Tranzistoare Bipolare

Ministerul Educaiei i tiinei
Republica Moldova
Universitatea Tehnic a Moldovei

Catedra de Telecomunicaii
TEZ ANUAL
TEMA Studierea tranzistorului
bipolar 385
A efectuat studenta gr. RTC-983
V.A.CUREVICI
A verificat confereniarul universitar al cat.TLC,d..f-m.

N.P.BEJAN
CHIINU 1999
2
1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT 385.

Realizarea tranzistorului necesit un proces tehnologic special, numit
planar-epitaxial.n prezentul capitol se vor urmri numai aspectele calitative ale
principalelor faze de fabricare a tranzistoarelor. Tehnologia planar-epitaxial
utilizeaz plachete de siliciu de tip p de circa 0,2 mm grosime, tiate dintr-un
monocristal cilindric, cu axele de cristalizare ntr-o anumit poziie, preferinial,
avnd diametrul ntre 60 i 120 mm. Dup o lefuire de tip "oglind" placheta este
gata de procesare. Insula izolat n care se realizeaz acest tranzistor (ca i
celelalte structuri de altfel) reprezint o zon de tip n, definit in masa plachetei
de tip p. Izolarea fa de insulele vecine este asigurat de jonciunea polarizat
invers, format de pereii insulei cu restul plachetei. n partea inferioar, insula
este delimitat, de regul, de un strat de tip n, puternic dopat, denumit strat
ngropat.n interiorul insulei se difuzeaz zone de tip p i n, care reprezint baza i
emitorul tranzistorului, n timp ce colectorul este constituit de nsi insula izolat.
La suprafa se aloc arii speciale, numite ferestre (deoarece sunt zone n care
oxidul izolator este ndeprtat), pentru tranzistorul n schema electric. n
tehnologia planar, structurile tranzistoarelor, ca i ale celorlalte componente, se
realizeaz succesiv, utilizndu-se cinci tipuri de procese tehnologice - oxidarea,
fotogravura, difuzia, creterea epitaxial i depunerile metalice.
Oxidarea reprezint un proces n urma cruia la suprafaa plachetei se
formeaz bioxidul de siliciu, un bun izolator electric care ader la suprafaa
cristalului de siliciu, caliti folosite la realizarea tranzistoarelor din acest material.
Fotogravura este un proces de corodare selectiv, prin care, de pe anumite
arii, determinate, se realizeaz o ndeprtare de material (de exemplu , bioxidul de
siliciu sau aluminiul). n acest scop placheta se acoper cu un strat subire i
uniform de substan fotosensibil, numit fotorezist, apoi se execut o operaie de
fotocopiere prin contact (Fig.1). Expunerea se face n funcie de tipul de fotorezist
utilizat, de regul n spectrul ultraviolet, folosindu-se mti speciale, care localizeaz ariile ce uremaz a fi supuse fotogravrii ntr-o anumit etap a procesului
tehnologic. n continuare imaginea este revelat, fotorezistul din zonele neexpuse
fiind ndeprtat. n acest mod, stratul de bioxid de siliciu de pe aria selectat de
masc este pus n contact cu mediul (Fig. 2). Deoarece acest mediu este coroziv,
(de exemplu, un amestec de fluorur de amoniu - NH 4Fl-i acid fluorhidric-HFl),
bioxidul de siliciu va fi ndeprtat de pe ariile respective.Depunerile de fotorezist
se nltur, placheta rmnnd acoperit peste tot cu un strat de bioxid de siliciu, cu
excepia ariilor selectate prin masc.
radiaie uv
fotomasca
fotorezist
SiO
placheta
Fig.1. Operaia de fotocopiere prin contact la tehnologia planarepitaxial.
corodant
fotorezist
SiO2
placheta
p
Fig.2. Contactarea bioxidului de siliciu cu mediul.

n cadrul difuziei se execut impurificarea controlat a unor zone ale
plachetei. Prin introducerea plachetei ntr-un cuptor de difuzie, la o temperatur
nalt, atomii dopani existeni n atmosfera cuptorului difuzeaz n masa de siliciu
cu o vitez dependent de natura dopantului i de temperatura de difuzie.Difuzia n
masa de siliciu are loc prin ferestrele deschise n bioxidul de siliciu n urma unui
proces de fotogravur (Fig.3). Adncimea zonei difuzate poate fi controlat relativ
uor prin timpul de difuzie, iar concentraia dopantului din plachet,prin
concentraia acestuia n mediul cuptorului de difuzie. Creterea epitaxial este un
proces de dezvoltare a reelei cristaline a plachetei. n acest scop placheta se
introduce ntr-un cuptor special n care se afl un amestec de tetraclorur de siliciu
(SiCl4) i hidrogen la o temperatur de de 1100-1200C. n acest mediu exist n
proporii corespunztoare i halogenuri ale dopantului (PCl 3,BBr3 etc.), care sunt
reduse de ctre hidrogen dnd natere acizilor corespunztori. Siliciul i dopantul,
n stare atomic, - i ocup poziiile n reeaua cristalin a plachetei.
dopant n
n
SiO2
plachet
Fig.3. Procesul difuziei bioxidului de siliciu prin fotogravur.

Ultimul tip al procesului tehnologic (metalizarea) l constituie depunerile
metalice (aluminiu, n acest caz), care au rolul de a forma contactele de conectare
a elementelor de circuit.Depunerile metalice se execut dup ce au fost deschise
ferestre, care reprezint punctele de conectare a conductorilor.
Mtile,element important n realizarea tranzistorilor, se iniiaz de la ataarea
fiecrui element de circuit cu o arie anumit n care se va realiza iniial insula
izolat i apoi structurile proprii. Pe mti trebuie s se marcheze deci toate ariile
care urmeaz s fie supuse la un moment dat unui proces de fotogravare. De
exemplu, pentru a realiza emitorul, este necesar deschiderea ferestrelor n
bioxidul de siliciu , prin care s se poat executa , n locul exact alocat, difuzia
emitorilor n-p-n de pe ntreaga plachet. Masca respectiv va reprezenta deci harta
acestor emitori. Dat fiind gradul de miniaturizare i de precizie impus, n prima
faz mtile se realizeaz la scar mare (500:1).Se realizeaz cu o mare stabilitate
dimensional, rubilit, format dintr-o folie transparent i una roie. Desenul este
realizat prin tierea i ndeprtarea foliei roii de pe zonele alese, cu ajutorul
coordinatografului. Mtile de rubilit sunt micorate fotografic, succesiv, pn cnd
ajung la dimensiunile reale ale tranzistorului.Pe o masc care se utilizeaz n
procesul tehnologic (numit copie de lucru ) se gsesc, alturate ,attea imagini
identice, cte tranzistoare vor fi realizate pe o plachet . Pentru micorarea
fotografic i multiplicare se utilizeaz un aparataj special, preteniile de identitate
dimensional i echidistan fiind corespunztoare dimensiunilor componentelor ce
se realizeaz, ceea ce practic nseamn precizii de ordinul micronului.
Realizarea tranzistoarelor n tehnologia planar-epitaxial presupune
parcurgerea unor etape n care intervin unul sau mai multe din tipurile de procese
tehnologice amintite. Aceste etape sunt:
-realizarea difuziei de strat ngropat (masca 1 );
-creterea epitaxial;
-delimitarea insulelor prin difuzie de izolare ( masca 2 );
-difuzia bazelor ( masca 3 );
-difuzia emitoarelor ( masca 4 );
-realizarea reelei de conectare (masca 5 ).
Evoluia structurii tranzistorului n-p-n al acestei tehnologii este prezentat n
fig.4,a-f.
n prima etap, pe suprafaa plachetei, pe arii corespunztoare, se

implementeaz zone de tip n ( puternic dopate ), ce vor constitui stratul ngropat al
acestora. Dup un proces de oxidare se execut o fotogravare cu masca 1. Prin
ferestrele deschise astfel se difuzeaz impuriti donoare. n cazul stratului
ngropat se utilizeaz arseniul, care are un coeficient mic de difuzie n siliciul. n
acest fel, profilul de impuriti al stratului ngropat va fi relativ stabil la
tratamentele termice ulterioare. Etapa se ncheie cu ndeprtarea complet a
bioxidului de siliciu de pe suprafaa plachetei. n figura 4,a este prezentat n
seciune rezultatul difuziei de strat ngropat.
strat ngropat
n
Si-p
Fig.4,a. Difuzia stratului ngropat dup nlturarea stratului de bioxid de

siliciu.
Etapa a doua presupune un singur proces, cel de cretere epitaxial. n urma
acestei etape, o seciune n plachet, n zona unei insule izolate, va arta ca n
figura 4,b.
n
strat crescut
epitaxial
n
Si-p
Fig.4,b. Creterea stratului epitaxial.

n cadrul celei de a treia etape de delimitare lateral a insulelor se oxideaz
suprafaa plachetei i se deschid prin fotogravur ferestre pe conturul viitoarelor
insule izolate utilizndu-se o a doua masc. Printr-un proces de difuzie se vor
forma zone de tip p n stratul epitaxial de tip n. Aceste zone ptrund pn n
substratul plachetei, delimitnd astfel insulele izolate n care vor fi realizate
tranzistoarele. O seciune ntr-o insul astfel format este reprezentat n figura 4,c.
insula izolat
p
Si-p
Fig.4,c. Formarea prin difuzie a zonelor de tip p n stratul epitaxial.

Prin difuzia bazei, n centrul insulei se realizeaz o zon de tip p, care va
constitui baza tranzistorului n-p-n (Fig.4,d).
difuzie de baza
p
p
n
Si-p
fig.4d
Fig.4,d. Crearea bazei tranzistorului n-p-n.

Emitorul se formeaz n interiorul acestei zone n etapa urmtoare. n etapa
difuziei de emitor se procedeaz i la creterea concentraiei de impuriti donoare
n acele zone ale insulei n care se vor executa contactele de colector (Fig.4,e).
Colectorul este reprezentat de ntregul volum al insulei izolate (zona de tip n ), iar
baza (zona de tip p) este ntrerupt ntre colector i emitor (zona de tip n).
difuzie emitor
n
n
n
Si-p
fig.4e
Fig.4,e. Crearea emitorului tranzistorului n-p-n.

Pentru conectarea exterioar
necesare
( Fig.4,f ).
se realizeaz arii metalizate pe straturile
c
n
n
n
n
e
p
c
n
metalizarea
contactelor
Si-p
fig.4f
Fig.4,f. Realizarea contactelor metalizate pentru conectarea exterioar.

Ulterior fiecare tranzistor se supune testrii,care se execut n mod automat, cu
un dispozitiv direct la contactele metalice. Tranzistorul, ce nu corespunde
parametrilor impui, se marcheaz cu o pictur de cerneal. Pe urm placheta se
taie cu un disc de diamant.
Cu aceasta, tranzistorul este realizat i urmeaz incapsularea lui.Corpul
tranzistorului KT385 este turnat din mas plastic reactiv i este artat n fig.5.
1,1
0,67
16,5
1,9
1,9
Baza
Colector
Emitor
Fig.5. Imaginea corpului plastic reactiv al tranzistorului KT385.
2. Procedee fizice n tranzistoarele bipolare.

Diagramele energetice ale tranzistorului.
Iniial, vom analiza cum funcioneaz tranzistorul bipolar de tip n-p-n n
regimul fr sarcin, cnd sunt conectate doar sursele tensiunilor de alimentare
continuie E1 i E2 ( Fig.6).
C
Ic
n
Ic
+
E2
_
Ib
+
n
E1
Ic
E
Ib
Ie
Fig.6. Micarea electronilor i golurilor n tranzistorul de tip n-p-n.
Polaritatea acestora este astfel, nct la jonciunea emitorului tensiunea este

direct,iar la jonciunea colectorial invers.Deacea rezistena jonciunii
emitorului este mic i pentru obinerea curentului normal n aceast jonciune este
suficient tensiunea E1 de zecimi de voli. Rezistena jonciunii colectoriale este
mare i tensiunea E2 ,de regul, constituie uniti i zeci de voli. Din schema fig.6
este evident,c tensiunile ntre electrozii tranzistorului sunt legate printr-o
dependen simpl
Uce = Ucb + Ube.
(2.1)
La funcionarea tranzistorului n regim activ,de regul,totdeauna U be<<Ucb i,

respectiv,Uce Ucb .
Caracteristica volt amperic a jonciunii emitorului reprezint caracteristica
diodei semiconductoare la curent direct,iar caracteristica volt-amperic a jonciunii
colectoriale este analogic caracteristicii diodei la curent indirect.
Principiul funcionrii tranzistorului const n faptul,c tensiunea direct a
jonciunii emitorului esenial influieneaz asupra curenilor emitorului i
colectorului: cu ct este mai mare aceast tensiune,cu att sunt mai mari i curenii
emitorului i colectorului.Schimbrile curentului colectorial sunt puin mai reduse
comparativ cu schimbrile curentului emitorial.Astfel,tensiunea de intrare dirijeaz
cu curentul colectorial.Amplificarea oscilaiilor electrice cu ajutorul tranzistorului
este bazat n special pe acest fenomen.Procesele fizice n tranzistor au loc n
modul urmtor.La majorarea tensiunii de intrare directe Ube se reduce bariera
potenial n jonciunea emitorului i respectiv se majoreaz curentul emitorului
Ie.Electronii acestui curent se injecteaz din emitor n baz i datorit difuziei
ptrund
prin
baz
n
jonciunea
colectorial,majornd
curentul
colectorului.Deoarece jonciunea colectorial funcioneaz la tensiune invers,apoi
n aceast jonciune apar sarcini spaiale indicate n fig.6 prin cerculee cu
simbolurile + i -.ntre acestea apare un cmp electric,care accelereaz
micarea (extragerea) electronilor prin jonciunea colectorial,care apar aici din
emitor,adic atrag electronii n domeniul jonciunii colectoriale.
Dac grosimea bazei este suficient de mic i concentraia golurilor n
aceasta este redus,apoi majoritatea electronilor,trecnd prin baz,nu dovedesc s
se recombineze cu golurile bazei i ating jonciunea colectorial.Doar o parte din
electroni recombineaz n baz cu golurile.n rezultatul recombinrii apare curentul
bazei.n regimul fixat numrul golurilor n baz trebuie s fie constant.Ca rezultat
al recombinrii n fiecare secund cteva goluri dispar,dar tot attea apar pe baza
faptului, c din baz se deplaseaz nspre polul pozitiv al sursei E 1 un acelai
numr de electroni.Astfel,n baz nu se pot acumula muli electroni.Dac un
careva numr al electronilor injectai n baz din emitor nu ajunge pn la
colector,ci rmne n baz,recombinnd cu golurile,apoi un acelai numr de
electroni trebuie s plece din baz n forma curentului I b.Deoarece curentul
colectorului devine mai redus comparativ cu curentul emitorului,apoi n
10
corespundere cu prima lege a lui Kirghoff totdeauna este prezent urmtoarea

