Universitatea Politehnica din Bucureşti

Facultatea de Electronică Telecomunicaţii şi Tehnologia Informaţiei











DISPOZITIVE ELECTRONICE


ÎNDRUMAR DE LABORATOR


























Bucureşti-2009

Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

2








LUCRAREA 3 - Modulul MCM4/EV














TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP CU
POARTĂ JONCŢIUNE (TEC-J)















Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 3








CUPRINS


3.1 PREZENTAREA TRANZISTORULUI CU EFECT DE CÂMP CU POARTĂ
JONCŢIUNE

3.2 PRINCIPIUL DE FUNCŢIONARE. ANALIZĂ TEORETICĂ.

3.3 DESFĂŞURAREA LUCRĂRII
3.3.1 Aparate necesare
3.3.2 MCM4/EV – Tranzistorul TEC-J. Pregătiri preliminare.
3.3.3 Măsurarea caracteristicii de curent continuu
3.3.4 Verificarea modelului dinamic
3.3.5 Amplificator de semnal mic cu TEC-J

3.4 ÎNTREBĂRI














Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

4





INSTRUCŢIUNI DE UTILIZARE



‰ Pentru utilizarea modulului MCM4-EV citiţi şi menţineţi la îndemână acest manual.

‰ La dezambalarea modulului sau la începerea lucrării puneţi toate accesoriile în ordine pentru a
nu le pierde şi verificaţi integritatea acestuia. Faceţi un control vizual pentru a vă asigura ca nu
sunt stricăciuni vizibile.

‰ Înainte de conectarea modulului la tensiunea de alimentare de +/-12V, verificaţi că puterea
estimată corespunde cu puterea sursei de alimentare.

‰ Înainte de alimentarea modulului verificaţi cablurile de alimentare şi corecta conectate la sursa
de alimentare.

‰ Acest modul trebuie utilizat numai conform scopului pentru care a fost conceput respectiv
pentru educaţie şi trebuie utilizat numai sub directa supervizare a personalului specializat.

‰ Orice altă utilizare nu este corectă şi astfel periculoasă. Utilizarea improprie sau neraţională a
modulului poate conduce la stricăciuni iremediabile.




















Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 5
3.1 PREZENTAREA TRANZISTORULUI CU EFECT DE CÂMP CU
POARTĂ JONCŢIUNE
Tranzistorul cu efect de câmp poartă joncţiune (TEC-J) diferă de tranzistorul bipolar atât prin
structură cât şi ca mod de operare. Curentul prin tranzistorul TEC-J este datorat unui singur tip de
purtători spre deosebire de tranzistorul bipolar unde conducţia este asigurată de ambele tipuri de
purtători. Din acest punct de vedere TEC-J este un dispozitiv unipolar.
Structura unui tranzistor TEC-J este detaliată în fig. 3.1. Într-un semiconductor (bază) ce are un
tip de conductivitate se realizează două zone de conductivitate de tip opus, realizându-se astfel două
joncţiuni. Prin contactarea celor două zone de conductivitate de tip opus apare electrodul de poartă (G
– “gate”). Contactarea pe cele două laturi opuse ale bazei duce la obţinerea electrozilor de drenă (D –
“drain”) respectiv sursă (S – “source”). Simbolul tranzistorului este prezentat în fig. 3.2.

Fig. 3.1 Structura unui tranzistor TEC-J.

O deosebire esenţială între tranzistorul bipolar şi tranzistorul cu efect de câmp este că la
tranzistorul bipolar controlul curentului de colector se realizează cu un curent de bază, pe când la
tranzistorul cu efect de câmp controlul curentului de drenă se realizează cu o tensiune aplicată între
poartă şi sursă.
Polarizarea joncţiunii poartă-sursă se face întotdeauna în invers pentru a beneficia de efectul de
tranzistor. Polarizarea în direct a acestei joncţiuni nu produce efect de tranzistor. La polarizarea directă
a joncţiunii curentul prin aceasta va depinde exponenţial de tensiunea aplicată şi dacă acesta nu este
limitat va duce la distrugerea joncţiunii, deci a tranzistorului.


Fig. 3.2 Simbolurile pentru tranzistoarele TEC-J.
Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

6

3.2 PRINCIPIUL DE FUNC|IONARE. ANALIZĂ TEORETICĂ.

Caracteristici statice
Se consideră un TEC-J cu canal n cu structura simplificată, simbolul şi mărimile asociate din
fig. 3.3.

Fig. 3.3 Structura simplificată a tranzistorului TEC-J.

Se demonstrează că dependenţa curent-tensiune pentru structura prezentată în fig. 3.3 este după
cum urmează:
Pentru 0 v V
GS T
≤ ≤ , 0 v
DS
≥ şi
DS
v foarte mic (sute de mV):
DS
2
1
T 0 B
GS 0 B
0 D
v
V
v
1 G i ⋅

|
|
.
|

\
|


− ⋅ =
Φ
Φ
(3.1)
unde,

0 B
2
D
T
2
a N q
V Φ +
⋅ ⋅
− = este tensiunea de prag;

L
Z a N q 2
G
D n
0
⋅ ⋅ ⋅ ⋅
=
u
este conductanţa maximă (constructivă) a canalului;

0 B
Φ este înălţimea barierei de potenţial asociată joncţiunii n p
+
, poartă-canal.
Pentru 0 v V
GS T
≤ ≤ , 0 v
DS
≥ şi
T GS sat , DS DS
v v v v 0 − = ≤ ≤ :
| |
DS GS 0 B GS 0 B DS 0 D
v ) v ( f ) v v ( f G i ⋅ − − + + ⋅ = Φ Φ (3.2)
unde, funcţia f este definită ca:
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 7

|
|
.
|

\
|

⋅ − ⋅ =
2
1
T 0 B
V
x
3
2
1 x ) x ( f
Φ

Pentru 0 v V
GS T
≤ ≤ şi
T GS sat , DS DS
v v v v − = ≥ (saturaţie):

− ⋅

− ⋅ − ⋅ = ) v ( f
V
1
3
1
) V ( G i
GS 0 B
T 0 B
T 0 B 0 D
Φ
Φ
Φ (3.3)
în cazul saturaţiei, curentul de drenă poate fi exprimat aproximativ cu ajutorul relaţiei:

2
T 0 B
GS 0 B
T 0 B 0 D
V
v
1 ) V ( G
3
1
i
|
|
.
|

\
|


− ⋅ − ⋅ ⋅ =
Φ
Φ
Φ (3.4)
Prin neglijarea lui
0 B
Φ (ceea ce nu este întotdeauna justificabil) se obţine:

2
T
GS
DSS D
V
v
1 I i
|
|
.
|

\
|
− ⋅ = (3.5)
unde,

T 0 DSS
V G
3
1
I ⋅ ⋅ =
Caracteristicile de ieşire ) v ( i
DS D
şi de transfer, în saturaţie ) v ( i
GS D
sunt date în fig. 3.4.
Pe caracteristicile de ieşire ) v ( i
DS D
din fig. 3.4a se disting două zone: zona liniară în care
tranzistorul TEC-J funcţionează la tensiuni V
DS
mici şi are comportament de rezistenţă comandată în
tensiune (curentul de drenă depinde de ambele tensiuni – V
GS
şi V
DS
) şi zona de saturaţie (curentul de
drenă depinde de tensiunea V
GS
şi foarte puţin de tensiunea V
DS
).

(a)


Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

8

(b)
Fig. 3.4 Caracteristicile TEC-J: (a) de ieşire ) v ( i
DS D
; (b) de transfer, în saturaţie ) v ( i
GS D
.

Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă
Modelul dinamic la semnal mic, frecvenţe joase, al TEC-J polarizat în saturaţie, este descris de
circuitul din fig. 3.5:

0 v
gs
d
I i , V v
GS
D
I
GS
D
m
ds
D D DS DS D
V
I
v
i
v
i
g
=
= =
= =


=




0 v
ds
d
I i , V v
DS
D
I
DS
D
ds
ds D D GS GS D
V
I
v
i
v
i
r
1
= = =
= =


=




d
I ,
gs
v ,
ds
v sunt valori efective. Expresia analitică pentru
m
g (transconductanţa sau
conductanţa mutuală) se obţine prin derivarea relaţiei (3.2) sau a uneia din relaţiile (3.3), (3.4) sau (3.5)
în funcţie de regimul static al TEC-J.


Fig. 3.5 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă pentru funcţionarea în saturaţie.
Expresia analitică pentru conductanţa canalului
ds
d
r
1
g = rezultă prin derivarea relaţiei (3.1) sau
(3.2). în regim de saturaţie, prin derivarea relaţiilor (3.4), (3.5) rezultă 0 g
d
= . în realitate însă,
conductanţa canalului este nenulă în orice condiţii.
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 9
Dacă se analizează structura reală a unui TEC-J se remarcă prezenţa între extremităţile
canalului propriu-zis şi contactele metalice S şi D, a unor porţiuni de siliciu n (sau p pentru TEC-J cu
canal p) a căror rezistenţă trebuie luată în considerare în construirea unui model dinamic mai rafinat.
Astfel, modelul se completează cu rezistenţele
d
R şi
s
R şi este prezentat în fig. 3.6.
Rezistenţele
d
R şi
s
R depind de tensiunile aplicate tranzistorului. Valorile măsurate pentru
m
g
şi
d
g pot diferi de cele care rezultă din formulele teoretice datorită prezenţei acestor rezistenţe.

Fig. 3.6 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă ce include efectul rezistenţelor serie din
zona de sursă respectiv drenă.

Circuit de amplificare cu tranzistor TEC-J
Pentru a fi utilizat ca amplificator tranzistorul TEC-J se utilizează polarizat în regim de
saturaţie. în acest regim există, la semnal mic, o dependenţă liniară între tensiunea de comandă v
gs
şi
curentul de drenă i
d
(fig. 3.7).

Fig. 3.7 Zona optimă de lucru pentru tranzistorul TEC-J ca amplificator de semnal mic.


gs m d
v g i ⋅ =
unde,

m
g = transconductanţa sau panta tranzistorului TEC-J.
Ca şi tranzistorul bipolar, TEC-J-ul poate lucra ca amplificator într-una din cele patru
conexiuni: sursă comună (SC), grilă comună (GC), drenă comună (DC) sau repetor pe sursă şi sarcină
distribuită (SD).
Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

10
În fig. 3.8 este prezentat un circuit de amplificare în care tranzistorul lucrează în conexiunea
SC. Tranzistorul este atacat pe grilă cu un generator de semnal prin intermediul condensatorului de
decuplare C
1
. Rezistorul R
G
este utilizat pentru întoarcerea curentului de poartă catre punctul de masă.
Curentul prin tranzistor se fixează cu ajutorul rezistorului R
S
. Condensatorul C
S
este utilizat ca şi
condensator de decuplare în circuitul sursei. Pentru o valoare bine aleasă acesta va scurtcircuita R
S
în
curent alternativ în banda de lucru punând tranzistorul cu sursa la masă (sursă comună).


Fig. 3.8 Etaj sursă comună (SC) realizat cu tranzistor TEC-J.

Rezistenţa de sarcină a etajului este constituită numai din R
D
, rezistor ce are rol şi pentru
polarizarea în curent continuu a tranzistorului.
Amplificarea de tensiune a etajului SC este dată de relaţia:

D m
i
o
V
R g
v
v
A ⋅ − = =
Semnul minus din relaţia ce dă amplificarea de tensiune a etajului semnifică faptul că la ieşire
semnalul este defazat cu 180
0
faţă de semnalul de intare.
Rezistenţele de intare/ieşire în/din etaj sunt:

G
i
i
i
R
i
v
R = =

D
o
o
o
R
i
v
R = =
Calculul acestora au presupus o rezistenţă de intrare şi o rezistenţă r
ds
infinite pentru tranzistorul
TEC-J.


Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 11
3.3 DESFĂŞURAREA LUCRĂRII

3.3.1 APARATE NECESARE

ƒ Sursă de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV
ƒ Modulul MCM4/EV;
ƒ Multimetru;
ƒ Osciloscop;
ƒ Generator de semnal.


