Metode de purificare fizica

pentru
materiale semiconductoare
 Introducere
 Purificarea fizica
 Coeficientul de segregatie
 Metode de purificare
a) Cristalizare directa
b) Topire zonara simpla
c) Topire zonara multipla
 Materialele semiconductoare sut materiale care
se caracterizeaza prin valori ale conductivitatii
electrice cu functii de utilizare cuprinse la
temperatura ambianta in domeniul10-8-105
Sm-1,proprietatile conductoare fiind puternic
influentate de diferiti factori:campul electric,
magnetic sau elastic aplicat,radiatia
electromagnetica,termica sau nucleara captata.
 Deoarece pentru fabricarea dispozitivelor
semiconductoare este necesara o puritate foarte
ridicata a materialului semiconductor, iar pe cale
chimica aceasta puritate nu poate fi atinsa practic,
se recurge la purificarea pe cale fizica (dupa
purificarea chimica concentratia de impuritati in
materialele semiconductoare nu poate fi redusa la
mai putin de 1014 atomi/cm3).
 Metodele de purificare fizica se bazeaza pe faptul
ca la solidificarea lenta a unui semiconductor aflat in
faza lichida se produce o redistribuire a impuritatilor
existente in material intre cele doua faze(impuritati ce
participa la conductia electrica).
Prin purificare fizica se obtine un material
semiconductor pornind de la compusi ai acestuia.
 Coeficientul de segregatie masoara eficienta
metodelor de purificare fizica
 Daca aplicam metoda purificarii asupra unui material
impusificat se obtine o distributie neuniforma a
purtatorilor de sarcina,dependenta de coeficientul
de segregatie
 Coeficientul de segregatie este definit prin
raportul dintre concentratia in NS in faza solida si
concentratia NL in faza lichida:

NS
K 
NL
 Coeficientul de segregatie este o
caracteristica pentru un anumit tip de impuritate in
semiconductorul dat si poate fi determinat folosind
diagrama de echilibru a sistemului.
 pentru k>1 avem o concentratie a impuritatilor in

stare lichida;
 pentru k<1 avem concentratie in stare solida;

 pentru k=1 metoda este ineficienta.

 Prezenta unei impuritati intr-un material
semiconductor poate duce la micsorarea sau
cresterea temperaturii conform diagramelor de stare
din fig1. Trecerea lenta din faza lichida in faza
solida poate fi asimilata cu deplasarea punctului de
stare din faza lichida catre faza solida la tempetura
constanta.
La intersectia dreptei orizontale  = 0 cu dreptele
care delimiteaza starea solida si starea lichida se
obtin NS si NL.
 pentru diagrama din fig1.a. rezulta ca NL > NS
adica K<1. Deci semiconductorul care se
solidifica va avea un grad de puritate mai ridicat
decat cel in faza lichida.

 pentru diagrama din fig1.b. rezulta NS >NL ,

adica K>1. Deci semiconductorul in stare lichida
va
avea o puritate mai buna decat in faza solida.
a)Critalizarea directa

b)Topirea zonala simpla

C)Topirea zonala multipla

 este procesul prin care materialul de purificat
aflat initial in stare lichida se solidifica treptat
 in aceasta metoda tot materialul este topit

initial
si apoi racit gradat,unidirectional
Fie: V0 - volumul initial al topiturii,
V - volumul de material cristalizat,
I - cantitatea de impuritati in topitura,
I
atunci concentratia 
N L volumica
0 V  V a impuritatilor va fi:
 Fie dI cantitatea de impuritati antrenata la
cristalizarea unui element de volum dV:

dI   KN L dV
(semnul minus apare deoarece cantitatea de
impuritati scade la cristalizarea elementului de
volum dV).
Deci vom avea:
dI I
 K
dV V0  V

unde Io este continutul

Figura 2. Bara de material semiconductor
initial de impuritati. supusa cristalizarii directe
 dI
Dar N S  , deci concentratia impuritatilor in
dV
faza solida va fi:
V K 1
N s  KN 0 (1  )
V0
Daca sectiunea lingoului este constanta,
x K 1
N S  KN 0 (1  )
l
unde N0 este concentratia initiala de impuritati in
lichid.
 Daca se considera
N0=1 se pot calcula
curbele de variatie ale
impuritatilor in faza solida
de-a lungul lingoului
pentru diferite valori ale
coeficientului K . (fig3)
 din diagrama se observa ca:
pentru K<1 se obtine o deplasare spre dreapta

pentru K>1 se obtine o deplasare spre stanga

 daca dupa solidificare se indeparteaza capetele cu

concentratia mare de impuritati si ciclul se repeta,

se poate realiza o purificare inalta a materialului.
 purificarea este cu atat mai buna cu cat K