relaie ntre cureni:
Ie = Ic + Ib.
(2.2)
Curentul bazei este inutil i chiar duntor.Este solicitat,ca acesta s fie ct
mai redus.De regul, Ib constituie un procent redus al curentului emitorului,
adic Ib << Ie ,respectiv, curentul colectorului este doar puin mai redus dect
curentul emitorului.Pentru ca curentul bazei s fie ct e posibil mai redus baza se
realizeaz foarte subire i n aceasta concentraia impuritilor se reduce.Numrul
redus al electronilor va recombina n baz cu golurile.
Dac baza ar fi posedat o grosime mai esenial i concentraia golurilor n
aceasta ar fi fost sporit,apoi partea considerabil a electronilor curentului
emitorului,difuznd prin baz,ar fi recombinat cu golurile i n-ar fi atins jonciunea
colectorial.Curentulcolectorului practic nu s-ar fi majorat pe contul electronilor
emitorului,dar s-ar fi observat doar majorarea curentului bazei.
Cnd ctre jonciunea emitorial nu se aplic tensiune,apoi practic se poate
considera c n aceast jonciune curent nu exist.n acest caz regiunea jonciunii
colectoriale posed o rezisten sporit curentului continuu,deoarece purttorii de
sarcin de baz se ndeprteaz de aceast jonciune i pe ambele pri ale frontului
se creaz regiuni nsrcite de aceti purttori.Prin jonciunea colectorial se va
scurge doar un mic curent indirect,cauzat de deplasarea reciproc orientat a
purttorilor de sarcin minoritari,adic electronilor din regiunea p i golurilor din
regiunea n.
Dar dac sub aciunea tensiunii de intrare apare un curent al emitorului
considerabil,apoi n regiunea bazei din direcia emitorului se vor injecta
electronii,care pentru regiunea dat sunt purttori de sarcin minoritari.Nedovedind
s recombineze cu golurile prin difuzia prin baz,acetea ating jonciunea
colectorial.Cu ct este mai mare curentul emitorului,cu att mai muli electroni
ajung la jonciunea colectorial i cu att mai redus devine rezistena
acesteia.Respectiv se va majora curentul colectorului.Deci cu majorarea curentului
emitorului n baz va crete concentraia purttorilor de sarcin minoritari,injectai
din emitor,iar cu ct numrul acestor purttori este mai sporit,cu att este mai mare
curentul colectorului.
Conform terminologiei recomandate,emitor se va numi regiunea
tranzistorului,destinat pentru injectarea purttorilor de sarcin n baz,iar
colector se va numi regiunea,destinat pentru extragerea purttorilor de sarcin
din baz.Baz va fi regiunea,n care,respectiv,se vor injecta de ctre emitor
purttorii de sarcin minoritari pentru aceast regiune.
Este cazul s menionm, c emitorul i colectorul se pot schimba cu locul
(regimul de inversare).Dar n tranzistoare, de regul, jonciunea colectorului se
realizeaz de o suprafa mai mare comparativ cu cea emitorial, deoarece puterea
disipat n jonciunea colectorial este mai sporit dect cea disipat n jonciunea
emitorial. Deacea, dac utilizm emitorul n calitate de colector,apoi tranzistorul
va funciona doar la putere redus,ce nu este solicitabil.Dac ariile jonciunilor
11
sunt identice ( tranzistoare simetrice),apoi orice regiune lateral poate executa

funcia de emitor sau colector.
Deoarece n tranzistor curentul emitorului totdeauna este egal sumei
curenilor bazei i colectorului,apoi devierea curentului emitorului deasemenea
este egal sumei devierilor curenilor bazei i colectorului:
Ie = Ib + Ic.
(2.3)
O proprietate important a tranzistorului const n dependena aproximativ

liniar ntre toi curenii.
Funcionarea tranzistorului se poate prezenta suficient prin diagrama
potenial,readus n fig.7 pentru tranzistorul de tip n-p-n.
-
x
0
n
Fig.7. Diagrama potenial a tranzistorului de tip n-p-n.

Aceast diagram e comod a o utiliza la modelarea mecanic a
tranzistorului.Potenialul emitorului este fixat ca zero.n jonciunea emitorului este
prezent o barier potenial mic.Cu ct este mai mare tensiunea U be ,cu att este
mai redus aceast barier.Jonciunea colectorului posed o diferen esenial a
potenialelor care accelereaz electronii.n modelul mecanic bilele,analogic
electronilor,pe contul vitezelor sale proprii se vor ridica pe bariera,analogic
jonciunii emitorului i vor trece prin regiunea bazei,ulterior accelerat se vor
rostogoli de pe vrf,anlogic jonciunii colectorului.
n afara procedeelor fizice deja analizate este necesar a lua n consideraie
nc o serie de fenomene.
Esenial influieneaz asupra lucrului tranzistorului rezistena bazei R bo
,adic rezistena ,pe care baza o opune curentului bazei.(Zero-ul n indexare
indic,c mrimea dat se refer la curentul continuu.)Acest curent se scurge n
direcia bazei perpendicular direciei emitor-colector.Deoarece baza este foarte
subire,apoi n direcia de la emitor spre colector,rezistena acesteia este foarte
redus i nu se ia n consideraie.Iar n direcia spre contactul bazei rezistena
12
transversal atinge sute de ,deoarece n aceast direcie baza este analogic unui
conductor foarte subire.Tensiunea pe jonciunea emitorului totdeauna este mai
redus dect tensiunea Ube ntre contactele bazei i emitorului,deoarece o parte a
tensiunii aplicate se pierde pe rezistena bazei.Lund n consideraie rezistena R bo
se poate prezenta schema echivalent a tranzistorului pentru curentul continuu
astfel,cum este redat n fig.8.Pe aceast schem Reo rezistena emitorului n care
sunt incluse rezistena jonciunii emitorului i regiunii emitorului.
Reo
Rco
Rbo
E1
+
E2
-
Fig.8. Schema echivalent a tranzistorului pentru curent continuu.

Valoarea Reo pentru tranzistoarele de putere redus atinge zeci de .Aceasta
reese din faptul,c tensiunea pe jonciunea emitorului nu depete zecimi de
voli,iar curentul emitorului n asemenea tranzistoare constituie uniti de mA.La
tranzistoarele de putere mai sporit Ieo este mai mare i Reo respectiv este mai
redus.Rezistena Reo se determin prin relaia:
Reo
25 / I
(2.4)
unde curentul Ie se va exprima n miliamperi.

Rezistena colectorului Rco practic reprezint n sine rezistena jonciunii
colectorului i constituie uniti i zeci de k .n aceasta deasemenea intr
rezistena regiunii colectorului,ns aceasta este relativ redus i cu ea se poate
neglija.
Schema fig.8 este mult aproximat,deoarece n realitate emitorul,baza i
colectorul posed ntre sine contacte n mai multe puncte pe ntreaga arie a
jonciunilor.Totui aceast schem se poate utiliza pentru analiza diverselor
procese n tranzistor.
La majorarea tensiunii pe jonciunea colectorial n aceasta are loc
multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin n baza ionizrii dup
ciocnire.Acest fenomen i efectul de tunel sunt n stare s provoace spargerea
electric,care la majorarea curentului poate trece n spargere termic a jonciunii.n
tranzistor,pentru un curent prea sporit al colectorului poate aprea spargere termic
i fr o eventual spargere electric.Acest fenomen, legat de suprancrcarea
13
jonciunii colectorului n careva sector al acesteia,a primit denumirea de spargere

dubl.Schimbarea tensiunilor pe jonciunile colectorului i emitorului se nsoete
de schimbarea grosimii acestor jonciuni.n rezultat se schimb grosimea
bazei.Acest fenomen se numete modulare a grosimii bazei.Aceast grosime
trebuie luat n consideraie la majorarea tensiunii colector-baz,deoarece atunci
grosimea jonciunii colectorului va crete,iar grosimea bazei se va reduce.Pentru o
baz foarte subire poate avea loc fenomenul de cuplare cuplarea jonciunilor
colectorului i emitorului.n acest caz regiunea bazei dispare i tranzistorul nu va
mai funciona normal.
La majorarea injectrii purttorilor din emitor n baz are loc acumularea
purttorilor de sarcin minoritari n baz,adic majorarea concentraiei i sarcinii
sumare ale acestor purttori.Invers,la reducerea injeciei are loc reducerea
concentraiei i sarcinii sumare ale purttorilor de sarcin minoritari.Acest proces
se numete acceptare a purttorilor de sarcin minoritari n baz.
n unele cazuri este necesar a lua n consideraie scurgerea pe suprafaa
tranzistorului a curenilor de scurgere,ce sunt nsoii de recombinarea purttorilor
n stratul superficial al regiunilor tranzistorului.
Fixm raportul curenilor n tranzistor.Curentul emitorului se dirijeaz prin
tensiunea pe jonciunea emitorului,dar pn la colector ajunge doar un curent mai
redus,care poate fi numit curent al colectorului dirijat Ic.dir. O parte a purttorilor
de sarcin injectai n baz vor recombina.Deacea
Ic.dir. = Ie,
(2.5)
unde - coeficientul de transmitere a curentului emitorului,care este

parametrul de baz al tranzistorului;la cureni normali poate avea valoarea de la
0,950 pn la 0,998.
Cu ct este mai redus recombinarea purttorilor de sarcin injectai n
baz,cu att este mai aproape de 1 coeficientul de transmitere a curentului
emitorului.Prin jonciunea colectorului totdeauna trece un curent redus
(microamperi) curent invers nedirijat Ico (fig.9),denumit i curent iniial al
colectorului.Acesta este nedirijat din considerentele c nu trece prin jonciunea
emitorului.Astfel,curentul complet al colectorului:
Ic = Ie + Ico .
(2.6)
n multe cazuri Ico << Ie i se poate considera,c Ic Ie. Dac trebuie de

msurat Ico, apoi aceasta se realizeaz prin ntreruperea emitorului.ntr-adevr,din
formula (2.6) urmeaz,c pentru Ie = 0 curentul Ic = Ico .Transformm relaia (2.6)
astfel,pentru a exprima dependena curentului I c de curentul bazei Ib .nlocuim Ie
prin suma Ic + Ib :
Ic = (Ic + Ib ) + Ico .
14
Ic
n
Ico
Ic.dir.
p
Ib.dir.
n
Ie
Fig.9. Curenii n tranzistor.

Rezolvm aceast egalitate fa de ic .Atunci vom obine
Ic = ( Ib / 1 - ) + Ico / (1 - ).
Vom nota
/ (1 - ) =
i Ico / (1 - ) = Iceo
i vom scrie expresia final

Ic =
Aici
Ib + Iceo.
(2.7)
- coeficient de transmitere al curentului bazei i constituie cteva
zeci.
Astfel,schimbrile neeseniale ale duc spre schimbri eseniale ale lui

.Dac este cunoscut ,apoi se poate determina conform relaiei
/ (1 +
).
(2.8)
Coeficientul nu este strict constant,ci poate depinde de regimul de lucru

al tranzistorului,n particular de curentul emitorului.Pentru cureni mari i mici
se va reduce,iar pentru o valoare medie a curentului va atinge o limit de
maximum.n limitele valorilor de lucru al curentului emitorului se schimb
relativ puin.
15
se schimb n dependen de regimul de lucru al

Coeficientul
tranzistorului.Pentru o valoare medie a curenturui emitorului coeficientul este
maximal,iar la cureni mari sau mici acesta se va reduce de cteva ori.
Curentul Iceo este denumit curent iniial de ptrundere,deoarece acesta
ptrunde prin toate trei regiuni ale tranzistorului n cazul, cnd I b = 0,adic este
deconectat baza.ntr-adevr,din egalitatea (2.7) pentru Ib = 0 obinem Ic = Iceo.
Curentul de ptrundere constituie zeci i sute de microamperi i esenial depete
/
curentul iniial al colectorului.Curentul Iceo = Ico /(1 - ),i cunoscnd,c
(1- ) = , nu este greu a determina Iceo = ( + 1) Ico. Deoarece >>1, apoi
Iceo
co.
(2.9)
Curentul comparativ mare Iceo se explic prin faptul,c o parte a tensiunii U ce

se aplic la jonciunea emitorului n calitate de tensiune direct.Ca rezultat crete
curentul emitorului,iar acesta n cazul dat i se consider curent de ptrundere.
Pentru o majorare esenial a tensiunii Uce curentul Iceo crete brusc i are loc
spargerea electric.Trebuie de menionat,c dac Uce nu este tare mic,apoi la
ruperea circuitului bazei uneori n tranzistor se poate observa o majorare rapid,n
avalan a curentului,ce duce la suprancrcarea i uzarea ulterioar a tranzistorului
(cu condiia,c n circuitul colectorului nu este prezent rezistorul ce limiteaz
majorarea curentului).n acest caz are loc urmtorul proces:o parte a tensiunii Uce
,ce acioneaz asupra jonciunii emitorului,majoreaz curentul I e i curentul egal cu
acesta Ic, la jonciunea colectorului apar mai muli purttori,rezistena acesteia i
tensiunea pe aceasta se vor reduce i,respectiv,va crete tensiunea pe jonciunea
emitorului,ce va majora i mai mult curentul,etc.Pentru ca aceasta s nu se
ntmple,e necesar,ca la exploatarea tranzistoarelor s nu se deconecteze circuitul
bazei,dac nu este deconectat alimentarea circuitului colectorului.Deasemenea
este necesar iniial a comuta alimentarea circuitului bazei,iar ulterior circuitele
colectorului,ci nu invers.
Dac este necesar msurarea curentului Iceo ,apoi n circuitul colectorului
numaidect se include un rezistor de limitare i se efectueaz msurarea pentru
baza deconectat.
3.Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.

16
3.1.Sistemele caracteristicilor statice.

