CUPRINS

I. Introducere
II. Clasificarea tranzistoarelor
A. Tranzistorul bipolar
a) Clasificare. Simbol. Notaţii
b) Principiul de funcţionare
B. Tranzistoare cu efect de câmp
1. Tranzistoare J-FET
a) Clasificare. Simbol. Notaţii
b) Principiul de funcţionare
2. Tranzistoare MOS-FET
a) Clasificare. Simbol. Notaţii
b) Principiul de funcţionare
3. Alte tranzistoare cu efect de câmp
C. Tranzistorul unijoncţiune
III. Polarizarea tranzistoarelor
A. Polarizarea tranzistoarelor bipolare
B. Polarizarea tranzistoarelor cu efect de câmp
1.Polarizarea tranzistoarelor J-FET
2.Polarizarea tranzistoarelor MOS-FET
IV. Aplicaţii ale tranzistoarelor
A. Amplificatoare
1. Etaje de amplificare cu tranzistoare bipolare
2. Etaje de amplificare cu tranzistoare J-FET
3. Etaj de amplificare cu tranzistor MOS-FET
B. Regimul de comutaţie al tranzistoarelor
1. Comutarea tranzistoarelor bipolare
2. Comutarea tranzistoarelor cu efect de câmp
C. Circuite logice
1. Circuite logice cu tranzistoare bipolare
2. Circuite logice cu tranzistoare MOS (CMOS)
 I Introducere

Materialele se pot clasifica din punct de vedere al rezistivităţii în trei

grupe: conductoare, izolatoare şi semiconductoare.
Materialele conductoare se caracterizează printr-o rezistivitate
foarte mică, devenind superconductoare la temperaturi scăzute de 0 K în
cazul metalelor şi aproximativ 0OC în cazul materialelor ceramice.
Conducţia în aceste metale este asigurată de electroni.
Materialele izolatoare sunt caracterizate prin rezistivităţi mari, la 0
K rezistivităţile crescând şi mai mult.
Spre deosebire de materialele mai sus menţionate, materialele
semiconductoare au rezistivităţi medii raportat la cele două tipuri de
materiale. Proprietăţi semiconductoare au în special elementele
tetravalente cum sunt germaniu şi siliciu caracterizate prin valori medii
ale energiei de extracţie a electronilor de valenţă. La semiconductoare
conducţia este determinată de două feluri de purtători de sarcină mobili:
electronii – negativi şi golurile – pozitive. Rezistivitatea acestora poate fi
scăzută prin diverse metode având ca rezultat creşterea conductivităţii
lor.
Una din metode este prin doparea semiconductoarelor prin
impurităţi pentavalente sau trivalente.
În semiconductoarele intrinseci concentraţia electronilor de
conducţie este egală cu cea a golurilor: nn=np.
În cazul impurificării semiconductoarelor intrinseci cu impurităţi
pentavalente sau donoare (arseniu, fosfor, stibiu) concentraţia
electronilor devine mult mai mare decât cea a golurilor nn>np. În acest
caz se obţin semiconductoare de tip „n” în care purtătorii de sarcină
majoritari sunt electronii.
Dacă semiconductoarele sunt dopate cu impurităţi trivalente sau
acceptoare (indiu, galiu, bor) concentraţia electronilor devine mult mai
mică decât concentraţia golurilor nn<<np şi se obţin semiconductoare de
tip „p” în care purtătorii de sarcină majoritari sunt golurile.
Prin doparea unui semiconductor pur pe o porţiune cu impurităţi
donoare, iar pe următoarea porţiune cu impurităţi acceptoare se
formează o regiune de tranziţie între cele două regiuni numită joncţiune
p-n.
Materialele semiconductoare dopate sunt utilizate la fabricarea
diodelor, tranzistoarelor, tiristoarelor. Aceste dispozitive înlocuind cu
succes tuburile electronice cu vid sau gaz inert în marea majoritate a
aplicaţiilor.
 II Clasificarea tranzistoarelor

Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare cu trei electrozi.

Aceşti electrozi fac legătura cu trei regiuni semiconductoare de
conductibilitate diferită ale aceluiaşi cristal semiconductor.
Folosirea tranzistoarelor în locul tuburilor catodice prezintă
următoarele avantaje:
- timpul de funcţionare este mai îndelungat;
- randamentul de funcţionare este mai mare;
- dimensiuni mici şi greutate mică;
- necesită tensiuni de alimentare mai mici.
Există de asemenea şi anumite dezavantaje cum este influenţa
temperaturii asupra caracteristicilor funcţionale.
Tranzistoarele pot fi folosite pentru construcţia amplificatoare de
semnal electric (curent, tensiune, putere), modulatoarelor şi
demodulatoarelor de semnal, pentru realizarea transformărilor de
energie, producerea oscilaţiilor, circuite de redresare, determinarea
concentraţiilor de substanţe chimice în gaze sau lichide, pentru
construirea circuitelor logice.
Tehnologiile de bază pentru construcţia tranzistoarelor sunt
tehnologia bipolară şi cea bazată pe efectul de câmp. Din punct de
vedere al tipului constructiv se deosebesc tranzistoare bipolare,
tranzistoare cu efect de câmp şi tranzistoare unijoncţiune.

A. Tranzistorul bipolar

La tranzistorul bipolar conducţia este asigurată de electroni de

conducţie care au sarcini negative şi de goluri care au sarcini pozitive,
deci de două tipuri de sarcină cu semne opuse.
Tranzistorul bipolar şi-a găsit numeroase aplicaţii nu numai în
circuitele de amplificare ci şi în circuite logice, demodulatoare,
modulatoare, oscilatoare, stabilizatoare de tensiune etc. De asemenea
intră în componenţa circuitelor integrate aceste putând avea de la câteva
tranzistoare la zeci de mii de tranzistoare.
a) Clasificare. Simbol. Notaţii
Tranzistoarele bipolare sunt alcătuite dintr-un semiconductor cu trei
straturi de conducţie diferită care determină existenţa a două joncţiuni
p-n. Din punct de vedere constructiv tranzistoarele bipolare sunt
clasificate în tranzistoare de tip „pnp” formate din două straturi de tip „p”
între care se află un strat de tip „n” şi tranzistoare de tip „npn” formate
din două straturi de tip „n” între care se află un strat de tip „p”.
În figura 1 sunt prezentate cele două tipuri de tranzistoare bipolare
„npn” (figura a) şi „pnp” (figura b):

În care E reprezintă emitorul, C reprezintă colectorul, iar B

reprezintă baza; acestea sunt bornele tranzistorului bipolar. Cele trei
borne sunt legate intern fiecare la una din cele trei regiuni
semiconductoare ale tranzistorului.
După cum se poate observa din figura 1 cele două joncţiuni p-n
sunt: joncţiunea emitor – bază numită şi joncţiune de emitor şi
joncţiunea bază colector numită joncţiune de colector.
Simbolizarea tranzistoarelor bipolare este prezentată în figura 2:

Fiecare tranzistor bipolar este caracterizat prin trei curenţi şi trei

tensiuni care sunt prezentate în figura 3:

Curenţii respectă prima lege a lui Kirchhoff:

IE = IB + IC

Iar tensiunile reprezintă diferenţa de potenţial între puncte:

UEB = UE - UB
 UCB = UC - UB
UCE = UC - UE
Pentru obţinerea tranzistoarelor bipolare de tip npn pe un substrat
epitaxial de tip n care reprezintă colectorul, se fac succesiv două difuzii
ca în figura 4. Prima difuzie, de tip p, reprezintă baza, iar a doua difuzie
de tip n reprezintă emitorul.

