Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Gheorghe PANĂ
DISPOZITIVE ELECTRONICE ŞI
CIRCUITE – 1
Mini-culegere de probleme rezolvate
2016 - 2017
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
Cuprins
Page 2 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
I. PROBLEME CU DIODE
P1. Dioda din fig. D1 se caraczerizează prin curent invers de saturaţie, IS=7nA şi factor de
idealitate, n=1,6. Se cer:
a) Schema echivalentă de c.c. considerând condensatoarele gol;
b) PSF-ul diodei;
c) Schema echivalentă de c.a. (de semnal mic);
d) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic
R1
2k
V2
0.3Vac C1 C2
D1
V1
R2 R3
10Vdc 2k 2k
0
Fig. D1.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D1-1)
R1
2k
IA
D1
V1
VA
10Vdc
0
Fig. D1-1.
V 10V
b) VA 0 I A 1 5mA
R1 2k
IA 5 103
VA nVT ln 1 1,6 0,026 ln 9
1 0,56V
S
I 7 10
V1 VA 10 0,56
IA 4,72mA
R1 2k
I 4,72mA
PSF A
VA 0,56V
c) Schema echivalentă de c.a. (fig. D1-2)
R1
2k
V2
1Vac
rd
R2 R3
2k 2k
0
Fig. D1-2.
Page 3 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
P2. Dioda din fig. D2 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=2µA şi factor de
idealitate, n=1,5. Se cer:
a) Schema echivalentă de c.c. considerând condensatoarele gol;
b) PSF-ul diodei;
c) Schema echivalentă de c.a. (de semnal mic);
d) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic.
C1
R1 R2
1k 1k
V2 C2
0.5Vac
D1
V1
20Vdc R3
1k
0
Fig. D2.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D2-1)
R1 R2
1k 1k
IA
D1
V1
20Vdc
VA
0
Fig. D2-1.
V1 20V
b) VA 0 I A 10mA
R1 R2 1k 1k
I 10 103
VA nVT ln A 1 1,5 0,026 ln 6
1 0,33V
IS 2 10
V VA 20 0,33
IA 1 9,83mA
R1 R2 2k
I 9,83mA
PSF A
VA 0,33V
c) Schema echivalentă de c.a. (fig. D2-2)
Page 4 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R1
1k
V2
0.5Vac
rd
R3
1k
0
Fig. D2-2.
nVT 1,5 0,026
d) rd 3,96
IA 0,00983
3,96 1000
rd R3 3,94
1003,96
rd R3 3,94
Va ,max V2 0,5 1,96mV 2,6mV
R1 rd R3 1003,94
P3. Dioda din fig. D3 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=10nA şi factor de
idealitate, n=1,7. Se cer:
a) PSF-ul diodei;
b) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic;
c) Să se determine relaţia totală a curentului prin diodă în caz de semnal sinusoidal.
R1
2k
V2
0.5Vac D1
V1
25Vdc R2 C1
3k
0
Fig. D3.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D3-1)
R1 IA
2k
D1
VA
V1
25Vdc R2
3k
0
Fig. D3-1.
V1 25V
VA 0 I A 5mA
R1 R2 2k 3k
I 5 103
VA nVT ln A 1 1,7 0,026 ln 9
1 0,58V
IS 10 10
V VA 25 0,58
IA 1 4,88mA
R1 R2 5k
Page 5 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
I 4,88mA
PSF A
VA 0,58V
2k
V2
0.5Vac rd
0
Fig. D3-2.
nV 1,7 0,026
rd T 9
IA 0,00488
rd 9
Va ,max V2 0,5V 2,24mV
R1 rd 2009
c)
V 2,24mV
I a ,max a ,max 0,25mA
rd 9
iA I A I a,max sin t 4,88 0,25 sin t mA
P4. Dioda din fig. D4 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=12nA şi factor de
idealitate, n=1,8. Se cer:
a) PSF-ul diodei;
b) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic;
c) Scrieţi relaţia tensiunii totale de pe diodă.
R1
V2 5k
0.4Vac
R2 D1
V1 5k
15Vdc
0
Fig. D4.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D4-1)
R1
5k
IA
R2 D1
V1 5k
15Vdc
VA
0
Fig. D4-1.
Thevenin în c.c.
Page 6 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R2 V
VTh1 V1 1 7,5V ; RTh R1 R2 2,5k
R1 R2 2
V 7,5V
VA 0 I A Th1 3mA
RTh 2,5k
I 3 103
VA nVT ln A 1 1,8 0,026 ln 9
1 0,58V
IS 12 10
V V 7,5 0,58
I A Th1 A 2,77mA
RTh 2,5k
I 2,77mA
PSF A
VA 0,58V
b) Schema echivalentă de c.a. (fig. D4-2)
R1
V2 5k
0.4Vac
rd
R2
5k
0
Fig. D4-2.
nVT 1,8 0,026
rd 16,9
IA 0,00277
Thevenin în c.a.
R2 V
VTh 2 V2 2 0,2V ; RTh R1 R2 2,5k
R1 R2 2
rd 16,9
Va ,max VTh 2 0,2V 1,34mV
RTh rd 2516,9
c) vA VA Va,max sin t 0,58 0,00134 sin t V
P5. Dioda din fig. D5 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=5µA şi factor de
idealitate, n=1,3. Se cer:
a) PSF-ul diodei;
b) Ce amplitudine trebuie să aibă tensiunea furnizată de generator pentru ca, la limită, să se
îndeplinească condiţia de semnal mic pe diodă?
R1
1k
V2 R2
1k
D1
V1
18Vdc R3 C1
1k
0
Fig. D5.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D5-1)
Page 7 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R1
1k
R2 IA
1k
D1
V1
18Vdc R3 VA
1k
0
Fig. D5-1.
