Tranzistoare MOSFET

n Fig.2.18 sunt prezentate simbolul i structura semiconductoare ale celui mai

utilizat tranzistor MOSFET de putere, cel cu canal de tip n.

Fig. 2.18: Simbolul (a) i structura semiconductoare (b) a tranzistorului MOSFET

de tip n.
Referitor la Fig.2.18 s-au utilizat urmtoarele notaii
pentru terminalele de for: D-dren, S-surs, G-gril;
pentru mrimile electrice: iD curentul de dren, uSD tensiunea surs
dren, uGS tensiunea gril surs.
n Fig.2.19 este prezentat simbolul tranzistorului de putere MOSFET cu canal de
tip p.

Fig. 2.19: Simbolul tranzistorului MOSFET de tip p.

Caracteristicile statice ale tranzistorului MOSFET de putere

Datorit prezenei diodei parazite (n+ - n- - p) ce apare ntre dren i surs,
tranzistorul MOSFET nu poate bloca tensiuni inverse, fapt pentru care
caracteristicile statice tensiune curent vor fi prezentate doar pentru cadranul I al
sistemului de axe u i. Caracteristicile statice reprezint dependenele dintre
curentul de dren (iD) i tensiunea dren-surs (uDS) pentru diferite tensiuni de
comand gril-surs (uGS), fapt ce este desenat n Fig.2.20.

Fig. 2.20: Caracteristicile statice reale (a) i ideale (b) ale tranzistorului MOSFET
de putere.
Referitor la Fig.2.20, se pot face urmtoarele observaii:
a) tranzistorul MOSFET nu se deschide n urmtoarele dou situaii
- dac tranzistorul nu este comandat,
- dac tranzistorul este comandat cu o tensiune gril-surs (uGS) sub valoarea
tensiunii de prag UGS(prag) (notat n cataloage cu VGS(th) Gate Threshold Voltage).
n acest caz, punctul de funcionare se plaseaz pe caracteristica de blocare direct
(ID = 0), n condiiile n care tensiunea de alimentare dren-surs (uDS) nu
depete o limit maxim. Dac aceast tensiune depete valoarea maxim (uDS
> UDS(max)), tranzistorul este strpuns i curentul iD poate crete pn la o valoare
limitat de circuitul de sarcin. Tensiunea de strpungere direct este notat n
cataloage cu BVDSS (Drain-Source Breakdown Voltage, gate-source Short
circuited) i este dat pentru situaia n care tensiunea de comand este zero
(terminalele gril-surs scurtcircuitate).
b) deschiderea controlat a MOSFET-ului se produce atunci cnd tensiunea uGS
depete valoarea de prag (UGS(prag)). n Fig.2.20a sunt reprezentate mai multe

caracteristici statice pentru diferite valori ale tensiunii de comand (UGS) cuprinse
ntr-un interval recomandat de firma productoare a tranzistorului:
U GS prag U GS 1 U GS 2 .......... .... U GS n 1 U GS n U GS m ax .

(2.26)

Pentru ca pelicula de SiO2 a pastilei semiconductoare s nu se strpung, firmele

productoare recomand ca tensiunile de comand s nu depeasc valoarea
UGS(max) = 20V.
c) deschiderea complet a tranzistorului are loc pentru tensiuni UGS = (10 15)V.
De obicei valoarea standard este cea de 15V.
d) caracteristicile statice ale MOSFET-ului prezint urmtoarele dou zone de
funcionare:
- zona activ (de curent iD constant) n care valoarea curentului prin tranzistor este
controlat prin intermediul variabilei de comand (uGS) i n care apar cderi
importante de tensiune pe tranzistor;
- zona ohmic (de rezisten constant) n care tranzistorul este total deschis (prin
inducerea canalului conductor), iar tensiunea UDS(on) este mic i puin dependent
de curent.
d) mrimile caracteristice ale MOSFET-ului sunt urmtoarele:

pierderile n conducie
Pon U DS on I D .

(2.27)

Aceste pierderi sunt caracteristice punctului A de funcionare de pe caracteristica

static (Fig.2.20a).

cderea de tensiune pe dispozitiv n starea de conducie

U DS on rDS on I D ,

(2.28)

unde rDS(on) este rezistena de conducie a MOSFET-ului pe care curentul de

dren o ntlnete pe traseul dren (n+) regiune drift (n-) canal (p) surs (n+).

rezistena de conducie (rDS(on))

rDS on Rdrena Rdrift Rcanal Rsursa .

(2.29)

Se apreciaz c aproximativ 70% din pierderile n conducie au loc pe rezistena

Rdrift. n urma experimentelor, literatura de specialitate recomand pentru calculul
rezistenei de conducie urmtoarea relaie:
rDS on k U DS max ,
2, 5

(2.30)

unde k este o constant de material.

Tranzistoarele MOSFET construite pentru tensiuni mari (aproximativ 1000V) au o
rezisten rDS(on) mare care la rndul ei determin cderi de tensiune de zeci de
voli. Aceste cderi mari de tensiune impun limitarea curentului de dren la valori
de ordinul amperilor.
e) curentul de dren maxim pe care tranzistorul l poate susine n mod continuu
fr s se distrug termic se noteaz n cataloage cu ID , iar curentul maxim de
impuls este notat cu IDM. Tranzistorul MOSFET nu se poate distruge prin ambalare
termic, deci nu prezint fenomenul de strpungere secundar, datorit
coeficientului pozitiv de temperatur. Astfel se poate neglija tensiunea de pe
tranzistorul aflat n conducie, cu punctul de funcionare n zona ohmic, punct ce
se poate considera c se afl pe o caracteristic ideal de conducie (Fig.2.20b).
Considernd caracteristica de blocare direct, ct i faptul c trecerea de pe o
caracteristic (de blocare) pe cealalt (de conducie) se poate face n ambele
sensuri prin comand, se obin trsturile unui comutator static ideal (Fig.2.20b).
Suprafaa cuprins ntre caracteristica de blocare, caracteristica de conducie i
limitele impuse de curentul maxim continuu ID, respectiv tensiunea de strpungere
direct BVDS , formeaz aria de funcionare sigur (SOA) sau suprafaa de
funcionare permis a MOSFET-ului (Fig.2.20b-suprafaa haurat). Dac
MOSFET-ul funcioneaz n comutaie cu o anumit frecven i cu o anumit
durat relativ de conducie, aria SOA sufer o extensie odat cu creterea
frecvenei de lucru, n sensul indicat de sgeata din Fig.2.20b.
f) comportarea n regim de comutaie a MOSFET-ului este influenat de
elementele capacitive parazite prezente n circuitul su echivalent simplificat
prezentat n Fig.2.21.

Fig. 2.21: Circuitul echivalent simplificat al tranzistorului MOSFET.

Capacitile din figura de mai sus pot fi caracterizate astfel:

- capacitatea dren-surs (CDS) are o valoare intermediar, puternic neliniar, i

depinde invers proporional de tensiunea dren-surs (UDS );
- capacitatea gril-surs (CGS) are o valoare nare i nu variaz cu tensiunea aplicat
(UDS );
- capacitatea gril-dren (CGD) are o valoare mic i este puternic neliniar.