P. 1
Lab 3 - Tranzistorul cu efect de camp

Lab 3 - Tranzistorul cu efect de camp

|Views: 186|Likes:
Published by Anonymus_01

More info:

Published by: Anonymus_01 on Jan 30, 2011
Copyright:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

10/05/2015

pdf

text

original

Universitatea Politehnica din Bucureşti

Facultatea de Electronică Telecomunicaţii şi Tehnologia Informaţiei











DISPOZITIVE ELECTRONICE


ÎNDRUMAR DE LABORATOR


























Bucureşti-2009

Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

2








LUCRAREA 3 - Modulul MCM4/EV














TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP CU
POARTĂ JONCŢIUNE (TEC-J)















Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 3








CUPRINS


3.1 PREZENTAREA TRANZISTORULUI CU EFECT DE CÂMP CU POARTĂ
JONCŢIUNE

3.2 PRINCIPIUL DE FUNCŢIONARE. ANALIZĂ TEORETICĂ.

3.3 DESFĂŞURAREA LUCRĂRII
3.3.1 Aparate necesare
3.3.2 MCM4/EV – Tranzistorul TEC-J. Pregătiri preliminare.
3.3.3 Măsurarea caracteristicii de curent continuu
3.3.4 Verificarea modelului dinamic
3.3.5 Amplificator de semnal mic cu TEC-J

3.4 ÎNTREBĂRI














Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

4





INSTRUCŢIUNI DE UTILIZARE



‰ Pentru utilizarea modulului MCM4-EV citiţi şi menţineţi la îndemână acest manual.

‰ La dezambalarea modulului sau la începerea lucrării puneţi toate accesoriile în ordine pentru a
nu le pierde şi verificaţi integritatea acestuia. Faceţi un control vizual pentru a vă asigura ca nu
sunt stricăciuni vizibile.

‰ Înainte de conectarea modulului la tensiunea de alimentare de +/-12V, verificaţi că puterea
estimată corespunde cu puterea sursei de alimentare.

‰ Înainte de alimentarea modulului verificaţi cablurile de alimentare şi corecta conectate la sursa
de alimentare.

‰ Acest modul trebuie utilizat numai conform scopului pentru care a fost conceput respectiv
pentru educaţie şi trebuie utilizat numai sub directa supervizare a personalului specializat.

‰ Orice altă utilizare nu este corectă şi astfel periculoasă. Utilizarea improprie sau neraţională a
modulului poate conduce la stricăciuni iremediabile.




















Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 5
3.1 PREZENTAREA TRANZISTORULUI CU EFECT DE CÂMP CU
POARTĂ JONCŢIUNE
Tranzistorul cu efect de câmp poartă joncţiune (TEC-J) diferă de tranzistorul bipolar atât prin
structură cât şi ca mod de operare. Curentul prin tranzistorul TEC-J este datorat unui singur tip de
purtători spre deosebire de tranzistorul bipolar unde conducţia este asigurată de ambele tipuri de
purtători. Din acest punct de vedere TEC-J este un dispozitiv unipolar.
Structura unui tranzistor TEC-J este detaliată în fig. 3.1. Într-un semiconductor (bază) ce are un
tip de conductivitate se realizează două zone de conductivitate de tip opus, realizându-se astfel două
joncţiuni. Prin contactarea celor două zone de conductivitate de tip opus apare electrodul de poartă (G
– “gate”). Contactarea pe cele două laturi opuse ale bazei duce la obţinerea electrozilor de drenă (D –
“drain”) respectiv sursă (S – “source”). Simbolul tranzistorului este prezentat în fig. 3.2.

Fig. 3.1 Structura unui tranzistor TEC-J.

O deosebire esenţială între tranzistorul bipolar şi tranzistorul cu efect de câmp este că la
tranzistorul bipolar controlul curentului de colector se realizează cu un curent de bază, pe când la
tranzistorul cu efect de câmp controlul curentului de drenă se realizează cu o tensiune aplicată între
poartă şi sursă.
Polarizarea joncţiunii poartă-sursă se face întotdeauna în invers pentru a beneficia de efectul de
tranzistor. Polarizarea în direct a acestei joncţiuni nu produce efect de tranzistor. La polarizarea directă
a joncţiunii curentul prin aceasta va depinde exponenţial de tensiunea aplicată şi dacă acesta nu este
limitat va duce la distrugerea joncţiunii, deci a tranzistorului.


Fig. 3.2 Simbolurile pentru tranzistoarele TEC-J.
Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

6

3.2 PRINCIPIUL DE FUNC|IONARE. ANALIZĂ TEORETICĂ.

Caracteristici statice
Se consideră un TEC-J cu canal n cu structura simplificată, simbolul şi mărimile asociate din
fig. 3.3.

Fig. 3.3 Structura simplificată a tranzistorului TEC-J.

Se demonstrează că dependenţa curent-tensiune pentru structura prezentată în fig. 3.3 este după
cum urmează:
Pentru 0 v V
GS T
≤ ≤ , 0 v
DS
≥ şi
DS
v foarte mic (sute de mV):
DS
2
1
T 0 B
GS 0 B
0 D
v
V
v
1 G i ⋅

|
|
.
|

\
|


− ⋅ =
Φ
Φ
(3.1)
unde,

0 B
2
D
T
2
a N q
V Φ +
⋅ ⋅
− = este tensiunea de prag;

L
Z a N q 2
G
D n
0
⋅ ⋅ ⋅ ⋅
=
u
este conductanţa maximă (constructivă) a canalului;

0 B
Φ este înălţimea barierei de potenţial asociată joncţiunii n p
+
, poartă-canal.
Pentru 0 v V
GS T
≤ ≤ , 0 v
DS
≥ şi
T GS sat , DS DS
v v v v 0 − = ≤ ≤ :
| |
DS GS 0 B GS 0 B DS 0 D
v ) v ( f ) v v ( f G i ⋅ − − + + ⋅ = Φ Φ (3.2)
unde, funcţia f este definită ca:
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 7

|
|
.
|

\
|

⋅ − ⋅ =
2
1
T 0 B
V
x
3
2
1 x ) x ( f
Φ

Pentru 0 v V
GS T
≤ ≤ şi
T GS sat , DS DS
v v v v − = ≥ (saturaţie):

