Ilovepdf Merged

Elemente de Electronică
Analogică (EEA)
Specializarea Calculatoare
2021-2022
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
Titular de disciplină:
• Dr. Ing. Corneliu TRIŞCĂ-RUSU
• Număr ore curs: 42 ore

• Număr ore aplicaţii: 14 ore sem +14 ore lab
• Numărul de puncte de credit: 5
• Precondiţii: parcurgerea şi/sau promovarea

următoarelor discipline: matematici I,II si
III, fizica, electrotehnica
1
OBIECTIVELE DISCIPLINEI (1)
Curs
• cunoaşterea funcţionării principalelor dispozitive semiconductoare;
• cunoaşterea principiilor elementare ale tehnologiilor utilizate la
realizarea circuitelor integrate liniare;
• însuşirea unor cunoştinţe elementare despre amplificatoarele
realizate cu tranzistoare bipolare şi cu efect de câmp;
• studierea principiilor de realizare a diferitelor aplicaţii ale
amplificatoarelor operaţionale şi ale altor circuite integrate liniare;
• însuşirea cunoştinţelor elementare despre problematica surselor de
alimentare a echipamentelor electronice;
• obţinerea de cunoştinţe elementare privind generarea semnalelor
armonice precum şi despre modularea şi demodularea semnalelor.
OBIECTIVELE DISCIPLINEI (2)

Aplicaţii
• cunoaşterea principalelor programe de analiză, simulare şi

proiectare a circuitelor electronice;
• obţinerea unor deprinderi elementare de utilizare a
echipamentelor specifice unui laborator de profil electronic;
• înţelegerea modului de analiză a unor scheme simple de
circuite cu tranzistoare discrete şi cu amplificatoare
operaţionale;
2
COMPETENŢE SPECIFICE
Competenţe specifice unui inginer de calculatoare cu pregătire

hardware în vederea posibilităţii de realizare de circuite de interfaţă
şi de cunoaştere a structurii echipamentelor periferice care se pot
conecta la un sistem de calcul.
CONŢINUTUL TEMATIC (1)

Dispozitive electronice:
• Procese electronice în dispozitive semiconductoare de circuit;
• Joncţiunea pn;
• Circuite elementare cu diode;
• Tranzistoare bipolare (TBIP);
• Tranzistoare cu efect de camp (TEC);
• Principii de realizare a circuitelor integrate liniare.
3
Amplificatoare:
• Parametrii amplificatoarelor;
• Amplificatoare elementare cu TBIP şi cu TEC;
• Circuite de polarizare în curent continuu;
• Scheme echivalente şi tranzistoare compuse;
• Circuite de intrare, de ieşire şi cu sarcină dinamică;
• Amplificatoare de putere;
• Amplificatoare diferenţiale;
• Răspunsul în frecvenţă al unui amplificator;

Reacţia negativă în amplificatoare:
• Cazul general;
• Reacţia negativă serie de tensiune;
• Reacţia negativă paralel de tensiune;
• Aplicaţii;
• Dubleţi;
4
Amplificatoare operaţionale:
• Parametrii unui AO real;
• AO ideal;
• Structuri inversoare cu AO;
• Structuri neinversoare cu AO;
• Amplificatoare diferenţiale cu AO;
• Filtre active cu AO;
• Circuite neliniare cu AO;
• Circuite de multiplicare analogica.

Circuite de alimentare:
• Structura generală ;
• Parametri ;
• Tipuri ;
• Protecţii ;
• Stabilizatoare de tensiune integrate ;
• Circuite de multiplicare analogica.
10
5
Oscilatoare armonice:
• Principiu de realizare ;
• Oscilatoare LC ;
• Oscilatoare RC ;
• Oscilatoare cu cuarţ.
11

Modulatoare şi demodulatoare:
• Tipuri de modulaţie ;
• Circuite de demodulare de amplitudine;
• Demodulatoare de frecvenţă.
12
6
APLICAŢII (1)
Seminar:
1. Elemente recapitulative de metode de analiză a circuitelor
electrice;
2. Polarizarea în curent continuu a schemelor cu TBIP;
3. Amplificatoare elementare;
4. Amplificatoare cu reacţie negativă;
5. Circuite liniare cu AO;
6. Circuite neliniare cu AO.
13
EVALUAREA
Activităţile evaluate şi ponderea fiecăreia :
1. teme de casă predate la termen (2) 20% (10%)
2. evaluare la seminar (teste, răspunsuri, etc.) 10 %
3. evaluare la laborator (obligatoriu) 20 %
4a. examen final teorie (3 subiecte) 30 %
4b. examen final probleme (2 subiecte) 20 %
Cerinţele minimale pentru promovare:

