitaxia n faz lichid - LPE (Liquid Phase Epitaxy),
- epitaxia n faz de vapori - VPE (Vapor Phase Epitaxy).
Exist utilaje specifice pentru fiecare din aceste tehnici.
a) Epitaxia prin jet molecular (MBE)
14

Aceast tehnic const n a proiecta molecule la suprafaa substratului. Procesul are

loc n vid naintat, pentru a preveni orice ciocnire sau contaminare pe parcurs. Sursele de
vapori pot fi de natur sau cu dopaje diferite. Pentru fiecare element evaporat trebuie
adaptat puterea sursei de caldur a celulei, dar i a port-substratului. Prin reglajul celulelor
de vaporizare se creeaz un jet de molecule n direcia substratului; se pot realiza astfel, strat
cu strat, structuri foarte complexe cum ar fi super-reele, diode laser, tranzistori HEMT. Se
obine astfel o foarte mare precizie a creterii epitaxiale, putndu-se realiza jonciuni foarte
abrupte, dar procesul este foarte lent i nu poate fi aplicat dect unui singur substrat de
fiecare dat. Viteza de cretere este de ordinul a 1 nm/minut. Tehnica aceasta este foarte
costisitoare i nu se aplic dect pentru realizarea de dispozitive cu valoare adaugat mare.

Figura 13: Incinta de epitaxie prin jet molecular MBE

b) Epitaxia n faza lichida (LPE)

Aceast tehnic const n a face s creasc cristalul prin punerea n contact a
suprafeei cu o surs lichid de atomi. Se cer controlate foarte bine schimburile de cldur n
timpul procesului, pentru a evita lichefierea cristalului de baz. Metoda prezint avantajul de a
fi foarte rapid, viteza de cretere putnd ajunge la ordinul unui micron pe minut dar,
bineineles, nu are precizia metodei MBE.

15

Figura 14: Dispozitiv cu bi multiple pentru epitaxie n faz lichid. Bile pot conine material de baz sau
dopani diferii, pentru a realiza heteroepitaxie (spre exemplu pentru realizarea unui hetereotranzistor bipolar).

c) Epitaxia n faza de vapori (VPE)

Acest procedeu const n a crete cristalul prin aport de atomi coninui ntr-un gaz. n
reactor gazul se disociaz, furniznd atomi (de siliciu spre exemplu), care se depun pe
suprafaa plachetelor. Acestea din urm sunt nclzite, pentru a asigura condiii bune de
cretere. Vom vedea n continuare c, n funcie de temperatur, reaciile ce se produc pot fi
foarte diferite, putnd conduce la efecte negative n unele cazuri. Totodat se cere controlat
echilibrul chimic prin injecia de gaz rezultat din descompunerea sursei de atomi.

Figura 15: Banc pentru epitaxie in faza de vapori (VPE).

IV. Difuzia
IV.1. Fenomenul difuziei:
Difuzia este un fenomen foarte des ntlnit n natur. El corespunde tendinei de
dispersie (mprtiere) a substanelor, particulelor, atomilor sau moleculelor, sub aciunea
unei energii de excitaie, furnizat sub form de cldur. Aceast dispersie va fi mai mult sau

16

mai puin important, n funcie de caracteristicile mediului n care se afl substanele

respective.
La temperatura ambiant fenomenul de difuzie este foarte accentuat n mediu gazos,
mai puin accentuat n mediu lichid i practic inexistent n mediu solid. Pentru a obine o
difuzie sensibil n medii solide, respectiv n cristale, va trebui ca materialul sa fie nclzit la
temperaturi apropiate de 1000C.
n cele ce urmeaz ne vom ocupa cu prioritate de mecanismele difuziei n medii solide,
fr a uita ns de difuzia n lichide i gaze.
Pentru a nelege mai bine aspectele macroscopice ale difuziei, va trebui s ne formm
o imagine asupra fenomenelor i mecanismelor ce au loc la scar atomic.

IV.2. Procedee tehnologice pentru realizarea difuziei

Procedeele pentru realizarea difuziei depind de natura surselor de dopant. Exist trei
mari tipuri de surse care permit furnizarea elementelor dopante ce urmeaz s penetreze n
substrat: surse gazoase, lichide sau solide.

Figura 16: Realizarea difuziei intr-un cuptor, pornind de la surse gazoase. Gazele dopante sunt antrenate de un
gaz purtator neutru (ex.: azot)

Sursele sunt gaze coninnd elemente dopante, ca spre exemplu arsina (AsH 3), fosfina
(PH3) sau diboranul (B2H6) - figura 16. De notat c prin cuptor circul n permanen un gaz
neutru (azot) pentru a evita orice poluare cu elemente provenind din atmosfera ambiant.
Azotul trebuie s fie la rndul lui foarte pur, pentru a nu polua cuptorul.

17

Figura 17: Difuzia folosind surse lichide.

Chiar dac a priori aceste gaze sunt uor de obinut, ele sunt foarte periculoase,
concentraia letal pentru om fiind de cteva ppm (pri pe milion). Din acest motiv se prefer
folosirea surselor lichide de dopant, cum ar fi POCl 3 sau BBr3, substane care sunt n forma
lichid la temperatura ambiant, dar care se evapor uor pentru a fi introduse n cuptorul de
difuzie (figura 17).
Pot fi folosite i surse solide. Acestea sunt materiale de tipul sticlei, coninnd
substane dopante ca nitrura de bor sau sticla dopat cu fosfor. Aceste surse se prezint sub
form de plachete (discuri) i sunt introduse n cuptor printre plachetele de siliciu ce urmeaz
a fi dopate (figura 18). Sticla dopat se evapor i se depune pe plachete. Se retrag apoi
sursele solide.

Figura 18: Procedeu de dopare pornind de la surse solide.

18

V. Implantarea ionic
V.1. Introducere:
Operaia const n a acelera atomi ionizai pn la energii suficient de mari pentru a
putea ptrunde n stratul superficial al plachetei. Operaia este folosit cu precdere pentru
doparea semiconductorilor n timpul fabricrii dispozitivelor electronice. Atomii dopani sunt de
obicei: B, P, As, In, etc...
Pentru accelerarea atomilor ionizai se folosesc energii de la 3 keV la 500 keV. n
funcie de natura materialului n care se face implantarea, de natura ionilor dopani i de
energia de accelerare, adncimea medie de ptrundere poate fi cuprins ntre 100 i 1 m.

