Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
DIODA SEMICONDUCTOARE
1. OBIECTUL APLICAŢIEI
2. CARACTERISTICI STATICE
iD
iD Cadranul I
uD
1
uD
0
2
3
Cadranul III
iD iD
uD uD
D D
+
VD
-
a) model liniarizat prin RON = 0 , b) model liniarizat prin RON = 0 ,
ROFF → ∞ , VD = 0V ROFF → ∞ , VD = 0,7V
DIODA SEMICONDUCTOARE eii.pub.ro 23
iD iD
uD uD
D D +
+ VD
VD R off
- -
R on R on
3. DESFĂŞURAREA APLICAŢIEI
VS +
20V 1N4148
-
0
Fig.3.3. Circuit pentru trasarea caracteristicii statice a diodei 1N4148
3.1.2. Deoarece fişierul de intrare careal.cir conţine instrucţiunea .DC după rularea
simularii in programul LTSpice se va genera fişierul de ieşire careal.log şi fişierul de
date careal.raw. Acesta din urma contine informatia in format binar compresat care
va fi incarcata de subprogramul Probe automat la sfarsitul simularii.
Se schimbă axa X ca să reprezinte V(2), tensiunea pe dioda, apasand Click
Dreapta pe textul din axa X. In dreptul Quantity Plotted se scrie V(2).
Apasand Click Dreapta in ecranul Probe se selecteaza Add Traces -> I(D)
pentru a trasa pe axa y curentul I(D).
Se aranjeaza ferestrele vertical din meniul Window -> Tile Vertically.
3.1.3. Se desenează graficul caracteristicii statice obţinute la punctul 3.1.2. Se
compară cu modelele liniarizate din fig.3.2. Cărui model îi corespunde?
3.1.4. Se masoara cu ajutorul cursoarelor rezistenta echivalenta a diodei in regiunea
de conductie directa.
Considerand doua puncte pe o forma de unda liniara, aunci rezistenta este
definita pe un grafic de forma i(v) ca fiind r = ∆u / ∆i unde ∆ este diferenta intre
doua puncte alese pe dreapta.
Apasand Click Stanga de doua ori pe numele formei de unda I(D) se activeaza
cursoarele. Cand cursorul este deasupra lor apare cifra 1 sau 2 in functie de cursor. Se
aleg doua puncte in regiunea 1 a diodei, se calculeaza si se noteaza rezistenta
echivalenta folosind indicatiile cursoarelor.
R
1 2
DR
1K
SDR
VS
+
- 3
10V + VD
- 0,7V
0
Fig.3.4. Circuit pentru trasarea caracteristicii diodei modelate
Caracteristica diodei
* modelata ca intrerupator comandat in tensiune *
VS 1 0 10V
SDR 3 2 2 3 ICT ;
VD 3 0 0.7V ;tensiunea de prag in conductie VD
R 1 2 1K
.MODEL ICT VSWITCH (Ron=100 Roff=20K Von=0)
*Rezistentele : Ron Roff
.DC VS -10V 10V 0.2V
.END
IS DZ
R=1K
1 2
R=1K
1 2
rD
VS VS 10
+ D
+
10V - 10V - VD
3
+ VD
0 - 0.7V
0
a) schemă electrică b) schemă electrică echivalentă de calcul a PSF
VI + DZ RS
10V VO
20V - 2K
1 R 2
470
VI +
DZ VO
20V - IS
10V
Apasand Click Dreapta in ecranul Probe se selecteaza Add Traces -> V(2)
pentru a trasa pe axa Y tensiunea pe dioda.
Se afişează pe un ecran nou curentul I(Dz) cu secvenţa de comenzi Click Dreapta->
Add Plot Pane si dupa Add Trace I(Dz).
Se aranjeaza ferestrele vertical din meniul Window -> Tile Vertically.
Observaţi că tensiunea pe rezistenţa de sarcină rămâne constantă atâta timp cât
DZ poate compensa variaţia de curent prin sarcină (până puţin după 20mA pe axa X,
când I ( DZ ) devine 0mA). Folosind cursorul apasand cu Click Dreapta pe numele
V(2) se măsoară tensiunea de ieşire V0 pentru un curent de sarcină I S de 10mA. Ce
observaţi?
4. ÎNTREBĂRI ŞI PROBLEME
4.1. Explicaţi cele 5 caracteristici ale diodei modelate fig. 3.2 a), b), c), d).
4.2. Care este scopul introducerii tensiunii Von in modelul VSWITCH ?
DIODA SEMICONDUCTOARE eii.pub.ro 31
iD
π
4
uD
0 0.7V