Semiconductori i Dielectrici

Brlea, N.-M., Semiconductori, dielectrici i aplicaii, Ed. Albastr, Cluj-

Napoca 2001, ISBN 973-650-028-4, 249 pagini.
SEMICONDUCTORI
Proprietile materialelor semiconductoare sunt larg folosite ntr-o mulime de
dispozitive cu care ne ntlnim frecvent n viaa de zi cu zi, precum tranzistorii,
diodele luminiscente, redresorii, termistorii, celulele fotoelectrice, circuitele
integrate, etc. Pentru a le nelege s vedem de ce se numesc semiconductori.

Conductivitatea electric
Sarcinile electrice mobile dintr-un material conductor se pot deplasa sub
aciunea unui cmp electric aplicat din exterior. n acest fel rezult un curent
electric "I" care este legat de cderea de tensiune pe material "U" prin legea lui
Ohm:
U/I = R (1)
[U]SI =V (Volt) [I]SI =A (Amper) [R]SI= (Ohm)
unde constanta R este rezistena electric a dispozitivului.

c a m p e le c tr ic
L

S
c u re n t
e le c tr ic

e le c t r o n i v ite z a d e d r ift

Figura 1. Circulaia electronilor ntr-un conductor.

Pentru a explica legea lui Ohm ne nchipuim un conductor cilindric de seciune
"S" i lungime "L" care are "n" electroni n unitatea de volum cu masa "m" i
sarcina elementar "q". Aplicarea unei diferene de potenial "U" la capetele
conductorului genereaz n interiorul conductorului un cmp electric "E", ce
este legat de tensiune de relaia:
E = U/L [E]SI = V/m (2)
ca la condensatorul plan. Rezultatul aciunii cmpului electric asupra sarcinii
electrice elementare "q" este o for "F":
F = qE (3)
ce conform legii a doua a dinamicii imprim electronului o acceleraie:
 a = F/m (4)
Electronii micndu-se n material se ciocnesc cu ionii din nodurile reelei
cristaline, mai precis cu cei deplasai de la poziiile lor de echilibru de agitaia
termic. Notm cu "" intervalul de timp dintre dou ciocniri succesive ale
electronului, numit timp de relaxare. Cmpul electric acioneaz asupra
electronului n acest interval de timp, imprimnd acestuia o vitez
suplimentar:
vd = a = qE/m (5)
numit vitez de drift sau vitez de antrenare. Ciocnindu-se cu ionii din
nodurile reelei cristaline, electronul pierde energia suplimentar primit de la
cmpul electric i revine la starea iniial cu viteza orientat aleator. Fenomenul
este similar cu cel al suflrii aerului printr-un tub, unde peste vitezele termice
ale moleculelor, orientate haotic, se suprapune viteza cu care e suflat aerul,
viteza de antrenare. Raportul dintre viteza de drift i intensitatea cmpului este
mobilitatea purttorilor de sarcin:

= vd /E = q/m []SI = m2 / (Vs) (6)

Printr-o seciune S a conductorului vor trece n intervalul de timp "dt" doar
electronii care se afl la distana "vddt" de suprafaa "S". tiind concentraia
"n" a electronilor putem calcula numrul de electroni din volumul "dV=Svddt"
i sarcina "dQ" ce traverseaz seciunea "S":
dQ = qnSvddt (7)
Curentul electric prin material va fi:
I = dQ/dt = qnSvd = q2nES/m = (q2n/m)US/L(8)
direct proporional cu tensiunea aplicat, conform legii lui Ohm. Numim
conductivitate electric mrimea:

= q2n/m = qn (9)
[]SI = 1m 1 (S/m, Siemens/m sau mho/m)
ce depinde doar de constante universale i proprieti de material, fiind din
aceast cauz o proprietate de material. Rezistivitatea electric "", este
inversul conductivitii:
= 1/ []SI = m (10)
Rezistena electric se va putea exprima n funcie geometria dispozitivului,
seciunea "S" i lungimea "L" i rezistivitatea electric "" a materialului din
care este fcut:
R = L/S (11)
Conductivitatea electric a materialelor la temperatura camerei variaz n limite
foarte largi de la cea a argintului 6,2107 1m1 pn la cea a parafinei de 10 16
1m1:
metale pure de ordinul a 1071m1;
aliaje peste circa 105 1m1;
semiconductori ntre 107 i 104 1m1;
izolatori sub 1011 1m1.
Materialele semiconductoarea au o conductivitate electric cuprins ntre cea a
metalelor i cea a izolatorilor (la temperatura camerei). Rezistivitatea electric a
semiconductorului depinde de obicei puternic de temperatur, scaznd cu
creterea temperaturii, au coeficient negativ de temperatur, n opoziie cu
metalele a cror rezistivitate crete cu creterea temperaturii, au coeficient
pozitiv de temperatur (figura 2).
Din formula (9) a conductivitii electrice se vede c singurele mrimi ce se pot
modifica cu schimbarea temperaturii sunt timpul de relaxare i concentraia
electronilor. La metale modificarea rezistenei electrice cu temperatura se
datoreaz variaiei timpului dintre ciocniri cu temperatura, la semiconductori
datorit numrului de purttori.

35

30

25
Rezistenta

20

15

10

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Temperatura (Celsius)

Figura 2. Rezistena electric n funcie de temperatur pentru metale (Pt) i

semiconductori.
O metod des utilizat de msurare a rezistivitii este "metoda celor 4
contacte". Avem 4 contacte plasate coliniar la distane egale "s" pe suprafaa
unui volum semiinfinit de material. Prin contactele de la extremiti se
injecteaz curentul "I", iar contactele din mijloc msoar cderea de tensiune
"U". Rezistivitatea materialului va fi dat de relaia:
=2sU/I (12)

s s s

p ro b a
Figura 3. Metoda celor 4 contacte.
La probe ce nu pot fi considerate semiinfinite se aplic relaia:
=2sU/(CI) (13)
unde C este un factor de corecie determinabil. (Gh. Zet, Dodu Ursu, "Fizica
Strii Solide. Aplicaii n Inginerie", Editura Tehnic 1989) Alte metode se pot
consulta n anexa "Msurarea rezistivitii electrice a semiconductorilor".

Efectul Hall
Exist un fenomen fizic care ne d posibilitatea de-a msura densitatea
purttorilor mobili de sarcin, efectul Hall. Efectul Hall se datoreaz cmpului
magnetic, respectiv forei Lorentz care acioneaz asupra sarcinilor electrice n
micare. Ecuaia forei Lorentz "FL" ce se exercit asupra particulelor ncrcate
electric cu sarcina "q" ce se mic cu viteza "v" ntr-un cmp magnetic de
inducie "B" este:
FL = q (v B) (14)

Figura 4. Efectul Hall este generat de fora Lorentz.

Acceleraia cauzat de fora Lorentz este perpendicular pe vectorul vitez al
particulei ncrcate electric, astfel c n lipsa altor fore traiectoria particulei
este o curb (arc de cerc n cmp constant).
Aplicnd unei buci paralelipipedice de material o tensiune electric "U" pe
lungimea "L", apare un cmp electric ce impune celor "n" sarcini electrice din
unitatea de volum o vitez de drift "vd". Curentul electric "I" prin seciunea
probei de grosime "g" i lime "d", va fi:
I = qnvdS = qnvdgd (15)
Dac n acelai timp se aplic un cmp magnetic "B" perpendicular pe
suprafaa probei purttorii de sarcin sunt deviai lateral, pe direcia limii "d",
de fora Lorentz (14). Se vor acumula sarcini electrice pe feele laterale ale
probei pn cnd fora datorat cmpului electric EH generat de ele va
contrabalansa fora Lorentz:
qvdB = qEH = qUH / d (16)
n acest moment micarea sarcinilor este din nou de-a lungul probei pe direcia
cmpului electric E generat de tensiunea U aplicat din exterior. Acumularea de
sarcini electrice pe feele laterale ale probei genereaz o diferen de potenial
UH (ca la condensatorul plan), tensiunea Hall, pe care o obinem prin
eliminarea vitezei de drift utiliznd relaiile (15) i (16):

UH = IB/ (qng) (17)

Coeficientul Hall se definete ca:
RH = EH /(JB) = UHg /(IB) = 1/(nq) (18)
Concluzie msurnd tensiunea Hall "numrm" sarcinile electrice elementare
din unitatea de volum.
c o n ta c te d e te n s iu n e
cam p
m a g n e tic a
m V

p ro b a
cu ren t b

_
+
s u rs a d e te n s iu n e
Figura 5. Montaj tipic pentru msurarea tensiunii Hall. Contactele plasate n
punctele "a" i "b" culeg de obicei i o cdere de potenial rezistiv pe lng
tensiunea Hall.
Figura 5 prezint un montaj pentru msurarea tensiunii Hall. Ca s eliminm
cderea de tensiune rezistiv dintre punctele "a" i "b" se msoar tensiunea Uab
cu cmp magnetic i fr cmp magnetic, iar diferena este chiar tensiunea Hall:
UH = Uab(B) Uab(0) (19)
Cunoscnd tensiunea Hall se determin concentraia de purttori mobili de
sarcin. n semiconductorii puri alura curbei concentraiei de purttori n
funcie de temperatur este similar cu cea a conductivitii electrice (figura 6).
Aceste date experimentale confirm c variaia dup temperatur a
conductivitii se datoreaz variaiei n funcie de temperatur a numrului de
purttori mobili de sarcin electric din semiconductor.

16

14
12

10
1/R

8
6

4
2
0
0 20 40 60 80 100
Temperatura (Celsius)

Figura 6. Conductana electric a unui semiconductor pur.

La ntrebarea "De ce se modific cu temperatura numrul purttorilor mobili de
sarcin electric dintr-un semiconductor?" se poate rspunde cunoscnd modul
n care se comport electronii ntr-un astfel de material. Altfel spus cum se
distribuie strile electronice dup energie i felul n care se ocup aceste stri.
ELECTRONII N SEMICONDUCTOR
Se gsete experimental i mecanica cuantic demonstreaz c ntr-un atom
electronii au o energie bine definit, nivelele de energie. Pe un nivel de energie
de tip "s" pot "ncpea" doar 2 electroni cu momente cinetice proprii opuse
("spini" opui), implicit momentele magnetice.
Cnd mai muli atomi, de exemlu N, sunt aezai unii lng alii, ntr-o reea
cristalin ordonat, nivelele de energie ale atomilor se lrgesc i devin benzi
de energie. Acest fenomen este o consecin a relaiilor de nedeterminare
Heisenberg. Fiindc un electron st doar un interval de timp finit "t" lng un
atom anume, energia sa va avea o nedeterminare "E" cu att mai mare cu ct
intervalul de timp este mai mic. Domeniile de energii interzise din atom devin
ntr-un solid benzi de energie interzis, iar nivelele de energie din atom devin
benzi de energie permis. ntr-o astfel de band de energie de tip "s" "ncap"
2N electroni (N fiind numrul atomilor din cristal).
E n e rg ie
ATO M M ETAL ATO M IZ O L A T O R
n iv e l n iv e l banda de
banda
gol gol c o n d u c tie
g o a la
g o a la
banda
in te rz is a

n iv e l n iv e l
sem i banda ocupat banda de
ocupat s e m io c u p a ta v a le n ta
p lin a
Figura 1. n materialele solide un nivel de energie atomic devine band de
energie.
Dac atomul are doar un electron de valen pe acest nivel "s", atunci n cristal
vor fi doar N electroni care ocup doar jumtate din strile din banda de
valen. Materialul va fi un metal ce va conduce bine curentul electric, fiindc
electronii pot prelua energie de la un cmp electric aplicat din exterior i trece
pe nivele de energie superioare, acestea fiind libere.
Dac atomul are doi electroni de valen pe nivelul "s", banda de valen va fi
ocupat n ntregime, materialul cristalin va fi un izolator. Un cmp electric
extern nu poate transfera energie electronilor fiindc acetia nu au stri de
energie superioar libere. Adevrul este c exist stri libere cu energie mai
mare, dar acestea se gsesc n banda de conducie, aflat peste banda
interzis, la o deprtare energetic prea mare fa de energia care o poate da
electronilor un cmp electric uzual.
Ocuparea strilor din band se face de ctre electroni conform funciei de
distribuie Fermi-Dirac:
f(E)=1/(e(E F) / (kT) + 1) (1)
care ne spune care este probabilitatea de ocupare a nivelului cu energia "E", la
temperatura "T" (n grade Kelvin, K). "F" este energia nivelului Fermi
(practic media aritmetic a energiei ultimului nivel ocupat cu primul nivel liber,
riguros energia pentru care probabilitatea de ocupare este 1/2), iar k =constanta
Boltzmann =1,3810 23 J/K.
P ro b a b ilita te

1
E n e rg ie F e rm i
0 ,5

E n e rg ie
0
n iv e le k BT n iv e le
o c u p a te lib e re
Figura 2. Funcia de distribuie Fermi-Dirac.
Pentru semiconductori energia E F fiind mare (>0,1eV) comparativ cu
energia termic kT(~25 meV la 27C) se poate neglija termenul unitate de la
numitor fa de exponenial, iar funcia de distribuie devine:
f(E)=e (E F ) / k T (2)
funcia de distribuie clasic Boltzmann.
La zero grade Kelvin un semiconductor este izolator din punct de vedere
electric deoarece electronii se afl n banda de valen care este complet plin.
Un cmp electric extern uzual nu ar putea modifica energia electronilor fiindc
acetia ar avea nevoie de-o energie cel puin egal cu lrgimea benzii de
energie interzis, aflat ntre banda de valen i cea de conducie.
La temperatura camerei, din cauza agitaiei termice, o parte foarte mic a
electronilor din banda de valen sunt excitai n banda de conducie. n acest
fel apar purttori de sarcin electric negativ mobili n banda de conducie
electronic, electronii, i purttori de sarcin pozitiv mobili n banda de
valen, golurile. Sub aciunea unui cmp electric extern aceti purttori de
sarcin mobili se pot mica, genernd un curent electric. Deci pn la urm
mrimea ce condiioneaz apartenena unei substane la categoria materialelor
semiconductoare este mrimea zonei interzise de energie, izolatorii fiind cu
zone interzise peste 4eV. (1eV = 1,61019C 1V = 1,61019 J)
 E n e rg ie
Banda
de
c o n d u c tie
e le c t r o n i E C

E n e r g ie banda
F
F e rm i in te rz is a
E
g o lu r i V

Banda
de
v a le n ta
p o z it ie
Figura 3. Din cauza agitaiei termice electroni din banda de valen sunt
excitai n banda de conducie.
Proprieti semiconductoare prezint elementele chimice din grupele III, IV, V
i VI ca B, Si, Ge, Se, Te. Pe lng semiconductorii elementari sunt larg folosii
compuii binari, cu formula chimic AB, unde A este un element trivalent, iar
B este pentavalent, compui III-V (ca InSb i GaAs) sau A este un element un
element bivalent iar B este hexavalent, compui II-VI ca ZnS, ZnO i CdS sau
compui IV-IV precum carbura de siliciu, SiC.
Semiconductor Si Ge Se Te InSb InP GaP PbS CdS
Zona interzis 1,15 0,67 0,8 0,33 0,23 1,29 2,32 0,34 2,5
(eV)

Semiconductor Cu2O TiO2 ZnO SnO2 ZnSb GaAs SiC SiO2

Zona interzis 2,17 3,03 3,2 3,5 0,56 1,40 3 ~8
(eV)
Numrul de electroni din unitatea de volum din banda de conducie a
semiconductorului "n", densitatea electronilor, va fi conform relaiei (2), de
tipul:

n = Nce (F Ec) / (kT) (3)

unde:
Nc = 2(2m'ekBT)3/2 /h3 (4)
este densitatea efectiv de stri din banda de conducie;
h = 6,626210 34 Js, constanta lui Planck;
Ec fundul benzii de conducie, nivelul din banda de conducie cu
cea mai mic energie;
 m'e masa efectiv a electronului din banda de conducie, de multe
ori mult diferit de masa electronului liber din cauza
interaciunii electronului cu reeaua cristalin.
Pentru a obine funcia de disrtibuie a golurilor, definite ca locuri rmase
neocupate n banda de valen a semiconductorului, scdem din 1 (gradul
maxim de ocupare a unui nivel electronic) funcia de distribuie a electronilor:
fh(E) = 1 fe(E) = 1 1/(e(E F) / kT + 1) = e(E F) / kT/(e(E F) / kT+1) (5)
Fiindc energia E F(<0,1 eV) este mult mai mare n valoare absolut dect
enegia termic kT(~0,025 eV, la 300K), se poate neglija termenul exponenial
de la numitor fa de unitate, iar funcia de distibuie a golurilor n banda de
valen devine:
f h(E) = e(E F) / (kT) (6)
Numrul golurilor din banda de valen din unitatea de volum a
semiconductorului "p", concentraia golurilor, se obine atunci ca:

p = Nve (Ev F) / (kT) (7)

unde:
Nv = 2(2m'gkBT)3/2 /h3 (8)
este densitatea efectiv de stri din banda de valen;
Ev vrful benzii de valen, nivelul din banda de valen cu cea mai
mare energie;
m'g masa efectiv a golului din banda de valen, de multe ori mult
diferit de masa electronului liber din cauza interaciunii
electronului cu reeaua cristalin.
Relaiile (3) i (7) sunt de baz n descrierea comportrii unui semiconductor.
Ele sunt aplicabile oricrui semiconductor. Dac se face produsul
concentraiilor purttorilor de sarcin pozitiv i negativ se obine:

np = NcNve(Ev Ec) / ( kT) = NcNve E / (kT) = ni2(T) (9)

legea aciunii maselor. Din lege se vede c produsul concentraiilor nu
depinde de poziia nivelului Fermi, care nu mai apare n relaie, ci doar de
mrimea zonei interzise E=Ec Ev i de temperatur. Aceast relaie este
valabil atunci cnd semiconductorul se gsete n condiii de echilibru. Legea
aciunii maselor este un criteriu care ne spune dac materialul semiconductor se
gsete sau nu n condiii de echilibru.
Poziia nivelului Fermi se determin din condiia de conservare a numrului de
particule. Dac semiconductorul se impurific cu atomi donori, crete numrul
de electroni liberi n material, iar nivelul Fermi se deplaseaz ctre banda de
conducie. Creterea de k ori a numrului de electroni va implica scderea de k
ori a numrului de goluri conform legii aciunii maselor.
Pentru semiconductori intrinseci, fr impuriti, concentraia electronilor
liberi este aceeai cu a golurilor, fiindc electronii din banda de conducie se
obin prin transferul lor din banda de valen. Folosind legea aciunii maselor
(9) obinem:

n = p = ni = (NcNv)1/2 e E / (2kT) (10)

unde ni poart numele de concentraie intrinsec de purttori, fiind o
proprietate de material dependent de temperatur.
innd cont de formula conducitvitii electrice:
= nq2 e /me + pq2 g /mg (11)
i de relaia (10) se gsete c:

= oe E / (2 kT) (12)
sau pentru rezistivitatea electric:

= oeE /(2kT) (13)

Acest comportament al rezistivitii electrice n funcie de temperatur se
ntlnete la termistori, dispozitive electronice cu dou terminale care-i
modific puternic rezistena electric cu temperatura. Ei sunt folosii n special
la msurarea temperaturii. Expresia rezistenei lor electrice n funcie de
temperatur este:

R(T)=ReB/T (14)
unde constanta B se poate exprima prin intermediul valorilor rezistenei
electrice la dou temperaturi diferite:
B =[T1T2/(T2 T1)] ln(R1/R2) (15)
de obicei 25 C (298K) i 85 C (358K), concret:
B =1780ln(R25/R85), [B]SI =K (16)
Unitatea de msur pentru mrimea B este gradul Kelvin. Mrimea B este o
constant de material, lucru care se poate vedea prin compararea relaiilor (13)
i (14) de unde se deduce:
B =E /(2kB) (17)
adic B este direct legat de mrimea zonei interzise a materialului
semiconductor.
Coeficientul de temperatur al rezistenei electrice a termistorului, panta
tangentei la curba rezistenei n funcie de temperatur, se definete prin
analogie cu materialele metalice ca:
= (1/ R) dR /dT = B/T 2 []SI = C 1 (18)
El se exprim de obicei n procente pe grad (%/C).
TERMISTORUL
Denumirea "termistor" este o combinare a cuvintelor englezeti "thermally
sensitive resistor" (rezisten sensibil termic), ce descrie cu exactitate funcia
de baz a dispozitivului, de a-i schimba predictibil rezistena electric n
funcie de schimbarea temperaturii sale absolute.
Termistorul NTC (Negative Temperature Coefficient, coeficient negativ de
temperatur) este un dispozitiv semiconductor relativ simplu, cu dou
terminale. Este realizat din amestecuri sinterizate de oxizi ai metalelor de
tranziie ca manganul, cobaltul, nichelul, fierul, cuprul, uraniul. Spre deosebire
de metale, la care rezistena electric crete cu temperatura, la termistori
rezistena scade cu creterea temperaturii lor:
R(T) = AeB/T (1)
unde: A = constant ce depinde de geometria dispozitivului;
T = temperatura n grade Kelvin;
R = rezistena la temperatura T;
B = constant a materialului semiconductor, msurat n K,
sau:
lnR = lnA + B(1/T) (1')

35

30
Rezistenta (kOhm)

25

20

15

10

0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
Temperatura (grade Celsius)

Figura 1. Rezistena electric a termistorului n funcie de temperatur.

B se determin din valorile rezistenei la dou temperaturi:
B = [T1T2 /(T2 T1)] ln (R1 /R2)
 T1 T2 R
B= ln 1 (2)
T2 T1 R2
i este direct legat de banda interzis a semiconductorului E:
E = 2BkB (3)
23 o 5 o
unde kB este constanta Boltzmann (1,3810 J/ K = 8,6210 eV/ K).

2
lnR

0
2.6 2.8 3 3.2 3.4 3.6

-1
1000/T(K)

Figura 2. Graficul logaritmului rezistenei electrice "lnR" n funcie de inversul

temperaturii absolute x1000, "103 / T".
Exemplu
Calculm "B" tiind rezistena:
R1 = 1600 la temperatura t1 = 37,8 oC i
R2 = 155,8 la temperatura t2 = 104,4 oC.
Transformm temperaturile din grade Celsius n grade Kelvin :
T1 = t1 + 273,15 = 310,95 K, T2 = t2 +273,15=377,55 K
i aplicm formula pentru "B":
B = [310,95377,55 / (377,55 310,95)] ln (1600/155,8) = 4106,7 K
Acum putem calcula mrimea zonei interzise:
E = 2kBB = 28,62105 4106,7= 0,708 eV (electron-Volt)
Rezistena termistorului R, la temperatura absolut T, se poate afla n funcie de
rezistena Ro la o temperatur absolut iniial To cu relaia:
 ln(R/Ro) = B(1/T 1/To) (4)
sau:

R = Ro e B (1/T1/To) (5)
Ecuaia Steinhart-Hart este cea mai bun formul empiric pentru descrierea
curbei rezisten electric-temperatur la termistori:
1/T = a+b lnR+c(lnR)3 , (6)
Parametrii utilizai pentru a descrie caracteristicile oricrui termistor sunt:
rezistena electric nominal la 25C;
raportul rezistenelor pentru dou temperaturi date (25C i 85C);
coeficientul de temperatur al rezistenei:
= (1/R)dR/dT = B/T2 exprimat n %/C; (7)
puterea disipat maxim;
coeficientul de disipaie termic "K";
constanta de timp termic "";
domeniul de temperatur, Tmin i Tmax .
Cauza schimbri temperaturii termistorilor poate fi:
extern, datorit temperaturii mediului ambiant,
intern, rezultat al trecerii curentului prin dispozitiv (autonclzire),
combinat (extern + intern).
Dac un termistor este parcurs de un curent electric temperatura sa se crete
pn cnd cldura degajata prin efectul Joule este echilibrat de schimbul
termic cu mediul ambiant. Autonclzirea este determinat de forma sa
geometric, de montura aleas, de dimensiunea i materialul terminalelor i de
orice alt factor ce poate contribui la disiparea cldurii. Puterea ce trebuie
disipat este generat electric, adic:
P=RI2 = U2/R (8)
Termistorul avnd temperatura "T" mai mare dect cea mediului "To", transfer
mediului (disip) puterea termic:
P'=K(TTo)=KT (9)
de unde coeficientul de disipaie termic K este:
K = P'/T [W/C, mai util mW/C] (10)
i msoar puterea electric necesar pentru meninerea termistorului cu 1C
deasupra temperaturii ambiante.
n stare staionar, cnd se echilibreaz puterea generat electric cu cea disipat
termic, avem:
P = RI2 = U2/R = K (TTo) (11)
Folosind relaia rezistenei electrice a termistorului gsim:
U2 = K (TTo) A eB/T , (12)
sau:
2 lnU = lnK + ln(TTo) + lnA + B/T (13)
Aceast funcie are un maxim cnd:
d(lnU)/dT= 0 (14)
Explicit este:
1/(TTo) B/T2 =0 sau T2 BT + BTo = 0 (15)
cu soluia fizic acceptabil:
Tmax = (B/2)[1(14To /B)1/2 ] (16)
pentru temperatura corespunztoare tensiunii maxime pe termistor:
Umax = [K (Tmax To)AeB/Tmax ]1/2 (17)

U (V ) C u r b a c u r e n t- te n s iu n e
p e n tr u te r m is to r
U m ax

I(m A )

Figura 3. Caracteristica curent-tensiune a termistorului.

Ecuaia (11) rezolvat pentru curent:
2lnI = lnK + ln(TTo) lnA B/T (18)
furnizeaz o relaie biunivoc ntre curent i temperatur, adic pentru un
anumit curent avem o singur valoare a temperaturii. Aceast ecuaie permite
s se calculeze prin puncte curbele U=f(I), innd seama pentru fiecare
temperatur valoarea lui R este dat de relaia (1), de unde putem determina
tensiunea folosind legea lui Ohm. n figura 3 se prezint curbele caracteristice
tensiune-curent ale termistorului.
Valoarea coeficientului de disipaie termic depinde de condiiile de testare i
din acest cauz valorile de catalog ale lui sunt doar indicative.
Constanta de timp termic "" reprezint timpul necesar termistorului s
reduc cu 63,2 % diferena iniial de temperatur dintre termistor i mediul
nconjurtor. Ea se calculeaz dup relaia :
= H/K (19)
unde:
K coeficientul de disipare (W/ oC);
H capacitatea termic a termistorului (J/oC):
H = mc (20)
cu:
m masa termistorului (kg);
c cldura specific a termistorului (J/(kgoC)).
Semnificaia constantei de timp reiese din ecuaia de bilan termic:
cldura schimbat cu mediul msurat [K(ToT)dt] =
= cldura acumulat de termistor [HdT]
K(ToT)dt = HdT (21)
ce are soluia:
T = To (To Ti)e t / (22)
unde:
To temperatura mediului;
Ti temperatura iniial a termistorului;
T temperatura termistorului la momentul "t".
Msurarea constantei de timp termice "" se face dup procedura urmtoare:
se pune termistorul ntr-un mediu cu temperatur cunoscut T0, fr cureni
de aer;
se aplic termistorului suficient putere electric pentru a-i crete
temperatura pn la o valoare dat Tfinal;
 se ntrerupe alimentarea electric i se msoar n ct timp diferena de
temperatur dintre termistor i mediu scade cu 63,2% fa de valoarea
iniial a ei, adic termistorul ajunge la temperatura:
T = To + 36,8 % (Tfinal To).
Metoda autonclzirii definete timpul necesar termistorului s revin la
temperatura mediului i d o informaie important legat de capacitatea
senzorului de a-i modifica rezistena electric sub influena unei schimbri
brute (treapt) de temperarur. n aplicaiile cu termistori autonclzii este mai
important capacitatea termic "H" a acestuia dect constanta de timp.

APLICAII pentru TERMISTORI

1. Msurarea temperaturii. Sensibilitatea ridicat a termistorilor determin
utilizarea lor n schemele ieftine de msurare a temperaturii. Un circuit simplu
este cel din figura 1 cu un termistor plasat pe un bra al unei puni Wheatstone.

T
R '
+E
In s tru m e n t

R R "

Figura 1. Msurarea n punte

Plasnd un al doilea termistor pe cellalt bra, n diagonal, se dubleaz
sensibilitatea circuitului.

R '
+E T
In s tru m e n t

R
T

Figura 2. Dublarea sensibilitii punii folosind doi termistori.

Este util s se obin un semnal de ieire liniar n funcie de temperatur. O
rezisten n serie cu termistorul, un divizor de tensiune, figura 3, permite
obinerea unei tensiuni de ieire liniarizate.

T U
+E out

Figura 3. Liniarizarea tensiunii de ieire ca funcie de temperatur folosind o

rezisten serie.
O rezisten n paralel cu termistorul liniarizeaz rezistena circuitului ca
funcie de temperatur (figura 4). Pentru intervale de temperatur mai mici de
50 oC o singur rezisten liniarizeaz rspunsul circuitului cu o precizie mai
bun de 0,5 oC.

R
T R out

Figura 4. Liniarizarea rezistenei de ieire ca funcie de temperatur folosind o

rezisten n paralel cu termistorul.
O liniarizare mai bun se poate obine prin utilizarea unei reele de rezistene n
serie/paralel cu termistorul ca n figura 5.

+E
R 3

R 1 R 2

T
U out

Figura 5. Reea de liniarizare a rspunsului termistorului ca funcie de

temperatur.
2. Controlul temperaturii se poate realiza simplu prin plasarea unui termistor
n serie cu un releu, o rezisten variabil i o baterie (surs de alimentare).
Releul se va nchide cnd termistorul este cald i se va deschide cnd
termistorul este rece. Rezistena variabil d posibilitatea de a regla temperatura
la care s anclaneze releul.

U
T

R
R e le u
s p re
in c a lz ito r
Figura 6. Control de temperatur cu un termistor ca termometru i un releu ce
comand rezistena de nclzitre.
Un control mult mai precis se obine plasnd termistorul ntr-o punte alimentat
n curent alternativ ce are pe diagonala de msurare un amplificator cu ctig
mare cu ieirea pe un releu. Sistemul poate fi un simplu control on/off (deschis/
nchis) al unui tranzistor ce acioneaz un releu sau controler proporional-
integral cu bucl nchis. Se poate obine relativ simplu un control al
temperaturii mai bun de 0,001 oC.

+E
T

Figura 7. Control precis de temperatur cu termistor n montaj punte i

amplificator de eroare.
3. Compensarea temperaturii. Pentru a compensa creterea rezistenei
electrice a conductoarelor metalice cu temperatura, fapt deranjant la bobinele
de cupru din aparatele de msur, motoarele sau generatoarele electrice,
bobinele de deflexie de la tuburile catodice sau nfurrile releelor, se leag n
serie un termistor untat de o rezisten. Rezistena unt are rolul de a reduce
coeficientul de temperatur al termistorului de la valori de ordinul a 4%/ oC (cu
semnul minus bineneles) la valoarea corespunztoare cuprului circa 0,4%/ oC.
4. Protecia la cureni tranzitorii. Circuitul din fig. 1-11 se comport ca un
amortizor de oc pentru un bec cu incandescen. Filamentul rece al becului are
rezisten electric mic i din acest cauz curentul absorbit de bec la
nchiderea circuitului este foarte mare, ceea ce duce la degradarea filamentului.
Punnd termistorul n serie cu filamentul becului, la nchiderea circuitului cea
mai mare parte din cderea de tensiune se regsete pe termistorul rece.
Datorit puterii electrice apicate termistorul se nclzete treptat i rezistena sa
electric scade, scznd i cderea de tensiune pe el, implicit crete tensiunea
aplicat filamentului din bec. Acest tehnic de pornire lent ("soft start") face
s creasc semnificativ timpul de via al becurilor cu incandescen.

T e r m is to r

T
~220V

B ec
Figura 8. Protecia becurilor cu incandescen cu termistor de limitare a
curentului de pornire.
O aplicaie similar este legat de sursele de alimentare n comutaie ce au
imediat dup redresor un condensator electrolitic de capacitate mare. La
pornire, condensatorul fiind descrcat, curentul absorbit din reea este foarte
mare, limitat fiind doar de rezistena electric R. Aceasta ar trebui s aibe o
valoare mare la pornirea sursei, pn la ncrcarea condensatorului, dup care
valoarea ar trebui s tind la zero. Un termistor realizeaz acest funcie fiindc
la pornire este rece, rezistena sa electric este mare, iar dup ce este nclzit de
curentul ce trece prin el rezistena lui electric devine mic.
+

R T C E
R
P u n te S

U~
_

Figura 9. Protecia alimentatoarelor la curentul tranzitoriu de pornire folosind

un termistor.
Termistorii care sunt folosii limitarea ocurilor de curent trebuiesc alei innd
cont de:
Curentul maxim suportat la pornire, Imax ;
Curentul maxim staionar
Temperatura maxim a mediului
 Capacitatea electric a condensatorului de filtrare
Timpul de via al sursei.
Curentul maxim suportat la pornire, Imax , este determinat de componentele
aflate n serie cu condensatorul i ntreruptorul cum ar fi siguranele fuzibile,
traseele cablajului imprimat, contactele ntreruptorului sau diodele redresoare.
Rezistena minim , fr sarcin, la rece, a termistorului se afl ca raport ntre
tensiunea maxim de intrare i Imax .
Capacitatea electric a condensatorului de filtrare i tensiunea de alimentare
determin energia ce trebuie suportat de termistor. Iniial descrcat
condensatorul se ncarc relativ rapid, acumulnd energia CU2/2. Sarcina ce
ncarc condensatorul trece prin termistor i l nclzete, energia termic
generat pe termistor fiind ntr-o bun aproximaie egal cu energia acumulat
de condensator. Capacitatea termistorului de a suporta acest impuls de energie
este dat practic de masa dispzitivului. Acest lucru se poate vedea scriind
ecuaia de bilan termic a termistorului ca:
Energia primit = Energia acumulat + Energia disipat
sau sub forma diferenial :
Pdt = HdT + K(T Ta)dt
unde : P puterea generat n termistor;
H capacitatea termic a termistorului;
K coeficientul disipaiei;
t timpul;
T temperatura termistorului;
Ta temperatura mediului ambiant.
Pe durata scurt de timp ct se ncarc condensatorul, tipic mai puin de 0,1
secunde, se disip puin energie, majoritatea energiei termice generate n
termistor fiind preluat de capacitatea caloric a acestuia prin creterea propriei
temperaturi.
Curentul maxim staionar e determinat n principal de timpul de via impus
produsului n care este nglobat termistorul. Din ecuaia de bilan termic n stare
staionar (temperatura rmne constant n timp):
P = RI2 = K(T Ta)
se vede c problema curentului maxim devine o problem de temperatur
maxim a termistorului ce determin timpul de via al acestuia.
5. Indicatoare de nivel. Termistorul se poate utiliza pentru sesizarea prezenei
sau absenei unui lichid datorit diferenei mari ntre coeficientul de disipare
termic n lichid fa de cel din gaz. n lichid termistorul poate disipa de 4 pn
la 6 ori mai mult putere dect n aer. Un termistor autonclzit va fi mai rece n
lichid dect n aer. Sistemul va funciona bine dac termistorul din aerul cel mai
rece se va rci introdus n cel mai cald lichid pe care l presupune aplicaia. O
metod mai bun folosete doi termistori, unul aflat permanent n aer ce va
compensa variaiile temperaturii aerului, cellalt ca sesizor de nivel al
lichidului.
Indicatoare de nivel simple se pot realiza punnd un termistor n serie cu un
bec i o baterie. Becul va lumina dac termistorul este n aer fiindc aici
temperatura sa e mare, rezistena electric mic. n lichid termistorul se va rci,
pierde mai mult cldur, i crete rezistena electric i scznd curentul prin
circuit becul se va stinge. Dac n loc de bec se pune un releu se poate controla
nivelul lichidului n vas.
T e r m is t o r c a ld
G az B e c a p r in s

L ic h id T e r m is to r r e c e

B e c s t in s

Figura 10. Indicator simplu de nivel cu un termistor autonclzit.

6. Debitmetre. Un termistor autonclzit va pierde mai mult cldur, va avea o
temperatur mai mic, n curent de aer dect n aer care st. Sistemul va
funciona bine dac rcirea termistorului n aerul cel mai cald n micare este
mai mare dect n aerul rece staionar. Folosind doi termistori, unul protejat de
curentul de aer, cellalt aflat direct n curentul de aer, se compenseaz n mare
msur variaiile temperaturii mediului.
7. Temporizri se pot obine cu un termistor, o rezisten variabil, o baterie i
un releu n serie. Cnd se nchide circuitul curentul ce apare nclzete
termistorul, micorand rezistena lui electric va crete curentul prin circuit
pn la anclanarea releului. Crescnd valoarea rezistenei variabile va scdea
curentul prin circuit i implicit va crete ntrzierea la anclanare a releului.
8. Comutri. Avem mai multe becuri de tensiune joas legate n serie i
alimentate la tensiune mare (reea). n paralel cu fiecare bec se pune un
termistor. Cderea mic de tensiune de pe fiecare bec nu nclzete apreciabil
termistorii, iar curentul care circul prin ei este mic. Dac se arde filamentul
unui bec atunci toat tensiunea de alimentare apare pe termistorul aferent
becului ars i l nclzete rapid sczndu-i rezistena electric. Rezultatul va fi
creterea curentului prin circuit astfel c celelalte becuri vor continua s
lumineze normal. nlocuind becul ars, acesta va prelua curentul din termistor
care se va rci ntorcndu-se la starea iniial de rezisten mare.
B e c a rs

U ~ U~

T e r m is to r c a ld
Figura 11. Arderea unui bec dintr-o ghirland determin nclzirea
termistorului aflat n paralel cu el i oferind astfel o cale cu rezisten mic
pentru curent menine aprinse celelalte becuri.
9. Msurarea puterii . Se pune un termistor de 2000 ntr-o punte cu
rezistene de 200. Se alimenteaz puntea printr-o rezisten variabil n serie
cu ea. Se regleaz gradual curentul de alimentare pn cnd termistorul se
nclzete suficient ca s ajung la 200 i puntea s fie echilibrat. Curentul
se poate msura i puterea disipat pe termistor se calculeaz. Aplicnd
termistorului putere de nalt frecven prin intermediul unor capaciti
electrice corespunztoare acesta se va nclzi suplimentar dezechilibrnd
puntea. Reducem curentul continuu de alimentare a punii pn cnd puntea se
reechilibreaz. tiind noul curent se poate calcula noua putere de curent
continuu disipat pe termistor. Diferena dintre prima i a doua putere disipat
pe termistor reprezint chiar puterea de nalt frecven.
10. Altimetru . Se plaseaz un termistor la suprafaa unui lichid ce este adus la
fierbere prin nclzire. Rezistena electric a termistorului este determinat de
temperatura de fierbere a lichidului. Temperatura de fierbere a lichidului este
dependent de presiunea aplicat lichidului, care presiune este determinat de
altitudine. Acest dispozitiv, numit hipsometru, este foarte sensibil i poate
msura altitudinea de la nivelul mrii, 0 m, pn peste 38 000 m cu o eroare
mai mic de 1% din presiunea msurat.
11. Msurarea conductivitii termice a gazelor . Folosit n modul
autonclzit temperatura unui termistor crete datorit curentului ce trece prin el
pn cnd puterea electric primit egaleaz puterea termic disipat. O
schimbare n conductivitatea termic a mediului va modifica viteza de disipare
a cldurii de ctre termistor i implicit temperatura sa, respectiv rezistena sa
electric.
n catarometre, aparate care msoar conductivitatea termic a gazelor, se
folosesc dou termistoare identice plasate simetric (nu diagonal) pe braele
adiacente ale unei puni Wheatstone alimentate n punctul de jonciune a
termistorilor. Tensiunea aplicat trebuie s fie suficient de mare ca s
nclzeasc termistorii peste temperatura mediului, tipic n jur de 150 oC.
Celelalte dou rezistene din punte trebuie s aibe o valoare mai mare dect
valoarea absolut a rezistenei dinamice negative (raportul dU/dI de pe curba
U-I a termistorului) pentru a asigura stabilitatea punctului de funcionare a
circuitului. Rezistena intern a instrumentului plasat pe diagonala de msurare
a punii trebuie s fie mai mare dect suma rezistenelor dinamice a
termistorului.
Un termistor este montat ntr-o zon cu mediu cunoscut, adic este nconjurat
de un gaz sau un amestec de gaze cu conductivitate termic bine determinat.
Cellalt termistor se plaseaz n mediul care trebuie monitorizat. Orice
schimbare a conductivitii termice a acestui mediu va modifica rata de disipare
a cldurii care se va traduce ntr-o variaie a rezistenei electrice a termistorului
datorit modificrii temperaturii sale. Modificarea rezistenei va dezechilibra
puntea, dezechilibru vizibil pe instrumentul de msur ce poate fi gradat direct
n uniti de msur potrivite (% gaz de msurat).
ntr-o aplicaie tipic cei doi termistori sunt plasai n dou caviti separate ale
aceluiai bloc metalic (ideal din argint care are cea mai mare conductivitate
termic, dar de obicei din cupru, alam sau aluminiu) pentru a se asigura
aceeai temperatur a mediului termistorilor. Cnd este aer n ambele caviti
puntea este echilibrat. Dac aerul dintr-una din caviti este nlocuit (parial
sau total) de bioxidul de carbon termistorul respectiv devine mai cald din cauza
conductivitii termice mai mici a CO2 fa de aer. Tensiunea de dezechilibru a
punii este practic direct proporional cu concentraia CO2 n gazul msurat.
Un astfel de instrument poate avea capt de scal 0,5% CO2 n aer (domeniu de
msur 0 0,5% CO2 n aer) folosind amplificatoare pentru semnalul de
dezechilibru al punii.
Cu mici modificri acest aranjament poate fi folosit ca debitmetru ce poate
msura debite de ordinul a 1mm3 /min, iar raportul ntre cel mai mare i cel mai
mic debit msurabil poate fi de 105 /1. ntr-un montaj asemntor termistorii
pot fi utilizai ca joje de vid pe un domeniu de la 10 Torr pn la 105 Torr.
IMPURITI N SEMICONDUCTORI

Comportarea unei impuriti ntr-un semiconductor

Introducerea de atomi strini n materialul semiconductor poart numele de
dopare. ntr-un semiconductor elementar ca siliciul (Si) ce are 4 electroni de
valen, atomii cu 5 electroni de valen, ca fosforul (P), introduc n banda de
conducie electroni i de aceea se numesc atomi donori sau simplu donori.
Atomii cu 3 electroni de valen, ca aluminiul (Al), capteaz electroni din
banda de valen i de aceea se numesc atomi acceptori, sau scurt acceptori.
Pentru a argumenta afirmaia de mai sus vom folosi modelul Bohr pentru
atomul de hidrogen pentru a descrie o impuritate donoare n materialul
semiconductor. Acest lucru este justificat prin faptul c ne intereseaz doar
comporatamentul celui de-al cincilea electron de valen, ceilalti electroni
ecrannd doar sarcina electric nuclear a atomului, care apare ca un atom
hidrogenoid (sarcina nuclear +1e).
Cele dou relaii de baz sunt egalitatea dintre fora centrifug i fora
electrostatic de atracie dintre electron i nucleu ca for centripet, precum i
relaia de cuantificare a momentului cinetic orbital:
mv2/R = e2/(4R2) (1)
mvR = 2nh
unde: R este raza traiectoriei electronului,
permitivitatea electric a mediului, iar
n numrul cuantic principal, un numr natural nenul.
Energia total a electronului fiind:
E = Ecin+ Epot= mv2/2 e2/ (4R) (2)
putem calcula din sistemul (1) energia i raza orbitei:
En = (1/n2)[me4/(82h2)] (3)
Rn = n2 h2 /(me2)
care pentru n =1, n vid, au valorile:
R1 = 0,5 (4)
E1 = 13eV
Atomul nostru fiind n interiorul cristalului de siliciu trebuie s inem seama c
aici masa efectiva a electronului este m*=0,2m, iar pemitivitatea electric
relativ este r =11,7. Lucrul acesta modific energia i raza orbitei electronului
conform urmtoarelor relaii uor deductibile din (3):
r1*= r1 r / (m*/m) = 58 r1 = 29 (5)
E1*= E1 (m*/m) /r2 = 0,0014E1 = 0,019 eV
Se vede c raza traiectoriei electronului este foarte mare comparativ cu distana
dintre atomii vecini (5,5 n Si) i energia de legatur a electronului cu atomul
donor este slab, doar 19 meV. Din aceast cauz energia termic de 25 meV la
temperatura camerei este suficient ca s transforme electronul legat al
impuritii ntr-un electron "liber" n banda de conducie a semiconductorului.
Nivelele de energie ale donorilor se afl n banda interzis a semiconductorului,
imediat sub fundul benzii de conducie. Nivelele de energie ale acceptorilor se
afl n banda interzis a semiconductorului, imediat deassupra vrfului benzii
de valen.
n tabelele de mai jos se prezint poziia nivelelor de energie pentru dopanii
uzuali, energia lor fiind msurata fa de fundul benzii de conducie pentru
donori i fa de vrful benzii de valen pentru acceptori.
Energie atomi Donori (eV) Energie atomi Acceptori (eV)
P As Sb B Al Ga In
Si 0,045 0,049 0,039 0,045 0,057 0,065 0,16
Ge 0,012 0,0127 0,0096 0,0104 0,0102 0,0108 0,0112

Influena impuritilor asupra semiconductorului

Pn aici am vzut cum influeneaz semiconductorul comportarea unui atom
strin aflat n reeaua sa cristalin, n continuare vom studia modul n care
influeneaz numrul atomilor strini comportamentul unui semiconductor.
Gradul de impurificare a unui semiconductor este dat de concentraia atomic a
impuritilor, adic de raportul dintre numrul atomilor strini i numrul
atomilor gazd. Astfel o concentraie c=0,01% atomice de fosfor (100ppm,
pri pe milion) n siliciu, nseamn c avem un atom de fosfor la fiecare
10.000 de atomi de siliciu. Fiindc siliciul are masa molar MSi =28,09 g/mol
(la care corespund numrul lui Avogadro NA=61023 atomi Si/mol) i densitatea
d=2,33 g/cm3, rezult n unitatea de volum un numr de atomi de Si:
N=NAd / M = 4,971022 atomi Si/cm3
tiind concentraia atomic a donorilor putem calcula numrul atomilor donori
din unitatea de volum:
Nd =cN= 4,971018 atomi P/cm3
n siliciu pur la 27C concentraia intrinsec de purttori de sarcin liberi este:
n = p = ni =1,451010 cm3
iar numrul total de purttori va fi:
n + p = 2,91010 cm3.
Fiindc fiecare atom donor de P aduce n banda de conducie a Si un electon,
rezult c numrul electronilor de conducie va fi practic egal cu numrul
atomilor donori ND, numrul golurilor din banda de valen fiind dat de legea
aciunii maselor:
p = ni2/Nd = 42,3 goluri/cm3 !
Rezult c numrul electronilor este cu 17 ordine de mrime mai mare dect cel
al golurilor, iar numrul total de purttori n cristalul impurificat este de 108 ori
(100 de milioane de ori) mai mare dect cel din materialul pur. Practic i
conductivitatea cristalului impurificat este de 108 ori mai mare dect
conductivitatea electric a cristalului pur.