Thevenin în c.c.
R2 R3
V1 18 12V ; RTh1 R1 R2 R3 0,67k
2 2
VTh1
R1 R2 R3 3 3
V 12V
VA 0 I A Th1 17,9mA
RTh1 0,67k
I 17,9 103
VA nVT ln A 1 1,3 0,026 ln 6
1 0,27V
IS 5 10
V VA 12 0,27
I A Th1 17,5mA
RTh1 0,67k
I 17,5mA
PSF A
VA 0,27V
b) Schema echivalentă de c.a. (fig. D5-2)
R1
1k
V2 R2
1k
rd
0
Fig. D5-2.
nV 1,3 0,026
rd T 1,9
IA 0,0175
Thevenin în c.a.
R2 V
VTh 2 V2 2 ; RTh 2 R1 R2 0,5k
R1 R2 2
rd rd V2 VT
Va ,max VTh 2
RTh 2 rd RTh 2 rd 2 10
2RTh 2 rd 2 501,9
V2 VT 0,026 1,37V
10rd 19
P6. Dioda din fig. D6 se caracterizează în PSF prin VA=0,62V şi are n=2. Se cer:
a) Să se determine dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de
semnal mic. Condensatorul se consideră scurtcircuit în c.a. (la semnal mic).
b) Care este relaţia tensiunii totale de pe diodă în caz de semnal sinusoidal.
Page 8 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R1
V2 10k
0.6Vac C1
R2 D1
V1 10k
10Vdc R3
1k
0
Fig. D6.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D6-1)
R1
10k
IA
R2 D1
V1 10k
10Vdc
VA
0
Fig. D6-1.
Thevenin în c.c.
R2 1
VTh1 V1 10 5V ; RTh1 R1 R2 5k
R1 R2 2
V VA 5 0,62
I A Th1 0,87mA
RTh1 5k
I 0,87mA
PSF A
VA 0,62V
Schema echivalentă de c.a. (fig. D6-2)
R1
V2 10k
0.6Vac
rd
R2
10k
R3
1k
0
Fig. D6-2.
nVT 2 0,026
rd 59,8
IA 0,00087
Thevenin în c.a.
R2
VTh 2 V2 0,3V ; RTh 2 R1 R2 5k
R1 R2
rd R3 56,4
Va ,max VTh 2 0,3 3,34mV
RTh 2 rd R3 5056,4
59,8 1000
rd R3 56,4
1059,8
b) vA VA Va,max sin t 0,62 0,00334 sin t V
P7. Dioda din fig. D7 se caracterizează în PSF prin IA=1mA, VA=0,5V şi are n=1,6. Se cer:
Page 9 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
10k
V2 R2 C2
0.6Vac 5k
D1
V1
R3 C1 R4
5k 2k
0
Fig. D7.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D7-1)
R1
10k
R2 IA=1mA
5k
D1
V1
R3 VA=0,5V
5k
0
Fig. D7-1.
Thevenin în c.c.
R2 R3
V1 1 ; RTh1 R1 R2 R3 5k
V
VTh1
R1 R2 R3 2
10k
V2 R2
0.6Vac 5k
rd
R4
2k
0
Fig. D7-2.
nVT 1,6 0,026
rd 41,6
IA 0,001
Thevenin în c.a.
R2 V 5 10
VTh 2 V2 2 0,2V ; RTh 2 R1 R2 3,33k
R1 R2 3 15
rd R4 40,7
Va ,max VTh 2 0,2 2,41mV
RTh 2 rd R4 3370,7
41,6 2000
rd R4 40,7
2041,6
Page 10 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
P8. Dioda din fig. D8 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=14nA şi factor de
idealitate, n=1,8. Se cer:
a) PSF-ul diodei;
b) Determinaţi relaţia curentului total prin diodă în caz de semnal sinusoidal;
c) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic.
R1
V2 10k
0.5Vac D1
R2
V1 10k
24Vdc R3 C1
1k
0
Fig. D8.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D8-1)
R1 IA
10k
D1
R2 VA
V1 10k
24Vdc R3
1k
0
Fig. D8-1.
Thevenin în c.c.
R2 1
VTh1 V1 24 12V ; RTh1 R1 R2 5k
R1 R2 2
VTh1 12V
VA 0 I A 2mA
RTh1 R3 6k
I 2 103
VA nVT ln A 1 1,8 0,026 ln 9
1 0,55V
IS 14 10
V V 12 0,55
I A Th1 A 1,9mA
RTh1 R3 6k
I 1,9mA
PSF A
VA 0,55V
b) Schema echivalentă de c.a. (fig. D8-2)
R1
V2 10k
0.5Vac
rd
R2
10k
0
Fig. D8-2.
Page 11 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
P9. Dioda din fig. D9 se caracterizează prin curent invers de saturaţie, IS=4nA şi factor de idealitate,
n=1,7. Se cer:
a) PSF-ul diodei;
b) Determinaţi relaţia curentului total prin diodă şi a tensiunii totale de pe diodă în caz de
semnal sinusoidal;
c) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe diodă, Va,max îndeplineşte condiţia de semnal
mic.
R24
V17 C11
D9
V18 R25
R26
C12
0
Fig. D9.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D9-1)
R1 IA
5k
D1
VA
V1
18Vdc R3
1k
0
Fig. D9-1.
V1 18V
VA 0 I A 3mA
R1 R3 6k
I 3 103
VA nVT ln A 1 1,7 0,026 ln 9
1 0,6V
I S 4 10
V VA 18 0,6
IA 1 2,9mA
R1 R3 6k
Page 12 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
I 2,9mA
PSF A
VA 0,6V
b) Schema echivalentă de c.a. (fig. D9-2)
R1
5k
V2
0.4Vac
rd
R2
5k
0
Fig. D9-2.
nVT 1,7 0,026
rd 15,2
IA 0,0029
Thevenin în c.a.
