1

Seciunile 13.1 i 13.2 sunt un scurt breviar teoretic n care se recapituleaz ecuaiile ca-
racteristicilor i modelul de semnal mic ale tranzistorului MOS i modelul de semnal
mic al tranzistorului bipolar.

n seciunile urmtoare, sub forma unor exemple numerice comentate, se compar per-
formanele amplificatoarelor construite cu tranzistoare MOS cu performanele amplifi-
catoarelor construite cu tranzistoare bipolare.

Scopul expunerii este nelegerea funcionrii amplificatorului cascod cu sarcin activ,
circuitul de fundamental folosit n proiectarea amplificatoarelor operaionale construite
n tehnologie CMOS. O atenie deosebit se acord studiului circuitelor de polarizare
necesare pentru stabilirea punctului static de funcionare a amplificatoarelor.

13.1. Caracteristicile tranzistorului MOS

n circuitele integrate analogice nu se folosete tranzistorul MOS cu canal iniial. Se
folosesc numai tranzistoare MOS cu canal indus. Figura 13.1 prezint aspectul caracte-
risticilor tranzistorului nMOS (tranzistorul MOS cu canal n).


Figura 13.1. Caracteristicile tranzistorului nMOS

Dac unde V
GS
< V
Th
tranzistorul nMOS este blocat. Caracteristica de transfer a tranzis-
torului nMOS cu canal indus este:

'

<

Th GS
2
Th GS
Th GS
constant V
GS D
V V pentru ) V V (
2
K
V V pentru 0
) V ( I
DS
, (13.1)

unde V
Th
este tensiunea de prag a tranzistorului MOS. Pentru tranzistorul pMos I
D
, V
GS

i V
Th
sunt negative. n circuitele n care se folosesc ambele tipuri de tranzistoare MOS
tensiunile de prag se noteaz V
Thn
i V
Thp
pentru tranzistorul nMOS i respectiv pentru
tranzistorul pMOS.
Capitolul 13.
Circuite simple cu tranzistoare MOS


2

n (13.1) constanta K se calculeaz astfel:

[ ] [ ]
2 ox
V
A
K dim K dim ,
L
W
K
L
W
C K , (13.2)

unde C
ox
este capacitatea specific a stratului de SiO
2
msurat n F/m
2
, este mobilita-
tea purttorilor de sarcin msurat n m
2
/Vs, W este limea canalului, L este lungimea
canalului, iar factorul W/L se numete raport de aspect al tranzistorului MOS.

Caracteristica de ieire este funcia I
D
(V
DS
), calculat atunci cnd tensiunea de intrare
V
GS
este constant. n zona triod expresia caracteristicii de ieire este:

( )
Th GS DS
2
DS
DS Th GS DS D
V V V ,
2
V
V V V K ) V ( I <
1
]
1

. (13.3)

Funcia (13.3) este un arc de parabol care trece prin origine. Rezult c ntr-o vecinta-
te a originii funcia (13.3) poate fi liniarizat:

( )
( )
Th GS
GS DS Th GS
0 V
DS
GS D
V V K
1
) V ( R V V K
V
) V ( I
DS

. (13.4)

n acest caz, se spune c tranzistorul MOS funcioneaz n zona liniar, sau se spune
c, ntre dren i surs avem rezistena R
DS
, comandat prin tensiunea V
GS
.

Sunt foarte puine aplicaii n care tranzistorul MOS funcioneaz n zona triod sau n
zona liniar. De regul, tranzistorul MOS funcioneaz n zona pentod, numit i zona
saturat a caracteristicilor de ieire (I
D
nu depinde de V
DS
). n zona pentod expresia
caracteristicii de ieire este:

( )
Th GS DS
2
Th GS
constant V
DS D
V V V , V V
2
K
) V ( I
GS
>

, (13.5)

Dac se ine seama i de efectul Early expresia caracteristicii de ieire este:

( ) ( )
Th GS DS DS
2
Th GS
constant V
DS D
V V V , V 1 V V
2
K
) V ( I
GS
> +

, (13.6)

unde coeficientul = 1/V
A
, iar V
A
este tensiune Early. n figura 13.1 efectul Early se
manifest printr-o uoar nclinare a n zona saturat a caracteristicilor de ieire.

Caracteristicile din figura 13.1 au fost calculate cu ecuaiile (13.1), (13.3) i (13.6) pen-
tru un tranzistor nMOS cu K = 0.12 mA/V
2
, V
Th
= 0.8 V i V
A
= 50 V.

n cazul unui tranzistor pMOS ecuaiile caracteristicilor sunt (13.1), (13.3) i (13.4), dar
avnd n vedere regulile de notare ale tensiunilor i curenilor V
GS
< 0, V
DS
< 0 i I
D
< 0
(adic curentul iese din terminalul dren). n consecin, n cazul tranzistorului pMOS,
parametrii K i V
Th
sunt negativi.


3
13.2. Modele de semnal mic

n figura 13.2 se prezint modelul de semnal mic a tranzistorului MOS comandat ntre
gril i surs (substratul este conectat la surs) i modelul de semnal mic al tranzistoru-
lui bipolar. Aceste modele sunt valabile la joas frecven.

D
g
m GS
v
v
GS
S
G
S
C
r
CE
g
m GS
v
v
BE
E
B
E
r

r
DS

Figura 13.2. Modelul de semnal mic al tranzistorului MOS (stnga) i
modelul de semnal mic al tranzistorului bipolar (dreapta)

Transconductana g
m
i rezistena de ieire r
DS
ale tranzistorului MOS se calculeaz n
funcie de parametrii de model K i i de parametrii punctului static de funcionare
V
GS0
i I
D0
:

( )
0 D Th 0 GS m
I K 2 V V K g ; (13.7)
0 D 0 D
A
DS
I
1
I
V
r

. (13.8)

n cazul tranzistorului bipolar se folosete modelul Giacoletto: g
m
este transconductana
tranzistorului bipolar, r

este rezistena dinamic a jonciunii emitoare, iar r

CE
este rezis-
tena de ieire. Parametrii de semnal mic se calculeaz n funcie de parametrii de model
V
T
, i V
A
i n funcie de parametrii punctului static de funcionare I
C0
i V
CE0
:

T
0 C
m
V
I
g ; (13.9)
0 C
T
I
V
r

; (13.10)
0 D
0 CE A
CE
I
V V
r
+
. (13.11)

Observm c formulele (13.9) i (13.10) verific ecuaia de legtur

r g
m
.

13.3. Divizorul de tensiune rezisten-diod

Se consider schema din figura 13.3. Este un divizor de tensiune format dintr-o rezisten-
i un tranzistor nMOS conectat ca diod. n partea dreapt a figurii 13.3 s-au repre-
zentat caracteristica de transfer a tranzistorului nMOS trasat pentru K = 0.12 mA/V
2
i
V
Th
= 1V cu funcia (13.1) i dreapta de sarcin, care a fost trasat pentru V
DD
= 5 V i
R = 100 k.



4
I
D
V
o
R
V
DD

Figura 13.3. Divizorul de tensiune R-D

Punctul static de funcionare al tranzistorului MOS este punctul de intersecie dintre
parabol i dreapta de sarcin:

( )

'

+

GS D DD
2
Th GS D
V R I V
V V
2
K
I
, (13.12)

unde V
o
= V
GS
= V
DS
. Se expliciteaz curentul I
D
din a doua ecuaie i nlocuiete n
prima ecuaie:

( )
R
V V
V V
2
K
o DD
2
Th o

;
( ) ( )
o DD
2
Th o
V V
KR
2
V V ;
o DD
2
Th Th o
2
o
V
KR
2
V
KR
2
V V V 2 V + . (13.13)

Se aranjeaz termenii ecuaiei (13.10) i se obine ecuaia de gradul 2:

0 V
R K
2
V V V
R K
1
2 V
DD
2
Th o Th
2
o
+

,
_

+ . (13.14)

Din diagrama din figura 13.3 rezult c dreapta de sarcin intersecteaz parabola n do-
u puncte. Din condiia V
GS
> V
Th
rezult c soluia problemei este punctul de intersec-
ie dintre pe ramura cresctoare a parabolei i dreapta de sarcin.

