Sunteți pe pagina 1din 13

CUPRINS

1.Argument
1.Capitolul
-Generalitati
-Clasificari
-Jonctiunea P.N
2.Capitolul 2
-Fotodioda
-Dioda electro-luminescenta
-Foto-tranzistorul
-Foto-cuplorul
3.Capitolul 3
-Norme de protectia muncii
4.Bibliografie
1.Argument




Prin dispozitive optoelectronice se inteleg acele dispozitive electronice la
care semnalul de intrare sau de iesire este radiatia optica. Spectrul radiatiei
optice este cuprins intre 5nm si 1mm. Spectrul se imparte astfel: - domeniul
de radiatie ultraviolet: (5nm,400nm); - domeniul vizibil: (400nm ,760nm); -
domeniul infrarosu: (760nm,1mm). Fenomenele fizice fundamentale care
stau la baza functionarii dispozitivelor optoelectronice sint absorbtia
radiatiei electromagnetice in corpul solid si recombinarea radiativa a
purtatorilor de sarcina in semiconductoare. Fenomenul de creare de
purtatori liberi de sarcina sub actiunea radiatiei electromagnetice se
numeste EFECT FOTOELECTRIC. Daca electronii ,care au absorbit
radiatia electromagnetica ,sint extrasi din interiorul corpului solid,fenomenul
poarta denumirea de efect fotoelectric extern ; acesti electroni pot participa
la fenomene de conductie in vid sau gaze. Daca electronii sint doar
desprinsi de atomul de origine , devenind purtatori liberi in interiorul retelei,
fenomenul poarta denumirea de efect fotoelectric intern; acest fenomen
este specific numai semiconductoarelor , deoarece la metale exista un
mare numar de purtatori liberi ,chiar in absenta radiatiei electromagnetice.
Capitolul 1
(Generalitati. Clasificare.Jonctiunea P.N)
n general purttorii apar ntr-un semiconductor datorit excitrii
electronilor din banda de valen sau de pe nivelele donoare i deplasarea
acestora n banda de conducie. Dac semiconductorul este iluminat apar
purttorii de sarcin suplimentari cu energie mai mare (purttori liberi). Deci
iluminnd un semiconductor concentraia purttorilor liberi devine
n= n0 + n
p= p0 + p
unde n0 ,p0 sunt concentraiile de echilibru ale electronilor i golurilor,
iar p n, sunt concentraiile electronilor i golurilor aprute ce urmare a
injeciei optice.
Dispozitivele optoelectronice se mpart n: dispozitive fotodetectoare,
dispozitive fotoemitoare i modulatoare optoelectronice.
Funcionarea dispozitivelor fotodetectoare se bazeaz pe absoria
radiaiei electromagnetice n corpul solid i generarea de purttori de sarcin
prin efect fotoelectric. Efectul fotoelectric poate fi extern cnd purttorii
prsesc materialul i intern cnd purttorii se elibereaz din reeaua
cristalin.
Jonciunea pn este regiunea din vecintatea suprafeei de contact dintre dou
semiconductoare cu tip de conducie diferit, una de tip p i alta de tip n. Linia de
demarcaie dintre cele dou regiuni se numete jonciune metalurgic.
Procesele fizice care stau la baza funcionrii dispozitivelor
optoelectronice sunt generarea i recombinarea purttorilor mobili de
sarcin. Exist dou clase mari de dispozitive optoelectronice:
a) Dispozitive care transform energia radiaiei luminoase n
semnale electrice- acestea au ca scop fie msurarea fluxului luminos
sau transmisia de informaie, caz n care este vorba de fotodetectoare
fie conversia energiei luminoase n energie electric, caz n care sunt
celule fotovoltaice.
b) Dispozitive care transform energia electric n energie
luminoas cazul diodelor electroluminescente i al laserilor cu
jonciuni semiconductoare.