3.3.2 MCM4/EV-TRANZISTORUL TEC-J. PREGĂTIRI PRELIMINARE

MCM-4 Deconectaţi toate şunturile
Montaţi SIS1 Setaţi toate comutatoarele pe deschis
SIS2 Introduceţi cod lecţie: B04

Se porneşte de la modulul aflat pe placa MCM-4 stânga sus cu schema electrică pentru
măsurători pe tranzistorul TEC-J prezentată în fig. 3.9:
Tehnica de polarizare aleasă este cu două surse:
ƒ Sursa fixă de 12V/-12V şi un divizor rezistiv reglabil pentru tensiunea V
GS
;
ƒ Sursă variabilă 1,2V-24V (V
CC
) şi o rezistenţă serie pentru polarizarea drenă-sursă.
! Valorile amplitudinilor tensiunilor şi curenților alternativi sunt date în mărimi RMS.

Fig. 3.9 Schema electrică pentru măsurători pe tranzistorul TEC-J de pe modulul MCM-4.

Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

12



3.3.3 MĂSURAREA CARACTERISTICILOR DE CURENT CONTINUU

Caracteristica de transfer
Se realizează circuitul din fig. 3.10 prin conectarea jumperilor J18, J22, J30, J37. Pentru
măsurarea tensiunilor se utilizează voltmetrul sau osciloscopul aşa cum se arată în figură.
Se fixează tensiunea V
CC
= 15V.
Cu ajutorul potenţiometrului RV8 se reglează tensiunea V
GS
a tranzistorului la valorile din
tabelul 3.1 şi se măsoară curentul de drenă I
D
indirect, prin măsurarea căderii de tensiune pe rezistorul
R
12
.
Curentul I
D
se calculează cu relaţia:

12
DS CC
D
R
V V
I

=
unde, Ω 680 R
12
= .
Se trasează graficul I
D
= f(V
GS
) şi se evaluează valoarea curentului I
DSS
. Graficul rezultat va fi de
forma celui din fig. 3.11.
Se evaluează tensiunea de prag a tranzistorului TEC-J (
T
V ). Tensiunea de prag este tensiunea
V
GS
de la care curentul de drenă devine egal cu zero.


Fig. 3.10 Circuitul pentru măsurarea caracteristicii de transfer.




Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 13
Tabelul 3.1
V
GS

[V]
0 -0,5 -1 -1,5 -1,8 -2 -2,2 -2,5 -2,7 -3 -3,5
V
DS

[V]

I
D

[mA]


Fig. 3.11 Forma caracteristicii de transfer.
Caracteristicile de ieşire
Pe circuitul din fig. 3.10 cu ajutorul potenţiometrului RV8 se reglează tensiunea V
GS
la valorile
date în tabelul 3.2. Se variază tensiunea V
DS
la valorile impuse în tabel prin variaţia V
DD
şi se măsoară
curentul de drenă.
În cazul curenţilor de drenă mici, căderea de tensiune pe rezistenţa R
12
va fi mică fapt ce se
traduce într-o diferenţă mică între tensiunea V
DD
şi tensiunea V
DS
. Pentru a maximiza căderea de
tensiune se scoate jumper-ul J22 şi se conectează în locul acestuia un rezistor R
J22
=10kΩ.
Se reprezintă grafic familia de curbe parametrice I
D
= f
1
(V
GS
, V
DS
). Se vor obţine caracteristici
de forma celei din fig. 3.12. Se va delimita pe grafic zona de saturaţie de zona liniară.
Tabelul 3.2
V
DS
[V] 0 0,5 0,6 0,8 1 1,5 2 3 4 6
V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
= 0
I
D
[mA]

V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
=-0,5
I
D
[mA]

Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

14
V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
= -1
I
D
[mA]

V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
=-1,5
I
D
[mA]

V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
= -2
I
D
[mA]

V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
=-2,5
I
D
[mA]

V
DD

[V]

R
12

[kΩ]

V
GS
= -3
I
D
[mA]


Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 15

Fig. 3.12 Forma caracteristicii de ieşire.
Pentru fiecare curbă se va determina grafic tangenta în origine:
0 V
DS
D
0 V
DS
D
lin , d
DS DS
v
i
dv
di
g
= =
= =



Rezultatele se trec în tabelul 3.3.

Tabelul 3.3
] V [ V
GS
0 -0,5 -0,1 -1,5 -2 -2,5 -3
] V / mA [ g
1 lin , d


Funcţionarea TEC-J ca generator de curent constant
Regimul în care tranzistorul TEC-J poate funcţiona ca generator de curent constant este
saturaţia ( V 0 V V
GS T
< < şi
T GS DS
V V V − ≥ ). Dacă se neglijează efectul scurtării canalului în saturaţie şi
se utilizează ecuaţia ce descrie funcţionarea TEC-J:

2
T
GS
DSS D
V
V
1 I I
|
|
.
|

\
|
− ⋅ =
rezultă că pentru V 0 V
GS
= se obţine im max . ct I I
DSS D
= = = . Dacă V 0 V V
GS T
< < şi . ct V
GS
= atunci
tranzistorul va funcţiona în continuare ca generator de curent constant dar cu un curent de drenă de
valoare mai mică decât
DSS
I . Pentru verificarea acestui comportament se va utiliza circuitul din fig.
3.13.
Se reglează sursa de tensiune la valoarea de +24V. Se conectează jumper-ii J18, J22, J31 şi
J34. Se variază rezitorul RV9 fixându-se pentru V
DS
valorile din tabelul 3.4.
Tabelul 3.4
V
DS
[V] 13 14 15 16 17 18 19
V
DD
- V
D
[V]
R
12
[kΩ] V
GS
= 0
I
D
[mA]

Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

16

Fig. 3.13 Circuitul pentru măsurarea caracteristii curent-tensiune a sursei de curent constant realizate cu
TEC-J.

Se măsoară indirect curentul în circuit. Acesta trebuie să rămână constant câtă vreme
tranzistorul rămâne în saturaţie.
Se trasează graficul I
D
= f (V
DS
).

3.3.4 VERIFICAREA MODELULUI DINAMIC

Estimarea r
d
în saturaţie
Se realizează configuraţia din fig. 3.14. Se conectează jumper-ii J18, J21, J30 şi J37.
Se conectează rezistenţa 10k R
1
J22
Ω = şi condensatorul C
J20
(10µF) se fixează V 2 V
GS
− = şi
V 5 V
DS
= . Generatorul de semnal este conectat şi pornit, dar reglat la V 0 V
S
= . Potenţiometrul
semireglabil RV5 se reglează cu cursorul în masă.
Se reglează amplitudinea semnalului de la generator astfel încât să se obţină mV 10 V
gs
= şi se
măsoară
ds
V . Rezultatele se trec în tabelul 3.5.
Se repetă măsurătorile pentru Ω 22k R
2
J22
= .

