Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Dintre materialele semiconductoare, siliciul este cel care s-a impus pentru
realizarea de dispozitive semiconductoare şi de circuite integrate monolotice. Motivul
principal este acela că prin oxidare termică siliciul se acoperă cu un strat de oxid de
siliciu amorf, care constituie o barieră în pătrunderea impurităţilor în materialul de
bază, bioxidul de siliciu fiind în acelaşi timp şi un bun material dielectric. Siliciul şi
oxidul său stau la baza tehnologiei planare, care a făcut posibilă realizarea cu
productivitate ridicată a dispozitivelor semiconductoare şi a circuitelor integrate pe
scară mare.
Siliciul se găseşte în cantitate mare la suprafaţa globului terestru (aprox. 28%).
Sursele naturale de Si sunt în principal silicaţii (nisip, etc.), dar şi zirconiul, jadul,
mica, cuarţul. Siliciul există natural sub formă de oxizi (starea oxidată). Pentru
elaborare este necesară o metodă de reducere a sa, iar apoi trebuie să pe fie purificat
până la stadiul de siliciu "de calitate electronică" sau EGS (Electronic Grade Silicon).
Obţinerea siliciului metalurgic se efectuează prin electroliza silicei topite (SiO2) într-un cuptor cu arc
electric. Se foloseşte cuptorul cu arc electric pentru a se putea atinge temperatura de topire a SiO2 care
se găseşte în amestec cu carbon (cărbune).
Electrodul cuptorului cu arc este din grafit şi se consumă în timpul procesului (
fig. 3.1).
Bilanţul global al reacţiei de reducere este următorul:
În realitate rezultatul acestei reacţii rezultă în urma unui număr mare de reacţii
chimice intermediare.
Siliciul care se obţine în urma electrolizei are puritatea de 98 %. Puritatea
trebuie mărită în continuare, cu multe ordine de mărime, până la obţinerea unui
material utilizabil în microelectronică.
Fig. 3.1 Electroliza silicei pentru obţinerea siliciului topit de calitate metalurgică
Prin distilare într-un reactor, aşa cum este cel prezentat în figura 3.2 se obţin
purităţi superioare. Triclorosilanul astfel purificat este în continuare redus, pentru a
repune în libertate siliciul. Reacţia chimică de bilanţ este următoarea:
SiHCl3(gaz) + H2 (gaz) ——> Si (solid) + 3HCl (gaz) (3.3)
pornind de la SiHCl
3
Fig. 3.2 Schema unui reactor pentru producerea siliciului de calitate electronică
Pornind de la acest siliciu policristalin purificat se fabrică monocristalul. Siliciul
purificat este folosit pentru a forma şarjele cu care se încarcă reactorul de creştere a
monocristalului.
SiHCl
3
+H
2
Gaze reziduale
Punte de siliciu
Siliciu policristalin
Clopot de cuarţ
Suport de grafit
Cameră de reacţie
pornind de la SiHCl
3
Purificarea siliciului are loc în continuare prin metode fizice.
b) purificarea fizică
Aceste metode de purificare se bazează pe redistribuirea impurităţilor existente în
material la trecerea acestuia din faza lichidă în faza solidă. Eficienţa metodei depinde
de coeficientul de repartiţie k ( kg=Ns/Nl ) dintre concentratia de impuritati in faza solida N
r
s
şi concentraţia de impurităţi în fază lichidă N.
l
Pentru k >1 rezultă o concentrare a impurităţilor în faza solidă. , iar pentru k <1 se obţine o
concentrare ᵞa impurităţilor în faza lichidă.
r
r==a
În practică se utilizează următoarele variante:
- metoda solidificării directe, prin care materialul aflat iniţial în stare lichidă
se solidifică treptat prin deplasarea unei singure interfeţe solid-lichid;
- metoda topirii zonale simple – constă în topirea unei zone a lingoului de
material semiconductor şi deplasarea lentă a acestei zone de-a lungul lingoului (fig3.3) se obtine o
redistribuire a zonelor la trecerea de la zona de topire la cea de solidificare.