▪ promovarea laboratorului (prezenţă + colocviu);
▪ obţinerea a 50 % din punctajul fiecarei verificări finale.
▪ Examen Final: 2 subiecte teorie + 1 subiect probleme şi min 50 pct
14
7
BIBLIOGRAFIE (selectivă)
1. Nicolae Cupcea, Costin Ştefănescu, Adrian Surpăţeanu: Elemente de
Electronică Analogică - Dispozitive electronice, Amplificatoare
electronice, Amplificatoare operaţionale, Editura AGIR, ISBN 978-
973-720-229-1,p. 500;
2. Th. Dănilă, N.Reus, V. Boiciu – “Dispozitive şi circuite electronice” -
Ed. Did. şi Ped. 1982;
3. P. Gray, C. Searle – “Bazele electronicii moderne” Ed. Tehnică,
1973.
4. P. R. Gray. R. G. Meyer – Circuite integrate liniare. Analiză şi
proiectare” Ed. Tehnică, 1982, 1995;
5. Th. Dănilă, N. Cupcea – “Amplificatoare operaţionale. Probleme.
Aplicaţii” – Ed. TEORA, Bucureşti, 1994;
6. Th. Dănilă, N. Cupcea – “Amplificatoare operaţionale. Aplicaţii” –
Ed. Albastră, Cluj Napoca, 2003;
7. Adrian Surpăţeanu, ELEMENTE de ELECTRONICA ANALOGICA, Surse
de tensiune continua, Oscilatoare armonice, Editura POLITEHNICA
PRESS, Bucuresti 2010, ISBN 978-606-515-076-8, p.166.
15
BIBLIOGRAFIE (selectivă 2)
8. Paul R. Gray, Paul J. Hurst, STEPHen H. Lewis, Robert G.
Meyer – “Analysis and design of analog integrated circuits” /—
5th ed, ISBN 978-0-470-24599-6
9. Steven T. Karris, Electronic Devices and Amplifier Circuits
with MATLAB®Applications, ISBN 0-9744239-4-7
10. Thomas F. Schubert, Jr., Ernest M. Kim, “Fundamentals of
Electronics Book 1: Electronic Devices and Circuit
Applications”, ISBN: 9781627055628
11. Donald A. Neamen, “Microelectronics: Circuit Analysis And
Design”, 4th ed, ISBN 978–0–07–338064–3
12. Richard C. Jaeger, Travis N. Blalock “Microelectronic Circuit
Design”, 4th ed, ISBN 978-0-07-338045-2,
16
8
Analogică (EEA)
Specializarea Calculatoare
Analogică (EEA)
Notiuni introductive
1
Legile lui Kirchhoff
Legile lui Kirchhoff exprimă modul de conservare a energiei

electrice într-un circuit electric
• Prima lege a lui Kirchhoff: Suma intensitatilor curentilor
(continui) care intra intr-un nod de retea este egala cu suma
intensitatilor curentilor care ies din acelasi nod.
• A doua lege a lui Kirchhoff: De-a lungul conturului unui ochi
de rețea, suma algebrica a tensiunilor electromotoare ale
surselor este egală cu suma algebrică a produselor dintre
intensitatea curentilor si rezistenta totala de pe fiecare latura.
Teoria circuitelor: Divizorul de tensiune
v1 = ii R1 si v 2 = ii R2
Aplicind Legea lui Kirchhoff buclei,
v i = v1 + v 2 = ii (R1 + R2 )
  i = vi
si i
R1 + R2
Combinind aceste ecuatii, rezulta:
 R1 R2
v1 = v i v2 = vi
R1 + R2 R1 + R2

4
 
2
Teoria circuitelor: Divizorul de tensiune (2)
Utilizind ecuatiile anterioare,
8 k
v1 = 10 V = 8.00 V
8 k + 2 k
2 k
v 2 = 10 V = 2.00 V
8 k + 2 k