Dac notm tensiunea i curentul electrodului de intare al tranzistorului prin
U1 i I1 ,iar tensiunea i curentul celui de ieire prin U2 i I2 ,apoi dependena
reciproc ntre aceste patru mrimi se poate exprima prin 24 familii de
caracteristici ce se refer la 6 configuraii:
1) U1 = f1 (I1,I2) ,
U2 = f2 (I1,I2);
2) I1 = f1 (U1,U2),
I2 = f2 (U1,U2);
3) U1 = f1 (I1,U2),
I2 = f2 (I1,U2);
4) I1 = f1 (U1,I2),
U2 = f2 (U1,I2);
5) I1 = f1 (I2,U2),
U1 = f2 (I2,U2);
6) I2 = f1 (U1,I1),
U2 = f2 (U1,I1).
Din toate cele patru familii de caracteristici statice a fiecrei configuraii, care
leag reciproc patru mrimi I1,I2,U1 i U2 ,dou familii sunt de baz,iar celelalte
sunt auxiliare.n calitate de baz e comod a selecta familiile de caracteristici,ce
leag tensiunea i curentul la intrare caracteristici de intrare i tensiunea i
curentul la ieire - caracteristici de ieire.Familiile de caracteristici ce leag
curenii i tensiunea la ieire cu curenii i tensiunea la intrare se numesc
caracteristici de transfer,iar familiile,care leag curenii i tensiunea la intrare cu
curenii i tensiunea la ieire, - caracteristici ale reaciei inverse.
Din cele 6 configuraii ale caracteristilor statice mai comode sunt primele 3,dar
mai util se consider sistemul
U1,I2 = f (I1,U2).
(3.1)
Un avantaj important al acestui sistem const n faptul,c la cercetarea

caracteristicilor statice n calitate de variabile independente se fixeaz curentul la
intrare i tensiunea la ieirea tranzistorului.n schemele cu emitor comun (EC) i
baz comun (BC) curentul de intrare trece prin jonciunea deschis a
emitorului,rezistena creia este redus,nct a menine valoarea fixat a curentului
la intare este comod prin cuplarea n serie a unei rezistene relativ
superioare.Tensiunile necesare la ieire se menin constante,dac circuitul de ieire
se alimenteaz de la sursa de tensiune.n realitate aceasta se va realiza
uor,deoarece circuitul de ieire al tranzistorului posed o rezisten nalt.
Totodat,sistema de egaliti (3.1) corespunde sistemului de parametri ale
semnalelor reduse mai rspndit ( parametrii h),care ,la rndul su,posed o serie
de avantaje fa de alte sisteme ale parametrilor semnalelor reduse.
3.2. Caracteristici statice ale tranzistorului, cuplat dup schema
17
cu baz comun (BC).

3.2.1. Caracteristici de intrare.
Familia caracteristicilor statice de intrare ale tranzistorului,cuplat dup
schema cu baz comun,este redat n fig.10,a.
Ueb
pn
Regim de
saturaie
Ueb = const
Emitor
Ucb = 0
Ucb
Ucb 0
Regim activ
0
Regim de
tiere
a)
Ie
pn Ie = const
Colector
Emitor
Ucb
Colector
Ucb
/
cb
/
cb
U
pno
0
pno
0
w
b)
c)
Fig.10.Caracteristici statice de intrare ale tranzistorului,cuplat dup schema

cu baz comun (a);repartizarea concentraiei golurilor n regiunea bazei pentru
tensiunea continu la jonciunea emitorului (b) i pentru curent continuu al
emitorului (c).
Caracterul general al acestor dependene se va determina de jonciunea p-n
al emitorului,conectat n direct.Deacea vizual caracteristicile de intrare sunt
asemenea ramurilor directe ale CVA ale diodei.
Deplasarea caracteristicilor statice de intrare n jos n sistemul de coordonate
selectat la majorarea valorii absolute ale tensiunii pe colector se explic prin
faptul,c tensiunea pe colector influieneaz asupra concentraiei purttorilor de
sarcin lng acesta i schimb grosimea bazei din cauza schimbrii grosimii
jonciunii colectorului.Aceste considerente duc spre majorarea gradientului
concentraiei golurilor n baz cu majorarea valorii absolute ale tensiunii pe
colector la tensiunea continu a emitorului (Fig.10,b).
Respectiv,cu majorarea valorii absolute a tensiunii pe colector i pentru
tensiune continu pe emitor va spori curentul emitorului,adic caracteristicile se
vor deplasa n jos.
Acelai rezultat se va obine,dac examinm reducerea concentraiei
purttorilor de sarcin n baz aproape de jonciunea p-n a emitorului la majorarea
valorii absolute a tensiunii pe colector i pentru tensiune continuie la emitor
(Fig.10,c).
18
Prin jonciunea p-n se va scurge curentul i pentru tensiunea pe emitor, egal

cu zero.Pentru ca curentul emitorului s devin egal cu zero,pe emitor trebuie s se
aplice tensiune invers (funcionarea n regim de tiere).
3.2.2. Caracteristici de ieire.
Familia caracteristicilor statice de ieire ale tranzistorului,cuplat dup
schema cu baz comun (BC),este redat n fig.11.
Ic
Regim activ
Ie
Regim de
saturaie
Ie 0
Ie = 0
Icbo
0
Ucb
Fig.11.Caracteristici statice de ieire ale tranzistorului, cuplat dup schema

cu baz comun (BC).
Caracterul general al acestor dependene este analogic ramurii inverse CVA
a diodei,deoarece jonciunea colectorului este conectat n direcie opus.
Deplasarea caracteristicilor statice de ieire n sus n sistemul de coordonate
selectat la majorarea curentului emitorului corespunde principiului de acionare a
tranzistorului.
Prin jonciunea colectorului trece curent i pentru tensiunea pe colector,egal
cu zero,adic pentru scurtcircuitul colectorului cu baza.Aceasta este cauzat de
faptul,c este prezent gradientul concentraiei purttorilor de sarcin minoritari n
baza tranzistorului la injectarea purttorilor din emitor,adic la prezena curentului
emitorului.Pentru ca curentul colectorului s devin egal cu zero,pe colector
trebuie s se aplice o tensiune direct (funcionarea n regim de saturaie).
19
3.2.3. Caracteristici de transmitere a curentului.

Familia
caracteristicilor
statice
de
transmitere
curentului
tranzistorului,cuplat dup schem BC,este redat n fig.12.

Caracterul
general
al
acestor dependene
indic
la
faptul, c
tranzistor Ic = Icbo + h21b * Ie .Caracteristicile de transmitere n prima aproximare pot

fi considerate linii drepte.n realitate coeficientul de transmitere a curentului
emitorului depinde de curentul emitorului.
Deplasarea caracteristicilor statice de transmitere n sus n sistemul de
coordonate selectat la majorarea tensiunii pe colector este legat de reducerea
recombinrii golurilor la trecerea acestora prin baza mai subire (Fig.10,c).
Pentru tensiunea la colector,diferit de zero,caracteristicile de transmitere
iniiaz nu de la nceputul coordonatelor,dar din punctele pe axa ordonatelor,care
corespund curentului invers al colectorului Icbo .ns cu valoarea acestui curent se
poate neglija.
Ic
Ucb
Ucb 0
Ucb = 0
Icbo
0
Ie
Fig.12. Caracteristici statice de transmitere a curentului tranzistorului,

cuplat dup schema BC.
3.2.4. Caracteristici ale reaciei inverse.
20
Familia caracteristicilor statice a reaciei inverse a tranzistorului,cuplat

dup schem BC,este redat n fig.13.
Caracterul general al acestor dependene se poate explica prin analiza
fig.10,c.Caracteristicile reaciei inverse pot fi obinute din familia caracteristicilor
statice de intrare pe calea reconstruirii grafice.
Deplasarea caracteristicilor statice a reaciei inverse n sus la majorarea
curentului emitorului este evident i nu necesit explicaii speciale.
Ueb
Ie
Ucb
Fig.13. Caracteristici statice ale reaciei inverse a tranzistorului, cuplat

dup schem BC.
3.3.Caracteristicile tranzistorului,cuplat dup schema cu emitor

comun (EC).
Familia caracteristicilor statice de intrare a tranzistorului,cuplat dup
schem EC,este redat n fig.14.
Caracterul general al acestor dependene este analogic caracterului
caracteristicilor asemntoare ale tranzistorului,conectat dup schem BC,deoarece
curentul bazei este suma curentului I cbo i componentei de recombinare,care este
aproape proporional curentului emitorului i reprezint o parte mic a curentului
emitorului.
21
Deplasarea caracteristicilor statice de intrare n sus n sistemul de coordonate

selectat la majorarea valorii absolute a tensiunii pe colector este legat de
reducerea numrului total al purttorilor de sarcin minoritari n baz (regiunile
haurate n fig.10,c) i,respectiv,cu reducerea numrului purttorilor
de
recombinare.Deacea se va reduce componenta curentului bazei,cauzat de

recombinare,pentru o tensiune continu ntre baz i emitor.
Ube
Uce
Uce 0
Uce = 0
Ib
Fig.14. Caracteristicile statice de intrare ale tranzistorului, cuplat dup

schem EC.
La prezena tensiunii pe colector i curentului bazei, egal cu zero,la baz
este prezent o tensiune,care se explic prin cderea tensiunii pe rezistena
jonciunii p-n a emitorului.Deacea caracteristicile statice de intrare pentru schema
EC intr n al doilea cuadrant pentru Uce 0.
3.3.2.Caracteristici de ieire.
22
Familia caracteristicilor statice de ieire a tranzistorului,cuplat dup schem

EC,este redat n fig.15,a.
Ic
Ib
pn
Ib = const
Emitor
Colector
Uce
U/ce
Ib = 0
0
0
Iceo
Uce
a)
b)
Fig.15. Caracteristici statice de ieire
a tranzistorului, cuplat dup
schema
EC (a), i repartizarea concentraiei golurilor n regiunea bazei la
curentul continuu al bazei (b).
Caracterul general al acestor dependene este analogic caracterului ramurii
inverse CVA a diodei,deoarece partea majoritar a tensiunii sursei de alimentare a
circuitului de ieire cade pe jonciunea p-n a colectorului,conectat invers.Dar spre
deosebire de caracteristicile de ieire ale schemei cu BC caracteristicile de ieire
ale schemei cu EC posed o nclinare mai esenial,adic se observ o dependen
mare a curentului colectorului de tensiunea pe colector.Cauzele acestui fenomen
sunt explicate de fig.15,b.,unde se observ, c cu majorarea tensiunii pe colector la
curent continuu al bazei crete curentul emitorului i respectiv crete curentul
colectorului.Componenta de baz a curentului bazei aproximativ este proporional
numrului total al golurilor n baz i,respectiv,este proporional suprafeei sub
curbele repartizrii concentraiei golurilor n baz.Pentru cureni mici ai bazei
curbele
se
situeaz
des.Neuniformitatea
des,pentru
siturii
cureni
caracteristicilor
23
mari
este
rar,mai
legat
de
apoi
iari
schimbarea
coeficientului de transmitere a curentului continuu al bazei h 21e la schimbarea

curentului.
n tranzistorul conectat dup schem EC curentul I ceo depete curentul Icbo
pentru schema cu BC.Aceasta se explic prin faptul,c pentru curentul bazei,egal
cu zero,i pentru aplicarea tensiunii la colector fa de emitor (n schema cu EC)
jonciunea p-n al emitorului se afl sub o tensiune nu prea mare.Deacea curentul
invers al colectorului din cauza golurilor injectate din emitor n baz se va majora.
Pentru tensiunea pe colector,egal cu zero,adic pentru scurtcircuitarea
colectorului cu emitorul,i la prezena curentului bazei jonciunea p-n a
colectorului va fi conectat n direct,deoarece aceasta,n esen,este conectat
paralel jonciunii p-n a emitorului.Pentru Ic = 0 i Ib 0 din emitor are loc
injectarea golurilor ce asigur aproape de colector n baz o concentraie a
acestora,ce depete valoarea de echilibru.Dac concentraia purttorilor de
sarcin minoritari n baz aproape de jonciunea p-n depete cea de
echilibru,apoi aceasta corespunde conectrii directe a jonciunii.Astfel, tranzistorul
funcioneaz n regimul de saturaie,pentru tensiunea pe colector egal cu zero.
Pe rezistena spaial a colectorului la trecerea curentului se creaz o cdere
de tensiune,orientat astfel,pentru a deschide jonciunea colectorului.Deacea
tensiunea pe colector,ce corespunde ieirii tranzistorului din regimul de saturaie,va
crete.
Curenii n baza tranzistorului sunt orientai astfel,ca tensiunea creat de
acetea s nchid prile mai ndeprtate de baz ale jonciunilor emitorului i
colectorului.Chiar i n cazul,cnd partea medie a jonciunii colectorului deja se
nchide,regiunile sale periferice nc vor rmne deschise i prin acestea va trece
curent spre baz.n rezultat curentul emitorului se scurtcircuiteaz nu prin ieirea
colectorului,dar prin regiunea colectorului i ieirea bazei.Un asemenea fenomen
deasemenea orienteaz spre majorarea tensiunii,pentru care tranzistorul va iei din
regimul de saturaie.Gama acestor valori ale tensiunii colectorului va fi cu att mai
mare,cu ct este mai mare curentul bazei.Respectiv caracteristicile statice de ieire
24
a tranzistorului n schema cu EC la tensiuni reduse pe colector i pentru I b 0 intr

n cuadrantul patru.
La schimbarea direciei curentului bazei,adic la schimbarea polaritii
tensiunii continuie pe baz fa de emitor,se va reduce valoarea curentului
emitorului,ce orienteaz spre reducerea coeficientului de transmitere a curentului
emitorului.Corespunztor,coeficientul de transmitere a curentului emitorului va
atinge unitatea pentru valori eseniale a tensiunii pe colector,comparativ cu U ceo
str
,ce corespunde Ib = 0.n aceste condiii strpungerea tranzistorului are loc pentru
tensiuni mai mari dect Uceo str ,dar care nu depesc Ucbo str..
Dup strpungere,curentul prin jonciunea emitorului esenial va crete,ce
constituie
cauza
majorrii
coeficientului
de
transmitere
curentului
emitorului.Coeficientul de transmitere a curentului va fi egal cu aproximativ

1,deoarece crete curentul emitorului.Astfel,pe caracteristicile statice apar sectoare
cu rezisten diferenial negativ (Fig.16).
Ic
Strpungere dubl
Ib < 0
Ib > 0
Ie = 0
Ib = 0
Uceo str
Ucbo str
Uce, Ucb
Fig.16. Caracteristici statice de ieire ale tranzistorului, cuplat dup

schema cu EC,pentru tensiuni sporite la colector.
25
Familia caracteristicilor statice de transmitere a curentului tranzistorului cu