Similar se obţin şi tranzistoarele pnp, substratul fiind de tip p,

difuzia bazei de tip n şi difuzia emitorului de tip p.
Din punct de vedere al frecvenţei maxime la care pot lucra
tranzistoarele bipolare pot fi clasificate astfel:
- tranzistoare bipolare de joasă frecvenţă până la 100 MHz
- tranzistoare bipolare de înaltă frecvenţă peste 100 MHz până la
frecvenţe de ordinul gigaherţilor.
O altă clasificare poate fi realizată în funcţie de puterea maximă
disipată de tranzistor:
- tranzistoare bipolare de mică putere, până la 750 mW;
- tranzistoare bipolare de putere medie, între 3 şi 15 W
- tranzistoare bipolare de mare putere, peste 15 W.
De asemenea, poate fi realizată o clasificare a acestora natura
semiconductorului din care sunt confecţionate:
- tranzistoare bipolare cu germaniu;
- tranzistoare bipolare cu siliciu.
b) Principiul de funcţionare
Amplificarea este principalul rol al tranzistorului bipolar aceasta
fiind obţinută datorită efectului de tranzistor.
Efectul de tranzistor reprezintă trecerea unui curent foarte mare
prin joncţiunea colectorului polarizată invers datorită cu joncţiunea
emitorului polarizată direct.
Una dintre condiţiile care trebuie îndeplinite pentru realizarea
efectului de tranzistor este următoarea: lărgimea bazei trebuie să mult
mai mică decât lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină.. O altă
condiţie este doparea mai puternică a emitorului în raport cu baza.
Pentru a îndeplini aceste condiţii tranzistoarele bipolare se construiesc cu
o grosime a bazei de aproximativ 1micrometru şi slab dopată cu
impurităţi.
Pentru tranzistorul „npn” din figura 5 polarizat în montaj cu emitor
comun, datorită câmpului electric creat de sursa UB, electronii din emitor
difuzează în bază. Datorită impurificării slabe a bazei şi a grosimii reduse
au loc puţine procese de recombinare a electronilor. Cea mai mare parte
a acestor electroni difuzează prin stratul bazei spre joncţiunea
colectorului unde diferenţa de potenţial favorizează trecerea electronilor
în colector.
Sursa UB furnizează baze goluri care compensează procesele de
recombinare ale electronilor care au loc în bază. Deci prin bază trece un
curent de goluri .iar prin emitor şi colector un curent de electroni.

În cazul în care joncţiunea emitor-bază (EB) este polarizată direct şi

joncţiunea colector-bază (CB) este polarizată invers regimul de
funcţionare se numeşte activ normal. Atunci când atât joncţiunea
emitorului cât şi cea a colectorului sunt polarizate invers, tranzistorul este
blocat deoarece curenţii sunt mici ambele joncţiuni fiind blocate. În cazul
polarizării directe a ambelor joncţiuni, regimul de funcţionare se numeşte
saturat, în care tensiunile sunt mici. O ultimă variantă este polarizarea
inversă a joncţiunii emitorului şi polarizarea directă a joncţiunii
colectorului regimul numindu-se, în acest caz, activ invers.

B. Tranzistoare cu efect de câmp

Tranzistoarele cu efect de câmp se notează cu FET corespunzător

iniţialelor cuvintelor din limba engleză Field Effect Transistor sau cu TEC
(tranzistor cu efect de câmp).
În cazul tranzistoarelor cu efect de câmp conducţia se face cu
ajutorul unui canal. Tranzistoarele cu efect de câmp au trei terminale
(borne sau electrozi): drenă D, sursă S şi poartă G.
Între drenă şi sursă circulă curentul de drenă ID prin intermediul
canalului, conducţia fiind asigurată doar de transportul purtătorilor
majoritari de sarcină. Din această cauză tranzistoarele cu efect de câmp
se mai numesc şi tranzistoare unipolare.
Prin aplicarea unei tensiuni între poartă şi sursă se obţine un câmp
electric transversal care determină conductivitatea canalului.
Tranzistoarele cu efect de câmp pot fi cu canal p sau cu canal n. După
modul de aplicare al câmpului de comandă tranzistoarele FET pot fi:
- J – FET tranzistoare FET cu joncţiune
- IG – FET tranzistoare FET cu poartă izolată.
Cel mai răspândit dintre tranzistoarele IG-FET este tranzistorul
MOS-FET cu structură de tipul metal – oxid – semiconductor.
 tranzistoarele cu efect de câmp sunt utilizate în special în circuite
care necesită o impedanţă mare de intrare, circuite de control a
rezistenţei prin aplicarea unei tensiuni, în construcţia circuitelor integrate
de tipul memoriilor şi microprocesoarelor datorită ariei mici de
construcţie.

1. Tranzistorul J-FET

a) Clasificare. Simbol. Notaţii

După tipul canalului, tranzistoarele J-FET pot fi clasificate astfel:
tranzistor J-FET cu canal n şi tranzistor J-FET cu canal p. Aceste
tranzistoare conţin două joncţiuni p-n.
În figura 6 este prezentată structura unui tranzistor J-FET cu canal
n:

Canalul de tip n este mai puţin dopat în raport cu substratul, care

este de tip p. La extremităţile canalului de tip p se află două zone mai
puternic dopate cu impurităţi donoare (n+) decât canalul. La jumătatea
distanţei dintre capetele canalului se realizează o zonă puternic dopată cu
impurităţi acceptoare (p+).
Sursa S şi drena D se conectează la cele două zone n +, iar poarta G
la zona p+ şi la substratul SS .Regiunile de trecere dintre zonele n + şi
canal vor pătrunde mai puternic în canal decât în zonele p+, acestea fiind
impurificate mai puternic.
La tranzistorul J-FET cu canal p substratul va fi de tip n, sursa şi
drena se conectează la regiuni de tip p+ şi poarta sau grila la regiunea de
tip n+ şi substrat.
Pentru tranzistorul J-FET se folosesc simbolurile din figura 7:
 Săgeata indică întotdeauna sensul de la p la n.
În figura 8 sunt reprezentate tensiunile şi curenţii caracteristici
tranzistoarelor J-FET:

Unde iD reprezintă curentul de drenă, iS curentul de sursă, iG

curentul de poartă, UDS tensiunea dintre sursă şi drenă iar UGS tensiunea
dintre poartă şi sursă. Deoarece curentul iG este foarte mic, putând fi
considerat egal cu zero, conform primei legi a lui Kirchhoff, curentul de
drenă va fi considerat egal cu cel de sursă: iD=iS.
Avantajele tranzistoarelor J-FET raportat la tranzistoarele bipolare
sunt: zgomotul electronic mai redus, datorită lipsei purtătorilor minoritari
caracteristicile tranzistoarelor J-FET sunt influenţate de temperatură în
mai mică măsură.
Dezavantajele tranzistoarelor J-FET îl reprezintă faptul că realizează
amplificarea intensităţii spre deosebire de tranzistorul bipolar, iar
amplificarea în tensiune este foarte mică.
b) Principiul de funcţionare
Între drenă şi sursă se aplică o diferenţă de potenţial care
determină apariţia unui câmp electric ce are ca rezultat deplasarea
electronilor de la sursă spre drenă cu formarea curentului de drenă ID.
Prin polarizarea inversă dintre poartă şi sursă se croază o regiune
de sarcină spaţială sărăcită în purtători de tip p care limitează lărgimea
canalului de trecere dintre drenă şi sursă. Cu cât diferenţa de potenţial
dintre poartă şi sursă este mai mare, cu atât lăţimea canalului de trecere
este mai mică şi rezistenţa canalului mai mare, deci şi curentul de drenă
mai mic.
Joncţiunile pn din structura tranzistorului (poartă-strat epitaxial şi
strat epitaxial-substrat) sunt polarizate invers astfel încât curentul
purtătorilor minoritari este practic nul. Substratul este legat intern la
poartă pentru a asigura polarizarea inversă şi deci blocarea joncţiunii
substrat-strat epitaxial. Dacă substratul nu este legat intern la poartă se
oferă posibilitatea unor diverse variante de polarizare
 2. Tranzistorul MOS-FET

a) Clasificare. Simbol. Notaţii

Tranzistoarele MOS-FET se clasifică în tranzistoare MOS-FET cu
canal de tip p şi tranzistoare MOS-FET cu canal de tip n. O altă
clasificare, tot în funcţie de tipul canalului este următoarea: tranzistoare
cu canal iniţial şi tranzistoare cu canal indus.
Conducţia curentului se realizează prin intermediul canalului.
Tranzistoarele MOS-FET au trei terminale: drenă D, sursă S şi
poartă G. Structura unui tranzistor MOS-FEt cu canal n este prezentată în
figura 9:

În substratul realizat din material semiconductor dopat cu

impurităţi acceptoare (p) se practică două zone dopate puternic cu
impurităţi donoare (n+) prin difuzie zone care se conectează la bornele
sursă S şi drenă D prin intermediul unui contact metalic. Izolatorul este
constituit din dioxid de siliciu care este realizat pe suprafaţa substratului
de tip p având rolul de a separa semiconductorul de poarta G care constă
dintr-o placă metalică depusă pe suprafaţa izolatorului.
 În cazul tranzistoarelor MOS-FET cu canal p substratul va fi de tip
n, iar cele două zone obţinute prin difuzie vor fi de tip n+.
Canalul poate fi obţinut în două moduri: fie prin realizarea unui
canal iniţial între zonele drenă şi sursă şi de acelaşi tip cu acestea, fie
prin crearea canalului doar în momentul polarizării sub influenţa câmpului
electrostatic, fiind numit canal indus.
Simbolizarea tranzistoarelor MOS-FET este prezentată în figura 10.
Tensiunile şi curenţii care caracterizează tranzistoarele MOS-FET
sunt prezentaţi în figura 11:

Notaţiile folosite coincid cu cele de la tranzistorul J-FET. La fel ca şi

în cazul tranzistoarelor J-FET, iG este aproximativ egal cu zero.
b) Principiul de funcţionare
Tranzistorului MOS-FET cu canal indus de tip n şi substrat p i se
aplică o tensiune drenă sursă UDS pozitivă şi deşi joncţiunea sursă-
substrat este polarizată direct, curentul de drenă este zero datorită
blocării joncţiunii substrat-drenă care este polarizată invers. La aplicarea
unei tensiuni pozitive între poartă şi sursă UGS datorită efectului de
condensator dintre terminalul poartă polarizată pozitiv şi stratul
semiconductor în acesta din urmă este indusă o zonă cu sarcini negative.
Dacă tensiunea UGS este mai mare decât o valoare prag, între drenă şi
sursă va apare un canal indus de tip n care determină apariţia unui
curent între sursă şi drenă. Valoarea prag ia valori între 2 şi 6 volţi şi
depinde de construcţia tranzistorului. Pentru a asigura circulaţie
electronilor prin canal, stratul de metal al porţii se întinde parţial şi peste
difuziile de tip n ale sursei şi drenei.
Pentru un tranzistor cu canal iniţial n între sursă şi drenă există un
canal de tip n. La aplicarea unei diferenţe de potenţial negative între
poartă şi sursă (UGS<0), pe substrat, datorită negativării depunerii
metalice, se induce o zonă de sarcină pozitivă care pentru o anumită
tensiune duce la îngustarea canalului de tip n, deci la mărirea rezistenţei
şi reducerea curentului de drenă. Se spune că tranzistorul funcţionează
prin golire. Dacă între poartă şi sursă se aplică o diferenţă de potenţial
pozitivă (UGS>0) se induce în substrat o zonă de tip n care determină
lărgirea canalului şi scăderea rezistenţei sale, deci o creşterea curentului
de drenă. În acest caz, tranzistorul funcţionează prim îmbogăţire.
 3. Alte tranzistoare cu efect de câmp

Din această categorie a tranzistoarelor cu efect de câmp fac parte şi

tranzistoarele IS-MOS, tranzistorul D-MOS, tranzistorul FET vertical.
a) Tranzistorul ionosenzitiv (IS-MOS)
Acest tranzistor este cunoscut şi ca tranzistor IS-FET şi stă la baza
construiri unor senzori foarte mici.
Conform structurii din figura 12 în substratul p se obţin două zone n
prid difuzie la care se conectează drena D şi sursa S. În locul plăcii
metalice care constituie poarta se află un strat ionosenzitiv cu rol
izolator. Acesta poate fi dioxid de siliciu cu alte texturi, sticle speciale,
Ta2O5, SO3N4.

Cu excepţia stratului ionosenzitiv toate celelalte porţiuni sunt

acoperite cu material plastic izolator. Stratul ionosenzitiv are rol de
senzor, cu ajutorul acestui tip de tranzistor efectuându-se măsurători în
diverse medii lichide sau gazoase.
b)Tranzistorul D-MOS
Structura tranzistorului D-MOS cu canal p este prezentată în figura
13:

Substratul este slab impurificat n. În substrat se realizează două

zone de difuzie şi anume o zonă n+ puternic dopată la care se conectează
drena şi o zonă cu două difuzii consecutive, o dopare cu impurităţi
acceptoare p, urmată de o zonă dopată puternic cu impurităţi donoare n+.
Zona n+ se conectează la sursa S, iar zona p ce corespunde canalului p în
această zonă se conectează la poarta G. De aici vine denumirea de dublă
difuzie a tranzistorului D-MOS. Între canal şi zona sursei există o regiune
de drift. Prin această structură se elimină dezavantajul tranzistoarelor
MOS-FET, la care nu erau admise erori în ceea ce priveşte distanţa între
difuzii, deoarece în cazul în care difuziile se atingeau canalul devenea
inexistent. Între poartă şi canal se depune un strat izolator de dioxid de
siliciu.
Avantajul acestor tranzistoare este creşterea frecvenţei de lucru
datorită inexistenţei capacităţii caracteristice a porţii.
c) Tranzistoarele FET verticale
Tranzistoarele FET verticale faţă de tranzistoarele MOS şi D-MOS
prezintă avantajul că permit funcţionarea la intensităţi mari ale curentului
electric. În continuare sunt prezentate: tranzistorul V-MOS, SIP-MOS şi
IGBT ultimele două fiind produse de firma Siemens.
Tranzistorul V-MOS
După cum se poate observa în figura 14la substratul puternic dopat
n+ se conectează drena prin intermediul unei plăcuţe metalice. În stratul
epitaxial care este mai slab dopat, prin dublă difuzie se creează o zonă p
şi apoi o zonă n+, în această zonă conectându-se sursa. Stratul de oxid
de siliciu este de asemenea prezent.

