Msurri pe tranzistoare

Dei n prezent schemele aparatelor i echipamentelor electronice sunt dominate de circuite

integrate analogice i numerice, exist i situaii n care se utilizeaz tranzistoare bipolare (n general,
ca elemente de putere la ieire) sau tranzistoare cu efect de cmp (n general, ca elemente de intrare).

1. Msurri pe tranzistoare bipolare

Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor de tip sandwich, a crui structur
fizic nglobeaz trei regiuni semiconductoare distincte (emitorul, baza i colectorul), cu terminale
corespondente. Structura i simbolurile celor dou tipuri de tranzistoare bipolare, PNP i NPN, sunt
prezentate n figura 1, simbolurile deosebindu-se doar prin sensul sgeii care marcheaz emitorul.
La tranzistoarele PNP, emitorul i colectorul sunt de tip p, adic purttorii majoritari sunt
golurile, iar baza este de tip n, purttorii majoritari fiind electronii. Cu toate c emitorul i
colectorul sunt de acelai tip, concentraia de purttori majoritari n emitor este mult mai mare. n
cazul tranzistoarelor NPN, emitorul i colectorul sunt de tip n, iar baza este de tip p.
C
B
E
C
B
E
Figura 1. Tranzistorul bipolar structur i simboluri

Tranzistoarele bipolare (TB) se utilizeaz, mai ales, ca elemente de putere n etajele finale
ale amplificatoarelor, la oscilatoare i stabilizatoare de tensiune continu, precum i la circuitele
integrate numerice cu ieire pe colector n gol.
1.1. Parametri i caracteristici de baz ale TB
Schema echivalent
n curent alternativ, schema tipic de utilizare a TB este cea de amplificator n conexiune
emitor comun (figura 2.a), creia i corespunde schema echivalent standard din figura 1.b. Se
1

observ c jonciunea baz-emitor este echivalent cu o diod polarizat direct, iar jonciunea bazcolector cu o diod polarizat invers.
Amplificarea in tensiune (Au)
n paralel cu jonciunea baz-colector, se afl un generator de curent, de valoare iB, unde
reprezint amplificarea n curent, care poate varia de la 20 la 500, n funcie de tipul tranzistorului.
Mai departe, jonciunea polarizat direct poate fi nlocuit cu o rezisten de valoare mic, RE = 10
200 , n timp ce jonciunea polarizat invers poate fi considerat un circuit deschis, aa cum se
arat n figura 1.c. Din aceast figur, se deduc relaiile:

u1 = iB RE ( +1) ;

(1)

u 2 = iB RC ,

(2)

n care semnul minus arat c u2 este defazat cu 180 fa de u1.

Figura 2. Tranzistorul bipolar: a) schem n emitor comun; b, c) scheme echivalente

Cnd > 50 1000, + 1 i amplificarea n tensiune, Au, devine (fr semne):

Au =

u 2 iB RC RC
=
=
.
u1 iB RE RE

(3)

Cum la un tranzistor bipolar obinuit, RC 2 k, iar RE 50 , rezult Au 40.

Caracteristicile de ieire
Caracteristicile de ieire IC = f (UCE), avnd ca parametru IB, pentru un tranzistor bipolar
(2N929), sunt prezentate n figura 3. Aceste caracteristici pot fi ridicate experimental, pe
caracteriscop sau cu ajutorul montajului din figura 4. De pe aceste caracteristici, se poate determina

amplificarea n curent, .
Amplificarea n curent ()

Amplificarea n curent se definete cu relaia:

I

= C
I B U

(4)

CE = const

n care IC i IB sunt evaluai dup caracteristicile de ieire (figura 3) sau msurai cu schema din
figura 4.
2

Ali parametri de baz

Se mai folosesc urmtorii parametri: factorul ctig-band, banda de frecvene la -3 dB,
rezistena de intrare i rezistena de ieire. Acetia se pot determina experimental, ca la

amplificatoare operaionale.

Figura 3. Caracteristici de ieire la un TB (2N929)

Figura 4. Msurarea lui n c.c.

