1.

Introducere

Cristalele fotonice (cunoscute și ca materiale cu benzi interzise, photonic band gap

materials) sunt structuri periodice, având periodicitatea de ordinul lungimii de undă a
undei electromagnetice (fig.1), care au o bandă interzisă ce blochează propagarea
luminii într-un anumit domeniu de frecvență. Această proprietate ne permite să
controlăm lumina și efectele produse, care altfel ar fi foarte greu de controlat cu optica
convențională. Comportarea cristalelor fotonice este descrisă de ecuațiile lui Maxwell.
Aceste cristale expuse la lumină albă devin colorate, fapt care nu se datorează absorbției
luminii, nici nu este cauzată de pigmenți, ci este un fel de “culoare fizica”.

Cristalele fotonice sunt medii electromagnetice structurate periodic, având în general benzi
interzise, adică domenii de frecvență în care lumina nu se propagă prin structură. Această
periodicitate, al cărei ordin de mărime este proporțional cu lungimea de undă a luminii în banda
interzisă, este din punct de vedere electromagnetic, similară cu rețeaua atomică cristalină, unde
rețeaua acționează asupra electronului pentru a produce banda interzisă cunoscută din fizica stării
solide.

Introducerea intenționată a defectelor în cristal (analog cu dopanții electronici) conduce la

creșterea stării electromagnetice localizate: ghiduri de undă liniare si cavități. Astfel, cristalul poate
forma un izolator optic perfect, care poate confina lumina fără pierderi pe un traseu cotit,
în medii cu indice de refracție scăzut și în cavități proporționale cu lungimile de undă; acestea reprezintă
posibilități noi de a controla fenomenele electromagnetice.

A trebuit să mai treacă un deceniu pentru a fabrica cristale fotonice care lucrează în domeniul
infraroșu – apropiat (780 – 3000 nm) și în domeniul vizibil (450 – 750 nm). Principala provocare a fost
găsirea materialelor și a tehnicilor de procesare potrivite pentru a fabrica structuri care sunt de
aproape 1000 de ori mai mici decât cristalele fotonice pentru microunde. O estimare riguroasă a
spațiului dintre găurile de aer (sau dimensiunea rețelei) este dată de lungimea de undă a luminii
împărțită la indicele de refracție al materialului dielectric. Problema în obținerea structurilor mici este
compoziția materialului, pentru că este mai bine pentru o bandă fotonică interzisă să se formeze în
dielectrici cu indice de refracție mare, care reduc semnificativ dimensiunea spațiului dintre punctele
rețelei.
De exemplu, presupunem că dorim să creăm un cristal fotonic care poate radia în IR apropiat
cu lungimea de unda de 1 μm într-un material cu indicele de refracție 3.0. Am avea de creat o structură
în care golurile de aer să fie separate la distanța de 0.3 μm – ceva extrem de greu de realizat. Dacă
scara ar fi de 1000 de ori mai mică, am putea construi o structură de tip atom-la-atom folosind o reacție
chimică; dar dacă scara ar fi de 1000 de ori mai mare putem construi mecanic acea structură, conform
afirmațiilor lui Yablonovitch și a colaboratorilor săi.
John Holtz şi Sanford Asher de la Universitatea din Pittsburg, USA au fabricat cristale fotonice
“acordabile” dintr-un polimer sintetic care absoarbe apa. În acest caz lungimea de undă a benzii
interzise poate fi ajustată prin micșorarea sau extinderea de hidrogel. Deși structura coloidală este ușor
de realizat, problema scalării revine, nefiind ușor să le încorporăm în heterostructura activă a unui LED.

2. Cristalele fotonice bidimensionale

Cristalele fotonice sunt împărțite după periodicitatea straturilor periodice din care sunt alcătuite în: uni-
, bi- și tri-dimensionale, mai simplu cristal fotonic este cristalul unidimensional (1-D) , format din două
materiale care alternează periodic pe o direcție. În mod similar, într-un cristal fotonic bidimensional
constantele dielectrice alternează pe două direcții, în timp ce cristalul fotonic tri-dimensional oferă un
control complet al radiației electromagnetice, datorită periodicității pe toate cele trei direcții.
Cristalele fotonice bidimensionale sunt structuri periodice pe două direcții și omogene pe acea de a
treia direcție . Tratarea teoretică se bazează, ca și în cazul uni-dimensional, pe ecuațiile lui Maxwell. Mai
mult, ecuațiile valorilor proprii pot fi mult simplificate dacă se consideră că vectorul de undă kr este
paralel față de planul bidimensional. În acest caz, structura dielectrică este uniformă pe direcția z.