Semiconductori cu impuriti
Vom examina restriciile care trebuie s le satisfac concentraiile purttorilor
de sarcin elecrtic ntr un semiconductor n condiii de echilibru, adic la
temperatur constant i fr cureni electrici. ntr-un semiconductor exist
patru clase de particule ncrcate cu sarcini electrice :
=> particule cu sarcin pozitiv :
1. goluri mobile, p, aflate n banda de valen ;
2. ioni donori, Nd+, cu nivele de energie Ed, n banda interzis, foarte aproape
de fundul benzii de conducie;
=> particule cu sarcin negativ :
1. electroni mobili, n, aflai n banda de conducie ;
2. ioni acceptori, Na, cu nivele de energie Ea, n banda interzis, foarte
aproape de vrful benzii de valen.
Simbolurile n, p, Nd i Na reprezint concentraia volumic a respectivei
particule ncrcate cu sarcina elementar "q" cu semnul corespunztor.
Densitatea local de sarcin se poate scrie :
= q(p n + Nd+ Na) (6)
iar ca o consecin a conservrii sarcinii electrice, densitatea local de sarcin
trebuie s fie zero, de unde :
n p = Nd+ Na (7)
Semiconductor cu impuriti donoare
Folosind ecuaia de neutralitate i legea aciunii maselor putem determina
poziia nivelului Fermi i concentraia purttorilor de sarcin n funcie de
temperatur. Nd fiind concentraia impuritilor donoare, putem evalua numrul
de electroni nd care se afl pe nivelele de impuritate cu ajutorul funciei de
distribuie FermiDirac:
nd = Nd /(e(Ed F) / (kT) +1) (8)
Numrul electronilor pierdui de impuritatea donoare este egal cu numrul
impuritilor donoare ionizate Nd+ :
Nd+ = Nd nd = Nd(e(Ed F) / (kT)) /(e(Ed F) / (kT) +1)
Nde(Ed F) / (kT) (9)
dac exponentul (Ed F)/(kT) < 3, fiindc atunci e(Ed F) / (kT) <<1.
Electronii din banda de conducie se obin pe baza ionizrii impuritilor
donoare Nd+ i a formrii golurilor n banda de valen, ecuaia de neutralitate
devenind pentru un semiconductor de tip n :
n = p + Nd+ (10)
n plus avnd legea maselor:
np = ni2 = NcNveE / (kT) (11)
care ne spune c ntr-un semiconductor nedegenerat, n condiii de echilibru,
produsul concentraiilor electronilor i golurilor nu depinde de poziia nivelului
Fermi "F" i nici de prezena n semiconductor a impuritii, fiind egal cu
ptratul concentraiei din semiconductorul intrinsec. Aceast lege ne permite s
aflm concentraia uneia dintre componente atunci cnd cealalt este cunoscut:
p = ni2/n = NcNve E / (kT) /n (12)
Electronii liberi iau natere prin ionizarea impuritii i a substanei de baz.
Pentru transferarea unui electron din banda de valen n banda de conducie
este necesar o energie egal cu lrgirea zonei interzise E=Ec Ev , iar
transferarea unui electron de pe un nivel al impuritii donoare n banda de
conducie este necesar o energie egal cu energia de ionizare a impuritii
Ed= Ec Ed . Fiindc energia de ionizare a impuritii Ed este de ordinul
sutimilor de electron-volt , iar lrgimea zonei interzise E este de ordinul
electron-voltului cele dou procese vor juca roluri diferite n funcie de
temperatur.
La temperaturi joase rolul principal va fi jucat de ionizarea impuritilor i din
acest motiv golurile din banda de valen vor fi mult mai puine dect
impuritile ionizate:
 p Nd+ (13)
Aceast inegalitate se va menine att la temperaturi joase, ct i la
temperaturi intermediare unde ionizarea impuritii este complet:
Nd+ = Nd (14)
pn cnd prin creterea temperaturii, ionizarea materilului de baz devine
suficient de intens nt concentraia intrinsec depete concentraia
donatorilor:
ni > Nd (15)
iar semiconductorului devine intrinsec la temperaturi nalte.
nelesul de temperatur joas sau ridicat este n legtur cu concentraia
impuritilor. Aceeai valoare a temperaturii poate fi joas sau ridicat, n
funcie de concentraia impuritilor i caracteristicile gazdei semiconductoare.
La o concentraie mic, temperatura poate aprea ca fiind ridicat, pe cnd la o
concentraie mare de impuriti ea poate aprea ca o temperatur joas. [se
poate face o discuie pe baz de grafice ni, n, p, Nd+ = f(T)]
La temperaturi joase rolul principal este jucat de ionizarea impuritilor,
ecuaia de neutralitate reducndu-se la:
n = Nd+ (16)
Pentru temperaturi suficient de coborte se poate aplica distribuia Boltzmann
i impuritilor, deci:
n = Nde(Ed F) / (kT) (17)
dar concentraia electronilor din semiconductor este:
n = Nce (Ec F) / (kT) (18)
Combinnd cele dou relaii, obinem pentru nivelul Fermi expresia:
F = (Ed Ec)/2 + (kT/2)ln (Nd/Nc) (20)
nlocuind aceast expresie ntr-una din formulele pentru densitatea electronilor
de conducie, gsim :
n =(NcNd)1/2e (Ec Ed) / (2kT) = (NcNd)1/2eEd / (2kT) (21)
Se remarc poziia nivelului Fermi pentru T 0 ca fiind la mijlocul intervalului
dintre fundul benzii de conducie Ec i nivelul impuritii Ed. Pentru temperaturi
suficient de joase Nc < Nd i termenul ce conine logaritmul este pozitiv,
indicnd o deplasare a nivelului Fermi n sus ctre fundul benzii de conducie la
creterea temperaturii.
Tot n aproximaia temperaturilor joase, dar la temperaturi suficient de mari, Nc
crescnd cu creterea temperaturii, egaleaz concentraia impuritii Nd, care nu
depinde de temperatur. Astfel logaritmul se anuleaz, iar poziia nivelului
Fermi este din nou n mijlocul intervalului [Ed ,Ec]. Deci crescnd temperatura,
poziia nivelului Fermi urc, trecnd printr-un maxim, dup care coboar cu
creterea temperaturii.
n ceea ce privete densitatea electronilor de conducie, se observ din relaia
(21) c numrul lor este direct proporional cu rdcina ptrat a concentraiei
impuritii Nd, iar comportarea n funcie de temperatur este controlat de
factorul exponenial eEd / (2kT), energia de activare fiind jumtate din energia de
ionizare a impuritii Ed.
Mrind suficient de mult temperatura, ionizarea impuritii este total:
Nd+ = Nd (22)
i trecem n domeniul de epuizare (saturaie). Ecuaia de neutralitate este:
n = Nd (23)
care combinat cu ecuaia densitii electronilor de conducie (18), ne permite
determinarea nivelului Fermi:
F = Ec + kT ln(Nd/Nc) (24)
Expresia ne arat c nivelul Fermi coboar cu creterea temperaturii fiindc Nd
Nc. Pe domeniul de epuizare densitatea electronilor de conducie este
independent de temperatur i egal cu concentraia impuritilor.
Evaluarea temperaturii la care apare domeniul de epuizare se poate face n
cadrul aproximaiei temperaturilor joase punnd condiia:
Nd = n = (NcNd)1/2 eEd / (2kT) (25)
de unde:
Te = Ed / [kBln(Nc/Nd)] (26)
Acelai rezultat se poate obine punnd condiia ca nivelul Fermi s coincid cu
nivelul energetic al impuritii:
F = Ed (27)
Mrind n continuare temperatura, concentraia golurilor din banda de valen
crete rapid ajungnd s egaleze concentraia impuritilor i deci a electronilor
de conducie. Semiconductorul este acum n domeniul intrinsec. Estimarea
temperaturii Ti la care semiconductorul devine intrinsec o putem face punnd
condiia ca numrul purttorilor mobili de sarcin pozitiv s egaleze numrul
purttorilor mobili de sarcin negativ:
n = p = Nd (28)
Folosind legea aciunii maselor:
 np = Nc Nv e E /( kT) (29)
avem:
Nd2 = NcNve E / (kTi) (30)
de unde:
Ti = (E / kB) ln(NcNv / Nd2) (31)
Temperatura la care semiconductorul devine intrinsec este direct proporional
cu lrgimea zonei interzise a materialului de baz i crete cu creterea
concentraiei impuritilor Nd. Acelai rezultat pentru Ti se obine punnd
condiia ca densitatea intinsec a purttorilor ni s egaleze concentraia
impuritilor:
ni = Nd (NcNv)1/2 eE / (2kTi) = Nd (32)
Poziia nivelului Fermi se obine ca la un semiconductor intrinsec obinuit
egalnd expresia densitii electonilor din banda de conducie cea pe care o
obinem din legea aciunii maselor innd cont c n=p:
Nce (Ec F) / (kT) = (NcNv)1/2e (Ec Ev) / (2kT) (33)
de unde:
F = (Ec+Ev)/2 + (kT/2)ln(Nv / Nc) =
= (Ec+Ev) /2 + (3/4)kTln(m'g /m'e) (34)
Se vede c nivelul Fermi se va deplasa cu creterea temperaturii din mijlocul
zonei interzise ctre banda care are particulele cele mai uoare.

Semiconductorul dopat cu impuriti acceptoare i donoare

n semiconductorul dopat cu impuriti acceptoare i donoare, la T=0K, zona de
conducie va fi goal i cea de valen complet plin (n= p = 0), dar existnd Na
nivele libere, la impuritile acceptoare, i Nd electroni, la impuritile donoare,
electronii vor cobor pe nivelele energetice cele mai joase Ea, ioniznd
impuritile.
Dac numrul imuritilor donoare este egal cu numrul imuritilor acceptoare,
Nd=Na atunci:
Nd=Nd+ i Na=N (35)
iar nivelul Fermi va fi la mijlocul distanei dintre Ea i Ed:
F = (Ed + Ea) / 2 la T = 0 K (36)
Un astfel de semiconductor se numete semiconductor compensat, fiindc se
produce o compensare reciproc a impuritilor donoare cu cele acceptoare, ne
mai fiind astfel furnizoare de electroni i goluri libere. Fiind puternic
impurificat, un astfel de semiconductor va avea o mobilitate a purttorilor mult
mai mic dect cea a semiconductorului pur.
Dac compensarea nu este total, mrimea:
Nd Na= N'd (Nd > Na) (37)
va juca rolul concentraiei de impuriti de un singur fel, deoarece diferena de
concentraii Nd N'd folosete la compensarea impuritii acceptoare.
Exist diferene ntre comportarea unui semiconductor parial compensat i un
semiconductor dopat cu un singur fel de impuritate. Astfel la temperaturi
suficient de joase numrul impuritilor donoare ionizate egaleaz numrul
impuritilor acceptoare:
Nd+ = Na (38)
Dar impuritile acceptoare sunt complet ionizate:
Na = Na (Nd > Na) (39)
+
iar impuritile donoare ionizate (Nd ), apar ca diferena dintre numrul de
impuriti donoare i numrul impuritilor donoare ocupate de electroni:
Nd+ = Nd [Nd / (e(Ed F)/ (kT) +1)] (40)
de unde rezult:
F = Ed + kTln [(Nd Na) / Na] (41)
Expresia nivelului Fermi ne arat c la T = 0 K el coincide cu poziia nivelului
impuritii donoare (cea mai abundent). nlocuind n expresia concentraiei
electronilor de conducie valoarea nivelului Fermi se obine:

n = [Nc(Nd Na)/ Na]e(Ec Ed) / (kT) =

= [Nc(Nd Na)/ Na]eEd / (kT) (42)
Observm din aceast expresie c valoarea energiei de activare este Ed, adic
de dou ori mai mare dect n cazul semiconductorului cu un singur tip de
impuritate donoare.
JONCIUNEA P-N
Alipind dou materiale semiconductoare, unul de tip p i cellalt tip n, apare
fenomenul de difuzie, a golurilor din regiunea p n regiunea n i electronilor
din regiunea n n regiunea p. Difuzia este generat de agitaia termic i de
existena variaiei concentraiei cu poziia n zona de contact (gradientului de
concentraie). Dac n partea stng avem o concentraie mai mare de electroni
dect n partea dreapt, atunci o suprafa normal pe direcie va fi traversat de
mai muli electroni dinspre stnga dect dinspre dreapta. Fluxul net de electroni
prin unitatea de suprafa va fi:
flux de electroni = nvn = Dnn/x (1)
unde:
Dn = kBT/m = nkBT/q coeficient de difuzie [m2/s]
timpul dintre dou ciocniri
= q/m mobilitate [m2/(Vs)]
Variaia concentraiei de impuriti trebuie s se fac pe distane mici (sub 107
m) pentru a se produce o jonciune p-n, altminteri este doar un semiconductor
obinuit la care se modific lent tipul de conducie.
Electronii ce difuzeaz n regiunea p se recombin cu golurile, n acest fel
regiunea p din apropierea jonciunii se ncarc negativ din cauza atomilor
acceptori (ioni negativi) a cror sarcin nu mai este compensat de goluri
pozitive mobile. Fenomenul este similar pentru regiunea n din apropierea
jonciunii, unde difuzeaz golurile, i care se ncarc cu sarcin electric
pozitiv din cauza atomilor donori (ioni pozitivi) ce rmn necompensai.
Se formeaz lng jonciune un strat de sarcin spaial fix, negativ n
regiunea p, pozitiv n regiunea n, numit strat de baraj (figura 1a). n
exteriorul stratului de baraj materialele sunt neutre electric la nivel local.
Fiindc jonciunea n ansamblu este neutr electric, conservarea sarcinii
electrice impune ca sarcina negativ din stnga jonciunii s fie egal cu sarcina
pozitiv din dreapta ei, ca n figura 1b:
qSxpNa = qSxnNd
xp /Nd = xn /Na = x b /(Na+Nd) (2)
x b = xp+xn fiind grosimea stratului de baraj.
ncrcarea cu electricitate a celor dou zone creaz o diferen de potenial "Vb"
ntre zona n i zona p, figura 1c, numit potenial de difuzie, potenial de
contact, potenial de barier sau diferen intern de potenial. Energia
potenial a electronilor e modificat de potenialul de contact, valoarea
modificrii este impus de egalarea nivelelor Fermi din materialele
semiconductoare p i n, adic de stabilirea echilibrului termodinamic ntre
regiunile p i n, ca n figura 2:
qVb = Fn Fp (3)
unde nivelele Fermi sunt:
Fp = Ev kBT ln (Na/Nv) (4)
Fn = Ec + kBT ln (Nd / Nc)

(a )
P N
x
-x P xN

qN D
d e n s ita te a
(b )
d e s a r c in a
-x P s p a tia la
xN x

-q N A

V
(c )
p o t e n tia lu l
V b

x
-x P xN
E
x
-x P xN
(d )
c a m p u l e le c tr ic
-E m ax

Figura 1. Fenomene electrostatice n jonciunea PN.

Putem rescrie relaia (3) ca:
qVb = Ec Ev + kBT ln [NaNd /(NcNv)] (5)
unde innd seama de concentraia intrinsec a purttorilor:
np = ni2 = NcNv e E / (kT) , E = EcEv (6)
se obine relaia cea mai compact pentru potenialul de difuzie:

Vb = (kBT/q) ln(NdNa / ni2) (7)

La atingerea valorii de echilibru pentru potenialul de difuzie, fluxul de
electroni deplasai prin difuzie din stratul n n stratul p este egalat de fluxul de
electroni deplasai de cmpul electric al stratului de sarcin spaial din stratul p
n stratul n. Fenomenul este similar pentru goluri.

P N P N
Banda
lip s a e le c t r o n i
de
c o n d u c tie
EC
FN
V b e le c tr o n i
V b
F P
E V F
g o lu r i D if u z ie

Banda
lip s a g o lu r i de
-x P xN v a le n ta x

Figura 2. Structura benzilor de energie la jonciunea nepolarizat.

Aplicnd legea lui Gauss pentru distribuia de sarcin din stratul de baraj,
obinem cmpul electric n semiconductor:
qNa(x+xp )/ pentru x(xp, 0)
E(x) = qNd(xxn )/ pentru x(0, xn) (8)
0 n rest
Cmpul electric este nul n afara stratului de baraj (densitate de sarcin electric
zero) i variaz liniar cu poziia n stratul de baraj, ca n figura 1d. Intensitatea
maxim a cmpului electric este la zona de contact ntre cele dou domenii n
x=0:
Emax = qNaxp/ = qNdxn/ (9)
Potenialul se obine integrnd relaia (8) cu semnul schimbat:
0 x < xp
qNa (x+xp )2 /(2) x(xp, 0)
V(x) = VbqNd (xxn )2 / (2) x(0, xn) (10)
Vb x > xn
unde condiiile la limit reies clar din (10) la V(xn)=Vb i V(xp)=0.
Pentru x=0, V(x) trebuie s fie funcie continu, deci:
V(0) = qNa xp2/(2) = qNd xn2/(2) + Vb (11)
de unde:
 Vb = q(Na xp2 + Nd xn2)/(2) (12)
care cu ajutorul relaiilor din (2) devine:
Vb = qNaNd xb2/ [2(Na+Nd)] (13)
Aceast relaie (13) ne permite s exprimm lrgimea stratului de baraj:

x b = [(2/q)(1/Na+1/Nd)Vb]1/2 (14)
O diferen de potenial U aplicat din exterior modific bariera de potenial Vb,
fcnd-o mai mare pentru tensiuni inverse (U<0), plusul pe zona n i minusul
pe zona p, sau mai mic pentru tensiuni directe (U>0), plusul pe zona p i
minusul pe zona n. n mod corespunztor se va modifica i lrgimea stratului de
baraj, aceasta mrindu-se pentru tensiuni inverse i micorndu-se pentru
tensiuni directe:
x b (U) = [(2 /q)(1/Na+1/Nd)(Vb U)]1/2 (15)
Privind jonciunea p-n ca pe un condensator plan, putem evalua capacitatea
stratului de baraj sau capacitatea de barier:
Cb = S /x b (16)
folosind relaia (15) gsim capacitatea pe unitatea de suprafa (S=1m2):
1/Cb2 = 2(1/Na+1/Nd)(Vb U) /(q) (17)
Aceast dependen liniar a lui 1/C2 este caracteristic jonciunilor p-n
abrupte, la care variaia concentraiei dopanilor este de tip treapt ca n figura
1, pentru alte tipuri de variaie a concentraiei se obin alte corelaii ntre
capacitatea stratului de baraj i tensiune (vezi "Jonciunea liniar gradat").
Relaia (16) este valabil pentru orice distribuie de impuriti i ea permite
aflarea distribuiei impuritilor n jonciune:
N(xb) = 2/ [q d(1/C2)/dU] (18)

Caracteristica curent-tensiune
Dup cum s-a vzut mai nainte, n jonciune circul 4 cureni de purttori de
sarcin mobili, 2 de difuzie i 2 de drift:
Curent de Cauza Sensul
electroni difuzia N P
electroni cmpul electric P N
goluri difuzia P N
goluri cmpul electric N P
Fr tensiune electric aplicat din exterior fluxul de electroni deplasai prin
difuzie din stratul n n stratul p este egalat de fluxul de electroni deplasai de
cmpul electric al stratului de sarcin spaial din stratul p n stratul n.
Fenomenul este similar pentru goluri. Aplicnd din exterior o tensiune direct
U, pozitiv pe zona p i negativ pe zona n, se stric acest echilibru. Fiindc
rezistena electric a jonciunii p-n este mare comparativ cu restul
semiconductorului, se consider c ntreaga diferen de potenial se regsete
pe regiunea xn-xp a stratului de baraj. Tensiunea direct reduce nlimea
barierei de potential Vb i determin un flux suplimentar de goluri s difuzeze
dinspre regiunea p spre cea n, unde se recombin progresiv cu electronii pe o
distan de ordinul de mrime al lungimii de difuzie. Similar un flux
suplimentar de electroni se va mica din regiunea n ctre regiunea p. Pomparea
purttorilor minoritari ntr-un semiconductor (goluri n regiunea n, electroni n
regiunea p) se numete injecie de purttori. Majoritatea dispozitivelor
semiconductoare opereaz pe principiul injeciei de purttori.

P N
Banda
de
c o n d u c tie
E C
e le c tr o n i
V b-U
F F N
P U
E V D if u z ie
g o lu r i
Banda
de
v a le n ta
-x P x N x

Figura 3. Tensiunea direct micoreaz bariera de potenial, iar difuzia

purttorilor este mai intens.
Pentru a revedea cum se comport purttorii de sarcin n jonciune, inem cont
c avem pentru purttorii majoritari i minoritari urmtoarele relaii:
regiunea N nn=Nd pn = ni2/Nd (19a)
regiunea P pp=Na np = ni2/Na (19b)
Rescriem ecuaia de echilibru termodinamic (7) folosind relaiile (19):

np = nn e qVb/ (kT)
(20)
qVb/ (kT)
pn = pp e
Tensiunea direct U, aplicat din exterior, micoreaz bariera de potenial, iar
relaia (20) se poate rescrie ca:

n'p = nn e q (Vb U)/ (kT) = npe qU/(kT)

(21)
q (Vb U)/(kT) qU/(kT)
p'n = pp e = pne
unde mrimile cu (') reprezint noile concentraii ale purttorilor n situaia
aplicrii diferenei exterioare de potenial. Concentraiile sunt valabile n
punctele xp i xn de la marginea stratului de baraj, adic acolo unde
semiconductorul este deja neutru din punct de vedere electric. Relaia (21) arat
c pentru tensiuni directe pe jonciune (U>0) cresc concentraiile purttorilor
minoritari la marginile regiunii de sarcin spaial. Concentraiile de purttori
n exces vor fi:
pn(xn) = p'n(xn) pn= pn(e qU / (kT) 1)
(22)
np(xp)= n'p(xp) np= np(e qU / (kT)
1)
Fiindc neutralitatea electric se conserv n exteriorul regiunii de sarcin
spaial, modificarea concentraiilor purttorilor minoritari i majoritari trebuie
s fie aceeai. Cu alte cuvinte, concentraia de goluri n exces trebuie s fie
egal cu concentraia de electroni n exces, astfel ca neutralitatea electric s se
menin n exteriorul stratului de baraj.
La echilibru concentraia purttorilor minoritari este cu multe ordine de mrime
mai mic dect concentraia purttorilor majoritari, astfel c schimbri egale ca
mrime ale concentraiilor vor afecta mult mai mult concentraia purttorilor
minoritari dect concentraia purttorilor majoritari.
Exemplu: -concentraia iniial a purttorilor majoritari 1015 cm3
-concentraia iniial a purttorilor minoritari 105 cm3
-schimbarea de concentraie cu 1011 cm3
-schimbarea concentraiei purttorilor majoritari cu 0,01%
-schimbarea concentraiei purttorilor minoritari de 106 ori!!
Rezult c exist un domeniu de valori ale tensiunilor pe jonciune pentru care
concentraiile purttorilor majoritari la marginile regiunii de sarcin spaial
rmn practic neschimbate, dei concentraiile de purttori minoritari pot s fi
crescut cu mai multe ordine de mrime. Acesta este numit domeniu de nivel
mic de injecie.
 C o n c e n t r a t ie p u r t a t o r i
10 16
d ifu z ie e le c tr o n i
d ifu z ie g o lu r i
10 14

10 12

P p 'n
N
n 'p 10 10

10 8

n p 10 6 p n
p o z itie
L n xp xn Lp
Figura 4. Aplicnd tensiune direct pe jonciune se injecteaz purttori
minoritari.
n regiunea neutr concentraia purttorilor minoritari n exces scade cu poziia
dup o lege exponenial:
pn(x) = pn + (p'n pn) e (x x n) / L p (23)
de unde curentul de difuzie va fi n x = xn:
jp = qDp(p/x) = qDp(p'n pn)/Lp (24)
sau:
jp = (qpnDp/Lp) (e qU / (kT) 1) (25)
n stratul de baraj densitatea purttorilor de sarcin este foarte mic, doar cea
corespunztoare curenilor, generat doar de curenii de purttori minoritari i
din aceast cauz fenomenul de recombinare electron-gol este extrem de redus.
Drept consecin n zona stratului de baraj densitatea de curent nu se modific,
iar curentul total va fi atunci suma curenilor de goluri i electroni:
j = jp(xn)+jn(xp) = jo (eqU / (kT) 1) (26)
cu notaia: jo = q(Dp pn /Lp + Dn np /Ln ) (27)
nmulind cu suprafaa se obine forma cea mai des folosit, cea pentru curent:
I = Io (e qU / (kT) 1) (28)
 C u re n t

T e n s iu n e

Figura 5. Caracteristica curent-tensiune a jonciunii PN.

De o parte i de alta a stratului de baraj pe o distan egal cu lungimea de
difuzie, curenii de difuzie ai purttorilor minoritari sunt nlocuii cu curenii de
cmp ai purttorilor majoritari. Dei cmpul electric este mai mic n exteriorul
stratului de baraj, concentraia purttorilor majoritari fiind foarte mare, curentul
de cmp este dominant n cazul purttorilor majoritari, iar recombinarea
electron-gol este mare.
Pentru tensiuni inverse, U negativ, termenul exponenial devine rapid foarte
mic fa de unitate (U< 4kBT/q) i curentul invers este independent de U:
Iinv = Io (29)
Pentru tensiuni directe mai mari dect 0,1V (4kT/q), termenul exponenial este
mult mai mare dect unitatea i curentul va fi:
Idirect = Io e qU / (kT) (30)
Cnd conteaz curentul de recombinare, relaia (28) devine:
I = Io (e qU / (2kT) 1) (31)
iar pentru cazuri intermediare, unde 1 m 2, avem relaia:
I = Io (e qU / (mkT) 1) (32)

APLICAII ALE DIODELOR

Circuite de protecie
Circuitul din figura 6 protejeaz consumatorul RS fa de conectarea invers la
sursa de alimentare. La conectare invers, din cauza rezistenei foarte mari a
diodei la polarizare invers, prin rezistena de sarcin nu va trece curent
electric.
 D D
+
R S R S

+
T re c e c u re n t N u tre c e c u re n t

Figura 6. Circuit de protecie la tensiuni inverse (dioda "antiprost").

Dou diode plasate antiparalel ca n figura 7, limiteaz valoarea maxim a
tensiunii ce poate aprea la bornele instrumentului de msur la valoarea
tensiunii lor de deschidere. Sub aceast tensiune rezistena lor este foarte mare
comparativ cu cea a instrumentului, iar peste aceast tensiune rezistena lor este
mult mai mic dect cea a instrumentului i curentul va trece preponderent prin
dioda deschis, protejnd aparatul. De obicei se folosesc diode cu Ge care au
tensiunea de deschidere 0,2V.

In s tru m e n t d e m a s u ra

D 1

D 2

Figura 7. Circuit cu diode pentru protejarea la supratensiuni.

Circuite de redresare a curentului alternativ
Cu o diod se poate transforma curentul alternativ n curent continuu. Fr
condensatorul electrolitic CE, curentul este de fapt pulsant, cu condensator,
pulsaiile sunt mult mai mici. Valoarea capacitii condensatorului electrolitic
trebuie s fie suficient de mare ca s suporte consumul pe timpul ct prin diod
nu trece curent.
D U

t
R S
C E
U ~ U

Figura 8. Redresarea monoalternan.

Folosind 4 diode legate n punte se utilizeaz ambele alternane pentru
alimentarea consumatorului cu tensiune continu. Pulsaiile tensiunii sunt mai
mici i mai uor de eliminat cu ajutorul unui condensator electrolitic.

U
+
t
R S
P u n te U
U ~ C E
_
t

Figura 9. Redresarea bialternan.

DIODELE LUMINISCENTE
n 1962 s-au comercializat de ctre General Electric Co. primele diode
luminiscente (DL sau LED, light emitting diode). Ele au fost cele mai simple
dispozitive semiconductoare care produceau lumin. Erau realizate pe baza
unor compui semiconductori III-V (elemente chimice din coloana III i
coloana V a tabloului periodic al elementelor), fiind o joncine p-n polarizat
direct. Tensiunea direct aplicat injecteaz prin bariera jonciunii purttori
minoritari (de obicei electroni n zona p) care se recombin cu purttorii
majoritari, elibernd fotoni cu energia practic egal cu E, energia zonei
interzise. Materialul iniial folosit, arseniura fosfura de galiu (GaAsP) are zona
interzis E = 2,03 eV. innd cont c energia fotonului este:
E =Wfoton= h = hc/
lungimea de und corespunztoare este:
= hc/E = 610 nm
aparinnd domeniului rou al spectrului vizibil.
Eficiena luminoas a diodelor luminiscente din acea perioad era mai mic de
0,2 lm/W. Aceast eficien slab se datora eficienei cuantice interne mici i
eficienei de extracie slabe. ntregul efort ulterior de mbuntire a
performanelor DL s-a axat n principal pe mbuntirea eficienelor cuantice i
de extracie .
Eficiena cuantic intern a DL este raportul dintre numrul fotonilor generai
i numrul purttorilor minoritari injectai. ntr-o DL majoritatea purttorilor
minoritari sunt electronii injectai n regiunea dopat p. Eficiena cuantic
intern ar fi 100% dac toi electronii injectai ar produce fotoni recombinndu-
se cu golurile, recombinare radiativ. Din pcate exist recombinri
neradiative ntre electroni i goluri, n care energia rezultat este cedat
cristalului, nclzindu-l.
Dac timpul necesar recombinrii radiative "tr" este mult mai mic dect timpul
necesar recombinrilor neradiative "tnr", eficiena cuantic intern va fi foarte
aproape de 100%, un exemplu n acest sens fiind GaAs care din pcate emite n
infrarou.
Eficiena cuantic extern a DL este de multe ori mult mai mic dect
eficiena cuantic intern fiindc muli fotoni nu apuc s prseasc cristalul
fiind absorbii de acesta.
Din punct de vedere energetic cea mai simpl situaie favorabil recombinrilor
radiative este acea n care fundul benzii de conducie i vrful benzii de valen
corespund aceluiai impuls. n acest caz n procesul de recombinare electron-
gol cu emiterea de foton se conserv energia i impulsul. Energia se conserv
fiindc energia fotonului emis egaleaz energia pierdut de electronul care se
recombin cu golul, iar impulsul se conserv fiindc impulsul fotonului este
practic zero. Acest tip de semiconductor se numete semiconductor cu zon
interzis direct mai simplu semiconductor direct. Din pcate materiale de
acest tip sunt disponibile doar pentru domeniul infrarou i un pic din rou.
Semiconductorii indireci, la care vrful benzii de valen i fundul benzii de
conducie se plaseaz la impulsuri diferite, sunt mult mai frecveni dect
semiconductorii direci. n semiconductorii indireci recombinarea electron-gol
are loc cu o variaie apreciabil de impuls. Acest impuls nu poate fi preluat de
foton, care are practic impulsul zero, ci date preluat de reeaua cristalin, de
fononi, vibraiile ale reelei cristaline.
n principiu i n semiconductorii indireci pot avea loc recombinri radiative,
dar fiind cu participarea fononilor, procesul este mai puin probabil, timpul
necesar recombinrii radiative devine mult mai lung i implicit eficiena
cuantic intern foarte mic. Multe DL sunt fcute din semiconductori indireci,
precum GaP, pentru verde i SiC pentru albastru.
Pentru mbuntirea randamentului luminos se adaug impuriti
izoelectronice cu elementul pe care-l nlocuiesc (fac parte din aceeai coloan a
tabloului periodic), de exemplu azot n fosfura de galiu, GaP:N. Atomii de azot
creaz local deformri ale reelei ce sunt capcane pentru electroni. Electronii
fiind astfel bine localizai spaial, conform principiului nedeterminrii nu vor
avea un impuls bine definit. Acest "truc" permite tranziii radiative fr
participare de fononi. n acest fel crete eficiena cuantic, dar nu suficient
pentru a rivaliza cu semiconductorii direci.
Se numete homojonciune o jonciune PN ce are de-o parte i de alta acelai
material semiconductor de baz, diferind doar dopajul. Pentru maximizarea
eficienei cuantice este necesar un dopaj mare, cea ce produce o jonciune
adnc (plasat la distan mare de suprafaa materialului, partea adnc)
avnd ca rezultat absorbia multor fotoni de ctre cristal pn cnd acetia ies
prin suprafaa anodului.
Multe din neplcerile inerente homojonciunilor pot fi rezolvate cu ajutorul
heterojonciunilor, jonciuni PN n care materialele p i n au benzi interzise
diferite. Ca exemplu se poate crete un strat fereastr de tip n din AlGaAs
peste stratul activ de tip p din GaAs. Stratul fereastr este transparent fa de
fotonii generai n stratul activ, avnd o zon interzis mai larg dect cea a
stratului activ. Fiind transparent poate fi fcut suficient de gros pentru a
minimiza recombinrile la suprafaa semiconductorilor. Astfel de dispozitive au
o eficien cuantic extern tipic de 20% i un randament luminos de 2 lm/
W.
O parte din vechile probleme rmn fiindc unii din electronii injectai ptrund
adnc n zona activ p, nainte de a se recombina. Fotonii astfel produi sunt
absorbii nainte de-a ajunge la suprafa i fotonii emii n jos, ctre catod sunt
deasemenea absorbii. Pentru utilizarea acestor fotoni s-au dezvoltat structuri cu
duble heterojonciuni. Stratul activ este cuprins ntre dou straturi cu zon
interzis mai mare, transparente pentru fotonii emii. Stratul superior este strat
fereastr, transparent, iar cel inferior este strat de confinare, care mpiedic
electronii injectai s ptrund dincolo de heterojonciune. Din aceast cauz n
regiunea activ se poate face mai subire, ceea ce minimizeaz absorbia.
Eficiena cuantic exten este egal cu eficiena cuantic intern nmulit cu
randamentul de extracie .Randamentul de extracie este n mod uzual mult mai
mic dect 1 din cauza absorbiei interne, reflexiei pe jonciune i reflexiei
interne totale la unghiuri mai mici de 25 pentru diodele ncapsulate cu rin
epoxidic. Randamentul de extracie poate fi de circa 4%.
Cercettorii de la Hewlett Packard Co. n SUA, Toshiba Corp. i Stanley
Electric Co. n Japonia, au proiectat DL cu strat activ gros (zeci m) care emit
bine pe lateral (n planul joncinii, nu perpendicular pe el ca pn acum)
ridicnd randamentul de extracie la mai mult de 10%. n structurile cu dubl
heterojonciune se poate crete un strat de confinare att de gros (>100 m )
nct el poate juca rol de substrat transparent. Ca rezultat eficiena de extracie
crete la 30%. LED-urile comerciale, fcute din AlGaAs cu dubl
heterostructur i substrat transparent au o eficien luminoas de 10 lm/W. Tot
aici se situeaz DL roii, oranj i galbene realizate din AlInGaP cu substrat
absorbant. Se pregtesc pentru comercializare i variantele cu substrat
transparent care produc 20 lm/W (1994).
S-au produs n laboratoarele de cercetare dispozitive cu randament luminos de
40 lm/W n domeniul oranj. Aceast eficien luminoas este mai bun dect
cea a becurilor cu halogen.
Culoarea albastr a fost greu de obinut pentru DL. Diode albastre s-au realizat
din SiC, cu o zon interzis indirect de 2,86 eV i eficiene luminoase de 0,04
lm/W. Rezolvarea a venit de la o firm japonez, Nichia Chemical Industries
Inc., Anan, Tokushima, care a reuit utilizarea azoturii de galiu GaN, ce
produce lumin albastr cu o eficien cuantic extern de 2% fa de SiC care
are 0,02%.