Nota: Divizarea tensiunii se aplica numai daca prin ambele
 rezistoare circula acelasi curent
Teoria circuitelor: Divizorul de curent
vi vi
ii = i1 + i2 unde i1 = si i2 =
R1 R2
Combinind si rezolvind pentru vi,
1
= i (R || R )
R1 R2
 v i = ii = ii
1 1 R1 + R2 i 1 2

+
R1 R2
Combinind aceste ecuatii formula de baza a divizorului de curent devine:
R2 R1
 i1 = ii i2 = ii
R1 + R2 R1 + R2
6
 
3
Teoria circuitelor: Divizorul de curent (2)
Utilizind ecuatiile anterioare cu valorile

date,
3 k
i1 = 5 ma = 3.00 mA
2 k + 3 k
2 k
i 2 = 5 ma = 2.00 mA
2 k + 3 k

Nota: Divizarea de curent se aplica numai daca este aplicata
aceeasi tensiune pe ambele rezistente

Teoria circuitelor
Circuite echivalente:
• Thévenin
• Norton
4
Teoria circuitelor: Circuite echivalente Thévenin si
Norton
Thévenin
Norton
Teoria circuitelor: Determinarea tensiunii echivalente

Thévenin
Necunoscuta:
Tensiunea echivalenta Thévenin vth.
Aplicind legea lui Kirchhoff pentru iesire,

vo − vi vo
i1 = + = G1 (v o − vi )+ GS v o
R1 RS
Curentul i1 poate fi scris ca: i1 = G1 (v o − v i )
Combinind ecuatiile anterioare


G1( +1)v i = G1( +1) + GS v o
G1 ( +1) RR ( +1)RS
vo = v  1 S = v
G1( +1) + GS i R1RS ( +1)RS + R1 i

 Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare
10
5
Teoria circuitelor: Determinarea tensiunii echivalente
Thévenin (2)
Utilizind valorile date pentru
componente:
vo =
( + 1)RS v =
( + 1)RS + R1 i
=
(50 + 1)1 k v = 0.718v
(50 + 1)1 k + 1 k i i
si
v th = 0.718v i

11
Teoria circuitelor: Determinarea rezistentei echivalente

Thévenin
Necunoscuta:
Rezistenta echivalenta Thévenin Rth.
Abordare: Gasirea Rth ca rezistenta de iesire

echivalenta cu sursa independenta avind
valoarea stabilita la zero.
Adaugam o tensiune vx la circuitul considerat.

Aplicind vx si rezolvind pentru ix ne permite sa
gasim rezistenta Thévenin ca fiind vx/ix.
Aplicind prima lege a lui Kirchhoff,
ix = −i1 − i1 + GS v x = G1v x + G1v x + GS v x

= G1 ( + 1) + GS v x
R1 20 k
Rth = RS = 1 k = 1 k 392  = 282 
 +1 50 + 1
12

6
Teoria circuitelor: Determinarea circuitului echivalent
Norton
Problema:
Gasirea circuitului echivalent Norton
Solutie:
Informatie cunoscuta si Date:
Topologia circuitului si valorile de
circuit
Necunoscute: Curentul echivalent de
scurt circuit Norton in. Se aplica la iesire un scurt circuit.
Curentul echivalent Norton este
Abordare: Evaluarea curentului prin
curentul care circula prin iesirea in
iesirea in scurt circuit.
scurt circuit.
in = i1 + i1 = G1vi + G1vi = G1 ( + 1)vi
Scurt circuitul la iesire determina un
v ( + 1) curent zero care circula prin RS.
= i Rth este egala cu Rth gasita anterior.
R1
50 +1 vi
in = vi = = (2.55 mS)v i
20 k 392 
13

