-Universitatea Politehnica Bucuresti-

-Facultatea de Energetica-
LABORATOARE
ELECTRONICA
-2008-
L1.Analiza asistata de calculator a circuitelor electrice
elementare
1. OBIECTUL APLICATIEI
Aplicatia are ca scop familiarizarea cu programele cuprinse in pachetul de simulare PSpice, varianta
Design Center Evaluation Version.Pe circuite electrice simple, sunt prezentate notiuni pentru intelegerea
fisierului de circuit si interpretarea rezultatelor din fisierul de iesire. Circuitele sunt calculate cu teoremele
Kirchhoff, iar rezultatele sunt comparate cu cele obtinute prin calcul numeric cu programul matematic
MatLab si cu cele obtinute prin simulare PSpice.
2. INTRODUCERE IN PSPICE

2.1. Tematica abordata de PSpice
SPICE Simulation Program with Integrarated Circuit Emphasis este un program de simulare a
circuitelor electrice creat in ani 60 la Universitatea Berklei din California.
Pspice e considerat masa de test a inginerului proiectant de dispozitive si circuite electrice si
electronice deoarece permite:
a. Verificarea unei idei de circuit, fara a fi necesara realizarea fizica a circuitului;
b. Masuratori pe circuitul de test, care pe circuitul real sunt dificile (zgomot electric), incomode
(lipseste echipamentul special de test) sau nerecomandabile (circuitul s-ar putea autodistruge)
c. Simularea unui circuit de mai multe ori (variind valorile componentelor) cu scopul de a gasi
optimul circuitului.
PSpice poate efectua urmatoarele tipuri de analiza de circuit: analiza de c.c.,c.a.,regimului tranzitoriu,
analiza spectrala si a distorsiunilor etc.
2.3. Etape necesare simularii si analizei unui circuit

Pentru simularea unui circuit este necesara parcurgerea etapelor:
2.3.1. Crearea fisierului circuitului.
Fisierul de intrare (salvat obligatoriu sub forma nume fisier.cir)cuprinde informatii despre tipul
componentelor,nodurile retelei intre care sunt conectate componentele, valorile componentelor si
instructiunile care determina efectuarea unei anumite analize, includerea unei biblioteci de componente,
specificarea unor conditii initiale etc.Etape:
a) desenarea schemei complete a circuitului;
b) marcarea nodurilor: nodul marcat prin cifra 0 e considerat de PSpice nod de referinta care trebuie sa
fie prezent in orice circuitPotentialul nodulului de referinta este zero: V(0)=0;
c) din fiecare nod trebuie sa existe o cale de curent continuu la nodul zero, daca o asemenea cale de
curent nu exista (nod la care sunt conectate numai condensoare),atunci se completeaza schema cu
rezistenta de valoare foarte mare (10
12
) conectata intre nodul respectiv si nodul de referinta;
d) fiecare nod se va conecta la cel putin doua componente de circuit;
e) nu se admit in schema bucle in scurtcircuit (buclele ce contin numai surse de tensiune si inductante),
se introduce in bucla, in serie, o rezistenta de valoare foarte mica.
De mentionat ca daca se lucreaza cu programul Schematics, etapa de creare a circuitului nu mai este
necesara, ea fiind realizata automat de program la comanda Create Netlist din meniul Analysis.
Specificarea tipurilor de analiza tine seama,de urmatoarea structura de scriere a fisierului de intrare:
- linie de titlu;
- optional, linii de comentariu introduce prin meniul *, ce apar oriunde in fisier;
- specificarea bibliotecilor utilizate;
- definirea parametrilor globali;
- definirea metodelor utilizate;
- lista de dispozitive si circuite (pot fi introduse in orice ordine);
- lista de optiuni;
- lista de tipuri de analiza ce se doresc a fi effectuate;
- instructiunea .END, ce incheie fisierul de intrare;
3 DESFASURAREA APLICATIEI

Divizorul rezistiv de tensiune
In figura 2.1 este prezentata schema unui circuit format din doua rezistente R
1
si R
2
conectate in
serie, alimentat de la sursa de tensiune constanta notata V
s
de valoare 12 V= divizor rezistiv de tensiune.
Calculul marimilor electrice ale circuitului, folosind
teoremele lui Kirchoff:
A determina un circuit electric=a afla curentii prin toate
ramurile si potentialele tuturor nodurilor. Cu ajutorul lor se pot
calcula caderile de tensiune pe diferite componente de circuit,
puterile disipate, etc.
Concret pentru schema din fig 2.1, scriind teorema II
Kirchoff pe singurul ochi existent de circuit, rezulta:
1. curentul prin circuit:
12
0, 04
1 2 300
Vs V
I A
R R

+
2. potentialele la noduri (considerate caderi de
tensiune fata de nodul de referinta 0 ales):
V(1)=12V, V(2)=R
2
I=8V
3. caderile de tensiune pe cele doua rezistente:
V(R
1
)=V(1)-V(2)=12V-8V=4V
V(R
2
)=V(2)-V(0)=8V-0V=8V
4. putere disipata de sursa de tensiuneVs:
P=V
S
I=12V*0,04A=0,48W=P(R
1
R
2
)=(R
1
+R
2
)*I
2
=300*(0,04A)
2
=0,48W
Calculul acelorasi marimi electrice, folosind pachetul DESIGN CENTER EVAL:
3.1.1. In programul de editare Notepad se deschide fisierul de intrare divtens.cir:
Divizorul rezistiv de tensiune ; linie de titlu
* ; linie de comentariu(despartitoare)
*Lista de componente a circuitului ; linie de comanteriu (explicativa)
VS 1 0 12V ; sursa VS de 12V intre nodurile 1 si 0
R1 1 2 100 ; rezistenta R1 de 100 intre nodurile 1 si 2
R2 2 0 2E2 ; rezistenta R2 de 200 intre nodurile 2 si 0
* ; linie de comentariu(despartitoare)
.END ; instructiunea de incheiere a fisierului
3.1.2. In programul Pspice se deschide acelasi fisier de intrare, ceea ce permite simultan intrarea lui in
executie. El va crea fisierul de iesire divtens.out ce poate fi citit din Notepad.
3.1.3. Se revine in programul Notepad unde se deschide fisierul de iesire divtens.out. Se copiaza rezultatele
simularii din fisierul de iesire, urmarind structura acestuia. Se compara rezultatele analizei Pspice ce cele ale
calcului manual.
3.1.4. Se remarca semnul minus al curentului I, deoarece el intra prin sursa de tensiune pe la borna si iese
pe la borna +, contrar conventiei de semn pozitiv.
Rezultatele Simularii:
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 12.0000 ( 2) 8.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VS -4.000E-02
TOTAL POWER DISSIPATION 4.80E-01 WATTS
3.2 Divizorul rezistiv de curent
In fig. 2.2 este prezentata scchema unui circuit format din doua rezistente R
1
si R
2
conectate in paralel,
alimentat de la sursa de curent constant denumit Is de valoare 3A= divizor rezistiv de curent.
Calculul unor marimi electrice ale circuitului, folosind teoremele Kirchoff:

Scriind teorema I Kirchoff in singurul nod (nodul 1) si teorema II Kirchoff, rezulta:
1. curentii prin rezistente:
A I
R R
R
R I I
S
2 ) (
2 1
2
1 1

+

;
A R I I I
R R
R
R I I
S S
1 ) ( ) (
1
2 1
1
2 2

+

2. caderea de tensiune pe sursa de curent si rezistente:
V(I
S
) = V(R
1
) = V(R
2
) = V(I) = R
1
I
1
= R
2
I
2
= 1k 2A = 2KV
3. puterea disipata de sursa de curent I
S
:

kW I R I R I I V I P
S S S
6 ) ( ) (
2
2 2
2
1 1
+
Analiza PSPICE
Divizorul rezistiv de curent
IS 0 1 3A
R1 1 0 1K
R2 1 0 2K
.OP
.DC IS 1A 3A 1A
.PRINT DC I(R1) I(R2)
;instructiune pentru afisarea curentilor pe
ramuri
.END
Rezultatele Simularii:
IS I(R1) I(R2)
1.000E+00 6.667E-01 3.333E-01
2.000E+00 1.333E+00 6.667E-01
3.000E+00 2.000E+00 1.000E+00
NODE VOLTAGE
( 1) 2000.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
TOTAL POWER DISSIPATION 0.00E+00
WATTS
3.3 Puntea rezistiva
In fig.2.3 este prezentata schema unui circuit format din sase rezistente, alimentate de la sursa de
tensiune constanta V
S
=punte rezistiva.
A) Calculul unor marimi electrice ale circuitului, folosind teoremele Kirchoff:
Cele 6 necunoscute sunt curentii prin cele 6 rezistente. Pentru determinare=Kirchoff:
1) in nodul 2: I
1
= I
2
+ I
3
;
2) in nodul 3: I
4
= I
2
+ I
6
;
3) in nodul 4: I
3
= I
5
+ I
6
;
4) pe ochiul 1: V
S
= R
1
I
1
+ R
2
I
2
+ R
4
I
4
;
5) pe ochiul 2: 0 = R
3
I
3
R
2
I
2
+ R
6
I
6
;
6) pe ochiul 3: 0 = R
5
I
5
R
4
I
4
R
6
I
6
.
Aceste rezultate se vor confrunta cu cele din fisierul de iesire punter.out rezultat in urma
simularii Pspise a fisierului de intrare punter.cir.
B)Varianta didactica descriptiva de calcul a acelorasi marimi electrice ale circuitului, folosind
pachetul Design Center Eval:
In programul Notepad se deschide fisierul de intrare c:\electron\L2\punter.cir. Se citeste
programul corespunzator circuitului din fig.2.3:
Analiza PSPICE
Puntea rezistiva
VS 1 0 12V
R1 1 2 50
R2 2 3 1k
R3 2 4 2k
R4 3 0 3k
R5 4 0 4k
R6 4 3 500
.OP
.DC VS LIST 12V
.PRINT DC V(1,2) V(2,3) V(2,4) V(3) V(4) V(4,3)
.PRINT DC I(R1) I(R2) I(R3) I(R4) I(R5) I(R6)
.END
Rezultatele simularii:
VS V(1,2) V(2,3) V(2,4) V(3) V(4)
1.200E+01 2.464E-01 3.223E+00 3.412E+00 8.531E+00 8.341E+00
VS V(4,3)
1.200E+01 -1.896E-01
VS I(R1) I(R2) I(R3) I(R4) I(R5)
1.200E+01 4.929E-03 3.223E-03 1.706E-03 2.844E-03 2.085E-03
VS I(R6)
1.200E+01 -3.791E-04
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 12.0000 ( 2) 11.7540 ( 3) 8.5308 ( 4) 8.3412
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VS -4.929E-03
TOTAL POWER DISSIPATION 5.91E-02 WATTS
4. INTREBARI SI PROBLEME
4.1.Programul Simulus Editor se foloseste la editarea formelor de unda generate de sursele de tensiune si de
curent extinse,iar Parts la determinarea semiautomata a parametrilor modelelor componentelor.
4.2.Avantajele Schematics:
-simplitatea urmaririi introducerii schemei in calculator
-numerotarea nodurilor e facuta automat de calculator
-se poate construi cablajul imprimat atasat schemei pt variantele complexe
4.3Puterea disipata e zero pe sursa de curent a divizorului rezistiv de curent deoarece aceasta versiune de
PSpice nu permite sa se calculeze puterile disipate decat pt sursele de tensiune ,nu pt sursele de curent.
4.4.Este semnul la curentul divizorul rezistiv de tensiune deoarece el intra prin sursa de tensiune pe la
borna si iese pe la borna +,contrarconventiei de semn pozitiv.
4.5. .DC IS 1A 3A 1A=listez pt ce valori ale lui I vreau sa-l calculez de la 1A la 3A cu pas de 1A
.DC IS LIST 1A 2A 3A=listez valorile lui I prin insiruire
.OP=scrierea in fisierul de iesire a informatiilor
L2.Dioda semiconductoare

1.OBIECTUL APLICATIEI
Se studiaza caracteristicile statice ale diodei semiconductoare,modelarea ei in PSpice ca intrerupator de
tensiune si ale diodei Zener,determinarea punctului static de functionare al circuitului cu dioda modelata liniar cu
teoremele lui Kirchhoff.E analizat stabilizatorul parametric clasic cu caracteristicile de transfer si de iesire-aplicatie
a diodei Zener.
2.CARACTERISTICILE STATICE
2.1.Caracteristica statica a diodei semiconductoare
Caracteristica statica a diodei = expresia matematica si graficul dependentei i
D
=i
D
(u
D
) unde
i
D
=curentul prin dioda u
D
=caderea de tensiune la bornele diodei
Ecuatia matematica a caracteristicii statice a diodei semiconductoare: [exp( ) 1]
D
D s
qu
i MI
mkT

M=coeficient de multiplicare in avalansaa purtatorilor de sarcina
I
S
=curentul invers de saturatie al diodei(de ordinul nAA)
q=sarcina electronului,q=1,6*10
-19
[C]
m=coeficient tehnologic,m(1;2)
k=constanta lui Boltzman,k=1,33*10
-23
[J/K]
T=temperatura absoluta medie a mediului
Graficul caractersiticii statice are 3 zone:
-zona 1:cadranul I,polarizare directa (i
D
>0,u
D
>0)
-zona 2:cadranul III,polarizare inversa(i
D
<0,u
D
<0),(i
D
-I
S
)
-zona 3:cadranul III,polarizare inversa (i
D
<0,u
D
<0), u
D
=constant, i
D
-

teoretic.Practic se distrug prin

strapungere inversa .In zona 3 functioneaza diodele Zener.
Fig.3.1. Simbolul si caracteristica statica a diodei
2.2.Modelarea PSpice a diodei semiconductoare
1.model de dioda ideala cu -rezistenta in conductie R
ON
=0
-rezistenta in blocare R
OFF

-caderea de tensiune pe dioda in conductie V

D
=0 (3.2.a.)
2.model cu R
ON
=0, R
OFF

, V
D
=0,7V (3.2.b.)
3.model cu R
ON
>0, R
OFF

(rezistenta finita in conductie) , V

D
=0,7V (3.2.c.)
4.model cu R
ON
>0, R
OFF
<

(rezistenta finita in blocare), V

D
=0,7V (3.2.d.)
a) b)

c) d)
Fig.3.2.Caracteristicile statice ale unor modele liniarizate
3.DESFASURAREA APLICATIEI
3.1. Caracteristica statica a diodei de comutatie 1N4148
Fig.3.3.Circuit pentru trasarea caractersiticii statice a diodei 1N4148
ANALIZA PSPICE
Caracteristica statica a diodei 1N4148
V 1 0 20V
R 1 2 100
D 2 0 D1N4148
.LIB C:\MSIMEV53\LIB\DC3EVAL.lib
.DC V -10V 10V 0.2V
.PROBE
.END
Rezultatele simularii:
D1N4148
IS 100.000000E-15
BV 100
IBV 100.000000E-15
RS 16
TT 12.000000E-09
CJO 2.000000E-12
V 1 0 20V
R 1 2 100
D 2 0 D1N4148
.LIB C:\MSIMEV53\LIB\DC3EVAL.lib
.DC V -10V 10V 0.2V
.PROBE
.END
3.2.Caracteristica statica a diodei modelate liniar cu intrerupator de tensiune
Fig.3.4.Circuit pentru trasarea caracteristicii diodei modelate
3.2.1.Notepad Design Center Eval c:\electron\L3\caractdm.cir Open :
Caracteristica diodei modelata ca intrerupator comandat in tensiune
VS 1 0 10V
SDR 2 3 2 3 1CT
VD 3 0 0.7V
R 1 2 1K
.MODEL 1CT VSWITCH(RON=100.0 ROFF=20K VON=1mV VOFF=0mV )
.DC VS 10V 10V 0.2V
.PROBE
.END
S<nume > <nod(+)><nod(-)>control(+)><control(-)>model>
Modelul intrerupatorului SDR este denumit ICT si este definit in instructiunea:
MODEL<nume><tipul componentei>(<nume parametru>=<valoare>) in care VON este cadere de
tensiune a comutatorului inchis ( dioda conduce ), iar VOFF este caderea de tensiune a comutatorului
deschis (dioda este blocata).
ANALIZA PSPICE
Caracteristica diodei
* modelata ca intrerupator comandat in tensiune *
VS 1 0 10V
SDR 2 3 2 3 ICT
VD 3 0 0.7V
R 1 2 1K
.MODEL ICT VSWITCH (RON=100.0 ROFF=20K VON=1mV VOFF=0mV)
.DC VS -10V 10V 0.2V
.PROBE
.END
Rezultatele simularii:

ICT
RON 100
ROFF 20.000000E+03
VON 1.000000E-03
VOFF 0
3.3.Caracteristica statica a unei diode Zener
Fig.3.5.Circuit pentru trasarea caracteristicii statice a diodei Zener 1N750
c:\electron\L3\dz_caract.cir
ANALIZA PSPICE
Caracteristica diodei Zener 1N750
IS 0 1
DZ 1 0 D1N750
Rezultatele simularii:
D1N750
IS 880.500000E-18
ISR 1.859000E-09
.LIB "DC3EVAL.LIB"
.DC IS -5mA 5mA 0.1mA
.PLOT DC V(1)
.PROBE
.END
BV 4.7
IBV .020245
NBV 1.6989
IBVL 1.955600E-03
NBVL 14.976
RS .25
CJO 175.000000E-12
VJ .75
M .5516
TBV1 -21.277000E-06
3.4.Determinarea PSF al diodei modelate
Punctul static de functionare(PSF) al diodei alimentata in curent continuu= punctul de coordonate
PSF(U
D,
I
D
) in planul i
D
=i
D
(u
D
)
Fig.3.6.Exemplu de calcul al PSF al diodei
Inlocuind dioda polarizata direct cu modelul de curent continuu,in care comutatorul este inchis,rezistenta in
conductie este notata r
D
=10 si caderea de tensiune pe dioda in conductie este
V
D
=0,7V
Calculul PSF si al altor marimi electrice ale circuitului folosind pachetul Design Center Eval:
PSpice Design Center Eval psf.cir c:\electron\L3\psf.cir
Calculul PSF al diodei modelate
VS 1 0 10
R 1 2 1K
rD 2 3 10
VD 3 0 0.7
.end
3.5.Stabilizatorul parametric cu dioda Zener
-se bazeaza pe proprietatea diodei Zener de a pastra tensiunea la borne aprox. const. in zona 3 de
strapungere inversa la variatiile tensiunii sursei de alimentare,rezistentei de sarcina,temperatura.
Rezistenta R s.n. rezistenta de balast cu rol de protectie a diodei Zener la cresterea curentului prin ea.
Capacitatea stabilizatorului de a mentine tensiunea V
0
constanta la variatiile tensiunii de alimentare V
1
si ale
rezistentei de sarcina R
S
e analizata pe grafice:
-caracteristica de transfer V
0
=V
0
(V
I
)
RS=constant
-caracteristica de iesire V
0
=V
0
(I
S
)
VI=constant
Fig.3.7.Stabilizator parametric cu dioda Zener
3.5.1.Trasarea caracteristicii de transfer
c:\electron\L3\stabdz_ctr.cir
ANALIZA PSPICE
Calculul PSF al diodei modelate
VS 1 0 10
R 1 2 1k
rD 2 3 10
VD 3 0 0.7
.END
Rezultatele simularii:
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 10.0000 ( 2) .7921 ( 3) .7000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VS -9.208E-03
VD 9.208E-03
TOTAL POWER DISSIPATION 8.56E-02 WATTS
Pe axa X,Probe alege automat variabila V1(c.c.).Se afiseaza cu Trace,Add Trace tens V(2).Pe o noua axa Y
se traseaza curentul I(Dz)
Stabilizator parametric cu dioda Zener
*caracteristica de transfer*
ANALIZA PSPICE
Stabilizator parametric cu dioda Zener
* caracteristica de transfer *
VI 1 0
R 1 2 470
DZ 0 2 DZ10V
RS 2 0 2K
.MODEL DZ10V D (BV=10V IBV=5mA)
.DC VI 0V 20V 0.5V
.PROBE
.END
Rezultatele simularii:

DZ10V
IS 10.000000E-15
BV 10
IBV 5.000000E-03
*caracteristica de iesire*
ANALIZA PSPICE
Stabilizator parametric cu dioda Zener
* caracteristica de iesire *
VI 1 0 20V
R 1 2 470
DZ 0 2 DZ10V
IS 2 0
.MODEL DZ10V D (BV=10V IBV=5mA)
.DC IS 0mA 40mA 0.5mA
.PROBE
.END
Rezultatele simularii:

DZ10V
IS 10.000000E-15
BV 10
IBV 5.000000E-03
Fig.3.8.Stabilizator parametric cu dioda Zener-sarcina simulata cu o sursa de curent
Probe- graficul V(2)
Plot,Add Plot-graficul I(Dz)
Tensiunea pe rezistenta de sarcina ramane constanta atata timp cat DZ poate compensa variatia de curent
prin sarcina(peste20mA,I(Dz))
4.INTREBARI SI PROBLEME
4.1.Diodele se modeleaza cu rezistente ,surse etc.
4.2..PROBE =vizualizarea rezultatelor simularii ,creeaza fisier cu extensia .dat
4.3.MODEL DZ10V D(BV=10V 1BV=5m A)=modelul diodei cu BV tensiunea de strapungere si IBV
curentul. .DC IS 0m A 40m A 0.5m A=listez pt ce valori ale lui I vreau sa-l calculez de la0 m A la 40m A cu pas
de 0.5m A.
.LIB DC3EVAL.LIB =cauta biblioteca diodei in directorul unde exista valoarea
4.4. [exp( ) 1]
D
D s
qu
i MI
mkT
I
D
=1*10
-9
[exp(26*10
-3
*(-1)/(1.2*1.33*10
-23
*T]
4.5.m=1/R =>R=100
4.6. se echivaleaza cu modelul c)
m=tg=1 =>R=1
U
D
=V
D
+R*I
D
=10,7V
L3.Tranzistorul bipolar cu jonctiuni
1.OBIECTUL APLICATIEI
Se studiaza tranzistorul bipolar cu jonctiuni (TBJ) lafunctionarea ca amplificatory in regiunea activa
normala (RAN) si la functionarea in regim de comutatie.
2.Caracteristicile statice ale TBJ
Un TBJ poate fi considerat un diport avand doua perechi de borne numite porturi, unul de intrare si unul
de iesire.
Caracteristicile statice reprezinta graficele dependentelor unui curent in functie de o tensiune, atunci cand
celalalt curent si cealalta tensiune sunt constante , la alimentarea circuitului cu TBJ in cureent continuu.
Tipuri de caracteristici statice:
-caracteristici statice de intrare, care reprezinta dependenta intre curentul si tensiunea de intrare i
B
=i
B
(u
BE
)|
i
C
,u
CE=constant
-caracteristici statice de transfer, care reprezinta dependenta intre curentul de iesire si tensiunea de intrare
i
C
=i
C
(u
BE
)|i
B
, u
CE=constant
-caracteristici statice de iesire , care reprezinta dependenta intre curentul si tensiunea de iesire i
C
=i
C
(u
CE
)|i
B,
u
BE=constant
Mrimi de intrare iB, uBE
Mrimi de ieire iC, uCE
Caracteristica de intrare iB=iB (uBE) | iC, uCE=ct
Caracteristica de transfer iC=iC (uBE) | iB, uCE=ct
Caracteristica de ieire iC=iC (uCE) | iB, uBE=ct
2.1.Caracteristica statica de intrare
ANALIZA PSPICE
Caracteristica de intrare a tipului NPN de model
intern PSpice
VCC 3 0 10V
IBB 0 1 100uA
RB 1 0 1000K
RC 2 3 0.01
QT 2 1 0 QINT
.MODEL QINT NPN(BF=200)
.DC IBB 0uA 100uA 0.5uA
.PROBE
.END
Rezultatele masurarii:
QINT
NPN
IS 100.000000E-18
BF 200
NF 1
BR 1
NR 1
Caracteristica statica
de transfer
2.2 Caracteristica statica de iesire
ANALIZA PSPICE
Caracteristica de iesire a tipului NPN de model
intern PSpice
VCC 4 0 10V
IB 0 1 25uA
RB 1 2 0.01
RC 4 3 0.01
QT 3 2 0 QINT
Rezultatele simularii:
INT
NPN
IS 100.000000E-18
BF 200
NF 1
BR 1
NR 1
.MODEL QINT NPN(BF=200)
.DC VCC 0V 10V 0.05V IB 5uA 25uA 5uA
.PROBE
.END
Vizualizarea familiei de caracteristici statice de iesire este asigurata de instructiunea .DC cu baleiere
imbricate.Sintaxa instructiunii este:
.DC [LIN] <variabila baleiaj> <valoare initiala> <valoare finala> <increment> [urmatoarea
specificatie baleiaj]
Instructiunea .DC din fisierul de intrare desemneaza efectuarea unei analize de curent continuu.
Circuit pentru trasarea familiei de caracteristici statice de
iesire a TBJ

3.Studiul TBJ in regiunea activa normala (RAN)
Orice analiza de curent alternative a etajelor de amplificare realizate cu TBJ real se inlocuieste cu
modelul sau de curent continuu.
Analiza de c.c. se mai numeste si polarizarea TBJ-ului si are ca scop determinarea punctului static de
functionare care este un punct in planul
caracteristicilor statice de iesire de
coordonate PSF(V
CE
,I
C
)
b)
1 2
2
( )
( )
CC B B B
B B BE E E
CC C C CE E E
E b C
V R I R I I
R I I V R I
V R I V R I
I I I
+

+

' ;
+ +


+

5
5
5
3
3
4
0, 7 12 10000 363000
0, 7 12 353000
12 0, 7
3, 2*10
353000
12 250500*3, 2*10
4
12 10000*3, 2*10
0, 002053 2, 05*10
6000
, 0027 2, 7*10
0, 0004 4*10
98, 2
B B
B
B
CE
CE
B
CE
I I
I
I A
V
V V
I A A
I O A A
I A a
V V

+





12 600 10000
0, 7 10000 60500
12 250500
B
B
B CE
I I
I I
I V



' ;