R2 V
VTh 2 V2 2 0,2V ; RTh 2 R1 R2 2,5k
R1 R2 2
rd 15,2
Va ,max VTh 2 0,2 1,2mV
RTh 2 rd 2515,2
V 1,2mV
I a ,max a ,max 0,08mA
rd 15,2
vA VA Va,max sin t 0,6 0,0012 sin t V
iA I A I a,max sin t 2,9 0,08 sin t mA
c) 1,2mV 2,6mV
P10. În circuitul din fig. D10, dioda D1 se caracterizează prin VZ=5V şi I Z 1...5mA iar D2 prin
IS=8nA şi n=1,7. Se cer:
a) Precizaţi cum sunt polarizate diodele;
b) Determinaţi PSF-urile diodelor;
c) Să se verifice dacă amplitudinea tensiunii de pe dioda D2, Va,max, îndeplineşte condiţia de
semnal mic.
R1 R2 C1 R3
5k V1 3k 10k
V2
D1 15Vdc 1Vac
D2
0
Fig. D10.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. D10-1)
R1 R2
5k V1 3k
IZ IA2
D1 15Vdc
VZ D2 VA2
0
Fig. D10-1.
Page 13 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
D1 este polarizată invers deoarece plusul sursei V1 este legat la catodul diodei iar D2 este poalrizată
direct deoarece plusul sursei V1 este lagat la anodul diodei.
V V 15 5
b) I Z 1 Z 2mA ; 2mA 1...5mA
R1 5k
I I Z 2mA
PSF D1 A1
VA1 VZ 5V
D2:
V 15V
VA 2 0 I A 2 1 5mA
R2 3k
I 5 103
VA2 nVT ln A2 1 1,7 0,026 ln 9
1 0,59V
IS 8 10
V V 15 0,59
I A2 1 A2 4,8mA
R2 3k
I 4,8mA
PSF D 2 A2
VA2 0,59V
c) Schema echivalentă de c.a. (fig. D10-2)
R2 R3
3k 10k
V2
rd 1Vac
0
Fig. D10-2.
nV 1,7 0,026
rd 2 T 9,2
I A2 0,0048
rd 2 R2 9,17
Va ,max V2 1V 0,92mV
R3 rd 2 R2 10009,17
9,2 3000
rd 2 R2 9,17
3009,2
P11. Dioda zener din fig. D11 se caracterizează prin VZ=5V pentru IZ=1...10mA şi rezistenţa
dinamică (de semnal mic) rz=15. Dioda D2 are parametrii: curent de saturaţie IS=2,7nA şi factor
de idealitate n=1,8. Să se determine:
a) Valoarea curentului prin R1;
b) PSF-ul diodei D2;
c) Dacă amplitudinea semnalului alternativ de la bornele diodei D2 satisface condiţia de semnal
mic.
IR1 R1 R2 R3 C1
1k 5k 20k
IA2 100uF
V1 V2
10V D1 D2 0.2V
VA2
Vz
0 0 0 0
Fig. D11.
Rezolvare
Page 14 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
IR1 R1 R2
1k 5k
IA2
V1
10V D1 D2
VA2
Vz
0 0 0
Fig. D11-1.
V1 VZ 10 5
I R1 5mA
R1 1k
b) Dioda D2 este alimentată de la VZ=5V prin R2. Paşii necesari pentru calculul iterativ a PSF-ului
conduc la următoarele relaţii:
V 5V
VA 2 0 I A 2 Z 1mA
R2 5k
I 103
VA2 nVT ln A2 1 1,8 0,026 ln 9
1 0,6V
IS 2,7 10
V VA2 5 0,6
I A2 Z 0,88mA
R2 5k
Metoda fiind puternic convergentă, se poate considera că PSF-ul diodei D2 se caracterizează prin:
I 0,88mA
PSFD 2 A2
VA2 0,6V
c) Pentru verificarea îndeplinirii condiţiei de semnal mic, se utilizează schema echivalentă de c.a.
din fig. D11-2. Pe această schemă, respectând regulile generale, sursa de c.c V1 şi condensatorul
C1 se înlocuiesc cu scurtcircuit. În loc de D1 se conectează rezistenţa dinamică a diodei şi anume
rz.
Rezistenţa dinamică a diodei D2 se determină cu relaţia:
nV 1,8 26mV
rd 2 T 53,2
I A2 0,88mA
Rech
R3
R1 R2
1k
5k 20k
V2
rz rd2 0.2Vac
15
0 0 0 0
Fig. D11-2.
0,015k 1k
Rech R2 rz R1 5k 5,0147k
1,015k
Amplitudinea semnalului alternativ de pe dioda D2 (modelată în c.a. cu ajutorul rezistenţei de
difuzie sau dinamice rd2) se determină cu ajutorul RDT aplicată între R3 şi Rech în paralel cu rd2:
rd 2 Rech 52,5
Va 2 V2 0,2 0,52mV
R3 rd 2 Rech 20052,5
Page 15 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
53,2 5014,7
rd 2 Rech 52,5
5067,9
Va 2, max 0,52mV 26mV VT , deci amplitudinea semnalului alternativ de la bornele diodei D2
satisface condiţia de semnal mic.
Page 16 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R1 C1 Q1 C2 0
in BC547A out
V2
1k
R2 R6
1k 10k
0 0 R3 0
18k
0
Fig. TB1
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. TB1-1)
V1 V1
R4 R5 R5
100k 5k 10Vdc 5k 10Vdc
IC
Q1 0 Q1
IE RTh IB
BC547A
VTh T II K
R2 BC547A VCE
1k VBE
VBE
IE
0 R3
18k T II K R2
1k
0
0
Fig. TB1-1.
