Electronică analogică

Lucrarea nr. 4
ETAJE FUNDAMENTALE DE AMPLIFICARE

4.1. Scopul lucrării

Se studiază caracteristicile etajelor fundamentale de amplificare cu tranzistoare bipolare (TB) în
conexiunile: emitor comun (EC), sarcină distribuită şi colector comun, şi cu tranzistoare cu efect de
câmp (TEC) în conexiunile sursă comună (SC) şi drenă comună (DC).

4.2. Observaţii teoretice

Amplificatoare electronice
xi (t) xo (t)
A
Un amplificator electronic este un bloc funcţional, la intrarea căruia se
aplică semnalul xi(t), obţinându-se la ieşire semnalul x o(t), aşa cum s-a ilustrat Fig. 4.1. Bloc de
în fig. 4.1. xi(t) şi xo(t) pot fi tensiuni sau curenţi. Parametrul cel mai important amplificare.
al unui amplificator este amplificarea, notată cu A. Între semnalul de intrare şi
cel de ieşire există relaţia:
(4.1)
În relaţia anterioară τ reprezintă întârzierea dintre cele două semnale. De remarcat că x i (t) şi xo (t) au
aceeaşi formă, însă puterea semnalului de ieşire este mai mare decât a celui de intrare.

Banda de frecvenţă a unui amplificator |A|

0 A
Fie A(jω) amplificarea în funcţie de frecvenţă a
unui amplificator (ω = 2πf). Reprezentarea grafică pentru | aA0
A| = |A(jω)|, fig. 4.2, se numeşte caracteristica de 2
a
frecvenţă a amplificatorului. În mijlocul benzii de lucru a 2
amplificatorului, modulul amplificării este A0. Notăm cu: 0 fj fs f
Fig. 4.2. Caracteristica de frecvenţă a
unui amplificator.
Banda de frecvenţă a amplificatorului este caracterizată
de:

În relaţia anterioară, egalitatea are loc la frecvenţe joase pentru f j (frecvenţa inferioară din banda
amplificatorului) şi la frecvenţe înalte pentru f s (frecvenţa superioară din banda amplificatorului), aşa
cum s-a ilustrat în fig. 4.2. În concluzie, banda amplificatorului - numită şi banda la 3 dB (decibeli) –
este:

Amplificarea în tensiune se poate exprima în decibeli, caz în care se mai numeşte şi câştig în
tensiune - Gv. Notaţia provine din limba engleză, Gv – gain voltage.
(4.1)
Pentru f = fs sau f = fj ( echivalent cu ω = ωj sau ω = ωs), câştigul în tensiune este:

1
 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

Ca urmare, banda la 3 dB este banda de frecvenţă în care câştigul în tensiune nu scade

cu mai mult de 3 dB faţă de câştigul în tensiune în mijlocul benzii.

4.3. Etaje de amplificare cu TB

Etajele de amplificare cu un singur TB se clasifică după tipul de conexiune al dispozitivului:

 conexiunea emitor comun;
 conexiunea sarcină distribuită (uneori inclusă în conexiunea anterioară);
 conexiunea colector comun;
 conexiunea bază comună.
Tipul de conexiune al TB într-un etaj de amplificare se stabileşte pe schema de curent
alternativ şi este determinat de borna ce se află conectată la masă. Excepţie face conexiunea
sarcină distribuită, la care TB nu are nici o bornă conectată la masă în schema de c.a.

4.3.1 Etajul de amplificare cu TB în conexiunea emitor comun (EC)

În fig. 4.3 sunt ilustrate: schema de principiu, schema de c.a. şi schema echivalentă la semnal
mic, frecvenţe medii pentru un etaj de amplificare cu TB în conexiunea emitor comun.

Determinarea rezistenţei de intrare

, unde şi (4.2)

Uzual, RBB are valori de ordinul zecilor de kΩ, iar h ie de ordinul kΩ, motiv pentru care s-a făcut
aproximarea din relaţia anterioară.
VCC
R1 RC vo
vo
T T
C2
C1 RL RC RL
R2 RE
vi RBB
vi C3

a) b)

ii B ib ic C io vo iL

vi RBB hie hfe∙ib hoe-1 RC RL

Ri Ri,T Ro,T Ro
c)
Fig. 4.3. Etaj de amplificare cu TB în EC: a) schema de principiu; b) schema de
c.a.; c) Schema echivalentă la semnal mic, frecvenţe medii.
2
 Electronică analogică

Determinarea rezistenţei de ieşire

Dacă RC aparţine circuitului, atunci rezistenţa de ieşire, Ro este:

(4.3)

deoarece RC are valori uzuale de ordinul kΩ, iar are valori uzuale de ordinul zecilor de kΩ. Dacă
însă RC nu aparţine circuitului, ci reprezintă chiar sarcina, atunci rezistenţa de ieşire este:

(4.4)

Determinarea amplificării în tensiune

Dacă se neglijează , rezultă:

(4.5)

Determinarea amplificării în curent

(4.6)

Primul termen din expresia ai poate fi aproximat cu 1. De remarcat că amplificarea în curent pentru
acest circuit nu poate depăşii hfe.

