1) Joncțiunea p-n. Ecuația caracteristică (curent-tensiune) a diodei semiconductoare.

Regiuni de funcționare. Valori maxime absolute. Dependența de temperatură. Modele

de semnal mare și modelul de semnal mic.
Structură şi simbol
Figura 2.1 prezintă structura în timp ce figura 2.2 prezintă simbolul unei diode "p-n".

Jonţiune
metalurgică
vA
A C
A C
p  NA n  ND iA
Figura 2.1 Figura 2.2
unde:
A anod;
C catod;
vA valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă;
iA valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;
NA concentraţia de atomi acceptori;
ND concentraţia de atomi donori;
n concentraţia de electroni;
p concentraţia de goluri.
practic - curentul prin diodă circulă numai de la anod spre catod. Acest efect poartă numele de
efect de diodă
Forma generală a acestei ecuaţii se obţine prin particularizarea relaţie
 di dn i dv d mv  unde: 1,  , p sunt parametrii neelectrici.
E i A , A , , nA , v A , A , , mA , 1 , ,  p   0
 dt dt dt dt 
Funcţie de regimul de lucru această ecuaţie se simplifică după cum urmează:
1. regim cvasistatic de semnal mare; ecuaţia (2.1) devine:
Ei A , v A   0 (2.2)
sau:
iA=iA(vA) (2.3)
sub această forma ecuaţia fiind cunoscută sub numele de “ecuaţie caracteristică statică” sau
mai simplu “caracteristică statică”.
2. regim cvasistatic de semnal mic; ecuaţia (2.1) devine:
ia  g a v a
(2.4)
unde:
ia valoarea instantanee de semnal mic a curentului;
va valoarea instantanee de semnal mic a căderii de tensiune;
ga conductanţa echivalentă de semnal mic a diodei.
2.3 Comportarea DS în regim cvasistatic de semnal mare
2.2.1 Ecuaţia caracteristică statică
Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) a diodei ideale este:
 v   (2.5)
i A  I S exp  A   1
  eT  

1
unde:
eT 
kT (2.6)
q
şi poartă numela de tensiune termică. S-au folosit notaţiile:
k constanta lui Boltzman
q sarcina electronului
T temperatura absolută
La temperatura ambiantã VT are valoarea:
eT25 mV (2.7)
Reprezentând grafic (2.5) se obţine figura 2.4
iA D

IS V

A B C uA

Figura 2.4
unde:
IS curent rezidual (între 10-9A pentru germaniu şi 10-12A pentru siliciu)
Vγ tensiune de prag (0.2 V pentru germaniu şi 0.6 V pentru siliciu)
Se pot pune în evidenţă 3 regiuni importante:
Regiunea AB Regiunea de blocare la polarizare inversă. Dioda se comportă ca un generator
de curent de valoare IS. Întrucât curentul rezidual are valori foarte mici, în
aplicaţiile practice se consideră că dioda se comportă ca un circuit întrerupt.
Regiunea BC Regiunea de blocare la polarizare directă. Dioda are acelaşi coportament cu cel
din regiunea AB
Regiunea CD Regiunea de conducţie. Prin diodă pot circula curenţi de valoare mare, căderea
de tensiune fiind aproximativ Vγ. Dioda se comportă ca un scurtcitcuit.
2.2.2 Modele liniare de semnal mare
Caracteristica (2.5) reprezintă o funcţie neliniară ceea ce o face greu de utilizat în aplicaţiile
practice. În mod uzual, pentru a evita complicaţiile legate de neliniarităţile lui (2.5), se
apelelează la procedeul liniarizării pe porţiuni. Figura 2.5 prezinta o posibilă liniarizare a
caracteristicii din figura 2.4. şi poartă numele de model de ordin zero.
iA

Model de ordin zero Caracteristica reală

vA

Figura 2.5

Schema echivalentă este: (figura 2.6):

2
 A C
Diodă în conducţie
A C
A C
Diodă blocată

Figura 2.6
2.3 Comportarea DS în regim cvasistatic de semnal mic
Dacă semnalul pe diodă este mai mic de 10 mV – aşa numita condiţie de semnal mic –
caracteristica poate fi liniarizată Taylor (mult mai precis) în jurul unui punct. În figura 2.15
acest punct este notat Q. Practic, figura 2.15 pune în evidenţă faptul că pentru variaţii foarte
mici ale lui Δv, dioda se comportă ca un rezistor a cărui rezistenţă este egală cu valoarea
inversului pantei tangentei în punctul Q. Altfel spus:
V 
I S exp  Q 
ga 
d iA
  eT   I A  I S (2.17)
dv A eT eT
v A  VQ
unde ga este conductanţa (inversul rezistenţei) de semnal mic. Reformulând, conductanţa de

Caracteristică neliniară

Regiune liniară

i

Q(VQ, IQ)

v
v

Figura 2.15
semnal mic se confundă cu conductanţa diferenţială.
În multe situaţii:
IA  IS (2.18)
astfel că ga este de obicei aproximată prin:
IA (2.19)
ga 
VT

Amintind că VT  25 mV , în final se obţine pentru ga expresia:

ga mS  40 IA mA  (2.20)
Modelul matematic va fi evident dat de (2.4):
ia  g a v a (2.4)
unde ga are valoarea dată de (2.17).
Schema echivalentă asociată acestui model este prezentată în figura 2.16

va
ga
ia
A C

Figura 2.16

3
2) Diode Zener. Caracteristica statică. Regiuni de funcționare. Dependența de
temperatură. Mecanismele de stabilizare a tensiunii. Stabilizator parametric cu DZ.
Caracteristica reală a unei diode semiconductoare este prezentată în figura 2.7
Figura pune în evidenţa existenţa unei noi regiuni si anume regiunea de străpungere, regiune
în care are loc fenomenul de străpungere al diodei. Se observă că acest fenomen constă în
iA
Tensiune de
VBR Blocare prag
V 0.7 V

vA

Străpungere

Regiune de Regiune de
polarizare polarizare
inversă directă

Figure 2.7
creşterea bruscă a curentului invers atunci când tensiunea inversă ajunge la valoarea VBR
(tensiune de străpungere). Din punct de vedere fizic, două mecanisme pot fi responsabile
pentru apariţia acestui fenomen:
 multiplicarea în avalanşă şi
 efectul "tunel".
Multiplicarea în avalanşă are loc la tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor slab dopate.
Este cauzată de ionizarea de impact. În acest proces, un electron accelerat de câmpul electric
intern existent în regiunea de sarcină spaţială capătă suficient de multă energie ca prin
ciocnirea unui atom să elibereze o pereche gol-electron. Noul electron astfel generat – numit
electron secundar – este la rândul lui accelerat şi poate la rândul său să genereze noi electroni
secundari. Acest fenomen duce la creşterea necontrolată a curentului prin jonţiune.
Efectul "tunel" are loc la tensiuni mici şi este specific jonţiunilor puternic dopate. Procesul
constă în saltul electronilor din stările ocupate din banda de valenţă a regiunii "p" pe stările
libere din banda de conducţie a regiunii "n", întrucât regiunea de sarcină spaţială este foarte
îngustă.
În general regiunea de străpungere trebuie evitată în funcţionare normală întrucât în absenţa
unor circuite de limitare a curentului, dioda se poate distruge. Există însă o categorie de diode
iZ
IZM

vZ Străpungere

A C IZm
iZ Regiune de Regiune de VZ vZ
polarizare polarizare
directă inversă

Figura 2.8. Figura 2.9

şi anume diodele stabilizatoare sau Zener care lucrează tocmai în acestă regiune. Figura 2.8
prezintă simbolul unei asemenea diode, iar figura 2.9 caracteristica statică. Se poate constata
că atât timp cât curentul prin diodă satisface condiţia:
I Z m  iZ  I Z M (2.8)
căderea de tensiune pe diodă va avea valoarea:
vZ  VZ (2.9)

4
2.2.4 Limitări în funcţionare
Analiza prezentată până în acest moment a considerat că atât tensiunile de pe diodă cât şi
curenţii prin diodă pot lua orice valori. În situaţii reale există anumite limitări pentru a evita
distrugerea dispozitivului. Funcţie de aplicaţie, cele mai uzuale limitări sunt:
a. diode redresoare
 IFM curentul direct maxim admisibil; reprezintă valoarea maximă a
curentului direct prin diodă când ea se află în conducţie; proiectantul trebuie să
aibă grijă ca în funcţionare normală curentul direct să nu depăşescă această
valoare.
 VBR tensiunea de stăpungere; reprezintă valoarea maximă a tensiunii inverse
pe diodă; proiectantul trebuie să aibă grijă ca în funcţionare normală tensiunea
inversă să nu depăşescă această valoare
b. diode stabilizatoare
 VZ tensiunea nominală de stabilizare; de obicei în catalog sunt prezentate
limitele maxime şi minime.
 IZM curentul maxim admisibil prin diodă; spre deosebire de IFM, acest
curent circula prin diodă când aceasta lucrează în regiunea de stăpungere.