Exemplu numeric: Pentru schema din figura 13.3 se cunosc: V
TH
= 1V, K = 0.12
mA/V
2
, V
DD
= 5 V i R = 100 k. Se cere s se calculeze tensiunea V
o
i curentul I
D
.

Se calculeaz factorul KR i se nlocuiesc datele problemei n ecuaia (13.14)
1
V 12 K 100
V
mA
12 . 0 KR

;
0 V 5
12
2
1 V V 1
12
V 1
2 V
2
o
2
o

,
_

+
,
_

+ ;


5

'

+
V 01 . 0
V 74 . 1
V 0 V
12
2
V
12
V 11
2 V
gs
2
o
2
o
.
Se alege soluia V
GS0
= V
DS0
= 1.74 V (pentru V
GS
= 0.01 tranzistorul este blocat). Se
nlocuiete V
o
= 1.74 V n prima ecuaie i se obine:
A 6 . 32
k
V
100
74 . 1 5
R
V V
I I
0 GS DD
0 d D

.

Observaie. Exist nc o cale de rezolvare a sistemului de ecuaii (13.12). Se explici-
teaz expresia tensiunii V
GS
din prima ecuaie i se substituie n a doua ecuaie. Se ob-
ine o ecuaie de gradul 2 n I
D
. Ecuaia are tot dou soluii pentru curentul static de
dren I
D0
. Criteriul de alegere a soluiei adevrate V
GS
> V
Th
poate fi aplicat numai
dup ce se calculeaz valorile corespunztoare pentru tensiunea V
GS
.

13.4. Rezistena dinamic a tranzistorul MOS conectat ca diod

Dac se conecteaz grila tranzistorului MOS la dren, tranzistorul MOS se comport n
circuit ca o diod. Din (13.3) rezult c tranzistorul MOS conectat ca diod ntotdeauna
funcioneaz n zona saturat a caracteristicii de ieire:

TH GS DS
Th GS
GS DS
V V V
V V
V V
>

>

, (13.14)

S se calculeze rezistena dinamic a diodei din figura 13.3. nlocuim tranzistorul MOS
cu modelul de semnal mic din figura 13.2 i conectm un generator de semnal v
o
ntre
borna de ieire i mas. Se obine schema echivalent la semnal mic din figura 13.4.

i
o
v
DS
D
g
m GS
v v
GS
G
~
v
o
S
r
DS


Figura 13.4. Rezistena dinamic a Diodei

n figura 13.4 avem v
o
= v
GS
= v
DS
. Calculm curentul i
o
:

o
DS
m
DS
DS
GS m o
v
r
1
g
r
v
v g i

,
_

+ + ;
m
DS
m o
o
o
g
1
r
g
1
i
v
r , (13.15)

Unde r
DS
>> 1/ g
m
.

Exemplu numeric. S se calculeze valoarea rezistenei dinamice a diodei din figura
13.4. Se cunosc V
Th
= 1V, K = 0.12 mA/V
2
i V
A
= 50 V. Calculele se fac n acelea


6
punct static de funcionare ca n exemplul din seciunea 13.4: V
GS0
= V
DS0
= 1.74 V i
I
D0
= 32.6 A.

Parametrul g
m
se calculeaz cu formula (13.7)

V
A
45 . 88
V
A
7824 A 6 . 32
V
A
120 2 I K 2 g
2
0 D m

.

din (13.15) rezult

k 4 . 11 k
88
1000
V / A 88
1
g
1
r
m
o
.

cunoscnd V
A
= 50 V, parametrul r
DS
se calculeaz cu formula (13.8)

M 53 . 1
A
V
32
50
I
V
r
0 D
A
DS
.

Concluzie. Comparnd valoarea rezistenei r
o
calculat cu formula (13.15) valoarea re-
zistenei r
DS
calculat cu formula (13.8) se observ c r
o
<< r
DS
, deci aproximaia fcut
la deducerea formulei (13.15) este corect.

13.5. Amplificatorul de semnal mic

Schemele echivalente din figura 13.5 se obin n urma analizei unui etaj diferenial prin
metoda semicircuitului (v. seciunea 13.7). n urma aplicrii metodei semicircuitului din
schem dispar componentele care asigur polarizarea tranzistoarelor care amplific.
v
o
V
CC
I
D0
I
C0
V
DD
v
o
R
D
R
C
~
e
g
~
e
g

Figura 13.5. Amplificatorul n conexiune surs comun i
amplificatorul n conexiune emitor comun

Amplificatorul n conexiune surs comun construit cu tranzistor nMOS are schema
echivalent la semnal mic din figura 13.6.
D
g
m GS
v
v
GS
S
G
S
R
D
v
o
~
r
DS
e
g

Figura 13.6. Schema echivalent la semnal mic


7

Tranzistorul MOS are substratul conectat la surs, deci se folosete modelul de semnal
mic din figura 13.2. Pentru R
D
<< r
DS
amplificarea n tensiune este:

( )
D m
g
o
U GS DS D m o
R g
e
v
A v r R g v . (13.16)

Exemplu numeric. Pentru a putea compara performanele celor dou amplificatoare din
figura 13.6 calculele se fac n acelai punct static de funcionare I
D0
= I
C0
= 32.6 A i
pentru aceeai rezisten de sarcin R
D
= R
C
= 47 k. Se folosete un tranzistor nMOS:
V
Th
= 1V, K = 0.12 mA/V
2
i V
A
= 50 V (v. seciunea 13.4). n consecin g
m
= 88
A/V i r
DS
= 1.56 M .

Amplificarea n tensiune se calculeaz cu formula (13.16):

1 . 4
mA
A
4136 k 47
V
A
88 R g A
d m U

.

Amplificatorul n conexiune emitor comun are schema echivalent din figura 13.7.

C
g
m BE
v
v
BE
E
B
R
C
v
o
~
g
r
r

r
CE
E
e
g

Figura 13.7. Schema echivalent la semnal mic

n cazul schemei din figura 13.7 amplificarea n tensiune este

C m
g g
o
U
R g
r r
r
e
v
A

+
. (13.17)

Exemplu numeric. S se calculeze amplificarea amplificatorului n conexiune emitor
comun cu tranzistor npn din figura 13.5. Se cunosc I
C0
= 32.6 A i = 200.

Pentru tranzistorul bipolar parametrii g
m
r

i r
CE
se calculeaz cu formulele (13.9)
(13.11) (v. modelul Giacoletto din seciunea 13.2):

V
mA
23 . 1
mV 26
A 6 . 32
V
I
g
T
0 C
m

k 162
V / mA 23 . 1
200
I
V
r
0 C
T
;

+
M 4
A
V
99 . 3
A 6 . 32
V 130
I
V
I
V V
r
0 D
A
0 D
0 CE A
CE
.



8
n formula (13.10), = 200 este o valoare minim admis ntr-un circuit integrat analo-
gic. Dac r

>> r
g
, atunci fracia din formula (13.17) este unitar i amplificarea n tensi-
une a amplificatorului n conexiune emitor comun calculat cu formula (13.17) este:

58 k 47
V
mA
23 . 1 R g A
C m U
.

Concluzie. n aceleai condiii: I
D0
= I
C0
= 32.6 A i R
D
= R
C
= 47 k amplificarea
amplificatorului n conexiune emitor comun construit cu tranzistor bipolar, de tip npn,
este de aproximativ 14 ori mai mare dect amplificarea amplificatorului n conexiune
surs comun construit cu un tranzistor nMOS.

Comentariu. Din formula (13.10) rezult c parametrul intervine numai n calculul
rezistenei r

i c influeneaz valoarea amplificrii n tensiune numai prin intermediul

divizorului de tensiune format din rezistenele r
g
i r

.

Comentariu. Dac n schema din figura 13.7 se folosete modelul cu parametri hibrizi
formula (13.17) (calculul amplificrii n tensiune) d acelai rezultat pentru c h
11
= r

,
h
21
= , iar = g
m
r

.

13.6. Sursa de curent constant cu tranzistoare MOS

Sursa de curent constant trebuie s realizeze simultan dou obiective:

s aib rezisten de ieire ct mai mare. Aceast problem va fi detaliat n
seciunile 13.9 i 13.10;
valoarea curentului generat s depind ct mai puin de tensiunea de alimentare
i de temperatur.