În concluzie, etajele de amplificare cu TB în conexiunea EC se pot caracteriza astfel:

 rezistenţă de intrare şi rezistenţă de ieşire moderate, uzual de ordinul kΩ;
 amplificare în tensiune şi amplificare în curent mari, uzual de ordinul multe zeci până la câteva
sute.

4.3.2. Etajul de amplificare cu TB în conexiunea sarcină distribuită (SD)

Dacă în circuitul din fig. 4.3a se elimină condensatorul de decuplare C 3 se obţine un etaj de
amplificare în conexiunea sarcină distribuită. În fig. 4.4a, b şi c sunt ilustrate: schema de principiu,
schema de curent alternativ, respectiv schema echivalentă la semnal mic, frecvenţe medii pentru un
astfel de etaj (s-a considerat h re = 0), cu precizarea că s-a eliminat rezistorul R L, considerând că
sarcina circuitului este RC.

Determinarea rezistenţei de intrare

,

3
 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

(4.7)

Determinarea rezistenţei de ieşire

(4.8)

Dacă RC nu aparţine circuitului, rezistenţa de ieşire este foarte mare.

Dacă RC aparţine circuitului, atunci rezistenţa de ieşire este moderată:

Dacă ieşirea este în emitor, atunci rezultă:

(4.9)

este de ordinul zecilor de ohmi, fiind cea mai mică rezistenţă de ieşire a etajelor cu TB.

Amplificarea în tensiune

VCC
R1 RC vo
vo
T T
C1 RC
vi R2 vi RBB RE
RE

a) b)
ii B ib ic io vo
C
hie hfe∙ib
hoe1
vi RBB ie RC
E
RE

Ri Ri,T c) Ro,T

Fig. 4.4. Etaj de amplificare cu TB cu sarcină distribuită: a) schema de principiu;

b) schema de c.a.; c) schema echivalentă la semnal mic, frecvenţe medii.

4
 Electronică analogică

(4.10)

Dacă: şi (4.11)

rezultă: (4.12)

În relaţia anterioară, amplificarea în tensiune nu depinde de PSF, ci numai de valorile celor două
sarcini: RE – sarcina din emitor şi RC – sarcina din colector. Ca urmare, dacă se respectă condiţiile
(4.11), atunci se poate utiliza etajul cu TB în conexiunea SD ca amplificator de tensiune de precizie.
Pentru RE = RC rezultă av = -1, circuitul obţinut fiind un amplificator inversor (semnalul de
ieşire este în antifază cu cel de intrare).

Amplificarea transadmitanţă
Dacă RC nu face parte din circuit este utilă calcularea amplificării transadmitanţă, care se
poate aproxima după cum urmează pentru condiţiile (4.11) îndeplinite:

(4.13)

Amplificarea în curent

(4.14)

Deoarece uzual Ri,T > RB, raportul de divizare de la intrare este mult subunitar, astfel că
amplificarea în curent este mult mai mică decât hfe.
Caracterizarea etajelor de amplificare cu TB în conexiunea SD:
 rezistenţă de intrare mare (multe zeci de kΩ – sute de kΩ);
 rezistenţă de ieşire în colector moderată, uzual de ordinul kΩ, dacă RC aparţine circuitului;
 rezistenţă de ieşire în colector foarte mare, uzual de ordinul sutelor de kΩ, dacă R C nu aparţine
circuitului;
 rezistenţă de ieşire în emitor foarte mică, uzual de ordinul zecilor de Ω;
 amplificare în tensiune mică, unităţi sau zeci;
 amplificare în curent moderată, uzual de ordinul zecilor.