Thevenin în c.c.
R3 18k 18 100
VTh V1 10V 1,52V ; RTh R3 R4 15,2k
R3 R4 118k 118
T II K pe ochiul de circuit care conţine VBE:
VTh RTh I B VBE R2 I E VTh VBE 1,52 0,66 0,86V
IB 4,2A
I E 1I B RTh 1R2 15,2k 186k 201,2k
IC I B 185 0,0042mA 0,78mA
I E I B IC 0,784mA
T II K pe ochiul de circuit care conţine VCE:
V1 R5 IC VCE R2 I E VCE V1 R5 IC R2 I E 10 5 0,78 1 0,784 5,31V
VBE 0,66V
I 4,2A
B
PSF
I C 0,78mA
VCE 5,31V
Page 17 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R3 R4 rpi R5 R6
18k 100k 5k 10k Vout
Bib
0 0 0 0
(B+1)ib
R1
in
V2
1k
R2
1k Vin
0 0
Fig. TB1-2.
185
rpi 5,93k
40 I C 40 0,78m
V
Av out
Vin
Vout ib R5 R6
5k 10k
R5 R6 3,33k
15k
18 100
R3 R4 15,2k
118
P2. Să se repete analiza din problema P1, dacă TB este de tipul pnp (fig. TB2) şi are parametrii:
VEB=0,72V şi β=92.
R4 R5 V1
100k 5k 10Vdc
R1 C1 Q1 C2 0
in Q2N2906 out
V2
1k
R2 R6
1k 10k
0 0 R3 0
20k
0
Fig. TB2.
Rezolvare
Page 18 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R4 R5 V1
100k 5k 10Vdc R5 10Vdc
5k
V2
Q1 0 Echivalare IC
Q2N2906 Q1
THEVENIN RTh IB
R2 VTh
1k Q2N2906 VCE T II K
VEB
0 R3 IE
20k
T II K R2
1k
0
0
Fig. TB2-1.
Thevenin în c.c.
R3 20k 20 100
VTh V1 10V 1,66V ; RTh R3 R4 16,67k
R3 R4 120k 120
T II K pe ochiul de circuit care conţine VBE:
VTh RTh I B VEB R2 I E VTh VEB 1,66 0,72 0,94V
IB 8,57 A
I E 1I B RTh 1R2 16,67k 93k 109,67k
I C I B 92 0,00857mA 0,79mA
I E I B I C 0,8mA
T II K pe ochiul de circuit care conţine VCE:
V1 R5 IC VEC R2 I E VEC V1 R5 IC R2 I E 10 5 0,79 1 0,8 5,25V
VBE 0,72V
I 8,57 A
B
PSF
I C 0,79mA
VCE 5,25V
R3 R4 rpi R5 R6
20k 100k 5k 10k Vout
Bib
0 0 0 0
(B+1)ib
R1
in
V2
1k
R2
1k Vin
0 0
Fig. TB2-2.
92
rpi 2,9k
40 I C 40 0,79m
V
Av out
Vin
Vout ib R5 R6
Page 19 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
5k 10k
R5 R6 3,33k
15k
20 100
R3 R4 16,67k
120
P3. TB din fig. TB3 se caracterizează în PSF prin tensiune bază-emitor, VBE=0,66V şi factor de
amplificare în curent, β=157. Se cer:
a) PSF-ul TB;
b) Conexiunea în care se află TB;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului. Condensatoarele reprezintă scurtcircuit.
V1
R2 R3
680k 3k 12V
C3
0
Q1
R1 C1
in
V2 1k
Q2N2222 C2
out
0 R4 R5
1k 10k
0 0
Fig. TB3.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. TB3-1)
V1
R2 R3
680k 3k 12V
IC
IB 0
Q1
VCE
VBE
IE
R4
1k
0
Fig. TB3-1.
V1 VBE
V1 R2 I B VBE R4 I E VBE I B R2 1R4 I B
R2 1R4
12 0,66
IB 13,5A
680k 158k
I C I B 157 0,0135mA 1,12mA
I E 1I B 158 0,0135mA 1,13mA
VCE V1 R3 I C R4 I E 12 3,36 1,13 7,51V
Page 20 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
VBE 0,66V
I 13,5A
B
PSF
I C 1,12mA
VCE 7,51V
V1
1k
R2 rpi Bib
Vin 680k
0
0 0
(B+1)ib
R4 R5
1k 10k Vout
0 0
Fig. TB3-2.
157
rpi 3,5k
40 I C 40 1,12m
V
Av out
Vin
Vout 1ib R4 R5
Vin rpiib 1ib R4 R5
1R4 R5 158 0,91k
Av 0,976
rpi 1R4 R5 3,5k 158 0,91k
110
R4 R5 0,91k
11
P4. Să se repete analiza din problema P3, dacă TB este de tipul pnp (fig. TB4) şi are parametrii:
VEB=0,74V şi β=68.
R2 R3 V1
330k 3k 12V
C3
0
Q1
R1 C1
in
V2 1k
Q2N2904A C2
out
0 R4 R5
1k 10k
0 0
Fig. TB4.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. TB4-1)
Page 21 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R2 R3 V1
330k 3k 12V
IC
0
Q1
IB
VEC
VEB
IE
R4
1k
0
Fig. TB4-1.
V1 VEB
V1 R2 I B VEB R4 I E VEB I B R2 1R4 I B
R2 1R4
12 0,74
IB 28,2A
330k 69k
I C I B 68 0,0282mA 1,92mA
I E 1I B 69 0,0282mA 1,94mA
VEC V1 R3 I C R4 I E 12 3,06 1,035 4,3V
VEB 0,74V
I 28,2 A
B
PSF
I C 1,92mA
VCE 4,3V
R1 ib
V1
1k
R2 rpi Bib
Vin 330k
0
0 0
(B+1)ib
R4 R5
1k 10k Vout
0 0
Fig. TB4-2.