1.2. Msurri simple pe TB

a) Testarea cu ohmmetrul
Nu este o msurare propriu-zis, ns este foarte util, deoarece ofer, rapid, informaii
calitative asupra strii celor dou jonciuni, prin intermediul rezistenei acestora. Dac tranzistorul
este n stare bun, la controlul jonciunilor baz-emitor i baz-colector, ohmmetrul trebuie s
indice ntocmai ca la o diod n stare bun: rezistena mic ntr-un sens (plusul ohmmetrului pe anodul
diodei) i rezisten mare n cellalt sens. n plus, ntre emitor i colector, ohmmetrul trebuie s indice
o valoare mare a rezistenei, n ambele sensuri.
b) Msurri cu voltmetrul
Cu ohmmetrul, dup cum s-a vzut n cele de mai sus, se poate testa, calitativ, doar starea
tranzistorului ca atare. Cu un voltmetru electronic de curent continuu (VEC), se poate detecta starea
unui tranzistor implementat ntr-o schem electronic.
Cazul unui tranzistor de tip NPN
n figura 5, se prezint distribuia normal de tensiuni continue pe un etaj de amplificare, de c.a.,
n conexiune de emitor comun. Orice abatere important de la aceast distribuie, n cazul dat, este un
semn al defectrii tranzistorului. La tranzistoarele NPN cu siliciu, defectele cele mai frecvente sunt:
ntreruperea jonciunii baz-colector (figura 6.a ), apariia unui curent de fug prin aceasta jonciune
(figura 6.b) i scurtcircuitarea (strpungerea) jonciunii baz-emitor (figura 6.c).

Figura 5. Tensiuni pe
un etaj de amplificare
ca tranzistor NPN bun

Figura 6. Tensiuni pe un etaj cu tranzistor NPN defect

Cazul unui tranzistor PNP

n figura 7, se prezint repartiia normal a tensiunilor continue pe un etaj de amplificare, de
c.a., n conexiune de emitor comun. Orice abatere important de la aceast distribuie, n cazul dat,
este un semn al defectrii tranzistorului. n figura 8.a i figura 8.b, se ilustreaz repartiia tensiunilor
n cazul a dou defecte tipice, specifice tranzistoarelor PNP cu germaniu: ntreruperea i
scurtcircuitarea jonciunii baz-emitor.

Figura 7. Tensiuni pe
un etaj de amplificare
ca tranzistor PNP bun

Figura 8. Tensiuni pe un etaj cu tranzistor PNP defect

2. Desfurarea lucrrii
Pentru tranzistoarele puse la dispoziie n laborator, se identific terminalele acestora i se
msoar, cu ohmmetrul, rezistenele jonciunilor baz-emitor i colector-emitor. Datele obinute se
centralizeaz n tabelul 1.
Tabelul 1. Testarea tranzistoarelor cu ohmmetrul
Nr. crt.
1
2
3

Tipul
tranzistorului
BC107
BC547B
2N2222A

RBE ()

RBC ()

Observaii

Utiliznd schema experimental din figura 9, se determin caracteristicile IC = f (UCE) pentru

tranzistorul bipolar BC547B.
500
+
mA
100 k
+

V
-

S1

S2
-

Figura 9. Schem experimental pentru determinarea

caracteristicilor de ieire ale BC547B

Pentru fiecare valoare a curentului de baz IB, stabilit din sursa S1, se modific tensiunea
UCE, prin intermediul sursei S2, completndu-se tabelul de mai jos. n final, pe baza datelor

din tabel, se traseaz caracteristicile de ieire IC = f (UCE).

Tabelul 2. Determinarea caracteristicilor de ieire pentru BC547B
IB
(A)
0
10
20
30
40

UCE
(V)
IC
(mA)
IC
(mA)
IC
(mA)
IC
(mA)
IC
(mA)

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,6

0,7

10

Pe baza caracteristicilor IC = f (UCE), se determin amplificarea n curent, , pentru tensiunea

UCE = 5 V.