4.3.3. Etajul de amplificare cu TB în conexiunea colector comun (CC) sau repetor pe emitor

În fig. 4.5 sunt ilustrate: schema de principiu, schema de c.a. şi schema echivalentă la semnal
mic, frecvenţe medii pentru un etaj de amplificare cu TB în conexiunea colector comun. Etajul este
cunoscut şi ca repetor pe emitor deoarece, uzual, amplificarea în tensiune este 1, tensiunea de la
intrare fiind repetată la ieşire.
5
 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

Rezistenţa de intrare
,

(4.15)
Rezistenţa de ieşire
(4.16)

(4.17)

Amplificarea în tensiune

(4.18)

Dacă se îndeplineşte condiţia: rezultă:

Ca urmare, tensiunea de ieşire este egală cu cea de intrare, adică se repetă la ieşire tensiunea de la
intrare, de unde şi numele etajului: repetor pe emitor.

Amplificarea în curent
(4.19)
Deoarece uzual Ri,T>RB, raportul de divizare de la intrare este mult subunitar, astfel că
amplificarea în curent este mult mai mică decât hfe.
VCC
R1 RC vo
T
C2 v T
C1 o RE RL
vi R2 vi RBB
RE RL

a) b)

ii B ib hie ie io vo
E
1
vi RBB hfe∙ib hoe RE RL
C

Ri Ri,T c) Ro,T Ro

Fig. 4.5. Etaj de amplificare cu TB în conexiunea CC: a) schema de principiu;

b) schema de c.a.; c) schema echivalentă la semnal mic, frecvenţe medii.
6
 Electronică analogică

Caracterizarea etajelor de amplificare cu TB în conexiunea CC:

 rezistenţă de intrare mare (multe zeci de kΩ – sute de kΩ);
 rezistenţă de ieşire foarte mică, uzual de ordinul zecilor de Ω;
 amplificare în tensiune subunitară, uzual tinzând către 1;
 amplificare în curent moderată, uzual de ordinul zecilor.

4.4. Etaje de amplificare cu TEC-MOS

În această secţiune se va prezenta o sinteză a etajelor de amplificare cu un singur tranzistor

TEC-MOS (cele cu TEC-J sunt similare), clasificate după tipul de conexiune a dispozitivului:
 conexiunea sursă comun (SC);
 conexiunea sarcină distribuită (SD);
 conexiunea drenă comun (DC);
VDD = 12 V
 conexiunea poartă comună (GC). R R
1 D
30 MΩ 5 kΩ
4.4.1. Etajul de amplificare cu TEC-MOS în conexiunea ID vo
sursă comună C1 T C2
RL
În fig. 4.6 şi fig. 4.7 sunt ilustrate: schema de principiu, 5 kΩ
R2 RS
respectiv schema de c.a. şi schema echivalentă la semnal mic, vi 10 MΩ 1 kΩ C3
frecvenţe medii pentru un etaj de amplificare cu TEC-MOS cu
canal n indus, în conexiunea sursă comună. Expresiile pentru Fig. 4.6.
parametrii acestui amplificator sunt:

(4.20)

(4.21)

, în care (4.22)

vo
T
G D vo

vi vgs RL
RGG RD RL vi RGG rds RD
gm∙vgs
S
a) b)
Fig. 4.7. a) Schema de c.a. şi b) schema echivalentă la semnal mic, frecvenţe medii
pentru amplificatorul cu TEC-MOS în conexiunea SC din fig. 4.7.

4.4.2. Etajul de amplificare cu TEC-MOS în conexiunea drenă comună

În fig. 4.8 sunt ilustrate: schema de principiu, respectiv schema de c.a. pentru un etaj de
amplificare cu TEC-MOS cu canal n indus, în conexiunea drenă comună. Pentru parametrii acestui
amplificator se obţin expresiile:
7
 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

R1 VDD

CS T
vin CL v
o vin vo
T
R2 RS RL RGG RS RL

a) b)
Fig. 4.8 Etaj de amplificare cu TEC-MOS în conexiunea drenă comună:
a) schema de principiu; b) schema de c.a.

(4.23)

(4.24)

(4.25)

4.5. Desfăşurarea lucrării

4.5.1 Etajul de amplificare cu TB în conexiunea emitor comun (EC)
VC C VC C
Se deschide un proiect pentru analiză în mediul RC
ORCAD şi se desenează schema din fig. 4.9. VC C
12Vdc
R1
100k
4k

Se setează parametrii pentru analiza de curent C2

0 Q1
alternativ, folosind descrierea de mai jos: C1
47u

47u
BC 108C
PSpice→Edit Simulation Profile 1m Vac Vi
AC Sweep/Noise R2 C3 RE RL
0Vdc
General Settings AC Sweep Type 100k 470u 5.2k 4k
Logarithmic
0 0 0 0 0
Decade Start Frequency: 1
End Frequency:1G
Fig. 4.9. Etaj de amplificare cu TB în
Points/Decade: 100
conexiunea EC
Se determină PSF-ul pentru Q1 şi se notează: VBE = …….., VCE = ……….. şi IC = ……… .

