Amplificatoare de semnal mic cu tranzistoare MOS

Există trei configuraţii elementare de amplificatoare elementare. Circuitele de

amplificare complexe sunt compuse din aceste etaje de amplificare, de aceea, se
impune studiul acestor configuraţii de bază. Denumirea celor trei configuraţii
elementare este:

 etaj de amplificare cu tranzistor MOS în conexiunea SURSĂ COMUNĂ

 etaj de amplificare cu tranzistor MOS în conexiunea DRENĂ COMUNĂ
 etaj de amplificare cu tranzistor MOS în conexiunea GRILĂ COMUNĂ

În discuţia care urmează, analiza etajelor de amplificare se va realiza numai

în DOMENIUL FRECVENŢELOR MEDII.

Pentru toate etajele de amplificare analizate se vor determina următoarele:

1. ecuaţiile care definesc Punctul Static de Funcţionare al tranzistorului
2. rezistenţa de intrare în circuit Ri
3. rezistenţa de ieşire din circuit Ro
4. factorul de amplificare în tensiune ideal al amplificatorului, respectiv cel
real, obţinut ărin conectarea amplificatorului la circuitele externe
5. factorul de amplificare în curent ideal al amplificatorului respectiv cel real,
obţinut ărin conectarea amplificatorului la circuitele externe

Etaj de amplificare cu tranzistor MOS în conexiunea Sursă

Comună
1. Schema de bază
Schema uzuală a amplificatorului este prezentată în Figura 1. Pentru acest tip de
amplificator, semnalul de intrare se aplică în grila tranzistorului, iar ieşirea se ia
din drena tranzistorului. Rolul componentelor amplificatorului este similar cu
rolul componentelor amplificatorului cu tranzistor bipolar în conexiunea Emitor
Comun.

1
 Figura 1. Etaj de amplificare elementar cu tranzistor MOS în conexiunea Sursă Comună.

În Figura 2 se prezintă modul în care este conectat etajul de amplificare la

circuitele externe.

Figura 2. Conectarea amplificatorului la circuitele externe.

În continuare se va analiza funcţionarea amplificatorului în regim de curent

continuu, respectiv în regim variabil de semnal mic.

2. Analiza funcţionării amplificatorului în regim de curent continuu.

Scop: determinarea circuitului de polarizare şi calcularea PSF-ului tranzistorului.

2
Determinarea circuitului de polarizare este realizată prin modificarea circuitului
prezentat în Figura 2, conform celor 2 reguli prezentate în cursul 10. După
aplicarea acestor modificări, rezultă circuitul de polarizare din Figura 3.

Figura 3. Circuitul de polarizare.

Circuitul de polarizare rezultat în Figura 3 este chiar circuitul de polarizare cu

divizor rezistiv în grilă, prezentat în cursul Circuite de Polarizare pentru
tranzistoare. Din acest motiv, PSF-ul tranzistorului este descris de următoarele
relaţii (preluate din cursul respectiv):

I D  ............ trebuie calculat conform cursului 06 8.1.a

VDS  VDD  I D   RD  RS  8.1.b
unde:
RG1
VGG  VDD 8.1.c
RG1  RG 2

RG1  RG 2
RG  8.1.d
RG1  RG 2

Se reaminteşte faptul că, pentru ca tranzistorul MOS să funcţioneze în regiunea

de saturaţie – singura în care acesta poate amplifica liniar semnalele, valorile
tensiunilor VGS şi VDS calculate în PSF trebuie să satisfacă condiţiile:
VGS  VTH si VDS  VGS  VTH 8.2

3. Analiza funcţionării amplificatorului în regim variabil de semnal mic.

Scop: calcularea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului.
Determinarea circuitului echivalent în regim variabil de semnal mic al
amplificatorului este realizată prin modificarea circuitului prezentat în Figura 1,

3
conform celor 3 reguli prezentate în cazul amplificatoarelor cu tranzistoare
bipolare. După aplicarea acestor modificări, rezultă circuitul echivalent din Figura
4. În circuitul echivalent din Figura 4, panta gm a tranzistorului MOS se determină
cu relaţia:

g m  2  k  ID unde  g m   mA 8.3
V
În relaţia 8.3, curentul ID (exprimat în mA) este curentul din PSF al tranzistorului
MOS. Rezultă că panta tranzistorului MOS, care, în general, este de ordinul zecilor
de mS (milisiemensi), depinde de PSF-ul acestuia, de unde rezultă în continuare
că parametrii de semnal mic ai amplificatorului (cei care urmează a fi calculaţi)
depind de modul în care este polarizat tranzistorul MOS.

Figura 4. Circuitul echivalent al amplificatorului în regim variabil de semnal mic.

Calculul rezistenţei Ri de intrare a amplificatorului

Rezistenţa de intrare Ri se calculează pe un circuit de calcul determinat conform procedeului
descris la amplificatorul cu tranzistor bipolar în conexiunea Emitor Comun. După parcurgerea
indicaţiilor respective, circuitul de calcul a lui Ri arată ca în Figura 5, în care RG reprezintă
rezistenţa echivalentă a lui RG1 conectată în paralel cu RG2. Rezistenţa Ri se determină cu relaţia:
Vt
Ri  8.4
It
Relaţia dintre Vt şi It se poate determina aplicând TK2 pe bucla Vt şi RG. Astfel:
 Vt  I t  RG  0 8.5.a
Rezultă că rezistenţa de intrare a amplificatorului este:

RG1  RG 2
R i  RG unde RG  - rezistenţa de intrare 8.5.b
RG1  RG 2

Pentru polarizarea corectă a tranzistorului, rezistenţa echivalentă R G se alege de

ordinul zecilor de kiloohmi, de unde rezultă că rezistenţa de intrare în amplificator
este de valoare mare. Astfel, pierderile de tensiune la intrare vor fi neglijabile, iar
de curent mari.