+



12 10000
6000
B
I
I
+

(12 10000 )
0, 7 10* 60500
6
12 250500
B
B
B CE
I
I
I V
+


' ;

+


3
5
2,10*10
1, 883*10
CC
BE
V
V

ANALIZA PSPICE
Circuit de polarizare pentru un tranzistor bipolar
VCC 2 0 12V
VBE 1 3 0.7V
F 2a 3 VBE 100.0
RB1 2 1 47K
RB2 1 0 8.2K
RC 2 2a 2K
RE 3 0 500
.OP
.DC VCC 12V 12V 12V
.PRINT DC I(RC) I(RE)
.END
Rezultatele simularii:
VCC I(RC) I(RE)
1.200E+01 1.883E-03 1.902E-03
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
NODE VOLTAGE
( 1) 1.6511 ( 2) 12.0000 ( 3) .9511 ( 2a) 8.2332
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -2.104E-03
VBE 1.883E-05
TOTAL POWER DISSIPATION 2.52E-02
WATTS
Calculul PSF si al altor marimi electrice ale circutului folosind teoremele Kirchhoff
Se scriu ecuaiile Kirchhoff ataate circuitului din fig.4.5.b i ecuaia TBJ in RAN
a) b)
Fig 4.4 Modelul PSpice pentru analiza in c.c. a TBJ in conexiune EC
a) TBJ in conexiune EC; b) Modelul de c.c. a TBJ din fig. 4.4.a
4.STUDIUL TBJ IN REGIM DE COMUTATIE
Nr.crt. U
1 1,6511
2 12
3 0,9511
Fig. 4.6. Diagrame funcionale pentru definirea parametrilor de impuls ai TBJ n comutaie
Parametrii de impuls sunt:
t
d
- timp de ntrziere la cretere a curentului i
C
fata de apariia cureniului i
B
t
r
- timp de cretere a frontului curentului de colector i
C
t
s
- timp de evacuare a sarcinii electrice stocate n baz la comutarea invers;
t
f
- timp de scdere a frontului curentului de colector i
C
;
t
OFF
- timp de comutaie invers a TBJ;
t
ON
- tmip de comutatie directa a TBJ
4.2. Comutaia TBJ pe sarcina rezistiv
Comutaia TBJ pe sarcina rezistiva Rs
LIB C:\MS1MEV53\LIB\Bipolar.lib
Q 3 2 0 Q2N5492
V1 1 0 PULSE(-5 5 0 0 0 25u 50u)
Rb 1 2 100
VCC 4 0 30V
Rs 3 4 40
.TRAN 10n 100u
.OPTIONS ITL5=0 RELTOL=0.0001
.PROBE
.END
4.2.1. Se vizualizeaz pe acelai ecran curenii 40*IB(Q) i IC(Q). Se msoar parametru de impuls
caracterizai prin intervalele de timp t
d
, t
r
, t
ON
, t
s
, t
f
, t
OFF
definiti n fig.4.6.
4.2.2. Se vizualizeaz pe 4 ecrane diferite mrimile IB(Q), IC(Q) V(3) V(3)*IC(Q)
Se compar ca aspect cu fig.4.8. Se msoar lBM, ICM, verifica cu cele
obtinute prin calcul direct, folosind teoremele Kirchhoff pe circuitul din fig 4 6 cnd
TBJ este saturat.
Fig. 4.7. TBJ n comutaie pe sarcin rezistiv;
a) circuit; b) excursia punctului figurativ de funcionare
4.2.3 Se deseneaz dreapta de sarcin i
C
=i
C
(u
CE
) si se compara cea din fig.4.7b. Se va deduce
expresia dreptei de sarcin folosind teorema Kirchhoff circuitul din fig.4.7a.
Fig. 4.8. Formele de und iB , iC, CE i Pj ale TBJ n comutaie pe sarcin R
4.3. Comutaia TBJ pe sarcin rezistiv-inductiva
In condiii reale de funcionare, procesul de
comutare al tranzistorului bipolar
de putere este determinat nu numai de parametrii intrinseci
de comutatie ci i de caracterul sarcinii. Astfel, s
considerm circuilul din fig 4.9a cu TBJ funcionnd in
comutaie pe sarcin rezistiv-inductiva (Rs,Ls)
Traiectoria PSF in planul caiacteristicilor de ieire
i
C
=i
C
(u
CE
) ale TBJ intr-un process complet de
comutatie(conductie-blocare i invers) trebuie s in cont
atat de puterea disipata TBJ cat si pe protejarea contra
fenomenului de strapungere secundar fig 4.9b.
Daca Rs<Ls si tranzistorul se afla initial in blocare
n punctul figurativ A la aplicarea comenzii de comutare n
conducie se produce saltul din A in B, parcurgndu-se n
continuare curba de saturatie B-C. Dup comanda de blocare, punctul figurativ descrie traiectoria C-D-A. n
funcie de circuitul de polarizare al intrrii, punctul D se poate afla pe una din caracteristicile de strpungere
primar. Pe traiectoria C-D-A se descarc energia acumulat n inductan, o
parte pe rezistenta de sarcin iar cealalt prin tranzistor.
Comutaia tranzistorului TBP pe sarcina rezistiv-inductiv
.LIB C:\MSlMEV53\LIB\Bipolar.lib
Q 3 2 0 Q2N5492
VI 1 0 PULSE(-5 5 0 0 0 25u 100u)
Rb 1 2 100
Vcc 5 0 30V
Rs 4 5 40
Ls 3 4 25mH IC=0.75
.TRAN 10n 200u
.PROBE
.OPTI0NS itl5=0 reltol=0.0001
.END
Fig. 4.9. Comutarea TBJ pe sarcina rezistiv-inductiv
a) circuit; b) excursia punctului figurativ de funcionare.
5.INTREBARI SI APLICATII
5.2. .QT 3 2 0 QINT= tranzistorul Q intre nodurile 3 si 2 valoare 0
.MODEL QINT(BF=200)=modelul de dioda npn
.DC VCC 0V 0.05V IB 5UA 25UA 5 UA
.DC [LIN] <variabila baleiaj> <valoare initiala> <valoare finala> <increment> [urmatoarea specificatie
baleiaj]
Instructiunea .DC din fisierul de intrare desemneaza efectuarea unei analize de curent continuu,baleiere a
sursei VCC cu o bucla interna de baleiere a curentului IB
.LIB C:\MSIMEV53\LIB\Bipolar.lib =cauta biblioteca cu cu modelul de tranzistorul bipolar
5.3. I
E
= I
B
+I
C
I
C
=I
E
+I
CB0
=>I
B
=[I
C(1-)
-I
CB0
]/=0.1A
=/(1+)
=/(1+)
L4.Amplificatorul operational. Aplicatii elementare
1. OBIECTUL APLICATIEI
Notiunea de amplificator operational (AO) si se desciu modelele echivalente de AO ideal si AO real. Se
enumera parametrii specifici AO real.
2. INTRODUCERE TEORETICA
Definitie, modele echivalente si parametrii ai AO
Amplificator operational este un amplificator de c.c.cu performante deosebite: amplificare proprie in
bucla deschisa a foarte mare, rezistenta de intrare R
i
mare si rezistenta de iesire R
O
mica.Se apropie de
notiunea de amplificator ideal de tensiune, reprezentat de AO ideal care are a->

,R
i
->

si R
o
-> 0.
AO este realizat industrial sub forma unui circuit integrat monolitic. In fig. 5.1. este reprezentat simbolul
AO (fig 5.1.a ) model de AO ce tine cont de amplificarea in bucla deschisa a finita( fig. 5.1.b) si un model
in care a, R
i
si R
o
sunt finite(fig 5.1.c). In figura 5.1.a. se folosesc urmatoarele notatii specifice AO: U
+
-
potentialul bornei pozitive(neinversoare) AO:U
-
- potentialul bornei negative(inversoare) U

=U
+
-U
-
-
tensiunea de intrare diferentiala, U
o
tensiunea de iesire, I
+
p
curentul de intrare(polarizare) al bornei
neinversoare, I
-

p
curentul de intrare(polarizare) bornei inversoare, E
+
si E
-
- tensiuni de alimentare
diferentiale ale AO. Fig. 5.1.b permite scrierea relatiei de legatura intre tensiunea diferentiala de intrare si
tensiunea de iesire: U
0
= a(U
+
-U
-
)=aU

.
Configuratia de AO neinversor
In fig 5.2. se propune o configuratie de AO ideal neinversor:
Fig. 5.2. Configuratia de Ao ideal neinversor
V
+
=V
-
V
+
=V(2)=V
i
V
-
=V(I)=R
I
*I
V
0
=(R
R
+R
I
)I
Eliminand curentul I din sistemul de ecuatii rezulta :
- tensiunea de iesire : 0
(1 )
R
i
I
R
V V
R
+