Pentru a putea confina lumina care se propagă într-un cristal fotonic bi-dimensional în trei
dimensiuni, se fabrică un cristal fotonic bidimensional cu înălțime finită, numit „bloc cristalin
fotonic” (photonic crystal slab). O astfel de structură poate confina lumina vertical în interiorul blocului
prin intermediul mecanismului reflexiei totale interne, cunoscut sub numele de „index guiding” . În acest
caz, apar doi parametrii care influențează existența benzii fotonice interzise:
1) Structura trebuie să prezinte simetrie de tip „oglindă” astfel încât modurile TE și TM să poată
 fi considerate separat;
2) Înălțimea blocului nu trebuie să fie prea mică (modurile vor fi slab confinate), înălțimea
ideală fiind la jumătate din lungimea de undă [10].

Un rol important în multe aplicații recente îl joacă defectele realizate în cristalele fotonice.
De exemplu, defectele punctuale, cunoscute în literatură sub numele de cavități (micro/nano cavități
optice) sunt capabile de a captura fotoni în volume mici, apropiate de limita de difracție. Acestea sunt în
principal caracterizate de doi parametrii importanți: factorul de calitate Q și volumul modal (mode
volum) V.

Cel din urmă reprezintă întinderea spațială a confinării electromagnetice și este folosit în special în carac
rizarea ghidurilor de undă realizate cu ajutorul unor defecte liniare. Factorul de calitate este proporțional
cu timpul de viață al fotonului în cavitate, caracterizând densitatea de energie spectrală. Acesta
caracterizează forma răspunsului rezonatorului optic. Pentru o banda interzisa bi-dimensionala fiecare
unitate a structurii produce unde reflectate si aceste unde reflectate trebuie sa se unească sa anuleze
alte unde indiferent de direcția de propagare.

3. Aplicații ale cristalelor fotonice

Cristalele fotonice pot fi utilizate pentru a proiecta o oglindă care reflectă sub orice unghi o
lungime de undă selectată a luminii. În plus, ele pot fi integrate într-un strat fotoemiţător pentru a crea un
LED care emite lumina la o lungime de undă și într-o direcție date. Utilizarea cristalelor fotonice in
luarea amprentelor, spun cercetătorii, determina o acuratețe mai ridicata a datelor obținute, deoarece
permite identificarea nu doar a amprentei propriu-zise ci si a formei degetelor.
 Când cristalul fotonic este supus presiunii, spatiile din structura lui se reduc, modificând lungimea
luminii reflectate. Astfel culoarea se schimba gradual pe măsură ce se apasă, de la roșu, portocaliu,
galben, verde, albastru.

Utilizând cerneala tradițională pentru luarea amprentelor, pot fi văzute doar striațiile degetelor.
Amprentele colorate însă determina posibilitatea obținerii unor informații mult mai complete. Spre
exemplu poate fi determinata adâncimea striațiilor degetelor, forma degetelor sau proprietățile
mecanice ale pielii. Compania germana BASF încearcă sa revoluționeze telecomunicațiile prin
realizarea de cristale care sa controleze transmisiile optice de date.

NewTon este numele unui proiect inițiat de compania germana BASF împreuna cu alte grupuri
de cercetare, care urmărește să realizeze un cristal fotonic tridimensional funcțional. Una dintre
barierele existente în telecomunicații la ora actuala este reprezentată de nodurile de procesare care
conectează rețelele de fibră optica, noduri necesare pentru routarea informațiilor.
La ora actuala nu există o metodă ieftină și eficientă ca acest proces să fie unul în totalitate
optic, transmisia optica trebuind să fie convertită în semnale electrice pentru a fi procesata de
echipamentele de routare, după care la loc în semnale optice pentru transmisia mai departe. Acest lucru
reprezintă o gâtuire a fluxului de date, deoarece fibra optica poate transmite mult mai multă informație
(și mai rapid) decât firele de cupru. Aceasta pentru că în fibra optica, transmisia este realizată pe lungimi
de undă diferite, un fel de separare pe culori.