Schemele din figura 13.8 sunt schema sursei de curent cu tranzistoare nMOS (n stnga)
i schema sursei de curent cu tranzistoare pMOS (n dreapta).

R
Vref
Iref
M1
V
DD
M2
Vref
R
Io
Io
Iref
M2 M1
V
SS
ro
ro


Figura 13.8. Generatorul de curent cu tranzistoare MOS

Analiza circuitelor din figura 13.8 se face n ipoteza M
1
M
2
. n consecin

ref 1 D 2 D o 2 GS 1 GS
I I I I V V . (13.18)

n ambele cazuri curentul I
ref
se obine cu un divizor rezisten-diod. Valoarea curentu-
lui I
ref
se calculeaz cu ecuaia de gradul 2 (13.14) din seciunea 13.3.


9

Pentru calculul rezistenei de ieire r
o
se procedeaz la fel ca n figura 13.4 unde s-a cal-
culat rezistena dinamic a tranzistorului MOS conectat ca diod. Se nlocuiesc tranzis-
toarele M
1
i M
2
cu modelul de semnal mic i se conecteaz un generator de semnal v
o

ntre borna de ieire i mas. Se obine rezultatul cunoscut: r
o
= r
DS2
.

13.7. Amplificatorul diferenial cu tranzistoare MOS

n figura 13.9 se prezint schema complet a amplificatorului diferenial construit cu
tranzistoare nMOS. Amplificatorul diferenial se compune din M
1
, M
2
, R
D1
i R
D2
, iar
M
3
, M
4
i R sunt sursa de curent constant care polarizeaz amplificatorul operaional.

I
D1
R
D1
I
D2
R
D2
V
DD
M1 M2
~
~
-v
id
2
v
id
2
~
2 Iref
Iref
M3
V
SS
M4 (2:1)
v
im
v
o
v
i1
v
i2
R
V
S

Figura 13.9. Amplificatorul diferenial cu tranzistoare MOS

Atunci cnd se analizeaz funcionarea amplificatorului diferenial, semnalele de intrare
v
i1
i v
i2
se exprim n funcie de semnalele v
im
, semnalul de intrare de mod comun i de
v
id
, semnalul diferenial de intrare:

2
v
v v ;
2
v
v v
id
im 2 i
id
im 1 i
+ . (13.19)

n schem M
1
, M
2
i M
3
sunt identice, iar tranzistorul M
4
are un raport de aspect dublu
fa de celelalte tranzistoare. n aceste condiii I
D4
= 2 I
D3
= 2 I
ref
. Dac v
id
, semnalul di-
ferenial de intrare mic este mic, atunci I
D1
= I
D2
= I
ref
.

V
DD
R
D1
~
v
id
2
M1
V
DD
R
D1
~
v
im
M1
v
om
2 r
DS4
v
od
2

Figura 13.10. Semicircuitele folosite pentru calculul amplificrii difereniale
i a amplificrii de mod comun



10
Notm V
S
potenialul punctului care conecteaz sursele tranzistoarelor M
1
i M
2
. Dac
v
im
= 0 i v
id
0 i dac M
1
M
2
, atunci avem V
S
= 0. Spunem c punctul V
S
= 0 este
un zero virtual, pentru c n lipsa unei conexiuni la mas, potenialul nul rezult din
condiiile n care funcioneaz circuitul. Calculul amplificrii difereniale se face cu se-
micircuitul din stnga figurii 13.10 (v. exemplele numerice din seciunea 13.5).

Dac v
id
= 0 i v
im
0, amplificarea de mod comun se calculeaz cu semicircuitul din
dreapta figurii 13.10. nlocuim tranzistorul M
1
cu modelul de semnal mic al tranzistoru-
lui MOS i obinem schema echivalent la semnal mic din figura 13.11.

2 r
DS4
v
GS1
g
m
v
GS1 D
S
G
r
DS1
v
im
~
v
om
R
D1

Figura 13.11. Calculul amplificrii de mod comun

Scriem teorema lui Kirchhoff pentru circuitul de intrare i explicitm tensiunea v
GS1
:

4 DS m
im
1 GS 1 GS m 4 DS 1 GS im
r g 2 1
v
v v g r 2 v v
+
+ . (13.20)

n ipoteza r
DS1
>> R
D1
, cu expresia tensiunii v
GS1
calculm v
om
i A
m
:

4 DS
1 D
4 DS m
1 D m
im
om
m
im 1 GS
1 GS 1 m 1 D om
r 2
R
r g 2 1
R g
v
v
A
v v
v g R v

. (13.21)

Not: n Anexa 13.1 se gsete o demonstraie n care se ine seama i de valoarea rezis-
tenei r
DS1
. Amplificatorul din dreapta figurii 13.10 cu amplificarea (13.21) este cunos-
cut sub numele de amplificator cu sarcin distribuit.

Exemplu numeric: S se calculeze amplificarea de mod comun a amplificatorului dife-
renial din figura 13.9. Se cunosc: K = 0.12 mA/V
2
, V
A
= 50 V, V
DD
= 5 V, V
SS
= -5 V,
R = 100 k i R
D1
= 47 k. Punctul de funcionare al tranzistorului M
1
este acelai ca
n exemplele anterioare I
D1
= 32.6 A, n consecin g
m1
= 88 A/V i r
DS1
= 1.56 M .



k 781 M 781 . 0
A
V
32 2
50
I 2
V
I
V
r
ref
A
4 D
A
4 DS
.

Din datele problemei rezult c r
DS1
>> R
D1
deci valoarea rezistenei r
DS1
poate fi
neglijar in formula amplificrii de mod comun (13.21):

03 . 0
5 . 137 1
136 . 4
k 781 V / mA 088 . 0 2 1
k 47 V / mA 088 . 0
r g 2 1
R g
A
4 DS m
1 D m
m

+

+
.

Concluzie. Exemplul numeric confirm ambele ipoteze formulate pentru deducerea
formulei (13.21). Aceste ipoteze sunt: r
DS1
>> R
D1
i 1 << 2 g
m
r
DS4
.


11
13.8. Amplificatorul diferenial cu sarcin activ

Schema din figura 13.12 se compune din amplificatorul diferenial M
1
-M
2
, sarcina acti-
v M
3
-M
4
i circuitul de polarizare M
5
M
8
. n figur nu a fost reprezentat circuitul care
genereaz curentul de referin I
ref
.

V
DD
M1 M2
2 Iref
V
SS
M8 (2:1)
v
i1
M5
V
S
v
i2
M7 M3
Iref
M6
Iref
M4
v
od
C
L
C
L

Figura 13.12. Amplificatorul diferenial cu sarcin activ

Tranzistoarele pMOS sunt identice. i tranzistoarele nMOS identice, cu excepia tran-
zistorului M
8
care are un raport de aspect dublu fa de celelalte tranzistoare nMOS. n
consecin curenii statici din schem sunt:

ref 8 D ref 7 D 1 D
I 2 I i I I I K . (13.22)

Semicircuitul din figura 13.13 este folosit pentru calculul amplificrii difereniale:

V
DD
M7 M3
Iref
r
DS3
M1
r
DS1
Z
L
v
od
2
v
id
2


Figura 13.13. Semicircuitul folosit pentru calculul amplificrii difereniale

Dac v
im
= 0 i v
id
0 atunci potenialul punctului care conecteaz sursele tranzistoare-
lor M
1
i M
2
este un zero virtual. n schema de semnal mic din figura 13.14 a fost re-
prezentat complet modelul de semnal mic al tranzistorului M
1
iar sursa de curent M
7
-M
3

este reprezentat doar prin rezistena dinamic r
DS3
.
g
m gs3
v
v
GS1
G
r
DS1
~
r
DS3
1
S
1
D
3
S
1
Z
L
v
id
2
v
od
2

Figura 13.14. Modelul de semnal mic pentru calculul amplificrii difereniale



12
n schem, Z
L
este impedana de intrare a circuitului urmtor. Dac urmeaz un amplifi-
cator construit tot cu tranzistoare MOS, la joas frecven Z
L
, iar la nalt frecven-
Z
L
este o capacitate. Amplificarea diferenial la joas frecven este:

( ) ( )
3 DS 1 DS m
g
o
d g 3 DS 1 DS m o
r || r g
e
v
A e r || r g v . (13.23)

Din (13.22) rezult c I
D1
= I
D3
= I
ref
. Dac exprimm rezistenele r
DS1
i r
DS1
n funcie
de coeficientul i n funcie de curentul de dren I
D
, formula (13.23) se poate scrie
ntr-o form mai simpl:

ref p n
m
3 DS 1 DS
m
d
D p D
Ap
3 DS
D n D
An
1 DS
I ) (
g
r
1
r
1
g
A
I
1
I
V
r
I
1
I
V
r
+

. (13.24)

Exemplu numeric: Se consider amplificatorul cu sarcin activ din figura 13.12. S se
calculeze amplificarea diferenial. Se cunosc: V
An
= 50 V, V
Ap
= 40 V, I
D1
= I
D3
= 32.6
A i g
m
= 88 A/V.