- amplificarea in tensiune:
Pe baza figurii 5.2 se poate justifica denumirea de neinversoare a acestei configuratii, anume
tensiunea de intrare V
i
se aplica pe borna neinversoare a AO, iar polaritatea (semnul) tensiunii de iesire V
o
este aceeasi (neinversata) fata de polaritatea tensiunii de intrare V
i
.
ANALIZA PSPICE
Configuratia de AO neinversor
VI 2 0 0.1V
E 3 0 2 1 2E5 ;AO are ntre nodurile 3 si 0, ntre nodurile 2 si 1 si a=20000
RI 0 1 10K
RR 1 3 100K
RIN 1 2 1G ;AO are rezistenta interna RIN=1G plasata intre nodurile 1 si 2
.OP ;instructiune de calcul a punctului de functionare n c.c.
.TF V(3) VI ;instructiune de calcul a functiei de transfer (TF=Transfer Function)
.END
Rezultatele simularii:
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
0
1
R
u
i I
V R
A
V R
+
( 1) .1000 ( 2) .1000 ( 3) 1.0999
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VI -5.500E-15
TOTAL POWER DISSIPATION 5.50E-16 WATTS
VOLTAGE-CONTROLLED VOLTAGE SOURCES
NAME E
V-SOURCE 1.100E+00
I -SOURCE -9.999E-06
Configuratia de AO repetor de tensiune
In fig 5.3. se propune o configuratie de AO ideal
repetor de tensiune
Aceasta configuratie se obtine din
configuratia de AO ideal neinversor (5.2) daca
se renunta la rezistenta R
I
(teoretic, R
I
tinde la
infinit)si la rezistenta R
R
(teoretic R
R
tinde la 0).
Se aplica relatii specifice AO ideal si
teoremele Kirchhoff:
V
+
=V
-
V
+
=V(2)=V
i
V
-
=V(1)=V(3)=V
0
Din sistemul de ecuatii rezulta: tensiunea de iesire V
0
=V
i
- amplificarea in tensiune
0
1
u
i
V
A
V

Pe baza fig 5.3 putem justifica denumirea de repetoare de tensiune a acestei configuratii, anume
tensiunea de iesire V
0
este egala (repeta)tensiunea de intrare V
i
.
ANALIZA PSPICE
Configuratia de AO repetor de tensiune
VI 2 0 1V
E 1 0 2 1 2E5
RIN 1 2 1G
.OP
.TF V(1) VI
.END
Rezultatele simularii:
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 1.0000 ( 2) 1.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VI -5.000E-15
TOTAL POWER DISSIPATION 5.00E-15
WATTS

VOLTAGE-CONTROLLED VOLTAGE SOURCES
NAME E
V-SOURCE 1.000E+00
I-SOURCE 5.000E-15
Configuratia de AO inversor
In figura 5.4 se propune o configuratie de AO inversor.
Se aplica relatiile specifice AO ideal si teoremele lui Kirchhoff:
V
+
=V
-
V
+
=0
V
-
=V(2)=V
i
-R
i
*I
V
0
=V
i
-(R
R
+R
I
)I
Eliminand curentul I din sistemul ed ecuatii rezulta:
- tensiunea de iesire : 0
R
i
I
R
V V
R

- amplificarea in tensiune:
0 R
u
i I
V R
A
V R


Pe baza fig 5.4 si arelatiilor de mai sus putem justifica denumirea de inversoare a acestei configuratii,
anume tensiunea de intrare V
i
se aplia pe borna inversoare a AO iar polaritatea (semnul) tensiunii de iesire
V
0
este opusa (inversata) fata de polaritatea tensiunii de intrare V
i
.
ANALIZA PSPICE
Configuratia de AO inversor
VI 1 0 0.1V
E 3 0 0 2 2E5
RI 1 2 10K
RR 2 3 100K
RIN 2 3 1G
.OP
.TF V(3) VI
.END
Rezultatele simularii:
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) .1000 ( 2) 4.999E-06 ( 3) -.9998
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VI -1.000E-05
TOTAL POWER DISSIPATION 1.00E-06 WATTS
VOLTAGE-CONTROLLED VOLTAGE SOURCES
NAME E
V-SOURCE -9.998E-01
I-SOURCE 1.000E-05
Configuratia de AO inversor de polaritate
Aceasta configuratie este un caz particular al configuratiei de AO inversor, anume cazul din fig. 5.4. in
care se aleg cele doua rezistente egale, anume R
I
=R
R
. Atunci sistemul de ecuatii rezulta:
- tensiunea de iesire : 0
R
i i
I
R
V V V
R

- amplificarea in tensiune :
0
1
R
u
i I
V R
A
V R

Pe baza figurii particularizate (R
I
=R
R
) si a relatilor de mai sus putem justificca denumirea de inversoare
de polaritate a acestei configuratii, anume tensiunea de intrare V
i
se aplica pe borna inversoare a AO, iar
tensiunea de iesire V
0
are aceeasi valoare in modul cu tensiunea de intrare V
i
, dar este de semn contrar
acesteia(are polaritatea inversata).
ANALIZA PSPICE
Configuratia de AO inversor de polaritate
VI 1 0 0.1V
E 3 0 0 2 2E5
RI 1 2 10K
RR 2 3 10K
RIN 2 3 1G
.OP
.TF V(3) VI
.END
Rezultatele simularii:
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) .1000 ( 2) 500.0E-09 ( 3) -.1000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VI -1.000E-05
TOTAL POWER DISSIPATION 1.00E-06
WATTS
VOLTAGE-CONTROLLED VOLTAGE SOURCES
NAME E
V-SOURCE -1.000E-01
I-SOURCE 1.000E-05
Configuratia de AO sumator
Fig 5.5 propune o configuratie de AO sumator de tensiune a carui tensiune de iesire V
0
este suma
ponderata cu semn schimbat a tensiunilor V
i
, V
i2
, V
i3
Se aplica relatiile specifice AO ideal si teoremele Kirchhoff:
V
+
=V
-
V
+
=V(2)=0
V
-
=V(1)=V
i1
-R
1
I
1
= V
i2
-R
2
I
2
= V
i3
-R
3
I
3
I = I
1
+I
2
+I
3
V
0
= -R
R
*I
Eliminand curentii din sistemul de ecuatii de mai sus rezulta expresia tensiunii de iesire:
Configuratia de AO diferential
In fig 5.6 se propune o configuratie de AO ideal diferential de tensiune a carui tensiune de iesire V
0
este
ponderea diferentei tensiunilor de intrare V
i1
si V
i2
Se aplica relatiile specifice AO ideal si teoremele lui Kirchhoff:
V
+
=V
-
V
+
=V(3)= V
i2
-R
S
I
2
V
-
=V(2)=V
i1
-R
1
I
1
V
i
=V
0
+(R
R
+R
I
)I
1
Eliminand curentii din sistemul de ecuatii si alegand R
I
/R
R
=R
S
/R
P,
rezulta expresia tensiunii de iesire
V
0
a diferentei tensiunilor de intrare: 0 1 2
( )
R
i i
I
R
V V V
R

1 2 3
0
1 2 3
i i i
R
V V V
V R
R R R
_
+ +

,
ANALIZA PSPICE
Configuratie de AO diferential
V1 4 0 0.5V
V2 1 0 0.2V
E 5 0 3 2 2E5
RI 1 2 10K
RR 2 5 100K
RIN 2 3 1G
RS 4 3 2.2k
RP 3 0 22k
.OP
.END
Rezultatele simularii:
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE
VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) .2000 ( 2) .4545 ( 3) .4545
( 4) .5000 ( 5) 2.9998
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
V1 -2.066E-05
V2 2.545E-05
TOTAL POWER DISSIPATION 5.24E-06
WATTS
VOLTAGE-CONTROLLED VOLTAGE SOURCES
NAME E
V-SOURCE 3.000E+00
I-SOURCE -2.545E-05
Configuratia de AO derivator
In fig. 5.7. se propune o configuratie de AO ideal derivator de tensiune a carui tensiune de iesire v
o
(t)
este derivata cu semn schimbat a tensiunii de intrare v
i
(t).
Se aplica relatiile
specifice AO ideal si
teoremele lui
Kirchhoff:
v
+
= v
-
v
+
=0
v
-
=V(2)= v
i
(t)-
v
C
(t)
v
0
(t) = -R
R
*i(t)
1
( )
( )
C
dv t
i t C
dt

Eliminand
curentul V
i
din sistemul de ecuatii de mai sus rezulta expresia tensiunii de iesire v
0
(t) ca derivata ponderata
cu semn schimbat a tensiunii de intrare v
i
(t):
0 1
( )
( )
i
R
dv t
v t R C
dt