4
 Figura 5. Circuitul de calcul al rezistenţei Ri.

Calculul rezistenţei Ro de ieşire a amplificatorului

Rezistenţa de ieşire Ro se determină pe baza circuitului de calcul din Figura 6, cu relaţia:
Vt
Ro  8.6
It

Figura 6. Circuitul de calcul al rezistenţei Ro.

Se remarcă faptul că, datorită scurtcircuitării bornelor de intrare, amplitudinea Vgs este egală cu
zero, curentul generat de generatorul comandat devine la rândul său zero (curentul are valoarea
gmVgs), deci circuitul de calcul al rezistenţei Ro devine cel din Figura 6.b. Aplicând TK2 pe bucla
compusă din RD şi Vt rezultă:
 Vt  RD  I t  0 8.7.a
De unde rezultă formula de calcul a rezistenţei de ieşire a amplificatorului:
Ro  R D - rezistenţa de ieşire 8.7.b
Rzistenţa RD se alege de ordinul kiloohmilor, de unde rezultă că rezistenţa de ieşire
are o valoare medie, care generează pierderi de semnal la ieşirea amplificatorului,
indiferent dacă acesta este o tensiune sau un curent.

Amplificarea în tensiune ideală

Capacitatea de a amplifica în tensiune a amplificatorului este descrisă de factorul de amplificare în
tensiune, determinat pentru cazul în care amplificatorul este izolat de alte circuite externe
(circuitele externe nu sunt conectate la amplificator), iar bornele sale de ieşire sunt menţinute în

5
gol (io=0). Prin definiţie, factorul de amplificare în tensiune a amplificatorului izolat (cu bornele de
ieşire în gol) se determină pe baza formulei
Vo
AV  8.8
Vi
calculată pe circuitul din Figura 7.

Figura 7. Circuitul de calcul pentru factorul de amplificare în tensiune pentru amplificatorul izolat,
cu bornele de ieşire în gol.

Vo se determină în funcţie de Vgs aplicând legea lui Ohm pe rezistenţa RD. În condiţiile în care
curentul io este egal cu zero, curentul care trece prin rezistenţa RD este chiar cel generat de
generatorul de curent comandat şi are valoarea gmVgs. Totodată, se remarcă faptul că acest curent
are sens invers prin rezistenţa RD, faţă de referinţa considerată pentru tensiunea Vo. Rezultă:
Vo   g m  Vgs  RD 8.9.a
Vi se determină în funcţie de Vgs observând că acestea sunt egale:
Vi  Vgs 8.9.b
Înlocuind rezultatele de mai sus în relaţia de calcul 13.8, valoarea factorului de amplificare în
tensiune a amplificatorului izolat, cu bornele de ieşire în gol se poate calcula cu relaţia:
AV  g m  RD - amplificarea în tensiune ideală 8.9.c
Semnul “-”din faţa relaţiei 13.9.c indică un defazaj de 1800 între tensiunea de
ieşire vo şi cea de intrare vi. Datorită faptului că panta gm a tranzistorului este de
ordinul zecilor de milisiemensi, iar RD este de ordinul kiloohmilor, rezultă că
modulul factorului de amplificare în tensiune a amplificatorului în gol este mare,
de ordinul zecilor sau sutelor. În comparaţie cu amplificatorul cu tranzistor
bipolar în conexiunea Emitor Comun, valoarea modulului factorului de amplificare
în tensiune AV este mai mică. Deci amplificatorul cu tranzistor MOS amplifică mai
slab în tensiune, dar pierderile de tensiune la bornele de semnal ale
amplificatorului sunt mai mici, datorită rezistenţei de intrare mai mari.

Revenind la relaţia 13.9.c, se remarcă faptul că modulul amplificării în tensiune

depinde de panta gm a tranzistorului. Deci, pentru o amplificare în tensiune mare,

6
panta gm a tranzistorului trebuie să fie mare. Ţinând cont de faptul că panta gm a
tranzistorului depinde de curentul ID din PSF-ul tranzistorului, modulul factorului
de amplificare în tensiune depinde la rândul său de curentul ID din PSF-ul
tranzistorului:
AV  2  k  I D  RD 8.9.d
de unde se trage concluzia că factorul de amplificare în tensiune depinde de
circuitul de polarizare al tranzistorului.

Amplificarea în curent ideală

Capacitatea de a amplifica în curent a amplificatorului este descrisă de factorul de amplificare în
curent, determinat determinat pentru cazul în care amplificatorul este izolat de alte circuite
externe, iar bornele sale de ieşire sunt scurtcircuitate (vo=0). Prin definiţie, factorul de amplificare
în curent a amplificatorului izolat (cu bornele de ieşire în scurtcircuit) se determină pe baza
formulei
Io
AI  8.10 calculată pe circuitul din Figura 8.
Ii

Figura 8. Circuitul de calcul pentru factorul de amplificare în curent pentru amplificatorul izolat,
cu bornele de ieşire în scurtcircuit.