V.2. Instalaia de implantare ionic:

Instalaia este n fapt un accelerator de ioni. Prile componente principale, vizibile n
figura 19, realizeaz funciile urmtoare :
- generarea de ioni pornind de la o surs solid, lichid sau gazoas, ntr-o plasm
excitat la 25 kV,
- selectarea ionilor utili, prin separare n cmp magnetic (triaj n funcie de raportul
mas/sarcin),
- accelerarea ionilor pn la energia de implantare dorit,
- focalizarea fasciculului de ioni, printr-un sistem de lentile electrostatice,
- realizarea baleiajului dupa axele x si y, pentru a implanta uniform placheta,
- devierea fasciculului cu un mic unghi, pentru eliminarea ionilor neutralizai pe parcurs,
- bombardarea cu ioni a suprafeei plachetei, n camera de implantare.

Figura 19: Schema unei instalaii de implantare ionic cu energie de accelerare maxim de 200 keV.

19

V.3. Msurarea dozei implantate:

Doza se exprim n numr de ioni incideni pe unitatea de suprafa. Msurarea este
posibil ntruct fluxul de ioni corespunde unui curent electric. Msurnd i integrnd n
funcie de timp valoarea curentului ce traverseaz o suprafa bine definit, pe ntreaga
durat a procesului, se obine sarcina electric total ce a traversat suprafaa. De aici poate
fi calculat cu precizie numrul de ioni incideni i apoi doza implantat (figura 20).

Figura 20: Msurarea dozei prin integrarea curentului de ioni ce traverseaz o suprafa etalonat

V.4. Profilul concentraiei de dopant:

Ionii incideni i pierd progresiv energia, n urma ciocnirilor succesive cu atomii din
reeaua cristalin. Aceasta explic, pe de o parte, limitarea n profunzime a implantrii i, pe
de alt parte, dispersia traiectoriilor urmate de ioni. Se definete statistic o adncime medie
de penetrare. Statistica ce convine suficient de bine n acest caz este cea gaussian. Se
definesc doi parametri:
-adncimea medie de penetrare (range - n engleza): RP,
-abaterea (devierea) medie lateral (msurat perpendicular pe direcia de implantare)
nainte de implantare

Dup implantatare

Figura 21: Evoluia unui ion n interiorul cristalului.

20

VI. Oxidarea
VI.1. Importana oxidrii siliciului:
Oxidarea este o etap tehnologic de mare importan n realizarea circuitelor
integrate pe siliciu. Graie proprietii sale de a forma uor un oxid stabil i aderent, siliciul,
care nu este a priori un foarte bun semiconductor, a devenit materialul cel mai utilizat n
microelectronic.
Vom ntlni operaia de oxidare pe tot parcursul unui proces modern de fabricare a
circuitelor integrate. Este deci primordial s tim cum se realizeaz un oxid de bun calitate.
Oxidul poate servi:
- ca masc pentru implantare sau difuzie de dopant,
- ca strat pasivizant (de protecie) la suprafaa siliciului,
- ca zon de izolare electric ntre diferitele componente ale unei structuri integrate,
- ca i strat activ n cazul tranzistorilor MOS (oxid de gril),
- ca izolant electric ntre straturi adiacente, pentru a crete gradul de integrare i a
reduce dimensiunile (realizarea de "distantoare", spre exemplu, dup cum se va vedea mai
departe),
- ca izolant electric ntre diferitele nivele ce conin trasee conductoare, metalice sau din
polisiliciu puternic dopat,
- straturi de sacrificiu permind ameliorarea performanelor sau creterea gradului de
Integrare al circuitelor. Aceste straturi de sacrificiu sunt des utilizate i n fabricaia de
microstructuri pe baz de siliciu policristalin; intervin frecvent i n producia de microsisteme
electromecanice integrate (MEMS: Micro-Electro-Mechanical Systems).

VI.2. Principiul oxidrii

Exist mai multe tehnici de obinere a oxidului:
- oxidarea termic n prezen de oxigen, numit oxidare uscat,
- oxidarea termic n prezena oxigenului i a vaporilor de ap, numit oxidare umed,
- oxidarea termic n prezena numai a vaporilor de ap, numit oxidare n vapori,
- oxidarea pe cale electrochimic, numit oxidare anodic,
- oxidarea cu ajutorul plasmei de oxigen, numit oxidare n plasm.
Operaia de oxidare consist deci n a oxida siliciul, dinspre suprafa spre interiorul
substratului. Reaciile principale sunt urmtoarele:
21

Si solid + O2 SiO2 solid

Si solid + 2 H2O SiO2 solid+ 2H2
Pentru a obine un oxid cu calitate electronic satisfctoare se prefer oxidarea
termic, fie cu oxigen, fie n prezena vaporilor de ap. n general, oxidarea folosind oxigenul
pur d o cretere mai lent a stratului de oxid, care i confer bune caliti electronice (numr
mic de defecte electric active). Oxidarea cu vapori de ap d o cretere mai rapid, dar stratul
de oxid va conine mai multe defecte electrice. Aceast metod va fi preferat pentru
realizarea straturilor groase de oxid (cteva mii de Angstrm), folosite pentru izolare sau
mascare.
Stratul iniial de siliciu reacioneaz cu elementul oxidant pentru a forma SiO 2; se va
consuma astfel siliciu. Interfaa Si/SiO 2 se va gsi deci "dedesubtul" suprafeei iniiale. Un
calcul simplu arat c fraciunea din grosimea stratului ce se situeaz "dedesubtul" suprafeei
iniiale reprezint 46% din grosimea total a stratului de oxid; fraciunea situat "deasupra"
reprezint deci 54% (figura 22).

Figura 22: Oxidarea siliciului. n timpul oxidrii se consum o parte din substrat

Aceast cretere de volum va avea consecine asupra planeitii suprafeei plachetei,

mai ales atunci cnd se realizeaz oxidri localizate. ntr-adevr, creterea local de volum
va crea un relief ca cel reprezentat n figura 23.

Figura 23: Efectul oxidrii localizate a siliciului. Creterea de volum creeaz un relief la suprafaa plachetei.

Operaiile de oxidare se realizeaz n general n cuptoare similare celor folosite pentru

difuzie, n care se face s circule oxigen, uscat sau umed, sau vapori de ap. (figura 24).

22

Figura 24: Oxidarea termic cu oxigen sau/i vapori de ap.