- metoda topirii zonale multiple - constă în topirea mai multor zone, distanţate intre ele si
separate prin faza solida
c) obţinerea lingoului
a) Variaţia temperaturii
T
y
Evoluţia dimensiunilor lingourilor a fost legată de evoluţia gradului de control
asupra parametrilor de proces şi echipamentelor asociate, având ca scop creşterea
randamentului de fabricaţie şi reducerea costurilor de producţie pe circuit integrat
realizat. Astfel, în mai puţin de 30 de ani, diametrul plachetelor a crescut de 10 ori,
respectiv de la 25 mm în 1964 la 300 mm în 1998.
d) tragerea şi creşterea cristalului
Altă tehnică folosită pentru realizarea lingourilor de mari dimensiuni porneşte de
la un lingou de siliciu policristalin obţinut în reactorul de reducere a triclorosilanului
prezentat anterior (fig. 3.2). Creşterea cristalului se obţine pornind de la un germene
fixat la extremitatea lingoului, prin deplasarea unei zone topite (fig. 3.4).
Aceasta zonă este încălzită prin inducţie până la limita de topire a siliciului.
Procesul de încălzire se obţine prin intermediul unei bobine parcurse de curent de
înalta frecvenţă, care induce în lingou curenţi turbionari (Foucault), la fel ca şi în cazul
purificării lingoului. Se exploatează fenomenul de difuzie a impurităţilor într-un solid,
la temperatură înaltă. Diametrul lingoului este determinat de parametrii fizici în timpul
tragerii. La componentele semiconductoare binare (din grupele III-V) este folosită şi o
Tehnologie electronică
altă variantă pentru tragerea de lingouri. În acest caz, lingoul se obţine într-o formă
paralelipipedică, iar cristalizarea se efectuează progresiv, pornind de la una din
extremităţi. Această metoda este numită metoda "Bridgman" (fig. 3.5). Această tehnică
este folosită, în special, pentru lingouri din compuşi III - V, cum ar fi GaAs
Tehnologie electronică
Tehnologie electronică
altă variantă pentru tragerea de lingouri. În acest caz, lingoul se obţine într-o formă
paralelipipedică, iar cristalizarea se efectuează progresiv, pornind de la una din
extremităţi. Această metoda este numită metoda "Bridgman" (fig. 3.5). Această tehnică
este folosită, în special, pentru lingouri din compuşi III - V, cum ar fi GaAs.
Fig. 3.5 Tragerea unui lingou prin metoda Brigman
Fig. 3.6 Tăierea capetelor lingoului de siliciu
Fig. 3.7 Lingoul de siliciu cu marcarea orientării cristalografice
e) tăierea capetelor lingoului
Operaţia constă în eliminarea extremităţilor lingoului (fig. 3.6), care sunt fie
imperfect cristalizate, fie bogate în impurităţi (în special dacă s-a folosit tehnica topiri zonale)
f) controlul rezistivităţii la extremităţile lingoului
Concentraţia de impurităţi nu este constantă în timpul tragerii, rezistivitatea
finală variază de-a lungul lingoului. Se impune o verificare a acestui parametru în
raport cu specificaţiile tehnologice (gama de variaţie). Măsurarea rezistivităţii se face
cu metoda "celor patru sonde". [3], [7].
g) determinarea reperelor cristalografice şi marcarea lingoului
Cunoaşterea orientărilor cristalografice este necesară, pentru a putea decupa
materialul de-a lungul axelor cristalografice, la sfârşitul procesului de fabricaţie. După
reperarea planurilor cristalografice la lingoul de siliciu se creaza o temperature care va servi ca referinta
(fig 3.7 de exemplu ax 100)
Tehnologia siliciului
h) polizajul cilindric
In cursul tragerii diametrul lingoului variază u şor, suprafaţa fiind ondulată.
Pentru a obţine plachete de acelaşi diametru este necesară o polizare cilindrică.
i) polizarea unei teşituri de referinţă
Acest reper (fig.3.8) va folosi ca referinţă în cursul procedeului de fabricaţie
(orientarea zonelor de conducţie în raport cu axele cristalului, reperarea desenelor
gravate în cursul fotolito
Fig. 3.8 Teşituri de identificare a plachetelor
Fig. 3.9 Marcarea lingoului
Tehnologia siliciului
Se vor realiza suplimentar şi alte repere, aşa cum se indică în figura 3.8, în
Din lingoul de siliciu cristalin se obţin plachetele (wafers) pe care prin tehnologii
specifice urmează a se realiza dispozitivele electronice şi circuitele integrate.
