Polarizarea tranzistorului bipolar

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic format din trei regiuni semiconductoare de conductibilitate diferita (n sau p), conductia curentului fiind asigurata de cele doua tipuri de purtatori de sarcina si anume electronii, respectiv golurile. n functie de dispunerea celor trei regiuni semiconductoare, tranzistoarele bipolare se mpart n doua tipuri distincte: npn si pnp. Structura, precum si simbolurile tranzistoarelor, mpreuna cu sensul de referinta pentru curenti, respectiv tensiuni sunt prezentate n figura #-1.

Cele trei terminale ale tranzistorului bipolar se numesc emitor (E), baza (B) si colector (C). Se observa ca un tranzistor bipolar se compune din doua jonctiuni pn legate n opozitie. Jonctiunea dintre emitor si baza se numeste jonctiunea emitoare, iar cea dintre baza si colectorul tranzistorului se numeste jonctiunea colectoare. Pentru ca cele doua jonctiuni sa formeze un tranzistor este necesar ca ele sa se influenteze reciproc. Pentru aceasta trebuie sa fie ndeplinite anumite conditii dintre care cele mai importante sunt: - latimea bazei sa fie mult mai mica fata de lungimea de difuzie a purtatorilor de sarcina electrica - emitorul sa fie mult mai puternic dopat cu impuritati dect baza Tensiunile, respectiv curentii tranzistorului bipolar respecta relatiile:

(#.1) Pentru functionarea tranzistoarele bipolare ca amplificatoare trebuie ca jonctiunea emitoare sa fie polarizata direct, iar jonctiunea colectoare sa fie polarizata invers (se spune ca tranzistorul este polarizat n regiunea activa normala de functionare-RAN). Jonctiunea emitoare fiind polarizata direct, un procent mare din purtatorii de sarcina injectati din emitor n baza vor strabate regiunea subtire a bazei si vor ajunge n apropierea regiunii de tranzitie a jonctiunii colectorului, de unde vor fi antrenati spre regiunea de colector de catre cmpul electric existent n aceasta zona. Astfel, printr-o jonctiune polarizata invers se asigura circulatia unui curent de valoare egala cu valoarea curentului ce strabate o jonctiune polarizata direct. Controlul curentului printr-o jonctiune polarizata invers de catre curentul unei jonctiuni polarizate direct constituie efectul de tranzistor. Conform cu cele expuse mai sus se poate scrie relatia matematica:

(#.2)

unde F reprezinta factorul de amplificare n curent n conexiunea baza comuna a tranzistorului (valoarea acestuia fiind aproximativ 0,9), iar ICB0 este curentul invers prin jonctiunea colectoare cnd emitorul tranzistorului este lasat n gol (de ordinul nA pentru tranzistoarele din Si si de ordinul A pentru tranzistoarele din Ge), valoarea acestuia fiind foarte mica comparativ cu curentii uzuali prin terminalele tranzistorului polarizat n RAN. innd cont de relatia (#.1), relatia (#.2) se mai poate scrie sub forma:

(#.3) unde F unde reprezinta factorul de amplificare n curent n conexiunea emitor comun a tranzistorului (valoarea uzuala a acestuia fiind de ordinul sutelor), iar I CE0 este curentul ce se scurge ntre emitorul si colectorul tranzistorului cnd baza acestuia este lasata n gol, valoarea acestuia fiind neglijabila n raport cu curentii prin terminalele tranzistorului. Din relatiile (#.2) si (#.3), tinnd cont de valorile neglijabile ale curentilor I CB0 si ICE0 rezulta aproximatiile:

(#.4) Dupa cum se observa din relatia de mai sus, tranzistoarelor bipolare le este caracteristic fenomenul de amplificare al curentului din baza, factorul de amplificare n curent fiind egal cu F. Pentru masurarea factorului de amplificare n curent F al tranzistorului, se utilizeaza schema din figura #-2, tinndu-se cont de relatia (#.4) daca tranzistorul este din Si si de relatia (#.3) daca tranzistorul este din Ge, n acest ultim caz fiind necesara si masurarea curentului I CE0 pe acelasi circuit dar cu baza tranzistorului lasata n gol. n functie de modul n care sunt polarizate cele doua jontiuni pn ale tranzistorului bipolar se disting patru regiuni n care acesta poate functiona: - regiunea activa normala (RAN), n care jonctiunea emitorului este polarizata direct, iar jonctiunea colectorului este polarizata invers.