ANALIZA PSPICE
Configuratie de AO derivator
VI 1 0 PULSE(0V 1V 0 1us 1us 0.5ms 1ms)
CI 1 2 560pF
RIN 0 2 10M
RR 2 3 100k
E 3 0 0 2 1E5
.TRAN 0.1us 2ms 0us 0.1us
.PROBE
.END
Rezultatele simularii:
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 0.0000 ( 3) 0.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VI 0.000E+00
TOTAL POWER DISSIPATION 0.00E+00 WATTS
Configuratia de AO integrator
In fig 5.8 se propune o configuratie de AO ideal integrator de tensiune a carui tensiune de iesire
v
0
(t)este integrala ponderata si cu semn schimbat a tensiunii de intrare v
i
(t).
Se aplica relatiile specifice AO ideal si teoremele lui Kirchhoff:
v
+
= v
-
v
+
=0
v
-
=V(2)= v
i
(t)- R
1
*i(t)
v
0
(t)= -v
C
(t)
( )
( )
C
R
dv t
i t C
dt

Eliminand curentul i(t) din sistemul de ecuatii, rezulta expresia tensiunii de iesire v
0
(t) ca integrala
ponderata cu semn schimbat a tensiunii de intrare v
i
(t):
1
0
0
1
( ) ( )
i
I R
v t v t dt
R C

ANALIZA PSPICE
Configuratie de AO integrator
VI 1 0 PULSE(0V 1V 0 1us 1us 0.5ms
1ms)
RI 1 2 10k
CR 2 3 33nF
RIN 0 2 10M
E 3 0 0 2 1E5
.TRAN 0.1us 2ms 0us 0.1us
.PROBE
Rezultatele simularii:
NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 0.0000 ( 3) 0.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VI 0.000E+00
TOTAL POWER DISSIPATION 0.00E+00
WATTS
.END
L5.Circuite logice combinationale elementare
1.OBIECTUL APLICATIEI
Familiarizarea cu portile logice NU,SI,SAU,SI-NU, SAU-NU, si SAU-EXCLUSIV , care fac parte
din clasa circuitelor logice combinationale.Se prezinta teoretic principiile si legile algebrei booleene,
simbolurile portilor logice,functiile logice pe care acestea le realizeaza si tabelele de adevar
corespunzatoare.
2. INTRODUCERE TEORETICA
Circuitele logice sunt circuite electronice care opereaza cu semnale logice (digitale) care nu pot lua decat
doua valori (niveluri) logice:
nivelul logic 0: semnifica,de exemplu,lipsa semnalului 0V;
nivelul logic 1: semnifica,de exemplu,prezenta semnalului 5V.
De aceea, forma de unda a semnalelor logice este intotdeauna dreptunghiulara.In fig.7.1. succesiunea de
valori logice ale tensiunii V(1)
este 10101.

fig.7.1 Exemplu de semnal logic
Denumirea
portii logice Simbolul portii logice
Functia
booleana
implementata
de poarta
Tabela de adevar a
functiei logice
NU
Functia negatie:
) 1 ( )) 1 ( (
1
V V f
SI
Functia
conjunctie:
) 2 ( ) 1 (
) 2 ( ), 1 ( (
2
V V
V V f

SAU
Functia
disjunctie:
) 2 ( ) 1 (
)) 2 ), 1 ( (
3
V V
V V f
+

SI-NU
Functia
conjunctie
negata:
) 2 ( ) 1 (
) 2 ( ) 1 (
)) 2 ( ), 1 ( (
4
V V
V V
V V f
+

SAU-NU
Functia
disjunctie
negata:
) 2 ( ) 1 (
) 2 ( ) 1 (
)) 2 ( ), 1 ( (
5
V V
V V
V V f

+

SAU-
EXCLUSIV
Functia
echivalenta
logica negata:
) 2 ( ) 1 (
) 2 ( ) 1 (
)) 2 ( ), 1 ( (
6
V V
V V
V V f
+
+

Mentionam ca in definirea functiilor logice conjunctie negata si disjunctie negata sau folosit si legile lui
Morgan:
) 2 ( ) 1 ( ) 2 ( ) 1 (
) 2 ( ) 1 ( ) 2 ( ) 1 (
V V V V
V V V V
+
+
Ele fac parte din legile si principiile calcululi propozitional din algebra booleana si anume:
1.Legea de idempotenta:
; .....
.....
A A A A
A A A A
+ + +

2.Legea de comutativitate:
; A B B A
A B B A
+ +

3.Legile de asocoativitate:
; ) ( ) (
) ( ) (
C B A C B A
C B A C B A
+ + + +

4.Legile de absorbtie:
;
) (
A B A A
A B A A
+
+
5.Legile de distributivitate:
) ( ) (
) (
C A B A C B A
C A B A C B A
+ + +
+ +
6.Legile lui 1 si 0:
A A A
A A A
+
+
0 , 0 0
1 1 , 1
7.Principiul tertului exclus: ; 1 + A A
8.Principiul contradictiei: ; 0 A A
9.Principiul dublei negatii:
; A A
10.Legile lui Morgan:
, B A B A
B A B A
+
+

