Universitatea Tehnic a Moldovei

Facultatea Calculatoare, Informatic i Microelectronic

Departamentul Microelectronic i inginerie biomedical

RAPORT
La Lucrarea de Laborator Nr2

La Disciplina: BTM

Tema: Cercetarea procesului oxidarii termice a siliciului

A efectuat: st. gr MN-151 Dimov Alexandru

A verificat: dr.hab. Trofim Viorel

Chiinu 2017
 Scopul lucrrii: 1) a lua cunostinta cu instalatia de obtinere a SiO2
2)cercetarea influentei diferitilor parametri ai procesului
tehnologic asupra parametrilor oxidului;
3)cercetarea grosimii si calitatii stratului de oxid
Date teoretice:
Bioxidul de siliciu crescut prin metoda oxidarii termice este unul dintre cele mai folosite
material la fabricarea circuitelor integrate.El este utilizat mascarea plachetelor,ca element
constructive al dispozitivelor MOS,pentru izolarea dielectrica a componentelor. Oxidul
obtinut prin metoda oxidarii termice are cele mai bune proprietati. In calitate de oxidant
poate fi folosit oxygen umed , uscat si vaporii de apa.reactiile chimice pot fi scrise sub
forma:

Si(s)+O2(g)SiO2(s);

Si(s)+2H2O(g) SiO2+2H2

La cresterea unui strat de oxid cu grosimea x0 se consuma o grosime a plachetei de Si egala

cu 0.45 x0.

Din analiza cineticii procesului oxidarii termice a fost determinate ecuatia care descrie acest
proces: x20+Ax0=Bt,

Unde A si B-marimi cnstante pentru procesul dat,x0-grosimea stratului crescut,t-timpul;

Solutia ecuatiei fata de x0 in ependenta de timp se scrie:

x0/(A/2)=[(1+t/(A2/4B))]1/2-1

daca t>> A2/4B, atunci x20=Bt

daca t<< A2/4B,atunci x0=(B/A)t

O mare importanta in folosirea practica a SiO2 o are grosimea acestui strat.In conditii
industriale pentru determinarea grosimii se foloseste metoda culorilor.O placheta oxidata,
privita la lumina alba prezinta o anumita culoare in functie de grosimea oxidului,datorita
interferentei undelor luminoase.Culorile se repeta in grupe aproximativ identice ,numite
ordine de multiplicitate.Pentru a determina ordinul de multiplicitate se poate pune pe
suprafata plachetei o picatura de HF ,care va ataca rapid oxidul , lasind o urma circulara
formata din inele concentrice de diferite culori.
Schema instalatiei:

Instalatia pt oxidarea termica a Si:

1-reactor; 2-plachete de Si; 3-suport pt plachete; 4-termocuplu; 5-rezistente de incalzire
6-ventile

Ordinea indeplinirii lucrarii:

1.Faceti cunostinta cu instructia de exploatare a instalatiei comune pt procesele difuziei,
Oxidarii termice si cresterii epitaxiale;
2.Conectati cuptorul electric si rezistenta de incalzire a vasului cu apa.Temperatura
necesara in cuptorul electric este indicata de profesor.
3.Curatiti citeva plachete de Si ,prin fierberea lor intr-un solvent organic.
4.Deschideti anumite ventile pt a oxida intr-un oxidant, dat de profesor.
5.Plachetele purificate asezatile pe suport si introduceti-le in reactor si urmariti
temperatura in reactor.
6.Dupa anumite intervale de timp scoateti din reactor suportul si luati cu penceta cite o
placheta .
7.Dupa terminarea procesului de oxidare scoateti incet suportul din cuptor si luati
plachetele ramase.
8.Determinati grosimea oxidului obtinut prin metoda interferentei si metoda culorilor .
9.Cercetati calittea plachetelor de Si02 cu ajutoru microscopului si determinati densitatea
defectelor.
Calculul teoretic al grosimii SiO2:
x20=Bt
din table: B=0.33um2/h t=0.5h
x01=0.33 0.25=0.28um=2800A

x02=0.33 0.5=0.366um=3660A
Rezultatele experimentale:
X(A) 3000 3300
T(min) 15 30

1.Albastru ordin multipliitate 2- 3000A

2.Verde ord. Mult.2 -3300A

Concluzie:
In lucrarea data de laborator am studiat oxidarea termica a Si.
Sint 2 metode de determinare a grosimii stratului de SiO2:1.metoda
interferentei si culorilor,2.metoda teoretica(stiind constanta B pt vapori de apa
si timpul oxidarii). Calculind grosimea stratului de SiO2 prin aceste 2 metode am
obtinut rezultatele 0.28um si 0.3um pt prima placheta si 0.37 si 0.33 pt placheta
a doua.