- regiunea activa inversa (RAI), n care jonctiunea emitorului este polarizata invers, iar jonctiunea colectorului este polarizata direct, sensul curentilor prin tranzistor fiind invers fata de cazul n care tranzistorul este polarizat n RAN. - regiunea de saturatie (RS), n care ambele jonctiuni sunt polarizate direct, iar curentii prin tranzistor au valori mai mari dect n RAN, n timp ce tensiunea V CE a tranzistorului are o valoare mica (uzual se considera egala cu 0,1V),. - regiunea de blocare (RB) n care care ambele jonctiuni sunt polarizate invers, iar curentii prin tranzistor sunt nuli n timp ce tensiunea VCE are valoare maxima. Modul n care sunt polarizate cele doua jonctiuni ale tranzistorului, deci implicit si modul n care functioneaza acesta depinde de circuitul utilizat pentru polarizarea tranzistorului (circuitul de polarizare). De regula, n circuitele analogice, polarizarea tranzistoarelor se face n RAN, regim n care tranzistorul manifesta functia de amplificare liniara a semnalelor. n urma polarizarii, prin, respectiv pe tranzistor se stabilesc anumiti curenti, respectiv tensiuni continue (polarizarea se face de la o sursa de tensiune continua). Functionarea tranzistorului n regim static poate fi caracterizata numai printr-o pereche de marimi curent-tensiune, restul marimilor electrice ale tranzistorului putnd fi determinate din relatiile (#.1) si (#.4) n care se tine cont ca tensiunea VBE este egala cu tensiunea de deschidere a jonctiunii pn. Pentru caracterizarea functionarii tranzistorului n regim de curent continu se considera perechea de marimi I C-VCE daca tranzistorul este conectat n conexiunea EC sau CC si perechea de marimi I C-VCB daca tranzistorul este conectat n conexiunea BC. Cele doua marimi considerate (de exemplu IC-VCE) definesc punctul static de functionare al tranzistorului (prescurtat PSF). n figura #-3.a. se prezinta cel mai simplu circuit de polarizare, curentul n baza tranzistorului bipolar fiind asigurat de catre rezistenta de polarizare RB. Pentru determinarea acestuia se aplica teorema lui Kirkhoff 2 pe ochiul care contine numai jonctiunea emitoare a tranzistorului:

(#.5) relatie din care, apelnd la aproximatia (#.4), rezulta curentul I C:

(#.6) Pentru a determina tensiunea VCE se aplica teorema lui Kirkhoff 2 pe ochiul care contine acesta tensiune:

(#.7)

