Grupa: EH 2.

2 - Horezu

Referat materiale electrotehnice

Siliciul

Student
VADUVA GABRIEL-NICODIM
 SILICIUL

STARE NATURALĂ
După oxigen, siliciul este cel mai răspândit element din scoarţa
terestră. Siliciul se găseşte în natură numai combinat cu oxigenul, în
bioxidul de siliciu şi în silicaţi.

OBŢINERE
Bioxidul de siliciu, SiO, se reduce relativ uşor, prin încălzire, la
temperatură ridicată, cu diferiţi agenţi reducători. Pe această cale se obţine
însă un siliciu impur, din cauza tendinţei acestui element de a se combina cu
agentul reducător sau cu impurităţi întâmplătoare aflate în materialele
utilizate.
a) Bioxidul de siliciu se poate reduce cu pulberea de magneziu
metalic. Reacţia este puternic exotermă: SiO 2 + 2Mg → Si + 2MgO.
După răcire se dizolvă oxidul de magneziu în HCl. Rămâne insolubilă
o formă de siliciu amorf, brun, impurificat cu siliciura de magneziu, MgSi.
Dacă se lucrează cu un exces de magneziu se obţine acest compus.
b) Bioxidul de siliciu poate fi redus în mod similar cu o pulbere de
aluminiu. Siliciul format se dizolvă în excesul de aluminiu topit, din care
cristalizează la răcire. La dizolvarea excesului de aluminiu în HCl, se obţin
cristale de Si de culoare închisă, impurificat ca aluminiu.
c) Procesul industrial pentru obţinerea siliciului brut, prin
reducerea bioxidului de siliciu cu cărbune, foloseşte un cuptor electric cu
electrozi de grafit asemănător celui utilizat la fabricarea carburii de calciu.
Se obţine astfel siliciul impurificat cu carbura de calciu, sub formă de bucăţi
mari, compacte, cu structură cristalină vizibilă.
 Într-o variantă a acestui procedeu se adaugă fier obţinându-se un aliaj,
ferosiliciul, cu 40- 90% Si. Ferosiliciul foloseşte la obţinerea de fonte
silicioase cu 12-17 % Si, din care se toarnă aparate rezistente la acizi,
folosite în industria chimică.
Siliciul pur - Se transformă în siliciul brut sau feosiliciul, în modul
arătat, în tetraclorura de siliciu, SiCl, sau în triclorsilan, HSiCl. Aceste
substanţe fiind lichide cu puncte de fierbere scăzute, se purifică prin
distilarea fracţională, apoi se reduc cu hidrogenul la trecerea prin tuburi
încălzite sau peste un filament metalic incandescent :
800C

SiCl +2H → Si+ 4HCl

Siliciul super - pur aşa cum este cerut în industria semiconductoarelor

se obţine din siliciul pur prin metoda topirii zonale. Prin acest procedeu
impurităţile se adună într-o extremitate a vergelei de siliciu supusă
tratamentului, margine care se îndepărtează.

Proprietăţi fizice şi chimice :