3) Redresoare de tensiune: redresorul monofazat monoalternanță cu sarcină rezistivă,

cu și fără condensator de filtraj. Descrierea funcționării, forme de undă.
3.1 Redresor monoalternanţă cu sarcină rezistivă
a.) Schema este prezentatǎ în figura 3.1.
b. ) Rolul elementelor; notaţii folosite
Vs
Tr D RL

t
iL

Vp Vs vL vL

Vs
VL

 t
2 3 4 5
Figura 3.1 Figura 3.2

RL - rezistenţă de sarcină;
D - element neliniar, asigură efectul de redresare;
Tr - transformator de alimentare;
Vp - amplitudinea tensiunii alternative din primar;
Vs - amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
vL - valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcină;
iL - valoarea instantanee a curentului prin sarcină.
c.) Funcţionarea
 Pe alternanţa pozitivǎ dioda D conduce. Curentul va circula pe traseul: borna
superioarǎ a secundarului transformatorului, dioda D, rezistenţa de sarcinǎ, borna
inferioarǎ a secundarului transformatorului.

5
  Pe alternanţa negativǎ dioda D este blocatǎ. Prin sarcinǎ nu va circula curent.
Tensiunea pe sarcinǎ va fi nulǎ
Figura 3.2 prezintǎ formele de undǎ asociate acestei prezentǎri. Se poate observa cǎ alternanţa
pozitivǎ se regǎseşte, practic, pe sarcinǎ, în timp ce alternanţa negativǎ este, practic, eliminatǎ.

Meritǎ interes estimarea componentei continue existentǎ în sarcinǎ. În figura 3.2 aceasta este
notatǎ “VL”. Este relativ comod de arǎtat ca aceastǎ componentǎ are valoarea:
V
VL  s (3.1)

3.4 Redresor monoalternanţă cu filtru capacitiv
a.) Schema este prezentatǎ în figura 3.6.
Tr D RL
iL

+
Vp Vs vL

Figura 3.6
b. ) Rolul elementelor; notaţii folosite
RL - rezistenţă de sarcină
D - element neliniar, asigură efectul de redresare.
Tr - transformator de alimentare
C -condendator de filtraj; în timpul alternanţei pozitive pentru o scurtǎ perioadǎ
de timp (notatǎ τ în figura 3.12) se încarcǎ, iar în restul intevalului de timp se
descarcǎ prin rezistenţa de sarcinǎ, asigurând astfel permanent curent prin
sarcinǎ.
Vp - amplitudinea tensiunii alternative din primar
Vs - amplitudinea tensiunii alternative din secundar
vL - valoarea instantanee a tensiunii de pe sarcină
iL - valoarea instantanee a curentului prin sarcină
c.) Funcţionarea
Analiza funcţionǎrii trebuie sǎ înceapǎ cu observaţia cǎ dioda D conduce un interval relativ
mic de timp (notat τ în figura 3.12), interval cuprins în alternanţa pozitivǎ, pentru restul
perioadei dioda fiind blocatǎ.
 Pe intervalul de timp τ, când dioda conduce curentul va circula pe traseul: borna
superioarǎ a secundarului transformatorului, dioda D, iar în continuare o componentǎ
încarcǎ condesatorul C iar cealaltǎ trece prin rezistenţa de sarcinǎ, în final circuitul
închizându-se prin borna inferioarǎ a secundarului transformatorului (sǎgeţile pline).
 Pe intervalul de timp T-τ, când dioda D este blocatǎ condensatorul C se va descǎrca
prin rezistenţa de sarcinǎ. (sǎgeţile punctate).
Figura 3.7 prezintǎ formele de undǎ asociate acestei prezentǎri. Se poate observa cǎ, prezenţa
condensatorului duce la “nivelarea“ (filtrarea) tensiunii de pe rezistenţa de sarcinǎ.

6
 D conduce D blocata
C se încarca C se descarca
V
Vs
VL Vl

τ t
T
Figura 3.7
În figura 3,12 s-au folosit notaţiile:
Vs -amplitudinea tensiunii alternative din secundar;
Vl -amplitudinea componentei alternative a tensiunii de pe sarcinǎ;
VL -valoarea componentei continue a tensiunii de pe sarcină;
τa -intervalul de timp de conducţie al diodei;
T -perioada.
Observaţii:
1. valoarea componentei continue a tensiunii de pe sarcină (VL) scade o dată cu creşterea
curentului din sarcină
2. valoarea componentei alternative a tensiunii de pe sarcină (Vl) creşte o dată cu
creşterea curentului din sarcină

4) Tranzistorul bipolar. Efectul de tranzistor. Conexiunile tranzistorului. Caracteristici

statice. Regimuri de lucru.Valori maxime absolute.
Există două tipuri de tranzistoare bipolare:

tranzistoare npn (figura 4.1) tranzistoare pnp (figura 4.2)

unde:
E emitor; are rolul de a “emite” (genera) purtători;
C colector; are rolul de “colecta” purtătorii emişi de emitor;
B are rolul de a controla fluxul de purtători dintre emitor şi colector
Cele două joncţiuni sunt cuplate electric (datorită bazei extrem de înguste) şi ca atare, în
structură apare efectul de tranzistor.
4.1.3 Conexiunile tranzistorului.
a.) Conexiunea emitor comun. Este prezentatǎ in figura 4.5
Semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt:
 tensiunea vBE – tensiunea bazǎ emitor, şi
 curentul iB – curentul de bazǎ
Semnalele de ieşire (sau comandate)
 tensiunea vCE – tensiunea colector emitor, şi
 curentul iC – curentul de colector

7
 iE

iB
vEC Iesire
Intrare vBC

Figura 4.6
b.) Conexiunea colector comun. Este prezentatǎ in figura 4.6
Semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt:
 tensiunea vBC – tensiunea bazǎ colector, şi
 curentul iB – curentul de bazǎ
Semnalele de ieşire (sau comandate)
 tensiunea vEC – tensiunea emitor colector, şi
 curentul iE – curentul de emitor
c.) Conexiunea bazǎ comunǎ. Este prezentatǎ in figura 4.7
iE iC

Intrare vEB vCB Iesire

Figura 4.7
Semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt:
 tensiunea vEB – tensiunea emitor bazǎ, şi
 curentul iE – curentul de emitor
Semnalele de ieşire (sau comandate)
 tensiunea vCB – tensiunea colector bazǎ, şi
 curentul iC – curentul de colector.
4.2 Comportarea tranzistorului bipolar in regim cvasistatic de semnal mare
În regim cvasistatic de semnal mare tranzistorul bipolar este integral descris de douǎ şi numai
douǎ ecuaţii, numite ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt, caracteristici statice. În mod
uzual acestea sunt:
iC  iC vCE , i B 
(4.9)
i B  i B v BE , vCE 
(4.10)
Prezentul subcapitol işi propune sǎ prezinte forme explicite pentru expresiile (4.9) şi (4.10),
iar pe baza lor sǎ dezvolte modele aproximative pentru tranzistoarele bipolare.
4.2.1 Caracteristici statice
Prezentul subcapitol nu va prezenta modul în care se pot deduce relaţiile (4.9) şi (4.10). Se vor
prezenta doar reprezentările lor grafice care vor fi utilizate pentru obţinerea modelelor. Pentru
a reprezenta în R2 (în plan) a modului de variaţie al lui iC şi iB se foloseşte următoarea
procedură: Relaţia (4.9) se înlocuieşte cu
iC  iC vCE  iB const.
(4.11)
relaţie cunoscută sub numele de caracteristica de ieşire, şi
iC  iC i B  vCE const.
(4.12)
relatie care este practic explicitată de (4.8). Relaţia (4.10) se înlocuieşte cu:

8
i B  i B v BE  vCE const.
(4.13)
relaţie cunoscută sub numele de caracteristica de intrare, şi
i B  i B vCE  vBE const.
(4.14)
relaţie care nu se foloseşte întrucât iB practic nu depinde de uCE.
a.) Caracteristica de ieşire este prezentată în figura 4.8. Pe această caracteristică se pot pune
în evidenţă cele trei regimuri de funcţionare menţionate în sub capitolul 4.1.2. Fiecărui regim
îi corespunde o regiune după cum se vede în figură, şi anume: regiunea de saturaţie; regiunea
activă normală şi regiunea de blocare.
iC

vCB=0 iB4
Regiunea activă normală
Regiunea de iB3
saturatie
iB2
Regiunea de
blocare iB1

vCE

Figura 4.8
b.) Caracteristica de intrare este reprezentată în figura 4.9.
iB
vCE1
vCE2>vCE1

Vγ vBE

Figura 4.9
Se constată că:
1. este vorba de caracteristica unei diode,
2. practic iC nu depunde de vCE
4.3 Comportarea tranzistorului bipolar in regim cvasistatic de semnal mic
Modelul matematic pentru regimul cvasistatic de semnal mic - al oricărui dispozitiv electronic
- se obţine liniarizând Taylor modelul matematic de semnal mare. Prin urmare, se va obţine:
ic  g m vbe (4.23)
vbe
ib  (4.24)
r
unde:
diC I
gm   C- (4.25)
dv BE eT

poartă numele de transconductanţă (pantă). Uzual relaţia (4.25) se scrie sub forma:
gm[mS]=40IC[mA] (4.26)
şi

9
 1 1 
r    (4.27)
di B diC di B gm
du BE du BE diC
numită rezistenţă de intrare.
Schema echivalentă este prezentată în figura 4.17
ib ic ib ic
B C B C
vbe r gmvbe r βib

E E

Figura 4.17 Figura 4.18

Din (4.27) se deduce rapid relaţia

  g m r (4.28)
care induce o nouă formulare a modelului matematic se semnal mic regim cvasistatic pentru
tranzistorul bipolar şi anume:
i c   ib (4.29)
vbe
ib  (4.30)
r
În această situaţie schema echivalentă este prezentă în figura 4.18