VII. Depunerile
VII.1. Introducere:
Aceast operaie este necesar cnd trebuie realizat un strat conductor, izolant sau de
mascare n cadrul unui procedeu de fabricaie care nu utilizeaz direct materialul substratului.
Spre exemplu n cazul cnd se dorete obinerea unui strat de oxid de siliciu peste un strat de
baz care nu este din siliciu (acesta poate fi de exemplu un strat metalic sau un strat de
nitrur de siliciu), singura soluie este cea de a depune oxidul. ntr-adevr, n astfel de cazuri
oxidarea termic nu este posibil i trebuie efectuat o depunere. Operaia se face ntr-un
cuptor care conine toate elementele constituente ale stratului de realizat.
Tehnicile de depunere folosite pentru realizarea de straturi izolante sau de oxid vor fi
adesea foarte generale, permind realizarea i a depunerilor de alte materiale, cum ar fi
metalele sau semiconductorii.
n producia industrial sunt utilizate mai multe tehnici de depunere:
- evaporare termic,
- pulverizare catodic,
- tun de electroni,
- depunere chimic n faz de vapori, C.V.D. (Chemical Vapor Deposition),
- depuneri la joas presiune, L.P.C.V.D.( Low Pressure Chemical Vapor Deposition),
- depunere asistat de plasm, P.E.C.V.D. (Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition),

23

VII.2. Evaporarea termic:

Tehnica evaporrii termice este foarte simpl i const n a nclzi n vid, prin efect
Joule, pn la vaporizare, materialul ce urmeaz a fi depus. Vaporii vor migra n incinta i se
vor condensa pe substrat, realiznd depunerea. arja de material se plaseaz ntr-un creuzet
(din wolfram). Figura 25 prezint principiul acestei tehnici.

Figura 25: Batiu pentru depunere prin evaporare termic n vid.

VII.3. Depunerea prin pulverizare catodic sau cu tun de electroni:

O int, realizat din materialul ce urmeaz a fi depus, este bombardat cu ioni
accelerai ntr-un cmp electric. De pe suprafaa intei se detaeaz particule de dimensiuni
atomice, care sunt proiectate pe suprafaa substratului, unde se depun. Figura 26 prezint n
form simplificat principiul acestei tehnici. inta (conectat la catod) este bombardat cu
atomi de argon, ionizai i accelerai n cmpul electric de nalt tensiune stabilit ntre anod i
catod. Aceti ioni detaeaz din int particule care se vor depune pe suprafaa substratului.

Figura 26: Instalaie de pulverizare catodic.

24

Tehnica tunului de electroni const n a bombarda inta (din material refractar) cu

electroni accelerai, formnd un fascicul bine focalizat. Electronii sunt pui n libertate prin
efect termoelectric, dintr-un catod nclzit. Sunt apoi accelerai i dirijai pe traiectorii ce
vizeaz inta, prin aciunea conjugat a unei diferene de potenial electric i a unui cmp
magnetic. Electronii de mare energie smulg particule din int i le proiecteaz pe suprafaa
substratului, realiznd depunerea. Figura 27 prezint ntr-o manier simplificat principiul
acestei metode.
Tehnicile de pulverizare catodic i cu tun de electroni permit realizarea depunerilor de
straturi izolante, dar i de straturi metalice (aluminiu, wolfram, titan, crom, etc...). Sunt folosite
n principal la realizarea straturilor de interconexiune n circuitele integrate.

Figura 27: Instalaie de depunere cu tun de electroni.

Tehnicile C.V.D. sunt specifice pentru depunerea de siliciu policristalin sau de straturi
izolante. Ele se realizeaz n general n cuptoare n care se intoduc substanele reactive.
Calitatea depunerii (proprietile structurale i electrice) este influenat de presiunea din
cuptor. Tehnicile de joas presiune (L.P.C.V.D.) permit depunerea de siliciu policristalin, a
crui utilizare n tehnologia microelectronic a permis creterea net a gradului de integrare
(prin tehnici de autoaliniere a grilelor tranzistorilor MOS i a emitorilor tranzistorilor bipolari,
prin realizarea de interconexiuni de dimensiuni extrem de mici, prin realizarea local de surse
de dopant, etc.). n cazul depunerii de straturi izolante, randamentul reaciilor chimice din
cuptor poate fi ameliorat prin activarea moleculelor participante ntr-un cmp electromagnetic
de nalt frecven. Frecvena folosit este de 13,56 MHz, valoare autorizat de administraia
telecomunicaiilor. Aceast tehnic este numit P.E.C.V.D.

25

VII.4. Depunerea chimic n faz de vapori asistat de plasm (PECVD):

n tehnica PECVD substanele sau elementele ce urmeaz a fi depuse sunt generate
la joas temperatur, prin aport de energie electromagnetic (furnizat de o surs de
radiofrecven). Tehnica evit deci nclzirea la temperaturi nalte, care poate avea
consecine nedorite uneori (spre exemplu: redistribuirea dopanilor). Totui, pentru a obine o
bun calitate a straturilor depuse, este necesar o nclzire uoar a substraturilor pe care se
realizeaz depunerea. (cteva sute de grade, eventual). n fabricaia industrial se folosesc
dou tipuri de cuptoare (reactoare), principiile lor fiind prezentate n figurile 28 i 29:
- reactor cu plac port-substrat orizontal,
- reactor cu "perete cald".

Figura 28: Reactor cu plasm, cu plac port-suport orizontal

Figura 29: Schema unui reactor cu plasma cu "perete cald".

Cu ajutorul acestor reactoare se realizeaz urmtoarele tipuri de depuneri izolante:

- oxid de siliciu, SiO2,
- nitrur de siliciu, Si3N4.
26

VII.5. Depunerea chimic n faz de vapori la joas presiune (LPCDV):

Aceast tehnic const n realizarea depunerii chimice n faz de vapori, la joas
presiune. Depunerea se obine ntr-un cuptor cu "perei calzi", la temperaturi de 500...600C.
Se injecteaz n incinta cuptorului gazele active care vor reaciona, sintetiznd materialul ce
urmeaz a fi depus. n exemplul prezentat n figura 30 se realizeaz depunerea de siliciu
policristalin (polisiliciu) dopat cu fosfor. ntruct stratul depus este dopat n cursul elaborrii
sale, aceast tehnic se numete dopare in-situ.