1) Siliciul cristalizează în sistemul cubic. Cristalele de siliciu sunt
lucioase, cenuşii ca fierul, mai dure decât acest metal (duritate 7 pe scara
Mohs ) dar casante. Siliciul este semiconductor; conductibilitate electrică
foarte mică la siliciul pur, creşte cu temperatura şi cu conţinutul în
impurităţi.
2) Reţeaua cristalului de siliciu este de acelaşi tip cu a
diamantului. Fiecare atom de siliciu este înconjurat tetraedic de alţi 4 atomi
la distanţă intraatomică Si-Si de 2.34 A.
 3) Siliciul nu formează soluţii fizice cu nici un solvent,
asemănându-se cu diamantul.
4) La temperaturi joase siliciul este puţin reactiv aşa cum se
prevede pe baza structurii sale. Siliciul amorf este mai reactiv decât cel
cristalizat fiind mai fin divizat.
Dintre elementele electronegative, siliciul se combină, la temperatura
camerei numai cu florul cu care dă tetrafluorura de siliciu, SiF. Cu florul şi
cu bromul, siliciul reacţionează la 500 grade formând tetrahalogenurile
respective.
Si + O → SiO
Reacţia este foarte exotermă. Siliciul cristalizat se combină cu sulful
la 600 de grade, cu incandescenţă, dând sulfura de siliciu. Cu azotul
combinarea are loc la 1000 de grade şi duce la o nitrură, Si N.
Cu carbonul se combină la 2000 de grade dând carbura de siliciu, SiC.
Tot la temperatură înaltă se combină şi cu borul, dând SiB.
5) Siliciul se combină cu multe metale cum sunt Li ,Be, Mg,
Ca ,Sr, Ba, Cr, Mo, W, Fe ,Co ,Ni ,Pt ,Cu când este încălzit cu ele la alb-
roşu.
6) Siliciul nu reacţionează la rece cu apa şi nici cu acizii tari. Cu
apa are loc la 800 de grade o reacţie analogă cu aceea a carbonului.
Si +H2O → SiO+ 2H
7) Atomul de siliciu spre deosebire de atomul de C poate însă
folosi orbitali d. Orbitalii 3d sunt la nivel energetic destul de apropiaţi de
orbitalii 3s şi 3p pentru a putea da naştere unei hidrizări spd, o asemenea
structură se întâlneşte în ionul, SiF în care cele şase legături de Si-F sunt
echivalente şi grupate octaedic în jurul atomului central de Si.
 În combinaţiile sale cu ceilalţi halogeni şi cu oxigenul, siliciul are
numărul de coordonare 4, dar sunt indicaţii că la formarea legăturilor Si-O
contribuie şi orbitalii 3d.

INTREBUINŢĂRI

Siliciul se utilizează în :
 industria tranzistorilor datorită proprietăţilor de semiconductor.
 sub formă de aliaje (ferosiliciul) cu proprietăţi anticorozive.
 sub formă de cuarţ (SiO) pentru confecţionarea lentilelor şi prismelor
aparatelor optice.
 sub formă de silicaţi (talc, mica, feldspaţi) în industria materialelor de
construcţii: ciment, ceramică, porţelan şi sticlă.

ELABORAREA SILICIULUI ŞI REALIZAREA PLACHETELOR

SEMICONDUCTOARE

Dintre materialele semiconductoare, siliciul este cel care s-a impus

pentru realizarea de dispozitive semiconductoare şi de circuite integrate
monolotice. Motivul principal este acela că prin oxidare termică siliciul se
acoperă cu un strat de oxid de siliciu amorf, care constituie o barieră în
pătrunderea impurităţilor în materialul de bază, bioxidul de siliciu fiind în
acelaşi timp şi un bun material dielectric. Siliciul şi oxidul său stau la baza
tehnologiei planare, care a făcut posibilă realizarea cu productivitate ridicată
a dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor integrate pe scară mare.
Siliciul se găseşte în cantitate mare la suprafaţa globului terestru
(aprox. 28%). Sursele naturale de Si sunt în principal silicaţii (nisip, etc), dar
şi zirconiul, jadul, mica, cuarţul. Siliciul există natural sub formă de oxizi
(starea oxidată). Pentru elaborare este necesară o metodă de reducere a sa,
iar apoi trebuie să fie purificat până la stadiul de siliciu "de calitate
electronică" sau EGS (Electronic Grade Silicon).

ELABORAREA SILICIULUI

Prima etapă a tehnologiei siliciului corespunde elaborării siliciului de

calitate "metalurgică" sau MGS (Metallurgic Grade Silicon). După această
etapă în urma purificărilor repetate se obţine materialul de puritate
"electronică". Temperatura de topire a siliciului este ridicată, situându-se la
valoarea de 1415°C. Dificultatea în obţinerea siliciului constă în aceea că
oxidul de siliciu (SiO2) nu poate fi redus direct prin folosirea hidrogenului,
fiind necesară o tehnică adaptată de reducere (cu carbon, la temperatură
ridicată).

Obţinerea siliciului metalurgic

Obţinerea siliciului metalurgic se efectuează prin electroliza silicei
topite (SiO2) într-un cuptor cu arc electric. Se foloseşte cuptorul cu arc
electric pentru a se putea atinge temperatura de topire a SiO 2 care se găseşte
în amestec cu carbon (cărbune).