La regiunea corodată în „v” care este acoperită cu dioxid de siliciu

se conectează poarta G. Canalul este de tip p, deci apare doar în
momentul polarizării pozitive a porţii faţă de sursă.
În ultimul timp, la realizarea acestui tip de tranzistoare difuzia a
fort înlocuită prin implementare ionică în ? metalice de aluminiu cu
siliciu policristalin depus epitaxial.
Tranzistorul SIP-MOS
La acest tranzistor, substratul n+ este puternic dopat, drena fiind
conectată prin intermediul unei plăci metalice la acest substrat. Stratul
epitaxial este slab dopat. În acest strat printr-o dublă implantare ionică
se obţin regiunile p şi n+. Sursa S este conectată prin intermediul unei
plăci metalice de aluminiu. Stratul izolator este realizat din dioxid de
siliciu în interiorul căreia este realizată poarta din siliciu policristalin.
În cazul polarizării inverse, tranzistorul SIP-MOS se comportă ca o
dioda care prezintă avantaj în cea ce priveşte regimul de circulaţie. Un alt
avantaj al acestor tranzistoare este funcţionarea la tensiuni şi curenţi
foarte mari.
 Tranzistorul IGBT
Denumirea acestor tranzistoare rezultă datorită combinării
caracteristicilor avantajoase ale tranzistoarelor bipolare cu cele ale
tranzistoarelor IG-FET ( Insulated Gate Bipolar Transistor). Prin
combinarea celor două tipuri de tranzistoare se obţine un tranzistor cu
viteză de comutaţie mare, putere mare, rezistenţă drenă-sursă mică,
impedanţă de intrare mare.
Tranzistorul IGBT are trei terminale: emitorul E, colectorul C şi
poarta G.

Conform figurii 16 substratul de tip p este acoperit de stratul

epitaxial n- mai slab dopat. În acest strat prin implementare ionică se
obţin două regiuni p în care se realizează câte două regiuni n+, puternic
impurificate. Şi în la acest tranzistor stratul izolator este de dioxid de
siliciu în care se realizează poarte G din siliciu policristalin. Emitorul şi
colectorul se conectează prin intermediul unor plăci metalice.

C. Tranzistoare unijoncţiune TUJ

Denumirea de tranzistor unijoncţiune rezultă din existenţa unei

singure joncţiuni p-n. Acest tranzistor nu are rol de amplificare, fiind o
variantă a tranzistorului bipolar cu rol de comutator. Aceste circuite se
întrebuinţează mai ales în circuitele de relaxare.
Tranzistoarele unijoncţiune sunt alcătuite dintr-o bară de siliciu
dopată cu impurităţi donoare (n) cu excepţia unei porţiuni situate
aproximativ la jumătatea distanţei dintre capetele barei care este
impurificată cu impurităţi acceptoare rezultând astfel o zonă de tip p+.
Spre capetele barei se formează două regiuni n+ obţinute prin dopare mai
puternică a acestor zone cu impurităţi donoare.(fig 17)

Tranzistorul unijoncţiune are trei terminale: baza 1 B1, baza 2 B2

conectate la zonele n+ şi emitorul conectat la structura p+. Ca şi celelalte
tipuri de tranzistoare conectarea terminalelor se face prin intermediul
unor plăci metalice.
Simbolul de circuit al tranzistorului unijoncţiune sunt prezentate în
figura 18:

La aplicarea unei diferenţe de potenţial pozitive între emitor şi baza

B1 , dacă între bazele B1 şi B2 nu există diferenţă de potenţial tranzistorul
unijoncţiune se comportă ca o diodă înseriată cu o rezistenţă de valoare
mare. Rezistenţa se datorează rezistenţelor dintre emitor şi baza B1 (RB1)
şi dintre emitor şi baza B2 (RB2). La aplicarea unei diferenţe de potenţial
pozitive între bazele B1 şi B2 în substratul semiconductorului apare un
câmp electric care determină în zona emitorului din substrat datorită
rezistenţelor RB1şi RB2 un potenţial cu valoarea VE. Dacă tensiunea aplicată
pe joncţiunea EB1 este mai mare decât valoarea potenţialului VE atunci
tranzistorul este deschis. Dacă tensiunea UEB1 este mai mică decât VE
atunci joncţiunea este polarizată invers şi tranzistorul este blocat.
Tranzistorul unijoncţiune programabil având construcţia similară
unui tiristor, are avantajul că poate regla valoarea potenţialului VE prin
intermediul a două rezistoare externe montate împreună la poartă.
Terminalele acestui tranzistor sunt: anodul A, catodul C şi poarta G şi are
structura schematică prezentată în figura 19:
 III. Polarizarea tranzistoarelor

a. Polarizarea
tranzistoarel
or bipolare

Deoarece tranzistorul bipolar funcţionează în general la fel ca un

cuadripol (figura 20 ) şi sunt necesare două borne de intrare şi două de
ieşire, iar tranzistorul bipolar are doar trei terminale (emitor, colector şi
bază), este necesar ca unul dintre terminalele tranzistorului bipolar să fie
comun circuitului de intrare şi ieşire.

În consecinţă, tranzistorul bipolar poate avea trei conexiuni: emitor

comun EC, colector comun CC şi bază comună BC prezentate în figura:

Folosirea conexiuni emitor comun se face în cazul unei amplificări

mari de putere, curent sau tensiune, conexiunea colector comun se
foloseşte când este necesară o impedanţă mare de intrare şi o impedanţă
de ieşire mică, iar conexiunea bază comună se foloseşte pentru frecvenţe
mari ale semnalului.
Punctul static de funcţionare este un punct de coordonate I UE,
( adică curent continuu, tensiune continuă) în care tranzistorul
funcţionează optim.
 În practică se foloseşte o singură sursă de polarizare, obţinerea
efectului dorit realizându-se cu ajutorul rezistoarelor. În figura este
prezentată schema de polarizare a unui tranzistor bipolar de tip npn în
montaj cu emitor comun:
Rezistorul RC asigură polarizarea colectorului, iar rezistorul RB
polarizarea bazei şi deci valoarea curentului de colector. Schema are
dezavantajul că variaţiile de temperatură influenţează negativ stabilitatea
valorii rezistorului RB şi tensiunile UBE şi UCE.