Tabelul 3.5
] k [ R
22 J
Ω 10 22
] mV [ V
ds

Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 17


Fig. 3.14 Circuitul pentru măsurarea rezistenţei dinamice în saturaţie (r
d
) şi a g
m,sat
.

Se calculează:
1
v R
v R
R R
g
1
r
2 ds
1
22 J
1 ds
2
22 J
1
22 J
2
22 J
sat , d
sat , d




= =

Măsurarea conductanţei mutuale în saturaţie - g
m,sat

În configuraţia din fig. 3.14 se elimină jmper-ul J21 şi se adaugă J22. Se reglează succesiv
GS
V
la valorile din tabelul 3.6 menţinându-se de fiecare dată V 4 V
DS
= , mV 10 V
gs
= şi măsurându-se
ds
V .
Se calculează conductanţa mutuală măsurată,
1 sat , m
g , iar valorile se trec în tabelul 3.6.
V 4 V
ds 12
ds
1 sat , m
DS
v R
v
g
=

=
Tabelul 3.6
] V [ V
GS
0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3
] mV [ V
ds

] V / mA [ g
1 sat , m

] V / mA [ g
2 sat , m


Cu ajutorul valorilor
DSS
I şi
T
V determinate anterior se calculează conductanţa mutuală
teoretică
2 sat , m
g , iar valorile se trec în tabelul 3.6.
( )
V 4 V
GS T
2
T
DSS
2 sat , m
DS
V V
V
I 2
g
=
− ⋅ =
Cu datele din tabelul 3.6 se trasează pe aceleaşi grafic, curbele:
C1: ( )
GS 1 sat , m
V f g = , pentru V 4 V
DS
=
C2: ( )
GS 2 sat , m
V f g = , pentru V 4 V
DS
=
Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

18
Cum explicaţi diferenţele care rezultă între
1 sat , m
g (transconductanţa măsurată) şi
2 sat , m
g (transconductanţa calculată)?

Măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară - g
m,lin

Se realizează configuraţia din fig. 3.15 conectându-se jumper-ii J21, J30, J37 şi 10k R
J22
Ω = .
Se reglează potenţiometru RV5 cu cursorul în masă. Se ajustează succesiv
GS
V la valorile din tabelul
3.7. Se modifică de fiecare dată amplitudinea generatorului astfel încât să se obţină mV 20 V
ds
= . Se
măsoară
dd
V şi se trece în tabelul 3.7.

Tabelul 3.7
] V [ V
GS
0 -0,5 -1 -1,5 -2 -2,5 -3
] mV [ V
dd

] V / mA [ g
2 lin , d

] V / mA [ g
3 lin , d


Fig. 3.15 Circuitul pentru măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară - g
d,lin
.

Utilizând datele din tab. 3.7 se calculează pentru fiecare valoare a lui
GS
V , parametrul:
V 0 V
22 J
ds
dd
2 lin , d
DS
R
1
V
V
g
=

=
şi cu ajutorul lui
DSS
I şi
T
V parametrul
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 19
V 0 V
GS T
2
T
DSS
3 lin , d
DS
v V
) V (
I 2
g
=
− ⋅ =
Rezultatele se trec în tabelul 3.7. Cu datele din tabelele 3.3 şi 3.7 se trasează grafic curbele:
C3: ( )
GS 1 lin , d
V f g = , pentru V 0 V
DS
=
C4: ( )
GS 2 lin , d
V f g = , pentru V 0 V
DS
=
C5: ( )
GS 3 lin , d
V f g = , pentru V 0 V
DS
=
Cum explicaţi diferenţele care rezultă între conductanţele drenă-sursă măsurate prin diferite
metode
1 lin , d
g şi
2 lin , d
g şi conductanţa
3 lin , d
g calculată cu relaţia?

3.3.5 AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC CU TEC-J
Conexiunea utilizată pentru experimentarea amplificării la tranzistorul TEC-J este sursa
comună (SC) – fig. 3.16.

Fig. 3.16 Amplificator sursă comună cu TEC-J.

Fig. 3.16 se realizează în următoarele etape:
ƒ Se conectează jumperii J18, J22, J27, J29, J34, J36;
ƒ Se reglează Vcc la valoarea de 24V;
ƒ Se conectează cele două canale ale osciloscopului ca în fig. 3.16;
ƒ Se poziţionează cursorul potenţiometrului semireglabil RV6 la masă;
ƒ Se conectează generatorul de semnal pe poziţia jumper-ului J29;
ƒ Se reglează semnalul pe grila tranzistorului T6 la o amplitudine de 0,2Vpp / 1kHz;
ƒ Se ajustează cursorul potenţiometrului semireglabil RV9 până amplitudinea semnalului
de ieşire e maximă;
ƒ Se măsoară tensiunea pp (peak to peak) la ieşire în absenţa distorsiunilor şi se
calculează amplificarea cu relaţia:
Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

20
pp , i
pp , o
v
v
v
A =
ƒ Se verifică dacă defazajul între intrare şi ieşire este de 180
o
.


3.4 ÎNTREBĂRI

1. Ce este canalul la un tranzistor TEC-J?
a) Regiunea dintre sursă şi drenă;
b) Regiunea dintre poartă şi sursă;
c) Regiunea dintre drenă şi sursă;
d) Conexiunea dintre cele două regiuni ale porţii;
e) Conexiunea de intrare în TEC-J.

2. Canalul drenă-sursă este întrerupt ( 0 I
D
= ) când:
a) V 0 V
DS
= ;
b)
T GS
V V = ;
c) V 0 V
GS
= ;
d) V 5 V
GS
− = ;
e) V 1 V
DS
− = .

3. În regiunea liniară tranzistorul TEC-J se comportă ca:
a) O rezistenţă;
b) O diodă;
c) Un capacitor;
d) O bobină;
e) Un comutator deschis.

4. Ce erori se introduc în determinările asupra caracteristicilor statice prin menţinerea prea îndelungată
a TEC-J într-un regim de putere disipată relativ mare (I
D
şi V
DS
mari)?