Siliciul care se obţine în urma electrolizei are puritatea de 98 %.

Puritatea trebuie mărită în continuare, cu multe ordine de mărime, până la
obţinerea unui material utilizabil în microelectronică.
 Obţinerea siliciului de calitate electronică
Teoria dispozitivelor semiconductoare este construită în ipoteza unui
cristal perfect sau cvasi-perfect. Calitatea electronică (EGS) a siliciului este
greu de obţinut fiind necesară aplicarea succesivă a unui număr mare de
etape de purificare.

Succesiunea principalelor etape de purificare a siliciului

a) purificarea chimică – o metodă folosită constă în dizolvarea siliciului
într-un produs lichid la temperatura ambiantă şi apoi distilarea acestui lichid.
În mod frecvent se folosesc halogenurile de siliciu ca produs intermediar
lichid.

b) purificarea fizică - se bazează pe redistribuirea impurităţilor existente

în material la trecerea acestuia din faza lichidă în faza solidă.
 metoda solidificării directe - prin care materialul aflat iniţial în stare
lichidă se solidifică treptat prin deplasarea unei singure interfeţe solid-lichid;
  metoda topirii zonale simple - constă în topirea unei zone a lingoului
de material semiconductor şi deplasarea lentă a acestei zone de-a lungul
lingoului.
 metoda topirii zonale multiple - constă în topirea mai multor zone,
distanţate între ele şi separate prin faza solidă.

Schema topirii zonale

a) Principiul încălzirii prin inducţie
b) Variaţia temperaturii

c) Obţinerea lingoului - Evoluţia dimensiunilor lingourilor a fost legată

de evoluţia gradului de control asupra parametrilor de proces şi
echipamentelor asociate, având ca scop creşterea randamentului de fabricaţie
şi reducerea costurilor de producţie pe circuit integrat realizat. Astfel, în mai
puţin de 30 de ani, diametrul plachetelor a crescut de 10 ori, respectiv de la
25 mm în 1964 la 300 mm în 1998.
 d) Tragerea şi creşterea cristalului reprezintă o tehnică folosită pentru
realizarea lingourilor de mari dimensiuni care porneşte de la un lingou de
siliciu policristalin obţinut în reactorul de reducere. Creşterea cristalului se
obţine pornind de la un germene fixat la extremitatea lingoului, prin
deplasarea unei zone topite.

Cristalizarea lingoului şi purificarea prin metoda topirii zonale.

Aceasta zonă este încălzită prin inducţie până la limita de topire a

siliciului. Procesul de încălzire se obţine prin intermediul unei bobine
parcurse de curent de înaltă frecvenţă, care induce în lingou curenţi
turbionari (Foucault), la fel ca şi în cazul purificării lingoului. Diametrul
lingoului este determinat de parametrii fizici în timpul tragerii.
O altă variantă pentru tragerea de lingouri este aceea în care lingoul se
obţine într-o formă paralelipipedică, iar cristalizarea se efectuează progresiv,
pornind de la una din extremităţi. Această metoda este numită metoda
"Bridgman“. Această tehnică este folosită, în special, pentru lingouri din
compuşi III - V, cum ar fi GaAs.
 e) Tăierea capetelor lingoului - Operaţia constă în eliminarea
extremităţilor lingoului, care sunt fie imperfect cristalizate, fie bogate în
impurităţi (în special dacă s-a folosit tehnica topirii zonale).

f) Controlul rezistivităţii la extremităţile lingoului - Concentraţia de

impurităţi nu este constantă în timpui tragerii, rezistivitatea finală variază de-
a lungul lingoului. Se impune o verificare a acestui parametru în raport cu
specificaţiile tehnologice (gama de variaţie). Măsurarea rezistivităţii se face
cu metoda "celor patru sonde".

g) Determinarea reperelor cristalografice şi marcarea lingoului -

cunoaşterea orientărilor cristalografice este necesară, pentru a putea decupa
materialul de-a lungul axelor cristalografice, la sfârşitul procesului de
fabricaţie. După reperarea planurilor cristalografice la lingoul de siliciu se
creează o teşitură care va servi ca referinţă .
 h) polizajul cilindric - în cursul tragerii diametrul lingoului variază uşor,
suprafaţa fiind ondulată. Pentru a obţine plachete de acelaşi diametru este
necesară o polizare cilindrică.

