Circuite electronice 1

Semestrul 2 2005-2006

conf. dr. ing. Mihail Florea

 Tipul disciplinei: obligatorie
Nr. ore saptamanal: 2C + 2L
(Laboratorul se afla in corpul A Copou, sala III-12)
Forma de verificare: examen
Nr. credite: 5
Modalitati de examinare:
1. Proba orala (2 sub. teoretice + 1 problema): 75%
(pentru rezolvarea problemei este permisa consultarea
oricarui material ajutator)
2. Evaluarea activitatii de laborator: 25%

2
 Bibliografie
M. Florea, Dispozitive i circuite electronice, Ed. Gh.
Asachi, 1999
Gh. Maxim, Dispozitive electronice vol.I i II, Rotaprint
U.T. Iai
P. E. Gray i C. L. Searle, Bazele electronicii moderne
vol.I i II, Editura Tehnic, 1973 (sau copie la Rotaprint-
3vol., 1981)
P. R. Gray i R. G. Meyer, Circuite integrate analogice
analiz i proiectare, Editura Tehnic, 1983 sau 1997
E. Dasclu, s.a. Dispozitive i circuite electronice -
culegere de probleme, E.D.P., 1982;

3
Capitolul 1 Notiuni introductive
1.1 Obiectul cursului; terminologie

Electronica = o ramura a stiintei si tehnicii

3 domenii:
Dispozitive electronice
Circuite electronice
Aparate, echipamente si sisteme
electronice
4
Dispozitive electronice

5
 Circuite electronice
RB1 100K RC 4,7K CL
15

Q2 VCC
CB 5,6 15V
RB2 56K
vo RL
CI
Q1 10K
Rg 68
600 vi
RB3 10K RE CE gm2Vbe2
vg Rs C1
300 330
Vs C1
-
r1 -r
2 C2 R L Vo
+ gm1Vbe1 +

6
Aparate echipamente si sisteme electronice

7
 Functiile circuitelor electronice
1. Extragerea, stocarea, transportul sau prelucrarea
informatiei continute intr-un semnal;
2. Furnizarea unei puteri pentru actionarea
dispozitivului conectat la iesire
Categorii de semnale si circuite electronice

8
Conversie A/D

9
Conversie D/A

10
Comparatie intre sisteme analogice si digitale

11
Comparatie intre sisteme analogice si digitale

12
Notatii specifice utilizate in electronica
a) litere mari i indici litere mari,
vBE vbe VB, IC, UCE, VBE, ECC, IEE =
mrimi continue i valori medii
ale mrimilor variabile (indice
vbe(t1) Vbe
dublu = sursa de alimentare).
b) litere mici i indici litere mici,
ic, vbe,vb = valori instantanee ale
VBE vBE(t1) mrimilor pur variabile
(excluznd componentele
continue).
0
c) litere mici i indici litere mari,
t1 t
iC, vBE, vB = mrimi totale,
componenta continu plus
v BE ( t1 ) = VBE + v be ( t1 ) componenta variabil.
d) litere mari i indici litere mici,
Ve, Ib, Vb = amplitudini sau valori
v be ( t ) = Vbe sin(t ) efective complexe ale mrimilor
alternative.
13
 Elemente de analiza circuitelor electrice

Surse independente Surse dependente Rezistor Condensator Bobina

ideale ideale ideal ideal ideala

14
Elemente de analiza circuitelor electrice

Divizorul de curent

Divizorul de tensiune
15
 Elemente de analiza circuitelor electrice
Exemplu de aplicare a
teoremelor lui Kirchhoff

16
Elemente de analiza circuitelor electrice

Exemplu de aplicare a
teoremei suprapunerii
efectelor

vS 3 1
i =
'
2 = =
R1 + R 2 8 + 4 4
iSR 1 2 8 4
i =
"
2 = =
R1 + R 2 8 + 4 3
1 4 19
i2 = i + i = + =
'
2
"
2 A
4 3 12
17
Elemente de analiza circuitelor electrice

Teorema generatorului
echivalent de tensiune
(Thevenin)

18
 Elemente de analiza circuitelor electrice
Teorema generatorului echivalent de tensiune (cont.)

19
 Elemente de analiza circuitelor electrice
Exemplu de aplicare a teoremei generatorului echivalent de
tensiune

20
 Elemente de analiza circuitelor electrice
Exemplu de aplicare a teoremei generatorului echivalent de
tensiune (cont.)