unde A si B sunt propozitii care pot lua valorile de adevar 1 (propozitie adevarata) sau 0 (propozitie falsa).
3.ANALIZA SPICE
Poarta logica NU de tip 7404
Un circuit care cuprinde o singura poarta NU.Semnalul V(1) de la intrarea circuitului este un tren de
impulsuri care utilizeaza optiunea PWL a sursei independente de tensiune.
fig.7.2. Circuit pentru simularea portii logice NU
ANALIZA PSPICE
Poarta NU 7404
VCC 3 0 5V
X 1 2 7404
.LIB DC3EVAL.LIB
V 1 0 PWL(0s 0V 1.5s 0V
1.5001s 5V 1.7s 5V 1.7001s
+ 0V 3.5s 0V 3.5001s 5V 4.5s
5V 4.5001s 0V 5s 0V)
R 3 2 100K
.TRAN 0.01ms 5s
.PROBE
.END
Rezultatele simulari:
Diode MODEL PARAMETERS
D74CLMP D74
IS 1.000000E-15 100.000000E-18
RS 2 25
CJO 2.000000E-12 2.000000E-12
BJT MODEL PARAMETERS
Q74
NPN
IS 100.000000E-18
BF 49
NF 1
ISE 100.000000E-18
BR .03
NR 1
ISC 400.000000E-18
RB 50
RBM 50
RC 20
CJE 1.000000E-12
VJE .9
MJE .5
CJC 500.000000E-15
VJC .8
CJS 3.000000E-12
VJS .7
MJS .33
TF 200.000000E-12
TR 10.000000E-09
NODE VOLTAGE NODE
VOLTAGE NODE VOLTAGE
NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 3.5028 ( 3)
5.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -1.497E-05
V 1.043E-03
X$DIGIFPWR.VDPWR -8.534E-03
X$DIGIFPWR.VDGND -1.033E-03
TOTAL POWER DISSIPATION
4.27E-02 WATTS
Functia negatie: ) 1 ( )) 1 ( (
1
V V f
V(1) f1
0 1
1 0
Poarta logica SI
) 2 ( ) 1 ( ) 2 ( ) 1 ( ) 5 ( V V V V V +
fig.7.4 Circuit echivalent pentru simularea portii logice SI
ANALIZA PSPICE
Poarta SI
VCC 6 0 5V
X1 1 3 7404
X2 2 4 7404
X3 3 4 5 7402
.LIB DC3EVAL.LIB
V1 1 0 PWL(0s 0V 0.1ms 5v 1s 5V
1.0001s 0V 2s 0V
+ 2.0001s 5V 3s 5V 3.0001s 0V 4s 0V
4.0001 5V 5s 5V)
V2 2 0 PWL(0s 0V 1.5s 0V 1.5001s 5V
1.7s 5V 1.7001s
+ 0V 3.5s 0V 3.5001s 5V 4.5s 5V
4.5001s 0V 5s 0V)
R1 6 3 100K
R2 6 4 100K
R3 6 5 100K
.TRAN 0.01ms 5s
.PROBE
.END
Rezultatele simulari:
Diode MODEL PARAMETERS
D74CLMP D74
IS 1.000000E-15 100.000000E-18
RS 2 25
CJO 2.000000E-12 2.000000E-12
BJT MODEL PARAMETERS
Q74
NPN
IS 100.000000E-18
BF 49
NF 1
ISE 100.000000E-18
BR .03
NR 1
ISC 400.000000E-18
RB 50
RBM 50
RC 20
CJE 1.000000E-12
VJE .9
MJE .5
CJC 500.000000E-15
VJC .8
CJS 3.000000E-12
VJS .7
MJS .33
TF 200.000000E-12
TR 10.000000E-09
NODE VOLTAGE NODE
VOLTAGE NODE VOLTAGE
NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 0.0000 ( 3)
3.5000 ( 4) 3.5000
( 5) .0903 ( 6) 5.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -7.910E-05
V1 1.043E-03
V2 1.043E-03
X$DIGIFPWR.VDPWR -3.107E-02
X$DIGIFPWR.VDGND -2.012E-03
TOTAL POWER DISSIPATION
1.56E-01 WATTS
Poarta logica SAU
) 2 ( ) 1 ( ) 2 ( ) 1 ( ) 4 ( V V v V V + +
fig.7.4 Circuit echivalent pentru simularea portii logice SAU
ANALIZA PSPICE
Poarta SAU
VCC 5 0 5V
X1 1 2 3 7402
X2 3 4 7404
.LIB DC3EVAL.LIB
V1 1 0 PWL(0s 0V 0.1ms 5v 1s 5V
1.0001s 0V 2s 0V
+ 2.0001s 5V 3s 5V 3.0001s 0V 4s 0V
4.0001 5V 5s 5V)
V2 2 0 PWL(0s 0V 1.5s 0V 1.5001s 5V
1.7s 5V 1.7001s
+ 0V 3.5s 0V 3.5001s 5V 4.5s 5V
4.5001s 0V 5s 0V)
R1 5 3 100K
R2 5 4 100K
.TRAN 0.01ms 5s
.PROBE
.END
Rezultatele simulari:
Diode MODEL PARAMETERS
D74CLMP D74
IS 1.000000E-15 100.000000E-18
RS 2 25
CJO 2.000000E-12 2.000000E-12
BJT MODEL PARAMETERS
Q74
NPN
IS 100.000000E-18
BF 49
NF 1
ISE 100.000000E-18
BR .03
NR 1
ISC 400.000000E-18
RB 50
RBM 50
RC 20
CJE 1.000000E-12
VJE .9
MJE .5
CJC 500.000000E-15
VJC .8
CJS 3.000000E-12
VJS .7
MJS .33
TF 200.000000E-12
TR 10.000000E-09
NODE VOLTAGE NODE
VOLTAGE NODE VOLTAGE
NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 0.0000 ( 3)
3.5000 ( 4) .0903
( 5) 5.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -6.410E-05
V1 1.043E-03
V2 1.043E-03
X$DIGIFPWR.VDPWR -2.289E-02
X$DIGIFPWR.VDGND -2.027E-03
TOTAL POWER DISSIPATION
1.15E-01 WATTS
Poarta logica SI-NU
) 2 ( ) 1 ( ) 2 ( ) 1 ( ) 6 ( V V V V V +
fig.7.5. Circuit echivalent pentru simularea portii logice SI-NU
ANALIZA PSPICE
Poarta SI-NU
VCC 7 0 5V
X1 1 3 7404
X2 2 4 7404
X3 3 4 5 7402
X4 5 6 7404
.LIB DC3EVAL.LIB
V1 1 0 PWL(0s 0V 0.1ms 5v 1s 5V
1.0001s 0V 2s 0V
+ 2.0001s 5V 3s 5V 3.0001s 0V 4s 0V
4.0001 5V 5s 5V)
V2 2 0 PWL(0s 0V 1.5s 0V 1.5001s 5V
1.7s 5V 1.7001s
+ 0V 3.5s 0V 3.5001s 5V 4.5s 5V
4.5001s 0V 5s 0V)
R 7 6 100K
.TRAN 0.01ms 5s
.PROBE
.END
Rezultatele simulari:
Diode MODEL PARAMETERS
D74CLMP D74
IS 1.000000E-15 100.000000E-18
RS 2 25
CJO 2.000000E-12 2.000000E-12
BJT MODEL PARAMETERS
Q74
NPN
IS 100.000000E-18
BF 49
NF 1
ISE 100.000000E-18
BR .03
NR 1
ISC 400.000000E-18
RB 50
RBM 50
RC 20
CJE 1.000000E-12
VJE .9
MJE .5
CJC 500.000000E-15
VJC .8
CJS 3.000000E-12
VJS .7
MJS .33
TF 200.000000E-12
TR 10.000000E-09
NODE VOLTAGE NODE
VOLTAGE NODE VOLTAGE
NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 0.0000 ( 6)
3.5028 ( 7) 5.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -1.497E-05
V1 1.043E-03
V2 1.043E-03
X$DIGIFPWR.VDPWR -9.577E-03
X$DIGIFPWR.VDGND -2.076E-03
TOTAL POWER DISSIPATION
4.80E-02 WATTS
Poarta logica SAU-NU
fig.7.6.Circuit pentru simularea portii logice SAU-NU
ANALIZA PSPICE
Poarta SAU-NU 7402
.LIB DC3EVAL.LIB
VCC 4 0 5V
R 4 3 100K
X 1 2 3 7402
V1 1 0 PWL(0s 0V 0.1ms 5v 1s 5V
1.0001s 0V 2s 0V
+ 2.0001s 5V 3s 5V 3.0001s 0V 4s 0V
4.0001 5V 5s 5V)
V2 2 0 PWL(0s 0V 1.5s 0V 1.5001s 5V
1.7s 5V 1.7001s
+ 0V 3.5s 0V 3.5001s 5V 4.5s 5V
4.5001s 0V 5s 0V)
.TRAN 0.01ms 5s
.PROBE
.END
Rezultatele simulari:
Diode MODEL PARAMETERS
D74CLMP D74
IS 1.000000E-15 100.000000E-18
RS 2 25
CJO 2.000000E-12 2.000000E-12
BJT MODEL PARAMETERS
Q74
NPN
IS 100.000000E-18
BF 49
NF 1
ISE 100.000000E-18
BR .03
NR 1
ISC 400.000000E-18
RB 50
RBM 50
RC 20
CJE 1.000000E-12
VJE .9
MJE .5
CJC 500.000000E-15
VJC .8
CJS 3.000000E-12
VJS .7
MJS .33
TF 200.000000E-12
TR 10.000000E-09
NODE VOLTAGE NODE
VOLTAGE NODE VOLTAGE
NODE VOLTAGE
( 1) 0.0000 ( 2) 0.0000 ( 3)
3.5028 ( 4) 5.0000
VOLTAGE SOURCE CURRENTS
NAME CURRENT
VCC -1.497E-05
V1 1.043E-03
V2 1.043E-03
X$DIGIFPWR.VDPWR -9.577E-03
X$DIGIFPWR.VDGND -2.076E-03
TOTAL POWER DISSIPATION
4.80E-02 WATTS

L6.Redresoare
1.OBIECTUL APLICATIEI
Studiul redresoarelor monofazate,bifazate si trifazate necomandate, semicomandate si comandate,cu
sau fara filtru de netezire a tensiunii si/sau curentului redresat.Simularea PSpice are ca scop vizualizarea
formelor de unda si analiza comparativa a valorilor medii ale tensiunilor redresate ale redresoarelor similare
necomandate, semicomandate si comandate, precum si analiza redresorului trifazat necomandat.
2.INTRODUCERE TEORETICA
Redresoarele sunt convertoare energetice c.a.-c.c. care au rolul de a transforma o tensiune alternativa
sinusoidala intr-o tensiune cu o componenta continua (valoare medie) semnificativa.
Prezentarea schemelor studiate
In fig.10.1 sunt prezentate diferite scheme de redresoare monofazate (alimentate de la o singura sursa de
tensiune alternativa sinusoidala), monoalternanta (redreseaza doar alternanta pozitiva a tensiunii de
alimentare sinusoidala), necomandate (realizate exclusiv cu diode), cu sarcina rezistiva R.
Filtrele de netezire sunt filtre de tip trece-jos,scopul lor fiind acela de a retine doar componenta
continua.Astfel,bobina L montata in serie cu sarcina filtreaza curentul redresat
R
i ,iar condensatorul C
montat in paralel cu sarcina filtreaza tensiunea redresata
R
u .Filtrele in si

sunt filtre combinate LC, care

filtreaza simultan marimile electrice
R R
i u , .
In fig.10.2 sunt prezentate diferite scheme de redresoare bifazate (alimentate de la doua surse de tensiune
alternativa sinusoidala, in antifaza) necomandate,cu sarcina rezistiva R,cu sau fara filtre L si/sau C.
In fig.10.3 sunt prezentate scheme de redresoare monofazate si bifazate, comandate (realizate exclusiv cu
tiristoare) si semicomandate (realizate din diode si tiristoare, in numar egal,cu sarcina rezistiva R si fara
filtre.
fig.10.1 Scheme de redresoare monofazate necomandate cu sarcina rezistiva R
a) fara filtre de netezire; b) cu filtru L; c) cu filtru C; d)cu filtru in ;
e) cu filtru in