Capitolul 2
2.1 Fotodioda
Fotodioda este un dispozitiv optoelectonic constituit dintr-o jonctiune pn
fotosensibila sau un contact metal semiconductor fotosensibil,utilizate totdeauna n
regim de polarizare inversa, deoarece n acest regim se poate fructifica n conditii
optime influenta fluxului luminos asupra curentului prin dispozitiv.
CONSTRUCTIE
Constructia fotodiodei asigura ca partea cea mai mare a fotonilor radiatiei incidente
sa patrunda pna n regiunea jonctiunii p-n, unde, fiind absorbiti,pot crea perechi de
electro-gol care sunt purtatori suplimentari fata de concentratia de echilibru,
figura1.Numai fotonii care au energia hv mai mare sau cel putin egala cu largimea Eg
a benzii interzise vor fi capabili sa produca saltul electronilor din banda de valenta n
cea de conductie adica sa duca la formarea de perechi electron-gol. Capsula
fotodiodei prezinta o fanta transparenta, sub forma unei ferestre sau a unei lentile,
care permite patrunderea luminii catre jonctiunea pn,figura 2.
n figura se prezinta:a) structura,b) simbolul, c)
mod de utilzare si d) caracteristicile statice ale fotodiodei la diferite valori ale
iluminarii

IDENTIFICAREA TERMINALELOR SI VERIFICAREA FOTODIODEI
- La fotodiode, terminalul mai lung este Anodul (+), iar terminalul mai scurt este
Catodul (-) - La fotodiodele n capsula metalica terminalul de lnga cheita este
Anodul (+) - La fotodiodele n capsula de plastic transparent electrodul mai subtire
este Anodul (+) Identificarea terminalelor fotodiodei dupa forma capsulei se poate
urmari n figura 4

FUNCTIONAREA SI CONECTAREA N CIRCUIT A FOTODIODEI
Curentul prin dioda creste proportional cu intensitatea luminii.Cnd jonctiunea nu
este luminata, curentul este aproape neglijabil si se numeste curent de ntuneric
(ID).In cataloage de fotodiode se indica curentul de scurtcircuit Isc deoarece
fotodioda se comporta ca o sursa de curent.La conectarea n circuit, fotodioda se
conecteaza ntotdeauna n serie cu un rezistor care limiteaza curentul prin fotodioda.


2.2 Dioda electro-luminescenta
Dioda electroluminiscent este foarte des cunoscut cu denumirea de LED ( Light
Emitting Diode).
Dioda electroluminiscent (LED- light emitting diode) este o dioda semiconductoare
ce emite lumin la polarizarea direct a jonciuni p-n.
Semnul convenional al LED- ului este urmtorul (fig. 1):
Fig.1
Efectul este o form de electroluminescen. Un LED este o sursa de lumina pe o
suprafa mica (mai puin de 1 mm2) adesea cu un sistem optic adugat pe cip pentru
a da o forma radiaieisi a ajuta in reflexie.
Culoarea luminii emise depinde de compoziia si condiiile materialului semiconductor
folosit, si poate fi infrarou, vizibil sau ultraviolet. De altfel, in afara luminrii,
aplicaii interesante includ folosirea LED- urilor UV pentru sterilizarea apei si
dezinfecia dispozitivelor, si ca o sursa de lumina mai mare pentru a spori fotosinteza
plantelor.
DENUMIRI ALTERNATIVE ALE DIODELOR ELECTROLUMINISCENTE:
LED (Light Emitting Diode);
Diod fotoluminiscent;
Diod fotoemisiv
Exemple de LED-uri (fig.2)
PARAMETRII SPECIFICI:
Curentul direct maxim IAm;
Puterea de disipaie maxim Pdm;
Caracteristica spectral sau culoarea emis
POLARIZARE: DIRECT

PROPRIETI
- Emite radiaii luminoase sau infraroii;
- Se polarizeaz direct;
- Este un convertor de energie care transform energia electric (primit de la sursa
de polarizare) n energie luminoas ;
- Culoarea luminii emise depinde de materialul utilizat pentru jonciunea pn
2.3 Foto-tranzistorul