Io se determină în funcţie de Vgs observând că rezistenţa RD este scurtcircuitată. Fiind

scurtcircuitată, tensiunea pe aceasta este zero şi conform Legii lui Ohm, prin RD curentul va fi
zero. În aceste condiţii, pe baza TK1, rezultă că:
I o  g m Vgs 8.11.a
Ii se determină în funcţie de Vgs aplicând legea lui Ohm pe rezistenţa echivalentă RG:
Vgs
Ii  8.11.b
RG
Înlocuind rezultatele de mai sus în relaţia de calcul 13.10, valoarea factorului de amplificare în
curent a amplificatorului izolat, cu bornele de ieşire în scurtcircuit se poate calcula cu relaţia:
AI  g m  RG - amplificarea în curent ideală 8.11.c

7
Din relaţia de mai sus, se remarcă faptul că factorul de amplificare în curent
depinde de rezistenţa echivalentă din grila MOS-ului.
Revenind la relaţiile obţinute până în acest moment, se constată faptul că acest tip
de amplificator amplifică atât în tensiune cât şi în curent. Din acest motiv, se
constată că acest tip de amplificator amplifică bine şi în putere.

5. Conectarea amplificatorului la circuitele externe

Amplificarea în tensiune reală
Valoarea factorului de amplificare în tensiune AVg a amplificatorului furnizează o
imagine clară asupra pierderilor de tensiune la bornele de semnal ale
amplificatorului. Acesta se poate calcula conform procedurii indicate în cursul 07,
paragraful 07. Din acest motiv, parametrul AVg se poate determina cu ajutorul
relaţiei 7.13.c, din cursul 07, particularizată pentru cazul analizei amplificatorului
în domeniul frecvenţelor medii (când impedanţele se transformă în rezistenţe).
Ţinând cont de rezultatele obţinute în cadrul analizei amplificatorului în
conexiunea Sursă Comună, relaţia 7.13.c devine:
 RG   RL 
AVg  AV     - amplificarea în tensiune reală 8.12.c
 
 R g  RG   RD  RL 

Această relaţie s-a obţinut prin înlocuirea în relaţia originală a lui Zi cu rezultatul
din relaţia 8.5.b şi a lui Zo cu rezultatul obţinut în relaţia 8.7.b.
Pentru diminuarea pierderilor de tensiune la intrarea, respectiv la ieşirea
amplificatorului, amplificatorul trebuie astfel proiectat încât rezistenţa de intrare
şi rezistenţa de ieşire a acestuia să satisfacă următoarele condiţii:
RG  R g si RD  RL 8.13

Numai în acest caz, AVg  AV

Deci, în aceste condiţii, pierderile de tensiune la bornele de semnale ale

amplificatorului ar putea fi eliminate. Prima condiţie, care se referă la rezistenţa
de intrare, poate fi satisfăcută uşor, datorită valorii mari a rezistenţei echivalente
RG. A doua condiţie, care se referă la rezistenţa de ieşire, poate fi sarisfăcută doar
pentru rezistenţe de sarcină de valori mic, pentru că o valoare mică pentru RD
scade amplificarea în tensiune a amplificatorului.

8
Amplificarea în curent reală
Valoarea factorului de amplificare în curent AIg a amplificatorului furnizează o
imagine clară asupra pierderilor de curent la bornele de semnal ale
amplificatorului. Acesta se poate calcula conform procedurii indicate în cursul 07,
paragraful 07. Din acest motiv, parametrul AIg se poate determina cu ajutorul
relaţiei 7.17.c, din cursul 07, particularizată pentru cazul analizei amplificatorului
în domeniul frecvenţelor medii (când impedanţele se transformă în rezistenţe).
Ţinând cont de rezultatele obţinute în cadrul analizei amplificatorului în
conexiunea Sursă Comună, relaţia 7.17.c devine:
 R g   RD 
AIg  AI   
 
 - amplificarea în curent reală 8.14
 R g  RG   RD  RL 

Această relaţie s-a obţinut prin înlocuirea în relaţia originală a lui Zi cu rezultatul
din relaţia 8.5.b şi a lui Zo cu rezultatul obţinut în relaţia 8.7.b.
Pentru diminuarea pierderilor de curent la intrarea, respectiv la ieşirea
amplificatorului, amplificatorul trebuie astfel proiectat încât rezistenţa de intrare
şi rezistenţa de ieşire a acestuia să satisfacă următoarele condiţii:
RG  R g si RD  RL 8.15
Numai în acest caz, AIg  AI

Deci în aceste condiţii pierderile de curent ar fi eliminate. Ambele condiţii sunt

greu de îndeplinit (în special prima), rezultă că amplificatorul va avea pierderi de
curent mari la bornele de semnal.

Etaj de amplificare în conexiunea Sursă Comună – varianta

modificată
1. Schema de bază
Structura sa, prezentată în Figura 9, este similară cu cea studiată în paragraful
precedent, cu deosebirea că în schema electronică nu se mai introduce
condensatorul CS. În continuare, se va studia modul în care eliminarea lui CS duce
la modificarea factorului de amplificare în tensiune. Rezistenţele de intrare şi de
ieşire nu se modifică. De asemenea, PSF-ul tranzistorului nu se modifică întru-cât
circuitul de polarizare rămâne acelaşi.