EC este redat n fig.17.
Ic
Uce
Iceo
0
Uce = 0
Ib
Fig.17.Caracteristici statice de transmitere a curentului tranzistorului, cuplat

dup schema cu EC.
Caracterul general al acestor dependene indic la faptul,c n tranzistor Ic =
= Iceo + h21eIb.n legtur cu dependena mare a coeficientului de transmitere a
curentului bazei de regimul de funcionare al tranzistorului comparativ cu
dependena analogic a coeficientului de transmitere a curentului continuu al
emitorului caracteristicile de transmitere a curentului n schema cu EC se
deosebesc prin mare neliniaritate.
Deplasarea caracteristicilor statice de transmitere a curentului n sus la
majorarea tensiunii pe colector deasemenea este mai esenial comparativ cu
deplasarea caracteristicilor asemntoare ale schei cu BC,deoarece n acest caz
deplasarea este legat nu cu reducerea recombinrii golurilor la subierea grosimii
bazei,ci cu majorarea curentului emitorului la curent continuu al bazei (vezi
fig.15,b).
26
Pentru Uce 0 caracteristicile de transmitere a curentului iniiaz nu din

nceputul coordonatelor,dar din punctele axei de ordonate,ce corespund curenilor
Iceo .
Familia caracteristicilor statice ale reaciei inverse ale tranzistorului,conectat
dup schema cu EC,este readus n fig.18.
Caracterul general al acestor dependene se poate explica prin analiza
fig.15,b.Deplasarea caracteristicilor statice ale reaciei inverse la majorarea
curentului bazei nu necesit explicaii speciale.
Un mare interes prezint caracteristicile statice ale schemei cu EC,deoarece
n acestea se indic valorile curenilor bazei.Pentru schema cu BC curentul bazei
nu se msoar,iar a-l determina prin curenii emitorului i colectorului cu precizie
suficient este imposibil,deoarece curenii emitorului i colectorului se deosebesc
foarte puin.
Ube
Ib
Uce
Fig.18. Caracteristici statice ale reaciei inverse a tranzistorului, cuplat

dup schema cu EC.
27
3.4. Analiza schemei de conexiune colector comun (CC).

n aceast schem (Fig.19) ntr-adevr colectorul constituie punctul comun
al intrrii i ieirii,deoarece sursele de alimentare E 1 i E2 totdeauna sunt untate
prin capacitate sporit i pentru curentul alternativ se pot considera
scurtcircuitate.Specificul acestei scheme const n faptul,c tensiunea de intrare
complet se transmite nnapoi la intrare,adic este mult evident reacia invers
negativ.Nu este greu a observa,c tensiunea de intrare este egal sumei tensiunii
alternative baz emitor i tensiunii de ieire:
Uintr = Ube + Uie.
(3.1)
Coeficientul de amplificare dup curent a cascodei CC este practic acelai ca
i n schema EC,adic egal cu cteva zeci.
kI = Ime / Imb = (Imc + Imb) / Imb = Imc / Imb + 1,
(3.2)
iar raportul Imc / Imb este coeficientul de amplificare dup curent pentru schema EC.
ns coeficientul de amplificare dup tensiune este aproape de unitate,fiind
mai mic dect 1:
ku = Um ie / Um intr = Um ie / (Um b-e + Um ie) < 1. (3.3)
Tensiunea Um b-e este doar de zecimi de voli,iar U m ie constituie uniti de
voli.Respectiv,ku
1.Trebuie
de menionat,c tensiunea alternativ,aplicat la
intrarea tranzistorului,se amplific de zeci de ori la fel,ca i n schema EC,dar

ntreg cascoda nu prezint amplificare.Coeficientul de amplificare dup putere,este
evident,egal aproximativ cu kI ,adic cu cteva zeci.
Analiznd polaritatea tensiunilor alternative n schem,se poate fixa,c
defazaj ntre Uie i Uintr nu este.Fie,c n momentul dat se aplic semiunda pozitiv
Uintr cum este indicat n fig.19.Atunci se va majora tensiunea ube i va crete
28
curentul emitorului,care va majora tensiunea pe rezistena sarcinii.Respectiv,la

ieire se va obine semiperioada pozitiv a tensiunii.Astfel, tensiunea de ieire va
coincide dup faz cu cea de intrare.Cu alte cuvinte tensiunea de ieire o va repeta
pe cea de intrare.Anume din aceste considerente cascoda dat de regul este
denumit repetor de emitor.De emitor din cauza,c rezistorul sarcinii este cuplat n
lanul emitorului i tensiunea de ieire se fixeaz de la emitor (fa de carcas).
Rezistena de intrare a cascodei dup schema CC constituie zeci de k ,ce
este un avantaj al schemei date.
Rintr = Um intr / Im intr = (Um be + Um ie )/Im b .
(3.4)
Raportul Um be / Im b este rezistena de intrare a tranzistorului pentru schema

EC,care,este cunoscut,atinge uniti de k .Deoarece Um ie >> Um be, apoi i Rintr de
zeci de ori depete rezistena de intrare a schemei EC.Rezistena de ieire n
schema CC,invers,comparativ nu este mare,de regul,uniti de k sau sute de
.
Pentru comoditatea comparrii proprietile de baz ale tuturor trei scheme
de conexiune ale tranzistorului sunt indicate n tabelul 3.1.
Ic
Ib
Ube +
+
Uintr
Rs
Ie
Uie
-
E1
+
E2
Fig.19. Cuplarea tranzistorului dup schema cu CC.
29
Tabelul 3.1.
Parametrii principali ale schemelor de baz de conectare a tranzistorului
Parametrul
ki
ku
kp
Rintr
Schema EC
10- 100
10 - 100
100 - 10000
100 - 1 k
Rie
Devierea de faz
ntre Uie i Uintr
Schema BC
1
10 - 100
10 - 100
1 - 10
Schema CC
10 - 100
1
10 - 100
10 k - 100 k
1 k - 10 k
100 k - 1 M
100 - 1 k
180
4.Ridicarea parametrilor de baz ai tranzistoarelor bipolare.

Tranzistorul reprezint un dispozitiv electronic cu dou jonciuni p-n ce
interacioneaz i cu trei sau mai multe borne de ieire,proprietile de amplificare
ale crora sunt condiionate de fenomenele de injecie i extracie ale purttorilor
de sarcin.n fig.20 sunt prezentate ilustrarea schematic (a) i grafic (b) a
tranzistorului de tip n-p-n,distribuirea concentraiei purttorilor de sarcin
majoritari de-a lungul structurii n stare de echilibru (c).
n
n,p
E
n
B
a)
b)
c)
Fig.20. Prezentarea tranzistorului bipolar de structur n-p-n.

Tranzistorul are trei regiuni: emitor (E),baz (B) i colector (C).Jonciunea
ce se creaz la frontiera E-B este numit jonciunea emitorului, iar cea de la
30
frontiera C-B - jonciunea colectorului.Electroconductibilitatea bazei poate fi de

tip- p sau de tip- n.Respectiv,sunt dou tipuri de structur a tranzistorului bipolar:
n-p-n i p-n-p.
Principiul de funcionare al tranzistoarelor de tip p-n-p i n-p-n este
acelai.Deosebirea const numai n faptul,c n tranzistorul de tip p-n-p curentul ce
curge prin baz este creat de goluri,injectate din emitor,iar n tranzistorul de tip
n-p-n - de electroni.n regim normal de funcionare jonciunea emitorului este
polarizat direct,iar a colectorului - indirect.
Dac jonciunile colectorului i emitorului se afl la distan mai mare ntre
ele (adic,dac grosimea bazei este mai mare ca lungimea de difuzie),atunci
purttorii,injectai de emitor,nu vor agunge la colector,ci vor recombina n regiunea
bazei.
Un asemenea sistem din dou jonciuni p-n se comport la fel,ca i dou
diode semiconductoare,cuplate n serie.CVA a jonciunii emitorului prezint
ramura direct a caracteristicii diodei,iar a jonciunii colectorului cea
invers.Proprietatea unic a tranzistorului const anume n interaciunea acestor
dou jonciuni.
n fig.21 este reprezentat distribuirea curenilor n structura tranzistorului
bipolar (a),repartizarea potenialului de-a lungul tranzistorului (b) i a purttorilor
de sarcin neechilibrai n baz (c) pentru diferite valori ale curentului emitorului.
La cuplarea tensiunii colectorului Uce are loc decalarea invers a jonciunii
colectorului i n circuitul colectorului curge un curent cu valoare redus.Acest
curent este numit curent de scurgere al jonciunii colectorului i se noteaz
Icbo.Curentul invers al colectorului Icbo (parametru mult important al tranzistorului)
prezint n sine curentul la jonciunea colectorului la tensiunea dat,cnd circuitul
este decuplat.
Cuplarea tensiunii la emitor Ube duce la decalarea direct a jonciunii
emitorului i apariia curentului emitorului Ie ,care este determinat de curentul de
difuzie.
31
Curentul de difuzie al emitorului posed dou componente: curentul

electronilor i golurilor:
Ie = Ien + Iep
Iep
Ien
(4.1)
Icp
Ie
Ic
II
p
+
- Ibp n
Ico
Eeb
Ecb
a)
x
b)
p
x
c)
Fig.21.Distribuirea curenilor n structura tranzistorului bipolar.
Contnd,c la tranzistor baza este srac n purttori de sarcin majoritari
(electroni),iar regiunea emitorului posed o concentraie nalt a purttorilor de
sarcin majoritari (goluri),componenta golurilor n curentul emitorului este de
multe ori mai mare dect componenta electronilor: Iep >> Ien.
32
Componenta electronilor se scurtcircuiteaz n circuitul bazei i nu particip

la crearea curentului colectorului.Difuzia electronilor din baz n emitor se
compenseaz cu parvenirea unui flux de noi electroni n baz din circuitul
exterior.Acest lucru determin mrimea i direcia componentei electronilor al
curentului emitorului.
Pentru circuitul bazei Ien este componenta principal a curentului
bazei.Relaia
Iep / Ie = Iep / (Iep + Ien) = = 0,980,99
(4.2)
este numit eficacitatea emitorului.

Componenta golurilor a curentului emitorului se determin prin trecerea
golurilor din emitor n baz.Golurile,injectate n baz,sub aciunea difuziei ce tinde
s egaleze concentraia pe ntreg volumul bazei,se deplaseaz n direcia
colectorului.Din cauza c cmpul electric n baz este relativ mic,se poate
considera,c deplasarea golurilor din emitor n colector are loc exclusiv din contul
difuziei.La injectare necontenit (Ie = const) n baz se stabilete o distribuie
corespunztoare concentraiei golurilor,ceea ce determin trecerea lor prin
baz.Apropiindu-se de jonciunea colectorului,polarizat indirect,golurile,fiind
purttori de sarcin minoritari,trec din baz n colector,mrind ca rezultat curentul
colectorului.Deoarece trecerea golurilor din baz n colector este fr
obstacole,concentraia lor la frontiera BC este egal cu zero.
Dac vom majora valoarea decalajului direct al jonciunii emitorului,atunci
concentraia golurilor la emitor va crete,iar la colector va rmne ca mai nainte
egal cu zero.
n rezultat crete gradientul concentraiei i,ca urmare,crete curentul de
difuzie al golurilor spre colector.O cantitate de goluri,traversnd baza,recombineaz
cu electronii de conductibilitate,ce duce spre majorarea numrului de
electroni,parvenii din baz din circuitul exterior.Aceasta condiioneaz mprirea
curentului golurilor n dou componente:
33
Iep = Ie rec + Ic
(4.3)
unde Ie rec componenta de recombinare a curentului emitorului ce coiincide

dup direcie cu Ien;
Icp
- componenta curentului emitorului,ce curge n circuitul colectorului.
La confecionarea tranzistoarelor bipolare baza se face subire i srac n

purttori de sarcin majoritari,iar suprafaa jonciunii colectorului de vre-o cteva
ori mai mare dect cea a emitorului.Din aceste considerente
Ie rec << Icp.
(4.4)
Mrimea raportului
= Icp / Iep = Icp /( Icp + Ie rec) = 0,980,99
(4.5)
se numete coeficient de transfer.Din cele de mai sus urmeaz,c la tranzistor

mrimea ,la fel ca i ,este aproximativ egal cu unitatea.Deacea mrimea :
= Icp / Ie = ( Icp / Iep) / (Iep * Ie) = = 0,950,99
(4.6)
se numete coeficient static integral de transfer al curentului emitorului

i,deasemenea,este aproximativ egal cu unitatea.Acest coeficient indic a cta parte
din curentul emitorului curge n circuitul colectorului.
Legea I a lui Kirghoff, aplicat la tranzistor, ne d egalitatea (2.2)
unde
Ie = Ien + Ie rec + Icp; Ib = Ien + Ie rec Icbo; Ic = Icp + Icbo.

Utiliznd relaia (2.2), obinem:
Ic = Ie + Icbo.
(4.7)
Destul de des este utilizat coeficientul static integral de transfer al curentului

bazei
= Icp / (Ien + Ie rec) = (Ic Icbo) / (Ib + Icbo).
34
(4.8)
S analizm acum caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar cuplat cu

baz comun.n fig.22 este prezentat familia de caracteristici statice de intrare i
de ieire ale tranzistorului,cuplat cu BC.
Ie
Ic
Ucb1
Ien
.
.
Ucb = 0
.
Ie1
Ie = 0
Ueb
Ucb
a)
b)
Fig.22.Caracteristici statice de intrare (a) i de ieire (b) al tranzistorului,

cuplat cu BC.
Caracteristica static de intrare,cnd Ucb = 0 (caracteristica nul) este
asemntoare cu caracteristica unei diode obinuite,cuplate la polarizare direct.La
alimentarea jonciunii colectorului cu tensiune negativ caracteristica de intrare
decaleaz la stnga.Legtura apare din cauza rezistenei bazei.
n schema BC rezistena bazei este comun pentru circuitele de intrare i
ieire.Fie, c Ueb = const.Atunci tensiunea pe emitorul tranzistorul ideal care
dirijeaz curentul jonciunii emitorului.
U1eb = Ueb rbIb = Ucb rb (Ien + Ie rec Icbo).
(4.9)
La majorarea tensiunii pe colectorul tranzistorului se mrete i I cbo.n afar

de aceasta se reduce Ie rec,fiindc la majorarea tensiunii colectorului se micoreaz
limea bazei tranzistorului.Din aceste considerente tensiunea U eb,aplicat la
emitor,la mrirea Ucb la fel se mrete.Acest fapt explic creterea curentului
35
emitorului i decalajul n stnga al caracteristicii de intrare a tranzistorului cuplat

cu BC.
Caracteristicile de ieire prezint dependenele Ic = f(Ucb) cnd Ie=const. Dei
tensiunea pe colector este negativ,caracteristicile sunt trasate,de regul,n
coordonate pozitive.Caracteristica nul prezint o caracteristic simpl a diodei
semiconductoare polarizate indirect.La mrirea curentului emitorului caracteristica
se schimb.
E cunoscut,c la apariia curentului emitorului curentul colectorului se
mrete cu valoarea Icp = Ie Ie. Curentul Icp poate fi modelat ca un curent
suplimentar al jonciunii colectorului.Din aceste considerente pe baza (4.10),unde
I0 = Icp,putem afirma,c oriice caracteristic de ieire a tranzistorului cuplat cu BC
prezint caracteristica diodei semiconductoare cu un decalaj Icp,adic
Ip-n = I0 (exp(eU / kT) 1).
(4.10)
Analizm acum caracteristicile statice pentru cuplarea tranzistorului bipolar