5. Tranzistorul TEC-J se poate utiliza ca generator de curent constant în:
a) Polarizare în regiunea liniară;
Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 21
b) Polarizare în saturaţie;
c) în oricare regiune a caracteristicii ( )
DS D
V I ;
d) La
T GS
V V < ;
e) La V 0 V
DS
= .

6. Tranzistorul TEC-J se poate utiliza ca amplificator de semnal mic:
a) în regiunea liniară;
b) în oricare regiune a caracteristicii ( )
DS D
V I ;
c) La
T GS
V V < ;
d) La V 0 V
DS
= .
e) în saturaţie;

7. Curentul de poartă al tranzistorului TEC-J:
a) Este dependent de
T
V ;
b) Este dependent de caracteristica ( )
DS D
V I ;
c) Este curentul rezidual al joncţiunii de poartă;
d) Creşte invers proporţional cu tensiunea
DS
V ;
e) Este proporţional cu
DSS
I .

2

Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator

LUCRAREA 3 - Modulul MCM4/EV

TRANZISTORUL CU EFECT DE CÂMP CU POARTĂ JONCŢIUNE (TEC-J)

2 PRINCIPIUL DE FUNCŢIONARE.4 ÎNTREBĂRI .3.3 Măsurarea caracteristicii de curent continuu 3.5 Amplificator de semnal mic cu TEC-J 3. 3.1 Aparate necesare 3. Pregătiri preliminare.3.3. 3. ANALIZĂ TEORETICĂ.2 MCM4/EV – Tranzistorul TEC-J.3 DESFĂŞURAREA LUCRĂRII 3.3.4 Verificarea modelului dinamic 3.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 3 CUPRINS 3.3.1 PREZENTAREA TRANZISTORULUI CU EFECT DE CÂMP JONCŢIUNE CU POARTĂ 3.

verificaţi că puterea estimată corespunde cu puterea sursei de alimentare. La dezambalarea modulului sau la începerea lucrării puneţi toate accesoriile în ordine pentru a nu le pierde şi verificaţi integritatea acestuia. Înainte de conectarea modulului la tensiunea de alimentare de +/-12V. . Orice altă utilizare nu este corectă şi astfel periculoasă. Acest modul trebuie utilizat numai conform scopului pentru care a fost conceput respectiv pentru educaţie şi trebuie utilizat numai sub directa supervizare a personalului specializat. Utilizarea improprie sau neraţională a modulului poate conduce la stricăciuni iremediabile. Înainte de alimentarea modulului verificaţi cablurile de alimentare şi corecta conectate la sursa de alimentare. Faceţi un control vizual pentru a vă asigura ca nu sunt stricăciuni vizibile.4 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator INSTRUCŢIUNI DE UTILIZARE Pentru utilizarea modulului MCM4-EV citiţi şi menţineţi la îndemână acest manual.

1 Structura unui tranzistor TEC-J. 3. Fig. Structura unui tranzistor TEC-J este detaliată în fig. Contactarea pe cele două laturi opuse ale bazei duce la obţinerea electrozilor de drenă (D – “drain”) respectiv sursă (S – “source”). Într-un semiconductor (bază) ce are un tip de conductivitate se realizează două zone de conductivitate de tip opus.1 PREZENTAREA TRANZISTORULUI CU EFECT DE POARTĂ JONCŢIUNE CÂMP CU Tranzistorul cu efect de câmp poartă joncţiune (TEC-J) diferă de tranzistorul bipolar atât prin structură cât şi ca mod de operare. pe când la tranzistorul cu efect de câmp controlul curentului de drenă se realizează cu o tensiune aplicată între poartă şi sursă. Prin contactarea celor două zone de conductivitate de tip opus apare electrodul de poartă (G – “gate”). . 3. 3. Polarizarea joncţiunii poartă-sursă se face întotdeauna în invers pentru a beneficia de efectul de tranzistor. 3.1. deci a tranzistorului. Fig. realizându-se astfel două joncţiuni. Simbolul tranzistorului este prezentat în fig. O deosebire esenţială între tranzistorul bipolar şi tranzistorul cu efect de câmp este că la tranzistorul bipolar controlul curentului de colector se realizează cu un curent de bază. Polarizarea în direct a acestei joncţiuni nu produce efect de tranzistor. Din acest punct de vedere TEC-J este un dispozitiv unipolar.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 5 3.2 Simbolurile pentru tranzistoarele TEC-J. La polarizarea directă a joncţiunii curentul prin aceasta va depinde exponenţial de tensiunea aplicată şi dacă acesta nu este limitat va duce la distrugerea joncţiunii. Curentul prin tranzistorul TEC-J este datorat unui singur tip de purtători spre deosebire de tranzistorul bipolar unde conducţia este asigurată de ambele tipuri de purtători.2.

3. Fig.2) unde. funcţia f este definită ca: . v DS ≥ 0 şi v DS foarte mic (sute de mV):    Φ − v GS i D = G0 ⋅ 1 −  B0  Φ −V T   B0  1 2    ⋅ v DS     (3. 2 G0 = 2q ⋅ µ n ⋅ N D ⋅ a ⋅ Z este conductanţa maximă (constructivă) a canalului. Pentru VT ≤ v GS ≤ 0 .6 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator 3.3 este după cum urmează: Pentru VT ≤ v GS ≤ 0 .3 Structura simplificată a tranzistorului TEC-J. poartă-canal. Se demonstrează că dependenţa curent-tensiune pentru structura prezentată în fig. simbolul şi mărimile asociate din fig. VT = − q⋅ ND ⋅a2 + Φ B0 este tensiunea de prag.1) unde.2 PRINCIPIUL DE FUNC|IONARE. L Φ B0 este înălţimea barierei de potenţial asociată joncţiunii p + n .sat = v GS − vT : iD = G0 ⋅ [ f ( v DS + Φ B0 + vGS ) − f ( Φ B0 − vGS )] ⋅ v DS (3. ANALIZĂ TEORETICĂ. 3. 3. v DS ≥ 0 şi 0 ≤ v DS ≤ v DS . 3. Caracteristici statice Se consideră un TEC-J cu canal n cu structura simplificată.