Circuitele echivalente finale Thévenin si Norton
Verificarea rezultatelor:
De retinut faptul ca vth = inRth si ca aceasta poate fi utilizata pentru verificarea calcularii:
inRth=(2.55 mS)vi(282 ) = 0.719vi, cu precizia din eroarea de rotunjire.
Desi cele două circuite sunt identice din punct de vedere tensiunilor si curentilor la bornele
de iesire, exista o diferenta intre cele doua circuite. Cu nici o sarcina conectata, circuitul
Norton disipa insa putere!
14
7
Spectrul de frecvente al semnalelor electronice
• Semnalele nerepetitive avind spectre continue ocupa de

multe ori o gamă larga de frecvente
• Teoria Fourier ne spune ca semnalele repetitive sunt
compuse dintr-un set de semnale sinusoidale cu
amplitudine distincta, frecventa, si faza.
• Setul de semnale sinusoidale este cunoscut ca serii
Fourier.
• Spectrul de frecventa al unui semnal reprezinta
amplitudinea si faza componentelor semnalului fata de
frecventa.
15
Serii Fourier
• Un semnal periodic contine componente spectrale doar la frecvente
discrete aferente perioadei semnalului original.
• Un semnal dreptunghiular este reprezentat de urmatoarea
descompunere in serii Fourier:
2VO  1 1 
v(t) = VDC + sin  0 t + sin 3 0 t + sin 5 0 t + ...
  3 5 
Amplitudine Amplitudine
0 = 2/T (rad/s) este frecventa fundamentala in radiani, si f0 = 1/T

(Hz) este frecventa fundamentala a semnalului. 2f0, 3f0, si 4f0 sunt
cunoscute ca a doua, a treia, si a patra frecventa armonica.
16
8
Frecvente ale semnalelor uzuale
Categorie semnal Gama frecventa

Semnale audio 20 Hz – 20 KHz
Banda de baza TV 0 - 4.5 MHz
Radio FM 88 – 108 MHz
Canale 2-6 TV 54 – 88 MHz
Canale 7-13 TV 174 – 216 MHz
Comunicatii maritime 216 – 450 MHz
Telefoane celulare si altele wireless 0.8 – 3 GHz
TV satelit 3.7 - 4.2 GHz
Dispozitive wireless 5.0 - 5.5 GHz
17
Emisia de electroni
• Eliberarea electronilor de
catre suprafata substantei
este cunoscuta ca emisie
de electroni.
• Pentru emisia de electroni
sunt utilizate metale
deoarece acestea au mai
multi electroni liberi.
Acestia au o deplasare
aleatoare (dezordonata).
• Se considera la
temperatura camerei.
.
18
9
Emisia de electroni (2)
• Se pot transfera de la un atom la

altul, dar nu pot parasi metalul.
Nucleul pozitiv al atomului ii atrage,
si nu ii impinge spre exterior.
• La suprafata metalului electronii
liberi intilnesc forte care previn
parasirea metalului.
• Suprafata metalica ofera o bariera pentru electronii liberi, si

care este cunoscuta ca bariera de suprafata.
19
• Totusi, daca este data suficienta energie electronului liber,

energia lui cinetica creste si electronul depaseste bariera de
suprafata si paraseste metalul.
• Aceasta cantitate de energie suplimentara necesara
electronului pentru a depasi bariera de suprafata este asa
numita “functie de lucru” a metalului.
• “Functia de lucru” este o energie  Joule (J)
• In practica se foloseste o unitate mult mai mica, numita
“electron-volt”  cantitatea de energie dobindita de un
electron care este accelerat prin intermediul unei diferente de
potential de 1V.
20
10
• 1 electron-volt = Q V = (1.602 × 10−19) × 1 J

• 1eV = 1.602 × 10−19 J
Ex.
• Daca energia totala necesara pentru a elibera un electron din
metal este de 4eV si energia deja existenta a electronului este
de 0,5eV, atunci necesarul de energie (functia de lucru) este de
(4,0-0,5) eV = 3,5eV
• “Functia de lucru” pentru metale pure variaza intre 2 si 6eV.

Depinde de puritatea metalului, de conditiile de la suprafata
metalului.
• De dorit ca energia pentru emisia de electroni sa fie cit mai
mica
21
Tipuri ale emisiei de electroni
1. Emisia termoionica. Metalul este incalzit la o temperatura

suficient de mare (~ 2500ºC) pentru a permite electronilor
liberi sa paraseasca suprafata metalului. Numarul
electronilor emisi depinde de temperatura. Acest tip de
emisie este folosita in tuburile cu vid.
2. Cu emisie in cimp. In aceasta metoda, un cimp electric
puternic (de ex. o tensiune pozitiva mare) este aplicat la
suprafata metalului care trage electronii liberi in afara
metalului datorita atractiei exercitate de cimpul pozitiv. Cu
cit este mai puternic cimpul electric cu atit este mai mare
emisia de electroni.
22
11
Tipuri ale emisiei de electroni (2)
3. Emisia foto-electrica. In aceasta metoda, energia luminoasa