n schema emitor comun.n fig.23 sunt prezentate CVA statice de intrare i ieire
pentru tranzistorul cuplat cu EC.Calitativ ele sunt similare cu cele pentru BC.
Ib
Ic
Ibn
.
.
Uce = 0
.
Ib1
Uce1
Ib = 0
0
Ube
Uce
a)
b)
Fig.23.Caracteristici statice de intrare (a) i de ieire (b) a tranzistorului,

cuplat cu EC.
36
Caracteristica de intrare la tensiunea colectorului,egal cu zero,trece prin

punctul x = 0 i y = 0 i difer de caracteristica diodei semiconductoare doar prin
mrimea curentului,deoarece curentul bazei este mai mic dect curentul prin
jonciune (Ie).La tensiuni negative Uce caracteristicile au un decalaj la dreapta i n
jos.Acest decalaj poate fi exprimat n felul urmtor.Fie,c tensiunea pe jonciunea
emitorului este constant.Atunci la fel constant va fi i concentraia golurilor n
apropierea emitorului.Majorarea Uce provoac reducerea limii bazei,adic
micorarea numrului de goluri ce se gsesc n baza tranzistorului.Din aceast
cauz procesul de recombinare a purttorilor de sarcin n baz este redus.Fiindc
electronii care iau parte la procesul de recombinare trec prin borna bazei,curentul
bazei se reduce.Ca rezultat caracteristicile au un decalaj n dreapta.
S explicm acum decalajul caracteristicilor n jos.La U eb = 0 i tensiune
negativ pe jonciunea colectorului concentraia golurilor n baz este mai
joas,fiindc la frontiera cu jonciunea colectorului ea este nul,iar la frontiera cu
jonciunea emitorului este egal cu concentraia de echilibru.Din aceste
considerente n regiunea bazei procesul generrii termice este mai rapid dect
procesul de recombinare.Electronii generai n baz pleac din ea din borna
bazei,iar aceasta nseamn,c apare curentul ndreptat spre baza tranzistorului.
Creterea curentului colectorului cu mrirea valorii Uce este dirijat de
micorarea limii bazei.Coeficientul de tranziie,adic i coeficientul de transfer,al
curentului emitorului crete.Coeficientul de transfer pentru curentul bazei n
schema cu emitor comun
= / (1 - ).
37
5.Analiza schemelor echivalente ale tranzistoarelor bipolare

i determinarea parametrilor acestora la semnal de nivel
jos.
La orice cuplare a tranzistorului bipolar el poate fi modelat ca un cuadripol
activ (Fig.24),la intrarea cruia este aplicat tensiunea U1 (respectiv I1),iar la ieire
U2 (I2).
Pentru analiza parametrilor tranzistoarelor bipolare mai des sunt utilizai
parametrii h ( parametrii hibrizi) care pot fi ridicai fr dificulti.Sistemul de
ecuaii pentru parametrii h este urmtorul:
U1 = h11 I1 + h12 U2;
I2 = h21 I1 + h22 U2.
(5.1)
Acestui sistem de ecuaii i corespunde schema echivalent,readus n fig.25.

Coeficienii n sistemul de ecuaii (5.1) sunt determinai prin utilizarea regimului
de scurtcircuit i mers n gol la intrarea i ieirea tranzistorului bipolar (aici i mai
departe sub noiunea scurtcircuit i mers n gol se are n vedere acest regim pentru
curent alternativ):
h11 = U1 / I1 (pentru U2 = 0) rezistena de intrare a tranzistorului la scurtcir
cuit pentru ieire;
h12 = U1 / U2 (pentru I1 = 0) coeficientul de transfer al tensiunii la regim mers
n gol pentru circuitul de intrare al tranzistorului;
h21 = I2 / I1 (pentru U2 = 0) coeficientul de transfer al curentului la scurtcir
cuit la ieirea tranzistorului;
h22 = I2 / U2 (pentru I1 = 0) conductibilitatea de transfer,cnd intrarea tranzis
torului este scurtcircuitat.
38
Cuadripol activ (tranzistorul VT)
U1,I1
U2,I2
Fig.24. Modelarea tranzistorului bipolar n cuadripol activ.
h11
I2
I1
U1
1/h22
h12U2
U2
h21I1
Fig.25.Schema echivalent a tranzistorului cu parametri - h.

Valorile parametrilor schemei echivalente depind de schema cuplrii
tranzistorului bipolar.La elaborarea schemei echivalente s-a stabilit,c frecvena
semnalului este joas i nu influieneaz asupra parametrilor tranzistorului.n caz
general parametrii tranzistorului depind de frecven,iar curenii i tensiunile
trebuie s fie prezentate ca valori complexe.
Schema prezentat n fig.25 nu poate developa specificul proprietilor
tranzistorului.Din aceste considerente mai des este utilizat schema echivalent tip
T care pe deplin reprezint proprietile tranzistorului real la frecven joas.La
utilizarea ei trebuie efectuate schimbri anumite pentru a trece de la o cuplare a
tranzistorului la alta.
39
n fig.26 este prezentat schema echivalent a tranzistorului care corespunde

cuplrii n circuit cu BC.Aici re i rc sunt rezistenele difereniale ale jonciunii
emitorului i colectorului.Rezistena bazei rb este comun pentru circuitul de
intrare i ieire.Proprietile de amplificare ale tranzistorului sunt prezentate n
schem cu ajutorul generatorului de curent Ie,unde = Ic / Ie prezint
coeficientul de transfer al tranzistorului dup curent.Valorile parametrilor schemei
echivalente de tip T depind de alegerea punctului de funcionare dup curent
continuu (Ic,Uce) pe caracteristicile de ieire ale tranzistorului.Schema echivalent
-i menine forma pentru orice metod de cuplare EC,BC,CC.La cuplarea cu EC
semnalul de intrare este aplicat la baza tranzistorului,iar emitorul este conectat la
punctul comun al schemei (Fig.27).
Subliniem,c atare schem nu este suficient,deoarece curentul de dirijare
este Ib.Generatorul de curent n circuitul colectorului Ie reflect regimul
circuitului emitorului.Pentru cuplarea cu EC este mai eficient de a folosi un
generator de curent care depinde de curentul bazei:
Ie = (Ic / Ie) Ie = Ic = ( Ic / Ib) Ib =
Ib
(5.2)
Schema echivalent a tranzistorului bipolar cu sursa de curent

prezentat n fig.28.
Ie
Ie
E
C
re
Ueb
rc
Ib
rb
Ic
Ucb
B
Fig.26.Schema echivalent a tranzistorului bipolar,cuplat cu BC.
40
Ib
este
Ie =
Ib
Ib
C
rb
Ube
rc
re
Ie
Ic
Uce
E
Fig.27.Schema echivalent a tranzistorului bipolar,cuplat cu EC.
Ib
Ib
B
C
Ic
r*c
rb
Ube
Ie
re
Uce
E
Fig.28. Schema echivalent a tranzistorului bipolar cu sursa de curent

Dac nlocuim sursa Ie cu sursa
Ib
Ib.
rezistena de intrare a tranzistorului
pentru schema redat n fig.27 nu trebuie s se schimbe.Pentru circuit mers n gol

la intrare (Ib = 0) curentul colectorului
Ic = Uc / (rc + re) + Ie.
(5.3)
La circuitul deschis al bazei curentul emitorului i colectorului sunt egali

(Ie=Ic).Atunci,lund n considerare c re << rc din (5.3),obinem:
rie = Uc / Ic = rc (1 - ).
41
(5.4)
Pentru schema prezentat n fig.27 rezistena de ieire rie = r*c .Lund n

considerare,c rezistena de ieire trebuie s fie egale pentru ambele
circuite,obinem, c mrimea
r*c = rc (1 - ).
(5.5)
S determinm acum legtura dintre parametrii h i valorile elementelor

schemei echivalente a tranzistorului tip T pentru cuplarea cu BC.
Conform definiiei h11 prezint rezistena de intrare a tranzistorului bipolar
pentru regim de scurtcircuit la ieire.Notnd n schema echivalent (Fig.25)
tensiunea de ieire Uc = 0 i considernd c cunoatem valoarea curentului de
intrare Ie,apreciem tensiunea la intrare:
Ue = Ie (re + rb rcrb / (rc + rb)).
(5.6)
Lum n considerare faptul,c rb << rc i atunci putem nota:

hbc11 = Ue / Ie =re + rb(1 - )
(5.7)
Coeficientul de reacie conform tensiunii pentru regim mers n gol la intrarea

tranzistorului
h12 = U1 / U2 = Ue / Uc.
(5.8)
n schema echivalent tip T aceast valoare este dirijat de divizorul de

tensiune ce este format de rezistoarele rc i rb:
hbc12 = Ue / Uc = rb / (rb + rc) = rb / rc.
42
(5.9)
Coeficientul de transfer al curentului h21= Ic / Ie.Utiliznd legea a doua a lui

Kirghoff i considernd c este cunoscut curentul Ie, putem nota:
Ic (rc + rb) = Ierc + Uc.
(5.10)
n acest caz
hbc21 = - Ic / Ie (pentru Ie = 0) = - rc / (rc + rb) = -
(5.11)
Conform definiiei h22 = I2 / U2 prezint conductibilitatea de ieire la regim

mers n gol pentru circuitul de intrare al tranzistorului. Considernd n (5.10) Ie=0,
obinem:
hbc22 = - Ic / Uc (pentru Ie = 0 ) = - 1 / (rc + rb) = 1 / rc.
(5.12)
Analogic putem determina legtura dintre parametrii h i elementele

schemei echivalente tip T la cuplarea tranzistorului bipolar n schema EC.tiind
c r*c >> re,obinem:
hec11 = rb + (1 + )re;
(5.13)
hec21 = ;
(5.14)
hec12 = rb / r*c;
(5.15)
hec22 = 1 / r*c.
(5.16)
n fig.29 este redat schema tranzistorului,cuplat cu CC.Aceasta se numete

deasemenea i repetor de emitor ,deoarece tensiunea pe emitor dup polaritate
coincide cu tensiunea la intrare i este apropiat dup valoare.
43
R1
Rg
C
Ib
VT
+ Ual
-
Eg
Intrare
R2
Re
Ieire
Fig.29.Schema tranzistorului bipolar,cuplat cu CC.

Utilizm aceast schem a tranzistorului bipolar,cuplat cu CC pentru analiza
repetorului de emitor.Schema echivalent cu utilizarea schemei echivalente
simplificate a tranzistorului (Fig.30) este redat n fig.31.
Ib
h11e
h21eIb
Ic
E
Fig.30. Schema echivalent simplificat a tranzistorului,cuplat cu CC.
44
Iintr
h11e
Ie
Rg
Is
h21eIb
Zs
Uintr
Uechiv.
Eg
Fig.31. Schema echivalent simplificat a repetorului de emitor.

n corespundere cu schema echivalent coeficientul de transmitere a
curentului
kI = - Ie / Ib = (Ib + h21eIb) / Ib = h21e + 1.
(5.17)
Rezistena de intrare este egal raportului tensiunii de intrare ctre curentul

bazei:
Zintr = Uintr / Ib =[h11eIb + (h21e + 1) Ib Zs] / Ib = h11e + (h21e + 1) Zs.
(5.18)
Coeficientul de transmitere a tensiunii

ku = kI Zs / Zintr = (h21e + 1) Re / (h11e + (h21e + 1) Re)
45
(5.19)
Curentul emitorului
Ie = - (Ib + h21eIb) = - (1 h21e) Ib
n corespundere cu schema, readus n fig.31,pentru Eg = 0 curentul bazei Ib
= - Uec / (Rg + h11e).Respectiv,
Ie = Uec (h21e + 1) / (Rg + h11e).
De aici rezistena de ieire
Zie = Uec / Ie = (Rg + h11e) / (h21e + 1)
(5.20)
Din aceast expresie rezult,c rezistena de ieire a repetorului de emitor

depinde de rezistena generatorului i este mic, cnd rezistena generatorului este
mic comparativ cu h11e.
Rezistena de ieire redus a repetorului de emitor constituie proprietatea de
baz a acestuia.datorit rezistenei de ieire reduse repetorul de emitor este
echivalent generatorului de tensiune,care se schimb puin la schimbarea
rezistenei sarcinii (desigur,att timp,ct rezistena sarcinii este mult mai mare dect
rezistena de ieire a generatorului).
46
6.Funcionarea tranzistorului bipolar la frecven nalt .