5) Circuite de polarizare a tranzistorului bipolar. Dependența de temperatură și

compensarea acesteia. Modelul de semnal mare al tranzistorului bipolar.
4.4.2 Circuit elementar de polarizare.
a.) schema
Este prezentată în figura 4.19
I
EC RB RC
B C
RB RC EC
IB VBE
IB VCE

Figura 4.19 Figura 4.20

b.) rol elemente, notaţii folosite
RB rezistenţă pentru polarizarea bazei.
RC rezistenţă de sarcină.; are importanţă în analiza de curent alternativ
c.) analiza de semnal mare
Se va face analiza de curent cotinuu ceea ce va presupune calculul PSF. Se presupun
cunoscute: RC, RB, EC, VBE,  şi trebuie calculat IC. Evident se pot calcula ulterior VCE, IB,
VCB, IE.
Pentru calculul curentului IC se va modela schema din figura 4.19 ca in figura 4.20, folosind
modelul de ordin unu pentru tranzistor. Utilizarea acestui tip de model se face întrucât este
comod şi în acelaşi timp suficient de exact. Ecuaţiile lui Kirchhoff pentru acest circuit sunt:
I=IB+IB (4.31)
EC=IB RC+VCE (4.32)
VBE=-IBRB+IBRC+VCE (4.33)
10
Rezultă imediat:
EC  VBE

IC=IB = RB (4.34)
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
Caracteristicile de ieşire prezentate în figura 8 au pus în evidenţă cele trei regimuri
fundamentale ale tranzistorului: blocare, activ şi saturaţie. Modelele ce vor fi dezvoltate în
continuare vor liniariza pe porţinuni aceaste caracteristici.
a.) Modele aproximative pentru regimul de blocare.
Tranzistorul are joncţiunile polarizate invers şi deci curenţii sunt aproximativ zero. Ecuaţiile
de dispozitiv sunt:
B C
vBE vCE

E
Figura 4.10
iB=0 (4.15)
iC=0 (4.16)
Schema echivalentă este prezentată în figura 4.10
b.) Modele aproximative pentru regimul de saturaţie.
în această situaţie ambele joctiuni sunt polarizate direct. Tranzistorul se comportă, practic ca
un scurtcircuit. Ecuaţiile de dispozitiv devin:
iB iC
B C

E
Figura 4.11
vBE=0 (4.17)
vCE=0 (4.18)
Schema echivalentă este prezentată în figura 4.11.
c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal.
Pentru acest regim se vor prezenta mai multe tipuri de modele care vor diferi între ele prin
nivelul de aproximare acceptat.
Model de ordin zero
Acest model presupune uBE constant şi egal cu o valoare cuprinsă între 0.6V - 0.7 V, precum
şi egalitatea curentului de emitor cu cel de colector. Ecuaţile de dispozitiv devin:
vBE=const. (4.19)
iC=iE (4.20)
Pentru modelul de ordin zero nu se construieşte schemă echivalentă.
Model de ordin unu
Modelul de ordin unu are la baza ecuaţiile 4.8 şi 4.9
iB
B C
vBE FiB

E Figura 4.12
iC   i B
(4.8).
v BE  V
(4.9)
Schema echivalenta este prezentată în figura 4.12
11
Model de ordin doi
Acest tip de model utilizează un model matematic mai evoluat pentru tranzistor şi anume:
iB
B C
IS/F FiB

E
Figura 4.13
v 
iC  I S exp  BE 
 eT  (4.21)
IS v 
iB  exp  BE 
F  eT  (4.22)
unde IS poartă denumirea de curent de saturaţie. Schema echivalentă este prezentată în figura
4.11.
Variaţia cu temperatura a principalilor parametri electrici ai tranzistorului bipolar.
Parametrii în discuţie sunt cei ce apar în schemele echivalente prezentate în subcapitolul 4.2.
Pentru regiunea activă normală este mai variatia lui vBE., Referitor la vBE - fiind tensiunea unei
joncţiuni polarizată direct - respectă legea de variaţie amintită în subcapitolul 2, Valoarea
coeficientului cVF este cuprinsă între 2-2.5mV/oC.

6) Modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar (Giacoletto). Conexiunile tipice.

Amplificator de semnal mic în conexiunea EC la joasă frecvență: impedanța de intrare;
amplificarea în curent; amplificarea în tensiune; impedanța de ieșire.
Modelul matematic pentru regimul cvasistatic de semnal mic - al oricărui dispozitiv electronic
- se obţine liniarizând Taylor modelul matematic de semnal mare. Prin urmare, liniarizând
ecuaţiile (4.21) şi (4.22) se va obţine:
ic  g m vbe (4.23)
vbe
ib  (4.24)
r
unde:
diC I
gm   C- (4.25)
dv BE eT

poartă numele de transconductanţă (pantă). Uzual relaţia (4.25) se scrie sub forma:
gm[mS]=40IC[mA] (4.26)
1 1 
şi r    (4.27) numită rezistenţă de intrare.
di B diC di B gm
du BE du BE diC

12
Schema echivalentă este prezentată în figura 4.17
ib ic ib ic
B C B C
vbe r gmvbe r βib

E E

Figura 4.17 Figura 4.18

Din (4.27) se deduce rapid relaţia

  g m r (4.28)
care induce o nouă formulare a modelului matematic se semnal mic regim cvasistatic pentru
tranzistorul bipolar şi anume:
i c   ib (4.29)
vbe
ib  (4.30)
r
În această situaţie schema echivalentă este prezentă în figura 4.18
În configuraţia emitor comun semnalele de intrare se aplică între bază şi emitor şi se culeg
între colector şi emitor. Emitorul este din punct de vedere alternativ la masă.
c.) Analiza de semnal mic
c1.) Amplificarea în tensiune este definită ca:
Vot
AV  (5.12)
Vt
unde (vezi figura 5.7)
Vt amplitudinea tesiunii debitată de sursa de test;
Vot amplitudinea tesiunii de ieşire.

EC
Ir
RB1 RC
It Ib B C Ic
It C1
C2
Vt RB r Vbe gmVbe RC Vot
Vot E
Vt
RB2 RE CE

Figura 5.7 Figura 5.8

Circuitul din figura 5.7 se modelează ca în figura 5.8. RB este:
R B1R B2
R B  R B1 R B2  (5.13)
R B1  R B2
Observând că :
Vot=-gmVbeRC (5.14)
Vt=Vbe (5.15)
Şi introducând (5.14) şi (5.15) în (5.12) se ajunge la:
Av   g m RC (5.16)
Relatia (5.16) dovedeşte că:
Etajul defazează cu 1800 (semnul minus)

13
 Amplificarea în tensiune este mare.
c2.) Rezistenţa de intrare
Este definită ca:
Vt
R in  (5.17)
It
si poate fi determinată cu ajutorul figurii 5.8.
It=Ir+Ib (5.18)
Vt
It  (5.19)
RB
Vt
Ib  (5.20)
r
Expresiile (5.17)  (5.20) conduc la:
R in  R B r (5.21)
Întrucât în multe cazuri:
RB>> r (5.22)
(5.21) poate fi rescrisă sub forma:
R in  r (5.23)
În concluzie valoarea rezistentei de intrare este moderată. şi egală cu r
c3.) Rezistenţa de ieşire este definită ca:

Vt
Ro  (5.24)
It
Vin  0
Figura 5.9 prezintă plasamentul sursei de test. De asemenea trebuie observat ca scurtcircuitul
de intrare (Vin=0) este realizat decondensatorul Cs.
Circuitul prezentat în figura 5.9 este modelat în figura 5.10. Deoarece:
Vbe=0 (5.25)
Circuitul din figura 5.10 se reduce la cel prezentat în figura 5.11. În consecinţă:
Ro=RC (5.26)
În concluzie rezistenţa de ieşire are o valoare moderată, egală cu RC.
+EC
RB1
RC It
It
B C It +
C2 + +
C1 RC Vt
Vt RB r Vbe gmVbe RC Vt
CS -
RB2 RE CE -
- E

Figura 5.9 Figura 5.10 Figura 5.11

14
7) TEC-J: Structura fizică a TEC-j. Simboluri. Caracteristici statice, regimurile de
lucru ale TEC-j. Ecuațiile TEC-j.
Structură, simbol, notaţii
Figura 6.1 prezintă o structură de principiu. În figura este reprezentat un TECJ cu canal n. Există de
asemenea TECJ cu canal p care are însă o structură complementară.
unde:

joncţiune G joncţiune
p-n p-n

n p n

S D
canal

G
S
Figura 6.1.
S electrod sursă
G electrod grilă (poartă)
D electrod drenă
B electrod substrat - joacă rol de grilă doi.
Figura 6.2.a şi 6.2.b prezintă atât simbolurile cât şi notaţiile uzuale pentru TECJ cu canal n, respectiv
canal p.
D D
iD iD
vDG vGD
iG iG
G vDS G vSD
vSGS iS S
v iS
S
G

S S
Figura 6.2 a. Figura 6.2 b
S-au folosit notaţiile:
 iD curent de drena;
 iS curent de sursă;
 iG curent de grilă.
Comportarea TECJ bipolar în regim cvasistatic de semnal mare.
Caracteristici statice
O funcţie de două variabile se reprezintă uzual în plan sub forma a două caracteristici de forma:

iD  iD (vDS ) (6.4)
u GS  const.