i) polizarea unei teşituri de referinţă - acest reper va folosi ca referinţă în

cursul procedeului de fabricaţie (orientarea zonelor de conducţie în raport cu
axele cristalului, reperarea desenelor gravate în cursul fotolitografiei,
decuparea cipurilor după axele cristalografice)

 Se vor realiza suplimentar şi alte repere, în funcţie de tipul de

dopaj al substratului şi de orientarea sa cristalografică. La plachetele cu
diametru mai mare de 3 inch/ţoli (1 inch =25,4 mm) se foloseşte un reper
cristalografie în formă de crestătură.
 Se pot distinge uşor tipurile de dopaj n şi p precum şi orientările
cristalografice. Pe lingou se marchează datele de identificare ale lingoului cu
ajutorul unui fascicul laser: numărul lotului în care s-a realizat, data
fabricaţiei.

Realizarea plachetelor semiconductoare

Din lingoul de siliciu cristalin se obţin plachetele (wafers) pe care prin

tehnologii specifice urmează a se realiza dispozitivele electronice şi
circuitele integrate.

Succesiunea principalelor operaţii de obţinere a plachetelor

a) debitarea plachetelor - după obţinerea lingoului de siliciu

monocristalin acesta va fi decupat în discuri subţiri ce vor reprezenta
plachetele (wafers). O modalitate de debitare a plachetelor este aceea care se
face cu ajutorul unui ferăstrău diamantat. Dacă se ia în considerare
eliminarea capetelor de lingou şi polizarea, rezultă că din lingou se elimină
în total 50% la 60%

b) tratament termic - operaţia de debitare a plachetelor creează

tensiuni mecanice în cristal. Eliminarea acestor tensiuni şi relaxarea
cristalului se obţine printr-o creştere lentă a temperaturii plachetelor până la
600...700°C. Prin acest tratament termic de recoacere, atomii obţin suficientă
energie proprie pentru a se reaşeza în şisturile cristaline. Se obţine în acelaşi
timp diminuarea efectului atomilor de oxigen (de tip donor) şi se stabilizează
rezistivitatea.

c) polizarea marginilor (debavurarea) - după tăiere, pe marginile

plachetelor rămân bavuri ce trebuie eliminate. Se realizează în acelaşi timp
şi o rotunjire a muchiilor, pentru a uşura manipularea plachetelor în cursul
procesului de fabricaţie. Prin aceasta se evită degradarea dispozitivelor de
prindere şi se suprimă amorsele de fisuri.

d) selecţia plachetelor în funcţie de grosime - după debitare,

grosimile plachetelor pot fi sensibil diferite. Pentru reducerea timpului de
polizare plachetele se triază în game de grosimi.

e) acoperirea plachetelor cu o suspensie de alumină şi polizarea -

pentru a ameliora starea suprafeţelor, plachetele sunt polizate cu ajutorul
unei soluţii ce conţine în suspensie granule de alumină de dimensiuni
micronice.

f) curăţirea - această etapă are rolul de a elimina produsele abrazive şi

substanţele contaminante, prin spălare cu solvenţi şi apă deionizată.

g) atacul chimic al plachetelor - în cursul etapelor parcurse de

plachete, acestea formează la suprafaţă un strat de oxid care conţine
impurităţi. Aceste impurităţi sunt fie particule metalice şi pot fi eliminate cu
soluţii acide, fie substanţe organice ce pot fi eliminate folosind soluţii
bazice. Se obţine în acest fel o suprafaţă neutră din punct de vedere chimic,
înaintea polizării "oglindă".
 h) deteriorarea feţei inferioare - partea utilă a plachetei (în care se vor
crea componentele electronice) se găseşte foarte aproape de suprafaţa
superioară. Se urmăreşte realizarea unei calităţi maxime a materialului în
această zonă, atât sub aspectul gradului de puritate (atomi străini), cât şi ai
defectelor cristalografice (macle, dislocări, etc). În acest scop se creează
intenţionat defecte pe faţa inferioară, prin sablaj sau bombardament laser .