În figura 23 este prezentată o altă schemă de polarizare a unui

tranzistor npn cu emitor comun:

În acest caz polarizarea bazei este asigurată de un divizor de

tensiune alcătuit din rezistoarele RB1 şi RB2, compensându-se astfel efectul
variaţiei temperaturii asupra polarizării.

O altă variantă de polarizare a unui tranzistor npn cu emitor comun

în care s-a introdus un termistor este prezentată în figura 24:
Micşorarea tendinţei de creştere a curentului de colector se
datorează prezenţei termistorului care îşi micşorează rezistenţa la
creşterea temperaturii.
 ii. Polarizar
ea
tranzisto
arelor
cu efect
de câmp

1.Polarizarea tranzistoarelor J-FET

La polarizarea tranzistoarelor J-FET, principalul obiectiv este

asigurarea tensiunii dintre sursă si poartă UGS. In schema din figura 25,
polarizarea este realizată prin intermediul unui rezistor RG cu valori de
ordinul megaohmilor. Tensiunea necesară polarizării este dată de căderea
de tensiune de pe rezistorul Rs determinată de curentul de sursă iS.
Rezistorul RG nu poate avea valori mai mari, de ordinul sutelor de
megaohmi, pentru că curentul de poartă iG, chiar dacă este foarte mic, de
ordinul nanoamperilor ar determina o cădere de tensiune de aproximativ
1V. Schema de polarizare este influenţată mult de temperatură.

O polarizare mai corectă se poate realiza cu circuitul din figura 26,

inde polarizarea este asigurată printr-un divizor de rezistoare.
 2. Polarizarea tranzistoarelor MOS-FET
Pentru tranzistoarele MOS-FET cu canal indus realizarea polarizării
dintr-o singură sursă de alimentare este simplă, deoarece tensiunea
sursă-drenă şi poartă sursă au aceeaşi polaritate. O astfel de schemă
este dată în figura 27:

La tranzistoarele cu canal iniţial este necesar ca tensiunea UGS

dintre poartă şi sursă să poată fi atât pozitivă, cât şi negativă, în funcţie
de modul de funcţionare al tranzistorului prin golire sau îmbogăţire.
Pentru rezolvarea alimentării de la o singură sursă, tensiunea U GS este
preluată din curentul de tranzistor iS care determină o cădere de tensiune
pe rezistorul RS, cădere de tensiune care este aplicata porţii printr-un
rezistor R2.
 V. Aplicaţii ale tranzistoarelor

A. Amplificatoare

A amplifica un semnal înseamnă a mări valorile instantanee ale

tensiunii sau intensităţii fără a modifica variaţia în timp a acestor mărimi,
folosind energia unor surse de alimentare.
Un amplificator este caracterizat de următorii parametrii:
-distorsiunea formei de undă a semnalelor; în realitate la
amplificatoare forma de undă a semnalului de ieşire este puţin modificată
faţă de cea a semnalului de intrare. Cu cât cele două forme de undă sunt
mai asemănătoare, cu atât amplificatorul este mai performant.
-mărimea amplificării; se determină prin raportul dintre tensiunea
semnalului de intrare şi cea a semnalului de ieşire sau între intensitatea
semnalului de intrare şi intensitatea semnalului de ieşire.
-stabilitatea funcţionării amplificatorului se referă la funcţionarea
optimă a amplificatorului care sub acţiunea unor factori externi sau
interni poate autooscila. Pentru evitarea autooscilaţiei, schemele sunt
prevăzute cu bucla de reacţie.
-zgomotul intern al amplificatorului, datorat funcţionării
componentelor electronice care au zgomot propriu. Un zgomot intern
prea mare împiedică amplificarea semnalelor mici.
-sensibilitatea amplificatoarelor la zgomote exterioare se referă la
influenţa factorilor externi asupra funcţionării amplificatorului. Se folosesc
diverse scheme care limitează această influenţă.
Clasificarea amplificatoarelor se poate face in funcţie de mai multe
criterii:
După frecvenţa semnalelor, amplificatoarele pot fi: de curent
continuu şi de curent alternativ.
Amplificatoarele de curent continuu pot amplifica tensiuni şi curenti
cu variaţie aleatorie.
Amplificatoarele de curent alternativ se clasifica după domeniul
frecvenţelor semnalelor în:
-amplificatoare de audiofrecvenţă;
-amplificatoare de videofrecvenţă;
-amplificatoare de radiofrecvenţă.
După mărimea semnalului de intrare, amplificatoarele pot fi:
-amplificatoare de semnal mic;
-amplificatoare pentru semnale mari;
-amplificatoare de putere.
Constructiv, amplificatoarele pot fi clasificate astfel:
-amplificatoare cu un singur etaj de amplificare;
-amplificatoare cu două etaje de amplificare;
 -amplificatoare cu mai multe etaje de amplificare.
Un etaj de amplificare este format din unul sau două tranzistoare.

1. Etaje de amplificare cu tranzistoare bipolare

Etajele cu tranzistoare bipolare sunt foarte diferite între ele prin
modul de conectare şi numărul tranzistoarelor. Sunt cele mai răspândite
etaje de amplificare realizate cu componente discrete.
a. Etaje cu tranzistoare în conexiune emitor comun
Schema etajului de tip emitor comun este prezentată în figura 29.
Rezistoarele RB1, RB2,RC şi RE şi condensatorul CE au rolul de a asigura
polarizarea tranzistoarelor şi stabilitatea punctului static de funcţionare in
funcţie de tensiunea de alimentare.

Condensatoarele CG si CL au rolul de a bloca componenta continua.

Ele trebuie sa aibă o capacitate suficient de mare astfel încât sa se
comporte ca un scurtcircuit la frecventa cea mai mica a semnalului de
intrare. Un astfel de amplificator asigura o amplificare mare atât in
curent, cat si in tensiune. Performantele etajului depind foarte mult de
funcţionarea tranzistorului si de aceea trebuie asigurata stabilitatea
punctului static de funcţionare. Sursa de alimentare trebuie sa fie
stabilizata.
b. Etaje cu sarcina distribuita
Etajul de amplificare este similar cu cel cu emitor comun, doar ca
rezistenta din emitor nu mai este decuplata cu ajutorul condensatorului
CE. Schema etajului este data in figura 30.
In acest circuit amplificarea in tensiune este independenta de
parametrii tranzistorului, dar in schimb scade mărimea amplificării dacă
rezistorul RC este inclus in etaj. Dacă RC nu face parte din etaj,
amplificarea este de transadmitanţă.
 c. Etaje cu tranzistoare in conexiune colector comun
(repetor pe emitor)
Polarizarea tranzistoarelor se face cu rezistoarele RB1, RB2 şi RE.
Condensatorul are acelaşi rol ca şi în cazul etajului cu emitor comun.
Rezistenţa de intrare a etajului este limitată de rezistenţa divizorului din
bază, iar rezistenţa de ieşire e foarte mare din care cauză etajul este
considerat un amplificator ideal de tensiune.
Amplificarea în curent depinde de valoarea rezistenţelor din
divizorul de polarizare al bazei şi de rezistenţa de sarcină a
amplificatorului, fiind mult supraunitară. Amplificarea acestui etaj poate fi
mărită dacă se polarizează baza cu un singur rezistor dar atunci creşte
instabilitatea punctului de funcţionare.