Figura 30: Reactor LPCVD pentru depunerea de polisiliciu dopat cu fosfor in-situ

Pentru realizarea acestui gen de depuneri parametri cei mai importani sunt presiunea,
temperatura i tipul gazului dopant utilizat. De aceti parametri va depinde morfologia stratului
depus, de care depind proprietile lui electrice. Rezultatele unor cercetri recente
asupra acestei tehnici arat c este preferabil s se depun siliciul sub form amorf
(temperatura de depunere 550C), iar cristalizarea stratului astfel format s se realizeze
ulterior printr-un tratament termic, fie convenional, fie rapid - cu laser.

VIII. Gravura
VIII.1. Prezentare:
Dou tehnici sunt folosite n mod curent :
- gravura pe cale umed
27

- gravura uscat.
Cele dou tipuri de gravur intervin de un numr mare de ori pe parcursul unui
procedeu modern de fabricaie. Ele permit gravarea de manier selectiv a straturilor sau
peliculelor, pentru a crea motive (zonele active ale dispozitivelor electronice, grilele
tranzistorilor, traseele de interconexiune, etc...)

VIII.2. Gravura umed:

Gravura pe cale umed se face prin atac chimic n soluie apoas (baie coninnd
ap). Spre exemplu, oxidul de siliciu este gravat folosind o soluie parial diluat de acid
florhidric (HF) tamponat cu florur de amoniu (NH 4F). Vitezele de gravare pentru straturi
formate din diverse tipuri de materiale depind de concentraiile substanelor reactive. n
general, la gravarea pe cale umed stratul este atacat n mod egal dup toate direciile din
spaiu. Se spune ca gravura este izotrop.
Soluiile folosite cel mai frecvent, n funcie de natura materialului gravat, sunt
urmtoarele :
- pentru siliciu policristalin :

HNO3 + HF

- pentru siliciu monocristalin : hidrazina

N2H4 (65%) + H2O (35%)

- pentru dioxidul de siliciu :

HF + NH4F + H2O

- pentru nitrura de siliciu :

H3PO4

- pentru aluminiu :

H3PO4 + HNO3 + acid actic + H2O

Soluiile vor realiza viteze de atac mai mari sau mai mici, n funcie de concentraiile
relative ale diverselor elemente din compoziia lor.

VIII.3. Gravura uscat:

Gravura uscat este de fapt o tehnic de gravare cu plasm n care intervin n acelai
timp efectele bombardamentului cu ioni i reaciile chimice. Tehnica aceasta este numit
R.I.E. (Reactive Ion Etching).
Instalaia folosit seamn cu reactorul de depunere cu plac port-substrat orizontal,
dar gazele injectate sunt n acest caz destinate gravrii stratului de suprafa al plachetelor (a
se vedea figura 31). Se folosete i n acest caz un generator de radiofrecven, care
stimuleaz formarea substanelor active n reactor.

28

Dac electrozii nu sunt polarizai, atacul este n general izotrop, adic identic dup
toate direciile. Dac ns materialele de gravat au direcii prefereniale, cum este spre
exemplu cazul cristalelor semiconductoare, gravarea poate fi fcut preferenial dup
planurile reticulare sau dup axele cristalografice.

Figura 31: Reactor de gravare cu plasm, cu plac port-suport orizontal.

Principiul procedeului reprezentat n figura 32 poate fi rezumat astfel:

- generarea n plasm a substanelor reactive capabile s atace chimic straturile de pe
suprafaa plachetelor,
- transferul substanelor reactive spre suprafaa de gravat,
- absorbia substanelor reactive i atacul suprafeelor,
- reacii cu materialul de pe suprafa. Produii de reacie trebuie s fie volatili, pentru
a putea degaja suprafaa.
- desorbia reactivilor,
- difuzia n mediul gazos.
Dac toate aceste condiii sunt ndeplinite, se poate spera ntr-un bun rezultat al
gravurii cu plasm. De notat c, pentru punerea la punct a acestei etape tehnologice,
dificultatea const n a genera produi volatili dup reacia la suprafa.

29

Figura 32: Schema de principiu a mecanismului gravurii cu plasm.

n funcie de reactivii introdui n reactor i n funcie de natura stratului de gravat,

viteza de gravare va fi diferit. Un bun control al gravrii se poate face speculnd diferenele
dintre vitezele de gravare pentru diverse substane.

IX. Fotolitogravura
IX.1. Definiie:
Procedeul de transfer al motivelor de pe o masc (fizic sau virtual) spre plachet se
numete fotolitografie. Este vorba deci despre un procedeu fotografic care permite gravarea
de motive ntr-un strat solid subire (cum ar fi nitrura, oxid, metal, etc.), urmrind un desen
binedefinit.

IX.2. Principiul fotolitografiei:

Figurile 33 i 34 explic principiul procedeului de fotolitografiere; scopul urmrit este
transferarea unui motiv reprezentat pe o masc (de exemplu un dreptunghi care corespunde
unei zone de surs) spre stratul de suprafa al plachetei.

30

Figura 33: Masca pentru fotolitografiere.

Figura 34: Principiul fotolitografiei: prin insolare (expunere la lumin) se transfer spre plachet motivul definit pe
masc

IX.3. Realizarea unui motiv pe plachet:

n exemplul urmtor se prezint procedeul de realizare prin implantare ionic a unei
zone cu dopaj de tip p, ntr-un substrat de tip n. Se prezint n detaliu diversele etape
elementare parcurse.
Ca i n tehnica fotolitografiei, se pot utiliza dou tipuri de rin fotosensibil:
- rin pozitiv,
31

-rin negativ.
n cazul folosirii unei rini pozitive motivul de pe masc se va regsi exact sub
aceeai form n stratul gravat de pe plachet.
Rina este ntins pe plachet prin centrifugare. Pentru aceasta se folosete un disc
turnant (figura 35). Placheta se fixeaz pe disc prin aspirare. Prin reglarea vitezei de rotaie i
a acceleraiei se obine ntinderea uniform a rinii pe plachet.

Figura 35: Disc turnant pentru ntinderea rinii fotosensibile.