n planul caracteristicilor de iesire iC=iC(vCE) ale unui tranzistor bipolar, ecuatia (#.7) reprezinta ecuatia unei drepte care se numeste dreapta de sarcina statica si este locul geometric al tuturor PSF-urilor posibile, n functie de valorile componentelor circuitului de polarizare. Din punct de vedere grafic, PSF-ul tranzistorului (caracterizat de perechea I C-VCE) se determina prin intersectia dreptei de sarcina statica determinata prin ecuatia (#.7) cu caracteristica statica de iesire, corespunzatoare curentului din baza, impus de circuitul de polarizare. n circuitele de amplificare realizate cu tranzistoare bipolare, n baza tranzistoarelor se aplica un semnal care determina o variatie a curentului de baza n jurul valorii stabilite (prin polarizare) n regim stationar. Drept urmare, curentul de colector si tensiunea colectoremitor vor varia n jurul valorilor din PSF. Daca semnalul din baza tranzistorului este sinusoidal, atunci aceste marimi se vor deplasa de-a lungul dreptei de sarcina dinamica (determinata ca n regim static, dar pe circuitul valabil n regim dinamic) n stnga si n dreapta valorii din PSF. Pentru ca variatia acestor marimi sa fie ct mai mare fara a se intra n regiunile de saturatie sau de blocare a tranzistorului (caz n care forma de unda a semnalului de la iesirea amplificatorului ar rezulta distorsionata), PSF-ul se alege de regula ct mai aproape de mijlocul dreptei de sarcina (VCE=VCC/2). Pe lnga rolul de a asigura polarizarea tranzistorului n regiunea de functionare dorita, circuitul de polarizare mai are rolul de a mentine PSF-ul constant (n special a curentului IC) la variatiile conditiilor de functionare (variatii ale temperaturii de lucru, ale tensiunii de alimentare sau ale parametrilor dispozitivelor electronice). Deoarece factorul de amplificare n curent al tranzistorului F prezinta o mare dispesie de valori n cadrul aceleiasi serii de fabricatie si o puternica dependenta de temperatura, circuitele de polarizare trebuie sa fie astfel concepute nct curentul ICsa fie ct mai putin dependent de F. n circuitele de polarizare se mai are n vedere anularea efectelor determinate de variatia tensiunii V BE cu temperatura (scade cu 2mV/0C), iar pentru tranzistoarele de Ge si a efectului variatiei curentului ICB0 (care creste puternic cu temperatura). Revenind la anularea efectului lui F, se observa ca ciruitul din figura #-3.a nu ofera o suficienta stabilizare a valorii PSF-ului datorita relatiei direct proportionale dintre curentul I C si F (#.6). O stabilizare mai buna a PSF-ului se obtine pentru circuitul de polarizare din figura #-3.b. Rezistenta RE din circuit introduce o reactie negativa n curent continuu, care determina stabilizarea PSF-ului la variatiile conditiilor de lucru. Astfel, daca la un moment dat curentul I C creste, tensiunea pe rezistenta R E creste, ceea ce determina micsorarea tensiunii VBE si implicit a curentului I C, obtinndu-se n final o stabilizare a lui I C. Expresia acestui curent se obtine aplicnd teorema lui Kirkhoff 2 pe ochiul care contine numai jonctiunea emitoare:

(#.8) Daca n relatia de mai sus termenul dominant al numitorului ar fi produsul FRE atunci IC nu ar mai depinde de F si ar rezulta mai stabil la variatiile conditiilor de lucru sau a dispersiei parametrilor dispozitivelor electronice. Pentru aceasta trebuie ndeplinita conditia:

(#.9) n realizarile practice ale circuitului din figura #-3.b, pentru valori uzuale ale curentilor prin tranzistor (de ordinul miliamperilor pentru un tranzistor polarizat n RAN), rezistenta R B rezulta de valori foarte mari, (ordinul sutelor de kM), Asadar conditia (#.9) este dificil de ndeplinit. Din acest motiv se apeleaza la circuitul de polarizare prezentat n figura #-3.c, n care polarizarea tranzistorului se realizeaza prin intermediul unui divizor rezistiv RB1-RB2 conectat n baza acestuia. n acest caz curentul de colector IC rezula:

(#.10) unde VBB si RB sunt tensiunea echivalenta, respectiv rezistenta echivalenta deteminate prin teorema lui Thevenin aplicata pentru divizorul rezistiv. Se observa ca relatia (#.10) are aceeasi forma ca relatia (#.8), deci pentru ca I C sa nu depinda de F este necesar a fi ndeplinita conditia (#.9). Spre deosebire de dificultatile ntlnite n cazul circuitului de polarizare din figura #-3.b, acum este usor de ndeplinit aceasta conditie datorita faptului ca pentru rezistenta RB1 se pot alege valori suficient de mici fara a afecta polarizarea n RAN a tranzistorului. n afara de circuitele elementare de polarizare prezentate n figura #-3, exista si alte metode de stabilizare a PSF-ului la variatiile conditiilor de lucru, cum ar fi introducerea n circuit a unor diode de compensare termica sau a termistoarelor. Evaluarea practica a circuitelor de polarizare elementare

L.1. Se realizeaza montajul din figura #-2 (n care tranzistorul este din Si). Se stabileste valoarea tensiunii VBB astfel nct curentul IC sa fie egal cu 5mA (valoare citita pe ampermetrul pozitionat pe gama de 25mA) si se citeste valoarea lui IB (ampermetrul va fi pozitionat pe gama de 50 A) dupa care se calculeaza factorul de amplificare n curent al tranzistorului F. L.2. Se determina dreapta de sarcina statica a tranzistorului. n acest scop se realizeaza montajul din figura #-5.a si se citesc valorile lui V CE completndu-se tabelul Nr.1. Valoarea curentului I C se regleaza cu ajutorul potentiometrului P din baza tranzistorului. Masuratorile se fac pentru V CC1=10V si VCC2=12V cu voltmetrul pozitionat pe gama de 10V si ampermetrul pozitionat pe gama de 5mA. Tabel 1

RC=2,2k IC(mA) 1 2 3 4

RC=1k 1 3 5 7 9

VCE(V)

VCC=10V VCC=12V

L.3. n figura #-5.a, se nlocuieste rezistenta de 2,2k din colector cu o rezistenta de 1k si se repeta masuratorile efectuate la punctul L.2, conform tabelului nr.1, pentru ambele valori ale tensiunilor de alimentare. Ampermetrul va fi pozitionat pe gama de 25mA. L.4. n montajul din figura #-5.a, pentru R C=2,2k si VCC=10V se fixeaza VCE=5V (variind P) si se citeste valoarea lui IC. Se apropie la circa 10mm de tranzistor un bec aprins de 40W si se mentine timp de un minut. Se citesc valorile finale pentru V CE si IC si se trec n tabelul.2. Se observa variatia PSF-ului la variatia temperaturii de lucru. Tabel.2

Cu RB n serie cu P n baza tranzistorului Fara RE n emitor Rece IC(mA) VCE(V) IC(mA) IC / I C Cald Cu RE n emitor Rece Cald

Cu divizor n baza si RE n emitor

Rece

Cald

L.5. Se introduce n emitorul tranzistorului o rezistenta R E=510 (figura #-5.b) si se readuce V CE la valoarea de 5V (VCC=10V). Se citeste noua valoare a lui I C si se efectueaza proba de ncalzire descrisa la punctul L.4, completndu-se tabelul 2.

L.6. Se realizeaza montajul din figura #-5.c si se masoara tensiunile VCE si VRE si se calculeaza curentul IC=VRE/RE (VCC=10V). Se efectueaza proba de ncalzire ca la punctul L.4 si se completeaza tabelul 2.

http://proiecte-savu.wikispaces.com/

STUDIUL TRANZISTOARELOR BIPOLARE

A3. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR BIPOLARE
A3.1 PUNCTUL STATIC DE FUNCIONARE. Caracteristici. Determinare
. Prin polarizarea unui tranzistor se nelege, modul de conectare a surselor de alimentare la bornele tranzistorului, astfel nct acesta s funcioneze ca amplificator. Prin polarizarea corect a unui tranzistor se urmrete stabilirea i meninerea valorilor corecte pentru tensiunile i curenii din circuit i determinarea punctului static de funcionare.
n figura 3.1 se observ c punctul static de funcionare se afl pe dreapta de sarcin, la intersecia acesteia cu caracteristica static de ieire a tranzistorului.