numită caracteristica de ieşire şi:

iD=iD(vGS) (6.5)
uDS const.

numită caracteristica de intrare.

a.) Caracteristica de ieşire
Este prezentată în figura 6.6. Se constată asemănarea dintre această carateristică şi cea a tranzistorului
bipolar. Ca atare se pot pune în evidenţă, şi în acest caz, existenţa mai multor regiuni:

15
I.) Regiunea liniară este regiunea în care tranzistorul se comportă ca rezistenţă comandată; valorile
acestei rezistenţe sunt în general mici lucru atestat de panta caracteristicii; în această regiune
dependenţa curentului de drenă de tensiunea drenă-sursă poate fi aproximată de o dreaptă.
II.) Regiunea de cot este o regiune de tranziţie; de obicei tranzistoarele nu funcţionează în acestă
regiune; caracteristica se poate aproxima parabolic. Analiza ei nu face obiecul prezentului curs.
III.) Regiunea de saturaţie; în această regiune tranzistorul funcţionează ca generator comandat;
comanda este dată prin intermediul tensiunii grilă sursă.

iD
Regiune vGS-vT
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=0.1V
liniara
vGS=0V
Regiune de
vGS=2V
blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS
Figura 6.6
IV.) Regiunea de blocare; în aceată reginea tranzistorul se comportă ca un circuit întrerupt; este
caracterizată de faptul că tensiunile pe trazistor lua orice valori (în limitele normale), dar curentul este
nul.
b.) Caracteristica de intrare .
Este prezentată în figura 6.7.
iD

IDSS

VT vGS

Figura 6.7
Se pun în evidenţă mărimile:
IDSS curentul de drenă corespunzător tensiunii grilă sursă nulă
VT tensiunea de prag
Caracteristica poate fi aproximată printr-o parabolă.
Comportarea TECJ in regim cvasistatic de semnal mic
După cum a fost menţionat modelul matematic pentru regimul cvasistatic de semnal mic - al oricărui
dispozitiv electronic - se obţine liniarizând Taylor modelul matematic de semnal mare. Prin urmare,
liniarizând ecuaţiile (6.10) şi (6.11) se va obţine:
ig=0 (6.13)
id=gmvgs (6.14)
unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)
id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)
iar
diD 2 I DSS  VGS  2I D
gm   1    (6.15)
dvDS QP VT  VT  VGS  VT

16
poartă numele de tranconductanţă mutuală. Schema echivalentă corespunzătore este prezentată în
figura 6.13.
G D

vgs gmvgs

S
Figura 6.13

8) Amplificatoare electronice: definiții, parametrii amplificatoarelor, cuplaje, clasificări.

Definiţii
În mod uzual amplificatorul electronic este definit cu ajutorul schemei bloc din figura 10.1

xi xo
a
unde:
xI –valoarea Figura 10.1 instantanee a semnalului de
intrare sau excitaţie,
x0 – valoarea instantanee a semnalului de
ieşire sau răspuns,
a – factor de transfer al amplificatorului (ideal o constantă).
În plus semnalul de ieşire trebuie să reproducă semnalul de ieşire ca formă de variaţie în timp, şi
puterea semnalului de ieşire trebuie să fie mai mare decât puterea semnalului de intrare. Prima condiţie
se poate rescrie: xo(t)=axi(t-) (10.1)
unde τ reprezintă timpul de întârziere (timpul de tranzit al semnalului prin amplificator)
Întrucât nu s-a specificat natura lui xI sau x0, acestea pot reprezenta atât semnal de tensiune cât şi de
curent.
Parametrii amplificatoarelor
După cum s-a putut observa în subcapitolul precedent pentru a modela un amplificator este necesar ca
să se cunoască:
 rezistenţa de intrare
 rezistenţa de ieşire
 funcţia de transfer a amplificatorului
cu menţiunea că în regim dinamic rezistenţele devin impedanţe, iar funcţiile de transfer devin
complexe. Pentru această din urmă situaţie, întrucât în structura unui amplificator există în mod
necesar elemente reactive (condensatoare sau bobine) parametrii menţionaţi variază funcţie de
frecvenţă. Totuşi, în cele mai multe cazuri se pot defini anumite domenii de frecvenţă, (benzi de lucru)
pentru care parametrii respectivi pot fi aproximaţi cu constante. Legat de acest lucru se definesc aşa
numitele distorsiuni de liniaritate. În plus, întrucât elementele active din compunerea unui amplificator
sunt puternic neliniare, semnalul procesat de ele va fi de asemenea deformat. Acest lucru generează
distorsiuni neliniare. Aceste observaţii completează tabloul parametrilor de interes pentru
amplificatoare. Rezumând, principalii ai amplificatoarelor sunt:
 rezistenţa de intrare;
 rezistenţa de ieşire;
 factorul de amplificare (imitanţa de transfer);
 banda de lucru;

17
  nivelul de distorsiuni.
Definirea parametrilor. Se vor prezenta definiţiile pentru regimul cvasistatic de semnal mic.
Rezistenţa de intrare, rezistenţa de ieşire precum şi imitanţa de transfer au prezentate anterior. În
continuare se vor prezenta doar definiţiile pentru banda de lucru şi nivelul de distorsiuni.
a) Frecvenţele superioare şi inferioare de lucru
Pentru determinarea acestor mărimi trebuie să se ţină seama de aşa numitele efecte de ordin doi efecte
introduse de prezenţa capacităţilor în montaje. Astfel spus, de această dată trebuie ţinut cont de
defazajele curent-tensiune din schemele reale. Aceasta impune reprezentarea în complex a curenţilor şi
tensiunilor. Astfel toţi factorii de amplificare (funcţii de transfer) devin la rândul lor mărimi complexe.
Acest tip de analiză se face în general asupra amplificării în tensiune. Reprezentând grafic legătura
dintre modulul acestei amplificări şi frecvenţă precum şi legătura dintre argumentul acestei funcţii şi
frecvenţă se obţin aşa numitele caracteristici de frecvenţa ale circuitului. Dacă frecvenţa şi modulul
sunt reprezentate pe scări logaritmice aceste diagrame poartă denumirea de diagrame Bode. Se cunosc
două diagrame Bode:
 diagrama amplitudine-frecvenţă
 diagrama fază-frecvenţă
Mărginindu-ne numai la prima diagramă, pentru un amplificator de tensiune ea arată ca în figura
(10.6)
GvdB
-3dB
Gv

ln f

Se observă din Frecvenţa inferioarã Frecvenţa superioară această figură că

atât frecvenţa de jos Figura 10.6
cât şi cea de sus
se definesc în punctele în care această caracteristică “cade cu 3dB. Tot cu ajutorul acestei figuri se mai
defineşte banda de lucru a amplificatorului ca fiind:
B=fs-fj (10.27)
unde:
B banda de lucru
fj frecvenţa inferioară de lucru;
fs frecvenţa superioară de lucru
b) Nivelul distorsiunilor.
A fost menţionat că într-un amplificator se produc două tipuri de distorsiuni:
 distorsiuni neliniare datorate neliniarităţii caracteristicilor statice ale elementelor active;
 distorsiuni liniare datorate neuniformităţii caracteristicilor amplitudine-frecvenţă, respectiv
fază-frecvenţă
Distorsiunile liniare se pot, de asemenea împărţi în două categori:
 distorsiuni de amplitudine datorate amplificării inegale a spectrului semnalului aplicat la
intrare;
 distorsiuni de fază datorate modificării relaţiei de fază între componentele spectrale ale
semnalului aplicat la intrare.
Tehnica de determinare a lor porneşte de la observaţia că dacă la intrarea unui amplificator se aplică
un semnal de forma:
vin  Vin sin t , (10.28)
la ieşire rezultă un semnal a cărui dezvoltare în serie Fourier este:

18
 vo  Vo sin t  V 'o sin 2t  V ''o sin 3t  ... (10.29)
În aceste condiţii factorul de distorsiuni se defineşte:
2 2
V 'o  V ''o  ...
 100% (10.30)
Vo
Cuplaje.
În principiu orice amplificator electronic este alcătuit din mai multe blocuri componente cunoscute în
literatura de specialitate sub denumirea de etaje de amplificare. În marea majoritate a cazurilor un
asemenea etaj conţine unul sau cel mult două elemente active (tranzistoare). Această soluţie a fost
impusă de faptul că este practic imposibil ca prin utilizarea unui singur element activ să se obţină
performanţele care sunt de obicei impuse unui amplificator. Trebuie spus că în general etajul de intrare
al unui amplificator are rolul de asigura valoarea impusă pentru impedanţa de intrare, etajul de ieşire
are rolul de asigura valoarea necesară a impedanţei de ieşire (dar şi puterea necesară în sarcină), în
timp ce etajele intermediare asigură coeficientul de amplificare. Legătura dintre aceste etaje – sau
astfel spus, cuplajul lor – se poate realiza în mai multe feluri. O primă soluţie este prezentată în figura
10.7. Acest tip de cuplaj se numeşte cuplaj direct. Caracteristica lui constă în faptul că etajele sunt
cuplate atât din vedere continuu cât şi alternativ. Este mult utilizat.
V’ V’’

Vin av1 av2 av3 Vo

Figura 10.7
O a doua soluţie denumită cuplaj capacitiv sau cuplaj RC, este prezentată în figura 10.8
C’ C’’

Vin av1 av2 av3 Vo

Figura 10.8
unde C’, C’’, sunt condensatoare de cuplaj.
Acest tip de conectare se caracterizează prin faptul că asigură cuplarea etajelor numai din punctul de
vedere al semnalului (alternativ) dar în acelaşi timp le separă din punct de vedere continuu. De altfel
condensatoarele sunt astfel dimensionate încât să se comportă ca un scurtcircuit la frecvenţa de lucru.
Este intens utilizat.