5) unde. Pe caracteristicile de ieşire iD ( v DS ) din fig.4a se disting două zone: zona liniară în care tranzistorul TEC-J funcţionează la tensiuni VDS mici şi are comportament de rezistenţă comandată în tensiune (curentul de drenă depinde de ambele tensiuni – VGS şi VDS ) şi zona de saturaţie (curentul de drenă depinde de tensiunea VGS şi foarte puţin de tensiunea VDS ). 3.3) în cazul saturaţiei.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J  x  2  f ( x ) = x ⋅ 1 − ⋅  Φ −V 3  B0 T   1 2        7 Pentru VT ≤ v GS ≤ 0 şi vDS ≥ vDS .4) Prin neglijarea lui Φ B0 (ceea ce nu este întotdeauna justificabil) se obţine:  v iD = I DSS ⋅  1 − GS  VT      2 (3. în saturaţie iD ( vGS ) sunt date în fig.sat = vGS − vT (saturaţie): 1 1 iD = G0 ⋅ ( Φ B0 − VT ) ⋅  − ⋅ f ( Φ B0 − vGS 3 Φ B0 − VT   )  (3. (a) .4. I DSS = 1 ⋅ G0 ⋅ VT 3 Caracteristicile de ieşire iD ( v DS ) şi de transfer. 3. curentul de drenă poate fi exprimat aproximativ cu ajutorul relaţiei: iD =  Φ −v 1 ⋅ G0 ⋅ ( Φ B0 − VT ) ⋅  1 − B0 GS  Φ B0 − VT 3      2 (3.

5 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă pentru funcţionarea în saturaţie.iD = I D Id V gs Id Vds vds =0 ∂i 1 = D rds ∂v DS = ID = vGS =VGS .4) sau (3. (3.5) rezultă g d = 0 . este descris de circuitul din fig. 3. prin derivarea relaţiilor (3. (3. Expresia analitică pentru g m (transconductanţa sau conductanţa mutuală) se obţine prin derivarea relaţiei (3.2) sau a uneia din relaţiile (3. Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă Modelul dinamic la semnal mic. v ds sunt valori efective. Expresia analitică pentru conductanţa canalului g d = 1 rezultă prin derivarea relaţiei (3. 3. în realitate însă.1) sau rds (3. frecvenţe joase.2).4 Caracteristicile TEC-J: (a) de ieşire iD ( vDS ) . conductanţa canalului este nenulă în orice condiţii.3).5: gm = ∂i D ∂vGS = ID ∆i D ∆vGS ∆i D ∆v DS = vDS =VDS . în saturaţie iD ( vGS ) .iD = I D vds =0 I d .4). 3. v gs . al TEC-J polarizat în saturaţie. Fig. (b) de transfer.8 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator (b) Fig. în regim de saturaţie.5) în funcţie de regimul static al TEC-J. .

grilă comună (GC). la semnal mic. Ca şi tranzistorul bipolar.7). i d = g m ⋅ v gs unde. Rezistenţele Rd şi Rs depind de tensiunile aplicate tranzistorului. Astfel. în acest regim există. g m = transconductanţa sau panta tranzistorului TEC-J. 3. 3.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 9 Dacă se analizează structura reală a unui TEC-J se remarcă prezenţa între extremităţile canalului propriu-zis şi contactele metalice S şi D. TEC-J-ul poate lucra ca amplificator într-una din cele patru conexiuni: sursă comună (SC). . 3. o dependenţă liniară între tensiunea de comandă vgs şi curentul de drenă id (fig.7 Zona optimă de lucru pentru tranzistorul TEC-J ca amplificator de semnal mic. a unor porţiuni de siliciu n (sau p pentru TEC-J cu canal p) a căror rezistenţă trebuie luată în considerare în construirea unui model dinamic mai rafinat. Valorile măsurate pentru g m şi g d pot diferi de cele care rezultă din formulele teoretice datorită prezenţei acestor rezistenţe. Circuit de amplificare cu tranzistor TEC-J Pentru a fi utilizat ca amplificator tranzistorul TEC-J se utilizează polarizat în regim de saturaţie. Fig. Fig. drenă comună (DC) sau repetor pe sursă şi sarcină distribuită (SD).6 Circuitul echivalent de semnal mic şi joasă frecvenţă ce include efectul rezistenţelor serie din zona de sursă respectiv drenă. 3.6. modelul se completează cu rezistenţele Rd şi Rs şi este prezentat în fig.

Curentul prin tranzistor se fixează cu ajutorul rezistorului RS.8 Etaj sursă comună (SC) realizat cu tranzistor TEC-J.10 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator În fig. Rezistenţa de sarcină a etajului este constituită numai din RD. 3. Rezistorul RG este utilizat pentru întoarcerea curentului de poartă catre punctul de masă.8 este prezentat un circuit de amplificare în care tranzistorul lucrează în conexiunea SC. Fig. Amplificarea de tensiune a etajului SC este dată de relaţia: AV = vo = − g m ⋅ RD vi Semnul minus din relaţia ce dă amplificarea de tensiune a etajului semnifică faptul că la ieşire semnalul este defazat cu 1800 faţă de semnalul de intare. Pentru o valoare bine aleasă acesta va scurtcircuita RS în curent alternativ în banda de lucru punând tranzistorul cu sursa la masă (sursă comună). . Rezistenţele de intare/ieşire în/din etaj sunt: Ri = Ro = vi = RG ii vo = RD io Calculul acestora au presupus o rezistenţă de intrare şi o rezistenţă rds infinite pentru tranzistorul TEC-J. Condensatorul CS este utilizat ca şi condensator de decuplare în circuitul sursei. Tranzistorul este atacat pe grilă cu un generator de semnal prin intermediul condensatorului de decuplare C1. 3. rezistor ce are rol şi pentru polarizarea în curent continuu a tranzistorului.