− ⋅

− ⋅ − ⋅ = ) v ( f
V
1
3
1
) V ( G i
GS 0 B
T 0 B
T 0 B 0 D
Φ
Φ
Φ (3.3)
în cazul saturaţiei, curentul de drenă poate fi exprimat aproximativ cu ajutorul relaţiei:

2
T 0 B
GS 0 B
T 0 B 0 D
V
v
1 ) V ( G
3
1
i
|
|
.
|

\
|


− ⋅ − ⋅ ⋅ =
Φ
Φ
Φ (3.4)
Prin neglijarea lui
0 B
Φ (ceea ce nu este întotdeauna justificabil) se obţine:

2
T
GS
DSS D
V
v
1 I i
|
|
.
|

\
|
− ⋅ = (3.5)
unde,

T 0 DSS
V G
3
1
I ⋅ ⋅ =
Caracteristicile de ieşire ) v ( i
DS D
şi de transfer, în saturaţie ) v ( i
GS D
sunt date în fig. 3.4.
Pe caracteristicile de ieşire ) v ( i
DS D
din fig. 3.4a se disting două zone: zona liniară în care
tranzistorul TEC-J funcţionează la tensiuni V
DS
mici şi are comportament de rezistenţă comandată în
tensiune (curentul de drenă depinde de ambele tensiuni – V
GS
şi V
DS
) şi zona de saturaţie (curentul de
drenă depinde de tensiunea V
GS
şi foarte puţin de tensiunea V
DS
).

(a)


Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

8

(b)
Fig. 3.4 Caracteristicile TEC-J: (a) de ieşire ) v ( i
DS D
; (b) de transfer, în saturaţie ) v ( i
GS D
.

Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă
Modelul dinamic la semnal mic, frecvenţe joase, al TEC-J polarizat în saturaţie, este descris de
circuitul din fig. 3.5:

0 v
gs
d
I i , V v
GS
D
I
GS
D
m
ds
D D DS DS D
V
I
v
i
v
i
g
=
= =
= =


=




0 v
ds
d
I i , V v
DS
D
I
DS
D
ds
ds D D GS GS D
V
I
v
i
v
i
r
1
= = =
= =


=




d
I ,
gs
v ,
ds
v sunt valori efective. Expresia analitică pentru
m
g (transconductanţa sau
conductanţa mutuală) se obţine prin derivarea relaţiei (3.2) sau a uneia din relaţiile (3.3), (3.4) sau (3.5)
în funcţie de regimul static al TEC-J.


Fig. 3.5 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă pentru funcţionarea în saturaţie.
Expresia analitică pentru conductanţa canalului
ds
d
r
1
g = rezultă prin derivarea relaţiei (3.1) sau
(3.2). în regim de saturaţie, prin derivarea relaţiilor (3.4), (3.5) rezultă 0 g
d
= . în realitate însă,
conductanţa canalului este nenulă în orice condiţii.
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 9
Dacă se analizează structura reală a unui TEC-J se remarcă prezenţa între extremităţile
canalului propriu-zis şi contactele metalice S şi D, a unor porţiuni de siliciu n (sau p pentru TEC-J cu
canal p) a căror rezistenţă trebuie luată în considerare în construirea unui model dinamic mai rafinat.
Astfel, modelul se completează cu rezistenţele
d
R şi
s
R şi este prezentat în fig. 3.6.
Rezistenţele
d
R şi
s
R depind de tensiunile aplicate tranzistorului. Valorile măsurate pentru
m
g
şi
d
g pot diferi de cele care rezultă din formulele teoretice datorită prezenţei acestor rezistenţe.

Fig. 3.6 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă ce include efectul rezistenţelor serie din
zona de sursă respectiv drenă.

Circuit de amplificare cu tranzistor TEC-J
Pentru a fi utilizat ca amplificator tranzistorul TEC-J se utilizează polarizat în regim de
saturaţie. în acest regim există, la semnal mic, o dependenţă liniară între tensiunea de comandă v
gs
şi
curentul de drenă i
d
(fig. 3.7).

Fig. 3.7 Zona optimă de lucru pentru tranzistorul TEC-J ca amplificator de semnal mic.


gs m d
v g i ⋅ =
unde,

m
g = transconductanţa sau panta tranzistorului TEC-J.
Ca şi tranzistorul bipolar, TEC-J-ul poate lucra ca amplificator într-una din cele patru
conexiuni: sursă comună (SC), grilă comună (GC), drenă comună (DC) sau repetor pe sursă şi sarcină
distribuită (SD).
Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

10
În fig. 3.8 este prezentat un circuit de amplificare în care tranzistorul lucrează în conexiunea
SC. Tranzistorul este atacat pe grilă cu un generator de semnal prin intermediul condensatorului de
decuplare C
1
. Rezistorul R
G
este utilizat pentru întoarcerea curentului de poartă catre punctul de masă.
Curentul prin tranzistor se fixează cu ajutorul rezistorului R
S
. Condensatorul C
S
este utilizat ca şi
condensator de decuplare în circuitul sursei. Pentru o valoare bine aleasă acesta va scurtcircuita R
S
în
curent alternativ în banda de lucru punând tranzistorul cu sursa la masă (sursă comună).


Fig. 3.8 Etaj sursă comună (SC) realizat cu tranzistor TEC-J.

Rezistenţa de sarcină a etajului este constituită numai din R
D
, rezistor ce are rol şi pentru
polarizarea în curent continuu a tranzistorului.
Amplificarea de tensiune a etajului SC este dată de relaţia:

D m
i
o
V
R g
v
v
A ⋅ − = =
Semnul minus din relaţia ce dă amplificarea de tensiune a etajului semnifică faptul că la ieşire
semnalul este defazat cu 180
0
faţă de semnalul de intare.
Rezistenţele de intare/ieşire în/din etaj sunt:

G
i
i
i
R
i
v
R = =

D
o
o
o
R
i
v
R = =
Calculul acestora au presupus o rezistenţă de intrare şi o rezistenţă r
ds
infinite pentru tranzistorul
TEC-J.


Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 11
3.3 DESFĂŞURAREA LUCRĂRII

3.3.1 APARATE NECESARE

ƒ Sursă de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV
ƒ Modulul MCM4/EV;
ƒ Multimetru;
ƒ Osciloscop;
ƒ Generator de semnal.