Tr1 Tr2

Vin av1 av2 av3 Vo

Figura 10.9
Un al treilea tip de cuplaj este cuplajul inductiv (prin transformator). Ca şi cuplajul capacitiv acest
cuplaj (figura 10.9) separă etajul din punct de vedere al componentei continue dar lasă să treacă
componenta de semnal. Este puţin utilizat şi numai în situaţii speciale.
În literatura de specialitate sunt prezentate şi alte tipuri de cuplaje (optoelectronice, electromagnetice
etc.), însă domeniul de aplicaţie este strict limitat.
Clasificări
Există trei criterii principale care sunt utilizate pentru clasificarea amplificatoarelor :
 mărimea semnalului procesat;
 frecvenţa de lucru;
 mărimea benzii de frecvenţe.
a) Funcţie de mărimea semnalului procesat amplificatoarele se împart în:
 amplificatoare de semnal mic caracterizate de faptul că

19
  dispozitivele active lucrează în condiţii de semnal mic;
 amplificatorul funcţionează liniar;
 analiza lor se face utilizând modele de semnal mic pentru dispozitivele active
 amplificatoare de semnal mare caracterizate de faptul că
 dispozitivele active lucrează neliniar;
 se folosesc tehnici speciale pentru limitarea distorsiunilor;
 analiza lor se face utilizând modele neliniare de semnal mare.
b) Funcţie de frecvenţa de lucru există :
 amplificatoare care lucrează în domenii static şi cvasistatic (amplificatoare de curent
continuu şi amplificatoare de joasă frecvenţă); pentru analiza lor; elementele active se
modelează folosind scheme echivalente caracteristice regimului cvasistatic
 amplificatoare care lucrează în regim dinamic (frecvenţe foarte înalte); pentru analiza lor
dispozitivele active se modelează folosind schemele echivalente caracteristice regimului
dinamic
Observaţie: Combinând cele două criterii se ajunge la următoarele clasificări :
1. amplificator de semnal mic regim cvasistatic
2. amplificatoare de semnal mare regim cvasistatic
3. amplificator de semnal mic regim dinamic
4. amplificatoare de semnal mare regim dinamic
Prezenta lucrare analizează în principal amplificatoarele din prima şi a doua clasă.
c) Funcţie de mărimea benzii de frecvenţă se utilizează următoarea împărţire:
 amplificatoare de bandă largă; se mai întâlnesc sub denumirea de amplificatoare de impulsuri
sau amplificatoare de video frecvenţă; sunt utilizate la prelucrări de semnale video în special.
 amplificatoare de bandă îngustă; se mai numesc amplificatoare acordate, sau amplificatoare
de radio frecvenţă; utile la procesarea semnalelor de bande înguste sau filtrare.
În literatura de specialitate se mai întâlnesc denumirile de amplificator audio utilizate pentru
amplificarea semnalelor din acest domeniu. Banda lor ajunge până la 20 KHz – 22 KHz dar uzual se
opreşte la 15 KHz, precum şi cel de amplificator de curent continuu util pentru amplificarea
semnalelor lent variabile sau de curent continuu.

9) TEC-MOS: Structura fizică a TEC-MOS. Simboluri. Caracteristici statice, regimurile

de lucru ale TEC-MOS.
Structură
a.) TECMOS cu canal iniţial
Structura este prezentată în figura 7.1. S-au folosit notaţiile:
S sursă; terminalul de la care sunt ”emişi” purtătorii;
D drenă; terminalul la care sunt “colectaţi” purtătorii;
G grilasau poartă; terminalul care controlează fluxul de purtători dintre grilă şi sursă
B substrat; terminal care în anumite cazuri este conectat la sursă iar în altele funcţionează ca o
grilă secundară

20
 Figura 7.1

Canal=regiunea prin care tranzitează purtătorii în drumul lor dintre sursă şi drenă
SiO2=strat izolator de bioxid de siliciu; izolează grila de canal.
Observaţie Figura 7.1 prezintă un TECMOS cu canal iniţial de tip “n”. Există şi structura
complementară şi anume TECMOS cu canal iniţial de tip “p”.
Figura 7.2 prezintă simbolul unui TECMOS cu canal iniţial de tip “n”, iar figura 7.3 prezintă simbolul
unui TECMOS cu canal iniţial de tip
iG D iG D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vDS iS vSD iS
S
S
Figura 7.2 Figura 7.3
S-au folosit notaţiile:
 iD curent de drena
 iS curent de sursă
 iG curent de grilă
 vGS tensiunea grilă sursă;
 vDS tensiunea drenă sursă;
 vDG tensiunea drenă grilă .
Atât pentru tensiuni cât şi pentru curenţi s-au prezentat sensurile fizice.
b.) TECMOS cu canal indus
Structura este prezentă în figura 7.4

Figura 7.4
Notaţiile sunt identice cu cele de la figura 7.1. În plus, se observă că de această dată canalul nu este
fizic realizat.
Observaţie Figura 7.4 prezintă un TECMOS cu canal indus de tip “n”. Există şi structura
complementară şi anume TECMOS cu canal iniţial de tip “p”.

21
Figura 7.5 prezintă simbolul unui TECMOS cu canal indus de tip “n”, iar figura 7.6 prezintă simbolul
unui TECMOS cu canal indus de tip “p”

iG iG
D D
vDG vGD
iD iD
G B G B vSD
vDS
vGS iS vSG iS

S S
Figura 7.5 Figura 7.6
Notaţiile sunt identice cu cele folosite la simbolurile TECMOS-urilor cu canal intial.
Observaţie: Ca şi în cazul celorlalte tranzistoare, în continuare va fi prezentată numai comportarea
tranzistoarelor cu canal de tip “n”.
Comportarea TECMOS în regim cvasistatic de semnal mare
1 Caracteristici statice
Urmând metodologia din capitolul precedent se vor prezenta cele două caracteristici statice uzuale:
a.) Caracteristica de ieşire
Figura 7.10 prezintă caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal iniţial tip “n”, iar figura
7.11 caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal indus tip “n”. Se constată că alura
caracteristicilor este asemănatoare, diferind domeniul tensiunilor de comandă vGS.
Ca atare se pot pune în evidenţă, şi în acest caz, existenţa mai multor regiuni:

iD
Regiune vGS-vT
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=4V
liniara
vGS=2V
Regiune de
vGS=0V
blocare
vGS=-4V
vGS=VT
vDS
Figura 7.10

iD
vGS-vT
Regiune
de cot
Regiune de saturatie
Regiune vGS=8V
liniara
vGS=6V
Regiune de vGS=4V
blocare
vGS=2V
vGS=VT
vDS
Figura 7.11
I.) Regiunea liniară este regiunea în care tranzistorul se comportă ca rezistenţă comandată; valorile
acestei rezistenţe sunt în general mici lucru atestat de panta caracteristicii; în această regiune
dependenţa curentului de drenă de tensiunea drenă-sursă poate fi aproximată de o dreaptă.
II.) Regiunea de cot este o regiune de tranziţie; de obicei tranzistoarele nu funcţionează în acestă
regiune; caracteristica se poate aproxima parabolic. Analiza ei nu face obiecul prezentului curs.
III.) Regiunea de saturaţie; în această regiune tranzistorul funcţionează ca generator comandat;
comanda este dată prin intermediul tensiunii grilă sursă.

22
IV.) Regiunea de blocare; în această regine tranzistorul se comportă ca un circuit întrerupt; este
caracterizată de faptul că tensiunile pe trazistor pot lua orice valori (în limitele normale), dar curentul
este nul.
b.) Caracteristica de intrare
Figura 7.12 prezintă caracteristicile de intrare pentru un TECMOS cu canal iniţial tip “n”, iar figura
7.13 caracteristicile de iesire pentru un TECMOS cu canal indus tip “n”. Şi de .
unde:

iD iD

IDSS

VT G vGS D VT vGS
Figura 7.12 Figura 7.13
vgs gmvgs

S
Figura 7.17
IDSS curentul de drenă corespunzător tensiunii grilă sursă nulă
VT tensiunea de prag
Şi de acestă data, caracteristicile pot fi aproximate prin parabole deosebirile fiind legate de domeniul
în care poate varia tensiunea vGS.
Comportarea TECMOS in regim cvasistatic de semnal mic
Liniarizând Taylor relatiile (7.5 şi (7.7) se obţine:
ig=0 (7.8)
id=gmvgs (7.9)
unde
ig curent de grilă (valoare instantanee de semnal)
id curent de drenă (valoare instantanee de semnal)
vgs tensiune de grilă-sursa (valoare instantanee de semnal)
iar
di D
gm    vGS  VT  (7.10)
dv DS QP

poartă numele de tranconductanţă mutuală. Schema echivalentă corespunzătore este prezentată în

figura 7.17.