Aplicând ulterior un tratament termic, impurităţile de pe faţa activă a

plachetei vor migra prin substrat spre faţa inferioară şi vor fi captate de
defectele create în această parte, acestea oferind stări energetice favorabile
fixării atomilor. Acest fenomen este numit efectul "getter".

i) selecţia în funcţie de grosime - prin operaţia precedentă se modifică

grosimile plachetelor. Se face o nouă selecţie în game de grosime.

j) prelucrarea finală a suprafeţei - această prelucrare tip "oglindă"

poate fi efectuată mecanic sau mecano-chimic. Se urmăreşte eliminarea
zgârieturilor şi a micilor denivelări ale suprafeţei rămase de la operaţiile
anterioare. Operaţia se efectuează cu discuri abrazive folosind o soluţie
abrazivă cu granule foarte fine.
 k) testarea rezistivităţii plachetelor, selecţia finală în funcţie de
rezistivitate - formarea loturilor ce urmează să se livreze beneficiarilor după
o selecţie în funcţie de rezistivitate. Determinarea rezistivităţii se realizează
cu ajutorul a patru electrozi punctiformi care se aşează pe suprafaţa
plachetei.

Prin doi dintre aceşti electrozi se injectează un curent I în circuit, iar

între ceilalţi doi electrozi se măsoară tensiunea UBC care ia naştere. În funcţie
de configuraţia electrozilor, se poate determina prin calcul rezistivitatea
plachetei. Atunci când electrozii sunt coliniari şi echidistanţi rezistivitatea se
calculează cu relaţia:

l) reperarea/marcarea - se marchează pe lingou cu ajutorul unui

fascicul laser: numărul lotului în care s-a realizat, data fabricaţiei. Prin aceste
reperare este posibilă urmărirea plachetei de-a lungul întregii linii de
fabricaţie.
 m) curăţarea finală în "camera albă“- pentru a demara ansamblul
etapelor ce formează procedeul de fabricaţie a circuitelor integrate,
plachetele trebuie să fie perfect curate (fără grăsime, fără particule de praf,
etc). Curăţarea finală se realizează în incintă cu condiţii de mediu perfect
controlate ("camera albă").

n) inspecţia vizuală - inspecţia finală se impune pentru a detecta

variaţiile de culoare, zgârieturile, particulele de praf. Omul este la ora
actuală cel mai bun inspector. El poate detecta vizual şi în scurt timp
variaţiile de culoare, zgârieturile, particulele de praf cu dimensiuni mai mici
de un micron. Un sistem automat de control cu baleiaj optic al întregii
suprafeţe a plachetei ar necesita deocamdată un timp de analiză mult mai
mare decât cel necesar unui operator uman antrenat.

o) testul de planeitate - planeitatea plachetelor este foarte importantă

pentru operaţiile litografice la care acestea urmează să se supună. Există în
prezent dispozitive bazate pe măsurări optice (devierea unui fascicul laser),
pentru testarea planeităţii.

Plachetele semiconductoare sunt în continuare supuse la o serie de

operaţii dintre care se pot sintetiza: impurificarea controlată şi selectivă în
mai multe etape, depuneri de straturi, realizarea conexiunilor la pini,
încapsularea, testarea.
 BIBLIOGRAFIE

1. Amza Gh., ş.a.,"Tehnologia materialelor", Editura Tehnică,

Bucureşti, 1999.
2. C. Oriţă, M. Derevlean, ”Materiale Electronice”, Editura VIE,
Iaşi 2001.
3. Cătuneanu V.,ş.a., ”Tehnologie electronică", Editura Didactică
şi Pedagogică, Bucureşti, 1995.
4. Hubcă Gh.,ş.a., "Materiale compozite", Editura Tehnică,
Bucureşti, 1999.
5. Popescu N., ş.a., "Ştiinţa materialelor pentru ingineria
mecanică. Materiale comerciale metalice, nemetalice şi compozite"., Editura
Fair Partners, Bucureşti, 2000.
6. Pumnea C., ş.a. "Tehnologie industrială", volumul 1 şi 2,
Editura Didactică şi Pedagogică, Bucureşti, 1992.