3.3.2 MCM4/EV-TRANZISTORUL TEC-J. PREGĂTIRI PRELIMINARE

MCM-4 Deconectaţi toate şunturile
Montaţi SIS1 Setaţi toate comutatoarele pe deschis
SIS2 Introduceţi cod lecţie: B04

Se porneşte de la modulul aflat pe placa MCM-4 stânga sus cu schema electrică pentru
măsurători pe tranzistorul TEC-J prezentată în fig. 3.9:
Tehnica de polarizare aleasă este cu două surse:
ƒ Sursa fixă de 12V/-12V şi un divizor rezistiv reglabil pentru tensiunea V
GS
;
ƒ Sursă variabilă 1,2V-24V (V
CC
) şi o rezistenţă serie pentru polarizarea drenă-sursă.
! Valorile amplitudinilor tensiunilor şi curenților alternativi sunt date în mărimi RMS.

Fig. 3.9 Schema electrică pentru măsurători pe tranzistorul TEC-J de pe modulul MCM-4.

Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

12



3.3.3 MĂSURAREA CARACTERISTICILOR DE CURENT CONTINUU

Caracteristica de transfer
Se realizează circuitul din fig. 3.10 prin conectarea jumperilor J18, J22, J30, J37. Pentru
măsurarea tensiunilor se utilizează voltmetrul sau osciloscopul aşa cum se arată în figură.
Se fixează tensiunea V
CC
= 15V.
Cu ajutorul potenţiometrului RV8 se reglează tensiunea V
GS
a tranzistorului la valorile din
tabelul 3.1 şi se măsoară curentul de drenă I
D
indirect, prin măsurarea căderii de tensiune pe rezistorul
R
12
.
Curentul I
D
se calculează cu relaţia:

12
DS CC
D
R
V V
I

=
unde, Ω 680 R
12
= .
Se trasează graficul I
D
= f(V
GS
) şi se evaluează valoarea curentului I
DSS
. Graficul rezultat va fi de
forma celui din fig. 3.11.
Se evaluează tensiunea de prag a tranzistorului TEC-J (
T
V ). Tensiunea de prag este tensiunea
V
GS
de la care curentul de drenă devine egal cu zero.


Fig. 3.10 Circuitul pentru măsurarea caracteristicii de transfer.




Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 13
Tabelul 3.1
V
GS

[V]
0 -0,5 -1 -1,5 -1,8 -2 -2,2 -2,5 -2,7 -3 -3,5
V
DS

[V]

I
D

[mA]


Fig. 3.11 Forma caracteristicii de transfer.
Caracteristicile de ieşire
Pe circuitul din fig. 3.10 cu ajutorul potenţiometrului RV8 se reglează tensiunea V
GS
la valorile
date în tabelul 3.2. Se variază tensiunea V
DS
la valorile impuse în tabel prin variaţia V
DD
şi se măsoară
curentul de drenă.
În cazul curenţilor de drenă mici, căderea de tensiune pe rezistenţa R
12
va fi mică fapt ce se
traduce într-o diferenţă mică între tensiunea V
DD
şi tensiunea V
DS
. Pentru a maximiza căderea de
tensiune se scoate jumper-ul J22 şi se conectează în locul acestuia un rezistor R
J22
=10kΩ.
Se reprezintă grafic familia de curbe parametrice I
D
= f
1
(V
GS
, V
DS
). Se vor obţine caracteristici
de forma celei din fig. 3.12. Se va delimita pe grafic zona de saturaţie de zona liniară.
Tabelul 3.2
V
DS
[V] 0 0,5 0,6 0,8 1 1,5 2 3 4 6
V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
= 0
I
D
[mA]

V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
=-0,5
I
D
[mA]

Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

14
V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
= -1
I
D
[mA]

V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
=-1,5
I
D
[mA]

V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
= -2
I
D
[mA]

V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
=-2,5
I
D
[mA]

V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
= -3
I
D
[mA]


Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 15

Fig. 3.12 Forma caracteristicii de ieşire.
Pentru fiecare curbă se va determina grafic tangenta în origine:
0 V
DS
D
0 V
DS
D
lin , d
DS DS
v
i
dv
di
g
= =
= =



Rezultatele se trec în tabelul 3.3.

Tabelul 3.3
] V [ V
GS
0 -0,5 -0,1 -1,5 -2 -2,5 -3
] V / mA [ g
1 lin , d


Funcţionarea TEC-J ca generator de curent constant
Regimul în care tranzistorul TEC-J poate funcţiona ca generator de curent constant este
saturaţia ( V 0 V V
GS T
< < şi
T GS DS
V V V − ≥ ). Dacă se neglijează efectul scurtării canalului în saturaţie şi
se utilizează ecuaţia ce descrie funcţionarea TEC-J:

2
T
GS
DSS D
V
V
1 I I
|
|
.
|

\
|
− ⋅ =
rezultă că pentru V 0 V
GS
= se obţine im max . ct I I
DSS D
= = = . Dacă V 0 V V
GS T
< < şi . ct V
GS
= atunci
tranzistorul va funcţiona în continuare ca generator de curent constant dar cu un curent de drenă de
valoare mai mică decât
DSS
I . Pentru verificarea acestui comportament se va utiliza circuitul din fig.
3.13.
Se reglează sursa de tensiune la valoarea de +24V. Se conectează jumper-ii J18, J22, J31 şi
J34. Se variază rezitorul RV9 fixându-se pentru V
DS
valorile din tabelul 3.4.
Tabelul 3.4
V
DS
[V] 13 14 15 16 17 18 19
V
DD
- V
D
[V]
R
12
[kΩ] V
GS
= 0
I
D
[mA]

Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

16

Fig. 3.13 Circuitul pentru măsurarea caracteristii curent-tensiune a sursei de curent constant realizate cu
TEC-J.

Se măsoară indirect curentul în circuit. Acesta trebuie să rămână constant câtă vreme
tranzistorul rămâne în saturaţie.
Se trasează graficul I
D
= f (V
DS
).