Amplificarea în tensiune
Se vizualizează amplificarea în tensiune funcţie de frecvenţă, V(RL:1)/V(Vi:+) şi se salvează
într-un document WORD. Folosind explicaţiile din secţiunea 4.2 se determină banda de frecvenţă a
amplificatorului (banda la 3 dB): fj = ………..Hz, fs = ………..Hz.
Se determină din graficul obţinut amplificarea în tensiune pentru f= 1 kHz şi se notează:

Se calculează amplificarea în tensiune, a v,calc = ……….. cu relaţia (4.5) şi se compară cu cea obţinută
prin simulare.

Rezistenţa de intrare

8
 Electronică analogică

Se vizualizează rezistenţa de intrare în c.a.: V(Vi:+)/I(C1), se salvează într-un document

WORD şi se notează valoarea acesteia pentru f= 1 kHz: . . Se calculează
Ri,calc = …………. cu relaţia (4.2) şi se compară cele două rezultate obţinute.
Notă: Pentru calculul parametrului hie se va folosii hfe = β = 510.

Amplificarea în curent
Se vizualizează amplificarea în curent: I(RL)/I(C1), se salvează într-un document WORD şi
se notează valoarea acesteia pentru f= 1 kHz: . . Se calculează ai,calc =
…….. cu relaţia (4.6) şi se compară cele două rezultate obţinute.

4.5.2. Etajul de amplificare cu TB în conexiunea sarcină distribuită (SD)

Se elimină condensatoarele C2, şi C3 şi rezistorul RL din schema amplificatorului din fig. 4.9.
Se obţine astfel un amplificator în conexiunea SD ca cel din fig. 4.4.
Se reiau etapele descrise la secţiunea 4.3.1, pentru calcularea: a v, Ri, şi ai folosindu-se
relaţiile: (4.7), (4.12) şi (4.14). Se va considera >>RC.
Se notează:
, Ri,calc = ………..
.,

4.5.3. Etajul de amplificare cu TB în conexiunea colector comun (CC) sau repetor pe emitor
VC C VC C
Se deschide un proiect pentru analiză în mediul
ORCAD şi se desenează schema din fig. 4.10. VC C R1
Se realizează o analiză de c.a. ca la secţiunea 4.5.1. 12Vdc 100k

Se determină PSF-ul pentru Q1 şi se notează: 0 C1

Q1
BC 108C
VBE = ……….., VCE = ……….. şi IC = ……… . C2 47u
47u
1m Vac Vi
Amplificarea în tensiune
R2 RE RL
Se vizualizează amplificarea în tensiune funcţie de 0Vdc
100k 5.2k 4k
frecvenţă, V(RL:1)/V(Vi:+) şi se salvează într-un document
0 0 0 0
WORD. Se determină banda de frecvenţă a amplificatorului
(banda la 3 dB): fj = ………..Hz, fs = ………..Hz. Fig. 4.10. Etaj de amplificare cu TB
Se determină din graficul obţinut amplificarea în tensiune în conexiunea CC
pentru f= 1 kHz şi se notează:

Se calculează amplificarea în tensiune, a v,calc = ………… cu relaţia (4.18) şi se compară cu cea

obţinută prin simulare.

Rezistenţa de intrare
Se vizualizează rezistenţa de intrare în c.a.: V(Vi:+)/I(C1), se salvează într-un document
WORD şi se notează valoarea acesteia pentru f= 1 kHz: . . Se calculează
Ri,calc cu relaţia (4.15), Ri,calc = ……….. şi se compară cele două rezultate obţinute.
Notă: Pentru calculul parametrului hie se va folosii hfe = β = 510.

Amplificarea în curent
Se vizualizează amplificarea în curent: I(RL)/I(C1), se salvează într-un document WORD şi
se notează valoarea acesteia pentru f= 1 kHz: . . Se calculează ai,calc =
………. cu relaţia (4.19) şi se compară cele două rezultate obţinute.