Caracterizarea radiaiei emise

Radiaia emis de ctre o diod luminescent se caracterizeaz radiometric
(uniti fizice obiective) prin fluxul total radiant "R", msurat n Watt, sau
fotometric (uniti subiective legate de senzaia fiziologic) prin fluxul total
luminos L care se msoar n lumeni. Fluxul este prin definiie raportul dintre
energia radiaiei i timp (adic este rata de curgere a energiei radiante Q)
Energia radiant QR se msoar n Joule, iar energia luminoas QL se msoar
n lumenor (lmh).
Raportul dintre fluxul luminos L() i fluxul radiant R() pentru o radiaie
monocromatic de lungime se numete echivalent fotometric al radiaiei
monocromatice
K() = L() / R()
i se msoar n lm/W. Valorile lui K() sunt prezentate n tabelul:
Valorile sensibilitii relative a ochiului omului V() = K()/Kmax() i a
echivalentului fotopic al radiaiei K():
(nm) V K (lm/W) (nm) S K (lm/W)
380 0,00004 0,0272 570 0,952 647,36
400 0,0004 0,272 580 0,87 591,6
410 0,0012 0,816 590 0,757 514,76
420 0,004 2,72 600 0,631 429,08
430 0,016 7,89 610 0,503 342,04
440 0,023 15,64 620 0,381 259,08
450 0,038 25,84 630 0,265 180,2
460 0,06 40,08 640 0,175 119
470 0,091 61,88 650 0,107 72,76
480 0,139 94,52 660 0,061 41,48
490 0,208 141,44 670 0,032 21,76
500 0,323 219,64 680 0,017 11,56
510 0,503 342,04 690 0,0082 5,576
520 0,71 482,8 700 0,0041 2,788
530 0,862 586,16 710 0,0021 1,428
540 0,954 648,72 720 0,00105 0,714
550 0,995 676,6 730 0,00052 0,3536
555 1 680 740 0,00025 0,17
560 0,995 676,6 750 0,00012 0,081
570 0,952 647,36 760 0,00006 0,0408
n aceeai tabel sunt prezentate i valorile sensibilitii fotopice relative a
ochiului omului V().
Aceste dou mrimi sunt reprezentate grafic n figura:

Mrimea K() se mai numete i sensibilitatea (absolut) ochiului omului i se

noteaz cu litera S.
n radiometrie se utilizeaz urmtoarele mrimi:
1. Fluxul radiant R=dQR/dt, se msoar n W, n multe cazuri este denumit
putere radiant i se noteaz cu P.
2. Emitana MR=dR/dA, este fluxul emis de ctre unitatea de arie de
suprafa emisiv; se msoar n W/m2.
3. Intensitatea radiant IR=dR/d este raportul dintre fluxul radiant i
unghiul solid sub care vede sursa observatorul, msurat n Watt pe
steradian (W/Sr). Cnd sursa este punctual, IR=R/(4).
4. Radiana, LR=(dIR/dA)(1/cos), este fluxul radiant pe unitatea de unghi
solid, pe unitatea de arie emisiv sub un unghi fa de normala la
suprafa; se msoar n W/Srm2.
5. Iradiana ER este raportul dintre fluxul radiant i aria suprafeei
detectorului. Exist relaia ER=IR/d2, unde d este distana de la surs la
detector, perpendicular pe suprafaa acestuia din urm. Se msoar n W/
m2
n fotometrie se utilizeaz urmtoarele mrimi:
1. Fluxul luminos, L=dQL/dt, este rata de transport a energiei luminoase; L
se msoar n lumeni (lm).
2. Intensitatea luminoas IL=dL/d este fluxul pe unitatea de unghi solid
de la o surs ndeprtat; se msoar n candele (Cd) sau n lm/Sr. Aceast
noiune s-a introdus deoarece modul n care ochiul omenesc percepe
radiaia emis depinde nu numai de flux ci i de dimensiunile sursei. Dac
unghiul sub care vede un observator normal o surs este de dou minute,
aceasta apare ca surs punctual. Pentru o surs cu diametrul de 0,38 mm
aceasta nseamn c ochiul observatorului se gsete la o distan de 61 cm
fa de surs.
3. Excitana luminoas ML=dL/dA, este fluxul pe unitatea de arie a
suprafeei emisive; se msoar n lm/m2.
4. Iluminarea, EL este raportul dintre fluxul luminos i aria suprafeei
detectorului. Exist relaia EL=IL/d2, unde d este dinstana de la surs la
 suprafaa detectorului, perpendicular pe aceasta. Se msoar n lumeni pe
metru ptrat sau n lux (lx).
Exist urmtoarele relaii ntre diversele uniti de msur pentru iluminare:
1 lux = 1 lm/m2 = 9,310-3 ftcandele (footcandele) = 10-4 fot;
1 fot = 1 lm/cm2 = 9,3 102 ftcandele = 104 lx;
1 footcandel = 1 lm/ft2 = 10,7610-4 fot =10,76 lux.
5. Strlucirea sau luminana B=(dIL/d)(cos)-1, este fluxul pe unitatea de
unghi solid, pe unitatea de arie de suprafa emisiv sub unghiul fa de
normala la suprafa; se msoar n candele pe metru ptrat (cd/m2) sau nit
(nt).
Exist urmtoarele relaii ntre diversele uniti de msir ale strlucirii:
1 Lambert (Lb)=(1/)Cd/m2 = 9,29102 ftlambert = 0,318 Stilb (sb);
1 footlambert = (1/)Cd/ft2 = 1,1103 Lambert = 3,43104 stilb;
1 Stilb = 1 Cd/cm2 = 2,919103 ft lambert = lambert;
1 Nit = 1 Cd/m2 = 0,2919 ft lambert = 104 lambert.
Pentru o diod luminescent se mai definesc eficiena de putere P i eficiena
luminoas L. Eficiena de putere este definit prin relaia:
p = Putere optic/Putere electric = e P() d /(qU)
unde: e este eficiena cuantic extern,
P() putere radiant a diodei polarizat la tensiunea direct U.
Pentru diodele care emit n vizibil se introduce noiunea de eficien luminoas
care leag emisia diodei de rspunsul spectral al ochiului omului.
Rspunsul spectral relativ al ochiului omenesc se numete i funcie de
luminozitate relativ i se noteaz cu V(). Ea are valoarea maxim, aa cum
reiese din figura i tabela , la = 555 nm. L pentru un spectru oarecare se
definete prin relaia:
L = 680 V() P() d / P() d [lumen/Watt, lm/W]
Pentru o diod luminiscent
Putere optic de ieire (n lumeni)
p = (lm/W) ()
Putere electric la intrare (n W)
Msurarea parametrilor caracteristici
Msurarea fluxului total
Pentru msurarea fluxului total se utilizeaz un fotometru integrator care const
dintr-o sfer cu diametrul de 15-30 cm acoperit n interior cu o vopsea care
difuzeaz lumina uniform i neselectiv. Dioda luminescent se fixeaz n
interiorul sferei ct mai aproape de centrul acesteia i ntre ea i detector se
aeaz un ecran de dimensiuni att de mici nct pe detector s nu cad lumina
direct de la surs. Detectorul fixat pe peretele sferei (fig. ) are o fereastr
construit dintr-un material difuzant (de lumin). Se folosesc detectori
fotovoltaici din siliciu sau seleniu, ori fotomultiplicatori. Din fluxul total, ,
emis de surs cade pe unitatea de suprafa din sfer cantitatea:
E = [/(4r2)][R/(1 R)]
care reprezint fluxul dat de lumina reflectat de restul sferei. "R" este
coeficientul de reflexie i "r" este raza sferei. Avnd detectorul etalonat se
determin din rspunsul acestuia E i din ecuaia ( ) fluxul total . Sfera se
calibreaz, de asemenea, cu o lamp al crei flux total este cunoscul, de
exemplu, un bec cu filament de tungsten.
Msurarea intensitii luminii emise
Pentru msurarea intensitii luminii emise pe direcia axial se utilizeaz
instalaia din figura ( ). Ea const dintr-o cutie lung de 10-15 cm, acoperit n
interior cu vopsea neagr; are fixat la un capt dioda luminescent, iar la
cellalt capt detectorul. Detectorul este n prealabil calibrat i cunoscnd
rspunsul su n funcie de iluminarea E se determin intensitatea IL a luminii
emise din relaia E= IL /d2, unde d este distana dintre dioda luminescent i
detector. Pentru determinarea distribuiei unghiulare a luminii emise se rotete
dioda luminescent n timp ce detectorul se menine n poziie fix i se
determin intensitatea luminii pentru diverse poziii (unghiuri). Cel mai comod
este s se roteasc dioda luminescent cu o vitez constant cu ajutorul unui
motor i s se nregistreze rspunsul detectorului cu ajutorul unui inscriptor, aa
cum se reprezint n montajul experimental din figura ( ).
Determinarea distribuiei spectrale
Pentru determinarea distribuiei spectrale se utilizeaz instalaia din figura ( ).
Lumina emis de ctre dioda luminescent ptrunde ntr-un monocromator i
apoi este detectat, de exemplu, cu o diod p-i-n din siliciu sau cu un
fotomultiplicator. n faa detectorului se aeaz un filtru special pentru ca
rspunsul su s fie uniform. Monocromatorul se etaloneaz cu ajutorul unei
lmpi de sodiu care d dou linii intense foarte apropiate ntre ele la 5890 i
5896. Un exemplu de distribuie spectral obinut pentru o diod
luminescent din GaAs/AlGaAs este reprezentat n figura ( ). Lrgimea liniei
(msurat n punctele n care intensitatea luminii emise se reduce la jumtate)
este de aproximativ 40 nm. Lrgimea liniei depinde de tipul diodei
lunimescente (jonciune, heterojonciune etc.). n mod obinuit pentru diodele
luminescente n infrarou lrgimea liniei este cuprins ntre 20 i 60 nm.
Determinarea culorii luminii emise
Percepia culorii se face cu ajutorul conurilor din retina ochiului, iar nivelurile
foarte joase ale iluminrii se percep cu ajutorul bastonaelor. Minimul de
sensibilitate este de 60 de cuante de culoare verde-albastru (510 nm) care cad
pe cornee [30]. Orice nuan de culoare poate fi obinut prin combinarea
culorilor rou, verde i albastru.
Sensibilitatea spectral a ochiului depinde dac percepia se face cu ajutorul
conurilor sau cu ajutorul bastonaelor. Rspunsul ochiului cu ajutorul conurilor
se numete rspuns fotopic, iar cu ajutorul bastonaelor se numete rspuns
scotopic. Sensibilitatea ochiului n cele dou cazuri este reprezentat n figura (
).
Rspunsul fotopic se obine dup ce ochiul a fost adaptat la o lumin de cel
puin 3nt (Cd/m2). Procesul de adaptare dureaz aproximativ dou minute.
Rspunsul scotopic se obine la ntuneric, dup ce ochiul omului a fost adaptat
la ntuneric timp de aproximativ 45 minute; condiia de ntuneric nseamn
maxim 3105 nt.
Se observ c la creterea iluminrii ntre cele dou limite, rspunsul spectral al
ochiului se deplaseaz de la verde spre albastru.
Culoarea unei surse se poate evalua utiliznd funciile de culoare x(), y(),
z()numite i tristimulus, reprezentate n figura ( ), stabilite de ctre Comisia
internaional de iluminare. Curba y() este normat la valoarea
corespunztoare lungimii de und de 550 nm i reprezint de fapt rspunsul
fotopic al ochiului. Coordonatele tristimulus X, Y, Z ale unei surse cu fluxul
spectral radiant total () sunt date de expresiile:
X = () x() d
Y = () y() d
Z = () z() d
Coordonatele cromatice se calculeaz din relaiile:
x = X/(X+Y+Z) y = Y/(X+Y+Z) z = Z/(X+Y+Z)
unde X, Y, Z sunt date de relaiile ( ) pentru o surs nemonocromatic, iar
pentru o surs monocromatic sunt valorile citite pe curbele din figura ( ) la
lungimea de und respectiv. Coordonatele cromatice sunt definite astfel nct
x+y+z=1. Aceast relaie arat c este suficient s identificm numai dou din
coordonate, de exemplu x i z, cealalt coordonat fiind apoi uor determinat.
Astfel harta de culoare se reprezint proiectat n spaiul cu dou dimensiuni n
planul xy. Harta standard de culoare este reprezentat n figura ( ). Pe
diagram sunt delimitate regiunile care corespund semnalelor de culoare roie,
galben, verde i albastr. Culoarea luminii emise se poate determina prin mai
multe metode: cu ochiul liber, dup distribuia spectral sau printr-o metod
tristimulus cu filtre [31]. Metoda perceperii cu ochiul liber este cea mai rapid
ns cea mai puin exact deoarece perceperea nuanei culorii poate diferi de la
om la om. Metoda distribuiei spectrale const n msurarea fluxului emis pe
intervale , care depind de lrgimea fantei monocromatorului i determinarea
coordonatelor tristimulus din relaiile:
X = () x()() Y = ()y()() Z = ()z()()
n care sumarea se face pe domeniul vizibil. Calibrarea instalaiei se face cu
ajutorul unei lmpi a crei distribuie spectral este cunoscut, de exemplu un
bec de wolfram. Se determin coordonatele cromatice x, y, z i din diagrama
din figura ( ) se determin culoarea.
n metoda tristimulus se nregistreaz lumina emis cu ajutorul a trei detectori,
fiecare detector avnd sensibilitatea spectral corespunzoare funciilor de
culoare x(), y(), z(). Curenii prin fotodetectori sunt proporionali cu
coordonatele tristimulus X, Y, Z. Se determin apoi coordonatele cromatice.
Dificultatea const n realizarea unor detectori cu sensibilitate spectral
corespunztoare funciilor de culoare. De obicei acest lucru se realizeaz prin
aezarea n faa detectorilor din siliciu sau seleniu a unor filtre care constau din
mai multe straturi de sticl colorat.
Temperatura de culoare a unei surse este temperatura pe care trebuie s o
aib un corp negru pentru a produce aceeai senzaie de culoare ca i sursa
considerat. Temperatura de culoare nu coincide cu cea a filamentului,
diferena dintre ele fiind pn la 100 K. Pentru multe din lmpile standard
temperatura de culoare este n condiii normale de funcionare egal cu 2870K.
n unele cazuri pe sursa de lumin se nscrie temperatura de culoare.
Msurarea timpului de cretere
n multe aplicaii practice este necesar s se obin puteri radiante ct mai mari
de la diodele luminescente. n asemenea cazuri trebuie ca prin diod s treac
cureni de valoare mare i datorit evitrii nclzirii dispozitivului peste limita
admis se lucreaz n impulsuri. nclzirea dispozitivului se datoreaz puterii
electrice disipate, Pe; temperatura Tj a jonciunii crete peste valoarea Ta a
temperaturii mediului ambiant cu valoarea RtPe, unde Rt este rezistena termic
(se msoar n C/W).
Tj=Ta+ RtPe
Valoarea maxim a lui Pe depinde de temperatura maxim admis pentru
jonciune [11] i de rezistena termic jonciune-mediu ambiant. n multe cazuri
Rt=500C/W. Pe=UI, unde U i I sunt tensiunea i curentul la polarizarea
direct a jonciunii. n cazul funcionrii n impulsuri, Pe=UI unde este
raportul dintre lrgimea pulsului i perioad (perioada este egal cu suma dintre
lrgimea pulsului i distana dintre dou pulsuri). Dac =1/100 aceasta
nseamn c n cazul funcionrii n impulsuri produsul "UI" poate s aib
valoarea de 100 ori mai mare dect n cazul funcionrii n curent continuu. O
problem care apare n tendina de mrire a lui este cea a limitrii valorii
minime a frecvenei f a pulsurilor (f este numrul de pulsuri pe secund).
Valoarea minim a lui f este frecvena de licrire, adic frecvena peste care
dioda emite lumin de strlucire constant; sub aceast frecven, care este
cuprins ntre 8 i 30 pulsuri pe secund, strlucirea luminii emise apare
intermitent (dioda licrete).
Cu ajutorul circuitului reprezentat n figura ( ) se poate msura la oscilograf
tensiunea pe diod n cazul lucrului n pulsuri i gsi valoarea maxim a
tensiunii admise i modificnd frecvena pulsurilor se poate gsi frecvena de
licrire. Rezistena R din circuit are valoare mare astfel nct generatorul de
pulsuri s funcioneze pentru diod ca surs de curent.
O alt problem este legat de timpul de rspuns al diodei luminescente, care se
determin din compararea la un oscilograf cu dou canale a pulsului de intrare
cu cel de ieire. n acest scop se utilizeaz instalaia din figura ( ). Timpii de
rspuns (de cretere) ai diodei i detectorului sunt n general mai mari dect ai
osciloscopului i ai generatorului, astfel nct acetia din urm se por neglija.
Timpul de cretere al sistemului este:
s = ( L2 + D2)1/2
unde Leste timpul de rspuns al diodei luminescente i
D timpul de rspuns al detectorului.
Dac detectorul este o fotodiod PIN, timpul de cretere este sub o
nanosecund, astfel c S=L i deci din msurarea lui S rezult direct valoarea
lui L .
Msurarea rezistenei termice a diodei luminescente
Pentru msurarea rezistenei termice, definit de ecuaia ( ), trebuie msurate
temperatura jonciunii Tj, temperatura suportului Ts (n acest caz se determin
rezistena termic diod-suport) precum i puterea disipat. O metod de
msur este s se traseze grafic variaia cu temperatura a poziiei maximului
emisiei pentru dou valori ale curentului electric
FOTODIODA

1. Consideraii generale
Un semiconductor iluminat genereaz o tensiune fotoelectromotoare:
1. dac semiconductorul este iluminat neuniform,
2. dac n semiconductorul iluminat exist un cmp electric, magnetic,
gradient de impuriti sau un gradient de temperatur.
n situaii reale, fiecare din aceste posibiliti influeneaz mai mult sau mai
puin efectul global msurat. Este interesant de studiat tensiunea
fotoelectromotoare produs numai de una din cauzele de mai sus i nu un efect
sum. n primul caz, cnd semiconductorul este iluminat neuniform, avem de a
face cu efectul Dember, iar n cazul cnd semiconductorul este iluminat
uniform n cmp magnetic obinem efectul fotoelectromagnetic. Cazul cnd n
semiconductorul iluminat exist un gradient de temperatur sau de centri de
recombinare este mai puin studiat n literatur i nu prezint o deosebit
importan practic.
Ne vom ocupa numai de comportarea unui semiconductor iluminat n care
exist un camp electric intern cauzat de prezena gradienilor impuritilor
donoare i acceptoare. Dac este iluminat regiunea n a jonciunii p-n atunci n
vecinattea suprafeei se vor crea perechi electron-gol a cror concentraie va
scdea treptat spre interiorul semiconductorului. S presupunem c stratul de
baraj al jonciunii se afl la o distan comparabil cu lungimea de difuzie a
puttorilor. n acest caz perechea elecron-gol intnd n cmpul intern al
stratului de baraj va fi separat. Electronii vor fi dirijai spre regiunea n a
jonciunii iar golurile spre regiunea p. Prin urmare echilibrul termodinamic al
jonciunii este perturbat, iar acest lucru se materializeaz prin apariia unei
diferene de potenial care cauzeaz trecerea unui curent prin circuitul exterior
al fotoelementului.

2. Teoria efectului fotoelectric n jonciunea p-n

Teoria efectului fotoelectric n jonciunea p-n a fost fcut de Cummerow care
pentru a calcula caracteristica curent-tensiune n funcie de radiaia incident a
fcut urmtoarele ipoteze:
grosimea stratului de baraj "2" este mic n comparaie cu lp i ln
(grosimile regiunilor p i respectiv n), ct i n comparaie cu lungimile de
difuzie ale electronilor Ln i golurilor Lp;
cmpul electric n afara stratului de baraj este mic aa c poate fi neglijat;
 concentraiile golurilor n regiunea p i ale electronilor n regiunea n sunt
mici, aa c peste tot se poate folosi statistica Boltzmann (nedegenerare).
Jonciunea p-n este considerat plan aa c problema poate fi tratat n cazul
unidimensional. Se ilumineaz regiunea p a jonciunii normal pe planul
jonciunii. Curentul total I, care este constant pe lungimea fotoelementului, se
poate scrie ca fiind suma curenilor de electroni In i goluri Ip n oricare seciune
perpendicular pe direcia x. n seciunea x=0 (planul jonciunii) vom avea:
I = Ip(0) + In(0) (1)
Conform ipotezelor fcute Ip(0)=Ip() i In(0)=In() i deci putem scrie:
I=Ip()+In() (2)
A doua ipotez conduce la relaiile:
In() = qDn(dn/dx)x= Ip() = qDp(dp/dx)x= (3)
unde Dn si Dp sunt coeficienii de difuzie a electronilor i respectiv golurilor iar
q este sarcina electronului. Prin urmare, pentru a calcula curenii trebuie s
cunoatem distribuia purttorilor de neechilibru pe lungimile regiunilor n i p.
Folosind ecuaia de conservare a numrului de goluri, putem scrie urmtoarea
ecuaie diferenial pentru concentraia golurilor din regiunea n, n regim
staionar:
d2p/dx2 p/Lp2 = pn / Lp2 g(x) p / Lp2 (4)
unde pn este concentraia de echilibru a golurilor din regiunea n, g (x) este
numrul de goluri creat de lumin n unitatea de timp i volum iar p este timpul
de via al golurilor. Aceast ecuaie se rezolv folosind urmtoarele condiii la
limit:
p=pn, pentru x=ln
p=pn e (qU/kT)
pentru x=
Dac pe unitatea de suprafa a regiunii p la x = lp cad n unitatea de timp Hs
cuante i fiecare cuant creaz un electron atunci putem scrie:
g(x) = (Hs / L ) exp[ (lp + x) / L ]
unde (l/L) este coeficientul de absorbie a luminii. Prin urmare, ecuaia
diferenial (4) se poate transcrie astfel:
d2p/dx2 p/Lp2 = [Hs /(LDp)]exp[(lp+x)/L ]pn /Lp2 (5)
Soluia acestei ecuaii cu condiia la limit (5) este,
p={pnexp[2U/(kT)]pnAexp(lp /L)}exp(x/Lp)+
 + Aexp[(lp+ x)/L]+ pn (6)
unde
A = HsLLp2 / [Dp(L2 Lp2 )]
O expresie analoag se poate gsi i pentru concentraia electronilor n regiunea
p. Folosind aceste ecuaii i relaiile (2) i (3) pentru curentul total care trece
prin jonciune obinem urmtoarea expresie:
I = q(eqU / (kT) 1)(gpLp' + gnLn' ) qgo(L1 +L2 ) (7)
unde: gn = np /n i gp = nn /p reprezint vitezele de generare termic a
purttorilor iar Lp este lungimea de difuzie efectiv a golurilor n regiunea n a
jonciunii i este dat de expresia:
Lp' = Lptg(ln / Lp ) (8)
n cazul cnd ln >>Lp se poate scrie ca Lp' Lp go este viteza de generare optic
a perechilor electron-gol n punctul x=0 i este dat de formula:
go = (Hs / L ) exp( lp / L ) (9)
L este adncimea efectiv unde are loc generarea de perechi electon-gol sub
aciunea luminii n regiunea n a jonciunii p-n i este dat de:
L1 =(Lp/L)[1sech(ln/Lp)exp(ln/L)th(ln/Lp)]LpL2/(Lp2L2) (10)
O expresie analoag se poate scrie i pentru L2. Introducnd notaiile:
qgpLp = Ips , qgnLn = Ins , qgo(L1 + L2 ) = IL
obinem formula caracteristicii curent-tensiune a fotoelementului:
I = (Ips + Ins)(eqU / (kT) 1) IL (11)
Primul termen din (11) coincide cu caracteristica curent-tensiune a unei
jonciuni p-n la ntuneric. Al doilea termen din (11) este proporional cu
intensitatea radiaiei incidente i reprezint fotocurentul.
Trebuie subliniat faptul c efectele de suprafa pot influena considerabil
funcionarea fotoelementelor. Pentru a lua n considerare n calculele fcute mai
sus efectele de suprafa ar trebui modificat condiia la limit (5) astfel:
(Dpdp /dx )x=ln = s(ppn )x=ln (12)
unde s este viteza de recombinare la suprafa. Aceast condiie la limit
nseamn c are loc un proces suplimentar de recombinare datorit difuziei
purttorilor spre suprafa. O condiie analoag trebuie folosit i pentru x=lp.
n final se obine o formul de tipul (7) unde mrimile Lp, Ln, L1 i L2 vor
conine i vitezele de recombinare pe cele dou suprafee ale fotoelementului.
3. Schema echivalent a fotoelementelor
Folosind rezultatele teoretice de mai sus, putem asocia unui fotoelement o
schema echivalent care s dea aceeai caracterisctic curent-tensiune. Schema
echivalent simpl care descrie funcionarea unui fotoelement la iluminarea
continu este prezentat n figura 1.
F o to d io d a id e a la
IL

I1

R S I

Figura 1. Schema echivalent a fotodiodei.

Aciunea luminii asupra fotoelementului este luat n coniderare n aceast
schem prin introducerea sursei de curent IL a crei mrime este determinat de
intensitatea i compoziia spectral a radiaiei incidente. Mrimea IL este egal
cu curentul efectiv de electroni i goluri creat de lumin, care nu s-au
recombinat pn la procesul de separare din stratul de baraj. Recombinarea
perechilor de electroni i goluri create de lumin este reprezentat n schem
prin introducerea barierei inactive fotoelectric prin care trece curentul I1. n
circuitul exterior prin rezistena de sarcin Rs trece curentul I. Din aceast
schem se poate observa c:
I = I1 IL (13)
Dac U este tensiunea pe rezistena de sarcin i implicit pe stratul de baraj
atunci:
Il = Is(eqU / (kT) 1) (14)
n cazul unei jonciuni p-n abrupte pentru Is se obine expresia:
Is = (kT/q) [bi2 / (1+ b2 )] (n / Ln + p / Lp ) S (15)
unde i este conductibilitatea semiconductorului intrisec, b este raportul
mobilitilor, sunt rezistivitile regiunilor n i respectiv p ale jonciunii, Ln i
Lp sunt lungimile de difuizie ale electronilor i respectiv golurilor iar S este
suprafaa jonciunii.
Din (13) i (14) se poate obine formula care reprezint familia de caracteristici
curent-tensiune a fotoelementului, parametru fiind intensitatea radiaiei
incidente:
I = Is(eqU / (kT) 1) IL (16)
n figura 2 este prezentat o familie de caracteristici curent-tensiune, a unui
fotoelement din Si pentru diferite intensiti ale radiaiei incidente. Curba care
trece prin originea axelor de coordonate corespunde lui IL = 0 (lipsa iluminrii).
Putem observa c odat cu creterea intensitii radiaiei incidente,
caracteristicile curent-tensiune se deplaseaz n jos i traverseaz cadranul IV al
sistemului de axe. Aici jonciunea p-n iluminat se comport ca o surs de
curent, iar circuitul exterior ca o rezisten de sarcin. Fiecare punct al
caracteristicilor din cadranul IV corespunde unei anumite rezistene de sarcin.
Intersecia caracteristicii cu axa tensiunilor corespunde rezistenei de sarcin RS
= , iar cea cu axa curenilor lui RS =0.
I( A )

40
1 ,6 1 0 ,6 2 0 U (V )
0 ,2 1
20

60

100

140

Figura 2. Curentul fotodiodei n funcie de tensiune la diverse iluminri.

n figura 3 este artat poriunea de caracteristic curent-tensiune discutat mai
sus i care nu reprezint altceva dect poriunea de sarcin a fotoelementului n
care funcioneaz ca transformator al energiei luminoase n energie electric.
Dac fotoelementul este scurtcircuitat (Rs=0) atunci n circuit se stabilete
curentul Isc a crui mrime este determinat de calitatea fotoelementului i
intensitatea radiaiei incidente.
I U R S= in fin it
U

R S

ISC
R S= 0

Figura 3. Elementele importante ale caracteristicii I-V din cadranul 4.

 S c h e m a e c h iv a le n t a
a f o to d io d e i r e a le IL

rd I1

rS

R S I

Figura 4. Schema echivalent real (complet) a fotodiodei.

Analiza fcuta mai sus, rezult din schema echivalent simpl a
fotoelementului din figura 1 care nu ine seama de exisenta rezistenei serie a
jonciunii p-n, de rezistena contactelor sau de rezistena de scurgere. n figura
4 este prezentat schema echivalent real a unui fotoelement iar rd este
rezistena serie a jonciunii p-n. n acest caz caracteristica curent-tensiune a
fotoelementului are urmtoarea form:
ln[(I + Il )/Is (UIrd ) / (Isrs )] = q(UIrd ) / (kT) (17)
care se poate deduce uor din schema echivalent (fig. 4).
Pentru fotoelemente se mai definete sensibilitatea integral care este raportul
dintre diferena curenilor la lumin i ntuneric exprimat n mA i valoarea
fluxului de lumin cu compoziia spectral corespunztoare radiaiei
wolframului nclzit la 2840 K, exprimat n lumeni. Aceast definiie
presupune implicit c sensibilitatea fotoelementului nu depinde de intensitatea
fluxului luminos sau c fotocurentul variaz liniar cu fluxul incident. Acest fapt
este valabil numai n cazul iluminrilor slabe cnd rezistena stratului de baraj
rmnne mai mare dect rezistena serie a fotodiodei. O alt cauz a
neliniaritii fotocurentului n funcie de intensitatea luminii la intensiti mari
const n aceea c timpul de via al purttorilor minoritari depinde de nivelul
injeciei (aici de intensitatea luminii).

4. Instalaia experimental
n instalaia experimental se msoar tensiunea fotoelectric i caracteristicile
curent-tensiune la ntuneric i la diferite intensiti ale radiaiei incidente.
Tensiunea fotoelectromotoare se poate gsi din (16) fcnd I=0 i deci vom
avea:
Uf = (kT/q) ln(1 IL / Is ) (18)
Dac se introduce o rezisten de sarcin Rs n serie cu fotodioda atunci va trece
un curent I = Uf / RS i deci din (16) obinem:
 IL Is {exp[qUf / (kT)] 1} = Uf / RS (19)
Ecuaia (19) descrie funcionarea fotoelementelor atunci cnd ele funcioneaz
ca transformatoare de energie luminoas n energie electric.
Dac fotoelementul este polarizat invers cu tensiunea U, atunci (19) se
modific astfel:
IL Is {exp[q(Uf U) / (kT)] 1} = (Uf U) / RS (20)
Expresia (20) reprezint ecuaia fundamental a fotoelementului n regim de
fotodiod. La tensiuni inverse mari I IL + IS , iar pentru tensiuni directe U>Uf
obinem ecuaia obinuit a unei jonciuni p-n.
Tensiunea fotoelectromotoare se msoar cu ajutorul unui voltmetru digital cu
rezisten de intrare mare, pentru diferite intensiti ale radiaiei incidente.
Conectnd fotodioda n serie cu o surs de tensiune U reglabil i cu o
rezisten de sarcin Rs reglabil se poate ridica caracteristica curent-tensiune.
Dac tensiunea invers aplicat fotodiodei este suficient de mare astfel nct
curentul invers s intre n regiunea de saturaie, atunci msurnd tensiunea cu
ajutorul voltmetrului pe o rezisten cunoscut putem determina mrimea Is+IL
cnd fotoelementul este iluminat i Is cnd este la ntuneric. Practic, pentru
determinarea mrimilor Is i IL, se ridic caracteristicile curent-tensiune la
ntuneric i la diferite intensiti ale radiaiei incidente, iar poriunile de
saturaie ale curenilor se extrapoleaz la U=0.
Verificarea principalelor caracteristici ale fotoelementelor se face folosind
procedura descris mai jos.
1. Se msoar tensiunea fotoelectromotoare pentru diferite intensiti ale
radiaiei incidente. Se construiete graficul Uf = f(1/d2) unde d este
distana de la sursa de lumin pn la fotodiod. S se explice rezultatul.
2. Fr surs de tensiune n circuit se msoar tensiunea fotoelectromotare de
pe rezistena de sarcin Rs pentru diferite valori ale acesteia. Se face
graficul Uf=f (Rs) pentru dou intensiti ale radiaiei incidente.
3. Se ridic caracteristicile curent-tensiune la ntuneric i pentru diferite
intensiti ale radiaiei incidente. Din rezultatele obinute s se gseasc Is
i IL i s se verifice relaia (18). n acest scop pentru fiecare intensitate a
luminii incidente trebuie msurat i tensiunea fotoelectromotoare.
4. Se ridic caracteristica lux-amper a fotoelementului msurnd fotocurentul
pentru diferite distane ale sursei de lumin pn la fotodiod. Se va trasa
graficul IL = f (/d2 ) unde este fluxul luminos incident corespunztor
sursei folosite (se d n laborator).
5. Se afl sensibilitatea integral a fotoelementului studiat cu relaia:
 Sf = IL / [mA/lumen]
ntrebri
1. Ce este rezistena intern a jonciunii p-n i cum se poate determina?
2. De ce sensibilitatea fotodiodei este mai mare la polarizare invers dect la
cea direct?
TRANZISTORI CU POART JONCIUNE "TECJ"

Construcia TEC-J
Simbolurile de reprezentare uzuale ale tranzistorilor cu efect de cmp cu
poart jonciune, TEC-J cu canal N, respectiv cu canal P, sunt artate n figura
1.
D re n a D re n a
(U D> 0 ) (U D< 0 ) ID
D D
ID P o a rta G
P o a rta G
(U G < 0 ) (U G > 0 )
S S
S u rs a S u rs a
(U S= 0 ) (U S= 0 )
T E C -J c u c a n a l N T E C -J c u c a n a l P
Figura 1. Simbolul tranzistorului cu efect de cmp cu poart jonciune.
Structura tranzistorului cu efect de cmp cu poart jonciune, TEC-J cu
canal N, este artat n figura 2. Pe un substrat semiconductor de tip P se
realizeaz succesiv o regiune de tip N, ce constituie canalul propriu-zis prin
care va circula curentul electric, apoi o regiune de tip P care constituie poarta
(grila, gate) G. La capetele canalului se fixeaz contactele ohmice care vor
constitui sursa S i drena D. Regiunea P este puternic dopat fa de regiunea
N, astfel ntre poar i canal este o jonciunie de tipul P+N (TEC-J cu canal N).
P o a rta
S u rs a (U G < 0 ) D re n a
(U S= 0 ) (U D> 0 )

f ilm m e ta lic
P o a rta tip P +

C a n a l tip N
s u b s tra t tip P +

Figura 2. Structura intern a TEC-J.

Tensiunea UG, negativ fa de surs, care se ia ca referin de potenial,
aplicat porii, comand curentul ID din canalul conductor dintre surs i dren.
Curentul este influenat pn la un moment dat i de tensiunea UD dintre surs
i dren, cum vedem din caracteristicile curent-tensiune prezentate n figura 3.
 ID
(m A ) U D = |U T -U |
G
60 U G =0V

40
U T= -6 V U G = -2 V
20

U G = -4 V

U D (V )
U G(V ) -4 -2 0 3 6 9 12
Figura 3. Curentul ID prin canalul surs-dren n funcie de tensiunea UD surs-
dren i de tensiunea dintre surs i poart UG (invers)

Funcionarea TEC-J
Pentru nelegerea funcionrii TEC-J vom folosi modelul fizic simplificat din
figura 4. Lungimea tehnologic a canalului este "L", limea "", iar grosimea
sa "d". Grosimea canalului este modificat de regiunea de sarcin spaial a
jonciunii porii G. Datorit faptului c jonciunea este puternic asimetric,
regiunea de sarcin spaial este mult mai mare n interiorul canalului, regiunea
din interiorul porii fiind foarte ngust (ntruct ea nu influeneaz funcionarea
TECJ, va fi neglijat n viitor).
O tensiune mare de polarizare invers a jonciunii, corespunde la o grosime "w"
mare a regiunii de sarcin spaial. Regiunea de sarcin spaial fiind golit de
purttori mobili de sarcin electric are o rezisten electric foarte mare,
practic este un izolator electric. Din aceast cauz grosimea canalului prin care
circul electronii scade de la valoarea "d" la valoarea "dw". Conductana
electric a canalului (inversul rezistenei) este dat de relaia bine cunoscut:
G = 1/R = (dw)/L (1)
unde: = qNdn conductivitatea electric a stratului N;
q sarcina electronului;
Nd concentraia de electroni din canal (implicit atomi donori);
n mobilitatea electronilor din canal;
w grosimea stratului de sarcin spaial din canal:
w = [(Vb UG)2 / (qNd)]1/2 (2)
unde: UG tensiunea pe poart fa de surs (<0);
Vb potenialul de difuzie al jonciunii.
 P o a rta P o a rta P o a rta
(U G = 0 ) canal N (U T< U G < 0 ) (U G= U T)
S u rs a D re n a
(U S= 0 ) (U D~ 0 )
w
w
d
d
I stra t d e I I= 0
G =G L b a ra j G <G G =0
0 0

Figura 4. Modelul fizic simplificat al TEC-J.

Cnd grosimea stratului de sarcin spaial obtureaz complet canalul,
tranzistorul nceteaz s conduc curentul electric (G=0):
w=d
sau: (3)
|UG| = |UT| = qNdd2 /(2) Vb
unde UT (<0) reprezint tensiunea de tiere (blocare), sau tensiune de prag.
Sub aceast tensiune de poart UT, tranzistorul este blocat.
Notnd cu Go = d/L conductana maxim a canalului, putem rescrie relaia
(1) ca:
G = Go(1w/d)
sau: (4)
G = Go[1 (VbUG)1/2 / (VbUT)1/2]
Aplicnd drenei o tensiune UD (>0) fa de surs, suficient de mic pentru a nu
perturba sarcina spaial (UD<<|UG|) va circula prin TECJ un curent de dren ID
dat de relaia:
ID = UDG (5)
Fiindc avem un curent ID proporional cu tensiunea UD, se spune c
tranzistorul funcioneaz n domeniul liniar. n acest domeniu el se comport
ca o rezisten variabil cu valoarea comandat de diferena de potenial dintre
surs i poart UG.
Mrind tensiunea de dren, nu mai putem neglija faptul c jonciunea porii nu
mai este polarizat uniform. Tensiunea de polarizare invers este UG lng
surs i crete n valoare absolut pn la |UG UD| lng dren. n mod
corespunztor crete grosimea stratului de baraj i implicit scade grosimea
canalului de la surs spre dren, ca n figura 5. Din aceast cauz rezistena
canalului este mai mare, iar curentul crete mai lent dect liniar, cu creterea
tensiunii de dren. Atunci cnd lng dren grosimea stratului de baraj egaleaz
grosimea canalului, curentul nceteaz s creasc i n continuare rmne
constant, chiar dac cretem tensiunea de dren (fenomen de gtuire a
canalului, "pinch-off"). Se spune c tranzistorul funcioneaz n domeniul de
saturaie.
Tensiunea de dren la care se instaureaz saturaia, tensiunea de saturaie, se
determin din condiia ca grosimea stratului de baraj lng dren s fie egal cu
grosimea canalului, la fel ca n relaia (3):
|UG UD sat| = qNdd2 /(2) Vb = |UT|
sau: (6)
UDsat = |UT| |UG|
P o a rta P o a rta
(U T< U G < 0 ) stra t d e (U T< U G < 0 )
b a ra j
S u rs a D re n a
(U S= 0 ) D re n a U D = |U T - U |
G
U D < |U T- U |
w G w
d d
canal N p in c h -o f f
I I " g a tu ire "
Figura 5. Efectul cderii de tensiune surs-dren UD asupra canalului.
Un caz particular este cel al tensiunii nule pe poart, cnd UDsat=|UT|, iar
curentul de saturaie prin tranzistor este:
IDSS = (2/3)Go|UT| (7)
un parametru important al TECJ. Curentul de saturaie se calculeaz n
celelalte cazuri cu relaia empiric aproximativ:
IDsat IDSS (1UG /UT)2 (8)
Curentul de dren pe tot domeniul de tensiuni de dren pn la tensiunea de
saturaie este dat de o relaie mai complicat, formula fundamental a TECJ:
ID=Go{UD(2/3)[(UD+VbUG)3/2(VbUG)3/2]/(VbUT)1/2} (9)
n care nlocuind valoarea tensiunii de saturaie (6) gsim:
IDsat=Go{[(2/3) (VbUG)1/2/(VbUT)1/21] (VbUG)+ (VbUT)/3} (10)
Din punct de vedere practic este important conductana mutual:
gm = ID /UG = Go[1(VbUG)1/2/(VbUT)1/2] (11)
Ea ne spune ce variaie de curent de dren apare n circuitul dren-surs, pentru
o variaie dat a tensiunii dintre poart i surs. Conductana mutual, definit
pentru regiunea de saturaie de relaia (11), este egal cu conductana canalului
n regiunea liniar conform relaiei (4).
n concluzie trebuie subliniate dou particulariti importante ale tranzistorului
TECJ:
 conductana canalului este comandat de un cmp electric;
n interiorul canalului, purttorii de sarcin au o micare de drift, procesele
de difuzie pot fi neglijate.
TRANZISTORUL CU EFECT DE CMP
Tranzistorul cu Efect de Cmp tip Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS, n
englez MOSFET, Field Effect Tranzistor) este un dispozitiv semiconductor cu 3
terminale:
1. Sursa electrodul de unde pleac sarcinile electrice,
2. Drena electrodul ctre care se ndreapt sarcinile electrice,
3. Poarta electrodul care comand comportarea dispozitivului.

D re n a
BS170
IR F
830
D re n a S u rs a

G r ila S u rs a

D G S
P o a r t a ( G r ila ) G D S
D re n a

Figura 1. Tranzistori cu efect de cmp (capsule).

Poarta este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de oxid de
siliciu. Cnd se aplic o tensiune ntre poart i surs ("+" pe poart i "" pe
surs pentru MOSFET cu canal N) se creaz ca ntr-un condensator plan un
cmp electric. Cmpul electric creat atrage lng suprafa electroni.
Pn la o anumit tensiune de prag VP sarcinile de lng suprafa nu sunt
suficiente pentru crearea unui canal conductor ntre surs i dren. Peste
valoarea de prag cmpul reuete s aduc suficiente sarcini electrice lng
suprafa i conductana (inversul rezistenei electrice) canalului dintre surs i
dren crete.
Curentul ID dintre surs i dren va fi cu att mai mare cu ct va fi mai mare
tensiunea aplicat porii UGS i tensiunea aplicat ntre dren i surs UDS (dac
UGS >> UDS cu "+" pe dren i "" pe surs):
ID = (UGS VP)UDSK
unde K este o constant ce depinde de detaliile constructive ale TEC.
Dac UDS > UGS curentul prin canal nu mai crete din cauza ngustrii canalului
lng dren datorit cmpului invers ce apare ntre poart i dren. Curentul
de saturaie are valoarea limit:
ID = (UGS VP)2K/2
 ID (m A )
60 U G S =U DS

V P = 1 ,5 V U GS =6V
40

U G S =4V
20
U G S =2V
U G S (V ) U DS (V )

4 2 0 3 6 9 12
Figura 3. Curentul drenei n funcie de tensiunea grilei i cea a drenei
Tranzistorul cu efect de cmp tip MOS (Metal-Oxid-Semiconductor) are o
structur ca cea din figura 4. Doi electrozi, sursa i drena, realizai pe dou
insule tip n, ntr-un substrat intrinsec (sau slab p), sunt separai pe o distan L
de un canal a crui conductivitate este modulat de al treilea electrod , poarta
(grila, gate), un film metalic separat de semiconductor printr-un strat izolator
( de obicei bioxid de siliciu).
G r ila
S u rs a
F ilm
m e ta lic D re n a

O x id
tip N tip N

C a n a l tip N

S u b s tr a t in tr in s e c s a u tip P

Figura 2. Structura unui tranzistor cu efect de cmp tip MOS

Dimensiuni tipice:
Suprafaa total de siliciu => 150 2 (10 x 15)
Adncimea zonelor sursei i drenei => 5 -10
Distana dintre surs i dren (L) => 10 -20
Grosimea oxidului => 0,1
n continuare discutm despre TEC-MOS cu canal indus de tip n. Fr
polarizarea porii (fr tensiune pe poart) nu avem practic conducie ntre surs
i dren deoarece acestea apar ca dou jonciuni p-n legate n opoziie astfel c
indiferent de polaritatea tensiunii aplicate ntre surs i dren una din jonciuni
va fi polarizat invers, bolcnd calea de conducie ntre surs i dren prin
semiconductorul intrinsec.
Cnd poarta este pozitiv fa de substrat, cmpul electric generat prin stratul
de oxid va atrage electroni sub stratul de oxid. Cnd sarcinile electrice atrase
sunt n cantitate suficient constituie o cale de rezisten mic pentru curentul
electronic dintre surs i dren. Se creaz astfel un canal conductor pentru
curentul dintre surs i dren. Acest canal este indus de ctre electrodul poart,
iar conductana lui depinde de diferena de potenial dintre poart i surs.