La fel ca diodele, toti
tranzistorii sunt
sensibili la radiatie
luminoasa.
Fototranzistorii sunt
facuti special pentru
a profita de
acest avantaj. Cea
mai comuna varianta este tranzistorul bipolar NPN
cu baza expusa. Aici, lumina incidenta bazei
inlocuieste ceea ce in mod normal ar fi fost curentul
aplicat bazei, deci un fototranzistor amplifica
variatiile de lumina incidenta. Fototranzistorii pot avea sau nu o baza conducatoare (daca au
baza, prin aceasta se regleaza sensibilitatea la lumina).
Fototranzistorii sunt exemple de fotodiode-amplificator combinatii integrate intr-un singur
fragment de silicon. Aceasta combinatie este folosita
pentru a infrange marele defect al fotodiodelor:
transferul uniform. Multe aplicatii necesita un
semnal mai puternic de la fotodetector decat cel
generat de fotodioda. In timp ce semnalul fotodiodei
poate fi
amplificat
prin
utilizarea
unui
amplificator operational extern sau al altor circuite,
aceasta abordare nu este de obicei indeajuns de practicata
sau de costisitoare in raport cu utilizarea unor
fototranzistori. Fototranzistorul poate fi vazut ca o fotodioda a carei fotocurent de iesire este
transmis bazei unui tranzistor de mica putere. Cat timp nu cerem operatia de fotodetectie, o
conexiune a bazei este folosita in unele cazuri pentru a deschide jonctiunea sau pentru a calibra
fotodetectia.
Caracteristici:
Costuri scazute pentru fotodetector in vizibil si in apropiere de infrarosu
Moderat ca rapiditate a raspunsului
Disponibil in mare varietate de modele inclusiv acoperite cu rasina epoxidica, modelate prin
transfer, turnate, ermetice si sub forma integrata.
Utilizabil cu aproape orice sursa vizibila sau in infrarosu cum este DLI (dioda luminescenta in
infrarosu), neoanele, tuburi flourescente, lampi cu incandescenta, lasere, surse de scanteie,
lumina soarelui etc.
Are aceleasi caracteristici generale electrice ca tranzistorii de semnal similari.
Principiul de functionare:
Fototranzistorii sunt fotodetectori in stare solida care poseda declansare interna. Ei pot fi folositi
pentru a genera semnal analog sau digital.




2.4 Foto-cuplorul
n electronic, un optoizolator, de asemenea numit i optocuplor, fotocuplor, sau
izolator optic, este o component care transfer un semnal electric ntre dou
circuite izolate prin utilizarea luminii. Optoizolatoarele mpiedic tensiunile nalte
s afecteze sistemul care primete semnalul. Optoizolatoarele disponibile
comercial, rezist la tensiuni intrare/ieire de pn la 10kV i la ocuri de
tensiune cu viteze de pn la 10kV/s. Un tip comun de optoizolator const dintr-
un LED i un fototranzistor n aceeai capsul. Optoizolatoarele sunt de obicei
utilizate pentru transmiterea semnalelor digitale (discrete, on/off), dar unele
tehnici permit utilizarea lor pentru semnale analogice (proporionale).


Diagrama schematic a unui optoizolator artnd sursa de lumin (LED-ul) n
stnga, bariera dielectric n centru, i senzorul (fototranzistorul) n dreapta
Ca funcie tehnologic, optoizolatoarele realizeaz o izolare galvanic ntre dou
circuite (intrare i ieire), fiind astfel o continuare a tehnologiei de izolare inductiv,
realizat cu ajutorul transformatoarelor electrice.
Fotorezistoarele bazate pe optoizolatoare au fost introduse n 1968. Ele sunt cele
mai lente, dar de asemenea cele mai liniar izolatoare i nc mai pstreaz o ni
de pia n industria audio i muzical.
Comercializare tehnologiei LED n anii 1968-1970 a provocat un boom n
optoelectronic, i pn la sfritul anilor '70 industria a dezvoltat principalele tipuri
de optoizolatoare. Majoritatea optoizolatoarele prezente pe pia utilizeaz ca
senzori fototranzistori bipolari pe baz de siliciu. Ele ating viteze de transfer a
datelor de vitez medii, suficiente pentru aplicaii ca electroencefalograful, de
exemplu. Cele mai rapide optoizolatoare utilizeaz diodele PIN n modul
fotoconductiv.
Un optoizolator conine o surs de lumin, aproape ntotdeauna un LED, care
convertete semnalul electric de intrare n lumin, un canal optic nchis (de
asemenea numit canal dielectric), i un fotosenzor, care detecteaz lumina prii de
intrare i care, fie genereaz energie electric direct, sau moduleaz un curent
electric continuu care provine de la o surs de alimentare extern. Senzorul optic
poate s fie un fotorezistor, o fotodiod, un fototranzistor, un redresor de siliciu
controlat (SCR) sau un triac. Deoarece LED-ul poate simi lumina pe lng faptul c
o emite, construcia simetric, bidirecional a optoizolatoarelor este posibil. Un
optocuplor (de tip) releu conine o fotodiod optoizolatoare care conduce la un
comutator de putere, de obicei o pereche complementar de MOSFET-uri
(tranzistori). Un comutator optic cu perforaii conine o surs de lumin i un senzor,
dar canalul su optic este deschis spre perforaii, care permit trecerea i modularea
luminii de ctre obiecte externe ce pot obstruciona calea acesteia sau o pot reflecta
spre senzorul optic.