9
 Figura 9. Etaj de amplificare în conexiunea Sursă Comună – varianta modificată.

2. Analiza funcţionării amplificatorului în regim variabil de semnal mic.

Circuitul echivalent în regim variabil de semnal mic al amplificatorului este
prezentat în Figura 10.

Figura 10. Circuitul echivalent în regim variabil de semnal mic al amplificatorului.

Amplificarea în tensiune ideală

Factorul de amplificare în tensiune al amplificatorul izolat cu bornele de ieşire lăsate în gol (i0=0)
se determină pe baza formulei
V
AV  o 8.16
Vi
calculată pe circuitul din Figura 11, care este circuitul din Figura 10, în care s-a ţinut cont de
condiţia i0=0.

10
 Figura 11. Circuitul de calcul pentru factorul de amplificare în tensiune al amplificatorului izolat,
cu bornele de ieşire în gol.

Vo se determină în funcţie de Vgs aplicând legea lui Ohm pe rezistenţa RD. Curentul care trece prin
rezistenţa RD este cel generat de generatorul de curent comandat şi are valoarea gmVgs. Totodată,
se remarcă faptul că acest curent are sensul invers prin rezistenţa RD, faţă de referinţa considerată
pentru tensiunea Vo. Rezultă:
Vo  g m  Vgs  RD 8.17.a
Vi se determină în funcţie de Vgs aplicând TK2 pe bucla compusă din elementele vi, Vgs şi RS,
observând că prin rezistenţa RS trece curentul de valoare gmVgs generat de generatorul de curent
comandat. Deci:

 Vi  Vgs  g m  Vgs  RS  0  Vi    1  g m   RS   Vgs 8.17.b

Înlocuind rezultatele de mai sus în relaţia de calcul 13.15, valoarea factorului de amplificare în
tensiune a amplificatorului izolat, cu bornele de ieşire în gol, se poate calcula cu relaţia:

g m  RD
AV   8.17.c
 1  gm   RS
Deoarece panta gm a tranzistorului este mult mai mare decât unitatea, relaţia de
mai sus se poate simplifica, astfel încât factorul de amplificare în tensiune a
amplificatorului izolat, cu bornele de ieşire în gol, se poate calcula cu relaţia:
R
AV   D - amplificarea în tensiune ideală 8.17.d
RS

Tensiunea de ieşire vo este defazată faţă de tensiunea de intrare vi cu 1800, iar

modulul amplificării în tensiune este mult mai mic decât cel al amplificatorului
precedent, în mod uzual mai mic decât 10 deoarece, cât trebuie să fie raportul
rezistenţelor din drenă şi sursă, pentru ca tranzistorul MOS să fie polarizat în
regiunea de saturaţie.
3. Conectarea amplificatorului la circuitele externe

11
Deoarece rezistenţele de intrare, respectiv de ieşire ale amplificatorului nu se
modifică faţă de varianta precedentă, pierderile de tensiune la bornele
amplificatorului rămân aceleaşi ca cele existente la primul amplificator.

Etaj de amplificare în conexiunea Drenă Comună

1. Schema de bază
Schema uzuală a amplificatorului este prezentată în Figura 1.

Figura 12. Etaj de amplificare elementar în conexiunea Drenă Comună.

Figura 13. Conectarea amplificatorului la circuitele externe.

Pentru acest tip de amplificator, semnalul de intrare se aplică în grila

tranzistorului, iar ieşirea se ia din sursa tranzistorului.
În Figura 13 se prezintă modul în care este conectat etajul de amplificare la
circuitele externe.

12
 În continuare se va analiza funcţionarea amplificatorului în regim de curent
continuu, respectiv în regim variabil de semnal mic.

Figura 14. Circuitul de polarizare.

2. Analiza funcţionării amplificatorului în regim de curent continuu.
Scop: determinarea circuitului de polarizare şi calcularea PSF-ului tranzistorului.
Determinarea circuitului de polarizare este realizată prin modificarea circuitului
prezentat în Figura 13, conform celor 2 reguli prezentate în cursul 10. După
aplicarea acestor modificări, rezultă circuitul de polarizare din Figura 8.

Circuitul de polarizare rezultat în Figura 14 este circuitul de polarizare cu divizor

rezistiv în grilă pentru care RD este înlocuită cu un fir, prezentat în cursul Circuite
de Polarizare pentru tranzistoare. Din acest motiv, PSF-ul tranzistorului este
descris de următoarele relaţii (preluate din cursul respectiv, adaptate pentru
RD=0):
ID  .......... .. 8.18.a
VDS  VDD  ID  RS 8.18.b
unde:
RG1
VGG   VDD 8.18.c
RG1  RG 2

RG1  RG 2
RG  8.18.d
RG1  RG 2

Se reaminteşte faptul că, pentru ca tranzistorul MOS să funcţioneze în regiunea

de saturaţie – singura în care acesta poate amplifica liniar semnalele, valorile
tensiunilor VGS şi VDS calculate în PSF trebuie să satisfacă condiţiile:

13
 VGS  VTH si VDS  VGS  VTH 8.19

OBSERVAŢIE: în locul circuitului de polarizare ales în acest exemplu, se poate

utiliza oricare alt circuit de polarizare, cu condiţia ca acesta să asigure un PSF
care satisface condiţia 8.19.