Comportarea la frecvene nalte a tranzistorului bipolar s-ar putea studia
folosind parametrii y, dar aceasta prezint dezavantajul c este o descriere pur
matematic ce leag curenii de tensiunile de la borne.
Deacea, este util de a dispune de un circuit echivalent care s pun n
eviden fenomenele fizice din tranzistor, att pentru frecvene joase, ct mai cu
seam pentu frecvene nalte.
Desigur c din punct de vedere al calculului numeric este indiferent cu care
circuit se lucreaz totui, circuitul echivalent fizic d n plus posibilitatea unor
ntrepretri i aprecieri calitative. Aceasta este raiunea pentru care n continuare se
va descrie circuitul echivalent Giacoletto al tranzistorului.
6.1. Circuitul echivalent Giacoletto.

n fig. 32 este prezentat schema circuitului echivalent Giacoletto, pentru un
tranzistor montat n conexiunea BC.
Dup cum se vede , se pot distinge trei regiuni regiunea 1 corespunde
jonciunii emitor-baz, care fiind direct polarizat poate fi echivalent cu o
rezisten rb1e , de cteva sute de n paralel cu o capacitate Cb1e , de ordinul a sute
de pF (capacitatea de difuzie).
Regiunea 2 modeleaz fenomenul de transport al purttorilor prin baz, cu
ajutorul generatorului de curent gm Ueb , i a rezistenei rce (de ordinul a zeci de k),
ce corespunde difuziei purttorilor de la emitor spre colector. Totodat, rezistena
rbb, este rezistena extrinsec a bazei (baza inactiv) i este n jur de 100 .
Regiunea 3 reprezint jonciunea colector-baz (invers polarizat), care se
nlocuiete cu o rezisten rb1c, de valoare mare (de ordinul 1M) i cu capacitatea
Cb1c de ordinul a civa pF (capacitatea de barier).
Punctul B 1 corespunde regiunii active a bazei i este logic ca generatorul de
curent s depind doar de cderea de tensiune dintre emitor i baza activ (Ueb1).
Coeficientul de proporionalitate gm se numete panta tranzistorului i se
definete ca raportul dintre creterea infinitezimal a curentului de colector i
creterea infinitezimal a tensiunii baz-emitor care o genereaz, celelalte mrimi
fiind constante.
Aadar:
gm = Ic / Ube = Ice / kT
(6.1)
i se poate demonstra c
47
gmrb1e = h21e
(6.2)
Cec
E
C
1
b e
r
Ueb1
rce
Cb1e
Cb1c
gm Ueb1 B1
rb1c
Ucb1
rbb1
Cec
Cbc
B
1
Fig.32. Circuitul echivalent Giacoletto (conexiune BC).

n fine, pentru ca circuitul s fie complet s-au mai figurat i capacitile
parazitare dintre terminale (care sunt exterioare capsulei), anume C ec ,Cbc i Ceb .
Acestea sunt de ordinul a 1-4 pF, deci intervin n calcul doar la frecvene foarte
nalte i din acest motiv din cele mai multe ori se pot neglija. Trebuie de menionat
c exceptnd rb1e i rce care au o variaie mai mic, ceilali parametri ai circutului
Giacoletto propriu-zis depind puternic de punctul static de funcionare (de exemplu
rb1e scade cu IC , iar Cb1e crete cu IC ).
Se poate desena i circuitul echivalent Giacoletto al tranzistorului montat n
conexiune EC, prin rsucirea circuitului astfel, nct baza s ia locul emitorului .
n aceast figur nu s-au mai adugat capacitile parazitare dintre terminale
cu toate acestea circuitul este destul de complicat pentu a fi utilizat comod la
calcule. Din acest motiv n continuare vom descrie n ce condiii se pot face unele
neglijri.
48
rbb
C
rbc
rbe
Ube
gmUbe
rce
E
a)0-2,7kHz
cbc
rbb
Ube
C
rbc
rbe
gmUbe
rce
b)2,7-270kHz
B
cbc
rbb
Ube rbe
gmUbe
rce
E
c)270-520kHz
rbb
cbc
Ube rbe
gmUbe
cbe
rce
E
d)520kHz-52MHz
49
rbb
cbc
Ube
cbe
gmUbe
rce
E
e)peste 52MHz
Fig. 33. Circuitele Giacoletto simplificate.

a-pentru frecven joas b,c,d-pentru frecvene medii e-pentru frecven nalt.
7.Analiza modelului matematic al tranzistorului bipolar.

Schema general echivalent a tranzistorului folosit la modelul matematic
este prezentat n fig.34. Fiecare jonciune p-n e prezentat n form de diod, iar
interaciunele sunt reflectate de generatoarele de curent. Dac jonciunea p-n
emitoare e deschis, atunci n circuitul colectorului va trece un curent puin mai
mic ca a emitorului (din cauza procesului de recombinare n baz). El se asigur
de generatorul de curent NI2(N 1). Indicele N prezint conectarea normal. n
caz general e posibil conectarea invers a tranzistorului, la care jonciunea
colectoare e deschis, iar emitoare e conectat n direcie invers i curentului
direct a colectorului I2 i corespunde curentul emitorului 1I2, n schema
echivalent e introdus al doilea generator de curent 1I2, unde 1- coeficientul de
transfer a curentului colectorului.
n aa fel curentul emitorului i colectorului n caz general conine 2
componente injectat (I1sau I2) i colectat ( 1I1sau 1I1)
IE I1 1I2 ,
IC NI1 I2
(7.1)
Jonciunele p-n emitoare i colectore a tranzistorului sunt analogice jonciunii

p-n a diodei. La conectarea separat a tensiunii la orice jonciune CVA se
determin la fel ca n cazul diodei. Dac la una din jonciunele p-n se aplic o
tensiune, iar terminalele altei jonciuni p-n se scurtcircuiteaz atunci curentul , ce
va trece prin jonciunea p-n la care i conectat tensiunea, se va mri din cauza
schimbului repartiiei purttorilor de sarcin minoritari n baz
50
I1 I1et(eUebt
I2 I1ct(eUcb/t ,
(7.2)
unde I1et curentul emitor-temperatur a jonciunii p-n msurat la scurtcircuitarea

terminalelor emitorului i colectorului.
Legtura dintre curentul de temperatur a jonciunii p-n Ict i Iet conectate
aparte i curenii de temperatur I1ct i I1et primim din (7.1) i (7.2). Fie Ie ,
atunci
I 1I2 la Ucb t , I2 I1ct , nlocuind expresiile n (7.1), pentru
curentul colectorului avem I1ct ct N 1).
Curenii colectorului i emitorului cu (7.2) vor fi
Ie 1et eUeb /t 1I1ct eUcb /t
Ic 1et N eUeb/t I1ct(eUeb/t
(7.3)
Pe baza legii Kirghoff curentul bazei e

Ib e c N I1et eUeb/t +(1 1 1ct eUcb/t
(7.4)
La folosirea (7.1) - (7.4) trebuie de avut n vedere , c n tranzistorul

semiconductor , n cel mai general caz avem egalitatea :
N et 1 ct
(7.5)
Rezolvnd egalitatea (7.2) relativ de Ict , avem

Ic N e ct eUcb/t
(7.6)
Aceast egalitate descrie caracteristica de ieire a tranzistorului.

Egalitatea (7.3) rezolvat relativ, prezint expresia ce caracterizeaz
caracteristicile de ieire a tranzistorului idealizat
Ueb t ln Ie/I1et eUeb/t
(7.7)
n tranzistorul real n afar de curenii de temperatur prin jonciuni trec

curenii de generare-recombinare i curenii de scurgere, deacea Ict , Iet ,I1et ,I1ct de
obicei sunt necunoscui. n condiiile tehnice de obicei se atrag atenia curenilor
jonciunilor p-n Icb0 , Ieb0 determinate ca curenii jonciunii corespunztoare la
terminalele neconectate a altei jonciuni.
Dac jonciunea p-n e conectat indirect , atunci putem scrie
Iet eb0 .
51
Pentru tranzistorul din Ge nlocuim t cu m t , unde m aciunea jonciunii

reale (m=24).
Din aceste considerente egalitile (7.3) i (7.5) des se scriu n alt form,ce
este mai comod la calculul circuitului cu tranzistoare reale
Ic NIeb0 eUeb/mt cb0 eUeb/mt
(7.8)
Ie eb0(eUeb/mt 1 cb0 eUcb/mt
(7.9)
NIeb0 1Icb0 ,
(7.10)
unde A N 1.
Cec
E
rce
rb1e Cb1e
Cb1c
rb1c
gm Ueb1
B1
rbb1
Ceb
Cbc
B
1
Fig.34. Schema general echivalent a tranzistorului bipolar folosit la

modelarea matematic a acestuia.
52
8. Utilizarea practic a tranzistorului bipolar KT 385 n

schemele electrice principiale.
Tranzistorul KT 385 este un tranzistor realizat pe siliciu (K ),
bipolar (T),de mic putere (Pmax ) < 0,3 W,cu frecvena de limit flim > 30 MHz
-(3),realizat dup structur n-p-n, planar epitaxial.Este utilizat n calitate de
comutator n sistemele de memorare ale calculatoarelor (memoria permanent).
Reeind din condiiile fixate ctre executarea tezei anuale,vom meniona un
tranzistor de aceiai marcare KT 3 .
+ 12 V
Impulsuri de strobare de
direcie invers
R1
100 k
C1
R2
1k
Impulsuri sincron de strobare

VT1
KT 315
12
Fig.35.Secven a plasrii tranzistorului bipolar KT 315 n schem electric

de principiu.
9. Compartiment practic (probleme).

Problema 1.
Este cunoscut:
etajul
de amplificare se
monteaz pe baza
tranzistorului
KT 385,unde Ec = 80 V; Rs = 1,8 k; Ib= = 150 A; Ibm = 150 A (conform
variantei 8 din anexa A.2 a ndrumarului ).
Caracteristicile statice ale tranzistorului sunt prezentate n fig.36.Dreapta de
sarcin corespunde ecuaiei
Ic = (Ec Uce) / Rs
(9.1)
Pe familia caracteristicilor de ieire ordonata acestei curbe la valori Uce = 0
corespunde punctului Ic = Ec / Rs.Abscisa la Ic = 0 corespunde punctului
Uce=Ec.Dac vom uni aceste dou puncte,vom obine dreapta de sarcin cutat.
Deci, dac Uce = 0, apoi Ic = Ec / Rs = 80 / 1,8 * 103 = 44 (mA). Pentru Ic = 0
53
Uce = Ec = 80 (V).Am determinat astfel ordonata i abscisa dreptei de sarcin.

Intersecia dreptei de sarcin cu curbele ce corespund diferitelor valori ale
curenilor bazei Ib= determin punctul de funcionare al etajului de amplificare care
are ca sarcin rezistorul Rs.Coordonatele punctului de funcionare determin
regimul de lucru al circuitului de ieire U ce= i Ic= ,iar coordonatele Ib= i Ube= pe
caracteristica de intrare regimul de lucru al circuitului de intrare pentru
tranzistorul dat.
Construind apoi variaia sinusoidal a curentului bazei (conform variantei 8)
cu amplitudinea Ibm determinm diagramele variaiei curenilor i tensiunilor pe
bornele tranzistorului.Dup trasarea diagramelor respective n timp este necesar de
a determina posibilitatea apariiei distorsiunilor neliniare ale semnalului
amplificat.Distorsiunile neliniare pot aprea i n regim activ de funcionare a
tranzistorului,deoarece semnalul posed amplitudine mare (Ibm = 150 A).
Conform caracteristicilor statice trasate determinm amplitudinile curenilor
i tensiunilor:
Ubem = (Ubemax Ubemin) / 2 = (0,625 0,5) / 2 = 63 (mV);
(9.2)
Ucem = (Ucemax Ucemin) / 2 = (76 16) / 2 = 30 (V);
(9.3)
Icm = (Icmax Icmin) / 2 = (34 4 ) / 2 = 15 (mA).
(9.4)
Diagramele sunt construite lund n consideraie faptul,c tensiunile aplicate

la baz i colector se afl n contrafaz.Acum determinm valorile necesare:
Rintr = Ubem / Ibm = (63 * 10-3) /(150 * 10-6) = 0,42 (k);
(9.5)
Ku = Ucem / Ubem = 30 / (63 * 10-3) = 476,19;
(9.6)
KI = Icm / Ibm = (15*10-3) / (150 * 10-6) = 100;
(9.7)
Kp = KI Ku= 476,19 * 100 = 47619;
(9.8)
Pr = (Icm2 Rs) / 2 = [(15 * 10-3)2 * 1,8 * 103] / 2 = 202,5 (mW);
(9.9)
Pc = Ic=Uce= = 30 * 10-3 * 30 = 900 (mW).
(9.10)
54
Ib,mA
1,6
Ib,mA
0,4
1,2
Uce = 0 V
Uce = 30 V
2Ibm
0,3
0,8
t
0,2
0,4
0,1
0
0
0,2
0,3
0,4
0,5
Ube,V
0,5
2Ubem
a)
Ube,V
t
b)
Ic,mA
50
40
2Icm
0,6
Ibm
Ib = 375 A
Ib = 300 A
Ib = 225 A
Ib = 150 A
30
t
20
Urest
10
0
20 40
Ib = 75 A
Ib = 0 A
60
80
t
100
Uce,V
2Ucem
c)
Fig.36. Caracteristica static de intrare Ib = f(Ube) pentru Uce = 0 V (a);
caracteristica static de intrare Ib = f(Ube) pentru Uce = 30 V (b);
caracteristica static de ieire Ic = f(Uce) pentru Ib = const (c).
Problema 2.
55
Parametrii h se determin pentru o cretere sub limita 20 % de la valorile

obinute n punctul de funcionare ales.Pentru Ib= = 150 ( A) i Uce= = 30 (V)
(punctul O n fig.37),avem:
Ib = 0,2 * Ib= = 30 ( A);
Uce = 0,2 * Uce= = 6,0 (V).
Ib, A
0,4
Uce= = 30 (V)
(9.11)
(9.12)
Ic,mA
50
Ib = 375 A
Ib = 300 A
Ib = 225 A
O1
0,3
2Ib
O
0,2
0,15
0,1
40
Ib
30
Ib = 150 A
23
20
17
10
Ube
0
0,5
0,6
0,562 0,590
Ib = 75 A
Ib = 0 A
Ic
0,7 Ube,V
0
20
a)
40 60
Uce
80 100
Uce,V
b)
Fig.37.Determinarea parametrilor h conform caracteristicilor statice ale

tranzistorului bipolar.
Lund n consideraie faptul,c nclinarea curbelor n punctul de funcionare
este foarte mic este necesar de a mri valoarea Uce.n atare caz vom determina
mai precis valoarea Ic.
Din aceste considerente alegem Uce = 60 (V).
Triunghiurile respective care corespund datelor obinute iniial sunt
prezentate n fig.37 haurat.Acum putem nota:
h11e = Ube / Ib (Uce=const) = (590-562)*10-3 / 30*10-6 (Uce=30 V) = 0,93 (k);
(9.13)
h21e = Ic / Ib (Uce = const) = (23-17)*10-3 / 30*10-6 (Uce = 30 V) = 200; (9.14)
56
h22e = Ic / Uce (Ib =const) = (22-17)*10-3/ 78-18 (Ib = 150 A) = 0,066 (mS).
(9.15)
Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecvene joase este prezentat
n fig.38.
B
Ib
Ic
h21eIb
Ube
h11e
1/h22e
Uce
E
Fig.38.Schema echivalent a tranzistorului bipolar pentru frecvene joase.
Schema echivalent prezentat n fig.38 poate fi descris cu ajutorul

urmtoarelor ecuaii:
Ube = h11e Ib;
(9.16)
Ic = h21eIb + h22eUce.
(9.17)
n legtur cu valoarea redus a reaciei tranzistorului la frecven joas

putem presupune h21e = 0.
Dac tranzistorul funcioneaz la frecven nalt,atunci toi parametrii h
devin numere complexe,adic pot fi reprezentai prin intermediul elementelor cu
caracter activ i reactiv.
n afar de aceasta valorile respective ale componentelor cu caracter activ i
reactiv variaz odat cu frecvena.Din aceste considerente a fost modernizat i
schema echivalent a tranzistorului la frecven nalt.n fig.39 este redat schema
ecivalent la frecven nalt pentru tranzistorul bipolar (schema Giacoletto).
Trantistorul KT 385 posed urmtorii parametri la frecven nalt:
= 3; Ic*=6 (mA); c = 600 (pS); Ce = 75 (pF); f = 20 (MHz); // =2; Cc = 15 (pF)
(conform variantei 8 din ndrumar).
Cc2
57
C
rb
Ube
Ube
B
Cb1e
Cc1
rb1e
Uce
rce
SjUb1e
Fig.39.Schema echivalent a tranzistorului bipolar la frecven nalt