c) Etaje cu tranzistoare în conexiunea bază comună

Polarizarea tranzistorului este realizată de RB1 şi RB2 pentru bază şi
de RE şi RC pentru emitor şi respectiv colector. Rezistenţa de intrare la
acest etaj este mică, de ordinul zecilor de ohmi. În schimb rezistenţa de
ieşire este foarte mare putând atinge valori de ordinul megaohmilor. Din
această etajul cu bază comună este considerat un amplificator ideal de
intensitate, chiar dacă amplificarea în curent a etajului este mai mică
decât unu.
Amplificarea în tensiune este similară cu cea a etajului în
conexiunea cu emitor comun.
 Etaje de amplificare compuse cu tranzistoare bipolare.
Pentru îmbunătăţirea performanţelor etajelor de amplificare se
folosesc uneori etaje formate din două tranzistoare cu polarizare
inseparabilă.
a) Etaje compuse colector comun-emitor comun şi colector
comun-colector comun.
Tranzistoarele sunt conectate între ele ca în figura 33:

Circuitul astfel format are o rezistenţă de intrare de ordinul sutelor

de kiloohmi şi o rezistenţă de ieşire de ordinul zecilor de kiloohmi.
Mărimea amplificării depinde de valoarea factorului de amplificare al celui
de al doilea tranzistor, primul tranzistor având doar rolul de a mări
impedanţa de intrare. Primul tranzistor asigură totuşi o amplificare în
curent, iar al doilea tranzistor amplifică în curent şi tensiune.
Având în vedere proprietăţile montajului colector comun, acest etaj
are o impedanţă de intrare foarte mare şi o impedanţă de ieşire foarte
mică. Ambele tranzistoare amplifică în curent, astfel încât această
amplificare este foarte mare. Circuitul este un amplificator ideal de
tensiune. Un caz particular al combinaţiei colector comun-colector comun
este conexiunea Darington prezentată în figura 34:
Rezistenţa R joacă rolul unui generator de curent şi a fost introdusă
datorită intensităţilor de colector diferite ale celor două tranzistoare.
 c) Etaj compus emitor comun-bază comună (cascod)
Schema de conectare este prezentată în figura 35:

Un astfel de montaj are o rezistenţă de intrare moderată şi

rezistenţă de ieşire neobişnuit de mare. Combinaţia emitor comun- bază
comună este un amplificator de curent cu proprietăţi similare unui etaj
emitor comun. Tensiunea de ieşire poate atinge valori mult mai mari
decât în conexiunea emitor comun.
În figura 36 sunt prezentate două variante de polarizare a etajului
cascod în care se consideră că toate condensatoarele funcţionează ca un
scurtcircuit la frecvenţa semnalului de intrare. În varianta a polarizarea
bazelor celor două tranzistoare se realizează cu rezistoarele RB1, RB2, RB3.
RC asigură polarizarea colectorului celui de al doilea tranzistor, iar RE şi CE
polarizarea emitorului. În varianta b, baza primului tranzistor este
polarizată de rezistoarele RB1 şi RB2 iar baza celui de-al doilea tranzistor
de rezistenţele RB3 şi RB4.
 d) Etaj compus colector comun-bază comună (cu cuplaj de
emitor)
Schema de principiu a acestui etaj este prezentată în figura 37:

Acest etaj are proprietăţi asemănătoare cu ale montajului cascod,

însă are avantajul că necesită tensiuni de alimentare mai mici datorită
conectării în paralel a celor două tranzistoare.
Polarizarea tranzistoarelor într-un etaj cu cuplaj pe emitor se
realizează ca în figura 38.

Această schemă este folosită la amplificatoare, circuite de limitare a

semnalului, circuite basculante, circuite logice şi oscilatoare.
2. Etaje de amplificare cu tranzistoare cu efect de câmp
a) Etaje de amplificare cu tranzistoare J-FET
Tranzistoarele cu efect de câmp cu joncţiune amplifică doar în
tensiune, amplificare care este foarte mică. Avantajul lor constă în
rezistenţa de intrare mare pe electrodul poartă, zgomotul redus şi
dependenţa mică de temperatură. La fel ca la tranzistorul bipolar unul din
terminalele tranzistorului trebuie să fie comun atât intrării cât şi ieşirii
semnalului.
Etaj de amplificare cu tranzistoare în conexiunea sursă
comună
Schema amplificatorului este dată în figura 39.
Amplificarea în tensiune este mai mică decât în cazul unui etaj cu
tranzistor bipolar în conexiunea emitor comun cu care se aseamănă dacă
curentul de lucru este acelaşi. Rezistoarele R1, R2, RD şi RS asigură
polarizarea tranzistorului. Impedanţa de intrare este egală cu valoarea
rezistenţei echivalente a rezistenţelor R1 şi R2 legate în paralel, iar
impedanţa de ieşire este egală cu RD. La frecvenţe mai mari ale
semnalului de intrare amplificarea circuitului scade. Condensatorul CS are
rolul de a scurtcircuita la masă componentele d3e semnal ale curentului
de sursă. Condensatorul C2 are rolul de a nu permite componentei
continue a curentului de drenă să ajungă pe rezistenţa de sarcină

.
Etaj de amplificare cu tranzistoare în conexiunea drenă
comună (repetor pe sursă)
Acest etaj este similar celui cu tranzistoare bipolare în conexiunea
colector comun.

Rezistorul RS asigură polarizarea sursei şi oferă curentul necesar

polarizării porţii prin divizorul rezistiv format de R1 şi R2. Condensatoarele
C1 şi C2 sunt condensatoare de cuplaj care au rolul de a bloca
componenta continuă a semnalului.
Amplificarea în tensiune este sensibil mai mică decât a circuitului
repetor pe emitor cu tranzistoare bipolare.
Etaj de amplificare cu tranzistoare în conexiunea grilă
comună
Schema electrică a acestui etaj este prezentată în figura 41.
Condensatorul C3 are rolul de a diminua semnalele perturbatoare ce
pot ajunge pe poartă de la sursele de alimentare. Amplificarea depinde
de performanţele tranzistorului şi de valoarea rezistorului RD.
 Etaj cascod cu tranzistoare cu efect de câmp cu joncţiune
Primul tranzistor al etajului T1 are rolul de generator de curent
pentru polarizarea tranzistorului T2. Condensatorul C3 care conectează
grila tranzistorului la masă are rolul de a reduce semnalele perturbatoare
la fel ca în cazul etajului cu poartă comună. Toate condensatoarele se
consideră în scurcircuit la frecvenţa minimă a semnalului de intrare.