Stratul depus este apoi uscat (se elimin produsele cele mai volatile), apoi este expus
(insolat) prin masc. Motivele sunt apoi puse n eviden folosind un revelator. Dup o
cltire, se aplic un tratament termic (coacere) prin care rina se durific, pentru a rezista
atacului chimic ulterior (cu acid fluorhidric, spre exemplu). Prin gravarea umed cu HF este
atacat stratul de oxid neprotejat de rin solidificat. n continuare rina este ndeprtat de
pe suprafa folosind un solvent puternic (aceton, spre exemplu).
IX.4. Expunerea (insolarea) i limitele ei:
Expunerea (insolarea) plachetei se poate realiza n diverse moduri:
- prin contact,
- prin proximitate,
- prin proiecie,
Fiecare din aceste procedee are avantaje i inconveniente. Spre exemplu, tehnica de
insolare prin contact asigur, teoretic, cea mai bun definiie a motivelor, dar conduce la
deteriorarea progresiv a mtii dup fiecare operaie de mascare datorit frecrii de
plachet, cu consecine grave la scar microscopic. Proiecia conduce la o definiie optic
mai puin bun, dup cum se arat n figura 36, datorit efectului de difracie a luminii. n
schimb permite efectuarea unei micorri a motivului pe cale optic; n acest ultim caz
fabricarea mtii este mai simpl, ntruct nu pretinde realizarea unei definiii pe masc egal
cu definiia motivului ce se va realiza pe plachet.
32

Figura 36: Intensitatea luminoas la nivelul rinii fotosensibile la insolarea (expunerea) prin contact, prin
proximitate sau prin proiecie

Aparent, proiecia constituie cazul cel mai defavorabil. Dar, exploatnd faptul c
rspunsul rinii la lumin nu este liniar (figura 37), se poate ameliora definiia motivelor
reglnd cantitatea de fotoni transmis (intensitatea luminoas, timpul de expunere).

Figura 37: Efectul de neliniaritate a polimerizrii rinii sub influena luminii.

Procedeele fotolitografice clasice folosind lumina vizibil (aproapiat de ultraviolet) nu

permit obinerea definiiei cerute de noile tehnologii n curs de dezvoltare, limitarea fiind
cauzat n principal de fenomenul de difracie. Astfel, reducerea dimensiunilor motivelor cere
punerea la punct de noi procedee, cum ar fi cel al litografiei cu raze X sau al litografiei cu
fascicul de electroni.
Litografia cu fascicul de electroni este un procedeu foarte interesant, dar care are
limitri ce trebuie cunoscute. Lungimea de und asociat electronilor poate fi suficient de
mic, ea fiind legat n mod simplu de energia de accelerare. Pata de difracie asociat poate
scdea deci pn la cteva zeci de Angstrmi. Pe de alt parte trebuie avut n vedere faptul
c ntreaga suprafa a plachetei trebuie baleiat, prin pilotarea fasciculului de electroni
(figura 38).

33

Figura 38: Principiul gravrii directe rnd cu rnd prin fascicul de electroni. Fasciculul este modulat prin wehnelt;
baleiajul este realizat electronic.

X. Procedee de fabricaie
X.1. Prezentare:
Dup ce am studiat ansamblul etapelor tehnologice elementare, capitolul de fa
prezint cteva procedee complexe tipice, cum ar fi: realizarea diodelor, a tranzistorilor
bipolari i a tranzistorilor MOS.

X.2. Necesitatea cureniei absolute: camera alb (clean room - n englez,

salle blanche - n francez)
Principala grij n timpul fabricaiei este curenia. Un singur fir de praf de dimensiuni
micronice care se depune pe o plachet poate face inutilizabil un cip coninnd cteva
milioane de tranzistori.
Astfel, ntregul proces de fabricaie se efectueaz ntr-o camer alb (n francez: sale
blanche, n englez: clean room), sal a crei atmosfer are temperatura i umiditatea strict
controlate i n care numrul de particule de praf trebuie s fie ct mai mic posibil.
Se cere evitat ptrunderea prafului n sala de producie, n particular prin intermediul
personalului. Din acest motiv, toate persoanele care intr n camera alb trebuie s poarte
mbrcminte complet special conceput, realizat din materiale care nu degaj scame,
mnui, glugi, nvelitori pentru nclminte sau nclminte special, etc... Este evident c
ntreg echipamentul pe care se prelucreaz plachetele este instalat n camera alb.
34

X.3. Curarea substraturilor i a plachetelor:

Operaia de curare este indispensabil naintea fiecrei etape tehnologice principale.
Ea nsi presupune o lung succesiune de operaii elementare. Astfel, dac o plachet sau
un substrat a stat n asteptare ntre dou etape importante, trebuie efectuat o degresare i o
decapare a suprafeei pentru eliminarea impuritilor depuse i suprimarea stratului de oxid
de siliciu nativ care se formeaz inevitabil dac suprafaa plachetei nu a fost acoperit cu un
strat de protecie.
Etapele elementare ale unei operaii de curare uzuale sunt urmtoarele:
- 3 minute ntr-o baie de tricloretilen cald (degresare),
- 3 minute ntr-o baie de aceton (pentru a ndeprta tricloretilena),
- 3 minute n alcool etilic (pentru a ndeprta acetona),
- 5 minute cltire n ap deionizat,
- 10 minute - fierbere n soluia bazic SC-1 (3 NH4OH + 7H2O + 3H2O2)
(elimin impuritile organice, dar creeaz oxid nativ),
- 5 minute cltire n apa deionizat,
- 10 minute - fierbere ntr-o soluie acid (HCl + 6 H2O + H2O2) (elimin
impuritile metalice, dar creeaz oxid nativ),
- 5 minute cltire n ap deionizat,
- 1 minut n acid fluorhidric (elimin oxidul nativ),
- 5 minute cltire n ap deionizat.
Acest ansamblu de operaii este parcurs ori de cte ori este necesar n cursul unei
proceduri complete de fabricaie.
X.4. Realizarea unei diode:
Vom indica etapele principale care permit fabricarea unei diode cu jonciune pn:

35

Figura 39: Realizarea unei diode

- curarea substratului,
- oxidare umed groas, pentru realizarea unei mti de difuzie,
- fotolitografie-1, pentru realizarea deschiderii anodului,
- implantare de Bor
- difuzie-recoacere dup implantare,
- oxidare termic umed,
- fotolitografie-2, pentru deschiderile contactelor,
- depunere de Aluminiu,
- fotolitografie-3, realizarea contactelor,
- recoacere forming-gaz,
- depunere de sticl de Bor - acoperire de pasivizare,
- fotolitografie pentru realizarea deschiderilor pentru contacte prin stratul
de pasivizare (aceasta etap nu s-a reprezentat n figura 39).