De regul,
n

p
, dar au valori apropiate:

1
n
V 02 . 0
V 50
1

i
1
p
V 025 . 0
V 40
1

.

Amplificarea n tensiune se calculeaz cu formula (13.24):

60 98 . 59
A 6 . 32 V ) 025 . 0 02 . 0 (
V / A 88
I ) (
g
A
1
ref p n
m
d

+

.

Comentariu. Coeficientul = 1/V
A
(unde V
A
este tensiunea Early), se mai numete co-
eficient de modulaie a lungimii canalului (channel-length modulation coefficient). Sunt
situaii n care se specific valoarea coeficientului n locul tensiunii Early V
A
.

Semicircuitul din figura 13.15 se folosete pentru calculul amplificrii de mod comun i
pentru calculul limitelor semnalelor V
i
i V
o
.

V
DD
V
SS
M8 M5
M7
M1
M3
Iref
M6
Iref
Z
L
r
DS3
r
DS1
2 r
DS8
DS3
V
DS1
V
DS8
V
v
im
V
i
V
o
v
om
ID1
ID2

Figura 13.15. Semicircuitul folosit pentru calculul amplificrii de mod comun


13

Tranzistorul M
8
din figura 13.12 are raport de aspect dublu fa de celelalte i celelalte
tranzistoare nMOS din schem. Rezistena este r
DS
= V
A
/I
D
(v. formula (13.8) din seci-
unea 13.2). Pentru c v
GSn
= v
GS8
i I
D8
= 2I
ref
avem r
DSn
= 2r
DS8
.

Notm v
om
semnalul de ieire de mod comun. Dac v
id
= 0 i v
im
0 amplificarea de
mod comun se calculeaz tot cu formula (13.21):

DSn
DSp
9 DS m
3 DS m
im
om
m
r
r
r g 2 1
r g
v
v
A
+
. (13.25)

Not: La deducerea formulei (13.21) s-a considerat r
DS1
= . n Anexa 13.1 se face o
analiz n care se ine seama de rezistena r
DS1
la deducerea formulei de calcul a ampli-
ficrii de mod comun, dar rezultatul nu difer esenial de cel dat de formula (13.25). n
concluzie A
m
1 pentru c r
DSn
i r
DSp
au acelai ordin de mrime.
13.9. Calculul limitelor semnalelor V
i
i V
o


Se tie c, n zona triod tranzistorul MOS are amplificare mic. n consecin, pentru
toate tranzistoarele amplificatorului se pune condiia ca punctul de funcionare s nu
prseasc zona saturat a caracteristicilor de ieire.

Considerm amplificatorul cu sarcin activ din figura 13.12 i schema semicircuitului
din figura 13.15. Tensiunile v
GSn
i v
GSp
se calculeaz cu formula:

( )
K
I
2 V V V V
2
K
I
D
Th GS
2
Th GS D
+ . (13.26)

Pentru tranzistorul nMOS condiia de funcionare n zona saturat a caracteristicilor de
ieire este:

Thn GSn 1 DS
V V V > . (13.27)

Limita inferioar a semnalului de ieire se calculeaz punnd condiia ca tranzistoarele
M
9
i M
1
s funcioneze la limita zonei saturate:

( )
Thn GSn SS min , 1 DS min , 9 DS SS min , o
V V 2 V V V V V + + + . (13.28)

Limita inferioar a semnalului de intrare se calculeaz punnd condiia ca tranzistorul
M
9
, s funcioneze la limita zonei saturate:

( )
GSn Thn GSn SS 1 GS min , 9 DS SS min , i
V V V V V V V V + + + + . (13.29)

Pentru tranzistorul pMOS condiia de funcionare n zona saturat este aceeai, dar din
regulile de notare a curenilor i tensiunilor la bornele unui dispozitiv electronic rezult
c V
DS3
, V
GSp
i V
Thp
au valori negative:

Thp GSp 3 DS
V V V > . (13.30)



14
Limita superioar a semnalului de ieire se calculeaz punnd condiia ca tranzistorul
M
3
s funcioneze la limita zonei saturate:

Thp GSp DD min , 3 DS DD max , o
V V V V V V + . (13.31)

Limita superioar a semnalului de intrare este:

GSn max , o 1 GS max , o max , i
V V V V V + + . (13.32)

Exemplu numeric: Se consider amplificatorul cu sarcin activ din figura 13.12 i
schema semicircuitului din figura din figura 13.15. S se calculeze limitele ntre care
pot lua valori semnalele V
o
i V
i
. Se cunosc: K
n
= 120 A/V
2
, K
p
= 95 A/V
2
, V
Thn
= 1
V, V
Thp
= -0.8 V, V
DD
= 2.5V , V
SS
= -2.5V i I
ref
= 32.6 A.

nti calculm tensiunile V
GSn
i V
GSp
cu formula (13.26):

( ) V 74 . 1 V 74 . 0 1 V
120
6 . 32 2
1
V / A 120
A 6 . 32 2
V 1 V
2 GSn
+

,
_

+
;
( ) V 63 . 1 V 83 . 0 8 . 0 V
95
6 . 32 2
8 . 0
V / A 95
A 6 . 32 2
V 8 . 0 V
2 GSp
+

,
_

.

Calculm limitele inferioare ale semnalelor V
o
i V
i
cu funciile (13.28) i (13.29):

( ) V 02 . 1 V 74 . 0 2 V 5 . 2 V V 2 V V
Thn GSn SS min , o
+ + .
V 02 . 0 V 94 . 1 V 74 . 0 V 5 . 2 V V V V
1 GS min , 9 DS SS min , i
+ + + + .

Calculm limitele superioare ale semnalelor V
o
i V
i
cu funciile (13.31) i (13.32):

V 67 . 1 V 83 . 0 V 5 . 2 V V V
min , 3 DS DD max , o
.
V 41 . 3 V 74 . 1 V 67 . 1 V V V
1 GS max , o max , i
+ + .

limitele cerute n enun sunt: ( ) V 67 . 1 , 02 . 1 V
o
i ( ) V 41 . 3 , 02 . 0 V
i


Comentariu. Se observ c Cderile de tensiune minime V
DS1
i |V
DS3
| sunt semnifica-
tive dac tensiunea de alimentare este mic, de exemplu V
DD
V
SS
< 5V.

13.10. Sursa de curent Wildar

Sursa de curent Wildar figura 13.16 este construit cu o pereche de tranzistoare identice
M
1
M
2
. Prezena rezistenei R
2
ntre sursa tranzistorului M
2
i mas are dou efecte:
curentul de ieire I
o
i este mai mic dect I
ref
;
rezistena de ieire r
o
crete, r
o
> r
DS2
.