23
10) Etajul diferențial. Schemă, funcționare, parametrii caracteristici.
a.) Schema de principiu este prezentată în figura 10.10
+EC

RC RC

vO1 vO2
iC1 iC2

T1 T2

vI1 vI2

IE RE

-EE
Figura 10.10
b.) Notaţii folosite; rolul elementelor.
vI1; vI2 valori instantanee ale tensiunii de intrare
vO1;vO2 valori instantanee ale tensiunii de ieşire
RC rezistenţe de sarcină
IE; RE circuit de polarizare echivalat Norton; poate fi o rezistenţă sau o sursă de curent
realizată cu tranzistoare.
T1, T2 tranzistoare identice; pentru buna funcţionare a etajului este necesar ca aceste
tranzistoare să aibă caracteristicile cât se poate de apropiate
c.) Analiza de semnal mare Se vor studia caracteristicile de transfer:
vO1=vO1(vI1,vI2) (10.31)
vO2=vO2(vI1,vI2) (10.32)
Schema echivalentă de semnal mare a circuitului din figura 10.10 este prezentată în figura 10.11.
Întrucât bazele tranzistoarelor sunt neîncărcate, s-a utilizat modelul de ordin doi pentru modelarea lor.
Amintim că acest model ţine seama de variaţiile tensiunii vBE.
Calculul lui vO1, respectiv vO2, porneşte de la:
vO1=EC-iC1RC (10.33)
vO2=EC-iC2RC (10.34)

+EC

RC RC

vO1 vO2

B C C B

vBE1 iC1 iC2 vBE2

vI1 vI2
E E

IE RE

-EE

Figura 10.11
Expresiile curenţilor de colector sunt:

24
 v 
iC1  I S1 exp  BE1  (10.35)
 eT 
respectiv:
v 
iC 2  I S 2 exp  BE 2  (10.36)
 eT 
Dar
IS1=IS2=IS (10.37)
întrucât tranzistoarele sunt presupuse identice. Împărţind (10.36) la (10.35) se obţine:
iC1 v v 
 exp  BE1 BE 2  (10.38)
iC 2  eT 
Pe de altă parte scriind teorema a doua a lui Kirchhoff pe conturul punctat din figura 2.36 se obţine:
vBE1-vBE2=vI1-vI2 (10.39)
Cu aceasta (10.38) devine:
iC1 v v 
 exp  I 1 I 2  (10.40)
iC 2  eT 
Pentru determinarea celor doi curenţii, (10.40) trebuie completată cu o nouă ecuaţie pentru a forma un
sistem de două ecuaţii cu două necunoscute. Această nouă ecuaţie se deduce scriind teorema întâi a lui
Kirchhoff în emitorul celor două tranzistoare. Pentru a simplifica calculele se va considera RE de
valoare foarte mare, schema din figura 10.11 devenind:
+EC

RC RC

vO1 vO2

B C C B

vBE1 iC1 iC2 vBE2

vI1 E E vI2
IE

-EE
Figura 10.12
În aceste condiţii:
iE1+iE2=IE (10.41)
Amintind că pentru un tranzistor:
iC≈iEmitor (10.42)
relaţia (2.190) se rescrie:
iC1+iC2≈IE (10.43)
Ecuaţiile (2.189) şi (2.192) formează un sistem de două ecuaţii cu soluţiile:
IE
iC1  (10.44)
 v v 
1  exp   I 1 I 2 
 eT 
IE
iC 2  (10.45)
v v 
1  exp  I 1 I 2 
 eT 

25
Introducând notaţia:
vID=vI1-vI2 (10.46)
relaţiile (10.44) şi (10.45) devin:
IE
iC1= (10.47)
 v 
1  exp   ID 
 eT 
IE
iC2= (10.48)
v 
1  exp  ID 
 eT 
Reprezentarea grafică a acestor două funcţii se poate vedea în figura 10.13
Figura 10.13 pune în evidenţă trei dintre caracteristicile acestui etaj:
vOD

IERC

-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT

-IERC
vID
Figura 10.13
* Atât limitarea la valoarea
superioară (IE) cât şi limitarea la valoarea inferioară (aproximativ zero) a curenţilor de
colector se face în condiţiile în care tranzistoarele rămân în regiunea activă normală.
Acest lucru conferă viteză mare de lucru în circuitele de comutaţie.
* Curenţii de polarizarea ai celor două tranzistoare sunt egali între ei şi au valoare IE/2.
* Circuitul de comportă liniar pentru diferenţe între tensiunile de intrare mai mici de 50 mV.
Expresiile tensiunilor de ieşire devin:
IE
vO1=EC- RC (10.49)
 vID 
1  exp   
 T e
IE
vO2=EC- RC (10.50)
 vID 
1  exp  
 eT 
În multe aplicaţii semnalul de interes este dat de semnalul diferenţial de la ieşire:
vOD=vO1-vO2 (10.51)
Înlocuind (10.49) şi (10.50) în (10.51) se obţine:
 vID 
vOD=REIEtanh    (10.52)
 eT 
Această funcţie este trasată în figura 10.14. Figura pune în evidenţă un alt avantaj al acestui etaj:
* Atunci când vID devine zero, şi vOD devine zero, fiind astfel posibilă cuplarea directă în
cascadă a etajelor .
vOD

IERC

vID

-3eT -2eT -eT eT 2eT 3eT

-IERC

Figura 10.14

26
d.) Analiza de semnal mic.
Relaţia (10.52) permite introducerea conceptului de „amplificare pe mod diferenţial”. Prezenta
secţiune işi propune să prezinte modul în care se poate calcula această amplificare.
Analiza pe mod diferenţial Schema etajului devine:
+EC

RC RC

T1 T2

Vid Vid

2 2
IE RE

-EE

Figura 10.15
Circuitul din figura 10.15 se modelează ca în figura 10.16. Întrucât semnalul aplicat pe baze este de
semn opus, iar circuitul este echilibrat, tensiunea din emitoare va rămâne nemodificată. Altfel spus,
din punct de vedere alternativ acest punct se află la masă.

RC RC

Vod Vod

2 2
B C C B

Vbe1 gmVbe1 gmVbe2 Vbe2

r1 E E r2
Vid RE Vid

2 2
Figura 10.16
Aplicând acum teorema bisecţiunii, câştigul pe mod diferenţial se poate calcula analizând doar o parte
a circuitului. Acest circuit simplificat este denumit semicircuitul pe mod diferenţial, fiind foarte util în
analiza funcţionării etajelor diferenţiale.
Iid B C

Vid Vod
r1 Vbe1 gmVbe1 RC
2 2
E
Figura 10.17
Definind amplificare pe mod diferenţial
Vod
Add  (10.53)
Vid
Calculul urmeză asfel:
Vod
  g mVbe RC (10.54)
2
dar:
Vid
Vbe  (10.55)
2id
Din (10.53) şi (10.54) se obţine:
Vod V
  g m RC id (10.55)
2 2
Ca atare amplificarea pe mod diferenţial devine:

27
 Add   g m RC (10.56)

11) Amplificatoare de semnal mare: clase de funcționare.

Din punctul de vedere al principiului de funcţionare, literatura de specialitate prezintă o clasificare –
de altfel foarte uzuală – funcţie de clasa de funcţionare Din acest punct de vedere, cele mai cunoscute
sunt:
 etaje clasă A;
 etaje clasă AB;
 etaje clasă B;
 etaje clasă C;
 etaje clasă D.
Clasa de funcţionare este determinată de poziţia punctului static de funcţionare şi nivelul semnalului.
Astfel:
clasă A - elementul activ (tranzistorul) conduce pe durata întregii perioade; se spune că unghiul de
conducţie este 3600; figura 10.18 pune în evidenţă acest lucru.
Semnal Valoare continuã (P.S.F).

 Unghi de conducţie
conducþie
Figura 10.18
clasă AB - unghiul de conducţie este mai mare de 1800 şi mai mic decât 3600; figura 10.19 exemplifică
acastă situaţie.
Semnal Valoare continuã (P.S.F).

 Unghi de conducţie
conducþie
Figura 10.19
Clasă B; unghiul de conducţie este 1800; figura 10.20 exemplifică această situaţie.

Semnal

 Unghi de conducţie
continuã
Figura 10.20
Clasă C: unghiul de conducţie este mai mic decât 1800; figura 10.21 exemplifică acastă situaţie.
Semnal

 Unghi de conducţie

Figura 10.21

28
Clasă D elementul activ lucrează în regim de comutaţie; acest tip de amplificator nu face obiectul
prezentei lucrări.

12) Reacția în amplificatoare. Expresia amplificării cu reacție negativă. Imbunătățirea

parametrilor amplificatoarelor prin utilizarea reacției negative
Structura generală a unui amplificator cu reacţie este prezentată în figura 10.32
unde:
Xi semnal de intrare;
Xo semnal de ieşire;
X semnal de eroare;
Xf semnal de reacţie;
A funcţia de transfer a amplificatorului cu reacţie;
a funcţia de transfer a amplificatorului de bază;
f funcţia de transfer a reţelei de reacţie;
∑ sumator.
Se observă că:
Xo
a (10.84)
X
şi
Xf
f  (10.85)
Xo
circuitul sumator realizează funcţia
X=Xi+Xf (10.86)
iar
Xo
A (10.87)
Xi
Împărţind relaţia (10.86) prin X0 se obţine:
X Xi X f
  (10.88)
Xo Xo Xo
Ţinând cont de definiţiile (10.84), (10.85) şi (10.87), (10.88) se rescrie:
1 1
  f (10.89)
a A
Rezultă imediat:
a
A (10.90)
1  af
Reacţia negativă, definită de:
Aa (10.93)
sau
1  af  1 (10.94)
În amplificatoare se foloseşte în mod exclusiv reacţia negativă. Reacţia pozitivă este caracteristică
oscilatoarelor. Trebuie de asemenea adăugat că:
T  af (10.95)
reprezintă “transmisia pe buclă“. Dacă:

29
 T>>1 (10.96)
caz suficient de des întâlnit în practică, (10.90) devine:
1
A (10.97)
f
b) Avantajele folosirii reacţiei negative la amplificatoarele electronice.
Utilizarea reacţiei negative în amplifcatoare are următoarele efecte benifice:
 Desensibilizarea amplificatorului cu reacţie; reacţia negativă reduce în mod semnificativ
efectul temperaturii, dispersiei parametrilor sau al îmbătrânirii asupra amplificatorului cu
reacţie.
 Îmbunătăţirea raportului semnal zgomot
 Reducerea distorsiunilor neliniare.
 Creşterea benzii de trecere.
 Modificarea impedanţelorde intrare
 Modificarea impedanţelor de ieşire

13) Topologii de reacție negativă. Caracteristici generale

I.) Serie-paralel. Se mai numeşte reacţie de tensiune-serie. Culege informaţie de tensiune iar
răspunsul este în tensiune (fig.10.33)
Vi Vf V Vo

+
av
RL
-

fv

Figura 10.33
Identificând principalele mărimi electrice prin raportarea acestei scheme la schema din figura 10.32
obţine:
 mărimea de intrare Xin=Vin tensiune
 mărimea de ieşire Xo=Vo tensiune
 semnalul de reacţie Xf=Vf tensiune
 semnalul de eroare. X=V tensiune
Rezultă imediat:
 Funcţia de transfer a amplificatorului de bază este:
Vo
av  (10.98)
Vin
şi este reprezentată de amplificarea în tensiune.
 Funcţia de transfer a căii de reacţie este:
Vf
fv  (10.99)
Vo
şi este reprezentată tot de amplificarea în tensiune.
 Amplificarea amplificatorului cu reacţie se obţine prin aplicarea formulei (10.90) este:
av
Av  (10.100)
1  f v av
Exemplu de aplicare al teoriei.

30
Exemplul tipic este reprezentat de circuitul din figura 10.34 Reacţia este asigurată de reţeaua rezistivă
RE, RF
RS
T2
T1
RC RF
+ +
ES Et
RE Vr
- RF -
RL
RE

Figura 10.34 Figura 10.35

Calculul funcţiei de transfer pentru circuitul f se realizează cu ajutorul circuitului din figura 10.35.
Prin simplă inspecţie rezultă:
RE
Vr  Et (10.101)
RE  RF
Vr RE
fz   (10.102)
Et RE  RF
În aceste condiţii calculul funcţiei de transfer pentru amplificatorul cu reacţie se reduce la:
1 1 R
Av    F (10.103)
fv RE RE
RE  RF
II.) Paralel-paralel. Se mai numeşte reacţie de tensiune paralel (fig.10.36) Culege informaţie de
tensiune iar răspunsul este în curent.
Ii If I Vo

+
az
RL
-

fy

Figura 10.36
Schema bloc este prezentată în figura 10.36. Prin identificarea principalelor mărimi electrice se obţine:
 mărimea de intrare Xin=Iin curent
 mărimea de ieşire Xo=Vo tensiune
 semnalul de reacţie Xf=If curent
 semnalul de eroare. X=I curent
Rezultă imediat:
 Funcţia de transfer a amplificatorului de bază este:
Vo
az  (10.104)
I in
şi este reprezentată de o transrezistenţă.
 Funcţia de transfer a căii de reacţie este:
If
fy  (10.105)
Vo
şi este reprezentată de o transconductanţă.
 Amplificarea amplificatorului cu reacţie se obţine prin aplicarea formulei (5.8) şi este tot o
transrezistenţă:

31
 az
Az  (10.106)
1  f y az
Exemplu de aplicare a teoriei. Fie circuitul din figura 10.37.
RF
RF
+
T3
T2 Vt Ir
T1
-
IS RS RC1 RC2 RL

Figura 10.37 Figura 10.38

Reacţia este asigurată de rezistorul RF. Circuitul f este reprezentat în figura 10.38. Prin simplă
inspecţie rezultă:
Ir 1
fy   (10.107)
Vt RF
În aceste condiţii amplificarea amplificatorului cu reacţie devine:
1
Az    RF (10.108)
f
III.) Paralel-serie. Se mai numeşte reacţie de curent paralel (fig. 10.39) Culege informaţie de curent
iar răspunsul este în curent.
Ii If I Io

+
aI
RL
-

fI

Figura 10.39
Identificând principalele mărimi electrice prin raportarea acestei scheme la schema din figura 10.32. se
obţine:
 mărimea de intrare Xi=Ii curent
 mărimea de ieşire Xo=Io curent
 semnalul de reacţie Xf=If curent
 semnalul de eroare. X=I curent
Rezultă imediat:
 Funcţia de transfer a amplificatorului de bază este:
Io
ai  (10.109)
Ii
şi este reprezentată de amplificarea în curent.
 Funcţia de transfer a căii de reacţie este:
If
fi  (10.110)
Io
şi este reprezentată de tot de amplificarea în curent.
 Amplificarea amplificatorului cu reacţie se obţine prin aplicarea formulei (10.90) şi este tot
amplificare în curent:
ai
Ai  (10.111)
1 fi a i

32
Exemplu de aplicare a teoriei Circuitul tipic este prezentat în figura 10.40. Reacţia este asigurată de
reţeaua rezistivă RE, RF.(figura 10.41).
RF

RF
T2
T1

IS It RE Ir
RS RC RE RL

Figura 10.40 Figura 10.41

Prin simplă inspecţie rezultă:
RE
I r   It (10.112)
RE  RF
Ir RE
fi   (10.113)
It RE  RF
În aceste condiţii, amplificarea în curent a amplificatorului cu reacţie devine:
1 1 R
Ai    F (10.114)
fi RE RE
RE  RF
IV.) Serie-serie. Se mai numeşte reacţie de curent serie. Schema bloc a unui amplificator cu reacţie
serie-serie este prezentată în figura 10.42 Se obsev că reacţia culege informaţie în curent iar răspunsul
este în tensiune.
Vi Vf V Io

+
ay
RL
-

fz

Figura 10.42

Prin identificare se observă că:

 mărimea de intrare Xi=Vi tensiune
 mărimea de ieşire Xo=Io curent
 semnalul de reacţie Xf=Vf tensiune
 semnalul de eroare. X=V tensiune
Rezultă imediat:
 Funcţia de transfer a amplificatorului de bază este:
Io
ay  (10.115)
V
şi este reprezentată de o transadmitanţă.
 Funcţia de transfer a căii de reacţie este:
Vf
fz  (10.116)
Io
şi este reprezentată de o transimpedanţă.
 Amplificarea amplificatorului cu reacţie are expresia:
ay
Ay  (10.117)
1 fz a y

33
 T3
RS
T2
T1
RC1 RC2 RL

+
ES RF
It
RE2 RE1 vr
- RF
RE1 RE2

Figura 10.43 Figura 10.44

Exemplu de aplicare a teoriei. Circuitul tipic este prezentat în figura 10.43
Reacţia este asigurată de reţeaua rezistivă RE1, RF.RE2.(figura 10.44).Prin simplă inspecţie rezultă:

 
Vr  I t RE 2 RF  RE1 R R R
E1
E1

F
(10.118)

 R R  R 
V R
fz  r E1
(10.119)
R R
E2 F E1
I t E1 F

Funcţia de transfer pentru amplificatorul cu reacţie devine:

1 1 1 RF
Ay    
R R R R R
(10.120)
f R RE1RE2
E2 F  RE1 E1
RE2 E1
E1 F RF

14) Oscilatoare armonice: definiții, principiul de funcționare, clasificare, parametrii

caracteristici ai nunui oscilator.
Clasificări
Fiind generatoare de semnal sinusoidal principalele caracteristici ale unui oscilator armonic sunt
legate de caracterizarea semnalului produs şi anume:
 frecvenţa de oscilaţie
 amplitudinea de oscilaţie;
 condiţia de oscilaţie;
 conţinutul de armonici (gradul de distorsiuni);
 stabilitatea amplitudinii;
 stabilitatea frecvenţei.
Aceste caracteristici impun şi principalele probleme care se pun în studiul oscilatoarelor, şi anume:
1. stabilirea condiţiei de amorsare a oscilaţiilor;
2. calculul frecvenţei de oscilaţie
3. calculul amplitudinii de oscilaţie;
4. calculul factorului de distorsiuni;
Principalele clase de oscilatoare sunt definite de:
 tipul de elemente reactive conţinute în structură;
 domeniul de lucru.
Din punctul de vedere al construcţiei, oscilatoarele armonice conţin în structura lor:
 elemente active (cele care asigură conversia puterii) - stabilesc ampli-tudinea oscilaţiilor;
aceasta se explică prin apariţia fenomenului de limitare datorat neliniarităţilor caracteristice;
 elemente reactive – stabilesc frecvenţa de oscilaţie
Astfel funcţie de:
 tipul de elemente reactive oscilatoarele se clasifică în:
 oscilatoare RC; reţeaua de reacţie cuprinde rezistoare şi capacitoare
 oscilatoare LC. reţeaua de reacţie cuprinde rezistoare şi bobine