3.3.4 VERIFICAREA MODELULUI DINAMIC

Estimarea r
d
în saturaţie
Se realizează configuraţia din fig. 3.14. Se conectează jumper-ii J18, J21, J30 şi J37.
Se conectează rezistenţa 10k R
1
J22
Ω = şi condensatorul C
J20
(10µF) se fixează V 2 V
GS
− = şi
V 5 V
DS
= . Generatorul de semnal este conectat şi pornit, dar reglat la V 0 V
S
= . Potenţiometrul
semireglabil RV5 se reglează cu cursorul în masă.
Se reglează amplitudinea semnalului de la generator astfel încât să se obţină mV 10 V
gs
= şi se
măsoară
ds
V . Rezultatele se trec în tabelul 3.5.
Se repetă măsurătorile pentru Ω 22k R
2
J22
= .

Tabelul 3.5
] k [ R
22 J
Ω 10 22
] mV [ V
ds

Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 17


Fig. 3.14 Circuitul pentru măsurarea rezistenţei dinamice în saturaţie (r
d
) şi a g
m,sat
.

Se calculează:
1
v R
v R
R R
g
1
r
2 ds
1
22 J
1 ds
2
22 J
1
22 J
2
22 J
sat , d
sat , d




= =

Măsurarea conductanţei mutuale în saturaţie - g
m,sat

În configuraţia din fig. 3.14 se elimină jmper-ul J21 şi se adaugă J22. Se reglează succesiv
GS
V
la valorile din tabelul 3.6 menţinându-se de fiecare dată V 4 V
DS
= , mV 10 V
gs
= şi măsurându-se
ds
V .
Se calculează conductanţa mutuală măsurată,
1 sat , m
g , iar valorile se trec în tabelul 3.6.
V 4 V
ds 12
ds
1 sat , m
DS
v R
v
g
=

=
Tabelul 3.6
] V [ V
GS
0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3
] mV [ V
ds

] V / mA [ g
1 sat , m

] V / mA [ g
2 sat , m


Cu ajutorul valorilor
DSS
I şi
T
V determinate anterior se calculează conductanţa mutuală
teoretică
2 sat , m
g , iar valorile se trec în tabelul 3.6.
( )
V 4 V
GS T
2
T
DSS
2 sat , m
DS
V V
V
I 2
g
=
− ⋅ =
Cu datele din tabelul 3.6 se trasează pe aceleaşi grafic, curbele:
C1: ( )
GS 1 sat , m
V f g = , pentru V 4 V
DS
=
C2: ( )
GS 2 sat , m
V f g = , pentru V 4 V
DS
=
Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

18
Cum explicaţi diferenţele care rezultă între
1 sat , m
g (transconductanţa măsurată) şi
2 sat , m
g (transconductanţa calculată)?

Măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară - g
m,lin

Se realizează configuraţia din fig. 3.15 conectându-se jumper-ii J21, J30, J37 şi 10k R
J22
Ω = .
Se reglează potenţiometru RV5 cu cursorul în masă. Se ajustează succesiv
GS
V la valorile din tabelul
3.7. Se modifică de fiecare dată amplitudinea generatorului astfel încât să se obţină mV 20 V
ds
= . Se
măsoară
dd
V şi se trece în tabelul 3.7.

Tabelul 3.7
] V [ V
GS
0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3
] mV [ V
dd

] V / mA [ g
2 lin , d

] V / mA [ g
3 lin , d


Fig. 3.15 Circuitul pentru măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară - g
d,lin
.

Utilizând datele din tab. 3.7 se calculează pentru fiecare valoare a lui
GS
V , parametrul:
V 0 V
22 J
ds
dd
2 lin , d
DS
R
1
V
V
g
=

=
şi cu ajutorul lui
DSS
I şi
T
V parametrul
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 19
V 0 V
GS T
2
T
DSS
3 lin , d
DS
v V
) V (
I 2
g
=
− ⋅ =
Rezultatele se trec în tabelul 3.7. Cu datele din tabelele 3.3 şi 3.7 se trasează grafic curbele:
C3: ( )
GS 1 lin , d
V f g = , pentru V 0 V
DS
=
C4: ( )
GS 2 lin , d
V f g = , pentru V 0 V
DS
=
C5: ( )
GS 3 lin , d
V f g = , pentru V 0 V
DS
=
Cum explicaţi diferenţele care rezultă între conductanţele drenă-sursă măsurate prin diferite
metode
1 lin , d
g şi
2 lin , d
g şi conductanţa
3 lin , d
g calculată cu relaţia?

3.3.5 AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC CU TEC-J
Conexiunea utilizată pentru experimentarea amplificării la tranzistorul TEC-J este sursa
comună (SC) – fig. 3.16.

Fig. 3.16 Amplificator sursă comună cu TEC-J.

Fig. 3.16 se realizează în următoarele etape:
ƒ Se conectează jumperii J18, J22, J27, J29, J34, J36;
ƒ Se reglează Vcc la valoarea de 24V;
ƒ Se conectează cele două canale ale osciloscopului ca în fig. 3.16;
ƒ Se poziţionează cursorul potenţiometrului semireglabil RV6 la masă;
ƒ Se conectează generatorul de semnal pe poziţia jumper-ului J29;
ƒ Se reglează semnalul pe grila tranzistorului T6 la o amplitudine de 0,2Vpp / 1kHz;
ƒ Se ajustează cursorul potenţiometrului semireglabil RV9 până amplitudinea semnalului
de ieşire e maximă;
ƒ Se măsoară tensiunea pp (peak to peak) la ieşire în absenţa distorsiunilor şi se
calculează amplificarea cu relaţia:
Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

20
pp , i
pp , o
v
v
v
A =
ƒ Se verifică dacă defazajul între intrare şi ieşire este de 180
o
.


3.4 ÎNTREBĂRI

1. Ce este canalul la un tranzistor TEC-J?
a) Regiunea dintre sursă şi drenă;
b) Regiunea dintre poartă şi sursă;
c) Regiunea dintre drenă şi sursă;
d) Conexiunea dintre cele două regiuni ale porţii;
e) Conexiunea de intrare în TEC-J.

2. Canalul drenă-sursă este întrerupt ( 0 I
D
= ) când:
a) V 0 V
DS
= ;
b)
T GS
V V = ;
c) V 0 V
GS
= ;
d) V 5 V
GS
− = ;
e) V 1 V
DS
− = .

3. În regiunea liniară tranzistorul TEC-J se comportă ca:
a) O rezistenţă;
b) O diodă;
c) Un capacitor;
d) O bobină;
e) Un comutator deschis.