3. Analiza funcţionării amplificatorului în regim variabil de semnal mic.

Scop: calcularea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului.
Determinarea circuitului echivalent în regim variabil de semnal mic al
amplificatorului este realizată prin modificarea circuitului prezentat în Figura 1,
conform celor 3 reguli prezentate în cursul 8.a. După aplicarea acestor modificări,
rezultă circuitul echivalent din Figura 15. În circuitul echivalent din Figura 15,
panta gm a tranzistorului MOS se determină cu relaţia (prezentată în cursul 05):

g m  2  k  ID unde  g m   mA 8.20
V
În relaţia 8.20, curentul ID (exprimat în mA) este curentul din PSF al tranzistorului
MOS. În Figura 15, rezistenţa RG reprezintă rezistenţa echivalentă a lui RG1
conectat în paralel cu RG2.

Figura 15. Circuitul echivalent al amplificatorului în regim variabil de semnal mic.

Calculul rezistenţei Ri de intrare a amplificatorului

Rezistenţa de intrare Ri are aceeaşi valoare cu cea a amplificatorului în Sursă Comună deoarece, la
intrare, circuitul din Figura 15 este identic cu circuitul echivalent al amplificatorului în Sursă
Comună. Deci, rezistenţa de intrare a amplificatorului este:
RG1  RG 2
Ri  RG unde RG  - rezistenţa de intrare 8.21
RG1  RG 2

Pentru polarizarea corectă a tranzistorului, rezistenţa echivalentă R G se alege de

ordinul zecilor de kiloohmi, de unde rezultă că rezistenţa de intrare în amplificator

14
este de valoare mare. Astfel, pierderile de tensiune la intrare vor fi neglijabile, iar
de curent mari.

Calculul rezistenţei Ro de ieşire a amplificatorului

Rezistenţa de ieşire Ro se determină pe baza circuitului de calcul din Figura 16, cu relaţia:
V
Ro  t 8.22
It

Tensiunea Vt în funcţie de Vgs se determină aplicând TK2 pe bucla compusă din Vt Vgs şi
scurtcircuitul de la bornele de intrare:
 Vt  Vgs  0  Vt  Vgs 8.6.a
Curentul It în funcţie de Vgs se determină aplicând TK1, unde curentul prin RS se exprimă prin
Legea lui Ohm, în care se ţine cont şi de relaţia 8.6.a:

Vt  1 
It  g m  Vgs   It   g m    Vgs 8.6.b
RS  RS 
Înlocuind rezultatele de mai sus în formula de calcul 8.22, rezultă că rezistenţa de ieşire a
amplificatorului se determină cu relaţia:
1
Ro 
1 - rezistenţa de ieşire 8.6.c
gm 
RS

Deoarece valoarea numitorului este mare pentru valori uzuale ale rezistenţelor
amplificatorului, rezultă că rezistenţa de ieşire are o valoare mică, de ordinul
zecilor-sutelor de ohmi.

Figura 16. Circuitul de calcul al rezistenţei Ro.

Amplificarea în tensiune ideală

Capacitatea de a amplifica în tensiune a amplificatorului este descrisă de factorul de amplificare în
tensiune, determinat pentru cazul în care amplificatorul este izolat de alte circuite externe
(circuitele externe nu sunt conectate la amplificator), iar bornele sale de ieşire sunt menţinute în
gol (io=0). Prin definiţie, factorul de amplificare în tensiune a amplificatorului izolat (cu bornele de
ieşire în gol) se determină pe baza formulei

15
 V
AV  o 8.23
Vi
calculată pe circuitul din Figura 17.

Figura 17. Circuitul de calcul pentru factorul de amplificare în tensiune pentru amplificatorul
izolat, cu bornele de ieşire în gol.

Vo se determină în funcţie de Vgs aplicând legea lui Ohm pe rezistenţa RS. În condiţiile în care
curentul io este egal cu zero, curentul care trece prin rezistenţa RD este chiar cel generat de
generatorul de curent comandat şi are valoarea gmVgs. Totodată, se remarcă faptul că sensul
acestui curent coincide cu referinţa considerată pentru tensiunea Vo. Rezultă:
Vo  g m  Vgs  RD 8.24.a
Vi se determină în funcţie de Vgs aplicând TK2 pe bucla Vi, Vgs, Vo şi utilizând apoi relaţia 8.8.a:
 Vi  Vgs  Vo  0  Vi   1  g m  RD   Vgs 8.24.b

Înlocuind rezultatele de mai sus în relaţia de calcul 8.23, valoarea factorului de amplificare în
tensiune a amplificatorului izolat, cu bornele de ieşire în gol se poate calcula cu relaţia:
g m  RD
AV  8.24.c
1  g m  RD
La numitorul relaţiei de mai sus, produsul gmRD este mult mai mare decât unitatea, astfel încât
valoarea factorului de amplificare în tensiune a amplificatorului izolat, cu bornele de ieşire în gol se
poate calcula cu relaţia:
AV  1 - amplificarea în tensiune ideală 8.24.d
Semnul “+”din faţa relaţiei 8.24.d indică un defazaj de 0 0 între tensiunea de ieşire
vo şi cea de intrare vi, iar modulul unitar al relaţiei indică faptul că cele două
tensiuni au aceeaşi amplitudine, astfel, acestea sunt identice. Din acest motiv,
acest amplificator se mai numeşte şi “repetor pe sursă” şi are acelaşi rol ca şi
repetorul pe emitor = adaptor de impedanţe.