Relaia curent-tensiune pentru un tranzistor cu efect de cmp

Densitatea de curent prin canal este dat de legea lui Ohm:
J(y) = Ey (1)
unde este conductivitatea electric a semiconductorului n zona canalului,
conductivitate de tip n:
= qn (2)
cu n densitatea de electroni, q saracina elementar, mobilitatea electronilor.
Curentul printr-o seciune a canalului l obinem integrnd (1) dup x i z pe
suprafaa canalului. Se ine seama c mrimile integrate nu depind de z,
integrarea reducndu-se la o simpl multiplicare cu , limea canalului, iar
dependen de x are doar concentraia electronilor n:
I(y) = qEy ndx (3)
c a m p e le c t r ic
dy y o x id
0

c u re n t canal

x s e m ic o n d u c to r

L = lu n g im e c a n a l

Figura 4. Curentul sursei i cmpul electric al grilei n canalul tranzistorului

Aplicm teorema lui Gauss pe o suprafa paralelipipedic de grosime dy.
Avem flux al cmpului electric doar pe suprafaa din oxid, pe lateral cmpul
este paralel cu suprafeele, iar suprafaa de jos e suficient de adnc plasat n
semiconductor pentru a avea cmpul zero:
 S EdS = v (/) dV
Eoxid S = (qS/) n dx
Eoxid = (q/) n dx (4)
Acest rezultat ne permite s rescriem relaia (3) ca:
I(y) = EyEoxid (5)
Cmpul electric pe direcia Oy este creat de diferena de potenial ntre surs i
dren VDS i putem s-l scriem ca gradient al potenialului:
Ey = dV/dy (6)
Cmpul electric din oxid, pe direcia Ox, este creat de diferena de potenial
dintre gril i surs , VGS, lng surs. Potenialul la suprafaa
semiconductorului se schimb atunci cnd ne deplasm pe direcia Oy de la
surs la dren. Cnd trece curent prin canal apare cderea de tensiune rezistiv
pe direcia Oy din canal V(y). Aceasta modific diferena de potenial dintre
gril i semiconductor de-a lungul canalului. Calculm cmpul din oxid, pe
direcia Ox, ca la un condensator plan cu w, grosimea stratului de oxid, ca
distan dintre armturi:
Eoxid = [UGS V(y)]/w (7)

C a m p u l e le c tr ic d in o x id P o a r ta ( s t r a t m e ta lic )

O x id

S u rs a D re n a

C a m p u l e le c tr ic d in c a n a l
S t r a t d e in v e r s iu n e

Figura 5. Influena curentului din canal asupra cmpului electric din oxid
Introducnd relaiile (6) i (7) n expresia curentului (5) avem:
I(y) = [(UGS V)/w] dV/dy (8)
sau separnd variabilele V i y:
I(y)dy = (/w) (UGS V)dV (9)
i integnd dup y de la 0 la L, lungimea canalului, iar dup V de la 0 la UDS,
tensiunea drenei, obinem:
IDdy = (/w) (UGS V)dV (10)
innd seama de faptul c pe direcia Oy curentul I(y) nu se modific, el fiind
egal chiar cu curentul de dren ID, avem:
ID = (UGSUDS U2DS /2) / (w L) (11)
relaia de baz a funcionrii tranzistorului, valabil pn la tensiuni UDS egale
cu UGS.
Pentru tensiuni surs-dren UDS mult mai mici dect tensiunea gril-surs UGS
se poate neglija termenul ptratic VDS din paranteza din relaia (11) avnd:
ID = UGSUDS / (w L) (12)
sau conductana canalului tranzistorului este:
gDS = ID /UDS = UGS / (w L) (13)
liniar dependent de tensiunea aplicat grilei UGS.
Pentru tensiuni surs-dren UDS mai mari dect tensiunea gril-surs UGS se
formeaz o mic regiune de srcire la captul dinspre dren al canalului. Din
cauza cmpului electric intens care apare aici (implicit cderii mari de tensiune)
curentul comandat din surs pentru UGS = UDS va rmne n continuare constant
la creterea tensiunii VDS peste valoarea VGS.

C a m p u l e le c tr ic d in o x id P o a r ta ( s t r a t m e ta lic )

O x id

S u rs a D re n a

S tr a t d e in v e r s iu n e C a n a l s a tu ra t

Figura 6. Gtuirea canalului pentru tensiuni de dren mai mari dect

potenialul grilei
Folosind (11) valoarea curentului pentru UDS UGS este:
ID = UGS2 / (2 w L) (14)
Dependena curentului de potenialul porii VGS este ptratic.

Explicaia fizic a formrii canalului

ntr-o structur metal (poart) - izolator (oxid) - semiconductor siliciu (tip p ),
structur MIS sau MOS, aplicnd pe stratul metalic al grilei o tensiune negativ
fa de semiconductor (aflat la potenialul sursei), cmpul electric creat va
atrage goluri la suprafa. Se creaz la suprafa un strat de acumulare a
golurilor (purttori majoritari) lng interfaa oxid - siliciu care determin i
curbarea benzilor ca n figura . Jonciunile de la surs i de la dren sunt mai
puternic polarizate invers, deci nu va circula curent ntre surs i dren.
Dac pe poart se aplic o tensiune pozitiv mic, n semiconductor se induce o
sarcin negativ determinat de cmpul electric care respinge golurile din
apropierea suprafeei, lsnd n urma lor o regiune golit cu sarcin spaial
format din ionii acceptori necompensai (qNA). Se creaz la suprafa un strat
srcit care determin i curbarea benzilor ca n figura , nivelul Fermi
deprtndu-se de banda de valen. Sarcina pe unitatea de suprafa va fi
sarcina coninut n regiunea golit mprit la suprafaa regiunii:
Qs = qNASxp /S = qNAxp (15)
iar potenialul n regiunea de sarcin spaial va fi:
Vs(x) = V0(1x/xp)2 (16)
undeV0 este potenialul la suprafaa semiconductorului. n interiorul
semiconductorului, adic pentru x > xp , potenialul este zero cum rezult i din
relaia (16) pentru x=xp .
Folosind rezultatele de la jonciunea p - n, legtura dintre diferena intern de
potenial i caracteristicile stratului de sarcin spaial avem:
V0 = qNAxp2 /(2) (17)
S-a considerat c regiunea n are o concentraie ND >>NA (jonciune asimetric),
iar = r o este permitivitatea electric a semiconductorului. Din acest
potenial se poate determina grosimea maxim a stratului de sarcin spaial
(srcit):
xp max = [2V0 / (qNA)]1/2 (18)
i sarcina spaial corespunztoare unitii de suprafa:
Qs = qNAxp max = (2qV0NA)1/2 (19)
Mrind potenialul pozitiv al porii crete grosimea regiunii golite, crescnd i
variaia total a potenialului n siliciu, reprezentat de curbarea benzilor de
energie. Cnd nivelul Fermi ajunge aproape de banda de conduie concentraia
electronilor lng interfa crete foarte rapid. Astfel cea mai mare parte a
sarcinii negative suplimentare induse n semiconductor const n sarcina
datorat electronilor de conducie din stratul de inversiune foarte subire de tip
n.
Un criteriu pentru realizarea inversiunii puternice este ca n stratul de la
suprafa concentraia electronilor n s egaleze concentraia golurilor din
substrat:
 n = NA (20)
ceea ce nseamn c la suprafa nivelul Fermi F a ajuns lng banda de
conducie Ec la fel de aproape pe ct este lng banda de valen Ev n volumul
semiconductorului:
Ec (sup) F = F Ev (vol) (21)
tiind c:
E = Ec Ev i F = Ev + kBTln (Nv /NA) (22)
gsim:
qV0t = E 2kBTln(Nv /NA) (23)
unde V0t reprezint potenialul la suprafaa semiconductorului peste care apare
conducia n canalul dintre surs i dren, sub care dispare conducia n canal.
Pe grila tranzistorului trebuie aplicat o tensiune VT astfel ca dup cderea de
tensiune pe condensatorul reprezentat de stratul de oxid de la suprafa s
rmn la suprafaa semiconductorului potenialul V0t:
VT = Voxid + V0t
unde:
Voxid = Qs / Coxid
iar capacitatea stratului de oxid este:
Coxid = oxid S / w
O x id
M e ta l
V O X S e m ic o n d u c to r

V G V S

x Pm ax
w

Figura 7. Variaia potenialului prin stratul de oxid i semiconductor

Diferena de potenial ntre gril i surs la care apare conducia n canal VT se
numete tensiune de tranziie. Precizrile fcute pn aici modific relaiile de
funcionare ale MOSFET prin aceea c n loc de VG n aceste relaii trebuie s
apar diferena UG VT. Tensiunea de tranziie depinde major de tehnologia de
fabricaie i de materialele folosite (de exemplu diferena dintre poziia
nivelului Fermi n metalul porii i n semiconductor). Pentru circuitele
integrate CMOS seria 4000 tensiunea de tranziie este de circa 1,5 V.
Valori tipice: woxid = 100 = 0,01m;
xp max= 1 m;
NA= 1015 cm-3 ;
E = 1,1eV ;
r (SiO2) = 3,9;
Fp Ev = 0,2eV.
Tranzistor Caracteristici Pre
UDSmax IDmax Pmax RDSmin
BS170 60V/ 0,5A/ 0,83W/ <5 0,5DM
IRF830 500V/ 4,5A/ 74W/ 1,5 3DM
BUK455-60 60V/ 41A/ 125W/ 0,04 3DM
IRF740 400V/ 10A/ 125W/ 0,55 4DM
BUZ11 50V/ 30A/ 75W/ 0,05 2,5DM

APLICAIE "Comutator pentru becuri cu halogen"

Becul cu halogen d o lumin foarte bun cu un randament excelent. Ca orice
bec cu filament n momentul conectrii absoarbe un curent de circa 10 ori mai
mare dect curentul nominal, ceea ce determin scurtarea timpului de via.
Fiindc becurile cu halogen sunt scumpe, mai ales cele speciale pentru
automobile, este util un circuit care s le mreasc timpul de via.
Circiutul prezentat aici se bazeaz pe faptul c dac tensiunea pe poart crete
treptat i curentul dren-surs prin tranzistorul cu efect de cmp va crete tot
treptat. Timpul de cretere este stabilit de rezistena R1 i condensatorul C:
= RC = 100 k 10 F = 1s.
Dioda descarc condensatorul prin bec i TEC la ntreruperea alimentrii.
Fiinc rezistena dren - surs este 0,05, cderea de tensiune pe tranzistor va
fi:
UTEC = RDS x Ibec = 0,05 x 4A=0,2V
Puterea disipat va avea valoarea
=> P=UTEC x Ibec = 0,8W
destul de mic pentru a nu fi necesar radiator pentru tranzistor.
 +12V

100kO hm
R 1
D io d a B ec 50W
1N 4148
D re n a
T ra n z is to r
P o a rta B U Z 11
R 2
C S u rsa
1M O hm

10 F

-0 V
Figura 8.
TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistorul bipolar a fost realizat n 1947 de John Bardeen, Walter Brattain,
iar teoria jonciunii p-n i a tranzistorului de William Shockley. Numele su
este realizat prin contopirea cuvintelor "transfer rezistor". Un tranzistor
bipolar const din dou regiuni semiconductoare cu acelai tip de
conductivitate numite emitor i colector, separate de o zon subire de
conductivitate de tip opus numit baz. Se formeaz dou jonciuni p-n, fiind
posibile dou tipuri de tranzistori, NPN i PNP. Simbolurile pentru
tranzistoarele bipolare PNP i NPN sunt prezentate n figura 1.

T r a n z is to r P N P T r a n z is to r N P N

C o le c to r C o le c to r

B aza B aza

E m ito r E m ito r
Figura 1. Simbolurile folosite pentru tranzistoarele bipolare
Aspectul exterior al tranzistorilor bipolari fiind cel din figura 2. Capsulele
prezentate sunt TO 92 pentru tranzistori de mic putere tip BC (sub 1W) i TO
126 pentru tranzistori de putere medie (civa W).

BC
BD

C o le c to r E m ito r

E m ito r B aza

C B E
B aza E C B
C o le c t o r

Figura 2. Sortimente de tranzistoare

Ideea de baz a funcionrii tranzistorilor bipolari este aceea c un curent mic
din circuitul jonciunii baz-emitor, polarizat direct, comand un curent mare
din circuitul emitor-colector, unde jonciunea baz-colector este polarizat
invers. Raportul dintre curentul de colector IC i cel din baz IB este o
proprietate a dispozitivului semiconductor numit factor de amplificare n
curent al tranzistorului, notat cu "" i avnd valori cuprinse ntre zeci i sute.
R S

IC= IB m A
>100
C o le c to r +
IC U CE
B aza
A
U BE
+
IB
E m ito r
IE

0V
Figura 3. Curentul mic al bazei comand curentul mare din colector.

E m ito r B aza

1 m
n ++ p +
3 m
15 m 2 m
n
n +

C o le c t o r
Figura 4. Structura fizic a unui tranzistor bipolar planar tip NPN.
O structur tipic de tranzistor bipolar NPN este prezentat n figura 4. Gradul
de dopare (impurificare) a diverselor straturi este indicat prin numrul de semne
"+" de lng litera ce indic tipul conductivitii, astfel NDE >>NAB >>NDC
(concentraia atomilor donori din stratul emitorului este mult mai mare dect
concentraia acceptorilor din stratul bazei, care este mai mare dect cea a
donorilor din stratul de colector). Condiia de baz pentru funcionarea
tranzistorului este ca grosimea stratului bazei s fie mai mic dect lungimea de
difuzie a purttorilor mobili de sarcin. Structura de benzi a tranzistorului
bipolar NPN n cazul echilibrului este prezentat n figura 5.
 E m ito r B aza C o le c to r

E le c t r o n i B a n d a d e c o n d u c tie
P
E n e r g ia F e r m i

N G o lu r i N
B a n d a d e v a le n t a

Figura 5. Structura de benzi a tranzistorului fr polarizare

Din structura tranzistorului observm formarea a dou jonciuni, una ntre
emitor i baz (EB, jonciunea emitorului), cealalt ntre colector i baz (CB,
jonciunea colectorului). Polariznd direct jonciunea emitor-baz se vor injecta
electroni din emitor (strat tip N) n baz (strat tip P) i goluri din baz n emitor.
Concentraia electronilor n emitor fiind mult mai mare dect concentraa
golurilor n baz, curentul va fi practic un curent de electroni.
Grosimea bazei fiind foarte mic comparativ cu lungimea de difuzie a
electronilor, curentul de electroni injectat n baz va trece practic n colector
sub aciunea cmpului electric din jonciunea colector-baz, polarizat invers.
Electronii difuzez prin baz i ajung n regiunea de sarcin spaial a
colectorului fiindc lungimea de difuzie a lor e mai mare dect grosimea bazei.
n plus numrul electronilor care se recombin cu golurile din baz (purttori
majoritari aici) este mic. Electronii ajuni n regiunea de sarcin spaial a
colectorului sunt antrenai de cmpul electric al stratului de baraj ctre colector,
jonciunea acestuia fiind polarizat invers.
Curentul de colector, practic egal cu cel de emitor, e comandat direct de
tensiunea emitor-baz, care asigur polarizarea direct a jonciunii emitor.
Tensiunea baz-emitor i curentul bazei fiind mici se obine o amplificare n
putere. Curentul bazei este generat n primul rnd de mica fraciune din
curentul de electroni din emitor care se recombin cu golurile din baz.
Dispozitivul este numit tranzistor bipolar deoarece ambele tipuri de purttori
mobili de sarcin (electronii i golurile, minoritari i majoritari) intervin n
funcionarea sa.
n cazul polarizrii exterioare a unui tranzistor bipolar NPN pe jonciunea EB
se aplic o tensiune direct mic UEB, circa 0,5 V cu "+" pe baz i "" pe
emitor, care injenteaz curent ctre baz. n circuitul bazei vom regsi un
curent mic fiinc majoritatea curentului de electroni va difuza n colector. Aici
electronii vor fi mpini de cmpul electric din jonciunea baz-colector
polarizat invers ctre colector. Astfel se comand cu un curent mic din baz un
curent mare n circuitul colectorului. Acest comportament este ilustrat n figura
6 cu structura benzilor de energie pentru tranzistorul NPN cu polarizare
exterioar.

B aza
E le c tr o n i (+ 0 ,5 V )
E m ito r P
(0 V ) U EB

U EC
N

U C o le c t o r
BC
(+ 5 V )
N

Figura 6. Structura de benzi a tranzistorului cu polarizare extern

Relaiile care guverneaz funcionarea unui tranzistor bipolar sunt:
1. Curentul de emitor este cel al unei jonciuni p-n polarizate direct:

Ie = Io(eUeb / Vt 1) (1)
2. Curentul bazei este o mic fracie din curentul de emitor:

Ib = (1 )Ie (2)
3. Curentul colectorului este proporional cu curentul de emitor:

Ic = Ie (3)
Mrimea adimensional "", coeficientul de transfer de curent ntre emitor i
colector, are valori tipice mai mari dect 0,9 i de obicei peste 0,99. Acest
coeficient depinde de geometria tranzistorului ca:
= 1 (1/2)(g/L)2
unde "g" este grosimea bazei, iar "L" este lungimea de difuzie.
Din modul de scriere a expresiilor curenilor se verific conservarea sarcinii
electrice n nodul de reea reprezentat de tranzistor:
Ie = Ib + Ic
Criteriile fundamentale pe care trebuie s le ndeplineasc un tranzistor sunt:
1. Emitorul este mult mai puternic dopat dect baza (curentul prin jonciunea
emitorului trebuie s fie determinat de purttorii majoritari ai emitorului
injectai n baz, injecia de purttori majoritari ai bazei n emitor trebuie s
fie neglijabil).
2. Regiunea bazei este fizic subire, mai mic dect lungimea de difuzie
(purttorii injectai n baz o traverseaz fr a suferi procese de
recombinare majore).
3. Zona colectorului este fizic mai larg dect cea a emitorului (ajut la
colectarea curentului injectat de emitor i la disiparea mai eficient a
cldurii generate pe jonciunea colectorului).
4. Colectorul este slab dopat fa de baz i implicit fa de emitor (n acest
fel stratul de baraj are o lrgime mai mare i jonciunea colectorului poate
suporta tensiuni inverse mari, de zeci pn la sute de voli, fr s se
strpung).
Prin combinarea relaiilor (2) i (3) rezult:

Ic = [/(1)]Ib = Ib (5)
unde este factorul de amplificare n curent al tranzistorului cu valori cuprinse
ntre zeci i sute.
Alegnd ca mrimi de intrare Ib i Ube, iar ca mrimi de ieire Ic i Uce se
definesc urmtoarele familii de caracteristici:
1. Caracteristica de intrare Ib = f(Ube) pentru Uce constant.
2. Caracteristica de ieire Ic = f(Uce) pentru Ib constant.
3. Caracteristica de transfer Ic = f(Ib) pentru Uce constant.
 IC (m A )
60

IB = 1 0 0 A
40

IB = 5 0 A
20
IB ( A ) U C E (V )

100 50 1 2 3 4 5
Figura 7. Caracteristicile de transfer i de ieire ale tranzistorului bipolar.

Aplicaii ale tranzistorului bipolar

Tranzistorul ca element de comutare

Aspectul exterior al tranzistorilor este prezentat n figura 2 cu precizarea
semnificaiei terminalelor. Caracteristicile de baz ale tranzistoarelor utilizabile
sunt:
BC546A(B) NPN/65V/0,1A/0,5W/ :90-220(150-450)/TO92
BC548C NPN/30V/0,1A/0,5W/ :270-800/TO92
BC327-25 PNP/45V/0,5A/0,8W/ :160-400/TO92
BD136-10(16) PNP/45V/1,5A/8W/ :60-160(100-250)/TO126
Preurile la tranzistorii "BC" sunt de circa 0,15DM, 0,6DM cei "BD".
R C

U A
R C D
B
+
A B IC
+ U B
IB
U E
B E

Figura 8. Schema conexiunii cu emitor comun, EC, a unui tranzistor bipolar

Folosim tranzistorul ntr-un circuit ca cel din figura 8. Aici tranzistorul
comand curentul prin rezistena de sarcin RC ntre dou stri:
tranzistor blocat, nu trece curent;
 tranzistor saturat (UCE < UBE), curentul este practic limitat doar de
rezistena de sarcin RC.
Rezistena de sarcin este un bec cu caracteristicile 6V/0,2A=30 Ohm (3 Ohm
rece). Curentul de colector prin rezistena de sarcin este Ic= 0,2 A = 200 mA.
Curentul din baz trebuie s fie:
Ib = Ic / = 200mA/160 = 1,25mA (minim).
Ochiul de reea al bazei genereaz ecuaia
Ub = Ube + Rb /Ib
unde Ube este tensiunea de deschidere a jonciunii emitorului (0,6V la Si), iar Ub
tensiunea de comand a bazei (poate fi chiar Ua=6V). Rezult c rezistena din
baz trebuie s fie
Rb = (Ua Ube)/Ib = (6 0,6)V/1,25mA = 4,32k (maxim)
+U a lim +U a lim
R B
R S IC
K C
B
T B
IB E
Figura 9. Tranzistorul comut curentul prin
rezistena de sarcin RS. Montaj cu emitor comun "EC".
+U a lim +U a lim

K C IC
B
T B
IB E
R S

Figura 10. Tranzistorul comut curentul prin

rezistena de sarcin RS. Montaj cu colector comun "CC".
Tranzistorul ca stabilizator de tensiune sau curent
+U a lim +U a lim

R IC
IZ
T B
IB
D Z R S

Figura 11. Tranzistorul menine tensiunea

constant pe rezistena de sarcin RS. Montaj stabilizator de tensiune.

+U a lim +U a lim

R R S

T B I
Iz
IB
D Z R i

Figura 12. Tranzistorul menine curentul

constant prin rezistena de sarcin RS. Montaj generator de curent constant.

Tranzistorul ca amplificator
+U a lim +U a lim +U a lim

R R R
B S
R B
S

U U o
U in C o
U in C
T B T B
IB IB
a b
Figura 13. Tranzistorul amplific tensiunea variabil de la intrare Uin. Montaje
amplificatoare cu polarizare fix (a), sau polarizare cu reacie (b) a
tranzistorului.
 +U a lim +U a lim

R R S
R S U 0
R B U in

IB1
IB2
D Z R i

Figura 14. Tranzistoarele compar dou tensiuni. Montaj comparator.

+U a lim

U R S
0

U R P
in B R B U in

Ict

Figura 15. Tranzistoarele amplific diferenele de tensiune de la cele dou

intrri. Montaj de amplificator diferenial.
DIELECTRICI
Introdus n cmp electric, un material izolator i schimb starea electric ca
urmare a forelor ce acioneaz asupra sarcinilor electrice din matrerial. Fiind
izolator, n acest material nu pot aprea deplasri macroscopice de sarcin
electric, ca n metale, dar pot aprea deplasri microscopice ale sarcinilor
electrice n cmp electric, ce genereaz dipoli electrici care polarizeaz
materialul. Dipolul electric este compus din dou sarcini electrice punctiforme
egale n modul "q", dar de semne contrare, separate spaial la disanta "" una
de alta. Potenialul electric al dipolului se obine ca sum a potenialelor celor
dou sarcini punctuale:
V(r)= q/(4or1)q/(4or2)= (r2r1)q /(4or1r2) (1)
care pentru distane mari comparativ cu lungimea a dipolului accept
aproximaia:
r2 r1 cos i r1r2 r2
deci:
V(r) = qcos / (4or2) (2)

r2
r1
r

-q +q
l

Figura 1. Dipolul electric

Se observ c potenialul scade cu distana ca "1/r2", mult mai rapid dect la
sarcina punctual pentru care scderea este "1/r". Introducnd noiunea de
moment dipolar:
p = q (3)
putem scrie relaia (2), potenialul electric al dipolului, ca:
V(r) = pr /(4or3) (4)
n cmp electric omogen asupra celor dou sarcini ale dipolului acioneaz un
cuplu de fore, ca n figura 2, care produce un moment de rotaie ce
orienteaz momentul dipolar p n sensul cmpului E:
 M=pE (5)

E +q
F +
p
F_ -q

Figura 2. Dipolul electric n cmp electric omogen simte un cuplu de fore ce-l
orienteaz pe direcia cmpului (energie potenial minim).
Dipolul n cmp electric posed o energie potenial, compus din energiile
poteniale ale sarcinilor sale:
Wp = qV++ (qV) = q(VV+) / (6)
unde
(V V+)/ = Ecos (7)
este componenta cmpului electric de-a lungul direciei dipolului. Putem scrie
energia potenial sub forma concis:
Wp = pE (8)
Energia potenial a dipolului este minim cnd vectorul p are direcia i sensul
cmpului electric i este maxim cnd cei doi vectori sunt antiparaleli.
n cmp electric neomogen forele ce acioneaz asupra celor dou sarcini sunt
inegale, genernd pe lng cuplu i o for rezultant diferit de zero, ca n
figura 3, ce se poate scrie ca:
F = p dE/dx (9)
sau n forma general:
F = grad Wp = p divE (9)

E
-q p +q
F _ F +

Figura 3. n cmp electric neomogen dipolul este orientat pe direcia cmpului

i atras ctre zona cu cmp mare.
n substane pot aprea dipoli electrici ca urmare a aplicrii unui cmp electric
extern, dipoli indui, sau pot exista dipoli permaneni datorai configuraiei
particulare a moleculelor ce constituie substana dat. La aplicarea unui cmp
electric se produce polarizarea dielectricului, ca n figura 4, prin:
polarizarea de deplasare, la atomi prin deplasarea norului electronic
negativ fa de nucleul pozitiv, la cristalele ionice prin deplasarea ionilor
pozitivi fa de cei negativi, (polarizare indus);
polarizarea de orientare, la substanele polare prin orientarea dipolilor
moleculari pe direcia cmpului extern.
S a r c in a
D ie le c tric
lib e r a -U
C am p ___________ C am p
e x te rn in d u s
++++++++++
E e x te r n S a r c in a
___________ in d u s a
( le g a ta )
U =0 ++++++++++ E in d u s

+U
D ip o li D ip o li
d e z o rd o n a ti o rd o n a ti
Figura 4. Polarizarea substanei n cmp extern
Moment dipolar elementar, corespunztor fiecrui atom sau molecule din
materialul respectiv, fiind p, definim polarizarea P, ca momentul dipolar al
unitii de volum:
P = Pt / V = np (10)
unde "n" este densitatea de dipoli elementari.
Ca urmare a polarizrii iau natere pe suprafaa dielectricului sarcini de
polarizare:
Qp = pS
unde p este densitatea superficial de sarcin. ntreg materialul va avea
momentul dipolar:
Ptot = Qp d = p Sd = pV (11)
de unde pentru polarizarea electric gsim:
P = p (12)
Sarcinile de polarizare, privite ca sarcinile de pe armturile unui condensator
plan, creaz un cmp electric Ep:
 E p = P / o (13)
orientat n sens contrar vectorului de polarizare P. Intensitatea cmpului electric
macroscopic rezultant din interiorul dielectricului Et , se obine prin
suprapunerea intensitii cmpului electric n vid Eo, generat de sarcinile de pe
armturile metalice ale condensatorului i intensitatea E p a cmpului generat de
sarcinile de polarizare induse pe suprafaa dielectricului:
E t = Eo + E p = Eo P /o (14)
Cmpul electric total este mai mic fiindc sarcina Q de pe armturi este parial
compensat de sarcina de polarizare Qp a dielectricului. Rmne activ numai
sarcina Q':
Q' = Q Qp = Q/ r (15)
Cmpul Ep se numete cmp de depolarizare, deoarece tinde s micoreze
cmpul aplicat Eo, n interiorul dielectricului. Cmpul de depolarizare este
uniform doar pentru probe care au o anumit form, sfer, cilindru, elipsoizi,
paralelipipezi. Astfel cmpul de depolarizare se se poate scrie ca:
Ep = CP / 0 (16)
unde C este factorul de depolarizare, care depinde de forma probei:
Forma probei |Plac |Sfer
C |1 |1/3
Pentru aceeai sarcin Q pe armturile condensatorului, ntre armturi avem
cmpul electric:
Eo = Uo / d (17)
n cazul cnd avem vid ntre armturi i:
Et = Eo P / 0 = U/d (18)
cnd avem un dielectric ntre armturi. Putem defini permitivitatea relativ ca:
r =C/Co=Uo /U=Eo /E=
=Eo /(Eo P/o)=(Et+P/ o)/Et =1+P/(oEt) (19)
Deoarece n marea majoritate a cazurilor polarizarea este direct proporional
cu intensitatea cmpului electric total (dielectrici liniari):
P = e oEt (20)
unde e este susceptibilitatea electric, o proprietate de material, atunci:
r = 1+ e (21)
e permitivitatea electric relativ (constanta dielectric) a materialului. Se
poate defini vectorul inducie electric (deplasare electric) ca:
D = oE + P = oE + o eE = o rE (22)

Polarizarea atomic
Pentru a putea estima comportarea unui atom n cmp electric vom folosi un
model primitiv, dar sugestiv, care presupune c nucleul cu sarcina "+Q" este
nconjurat de un "nor" electronic de sarcin "Q", distribuit uniform n
interiorul unei sfere de raz ro, raza atomic corespunzatoare.
Cmpul electric generat de sarcina negativ n interior se afl cu legea lui
Gauss: fluxul intensitii cmpului electric printr-o sfer cu raza r (<r0) i
centrul n centrul de simetrie, este egal cu sarcina electric nchis n sfera de
raz r, divizat cu o:
4 r2E i = 4 r 3 /(3o) (23)
unde:
sarcina electronic
= = Q /(4 ro3 /3) (24)
volum atomic
de unde cmpul electric intern Ei este:
E i = r /(3o) = Qr /(4 ro3o) (25)
ca n figura 5.
S fe ra in c a rc a ta r
c u s a rc in a -Q
ro

ro

Figura 5. Cmpul electric

Acest cmp acioneaz asupra nucleului, dac acesta este deplasat din punctul
de echilibru. Astfel dac aplicm din exterior un cmp electric Eo, acesta va
aciona asupra sarcinilor electrice deplasnd nucleul din poziia de echilibru cu
, ca n figura 6, inducndu-se un moment electric dipolar p. Mrimea acestui
moment o putem calcula din egalitatea dintre fora extern care acioneaz
asupra nucleului i fora de revenire la echilibru generat de norul electronic:
 QEo = Q|E i | Eo = Q /(4 ro3o) (26)
Deplasarea de la poziia de echilibru a sarcinilor electrice din atom este:
= 4 ro3 oEo /Q (27)
De unde momentul dipolar indus n atom va fi:
p = Q = 4 ro3 oEo (28)
proporional cu cmpul extern aplicat.
E ext
n u c le u

d e p la s a re a " l"
d ip o l in d u s
n o r e le c tro n ic
Figura 6. Dipol indus prin polarizarea atomului n cmp extern.
Orice atom poate fi polarizat n acest fel. Spunem c momentul dipolar este
indus de cmpul electric extern. n toate cazurile dipolul p este proporional cu
E, intensitatea cmpului extern:
p = o E (29)
unde este proprietatea atomului numit polarizabilitate atomic. n
modelul nostru polarizabilitatea este:
= 4 ro3 (30)
avnd dimensiunea unui volum. Un calcul cuantic exact pentru atomul de
hidrogen prezice =9ao3/2 unde ao = 0,52 , este raza atomului de hidrogen n
starea sa fundamental (Bohr).
Polarizabilitile electrice ale mai multor tipuri de atomi, determinate
experimental, sunt date n tabelul urmtor:
Element H He Li Be C Ne Na Ar K
[1030 m3] 8,29 2,64 150 116 18,8 5,02 339 201 427
Se observ variaii mari ale valorilor lui . Polarizabilitatea crete cu creterea
numrului atomic n aceai serie (de exemplu de la H la K, sau de la He la Ar),
iar atomii alcalini sunt mult mai uor polarizai dect atomii gazelor nobile,
care au un nveli electronic mult mai rigid. Electronii de valen sunt cei
rspunztori de polarizabilitatea uoar a metalelor alcaline.
O molecul nepolar n cmp electric este polarizabil, iar polarizarea sa se
poate estima grosier ca suma polarizabilitilor individuale ale atomilor ce o
compun. De exemplu pentru molecula de metan avem:
exp(CH4) = 32,61030 m3
teor(CH4)= (C)+ 4(H) =(18,8+48,29) 1030 =521030 m3.
Evident legturile electronice din molecul au modificat structura electronic a
atomilor.
Moleculele sunt mai puin simetrice dect atomii, ceea ce implic posibilitatea
apariiei unui moment dipolar indus neparalel cu cmpul electric. Molecula de
CO2 are o form liniar, ca n figura 7, iar polarizabilitatea ei de-a lungul axei
proprii este || = 50,9 1030 m3 dar pentru un cmp transversal pe axa proprie
polarizabilitatea ei este mai puin de jumtate din ||.
Aplicnd un cmp oarecare ce face unghiul cu axa proprie a moleculei, acesta
se poate descompune n dou componente, paralel i perpendicular pe axa
moleculei:
E|| = E cos , E = E sin (31)
care vor induce fiecare un moment:
p|| = || oE|| , p = o E . (32)
Aceste componente dau mpreun momentul p produs de cmpul E . Din cauz
c || > , p nu va fi coliniar cu E ci mai aproape de axa de uoar polarizare
ca n figura 7.

Z E E
C
O O P
P
Y
P || E ||

X
Figura 7. Molecula nepolar de bioxid de carbon, CO2.
Acest exemplu arat c polarizabilitatea unei molecule nu este un simplu numr
ci un set de coeficieni care exprim dependena liniar a componentelor
vectorului p de cele ale vectorului E:
px= o (xx Ex + xy Ey +xz Ez)
py= o (yx Ex + yy Ey +yz Ez) (33)
pz= o (zx Ex + zy Ey +zz Ez)
Cei 9 coeficieni astfel definii constituie tensorul de polarizabilitate.
Momente dipolare permanente
Anumite molecule sunt astfel construite nct au momente de dipol electric i n
absena cmpului electric. Ele sunt nesimetrice, exemplul cel mai simplu fiind
cel al moleculelor biatomice alctuite din atomi diferii, ca acidul clorhidric
HCl, figura 8. Electronul atomului de hidrogen este deplasat ctre atomul de
clor, aprnd un exces de sarcin pozitiv ctre atomul de hidrogen i un exces
de sarcin negativ ctre atomul de clor. Mrimea momentului dipolar care
rezult este de 3,431030 Cm, echivalent cu deplasarea unui electron cu circa
1/5 . Acelai moment se obine pentru un atom de hidrogen ntr-un cmp de
circa 30 kV/cm.
Momentele dipolare permanente sunt mult mai mari dect momentele induse de
cmpurile electrice uzuale. Motivul este legat de faptul c ntr-un atom
cmpurile interne sunt de ordinul lui "e/(4oro2)" care este circa 1011 V/m,
imens fa de cmpurile electrice uzuale. Astfel de cmpuri ar rupe materia n
buci ! De aceea este o deosebire net ntre moleculele polare, cele care au
moment dipolar propriu i moleculele nepolare, cele care nu au moment
dipolar propriu.
-q
+q

C l H

d ip o l p e rm a n e n t
Figura 8. Molecula polar de acid clorhidric.
Comportarea unei substane polare ca dielectric este mult diferit de cea a
substanelor nepolare. Constanta dielectric a apei este 80, ea fiind alctuit din
dipoli cu momentul 6,11030 Cm, fa de constanta dielectrica a unui lichid
nepolar tipic care este n jur de 2.
n substana nepolar aplicarea unui cmp electric produce un mic moment
dipolar n fiecare molecul. n substana polar avem deja dipoli orientai
aleator, care se aliniaz parial n prezena cmpului electric.
Dac toi dipolii dintr-un gaz ar fi aliniai ar exista o polarizare foarte mare a
substanei. La temperaturi i cmpuri electrice obinuite ciocnirile moleculelor,
n micarea lor termic, mpiedic alinierea i ca urmare polarizarea. Pentru a
calcula polarizarea, se folosesc metodele fizicii statistice pentru gsirea
gradului de aliniere a dipolilor. n stare de echilibru termic numrul de
molecule N cu energia potenial W fa de numrul de molecule No cu energia
potenial zero este:
N=No e W/ (kT) (34)
unde "k" este constanta lui Boltzmann, iar "T" temperatura n grade Kelvin.
Dac W este energia potenial dependent de orientare prin intermediul
unghiului dintre direcia cmpului electric i dipol atunci:
W= pE = pE cos (35)
i:

n() = no e pE cos / (kT) no (1+ poE cos /(kT) (36)

unde valoarea mic a exponentului ne-a permis dezvoltarea n serie a
exponenialei.
Putem gsi valoarea lui no integrnd n() pe toate valorile lui , iar rezultatul
trebuie s fie n, numrul total de molecule din unitatea de volum. Valoarea
medie a lui cos pentru toate unghiurile este zero, astfel c valoarea integralei
este dat doar de primul termen din (36) i este no nmulit cu unghiul solid total
4, de unde:
no = n /(4) (37)
Valoarea medie a polarizrii va fi n coordonate cilindrice, de-a lungul
cmpului electric ca ax, pentru volumul unitar:
2
P= d d n() p cos sin (38)
0 0
unde "sin d" apare de la coordonatele cilindrice, iar "p cos" este
componenta momentului de-a lungul direciei cmpului. Integrnd dup i
folosind (36) i (37) avem:

P = (n/2) [1+pE cos/(kT)]cos d(cos) = np2E /(3kT) (39)
0
Polarizarea este proporional cu cmpul aplicat i invers proprional cu
temperatura, deoarece la temperaturi joase este o aliniere mai bun a dipolilor
fa de alinierea de la temperaturi mari. Aceast dependen de tip 1/T este
numit legea lui Curie. tiind c:
D = o r E = o (1+ e )E = o E + P (40)
P = o e E
gsim susceptibilitatea electric:
e = P/(oE) = np 2 /(3okT) (41)
sau constanta dielectric:
 r = 1+ e = 1+ np 2 /(3okT) (42)
Relaia (39) putea fi dedus mai simplu presupunnd c n absena cmpului
electric, pe fiecare direcie a spaiului avem orientai n/3 dipoli, n/6 ntr-un sens
i n/6 n sens contrar. Aplicnd cmpul electric pe direcia cmpului avem 4/3
dipoli orientai, dar n sensul cmpului n + > n/6 iar n sens contrar n < n/6.
tiind diferena energiilor pentru cele dou orientri:
W = W W+ = 2pE (43)
din legea de distribuie Boltzmann dup energii avem:
n /n + = e 2pE / (kT) 12 pE /(kT) (44)
unde dezvoltarea n serie a exponenialei s-a fcut fiindc exponentul este mic
(2pE << kT). Polarizarea rezultant se obine ca diferena dintre cele dou
orientri:
P = (n+ n )p = (1 n /n + )pn /6 = np2E /(3kBT) (45)
n general susceptibilitatea electric poate fi exprimat ca:
e = A + B/T (46)
unde A este termenul independent de temperatur al polarizrii de deplasare, iar
B/T termenul polarizrii de orientare al dipolilor permaneni din substana
respectiv.
FEROELECTRICITATEA

Efectul piezoelectric
Fraii Pierre i Jaques Curie au observat n anul 1880 apariia sarcinilor
electrice pe faa anumitor cristale (cuar, SiO2 cristalin) supuse solicitrilor
mecanice (presiune, deformare). Mrimea sarcinii electrice este proporional
cu mrimea forei exercitate, iar sensul polarizrii electrice a cristalului depinde
de sensul aciunii mecanice. Acesta este efectul piezoelectric direct (cauza este
de natur mecanic, efectul produs este electric). Denumirea fenomenului
provine de la cuvntul grecesc "piezo" care nsemn "a apsa".
Efectul piezoelectric direct apare cnd aplicm o tensiune mecanic care
conduce la redistribuirea sarcinilor electrice n volum, rezultnd o polarizare
electric volumic i implicit o sarcin electric indus pe suprafa (cauza
este de natur mecanic, efectul este electric).
Efectul piezoelectric invers se produce prin aplicarea unui cmp electric
cristalului, avnd ca rezultat deformarea cristalului sau apariia unei fore
(cauza este electric, efectul este mecanic).
Substanele piezoelectrice se mpart n dou clase mari:
piezoelectrice liniare (dependena polarizrii electrice P de cmpul
electric aplicat E este liniar).
feroelectrice (depenena polarizrii electrice P de cmpul electric aplicat E
este neliniar, peste o anumit valoare a cmpului aplicat polarizarea
rmne constant, se satureaz).
Piezoelectricii liniari sunt cristale cu un anumit grad de asimetrie a structurii
cristaline, esenial fiind s nu existe un centru de simetrie al sarcinilor
electrice punctuale (ionii reelei cristaline). Cel mai utilizat piezoelectric
liniar este cuarul (bioxidul de siliciu monocristalin). O gam de utilizare
mai restrns au sulfatul de litiu, dihidrofosfatul de amoniu (ADP
prescurtat), tartratul dublu de potasiu i turmalina (borsilicatul natural de
sodiu, calciu, magneziu i Al).
Materialele feroelectrice au o polarizare electric intern dependent de
temperatur i diferit de zero n absena unui cmp electric extern, datorat
ordonrii dipolilor electrici elementari. Aceast ordonare se datoreaz
interaciunilor dintre atomii ce constituie reeaua cristalin. Ea dispare peste
o anumit temperatur numit temperatur Curie. n general aceste
materiale sunt divizate n domenii, adic zone n care polarizarea electric
are o singur orientare. Per ansamblu materialul apare nepolarizat din cauza
orientrii aleatoare a domeniilor. Pentru a prezenta proprieti piezoelectrice
 sau piroelectrice aceste materilale trebuiesc polarizate, adic prin aplicarea
unui cmp electric intens i eventual nclzire se orienteaz polarizarea
domeniilor din interiorul materialului pe direcia cmpului extern.
Primul material feroelectric studiat i folosit a fost tartratul dublu de sodiu i
potasiu (sarea Seignette sau Rochelle) care are proprieti piezoelectrice
remarcabile, dar are i dezavantaje majore prin faptul c este higroscopic, iar
temperatura Curie este practic la temperatura camerei (23oC). Alte materiale
sub form monocristalin sunt triglicinsulfatul (TGS), azotatul de potasiu,
dihidrofosfatul de potasiu (KDP). Sub form de ceramici se utilizeaz foarte
mult titanatul de bariu (BaTiO3) i titano-zirconaii de plumb (PZT) care nu
sunt influenai de umiditate, iar temperatura Curie poate depi 400 0C la PZT.
Efectul piezoelectric stabilete o relaie de tipul:
Efect = coeficient piezoelectric Cauz, ntre:
mrimile mecanice:
- deformarea relativ S = s/ , [S]SI = m/m (1)
- tensiunea mecanic T = F/A , [T]SI = N/m2 (2)
cu T=YS legea lui Hooke, (3)
i mrimile electrice:
- intensitatea cmpului electric E = U/ , [E]SI = V/m (4)
- polarizarea electric P = Q/A , [P]SI = C/m2 (5)
cu D = E = o rE = oE + P (6)
unde: s = elongaie, = lungime iniial, F = for, A = suprafa,
Y = modulul de elasticitate al lui Young,
U = tensiune electric, Q=sarcina, = distana dintre armturi,
D = inducia electric, o permitivitatea electric a vidului,
(r) = permitivitatea electric absolut (relativ) a materialului.
Efectul piezoelectic direct (cauz mecanic, efect electric), cnd msurm
sarcina deplasat ntre armturi, n condiia scurtcircuitrii armturilor, adic
cmp electric zero (concret instrumentul care msoar sarcina deplasat are o
rezisten intern mic), prin aplicarea unei tensiuni mecanice T sau datorit
unei deformri S ascult de relaiile:
P=dT P=eS (7)
Coeficienii piezoelectrici "d" i "e" au unitile de msur:
 [d]SI= C/N = m/V [e]SI = C/m2
i datorit legii lui Hooke sunt legai ntre ei de relaia:
e = Yd (8)
Dac msurm tensiunea electric generat pe materialul piezoelectric cu un
instrument cu rezisten intern foarte mare (sarcina electric deplasat prin
circuit este zero), atunci relaiile care guverneaz efectul piezoelectric sunt:
E=hS E = g T (9)
unde coeficienii piezoelectrici "g" i "h" au unitile de msur:
[g]SI= m2/C [h]SI= V/m=N/C
i sunt legai ntre ei de relaiile:
h=Yg (10)
iar coeficienii "d" i "e" se raporteaz ca:
d = T g e = S h (11)
unde este permitivitatea electric a materialului la tensiune mecanic zero
T

(constant), iar S este permitivitatea electric a materialului la deformare zero.