4. Ce erori se introduc în determinările asupra caracteristicilor statice prin menţinerea prea îndelungată
a TEC-J într-un regim de putere disipată relativ mare (I
D
şi V
DS
mari)?

5. Tranzistorul TEC-J se poate utiliza ca generator de curent constant în:
a) Polarizare în regiunea liniară;
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 21
b) Polarizare în saturaţie;
c) în oricare regiune a caracteristicii ( )
DS D
V I ;
d) La
T GS
V V < ;
e) La V 0 V
DS
= .

6. Tranzistorul TEC-J se poate utiliza ca amplificator de semnal mic:
a) în regiunea liniară;
b) în oricare regiune a caracteristicii ( )
DS D
V I ;
c) La
T GS
V V < ;
d) La V 0 V
DS
= .
e) în saturaţie;

7. Curentul de poartă al tranzistorului TEC-J:
a) Este dependent de
T
V ;
b) Este dependent de caracteristica ( )
DS D
V I ;
c) Este curentul rezidual al joncţiunii de poartă;
d) Creşte invers proporţional cu tensiunea
DS
V ;
e) Este proporţional cu
DSS
I .

2

Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

LUCRAREA 3 - Modulul MCM4/EV

TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP CU POARTĂ JONCŢIUNE (TEC-J)

1 PREZENTAREA TRANZISTORULUI CU EFECT DE CÂMP JONCŢIUNE CU POARTĂ 3.2 PRINCIPIUL DE FUNCŢIONARE.3.3 Măsurarea caracteristicii de curent continuu 3.4 ÎNTREBĂRI .3.2 MCM4/EV – Tranzistorul TEC-J. 3.3.5 Amplificator de semnal mic cu TEC-J 3.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 3 CUPRINS 3.3.1 Aparate necesare 3. ANALIZĂ TEORETICĂ. 3.3 DESFĂŞURAREA LUCRĂRII 3.4 Verificarea modelului dinamic 3. Pregătiri preliminare.3.

Orice altă utilizare nu este corectă şi astfel periculoasă. La dezambalarea modulului sau la începerea lucrării puneţi toate accesoriile în ordine pentru a nu le pierde şi verificaţi integritatea acestuia. . verificaţi că puterea estimată corespunde cu puterea sursei de alimentare. Acest modul trebuie utilizat numai conform scopului pentru care a fost conceput respectiv pentru educaţie şi trebuie utilizat numai sub directa supervizare a personalului specializat. Înainte de conectarea modulului la tensiunea de alimentare de +/-12V. Înainte de alimentarea modulului verificaţi cablurile de alimentare şi corecta conectate la sursa de alimentare. Utilizarea improprie sau neraţională a modulului poate conduce la stricăciuni iremediabile.4 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator INSTRUCŢIUNI DE UTILIZARE Pentru utilizarea modulului MCM4-EV citiţi şi menţineţi la îndemână acest manual. Faceţi un control vizual pentru a vă asigura ca nu sunt stricăciuni vizibile.

Prin contactarea celor două zone de conductivitate de tip opus apare electrodul de poartă (G – “gate”). Polarizarea în direct a acestei joncţiuni nu produce efect de tranzistor. realizându-se astfel două joncţiuni. pe când la tranzistorul cu efect de câmp controlul curentului de drenă se realizează cu o tensiune aplicată între poartă şi sursă.2.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 5 3.1 PREZENTAREA TRANZISTORULUI CU EFECT DE POARTĂ JONCŢIUNE CÂMP CU Tranzistorul cu efect de câmp poartă joncţiune (TEC-J) diferă de tranzistorul bipolar atât prin structură cât şi ca mod de operare. Polarizarea joncţiunii poartă-sursă se face întotdeauna în invers pentru a beneficia de efectul de tranzistor. Din acest punct de vedere TEC-J este un dispozitiv unipolar. 3. Fig. 3.1. 3. La polarizarea directă a joncţiunii curentul prin aceasta va depinde exponenţial de tensiunea aplicată şi dacă acesta nu este limitat va duce la distrugerea joncţiunii. Contactarea pe cele două laturi opuse ale bazei duce la obţinerea electrozilor de drenă (D – “drain”) respectiv sursă (S – “source”). Fig. .2 Simbolurile pentru tranzistoarele TEC-J. Curentul prin tranzistorul TEC-J este datorat unui singur tip de purtători spre deosebire de tranzistorul bipolar unde conducţia este asigurată de ambele tipuri de purtători.1 Structura unui tranzistor TEC-J. Simbolul tranzistorului este prezentat în fig. O deosebire esenţială între tranzistorul bipolar şi tranzistorul cu efect de câmp este că la tranzistorul bipolar controlul curentului de colector se realizează cu un curent de bază. deci a tranzistorului. 3. Într-un semiconductor (bază) ce are un tip de conductivitate se realizează două zone de conductivitate de tip opus. Structura unui tranzistor TEC-J este detaliată în fig.

funcţia f este definită ca: .3 este după cum urmează: Pentru VT ≤ v GS ≤ 0 . v DS ≥ 0 şi 0 ≤ v DS ≤ v DS . Fig.sat = v GS − vT : iD = G0 ⋅ [ f ( v DS + Φ B0 + vGS ) − f ( Φ B0 − vGS )] ⋅ v DS (3. L Φ B0 este înălţimea barierei de potenţial asociată joncţiunii p + n . Pentru VT ≤ v GS ≤ 0 . poartă-canal.6 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator 3.1) unde. 3.2) unde. Se demonstrează că dependenţa curent-tensiune pentru structura prezentată în fig. simbolul şi mărimile asociate din fig.3. 2 G0 = 2q ⋅ µ n ⋅ N D ⋅ a ⋅ Z este conductanţa maximă (constructivă) a canalului. VT = − q⋅ ND ⋅a2 + Φ B0 este tensiunea de prag.3 Structura simplificată a tranzistorului TEC-J. Caracteristici statice Se consideră un TEC-J cu canal n cu structura simplificată. ANALIZĂ TEORETICĂ. 3. 3.2 PRINCIPIUL DE FUNC|IONARE. v DS ≥ 0 şi v DS foarte mic (sute de mV):    Φ − v GS i D = G0 ⋅ 1 −  B0  Φ −V T   B0  1 2    ⋅ v DS     (3.