15
M
1
I
ref
M
2
I
o
R
2
ro


Figura 13.16. Sursa de curent Wildar

Observm c M
1
M
2
implic K
1
= K
2
= K. Scriem teorema lui Kirchhoff pentru ochiul
format din M
1
, M
2
i R
2
dup care folosim ecuaia (13.26) pentru a exprima tensiunea
V
GS
n funcie de curentul de curentul de dren:

2 2 D 2 GS 1 GS
R I V V + ;
2 2 D
2 D
Th
1 D
Th
R I
K
I
2 V
K
I
2 V + + + ;
2 2 D
2 D 1 D
R I
K
I
2
K
I
2 + . (13.33)

n (13.33) I
D1
= I
ref
i I
D2
= I
o
. Dac se cunosc valorile curenilor I
ref
i I
o
, valoarea rezis-
tenei R
2
se calculeaz cu formula:

,
_

1
I
I
I K
2
R
o
ref
o
2
. (13.34)

13.11. Rezistena de ieire a sursei de curent Wildar

Se nlocuiete tranzistorul M
2
din figura 13.16 cu modelul de semnal mic al tranzistoru-
lui MOS. Se obine schema echivalent la semnal mic din figura 13.17. n schem, re-
zistena r
ref
modeleaz rezistena dinamic a generatorului I
ref
iar 1/g
m1
este rezistena di-
namic a tranzistorului M
1
.

Variaiile potenialului drenei tranzistorului M
2
se modeleaz prin conectarea generato-
rului v
o
la ieirea sursei Wildar. Pe schem s-a marcat i
o
forat de generatorul v
o
prin cir-
cuitul format de rezistenele r
DS2
i r
2
pn la mas.

i
o
R
2
1
v
GS2
g
m2
v
GS2
g
m1
D
2
S
2
G
2
r
ref
r
DS2
v
o
~

Figura 13.17. Schema echivalent la semnal mic

Curentul prin rezistenele r
ref
|| (1/g
m1
) nu are component alternativ, deci n schema
echivalent la semnal mic grila tranzistorului M
2
are potenialul masei. Se observ c


16
v
S2
> v
G2
i n consecin tensiunea V
GS2
i curentul g
m
V
GS2
au sensurile din figur. Se
scrie teorema lui Kirchhoff pentru ochiul de ieire

o 2 2 DS 2 GS m o o
i R r ) v g i ( v + + . (13.35)

Curentul g
m2
V
GS2
circul numai n interiorul tranzistorului M
2
. n consecin, prin re-
zistena R
2
nu circul dect curentul i
o
. Se calculeaz V
GS2
i se substituie n (13.35)

o 2 2 DS o 2 m o o o 2 2 GS
i R r ) i R g i ( v i R v + + . (13.36)

Se obine expresia rezistenei dinamice de ieire

( )
2 2 DS 2 m
o
o
o
R r R g 1
i
v
r + + . (13.37)

n (13.37) se fac aproximaiile 1 << g
m2
R
2
i g
m2
R
2
r
DS2
>> R
2
:

2 DS 2 m o
r R g r (13.38)

Exemplu numeric: Se consider sursa de curent Wildar din figura 13.17. S se calcule-
ze valoarea rezistenei de ieire r
o
i s se verifice aproximaiile fcute pentru deducerea
formulei (13.38). Se cunosc: g
m2
= 88 A/V, r
2
= 28 k i r
DS
= 1.56 M.

nti se calculeaz produsul g
m2
R
2


64 . 2
1000
28 88
mA
V
28
V
A
88 R g
2 m

,

apoi se calculeaz rezistena r
o
cu formula (13.37)

( ) + + + + M 68 . 5 M 028 . 0 M 56 . 1 ) 64 . 2 1 ( R r R g 1 r
2 2 DS 2 2 m o
.

Comentariu. Exemplul numeric nu confirm aproximaia g
m2
R
2
>> 1, dar confirm
aproximaia g
m2
R
2
r
DS2
>> R
2
. Adugarea unei rezistene ntre sursa tranzistorului M
2
i
mas, mrete, dar nu spectaculos, rezistena de ieire a sursei de curent.

13.12. Sursa de curent cascod

Amplificatorul cascod nu este o noutate. Pe vremea televizoarelor cu tuburi electronice
amplificatorul de FIF era o cascod construit cu tubul electronic ECC83 (dubl triod).
n englez termenul cascode este o prescurtare pentru expresia cascade to cathode. n
seciunea 13.14 se va vedea c amplificatorul cascod const dintr-un tranzistor care
funcioneaz n conexiune surs-comun cuplat direct cu un tranzistor care funcioneaz
n conexiune gril-comun.

n figura 13.18 se prezint schema sursei de curent cascod construit cu patru tranzis-
toare cu tranzistoare nMOS. Comparnd aceast schem cu cea din figura 13.8 se obser-
v c de fapt sunt dou surse de curent conectate n cascad.


17

I
ref
I
o
M
4
M
3
M
2
M
1
r
DS4
r
DS2

Figura 13.18. Sursa de curent cascod

Analizm schema n ipoteza M
1
M
2
M
3
M
4
, rezult c I
ref
= I
o
deci tranzistoarele
MOS au acelai punct de funcionare. Notm r
DS2
= r
DS4
= r
DS
. Rezistena de ieire a
sursei de curent cascod se calculeaz cu la fel ca la sursa de curent Wildar cu una din-
tre formulele (13.37) sau (13.38):

( )
2
DS m 2 DS 4 DS 2 DS 4 m
o
o
o
r g r r r g 1
i
v
r + + (13.39)

Exemplu numeric: Se consider sursa de curent cascod din figura 13.18. S se calcu-
leze valoarea rezistenei de ieire r
o
i s se verifice aproximaiile fcute pentru deduce-
rea formulei (13.38). Se cunosc: g
m
= 88 A/V i r
DS
= 1.56 M.

+
,
_

+ M 56 . 1 M 56 . 1 M 56 . 1
V
A
88 1 r
o

( ) + + M 214 M 56 . 1 88 M 56 . 1 56 . 1 ) 56 . 1 88 1 (
2
.

Comentariu. Exemplul numeric confirm ambele aproximri fcute pentru deducerea
formulei (13.38). Rezistena de ieire r
o
a sursei de curent cascod este de 214 M i
este mult mai mare dect 5.68 M rezistena de ieire a sursei de curent Wildar calcula-
t n seciunea 13.10.

13.13. Amplificatorul n conexiune gril comun

Schema amplificatorului n conexiune gril comun (n englez common gate stage) din
figura 13.19 se compune dintr-un tranzistor MOS a crui gril este polarizat la poteni-
alul fix V
b
i care are ca sarcin rezistena R
D
.

V
o
V
DD
V
b
~
V
i
R
D


Figura 13.19. Amplificatorul n conexiune gril comun

Curentul de dren a tranzistorului MOS este:


18

( )
2
TH i b D
V V V
2
K
I , (13.40)

Din (13.40) unde rezult c expresia tensiunii de ieire este

( )
2
TH i b D DD o
V V V
2
K
R V V . (13.41)

Amplificarea n tensiune se calculeaz derivnd expresia tensiunii de ieire V
o
n funcie
de tensiunea de intrare V
i


( )
PSF
D
i
Th
Th i b
PSF
i
o
U
R
V
V
1 V V V 2
2
K
V
V
A

,
_

. (13.42)

Observm c V
b
-V
i
= V
GS0
, deci putem folosi definiia parametrului g
m
= K(V
GS0
-V
Th
)
(v. formula (13.7) din seciunea 13.2). De asemenea, dac substratul nu este conectat la
surs atunci n ecuaia (13.42) apare i efectul de substrat (v. Anexa 13.3):


( )
D mb m U
PSF
i
Th
mb
R g 1 g A
V
V
g +

. (13.43)

Dac substratul este conectat la surs atunci g
mb
= 0 i amplificarea n tensiune este:

D m U
R g A (13.44)

Concluzie. Rezultatul (13.44) trebuie neles n sensul urmtor: amplificatorul n cone-
xiune surs comun transfer un curent dintr-un circuit cu rezisten intern mic ntr-un
circuit cu rezisten mare.
13.14. Amplificatorul cascod

n amplificatorul cascod din figura 13.20 se compune din tranzistorul M
1
funcioneaz
n conexiune surs-comun i este cuplat direct cu tranzistorul M
2
. Tensiunea de pola-
rizare V
b2
este constant, deci tranzistorul M
2
funcioneaz n conexiune gril-comun.

