Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
R2
EB = EC (1)
R1 + R 2
şi o rezistenţă Thévenin:
RB = R1 || R2 (2)
IC
IB β FI B
+ EC RL
RL RB rd
R1 +
VD EC
-
Ieşirea EB
Intrarea R2 semnalului
semnalului RE
CE CE
RE
Figura 1 Figura 2
de unde rezultă:
β F (E B − VD )
IC =
R B + (β F + 1) (rd + R E )
(4)
1
β (E − VD )
RB = F B − (β F + 1) (rd + R E ) (5)
IC
Liniile mari ale proiectării rezultă clar din ecuaţia (4). Dacă luăm RE destul de mare,
astfel încît termenul (βF+1)∙RE să domine numitorul, atunci termenul imprevizibil
βF dispare practic din ecuaţie. De asemenea, dacă luăm E B de valoare mare (are
o valoare limită superioară, care este evident EC), efectele variaţiei lui VD cu
temperatura sînt astfel reduse la minimum.
Practic, fiind dat punctul static de funcţionare dorit, se alege o valoare a lui RE care
să dea o cădere de tensiune IE∙RE de maxim 3...4 V. Aceasta va asigura o
valoare destul de mare pentru EB, astfel încît variaţiile termenului VD să fie
reprimate în mod satisfăcător. Pe de altă parte, aceasta va permite o amplitudine
rezonabilă a semnalului de ieşire pentru valori rezonabile ale tensiunii de
alimentare EC.
Ecuaţia poate fi rezolvată pentru a găsi şi valoarea lui E B prin înlocuirea valorilor
adecvate ale lui IB şi VD în punctul de funcţionare, la T = 25ºC. Aceste valori pot fi
citite direct de pe caracteristicile tranzistorului, dacă avem la dispoziţie un set
complet de astfel de caracteristici. Altfel, ele pot fi aproximate observînd că VD ≈
0,6 V (siliciu) şi IB = IC/ βF.
E
R1 = C R B (7)
EB
2
R1 R B
R2 = (8)
R1 − R B