3) în cazul saturaţiei. 3.4) Prin neglijarea lui Φ B0 (ceea ce nu este întotdeauna justificabil) se obţine:  v iD = I DSS ⋅  1 − GS  VT      2 (3. I DSS = 1 ⋅ G0 ⋅ VT 3 Caracteristicile de ieşire iD ( v DS ) şi de transfer.sat = vGS − vT (saturaţie): 1 1 iD = G0 ⋅ ( Φ B0 − VT ) ⋅  − ⋅ f ( Φ B0 − vGS 3 Φ B0 − VT   )  (3.4a se disting două zone: zona liniară în care tranzistorul TEC-J funcţionează la tensiuni VDS mici şi are comportament de rezistenţă comandată în tensiune (curentul de drenă depinde de ambele tensiuni – VGS şi VDS ) şi zona de saturaţie (curentul de drenă depinde de tensiunea VGS şi foarte puţin de tensiunea VDS ).5) unde. în saturaţie iD ( vGS ) sunt date în fig.4. 3. Pe caracteristicile de ieşire iD ( v DS ) din fig. curentul de drenă poate fi exprimat aproximativ cu ajutorul relaţiei: iD =  Φ −v 1 ⋅ G0 ⋅ ( Φ B0 − VT ) ⋅  1 − B0 GS  Φ B0 − VT 3      2 (3. (a) .Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J  x  2  f ( x ) = x ⋅ 1 − ⋅  Φ −V 3  B0 T   1 2        7 Pentru VT ≤ v GS ≤ 0 şi vDS ≥ vDS .

5) în funcţie de regimul static al TEC-J. 3. (3. Fig. (3. în saturaţie iD ( vGS ) . în regim de saturaţie.4).iD = I D Id V gs Id Vds vds =0 ∂i 1 = D rds ∂v DS = ID = vGS =VGS . în realitate însă.4 Caracteristicile TEC-J: (a) de ieşire iD ( vDS ) .5) rezultă g d = 0 . v gs .5: gm = ∂i D ∂vGS = ID ∆i D ∆vGS ∆i D ∆v DS = vDS =VDS . 3. conductanţa canalului este nenulă în orice condiţii.iD = I D vds =0 I d . v ds sunt valori efective.4) sau (3.3).2).5 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă pentru funcţionarea în saturaţie. frecvenţe joase. al TEC-J polarizat în saturaţie. este descris de circuitul din fig.2) sau a uneia din relaţiile (3. .8 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator (b) Fig. 3. Expresia analitică pentru conductanţa canalului g d = 1 rezultă prin derivarea relaţiei (3.1) sau rds (3. Expresia analitică pentru g m (transconductanţa sau conductanţa mutuală) se obţine prin derivarea relaţiei (3. prin derivarea relaţiilor (3. (b) de transfer. Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă Modelul dinamic la semnal mic.

TEC-J-ul poate lucra ca amplificator într-una din cele patru conexiuni: sursă comună (SC). Fig. 3. . modelul se completează cu rezistenţele Rd şi Rs şi este prezentat în fig. 3. o dependenţă liniară între tensiunea de comandă vgs şi curentul de drenă id (fig. Circuit de amplificare cu tranzistor TEC-J Pentru a fi utilizat ca amplificator tranzistorul TEC-J se utilizează polarizat în regim de saturaţie. la semnal mic. i d = g m ⋅ v gs unde. Rezistenţele Rd şi Rs depind de tensiunile aplicate tranzistorului. drenă comună (DC) sau repetor pe sursă şi sarcină distribuită (SD).Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 9 Dacă se analizează structura reală a unui TEC-J se remarcă prezenţa între extremităţile canalului propriu-zis şi contactele metalice S şi D. Fig. în acest regim există.6. 3. Ca şi tranzistorul bipolar. grilă comună (GC).7). Astfel. 3. g m = transconductanţa sau panta tranzistorului TEC-J.7 Zona optimă de lucru pentru tranzistorul TEC-J ca amplificator de semnal mic.6 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă ce include efectul rezistenţelor serie din zona de sursă respectiv drenă. Valorile măsurate pentru g m şi g d pot diferi de cele care rezultă din formulele teoretice datorită prezenţei acestor rezistenţe. a unor porţiuni de siliciu n (sau p pentru TEC-J cu canal p) a căror rezistenţă trebuie luată în considerare în construirea unui model dinamic mai rafinat.

Amplificarea de tensiune a etajului SC este dată de relaţia: AV = vo = − g m ⋅ RD vi Semnul minus din relaţia ce dă amplificarea de tensiune a etajului semnifică faptul că la ieşire semnalul este defazat cu 1800 faţă de semnalul de intare. Pentru o valoare bine aleasă acesta va scurtcircuita RS în curent alternativ în banda de lucru punând tranzistorul cu sursa la masă (sursă comună). Condensatorul CS este utilizat ca şi condensator de decuplare în circuitul sursei. 3. Rezistorul RG este utilizat pentru întoarcerea curentului de poartă catre punctul de masă.10 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator În fig. Curentul prin tranzistor se fixează cu ajutorul rezistorului RS. Rezistenţele de intare/ieşire în/din etaj sunt: Ri = Ro = vi = RG ii vo = RD io Calculul acestora au presupus o rezistenţă de intrare şi o rezistenţă rds infinite pentru tranzistorul TEC-J. 3. Tranzistorul este atacat pe grilă cu un generator de semnal prin intermediul condensatorului de decuplare C1. Rezistenţa de sarcină a etajului este constituită numai din RD. .8 Etaj sursă comună (SC) realizat cu tranzistor TEC-J. rezistor ce are rol şi pentru polarizarea în curent continuu a tranzistorului. Fig.8 este prezentat un circuit de amplificare în care tranzistorul lucrează în conexiunea SC.