fig.10.2 Scheme de redresare bifazate cu sarcina rezistiva R

a) fara filtre de netezire; b)cu filtru L; c) cu filtru C
fig.10.3 Scheme de redresoare monofazate si bifazate
a) monofazat comandat; b)bifazat comandat; c)bifazat semicomandat
fig.10.4. Scheme de redresoare trifazate cu punct median
a) varianta necomandata; b) varianta comandata;
4.2.1 Analiza redresorului monofazat necomandat cu sarcina rezistiva
ANALIZA PSPICE
Redresor monofazat monoalternanta
Rezultatele simularii:
FOURIER COMPONENTS OF
necomandat cu sarcina rezistiva R
VS 1 0 SIN(0V 10 V 50 Hz)
D 1 2 DINT
R 2 0 1k
.MODEL DINT D ; dioda modelata DINT
se gaseste ub biblioteca PSpice
.TRAN 0.1ms 40ms 0ms ;analiza in timp in
regim tranzitoriu
.FOUR 50Hz V(2) V(1)
.PROBE
.END
TRANSIENT RESPONSE V(2)
DC COMPONENT = 2.843263E+00
HARMONIC FREQUENCY FOURIER
NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMP
COMP (DEG) PHASE (DEG)
1 5.000E+01 4.552E+00
1.000E+00 4.769E-04 0.000E+00
2 1.000E+02 2.094E+00
4.601E-01 -9.000E+01 -9.000E+01
3 1.500E+02 1.399E-01
3.074E-02 1.800E+02 1.800E+02
4.2.2 Analiza redresorului monofazat necomandat cu sarcina rezistiva si filtru C
ANALIZA PSPICE
Redresor monofazat monoalternanta
necomandat cu sarcina R si filtru C
VS 1 0 SIN(0V 10V 50Hz)
D 1 2 DINT
R 2 0 1K
C 2 0 25uF
.MODEL DINT D
.TRAN 0.1ms 100ms 0ms 0.05ms
.FOUR 50Hz V(2)
.PROBE
.END
Rezultatele simularii:
FOURIER COMPONENTS OF
TRANSIENT RESPONSE V(2)
DC COMPONENT = 6.974635E+00
HARMONIC FREQUENCY FOURIER
NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMP
COM (DEG) PHASE (DEG)
1 5.000E+01 1.699E+00 1.000E+00
-4.878E+01 0.000E+00
2 1.000E+02 7.644E-01 4.500E-01
-1.078E+02 -1.022E+01
3 1.500E+02 4.215E-01 2.482E-01
-1.629E+02 -1.652E+01
4.2.3 Analiza redresorului bifazat necomandat cu sarcina rezistiva
ANALIZA PSPICE
Redresor bifazat bialternan
necomandat cu sarcina R
V1 1 0 SIN(0V 10V 50Hz)
V2 0 3 SIN(0V 10V 50Hz)
D1 1 2 DINT
D2 3 2 DINT
R 2 0 1K
.MODEL DINT D
.FOUR 50Hz V(2)
.TRAN 0.1ms 40ms 0ms 0.05ms
.PROBE
.END
Rezultatele simularii:
FOURIER COMPONENTS OF
TRANSIENT RESPONSE V(2)
DC COMPONENT = 5.686527E+00
HARMONIC FREQUENCY FOURIER
NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMP
COMP (DEG) PHASE (DEG)
1 5.000E+01 3.337E-08
1.000E+00 -2.905E+01 0.000E+00
2 1.000E+02 4.189E+00
1.255E+08 -9.000E+01 -3.189E+01
3 1.500E+02 4.858E-08
1.456E+00 -2.252E+01 6.464E+01
4.2.4 Analiza redresorului necomandat cu sarcina rezistiva si filtru C
ANALIZA PSPICE
Redresor bifazat bialternanta cu sarcina
R si filtru C
Rezultatele simularii:
FOURIER COMPONENTS OF
TRANSIENT RESPONSE V(2)
V1 1 0 SIN(0V 10V 50Hz)
V2 0 3 SIN(0V 10V 50Hz)
D1 1 2 DINT
D2 3 2 DINT
R 2 0 1K
C 2 0 25uF
.MODEL DINT D
.FOUR 50Hz V(2) I(R)
.TRAN 0.1ms 40ms 0ms 0.05ms
.PROBE
.END
DC COMPONENT = 8.163781E+00
HARMONIC FREQUENCY FOURIER
NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMP
COMP (DEG) PHASE (DEG)
1 5.000E+01 2.341E-08 1.000E+00
-7.771E+01 0.000E+00
2 1.000E+02 9.543E-01 4.077E+07
-1.289E+02 2.650E+01
3 1.500E+02 5.553E-08 2.372E+00
-1.065E+02 1.266E+02
4.2.5 ANALIZA REDRESORULUI MONOFAZAT COMANDAT CU SARCINA REZISTIVA
(T=20ms)
ANALIZA PSPICE
Redresor monofazat monoalternanta
comandat cu sarcina R
.LIB DC3EVAL.LIB
VS 1 0 SIN(0V 20V 50HZ)
VC 4 2 PULSE(0V 5V 2.5ms 0.1ms
0.1ms 1ms 10ms)
RC 3 4 100
X 1 3 2 2N1595
R 2 0 100
.TRAN 0.1ms 40ms 0ms 0.05ms
.FOUR 50Hz V(2)
.PROBE
.END
Rezultatele simularii:
FOURIER COMPONENTS OF
TRANSIENT RESPONSE V(2)
DC COMPONENT = 5.163000E+00
HARMONIC FREQUENCY FOURIER
NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO HZ COMP
COMP (DEG) PHASE (DEG)
1 5.000E+01 8.829E+00
1.000E+00 -9.810E+00 0.000E+00
2 1.000E+02 5.222E+00
5.915E-01 -1.064E+02 -8.677E+01
3 1.500E+02 1.649E+00
1.868E-01 1.767E+02 2.062E+02
4.2.6 Analiza redresorului bifazat comandat cu sarcina rezistiva
ANALIZA PSPICE
Redresor bifazat bialternan comandat cu sarcina
R
.LIB DC3EVAL.LIB
V1 1 0 SIN(0V 20V 50Hz)
V2 0 3 SIN(0V 20V 50Hz)
X1 1 4 2 2N1595
X2 3 5 2 2N1595
R 2 0 100
R1 4 6 100
R2 5 6 100
VC 6 2 PULSE(0V 5V 2.5ms 0.1ms 0.1ms 1ms 10ms)
.TRAN 0.1ms 40ms 0ms 0.05ms
.FOUR 50Hz V(2)
.PROBE
.END
Rezultatele simularii:
FOURIER COMPONENTS OF
TRANSIENT RESPONSE V(2)
DC COMPONENT = 1.032830E+01
HARMONIC FREQUENCY FOURIER
NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMP
COMP (DEG) PHASE (DEG)
1 5.000E+01 6.769E-06
1.000E+00 4.607E+01 0.000E+00
2 1.000E+02 1.045E+01
1.543E+06 -1.064E+02 -1.985E+02
3 1.500E+02 3.490E-06
5.155E-01 -6.907E+01 -2.073E+02
4.2.7 Analiza redresorului bifazat semicomandat cu sarcina rezistiva
ANALIZA PSPICE
Redresor bifazat bialternanta
semicomandat cu sarcina R
Rezultatele simularii:
FOURIER COMPONENTS OF
TRANSIENT RESPONSE V(2)
.LIB DC3EVAL.LIB
V1 1 0 SIN(0V 20V 50Hz)
V2 0 3 SIN(0V 20V 50Hz)
X 1 4 2 2N1595
D 3 2 DINT
R 2 0 100
RC 4 5 100
VC 5 2 PULSE(0V 5V 2.5ms 0.1ms
0.1ms 1ms 20ms)
.MODEL DINT D
.TRAN 0.1ms 40ms 0ms 0.05ms
.FOUR 50Hz V(2)
.PROBE
DC COMPONENT = 1.114844E+01
HARMONIC FREQUENCY FOURIER
NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMP
COMP (DEG) PHASE (DEG)
1 5.000E+01 1.706E+00
1.000E+00 -1.181E+02 0.000E+00
2 1.000E+02 9.350E+00
5.481E+00 -9.907E+01 1.372E+02
3 1.500E+02 1.492E+00
8.745E-01 1.764E+02 5.308E+02

4.2.8 Analiza redresorului trifazat necomandat cu rascina rezistiva
ANALIZA PSPICE
Redresor trifazat necomandat cu punct
median si sarcina R
V1 R 0 SIN(0V 10V 50Hz)
V2 S 0 SIN(0V 10V 50Hz 0s 0.0 120.0)
V3 T 0 SIN(0V 10V 50Hz 0s 0.0 -120.0)
D1 R 1 DINT
D2 S 1 DINT
D3 T 1 DINT
R 1 0 1K
.MODEL DINT D
.TRAN 0.1ms 40ms 0ms 0.05ms
.FOUR 50Hz V(1,0)
.PROBE
.END
Rezultatele simularii:
FOURIER COMPONENTS OF
TRANSIENT RESPONSE V(1,0)
DC COMPONENT = 7.563121E+00
HARMONIC FREQUENCY FOURIER
NORMALIZED PHASE NORMALIZED
NO (HZ) COMP
COMP (DEG) PHASE (DEG)
1 5.000E+01 1.047E-04 1.000E+00
3.902E+01 0.000E+00
2 1.000E+02 1.140E-04 1.089E+00
5.758E+01 -2.047E+01
3 1.500E+02 2.059E+00 1.966E+04
1.800E+02 6.293E+01