Amplificarea în curent ideală

Capacitatea de a amplifica în curent a amplificatorului este descrisă de factorul de amplificare în
curent, determinat determinat pentru cazul în care amplificatorul este izolat de alte circuite

16
externe, iar bornele sale de ieşire sunt scurtcircuitate (vo=0). Prin definiţie, factorul de amplificare
în curent a amplificatorului izolat (cu bornele de ieşire în scurtcircuit) se determină pe baza
formulei
I
AI  o 8.25 calculată pe circuitul din Figura 18.
Ii

Figura 18. Circuitul de calcul pentru factorul de amplificare în curent pentru amplificatorul izolat,
cu bornele de ieşire în scurtcircuit.

Io se determină în funcţie de Vgs observând că rezistenţa RS este scurtcircuitată. Fiind

scurtcircuitată, tensiunea pe aceasta este zero şi conform Legii lui Ohm, prin RS curentul va fi zero.
În aceste condiţii, pe baza TK1, rezultă că:
Io  g m  Vgs 8.10.a
Ii se determină în funcţie de Vgs aplicând TK2 pe bucla compusă din RG, Vgs şi scurtcircuitul de la
bornele de ieşire şi legea lui Ohm pe rezistenţa echivalentă RG:
Vgs
 Ii  RG  Vgs  0  Ii   8.10.b
RG
Înlocuind rezultatele de mai sus în relaţia de calcul 8.25, valoarea factorului de amplificare în
curent a amplificatorului izolat, cu bornele de ieşire în scurtcircuit se poate calcula cu relaţia:
AI  g m  RG - amplificarea în curent ideală 8.10.c
Din relaţia de mai sus, se remarcă faptul că modulul factorului de amplificare în
curent al acestui amplificator este identic cu cel al amplificatorului în conexiunea
Sursă Comună.

5. Conectarea amplificatorului la circuitele externe

Amplificarea în tensiune reală
Aceeaşi ca pentru amplificatorul în conexiunea Sursă Comună.
Amplificarea în curent reală
Valoarea factorului de amplificare în curent AIg a amplificatorului furnizează o imagine clară
asupra pierderilor de curent la bornele de semnal ale amplificatorului. Acesta se poate calcula
conform procedurii indicate în cursul 05, paragraful 07. Din acest motiv, parametrul AIg se poate

17
determina cu ajutorul relaţiei 5.17.c, din cursul 05, particularizată pentru cazul analizei
amplificatorului în domeniul frecvenţelor medii (când impedanţele se transformă în rezistenţe).
Ţinând cont de rezultatele obţinute în cadrul analizei amplificatorului în conexiunea Sursă
Comună, relaţia 5.17.c devine:

 1 
 
 gm  1 
 Rg   R 
AIg  AI    S
 - amplificarea în curent reală 8.26
 Rg  RG   1
    RL 
g  1 
 m R 
 S 
Această relaţie s-a obţinut prin înlocuirea în relaţia originală a lui Zi cu rezultatul din relaţia 8.22.b
şi a lui Zo cu rezultatul obţinut în relaţia 8.23.c.
Pentru diminuarea pierderilor de curent la intrarea, respectiv la ieşirea amplificatorului,
amplificatorul trebuie astfel proiectat încât rezistenţa de intrare şi rezistenţa de ieşire a acestuia să
satisfacă următoarele condiţii:
1
RG  Rg si  RL
1 8.24
gm 
RS

Numai în acest caz, AIg  AI

Deci în aceste condiţii pierderile de curent ar fi eliminate. Ambele condiţii sunt greu de îndeplinit,
rezultă că amplificatorul va avea pierderi de curent mari la bornele de semnal.

Etaj de amplificare în conexiunea Grilă Comună

Schema uzuală a amplificatorului este prezentată în Figura 19. Pentru acest tip de
amplificator, semnalul de intrare se aplică în sursa tranzistorului, iar ieşirea se ia
din drena tranzistorului.
În Figura 20 se prezintă modul în care este conectat etajul de amplificare la
circuitele externe.
În continuare se va analiza funcţionarea amplificatorului în regim de curent
continuu, respectiv în regim variabil de semnal mic.

18
 Figura 19. Etaj de amplificare elementar în conexiunea Grilă Comună.

Figura 20. Conectarea amplificatorului la circuitele externe.

2. Analiza funcţionării amplificatorului în regim de curent continuu.

Scop: determinarea circuitului de polarizare şi calcularea PSF-ului tranzistorului.
Determinarea circuitului de polarizare este realizată prin modificarea circuitului prezentat în
Figura 20, conform celor 2 reguli prezentate în cursul 8.a. După aplicarea acestor modificări,
rezultă circuitul de polarizare utilizat pentru polarizarea tranzistorului în cadrul amplificatorului în
Sursă Comună, deci calculul PSF-ului tranzistorului este realizat conform procedurii prezentate în
cadrul respectivului paragraf.