Efectul piezoelectric invers (cauz electric, efect mecanic) ascult de
relaiile:
T = eE T = hP la deformare S=0 (12)
S = dE S = gP la tensiune T=0 (13)
Tabel cu proprieti fizice ale materialelor piezoelectrice
Material BaTiO3 PbNb2O6 PZT2 PZT-4 PZT-5H Cuar Rochelle

Mrime
T / o 1700 225 450 1300 3400 4,5 350
S / o 1260 - 260 635 1470 9,4
d33 190 85 150 289 593 2,3 275
d31(10 12
C/N) 78 9 60 123 274 3,4 -
d15 260 - 440 496 741 30
e33 17,5 - 9,0 15,1 23,3 0,17 3,00
e31 (m2/C) 4,3 - 1,9 5,2 6,5 -
0,08
e15 11,4 - 9,8 12,7 17,0 0,16
 Y33E 14,6 3,9 11,3 11,5 11,7
E 10 2
Y11 (10 N/m ) 15,0 - 13,5 13,9 12,6
D
Y33 17,1 4,6 14,8 15,9 15,7
Y11D 15,0 - 13,6 14,5 13,0
o
TCurie ( C) 115 570 370 328 193
(103 kg/m3) 5,7 6,0 7,6 7,5 7,5 2,65 1,77
c (J/kg oC) 500 - 420 420 420
kterm (W/m C) o
3,5 - 2,1 2,1 1,5
Edepol (kV/cm) ~4 >10 >10 >10 ~4
P(10 C/cm )
6 2
8 - 40 30 33
k31 0,21 0,045 -0,29 -0,33 0,39 0,65
0,09
k33 0,50 0,38 0,62 0,70 0,75
k15 0,48 - 0,70 0,71 0,67

Avem o plac piezoelectric de grosime =0,5 mm i suprafa A =L1 x L2 = 20

x 20 = 400mm2. Pe cele dou fee sunt depui electrozi metalici, de obicei
argint (figura 1). Aplicnd o diferen de potenial ntre cei doi electrozi placa
i mrete grosimea pe direcia cmpului electric (efectul piezoelectric
longitudinal) i se contract pe direciile transversale fa de cmp (efectul
piezoelectric transversal). Inversnd tensiunea aplicat se inverseaz i sensul
deformaiilor.
Direcia vertical, a grosimii plcii, este direcia Oz, indice asociat 3. Direcia
orizontal este Ox, a lungimii plcii, indice asociat 1. Relaiile care descriu
fenomenul vor fi:
S3=d33E3 S1=d31E3 (14)
Coeficienii piezoelectrici pentru cuar d33 d31 = 2,21012C/N au valori
apropiate, iar pentru ceramica PZT d33=1501012C/N i d31= 601012 C/N.
innd cont c:
E3 = U/ S3 = s3/ S1=s1/L (15)
putem rescrie relaiile precedente pentru deformrile absolute ca:
s3 = d33U s1=d31UL/ (16)
Figura 1. Efecte piezoelectrice inverse, transversal i longitudinal.
Efectul transversal este mai puternic dect cel longitudinal de aproape L/ ori
(20/0,5=40 ori). Pentru o tensiune U=1V, deformarea absolut are valori de la
10 12m (cuar longitudinal) pn la 10 9m (PZT, transversal). Lipind placa
piezoelectric pe o membran metalic, sistemul obinut va oscila ca n figura
1, n special datorit efectului piezoelectric transversal.

Dispozitive piezoelectrice
Placa piezoelectric din punct de vedre electric este un condensator cu
capacitatea C0. Aplicarea unei tensiuni U dispozitivului va determina ncrcarea
condensatorului cu sarcina:
Q1 = C0U (17)
dar i apariia unei tensiuni mecanice n plac datorit cmpului electric creat
(cauz electric genereaz efect mecanic):
T = eE F/A=eU / F = UeA / (18)
Fora aprut pune n micare sistemul care are masa "m" (genereaz o for de
inerie "mds2/dt2"), elasticitatea "k" (genereaz fora elastic "ks") i eventual
pierderi "r" (genereaz fora disipativ "r ds/dt"):
F = k s + r ds/dt + m d2s/dt2 (19)
Deformarea rezultat din aciunea forei va determina circulaia prin sistemul
electric a unei sarcini suplimentare Q2 (cauza este mecanic, o deformare,
efectul electric, o polarizare) datorit polarizrii cristalului prin efect
piezoelectric:
P=eS Q2/A=es / Q2 = s e A / (20)
Notnd "a= eA/" factorul de cuplaj electromecanic, putem transforma
relaia forei ntr-o relaie de mrimi electrice:
 U = Q2 /C + R i2 + L di2 /dt (13)
2 2 2
unde: C = a /k , R = r/a , L = m/a (21)
Fiindc sarcina total absorbit de la surs este:
Q = Q1 + Q2 (22)
sau derivnd dup timp avem o relaie ntre cureni:
i = i1 + i2 (23)
care determin schema electric a oscilatorului piezoelectric, capacitatea
proprie a plcii piezoelectrice C0 n paralel cu circuitul rezonant RLC, n care
mrimile electrice R, L i C sunt determinate de proprietile mecanice ale
sistemului i de factorul de cuplaj electromecanic "a".

R L C

C 0

Figura 2. Schema echivalent a rezonatorului piezoelectric.

Feroelectricitatea
O ceramic feroelectric este constituit din domenii minuscule, fiecare
comportndu-se ca un mic dipol electric. n interiorul domeniilor feroelectrice
dipolii elementari sunt aliniai dup o singur direcie de forele de interaciune
dintre atomi. Astfel apare o polarizare electric diferit de zero n absena unui
cmp extern, polarizarea spontan.
Peste o anumit temperatur, cunoscut ca temperatura Curie, domeniile nu au
moment de dipol electric. Sub temperatura Curie, n materialul proaspt
preparat, orientarea dipolilor electrici corespunztori domeniilor este aleatoare
astfel c materialul n ansamblul su apare ca nepolar. Dac materialul este
nclzit peste temperatura Curie i i se aplic un cmp electric, dipolii tind s se
alinieze de-a lungul cmpului aplicat. Cobornd temperatura cu meninerea
cmpului, iar n final ntrerupnd cmpul cnd se ajunge la temperatura
camerei, dipolii rmn fixai pe poziiile lor dnd natere unei polarizri
remanete (care rmne) a materialului ceramic.
Pentru realizarea practic a procesului de polarizare se depun electrozi pe feele
opuse ale materialului. Sarcina de pe suprafaa ceramicii este fixat n structura
reelei cristaline, dar sarcina de pe electrozi, egal n modul i opus ca semn
celei din ceramic, este liber s se mite. n acest mod electrodul aflat la polul
pozitiv al sursei externe va acumula o sarcin pozitiv, iar cel de la polul
negativ o sarcin negativ. Mrimea sarcinii de pe suprafa este determinat de
sarcinile interne materialului, mai precis de momentul de dipol (produsul dintre
valoarea sarcinilor opuse ca semn i distana dintre ele). Momentul de dipol al
materialului este:
M = PAg (24)
unde "P" polarizarea, momentul de dipol al unitii de volum,
"A" aria electrozilor,
"g" este distana dintre electrozi, grosimea materialului ceramic.
Pe suprafaa materialului polarizat apare sarcina "Qs" care are momentul
dipolar:
M = Qsg (25)
Din ecuaiile (24), (25) pentru momentul de dipol total deducem relaia:
Qs = PA (26)
Msurarea polarizrii se reduce la msurarea sarcinii Qs deplasate prin circuitul
electric.
Polarizarea spontan depinde de temperatur ca n figura 3. La temperaturi
joase dipolii elementari sunt mai bine aliniai pe direcia de uoar polarizare,
iar cu ct temperatura crete, crete i dezordinea din sistem, alinierea dipolilor
elementari fiind din ce n ce mai proast. Peste temperatura Curie, temperatura
tranziiei din faza feroelectric n faza paraelectric, polarizarea spontan a
materialului dispare.

P o la r iz a r e a

M a t e r ia l
P a r a e le c t r ic

M a te r ia l
F e r o e le c tr ic
T e m p e ra tu ra

T e m p e r a tu r a C u r ie T c

Figura 3. Variaia cu temperatura a polarizrii spontane la feroelectrici.

Piroelectricitatea
Efectul piroelectric apare din cauza modificrii polarizrii cristalului n funcie
de temperatur, schimbare ce se poate datora creterii dezordinii n orientarea
dipolilor elementari dup direcia de polarizare macroscopic datorit creterii
temperaturii sau modificrii valorii momentului dipolar elementar.
Dependena polarizrii de temperatur este ilustrat n figura 3, iar coeficientul
piroelectric al materialului "p" este dat de derivata polarizrii dup temperatur:
p = dP/ dT [p]SI = C/(m2K) (27)
Materialul ceramic uzual folosit este un titanat de zirconiu i plumb (PZT)
astfel dopat nct s i se optimizeze proprietile conform cerinelor
detectoarelor IR. El este insensibil la ap i foarte robust astfel c poate fi
manipulat i procesat conform tehnologiilor de producie de mas similare cu
cele folosite la dispozitivele semiconductoare. Materialul are o temperatur
Curie ridicat, putnd opera pn la 100oC, responsivitatea fiind slab
dependent de temperatur.
Tabel cu proprieti ale materialelor piroelectrice
Material => PZ LT TGS PVDF SBN
Proprieti
p [10 4C/(m2 K)] 3,5 1,8 2,8 0,3 6,5
r 250 54 38 10 380
tg 0,005 0,003 0,01 0,03 0,003
c [J/(m3 K)] 2,6 3,3 2,3 2,4 2,3
o
TC [ C] 200 620 49 >100 116
[ m] 108 - 1011 1013 1013 1014 1010

Prescurtrile folosite nseamn:

PZ - zirconat de plumb (ceramic),
LT - tantalat de litiu (cristal),
TGS - sulfat de triglicin (monocristal),
PVDF - difluorur de poliviniliden (material plastic, folie),
SBN - niobat de stroniu i bariu (monocristal).
Importana efectului piroelectric pentru detecia radiaiei IR a fost scoas n
eviden de ctre Putley n articolele sale din anii 70.
 M a te ria l p iro e l e c tric

R a d ia tie
IR
B o rn a e le c tro d u lu i d in s p a te

B o rn a e le c tro d u lu i f ro n ta l

Figura 4. Senzor piroelectric pentru radiaie infraroie (IR).

Radiaia incident nclzete detectorul, temperatura acestuia se modific, odat
cu ea i polarizarea electric cu o cantitate determinat de coeficientul
piroelectric i de variaia temperaturii:
P = p T (28)
Schimbarea polarizrii se manifest ca o sarcin electric suplimentar pe
capacitatea electric a senzorului piroelectric. Tipic este vorba de o sarcin de
ordinul a 1016 C pe o capacitate de 10pF. Astfel creterea temperaturii
materialului reduce sarcina legat de suprafaa dielectricului i n consecin va
determina prin influen modificarea sarcinilor electrice de pe electrozii
dispozitivului conform relaiei :
Q = CU (29)
unde Q este sarcina electric,
C capacitatea electric a senzorului,
U diferena de potenial dintre electrozi.
Aceast sarcin se disip (scurge) prin circuitul electronic la care este conectat
senzorul.
Mrimea sarcinii libere este legat de coeficientul piroelectric "p" care
reprezint rata cu care se schimb polarizarea cu temperatura . Coeficientul
piroelectric "p" este i el dependent de temperatur. Pentru o modificare mic
de temperatur dT, sarcina generat este :
dQ = pAdT (30)
i d natere unei diferene de potenial:
dU = dQ/CE = pAdT /CE (31)
unde CE este capacitatea electric dintre electrozi :
CE = orA /g (32)
unde o este constanta dielectric a vidului i
r constanta dielectric relativ de semnal mic a materialului.
Chiar polarizat fiind la bornele unui detector piroelectric nu vom putea msura
uor o tensiune electric fiindc polarizarea electric intern este rapid anulat
de sarcina de pe armturi care se acumuleaz din cauza rezistenelor electrice
finite plasate n paralel cu capacitatea senzorului (rezistena electric intern
finit a materialului piroelectric, rezistena electric de suprafa care n general
depinde de umiditatea mediului, rezistena electric intern a aparatului de
msur). Din aceast cauz detectorul piroelectric se utilizeaz n special la
msurarea variaiilor de temperatur datorate modificrilor din fluxul de
radiaie infraroie ce cade pe el.

Rspunsul termic al senzorilor piroelectrici

Pentru maximizarea semnalului detectorului elementul sensibil se face ct mai
subire. Acest fapt implic o schimbare mai mare de temperatur a senzorului
pentru aceeai radiaie incident. Considerm c senzorul primete din exterior
un fascicul de radiaie IR incident ce variaz sinusoidal n timp cu pulsaia ,
de putere W (n W r.m.s.) pe unitate de suprafa:
W = Woe jt (33)
Modificarea temperaturii detectorului depinde de fracia din radiaia incident
absorbit de detector (- emisivitatea suprafeei), de capacitatea caloric a
detectorului H i de conductana termic G de la detector la capsula sa (mediul
nconjurtor) considerat ca avnd o capacitate caloric mare i n consecin
temperatur practic constant. Capacitatea termic a elementului sensibil este :
H = mc = Agc (J/K) (34)
unde: este densitatea materialului piroelectric,
g grosimea senzorului,
c cldura specific.
Suprafaa frontal a senzorului are o conductan termic prin radiaie:
G' = ' 4 T3 A (W/K) (35)
iar suprafaa dorsal are conductana
G" = " 4T3 A (W/K) (36)
unde: este emisivitatea suprafeei i
constanta Stefan-Boltzmann (5,67108 W/(m2K4)).
Suprafaa frontal a detectorului este de obicei acoperit cu o substan neagr
(negru de fum, pulberi metalice foarte fine, oxizi, etc.) pentru a absorbi ct mai
eficient radiaia infraroie. Din aceast cauz cele dou suprafee ale senzorului
au emisivitile diferite. Conductana termic global va fi G = G' + G", la care
se adaug conductana prin terminale.

Radiaia incident "Woe j t" determin rspunsul termic al detectorului

descris de relaia bilanului energetic al senzorului:

Energia primit n intervalul de timp "dt" " Woe j t dt" =

= Energia folosit pentru nclzirea sa "H dT" +
+ Energia pierdut prin conducie termic "G T dt"

H dT/dt + G T = Wo e jt (37)
unde T este diferena de temperatur dintre senzor i capsul.
Modificarea temperaturii detectorului se face cu frecvena cu care variaz
radiaia infraroie. Punnd T = To e jt i rezolvnd (37) pentru To,
obinem:
To = Wo /(jH + G) (38)
Pentru modulul variaiei de temperatur a senzorului relaia (38) devine:
|To| = (Wo /G) / (1+ 422 /T2)1/2 (39)
unde: = H/G este timpul de rspuns termic al senzorului,
T = 2/ este perioada semnalului incident.
Pentru frecvenele joase (T mare fa de ) excursia de temperatur a senzorului
este maxim i limitat ca valoare doar de conductivitate:
|To| (Wo /G) (40)
Pentru frecvene nalte (T mic fa de ), termenul unitar de la numitor este
neglijabi i excursia de temperatur devine:
|To| Wo /(H) (41)
limitat de capacitatea termic a senzorului "H" i invers proporional cu
frecvena semnalului incident.
Dac ne intereseaz rspunsul senzorului la un semnal treapt, adic cum
variaz temperatura senzorului dac la momentul t=0 aplicm o putere "W" de
radiaie infraroie, atunci relaia (37) devine:
H dT/dt + G T = W (42)
Soluia ecuaiei (42) este:
T = To (1 e t/) To = W/G (43)
Senzorul i atinge temperatura de echilibru dup circa 3 constante de timp
termic "" (eroare mai mic de 5%) i valoarea maxim a variaiei de
temperatur este limitat de conductivitatea termic "G".

Constanta dielectric pentru materialele feroelectrice

Manifestarea proprietilor feroelectrice n constanta dielectric a materialelor
(permitivitatea electric relativ) este mai uor de msurat dect polarizarea
electric. n faz paraelectric constanta dielectric are o dependen de
temperatur de tipul:
r const. /(TTC) (44)
unde TC este temperatura Curie a tranziiei de faz de la paraelectric la
feroelectric. Acest tip de comportare se datoreaz agitaiei termice care nu
permite alinierea perfect a dipolilor elementari dup cmpul extern.
La temperatura TC apare aa numita catastrof de polarizare, cnd constanta
dielectric diverge datorit apariiei polarizrii spontane i materialul devine
feroelectric. Sub aceast temperatur dependena polarizrii materialului de
cmpul electric extern nu mai este liniar. Aplicnd un cmp electric extern se
modific dimensiunile domeniilor feroelectrice (cele n care dipolii elementari
sunt orientai dup o singur direcie). Domeniile care au polarizarea paralel
cu cmpul vor crete ca dimensiune, celelalte vor scdea. Aceast cretere se
manifest pn cnd ntreg materialul este un singur domeniu cu polarizarea
orientat paralel cu cmpul extern, n continuare polarizarea nu mai poate
crete. Pentru cmpuri externe slabe constanta dielectric va avea o comportare
dup temperatur similar relaiei (44):
r const. /|TTC| (45)
Reprezentnt grafic inversul constantei dielectrice n funcie de temperatur
se obin dou drepte cu pante de semn opus (ca un "V"). Prin extrapolarea
poriunior liniare se poate determina temperatura de tranziie Curie.
TEME SPECIALE

MODELUL ELECTRONILOR CVASILIBERI

Cel mai simplu model ce descrie comportarea electronilor n solid este cel al
electronilor liberi ntr-o cutie de potenial, aplicabil metalelor. Pentru cazul
unidimensional, al unei gropi de potenial de lungime L (macroscopic,
dimensiunea unei bucii de metal), funcia de und asociat electronilor este
cea a unei unde plane:
k(x) = Aeikx,
unde numrul de und "k" este legat de dimensiunea gropii prin relaia:
k=2n/L, nN.
Lungimea "L" fiind foarte mare (la nivel cuantic), valorile lui "k" sunt foarte
apropiate i implicit valorile energiei particulei vor fi foarte apropiate, putndu-
se considera c micarea electronului n interiorul metalului este similar cu cea
a electronului n spaiul liber, salturile de pe un nivel de energie pe altul vecin
fiind prea mici pentru a genera efecte observabile la temperaturile uzuale.
n interiorul materialelor cristaline (metale, semiconductori, izolatori) electronii
simt un potenial periodic datorat ionilor aflai n nodurile reelei cristaline. O
rafinare a modelului precedent suprapune peste potenialul cutiei un potenial
periodic care n cazul unidimensional este:
V(x) = 2Vcosqx = V(eiqx + eiqx) q = 2/a, V<0 (1)
cu "a" distana dintre ionii vecini. Potentialul V este negativ, adic genereaz o
for de atracie a electronului ctre locul n care se afl ionul pozitiv.
Potenialul fiind considerat mic, electronii cvasiliberi, funcia lor de und este o
und plan perturbat de prezena altor unde plane:
k(x)= ake ikx + ak+qe i(k+q)x + akqe i(kq)x + (2)
o descompunere n serie Fourier dup o baz de funcii cu periodicitatea reelei.
Aplicnd ecuaia Schrodinger funciei de und:
[2 /(2m)] (2 /x2) + V(x) = E (3)
cu notaiile:
Eok = 2 k2 /(2m)
Eokq = 2 (kq)2 /(2m) (4)
Eok+q = 2 (k+q)2 /(2m)
pentru energia electronului liber, neperturbat i Ek-energia actual a
electronului ,obinem:
[(EokEk)ak+V(ak-q+ak+q)]e ikx+
+[(Eok+qEk)ak+q+akV]e i(k+q)x+ (5)
+[(EokqEk)akq+akV]e i(kq)x = 0
relaie care trebuie s fie valabil oricare ar fi x, ceea ce implic anularea
coeficienilor exponenialelor, adic:
(EokEk)ak+V(akq+ ak+q) = 0
(Eok+qEk)ak+q+Vak = 0 (6)
(EokqEk)akq+Vak = 0
La modul general un sistem infinit de ecuaii liniare i omogene pentru
coeficienii ak, ak+q, Din ultima ecuaie din sistemul (6) putem scrie:

akq=Vak/(EkEokq) (7)
care ne arat c doar atunci cnd energia electronului cvasiliber Ek se apropie
de valoarea energiei electronului liber Eok-q, coeficientul ak-q devine
semnificativ, n rest el avnd valori neglijabile (V). Acest lucru se ntmpl
cnd numrul de und k tinde la q/2:
Ek=Eok-q => k2 = (kq)2 => k =q/2
Neglijnd toi coeficienii cu excepia lui ak-q sistemul (6) se reduce la:
(Eok Ek)ak+Vak-q = 0
(Eok q Ek)ak q+Vak = 0 (8)
Sistemul (8) fiind omogen va avea soluii nebanale (0) dac determinantul
coeficienilor si este zero:

Eok Ek V
=0 (9)
V Eokq
ecuaie de gradul 2 pentru energia electonului Ek, cu soluiile:
Ek = [(Eok +Eokq)/2] |V| [1+ (Eok +Eokq)2 /(4V2)]1/2 (10)
Chiar n k=q/2=/a avem Ek=Eok |V|, ceea ce ne spune c n acest punct curba
energiei n funcie de impuls (p=k) are o discontinuitate. Pentru valori ale lui k
imediat sub valoarea q/2 energia este Ek=Eok |V|, iar pentru valori ale lui k
imediat peste q/2 energia electronului este Ek=Eok + |V|. n acest fel apare o
zon fr nivele de energie pentru electroni, zon interzis, ct este
amplitudinea potenialului periodic, 2|V|. Folosind relaia (7) pentru
determinarea coeficientului ak-q mpreun cu relaia pentru energie (11)
obinem:
akq = ak ( k q/2)
akq = ak ( k q/2) (12)
iar funciile de und corespunztoare vor fi:
(k q/2) = ak (eiqx/2 + e iqx/2) = 2akcos(x/2)
(k q/2) = ak (eiqx/2 e iqx/2) = 2iaksin(x/2) (13)
Densitatea de probabilitate a electronilor este:
d(k q/2) = ||2= 4ak2cos2(x/2)
d(k q/2) = ||2= 4ak2sin2(x/2) (14)
aratnd c pentru k q/2 electronii se localizeaz lng ionii pozitivi (energie
potenial minim), iar pentru k q/2 electronii se localizeaz la mijlocul
distanei dintre ioni (energie potenial maxim).
O particul liber are Eok=2k2/(2m) i putem defini masa ei ca:
m = /(2Eok /k2) (15)
n cazul electronilor cvasliberi, n apropierea valorii k=q/2 putem rescrie relaia
(10) ca:
Ek = 2 [k2 + (kq)2 ]/(4m) |V| [1+ 2q2 2(2kq)2 /(16m2 V2)]1/2 (16)
sau innd cont c 2k q 0 si (1+x) 1+x /2 (serie Taylor) avem:
1/2

Ek 2 [k2 + (kq)2 ]/(4m) |V| [1+ 2q2 2(2kq)2 /(32m2 V2)]1/2 (17)
2 2
de unde folosind relaia (15) cu notaia Eo= (q/2) /2m i n aproximaia 2Eo/|V|
>>1, gsim:
m*=m/(12Eo/V) m |V| /(2Eo), k q/2 (18)
m =m/(1+2Eo/V) m |V| /(2Eo), k q/2
*

Se observ c la marginea benzii inferioare de energie masa efectiv a

electronului este negativ i mai mic n valoare absolut dect masa
electronlului liber. La marginea benzii superioare de energie masa electronului
este pozitiv i mai mic dect masa electronului liber. Acest comportament al
electronului este cauzat de interaciunea lui cu potenialul periodic al reelei
cristaline. (Vezi exemplul cu mainuele care trase un pic napoi se mic
nainte lsate libere).
n analogie cu micarea particulei libere se poate defini viteza ei ca:
v = (1/) E/k (19)
Formula (19) aplicat energiei electronului cvasiliber n k=q/2 ne duce la
valoarea zero a vitezei. Rezultat previzibil prin faptul c se formeaz o und
staionar prin suprapunerea undei directe i inverse ca n relaia (13).

Ocuparea benzilor. Metale i izolatori

Fiindc lungimea gropii de potenial se poate scrie ca:
L=Na
unde N este numrul de atomi, atunci ntre k=/a i k=q/2=/a avem N stri
de energie:
k = 2n/L
L=Na => n = N/2 (20)
k=/a
Fiindc fiecare stare energetic poate fi ocupat de doi electroni cu spini opui
rezult 2N stri cuantice. Dac atomii din reea sunt monovaleni, cei N
electroni ocup doar jumatate din strile cuantice, ramnnd stri libere
materialul va fi metalic, electronii putndu-se mica sub aciunea unui cmp
electric.
Dac atomii din reea sunt bivaleni, banda de energie va fi complet plin,
materialul va fi izolator sau semiconductor, fiindc pentru excitarea unui
electron este necesar o energie cel puin egal cu mrimea zonei interzise.
Pentru aflarea densitii de stri definit ca numr de stri cuantice din
unitatea de volum i pe unitatea de interval de energie, ne folosim de ipoteza lui
Plank care spune c n spaiul fazelor (r i p, 6 dimensiuni) cel mai mic volum
este h3. Numrul de stri cuantice din volumul elementar din spaiul fazelor
este:
dS =2dxdydzdpxdpydpz / h3 (21)
unde multiplicarea cu 2 apare datorit spinului electronic. Fiindc:
dxdydz=dV
dpxdpydpz = 4p2dp (22)
iar energia cinetic este:
 E=p2/2m => p=(2mE)1/2 i dE = pdp/m
atunci:
dS = (8/h3) m (2mE)1/2 dEdV (23)
de unde densitatea de stri este:
D(E)=dS/(dVdE)=(8/h3 )m(2mE)1/2 (24)

Funcia de distribuie
Ocuparea strilor se face de ctre electroni conform funciei de distribuie
Fermi-Dirac:
f(E)=1/(e(E F) / (kT) + 1) (25)
care ne spune care este probabilitatea de ocupare a nivelului cu energia E, la
temperatura T (k =constanta Boltzmann =1,3810 23 J/K), F fiind energia
nivelului Fermi (practic media aritmetic a energiei ultimului nivel ocupat cu
primul nivel liber, riguros energia pentru care probabilitatea de ocupare este
1/2). Pentru semiconductori energia E F fiind mare (>0,1eV) comparativ cu
energia termic kT(~25 meV la 27oC) se poate neglija termenul unitate de la
numitor fa de exponenial, iar funcia de distribuie devine:
f(E)=e (E F ) / k T (26)
funcia de distribuie clasic Boltzmann. Numrul de electroni din unitatea de
volum din banda de conducie a semiconductorului se obine integrnd dup
energiile din band produsul dintre densitatea de stri i funcia de distribuie:

n = D(E)f(E)dE = (8/h3)m(2m)1/2(E Ec)1/2 e(EF) / (kT) dE(27)

n formula densitii de stri (24) s-a inut seama c energia cinetic este zero la
fundul benzii de conducie (Ec), iar integrarea s-a extins pn la infinit (i nu
pn la vrful benzii de conducie) pentru sipmlificarea tratrii matematice,
influena asupra rezultatului fiind neglijabil datorit factorului exponenial
care scade foarte rapid cu creterea energiei. Fcnd schimbarea de variabil:
x = (E Ec )/(kT) (28)
i dnd factor n faa integralei mrimile care nu depind de x avem:
n = 4 (2mkT/h2)3/2 e(F Ec) / (kT) x1/2 ex dx (29)
Valoarea integralei este 1/2/ 2 ( funcia (3/2)), de unde concentraia
electronilor de conducie este:
n = 2(2mkBT/h2)3/2e(F Ec) / (kT) = Nc e(F Ec) / (kT) (30)
unde Nc poart numele de densitate efectiv de stri n banda de conducie.
Pentru aflarea concentraiei golurilor, definite ca locuri rmase neocupate n
banda de valen a semiconductorului, vom ine seama de funcia de distribuie
a electronilor pe care o scdem din 1 (gradul maxim de ocupare a unui nivel
electronic) pentru a obine funcia de disrtibuie a golurilor:
f h(E) = 1 fe(E) = 1 1/(e(E F) / kT + 1) = e(E F) / kT/(e(E F) / kT+1) (31)
Fiindc energia E F(<0,1 eV) este mult mai mare n valoare absolut dect
enegia termic kT(~0,025 eV, la 300K), se poate neglija termenul exponenial
de la numitor fa de unitate, iar funcia de distibuie a golurilor n banda de
valen devine:
f h(E) = e(E F) / kT (32)
Numrul golurilor din banda de valen din unitatea de volum a
semiconductorului se obine integrnd dup toate valorile energiilor din banda
de valen ( la Ev) produsul dintre densitatea de stri din band i funcia de
distribuie:
p = D(E)f h(E)dE = 4(2m/h2)3/2 (Ev E)1/2 e (E F) / (kT) dE (33)
unde s-a inut seama c energia cinetic a electronilor de valen se anuleaz la
vrful benzii de valen. Facnd schimbarea de variabil:
x = (Ev E) / (kT) (34)
cu modificarea corespunztoare a limitelor de integrare (plus inversarea lor)
obinem:
p = 4(2mkT/h2 )3/2 e(Ev F) /( kT) x1/2 e x dx (35)
sau innd seama de valoarea integralei (1/2/2) avem:
p = 2(2mkT/h2)3/2 e(Ev F) / (kT)= Nv e(Ev F) / (kT) (36)
unde Nv poart numele de densitate efectiv de stri n banda de valen. De
menionat c n relaiile (30) i (36) masa electronului este cea din band (masa
efectiv) i nu masa electronului liber.
Dac se face produsul concentraiilor purttorilor de sarcin pozitiv i negativ
se obine:
np = NcNve(Ev Ec) / ( kT) = NcNve E / ( kT) = ni2(T) (37)
legea aciunii maselor, relaie de baz pentru nelegerea comportrii
semiconductorilor. n acest lege se vede c produsul concentraiilor nu
depinde de poziia nivelului Fermi, care nu mai apare n relaie, ci doar de
mrimea zonei interzise E=Ec Ev i de temperatur. Aceast relaie este
valabil atunci cnd semiconductorul se gsete n condiii de echlibru. Ea
poate fi un criteriu dup care s putem spune dac materialul semiconductor se
gsete sau nu n condiii de echilibru.
Poziia nivelului Fermi se determin din condiia de conservare a numrului de
particule. Dac semiconductorul se impurific cu atomi donori, crete numrul
de electroni liberi n material, iar nivelul Fermi se deplaseaz ctre banda de
conducie. Creterea de k ori a numrului de electroni va implica scderea de k
ori a numrului de goluri conform legii aciunii maselor.
Pentru semiconductori intrinseci, fr impuriti, concentraia electronilor liberi
este aceeai cu a golurilor, fiindc electronii din banda de conducie se obin
prin transferul lor din banda de valen. Folosind legea aciunii maselor (37)
obinem:
n = p = ni = (NcNv)1/2 e E / (2kT) (38)
unde ni poart numele de concentraie intrinsec de purttori, fiind o
proprietate de material dependent de temperatur.
innd cont de formula conductivitii electrice:
= ne2 n /mn + pe2 p /mp (39)
cu relaia (38) se gsete conductivitatea electric a semiconductorului
intrinsec:

= oe E / (2kT) (40)
sau rezistivitatea electric:

= oeE /(2kT) (41)

Acest comportament al rezistivitii electrice n funcie de temperatur se
ntlnete la termistori, dispozitive electronice cu dou terminale care-i
modific puternic rezistena electric cu temperatura. Ei sunt folosii n special
la msurarea temperaturii. Expresia rezistenei lor electrice n funcie de
temperatur este:

R(T)=R eB/T (42)

unde constanta B se poate exprima prin intermediul valorilor rezistenei
electrice la dou temperaturi diferite:
B = [T1T2/(T2 T1)] ln(R1/R2) (43)
o o
de obicei 25 C (298K) i 85 C (358K), concret:
B =1780ln(R25/R85), [B]SI =K (44)
Unitatea de msur pentru mrimea B este gradul Kelvin. Mrimea B este o
constant de material, lucru care se poate vedea prin compararea relaiilor (41)
i (42) de unde se deduce:
 B =E /(2kB) (45)
adic B este direct legat de mrimea zonei interzise a materialului
semiconductor.

FOTOCONDUCIA

1. Introducere
Purttorii liberi apar ntr-un semiconductor datorit excitrii electronilor din
banda de valen sau de pe nivelele donoare n banda de conducie sau pe
nivelele acceptoare. Energia necesar excitrii este asigurat n mod normal de
energia termic a reelei, astfel c temperatura electronilor i a reelei este
aceeai. Acetia sunt purttorii de sarcin de echilibru. Dac
semiconductorul este iluminat apar purttori de sarcin suplimentari cu energie
mai mare n momentul apariiei dect a purttorilor de echilibru i din aceast
cauz sunt numii purttori de neechilibru sau purttori n exces. Purttorii
de neechilibru interacionnd cu reeaua cristalului i reduc energia la valoarea
energiei purttorilor de echilibru ntr-un interval de timp foarte scurt,
10121010s, comparativ cu timpul de via al purttorilor n semiconductori.
Purttorii minoritari n exces controleaz comportarea ambelor tipuri de
purttori (modificarea densitii purttorilor majoritari e mic procentual, ei
apar ca reacie la prezena minoritarilor, Morant).

Conductivitatea electric de neechilibru

Iluminnd un semiconductor, concentraia purttorilor liberi devine :
n = no + n, p = po + p (1)
unde no i po sunt concentraiille de echilibru ale electronilor i golurilor, iar n
i p sunt concentraiile electronilor i golurilor de neechilibru aprute ca
urmare a injeciei optice. Conductivitatea electric se va putea exprima ca:
= o + (2)
n care conductivitatea de neechilibru este:
= q (nn + pp) (3)
unde:
q este sarcina elementar, iar
n i p sunt mobilitile electronilor, respectiv golurilor.
Presupunnd c acioneaz doar procesul de generare, atunci concentraiile de
neechilibru ar crete cu timpul "t" dup o lege de tipul:
 n = p = abIt (4)
reprezentat punctat n figura 1, unde:
"a" este coeficientul de absorbie a luminii,
"b" este un coeficient numit randament cuantic, iar
"I" este intensitatea radiaiei incidente.
Experimental se constat c dup un anumit interval de timp de la nceperea
iluminrii concentraiile purttorilor de neechilibru rmn constante. Este
normal s presupunem c are loc un proces contrar, de recombinare a
purttorilor, care-l echilibreaz pe cel de generare astfel c dup un interval de
timp se va stabili o conductibilitate electric staionar i concentraii
staionare ale purttorilor de neechilibru de tipul:
n' = abI n , p' = abI p (5)
unde n i p reprezint timpul mediu de via al electronilor, respectiv
golurilor.

n
n = It
n st

n s t= I

t
Figura 1. Evoluia n timp a concentraiei purttorilor de neechlibru generai
prin iluminare.
Putem rescrie conductivitatea de neechilibru ca:
= qabI( nn + pp ) (3')
Cnd unul din termeni este mult mai mare dect cellalt avem relaia:
= qabI (3")
n care conductivitatea de neechilibru este determinat de patru parametri:
a i b => caracterizeaz interaciunea luminii cu semiconductorul;
i => interaciunea purttorilor de sarcin cu semiconductorul.
Timpul de via al purttorilor de neechilibru
Probabilitatea ca un electron s ntlneasc un gol este proporional cu
concentraia golurilor p i cu viteza relativ medie de deplasare a electronului
n raport cu golul vn . Timpul de via al electronilor n depinde invers
proporional de concentraia de goluri i de coeficientul de captur Cn = vnSn
(Sn fiind seciunea de captur) :
n = 1/(pCn) (6)

Relaxarea fotoconduciei
Dac la momentul t=0 ncepe iluminarea semiconductorului, conductivitatea
electric staionar se atinge dup un anumit timp, iar la ncetarea iluminrii ea
scade treptat la valoarea de echilibru. Curbele de cretere sau descretere a
conduciei de neechilibru pentru diferite intensiti ale radiaiei incidente se
numesc curbe de relaxare a conduciei de neechilibru.
Recombinarea electronilor de neechilibru cu golurile este liniar n cazul n
care exist un singur tip de goluri cu concentraie mare i practic independent
de intensitatea radiaiei, rata recombinrii fiind atunci:
R = n/ n = n p Cn (7)
Variaia concentraiei purttorilor de neechilibru n unitatea de timp se poate
scrie:
dn/dt = abI n/ (8)
cu soluia:
n = abI (1 e t/ ) (9)
dac proba se ilumineaz de la t = 0 s.
Dac la t = 0 nceteaz iluminarea atunci variaia concentraiei purttorilor de
neechilibru n unitatea de timp se poate scrie:
dn/dt = n/ (10)
cu soluia:
n = abIe t/ (11)
 n / n st
n / n s t= 1 - e - t/

n / n s t= e -t/

t
In tu n e ric
L u m in a

Figura 2. Curbe ale evoluiei n timp a concentraiei purttorilor de neechilibru

la iluminare i la ntuneric.
Dac concentraiile de echilibru sunt mici, iar purttorii de neechilibru se obin
prin excitarea electronilor din banda de valen n banda de conducie, avem
egalitate ntre concentraiile de neechilibru ale electronilor i golurilor i din
relaia (7) avem recombinare ptratic:
R = n p C = Cn p = C(n)2 (7')
Pentru iluminare ecuaia evoluiei n timp a concentraiei de neechilibru este:
dn/dt = abI C(n)2 (8')
cu soluia:
n = (abI/C)1/2 th [t (abI)1/2] (9')
Pentru condiia de ntuneric avem relaia:
dn/dt = C(n)2 (10')
cu soluia:
n = (abI/C)1/2 / [t (abI)1/2 +1] (11')
n acest caz al recombinrii ptratice nu se poate introduce noiunea de timp de
via al purttorilor de neechilibru =1/(Cp), fiindc el depinde prin p de
intensitatea radiaiei incidente. Se poate defini pentru purttorii de neechilibru
doar un timp de via instantaneu.

Metode pentru msurarea fotoconduciei

n cazul n care n >> no , msurarea fotoconduciei se face simplu prin
msurarea curentului care trece prin circuitul fotorezistenei alimentate de la o
surs de tensiune constant. Surplusul de curent la iluminare se msoar pe
fondul curentului de ntuneric. Dac n << no , relaie ce are loc pentru
semiconductorii cu rezistivitate mic, se folosesc montaje care elimin printr-
un procedeu specific curentul de ntuneric (montaj n punte sau compensator).
Dac la ntuneric proba are reristena R0, iar dup iluminare rezistena scade cu
R, innd cont de expresia rezistenei n funcie de geometria probei, avem:
R0 R = L / [S(o + )] (12)
de unde putem calcula conductivitatea de neechilibru ca:
= (S/L) R / [R0 (R0 R)] (13a)
/o = R/(R0 R) (13b)

L u m in a
V o ltm e tr u

F o to r e z is te n ta
R S
U

Figura 3. Msurarea rspunsului staionar al unei fotorezistene.

Dac fotorezistena se afl n serie cu o rezisten de sarcin R s i o surs de
tensiune U, atunci modificarea tensiunii pe rezistena de sarcin datorit
iluminrii este:
U s = (IL Io) R s (14)
unde:
Io = U/(R s + Ro)
IL = U/(R s + Ro R)
i n consecin avem:
R = Us(R s+Ro)2 / [UR s+Us(R s+Ro)] (15)
Dac, R s<< Ro R, rezistena de sarcin e mult mai mic dect fotorezistena,
atunci relaia (15) devine:
R = Us Ro2 / (UR s + UsRo) (16)
iar relaia corespunztoare pentru conductivitatea de neechilibru (13a) este:
= (S/L)Us / (UR s) (17)
Regimul de msurare descris se numete "regim de cmp constant".
Procedura experimental
1. Se realizeaz montajul din figur i se msoar n regim de cmp
constant. Calculele se fac cu relaia (17).
2. Se verific proporionalitatea dintre intensitatea radiaiei incidente i
modificnd distana dintre sursa de lumin i prob. Graficul = f (1/d2),
unde "d" este distana surs-prob, trebuie s fie liniar fiindc iluminarea unei
suprafee de ctre o surs punctiform scade cu inversul ptratului distanei
dintre surs i suprafa.
3. Pentru a evalua timpul de via al purttorilor n exces se va ilumina proba cu
un fascicul de lumin ntrerupt periodic (chopperat) i semnalul cules de pe
rezistena de sarcin se aplic unui osciloscop.

L u m in a O s c ilo s c o p
D is c c u
fa n te
A m p lific a to r

F o to r e z is te n ta
R S
U

Figura 4. Msurarea rspunsului dinamic al unei fotorezistene.