68
rpi 0,88k
40 I C 40 1,92m
V
Av out
Vin
Vout 1ib R4 R5
Vin rpiib 1ib R4 R5
1R4 R5 69 0,91k
Av 0,986
rpi 1R4 R5 0,88k 69 0,91k
Page 22 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
110
R4 R5 0,91k
11
P5. TB din fig. TB5 se caracterizează în PSF prin tensiune bază-emitor, VBE=0,66V şi factor de
amplificare în curent, β=290. Se cer:
a) PSF-ul TB;
b) Conexiunea în care se află TB;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului. Condensatoarele reprezintă scurtcircuit.
V1
R2 R3 9V
2.7Meg 5k
C2
out
0
Q1
R1 C1 R6
in 10k
V2 1k
BC546B
0
R4
100
0
R5 C3
900
0 0
Fig. TB5.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c.
V1
R2 R3 9V
2.7Meg 5k
IB IC 0
Q1
VCE
BC546B
VBE
R4
100
IE
R5
900
0
Fig. TB5-1.
V1 VBE 12 0,66
IB 3,8A
R2 1R4 R5 2700k 291k
I C I B 290 0,0038mA 1,102mA
I E 1I B 1,106mA
VCE V1 R3 IC R4 R5 I E 9 5,53 1,106 2,36V
VBE 0,66V
I 3,8A
B
PSF
I C 1,102mA
VCE 2,36V
Page 23 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R1 ib
V2
1k
R2 rpi Bib R3 R6
Vin 2.7Meg 5k 10k Vout
0 0 0 0
(B+1)ib
R4
100
0
Fig. TB5-2.
290
rpi 6,58k
40 I C 40 1,102m
V
Av out
Vin
Vout ib R3 R6
Vin rpiib 1ib R4
R3 R6 290 3,33k
Av 27
rpi 1R4 6,58k 291 0,1k
5 10
R3 R6 3,33k
15
P6. Să se repete analiza din problema P5, dacă TB este de tipul pnp (fig. TB6) şi are parametrii:
VEB=0,72V şi β=220.
R2 R3 V1
2Meg 5k
C2 9V
out
0
Q1
R1 C1 R6
in 10k
V2 1k
Q2N2905
0
R4
0 100
R5 C3
900
0 0
Fig. TB6.
Rezolvare
V1 VEB 12 0,72
IB 3,9A
R2 1R4 R5 2700k 221k
Page 24 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
R2 R3 V1
2Meg 5k
9V
IC
0
Q1
IB
VEC
VEB Q2N2905
R4
100
IE
R5
900
0
Fig. TB6-1.
VBE 0,72V
I 3,9 A
B
PSF
I C 0,858mA
VCE 3,83V
b) TB se află în conexiune EC deoarce semnalul se aplică în bază şi se culege din colector.
V2
1k
R2 rpi Bib R3 R6
Vin 2.7Meg 5k 10k Vout
0 0 0 0
(B+1)ib
R4
100
0
Fig. TB6-2.
220
rpi 6,4k
40 I C 40 0,858m
V
Av out
Vin
Vout ib R3 R6
Vin rpiib 1ib R4
R3 R6 220 3,33k
Av 25,7
rpi 1R4 6,4k 221 0,1k
5 10
R3 R6 3,33k
15
P7. Tranzistoarele din circuitul reprezentat în fig. TB7 se caracterizează în PSF prin VBE=0,67V şi
factor de amplificare în curent, β=200. Să se determine:
a) Motivaţi în ce conexiune este fiecare tranzistor;
b) PSF-urile tranzistoarelor şi parametrii de semnal mic;
c) Amplificarea de semnal mic.
Page 25 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
V1
R1 R3 R5
1Meg 100k 5k 15V
C3 0
Q1 out
C1
in
10uF R7
10uF Q2
BC547A C2 10V 10k
10V
V2
VOFF = 0 10uF BC547A 0
VAMPL = 1mV 10V
FREQ = 1kHz C4
220uF
R2 R4 R6 10V
5k 15k 1k
0 0 0 0 0
Fig. TB7.
Rezolvare
a) La Q1 semnalul se aplică în bază şi se culege din emitor (prin condensatorul de cuplaj C 2
semnalul trece în baza lui Q2), deci Q1 este în conexiune colector-comun (CC);
La Q2 semnalul se aplică în bază şi se culege din colector, prin intermediul condensatorului de
cuplaj C3, deci Q2 se află în conexiune emitor-comun (EC).
b) Cele 2 etaje de amplificare fiind separate în c.c. prin intermediul condensatorului de cuplaj
dintre etaje, C2, PSF-urile se pot determina pe cele 2 etaje, analizate independent una de cealaltă
pe schemele echivalente de c.c. din fig. TB7-1:
c)
V1 V1
R1 R3 R5 R1 R5
1Meg 100k 5k 15V 1Meg 5k 15V
IC1
ECHIVALARE IB1
0 THEVENIN
0
Q1 Q1
la Q2 IC2
VCE1
Q2 RTh Q2
BC547A BC547A IB2
VBE1 VCE2
BC547A 13k BC547A
IE1
VBE2
VTh IE2
1.96V
R2 R4 R6 R2 R6
5k 15k 1k 5k 1k
0 0 0 0 0 0
Fig. TB7-1.