Pentru funcionarea ct mai corect a unui amplificator, punctul static de funcionare trebuie s fie situat cam la jumtateadreptei de sarcin.

Figura 3.1 Caracteristica pentru determinarea PSF Dac PSF este situat n regiunea de saturaie sunt distorsionate semialternanele pozitive ale semnalului alternativ sinusoidal de intrare (figura.3.2 a).

Figura 3.2 a Distorsionarea semnalului de ieire la un amplificator n conexiunea EC

Dac PSF este situat n regiunea de blocare sunt distorsionate semialternanele negative ale semnalului alternativ sinusoidal de intrare (figura 3.2 b).

Figura 3.2 b Distorsionarea semnalului de ieire la un amplificator n conexiunea EC

Determinarea PSF pentru conexiunea EC. Pentru tranzistorul BC 546BP se consider CC = 200

Figura 3.3 Determinarea PSF pentru conexiunea EC

Se determin coordonatele dreptei de sarcin, apoi se traseaz dreapta

Se determin coordonatele punctului static de funcionare P(IS, VCE)

Punctul static de funcionare are coordonatele P(6,2V ; 39mA) Se determin valoarea maxim a curentului de baz n funcionare liniar

A3.2 POLARIZAREA CU DIVIZOR REZISTIV

Prin aceast metod, tranzistorul se polarizeaz prin intermediul unui divizor de tensiune rezistiv, de la o singur surs de alimentare. Rezistenele divizorului de tensiune nlocuiesc o a doua surs de alimentare necesar polarizrii celor dou jonciuni ale tranzistorului. Divizorul de tensiune este format din rezistenele Rb1 i Rb2

Pentru modificarea tensiunii n baza tranzistorului se modifica valorile rezistentelor divizorului astfel: VB creste daca Rb2 creste sau Rb2 scade VB scade daca Rb2 scade sau Rb1 creste

Figura 3.4 Polarizarea tranzistorului bipolar cu divizor rezistiv Un circuit de polarizare a tranzistorului trebuie s fie astfel conceput nct s asigure independena PSF-ului de parametrul (factorul de amplificare n curent). Tranzistorul va funciona n regiunea activ normal dac sunt ndeplinite dou condiii de baz:
0.5 < VCE < (VCC -1) Rb2 s fie mai mic de cel puin 10 ori dect cc . RE

Pentru verificarea primei condiii trebuie determinat valoarea tensiunii VCE astfel:
Se calculeaz IC Se calculeaz VCE

Pentru schema din figura 3.4 se obin urmtoarele valori:

Se verific cele dou condiii prezentate mai sus: 0,5V < 1,95V < 9V 5,6K << 56K (tranzistorul are =100)

Realizarea schemelor de polarizare cu divizor rezistiv a TB cu simulatorul MultisimFigura 3.5 Polarizarea unui tranzistor bipolar NPN cu divizor rezistiv

Figura3.6 Polarizarea unui tranzistor bipolar PNP cu divizor rezistiv

A3.3 POLARIZAREA CU DOU SURSE DE TENSIUNE

Schemele prezentate mai jos au fost realizate cu simulatorul Multisim. n fiecare schem este un voltmetru care indic valoarea tensiunii colecto-emitor (Uce) ,un ampermetru care indic valoarea curentului din colector (Ic) i un ampermetru care indic valoarea curentului din baz ( Ib).

Figura 3.7 Polarizarea BAZEI din surs de tensiune separat Rezultate obinute: IB = 192 A ; IC = 50 mA ; UCE = 4,48 V Coordonatele punctului static de funcionare sunt P(4,4V ; 50mA)

Figura 3.8 Polarizarea EMITORULUI din surs de tensiune separat Rezultate obinute: IB = 12 A ; IC = 3,97 mA ; UCE = 13,59 VCoordonatele punctului static de funcionare sunt P(13,6V ; 3,9mA)