X.5. Procedeul de fabricare a unui tranzistor bipolar:

Realizarea unui tranzistor bipolar necesit un numr mai mare de etape fa de cazul
unei diode ntruct se cer realizate trei zone: de emitor, de baz i de colector, dar mai ales
din necesitatea de a obine parametri electrici cerui la nivelul microstructurii.

Principalele etape de fabricaie sunt urmtoarele :

- curarea substratului;
- realizarea stratului N+ reprezentnd colectorul ngropat; aceasta presupune:
36

-oxidarea, fotolitografia, implantarea de dopant N, recoacerea dup implantare,

-gravarea oxidului;
- realizarea prin crestere epitaxial a zonei de baz cu dopaj slab;
- realizarea LOCOS-urilor (se foloseste un strat de nitrur ca barier de difuzie);
- realizarea bazei intrinseci prin implantare ionic (oxidare, fotolitografie, implantare de
bor, gravarea oxidului, recoacere dup implantare);
- realizarea puului de acces la colector i a emitorului, prin implantare ionic;
- oxidarea de izolare;
- realizarea deschiderilor pentru contacte, prin fotolitografie;
- depunerea de aluminiu,
- fotolitografia aluminiului.
n aceast enumerare nu au fost detaliate toate etapele. Enumerarea lor exhaustiv,
chiar pentru acest procedeu considerat ca nvechit, ar cere enunarea a aproape 200 de
etape elementare. Procedeele tehnologice mai recente ating uor ntre 400 i 500 de etape
elementare. Se explic astfel de ce durata de fabricaie a unui circuit integrat actual este de
2-3 luni, n funcie de gradul de complexitate.

X.6. Procedeu de fabricare a tranzistorilor bipolari cu grad mare de

integrare:
Procedeul prezentat anterior nu permite realizarea de structuri submicronice. Evoluia
tehnologiilor ce folosesc autoalinierea pentru realizarea emiterului i a bazei extrinseci prin
folosirea straturilor de siliciu policristalin, a permis atingerea dimensiunii de emitor de
0,5 microni. Figura de mai jos prezinta schematic seciunea printr-o structur de acest fel.

Figura 40: Structura bipolar integrat dublu-poli (polisiliciu n i polisiliciu p)

37

Stratul de siliciu policristalin dopat p+ servete ca surs de dopant pentru baz

extrinsec. Acest strat, fotogravat si apoi oxidat, face posibil realizarea de distantori care vor
permite autoalinierea emitorului. Acesta din urm e realizat prin difuzie cu dopant provenind
din stratul de siliciu policristalin dopat n+.

X.7. Procedeu de fabricare a tranzistorilor MOS:

Exista patru tipuri principale de tranzistori MOS. Principiile constructive, simbolurile i
caracteristicile electrice de ieire i de transfer ale acestora sunt prezentate n continuare.
Este vorba despre tranzistorii NMOS cu mbogire i cu srcire, care sunt respectiv
normal-blocai sau normal-conductori i despre tranzistorii PMOS cu mbogire i cu srcire

Figura 41: Reprezentarea schematic a unui tranzistor NMOS cu mbogire (sau normal-blocat). Tensiunea de
prag e pozitiv.

Figura 42: Reprezentarea schematic a unui tranzistor NMOS cu srcire (sau normal-conductor). Tensiunea de
prag e negativ.

38

Figura 43: Reprezentarea schematic a unui tranzistor PMOS cu mbogire (sau normal-blocat). Tensiunea de
prag e negativ.

Figura 44: Reprezentarea schematic a unui tranzistor PMOS cu srcire (sau normal-conductor). Tensiunea de
prag e pozitiv.

X.8. Procedeu de fabricaie al unui tranzistor MOS cu canal N:

n acest caz este vorba despre realizarea mai multor tranzistori pe un substrat comun.
Vom urmri pentru nceput un procedeu simplificat de realizare a tranzistorilor MOS cu canal
N, cu mbogire. Aceasta presupune realizarea ntr-un substrat de tip p, care va reprezenta
zona de canal, a celor dou zone puternic dopate de tip n, reprezentnd sursa i drena.
Oxidul de gril de deasupra zonei de canal va trebui s aib foarte bune caliti electrice. n
finalul procedeului de fabricaie se vor realiza zonele de contact pentru gril, surs i drena.
ntr-o a doua etap vom vedea un procedeu de fabricaie mai elaborat, i deci mai
complex, pentru realizarea de tranzistori NMOS i PMOS n tehnologie CMOS.
Succesiunea principalelor etape tehnologice este urmtoarea:
- curarea substratului,
- oxidare groas de mascare, pentru doparea sursei i drenei,
- fotolitografie pentru realizarea deschiderilor sursei i drenei,
39

- dopare cu fosfor (prin difuzie sau implantare ionic),

- fotolitografie pentru realizarea deschiderii zonei de canal,
- oxidare fin (realizarea oxidului de gril),
- ajustarea tensiunii de prag, prin implantare ionic de bor,
- fotolitografie pentru deschiderile contactelor de surs i dren,
- depunere de aluminiu,
- fotolitogravarea aluminiului,
-recoacere final, n forming-gaz (amestec de azot i hidrogen 10%), pentru
mbuntirea calitii contactelor.

Acest procedeu foarte simplu permite realizarea de tranzistori MOS; el corespunde

primelor procedee MOS aplicate n practica industrial la nceputul anilor 70. Se remarc
existena diferitelor etape de mascare necesitnd alinierea mtilor. Pentru a reduce
dimensiunile tranzistorilor a fost necesar s se gseasc metode ce permit poziionarea
automat a sursei i drenei n raport cu grila. Aceste tehnologii se numesc deci "autoaliniate".
Procedeul CMOS prezentat n continuare ilustreaz aceast nou tehnologie.