care actioneaza asupra suprafetei metalice este transferata
electronilor liberi in metal pentru a permite acestora sa
paraseasca suprafata. Cu cit este mai mare intensitatea
fascicolului luminos (de ex. stralucirea) la suprafata
metalului, cu atit este mai mare emisia foto-electrica.
4. Emisia secundara. In aceasta metoda, un fascicul de mare
viteza de electroni loveste suprafata metalica si determina
electronii liberi ai metalului sa loveasca suprafata.
23
Tipuri ale emisiei de electroni
1. Emisia termoionica. Metalul este incalzit la o

temperatura suficient de mare (~ 2500ºC) pentru
a permite electronilor liberi sa paraseasca
suprafata metalului. Numarul electronilor emisi
depinde de temperatura. Acest tip de emisie este
folosita in tuburile cu vid.
24
12
Structura atomica
• Studierea structurii atomice este de importanta majora pentru

ingineria electronica.
• Un numar mare de savanti au elaborat diferite teorii referitoare
la structura atomului. Pentru scopul intelegerii electronicii
modelul atomic al lui Bohr este cel mai adecvat.
• Structura atomica (Niels Bohr, 1913):
– Un atom este format dintr-un nucleu incarcat pozitiv in jurul caruia sunt
electroni incarcati negativ care graviteaza pe diferite orbite circulare;
– Electronii pot gravita in jurul nucleului numai pe orbite permise;
– Electronii de pe aceeasi orbita permisa au aceeasi cantitate de energie;
O orbita mai mare (raza mai mare) determina o energie mai mare;
– Daca un electron primeste o energie suplimentara, el sare pe o orbita
superioara.
25
Structura atomica (2)
• Atomul de Siliciu
14 electroni: 2 pe Orbita 1, 8 pe Orbita a 2a, 4 pe Orbita a 4a
Orbitele (prima, a doua, a treia) mai sunt cunoscute ca orbitele K, L, M
26
13
Nivelele energetice
27
Nivelele energetice
Modelul Bohr cu număr maxim
de electroni per înveliș cu
învelișuri marcate în notația
razelor X
https://ro.wikipedia.org/wiki/M
odelul_atomic_Bohr
28
14
Nivelele energetice
29
Nivelele energetice
Sursa: https://www.pngkit.com/png/detail/882-8824640_frenchperiodic-periodic-table-of-
elements.png" alt="Frenchperiodic - Periodic Table Of Elements@pngkit.com">
30
15
Nivelele energetice
Sursa: https://www.pngkit.com/png/detail/882-8824640_frenchperiodic-periodic-table-of-
elements.png" alt="Frenchperiodic - Periodic Table Of Elements@pngkit.com">
31
Benzile de energie
• In cazul unui singur atom izolat, electronii in orice orbita au o energie
definita. Cu toate acestea, un atom dintr-un solid este puternic influentat de
catre atomii din jurul lui. Rezultatul este ca electronii in orice orbita a
acestui atom poate avea o gama de energii mai degraba decit o singura
energie. Aceasta este cunoscuta ca banda de energie.
• Gama de energie detinuta de un electron intr-un solid este cunoscuta ca
banda de energie.
32
16
Benzi energetice importante in solide
• Nivelele energetice individuale K, L, M, etc, discutate anterior, ale unui

atom izolat sunt convertite in benzi corespunzatoare cind atomul este in
solid. Desi exista un numar de benzi de energie in solide, urmatoarele sunt
de importanta deosebita:
1. Banda de valenta: Gama de energii (banda) detinuta de electronii de
valenta este cunoscuta ca banda de valenta. Este banda exterioara,
are cea mai mare energie, poate fi umpluta partial sau total.
2. Banda de conductie: In anumite materiale (ex. metale) electronii de
valenta sunt slab legati de nucleu. Chiar si la temperatura obisnuita
unii din electronii de valenta se pot desprinde pentru a deveni
electroni liberi. Tocmai acesti electroni liberi sunt responsabili pentru
conductia de curent. Din aceasta cauza sunt denumiti electroni de
conductie. Gama de energie (banda) detinuta de electronii de
conductie este cunoscuta ca banda de conductie.
3. Banda interzisa: Zona de separare dintre cele doua benzi este
cunoscuta ca banda interzisa.
33
Benzi energetice importante in solide (2)
34
17
15 eV
Materiale izolatoare Materiale conductoare
35
15 eV
1 eV
Materiale izolatoare Materiale semiconductoare
36
18
• Semiconductoare
La temperatura joasa, banda de
valenta este plina si banda de
conductie este complet goala.
Un semiconductor se comporta
1 eV
practic ca un izolator. Unii
electroni (~ 1 la 1010 atomi) sar in
banda de conductie, conferind o
usoara conductivitate
semiconductorului
37
38
19
1,8 eV
0,7 eV
39
20
23/10/2021
Analogică (EEA)
1. Dispozitive Electronice
• Procese electronice în dispozitive