De aceea, ideea proiectului NewTon este aceea de a realiza niște cristale fotonice (cu un exemplu
de structură ilustrată în imagine) care să separe aceste culori diferite de lumina alba și sa le routeze într-
un mod eficient, totul la un cost de producție care să nu fie prohibitiv. Aceste cristale sunt realizate
printr-un procedeu numit “dispersii apoase” (“aqueous dispersions”) prin care laticea, structura
organizata repetitiva a cristalului, este mai întâi realizată din polimeri. În aceasta latice se inserează
apoi așa-numitele “defecte”, care trasează practic viitorul canal de comunicație optica. Lumina la
diferite lungimi de unda circula de-a lungul acestor defecte, putând chiar să-și modifice traseul la
unghiuri de 90 de grade, fiind efectiv condusa/routata prin cristal.
Spațiul liber din structura astfel creata este umpluta cu siliciu, după care polimerii sunt arși,
creându-se efectiv o imagine în oglindă a cristalului original. Cristalele fotonice tridimensionale
astfel obținute pot fi folosite ca un semiconductor optic compact, sau chiar ca procesor de routare în
întregime optic. Astfel nu va mai fi nevoie de conversia semnalelor optice in semnale electrice,
eliminând componentele electrice din procesul de routare de trafic. Companiile de telecomunicații
vor putea astfel să-și folosească lățimea de banda disponibila într-un mod mai eficient, în timp ce
pentru consumatori acest lucru ar putea să însemne un internet mai rapid și mai eficient.

In materialele 2D cu proprietati topologice particulare, interactia electron-electron joaca un

rol important, care trebuie considerat pentru explicarea anumitor proprietati de transport si, in special,
magnetice. Desi literatura in domeniu contine o mostenire considerabila de rezultate analitice
([116, 117, 118]), care ofera solutii pentru multe dintre cazurile de interes, sistemele nano-confinate
ridica noi provocari din punct de vedere teoretic care pot fi rezolvate doar imbinand abordari numerice
dedicate cu aproximatii adecvate, justificate de situatiile fizice specifice. Ca exemplu, in Ref. [119]
autorii propun un echivalent al criteriul Stoner [116] pentru dot-uri cuantice, inversul energiei de
confinare jucand rolul densitatii de stari. In Ref. [120] autorii demonstraza ca reguli clasice precum
regula lui Hund nu pot fi aplicate direct retelelor bidimensionale confinate, precum dot-urile de
grafena. Una dintre cele mai puternice metode teoretice de calcul al spectrelor cu interactie pentru
un numar relativ mic de electroni (approx.<10) este asa-numita configuratie-interactie (CI), e.g.
[121-128], constand in introducerea unui numar finit de configuratii many-body in rutina de
diagonalizare -cum ar fi considerarea doar a primelor "N" nivele uni-particula- metoda prezentand
in mod esential proprietati de convergenta la cresterea bazei.

Cercetarile asupra materialelor bidimensionale au cunoscut o dezvoltare extraordinara in urma

descoperirii grafenei (strat monoatomic de carbon), primul material 2D studiat, pentru descoperirea
caruia lui Novoselov si lui Geim li s-a decernat Premiul Nobel in 2010. Materialele 2D se pot
obtine din cristalele masive corespunzatoare (materiale 3D) prin exfoliere, deoarece aceste cristale
sunt compuse din straturi atomice avand legaturi chimice puternice in strat, dar straturile sunt legate
intre ele prin forte slabe de tip Van der Waals.
 4. Photomemristor dirijat de undele solare pe baza de SnS2
Sulfura de staniu(SnS2) este un membru al clasei semiconductorilor stratificați, extrem de studiat în
contextul materialelor subțiri și a aplicațiile lor. SnS2 este un semiconductor de tip n cu banda interzisă
de 2,2 eV. Spre deosebire de metalul de tranziție dicalcogenidele (TMD), cum ar fi MoS2 și WS2, când
SnS2 devine un monostrat, banda interzsa nu se transformă într-o banda directă. SnS2 este format din
Pământ constituenți abundenți și nu este toxic, ca sulfura de staniu, fiind astfel un material cheie pentru
electronica verde. În plus, SnS2 este explorat pentru aplicații de fotodetecție rapide, performanțele
fotodetectoarelor care depind de calitatea creșterii și grosimea acestui material. De exemplu, un timp de
răspuns de 5 ls este obținut atunci când grosimea SnS2 este numai 3nm.Adsorbția gazelor pe suprafața
fototranzistorilor rapizi având nanofibre SnS2 crescute cu CVD cu o grosime de aproximativ 30 nm
canalele degradează timpul de răspuns, îmbunătățind valoarea de 22 ms obținută în vid.
Pe de altă parte, memristorii reprezinta un subiect fierbinte in domeniul nanotehnologiei,
datorită aplicațiilor lor în switch-uri, memorii si calcul neuromorphic. Un memristor este un rezistor
care memoreaza starea anterioară: rezistența sa depinde de istoria trecerii curentului prin dispozitiv.
Există câteva tipuri de memristori bazati pe mai multe nanomateriale: memristori pe bază de oxizi
foarte subțiri, cum ar fi TiO2 și WO3, memristori pe bază de metalizare electrochimică (Memristors