X.9. Procedeu de fabricare a tranzistorilor MOS cu canal N i P n

tehnologie CMOS:
n acest caz se cer realizai simultan pe acelai substrat tranzistori MOS cu canal N i
tranzistori MOS cu canal P. Pentru a avea o vedere complet asupra posibilitilor de
fabricaie, vom considera c se realizeaz i condensatori integrai, n cursul aceluiai
procedeu tehnologic.
Va trebui astfel s avem n vedere, pe de o parte, c zonele de canal ale tranzistorilor
aparinnd celor dou tipuri au dopaj diferit i, pe de alt parte, c tranzistorii trebuie s fie
izolai electric unul fa de altul, n cadrul aceluiai substrat. Aceasta necesit realizarea
40

n substratul principal a unui "cheson" de dopare pentru zona de canal a unuia din tranzistori.
n cazul prezentat aici, substratul de baz este de tip P (aici se realizeaz tranzistorul
NMOS), iar chesonul va fi de tip N (n el se realizeaz tranzistorul PMOS). Doparea zonelor
de canal, care are influen important asupra tensiunilor de prag ale tranzistorilor MOS, sunt
ajustate precis n cursul fabricaiei, prin implantare ionic (cu B n cazul tranzistorului PMOS,
respectiv cu As n cazul tranzistorului NMOS).
Izolarea lateral a componentelor se realizeaz prin oxizi localizai (LOCOS). Totui,
pentru a evita eventuale scurtcircuite sub aceste LOCOS-uri se vor realiza sub-dopaje care
s blocheze formarea de canale nedorite. Impuritile din oxizii termici fiind esenialmente
de sarcin pozitiv, blocarea acestor tranzistori fictivi se va obine prin realizarea de zone
puternic dopate cu bor, plasate sub interfaa LOCOS/substrat. Se spune c se realizeaz
astfel un "anticanal".
Pentru a realiza tranzistori avnd lungimea canalui foarte mic procedeul folosete
autoalinierea. Aceasta devine posibil graie utilizrii siliciului policristalin pentru realizarea
grilelor.
Pentru aceste structuri de foarte mici dimensiuni traseele metalice de interconexiune i
contactele devin din ce n ce mai importante. La trecerile peste praguri abrupte trasele de
conexiune din aluminiu se pot fisura. Aceasta se evit rotunjind muchiile diverselor praguri
traversate de traseele de conexiune. Rotunjirea muchiilor se face folosind sticla (LTO - Low
Temperature Oxide), suficient de vscoas la temperaturi nu prea mari (500...600C) pentru a
rotunji

muchiile

microreliefurilor.

Dup

depunerea

acestor

sticle

dup

un

tratament de recoacere aprox. la 600 C, se obine o bun continuitate a stratului de aluminiu

depus pe suprafaa plachetei i, deci, trasee de conexiune fiabile, dup fotolitografie.
X.10. Tranzistor MOS de putere:
Pentru a suporta tensiuni mari, trebuie ca distana dintre zona de canal i dren s fie
suficient de mare pentru a permite zonei de sarcin spaial s se ntind, pentru a evita
fenomenul de avalan (prin multiplicarea purttorilor de sarcin prin ionizare prin impact).
Zona de sarcin spaial poate fi extins fie lateral, ca n cazul tranzistorilor DMOS
avnd contactul de dren mult decalat, fie vertical, ca n cazul tranzistorilor VMOS. n ambele
variante, DMOS i VMOS, zonele n de mari dimensiuni sunt capabile s suporte tensiuni
considerabile. Trebuie notat ns c, dei se pun n paralel un numr mare de canale,

41

curentul dispozitivului este relativ mic n comparaie cu cel al structurilor bipolare de

putere sau al tiristorilor.

Figura 45: Reprezentarea schematic a unui tranzistor MOS de putere de tip DMOS.

Figura 46: Reprezentarea schematic a unui tranzistor MOS de putere de tipul VMOS.

XI. Ameliorarea procedeelor tehnologice

XI.1. Prezentare:
Complexitatea circuitelor integrate crescnd odat cu reducerea dimensiunilor, este
necesar a se realiza din ce n ce mai multe interconexiuni ntre componentele circuitului.
Numrul nivelelor (straturilor) de interconexiuni a crescut i el inexorabil n ultimii ani. tiind
c fiecare nivel de interconexiuni necesit un strat izolant i un strat conductor gravate, dup
realizarea mai multor straturi relieful suprafeei ncepe s fie att de accidentat nct devine
imposibil realizarea n continuare de trasee conductoare fr defecte. S-au pus deci la punct
tehnici pentru reducerea neregularitilor. Scopul lor este de a planariza suprafaa pe care se
va realiza un nou nivel de conexiuni. Se propun dou metode principale, una constnd n a
umple adnciturile prin depunere de material, iar cealalt n a suprim vrfurile prin gravare.

42

XI.2. Planarizarea straturilor:

a) Metoda "SOG" :
Acronimul SOG provine de la "Spin-On Glass", care s-ar putea traduce prin "sticla
centrifugat". n practic aceast tehnic const n a realiza o depune de dioxid de siliciu, prin
centrifugarea (folosind un disc rotativ) a unei substane vscoase la temperatura ambiant,
coninnd elemente ce permit sinteza SiO 2.

n timpul centrifugrii substana umple

adnciturile de pe suprafaa plachetei (figura 47).

Dup evaporarea parial a componentelor volatile din stratul depus (prin nclzire n
etuv) stratul este compus esenialmente din SiO2 i este supus unui tratament termic
(recoacere), pentru densificare (rigidizare).

Figura 47: Tehnica de planarizare SOG. Dupa o recoacere de densificare relieful e mai puin accidentat.

b) Metoda "depunere de rin":

Aceast tehnic const n a depune pe suprafaa plachetei o rin sintetic, prin
centrifugare. Aceasta tinde s umple microrelieful. Dup uscare, suprafaa e aproape plan.
n continuare se efectueaz o gravare a rinii (i, concomitent, a vrfurilor de oxid spre
exemplu) aa cum se vede n figura 48, pentru a reduce grosimea stratului depus. Aceast
ultim operaie se numete gravare de planarizare.

Figura 48: Tehnica de planarizare prin depunere de rin i gravare cu plasm. Planarizarea poate fi foarte
bun dac viteza de gravare a rinii este egal cu viteza de gravare a oxidului.

43

Aceast tehnic, mai greu de pus n practic, conduce n general la rezultate mai bune
dect metoda SOG.
c) Polizarea mecano-chimic:
Aceast tehnic este denumit pe scurt CMP (Chemical-Mecanical-Polishing). Se
depune mai nti un strat de izolant, prin una din tehnicile la joas temperatur.
Se reduce apoi grosimea stratului depus prin polizare, folosind o soluie chimic de atac ce
conine particule abrazive n suspensie. Granulele abrazive au circa o zecime de micron n
diametru. n aceste condiii se poate obine o suprafa perfect plan, ce va servi
la realizarea stratului superior de conexiuni.

