Tranzistoare unipolare

Fia suport . Clasificare. Tipuri de tranzistoare unipolare.

Definiie
Tranzistoarele cu efect de cmp (numite uzual TEC sau FET

Field Effect

Transistor ) sunt dispozitive electronice a cror funcie se bazeaz pe modificarea

conduciei unui canal semiconductor sub influena unui cmp electric. Deoarece
conducia electric este determinat de un singur tip de purttori i anume purttorii
majoritari, tranzistoarele cu efect de cmp se mai numesc i tranzistoare unipolare.

Clasificare
Exist trei categorii de tranzistoare cu efect de cmp :

Tranzistoare cu poart jonciune ( TEC - J)

Tranzistoare cu poart izolat

( TEC-MOS)( M-metal, O- oxid , S-

semiconductor)

Tranzistoare cu substraturi subiri

Tranzistoarele cu efect de cmp sunt preferate fa de tranzistoarele bipolare datorit

urmtoarelor proprieti :

ca dispozitive comandate n tensiune TEC prezint impedan de intrare foarte

mare

TEC pot fi utilizate ca rezistene comandate n tensiune i ocup n tehnologie

integrat o arie mai mic dect rezistena echivalent,

TEC au o arie mic n raport cu tranzistoarele bipolare ,rezult de aici

avantaje pentru fabricarea circuitelor complexe( memorii,microprocesoare,
etc)

nivel de zgomot redus

liniaritate bun a circuitului

Terminalele tranzistorului se numesc : Surs S, dren D ,Poart sau Gril - G

Marcare
Marcarea se face printr-o succesiune de litere i cifre imprimate pe capsula diodei .
Exist foarte multe coduri pentru marcarea tranzistoarelor , dar cele mai utilizate sunt
:

Sistemul european
Exemplu:

B F 245

A
l-----------------indicaii diverse

materialul de baz------------------l

l-------------------------numrul de serie

funcia de baz--------------------------l
C tranzistor de JF de mic putere
D - tranzistor de JF de putere
S - tranzistor de comutaie de mic putere
F - tranzistor de . F. de mic putere

Sistemul american

Exemplu :

Structura----------------------------l

1 - diod
2 - tranzistor ,tiristor
3 dispozitiv cu patru electrozi
(MOSTEC )
4 dispozitiv optoelectronic

Aspect fizic ( Tipuri de capsule)

4091
l--------------numrul de identificare

Fig 3.1. Tipuri de capsule pentru TEC-J

Date de catalog
Valori limit
UGS tesiunea dintre surs i gril( TEC-J care nu sunt protejate n interior pot fi
distruse uor prin depirea tensiunii directe pe jonciunea poart- surs)
Ca orice dispozitiv semiconductor i la TEC depirea limitelor admise ale tensiunilor
de alimentare sau polarizare duce la distrugere.
UDS tensiunea dren- surs
ID curentul de dren, este curentul de dren la U GS i UDS specificate, aproape de
blocare.
Pd puterea disipat maxim care este specificat pentru o temperatur ambiant
de 25 C
Parametrii specifici
g

transconductana direct, este panta tranzistorului la variaii de semnal mic a

TEC
rDS rezistena dren surs, este rezistena ntre dren i surs la U GS i ID
specificate
IDSS

curentul de dren de saturaie, este curentul de dren la o tensiune U DS

specificat.

Tranzistoare TEC-J

Fig. 3.2. Reprezentri convenionale pentru TEC-J

Funcionare i utilizri

Pe o anumit poriune a caracteristicii de ieire ( la U DS mici) dispozitivul se

comport ca o rezisten comandat n tensiune.Ca aplicaii tipice pentru
TEC-J n rol de rezisten variabil se menioneaz atenuatoarele controlate
prin tensiune i circuitele pentru reglarea automat a amplificrii.

La UDS mari tranzistorul TEC-J se comport fa de dren ca un generator de

curent comandat de tensiunea UGS. Dac punctul de funcionare al TEC-J este
stabilit pentru un curent de dren maxim IDmaxim, pentru o variaie destul de
mare a tensiunii UDS vom obine o variaie neglijabil a lui I D.