34
  domeniul de lucru se subîmpart în
 oscilatoare de audiofrecvenţă; lucrează din domeniul hertzilor până în cel al sutelor de
kilohertzi;
 oscilatoare de radiofrecvenţă; lucrează din sutelor de kilohertzi până în cel al sutelor de
megahertzi;
 oscilatoare de microunde; peste un gigahertz.
Principiul de funcţionare. Relaţia lui Barkhausen
Figura 12.1 prezintă schema generală a unui oscilator constituit dintr-un amplificator cu reacţie
pozitivă.
Xi  0 X Xo

+
 a
Xf +

f
Figura 12.1
Notaţiile sunt cele folosite şi în cazul amplificatoatelor:
Xi semnal de intrare;
Xo semnal de ieşire;
X semnal de eroare;
Xf semnal de reacţie.
S-au folosit notaţii fazoriale întrucât semnalul este sinusoidal. Schema bloc prezentată este
asemănătoare celei prezentate la studiul reacţiei în amplificatoare, totuşi există două deosebiri
esenţiale:
 semnalul de reacţie nu mai este defazat de reţeaua de reacţie cu 1800;
 semnalul de intrare este zero.
În aceste condiţii se formulează următoarea problemă:
Ce condiţii trebuie să îndeplinească amplificatorul şi reţeaua cu reacţie pentru a exista semnal de
ieşire, adică:
X o 0 (12.1)
dacă nu există semnal de intrare:
X i =0 (12.2)
Observând că factorul de transfer al amplificatorului cu reacţie are expresia:
Xo
A (12.3)
Xi
se poate deduce că existenţa semnalului de ieşire în absenţa semnalului de intrare implică condiţia:
A  (12.4)
În această situaţie problema de mai sus se reformulează astfel:
Să se determine condiţiile pe care trebuie să le îndeplinească amplificatorul de bază şi reţeaua de
reacţie pentru a îndeplini condiţia (12.4)
Soluţia problemei se obţine prin calcularea amplificării globale a amplificatorului cu reacţie şi
determinarea condiţiilor în care este satisfăcută relaţia (12.4). Fie:

35
 Xo
a (12.5)
X
factorul de transfer al amplificatorului de bază, şi
Xf
f  (12.6)
Xi
factorul de transfer al amplificatorului cu reacţie. Prin inspecţia schemei bloc din figura 12.1 se
deduce:
X   X i  X f (12.7)
Ţinând cont de definiţiile (12.3), (12.5), (12.6) se ajunge la:
a
A (12.8)
1 a f
Aplicarea condiţiei (12.4) asupra relaţiei (12.8) conduce la condiţia:
a f 1 (12.9)
denumită relaţia lui Barkhausen. Relaţia se poate scrie şi pe componente. Notând:
a  a exp  j a  (12.10)

f  f exp  j f  (12.11)
relaţia lui Barkhausen devine:
a f 1 (12.12)

 a   f  2k k Z (12.13)
Relaţia (12.12) se mai numeşte condiţia de amplitudine, iar relaţia (12.13) condiţia de fază. În cazuri
concrete (12.12) permite determinarea condiţiei de amorsare a oscilaţiei, adică valoarea minimă a
amplificării amplificatorului de bază pentru a exista oscilaţii. Relaţia (12.13) permite calcului
frecvenţei de oscilaţie. În situaţii practice factorul de transfer " a " este real, revenind integral reţelei de
reacţie sarcina de a asigura defazajul corespunzător pe bucla de reacţie.
Pe de altă parte, analiza relaţiilor (9.12) şi (9.13) pune în evidenţă un aspect semnificativ şi anume că
prin parcurgerea buclei amplitudinea şi faza semnalului trebuie să se reproducă. Amintind că singurul
semnal care are proprietatea de a-şi reproduce forma după parcurgerea unui circuit liniar reactiv este
semnalul sinusoidal, apare evident motivul pentru care circuitul generează semnal sinusoidal.

15) Stabilizatoare de tensiune continuă cu reacție: definiții, parametrii caracteristici,

clasificare. Specificați rolul elementelor din schema de mai jos.
T2 iO
R4

R3 R2
T1 RL
vO
+vRED

Dz R1

Stabilizatorul de tensiune este un circuit care asigură la ieşire o tensiune independentă de:
 tensiunea de alimentare;

36
  curentul de ieşire;
 temperatură.
Figura 11.1 prezintă modul de definire a principalelor mărimi electrice utilizate în studiul
stabilizatoarelor.
iRED iL
Stabilizator
vRED de vL RL
E
tensiune

Figura 11.1

unde:
vRED, iRED=tensiunea şi curentul de alimentare a stabilizatorului. Indicele "RED" semnifică faptul
că aceste mărimi sunt culese de la ieşirea unui redresor (valori instantanee totale);
vL, iL=tensiunea şi curentul debitate de stabilizator valori instantanee totale);
RL=consumatorul (sarcina).
Ţinând cont de notaţiile introduse în figura 11.1, se poate scrie:
vL=vL(vRED,iL,T) (11.1)
unde T este temperatura.
Pornind de la relaţia 11.1 se pot defini, în condiţii de semnal mic, următorii parametrii pentru
caracterizarea stabilizatoarelor de tensiune:
a.) coeficient de stabilizare,
1 1
S  (11.2)
 vL 
 
 vRED  PSF Vl
I L  const
Vred
T  const

b.) rezistenţă de ieşire

vL Vl
ro    (11.3)
iL PSF Il V RED  const

T  const

c.) coeficient de stabilizare termică

vL Vl
ST   (11.4)
T PSF T V RED  const

I L  const

Clasificări uzuale ale stabilizatoarelor. Există mai multe criterii de clasificare a stabilizatoarelor. Se
vor prezenta numai trei dintre ele şi anume:
 după principiul de funcţionare;
 după mărimea electrică comandată;
 după alura caracteristicii externe.
1. După principiul de funcţionare stabilizatoarele se împart in:
 parametrice; funcţionarea lor se bazează pe neliniaritatea caracteristicii curent-tensiune a unui
dispozitiv electronic (de obicei diodă Zener)

37
 cu reacţie; funcţia de stabilizare este realizată prin intermediul unei reacţii negative; această
clasă de stabilizatoare, de altfel cea mai răspândită, se împarte în alte două subclase:
 subclasa stabilizatoarelor în comutaţie; cele în care dispozitivele active lucrează în
comutaţie
 subclasa stabilizatoarelor analogice; cele în care dispozitivele active lucrează în regim
activ normal; în principiu ele lucrează în regim liniar.
2. După mărimea electrică comandată există de asemenea două subclase:
 stabilizatoare serie, stabilizatoare care sunt conectate în serie cu sarcina. Figura 11.2 prezintă
o asemenea situaţie. Se poate observa că stabilizatorul a fost reprezentat ca o rezistenţă

Stabilizator
RV de tensiune
iRED

vRED vL RL

Figura 11.2

variabilă. Din acest punct de vedere întreg ansamblul se comportă ca un divizor de tensiune,
rezistenţa variabilă fiind astfel comandată, încât tensiunea pe sarcină să rămână constantă.
 stabilizatoare paralel, stabilizatoare care sunt conectate în paralel cu sarcina. În figura 11.3 se
prezintă schema de conectare a unui asemenea stabilizator. De această dată întreg ansamblul
se comportă ca un divizor de curent, aceasta explicând necesitatea introducerii rezistenţei de
balast RB
3. După alura caracteristicii externe a redresorului.
Stabilizator
de tensiune
RB
iRED iL

vRED RV vL RL

Figura 11.3

Caracteristica externă a unui redresor reprezintă legătura funcţională:

VL=VL(IL) (11.5)
unde:
VL componenta continuă a tensiunii de ieşire;
IL componenta continuă a curentului de ieşire;
Figura 11.4.4 prezintă reprezentarea grafică a relaţiei (11.5). Se poate constata că în cazul
redresorului ideal de tensiune caracteristica are pantă zero. Observând că valoarea pantei
reprezintă tocmai valoarea rezistenţei de ieşire:
VL
ro  (11.6)
I L
se poate deduce o metodă utilă pentru măsura rezistenţei de ieşire.

38
 Stabilizator ideal Stabilizator real
de tensiune VL de tensiune

VL

IL
IL

Figura 11.4

Revenind la analiza caracteristicii de ieşire trebuie menţionat că in situaţii reale curentul

debitat de stabilizator este limitat fizic la o anumită valoare. Există mai multe metode pentru
realizarea acestui lucru. Din acest punct de vedere există de asemenea două subclase, şi
anume:
 stabilizator cu limitare la o valoare fixă a curentului de ieşire (figura 11.5); se poate
Stabilizator ideal Stabilizator real
de tensiune VL de tensiune

IL

ICOT ISCURTCIRCUIT

Figura 11.5
constata că până la valoarea ICOT stabilizatorul se comportă ca o sursă de tensiune; este de
dorit ca:
ICOT=ISCURCIRCUIT (11.7)
stabilizator cu limitare prin întoarcere a curentului de ieşire (figura11.6)

VL

IL

ISCURTCIRCUIT ICOT

Figura 11.6

rolul elementelor este uşor identificabil din figură. Se poate constata că sursa de referinţă este în fapt
un stabilizator parametric (Dz şi R3) iar amplificatorul de eroare este în principiu un etaj cu sarcină
distribuită. (rezistenţa dinamică rz a diodei Zener reprezintă sarcina din emitor, iar R4 şi T2 sarcina din
colector).

39