(cuplarea tranzistorului cu emitor comun).
Elementele rb,Cc1,Cc2 modeleaz regiunea bazei tranzistorului i capacitatea
jonciunii colectorului.Elementele rb1e i Cb1e modeleaz circuitul de intrare pentru
tranzistorul ideal (fr reacie).Elementele rce i SjUb1e modeleaz circuitul de
intrare al tranzistorului la cuplarea lui n schema cu emitor comun.Menionm,c
generatorul echivalent de curent n circuitul de ieire depinde de tensiunea
Ube.Acest lucru ne permite s considerm,c panta Sj nu depinde de frecven.
Cu ajutorul schemei fizice echivalente putem determina orice parametru al
tranzistorului la valoarea cunoscut a frecvenei.De exemplu,h 11e poate fi
determinat dac la ieirea schemei avem scurtcircuit (Fig.40).
B
rb
Cc1
h11e
Cc2
1
b e
1
b e
E
Fig.40.Schema echivalent a tranzistorului bipolar utilizat la calcularea
valorii rezistenei de intrare la frecven nalt.
Valorile parametrilor schemei echivalente sunt determinate conform

relaiilor urmtoare:
58
rb = c / Cc,
unde
(9.18)
rb rezistena bazei tranzistorului bipolar;

c = rbCc1 constanta de timp pentru circuitul de reacie al tranzistorului,
ridicat la curentul cunoscut Ic*;
Cc- capacitatea total a jonciunii colectorului.
Conform (9.18),avem:
rb = 3*600*10-12 / 15*10-12 = 120 ().
Ceilali parametri pentru regimul dat sunt determinai n modul urmtor
Cc1 = Cc / =15*10-12 / 3 = 5 (pF);
Cc2 = Cc Cc1 = 15*10-12 5*10-12 = 10 (pF);
rb(Ic=) = rb
Ic* / Ic = 120
(6*10-3 / 30*10-3) = 53,66 ();
(9.19)
(9.20)
(9.21)
Sj(Ic=) =20*Ic = 20*30*10-3 = 600 (mSm);
(9.22)
rb1e = h11e rb(Ic=) = 0,93*103 53,66 =876,34 ();
(9.23)
rce =1 / h22e = 1 / (0,066*10-3) = 15,15 (k);
(9.24)
Cb1e =Ce + (Sj(Ic=) / lim) = 75*10-12 + (600*10-3 / (2*3,14*40*106)) = 75,23 (pF),

(9.25)
unde Ic* - valoarea curentului colectorului n punctul de funcionare;
Sj(Ic=) panta tranzistorului dup jonciunea emitorului;
Ce capacitatea de barier pentru emitorul tranzistorului;
lim = 2flim frecvena de limit a tranzistorului;
flim = f //;
// - modulul coeficientului de transmitere a curentului tranzistorului
bipolar, cuplat dup schema cu EC.
Putem calcula conductibilitatea de intrare a tranzistorului analizat (Rintr) i

capacitatea de intrare (Cintr).Pentru aceasta utilizm formulele urmtoare:
59
unde
Rintr = (rb1e + rb)(1 + (f/fs)2)/(1 + (f/fs)2)((rb1e + rb)/rb);
(9.26)
Cintr = Cc2 + (Cb1e + Cc1)rb1e / (rb1e + rb)(1 + (f/fs)2);
(9.27)
fs = 1 / (2((rb1e *rb)/(rb1e + rb))(Cb1e = Cc1)).
(9.28)
Ultima relaie (9.28) nu trebuie calculat [6].Sunt efectuate calculele pentru

Rintr i Cintr ca funcie de relaia f /fs pentru zece valori de la 0,1 pn la 1,0.
Pe baza (9.26) i (9.27) determinm:
- pentru f / fs = 0,1
- pentru f /fs = 0,6
Rintr = 507,73 (); Cintr = 84,85 (pF);

Rintr = 174,70 (); Cintr = 65,59 (pF);

Rintr = 508,52 (); Cintr = 82,69 (pF);

Rintr = 146,02 (); Cintr = 60,74 (pF);

Rintr = 395,97 (); Cintr = 79,36 (pF);

Rintr = 126,15 (); Cintr = 56,10 (pF);

Rintr = 286,15 (); Cintr = 75,17 (pF);

- pentru f /fs = 0,5
Rintr = 112,00 (); Cintr = 51,77 (pF);

Rintr = 218,10 (); Cintr = 70,30 (pF);
Rintr = 101,47 (); Cintr = 47,80 (pF).
Problema 3.
60
Determinm proprietile tranzistorului ca cheie electronic conform

caracteristicilor statice de ieire din fig.36.
n acest caz punctul de funcionare al tranzistorului se va plasa sau n regim
de blocare (tranzistorul este blocat),sau n regim de saturaie (tranzistorul este
cuplat).Tensiunea de rest Urest este determinat conform caracteristicilor de
ieire.Mai precis tensiunea de rest poate fi determinat conform formulei analitice:
Urest = 25 mV {ln[1 = (100 / KI ) + (100 / Ksat)] ln[1 (1 / Ksat)]}
(9.29)
n scopul obinerii unei valori reduse pentru timpul de cuplare al

tranzistorului se recomand de a aplica curent de intrare mai mare de cteva ori
dect cel ce asigur regimul de saturaie,adic:
Ib cupl = Ksat Ic cupl / KI = Ksat Ec / Rs KI,
(9.30)
unde Ksat este coeficientul de saturaie.De regul,acest coeficient are valori n

limitele 35.
Puterea Pintr ce este asimilat de circuitul de intrare pentru cheia electronic
ce se afl n regim cuplat:
Pintr = Ib cupl Ube cupl,
(9.31)
unde valoarea Ube cupl se determin conform caracteristicii de intrare a tranzistorului

pentru Uce = 0 (regim de saturaie).Puterea disipat pe colectorul tranzistorului n
regim cuplat:
Pc cupl = Ic cuplUrest
(9.32)
Rezistena tranzistorului n regim cuplat:

Rcupl = Urest / Icupl
(9.33)
Pe baza celor menionate mai sus,determinm:

Punctul
O1
(Fig.36,c)
corespunde
regimului
tranzistorului
deschis.Respectiv,tensiunea de rest Urest = 11 (V).Pentru cazul analizat
Rcupl = 11 / (38 * 10-3) = 289,47 ().
Valoarea curentului bazei,necesar pentru cuplarea tranzistorului,este mai

mare dect 375 A,iar la valori Ksat = 4
61
Ib cupl = 4 * 80 / 1,8 *103 *100 = 1,78 (mA).

Tranzistorul cuplat se afl n regim de saturaie,adic putem afirma c Uce =
= Urest = 0.Tensiunea de intrare ce corespunde curentului de cuplare I b cupl se
determin conform caracteristicii de intrare pentru valori U ce = 0 (Fig.36,a).n
exemplul dat tensiunea Ube cupl = 0,45 (V).Respectiv,
Pintr = 1,78 * 10-3 * 0,45 = 0,801 (mW)
Pc cupl = 38 * 10-3 * 11 = 418 (mW).
Problema 4.
Trasarea caracteristicilor statice ale tranzistorului o vom ilustra pentru
tranzistorul K 313A (canal tip-n) (Fig.41).
Dren
Gril
Surs
Fig.41.Tranzistorul cu efect de cmp K313A cu jonciune p-n (canal tip-n).
Conform [6] tranzistorul posed urmtorii parametri de baz: Ubloc = -2 (V);
UGS = 1,15 (V) (la valori ID = 5 mA);-ID max = 10 (mA);UDS max = 15 (V).
Conform datelor expuse mai sus putem determina valoarea tensiunii U GS max
ce corespunde ID max dup formula:
UGS max = Ubloc + (UGS Ubloc) / (ID / ID max)0,5
(9.34)
sau
UGS max = -2 + (1,15 (-2) / 0,5 = 2,45 (V).
Ecuaia caracteristicii cutate are forma:
-ID = ID max ((UGS Ubloc) / (UGS max Ubloc))2,
(9.35)
unde ID max,UGS max,Ubloc prezint punctele de baz ale caracteristicii statice

prezentate schematic n fig.42.Reeind din (9.35),vom obine urmtoarele valori
pentru ID (mA) i UGS (V),care ulterior vor fi incluse n tabelul 9.1
62
-ID (UGS = Ubloc) = 10*10-3((-2-(-2)) / (2,45 (-2)))2 = 0 (mA);

-ID (UGS = -1) = 10*10-3((-1-(-2)) / (2,45 (-2)))2 = 0,50 (mA);
-ID (UGS = 0) = 10*10-3((0-(-2)) / (2,45-(-2)))2 = 2,00 (mA);
-ID (UGS = 1) = 10*10-3((1-(-2)) / (2,45-(-2)))2 = 4,54 (mA);
-ID (UGS = 2) = 10*10-3((2-(-2)) / (2,45-(-2)))2 = 8,00 (mA);
-ID (UGS = UGS max) = 10*10-3((2,45-(-2)) / (2,45-(-2)))2 = 10,00 (mA);
Introducem datele obinute n tabelul 9.1.
Tabelul 9.1
-ID, mA
UGS, V
0
-2
Dependena ID = f (UGS)
0,50
2,00
4,54
-1
0
1
8,00
2
10,00
2,45
Tabelului 9.1 -i corespund dependenele trasate n fig.42.

Dei conform datelor teoretice curentul electronilor are reacie negativ toate
caracteristicile sunt desenate n partea de sus a axelor de coordonate,adic curentul
drenei este plasat pe coordonata + Y.
ntre valorile de limit ID max = 10 (mA) i UDS max = 15(V) trasm familia
caracteristicilor de ieire ale dispozitivului.
n regim activ de funcionare a tranzistorului curentul drenei practic nu
depinde de tensiunea aplicat la dren.Aceasta ne permite s trasm caracteristicile
paralel cu axa tensiunii.Regimului activ de funcionare a tranzistorului cu efect de
cmp -i corespunde UDS = UGS Ubloc.Marcnd aceste puncte UD,ce corespund
diferitelor valori ale UGS,obinem pe desen punctele 1,2,3,4,5.Ca rezultat vom
obine caracteristica static a tranzistorului.Conform punctului de funcionare
(IDo,UDso) i valorii rezistenei sarcinii putem trasa dreapta de sarcin.Procedura este
analogic rezolvrii problemei 1 cu excepia c este necesar s se determine
valoarea IDo:
IDo = ( /ED/ - /UDso/ ) / Rs
(9.36)
Deci IDo = ( /-15/ - /-3,0/ ) / 3 * 103 = 18 / 3 * 103 = 6 (mA).

Coordonatele punctului de funcionare O sunt fixate n [6] (varianta 8),adic
IDo = 4,0 (mA),iar UDSo = 5 (V).Unind punctul IDo = 6 (mA) cu punctul de
funcionare O i continund dreapta obinut pn la intersecia cu axa U DS,obinem
dreapta de sarcin a tranzistorului cu efect de cmp K 313.
63
Determinm acum coordonatele punctelor ce corespund regimului de

blocare a tranzistorului:
- punctul 1 are coordonata UDS(1) = UGS max Ubloc = 2,45 (-2) = 4,45 (V);
- punctul 2 are coordonata UDS(2) = UGS(2 V)-Ubloc = 2-(-2) = 4 (V);
- punctul 3 are coordonata UDS(3) = UGS(1 V)-Ubloc = 1-(-2) = 3 (V);
- punctul 4 are coordonata UDS(4) = UGS(0 V)-Ubloc = 0 (-2) = 2 (V);
- punctul 5 are coordonata UDS(5) = UGS(-1 V)-Ubloc = -1 (-2) = 1 (V).
Pe familia caracteristicilor de ieire i transfer notm punctul de funcionare
O al tranzistorului.Regiunea valorilor admisibile ale tensiunilor i curenilor este
mrginit din stnga prin punctele 1,2,3,4,5,iar din dreapta cu valorile puterii
admisibile ce poate fi disipat pe drena tranzistorului.Caracteristica puterii disipate
prezint o hiperbol care este descris cu ajutorul ecuaiei urmtoare:
PD disip= IDUDS
(9.37)
Dac comparm acum rezultatele obinute cu familiile de caracteristici reale

prezentate n anex observm,c ele corespund satisfctor n prima
aproximaie.Din anexa 5[6],avem UGSm = 0,4 (V),iar din fig.43 punctul de
funcionare O corespunde UGSo = 0,8 (V) /aproximativ/.
Deci pe caracteristica de transfer (Fig.42) punctul de funcionare O se va
afla pe diagram,corespunztor UGS = 0,8 (V),adic ID = 4 (mA).Distorsiunile nu
sunt prezente.Dispozitivul electronic va funciona n regim normal.
Pentru a determina coeficientul de amplificare este necesar de a utiliza
valoarea medie a curentului drenei:
IDm = (IDm+ + IDm-) / 2,
(9.38)
unde IDm+ - este amplitudinea semiperioadei pozitive a semnalului;

IDm- - amplitudinea semnalului pentru semiperioada negativ.
IDm = (5,2 + 3,0) / 2 = 4,1 (mA)
Panta medie a dispozitivului
Smed = IDm / UGSm = 4,1*10-3 / 0,4 = 10,25 (mSm)
(9.39)
Coeficientul de amplificare dup tensiune pentru etajul de amplificare

KU = Smed Rs
KU = 10,25*10-3*3*103 = 30,75;
64
(9.40)
Valoarea curentului de intrare este determinat de rezistorul din circuitul

grilei RG,prin care se aplic tensiune constant la gril UGso.De regul,RG = 106().
La aa condiie coeficientul de amplificare dup curent al dispozitivului:
KI = IDm / IGm = (IDmRG) / UGSm = SmedRG
(9.41)
KI = 10,25*10-3*106 = 10250;
Rezistena de intrare Rintr = RG = 1 (M);
Amplificarea etajului dup putere
KP = KIKU = 10250 * 30,75 = 315187,5.
IDm,mA
12
10
UDS = 8 (V)
8
IDm+
6
4,8
t
4
3,2
2
-3 -2
-1
IDm-
0,8
0 0,4 1 1,2 2
UGS,V
UGS
UGSm = 0,4 (V)

t
Fig.42.Caracteristica de transfer ID=f(UGS) /UDS = 8(V)/ pentru tranzistorul
cu efect de cmp tip K 313,obinut prin metoda grafico-analitic.
ID,mA
65
12
Pdis
1
UGS = 2,5 (V)
UD max 10
2
IDo
UGS = 2,0 (V)

2UGSm ID
8
6
UGS = 1,2 (V)

UGS = 1,0 (V)
UGS = 0,8 (V)
UGS = 0,4 (V)
UGS = 0,0 (V)
UGS =-1,0 (V)
4,54
4
4
2
0,5
4,45
15
UGS max - Ubloc
10
12
UDS
14
16
UDS,V
UDS max
UDS
2UDSm
t
Fig.43. Familia caracteristicilor de ieire pentru tranzistorul cu efect de cmp
K 313A,obinut prin metoda grafico-analitic.
K 313A D
UDS
UGSm = 0,4 (V)

G
2k
+ 14 (V)
S
RG
1 (M)
EGSo = 0,8(V)
Fig.44.Schema cuplrii tranzistorului cu efect de cmp K 313A.