Bibliografie
1. Constantinescu, C., Glodeanu, A. - "Stri locale n semiconductori", Editura
tehnic 1967, pag. 271-299, 379-387.
2. Morant, M. J. "Introduction to Semiconducto Devices", (G. Harap Ltd.
1964, London)

DETERMINAREA LUNGIMII DE DIFUZIE A

PURTTORILOR DE NEECHILIBRU PRIN METODA
VALDES

1. Consideraii generale
Purttorii care sunt generai termic ntr-un semiconductor se numesc purttori
de echilibru. Distribuia lor dup energii este descris de funcia de distribuie
Fermi-Dirac. De mare interes fundamental i aplicativ este posibilitatea
realizrii unor abateri fa de valorile de echilibru ale concentraiilor
purttorilor din semiconductor. Aceasta se obine prin:
 injecie la contacte,
aciunea radiaiei electromagnetice,
aciunea unui cmp electric suficient de intens,
bombardament cu particule.
Odat cu ncetarea stimulilor externi, sistemul tinde s revin la echilibru,
aceast revenire fcndu-se treptat n timp. Concentraiile de purttori tind spre
valorile de echilibru, timpul de via fiind constanta de timp important a
acestui proces. Fenomenul de revenire la echilibru este determinat de
recombinarea purttorilor de sarcin, adic de anihilarea unor perechi de
purttori liberi sau a unui purttor liber i a unuia localizat. Acestea sunt cele
mai simple procese, energia n surplus dup recombinare fiind preluat de
reeaua cristalin (fononi) sau de fotonii emii.
Considerm un sistem format din electroni i goluri, asupra cruia acioneaz
stimuli externi, cu concentraiile de neechilibru:
n(t, x, i,, p) i p(t, x, i,, p)
unde parametrii i,, p descriu stimulii externi i interacia acestora cu
sistemul (n calculele ulterioare nu-i vom mai specifica). Notnd cu no i po
concentraiile la echilibru termodinamic, abaterile vor fi:
n = n(t,x) no i p = p(t,x) po.
Scriind ecuaiile de continuitate:
n/t = g rn + (1/q)div j n
(1)
p/t = g rp + (1/q)div j p
remarcm prezena suplimentar a termenilor:
g rata absolut de generare,
rn , rp ratele absolute de recombinare pentru electroni i goluri.
Presupunnd c recombinarea se face pe centre a cror concentraie este mic i
lipsa fenomenului de alipire, avem simplificrile:
n = p ; rn n /n ; rp p /p ; (2)
Specificnd termenii care conin cureni n ecuaiile de continuitate (1) se
obine:
n/t = g n /n + Dndiv grad n + nndiv E + nEgrad n
(3)
p/t = g p /p + Dpdiv grad p ppdiv E pEgrad p
Prelucrnd ec (3), rezult pentru abaterea n, ecuaia:
(n)/t = g n / + Ddiv grad(n) + eEgrad (n) (4)
unde:
D (Dn p p+Dp n n )/(p p+ n n ) - coeficient de difuzie ambipolar
e (p n) p n / (pp + n n ) - mobilitate de drift
Vom liniariza ecuaia (4) presupunnd valabil condiia de nivel mic de
injecie, adic n =p<< no, po. n plus, vom mai presupune cazul unui
semiconductor puternic extrinsec, pentru care no<<po i deci :
D Dn ; e n
n absena cmpului electric, ecuaia (4) capt forma simpl:
(n)/t = g n / + D div grad (n) (5)
Vom considera o prob semiconductoare cu lungimea mult mai mare dect
celelalte dimensiuni, la care iluminm a mic poriune din suprafaa sa la x=0.
Presupunnd obinut regimul staionar, (n)/t = 0 i tratnd problema ca
unidimensional, ecuaia care descrie procesul n regiunea neluminat este:
Dn 2 (n)/x2 n / = 0 (6)
Soluia care convine fizic este:
n(x) = n(0) e x/Ln (7)
unde cu Ln2 am notat produsul Dn. Parametrul L este lungimea de difuzie, din
msurarea lui i cunoaterea coeficientului de difuzie se obine timpul de via
n condiiile restrictive enunate anterior.
2. Instalaia experimental
Bec

G a lv a n o m e t r u

C hopper
m A B a t e r ie

R G

P ro b a R e o s ta t

Figura 1. Schema instalaiei experimentale.

Proba semiconductoare se prinde ntr-un suport care se poate deplasa pe o
mas orizontal, mrimea deplasrii putndu-se citi pe un ceas
comparator.
Sistemul de iluminare se compune dintr-o surs, un sistem optic pentru
focalizarea luminii pe prob i o fant cu dimensiune reglabil.
Lumina se moduleaz cu ajutorul unui disc rotitor dinat astfel nct
iluminarea probei s se fac n impulsuri, semnalul cules de pe o prob
msurndu-se cu un galvanometru vibraional sau un milivoltmetru
electronic acordate pe frecvena de modulaie.
Curentul care trece prin sonda colectoare de pe suprafaa probei este direct
proporional cu concentraia de purttori din vecintatea contactului
sondei cu proba, galvanometrul vibraional permind msurarea numai
a semnalului modulat; acest semnal este proporional cu concentraia
purttorilor de neechilibru.
Deplasnd sonda pe suprafaa semiconductorului, pornind de la regiune
iluminat spre margine, semnalul msurat va scdea dup o lege de tipul
(7). Practic, sonda rmne fix pe suprafaa semiconductorului i
ntregul sistem este deplasat fa de spotul luminos.

3. Modul de lucru
Se realizeaz montajul din figura 3 i se alimenteaz sonda colectoare
astfel nct s aibe polaritatea de sens contrar tipului de purttori
majoritari.
Se concentreaz aparatul de msur la reea i se msoar nivelul de
zgomot, adic indicaia aparatului n absena iluminrii probei. n cazul
galvanometrului vibtaional se msoar lrgimea l0 a spotului.
 Se conecteaz sursa sistemului optic i se conecteaz motorul sincron, care
antreneaz discul modulator.
Se focalizeaz lumina pe suprafaa probei i se deplaseaz msua cu proba
pn ce vrful sondei se afl n centrul spotului luminos, focalizat pe
prob.
Se msoar mrimea semnalului n aceast poziie, dac se lucreaz cu
galvanometrului vibtaional, acesta trebuie nti acordat pe frecvena de
modulare, urmrind semnalul maxim. Notnd cu (0) lrgimea msurat a
semnalului n aceast poziie.
Se deplaseaz siatemul prob-sond fa de facsicolul luminos, notndu-se
pentru distanele respective lrgimile corespunztoare ale spotului
galvanometrului, sau deviaiile milivoltmetrului electronic.
Deoarece lrgimea efectiv a spotului galvanometrului vibraional variaz cu
distana dup o lege de tipul (7), reprezentnd grafic mrimea
ln [(o)/( (0) o )
n funcie de distan rezult lungimea de difuzie L.
Cunoscnd mrimile coeficienilor de difuzie Dn i Dp care n Ge de tip p este
93 cm2/sec i respectiv n Ge de tip n este 44 cm2/sec, se pot determina timpii
de via att n material de tip p ct i n cel de tip n.
Observaie. Suprafaa probei jucnd un rol foarte important n cazul generrii
purttorilor de neechilibru prin iluminare, se cere o atenie sporit n
prelucrarea suprafeei att din punct de vedere mecanic ct i chimic.

4. ntrebri
Ce legtur exist ntre perioada semnalului modulat i timpul de via, astfel
nct s fie ndeplinit condiia de staionaritate pentru semnal?

DETERMINAREA MOBILITII DE DRIFT A

PURTTORILOR MINORITARI PRIN METODA
IMPULSURILOR

1. Introducere
Mobilitatea de drift se definete ca raportul dintre viteza purttorilor de sarcin
"vd" n cmpul electric aplicat i intensitatea cmpului "E":
d = vd / E
Mobilitatea depinde de tipul reelei cristaline, compoziia chimic a
semiconductorului i imperfeciunile reelei care determin mprtierea
purttorilor (prin mprtiere nelegem variaia mrimii i direciei vitezei
purttorilor de sarcin mobili datorit ciocnirilor).
Mobilitatea caracterizeaz puritatea unui semiconductor. Impuritile
afecteaz structura periodic a reelei cristaline i astfel reduc mobilitatea
purttorilor de sarcin.
mprtierea pe vibraiile termice ale reelei micoreaz mobilitatea cu
creterea temperaturii. Acest lucru este valabil la temperaturi unde rolul
predominant l joac acest tip de mprtiere. Se intuiete uor c
mprtierea pe vibraiile termice ale reelei joac rol important la
temperaturi mai nalte fa de mprtierea pe impuriti sau defecte.
Mobilitatea de drift difer de mobilitatea Hall (produsul dintre constanta Hall
i conductivitate), deoarece cmpul magnetic modific direcia vitezei de drift a
purttorilor de sarcin. Cu metoda impulsurilor se poate determina viteza de
drift a purttorilor minoritari.
Injecia purttorilor minoritari se poate realiza la contactul metal-
semiconductor, jonciunea p-n i prin iluminare. Se poate utiliza cu acelai
succes oricare din aceste metode. n lucrarea de fa se utilizeaz injecia la
contactul metal-semiconductor.

2. Injecia purttorilor minoritari la contactul metal-semiconductor

La contactul metal-semiconductor apare o diferen de potenial de contact
egal cu diferena lucrurilor de ieire a electronilor din cele dou materiale. n
cazul unui semiconductor de tip n, cnd lucrul de ieire din semiconductor este
mai mic dect lucrul de ieire din metal apare la contactul metal-semiconductor
un strat de baraj.
Apariia stratului de baraj este legat de trecerea electronilor din regiunea de
lng contact a semiconductorului n metal. Deoarece concentraia electronilor
din semiconductor este mai mic cu cteva ordine de mrime dect concentraia
electronilor din metal, stratul de baraj se ntinde practic numai n
semiconductor (n acord cu legea conservrii sarcinii) i lrgimea sa este cu att
mai mic cu ct este mai mare concentraia electronilor din semiconductor. Ca
urmare a scderii concentraiei electronilor n stratul de baraj, banda energetic
a semiconductorului se curbeaz.
Pentru o valoare mare a potenialului de contact, cmpul electric din stratul de
baraj este suficient de mare pentru a rupe electronii din legturile de valen ale
atomilor care alctuiesc semiconductorul i s-i treac n metal. n acest caz
crete concentraia golurilor n stratul de baraj i apare inversiunea tipului de
conducie a semiconductorului, acesta devenind de tip p. Astfel ia natere o
jonciune p-n.
Regiunea p se ntinde de la contactul metalic pn la punctul unde nivelul
Fermi din semiconductor "Fn" ajunge la mijlocul benzii interzise a
semiconductorului. n rest semiconductorul este de tip n.
Dac se aplic sistemului o tensiune direct (plus la metal i minus la
semiconductor) scade bariera de potenial i din regiunea n n regiunea p se
injecteaz electroni, iar din regiunea p n regiunea n se injecteaz goluri.
Golurile se mic prin semiconductor sub influena cmpului electric E cu
viteza vd=dE, unde d este mobilitatea golurilor.

3. Principiul metodei de determinare a mobilitii de drift

IE S IC
B3
+ E B
_ R
e c 2
_
S
+ Y

+ _ L
B 1

Figura 1. Tranzistorul cu contacte punctiforme

Metodei este cea folosit la studiul funcionrii tranzistorului cu contacte
punctiforme, realizat n 1949. Pe o proba de Ge de tip n, a crei lungime este
mult mai mare dect celelalte dimensiuni se aplica un cmp electic longitudinal
E, de la o baterie B1 ca n figura 1. Pe prob se aplic dou contacte
punctiforme E i C. Contactul C (colector) este polarizat n sens invers cu
bateria B2, iar contactul E (emitor) este polarizat n sens direct prin intermediul
bateriei B3. n circuitul emitor este introdus comutatorul S. Semnalul cules pe
rezistena de sarcin RS se aplic pe plcile verticale (canalul Y) ale unui
osciloscop.
 V S d e sc h is
S in c h is

d e s c h is

t
t1 t2 t3 t4
V

t
t1 t2 t3 t4
Figura 2. Semnalul pe osciloscop
Comutatorul S este deschis pn la momentul t1, cnd se nchide i prin
contactul emitor curge un curent dat de bateria B3. La momentul t3 se deschide
contactul S. Tensiunea observat pe ecranul oscilografului are forma din figura
2 sus.
La momentul t2 se observ o cretere a semnalului fr a aciona asupra
sistemului din exterior. Exist o diferen eseniala ntre semnalul produs la
momentul t2 i cel produs la momentul t1. Semnalul de la t1 poate aprea i n
cazul absenei injeciei golurilor (absena regiunii p). La momentul t1 electronii
trec din semiconductor n metal datorit polarizrii emiterului. Acesta face s
apar o sarcin pozitiv local (nu este vorba de goluri ci de micorarea
concentraiei electonilor fa de valoarea ei de echilibru) lng emiter (la
dreapta punctului A). Aceast sarcin pozitiv produce un cmp electic care se
propag cu viteza luminii i exercit o for asupra electonilor din jur astfel
nct acetia se mic pentru a neutraliza sarcina spaial. Electronii din toat
proba ncep s se mite practic instantaneu. Ei vin din contactele ohmice ale
probei pentru a nlocui electronii care trec prin contactul emitorului.
Acesta este un caz particular al unei situaii generale: ntr-o prob care are
purttori de un anumit tip, de exemplu electroni, este imposibil s se modifice
concentraia purttorilor prin injecia sau extragerea purttorilor de acelai tip.
Orice sarcin spaial de neechilibru dispare ntr-un timp foarte scurt timpul
de relaxare dielectric. De exemplu pentru o prob de Ge-n cu concentraia
electronilor n0=1016cm3 timpul de relaxare dielectric este de ~1013 s.
Din motivele artate la momentul t1 apare o cretere brusc a tensiunii pe
rezistena de sarcin. ns, tot la momentul t1 are loc injecia golurilor n Ge-n
care tind i ele s formeze o zon de sarcin spaial. Aceast sarcin este
neutralizat de o cantitate egal de electroni care vin din contactul ohmic al
circuitului de emiter (procesul se produce practic instantaneu). Starea neutr
realizat astfel nu este o stare de echilibru termic. Injecia golurilor a dus la
creterea concentraiei electronilor n semiconductorul de tip n. De aici rezult
concluzia c numai injecia purttorilor minoritari duce la creterea
concentraiei purttorilor majoritari.
Golurile injectate se vor deplasa spre colector i la momentul t2 cnd primele
goluri au ajuns la colector, apare din nou o cretere brusc a tensiunii egal cu
creterea de la momentul t1 iar la momentul t4 cnd ultimele goluri au ajuns la
colector tensiunea capt valoarea dinaintea nchiderii contactului S (nainte de
momentul t1).
La momentul t2 i t4 apare o lrgire a frontului impulsurilor determinat de
suprapunerea peste micarea ordonat n cmpul electric a micrii termice
dezordonate a golurilor. Lrgirea frontului impulsurilor este (D td)1/2; D este
coeficientul de difuzie a golurilor iar td este timpul de drift al acestora. Lrgirea
frontului impulsurilor duce la o oarecare nedeterminare n msurarea timpilor t2
i t4.
Pentru o determinare mai precis a timpului de drift se difereniaz semnalul
din figura 2 sus, obinndu-se semnalul din figura 2 jos, unde se vede c la
momentele t2 i t4 curba are un maxim, respectiv un minim. Mobilitatea de drift
a golurilor se determin din relaia:
d = vd / E = L/(Etd) td = t4t3 (1)
Amintim c n drumul lor de la emitor la colector golurile recombin cu
electronii. Lungimea de difuzie a golurilor (este practic drumul pe care-l pot
parcurge golurile pn recombin cu electronii) n Ge, n absena cmpului
electric, este de ordinul a civa milimetri. Cmpul electric duce la creterea
lungimii de difuzie a golurilor. Se definete o lungime caracteristic de difuzie:
ld = [D(t4 t3)]1/2 .
Notnd U0=EL, rezult din relaiile de mai sus
L/ld = (d U0 /D)1/2 (2)
Pentru corectarea determinrilor este necesar ca pe distana L, de la emitor la
colector s nu aib loc procesul de difuzie, adic L >>ld. pentru Ge, unde
D=44cm2/sec, d=1800cm2/(Vs), rezult c E nu trebuie s fie mai mic de 10V/
cm.

4. Dispozitivul experimental
Dispozitivul experimental cuprinde dou generatoare de impulsuri de tensiune,
dreptunghiulare ca n figura 3. Generatorul G1, care da impulsuri de lungime 1,
se introduce n locul bateriei B1 din figura 1 i creeaz de-a lungul probei
cmpul electric E. n locul bateriei B3 se introduce generatorul G2 ce d
impulsuri de lungime 2<<1. Impulsul de la generatorul G2 se aplic dup un
timp 3<<1 , astfel nct s avem 2<<1 3 .
Impulsul de la generatorul G2 injecteaz purttorii minoritari (golurile).
Oscilograma este cea de pe figura 2, timpul t1 fiind marcat de timpul 3 la care
se aplic impulsul G2. Diferenierea semnalului se face cu ajutorul unui circuit
RC (vezi figura 3). n acest caz oscilograma arat ca n figura 2 sus.

V o ltm e tr u O s c ilo s c o p
e le c tr o n ic R S
Y
C
m A

G G e n e ra to r d e
1
im p u ls u r i lu n g i

G e n e ra to r d e
G 2 im p u ls u r i s c u r te

Figura 3. Dispozitivul experimental

5. Modul de lucru
Se lefuiesc probele de Ge-n i se trateaz chimic cu o soluie de perhidrol
30%.
Se aplic pe prob dou sonde de Wolfram (emitorul i colectorul).
Se realizeaz montajul din figura 3 i cu bateria B se stabilete curentul de
colector la valoarea 0,51mA.
Se pun generatoarele i osciloscopul n priz i se aliniaz semnalele pe
ecranul osciloscopului (figura 2).
Se determin tipul de drift folosind scala de etalonare n timp a
osciloscopului.
Se msoar distana L ntre sonde.
Se msoar cmpul electric E dintre emitor i colector cu ajutorul unui
voltmetru electronic de impulsuri.
6. Obiectivele lucrrii
1. Se determin mobilitatea de drift a golurilor pentru trei valori ale distanei
L dintre sonde pentru aceeai valoare a amplitudinii impulsurilor.
2. Se calculeaz coeficientul de difuzie a golurilor folosind relaia D=d kT/q.

7. ntrebri
1. Cum trebuie s fie timpul de drift al purttorilor prin prob fa de timpul
de via al acestora n cazul msurrii mobilitii de drift prin metoda
descris?
2. Care este diferena dintre mobilitatea de drift i mobilitatea Hall a
purttorilor de sarcin?

VITEZA DE RECOMBINARE LA SUPRAFAA

SEMICONDUCTORILOR
Dispozitivele electronice cu semiconductori i n special cele miniaturale sunt
foarte sensibile la starea suprafeei. Reacia suprafeei active a
semiconductorului cu oxigenul, vaporii de ap sau alte componente ale
mediului nconjurtor duce la formarea unor oxizi sau a altor compui a cror
proprieti fizice se deosebesc de cele specifice volumului. Scopul acestei
lucrri const n studierea vitezei de recombinare la suprafa, parametru ce
caracterizeaz starea suprafeei semiconductorului.

1. Stri de suprafa
Suprafaa cristalului att din punct de vedere macroscopic ct i microscopic
reprezint un defect structural al reelei tridimensionale. Tamm a artat teoretic
c toate nivelele energetice ale electronului permise n cristalul nelimitat sunt
permise i n cristalul limitat i c discontinuitatea reelei cristaline conduce
numai la apariia unor nivele energetice discrete localizate n acele intervale
energetice care erau interzise n cristalul nelimitat. Funciile de und ale
electronilor care se gsesc pe aceste nivele scad foarte repede att spre
interiorul cristalului ct i spre exterior i deci electronii care ocup aceste
nivele nu pot ptrunde n interiorul cristalului i sunt localizai la suprafaa lui.
Subliniem faptul c aceste nivelele energetice nu sunt suplimentare fa de ceea
ce exist n interiorul cristalului. Aceste nivele energetice discrete sunt
desprinse din nivelele energetice ale zonelor corespunztoare datorit
perturbrii cauzate de suprafaa liber a cristalului. Strile de suprafa ale
semiconductorului ndeplinesc acelai rol pe care l au impuritile n volumul
cristalului. Ele pot fi donoare, acceptoare sau centre de recombinare.
Nivelele Tamm apar numai la suprafeele perfect curate. n realitate, suprafaa
corpului solid este ntotdeauna acoperit cu un strat mai subire sau mai gros de
atomi sau molecule adsorbite sau care formeaz legturi chimice la suprafa.
S presupunem c pe suprafaa semiconductorului este adsorbit particula M. n
cazul unei adsorbii chimice funciile de und ale reelei i particulei M se vor
suprapune i deci particula M poate fi analizat ca fiind o impuritate care
perturb local periodicitatea reelei. Aa cum artam mai sus o astfel de
perturbare trebuie s duc la apariia n zona interzis a unui nivel energetic
discret N de tip acceptor, donor sau de recombinare.
S presupunem c nivelul N este acceptor. Calculele arat funcia de und a
electronului care se gsete pe un astfel de nivel are un maxim pronunat n
jurul poziiei particulei M i este cu att mai pronunat cu ct nivelul este mai
adnc n banda interzis. Poziia nivelului este determinat de natura reelei
cristaline a semiconductorului, de natura particulei M adsorbite ct i de
distana ei pn la suprafa. Cu ct particula M este mai deprtat de suprafa
cu att mai mult nivelul N urc mai sus spre banda de conducie, iar maximul
funciei de und a electronului localizat pe acest nivel devine mai puin
pronunat, corespunznd procesului de delocalizare a electronului.
Probabilitatea de ocupare a nivelelor energetice de suprafa este dat de
funcia de distribuie Fermi-Dirac:
f(ES) = 1/{1+ exp[(FES)/(kT)]} (1)
unde: ES este distana de la zona de conducie pn la nivelul local,
F este distana de la zona de conducie pn la nivelul Fermi,
k este constanta Boltzmann,
T este temperatura absolut.
Probabilitatea ca nivelul N s fie liber adic ionizat este dat de relaia:
f '= 1 f = 1/{1+ exp[(ES F)/(kT)]} (2)
Presupunnd c la suprafaa semiconductorului au fost adsorbite N0 particule i
c fiecare particul poate s cedeze sau s primeasc un singur electron, putem
gsi densitatea de sarcin la suprafaa semiconductorului:
= q N0 / {1+ exp[(FES)/(kT)]} la acceptori (3)
+ = q N0 / {1+ exp[(ES F)/(kT)]} la donoari (4)
Din relaia (3) se poate observa c n cazul nivelelor acceptoare care pot primi
electroni i s ncarce negativ suprafaa semiconductorului, densitatea de
sarcin superficial crete pe msura deplasrii nivelului Fermi spre zona de
conducie i atinge valoarea maxim max qN0 cnd F EC (fundul benzii de
conducie).
n cazul nivelelor donoare, capabile s cedeze electroni i s ncarce pozitiv
suprafaa semiconductorului, densitatea maxim de sarcin la suprafa este
+max qN0 cnd FEV (vrful benzii de valen). Pe msur ce nivelul Fermi
urc spre banda de conducie gradul de ionizare a donorilor se micoreaz, iar
densitatea de sarcin la suprafa este practic nul.
Strile de suprafa Tamm sau cele cauzate de adsorbia moleculelor strine ct
i de alt natur (dislocaii, vacane etc.) se gsesc n contact bun cu
semiconductorul. Prin urmare, timpul de stabilire al echilibrului strilor cu
volumul semiconductorului (timpul de trecere a electronilor din zonele
energetice pe nivelele de suprafa i invers) este foarte mic, de ordinul a 10 7
sec. sau mai mic. Din aceast cauz aceste stri de suprafa se numesc stri
rapide.
Studierea experimental a suprafeei semiconductorilor a pus n eviden faptul
c pe lng strile rapide exist i stri a cror echilibru cu volumul
semiconductorului se stabilete ntr-un interval de timp foarte mare ncepnd cu
102 sec. pn la cteva minute, ore sau zile. Aceste stri de suprafa sunt
numite stri lente i sunt n general cauzate de existena unui strat de oxid la
suprafa. Se presupune c strile lente de suprafa sunt localizate pe faa
exterioar a stratului de oxid. Stabilirea lent a echilibrului acestor stri cu cele
din volumul semiconductorului este cauzat de faptul c trecerea electronilor
prin stratul de oxid care este un izolator, necesit un tip mai mare. Odat cu
creterea grosimii stratului de oxid constanta de timp a acestor stri va crete.
Din grupa strilor de suprafa rapide fac parte centrele de alipire care sunt
localizate n apropierea benzilor de conducie sau valen i centrele de
recombinare situate n zona central a benzii interzise. Prezena centrelor de
recombinare condiioneaz apariia proceselor de recombinare care n acest caz
sunt numite procese de recombinare la suprafa. S analizm un
semiconductor n a crui band interzis se afl un nivel de recombinare la
suprafa de adncime ES i s presupunem c n volumul semiconductorului se
genereaz uniform purttori de neechilibru de concentraii n i p. Prezena
centrelor de recombinare la suprafaa liber a semiconductorului cauzeaz
apariia unor fluxuri de purttori spre suprafa proporionale cu concentraiile
purttorilor de neechilibru generai n volumul semiconductorului.
Shockley a introdus noiunea de vitez de recombinare la suprafa s(x,y,z,t)
care are dimensiunile (lungime/timp) i care leag fluxul purttorilor de
neechilibru care curge spre suprafa cu concentraia purttorilor de neechilibru
de pe suprafa. Notnd cu I n curentul de goluri i cu I p curentul de electroni
vom putea scrie pentru un semiconductor:
tip p I n = q n s (5)
tip n I p = q p s (6)
Recombinarea purttorilor de neechilibru la suprafa conduce la o srcire n
purttori a regiunii din apropierea suprafeei chiar cnd are loc o generare
uniform a purttorilor n volumul semiconductorului, fapt care va duce la un
proces de difuzie a purttorilor de neechilibru din interiorul semiconductorului
spre suprafa. Deoarece curenii de electroni i goluri din (5) i (6) sunt cauzai
de difuzie, aceste relaii se vor transcrie astfel:
D grad n = S n (7)
D grad p = S p (8)
unde D este coeficientul de difuzie.

2. Teoria metodei de msur a vitezei de recombinare la suprafa

Viteza de recombinare la suprafa se poate determina prin metoda fascicolului
de lumin rotitor. S analizm comportarea purttorilor de neechilibru
dinsemiconductor cnd sunt ndeplinite urmtoarele condiii:
a) este asigurat neutralitatea electric a cristalului;
b) nu trece un curent electric prin prob.
Ecuaiile de continuitate se pot pune sub forma:
p/t = D div grad p +g p/ (9)
n/t = D div grad n +g n/ (10)
unde:
D = (n+p) / [(n/Dp) + (p/Dn)].
Dp este coeficientul de difuzie al golurilor,
Dn este coeficientul de difuzie al electronilor,
n i p sunt concentraiile electronilor i respectiv golurilor,
n i p sunt concentraiile de neechilibru ale electronilor i respectiv golurilor,
este timpul de via al purttorilor de neechilibru,
g este viteza de generare a electronilor i golurilor n unitatea de timp i volum
sub aciunea luminii.

Considernd c n, p<< no , po (concentraiile de echilibru ale purttorilor)

putem scrie:
D = (no + po ) / [(no / Dp) + (po /Dn)] (11)
Relaia (11) arat c coeficientul de difuzie nu depinde de coordonatele
spaiale. Din (9) i (10) se poate observa c ecuaiile att pentru electroni ct i
pentru goluri sunt identice. Prin urmare:
n =p = f(x,y,z,t) (12)
i deci este suficient s analizm numai una din ecuaii, de exemplu (9).
n continuare s considerm o prob de semiconductor de form
paralelipipedic cu muchiile a, b i d care satisfac condiiile:
a >>d i b >>d (13)
Factorul extern care duce la generarea purttorilor de neechilibru va fi
fascicolul ngust de lumin cu limea "a" care se deplaseaz de la stnga la
dreapta cu viteza "c" pe lungimea "b" a probei. Alegem un sistem de axe cu
originea n centrul feei de jos a plcuei semiconductoare cu direcia Ox
paralel cu lungimea "b", direcia Oy paralel cu grosimea "d" i direcia Oz
paralel cu limea "a".
Presupunem c viteza de recombinare pe suprafaa de sus este s1, pe cea de jos
s2, iar pe feele laterale este s3 care se neglijeaz n comparaie cu s1 i s2.
Rezolvnd ecuaia (9) cu condiiile la limit:
p/y = s1 p la y = d (14)
p/y = s2 p la y = 0 (15)
se obine:
p(x,y,t) = A e (x c t) / L 1 [cos(y) + s2 sin(y)/ (D)]
cnd x ct > 0 (16)
p(x,y,t) = B e (x c t) / L 2 [cos(y) + s2 sin(y)/ (D)]
cnd x ct < 0 (17)
Dac punctul x=x0 al probei se fixeaz o sond pentru nregistrarea
concentraiei purttorilor de neechilibru care n timp se modific conform
relaiilor (16) i (17) atunci putem scrie:
p(x o,y,t) = A [cos(y) + s2 sin(y)/ (D)] e x o / L 1 e c t / L 1
xo > c t (18)
p(x o,y,t) = B [cos(y) + s2 sin(y)/ (D)] e x o / L 2 e c t / L 1
xo < c t (19)
n ecuaiile de mai sus A i B sunt nite constante, L1 i L2 sunt date de
expresiile:
L1 = 1/ {C/(2D) + [C2 /(2D)2 + 1/L2 ] 1/2 } (20)
L2 = 1/ { C/(2D) + [C2 /(2D)2 + 1/L2 ] 1/2 } (21)
iar este soluia ecuaiei:
(Dd s1 s2 /(Dd)] tg(d) = s1 + s2 (22)
Din (18) i (19) se poate observa c concentraia purttorilor de neechilibru n
punctul x=x0 al probei variaz n timp dup o lege exponenial, la nceput
crescnd cu constanta de timp (L1/c), iar pe urm scznd cu constanta de timp
(L2/c) dac fascicolul de lumin se deplaseaz de la stnga spre dreapta.
Cunoscnd mrimile L1, L2 i c din (20) i (21) putem determina pe L i
coeficientul de difuzie ambipolar D:
L = (L1 + L2)1/2 (23)
D = c/[(1/L1) (1/L2)] (24)
S presupunem c viteza de recombinare este identic pe ambele fee, adic
s1=s2=s, atunci ecuaia (22) devine:
[D s2 / (D)] tg(d) = 2s (25)
care mpreun cu
1/L2 = 1/L2 + 2 (26)
formeaz un sistem pentru determinarea mrimilor L = (D)1/2 , i S. Deoarece
avem dou ecuaii i trei necunoscute msurtorile se vor face pentru dou
probe de grosimi diferite d1 i d2 din acelai material i deci vom avea sistemul
de 4 ecuaii (unde are indice 1 sau 2):
1/L2 = 1/L2 + 2 [D s2 / (D)] tg(d) = 2s (27)
Dac mrimea s este relativ mic aa cum se ntmpl n cazul Ge decapat n
30% H2O2, atunci:
s2 /(D 1) = s2 /(D2) = 0 ; tg(1,2d) 1,2d(28)
n aceste condiii sistemul de ecuaii (27) se transcrie astfel:
1/L2 = 1/L2 + 2 D2 d = 2s (29)
Rezolvnd acest sistem gsim urmtoarea expresie pentru viteza de
recombinare la suprafa:
s = (D/2) [1/ (L2 1) 1/ (L2 2)] (d1 d2) / (d2 d1) (30)
Folosind valoarea gsit pentru s, din (27) i (29) putem calcula lungimea de
difuzie n volum:
1/L2 = 1/ (L2 1,2) 2s / (Dd1,2) (31)
i timpul de via al purttorilor de neechilibru:
= L2 / D (32)
3. Schema instalaiei i metodica msurtorilor
Schema instalaiei pentru msurarea vitezei de recombinare la suprafa este
prezentat n figur unde:
1 sursa de iluminat
2 fanta
3 sistemul optic de focalizare
4 oglind rotitoare
5 dispozitivul de susinere a cristalului
6 amplificator
7 osciloscop
4 - o g lin d a

2 -fa n ta 1 -s u rs a d e
3 - le n tila lu m in a

f a s c ic u l

6 - a m p lif ic a t o r
sonda
p ro b a

5 -s u p o rt 7 - o s c ilo s c o p

Schema instalaiei experimentale

Fluxul de lumin de la sursa 1 trece prin fanta 2 i este focalizat pe prob dup
o reflexie pe oglinda rotitoare 4. n contact cu proba se gsete o sond de
wolfram.
Fascicolul ngust de lumin cznd pe prob va injecta purttorii de neechilibru
care vor difuza n masa probei urmnd apoi actul de recombinare. n cazul cnd
oglinda 4 nu se rotete, distribuia purttorilor injectai pe o parte i de alta a
petei de lumin de pe prob va fi simetric. Dac fascicolul de lumin se
deplaseaz de la stnga la dreapta, atunci distribuia spaial a purttorilor
injectai nu va fi simetric, iar regiunile de cretere i descretere vor fi descrise
de ecuaiile (18) i (19).
Purttorii de sarcin de neechilibru injectai n regiunea sondei vor cauza
apariia unei fore fotoelectromotoare care este proporional cu concentraia lor
n locul contactului. Semnalul de la sond prin amplificatorul 6 este vizualizat
pe osciloscop. Curba care va apare pe ecranul osciloscopului va descrie
distribuia concentraiei purttorilor de neechilibru n timp. Se copiaz aceast
figur i se redeseneaz n scar semilogaritmic adic lnU n funcie de timpul
t, fiindc din formulele (18) i (19) deducem:
lnp = ct/L1 + const. pentru xo > c t (33)
lnp = ct/L1 + const. pentru xo < c t (34)
Unghiurile 1 i 2 ale dreptelor din figur se pot exprima astfel:
1 = lnp/t = C/L1 (35)
2 = lnp/t = C/L2 (36)
Pentru a putea calcula pe L1 i L2 din (35) i (36) trebuie s cunoatem viteza de
deplasare a fascicolului de lumin pe prob.
Cunoscnd turaia motorului (1700 rot/min) i distana de la prob pn la
oglind se poate determina viteza "c". O metod alternativ presupune
culegerea semnalului de o sond dubl cu distana ntre extremiti. Pe
osciloscop apar dou semnale. Citind pe axa timpului distana t dintre ele
determinm viteza de deplasare a fascicolului de lumin dup relaia c = /t.

4. Obiectivele lucrrii
Se determin viteza de recombinare la suprafa, coeficientul de difuzie,
lungimea de difuzie i timpul de via al purttorilor de neechilibru n volum.
1. Msurtorile se fac pe 2 probe din Ge de grosimi diferite, tiate din acelai
cristal. Se msoar grosimile d1 i d2 cu micrometrul. Se decapeaz probele
cu 30% H2O2.
2. Folosind una din cele 2 medode descrise se determin viteza de deplasare a
fascicolului de lumin.
3. Se determin mrimile "c/L1" i "c/L2" pentru ambele probe. n acest scop
se copiaz figurile de pe ecranul osciloscopului i se reprezint n scar
semilogaritmic. Calculm 1 i 2 din poriunile liniare ale oscilogramei.
4. Cu formulele (35), (36) i (24) se calculeaz pentru fiecare prob L1, L2 i
coeficientul de difuzie.
5. Din relaiile (23) i (30) se calculeaz L i viteza de recombinare la
suprafa "s".
6. Din formulele (31) i (32) se calculeaz lungimea de difuzie L i timpul de
via al purttorilor de neechilibru.
7. Mobilitatea purttorilor de sarcin se determin din formula lui Einstein
= qD/(kT).
Laborator

MSURAREA REZISTIVITII ELECTRICE A

SEMICONDUCTORILOR

1. Introducere
Rezistivitatea electric este o proprietate de baz a materialelor. Valoarea
acestei mrimi constituie unul din criteriile care deosebesc semiconductorii de
metale i izolatori. La semiconductori rezistivitatea variaz ntr-un domeniu
foarte larg de valori:
de la 10 5m la 107m,
avnd valori intremediare ntre conductori (108m) i izolatori (peste 1012
m). Avnd n vedere marile aplicaii practice ale dispozitivelor
semiconductoare, cunoaterea rezistivitii unui semiconductor este una din
primele cerine pentru caracterizarea acestuia. n aceast lucrare se msoar
rezistivitatea unui semiconductor prin metoda celor patru sonde i prin medoda
celor dou sonde, n curent continuu.
Rezistena electric a unui material se determin din msurarea cderii de
tensiune i a intensitii curentului electric. Dou dificulti apar la msurarea
rezistenei semiconductorilor:
(a) rezistena contactului ntre sondele metalice i semiconductor i
(b) gradientul de temperatur pe direcia de curgere a curentului electric.
n semiconductorii cu rezistivitate mare rolul esenial l joac stratul de
inversiune care apare datorit diferenei de potenial de contact, iar n
semiconductorii cu rezistivitate mic rolul esenial l joac imperfeciunile
contactelor. n msurtori este necesar s se nlture rezistena de contact. Acest
lucru se poate realiza n primul rnd prin folosirea unor metode speciale de
msur (metoda compensaiei sau metode electromagnetice n care nu sunt
necesare contacte). Contactul ohmic ntre metal i semiconductor este un
contact ideal care:
nu opune nici o rezisten la trecerea curentului;
nu prezint fenomenul de redresare (n ambele sensuri de polarizare
curentul are aceeai valoare pentru aceeai valoare a tensiunii);
nu-i schimb proprietile sale cu temperatura, valoarea cmpului electric
aplicat sau variaia condiiilor de iluminare.
n general nu se pot realiza contacte ohmice ideale. De aceea n lucrarea de fa
se msoar tensiunea prin metoda compensaiei folosindu-se un poteniometru
compensator. Aceasta fiind o metod de zero, nu trece curent prin contactul
metalsemiconductor i n acest fel este eliminat din msurtori rezistena de
contact.
La msurarea rezistivitii n funcie de temperatur, chiar n condiii obinuite
poate s apar un gradient de temperatur de-a lungul probei. Existena unui
gradient de temperatur duce la apariia unei tensiuni electromotoare (tensiunea
termoelectric) U, proporional cu gradientul de temperatur T:
U = T
unde este coeficientul de temperatur al tensiunii termoelectrice care pentru
semiconductori este de ordinul zecilor de mV/grad.
Deoarece sensul i mrimea tensiunii termoelectrice sunt constante pentru o
perioad lung de timp, influena ei asupra rezultatelor msurtorilor se elimin
prin trecerea curentului electric n ambele sensuri. Pentru un sens al curentului
electric tensiunea msurat este:
U1 = U + U
iar pentru sensul contrar tensiunea msurat este:
U2 = U U.
Valoarea real a tensiunii care ne intereseaz este:
U = (U1 + U2 )/2

2. Metoda Van der Pauw

Aceast metod se folosete pentru msurarea rezistivitii electrice a probelor
de dimensiuni mici cu suprafee plan-paralele, de form oarecare. Proba de
msurat se pune pe un suport de plastic aezat orizontal. Cu ajutorul unor
manipulatoare solidare cu suportul de plastic se fixeaz patru sonde gen cuit
(din tantal sau carbur de wolfram) lateral pe prob. Determinarea rezistivitii
decurge astfel:
1. Se trece un curent I ntre sondele 1 i 2 i se msoar tensiunea ntre 3 i 4.
Se determin R1,2 = U3,4 / I.
2. Se trece curent ntre sondele 1 i 4, se msoar tensiunea ntre sondele 2 i
3. Se determin R1,4 = U2,3 / I.
3. Se calculeaz rezistivitatea dup formula:
= (/ln2)d f(R1,2/R1,4) (R1,2 + R1,4)/2 (1)
unde d este grosimea probei i f(R1,2/R1,4) este o funcie de corelaie. Valoarea
funciei n funcie de raportul x=R1,2/R1,4 este dat de relaia aproximativ:
f 1 [(x1)/(x+1)]2 (ln2)/2 [(x1)/(x+1)]4 [(ln2)2/4 (ln2)3/12]
Pentru 0,7<(R1,2/R1,4)<1,5 valoarea funciei f este aproximativ egal cu unitatea.
n formula (1) figureaz numai mrimi care se pot determina cu exactitate. Nu
este necesar cunoaterea distanei dintre sonde fiindc nu apare n formula (1).
Aceast metod este cu att mai exact cu ct contactul sondprob
semiconductoare se realizeaz pe o suprafa mai mic.

P ro b a
s e m ic o n d u c t o a r e

C o n ta c te c u m u c h ie

Figura 1. Aranjamentul experimaental pentru metoda Van der Pauw.

3. Metoda celor dou sonde

Metoda celor dou sonde se utilizeaz la msurarea rezistivitii probelor de
form geometric paralelipipedic i pentru controlul rezistivitii de-a lungul
probei.
Probele semiconductoare pot s aib o distribuie neomogen a impuritilor
de-a lungul lungimii lor i prin urmare, o rezisten electric neomogen.
Pentru msurarea dependenei rezistivitii de poziie pe lungimea probei una
din sonde este mobil i se deplaseaz de-a lungul probei. Deplasarea sondei
mobile se face cu ajutorul unui urub micrometric.
Schema de msur prin metoda celor dou sonde se vede n figur. Folosind
bateria de alimentare B, se trece prin prob un curent I, limitat de reostatul R.
ntre sondele S1 i S2 se culege tensiunea U care se msoar cu poteniometrul
compensator P. Notnd cu L distana dintre sonde i cu S seciunea
transversal a probei se determin rezistivitatea :
= (U/I) (S/L) = (S/I) tg (2)
unde tg = U/L este panta dreptei U = f(L).
Pstrnd sonda S1 fix i deplasnd sonda S2 se determin distribuia
potenialului de-a lungul probei. Pentru o prob omogen panta dreptei U =
f(L) este constant n timp ce pentru o prob neomogen potenialul are o
distribuie neliniar cu distana dintre sonde.

v o ltm e tr u d ig ita l

sonde
c u re n t
p ro b a
L
m A
b a te r ie
re o s ta t

Figura 2. Aranjamentul experimental pentru metoda celor dou sonde.

4. Obiectivele lucrrii
1. Probele de msurat se lefuiesc cu carborund i se decapeaz chimic.
Decaparea chimic a probelor de Ge se face ntr-o soluie de H2 O2 30%,
iar decaparea probelor de GaAs se face ntr-o soluie format din 5 pri
NaOH i o parte H2 O2 30%.
2. Se msoar rezistivitatea a 3 probe de Ge i GaAs de form geometric
neregulat prin metoda van der Pauw. Rezistivitatea se determin din
relaia (1).
3. Se msoar prin medoda celor dou sonde rezistivitatea a 2 probe de Ge i
GaAs de form paralelipipedic. Pentru aceste probe se traseaz graficul
U=f(L), observndu-se omogenitatea electric a probelor. Rezistivitatea
se determin din relaia (2).
ntrebri
1. Cum depinde rezistivitatea de natura semiconductorului?
2. Care sunt avantajele i dezavantajele medodelor de msur Van der Paw i
celor dou sonde?

Bibliografie
1. Constantinescu, C., Glodenu, A. "Stri locale n semiconductori", Editura
Tehnic 1968
2. Van der Paw, L. Y. Philips Research Reports 113(1) 1(1958)
EFECTUL HALL
Studiem n aceast lucrare unul dintre cele mai importante efecte galvano-
magnetice, efect care permite determinarea foarte precis a concentraiei
precum i a tipului de purttori care particip la conducie.

Consideraii generale
Fie un semiconductor omogen, de form paralelipipedic, prin care trece un
curent electric, aa cum este artat n figura1. Diferena de potenial ntre
punctele A i B, situate n acelai plan perpendicular pe liniile de curent
(suprafa echipotenial), este nul n absena cmpului magnetic constant B.
Dac exist un cmp magnetic, perpendicular pe direcia curentului, ntre
punctele A i B apare o diferen de potenial; acest fenomen se numete efect
Hall, iar diferena de potenial care exist ntre punctele A i B, tensiune Hall.

cam p m a g n e tic

p ro b a re o s ta t
_ v e le c tr o n
L
B b a te r ie
gol+ A
v
fo rta L o r e n tz
g
c u re n t
a

m V

Figura 1. Montaj experimental pentru msurarea efectului Hall.