Bibliografie:
1. Ana - Lucia Ristea, Th. Purcarea, C. Tudose, Distributia marfurilor, Ed. Didactica si
Pedagogica, Institutul National Virgil Madgearu, Bucuresti 1996
2. I.C. Dima, Planificarea logisticii comerciale a firmei, Tribuna Economica nr. 3435/1998
3. Dumitru Patriche, Ion Stanescu, Mihai Grigore, Mihai Felea, Bazele comertului, Ed.
Economica, Bucuresti 1999
4. L. Crossman et J. Baker, "Polysilicon technology", Semiconductor silicon 1977,
Electrochem. Soc., Pennington, New Jersey, 1977
5. S.M. Sze, "VLSI Technology", 2nd edition, McGraw-Hill International Editions, 1988
6. D.V. Morgan and K. Boar, "An introduction to semiconductor technology", 2nd
edition, John Wiley & sons, 1990
7. R.B. Fair, "Concentration profiles of diffused dopants in silicon, in F.F.Y. Wang, Ed.
Impurity Doping Process in Silicon, North Holland, New York, 1981
8. S.M. Sze, "VLSI Technology", 1st edition, McGraw-Hill International Editions, 1983
9. S.M. Sze, "Semiconductor devices", Wiley, New York, 1985
10. S. Furukawa, H. Matsumura, and H. Ishirwara "heoretical consideration of lateral
spreadof implanted ions", Jap. J. Appl. Phys., vol. 1, 1972
11. W.K. Hofker, H.W. Werner, D.P. Ooesthoek, and N.J. Koeman, "Boron
implantations in silicon: a comparison of charge carrier and boron concentration profiles" J.
Appl. Physics, vol. 4, 1974.
44

12. B.E. Deal and A.S. Grove, "General relationship for the thermal oxidation of
silicon", J. Appl. Physics, vol. 36, 1965
13. B.E. Deal , " Thermal oxidation kinetics of silicon in pyrogenic H2O and 5%
HCl/H20 mixture", J. Electrochem. Soc. vol. 125, 1978
14. A.S. Grove, O. Leistiko, and C.T. Sah, "Redistribution of acceptor and donor
impurities during thermal oxidation of silicon", J. Appl. Phys. vol.35, 1964.
15. L.M. Ephrath, " "Selective etching of silicon dioxide using reactive ion etching with
CF4-H2", J. Electrochem. Soc., vol.126, 1979
16. J.G. Skinner, "Some relative merits of contact, near-contact and projection
printing", Proc. Kodak Interface'73, vol/ 53, 1973
17. A. Liba, ""Dpt de couches de silicium polycritallin dopes in-situ au phosphore
par la technique VLPCVD", Thse de l'Universit de Rennes 1, n923, 1993
18. O. Bonnaud, " Present status and future trends of LPCVD processes involved in
polysilicon thin film devices", Confrence invite, Proceedings XI SBMICRO'96, pp. IT52-63,
So Paulo, Brsil, 1996,
19. O. Bonnaud, "Analyse du gain des transistors bipolaires metteur en silicium
polycristallin", Thse d'Etat n84-07, Universit de Lyon I, 1984

45

Cuprins
I. Procedee tehnologice: etape i filiere...............................................................................................1
II. Purificarea siliciului.............................................................................................................................3
II.1. Sursele de siliciu..........................................................................................................................3
II.2. Puritatea chimic cerut.............................................................................................................3
II.3. Reducerea silicei.........................................................................................................................4
II.4. Fabricarea plachetelor................................................................................................................5
III. Epitaxia..............................................................................................................................................13
III.1. Definiie:.....................................................................................................................................13
III.2. Mecanisme fizice de baz:.....................................................................................................13
III.3. Metodele practice:....................................................................................................................14
IV. Difuzia................................................................................................................................................16
IV.1. Fenomenul difuziei:..................................................................................................................16
IV.2. Procedee tehnologice pentru realizarea difuziei.................................................................17
V. Implantarea ionic............................................................................................................................19
V.1. Introducere:................................................................................................................................19
V.2. Instalaia de implantare ionic:................................................................................................19
V.3. Msurarea dozei implantate:...................................................................................................20
V.4. Profilul concentraiei de dopant:..............................................................................................20
VI. Oxidarea...........................................................................................................................................21
VI.1. Importana oxidrii siliciului:...................................................................................................21
VI.2. Principiul oxidrii......................................................................................................................21
VII. Depunerile.......................................................................................................................................23
VII.1. Introducere:..............................................................................................................................23
VII.2. Evaporarea termic:...............................................................................................................24
VII.3. Depunerea prin pulverizare catodic sau cu tun de electroni:........................................24
VII.4. Depunerea chimic n faz de vapori asistat de plasm (PECVD):.............................26
VII.5. Depunerea chimic n faz de vapori la joas presiune (LPCDV):................................27
VIII. Gravura...........................................................................................................................................27
VIII.1. Prezentare:.............................................................................................................................27
VIII.2. Gravura umed:.....................................................................................................................28
VIII.3. Gravura uscat:......................................................................................................................28
46

IX. Fotolitogravura.................................................................................................................................30
IX.1. Definiie:.....................................................................................................................................30
IX.2. Principiul fotolitografiei:...........................................................................................................30
IX.3. Realizarea unui motiv pe plachet:.......................................................................................31
IX.4. Expunerea (insolarea) i limitele ei:......................................................................................32
X. Procedee de fabricaie.....................................................................................................................34
X.1. Prezentare:.................................................................................................................................34
X.2. Necesitatea cureniei absolute: camera alb (clean room - n englez, salle blanche n francez)........................................................................................................................................34
X.3. Curarea substraturilor i a plachetelor:..............................................................................34
X.4. Realizarea unei diode:.............................................................................................................35
X.5. Procedeul de fabricare a unui tranzistor bipolar:.................................................................36
X.6. Procedeu de fabricare a tranzistorilor bipolari cu grad mare de integrare:.....................37
X.7. Procedeu de fabricare a tranzistorilor MOS:........................................................................37
X.8. Procedeu de fabricaie al unui tranzistor MOS cu canal N:...............................................39
X.9. Procedeu de fabricare a tranzistorilor MOS cu canal N i P n tehnologie CMOS:........40
X.10. Tranzistor MOS de putere:....................................................................................................41
XI. Ameliorarea procedeelor tehnologice..........................................................................................42
XI.1. Prezentare:................................................................................................................................42
XI.2. Planarizarea straturilor:...........................................................................................................42
Bibliografie:..........................................................................................................................................44

47