3. Analiza funcţionării amplificatorului în regim variabil de semnal mic.

Scop: calcularea parametrilor de semnal mic ai amplificatorului.
Determinarea circuitului echivalent în regim variabil de semnal mic al amplificatorului este
realizată prin modificarea circuitului prezentat în Figura 20, conform celor 3 reguli prezentate în

19
cursul 8.a. După aplicarea acestor modificări, rezultă circuitul echivalent din Figura 21. În
circuitul echivalent din Figura 21, panta gm a tranzistorului MOS se determină cu relaţia

g m  2  k  ID . În Figura 21, rezistenţa RG reprezintă rezistenţa echivalentă a lui RG1 conectată în

paralel cu RG2.

Figura 21. Circuitul echivalent al amplificatorului în regim variabil de semnal mic.

Calculul rezistenţei Ri de intrare a amplificatorului

Rezistenţa de intrare Ri se calculează pe un circuit de calcul determinat conform procedeului
descris pentru amplificatorul cu tranzistor bipolar în conexiunea Emitor Comun. După
parcurgerea indicaţiilor respective, circuitul de calcul a lui Ri arată ca în Figura 22. Rezistenţa Ri
se determină cu relaţia:
V
Ri  t 8.25
It

Figura 22. Circuitul de calcul al rezistenţei Ri.

Relaţia dintre Vt şi Vgs se poate determina aplicând TK2 pe bucla Vt şi RS. Astfel:
 Vt  Vgs  0  Vt  Vgs 8.26.a
It se determină în funcţie de Vgs aplicând TK1 şi legea lui Ohm pe rezistenţa RS:

 Vgs 
It   g m  Vgs   8.26.b
 RS 

20
Introducând rezultatele de mai sus în relaţia 8.25, rezultă că rezistenţa de intrare a
amplificatorului se poate calcula cu formula:
1
Ri 
1 - rezistenţa de intrare 8.26.c
gm 
RS

Deoarece valoarea numitorului este mare pentru valori uzuale ale rezistenţelor
amplificatorului, rezultă că rezistenţa de intrare are o valoare mică, de ordinul
zecilor-sutelor de ohmi.

Calculul rezistenţei Ro de ieşire a amplificatorului

Rezistenţa de ieşire Ro se determină pe baza circuitului de calcul din Figura 23, cu relaţia:
V
Ro  t 8.27
It

Figura 23. Circuitul de calcul al rezistenţei Ro.

Se remarcă faptul că, datorită scurtcircuitării bornelor de intrare, amplitudinea Vgs este egală cu
zero, curentul generat de generatorul comandat devine la rândul său zero (curentul are valoarea
gmVgs), deci circuitul de calcul al rezistenţei Ro devine cel din dreapta. Aplicând TK2 pe bucla
compusă din RD şi Vt rezultă:
 Vt  RD  It  0 8.28.a
De unde rezultă formula de calcul a rezistenţei de ieşire a amplificatorului:
Ro  RD - rezistenţa de ieşire 8.28.b
Rzistenţa RD se alege de ordinul kiloohmilor, de unde rezultă că rezistenţa de ieşire
are o valoare medie, care generează pierderi de semnal la ieşirea amplificatorului,
indiferent dacă acesta este o tensiune sau un curent.

Amplificarea în tensiune ideală

Factorul de amplificare în tensiune a amplificatorului izolat (cu bornele de ieşire în gol) se
determină pe baza formulei

21
 V
AV  o 8.29
Vi
calculată pe circuitul din Figura 24.

Figura 24. Circuitul de calcul pentru factorul de amplificare în tensiune pentru amplificatorul
izolat, cu bornele de ieşire în gol.

Vo se determină în funcţie de Vgs aplicând legea lui Ohm pe rezistenţa RD. În condiţiile în care
curentul io este egal cu zero, curentul care trece prin rezistenţa RD este chiar cel generat de
generatorul de curent comandat şi are valoarea gmVgs. Totodată, se remarcă faptul că sensul
acestui curent este invers faţă de referinţa considerată pentru tensiunea Vo. Rezultă:
Vo  g m  Vgs  RD 8.30.a
Vi se determină în funcţie de Vgs observând că sunt egale, dar de semn opus:
Vi  Vgs 8.30.b
Înlocuind rezultatele de mai sus în relaţia de calcul 8.29, valoarea factorului de amplificare în
tensiune a amplificatorului izolat, cu bornele de ieşire în gol se poate calcula cu relaţia:
AV  g m  RD - amplificarea în tensiune ideală 8.30.c
Semnul “+”din faţa relaţiei 8.30.c indică un defazaj de 0 0 între tensiunea de ieşire
vo şi cea de intrare vi, iar modulul amplificării este acelaşi cu cel obţinut pentru
amplificatorul în Sursă Comună.

Amplificarea în curent ideală

Factorul de amplificare în curent a amplificatorului izolat (cu bornele de ieşire în scurtcircuit) se
determină pe baza formulei
I
AI  o 8.31
Ii
calculată pe circuitul din Figura 25.

22
Figura 25. Circuitul de calcul pentru factorul de amplificare în curent pentru amplificatorul izolat,
cu bornele de ieşire în scurtcircuit.