Osciloscop. Generator de semnal.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 11 3. Fig.3 DESFĂŞURAREA LUCRĂRII 3. ! Valorile amplitudinilor tensiunilor şi curenților alternativi sunt date în mărimi RMS.1 APARATE NECESARE Sursă de alimentare PS1-PSU/EV sau PSLC/EV Modulul MCM4/EV.9 Schema electrică pentru măsurători pe tranzistorul TEC-J de pe modulul MCM-4. 3. PREGĂTIRI PRELIMINARE MCM-4 Montaţi SIS1 SIS2 Deconectaţi toate şunturile Setaţi toate comutatoarele pe deschis Introduceţi cod lecţie: B04 Se porneşte de la modulul aflat pe placa MCM-4 stânga sus cu schema electrică pentru măsurători pe tranzistorul TEC-J prezentată în fig. 3. Sursă variabilă 1.2V-24V (VCC) şi o rezistenţă serie pentru polarizarea drenă-sursă. 3.9: Tehnica de polarizare aleasă este cu două surse: Sursa fixă de 12V/-12V şi un divizor rezistiv reglabil pentru tensiunea VGS.3.3.2 MCM4/EV-TRANZISTORUL TEC-J. Multimetru. .

3. J37.11. Fig.1 şi se măsoară curentul de drenă ID indirect. Cu ajutorul potenţiometrului RV8 se reglează tensiunea VGS a tranzistorului la valorile din tabelul 3. Se trasează graficul ID = f(VGS) şi se evaluează valoarea curentului IDSS. Se evaluează tensiunea de prag a tranzistorului TEC-J ( VT ). Graficul rezultat va fi de forma celui din fig.10 prin conectarea jumperilor J18. Pentru măsurarea tensiunilor se utilizează voltmetrul sau osciloscopul aşa cum se arată în figură. .12 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator 3.3 MĂSURAREA CARACTERISTICILOR DE CURENT CONTINUU Caracteristica de transfer Se realizează circuitul din fig.3. J22. R12 = 680Ω .10 Circuitul pentru măsurarea caracteristicii de transfer. prin măsurarea căderii de tensiune pe rezistorul R12. Tensiunea de prag este tensiunea VGS de la care curentul de drenă devine egal cu zero. 3. 3. Curentul ID se calculează cu relaţia: ID = VCC − V DS R12 unde. J30. Se fixează tensiunea VCC = 15V.

5 13 Fig. VDS).8 -2 -2.8 1 1. căderea de tensiune pe rezistenţa R12 va fi mică fapt ce se traduce într-o diferenţă mică între tensiunea VDD şi tensiunea VDS.11 Forma caracteristicii de transfer. Se variază tensiunea VDS la valorile impuse în tabel prin variaţia VDD şi se măsoară curentul de drenă.10 cu ajutorul potenţiometrului RV8 se reglează tensiunea VGS la valorile date în tabelul 3. Se reprezintă grafic familia de curbe parametrice ID = f1 (VGS.7 -3 -3.2 VDS [V] VDD [V] VGS= 0 R12 [kΩ] ID [mA] VGS=-0.5 -1 -1.5 -1.6 0. Pentru a maximiza căderea de tensiune se scoate jumper-ul J22 şi se conectează în locul acestuia un rezistor R J22=10kΩ. Se vor obţine caracteristici de forma celei din fig. Caracteristicile de ieşire Pe circuitul din fig.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J Tabelul 3. În cazul curenţilor de drenă mici. 3. Se va delimita pe grafic zona de saturaţie de zona liniară.2.1 VGS [V] VDS [V] ID [mA] 0 -0.2 -2.5 -2. Tabelul 3.5 0.5 2 3 4 6 . 3. 3.5 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] 0 0.12.

14 VGS= -1 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] VGS=-1.5 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] VGS= -3 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator .5 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] VGS= -2 VDD [V] R12 [kΩ] ID [mA] VGS=-2.

4 VDS [V] VDD . Tabelul 3. Pentru fiecare curbă se va determina grafic tangenta în origine: g d . = max im . J31 şi J34. Se reglează sursa de tensiune la valoarea de +24V.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 15 Fig.4. Se variază rezitorul RV9 fixându-se pentru VDS valorile din tabelul 3.lin = di D dv DS = VDS =0 ∆i D ∆v DS VDS =0 Rezultatele se trec în tabelul 3. Pentru verificarea acestui comportament se va utiliza circuitul din fig.3 VGS [ V ] 0 -0.13.12 Forma caracteristicii de ieşire. J22.5 -2 -2. Dacă VT < VGS < 0V şi VGS = ct . 3.5 -0.1 -1.VD [V] VGS= 0 R12 [kΩ] ID [mA] 13 14 15 16 17 18 19 .lin1 [ mA / V ] Funcţionarea TEC-J ca generator de curent constant Regimul în care tranzistorul TEC-J poate funcţiona ca generator de curent constant este saturaţia ( VT < VGS < 0V şi VDS ≥ VGS − VT ).5 -3 g d . Se conectează jumper-ii J18. Tabelul 3. 3. Dacă se neglijează efectul scurtării canalului în saturaţie şi se utilizează ecuaţia ce descrie funcţionarea TEC-J:  V I D = I DSS ⋅  1 − GS  VT      2 rezultă că pentru VGS = 0V se obţine I D = I DSS = ct . atunci tranzistorul va funcţiona în continuare ca generator de curent constant dar cu un curent de drenă de valoare mai mică decât I DSS .3.

Se conectează jumper-ii J18. J30 şi J37. Potenţiometrul semireglabil RV5 se reglează cu cursorul în masă.14. Se măsoară indirect curentul în circuit. Rezultatele se trec în tabelul 3. 2 Se repetă măsurătorile pentru RJ22 = 22kΩ .5 R J 22 [ kΩ ] Vds [ mV ] 10 22 . 3. Se trasează graficul ID = f (VDS). J21.4 VERIFICAREA MODELULUI DINAMIC Estimarea rd în saturaţie Se realizează configuraţia din fig. 3.3.13 Circuitul pentru măsurarea caracteristii curent-tensiune a sursei de curent constant realizate cu TEC-J. Se reglează amplitudinea semnalului de la generator astfel încât să se obţină V gs = 10 mV şi se măsoară Vds . 3. Tabelul 3.5. 1 Se conectează rezistenţa RJ22 = 10kΩ şi condensatorul CJ20 (10µF) se fixează VGS = −2V şi V DS = 5V . dar reglat la V S = 0V .16 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator Fig. Generatorul de semnal este conectat şi pornit. Acesta trebuie să rămână constant câtă vreme tranzistorul rămâne în saturaţie.