redox), materiale cu schimbare de fază și chiar semiconductori native, cum ar fi nanomembranele de

 GaN.

Un memristor condus de lumină, lărgește aria de aplicare a acestor dispozitive, deoarece o valoare
cunoscută a puterii optice sau lungimea de undă poate fi convertită în conductanță electrică, cu
relevanța în detectare, de calcul optic și / sau comunicații optice. În acest sens, un memristor sensibil
la lumina cu dependente de lungimea de undă, conductanta control lucrează la 4.2K, a fost investigat
în configurația FET, canalul fiind format dintr-o serie de puncte cuantice INAs crescute pe
heterostructuri GaAs / AlGaAs.
Am demonstrat experimental în această lucrare in care SnS2 stratificat cu contactat de doi electrozi
de argint acționează în mod natural ca un dispozitiv memristor atunci când sunt iluminate cu lumină
ambientală/soare. Deoarece conductivitatea acestei memristor, cu o suprafata de 1 cm2 și o grosime de
100 um, ăn mare parte este controlată de puterea luminii ambientale, SnS2- bazat pe dispozitiv ar putea
fi utilizat pentru ecranul automat intelligent ajustarea pentru luminozității sau a aplicațiilor de pe tastatură
de activare / dezactivare stand-by pentru caculatoare și telefoane mobilă.

REZULTATE SI DISCUTII

SnS2 monocristale au fost crescute prin reacții chimice de transport în fiole de cuarț sigilate utilizând
staniu solid și sulf, ca materii prime și iod ca agent de transport. Este cunoscut faptul că transportul
chimic este cauzată de diferența de volatilizare (sursă) și la temperaturi de depunere. În cazul nostru,
temperaturile de volatilizare și depunerea au fost la temperaturile de 760 și 710 C, respectiv. Electrozii
de argint sunt plasați la limitele materialului, pe o suprafață de 1mm2. În acest fel, experimentele optice
nu sunt influentate de electrozi metalici.

Imaginea SEM probei în secțiune transversală este prezentată în Fig. 1 . SnS2 prezinta un van der Waals
material stratificat, format din stive de monostraturi cu o grosime de aproximativ 0,6 nm (vezi ref. 2 ),
Au fost efectuate măsurări de curent-tensiune al SnS2 folosind KEITHLEY 4200 echipament SCS
cu un nivel scăzut de zgomot. Sondele de curent continuu ale stației de sondă care sunt testate
cu ajutorul unui Keithley 4200, sunt conectate la contactele de argint pe SnS2 plasat în centrul
mandrinei. Stația de sondă este în interiorul unei incaperi Faraday, care este închis în timpul
măsurătorilor curente întunecate. Mai mult, incaperea Faraday este parțial deschisă pentru a permite
simulatorul solar ORIEL LSH-7320 pentru a ilumina uniform materialul în mijlocul mandrinei.
Apoi, puterea simulatorului solar este variat de la 0 la 1.1 sun, probele au fost măsurate în întuneric
și sub iluminare, în aceleași condiții experimentale. Curentul de culoare închisă a fost măsurat de fiecare
dată la fiecare baleiere și înregistrate.
Caracteristicile curent-tensiune la întuneric și sub iluminare la o putere echivalentă cu 1,1 soare sunt
prezentate în Fig. 2 , Pentru diferite baleiaje. Trebuie să subliniem faptul că o ciclurile de tensiune este
un semnal triunghiular, crescând liniar în timp de la -9V până la +9V și apoi în scădere. Rata de maturat
este 4V / s.