Io se determină în funcţie de Vgs observând că rezistenţa RD este scurtcircuitată. Fiind

scurtcircuitată, tensiunea pe aceasta este zero şi conform Legii lui Ohm, prin RD curentul va fi
zero. În aceste condiţii, pe baza TK1, rezultă că:
Io  g m  Vgs 8.32.a
Ii se determină în funcţie de Vgs aplicând TK1 şi apoi legea lui Ohm pe rezistenţa RS:

 Vgs 
Ii   g m  Vgs   8.32.b
 R S 
Înlocuind rezultatele de mai sus în relaţia de calcul 8.20, valoarea factorului de amplificare în
curent a amplificatorului izolat, cu bornele de ieşire în scurtcircuit se poate calcula cu relaţia:
gm
AI  
1 8.32.c
gm 
RS
În relaţia de mai sus, pentru valorile uzuale ale rezistenţelor amplificatorului, numitorul este
dominat de valoarea lui gm, de unde rezultă că factorul de amplificare în curent a amplificatorului
izolat, cu bornele de ieşire în scurtcircuit se poate calcula cu relaţia:
AI  1 - amplificarea în curent ideală 8.32.d
din care se remarcă faptul că acest tip de amplificator nu amplifică în curent.

5. Conectarea amplificatorului la circuitele externe

Amplificarea în tensiune reală
Valoarea factorului de amplificare în tensiune AVg a amplificatorului furnizează o imagine clară
asupra pierderilor de tensiune la bornele de semnal ale amplificatorului. Acesta se poate calcula
conform procedurii indicate în cursul 07, paragraful 07. Din acest motiv, parametrul AVg se poate
determina cu ajutorul relaţiei 7.13.c, din cursul 07, particularizată pentru cazul analizei
amplificatorului în domeniul frecvenţelor medii (când impedanţele se transformă în rezistenţe).
Ţinând cont de rezultatele obţinute în cadrul analizei amplificatorului în conexiunea Sursă
Comună, relaţia 7.13.c devine:

23
  1 
 
 gm  1 
 RS   RL 
AVg  AV  
1    R  R  -amplificarea în tensiune reală 8.33
 Rg    D L
 1 
 gm  
 RS 
Această relaţie s-a obţinut prin înlocuirea în relaţia originală a lui Zi cu rezultatul din relaţia 8.26.c
şi a lui Zo cu rezultatul obţinut în relaţia 8.28.b.
Pentru diminuarea pierderilor de tensiune la intrarea, respectiv la ieşirea amplificatorului,
amplificatorul trebuie astfel proiectat încât rezistenţa de intrare şi rezistenţa de ieşire a acestuia să
satisfacă următoarele condiţii:
1
 Rg si RD  RL
1 8.34
gm 
RS

Numai în acest caz, AVg  AV

Deci, în aceste condiţii, pierderile de tensiune la bornele de semnale ale

amplificatorului ar putea fi eliminate. Prima condiţie, care se referă la rezistenţa
de intrare, poate fi foarte greu datorită valorii mici a rezistenţei de intrare a acestui
amplificator, deci vor exista pierderi semnificative de tensiune la bornele de intrare
ale acestui amplificator. A doua condiţie, care se referă la rezistenţa de ieşire,
poate fi sarisfăcută doar pentru rezistenţe de sarcină de valori mari, pentru că o
valoare mică pentru RD scade amplificarea în tensiune a amplificatorului.

Amplificarea în curent reală

Valoarea factorului de amplificare în curent AIg a amplificatorului furnizează o imagine clară
asupra pierderilor de curent la bornele de semnal ale amplificatorului. Acesta se poate calcula
conform procedurii indicate în cursul 07, paragraful 07. Din acest motiv, parametrul AIg se poate
determina cu ajutorul relaţiei 7.17.c, din cursul 07, particularizată pentru cazul analizei
amplificatorului în domeniul frecvenţelor medii (când impedanţele se transformă în rezistenţe).
Ţinând cont de rezultatele obţinute în cadrul analizei amplificatorului în conexiunea Sursă
Comună, relaţia 7.17.c devine:

 
 
 
 R g   RD 
AIg  AI  
1    R  R  - amplificarea în curent reală 8.35
 Rg    D L 
 1 
 g 
RS 
m


24
Această relaţie s-a obţinut prin înlocuirea în relaţia originală a lui Zi cu rezultatul din relaţia 8.26.c
şi a lui Zo cu rezultatul obţinut în relaţia 8.28.b.
Pentru diminuarea pierderilor de curent la intrarea, respectiv la ieşirea amplificatorului,
amplificatorul trebuie astfel proiectat încât rezistenţa de intrare şi rezistenţa de ieşire a acestuia să
satisfacă următoarele condiţii:
1
 Rg si RD  RL
1 8.36
gm 
RS

Numai în acest caz, AIg  AI

Deci în aceste condiţii pierderile de curent ar fi eliminate. Prima condiţie poate fi

îndeplinită foarte uşor, deci pierderile de curent de la bornele de intrare ale acestui
amplificator vor fi neglijabile. A 2a condiţie, care se referă la rezistenţa de ieşire,
poate fi satisfăcută doar pentru rezistenţe de sarcină de valori mici, pentru că o
valoare mare pentru RD poate determina ieşirea tranzistorului MOS din regiunea
de saturaţie.

25