PSF la Q1
V1 I B1R1 VBE1 I E1R2 V1 VBE1
V1 I B1R1 VBE1 1I B1R2 I B1
I E1 1I B1 R1 1R2
15 0,67
I B1 0,00715mA 7,15A
1000k 201 5k
I C1 I B1 200 0,00715m 1,43mA
I E1 1I B1 1,44mA
VCE1 V1 I E1R2 15 1,44m 5k 7,8V
VBE 1 0,67V
I 7,15A
B1
PSFQ1
I C1 1,43mA
VCE1 7,8V
Page 26 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
PSF la Q2
100k 15k
RTh R3 R4 13k
115k
R4 15k
VTh V1 15V 1,96V
R3 R4 115k
VTh I B 2 RTh VBE 2 I E 2 R6 VTh VBE 2
VTh I B 2 RTh VBE 2 1I B 2 R6 I B 2
I E 2 1I B 2 RTh 1R6
1,96 0,67
I B2 0,006mA 6A
13k 201k
I C 2 I B 2 200 0,006mA 1,2mA
I E 2 1I B 2 201 0,006mA 1,206mA 1,2mA
VCE 2 V1 I C 2 R5 I E 2 R6 V1 I C 2 R5 R6 15 1,2m 6k 7,8V
VBE 2 0,67V
I 6 A
B2
PSFQ 2
I C1 1,2mA
VCE1 7,8V
200
rpi1 3,5k
40 I C1 40 1,43m
200
rpi2 4,2k
40 I C 2 40 1,2m
R2
5k
Vin
RDC
0
Fig. TB7-2.
Vout
Av
Vin
Pentru a determina relaţia de legătură dintre ib2 şi ib1 se aplică RDC în emitorul lui Q1. Circuitul se
redesenează şi are forma din fig. TB7-3:
Page 27 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
ib1 ib2
Rech
R2 R3 R4
5k 100k 15k
Vin
0 0 0
Fig. TB7-3.
1 1
Rech R2 R3 R4 3,6k
1 1 1 1 1 1
R2 R3 R4 5k 100k 15k
RDC: ib 2
Rech
1ib1
rpi2 Rech
Pentru a deduce relaţia lui ib1 se efectuează analiza pe circuitul din fig. TB7-4:
ib1
V2 rpi1 Bib1
R1 3.5k
0
1Meg
0 0 Rech2
(B+1)ib1
R2 R3 R4 rpi2
5k 100k 15k 4.2k
Vin
0 0 0 0
Fig. TB7-4.
3,6k 4,2k
Rech 2 Rech rpi2 1,94k
7,8k
Vin
ib1
rpi1 1Rech 2
Prin înlocuiri succesive, se obţine:
Av R5 R7 1
Rech 1
rpi2 Rech rpi1 1Rech 2
3,6k 1
Av 200 3,33k 201 157
7,8k 3,5k 2011,94k
P8. În PSF tranzistoarele din fig. TB8 se caracterizează prin VBE=0,65V şi β=150.
Să se determine:
a) valorile din PSF şi parametrii de semnal mic. Se neglijează IB1 faţă de curentul prin
divizorul format din R1 şi R2, IB2 faţă de IC1 şi curenţii de bază faţă de cei de colector,
situaţie în care se consideră IE=IC la fiecare tranzistor (IE1=IC1=I1, respectiv IE2=IC2=I2);
b) amplificarea în tensiune a circuitului;
c) în ce conexiune este fiecare tranzistor.
Page 28 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
V2
R1 R3 R5 12V
100k 10k 5k
C2
out1 out
Q1 Q2
C1 R7
in 10uF 10k
10uF
Q2N2222 Q2N2222
V1
R2 R4 R6 C3
12k 1k 5k 100uF
0
Fig. TB8.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. TB8-1)
V2
R1 R3 R5 12V
100k 10k 5k
VC1 I2
I1
Q1 Q2
VB1
VCE1 VCE2
VBE VBE I2
I1
R2 R4 R6
12k 1k 5k
0
Fig. TB8-1.
La fiecare tranzistor, considerând IEIC rezultă că prin Q1 curentul este I1, respectiv I2 prin Q2.
R2 12k
VB1 V2 12V 1,28V
R1 R2 112k
T II K pe ochiul care conţine VB1, VBE a lui Q1 şi R4 se scrie:
V V 1,28 0,65
VB1 VBE I1R4 I1 B1 BE 0,63mA
R4 1k
I 0,63mA
Rezultă: I B1 1 4,2A
150
Asemănător, dacă se cunoaşte potenţialul din colectorul lui Q1 egal cu cel din baza lui Q2, se poate
determina I2.
V2 I1R3 VC1 VC1 V2 I1R3 12 0,63mA 10k 5,7V
T II K pe ochiul care conţine VC2, VBE a lui Q2 şi R6 se scrie:
V V 5,7 0,65
VC1 VBE I 2 R6 I1 C1 BE 1,01mA
R6 5k
I 1,01mA
Rezultă: I B 2 2 6,7 A
150
T II K aplicată pe ochiurile de circuit care conţin tensiunile colector-emitor, VCE1, respectiv VCE2
permite determinarea tensiunilor colector-emitor:
Page 29 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
b) Calculul amplificării în tensiune se determină pe schema echivalentă de semnal mic (c.a.) din
fig. TB8-2:
RDC
ib1 ib2
in out
V1
R1 R2 rpi1 Bib1 rpi2 Bib2 R5 R7
Vin 100k 12k 5.95k 3.7k 5k 10k Vout
R3
10k
0 0 0 0 0
ib1(B+1)
0 0
Rin,Q2=rpi2
R4
1k
Rin,Q1=rpi1+(B+1)R4
0
Fig. TB8-2.