semiconductoare de circuit;
• Joncţiunea pn;
• Principii de realizare a circuitelor integrate
liniare.
1
23/10/2021
Elemente de electronica corpului solid

Purtători de sarcină în semiconductoare:
• Conductoare
• Semiconductoare
• Izolante
Materiale pentru electronică

Generează şi controlează circulaţia unui curent
electric
Materialele electronice includ

• Conductoare rezistenţă mică ce permite circulaţia curentului
electric (cupru, argint, aur, aluminiu, nichel, oţel, apa sărată)
• Izolante au o rezistenţă ridicată care împiedică circulaţia
curentului electric
• Semiconductoare care permit sau împiedică circulaţia
curentului electric
2
23/10/2021
Structura atomică a materialelor conductoare
• Structura atomică a materialelor bune

conductoare de electricitate include un singur
electron în învelişul său.
– Electron de valenţă
– Produce circulaţia de curent
  10 / cm
3
t amb
ne  10 / cm 22 3
1
j = qnv = qn n E = E = E
σ – Conductivitatea; ne - numarul de electroni;

q – sarcina electronului; v – viteza de drift;
µn – mobilitatea electronilor
Materiale izolante
• Au o mare rezistenţă electrică ceea ce nu

permite circulaţia curentului prin ele.
• Materialele izolatoare bune includ sticla,
ceramica, materiale plastice şi lemnul
• Atomii sunt strâns legaţi unul de celălalt,
electronii nu părăsesc învelişul şi este dificil de
a se crea o circulaţie de curent electric
3
23/10/2021
Materiale semiconductoare
• Sunt materiale, care în esenţă pot fi

condiţionate să acţioneze fie în calitate de buni
conducători de electricitate, buni izolatori, sau
orice între aceştia.
• Elemente comune cum sunt Carbonul (C),
Siliciul (Si) şi Germaniul (Ge) sunt
semiconductoare
• La acest moment Si este cel mai bun şi cel mai
utilizat semiconductor
Materiale semiconductoare (2)
Un singur tip de atomi din grupa a patra

(Ge sau Si)
Din tipuri de atomi din grupe apropiate

(de exemplu, din grupele III, V, exemplul
tipic fiind semiconductorul GaAs);
Între aceste tipuri de atomi se pot stabili legături covalente (punerea în

comun a unuia dintre electronii de valenţă).
4
23/10/2021
• Principala caracteristică a unui element

semiconductor este faptul că are 4 electroni în
stratul de valenţă.
Legături covalente
10
5
23/10/2021
Cristal GaAs
Cristal Si GaP, GaAS optoelectronică
11
Electroni şi Goluri
Pentru a se elibera un electron din legătura covalentă este necesar un surplus de
energie.
La temperaturi mai mari de 1000K, datorită agitaţiei termice, electronii din stratul de
valenţă devin electroni liberi şi formează o sarcină electronică reală mobilă.
La aplicarea unui câmp electric, electronii liberi se deplasează ordonat şi formează un

curent electric de natură electronică;
Dar, un electron de valenţă vecin, de pe altă legătură covalentă, poate efectua o

tranziţie (tot datorită agitaţiei termice) şi ocupă locul rămas liber; sub influenţa
câmpului electric,
Are loc o deplasare de sarcină pozitivă în sensul câmpului electric, adică un electron
devenit liber determină efectuarea mai multor tranziţii ca şi când locurile libere s-ar
deplasa.
Se asociază acestei deplasări a unei sarcini pozitive noţiunea de gol, adică un purtător
de sarcină pozitivă care determina o componentă a curentului electric.
De remarcat faptul că golul nu este o particulă elementară ci este un concept care

simulează deplasarea locurilor goale din structura semiconductorului prin
ocuparea lor de către electroni care se află deja pe alte nivele energetice.
12
6
23/10/2021
Material de tip N: Material de tip P:

13
Structură 2D de Si având
legături covalente
comune. La 00K toate
legaturile sunt complete
14
7
23/10/2021
Pereche electron-gol
generată în momentul în
care este distrusă o
legătură covalentă:
• Gol (+q)
• Electron liber (-q)
15
CONCLUZIE
După conductibilitatea electrică corpurile solide
sunt:
• Conductoare   103 / cm t amb

ne  1022 / cm3
1
j = qnv = qn n E = E = E

• Semiconductoare   10−10  103 / cm
−10
T  1000 K   10 / cm
• Izolatoare
16
8
23/10/2021
CONCLUZIE (2)
Conductoare:
La temperatura absolută 00 K toate nivelele din banda de valenţă (BV) sunt
ocupate şi cele din banda de conducţie (BC) sunt libere;
Nivelul Fermi separă cele două benzi; dacă T creşte, apar electroni de
conducţie care pot participa la conducţie.
Semiconductoare (izolatoare):
La temperatura absolută 00 Kelvin toate nivelele din banda de valenţă (BV)
sunt ocupate şi cele din banda de conducţie (BC) sunt libere;
Poziţia nivelului Fermi nu este precizată;
Electronii nu pot ocupa nivele din banda interzisă (BI);
La energie termică suficient de mare (foarte mare) este posibil ca unii
electroni să treacă din BV în BC.
Numărul acestora depinde de ΔW:
- la germaniu: ΔW = 0,67 eV
- la siliciu: ΔW = 1,1 eV
- diamant: ΔW = 6-7 eV
17
Impurificare
Impurificare cu substanţe pentavalente (Bi, Sb, As, P) – donoare
al 5-lea electron trece uşor în BC – apar electroni de conducţie
la temp. camerei – toate impurităţile sunt ionizate
procesul de generare de perechi nesemnificativ (încă) semiconductor extrinsec
purtătorii majoritari – electronii – semiconductor de tip N
purtătorii minoritari – golurile n >> p
Impurificare cu substanţe trivalente (B, Al, In, Ga) - acceptoare

apare uşor un gol în BV – pot participa la conducţie
la temp. camerei – toate impurităţile sunt ionizate
procesul de generare de perechi nesemnificativ (încă) semiconductor extrinsec
purtătorii majoritari –– golurile – semic. de tip P
purtătorii minoritari – electronii n << p
Fără impurificare – semiconductor intrinsec

numărul golurilor egal cu al electronilor
n =p=ni
18
9
23/10/2021
Nivelul Fermi
Concentraţiile de electroni şi de goluri (n0, p0)
k constanta lui Boltzmann

h constanta lui Plank
(independent de WF)
19
Nivelul Fermi (2)

Semiconductorul intrinsec
Wc −WF WF −Wv
− −
n0 = p0 n e kT
= p e kT
Wc + Wv 3 kT m p
WF = + ln
2 2 q mn
Wc + Wv
0o K WF =
2
20
10
23/10/2021
Nivelul Fermi (3)

Purtătorii ni
Wc −WF W
− −
n = n0 p0 =  n p e
2
i
kT
=  n p e kT
W 3 W
− −
n = const. T e
2
i
3 kT → ni = const. T e 2 kT
Consecinţe:
ni ( Si )  1.5  1010 / cm3  W − 
− −
ni (Ge)  2.5  10 / cm 13 3
n0 =  n e kT
p0 =  p e kT
ni ( Si)  ni (Ge)
Dependenţa de temperatură
21
Nivelul Fermi (4)

Semiconductorul extrinsec (de tip N)
prin generare de perechi n0 = p0 + N d+
prin ionizarea impurităţilor donoare
n0  N d+
Observaţie:
n0  p0
Poziţia nivelului Fermi depinde de

concentraţiile de impurităţi.
Dacă semiconductorul este dopat

neuniform cu impurităţi, la echilibru
termic poziţia nivelului Fermi (nF)
rămâne fixă şi se modifică nivelul BC
şi BV.
22
11
23/10/2021
Conductibilitatea electrică a
semiconductoarelor
Si Si Si
Un electron suplimentar este