M
2
M
1
r
D
V
b2
v
i V
DD
r
DS1
r
DS2

Figura 13.20. Amplificatorul cascod cu tranzistoare nMOS

Circuitul se analizeaz n ipoteza M
1
M
2
. Rezistena de ieire a amplificatorului cas-
cod se calculeaz la fel ca rezistena de ieire a sursei de curent Wildar sau a sursei de
curent cascod (v. seciunile 13.11 i 13.12):


19

2
DS m 2 DS 1 DS 2 m o
r g r r g r (13.45)

Rezistena r
D
din figura 13.21 este rezistena circuitului de sarcin a amplificatorului
cascod. n continuare considerm c rezistenele r
o
i r
D
sunt de acelai ordin de mri-
me. Amplificarea n tensiune este:

( ) ( )
D o m
i
o
U i D o 1 m o
r || r g
v
v
A v r || r g v . (13.46)

Intuitiv, tranzistorul M
1
amplific semnalul de intrare v
i
iar tranzistorul M
2
transfer cu-
rentul g
m
v
i
ntr-un circuit cu rezisten foarte mare r
o
||r
D
. n Anexa 13.2 se gsete o de-
monstraie complet a formulei (13.46)

13.15. Amplificatorul diferenial telescopic

telescope = n. an optical instrument for making distant objects, as stars, nearer,
consequently larger: it consists of two or more lens or mirrors

Definiia precedent, preluat din Websters dictionary, sugereaz c ntr-un amplifica-
tor diferenial telescopic, semnalul util, parcurge cel puin dou oglinzi de curent.

n cazul amplificatorului diferenial v
id
este semnalul util, iar v
om
este semnalul pertur-
bator. De exemplu: n schema din figura 13.12 din seciunea 13.8 semnalul util parcurge
o singur oglind de curent (v. figura 13.13), deci nu este vorba despre un amplificator
telescopic. Celelalte oglinzi de curent din schem sunt necesare pentru polarizarea am-
plificatorului diferenial.

Schema amplificatorului diferenial telescopic din figura 13.21 se compune din: un am-
plificator diferenial M
1
-M
2
, dou amplificatoare n conexiune n baz comun constru-
ite cu tranzistoarele M
3
i M
4
i dou surse de curent cascod M
5
-M
7
i M
6
-M
8
.

M1
M3
V
DD
v
i1
M7
Vb4
M5
Vb3
Vb2
v
i2
M2
M4
v
o
V
SS
M8
M6
Vb1 M9 (2:1)
V
S

Figura 13.21. Amplificatorul diferenial telescopic

n cazul amplificatorului telescopic este nevoie ca reeaua de polarizare s asigure tensi-
unile fixe:


20

DD 4 b 3 b 2 b 1 b SS
V V V V V V < < < < < . (13.47)

Problemele privind polarizarea amplificatorului diferenial telescopic vor fi detaliate n
seciunile 13.17 i 13.18.

13.16. Calculul amplificrii difereniale

Din formula (13.46), seciunea 13.14, rezult c valoarea amplificrii n tensiune este
proporional cu valoarea rezistenei echivalente r
o
||r
D
. Pentru creterea rezistenei r
D

tranzistoarele amplificatorului diferenial cascod M
1
-M
3
i M
2
-M
4
din figura 13.21 au
ca sarcin o surs de curent cascod M
5
-M
7
i M
6
-M
8
.

Dac v
im
= 0 i v
id
0, atunci n figura 13.21 tensiunea V
S
= 0, este un zero virtual.
Schema din figura 13.22 se obine n urma aplicrii metodei semicircuitului pentru cal-
culul amplificrii difereniale pentru amplificatorul telescopic din figura 13.21.

M2
M4
r
DS8
V
DD
r
DS4
r
DS2
r
DS6
v
i
v
o
M8 Vb4
M6 Vb3
Vb2
r
D
r
o

Figura 13.22. Amplificatorul cascod cu sarcin activ

n schema din figura 13.22, tranzistorul M
1
amplific n tensiune, tranzistorul M
2
tran-
sfer curentul i
D1
ntr-un circuit n care tranzistoarele M
3
-M
4
sunt o sarcin activ de tip
cascod. Dac toate tranzistoarele nMOS din schema sunt identice i dac toate tranzis-
toarele pMOS sunt i ele identice, atunci amplificarea n tensiune este:

[ ] ) r g ( || ) r g ( g A
r r g r
r r g r
2
DSp mp
2
DSn mn mn d
6 DS 8 DS 6 m D
4 DS 2 DS 4 m o

. (13.48)

Exemplu numeric: Se consider amplificatorul cascod din figura 13.21. S se calcule-
ze valoarea rezistenelor de ieire r
o
i r
D
i valoarea amplificrii n tensiune. Se cunosc:
I
ref
= 32.6 A, g
mn
= 88.45 A/V, r
DSn
= 1.53 M, Kp = 95 A/V
2
i V
Ap
= 40 V.

Valorile parametrilor tranzistorului nMOS g
mn
i r
DSn
sunt cunoscute din exemple ante-
rioare. Calculm rezistena r
o
:

( )

M 207 M 53 . 1
V
A
45 . 88 r g r
2
2
2
DSn mn o
.


21

Calculm g
mp
i r
DSp
cu formulele (13.7) i (13.8). Apoi calculm rezistena r
D
:

V
A
7 . 78
V
A
6194 A 6 . 32
V
A
95 2 I K 2 g
2
0 D p mp

M 23 . 1
A 6 . 32
V 40
r
DSp
.
( )

M 144 M 23 . 1
V
A
95 r g r
2
2
2
DSp mp D
.

Calculm amplificarea n tensiune cu formula (13.46)

( ) 7511 M
144 207
144 207
V
A
45 . 88 r || r g A
D o mn d

+

.

Concluzie. n exemplul anterior s-a calculat amplificarea A
d
= 7511 pentru amplificato-
rul diferenial telescopic din figura 13.21. Aceast amplificare este cu dou ordine de
mrime mai mare dect A
d
= 60 calculat pentru amplificatorul diferenial cu sarcin
activ din figura 13.12. Schema amplificatorul telescopic este mult mai complicat.
13.17. Sursa de curent cascod, tensiunea minim de ieire

Schema sursei de curent cascod din figura 13.23 difer din figura 13.18, din seciunea
13.12, doar prin prezena rezistenei R conectat ntre drena i grila tranzistorului M
3
.
Dac R = 0 cele dou scheme sunt identice.
I
ref
I
o
M
4
M
3
M
2
M
1
v
DS4
v
DS2
R
V
o

Figura 13.23. Sursa de curent cascod

n ipoteza M
1
M
2
M
3
M
4
avem:

GS 4 GS 3 GS 2 GS 1 GS ref o
V V V V V i I I . (13.49)

Aplicm tensiunea continu V
o
n circuitul de ieire i dorim s calculm valoarea mini-
m a acestei tensiuni pentru care tranzistoarele M
3
i M
4
funcioneaz n zona saturat a
caracteristicilor de ieire. Scriem teorema lui Kirchhoff pe circuitul marcat pe figur:

GS1 GS3 ref GS4 DS2
V V I R V V 0 + + + . (13.50)



22
inem cont de ipoteza formulat anterior i punem condiia ca tranzistorul M
2
s lucreze
n zona saturat a caracteristicilor de ieire

GS ref DS2
Th
DS2 GS Th ref
V I R V
V
R
V V V I
+
<
;
>

. (13.51)

Cderea de tensiune pe sursa de curent cascod este:

) V V ( 2 v
I
V
R
V V 2 v 0 R
Th GS min , o
ref
Th
Th GS min , o


. (13.52)

Concluzie: prezena rezistenei R scade potenialul grilei tranzistorului M
4
i n conse-
cin scade tensiunea V
o,min
. O valoare mai mare pentru rezistena R scoate tranzistorul
M
2
din zona saturat a caracteristicilor de ieire ceea ce produce o scdere drastic a
rezistenei echivalente de ieire r
o
(v. seciunea 13.13).
13.18. Exemplu de polarizare a amplificatorului diferenial telescopic

Amintim c n schema amplificatorului diferenial cu sarcin activ din figura 13.12
sunt necesare 3 tranzistoare pentru asigurarea polarizrii amplificatorului. Reeaua din
figura 13.25 asigur potenialele fixe V
b1
, V
b2
, V
b3
i V
b4
necesare pentru polarizarea
amplificatorului diferenial telescopic din figura 13.21.