Fig. Sursă variabilă 1.9: Tehnica de polarizare aleasă este cu două surse: Sursa fixă de 12V/-12V şi un divizor rezistiv reglabil pentru tensiunea VGS.1 APARATE NECESARE Sursă de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV Modulul MCM4/EV.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 11 3. 3. 3.3.9 Schema electrică pentru măsurători pe tranzistorul TEC-J de pe modulul MCM-4. . PREGĂTIRI PRELIMINARE MCM-4 Montaţi SIS1 SIS2 Deconectaţi toate şunturile Setaţi toate comutatoarele pe deschis Introduceţi cod lecţie: B04 Se porneşte de la modulul aflat pe placa MCM-4 stânga sus cu schema electrică pentru măsurători pe tranzistorul TEC-J prezentată în fig.3 DESFĂŞURAREA LUCRĂRII 3.2V-24V (VCC) şi o rezistenţă serie pentru polarizarea drenă-sursă. 3. Osciloscop. Generator de semnal. ! Valorile amplitudinilor tensiunilor şi curenților alternativi sunt date în mărimi RMS.3.2 MCM4/EV-TRANZISTORUL TEC-J. Multimetru.

11. Tensiunea de prag este tensiunea VGS de la care curentul de drenă devine egal cu zero. 3.1 şi se măsoară curentul de drenă ID indirect. J37. Se fixează tensiunea VCC = 15V. prin măsurarea căderii de tensiune pe rezistorul R12. Cu ajutorul potenţiometrului RV8 se reglează tensiunea VGS a tranzistorului la valorile din tabelul 3. 3. Se evaluează tensiunea de prag a tranzistorului TEC-J ( VT ). 3.10 Circuitul pentru măsurarea caracteristicii de transfer. R12 = 680Ω . Graficul rezultat va fi de forma celui din fig.10 prin conectarea jumperilor J18. Curentul ID se calculează cu relaţia: ID = VCC − V DS R12 unde. Pentru măsurarea tensiunilor se utilizează voltmetrul sau osciloscopul aşa cum se arată în figură.3. . Se trasează graficul ID = f(VGS) şi se evaluează valoarea curentului IDSS. Fig. J30. J22.12 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator 3.3 MĂSURAREA CARACTERISTICILOR DE CURENT CONTINUU Caracteristica de transfer Se realizează circuitul din fig.

5 13 Fig.5 -2. 3.12. Se reprezintă grafic familia de curbe parametrice ID = f1 (VGS. Se variază tensiunea VDS la valorile impuse în tabel prin variaţia VDD şi se măsoară curentul de drenă.10 cu ajutorul potenţiometrului RV8 se reglează tensiunea VGS la valorile date în tabelul 3.11 Forma caracteristicii de transfer. Se vor obţine caracteristici de forma celei din fig.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J Tabelul 3.5 2 3 4 6 .2 VDS [V] VDD [V] VGS= 0 R12 [kΩ] ID [mA] VGS=-0.6 0. VDS).2. Caracteristicile de ieşire Pe circuitul din fig.5 0. Se va delimita pe grafic zona de saturaţie de zona liniară.1 VGS [V] VDS [V] ID [mA] 0 -0. 3. 3.8 1 1. Pentru a maximiza căderea de tensiune se scoate jumper-ul J22 şi se conectează în locul acestuia un rezistor R J22=10kΩ.7 -3 -3.5 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] 0 0.8 -2 -2.2 -2.5 -1. În cazul curenţilor de drenă mici. căderea de tensiune pe rezistenţa R12 va fi mică fapt ce se traduce într-o diferenţă mică între tensiunea VDD şi tensiunea VDS. Tabelul 3.5 -1 -1.

14 VGS= -1 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] VGS=-1.5 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] VGS= -3 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator .5 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] VGS= -2 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] VGS=-2.

= max im .VD [V] VGS= 0 R12 [kΩ] ID [mA] 13 14 15 16 17 18 19 . J31 şi J34.5 -0. J22.5 -2 -2. 3.lin = di D dv DS = VDS =0 ∆i D ∆v DS VDS =0 Rezultatele se trec în tabelul 3.4 VDS [V] VDD . Pentru verificarea acestui comportament se va utiliza circuitul din fig.12 Forma caracteristicii de ieşire.13. Pentru fiecare curbă se va determina grafic tangenta în origine: g d .1 -1. Dacă VT < VGS < 0V şi VGS = ct . Se reglează sursa de tensiune la valoarea de +24V.3 VGS [ V ] 0 -0. atunci tranzistorul va funcţiona în continuare ca generator de curent constant dar cu un curent de drenă de valoare mai mică decât I DSS .3. Tabelul 3. Tabelul 3.5 -3 g d . Se conectează jumper-ii J18.4.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 15 Fig. Se variază rezitorul RV9 fixându-se pentru VDS valorile din tabelul 3. 3. Dacă se neglijează efectul scurtării canalului în saturaţie şi se utilizează ecuaţia ce descrie funcţionarea TEC-J:  V I D = I DSS ⋅  1 − GS  VT      2 rezultă că pentru VGS = 0V se obţine I D = I DSS = ct .lin1 [ mA / V ] Funcţionarea TEC-J ca generator de curent constant Regimul în care tranzistorul TEC-J poate funcţiona ca generator de curent constant este saturaţia ( VT < VGS < 0V şi VDS ≥ VGS − VT ).

Acesta trebuie să rămână constant câtă vreme tranzistorul rămâne în saturaţie.13 Circuitul pentru măsurarea caracteristii curent-tensiune a sursei de curent constant realizate cu TEC-J. Rezultatele se trec în tabelul 3. dar reglat la V S = 0V . 3.5 R J 22 [ kΩ ] Vds [ mV ] 10 22 .16 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator Fig. Se conectează jumper-ii J18. J21. Tabelul 3. 2 Se repetă măsurătorile pentru RJ22 = 22kΩ . 1 Se conectează rezistenţa RJ22 = 10kΩ şi condensatorul CJ20 (10µF) se fixează VGS = −2V şi V DS = 5V .14. Potenţiometrul semireglabil RV5 se reglează cu cursorul în masă. Se reglează amplitudinea semnalului de la generator astfel încât să se obţină V gs = 10 mV şi se măsoară Vds . J30 şi J37. 3. Se trasează graficul ID = f (VDS). Generatorul de semnal este conectat şi pornit.5. 3. Se măsoară indirect curentul în circuit.4 VERIFICAREA MODELULUI DINAMIC Estimarea rd în saturaţie Se realizează configuraţia din fig.3.