Considerm micarea unei sarcini electrice "e", cu viteza "v", n cmpul
magnetic B. Asupra acestei sarcini va aciona fora Lorentz:
F = e v B , "e" i conine semnul (1)
Prin aciunea ei sarcinile, indiferent de semnul lor, vor fi deviate ctre aceeeai
suprafa. Singura condiie care se cere ndeplinit este ca sensul de micare al
sarcinilor s fie compatibil cu sensul curentului ce trece prin prob. Deplasarea
sarcinilor spre o suprafa modific ncrcarea electric a acesteia conducnd la
apariia unei diferene de ncrcare electric ntre suprafeele SA i SB.
n interiorul probei ia natere un cmp electric EH care genereaz o for
contrar forei Lorentz. Astfel dup o ncrcare electric suficient a
suprafeelor SA i SB, restul purttorilor trec nedeviai prin prob. Din egalitatea
forei Lorentz cu fora generat de ncrcarea electric a suprafeelor:
eEH=evB (2)
i cunoscnd legtura care exist ntre densitatea de curent, viteza purttorilor i
concentraie:
j = env
obinem:
nEH = jB /e (3)
Lund n considerare dimensiunile probei aa cum sunt indicate n figura 1,
pentru tensiunea Hall se obine:
UH = RHIB/g , unde RH =1/ne (4)
Din aceast expresie se vede c semnul diferenei de potenial depinde de
semnul purttorilor liberi, pentru conducie de electroni RH <0, iar pentru
conducie de goluri RH >0. Cunoscnd constanta Hall RH se poate determina
concentraia purttorilor de curent.
Consideraiile simple pe care le-am folosit pentru obinerea relaiei (4) nu au
permis luarea n considerare a caracterului statistic al vitezelor purttorilor de
curent i a mecanismelor de mprtiere. n cele ce urmeaz vom schia
deducerea coeficientului Hall cu ajutorul ecuaiei cinetice Boltzmann, indicnd
pentru completare lucrarea [1]. Ecuaia Boltzmann permite determinarea
coreciei la funcia de distribuie de echilibru, fenomenele de neechilibru
termodinamic putnd fi descrise de acest termen corectiv. Pentru un
semiconductor cu suprafee energetice sferice i n cazul ciocnirilor elastice,
ecuaia de transport are o form relativ simpl, permind gsirea cu uurin a
coreciei la funcia de distribuie. Cu acest termen, pentru fenomenele galvano-
magnetice: E H, T=0, F=0, obinem ecuaiile pentru componentele
curent:
jx=(ne2/m*)[(/(1+(H)2)x + H(2/(1+(H)2)y] (5)
jy= (ne2/m*)[(2/(1+(H)2) H x + (/(1+(H)2)y]
unde e/mc, (E) fiind timpul de relaxare dependent de energie, iar pentru un
semiconductor nedegenerat:

<f(E)> = [E3/2f(E)eE / (kT)dE] / E3/2e E / (kT)dE

Deoarece dup direcia y nu avem curent, obinem din ec. (5):
 Ey (ne2/m*){< /[1+(H)2]>2 + (H)2 <2/[1+(H)2]>2}
jx = (6)
{H<2/[1+(H)2]>}
sau, pentru constanta Hall:
(m*/ne2) <2/(1+(H)2>
RH = (7)
[</(1+(H)2> + (H)2 <2/(1+(H)2>2]
Deoarece cmpurile magnetice la care lucrm sunt astfel nct verific
ingalitatea H <<1, aceasta fiind condiia de cmp mic pentru efectul Hall,
dezvoltnd n serie i pstrnd termenii adecvai, obinem:
RH = (1/nec)<2>/<>2 (8)
Remarcm apariia factorului corectiv f =<2>/<>2, spre deosebire de expresia
obinut prin consideraii simple; cum ntotdeauna exist ingalitatea <2><>2,
acest factor corectiv este mai mare ca 1. Uznd de diferite dependene de
energie pentru timpul de relaxare [1], putem gsi, funcie de mecanismul de
mprtiere care predomin, factorul corectiv. Astfel, la temperaturi nalte,
f=3/8 iar pentru cele joase f=1,93.
Cunoscnd, pentru una i aceeai prob, constanta Hall RH i conductibilitatea
, n cazul n care exist un singur tip de purttori care particip la conducie,
se poate gsi mobilitatea purttorilor de curent:
H = R (9)
Pentru semiconductorii cu conducie de ambele feluri, lucrurile sunt mai
complicate, expresiile pentru coeficientul Hall i conductibilitate fiind:
= nen+ pep (10)
R=(1/e) [(p2p n2n)/(pp+ nn)2][<2>/<>2]

Montajul experimental
Montajul experimetal, aa cum este prezent schematic n figura 1, const din
dou mari circuite :
circuitul de alimentare al probei cu un curent I,
circuitul pentru msurarea diferenei de potenial Hall.
Curenii de lucru, care trec prin prob sunt de ordinul zecilor de mA. Se
traseaz curbele UH=U(H)I=const. i UH=U(I)H=const. obinndu-se din prelucrarea
lor, concentraia. Msurnd conductibilitatea probei se poate gsi mobilitatea
Hall.
Efecte parazite
n afar de cazul banal al unei tensiuni suplimentare care poate s apar datorit
plasrii incorecte a contactelor A i B (adic nu aparin aceleai suprafee
echipoteniale) mai apar i alte efecte.
Efectul Ettinghausen const n apariia unui gradient de temperatur dup
direcia y, n prezena cmpului magnetic. Gradientul conduce la apariia unei
fore motoare care are acelai sens cu tensiune Hall i deci este foarte greu de
separat de acesta. Legtura dintre gradientul de temperatur i mrimile jx i Hz
este dat n (11), unde P este un coeficient:
P = (T/y)/ (jHz ) (11)
Dac exist un gradient de temperatur dup direcia x, dup direcia y apare, n
prezena cmpului magnetic, o for electromotoare Ey dup legea:
Ey= Q (T/x)Hz (12)
Unde Q este coeficientul Nernst-Ettinghausen transversal, efectul acesta
purtnd numele de efect N-E transversal.
Efectul Righi-Leduc const n faptul c dac exist un gradient de temperatur
dup direcia x, atunci, sub aciunea cmpului magnetic, apare un gradient de
temperatur dup y, acesta conducnd la apariia unei fore
termoelectromotoare care altereaz efectul Hall. Coeficientul Righi-Leduc este:
S= T/y /(Hz T/x) (13)
Astfel, tensiunea msurat cu poteniometrul compensator, V1 eate de fapt o
sum la care i aduc cotribuia efectele anunate anterior:
V1=VH+VE+VNE+VRL+VI (14)
unde VI apare ca urmare a plasrii incorecte a contactelor. Prin inversri
adecvate ale curentului ce trece prin prob, precum i a cmpului magnetic,
dup metodica dat mai jos, se obine:
V2= VH VE +VNE +VRLVI (I inversat)
V3= VH +VE VNE VRLVI (I i H inversat) (15)
V4= VH VE VNE VRL+VI ( H inversat)
Obinem deci pentru suma dintre tensiunea Hall i cea Ettinghausen:
VH +VE = (V1 V2 +V3 V4)/4 (16)
Bibliografie
1. P. S. Kireev - "Fizica semiconductorilor", Editura tiinific i Enciclopedic
1977.
DETERMINAREA BENZII INTERZISE A UNUI
SEMICONDUCTOR
Lrgimea intervalului energertic interzis este cel mai important parametru ce
caracterizeaz un semiconductor. Semnificaia fizic a benzii interzise este
simpl; ea reprezint energia minim necesar unui electron care ocup limita
superioar a strilor benzii de valen, ca acesta s treac n banda de conducie,
pe prima stare energetic. Banda interzis se poate determina din:
msuratori ale conductivitii electrice n funcie de temperatur,
msuratori ale constantei Hall n funcie de temperatur,
msurtori referitoare la distribuia spectral a coeficientului de absorbie a
radiaiei electromagnetice,
msuratori ale distribuiei spectrale a fotocurentului generat de absorbia
radiaiei electromagnetice.
n lucrarea de fa se determin lrgimea benzii interzise prin prima metod
menionat, aceasta fiind totui destul de puin precis.

Dependena conductibilitii de temperatur

Conductibilitatea electric, pentru un semiconductor, este dat de expresia:
= q(nn+ pp) (1)
unde: q reprezint sarcina electronului;
n concentraia de electroni;
p concentraia de goluri;
n mobilitatea electronilor;
p mobilitatea golurilor.
Pentru a gsi dependena conductibilitii de temperatur este necesar
cunoaterea felului n care variaz cu temperatura att concentraiile ct i
mobilitile. Deoarece domeniul de temperaturi n care studiem variaia
conductibilitii este ales astfel nct s fie puse n valoare proprietile
materialului intrinsec, vom considera n continuare condiia n=p, ndeplinit.
Presupunnd un semiconductor intrinsec, nedegenerat, obinem:

n = p = (2/h3)(2kT)3/2(mnmp)3/4eE / (2kT) (2)

unde: kB este constanta lui Boltzmann,
mn masa efectiv a electronului,
mp masa efectiv a golului,
E este lrgimea zonei interzise.
Dei lrgimea zonei interzise are o dependen slab de temperatur, aceast
variaie este cu mult mai mic dect erorile experimentale ale acestei metode,
astfel nct vom considera constant mrimea E.
Mobilitatea purttorilor este dat de expresia:
n,p= <n,p>/mn,p (3)
n care, n,p este timpul de relaxare, adic timpul dup care abaterea de la
echilibru a funciei de distribuie a purttorilor scade de "e" ori (2,718..) din
momentul n care nceteaz cauza care a scos sistemul din echilibru. Sistemul
de electroni i goluri revine la echilibru prin ciocnirile pe care le sufer
purttorii cu fononii, impuritile sau chiar ntre ei, pentru fiecare model propus
putndu-se, n cadrul anumitor aproximaii s se determine felul n care depinde
timpul de relaxare de energie. Presupunnd un singur mecanism de relaxare ca
fiind predominant n condiiile noastre i efectund media dup energie n
expresia (3) pentru o funcie de energie de forma "CE s ", obinem expresia:
~T s (4)
Astfel pentru s = 3/2 obinem cazul mprtierii pe fononi acustici, iar pentru
s =3/2 cel al mprtierii de impuriti ionizate.
n domeniul de temperatur n care E>>kT, concentraia purttorilor depinde
incomparabil mai puternic de temperatur dect mobilitatea, astfel nct pe
aceasta din urm o putem considera practic constant, obinndu-se cu formula
(1):

=AT3/2e- E / (2 kT) (5)

sau reprezentnd grafic expresia ln(T 3/2) n funcie de 1/T. Din panta acestei
drepte se gsete E:
E = [ln(T 3/2)] / [(1000/T)] (eV) (6)

Montaj experimental
Dispozitivul experimental conine doi cilindri masivi de cupru, cel superior
poate culisa pe dou tuburi de ceramic permind blocarea probei
semiconductoare ntre ei. n fiecare dintre cei doi cilindri este introdus cte un
termocuplu cromel-alumel.
Circuitul de alimentare al probei este format dintr-o baterie B1, o rezisten
variabil R i un miliampermetru. Dou fire de acelai tip ale termocuplelor se
utilizeaz pentru a realiza circuitul probei.
Cu ajutorul a dou sonde de wolfram se culege de pe prob o cdere de
tensiune care se msoar cu ajutorul unui compensator sau se nregistreaz pe
unul dintre canalele unui nregistrator.
Suportul pe care este fixat proba se introduce ntr-un cuptor care se alimentaz
da la reea prin intermediul unui autotransformator.
Pentru msurarea temperaturii se folosesc cele dou termocuple semnalele
electrice care apar n circuitele lor putndu-se citi pe dou milivoltmetre sau
nregistra la dou canale ale nregistratorului.
Dac cele dou termocuple indic temperaturi diferite, deci exist un gradient
de temperatur n prob, se utilizeaz un al doilea cuptor, situat pe blocul
inferior de cupru, astfel nct gradientul se fie anulat, instalaia permind acest
lucru. Punctele nregistrate care vor fi folosite mai departe vor fi acelea pentru
care ambele termocuple indic aceeai temperatur. Lipsa gradientului din
prob ne asigur lipsa forei termoelectromotoare care prin prezena ei ar vicia
rezultatele.

Mod de lucru
1. Se introduce proba semiconductoare ntre cilindrii de cupru i se fixeaz
cele dou sonde de wolfram n dou puncte situate pe aceeai parte a
probei.
2. Pentru a realiza contactele electrice de bun calitate ntre sonde i prob se
descarc ntre sonde un condensator, verificndu-se apoi ca cele dou
contacte s nu fie redresoare.
3. Se nchide circuitul de alimentare al probei i se msoar sau se
nregistreaz cderea de tensiune culeas de sonde la temperatura camerei.
4. Se alimenteaz cuptorul exterior efectundu-se operaia anterioar,
urmrind cu atenie compensarea eventualului gradient de temperatur; se
citete sau se nregistreaz temperatura.
Cunoscnd geometria probei precum i mrimea curentului care trece prin
prob se determin variaia cu temperatur a conductibilitii. Construidu-se
graficul funciei ln(T 3/2), variabil fiind 1000/T se determin E dup
formula (6).
ntrebri
1. Care este raiunea folosirii celor dou blocuri de cupru?
2. Dispozitivul, mai puin cuptorul exterior, este nchis ntr-un tub de sticl
racordat la instalaia de vid chiar n apropiere de cilindrul inferior. Ce rol joac
vidul i de ce poziia celor dou cuptoare permite compensarea gradientului de
temperatur?
STUDIUL TERMISTORULUI

1. Consideraii teoretice
Conductivitatea electric a materialelor este influenat de temperatur. Relaia
care exprim dependena conductivitii electrice de parametrii microscopici
ai materialului este:
= nq = nq2/m (1)
unde:
n numrul de purttori de sarcin din unitatea de volum;
q sarcina elementar a unui purttor de sarcin (1,61019 C);
m masa unui purttor de sarcin (electron 9,110 31 kg);
timpul mediu ntre dou ciocniri ale purttorilor de sarcin;
= q/m mobilitatea purttorilor de sarcin.
Semiconductorii intrinseci (puri) au dou tipuri de purttori, electronii cu
densitatea n i golurile cu densitatea p, conductivitatea lor fiind:
= nqn + pqp (2)
n semicondutor depind de temperatur mobilitatea (scade cu creterea
temperaturii) prin intermediul timpului dintre ciocniri i densitatea de
purttori, n i p, care crete cu creterea temperaturii.
ntr-un semiconductor intrinsec densitatea de electroni n din banda de
conducie este egal cu densitatea golurilor p din banda de valen (ci
electroni sunt n banda de conducie, attea goluri au rmas n banda de
valen):
n=p (3)
iar n condiii de echilibru este valabil legea aciunii maselor:

np = NcNv eE / (kT) (4)

unde:
kB constanta Boltzmann (1,3810 23 J/oK = 8,6210 5 eV/K);
T temperatura semiconductorului;
E lrgimea zonei interzise a semiconductorului;
Nc densitatea efectiv a strilor din banda de conducie;
Nv densitatea efectiv a strilor cuantice din banda de valen;
 E n e r g ie
Banda
de
c o n d u c tie
e le c tr o n i E C

banda F
e n e r g ie
in te rz is a
te r m ic a
E
g o lu r i V

Banda
de
v a le n ta
p o z it ie
Figura 1. ntr-un semiconductor intrinsec energia termic creaz tot attea
goluri n banda de valen ci electroni mobili n banda de conducie.
Att Nc ct i Nv depind de temperatur ca T3/2. Folosind relaiile (3) i (4)
gsim:

n = p = (NcNv)1/2 e E / (2kT) (5)

de unde deducem pentru conductivitate relaia:

= q(n+p)(NcNv)1/2 e E / (2kT) = oeE / (2kT) (6)

Dependena de temperatur a conductivitii este dat de factorul exponenial,
celelalte dependene de temperatur (n, p, Nc, Nv) fiind n prim aproximaie
neglijabile. Fiindc rezistivitatea este:

= 1/ = e E / (2kT) (7)
atunci rezistena electric a materialului semiconductor va fi:
R = L /S (8)
Pentru cazul termistorului rezistena sa electric este catalogat sub forma:

R = AeB/T (9)
De remarcat c factorul A depinde de geometria dispozitivului (S i L) pe ct
vreme constanta B depinde doar de tipul materialului utilizat pentru
confecionarea termistorului (B = E /2kB). n cataloage se ofer i coeficientul
termic al rezistenei electrice (de obicei la temperatura de 25C):
= (1/R)(dR/dT) = B/T2 (10)
[]SI = % / grad
2. Dispozitivul experimental
Termistorul se gsete ntr-un vas termostatat a crui temperatur se modific
cu ajutorul nclzitorului i se msoar cu termometrul. Rezistena electric a
termistorului se msoar cu ohmetrul.

T e rm o m e tru

O h m e tru

T e rm is to r

In c a lz ito r
U

Figura 2. Aranjamentul experimental pentru msurarea rezistenei electrice a

termistorului n funcie de temperatur.
Pentru a msura n mod corect temperatura termistorului este necesar ca acesta
s se afle ct mai aproape de bulbul termometrului, astfel ca temperatura
indicat de termometru s fie i temperatura termistorului.

3. Modul de lucru
Se execut montajul experimental conform schemei;
Se alimenteaz nclzitorul de la variac, pornind de la tensiuni mici;
Se citesc temperatura din 5 n 5 grade i rezistena electric, ateptnd 2-3
minute pentru stabilirea valorii acestora dup fiecare modificare a tensiunii
de alimentare a nclzitorului;
Nu se va depi temperatura de 100 0 C.

4. Analiza rezultatelor
Logaritmnd relaia (9) obinem:
ln R = ln A + B/T (11)
Reprezentnd grafic lnR n funcie de 1/T se obine o dreapt a crei pant este
B:
B = (ln R2 ln R1) / (1/T2 1/T1) (12)
unde cele dou puncte 1 i 2 se aleg ct mai deprtate unul de cellalt, pentru a
avea o eroare de calcul ct mai mic.
Se calculeaz apoi valoarea zonei interzise a semiconductorului:
E = 2kBB (n eV) (13)

5. Rezultate experimentale
Nr. R lnR t T 103/T B E
crt. (k) (C) (K) 1
(K ) (K) (eV)

TIPUL SEMICONDUCTORILOR

Introducere
n semiconductori la procesul de conducie particip dou tipuri de purttori:
electronii i golurile. Concentraiile celor dou tipuri de purttori sunt egale
ntr-un semiconductor pur (intrinsec). Caracteristic semiconductorilor este c se
poate mri concentraia unui anumit tip de purttori cu multe ordine de mrime
fa de concentraia purttorilor de semn contrar, prin doparea acestora cu
impuriti.
Structura energetic a unui semiconductor pur presupune o band de valen i
una de conducie. Banda de valen este ultima band complet plin cu
electroni la 0 K i banda de conducie este prima band complet liber
(neocupat cu electroni la 0 K). Aceste benzi sunt separate ntre ele printr-un
interval energetic care nu are stri energetice permise pentru electroni i care se
numete band interzis i se noteaz cu E. E este energia pe care trebuie s-o
primeasc un electron pentru a trece din banda de valen n banda de
conducie. Electronii pot participa liber la procesul de conducie numai dac se
gsesc n banda de conducie.
La o temperatur T>0 K un numr de electroni din legturile de valen capt
o energie suficient pentru a deveni liberi, cu alte cuvinte pentru a trece din
banda de valen n banda de conducie. Locurile rmase libere n banda de
valen particip de asemenea la conducia curentului electric, ns cu sarcini
pozitive. Ele se numesc goluri. Este evident c n acest caz concentraia
golurilor din banda de conducie (liberi) este egal cu concentraia golurilor din
banda de valen. Purttorii generai termic prin tranziia band band
(procesul descris mai sus) se numesc purttori intrinseci. Concentraia " ni" a
purttorilor intrinseci variaz cu temperatura T dup legea:

ni ~ T3/2 e E / (2kT)
Dac ntr-un semiconductor n locul unui atom de baz se introduce un atom al
altui element, acesta din urm se numete impuritate de substituie. n reeaua
cristalin a Germaniului pur fiecare atom de Ge particip cu cei patru electroni
periferici la legturile de valen cu vecinii, realizndu-se astfel legtura
chimic complet. Dac se introduce n locul unui atom de Ge un atom din
grupa V a tabelului periodic al elementelor, de exemplu As, atomul de As
avnd 5 electoni de valen, numai 4 vor participa la legturile de valen din
reeaua Germaniului, al 5-lea electron rmnnd foarte slab legat de atomul de
As. Energia de ionizare a acestui electron este de ~ 70 ori mai mic dect banda
interzis a Ge. Probabilitatea ca acest electron s devin liber (s treac n
banda de conducie) este mult mai mare dect probabilitatea trecerii unui
electron din banda de valen n banda de conducie.
Atomul de As d un electron liber, rmnnd ionizat pozitiv, fr a da i un gol
n banda de valen deoarece As+ este fix n reea. Impuritile care dau
electroni liberi se numesc impuriti donoare. Introducerea impuritilor
donoare ntr-un semiconductor face s fie mai mare concentraia electronilor
dect a golurilor i semiconductorul s prezinte practic numai o conducie de
electroni. Un semiconductor de acest fel se numete semiconductor de tip n.
Dac n locul unui atom de Ge se introduce atomul unui element din grupa a
III-a a tabelului periodic, de exemplu Galiu, atomul de Ga avnd trei electroni
de valen nu va putea satisface cele patru legturi de valen din reeaua
germaniului, o legatur rmnnd nesatisfcut. La o temperatur diferit de 0
K un electron din legturile de valen ale Ge va executa un salt ocupnd
legtura incomplet a atomului de Ga acesta devenind ion negativ i n banda
de valen rmnnd o gaur liber. Asemenea impuriti, care accept
electroni elibernd goluri n banda de valen se numesc impuriti
acceptoare. n semiconductorul cu impuriti acceptoare concentraia golurilor
este mai mare dect a electronilor i practic un asemenea semiconductor
prezint o conducie de goluri. El se numete semiconductor de tip p. Energia
de ionizare a acceptorilor este de ~ 70 ori mai mic dect banda interzis a Ge.
Deoarece energiile de ionizare ale donorilor i acceptorilor sunt mult mai mici
dect lrgimea benzii interzise a semiconductorului, n schema energetic
nivelul energetic al donorilor Ed se afl situat lng banda de conducie, iar
nivelul energetic al acceptorilor Ea se afl situat lng banda de valen. Banda
interzis a Ge este de ~ 0,7 eV iar energiile de ionizare ale donorilor i
acceptorilor sunt de ~ 0,01 eV.
Impuritile ce dau nivele situate n apropierea benzilor permise se numesc
impuriti cu nivele puin adnci, spre deosebire de alte impuriti care dau
nivele situate n jurul mijlocului benzii interzise, nivele adnci, care joac un
rol important n procesele de recombinare.
Faptul c dup natura impuritilor introduse semiconductorul poate prezenta
un tip de conducie sau altul a dat posibilitatea s se realizeze dispozitive care
au revoluionat electronica modern. n realizarea unor asemenea dispozitive
este necesar cunoaterea tipului de conducie a semiconductorului. Tipul de
conducie se poate determina prin mai multe metode:
(1) metoda termosondei,
(2) medoda redresrii la contactul punctiform metal semiconductor,
(3) efectul Hall.

Metoda termosondei
Dispozitivul experimental folosit (figura 1) cuprinde un suport metalic (1), o
sond metalic (2) pe care este nfurat un cuptor ce se alimenteaz de la
secundarul unui transformator i un galvanometru (3) ce se leag n circuitul
sond suport. ntre sond i suport se introduce plcua semiconductoare (4),
astfel nct s apese pe prob. Temperatura sondei se menine n jur de 60oC.

G a lv a n o m e tr u

2 3
A lim e n ta r e
c u p to r
S o n d a c a ld a
S e m ic o n d u c to r
4

1
S u p o rt re c e
Figura 1. Termosonda
Proba semiconductoare se va nclzi la contactul cu sonda. Purttorii de sarcin
din regiunea cald a semiconductorului capt o energie mai mare dect cei din
regiunea rece i ca urmare ve exista un flux net de purtrori de sarcin de la
regiunea cald la cea rece.
Dac semiconductorul este de tip n partea rece se va ncrca negativ iar
partea cald se va ncrca cu sarcin pozitiv (avnd lips de electroni).
Dac semiconductorul este de tip p partea rece se va ncrca pozitiv iar
partea cald se va ncrca negativ.
Apare astfel o diferen de potenial care are semn contrar pentru cele dou
tipuri de semiconductori. La semiconductorul de tip n acul galvanometrului va
devia ntr-un sens, iar pentru semiconductorul de tip p va devia n sens contrar.
n acest fel se determin foarte simplu tipul de conducie. Sensul de deviaie a
spotului galvanometrului pentru un anumit sens de trecere a curentului electric
se stabilete practic n laborator.

Metoda redresrii la contactul punctiform metal semiconductor

Aceast metod se bazeaz pe proprietile de redresare ale contactului
punctiform metal semiconductor. Un contact redresor prezint o rezisten
electric mic pentru o polarizare, numit direct i o rezisten foarte mare
pentru polarizarea invers. Practic se leag n serie o surs de tensiune, o
rezisten de sarcin i semiconductorul.
n cazul contactului metal semiconductor de tip n polarizarea direct este cu
polul minus al bateriei la semiconductor i polul plus la metal. ntreaga cdere
de tensiune U se repartizeaz pe rezistena de sarcin. La polarizare invers
ntreaga tensiune electric cade pe contact care are rezisten mult mai mare
dect rezistena de sarcin.
Pentru contactul metal semiconductor de tip p, polarizarea direct corespunde
semnului plus la semiconductor i semnului minus la metal i tensiunea se
repartizeaz pe rezistena de sarcin. Legarea plusului sursei la metal i minusul
la semiconductor corespunde polarizrii inverse.
Am considerat c rezistena de sarcin este mult mai mare dect rezistena
contactului metal semiconductor polarizat n sens direct i mult mai mic
dect rezistena contactului polarizat n sens invers, ceea ce se ntmpl n
realitate. Pe baza acestor fenomene se poate determina tipul de conducie ntr-
un semiconductor.

Dispozitivul experimental
Pe un suport (1) se aeaz proba semiconductoare (2) pe care apas un vrf
metalic de wolfram (3). n circuit se mai gsete rezistena constant (4) i un
reostat R. Circuitul este alimentat cu curent alternativ prin intermediul unui
transformator (5). Tensiunea de pe contactul metal semiconductor se aplic la
plcile orizontale ale unui oscilograf iar tensiunea de pe rezistena (4) se aplic
pe plcile verticale.

5 Oscilator

Canal X(t)
R
osciloscop
Sarma W
Semiconductor 3 Canal Y
4
2 osciloscop
Suport 1

Figura 2. Metoda contactului punctiform.

Un oscilograf are un tun de raze catodice care produce un flux de electroni
ngust ce se propag n vid de-a lungul axului tubului. Fascicolul de electroni
poate fi deflectat de dou plci verticale i dou orizontale. Deflexia depinde de
sensul i valoarea tensiunii aplicate pe fiecare din aceste dou perechi de plci.
Un ecran fluorescent aezat la captul larg al tubului catodic emite lumin n
punctul unde cade fascicolul de electroni. Pe ecran se poate observa micarea
fascicolului de electroni.
Contactul metal semiconductor de tip n este polarizat n sens direct n
timpul semialternanei pozitive. Distribuia tensiunilor face ca o tensiune
considerabil s cad pe plcile verticale ale oscilografului de pe rezistena
(4) i fascicolul de electroni este deflectat n jos. Pe ecranul oscilografului
apare o linie dreapt din centru n jos. Pe semialternana negativ, de pe
contactul metal semiconductor cade o tensiune mare pe plcile orizontale
ale oscilografului i fascicolul de electroni descrie o linie orizontal pe
ecran din centru la dreapta. Astfel caracteristica IU a contactului
punctiform arat pe ecranul osciloscopului ca ora 6 i un sfert pe ceas.
La semiconductorul este de tip p, polarizarea direct corespunde
semialternanei negative, iar cea invers corespunde semialternanei
pozitive. n timpul semialternanei negative fascicolul de electroni va
descrie pe ecranul oscilografului o linie dreapt din centru n sus. n timpul
semialternanei pozitive fascicolul de electroni va descrie pe ecran o linie
dreapt din centru la stnga. Caracteristica IU a contactului metal
semiconductor de tip p arat pe ecranul osciloscopului ca ora 9 pe ceas.
 Semiconductor Semiconductor
tip N tip P
Figura 3. Aspectul ecranului de osciloscop pentru semiconductorul de tip N i
de tip P n prezena contactului redresor din wolfram.
n aceast metod un rol important l joac suprafaa semiconductorului care
trebuie s fie ct mai curat.

Obiectivele lucrrii
1. Se prepar probele prin lefuire i se decapeaz chimic. Decaparea chimic
a probelor de Ge se face ntr-o soluie H2O2 30%, iar decaparea probelor de
GaAs se face ntr-o soluie din 5 pri de NaOH i o parte H2O2 30%.
2. Se realizeaz montajul din figura 1, se alimenteaz cuptorul i se determin
tipul de conducie pentru mai multe probe semiconductoare de Ge i GaAs
dup deviaia spotului acului galvanometrului.
3. Se realizeaz montajul din figura 2. Se introduc transformatorul de
alimentare i oscilograful n priz.
4. Se pune pe suportul (1) o prob semiconductoare i se realizeaz contactul
cu sonda metalic (3) prin apsare. Se determin tipul de conducie pentru
mai multe probe i se compar rezultatele obinute la punctul 2.
ntrebri
1. Definii noiunea de gol.
2. Cum se realizeaz un semiconductor de tip n? Dar de tip p?
3. Ce polaritate are sonda cald la un semiconductor de tip n?
4. Cum determinai tipul semiconductorului cu un ohmmetru?
CARACTERISTICA CURENT-TENSIUNE A DIODEI

1. Teoria lucrrii
Punnd n contact un semiconductor de tip n cu unul de tip p, electronii din
stratul de tip n vor difuza ctre stratul de tip p unde se recombin cu golurile,
iar golurile din stratul p vor difuza ctre stratul n unde se recombin cu
electronii. Apare lng zona de contact un strat srcit n purttori mobili i
ncrcat electric din cauza atomilor donori, respectiv acceptori, ionizai rmai
necompensai de sarcinile mobile. Acest proces are loc pn cnd se egaleaz
nivelele Fermi dintre cele dou straturi datorit ncrcrii electrostatice
(echilibru termodinamic). Se formeaz o barier de potenial electric cu
valoarea dat de relaia:
qVb = FnFp = Ec Ev+kTln [NaNd /(NcNv)] (1)
unde: k - constanta Boltzmann (1,3810 23 J/K = 8,6210 5 eV/K);
q - sarcina elementar (1,61019 C);
Vb - diferena de potenial de contact;
Fn - energia Fermi n stratul n;
Fp - energia Fermi n stratul p;
E = Ec Ev - lrgimea zonei interzise a semiconductorului;
Nd - concentraia atomilor donori din stratul n =
= concentraia electronilor liberi din stratul n;
Na - concentraia atomilor acceptori din stratul p =
= concentraia golurilor din stratul p;
Nc - densitatea efectiv de stri n banda de conducie;
Nv - densitatea efectiv de stri n banda de valen.

s a rc in a fix a s a rc in a fix a
n e g a tiv a p o z itiv a
z o n a n e u tra z o n a n e u tra

g o lu ri P N e le c tro n i
m o b ili
-x P xN x
io n i a c c e p to ri io n i d o n o r i fa ra
fa ra g o lu ri e le c tro n i m o b ili

Figura 1. Lng jonciunea PN se formeaz un strat de baraj golit de sarcinile

electrice mobile (electroni i goluri).
Grosimea stratului de baraj, srcit n purttori liberi, care se formeaz n jurul
zonei de contact este:
xb (U) = [(2/q)(1/NA+1/ND)(VbU)]1/2 (2)
unde: permitivitatea electric a semiconductorului;
U diferena de potenial aplicat din exterior,
U>0 tensiuni directe, "+" pe stratul p i "" pe stratul n,
U<0 tensiuni inverse, "" pe stratul p i "+" pe stratul n.
Stratul de baraj mpiedic circulaia purttorilor de sarcin majoritari prin
diod. O tensiune direct aplicat diodei va micora lrgimea stratului de baraj
i va modifica semnificativ concentraia purttorilor minoritari difuzai la
marginea stratului de baraj cu factorul eqU / (kT), modificarea purttorilor
majoritari fiind nesemnificativ:
pn'(xn) = pn eqU / (kT) np'(xp) = np eqU / (kT) (3)

C o n c e n tr a tie p u rta to ri
d ifu z ie g o lu ri 1 0 16 d ifu z ie e le c tro n i

10 14

10 12

P p 'n N
n 'p 10 10

n p
10 8
p n

10 6
p o z itie
L n xp x n L p

Figura 2. Tensiunea direct injecteaz electroni n zona P i goluri n zona N.

Curentul prin jonciune va fi direct proporional cu variaia numrului de

purttori minoritari la marginea stratului de baraj:
pn(xn)=pn'(xn) pn= pn[eqU / (kT) 1]
np(xp)= np'(-xp) np= np[eqU / (kT) 1] (4)
adic formula caracteristicii curenttensiune pentru o jonciune pn (diod
semiconductoare):

I = Io(e qU / (kT) 1) (5)

unde: Io = Sq(pnDp /Lp+ npDn /Ln) curentul invers prin jonciune;
Dp, Dn - coeficienii de difuzie pentru goluri, respectiv electroni;
Lp, Ln - lungimea de difuzie pentru goluri, respectiv electroni;
S suprafaa jonciunii.
La tensiuni directe mai mari dect 0,1V (~4kT/q) termenul exponenial din (5)
este mult mai mare dect 1 i curentul direct se poate aproxima cu relaia:

I = Io eqU / (mkT) (6)

unde mrimea "m" are valori ntre 1 i 2, fiind 1 cnd predomin curentul de
difuzie i 2 cnd predomin curentul de recombinare.

2. Dispozitivul experimental
O surs stabilizat de tensiune (minim 10V) alimenteaz circuitul prezentat
schematic n figura 3. Prin modificarea valorii rezistenei Rv, se stabilete
curentul prin diod (simbol o sgeat cu bar la vrf, coada sgeii este zona P,
anodul, iar vrful sgeii, bara, este zona N, catodul). Rezistena R1 limiteaz
curentul prin circuit, iar rezistena R este utilizat pentru msurarea curentului
prin circuit.

R (1 0 0 )
+
R V R 1

V
V o ltm e tru

S u rsa d e
te n s iu n e D io d a
_

Figura 3. Montaj folosit pentru ridicarea caracteristicii I-U.

Se pot folosi diode cu siliciu (folosite pentru detecie, redresare sau ca celule
fotoelectrice) care au tensiunea de deschidere de circa 0,6V (UD tensiunea peste
care curentul prin dispozitiv crete mult, un parametru practic util n aplicaii).
Se pot folosi i diode luminiscente a cror tensiune de deschidere este de circa
1,8-2 V, pentru diodele care emit lumin roie, i peste 3 V pentru diodele care
emit lumin albastr.
Modul de lucru:
Se realizeaz schema montajului experimental.
Se fixeaz curentul prin diod msurnd tensiunea pe rezistena R. Valorile
recomandate sunt 0,1; 0,2; 0,5; 1; 2; 5; 10; 20 (mA).
Se citete cderea de tensiune pe diod pentru curentul fixat, mutnd
captul mobil al sondei de la voltmetru.
Se trec n tabel datele experimentale (I i U)

3. Analiza rezultatelor
Se reprezint grafic "I" n funcie de "U". Intersectnd poriunea liniar a
graficului de la cureni mari cu axa tensiunii determinm tensiunea de
deschidere a diodei UD.
Logaritmnd relaia (6) gsim:
ln I = ln Io + qU/(mkBT) (7)
Se reprezint grafic "ln I" n funcie de "U". Din panta dreptei care se formeaz
determinm coeficientul "m" ce caracterizeaz tipul de curent prin diod:
m = (kT/q) (lnI /U) (8)
Din intersecia dreptei cu axa lui "ln I" la U=0 determinm "ln Io" i apoi
curentul invers maxim prin diod Io.
Tabel cu rezultate experimentale
Nr. crt I (mA) U (V) ln I UD (V) m Io (nA)
INFLUENA TEMPERATURII ASUPRA DIODEI

1. Teoria lucrrii
Alimentnd cu curent constant o diod, tensiunea direct pe dioda
semiconductoare variaz n funcie de temperatur cu circa 2mV pe grad
Celsius (scade cu creterea temperaturii). Acest fenomen, corelat cu preul mic
al dispozitivului, face din diod un senzor de temperatur foarte popular.
Densitatea de curent prin diod este:
j = jo(eqU / (kT) 1) (1)
iar densitatea de curent de saturaie are expresia:
jo = q(pnDp /Lp + npDn /Ln) (2)
unde:
- k constanta Boltzmann (1,3810 23 J/K = 8,6210 5 eV/K);
- q sarcina elementar (1,610 19 C);
- Dp , Dn coeficienii de difuzie pentru goluri i electroni;
- Lp , Ln lungimea de difuzie pentru goluri i electroni;
- pn concentraia golurilor minoritare n zona n a jonciunii;
- np concentraia electronilor minoritari n zona p a jonciunii;
- U diferena de potenial aplicat din exterior.
Dac inem seama c din legea aciunii maselor:

npn = npp = NcNve E / (kT) = ni2(T) (3)

unde:
- E = Ec Ev este lrgimea zonei interzise;
- p = Na concentraia purttorilor majoritari (n zona p);
- n = Nd concentraia purttorilor majoritari (n zona n);
- ni concentraia intrinsec a purttorilor n semiconductorul pur.
putem exprima concentraia purttorilor minoritari:
pn = ni2/n = NcNve E / (kT) /Nd (4)
np = ni2/p = NcNve E / (kT) /Na (5)
De aici densitatea de curent prin diod ascult de relaia:

j = qNcNv[Dp /(LpNd)+Dn /(LnNa)]e E / (kT)(e qU / (kT) 1) (6)

innd cont c pentru tensiuni aplicate mai mari de 0,1 V, termenul exponenial
din parantez este mult mai mare dect 1 i notnd:
jo' = qNcNv[Dp /(LpNd) +Dn /(LnNa)] (7)
mrimea care variaz lent cu temperatura, comparativ cu factorii exponeniali,
putem rescrie densitatea de curent prin diod ca:

j = jo' e E / (kT) eqU / (mkT) (8)

unde am introdus coeficientul "m" care este 1 n cazul curentului pur de difuzie,
sau 2 pentru curentul de generare-recombinare.
Curentul prin diod se obine nmulind densitatea de curent cu S, aria seciunii
transversale a jonciunii, de unde gsim:

I = Io' e E / (kT) e qU / (mkT) (9)

Logaritmnd relaia (9) i exprimnd tensiunea funcie de curent avem:
U = mE /q + (mkBT/q) ln (I /Io') (10)
Din aceast relaie se observ c tensiunea pe diod U, la curent I constant este
direct proporional cu temperatura. Curentul Io' este foarte mare comparativ cu
I. Din aceast cauz logaritmul raportului subunitar I/Io' va fi negativ i
tensiunea U pe diod scade la creterea temperaturii:
U/T = (mkB /q) ln (I /Io') < 0 (11)

2. Dispozitivul experimental
Dioda se plaseaz ntr-un vas calorimetric. Temperatura din vasul calorimetric
este msurat cu termometrul i se modific cu ajutorul nclzitorului alimentat
de la autotransformator. Curentul prin diod se stabilete cu rezistena R i
tensiunea de alimentare folosit. Tensiunea pe diod se msoar cu voltmetrul.
Pentru a msura n mod corect temperatura doidei este necesar ca aceasta s se
afle ct mai aproape de bulbul termometrului, astfel ca temperatura indicat de
termometru s fie i temperatura diodei.
 R
+
V o ltm e tr u T e rm o m e tru

U s ta b

D io d a

In c a lz ito r
U

3. Modul de lucru
Se realizeaz montajul prezentat anterior;
Se fixeaz valoarea curentului prin diod;
Se citete tensiunea pe diod i temperatura ei;
Se modific temperatura, mrind tensiunea de alimentare a nclzitorului;
Se ateapt 2 - 3 minute pentru stabilizarea temperaturii;
Se citesc temperatura i tensiunea pe diod
Preferabil s se modifice temperatura din 5 n 5 grade i s nu se
depeasc 80 - 90 oC.

4. Analiza rezultatelor
Se va reprezenta grafic tensiunea U pe diod n funcie de temperatura T,
exprimat n grade Kelvin. Din panta dreptei se calculeaz ST sensibilitatea
termometric:
ST = U/T = (mkB /q) ln (I/I0') (12)
Cunoscnd curentul I prin diod se va calcula I0'. Din relaia (10) se va estima
valoarea zonei interzise E n eV :
E = qU q ST T (13)
5. Rezultate experimentale
Nr. crt. t T U I ST I0' E
(oC) (oK) (mV) (mA) (mV/K) (A) (eV)

STUDIUL CAPACITII JONCIUNII P - N

1. Capacitatea de barier a jonciunii PN

Separarea sarcinilor electrice n zona stratului de baraj determin apariia unei
capaciti electrice a jonciunii p-n, capacitatea de barier, calculabil dup
relaia condensatorului plan:
C = S/xb (1)
unde:
este permitivitatea electric a materialului semiconductor,
S aria jonciunii, iar
xb grosimea stratului de baraj:

2 0 r 1 1
x b ( U) = + ( Vb U ) (2)
q N
A N D

unde:
- NA reprezint concentraia impuritilor acceptoare n stratul P;
- ND reprezint concentraia impuritilor donoare n stratul N;
- Vb diferena intern de potenial de contact (potenial de difuzie) i
- U tensiunea aplicat jonciunii:
U<0 pentru tensiuni inverse,
U>0 pentru tensiuni directe.
La tensiuni inverse (U<0) aplicate jonciunii p-n abrupte, capacitatea stratului
de baraj este:
Cb = C0 b /(1 U/Vb)1/2 (3)
Pentru alte profile de impurificare a jonciunii exponentul 1/2 are alte valori
(1/3 pentru jonciunea liniar gradat). Fenomenul de modificre a capacitii de
barier cu tensiunea invers aplicat este utilizat n diodele varicap, special
construite pentru a fi folosite n circuitele de acord LC, pe post de condensator
variabil.
Msurarea capacitii de baraj n funcie de tensiunea invers aplicat, cu
derivrile corespunztoare, permite s se obin direct distribuia impuritilor
n zona joniunii:
2 1
N( x ) = .
e 1
d 2 (4)
C
dV
Pentru tensiuni directe aplicate jonciunii, pe lng capacitatea barierei apare
capacitatea de difuzie, datorat transportului prin difuzie a sarcinilor libere
minoritare n zonele neutre sub aciunea cmpului electric aplicat din exterior.