sat 1 [ mA / V ] g m . iar valorile se trec în tabelul 3.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J 17 Fig. Se reglează succesiv VGS la valorile din tabelul 3.sat 2 . Se calculează: rd .sat = 2 1 RJ 22 − RJ 22 2 RJ 22 ⋅ vds1 −1 1 RJ 22 ⋅ vds 2 Măsurarea conductanţei mutuale în saturaţie . V gs = 10 mV şi măsurându-se Vds .sat 2 = 2 I DSS (VT )2 ⋅ VT − VGS VDS = 4V Cu datele din tabelul 3.5 -1 -1. Se calculează conductanţa mutuală măsurată.sat 2 = f (VGS ) . 3.14 Circuitul pentru măsurarea rezistenţei dinamice în saturaţie (rd) şi a gm.sat. iar valorile se trec în tabelul 3. 3.sat 2 [ mA / V ] Cu ajutorul valorilor I DSS şi VT determinate anterior se calculează conductanţa mutuală teoretică g m .14 se elimină jmper-ul J21 şi se adaugă J22.sat 1 = vds R12 ⋅ vds V DS = 4V Tabelul 3. curbele: C1: g m .6 menţinându-se de fiecare dată V DS = 4V .6.gm. g m . g m .6 se trasează pe aceleaşi grafic.sat În configuraţia din fig.sat 1 . pentru V DS = 4V .6 VGS [ V ] Vds [ mV ] 0 -0.sat = 1 g d .sat 1 = f (VGS ) .5 -2 -2.6. g m .5 -3 g m . pentru V DS = 4V C2: g m .

Se reglează potenţiometru RV5 cu cursorul în masă.18 Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator Cum explicaţi diferenţele care rezultă între g m .7.5 -1 -1.lin.lin 2 [ mA / V ] g d . Utilizând datele din tab. 3.5 -3 Fig.lin 3 [ mA / V ] 0 -0. 3.gd.7.7 VGS [ V ] Vdd [ mV ] g d .gm.lin Se realizează configuraţia din fig.15 conectându-se jumper-ii J21.7 se calculează pentru fiecare valoare a lui VGS . J30. Tabelul 3. parametrul: Vdd −1 V = ds RJ 22 V DS = 0V g d .15 Circuitul pentru măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară .lin 2 şi cu ajutorul lui I DSS şi VT parametrul . 3. Se ajustează succesiv VGS la valorile din tabelul 3. Se modifică de fiecare dată amplitudinea generatorului astfel încât să se obţină Vds = 20 mV . J37 şi RJ22 = 10kΩ .5 -2 -2.sat 2 (transconductanţa calculată)? Măsurarea conductanţei canalului în regiunea liniară .sat 1 (transconductanţa măsurată) şi g m . Se măsoară Vdd şi se trece în tabelul 3.

lin3 = f (VGS ) .5 AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC CU TEC-J Conexiunea utilizată pentru experimentarea amplificării la tranzistorul TEC-J este sursa comună (SC) – fig. J22. J29.lin1 = f (VGS ) .16. Cu datele din tabelele 3.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J g d .2Vpp / 1kHz. 3. pentru V DS = 0V C4: g d . J34.7 se trasează grafic curbele: C3: g d . 3. pentru V DS = 0V C5: g d . Se reglează Vcc la valoarea de 24V.7. Fig.16. Se conectează generatorul de semnal pe poziţia jumper-ului J29.3 şi 3. Se măsoară tensiunea pp (peak to peak) la ieşire în absenţa distorsiunilor şi se calculează amplificarea cu relaţia: .lin 2 şi conductanţa g d .3.lin 3 calculată cu relaţia? 3. pentru V DS = 0V Cum explicaţi diferenţele care rezultă între conductanţele drenă-sursă măsurate prin diferite metode g d . J36. Se conectează cele două canale ale osciloscopului ca în fig. Se ajustează cursorul potenţiometrului semireglabil RV9 până amplitudinea semnalului de ieşire e maximă. 3. Se poziţionează cursorul potenţiometrului semireglabil RV6 la masă. Fig. Se reglează semnalul pe grila tranzistorului T6 la o amplitudine de 0.lin 2 = f (VGS ) .16 se realizează în următoarele etape: Se conectează jumperii J18. J27.lin 3 = 2 I DSS ⋅ VT − vGS ( VT )2 19 V DS = 0V Rezultatele se trec în tabelul 3.16 Amplificator sursă comună cu TEC-J.lin1 şi g d . 3.

O diodă. O bobină. VGS = VT . Canalul drenă-sursă este întrerupt ( I D = 0 ) când: a) b) c) d) e) V DS = 0V . Regiunea dintre poartă şi sursă. pp v i . pp Dispozitive Electronice-Îndrumar de laborator Se verifică dacă defazajul între intrare şi ieşire este de 180o. Conexiunea dintre cele două regiuni ale porţii. Un capacitor. 2. În regiunea liniară tranzistorul TEC-J se comportă ca: a) b) c) d) e) O rezistenţă. Ce erori se introduc în determinările asupra caracteristicilor statice prin menţinerea prea îndelungată a TEC-J într-un regim de putere disipată relativ mare (ID şi VDS mari)? 5.4 ÎNTREBĂRI 1. VGS = −5V . V DS = −1V . . Conexiunea de intrare în TEC-J. Ce este canalul la un tranzistor TEC-J? a) b) c) d) e) Regiunea dintre sursă şi drenă. 3.20 Av = v o . Regiunea dintre drenă şi sursă. 4. Tranzistorul TEC-J se poate utiliza ca generator de curent constant în: a) Polarizare în regiunea liniară. VGS = 0V . 3. Un comutator deschis.

în saturaţie.Lucrarea III-Modulul MCM4/EV-Tranzistorul TEC-J b) c) d) e) Polarizare în saturaţie. La V DS = 0V . La VGS < VT . Tranzistorul TEC-J se poate utiliza ca amplificator de semnal mic: a) b) c) d) e) în regiunea liniară. La VGS < VT . Este dependent de caracteristica I D (V DS ) . Curentul de poartă al tranzistorului TEC-J: a) b) c) d) e) Este dependent de VT . Este proporţional cu I DSS . în oricare regiune a caracteristicii I D (V DS ) . . Este curentul rezidual al joncţiunii de poartă. Creşte invers proporţional cu tensiunea V DS . 7. în oricare regiune a caracteristicii I D (V DS ) . 21 6. La V DS = 0V .

Sign up to vote on this title
UsefulNot useful