FIG. 1. Imagine SEM a probei de SnS2 în secțiune transversală, la scară de 2um

Curentul întunecat este întotdeauna de 2-3 ordine de mărime sub curenții obținuți prin iluminare
controlată la soare. Au fost masurate 4 probe dedicate pentru acest experiment pe parcursul mai multor
săptămâni pentru a vedea dacă fenomenele observate sunt repetitive în stare ambiantă, la diferite rate
de măturare. Intenționat, nu au fost introduse nici proceduri de netezire nici în calculator sau în stația
de măsurare DC, nici în rezultatele calculate după măsurători. Nu am observat modificări semnificative
în dependențele curent-tensiune în condiții experimentale diferite, la aceeași putere de iluminare.
FIG. 2. Caracteristicile curent-tensiune a) a ciclurilor de tensiune, cu diferiti parametric a luminii si b)
ilustrarea puterii la diferite cicluri a tansiunii.
După cum se poate observa din Fig. 2 , curentul este foarte mic la întuneric, dar crește cu
aproximativ două ordine de mărime la iluminare. Caracteristica curent-tensiune are o formă în mod
clar ciupit, tipic pentru un memristor. Histerezisul este foarte slabă, curentul aproape liniar în funcție
de tensiunea, indiferent de numărul acestora. Acest comportament se regăsește la alte puteri de
iluminare și la alte rate de matură. Figura 2 sugerează că SnS2 cu electrozi de argint are o
caracteristică memristor sub iluminare.
Dependența conductante de numărul de tensiune este reprezentată în fig. 3 (a) la niveluri
diferite de putere date în inset, indică o tendin•ă de saturare la numere matura mare, dar dependen•a
conductan•ei de nivelul de putere este, din nou, liniară, cel pu•in pentru patru fi RST baleiajelor
[vezi fig. 3 (b) ], Un comportament superlinear foarte slab observate pentru numere matura mai
mare.

FIG. 3. Dependen•a Conductanta pe (a) numărul de tensiune matura, pentru diferite sori, •i (b) puterea de
iluminare la diferite numere de tensiune de baleiaj
 Cu toate acestea, responsivitatea pentru iluminarea la 1,1 soare variază între 3,4 •i 5.4a / W, în
func•ie de numărul de baleiere. Această valoare pentru RSO vrac stratificate 2 este comparabilă cu cea
în ref. 13 , Mai mare decât valoarea / W 8.8mA în Ref. 6 , Dar mai mică decât 100A / W în Ref. 7 , În
ultimele trei cazuri Sns 2 e•antioane fiind de cel pu•in trei ordine de mărime mai sub•ire •i fiind măsurat
cu surse de lumină monocromatică. În cazul nostru, deoarece responsivitatea măsurată este valoarea
medie pe regiunea spectrală

a luminii solare, o valoare mai mare a acestui parametru este a•teptat la lungimi de undă laser, în
banda de absorb•ie a RSO 2
(Sub 600 nm).

liniaritate între fotocurentul-tensiune •i putere fotocurentul-lumină pare să indice faptul că

mecanismul responsabil pentru comportamentul memristor este o colec•ie lentă a transportatorilor
fotogenera•i. Similar cu fotocurentul •i conductan•ă, The responsivitatea R cre•te liniar cu puterea de
iluminare P, care este un indicator al fotoconductoare (sau photogating 14 ) mecanism în
dispozitivul nostru, mai degrabă decât recombinarea purtătoare prin
intermediul posturilor vacante de sulf în RSO 2, ceea ce conduce la o lege de varia•ie R / P b
cu b < 1, 7 sau împră•tiere sau rata de recombinare a transportatorilor cald îmbunătă•ite, ca •i în ref. 6
, Caz în care b < 0.

Răspunsul timp al dispozitivului a fost studiată prin aplicarea fi rst o succesiune de cicluri de
tensiune, constând din distorsiunilor de 5V aplicatepentru 60 s intrerupte de 1 s durate de timp, în care
nu prejudecată este prezent. Rezultatele sunt prezentate în Fig. 4 (a) . Cre•terea exponen•ială a curentului,
mai evident în primele două cicluri, se caracterizează printr-o constantă de timp de aproximativ 28 s.
Intr-un alt experiment, am aplicat impulsuri luminoase de diferite nivele de putere •i măsurate
fotoelectric, răspunsul ob•inut fiind afi•at în Fig. 4 (b) . Din Fig.