Amplificarea acestui etaj este egală cu cea a etajului cu sursă

comună formată dintr-un singur tranzistor J-FET. Avantajele acestui etaj
faţă de cel cu sursă comună se datorează afectului Miller redus la
frecvenţe mari ale semnalului de intrare şi valoarea foarte mare, de
ordinul a sute de megaohmi, a rezistenţei de ieşire.
În comparaţie cu etajul cascod cu tranzistoare bipolare amplificarea
acestui etaj este mai mică iar rezistenţa de intrare şi de ieşire sunt mult
mai mari. Amplitudinea semnalului pe sarcină este foarte mare fiind
limitată doar pentru a nu străpunge tranzistorul între drenă şi poartă.
c) Etaje de amplificare cu tranzistoare MOS-FET
Schema unui astfel de etaj cu tranzistoare MOS-FETeste dată în
figura 43:
Rezistoarele din circuit au rolul de a asigura alimentarea în curent
continuu a tranzistorului. Condensatoarele de cuplaj C1 şi C2 se consideră
scurtcircuitate la frecvenţa semnalului de intrare, având rolul de a bloca
componenta continuă a semnalelor.
 B. Regimul de comutare al tanzistoarelor

Prin comutare se înţelege trecerea tranzistorului succesiv din stare

se blocare în stare de conducţie puternică şi invers. Trecerea din stare
blocată în stare de conducţie se numeşte comutare directă. Trecerea din
stare de conducţie în stare blocată se numeşte comutare inversă.
Proprietăţile de comutare ale tranzistoarelor sunt folosite la
formarea, generarea şi prelucrarea impulsurilor electrice.

1. Comutarea tranzistorului bipolar

La comutarea tranzistorului bipolar au loc procese de acumulare
sau extracţie de purtători de sarcină minoritari în regiunile neutre. În
regiunile de trecere au loc procese de acumulare/extracţie de purtători de
sarcină majoritari.

Un circuit simplu de comutare este dat în figura 44. În baza

tranzistorului se aplică un semnal de comutare dreptunghiular a cărei
variaţie în timp este prezentată în figura 45. Potenţialul VR menţine
tranzistorul în regim de blocare iar potenţialul VF asigură comutarea
tranzistorului în regim de conducţie.
Timpul în care se face comutarea depinde de durata de descărcare
a capacităţilor de barieră, durata difuziei purtătorilor minoritari prin bază
şi timpul necesar creşterii şi descreşterii curentului de colector. Pentru
reducerea timpului de comutare se folosesc tranzistoare bipolare de
comutaţie care au anumite caracteristici constructive. Pentru reducerea
timpilor de viaţă ai purtătorilor minoritari tranzistoarele bipolare pentru
comutare sunt dopate cu aur. Capacităţile de barieră se reduc printr-o
arie cât mai mică la colector şi printr-o rezistivitate mare în regiunea
colectorului.

Reducerea timpilor de comutare se poate face şi prin modificarea

semnalului de comandă ca în figura 46. Comutarea directă are loc în
acest caz până la saturaţie incipientă păstrând şi avantajele comutării în
saturaţie: disiparea unei puteri mici pe tranzistor şi un semnal de ieşire
cu amplitudine mare.

O altă metodă de reducere a timpilor de comutaţie este folosirea

montajului din figura 47 în care condensatorul C are rolul de a micşora
timpul de comutare.

Pentru a evita saturarea tranzistorului se poate folosi unul din

circuitele din figura 48. Intrarea în saturaţie este prevenită de
deschiderea diodei ceea ce reduce curentul de bază.
 2. Comutarea tranzistoarelor cu efect de câmp
Proprietăţile tranzistoarelor cu efect de câmp fac ca acesta să se
comporte în regim de comutare foarte diferit de tranzistoarele bipolare.
Tranzistoarele cu efect de câmp au rezistenţă de ieşire foarte mare atât
în stare blocată (108 ohmi) cât şi în stare de conducţie în regim de
saturaţie (104 – 105 pentru J-FET şi 103 – 104 pentru MOS-FET). În
regiunea liniară de conducţie rezistenţa de ieşire variază între 1 şi 1000
ohmi depinzând de tensiunea aplicată pe poartă. În regim de comutaţie
tranzistoarele cu efect de câmp se folosesc în această regiune liniară.
Rezistenţa de ieşire este de asemenea mare (108 – 109 ohmi pentru J-FET
şi 1012 – 1014 ohmi pentru MOS-FET).
Lipsa purtătorilor minoritari la tranzistoarele cu efect de câmp face
ca aceştia să nu fie afectaţi de fenomene de acumulare de sarcină
rezultând timpi de comutare mai mici decât la tranzistoarele bipolare.
Procesele fizice care au loc la comutare sunt asemănătoare pentru
tranzistoarele J-FET şi MOS-FET.

Un exemplu de circuit cu tranzistor J-FET este dat în figura 49. Pe

poarta tranzistorului se aplică un semnal de comutare dreptunghiular ca
în figura 50. Nivelul VGG menţine tranzistorul blocat, comutarea directă
făcându-se către VG=0. Cât timp tranzistorul este blocat canalul de
conducţie este ştrangula pe toată lungimea sa. Joncţiunea poartă canal
se comportă ca un condensator cu capacitatea CG şi un rezistor cu
rezistenţa RG legate în serie ca în figura 51.
 La comutarea directă procesul de comutare are loc într-un timp ce
depinde de timpul de descărcare al capacităţii CG care face ca tensiunea
la bornele sale să nu varieze instantaneu.

Curentul de drenă fiind format din putători majoritari apare

instantaneu sub acţiunea tensiunii de comandă, timpul de tranziţie al
purtătorilor de sarcină prin canal fiind neglijabil. Astfel timpi dec
comutare sunt maxim de ordinul zecilor de nanosecunde, mult mai mici
decât la tranzistoarele bipolare.
La comutare inversă condensatorul CG se încarcă şi deci blocarea
tranzistorului se face în timp finit.
Timpul de comutare al tranzistorului fiind foarte mic la
tranzistoarele cu efect de câmp trebuie să ţinem seama şi de elementele
parazite ale montajului. De fapt, aceste elemente sunt cele care
determină comportarea tranzistoarelor cu efect de câmp în regim de
comutaţie.

C. Circuite logice

Circuitele logice sunt dispozitive care realizează transmisia,

memorarea şi prelucrarea informaţiei. Informaţia este în acest caz un
semnal electric dreptunghiular. Aceste semnale dreptunghiulare numite
impulsuri. Sunt prezentate în figura 52. Impulsurile din figura s şi b se
numesc impulsuri pozitive deoarece sunt situate deasupra nivelului de
referinţă iar cele din figura c şi d impulsuri negative fiind situate sub
nivelul de referinţă. Tensiunile sunt folosite pentru a reprezenta două
niveluri logice. Tensiunile mai mari reprezintă „1 logic” (HIGH sau
adevărat) iar tensiunile mai mici reprezintă „0 logic” ( nivelul inferior
LOW sau fals). Fiecare nivel logic într-un circuit este reprezentat de un
domeniu de valori ale tensiuni şi nu de o valoare fixă. Acest domeniu
depinde de tipul constructiv al circuitului.
 Din punct de vedere constructiv circuitele logice pot fi realizate cu
tranzistoare bipolare sau în tehnologie metal-oxid-semiconductor
(CMOS).
1. Circuite logice cu tranzistoare bipolare
Circuitele logice cu tranzistoare bipolare pot fi realizate cu
componente discrete sau în tehnologie integrată. Pentru o tensiune de
alimentare de 5 V folosită la aceste circuite tensiunea dei8ntrare pentru
nivelul „0 logic” poarte lua valori între -0,5 V şi 0,75 V, iar pentru nivelul
„1 logic” între 2 V şi 5,5 V(fig. 53). La ieşire circuitele logice cu
tranzistoare bipolare asigură tensiuni între 0 V şi 0,5 V pentru nivelul „0
logic” şi între 2,5 V şi 5 V pentru nivelul 1 logic”.