iar valorile se trec în tabelul 3.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 17 Fig. Se calculează conductanţa mutuală măsurată.sat 1 [ mA / V ] g m . g m . 3. g m . 3.sat 2 .5 -2 -2. V gs = 10 mV şi măsurându-se Vds .sat 2 = 2 I DSS (VT )2 ⋅ VT − VGS VDS = 4V Cu datele din tabelul 3.14 se elimină jmper-ul J21 şi se adaugă J22. curbele: C1: g m .6 se trasează pe aceleaşi grafic.5 -1 -1. g m . iar valorile se trec în tabelul 3.sat 1 = f (VGS ) .sat 2 = f (VGS ) .gm.sat 1 .sat 1 = vds R12 ⋅ vds V DS = 4V Tabelul 3.sat. Se reglează succesiv VGS la valorile din tabelul 3.6 VGS [ V ] Vds [ mV ] 0 -0. pentru V DS = 4V C2: g m .sat = 1 g d .6 menţinându-se de fiecare dată V DS = 4V .14 Circuitul pentru măsurarea rezistenţei dinamice în saturaţie (rd) şi a gm. pentru V DS = 4V .5 -3 g m .sat În configuraţia din fig.6.sat 2 [ mA / V ] Cu ajutorul valorilor I DSS şi VT determinate anterior se calculează conductanţa mutuală teoretică g m . Se calculează: rd .6.sat = 2 1 RJ 22 − RJ 22 2 RJ 22 ⋅ vds1 −1 1 RJ 22 ⋅ vds 2 Măsurarea conductanţei mutuale în saturaţie .

parametrul: Vdd −1 V = ds RJ 22 V DS = 0V g d .7 VGS [ V ] Vdd [ mV ] g d .5 -3 Fig.gd.5 -2 -2. 3.lin Se realizează configuraţia din fig. 3. Se măsoară Vdd şi se trece în tabelul 3. Utilizând datele din tab.15 Circuitul pentru măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară .gm. Se ajustează succesiv VGS la valorile din tabelul 3.15 conectându-se jumper-ii J21.sat 2 (transconductanţa calculată)? Măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară . Se modifică de fiecare dată amplitudinea generatorului astfel încât să se obţină Vds = 20 mV . J30. Se reglează potenţiometru RV5 cu cursorul în masă.lin 3 [ mA / V ] 0 -0. J37 şi RJ22 = 10kΩ .7.sat 1 (transconductanţa măsurată) şi g m .lin.lin 2 [ mA / V ] g d .18 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator Cum explicaţi diferenţele care rezultă între g m . Tabelul 3. 3.7 se calculează pentru fiecare valoare a lui VGS .lin 2 şi cu ajutorul lui I DSS şi VT parametrul .5 -1 -1.7.

16. 3.16 Amplificator sursă comună cu TEC-J.lin1 şi g d . J22. Se măsoară tensiunea pp (peak to peak) la ieşire în absenţa distorsiunilor şi se calculează amplificarea cu relaţia: .lin1 = f (VGS ) . pentru V DS = 0V C5: g d .3 şi 3.2Vpp / 1kHz. pentru V DS = 0V C4: g d . Se conectează cele două canale ale osciloscopului ca în fig. pentru V DS = 0V Cum explicaţi diferenţele care rezultă între conductanţele drenă-sursă măsurate prin diferite metode g d .7. Se ajustează cursorul potenţiometrului semireglabil RV9 până amplitudinea semnalului de ieşire e maximă.lin 2 şi conductanţa g d .16 se realizează în următoarele etape: Se conectează jumperii J18. J34. 3.7 se trasează grafic curbele: C3: g d . Cu datele din tabelele 3. Fig. 3.lin 3 calculată cu relaţia? 3. Fig. 3.16. J36.lin3 = f (VGS ) .3.lin 3 = 2 I DSS ⋅ VT − vGS ( VT )2 19 V DS = 0V Rezultatele se trec în tabelul 3. Se poziţionează cursorul potenţiometrului semireglabil RV6 la masă. J29.5 AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC CU TEC-J Conexiunea utilizată pentru experimentarea amplificării la tranzistorul TEC-J este sursa comună (SC) – fig. Se reglează Vcc la valoarea de 24V. J27. Se reglează semnalul pe grila tranzistorului T6 la o amplitudine de 0.lin 2 = f (VGS ) . Se conectează generatorul de semnal pe poziţia jumper-ului J29.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J g d .

VGS = −5V . Conexiunea de intrare în TEC-J. VGS = VT . 3.20 Av = v o . . 3. Ce este canalul la un tranzistor TEC-J? a) b) c) d) e) Regiunea dintre sursă şi drenă. Un capacitor. 4. Conexiunea dintre cele două regiuni ale porţii. Regiunea dintre drenă şi sursă. V DS = −1V . Tranzistorul TEC-J se poate utiliza ca generator de curent constant în: a) Polarizare în regiunea liniară. pp v i . 2. pp Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator Se verifică dacă defazajul între intrare şi ieşire este de 180o. VGS = 0V . Canalul drenă-sursă este întrerupt ( I D = 0 ) când: a) b) c) d) e) V DS = 0V .4 ÎNTREBĂRI 1. O bobină. Ce erori se introduc în determinările asupra caracteristicilor statice prin menţinerea prea îndelungată a TEC-J într-un regim de putere disipată relativ mare (ID şi VDS mari)? 5. În regiunea liniară tranzistorul TEC-J se comportă ca: a) b) c) d) e) O rezistenţă. O diodă. Un comutator deschis. Regiunea dintre poartă şi sursă.

La VGS < VT . în oricare regiune a caracteristicii I D (V DS ) . La V DS = 0V . Curentul de poartă al tranzistorului TEC-J: a) b) c) d) e) Este dependent de VT . Este proporţional cu I DSS . Este dependent de caracteristica I D (V DS ) . Creşte invers proporţional cu tensiunea V DS . în oricare regiune a caracteristicii I D (V DS ) . . La VGS < VT . 21 6. în saturaţie. 7.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J b) c) d) e) Polarizare în saturaţie. Tranzistorul TEC-J se poate utiliza ca amplificator de semnal mic: a) b) c) d) e) în regiunea liniară. La V DS = 0V . Este curentul rezidual al joncţiunii de poartă.

You're Reading a Free Preview

Download
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->