V
Av out (1)
Vin
Vout ib 2 R5 R7
(2)
În nodul comun colectorului lui Q1 şi baza lui Q2 se poate aplica RDC pentru a găsi o relaţie între ib2
şi ib1:
ib 2
R3
ib1 R3 ib1
R3 Rin,Q 2 R3 rpi2 (3)
Vin Vin
ib1
Rin,Q1 rpi1 1R4 (4)
Se înlocuieşte ib1 din rel. (4) în rel. (3), apoi ib2 din (3) în (2) şi apoi Vout din (2) în (1) şi rezultă
relaţia amplificării în tensiune:
2 R5 R7 R3
Av R5 R7
R3 1
R3 rpi2
rpi1 1R4 R3 rpi2 rpi1 1R4
R5 R7 5k 10k
R5 R7 3,33k
R5 R7 15k
1502 3,33k 10k
Av 348,45
10k 3,7k 5,95k 150 11k
P9. Tranzistoarele pnp din fig. TB9 se caracterizează în PSF prin: VEB=0,7V şi β=175. Dacă
semnalul de intrare are amplitudinea de 1mV să se determine amplitudinea semnalului de ieşire.
Page 30 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
Se va face calcul aproximativ (se neglijează IB faţă de IC la fiecare tranzistor şi IB1 faţă de curentul
prin divizorul R1, R2).
(-)
R1 R3 R6
120k 20k 5k
R5
I1 I2 C2
out
V1
Q1 Q2 10uF
C1 12V
in 50k R8
10uF 10k
V2 BC557A VEC1 BC557A VEC2
VOFF = 0V VEB VEB
VAMPL = 1mV
FREQ = 1kHz
I1 I2
R2 R4 R7 C3
12k 1k 5k 220uF (+)
0
Fig. TB9.
Rezolvare
Cu notaţiile de pe fig. TB9 şi ţinând seama de aproximarea propusă în enunţul problemei se obţine:
R2 12k
V VEB 12 0,7
R2 R R2
V1 I1R4 VEB I1 1 132k 0,39mA
R1 R2 R4 1k
V I R V 12 0,39m 20k 0,7
V1 I1R3 I 2 R7 VEB I 2 1 1 3 EB 0,7mA
R7 5k
Parametrii de semnal mic sunt:
175
r 1 11,2k
40 I1 40 0,39
175
r 2 6,2k
40 I 2 40 0,7
Schema echivalentă de c.a. are forma din fig. TB9-1
ib1 R5 ib2
in out
V2
VOFF = 0V R1 R2 rpi1 R3 50k rpi2 R6 R8
VAMPL = 1mV 120k 12k 11.2k Bib1 20k 6.2k Bib2 5k 10k
FREQ = 1kHz Vin Vout
0 0 0 0 0 0
(B+1)ib1
0
R4
1k
Fig. TB9-1.
ib 2
R3
ib1
R3 R5 rpi2
Vin
ib1
rpi1 1R4
Page 31 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
5 10
R6 R8 3,3k
15
Page 32 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
C1 J1
VDD
BF256A
100n
15V
C2
out
Vin
100n
RG2 RS RL
1Meg 6k 100k
0
Fig. P1-1.
Rezolvare
a) PSF-ul se determină pe schema echivalentă de c.c. din fig. P1-2:
RG1
2Meg
ID
J1
VG
BF256A VDS
VDD
VS
VGS 15V
IS=ID
RG2 RS
1Meg 6k
0
Fig. P1-2.
Ecuaţia de circuit: VGS VG VS
RG 2 1M
VG VDD 15V 5V
RG1 RG 2 1M 2M
VS I S RS I D RS 6I D
VGS 5 6I D
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
2
V
Ecuaţia de dispozitiv: I D I DSS 1 GS
VP
5 6I D
I D 61
2
5 6I D 7 6I D
2 2
61 6
2 2 4
2I D 3 49 84I D 36I D
2
108I 254I D 147 0
2
D
Page 33 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
RS RL
6k 100k
Vout
0 0
Fig. P1-3.
Vout
Av
Vin
Vout g mvgs RS RL
Obs. Amplificarea în tensiune este aproximativ egală cu unitatea (1), de unde provine şi denumirea
de repetor pe sursă dată acestui amplificator.
P2. TEC-J din fig. P2-1 se caracterizează prin tensiune de prag, VP=-2V şi curent drenă-sursă cu
poarta scurtcircuitată la sursă, IDSS=6mA. Să se determine:
a) PSF-ul tranzistorului;
b) Conexiunea în care se află tranzistorul. Motivaţi;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului (condensatoarele se consideră scurtcircuit).
Page 34 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
RG1 RD
2Meg 4k
C3
out
100n
J1
VDD
BF256A RL
C1 RG2 100k 15V
100n 1Meg
0 0
C2
Vin
10u
RS
4k
0
Fig. P2-1.
Rezolvare
a) PSF-ul se determină pe schema echivalentă de c.c. din fig. P2-2:
RG1 RD
2Meg 4k
ID
0 J1
VG
BF256A VDD
RG2
1Meg VDS 15V
VS
IS=ID
RS
4k
0
Fig. P2-2.
Ecuaţia de circuit: VGS VG VS
RG 2 1M
VG VDD 15V 5V
RG1 RG 2 1M 2M
VS I S RS I D RS 4I D
VGS 5 4I D
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
2
V
Ecuaţia de dispozitiv: I D I DSS 1 GS
VP
5 4I D
I D 61
2
5 4I D 7 4I D
2 2
61 6
2 2 4
2I D 3 49 56I D 16I D
2
48I 170I D 147 0
2
D
Page 35 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
Vin
RS
4k
0 0
Fig. P2-3.
Vout
Av
Vin
Vout g mvgs RD RL
Vin vgs
Av gm RD RL 3 103 3.85 103 11.5
2 I DSS VGS 2 6m 1
gm 1 1 3mS
V p V p
2 2
4k 100k
RD RL 3.85k
104k
C1 M1
VDD
Vin 18V
100n
M2N7000 C2
out
1u
RG2 RS RL
2Meg 10k 100k
0
Fig. P3-1.