Circuitul din figura 54 numit inversor realizează funcţia logică NU

(NOT). Tabela de adevăr pentru această funcţie este prezentată în figura
54 c. Dacă tensiunea de intrare este 0 V tranzistorul este blocat şi la
ieşire se obţine o tensiune aproximativ egală cu tensiunea de alimentare,
corespunzător nivelului HIGH. Dacă tensiunea de alimentare este mai
mare de 2 V (nivel „1 logic”) tranzistorul comută în regim de saturaţie şi
tensiunea de ieşire este aproximativ 0V (nivel LOW). Simbolul de circuit
al inversorului este prezentat în figura 54 b.

În figura 55 a este prezentat un circuit care realizează funcţia logică

ŞI-NU (NAND) a cărei tabelă de adevăr este dată în figura 56 b. Dacă la
cel puţin una din cele două intrări tensiunea este O V atunci în nodul de
circuit P potenţialul are o valoare de 0,6 volţi menţinând blocate dioda D 3
şi tranzistorul. Fiind blocat tranzistorul tensiunea de ieşire este
aproximativ egală cu tensiunea de alimentare de 5 V (HIGH). Dacă la
ambele intrări semnalul este „1 logic” tranzistorul se deschide intră în
saturaţie şi tensiunea de ieşire coboară la 0 V (LOW). Simbolul de circuit
este prezentat în figura 56 a.

Circuitele logice în tehnologie integrată au la bază poarta logică TTL

(Logică Tranzistor Tranzistor ) care realizează funcţia ŞI-NU (NAND).
 Tranzistorul multiemitor T1 realizează funcţia celor trei diode din
circuitul ŞI-NU cu componente discrete. Avantajul acestei variante este
evacuarea rapidă prin curent de colector a sarcinii acumulate în baza lui
T2 la tranziţia din HIGH în LOW la intrare. Tranzistorul lucrează în
regiunea activ inversă. Diodele D2 şi D3 protejează joncţiunile bază -
emitor prin limitarea satului negativ în tensiune. Tranzistorul T2 lucrează
în regim de comutaţie în funcţie de potenţialul bazei asigurat de
tranzistorul T1. Tranzistoarele T3şi T4 formează etajul de ieşire în
contratimp.
Poarta se mai numeşte poartă elementară deoarece este cel mai
simplu circuit TTL care realizează o funcţie logică între două intrări.
Folosind combinaţii de porţi elementare se pot obţine şi alte operaţii
logice. Prin unirea intrărilor A şi B se obţine funcţia logică NU realizată de
inversor.

Pentru realizarea funcţiei logice şi între două intrări porţile

elementare se leagă ca în figura 59 a. Tabelul de adevăr al funcţiei logice
ŞI (AND) este prezentat în figura 59 b.

Pentru realizarea funcţiei logice SAU (OR), care are tabelul de

adevăr prezentat în figura 60b, sunt necesare trei porţi elementare
conectate ca în figura 60 a.

Funcţia SAU-NU este realizată cu patru porţi elementare. Modul de

conectare si tabelul de adevăr sunt prezentate în figura 61
.
Cu un circuit SAU-EXCLUSIV şi un circuit ŞI se realizează un circuit
semisumator folosit la adunarea a două numere binare.

2.Circuite logice cu tranzistoare MOS-FET

Circuitele logice integrate reprezintă principale aplicaţie a
tranzistoarelor MOS-FET, aceste circuite logice fiind folosite pa scară
largă sau foarte largă. Unul din avantajele folosirii tranzistoarelor MOS-
FET impedanţa mare de intrare şi de ieşire cea ce determină un consum
mic de energie. Practic tranzistorul nu consumă energie decât în timpul
comutării între nivelele logice. Faţă de circuitele TTL au avantajul că nu
limitează valoarea tensiunea de alimentare la 5 V, ci permit un domeniu
de tensiuni de alimentare între 3 şi 30 V. Suprafaţa mică pe care se
poate construi un tranzistor MOS-FET în tehnologie integrată este un alt
avantaj ce permite construirea circuitelor cu număr mare de tranzistoare.
Domeniile tensiunilor pentru nivelele logice 0 şi 1 sunt prezentate în
figura 63. Pentru a putea fi comparate cu domeniile de tensiuni ale
circuitelor TTL s-a ales aceeaşi tensiune de alimentare.
 Circuitul esenţial în realizarea circuitelor logice este inversorul
CMOS (Complementary Symetry MOS) prezentat în figura XX.
Inversorul CMOS este format din două tranzistoare MOS-FET cu
canale induse, unul de tip p şi celălalt de tip n, conectate în serie. Dacă
tensiunea de intrare este mai mică decât tensiunea prag a tranzistorului
cu canal n (nivel 0 logic) atunci acesta este blocat iar cel cu canal p este
în deschis. Rezistenţa sursă-drenă a tranzistorului fiind mică tensiunea de
ieşire este egală cu tensiunea de alimentare (nivel 1 logic). Dacă
tensiunea de intrare este mai mare decât diferenţa dintre tensiunea de
alimentare şi tensiunea prag a tranzistorului cu canal p (nivel 1 logic)
atunci este blocat tranzistorul cu canal p şi conduce tranzistorul cu canal
n. Tensiunea de ieşire în acest caz este nulă (nivel 0 logic) deoarece
rezistenţa sursă-drenă a tranzistorului cu canal indus n este foarte mică.

După cum se poate observa inversorul CMOS realizează funcţia

logică NU a cărui tabel de adevăr a fost prezentat în figura 54 c.
Un alt circuit CMOS important este comutatorul bilateral analogic.
Acesta este format din patru tranzistoare MOS-FET. Două tranzistoare,
unul cu canal indus n şi celălalt cu canal indus p sunt montate în paralel.
Celelalte două tranzistoare formează un inversor CMOS (figura 65).

Substratele celor două tranzistoare sunt legate la cel mai coborât

potenţial din schemă pentru tranzistorul cu canal n şi la cel mai ridicat
potenţial din schemă pentru tranzistorul cu canal p. Inversorul are rolul
de a asigura blocarea tranzistoarelor concomitent atunci când semnalul
de control este la nivelul „0 logic” şi funcţionarea ambelor tranzistoare
pentru semnalul de control „1 logic”.
Circuitele logice CMOS sunt foarte variate având multe aplicaţii mai
ales în tehnica de calcul, calculatoare personale etc.
Aceste exemple nu epuizează toate tipurile de circuite logice
construite cu tranzistoare MOS-FET sau bipolare.