2. Capacitatea de difuzie a jonciunii PN

La polarizri directe, n regiunile N i P, n vecintatea regiunii de trecere se
injecteaz purttorii minoritari n exces. Acetia pot fi privii ca sarcin
acumulat n regiunile respective. Referindu-ne la regiunea N, sarcina
acumulat datorit golurilor n exces este:
Q n = qS pn(x) dx qSpn(eqU / (kT) 1)Lp (5)
unde: pn = pn(eqU / (kT) 1) reprezint numrul golurilor n exces;
S este aria jonciunii;
Lp lungimea de difuzie a golurilor.
Integrarea se face pe lrgimea regiunii N, iar cnd aceasta este >>LP putem
considera c sarcina suplimentar s-a acumulat pe distana LP.
n mod analog, se determin sarcina acumulat n regiunea P datorit
electronilor n exces din regiunea P, se obine
Q p = qSnp(eqU / (kT) 1)Ln (6)
Sarcina total de difuzie este Q = Qn + Qp i variind pe U n jurul unei valori
fixate Uo, are loc variaia sarcinii acumulate, fapt echivalent cu prezena unei
capaciti, numit de difuzie ce se definete prin relaia:
Cd = dQ/dU (7)
care devine:
 Cd= q2S(pnLp + npLn) eqU / (kT) /(kT) =
= q(pIps + nIns) eqU / (kT) /(kT) = Cod e qU / (kT) (8)
unde: pnDp /Lp = Ips este curentul de saturaie (de goluri);
Dp coeficientul de difuzie al golurilor;
p timpul de via al golurilor n exces n zona N;
Lp2 = Dpp lungimea de difuzie.
Cd are seminificaia unei capaciti difereniale efective. La jonciunea
asimetric p+n avem Ips>> Ins , de unde I= Ips(eqU / (kT) 1) i capacitatea de
difuzie se poate scrie:
Cd = I/(kT)
La polarizri inverse este prezent numai capacitatea de barier Cb. Capacitatea
total a jonciunii la polarizri directe este dat de suma capacitilor de barier
i de difuzie:
C=Cb+Cd
Pentru tensiuni directe mai mari dect 0,1 V conteaz doar capacitatea de
difuzie, care crete exponenial cu tensiunea.

3. Montajul experimental

U =
R =1M C =100nF

P C a p a c im e tru

V D io d a

Tensiunea continu pe dioda D se aplic prin intermediul poteniometrului P i

a rezistenei R = 1 Mohm, ce are rolul de-a bloca tensiunea alternativ de la
capacimetru i se msoar cu voltmetrul V. Condensatorul C, blocheaz
trecerea curentului continuu ctre capacimetru, valoarea mare a capacitii sale
n serie cu capacitatea jonciunii face ca valoarea msurat pe capacimetru s
fie practic capacitatea jonciunii .(1/CJ +1/C 1/CJ)

4. Modul de lucru
Se realizeaz montajul prezentat anterior.
 Se aplic tensiune invers pe poteniometru (minus fa de mas).
Se msoar tensiunea pe diod i capacitaea ei pentru 4 -5 valori ale
tensiunii aplicate, cu pas de 1V.
Se aplic tensiune direct pe poteniometru (plus fa de mas).
Se msoar tensiunea pe diod i capacitatea ei pentru 4 -5 valori de
tensiuni aplicate, cu pas de 0,1 V.

5. Analiza rezultatelor
Se reprezint grafic capacitatea msurat n funcie de tensiunea aplicat. Se
reprezint grafic logaritmul natural al capacitii n funcie de tensiunea
aplicat. Din poriunea liniar de la tensiuni directe mari extrapolat la U =0 se
determin C0d , fiindc:
lnC = lnCdo + U/Vt cnd U>0
2
Se reprezimnt grafic 1/C n funcie de tensiunea aplicat. Din poriunea
liniar de la tensiuni inverse se determin Cb0 ( extrapolarea lui 1/C2 la U=0) i
potenialul barierei Vb (panta dreptei), fiindc:
1/C2 = 1/C2bo U/(VbCbo2) cnd U<0

6. Rezultate experimentale
Nr. crt. U(V) C(nF) lnC 1/C2

FENOMENE DE STRPUNGERE N JONCTIUNEA P-N.

DIODA ZENER

Fenomene de strpungere
La tensiuni inverse mari aplicate unei jonciuni p-n se constat experimental o
cretere brusc a curentului. O asemenea regiune se numete tensiune de
strpungere iar tensiunea la care apare fenomenul se numete tensiune de
strpungere i se noteaz cu Vs. Exist trei mecanisme de baz responsabile
pentru strpungere:
instabilitatea termic,
efectul tunel (Zener) i
 multiplicarea prin avalan.
I
te n s iu n i in v e r s e

U
s tra p u n g e re
te r m ic a

2 - tu n e la r e
3 - a v a la n s a

Figura 1. Tipurile de strpungere ale jonciunii p-n.

Caracteristica I-V pentru cele trei tipuri de strpungeri se vede pe figura 1, unde
curbele sunt notate respectiv cu 1, 2, 3. S-a gsit n jonciunile din Si i Ge
mecanismul de strpungere este determinat de:
efectul tunel cnd Vs < 4E/q
strpungerea prin avalan cnd Vs > 6E/q
ambele efecte cnd 4E/q < Vs < 6E/q
Instabilitatea termic. Strpungerea datorit instabilitii termice apare n
semiconductorii cu banda relativ ngust, cum ar fi Ge. La tensiuni inverse mari
temperatura jonciunii crete datorit degajrii de cldur de ctre curentul
invers. Creterea temperaturii duce la creterea curentului invers datorit
generrii termice a purttorilor intriseci. La rndul su creterea curentului duce
la creterea temperaturii, .a.m.d. Curentul invers variaz cu temperatura dup
legea T3/2 + e E /( kT), unde este o constant. Caracteristica I-V prezint o
rezisten diferenial negativ (curba 1). n acest caz dioda este distrus dac
nu se iau msuri speciale ca de exemplu limitarea curentului prin introducerea
unei rezistene de valoare mare n serie cu dioda. Instabilitatea termic prezint
importan la temperatura camerei n jonciunile cu cureni mari de saturaie (de
exemplu cele din Ge) i devine nesemnificativ n raport cu celelalte
mecanisme la temperaturi foarte joase. Datorit regiunii de rezisten negativ
instabilitatea termic nu este de dorit n stabilizatoarele de tensiune i ea trebuie
evitat.
Efectul tunel (Zener). La tensiuni inverse mari, cnd cmpul n stratul de baraj
atinge valoarea de ~106V/cm n jonciunile din Ge i Si apare o cretere brusc
a curentului datorit procesului de tunelare band-band (vezi lucrarea Dioda
tunel). Acest efect se numete efect Zener (dup numele celui care l-a
descoperit) i diodele care lucreaz n regim de strpunge se numesc diode
Zener dei un rol important l joac n asemenea diode i efectul multiplicrii
prin avalan (explicaia iniial a formei caracteristicii I-V n regim de
strpungere a fost dat pe baza efectului Zener). n scopul de a obine un cmp
puternic n stratul de baraj regiunile p i n trebuie s fie relativ puternic
impurificate. Tensiunea de strpungere prin efect tunel descrete cu creterea
temperaturii. Aceasta se ntmpl deoaece curentul tunel atinge valoarea de
strpungere la o tensiune mai mic datorit scderii lrgimii benzii interzise cu
creterea temperaturii (Curentul tunel crete cu scderea E i scade cu
scderea tensiunii inverse aplicate).
Multiplicarea prin avalan. Cnd purttorii de sarcin accelerai de cmpul
electric din stratul de baraj capt o energie suficient de mare pentru a rupe
electonii din banda de valen (prin ciocnire) apare procesul de multiplicare n
avalan i creterea brusc a cuentului electric. Energia pe care o capt
electronul n cmpul electric E n stratul de baraj de lrgime este ~ E de
unde rezult c efectul de ionizare prin ciocnire apare n jonciunea p-n cu
regiunile p i relativ slab dopate i al tensiuni inverse mai mari n comparaie cu
efectul tunel. Energia necesar pentru purttori ca s iniieze ionizarea este
egal sau mai mare dect lrgimea benzii interzise. Mrimea exact a pragului
de energie depinde de funcia de distribuie dup viteze a purttorilor de sarcin
i de structura de benzi a semiconductorilor.
Se definete un factor de multiplicare care este egal cu raportul dintre
concentraia "n" a unui anumit tip de purttori care ies din stratul de baraj i
concentraia aceluiai tip de purttori care intr n stratul de baraj "no":
M = n/n0.
Factorul de multiplicare depinde printre altele de tensiunea de aplicat V i de
tensiunea strpungere Vs fiind dat de relaia empiric:
M = 1/[1 (V/VS)b ]
unde b = 3 pentru Ge i Si de tip n i este egal cu 5,5 pentru Ge de tip p. Pentru
o jonciune abrupt cu o regiune slab dopat fa de cealalt, de concentraie a
impuritilor N, la temperatura camerei tensiunea de strpungere este dat de
relaia empiric:
VS 60(E/1,1)3/2 (N/1016) 3/4 [Voli]
Tensiunea de strpungere crete cu creterea lrgimii benzii interzise deoarece
procesul de ionizare prin ciocnire implic excitaia band-band. S-a observat
experimental c la temperaturi mai mari tensiunea de strpungere crete. O
explicaie simpl a acestui fenomen se gsete considernd c purttorii calzi
(care au cptat energie n cmp comparabil cu energia reelei) care trec prin
stratul de baraj n cmp electric puternic cedeaz o parte din energia lor reelei
prin emisia unui fonon optic pe un drum liber mijlociu, . Valoarea lui
descrete cu creterea temperaturii i prin urmare n acelai cmp electric
purttorii cedeaz mai mult energie reelei pe o distan dat. Rezult c
purttorii trebuie s treac printr-o diferen mai mare de potenial pentru a
acumula energia necesar generrii unei perechi electron gol.
Faptul c Vs la multiplicarea prin avalan crete n timp ce la efectul tunel
scade cu creterea temperaturii, permite s se disting cele dou mecanisme n
fenomenele de strpungere din dioda Zener.
Dioda Zener n regim de strpungere este un bun stabilizator de tensiune.

Modul de lucru
Scopul lucrrii e trasarea caracteristicii I-U (direct i invers) a unei jonciuni
p-n, de a determina tensiunea de strpungere precum i de a familiariza pe
studeni cu circuite care conin diode Zener.
a) Verificai datele de manufactur ale diodei Zener pe care o avei. Nu
depii valorile parametrilor nscrii pe diod.
b) Construii un circuit ca n figur. Atenie, la tensiuni directe dioda este un
dispozitiv cu rezisten mic i deci prin ea va trece un curent mare. Pentru
a obine caracteristica I-U a diodei se regleaz tensiunea la o surs pn la
50 V. nregistrai valorile curentului direct ce trece prin diod pentru
tensiuni cuprinse ntre 0 i 0,8 V.

R lim
m A
s u rs a d e
te n s iu n e
V D

c) Construii circuitul din figur. Cu acest circuit putei ridica caracteristica

invers a diodei dup procedura urmtoare:
Se pune sursa de tensiune la 0 voli.
Se crete tensiunea ncepnd de la 0V pn cnd se ajunge la tensiune
Zener.
Se trece n tabel curentul invers Ii i tensiunea invers Ui.
Se traseaz graficul I-U.

ntrebri
a) Care este diferena ntre strpungere prin avalan i strpungere prin
efectul tunel?
b) De ce scade tensiunea de strpungere prin avalan cu creterea
concentraiei de doping?
c) Comparai un stabilizator Zener cu unul cu tub electronic.

REZISTENA DIFERENIAL I CAPACITATEA

JONCIUNII P-N

Introducere
Regiunile de sarcin spaial de la o jonciune p-n se formeaz prin interdifuzia
purttorilor de sarcin liberi pn cnd se realizeaz echilibrul termodinamic.
Aceste regiuni se ntind de o parte i de alta a jonciunii propriu-zise, dar
grosimea lor n fiecare material este invers proporional cu concentraia
purttorilor majoritari n materialul respectiv.

(a )
P N
x
-x P xN

qN D
d e n s ita te a
(b )
d e s a r c in a
-x P s p a tia la
xN x

-q N A

V
(c )
p o t e n tia lu l
V b

x
-x P xN
E
x
-x P xN
(d )
c a m p u l e le c tr ic
-E m ax

Figura 1. Jonciunea P-N.

n figura1(a) este reprezentat schematic o jonciune p-n cu regiunea de sarcin
spaial. Distribuia densitii de sarcin spaial este prezentat n figura 1(b),
n timp ce figura 1(c) arat distrbuia potenialului (sau a energiei poteniale n
vecintatea jonciunii. Figura 1(d) red variaia cmpului electric n stratul de
baraj. Se vede c acesta prezint o valoare maxim (n valoare absolut) n
dreptul jonciunii propriu-zise. Valoarea barierei de potenial este:
Vb = (kT/q)ln(NDNA / ni2 ) (1)
unde: Vb este potenialul de difuzie,
ND ; NA concentraia purttorilor majoritari n regiunile N i P,
ni concentraia intrinsec de purttori,
q sarcina electric elementar (1,61019 C).
Considerndu-se o distribuie uniform a impuritilor i folosind aproximaia
Schottky, a stratului de baraj complet epuizat, se pot calcula lrgimile
regiunilor de saarcin spaial de ambele pri ale jonciunii:
x p (U) = [(2/q)(ND /NA)(VbU)/(ND+NA)]1/2 (2)
x n (U) = [(2/q)(NA /ND)(VbU)/(ND+NA)]1/2 (3)
unde ND i NA sunt concentraiile donorilor i respectiv acceptorilor din
regiunea N i respetiv P, (aceste impuriti sunt considerate ionizate n regiunea
de sarcin spaial). Se vede din (2) i (3) c adncimea de ptrundere a sarcinii
spaiale ntr-una din regiuni depinde invers proporional de doparea regiunii
respective, stratul de sarcin spaial este mai extins n regiunea mai slab
dopat. Lrgimea total a acestui strat este:
xb (U) = x n + xp = [(2/q)(1/NA+1/ND)(Vb U)]1/2 (4)

Capacitatea jonciunii p-n

Fiindc lrgimea stratului de baraj variaz cu tensiunea aplicat, ceea ce duce i
la variaia sarcinii spaiale acumulate n strat, putem defini o capacitate
diferenial a stratului de baraj:
Cb = dQ/dU = qSND dx b/dU = S/xb (5)
Expresia capacitii stratului de baraj este:
Cb = S(q)1/2 / [2(VbU)(1/NA+1/ND)]1/2 (6)
Din cele de mai sus rezult c putem asimila jonciunea p-n cu un condensator
plan al crui dielectric l constituie stratul de baraj (srcit n purttori liberi),
avnd constanta dielectric a materialului din care este fcut jonciunea.
Expresia (6) s-a dedus n ipoteza unei distribuii uniforme a impuritilor.
Pentru o alt distribuie a impurittilor formula (4) i (6) se vor modifica. De
exemplu, n jonciunile graduale, distribuia liniar cu poziia a impuritilor
genereaz o dependen cu tensiunea la puterea 1/3 a lrgimii stratului de baraj
i deci capacitatea va fi:
Cb ~ (VbU) 1/3 (6')
Capacitatea stratului de baraj este de ordinul sutelor de pF.
Datorit injeciei purttorilor minoritari, atunci cnd jonciunea este polarizat
n sens direct, mai apare nc o sarcin spaial de injecie n regiunile neutre
ale semiconductorului (n afara stratului de baraj). Aceast sarcin spaial se
diminueaz exponenial cu distana datorit recombinrii. Practic considerm c
ntreaga sarcin spaial dispare pe o lungime de difuzie i putem scrie pentru
regiunea N:
Q' = qLp(pneqU / (kT) pn) (7)
unde: LP este lungimea de difuzie a golurilor din materialul de tip N,
pn este concentraia de echilibru, iar
pn eqU / (kT) concentraia golurilor injectate n materialul de tip N.
Similar este pentru regiunea P. Definim o capacitate diferenial:
Cd = dQ/dU = q2(n pLn+p nL p) eqU / (kT) /(kT) (8)
numit capacitate de difuzie. Ea apare doar pentru polarizarea n sens direct a
diodei i joac rolul predominant n acest caz, ntruct crete exponenial cu
tensiunea direct, n timp ce capacitatea de baraj crete mult mai ncet.
Din msurarea capacitii de baraj i a dependenei sale de tensiunea invers
aplicat se obin o serie de informaii foarte importante. Astfel din mrimea
capacitii de baraj la o tensiune dat, cunoscnd concentraia de impuriti ntr-
o parte a jonciunii (de obicei cea din materialul de baz se cunoate), putem
determina concentraia impuritilor n cealalt regiune.
Reprezentnd grafic dependena 1/C2 sau 1/C3 n funcie de tensiunea aplicat
U, se obine o dreapt, dup cum formula (6) sau (6) este valabil pentru
jonciunea respectiv. Dac graficul 1/C2=f(U) este o dreapt se zice c
jonciunea este abrupt. Cnd graficul 1/C3=f(U) este o dreapt jonciunea este
gradual, trecerea de la regiunea N la P fcndu-se pe o distan mult mai mare
ca la jonciunea abrupt.
Adesea ambele grafice au alur de dreapt (cu mici abateri, datorate uneori i
erorilor de msur). Criteriul pentru a le deosebi este valoarea interseciei
dreptei cu axa tensiunilor, aflat la tensiunea U=Vb. Se dispune astfel de o
metod foarte bun de a gsi potenialul de difuzie. Alegem acea dependen a
capacitii de tensiune care d pentru Vb (intersecia cu axa tensiunilor) o
valoarea plauzibil (qVb<E lrgimea benzii interzise a materialului
semiconductor din care este fcut dioda, dar n general destul de apropiat de
E, mai ales dac cele dou regiuni ale jonciunii sunt dopate suficient).
Rezistena diferenial a unei jonciuni p-n
Caracteristica curent-tensiune a unei jonciuni p-n este:
I = Io(eqU / (mkT) 1) 1m2 (9)
unde Io este curentul de saturaie. Grosimea stratului de baraj variaz cu
tensiunea aplicat din exterior, relaia (4), rezultnd astfel o variaie a
rezistenei sale electrice n funcie de tensiunea aplicat. Putem defini o
rezisten diferenial a jonciunii, care este de fapt rezistena stratului de
baraj, folosind relaia (9):
Rd = dU/dI = (mkT/q) /(I+Io)]
= (mkT/q)e qU / (mkT) /Io (10)
Se vede din (10) c rezistena diferenial scade exponenial cu creterea
tensiunii directe aplicate diodei. Avnd n vedere c jonciunea p-n are i o
rezisten serie i dou capaciti care s-au definit mai sus, schema echivalent
a jonciunii se prezint ca n figura 2. Schema echivalent este valabil la
polarizare direct a jonciunii, cci n sens invers CD=0, neexistnd injecie.
Dac se lucreaz cu semnale de frecven ridicat n schema echivalent apare
i o inductan.

R e z is te n ta R e z is te n ta
s e rie R S d in a m ic a R d

A nod C a to d
C d if
C a p a c ita te
d e d ifu z ie
C a p a c ita te C b

d e b a ra j

D io d a id e a la

Figura 2. Schema echivalent a jonciunii PN pentru tensiuni directe.

Msurarea capacitilor
Capacitatea se msoar cu puni n curent alternativ (frecvene de ordinul kHz-
ilor) ce funcionaz similar cu Wheatstone. Ca exemple de puni de capaciti
se pot cita punile Schering sau De Sauty. Schema de principiu a unei astfel de
puni este redat n figura 3. Cu ea se pot msura i capacitile cu pierderi,
adic capacitile al cror dielectric are o conductibilitate electric diferit de
zero, ceea ce este echivalent cu a spune c aceste capaciti au o rezisten de
valoare finit legat n paralel. Capacitatea stratului de baraj este de acest tip,
avnd rezistena diferenial legat n paralel. La echilibrul punii avem:
 Z3 /Zx = R1 / R4 sau Z3 R4 = Zx R1 (11)
iar:
Z3 = R3 /(1+ iC3 R3) Zx = Rx /(1+ iCx Rx)
Introducnd ultimele dou relaii n (11) i separnd partea real de cea
imaginar, obinem:
R1 Rx = R3 R4 Cx Rx = C3 R4
de unde obinem:
Cx = C3 R1 / R4 (13)

R In s tru m e n t R
1 4
de nul

G e n e ra to r
~ G
C 3 C X
R 3 R X

Figura 3. Punte pentru capaciti cu pierderi.

Msurarea rezistenelor difereniale

n mod obinuit rezistenele se msoar cu ajutorul punii Wheatstone, pentru
care la echilibrul putem scrie:
R1 / Rx = R3 / R4 sau Rx = R1 R4 / R3 (14)
Avnd n vedere c rezistena diferenial este o funcie de tensiune aplicat,
msurtorile nu se pot face n curent continuu, ci trebuie folosit o punte
Wheatstone n curent alternativ (la care pe schema de pricipiu n locul sursei de
curent continuu se introduce un generator de semnal). Practic se folosesc puni
RLC att pentru msurarea capacitilor, ct i pentru msurarea rezistenelor
difereniale.

Montaj experimental
Msurtorile se fac cu o punte RLC. Exist diverse tipuri de asemenea puni,
dar n principiu funcionarea lor este aceeai, deosebirile fiind doar de natur
constructiv. Montajul experimental folosete o punte RLC "Orion" tip
TR-2150, tranzistorizat. Fiindc dioda trebuie polarizat n sens invers, la
bornele "EXT. BIAS" din spatele cutiei punii se leag montajul format din
rezistena R de circa 5kOhmi n serie cu sursa de tensiune i capacitatea C n
paralel (la bornele "EXT. BIAS"). Capacitatea C trebuie s fie mai mare dect
limita domeniului de msur n care se lucreaz. Dioda se leag la bornele X1 i
X2 ale punii, innd cont c dac se respect polaritatea din figur, borna X2
este pozitiv i la ea se leag catodul diodei (nsemnat de obicei cu un punct
colorat).
Schema montajului pentru msurarea rezistenei difereniale este asemntoare
cu precedenta, valoarea rezistenei R fiind de circa 10-20 Ohmi, iar capacitatea
lipsete. Dioda se leag tot la bornele X1 i X2 n sens direct (cu catodul la X1).

Mod de lucru
MSURAREA CAPACITII STRATULUI DE BARAJ.
1. Se trece comutatorul modului de lucru pe poziia C.
2. Se alege cu comutatorul domeniului de msur un domeniu de capaciti n
care presupunem c se situeau capacitatea diodei noastre (de ordinul
sutelor de pF).
3. Se aplic cu ajutorul montajului de polarizare o tensiune invers de cva
voli (n funcie de dioda msurat).
4. Se pornete puntea punndu-se ntreruptorul alimentrii pe poziia "ON".
5. Cu ajutorul comutatorului i a discului de compensare se caut echilibrarea
punii, urmrindu-se obinerea unei deviaii minime a acului indicatorului
de nul (aducerea acului n sectorul rou). Sensibilitatea instrumentului de
msur se poate regla cu butonul "SENSITIVITY".
6. Cu ajutorul poteniometrelor "LOSS BALANCE" se compenseaz
pierderile.
7. Se msoar capacitatea diodei la diferite tensiuni, msurndu-se de fiecare
dat i tensiunea corespunztoare cu ajutorul unui voltmetru care se
conecteaz tot la bornele X1 i X2, dar se scoate n timpul operaiunii de
echilibrare a punii, ntruct capacitatea de intrare a voltmetrului ar
influena rezultatul.
8. Se reprezin 1/C2 sau 1/C3 n funcie de tensiunea invers i se alege aceea
dependen a crei intersecie cu axa tensiunilor d o valoare plauzibil
pentru VD. se discut rezultatul trgndu-se concluzii asupra profilului
jonciunii (abrupt sau gradual).
MSURAREA REZISTENEI DIFERENIALE.
1. Se trece comutatorul modului de lucru n poziia R.
2. Se alege cu comutatorul domeniului de msur un domeniu de rezistene n
care presupunem c se situeaz rezistena diferenial a diodei noastre.
3. Se aplic cu ajutorul montajului de polarizare o tensiune direct mic
(zecimi de volt).
4. Se pornete puntea.
5. Se echlibreaz puntea i se citete valoarea gsit pentru rezisten.
6. Se msoar rezistena diferenial a diodei pentru diferite valori ale
tensiunii, msurndu-se de fiecare dat tensiunea corespunztoare cu
ajutorul unui voltmetru electronic conectat n paralel cu dioda. De regul
acest voltmetru poate rmne conectat n timpul echilbrrii punii, fiindc
rezistena lui de intrare este mult mai mare dect a diodei i deci nu viciaz
msurtoarea. Acest lucru este fals la tensiuni directe foarte mici, de
ordinul milivolilor, cnd rezistena diferenial a diodei poate depi pe
cea de intrare a voltmetrului.
7. Se reprezint grafic variaia rezistenei difereniale cu tensiunea direct.
8. Se va lucra cu mai multe diode de tipuri diferite, comparndu-se
rezistenele difereniale.
ntrebri
1. Ce capaciti apar la o jonciune p-n i prin ce se deosebesc ele?
2. De ce nu apare capacitatea de difuzie la polarizare invers?
3. De ce trebuie folosit o punte de curent alternativ pentru msurarea
capacitilor? Dar pentru msurarea rezistenei difereniale?
4. Ce rol joac tensiunea continu de polarizare aplicat diodei?

TRANZISTORUL BIPOLAR

1. Consideraii teoretice
Tranzistorul bipolar a fost realizat n 1947 de John Bardeen, Walter Brattain,
iar teoria jonciunii p-n i a tranzistorului de William Shockley. Cei trei oameni
de tiin au primit premiul Nobel n anul 1956, mpreun cu Walter Houser,
pentru contribuia lor la fizica semiconductorilor. Numele tranzistorului este
realizat prin contopirea cuvintelor "transfer rezistor".
Un tranzistor bipolar const din dou regiuni semiconductoare cu acelai tip de
conductivitate numite emitor i colector, separate de o zon subire de
conductivitate de tip opus numit baz. Se formeaz dou jonciuni p-n, fiind
posibile dou tipuri de tranzistori, NPN i PNP, cu simbolurile prezentate n
figura 1.
 T r a n z is to r P N P T r a n z is to r N P N

C o le c to r C o le c to r

B aza B aza

E m ito r E m ito r
Figura 1. Simbolurile folosite pentru tranzistorii bipolari.
n tranzistorii bipolari un curent mic din circuitul jonciunii baz-emitor,
polarizat direct, comand un curent mare din circuitul emitor-colector, unde
jonciunea baz-colector este polarizat invers. Raportul dintre curentul de
colector IC i cel din baz IB este numit factor de amplificare n curent al
tranzistorului, notat cu "" i avnd valori cuprinse ntre zeci i sute. Criteriile
fundamentale pe care trebuie s le ndeplineasc un tranzistor sunt:
1. Emitorul este mult mai puternic dopat dect baza (curentul prin jonctiunea
emitorului trebuie s fie determinat de purttorii majoritari ai emitorului
injectai n baz, injecia de purttori majoritari ai bazei n emitor trebuie
sa fie neglijabil).
2. Regiunea bazei este fizic subire, mai mic dect lungimea de difuzie
(purttorii injectai n baz o traverseaz fr a suferi procese de
recombinare majore).
3. Zona colectorului este fizic mai larg dect cea a emitorului (ajut la
colectarea curentului injectat de emitor i la disiparea eficient a cldurii
generate pe jonciunea colectorului).
4. Colectorul este slab dopat fa de baz (n acest fel stratul de baraj are o
lrgime mai mare i jonciunea colectorului poate suporta tensiuni inverse
mari, de zeci pn la sute de voli, fr s se strpung).
Relaiile care guverneaz funcionarea unui tranzistor bipolar sunt:
1.Curentul de emitor este cel corespunztor unei jonciuni p-n polarizate direct:

Ie = Io (e Ueb / Vt 1) (1)
2.Curentul bazei este o mic fracie din curentul de emitor:
Ib = (1 )Ie (2)
3.Curentul colectorului este proporional cu curentul de emitor:
Ic = Ie (3)
Mrimea adimensional "", coeficientul de transfer de curent ntre emitor i
colector , are valori tipice mai mari dect 0,9 , uzual peste 0,99. Se poate arta
c:
= 1 (1/2)(g/L)2
unde "g" este grosimea bazei, iar "L" este lungimea de difuzie.
Cele trei relaii pentru cureni verific conservarea curentului n nodul de reea
reprezentat de tranzistor:
Ie = Ic +Ib (4)
Prin combinarea relaiilor (2) i (3) rezult:
Ic = [/(1)]Ib = Ib (5)
unde este factorul de amplificare n curent al tranzistorului cu valori
cuprinse ntre zeci i sute.
Polariznd direct jonciunea emitor-baz se vor injecta goluri din emitor (strat
tip p) n baz (strat tip n). Grosimea bazei fiind foarte mic comparativ cu
lungimea de difuzie a golurilor, curentul de goluri injectat n baz va trece
practic n colector sub aciunea cmpului electric din jonciunea colector-baz,
polarizat invers. Numrul golurilor care dispar prin recombinare cu electronii
din baz (purttori majoritari aici) este mic, astfel generndu-se curentul bazei.
Curentul de colector, practic egal cu cel de emitor, este comandat direct de
tensiunea emitor-baz, care asigur polarizarea direct a jonciunii emitor.
Tensiunea baz-emitor i curentul bazei fiind mici se obine o amplificare n
putere.
Dispozitivul este numit tranzistor bipolar deoarece ambele tipuri de purttori
mobili de sarcin intervin n funcionarea sa .
Alegnd ca mrimi de intrare Ib i Ube , iar ca mrimi de ieire Ic i Uce se
definesc urmtoarele familii de caracteristici:
1. Caracteristica de intrare Ib= f(Ube) la Uce constant.
2. Caracteristica de ieire Ic= f(Uce) la Ib constant.
3. Caracteristica de transfer Ic= f(Ib) la Uce constant.
2. Montajul experimental

+
R C (10 0O hm )

+ R (1 0 k )
B C D P 2

P 1 A B

E
V

Montajul experimental este realizat cu un tranzistor NPN tip BC172, avnd n

baz rezistena RB = 10 k i n colector rezistena RC = 100. Tensiunea de
polarizare a jonciunii emitor-baz se aplic prin intermediul poteniometrului
P1.Tensiunea de alimentare a colectorului se aplic prin intermediul
poteniometrului P2 sau mai bine direct de la o surs de tensiune stabilizat
reglabil.

3. Modul de lucru
Se realizeaz montajul prezentat anterior.
Se regleaz poteniometrul P1 pn cnd tensiunea msurat ntre punctele
A i B corespunde curentului de baz dorit (1, 2, 5, 10, 20, 50, 100, 200
A, tensiune msurat 10, 20, 50, 100, 200, 500, 1000, 2000 mV).
Se msoar:
- tensiunea pe jonciunea emitorului Ube ntre punctele B i E,
- tensiunea colector emitor Uce ntre punctele C i E i
- curentul de colector msurnd cderea de tensiune pe rezistena Rc ntre
punctele C i D.
Pentru un curent de baz dat se modific tensiunea aplicat colectorului prin
intermediul poteniometrului P2 pentru a avea o tensiune colector-emitor Uce de
0,5; 1; 2; 5 Voli.

4. Analiza rezultatelor
Se reprezint grafic caracteristicile de intrere, ieire i transfer. Se calculeaz
factorul de amplificare n curent , din panta caracteristicii de transfer i
coeficientul de transfer de curent .
5. Rezultate experimentale
Nr. crt. Uce (V) Ic (mA) Ube(mV) Ib (A)
1 0,5
2 1
3 2
4 5
5 0,5
6 1

STUDIUL COMPORTRII CONSTANTEI DIELECTRICE

CU TEMPERATURA

1. Principii
Aplicnd un cmp electric unui material izolator apar deplasri locale
microscopice ale sarcinilor electrice de la poziia lor de echilibru, polariznd
materialul. Sunt importante dou mecanisme de polarizare:
1. polarizarea de deplasare, datorat deplasrii norului electronic fa de
nucleul atomului (polarizarea electronic) sau deplasrii ionilor pozitivi
fa de cei negativi ntr-un cristal ionic (polarizare ionic), este
independent de temperatur;
2. polarizarea de orientare apare la substanele care au un momente
dipolare elementare care se vor orienta de-a lungul liniilor cmpului
electric extern, este dependent de temperatur.
 +
E le c tro d
+ + + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - - - - - - - -
- - - - - - - -
+ + + + + + + +
E pol - - - - - - - -
+ + + + + + + + D ip o l
- - - - - - - -
+ + + + + + + +
D ie le c tric
+ + + + + + + + + + + + +
- - - - - - - - - - - - - - - - E ext
E le c tro d
_

Polarizarea electric P este momentul dipolar al unitii de volum:

P = Ptot /V = n p (1)
unde: n numrul de dipoli elementari din unitatea de volum,
p momentul dipolar elementar (q):
distana dintre sarcinile electrice q = q+ = | q |.
Ca urmare a polarizrii pe suprafaa "S" a dielectricului de grosime "d" apar
sarcini de polarizare, cu densitatea superficial p. Momentul dipolar total va fi:
Ptot = Qpd = pSd = pV (2)
de unde pentru polarizarea electric gsim:
P = p (3)
Sarcinile de polarizare, privite ca sarcini pe armturile unui condensator plan,
creaz un cmp electric Ep orientat n sens contrar vectorului de polarizare P:
Ep = P/ (4)
numit cmp de depolarizare. Suprapunerea cmpului electric E0 produs de
sarcinile libere de pe armturile condensatorului, cu cmpul electric EP produs
de sarcinile legate de pe suprafaa dielectricului genereaz n interiorul
dielectricului un cmp electric macroscopic mai mic dect cel din vid:
Et = E0 P/o o=8,81012 F/m (5)
n majoritatea cazurilor polarizarea electric este proporional cu intensitatea
cmpului electric total (dependen liniar):
P = e oEt (6)
unde e (hi) este susceptibilitatea electric a materialului. Cu relaiile (5) i
(6) prin eliminarea lui P, aflm c intensitatea cmpului electric ntr-un
dielectric este de "r" ori mai mic dect cea din vid:
Et = E0 /(1+e)= E0 /r (7)
unde: r = 1+e este permitivitatea electric relativ (numit uneori
constanta dielectric a materialului).
La materialele cu momente dipolare permanente, polarizarea e proporional cu
cmpul aplicat i invers proporional cu temperatura, deoarece la temperaturi
joase alinierea dipolilor este mai bun dect la temperaturi nalte, din cauza
agitaiei termice mai mici:
e = P /(oE ) = np2 /(3 okBT) (8)
iar atunci cnd r are valori mari, practic susceptibilitatea electric coincide cu
constanta dielectric.
n materialele feroelectrice, sub temperatura Curie TC, interaciunile dintre
dipoli aliniaz dipolii elementari fr prezena cmpului electric extern.
Feroelectricii prezint polarizare spontan n absena cmpului extern.
Dependena de temperatur a constantei dielectrice este de tipul:
r C/(T TC) T>TC (9)
deasupra temperaturii Curie, n stare paraelectric. n stare feroelectric
dependena polarizrii de cmpul extern este neliniar, prezentnd fenomenul
de histerezis (memorie) datorit domeniilor feroelectrice (zone din cristal cu
dipolii orientai ntr-un singur sens) ce se formeaz.
2. Dispozitivul experimental

C a p a c im e tr u

T e rm o m e tru

C o n d e n s a to r

In c a lz ito r
U

Temperatura msurat de termomentru, este modificat prin intermediul

tensiunii de alimentare a nclzitorului. Tensiunea alternativ aplicat
condensatorului, determin apariia unui curent prin circuit, msurat de
ampermetru, curent proporional cu capacitatea condensatorului. O variant mai
comod folosete un capacimetru care indic direct valoarea capacitii
electrice a condensatorului.

3. Modul de lucru
Se realizeaz montajul prezentat anterior.
Se alimenteaz nclzitorul de la sursa de tensiune variabil. Se ateapt 2 -
3 minute pentru stabilizarea temperaturii.
Se citete valoarea curentului prin circuitul condensatorului sau valoarea
capacitii de pe capacimetru. E preferabil s se modifice temperatura din 5
n 5 grade i s nu se depeasc 90 0C.
n final se determin constanta aparatului prin citirea curentului printr-un
condensator cu capacitatea cunoscut.

4. Analiza rezultatelor
Curentul printr-un condensator este dat de relaia:
I = U/XC = UC (10)
de unde constanta aparatului va fi:
 K = I/C = U (11)
iar capacitatea necunoscut se va calcula cu relaia:
Cx = I x / K . (12)
Fiind un condensator plan, legtura ntre capacitate i permitivitate este dat de
relaia:
C = orS/d (13)
Se ridic graficul capacitii n funcie de temperatur.

5. Rezultate experimentale
Nr. t T I C r
crt.
(0C) (K) (mA) (nF)

STUDIUL REZONATORULUI PIEZOELECTRIC

1. Teoria lucrrii
Fraii Pierre i Jaques Curie au observat n anul 1880 apariia sarcinilor
electrice pe faa anumitor cristale (cuar, SiO2 cristalin) supuse solicitrilor
mecanice (presiune, deformare). Mrimea sarcinii electrice este proporional
cu mrimea forei exercitate, iar sensul polarizrii electrice a cristalului depinde
de sensul aciunii mecanice. n acest efect piezoelectric direct (cauza este de
natur mecanic, efectul produs este electric) aplicarea unei tensiuni mecanice
conduce la redistribuirea sarcinilor electrice n volum, rezultnd o polarizare
electric volumic i implicit o sarcin electric indus pe suprafa. Denumirea
fenomenului provine de la cuvntul grecesc "piezo" care nsemn "a apsa".
Efectul piezoelectric invers avnd ca rezultat deformarea cristalului sau
apariia unei fore (cauza este de natur electric, efectul este mecanic) apare la
aplicarea unui cmp electric cristalului. Substanele piezoelectrice sunt:
a) substane piezoelectrice liniare (dependena polarizrii electrice P de
cmpul electric aplicat E este liniar).
b) substane feroelectrice (sub temperatura Curie depenena polarizrii
electrice P de cmpul electric aplicat E este neliniar, peste o anumit
valoare a cmpului polarizarea rmne constant, se satureaz). Peste
temperatura Curie substana devine paraelectric i implicit nu mai
prezint efect piezoelectric. Efectul piezoelectric se manifest n
 feroelectrici dac acetia sunt polarizai, adic domeniile n care
polarizarea are o orientare bine determinat sunt orientate dup o singur
direcie macroscopic, direcia cmpului extern.
Sub form de ceramici se utilizeaz foarte mult titanatul de bariu (BaTiO3) i
titano-zirconaii de plumb (PZT) care nu sunt influenai de umiditate, iar
temperatura Curie poate depi 400 0C la PZT.
O plac piezoelectric de grosime i suprafa A =L x L, are cele dou fee
metalizate, de obicei cu argint. Efectul piezoelectric stabilete o relaie de tipul
Efect = coeficient piezoelectric Cauz, ntre:
mrimile mecanice:
- deformarea relativ S = s/ , [S]SI = m/m (1)
- tensiune mecanic T = F/A , [T]SI = N/m2 (2)
cu T=YS legea lui Hooke, (3)
i mrimile electrice:
- intensitatea cmpului electric E = U/ , [E]SI = V/m (4)
- polarizarea electric P = Q/A , [P]SI = C/m2 (5)
cu D = E = o rE = oE + P, (6)
unde: s = elongaie, = lungime iniial, F = for, A = suprafa,
Y = modulul de elasticitate al lui Young,
U = tensiune electric, Q=sarcina, = distana dintre armturi,
D = inducia electric, o permitivitatea electric a vidului,
(r) = permitivitatea electric absolut (relativ) a materialului.
Concret avem pentru:
Efectul piezoelectric direct (cauz mecanic, efect electric)
P = eS (7)
Efectul piezoelectric invers (cauz electric, efect mecanic)
T = eE (8)
Coeficientul piezoelectric "e" msurat n [C/m2] are valorile tabelate
e (C/m2) BaTiO3 PZT-2 PZT-4 PZT-5H Cuar Rochelle
e33 17,5 9,0 15,1 23,3 0,17 3,00
e31 4,3 1,9 5,2 6,5 0,08 -
 e15 11,4 9,8 12,7 17,0 0,16

Aplicnd o diferen de potenial pe cei doi electrozi, placa i mrete

grosimea pe direcia cmpului electric (efect piezoelectric longitudinal) i se
contract pe direciile transversale fa de cmp (efect piezoelectric
transversal). Inversnd tensiunea se inverseaz i sensul deformaiilor. Lipind
placa piezoelectric pe o membran metalic, sistemul obinut va oscila ca n
figur. Placa piezoelectric din punct de vedere electric este un condensator cu
capacitatea C0. Aplicnd dispozitivului o tensiune U vom determina ncrcarea
condensatorului cu sarcina:
Q1=C0U (9)
dar i apariia unei tensiuni mecanice n plac datorit cmpului electric creat
(cauz electric genereaz efect mecanic):
T = eE F/A=eU / F = UeA / (10)
Fora aprut va pune n micare sistemul ce are masa "m" (genereaz o for
de inerie "md2s/dt2"), o elasticitate "k" (genereaz fora elastic "ks") i
eventual pierderi "r" (genereaz for disipativ "rds/dt"):
F = k s + r ds/dt + m d2s/dt2 (11)
Deformarea rezultat din aciunea forei va determina circulaia prin sistemul
electric a unei sarcini suplimentare Q2 (cauza este mecanic, o deformare,
efectul electric, o polarizare) datorit polarizrii cristalului prin efect
piezoelectric:
P=eS Q2/A=es / Q2 = s e A / (12)
Notnd "a= eA/" factorul de cuplaj electromecanic, putem transforma
relaia forei ntr-o relaie de mrimi electrice:
U = Q2 /C + R i2 + L di2 /dt (13)
2 2 2
unde: C = a /k , R = r/a , L = m/a (14)
Fiindc sarcina total absorbit de la surs este: Q = Q1 + Q2 ,
derivarea dup timp ne d o relaie ntre cureni: i = i1 + i2 ,
care determin schema electric a oscilatorului piezoelectric, capacitatea
proprie a plcii piezoelectrice C0 n paralel cu circuitul rezonant RLC, n care
mrimile electrice R, L i C sunt determinate de proprietile mecanice ale
sistemului i de factorul de cuplaj electromecanic "a".

R L C

C 0

2. Montajul experimental
Rezonatorul piezoelectric n serie cu ampermetrul de curent alternativ este
alimentat de la sursa de semnal sinusoidal de frecven i tensiune cunoscute.

3. Modul de lucru
Se msoar curentul prin circuit n funcie de frecvena semnalului.
Se fac citiri mai dese ale curentului pentru valori de frecven apropiate de
frecvena de rezonan, att rezonan serie ct i rezonan paralel.
4. Analiza rezultatelor
Se reprezint grafic curentul prin circuit i valoarea impedanei n funcie de
frecven. Se determin frecvena de rezonan serie din minimul impedanei
(maximul curentului) i frecvena rezonanei paralel din maximul impedanei
(minim al curentului prin circuit).

5. Rezultate experimentale
Nr. crt. f (kHz) U (V) I (mA) Z (k )