Page 36 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
Rezolvare
a) Relaţia curentului de drenă se poate pune sub forma:
I D kn' VGS VP K n VGS VP , unde Kn este parametrul de conducţie.
1 W 2 2
2 L
Cu datele din foile de catalog se poate determina parametrul de conducţie, Kn:
I D ( on) K n VGS VP de unde
2
I D ( on) 75 75
Kn 12mA/V 2
VGS VP 2
4,5 2 6,25
2
RG1
2Meg
0 M1
VG
M2N7000 VDD
VS VDS 18V
IS=ID
RG2 RS
2Meg 10k
0
Fig. P3-2.
Page 37 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
Vin
RG1 RG2
2Meg 2Meg
0
vgs
gmv gs
0 0 0
RS RL
10k 100k
Vout
0 0
Fig. P3-3.
Vout
Av
Vin
Vout g mvgs RS RL
P4. Tranzistorul din fig. P4-1 se caracterizează prin tensiune de prag VP=0,5V, curent de drenă în
starea ON, ID(ON)=1A determinat pentru VGS=4,5V (conform foilor de catalog). Să se determine:
a) PSF-ul tranzistorului;
b) Conexiunea în care se află tranzistorul. Motivaţi;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului pentru fiecare din cele 2 ieşiri (out1 respectiv out2).
Condensatoarele se consideră scurtcircuit.
RD VDD
10k 10V
Vout1
M1
BSH105
RG
10Meg
C1
0 100n
0
Vout2
Vin
RS VSS
10k 10V
0
Fig. P4-1.
Rezolvare
a) Relaţia curentului de drenă se poate pune sub forma:
I D kn' VGS VP K n VGS VP , unde Kn este parametrul de conducţie.
1 W 2 2
2 L
Cu datele din foile de catalog se poate determina parametrul de conducţie, Kn:
I D (on) K n VGS VP de unde
2
Page 38 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
RD VDD
RD VDD 10k 10V
10k 10V
ID
ID VD
M1
BSH105 VD
RG 0
VG
VS
10Meg 0
0 VS VDS 0
IS=ID IS=ID
RS VSS RS VSS
10k 10V 10k 10V
Fig. P4-2.
I G 0 VG 0
VSS VS RS I D VS RS I D VSS 10I D 10
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
VGS 10 10I D
I D K n VGS VP 62,510-10I D 0,5 62,59,5 10I D
2 2 2
Page 39 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
Vin
RG RD
10Meg 10k
vgs gmv gs Vout1
0 0 0
RS
10k
Vout2
0
Fig. P4-3.
V
Av1 out1
Vin
Vout1 g mvgs RD
RL
C1 M1 50k VDD
20V
RG
Vin 1Meg
RS
6k C3
0
Fig. P5-1.
Rezolvare
a) PSF-ul tranzistorului se determină pe schema echivalentă de c.c. din fig. P5-2:
Page 40 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
RD
6k
ID
0 M1
VG VDD
20V
VDS
RG VS
1Meg
IS=ID
RS
6k
0
Fig. P5-2.
I G 0 VG 0
VS RS I D 6I D
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
VGS 0 6I D 6I D
3 6I D 2 91 2I 2
2
V 6I D
2
0
a) b)
Fig. P5-3.
Page 41 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
Vout1
Av1
Vin
Vout1 g mvgs RD RL
Av1 g m RD RL
vgs Vin
V
Av 2 out2
Vin
Vout2 g m vgs RD RL
g m RD RL
Vin Av 2
Vin vgs g m vgs RS vgs 1 g m RS
1 g m RS
6k 50k
RD RL 5,36k
56k
2 I DSS VGS 2 9m 2,38
gm 1 1 1,24mS
V p V p
3 3
Av1 1,24m 5,36k 6,64
1,24m 5,35k
Av 2 0,79
1 1,24m 6k
P6. TEC-MOS cu canal iniţial din fig. P6-1 se caracterizează prin VP=-3V şi IDSS=9mA. Să se
determine:
a) PSF-ul tranzistorului;
b) Conexiunea în care se află tranzistorul. Motivaţi;
c) Amplificarea în tensiune a circuitului (condensatoarele se consideră scurtcircuit).
VDD
RD 18V
2k
C1 M1 C2
RG1
Vin RL
80k
1Meg
RS RG2
5k 1Meg
0
Fig. P6-1.
Rezolvare
a) Schema echivalentă de c.c. (fig. P6-2)
VDD
VDS RD 18V
2k
IS=ID M1
VS
ID
VG
0 RG1
1Meg
RS RG2
5k 1Meg
0
Fig. P6-2.
Page 42 of 43
DEC-1 Mini-culegere de probleme rezolvate
RG 2 V
VGS VG VS VDD RS I D DD RS I D 9 5I D
RG1 RG 2 2
Obs. RS este exprimat în k. Rezultă că ID va fi exprimat în mA.
12 5I D
2
VGS 9 5I D
2 2
I D I DSS 1 91 9 25I D2 120 I D 144
VP 3 9
25I D 121I D 144 0
2
RG1 RG2 RD RL
1Meg 1Meg vgs 2k 80k
gmv gs Vout
0 0 0 0
Vin
RS
5k
0 0
Fig. P6-3.
V
Av out
Vin
Vout g mvgs RD RL
Vin vgs , deoarece curentul alternativ prin poartă este egal cu zero.
Av gm RD RL 2,9m 1,95k 5,65
2 I DSS VGS 2 9m 1,55
gm 1 1 2,9mS
V p V p
3 3
2k 80k
RD RL 1,95k
82k
Page 43 of 43