4 (b) , Vedem că dispozitivul nostru este setat •i RESET în func•ie de puterea optică aplicată.
FIG. 4. Timpul de răspuns al RSO 2 Dispozitiv: (a) pentru diferite cicluri la o tensiune de polarizare
constantă de 5V aplicat pentru 60 s (intervalul dintre cicluri este de 1 s), •i (b) la diferite impulsuri de
iluminare pentru o prejudecată aplicată de 5V.

În ultima măsurătoare, fotocurentul are două constante de timp: unul rapid, în timpul căreia
rezultă modificarea puterii de iluminare, •i o mai lent unul, care este responsabil pentru cre•terea
treptată a curentului maxim la impulsuri de lumina ulterioare. Figura 4 (b) , Ca în Fig. 4 (a) , Este
ilustrativ pentru cre•terea lentă a fotocurentului fa•ă de valoarea sta•ionară, atinsă după mult timp /
un număr mare de ac•iuni de verificare / impulsuri luminoase. Această cre•tere lentă este responsabil
pentru comportamentul memristive al RSO 2- dispozitiv pe bază, adică pentru cre•terea
fotocurentului la ºtergeri ulterioare până când sunt colectate to•i purtătorii fotogenera•i (până la
satura•ie), precum •i pentru histerezis slab, datorită duratei de timp infinit între măsurătorile valorilor
curente la cre•terea •i descre•terea valorilor tensiunii. Acest comportament poate fi atribuit numai la
colectarea lentă a transportatorilor fotogenera•i. Intr-adevar, absorbtia fotonilor genereaza perechi
electron-gol pe toată grosimea dispozitivului dar, datorită extrem de mare mobilitate anizotropia
RSO 2, a photocarriers produse în straturile inferioare ajung la contactele electrice plasate pe stratul
superior după o
întârziere considerabilă. Acest mecanism de răspuns lent în vrac RSO 2 a fost subliniat, de
asemenea, în ref. 15 , •i este sus•inută de cele patru ordine de mărime diferen•ă între mobilitati
transversal •i în planul RSO 2 straturi, precum
•i de proba gros în experimentul nostru. 16 În dispozitive mult mai sub•ire, ca •i cele studiate
în contextul materialelor bi-dimensionale, timpul de raspuns al fotoconductie se datorează altor
mecanisme, cu toate că o combina•ie de un timp de răspuns rapid lent •i poate fi observată în anumite
condi•ii. 13 Ne-ar dori să subliniem faptul că noul mecanism de histerezis eviden•iată în
photomemristors noastre este valabil numai în RSO groase 2
 probe de mai multe straturi. Aceasta este în contrast profund la Memristors rezistiv bazate pe
alte mecanisme de histerezis, în special celor din oxizi sub•iri, cum ar fi TiO 2, unde curentul
memristive este invers propor•ională cu pătratul grosimii oxidului.

I. CONCLUZII

De•i cunoscut de mai mul•i ani, Sns 2 este un compus binar mai pu•in studiată în compara•ie
cu alte materiale din aceea•i dichalcogenides de metal familie de tranzi•ie (TMDS), cum ar fi MoS
2 sau WS 2. 17 În această lucrare, am aratat o RSO 2- bazate pe dispozitiv photomemristor condus
de soare, care se bazează pe un mecanism de histerezis roman valabil în probele groase de materiale
conductoare puternic anizotrope. Rezultatele ob•inute arată că, curentul •i conductan•a sunt puternic
dependente de puterea luminii •i numărul de baleiaje tensiune (impulsuri) aplicată pe dispozitiv.
Fiind abundente în natură, RSO 2 ar putea fi, de asemenea, o solu•ie electronică verde pentru
fotonică neuromorphic, 18 care este o zonă nouă, în curs de dezvoltare de cercetare orientate către
re•ele neuronale oficiale arti fi. Deoarece Memristors miniaturizat solid-state capabile să răspundă
la stimuli optici sunt tratate cu greu în literatura de specialitate, această lucrare sugerează că re•elele
de socializare 2 probe de mai multe straturi ar putea fi utilizat pentru a implementa un circuit all-
optic neuromorphic pe baza fi neuroni si sinapse ciare ARTI, care au func•ionalită•i similare
Memristors. În acest fel, optic re•ele neuronale orientate către algoritmi de organisme vii de
învă•are ar putea fi puse în aplicare optic RSO 2- bazate pe dispozitive.