3.Capitolul 3
3.1 Norme de protectia muncii

1. Nu se efectueaza miscari bruste cu sau fara aparatura din dotare in laborator.
2. Aparatura se utilizeaza doar in parametri normali si nu se va incerca fortarea
acesteia in vederea obtinerii unor rezultate mai bune.
3. Efectuarea montajelor la mesele de lucru nu se va incepe decat cu
intreruptoarele de alimentare inchise.
4. Pentru a evita deteriorarea consumatorilor alesi si a accidentele cauzate de
acestea, se va urmari ca tensiunea de alimentare sa corespunda cu tensiunea
nominala a consumatorilor.
5. Dupa inceperea lucrarii la montajul aflat sub tensiune se interzice atingerea cu
mana a partilor neizolate.
6. Se vor lega la pamant toate partile metalice ale instalatiei utilizate.
7. Nu se va incerca niciun fel de operatiune de modificare/reparare a aparaturii.
Orice defectiune se sesizeaza laborantului.
8. La aparitia oricarui defect pe durata efectuarii unui montaj, se anunta imediat
laborantul.
9. Sub nicio forma nu se va atinge partea metalica a letconului, chiar daca acesta
este oprit - exista posibilitatea sa fie inca fierbinte.
10. Nu se scutura letconul in jurul altor persoane.
11. Este interzisa atingerea simultana cu ambele maini a partilor metalice aflate
sub tensiune.
12. Nu se va sta cu ochii in fumul degajat la lipire - pericol de orbire.
13. Intre doua lipituri cu letconul, acesta va fi plasat in suportul special destinat
pentru el (nu se lasa pe masa sau pe alte materiale - pericol de topire)
14. Orice modificare a montajului se va face dupa scoaterea lui de sub tensiune.
15. Deconectarea consumatorilor aflati in sarcina se va face numai de la sursa de
alimentare.
16. In cazul in care in montajul lucrarii sunt incluse condesatoare, este interzis a se
atinge chiar si dupa scoaterea lor de sub tensiune,deoarece condesatoarele
continua sa ramana incarcate.De aceea dupa terminarea lucrarii, condesatoarele
se vor descarca scurtcircuitand terminalele prin atingerea cu un conductor
metalic.Operatia se va repeta de 2-3 ori pana la descarcarea completa.
17. La sfarsitul lucrarii toata aparatura trebuie inchisa.
18. La terminarea lucrarii nu se va incepe desfacerea montajului decat dupa ce se vor opri
intrerupatoarele de alimentare astfel incat nicio borna a aparatului si niciun conductor care
face parte din montaj sa nu se afle sub tensiune.

4. Bibliografie
1. Dumitru D.Sandu, Dispozitive i circuite electronice,
Editura Did.i Ped.,Bucureti, 1975
2. E.,Simion, C.,Miron, Lelia Fetil, Montaje electronice cu
circuite analogice, Ed.Dacia Cluj, 1986
3. Fl.M.Tufescu ,"Dispozitive i circuite electronice" partea I,
Edit.Univ.Al.I.Cuza" Iai 2002
4. I.Spnulescu, Dispozitive semiconductoare i circuite
integrate analogice , Ed. Victor, 1998
5. D.Dasclu, .a. Dispozitive i circuite electronice Ed.Did i
Ped. Bucureti 1982.
6. Horia Crstea, Mihai Georgescu, Circuite electronice n
tehnologie hibrid, Ed.Facla, 1989
7. I.,Sabin,R.,Munteanu, Introducere n electronic , Ed.de
Vest Timioara,1994
8. Nicolae N.Gherbanovschi, Ovidiu Sorin Stoican, Electronic
Fizic i aplicaii, Ed.Academiei Romne, Bucureti 1994
9. Ed.,Nicolau,coord. Radiotehnica vol II , Ed Tehnic
Bucureti, 1988
10. Gh.,Constantinescu, coord. , Circuite integrate CMOS,
Ed.Tehnic, Bucureti 1986.
11. P.,Constantin, .a., Electronic industrial, Ed.Did.i Ped.
Bucureti ,1983