Sunteți pe pagina 1din 9

SILICIUL MONOCRISTALIN

I.1. Proprieti mecanice


Siliciul monocristalin poate fi realizat virtual fr defecte iar sub presiune nu apar
deplasri ale liniilor de dislocaie din reeaua cristalin. Aceasta nseamn c la temperatura
ambiental, Si poate fi deformat doar din punct de vedere elastic. Cuplnd aceast proprietate cu
o limit de curgere extrem de ridicat (comparabil cu cea a oelului), Si devine un material
superior oricrui metal n majoritatea aplicaiilor. Ca urmare Si a fost utilizat cu succes pe post
de material structural al senzorilor mecanici, n special n ultimii 15 ani.
Cele mai importante caracteristici care au facut din Si un deziderat n domeniul senzorilor
mecanici sunt:
limita de curgere mai bun ca a oelului i o densitate mai mic dect cea a aluminiului
duritatea sa este puin mai mare dect a oelului inoxidabil; se apropie de cea a quarului
i este mai mare dect cea a majoritii sticlelor.
Proprieti cristalografice
Structura cristalin
Siliciul cristalin formeaz o structur cu legturi covalente, structur cubic de tip
diamant, care are acelai aranjament atomic cu al carbonului sub form de diamant, i se
ncadreaz n clasificarea mai general a amestecurilor de zinc. Siliciul, cu cele patru legturi
covalente, se autocoordoneaz tetraedric, iar aceste tetraedre formeaz mpreun structura cubic
de tip diamant. Aceast structur poate fi reprezentat ca dou reele cristaline cubice cu feele
centrate ntreptrunse, una deplasat de (1/4,1/4,1/4) a ori fa de cealalt. Structura este cubic
cu feele centrate (FCC = Face-Centered Cubic), dar cu doi atomi n celula elementar.
Constanta de reea a pentru siliciu are valoarea 5.4309 iar reeaua sa cristalin cubic de tip
diamant este surprinztor de larg deschis, cu o densitate de mpachetare de 34%, n comparaie
cu 74% pentru o reea uzual de tip FCC. Planele (111) prezint cea mai mare densitate de
mpachetare iar atomii sunt astfel orientai nct trei legturi sunt situate dedesubtul planului. n
adaos la structura cubic tip diamant, siliciul este cunoscut ca avnd multiple faze cristaline
stabile la presiuni ridicate i o faz metastabil la stres indus cu o structur de tip diamant,
hexagonal.
La comandarea plachetelor de siliciu, orientarea cristalografic trebuie specificat. Cele
mai comune orientri utilizate n industria IC sunt <100> i <111>; n microprelucrri sunt
utilizate i cele cu orientarea <110> destul de mult. Placheta utilizat n partea experimental a
acestei lucrri are orientarea <100>. Plachetele <110> se rup sau se taie mult mai curat dect cele
cu alte orientri. Mai mult, este singurul plan care poate fi tiat cu margini perfect
perpendiculare. Plachetele <111> sunt mai puin utilizate, ntruct nu pot fi cu uurin corodate
cu ageni umezi de corodare exceptnd situaia n care aceasta este asistat de laser [13].
Pe o plachet de tip <100>, direcia <110> este adesea indicat printr-un flat (segment
plat), adesea numit flat de orientare cu o precizie de aproximativ 3 grade. Poziia flat-ului pe
plachetele cu orientarea <110> variaz de la productor la productor dar este adesea paralel cu
direcia <111>. Exemple de flat-uri de pe plachete sunt ilustrate n figura I.2.1.1. .
Figura 1. Flat-uri primare i secundare pe plachete de siliciu
I.2.2. Indicii Miller
Planele cristalografice sunt caracterizate de seturi de trei indici, aa numiii indici Miller.
Acetia descriu vectori normali la planele cristalului n cauz. Spre exemplu ntr-o reea
cristalin cubic se regsesc atomi de-a lungul direciilor x, y, z la o distan egal cu un multiplu
ntreg al constantei de reea a.Vectorii a
x
i a
y
delimiteaz un plan la care vectorul a
z
este normal,
plan la care se face referire ca fiind (001). n mod similar, direcia <011> este normal la planul
format de vectorii a
x
i (a
y
+ a
z
). n final, (111) este normal la planul format de vectorii (a
x
+
a
z
) i (a
y
+ a
z
) [32]. Indicii Miller sunt componentele celulei elementare n reeaua invers.
Planele (100), (110), (111) sunt prezentate n figura I.2.2.1. .
Figura 2. Familia planelor (100), (110), (111) n reelele cubice
De mare importan pentru corodarea anizotrop sunt orientrile planelor cristalografice
relevante cu privire la direciile de interes. Planul (111) este de departe planul cu cea mai mic
vitez de corodare, tocmai de aceea este necesar s se cunoasc unghiurile pe care le face acest
plan cu orientrile plachetelor n cazul corodrii acestora. Pentru domeniul micromecanicii dou
plane sunt importante: (100) i (110) [11].
Orientrile pot fi uor calculate utiliznd produsul scalar al orientrilor plachetelor cu
multiplele planuri (111) , din moment ce
cos B A B A
.
De exemplu unghiul dintre (111) i (001) este:

,
_

'

74 . 54
1 3
1
arccos
) 001 ( ) 111 (
) 001 ( ) 111 (
arccos
Orientrile planelor (111) pot fi determinate de asemenea prin inspecia direct a celulei
cubice simple elementare. Aceast operaie necesit puin experien ns cele mai importante
rezultate sunt rezumate n figurile I.3.2.2. i I.3.2.3. dup cum urmeaz:
Figura I.2.2.2. Planele (111) n plachetele cu orientarea <100>
Figura I.2.2.3. Planele (111) n plachetele cu orientarea <110>
PROCESUL DE CORODARE UMED ANIZOTROP A SILICIULUI
Primul pas n procesul de corodare al unei plachete l constituie generarea mtilor.
Referitor la acest pas trebuiesc fcute nti urmtoarele dou precizri:
1. Pentru proiectarea CI este suficient generarea de abloane rectangulare orientate paralel
la o anumit direcie. Acest lucru este insuficient ns pentru domeniul micromecanicii
deoarece acest tip de sisteme nu permit generarea cu uurin a tiparelor netede de
exemplu a formelor triunghiulare sau curbate.
2. Trebuie avut n vedere dimensiunea minim a structurii care se dorete a fi realizat. n
general este destul de dificil de obinut dimensiuni reale la fel de mici pe ct permit
aceste sisteme principial.
Etape
S presupunem c avem la dispoziie o plachet proaspt scoas din cutia n care a fost
livrat de fabricant. Aceast plachet nu va fi mai fi niciodat mai curat dect a fost nainte s o
manipulm cu penseta. Pentru nceput trebuie depus materialul ce va servi pe post de masc la
corodare. Cea mai uoar cale este creterea unui oxid termic ntr-un cuptor termic.. Rata de
cretere a oxidului (mai exact: dioxid de siliciu, dar n laboratoare sau literatur este adesea
ntlnit sub denumirea simpl de oxid) este puternic dependent de temperatur. Procesul ce
controleaz aceast rat este reprezentat de difuzia atomilor sau moleculelor de oxid nspre
stratul de dioxid de siliciu aflat n cretere.
Creterea oxidului n procesul de cretere umed, se adaug aburi la oxigenul ce curge
prin tub. Cea mai simpl metod de a aduga aceti aburi este direcionarea oxigenului
prin apa demineralizat aflat aproape de punctul de fierbere. Vaporii de ap mresc rata
de cretere considerabil.
Grosimea impus a filmului de oxid depinde de un numr de factori. Pentru urmtorul
pas al procesului de corodare trebuie avut n vedere rata de corodare a oxidului
Depunerea fotorezistului Pe ambele fee ale plachetei oxidate trebuie depus prin
centrifugare fotorezist, dac se poate negativ. Productorii de fotoreziti prefer utilizarea
unui strat intermediar (numit promotor de aderen) ntre plachet i rezist dat fiind faptul
c acesta nu ader prea bine la substrat dac mediul este umed sau dac placheta a fost
scufundat anterior n ap. n cele din urm, placheta ar trebui tratat bine la temperaturi
de peste 100C timp de aproximativ o or. n primul caz, promotorul ajut, dar un control
mai bun al umiditii mediului (40% umiditate) este mai indicat.
n mod obinuit, placheta cu rezist depus trebuie tratat la 90C timp de 10 minute nainte
de depunerea prin centrifugare pe cealalt parte a plachetei sau de pasul impresionrii.
Tratarea se poate face pe plite fierbini sau n etuve. Acest pas este de obicei numit
precoacere.
Impresionarea rezistului Aceast etap impune adesea alinierea ablonului mtii cu
flat-ul plachetei, sau cu abloane deja existente pe plachet. Uneori (de fapt destul de des)
este necesar s se alinieze masca cu reperele de aliniere de pe spatele plachetei.
Alinierea nu este deloc nesemnificativ. Dac ntr-un proces marja de eroare n aliniere
trebuie s fie mai mic de 10 m se vor experimenta dificulti n realizarea acestui scop.
De aceea sunt de preferat procesele care nu necesit aliniere.
Developarea + postcoacere Dup impresionare plachetele sunt developate, cltite n ap,
uscate prin suflare, i tratate nc o dat, tipic la 120C timp de 20 de minute. Acest pas
poart denumirea uzual de postcoacere. Temperaturi mai ridicate sau un timp de
tratare mai ndelungat fac mai dificil nlturarea rezistului care tinde s curg.
Corodarea selectiv a oxidului Dup postcoacere oxidul poate fi corodat ntr-o soluie de
HF. i aici reetele pot varia: Unii utilizeaz HF tamponat, un amestec de 49% soluie