Iref
Vb4
Vb3
Vb2
Vb1
M12
M14
M13
Iref
referin
de
de curent
R2
R1
M11
M10
M1
M3
V
DD
v
i1
M7
M5
M2
M4
v
o
M8
M6
M9 (2:1)
V
S
v
i2
V
SS

Figura 13.24. Circuitul de polarizare a amplificatorului telescopic

Reeaua de polarizare a amplificatorului telescopic funcioneaz astfel:
curentul I
ref
este generat de blocul numit referin de curent. Valoarea curentului,
depinde puin de variaiile temperaturii i de variaiile tensiunii de alimentare;
tranzistoarele M
10
i M
11
, conectate ca diod, produc tensiunile V
b3
i V
b4
care
polarizeaz dou surse de curent cascod: M
5
-M
7
i M
6
-M
8
;
oglinda de curent M
11
-M
12
asigur prin divizorul de tensiune format din tranzis-
toarele M
13
i M
14
, conectate ca diod curentul I
D13
= I
D14
= I
ref
;


23
potenialul fix V
b2
polarizeaz grilele tranzistoarelor M
3
i M
4
care funcioneaz
n conexiune baz comun;
oglinda de curent M
14
-M
9
asigur curentul I
D9
= 2 I
ref
care polarizeaz
amplificatorul diferenial M
1
-M
2
;
rezistenele R
1
i R
2
se calculeaz cu formula (13.51).

13.19. Folded cascode differential amplifier

Titlul acestei seciuni este un exemplu de termen tehnic intraductibil. Prin literatur se
pot gsi variantele cascod mpachetat, cascod mpturit, sau cascod pliat.

Schema din figura 13.25 este simetric: sunt dou semnale de intrare v
i1
i v
i2
i sunt
dou semnale de ieire v
o1
i v
o2
. Schema mpacheteaz trei blocuri distincte:
amplificatorul diferenial cu sarcin activ M
1
-M
4
;
amplificatorul n conexiune surs comun M
5
cu sarcina activ M
7
-M
9
;
amplificatorul n conexiune surs comun M
6
cu sarcina activ M
8
-M
10
.

V
DD
Vb4 M10
M3
Vb2
M4
V
SS
M5
M6
Vb1
M9
M7
Vb3 M8
M11
v
o2
v
o1
(2:1)
(2:1)
(2:1)
M1 M2
v
i1
v
i2

Figura 13.25. Amplificatorul diferenial de tip folded cascode

Potenialele fixe V
b1
V
b4
sunt asigurate tot de reeaua de polarizare din figura 13.24.
Dac tranzistoarele M
3
i M
4
raport de aspect dublu fa de celelalte tranzistoare nMOS
i M
11
are raport de aspect dublu fa de celelalte tranzistoare pMOS, atunci curenii de
polarizare sunt:

ref 10 D 5 D 2 D 1 D ref 11 D 4 D 3 D
I I I I I i I 2 I I I K . (13.53)

Exemplu numeric: Se consider amplificatorul diferenial de tip folded cascode din
figura 13.25. S se calculeze limitele semnalelor V
i
i V
o
. Se cunosc: V
Thn
= 1 V, V
Thp
=
-0.8 V, V
GSn
= 1.74 V, V
GSp
= -1.63 V, V
DD
= 2.5V i V
SS
= -2.5V.

Calculm tensiunile V
DS
minime:

V 74 . 0 V 1 V 74 . 1 V V V
Thn GSn min , DSn
.
V 83 . 0 V 8 . 0 V 63 . 1 V V V
Thp GSp min , DSn
+ .



24
Calculm limitele semnalelor V
i
i V
o
:

V 04 . 0 V 63 . 1 V 83 . 0 V 5 . 2
V V V V
1 GS min , 11 DS DD max , i




V 56 . 2 V 63 . 1 V 83 . 0 V 74 . 0 V 5 . 2
V V V V V
1 GS min , 1 DS min , 3 DS SS min , i
+ +
+ +


V 84 . 0 V 83 . 0 2 V 5 . 2
V 2 V V
min , 3 DS DD max , o




( )
V 02 . 1 V 74 . 0 2 V 5 . 2
V V 2 V V
Thn GSn SS min , o
+
+


Observaie: pentru tranzistoarele MOS folosite n exemplul precedent, tensiunile de ali-
mentare sunt prea mici. Este nevoie de cel puin V
DD
= 5V i V
SS
= -5V.
13.20. Amplificatorul folded cascode amplificarea diferenial

Pentru calculul amplificrii difereniale a amplificatorului folded cascode se folosete
semicircuitul din figura 13.26, unde tranzistorul M
1
este un amplificator n conexiune
surs comun iar M
2
este un amplificator n conexiune poart comun.
Vb2 M5
M1
r
DS3
v
id
2
v
od
2
r
D
V
DD

Figura 13.26. Semicircuitul pentru calculul amplificrii difereniale

Amplificarea tranzistorul M
1
, amplificator n conexiune surs comun care are ca sar-
cin activ tranzistorul M
3
este g
mp
r
DS3
. Calculm semnalul v
D3
:

2
v
2
r g
2
v
r g v
2
r
I 2
V
r
id
DSn mp
id
3 DS mp 3 D
DSn
ref
A
3 DS
. (13.54)

Pentru c tranzistorul M
2
este un amplificator n conexiune poart comun, semnalul de
ieire se calculeaz cu formula (13.44):

2
v
2
r g
) r || r ( g v ) r || r ( g
2
v
id
DSn mp
D o mn 3 D D o mn
od
. (13.55)

n (13.55) ro||rD se calculeaz la fel ca n seciunea 13.16, formula (13.48). Amplifica-
rea diferenial este



25
2
r g
) r || r ( g
2 / v
2 / v
A
DSp mp
D o mn
od
od
d
. (13.56)

Exemplu numeric: Se consider amplificatorul din figura 13.21. S se calculeze ampli-
ficarea diferenial. Se cunosc: g
mn
= 88.45 A/V i r
DSn
= 1.53 M, g
mp
= 78.7 A/V i
r
DSn
= 1.23 M.

Din exemplul numeric din seciunea 13.16 tim c:

( ) 7511 r || r g
D o mn
.

n consecin, amplificarea diferenial calculat cu formula (13.48) este:

364283
2
97
7511
2
M 23 . 1 V / A 7 . 78
7511 A
d


.

13.21. Concluzii

n exemplele anterioare s-au calculat amplificrile:
A
d
= 4.1 pentru amplificatorul diferenial din figura 13.9. Aceast amplificare
este mult mai mic dect cea a tranzistorului bipolar care lucreaz n aceleai
condiii (v. seciunea 13.7 i seciunea 13.5);
A
d
= 60 pentru amplificatorul cu sarcin activ din figura 13.12, seciunea 13.8;
A
d
= 7511 pentru amplificatorul diferenial cascod cu sarcin activ de tip
cascod din figura 13.21;
A
d
= 364283 pentru amplificatorul diferenial cu sarcin activ de tip folded
cascode din figura 13.24.

n cele patru cazuri tranzistorul M
1
are aceeai parametri i are acelai punct static de
funcionare I
D
= 32.6 A. Remarcm c amplificatoarele cu tranzistoare MOS au sche-
me mult mai complicate dect cele cu tranzistoare bipolare pentru c transconductana
este mic n comparaie cu cea a tranzistorului bipolar (v. i seciunea 13.5).



26
Anexa 13.1. Calculul exact al amplificrii de mod comun

Dac v
id
= 0 i v
im
0, amplificarea de mod comun se calculeaz cu semicircuitul din
figura 13.15. Dup ce se nlocuiete tranzistorul M
1
cu modelul de semnal mic se obine
schema echivalent la semnal mic din figura urmtoare.