TEC-J sunt folosite i n etaje de amplificare de semnal mic la joas i nalt

frecven.Tranzistoarele cu efect de cmp nu ofer ctiguri mari n
tensiune ,dar ctigurile sunt foarte mari n curent i n putere.Ofer de
asemenea impedan
mare la intrarea amplificatorului i distorsiuni de neliniaritate reduse .

Se mai pot utiliza ca i comutatoare de semnal analogic folosite n circuite de

eantionare i memorare sau multiplexarea i demultiplexarea semnalelor
analogice .

Observaie. Aceste dispozitive nu acoper ns domeniul de aplicaii la puteri mari.

Acest domeniu este rezervat tranzistoarelor bipolare i TEC- MOS de putere.

Tranzistoare TECMOS

Fig.3.3. Reprezentri convenionale pentru TEC-MOS

Funcionare i utilizri

TEC-MOS sunt foarte mult utilizate

n realizarea circuitelor integrate n

special n circuite digitale . Ele sunt utilizate att ca dispozitive active ct i ca

rezistene sau capaciti . Circuitele integrate cu TEC pot fi produse cu un
nivel mare de complexitate la preuri de cost reduse. Creterea gradului de
integrare prin micorarea dimensiunilor duce la reducerea capacitilor
parazite i la creterea vitezei de lucru.

O aplicaie important a tranzistorului TEC MOS este inversorul CMOS .

Acesta face parte dintr-o familie de circuite care utilizeaz tranzistoare cu
simetrie complementar . Avantajul principal al familiei CMOS este consumul
de putere foarte mic.Inversorul CMOS poate fi utilizat i ca amlificator de
semnal mic.

Pot fi folosite n comutaie, un circuit CMOS important este comutatorul

bilateral pentru semnale analogice,

Defecte

Un dezavantaj al TEC-MOS este marea fragilitate fa de apariia unor tensiuni

accidentale pe poart. Sarcini extrem de mici pot determina tensiuni de ordinul
sutelor care pot distruge tranzistorul . Din aceast cauz la utilizarea TEC-MOS
trebuie luate precauii speciale de punere la mas a tuturor elementelor cu care iau
contact( mna operatorului, ciocanul de lipit) .
Pentru a evita distrugerea componentelor MOS

pinii acestora vor fi scurt-circuitai printr-un fir conductor pn dup

introducerea n circuit

toate intrrile neutilizate vor fi conectate la mas , la E S sau la ED

utilizatorul va evita folosirea n mbrcminte a unor materiale care
favorizeaz acumularea de sarcini electrice

este indicat folosirea unei brri metalice prin care mna operatorului s fie
conectat la potenialul de referin

Trebuie precizat c unele dispozitive MOS sunt prevzute cu circuite de protecie

ncapsulate.
Asemnri ntre TEC-J i TEC - MOS

ambele sunt comandate n tesiune

au curentul de intrare mic ( la TEC-MOS ID = 10 12 A)

impedan de intrare foarte mare ( la MOS 10 12 - 10 18 )

frecvena de lucru foarte mare

dependen mic de temperatur

Obsevaii. TEC-MOS sau TB ?
Zgomotul

tranzistoarelor TEC-MOS este destul de mare i ca urmare nu sunt

adecvate aplicaiilor unde nivelul semnalului este mic.TB n general sunt mai
performante dect TEC, au transconductana mai mare i comportarea cu frcvena
mai bun de aceea sunt preferate n multe aplicaii.La puteri mari ns , TEC-MOS
are o mai bun liniaritate dect TB. De asemenea , comutatoarele cu TEC-MOS au o
comutaie rapid n comparaie cu TB, care are o semnificativ ntrziere datorit
intrrii n saturaie. Preul de cost mai ridicat al tranzistoarelor TEC-MOS face ca
alegera ntre cele dou tranzistoare s nu fie uoar.

Referat
La disciplina:Bazele electronic
Tema :Tranzistorul unipolar.

Efectuat: Ghecrea Grigore

Controlat: Ghiorghita Tudor