(coeficientul de segregatie) este mai diferit de

unitate.
 Aceasta metoda are urmatoarele dezavantaje:
 topeste integral materialul la momentul

initial;
 in stare topita are reactivitate chimica mare

fiind favorizate contaminarile chimice;

 materialul topit este permanent in contact cu

creuzetul orizontal in care se afla, putandu-se

impurifica.
 Aceasta metoda consta in topirea unei zone a
unui lingou din material si deplasarea lenta a acestei
zone de-a lungul lingoului. Se creeaza astfel un front
de topire si unul de solidificare, care vor duce la
redistributia impuritatilor.
Se considera o bara de meterial cu sectiune
unitara in care s-a produs o zona topita de lungime
l (fig4.).
 Fie N0 concentratia
initiala a impuritatilor.
Cantitatea de impuritati
din zona topita pe distanta
dx va fi N0dx.
Materialul cristalizat
ramas in urma
deplasari cu dx a zonei
topite va fi K NLdx .
 Variatia cantitatii de impuritati rezulta din:

dI  ( N 0  KN L )dx
Dar N L  I , deoarece sectiunea barei este
l
unitara.
Deci rezulta ca:
I
dI  ( N 0  K ) dx
l
dI I
 K  N0
dx l
 I
Integrand si tinand seama ca N S  K se
l
gaseste relatia care exprima variatia concentratiei de
impuritati de-a lungul lingoului :

x
N S ( x)  N 0 [1  (1  K ) exp( K )]
l
Considerand N0=1,
in diagrama din fig 5
s-a reprezentat grafic
x
N S ( x)  f ( )
l
pentru diverse valori
ale lui K.
 Comparand cele doua diagrame din fig 3 si 5
(pentru K<1) se constata ca se realizeaza o
purificare mai buna prin metoda cristalizarii directe.
Gradul de purificare prin metoda topirii zonare
poate fi marit daca se dispune de o bara foarte
lunga sau daca se realizeaza o zona topita cat mai
apropiata de lungimea barei (situatie identica cu
cristalizarea directa).
 fig6. Variatia concentratiei in lungul
barei de material semiconductor pentru
diferite lungimi ale zonei topite
in cazul K=0.01 (dupa [22]).
In fig6 se observa o
crestere mai lenta a
impuritatilor pentru o
latime dubla a zonei topite,
pentru un coeficient de
segregatie K=0.1 .
 Topirea zonala permite separarea sau
redistributia impuritatilor existente intr-un material, cu
conditia ca substanta sa se topeasca fara a se
descompune.
Pincipiul purificarii prin aceasta metoda este
urmatorul: la un semiconductor aflat in stare lichida,
care se solidifica lent, concentratia impuritatilor in
faza solida este diferita de cea in faza lichida.
Prin repetarea procesului de topire zonala
se realizeaza o purificare superioara.
Exemple
1)Una dintre metodele de topire zonala este metoda
Czochralski. Aceasta metoda este utilizata pentru
obtinerea monocristalelor de Si si Ge de dimensiuni
mari la o viteza de crestere ridicata , avand o
compozitie omogena si foarte apropiata de cea a
topiturii. Utilizand o instalatie de tipul celei prezentate
in fig6’ , procesul este initiat cu ajutorul unui
germene monocristalin care se coboara in topitura ,
care il inmoaie si incepe sa cristalizeze pe germene.
 Schema
instalatiei de
monocrista-
lizare prin
metoda
Czochralski

fig6’
2) Topirea zonala a Ge;
 Lingourile de germaniu se depun in nacele de grafit
de inalta puritate sau din cuart si apoi se introduc in
tuburi de cuart bine etansate (fig7.). La extremitatile
tubului sunt prevazute orificii pentru admisia si
evacuarea gazelor de protectie. Operatiunea se executa
in atmosfera de hidrogen de inalta puritate, azot, argon
sau heliu.
Incalzirea germaniului se realizeaza prin curenti de
inalta frecventa.
3) Topirea zonala a Si;
Topirea se realizeaza cu
ajutorul unei bobine (4)
parcursa de un curent de
inalta frecventa. Aceasta
realizeaza in lingou o zona
topita de o lungime
aproximativ egala cu
diametrul sau.
fig8
Instalatie de
purificare zonara fara
creuzet a siliciului:
1- bara de siliciu;
2- mandrina de
prindere;
3- tub de cuart;
4- bobina strabatuta de
curent de inalta
frecventa
 Se realizeaza fie prin repetarea intregii operatii de la
topirea zonara simpla, fie realizand mai multe zone
topite, distantate intre ele, zone care se deplaseaza
lent.
Cresterea prea mult a numarului de zone topite sau
repetarea de prea multe ori a procesului nu e necesara
deoarece gradul de puritate tinde catre o valoare limita.
Se atinge astfel o distributie limita. Dupa 5 treceri ale
zonei topite, aproximativ 40% din lungimea barei atinge
distributia limita, iar dupa 9 treceri 70% pentru
l=0.1*L , deci 10-11 cicluri sunt suficiente pentru
purificare.
 Topirea zonala prezinta unele avantaje fata de
metoda cristalizarii directe:
 nu trebuie separate fractiunile pure de cele impure
pentru repetarea procesului;
prezinta o mare eficienta pentru purificare, deoarece

cristalizarile succesive pot incepe imediat dupa ce s-au

terminat cele precedente;
se reduce contaminarea topiturii cu impuritati

adiacente datorita faptului ca numai o mica parte a

materialului se gaseste in stare topita.
Bibliografie:

-”Materiale pentru electronica” – Adrian Manea si

Marin Dragulinescu
- “Materiale pentru electronica “ –V.M. Catuneanu
-” Electronica corpului solid” –M.Draganescu