2 r
DS8
v
GS1
g
m
v
GS1
D
S
G
r
DS1
v
im
~
v
om
i
o
r
DS3


Notm i
o
curentul din circuitul de ieire i scriem teorema lui Kirchhoff pentru circuitul
marcat pe schem:

8 DS o 1 DS 3 DS o
r i 2 v r i 0 + + ; (A1.1)
( )
8 DS o 1 DS 1 GS m o 3 DS o
r i 2 r v g i r i 0 + + . (A1.2)

Scriem teorema lui Kirchhoff pentru circuitul de intrare i explicitm tensiunea v
GS1
:

8 DS o im 1 GS 8 DS o 1 GS im
r i 2 v v r i 2 v v + . (A1.3)

nlocuim expresia tensiunii v
GS1
n ecuaia (A1.2) i calculm curentul i
o
:

( )
8 DS o 1 DS 1 DS o m im m o 3 DS o
r i 2 r r i g v g i r i 0 + + + ; (A1.4)
8 DS
2
1 DS m 1 DS 3 DS
1 DS im m
o
r 2 r g r r
r v g
i
+ + +
. (A1.5)

Notm: r
DS1
= r
DS9
= r
DSn
i r
DS3
= r
DSp
. Tranzistorul M
8
din figura 13.12 are raport de
aspect dublu fa de celelalte tranzistoare nMOS din schem. Calculm rezistena de
ieire a tranzistorului M
8
tiind c I
D8
= 2 I
ref
i I
D1
= I
D3
= I
ref
:

DSn
ref
A
ref
A
8 D
A
8 DS
r
I
V
I 2
V
2
I
V
2 r 2 . (A1.6)

innd cont de (A1.6), din ecuaia (A1.5) calculm formula amplificrii de mod comun:

+ +

2
DSn m DSn DSp
DSn DSp m
im
3 DS o
im
om
m
r g r 2 r
r r g
v
r i
v
v
A .
DSn
DSp
DSn m DSn DSp
DSp m
r
r
r g r / r 2
r g

+ +
. (A1.7)



27
n concluzie A
m
1 pentru c r
DSn
i r
DSp
au acelai ordin de mrime. Aceast demon-
straie confirm estimrile fcute n seciunea 3.7 formula (13.21) i n seciunea 3.8
formula (13.25).

Anexa 13.2. Demonstraia formulei (13.42)

n seciunea 13.14, la calculul amplificrii n tensiune a amplificatorului cascod s-a
neglijat influena rezistenei interne a tranzistorului M
2
. O analiz mai atent a amplifi-
catorului cascod se face pe schema de semnal mic din figura urmtoare. Demonstraia
care urmeaz arat c aproximaiile n urma crora s-a dedus formula (13.46), amplifi-
carea n tensiune a amplificatorului cascod, sunt corecte.

Amplificatorul n conexiune surs comun, M
1
, este inversor. Pe schema din stnga
figurii urmtoare se observ c afirmaia V
i
crete implic propoziia V
o
scade. Pe
modelul de semnal mic afirmaia v
i
> 0, are semnificaia V
i
crete i afirmaia v
o
< 0
are semnificaia V
o
scade.

G
1
r
DS1
D
2
g
m1
v
i i
o
v
i
> 0
M
1
r
D
v
i
V
DD
r
D
D
1
v
GS1
v
i
> 0


n figura urmtoare se prezint amplificatorul cascod cu tranzistoare MOS i schema
echivalent la semnal mic a amplificatorului cascod. Amplificatorul conexiune gril
comun, M
2
, nu inverseaz semnalul i n consecin nu influeneaz semnele sem-
nalelor v
i
i v
o
. Pentru c v
GS1
> 0 i v
GS2
> 0, curentul i
o
are sensul din figur.

G
1
r
DS1
r
DS2
v
GS2
G
2
D
2
g
m2
v
GS2
g
m1
v
i
v
i
i
o
> 0
S
2
M
2
M
1
r
D
V
b2
v
i
V
DD
r
D
S
2
D
1
v
GS1
v
o < 0


Se scrie teorema lui Kirchhoff pentru ochiul de ieire:

( )
1 DS 2 DS o 2 GS m o
v r i v g v + + . (A2.1)

Pentru tranzistorul M
1
se observ c i
o
= i
D1
. Se scrie ecuaia:

( )
1 DS i 1 m o 1 DS
1 DS
1 DS
i 1 m o
r v g i v
r
v
v g i + . (A2.2)

Pe figur se observ c v
GS2
= v
DS1
. Se mparte ecuaia (13.43) la r
DS1
i se nlocuiete
v
DS1
din ecuaia (13.44):



28
( )
1 DS 2 DS 2 m 2 DS o o
v r g 1 r i v + ;
( ) ( )
1 DS i 1 m o 2 DS 2 m 2 DS o o
r v g i r g 1 r i v + ;
( )
i 1 DS 1 m 2 DS 2 m o 1 DS 2 DS 2 m o
v r g r g 1 i r r g v + . (A2.3)

n ecuaia (A2.3) s-a considerat r
DS2
= r
DS1
. Exprimm curentul i
o
n funcie de tensiunea
de ieire v
o
:

D
o
o
r
v
i

. (A2.4)

Din (A2.3) explicitm curentul i
o
i grupm toi termenii care l conin tensiunile v
o
i v
i

n membrul drept al egalitii:

( )
i 1 DS 1 m 2 DS 2 m
D
1 DS 2 DS 2 m
o
v r g r g 1
r
r r g
1 v

,
_

+ . (A2.5)

Notm G
m
transconductana echivalent a amplificatorului cascod. Din definiia trans-
conductanei rezult:

( )
D
1 DS 2 DS 2 m
i 1 DS 1 m 2 DS 2 m
i
o
r
r r g
1
r g r g 1
v
v
+

. (A2.6)

n (A2.6) se observ c rezistenele r
DS1
i r
DS2
sunt egale, iar produsul g
m2
r
DS1
are o va-
loare mult mai mare dect ceilali termeni.

( )
1 DS 2 DS 2 m D
1 DS 2 DS 2 m D
1 m
D
1 DS 2 DS 2 m
1 DS 2 DS 2 m
1 m
i
o
r r g r
r r g r
g
r
r r g
1
r r g
g
v
v
+

+
. (A2.7)

( )
D o 1 m U 1 DS 2 DS 2 m o
r || r g A r r g r . (A2.8)

n consecin, raionamentul intuitiv n urma cruia a fost calculat amplificarea n ten-
siune (13.46) este corect.

Anexa 13.3. Modelul de semnal mic

n figur se prezint modelul de semnal mic al tranzistorului MOS.

D
r
ds
v
gs
g
m gs
g
mb
v
bs
S
gs
C
v
G
S
g
r



29
n circuitul de intrare tranzistorul MOS se modeleaz prin rezistena r
g
i C
gs
. La joas
frecven se consider r
g
= 0 i C
gs
= 0.

n cazul circuitelor integrate CMOS electrodul gril este din polisiliciu (siliciu policris-
talin). Valoarea rezistenei r
g
depinde att de valoarea R

(rezistena de ptrat, v. seciu-

nea 11.4) a stratului subire de polisiliciu ct i de geometria grilei.

Capacitatea C
GS
se calculeaz cu formula:

2
L W C
C
ox
GS
, (A3.1)

unde C
ox
este capacitatea specific a stratului de SiO
2
msurat n F/m
2
, iar parametrii
W i L sunt limea i respectiv lungimea canalului.

Transconductana g
m
i rezistena de ieire r
DS
se calculeaz n funcie de valoarea cu-
rentului static de dren I
D
:

( )
D Th GS m
I K 2 V V K g . (A3.2)

D D
A
DS
I
1
I
V
r

. (A3.3)

n practic se folosete foarte rar comanda tranzistorului MOS prin tensiunea v
BS
(tensi-
unea substrat-surs, v. seciunea 12.10). Dac substratul nu este conectat la surs atunci
parametrul g
mb
se calculeaz cu formula:

m
0 bs F
m
bs
TH
mb
g
V 2 2
g
V
V
g

, (A3.4)

unde, = 0.54 V se numete coeficient de efect al substratului, iar
F
= 3.5 V este ni-
velul Fermi. n (A3.4) factorul 3 . 0 1 . 0 K este o constant. Dac substratul este co-
nectat la surs se consider g
mb
= 0.