apoas de HF i 7 pri de NH
4
F. Aceast soluie nu atac siliciul deloc. Soluiile apoase
de HF cu concentraii mari tind s corodeze uor siliciul. Curarea oxidului se face la
temperatura camerei iar rata de corodare a oxidului n BHF este n principiu 6 m/h. De
reinut c rezistul nu suport prea bine interaciunea cu HF tocmai de aceea unii repet
postcoacerea dup 15 minute n BHF pentru a prelungi durata de via a stratului de
rezist.
Procesul de corodare a oxidului este destul de strict: dac placheta nu a fost destul de
uscat sau curat, rezistul se va coji n timpul corodrii n BHF.
Apa reacioneaz destul de diferit cu o suprafa de oxid fa de una de siliciu. Siliciul
pur nu suport apa prea bine, aceasta nu ud perfect siliciul restrngndu-se sub form de
picturi. n schimb pe suprafeele de oxid apa se uniformizeaz perfect udnd n
ntregime oxidul.
Urmtoarea aciune se face pentru a vedea dac procesul de corodare a oxidului s-a
ncheiat sau nu: dac placheta este scufundat n ap demineralizat, apa se va retrage
din regiunile deschise dac oxidul este corodat n ntregime. Se recomand verificarea
rezultatelor corodrii la un microscop optic, pentru a vedea dac ntreg oxidul este
corodat - dac suprafaa nu mai este ud mai pot totui exista insule mici de oxid.
ndeprtarea rezistului Dac etapa de curare a oxidului are rezultate satisfctoare, se
poate trece la curarea rezistului. Aceasta se poate face n aceton dac postcoacerea nu
a fost prea ndelungat sau la o temperatur mult prea ridicat. Dac temperatura este
totui prea mare rezistul trebuie nlturat prin ardere ntr-o plasm cu oxigen.
Curarea plachetei nainte de corodarea siliciului se recomand curarea plachetelor
dup o procedur standard. Procedura RCA1 i RCA2 const n:
RCA1: o parte NH
3
(25% soluie apoas) n 5 pri ap, nclzire pn la punctul de
fierbere, se adaug o parte H
2
O
2
i apoi se scufund placheta timp de 10 minute.
RCA2: o parte HCl n 6 pri ap, nclzire pn la punctul de fierbere, se adaug o parte
H
2
O
2
i apoi se scufund placheta timp de 10 minute.
N.B. NH
3
corodeaz siliciul. Pentru a mpiedica acest lucru se adaug peroxid n soluie
RCA1 nltur toate resturile organice (rezist), iar RCA2 nltur toi ionii de metale.
Al doilea pas de curare este necesar pentru a feri contaminarea cu metale a tuburilor
cuptoarelor de oxidare termic i de difuzie. Pentru o singur corodare pasul RCA2 nu
este necesar, ns RCA1 da.
Ambele procese de curare (i altele precum tratarea n NH
3
) las pe plachete un film
subire de oxid depus. Acesta trebuie nlturat chiar naintea corodrii Si i se poate
realiza prin imersarea de scurt durat a plachetei ntr-o soluie apoas de HF. Aceast
soluie nu va uda suprafeele dezgolite de siliciu. Deci, dac toat placheta este udat, mai
exist nc oxid pe ele.
Corodarea propriu-zis Placheta este scufundat n ap demineralizat i apoi n agentul
corodant.
Dup corodare, placheta ar trebui s fie inspectat la microscop, la un analizor de
suprafa i la orice alt aparat disponibil, iar apoi curat (RCA1+RCA2) naintea altor
prelucrri. ntregul proces este rezumat n tabelul VII.1..
Tabel 1. Sumarul pailor impui pentru procesul de corodare a unei membrane
Proces Durat
Temperatura
procesului (C)
Oxidare variabil (ore) variabil (900-1200)
Centrifugare la 5000 RPM 20-30 sec 25
Precoacere 10 min 90
Impresionare 20 sec
Developare 1 min 25
Postcoacere 20 min 120
Corodare oxid (BHF = 1pHF + 7pNH
4
F) variabil (cca. 10 min) 25
ndeprtare rezist (n aceton) 10-30 sec 25
RCA1
(1pNH
3
(25%) + 5pH
2
O + 1pH
2
O
2
)
10 min Pct. fierbere
RCA2
(1pHCl+ 6pH
2
O + 1pH
2
O
2
)
10 min Pct. fierbere
scufundare n HF (2%HF) variabl (10 sec) 25
Corodare Si variabil (min pn la o zi) 70 - 100
Un ultim comentariu asupra procedurii de curare RCA este necesar. Ionii de potasiu
sunt fatali pentru procesele din circuitele integrate, prin urmare corodarea cu KOH este
incompatibil cu CI. De aceea n cele mai multe laboratoare CI este interzis prelucrarea unei
plachete corodate n KOH. Exist totui i situaii n care se face acest lucru dar prelucrarea se
realizeaz n afara laboratorului CI dar doar dup o curare temeinic RCA1 i RCA2.
Figura 1. Proces fotolitografic de baz