VTh = 4V 4 8
VO = = 3,2V 21
R Th = 2 2+8
1.2 Dioda semiconductoare

Procese fizice la echilibru termic

IC

22
 Procese fizice in jonctiunea polarizata

creste diferenta interna de

potential (bariera)
se extinde regiunea golita (de
tranzitie)
scade numarul purtatorilor
uA majoritari capabili sa difuzeze
peste bariera de potential
Polarizare inversa uA < 0 curentul de camp al purtatorilor
minoritari (care apar prin generare
termica de perechi electron-gol)
ramane acelasi
curentul invers prin jonctiune va fi
deci foarte mic (neglijabil) 23
 Procese fizice in jonctiunea polarizata

scade diferenta interna de

potential (bariera)
se micsoreaza regiunea golita (de
tranzitie)
creste numarul purtatorilor
uA
majoritari capabili sa difuzeze
peste bariera de potential, deci
creste curentul de difuzie
Polarizare directa uA > 0 curentul de camp al purtatorilor
minoritari (care apar prin generare
termica de perechi electron-gol)
ramane acelasi
curentul direct prin jonctiune va fi
24
deci semnificativ
 Procese fizice in jonctiunea polarizata

Ecuatia caracteristicii statice idealizate (Shockley)

Anod iA Catod iA iA
10mA
uA
5mA
1mA
quA -200V -100V

i A = I S e kT 1
0.5V 1V uA -10V 10V uA
1A -5mA
(a) (b)

IS = curentul de saturaie al diodei (depinde de materialul semiconductor i de

temperatur);
q = sarcina elementar;
k = constanta lui Boltzman;
T = temperatura absolut
25
 Procese fizice in jonctiunea polarizata

Ecuatia caracteristicii statice idealizate (Shockley)

Anod iA Catod kT tensiune termic [V]. Pentru
= VT
q not temperaturi ambiante normale,
uA
(T=300K), rezult VT 25mV.
uA - la polarizare direct (uA > 0) i uA >> VT
VT
i A = IS e 1 rezult:
uA

i A I S e VT

- la polarizare inversa (uA < 0) i |uA| >> VT

rezult:
i A IS
26
 Analiza circuitelor cu diode utilizand ecuatia
lui Shockley

R=10k iA uA
IS=10-14A
VT
EAA
D uA i
A = I S e
10V E
AA = R i A + u A

iA

EAA/R Metoda grafica

IA

UA EAA uA 27
 Analiza circuitelor cu diode utilizand ecuatia
lui Shockley
R=10k iA uA
IS=10-14A Metoda
VT
EAA
D uA i
A = I S e iterativa
10V E
AA = R i A + u A

presupunem U A = 0,5V

IA 0,95 10 3
U A = VT ln = 0,025 ln = 0,6319 V
E AA U A 10V 0,5V IS 1 10 14
I A = = = 0,95mA
R 10k 10V 0,6319 V
I A = = 0,9368mA
10k

0,9368 10 3
U A = 0,025 ln = 0,6315V

10 14
U A = 0,631V

=
10V 0,6315V
= 0,9368mA
I A = 0,936mA
I
A 10k

28
 Modele liniare pe portiuni pentru dioda
semiconductoare
iA u A < 0
iA modelul DIODA
i A = 0
uA IDEALA
i A > 0

uA u A = 0

iA
UD
modelul
iA
Anod Catod caracterizat de
TENSIUNEA DE
uA
DESCHIDERE
UD uA
(a) (b)
iA
iA UD r
D modelul cu
1/rD A C
TENSIUNE DE
uA DESCHIDERE si
UD uA REZISTENTA 29
(a) (b)