9
 Regimul dinamic al tranzistorului bipolar

4.5.4. Etajul de amplificare cu TEC-MOS în conexiunea sursă comună

Se deschide un proiect pentru analiză în mediul VD D VD D

ORCAD şi se desenează schema din fig. 4.11. VC C
Se realizează o analiză de c.a. ca la secţiunea 4.5.1. 12Vdc R1 RD
Se determină PSF-ul pentru M1 şi se notează: 30MEG 5k C3

VGS = ……….., VDS = ……….. şi ID = ……… . 0

100u
C1
M1
M2N 7000
Amplificarea în tensiune 100n

Se vizualizează amplificarea în tensiune funcţie de Vi C2

frecvenţă, V(RL:1)/V(Vi:+) şi se salvează într-un 1m Vac
0Vdc
R2
10MEG
RS
1k 220u
RL
5k
document WORD. Se determină banda de frecvenţă a
amplificatorului (banda la 3 dB): 0 0 0 0 0
fj = ………..Hz, fs = ………..Hz. Fig. 4.11. Etaj de amplificare cu
Se determină din graficul obţinut amplificarea în tensiune TEC-MOS în conexiunea SC
pentru f= 1 kHz şi se notează:

Se calculează amplificarea în tensiune, a v,calc = ………… cu relaţia (4.22) şi se compară cu cea

obţinută prin simulare. Pentru determinarea parametrului β se va folosii ecuaţia de dispozitiv:

şi datele din PSF. Tensiunea de prag pentru acest tranzistor este: VT = 1,73 V.

Rezistenţa de intrare
Se vizualizează rezistenţa de intrare în c.a.: V(Vi:+)/I(C1), se salvează într-un document
WORD şi se notează valoarea acesteia pentru f= 1 kHz: ..
Se calculează Ri,calc cu relaţia (4.20), Ri,calc = ……….. şi se compară cele două rezultate
obţinute.

Amplificarea în curent
Se vizualizează amplificarea în curent: I(RL)/I(C1), se salvează într-un document WORD şi
se notează valoarea acesteia pentru f= 1 kHz: ..
VD D VD D
4.5.5. Etajul de amplificare cu TEC-MOS în VC C
conexiunea drenă comună 12Vdc R1
30MEG

Se modifică în proiectul anterior schema 0

C1 M1
amplificatorului astfel încât să corespundă cu cea din fig. M2N 7000
4.12. 100n
CL 100u
Se realizează o analiză de c.a. ca la secţiunea 4.5.1. Vi
Se determină PSF-ul pentru M1 şi se notează: 1m Vac
0Vdc
R2
10MEG
RS
1k
RL
5k
VGS = ……….., VDS = ……….. şi ID = ……… .
0 0 0 0

Amplificarea în tensiune Fig. 4.12. Etaj de amplificare cu

TEC-MOS în conexiunea DC
Se vizualizează amplificarea în tensiune funcţie de
frecvenţă, V(RL:1)/V(Vi:+) şi se salvează într-un document WORD. Se determină banda de
frecvenţă a amplificatorului (banda la 3 dB):
fj = ………..Hz, fs = ………..Hz.
Se determină din graficul obţinut amplificarea în tensiune pentru f= 1 kHz şi se notează:

10
 Electronică analogică

Se calculează amplificarea în tensiune, a v,calc = ………… cu relaţia (4.25) şi se compară cu cea

obţinută prin simulare. Parametrului β are aceeaşi valoare ca la secţiunea 4.5.4.

Rezistenţa de intrare
Se vizualizează rezistenţa de intrare în c.a.: V(Vi:+)/I(C1), se salvează într-un document
WORD şi se notează valoarea acesteia pentru f= 1 kHz: ..
Se calculează Ri,calc cu relaţia (4.23), Ri,calc = ……….. şi se compară cele două rezultate
obţinute.

Amplificarea în curent
Se vizualizează amplificarea în curent: I(RL)/I(C1), se salvează într-un document WORD şi
se notează valoarea acesteia pentru f= 1 kHz: ..

4.6. Interpretarea rezultatelor

Se completează tabelul 4.1 cu rezultatele obţinute prin simulare şi prin calcul.

Tabelul 4.1
Nr. Tip amplificator Ri av ai
crt. calculată simulată calculată simulată calculată simulată
1 Cu TB în conexiunea EC
2 Cu TB în conexiunea SD
3 Cu TB în conexiunea CC
4 Cu TEC-MOS în
conexiunea SC
5 Cu TEC-MOS în
conexiunea DC

4.7. Întrebări

1. Ce etaj a oferit amplificarea în tensiune cea mai mare?

2. Ce etaj a oferit amplificarea în curent cea mai mare?
3. Ce etaj a oferit rezistenţa de intrare cea mai mare?
4. Cum obţineţi un amplificator cu Ri mare şi av mare?
5. Care etaje se comportă ca adaptoare de impedanţă (impedanţă de ieşire mică şi impedanţă de
intrare mare)?

5.8. Temă

Să se calculeze rezistenţa de ieşire pentru fiecare din cele cinci tipuri de amplificatoare. Se vor folosii
datele necesare din circuitele simulate.

11