Succesiunea principalelor operaţii de obţinere a plachetelor se prezintă în cele ce
urmează:
a) debitarea plachetelor
După obţinerea lingoului de siliciu monocristalin acesta va fi decupat în discuri
subţiri ce vor reprezenta plachetele (wafers). O modalitate de debitare a plachetelor
(fig. 3.10) este aceea care se face cu ajutorul unui ferăstrău diamantat. Pânza
fierăstrăului are grosime g≈400µm şi realizează debitarea de plachete semiconductoare
cu grosimea de 400µm ... 600µm brut, după tăiere.
U
BC
ABCD
I
a
a
a
w
Prin doi dintre aceşti electrozi se injectează un curent I în circuit, iar între ceilalţi
doi electrozi se măsoară tensiunea U care ia naştere. În funcţie de configuraţia
electrozilor, se poate determina prin calcul rezistivitatea plachetei. Atunci când
electrozii sunt coliniari şi echidistanţi (fig. 3.12) rezistivitatea se calculează [12] cu
relaţia:
BC
ρ = 2π*a*UBC/I (3.4)
I
Ua
BC
⋅
⋅
=
π
Relaţia (3.4) se foloseşte pentru determinarea rezistivităţii la probe cu grosimea w≥3a.
Pentru probe la care
, diferenţa de potenţial w/a <<1 UBC care apare între sondele de măsurare B şi C în cazul
amplasării echidistante şi în linie dreaptă a vârfurilor de măsurare este dată de relaţia:
w
IU
BC
UBC = I* ρ*ln 2/w (3.5)
de unde rezulta rezistivitatea:
⋅
⋅=
ρ
ρ =(w* π/ln2)*(UBC/I) = 4.53*w*(UBC/I) (3.6)
I
U
w
I
U
w
BCBC
⋅⋅≈⋅= 53,4
l) reperarea - marcarea
Se marchează pe lingou cu ajutorul unui fascicul laser: numărul lotului în care s-a
realizat, data fabricaţiei. Prin aceste reperare este posibilă urmărirea plachetei de-a
lungul întregii linii de fabricaţie.
Tehnologia siliciului
m) curăţarea finală în "camera albă"
Pentru a demara ansamblul etapelor ce formează procedeul de fabricaţie a
circuitelor integrate, plachetele trebuie sa fie perfect curate (fără grăsime, fără
particule de praf, etc.). Curăţarea finală se realizează în incinta cu condiţii de mediu
perfect controlate ("camera albă").
n) inspecţia vizuală
Inspecţia finală se impune pentru a detecta variaţiile de culoare, zgârieturile,
particulele de praf. Omul este la ora actuală cel mai bun inspector. El poate detecta
vizual şi în scurt timp variaţiile de culoare, zgârieturile, particulele de praf cu
dimensiuni mai mici de un micron. Un sistem automat de control cu baleiaj optic al
întregii suprafeţe a plachetei ar necesita deocamdată un timp de analiză mult mai mare
decât cel necesar unui operator uman antrenat.
o) testul de planeitate
Planeitatea plachetelor este foarte importantă pentru operaţiile litografice la care
acestea urmează s ă se supună. Exista în prezent dispozitive bazate pe măsurări optice
(devierea unui fascicul laser). pentru testarea planeităţii. După parcurgerea
ansamblului acestor etape plachetele sunt pregătite pentru a parcurge etapele de
fabricaţie a componentelor electronice discrete sau a circuitelor integrate.
Plachetele semiconductoare sunt în continuare supuse la o serie de operaţii dintre
care se pot sintetiza: impurificarea controlată şi selectivă în mai multe etape, depuneri
de straturi, realizarea conexiunilor la pini, încapsularea, testarea.
BC
şi a=0,1 mm dacă grosimea w≥3a
Dar în situaţia
w/a<<1
a
w