Problema 5.
66
Pentru tranzistoarele cu efect de cmp la frecvene reduse se determin

numai doi parametri de baz: panta caracteristicii de transfer SD = (ID / UGS )
(pentru UGS = const) i rezistena de ieire Rie = (UDS / ID) (pentru UGS = const).
Pentru asemenea analiz rezistena de intrare Rintr se consider egal cu RG i
egal cu 1 (M).
Parametrii SD i Rie sunt determinai de unghiul de nclinare al
caracteristicilor de transfer i de ieire pentru punctul dat de funcionare.Ca i n
cazul tranzistoarelor bipolare valorile ID i UGS sunt luate 20% de la nominala n
punctul de funcionare.Lund n consideraie c caracteristicile de ieire au o
nclinare foarte redus o s majorm considerabil valoarea UDS.
Conform caracteristicii de transfer (Fig.42)a problemei 4,avem IDo = 4 (mA);
iar dup caracteristica de ieire (Fig.43) ale aceleiai probleme UDSo = 5 (V).
Presupunnd
IDo = 0,2*4*10-3 = 0,8 (mA);
UDSo= 0,2*5 = 1 (V),
determinm cu ajutorul caracteristicii de transfer
SD = ID / UGS = 0,8*10-3 / 0,3 = 2,66 (mSm);
(9.42)
Majorm UDS. Conform caracteristicii de ieire determinm acum valoarea

Rie = UDS / ID = 6 / 0,3*10-3 = 20 (k).
(9.43)
Schema echivalent a tranzistorului va avea forma prezentat n

fig.45.Deseori neglijm cu valoarea rezistenei de intrare i atunci tranzistorul cu
efect de cmp poate fi modelat doar prin intermediul circuitului de ieire.
Calculele respective ale parametrilor tranzistorului cu efect de cmp la
frecvene nalte sunt efectuate cu ajutorul schemei echivalente prezentate n
fig.46.Toate elementele acestei scheme nu depind de frecven.Circuitul grilei este
modelat prin capacitatea CGS i rezistena canalului rc.Circuitul de ieire se
modeleaz prin rezistena canalului curentului alternativ R ie,capacitatea drensurs CDS,genaratorul echivalent de curent SDUGS.Reacia ntre intrarea i ieirea
tranzistorului se determin de capacitatea C GD.Nominalele acestor capaciti sunt
indicate n ndrumare,iar Rie poate fi acceptat egal cu 105 ().Valorile rc sunt
indicate n anexa 5[6].
IG
ID
67
D
2,66*UGS
UGS=0,3(V)
1 (M)
RG Rie
UDS = 6(V)
20 (k)
SD UGS
Fig.45.Schema echivalent a tranzistorului cu efect de cmp la frecven

joas.
G
1 (pF)
CGD
7 (pF)
UG1S
CGS
UGS= 0,3
D
Rie
SD UGS
UDS =6 (V)
CDS
50 ()
rc
20(k) 2,66[mSm]*0,3
Fig.46.Schema echivalent fizic pentru tranzistorul K 313A.

O particularitate important a schemei prezentate (Fig.46) este faptul,c
generatorul echivalent depinde de tensiunea aplicat direct pe gril UG1S i nu
depinde de tensiunea de intrare UGS.Anume aceast particularitate i reflect
dependenele reale de frecven a parametrilor dispozitivului (SD i Rintr).
Utiliznd schema echivalent,putem efectua unele calcule importante.Pentru
frecvena 100 (MHz) valoarea
k = rcCGS = 2*108*50*7*10-12 = 0,22.
(9.44)
Acum putem determina componenta activ pentru conductibilitatea de

intrare:
Rintr (fr. n.) = 1 / gintr = rc (1 + k2) / k2 = 50*(1 + 0,222) / 0,222 = 1,08 (k) (9.45)
Cunoscnd datele
tranzistorul analizat:
respective,determinm
/S/ = SD / 1 + k2,
unde SD valoarea pantei la frecven joas.
68
valoarea
pantei
pentru
(9.46)
/S/ = 2,66*10-3 /
1 + 0,222 = 2,72 (mSm).
Rezult c odat cu creterea frecvenei panta variaz foarte slab,iar

rezistena de intrare a tranzistorului se reduce (cade valoarea coeficientului de
amplificare al etajului).
n cazul analizat
KU (100 MNz) = /S/ * Rs = 3*103 * 2,72*10-3 = 8,16;
(9.47)
KI (100 MHz) = Rintr * /S/ = 1,08 * 103*2,72*10-3 = 2,94,
(9.48)
adic KI (100 MHz) se reduce de 348,64 ori fa de parametrul su la frecven joas i

KP (100 MHz) = KU(100 MHz) * KI(100 MHz) = 8,16 *2,94 = 23,99.
Problema 6.
La valori reduse ale tensiunii drenei tranzistorul cu efect de cmp prezint un
rezistor liniar,nominala cruia depinde de potenialul aplicat la gril.Pe
caracteristicile de ieire aceast regiune este numit ohmic sau tip triod.
Schema unui atenuator al semnalului alternativ,care utilizeaz regimul
indicat al tranzistorului cu efect de cmp, este prezentat n fig.47.
R
CD
CD
D
VT
Uintr
Uie
R
G
S
RG
UGS
Fig.47.Schema unui atenuator de semnal n baza tranzistorului cu efect de

cmp.
Proprietile de regulator sunt descrise de ecuaia R = f(UGS),unde R
prezint rezistena tranzistorului curentului alternativ n regimul de funcionare
ales.Caracteristica este trasat prin calcularea nclinrii poriunii iniiale a
69
caracteristicilor de ieire pentru diferite valori ale U GS.Puterea semnalului la ieirea

atenuatorului Pie = Uie2 / 2 R.Puterea de dirijare la intrarea regulatorului se
determin ca Pdir = UGS2 / RG.Tensiunea continu UGS i valoarea amplitudinii
semnalului Uie practic sunt identice (de ordin Uo).Rezult c coeficientul de
amplificare dup putere (maxim) al regulatorului KP max = RG / 2 Rmin.
Conform caracteristicilor statice ale dispozitivului (Fig.43,coordonatele
punctelor 15) determinm cinci valori ale rezistenei tranzistorului n regim
ohmic
R(1) = UDS(1)/ ID(1) = 4,45 /(10,00*10-3) = 0,44 (k)
(UGS = 2,45 (V));
R(2) = UDS(2) / ID(2) = 4 / (8,00*10-3) = 0,50 (k)
(UGS = 2,00 (V));
R(3) = UDS(3) / ID(3) = 3 / (4,54*10-3) = 0,66 (k)
(UGS = 1,00 (V));
R(4) = UDS(4) / ID(4) = 2 / (2,00*10-3) = 1,00 (k)
(UGS = 0 (V));
R(5) = UDS(5) / ID(5) = 1 / (0,50*10-3) = 2,00 (k)
(UGS = -1,00 (V)).
Ca rezultat obinem dependena trasat n fig.48.Amplificarea maxim a

regulatorului
KP max = 106 / 2 * 440 = 1136,36.
R,k
5
4
3
2
5
4
-2
-1
1
0
2 2,45
UGS,V
Fig.48.Caracteristica regulatorului conform datelor prezentate n problema 6.
CUPRINS
1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT385.
70
2. Procedee fizice n tranzistoarele bipolare. Diagramele

energetice ale tranzistoarelor.
3. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.
3.1. Sistemele caracteristicilor statice.
3.2. Caracteristici statice ale tranzistorului,cuplat dup schema cu
baz comun (BC).
3.3. Caracteristici statice ale tranzistorului,cuplat dup schema cu
emitor comun (EC).
3.4. Analiza schemei de conexiune colector comun (CC).
9
17
17
18
18
19
20
21
21
21
23
26
27
28
30
4. Ridicarea parametrilor de baz ai tranzistoarelor bipolare.

5. Analiza schemelor echivalente ale tranzistoarelor bipolare
i determinarea parametrilor acestora la semnal de nivel jos. 38
6. Funcionarea tranzistoarelor bipolare la frecven nalt.
47
6.1. Circuitul echivalent Giacoletto.
47
7. Analiza modelului matematic al tranzistorului bipolar.
50
8. Utilizarea practic a tranzistorului bipolar KT385 n sche
mele electrice principiale.
53
9. Compartiment practic (probleme).
53
Problema 1.
53
Problema 2.
56
Problema 3.
61
Problema 4.
62
Problema 5.
67
Problema 6.
69
Bibliografie.
71
Bibliografie
1. .. .-.: ,1981.-
71
432 c.
2. .. .-M.: ,1980.- 383 c.
3. .. .-.: ,1990.-512 c.
4. : ../ .
...-.: ,1985.-864 c.
5. Vasilescu,Lungu.Dispozitive electronice.Manual pentru ingineri inferiori.Cahul.:
1989.- 456 p.
6. ndrumri metodice privind ndeplinirea tezei de an.Dispozitive electronice.
Catedra Telecomunicaii. Universitatea Tehnic a Moldovei.Nd/o 557.Alctuitori Nicolae Bejan,Pavel Nistiriuc,Valeriu Dorogan.1996.-52 p.
72

Tranzistoare Bipolare

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Tranzistoare Bipolare

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Ministerul Educaiei i tiinei

Universitatea Tehnic a Moldovei

A verificat confereniarul universitar al cat.TLC,d..f-m.

1. Tehnologia de fabricare a tranzistorului bipolar KT 385.

Fig.1. Operaia de fotocopiere prin contact la tehnologia planarepitaxial.

Fig.2. Contactarea bioxidului de siliciu cu mediul.

Fig.3. Procesul difuziei bioxidului de siliciu prin fotogravur.

n prima etap, pe suprafaa plachetei, pe arii corespunztoare, se

Fig.4,a. Difuzia stratului ngropat dup nlturarea stratului de bioxid de

Fig.4,b. Creterea stratului epitaxial.

Fig.4,c. Formarea prin difuzie a zonelor de tip p n stratul epitaxial.

Fig.4,d. Crearea bazei tranzistorului n-p-n.

Fig.4,e. Crearea emitorului tranzistorului n-p-n.

se realizeaz arii metalizate pe straturile

Fig.4,f. Realizarea contactelor metalizate pentru conectarea exterioar.

Fig.5. Imaginea corpului plastic reactiv al tranzistorului KT385.

2. Procedee fizice n tranzistoarele bipolare.

Fig.6. Micarea electronilor i golurilor n tranzistorul de tip n-p-n.

Polaritatea acestora este astfel, nct la jonciunea emitorului tensiunea este

La funcionarea tranzistorului n regim activ,de regul,totdeauna U be<<Ucb i,

corespundere cu prima lege a lui Kirghoff totdeauna este prezent urmtoarea

sunt identice ( tranzistoare simetrice),apoi orice regiune lateral poate executa

O proprietate important a tranzistorului const n dependena aproximativ

Fig.7. Diagrama potenial a tranzistorului de tip n-p-n.

Fig.8. Schema echivalent a tranzistorului pentru curent continuu.

unde curentul Ie se va exprima n miliamperi.

jonciunii colectorului n careva sector al acesteia,a primit denumirea de spargere

unde - coeficientul de transmitere a curentului emitorului,care este

n multe cazuri Ico << Ie i se poate considera,c Ic Ie. Dac trebuie de

Fig.9. Curenii n tranzistor.

i vom scrie expresia final

- coeficient de transmitere al curentului bazei i constituie cteva

Astfel,schimbrile neeseniale ale duc spre schimbri eseniale ale lui

Coeficientul nu este strict constant,ci poate depinde de regimul de lucru

se schimb n dependen de regimul de lucru al

(1- ) = , nu este greu a determina Iceo = ( + 1) Ico. Deoarece >>1, apoi

Curentul comparativ mare Iceo se explic prin faptul,c o parte a tensiunii U ce

3.Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar.

3.1.Sistemele caracteristicilor statice.

Un avantaj important al acestui sistem const n faptul,c la cercetarea

3.2. Caracteristici statice ale tranzistorului, cuplat dup schema

cu baz comun (BC).

Fig.10.Caracteristici statice de intrare ale tranzistorului,cuplat dup schema

Prin jonciunea p-n se va scurge curentul i pentru tensiunea pe emitor, egal

Fig.11.Caracteristici statice de ieire ale tranzistorului, cuplat dup schema

3.2.3. Caracteristici de transmitere a curentului.

tranzistorului,cuplat dup schem BC,este redat n fig.12.

tranzistor Ic = Icbo + h21b * Ie .Caracteristicile de transmitere n prima aproximare pot

Fig.12. Caracteristici statice de transmitere a curentului tranzistorului,

3.2.4. Caracteristici ale reaciei inverse.

Familia caracteristicilor statice a reaciei inverse a tranzistorului,cuplat

Fig.13. Caracteristici statice ale reaciei inverse a tranzistorului, cuplat

3.3.Caracteristicile tranzistorului,cuplat dup schema cu emitor

Deplasarea caracteristicilor statice de intrare n sus n sistemul de coordonate

recombinare.Deacea se va reduce componenta curentului bazei,cauzat de

Fig.14. Caracteristicile statice de intrare ale tranzistorului, cuplat dup

Familia caracteristicilor statice de ieire a tranzistorului,cuplat dup schem

Fig.15. Caracteristici statice de ieire

a tranzistorului, cuplat dup

coeficientului de transmitere a curentului continuu al bazei h 21e la schimbarea

a tranzistorului n schema cu EC la tensiuni reduse pe colector i pentru I b 0 intr

emitorului.Coeficientul de transmitere a curentului va fi egal cu aproximativ

Fig.16. Caracteristici statice de ieire ale tranzistorului, cuplat dup