+q
-q
disponibil în cazul atomului de
Si P Si Fosfor (P) - donor
Si Si Si
23
semiconductoarelor
Gol creat după ce atomul de

Bor acceptă un electron
24
12
23/10/2021
semiconductoarelor
Legătură covelentă eliberată

de către atomul de Bor
acceptor
25
semiconductoarelor
Golul se deplasează în
interiorul structurii Siliciului
26
13
23/10/2021
Energie semiconductoarelor
Ec
EG = Banda interzisa
Ev
Modelul benzii de energie (BE) a unui

semiconductor cu banda interzisă (EG)
27
semiconductoarelor
Energie
T 00K
28
14
23/10/2021
semiconductoarelor
Nivelul donorilor cu energia de activare (EC-ED)
29
semiconductoarelor
Nivelul acceptorilor cu energia de activare (EA-EV)
30
15
23/10/2021
semiconductoarelor
31
semiconductoarelor
Difuzia purtătorilor de sarcină în prezenţa

gradientului de sarcină
32
16
23/10/2021
semiconductoarelor
Semiconductor Energia Benzii interzise

EG (eV)
Carbon (Diamant) 5.47
Siliciu 1.12
Gemaniu 0.66
Tin 0.082
Arseniură de Galiu 1.42
Fosfură de Indiu 1.35
Azotură de Bor 7.50
Carbură de Siliciu 3.00
Seleniură de Cadmiu 1.70
33
T mic – număr mic de purtători – nu este curent electric

T ambiantă – numărul de purtători mobili de sarcină creşte prin ionizarea
impurităţilor obţinuţi datorită agitaţiei termice
Mişcarea de agitaţie termică dezordonată
Se aplică şi câmp electric
Mişcare dirijată a purtătorilor mobili de sarcină căreia îi corespunde o

viteză medie de deplasare
Se constată proporţionalitatea cu câmpul electric:
 m2 
v= E  Mobilitate (mărime de material) V s 
 
1 1
 n   p (Ge );  n   p (Si )
2 2
34
17
23/10/2021
Curentul de câmp
j n camp = qn n E; j p camp = qp p E

j = qn n E + qp p E = q(n n + p p )E =  E
 = qnn + qp p
semiconductor intrinsec:  i = qni (n +  p )

semiconductor de tip N:   qn n  qN d  n
semiconductor de tip P:   qp p  qN a  p
impurităţi de ambele tipuri se compensează
35
Curentul de câmp
Variaţia cu temperatura
Zonă Temperatură - efect
a1-a2 temperatură joasă – ionizare impurităţi
a2-a3 temperatură ambiantă – toate impurităţile sunt
ionizate
a3-c temperatură mare – creşte concentraţia de
purtători intrinseci
b concentraţia impurităţilor mai mare
Rezistivitatea scade la temperatura ambiantă

(mobilitatea scade cu temperatura).
36
18
23/10/2021
Difuzia purtătorilor de sarcină

Semiconductor dopat neuniform cu
impurităţi, fără câmp electric din exterior
Tendinţa de uniformizare (ca la gaze) prin
proces de difuzie → curent de difuzie;
Apare câmp electric sarcini electrice pozitive

fixe (stânga) şi sarcini electrice negative
mobile (dreapta) care are tendinţa de a
aduce înapoi electronii spre stânga → curent
de câmp.
Rezultă un proces de uniformizare dinamică

Regim staţionar (de echilibru) când
transportul de purtători prin difuzie =
transportul de purtători prin câmp.
37
Curentul de difuzie este proporţional cu

gradientul concentraţiei de purtători:
j n dif = qDn n; j p dif = −qD p p
 cm 2 
Dn , D p   constante de difuzie
 s 
38
19
23/10/2021
Ecuaţiile de transport
j n = j n camp + j n dif = qn n E + qDn n

j p = j p camp + j p dif = qp p E − qD p p
j = jn + j p
La echilibru termic: jn = j p = 0
39
Constanta de difuzie şi Mobilitatea

Caracterizeză acelaşi proces fizic cu caracter
statistic al mişcării dezordonate a purtătorilor de
sarcină
Energia potenţială:
W p = ct. +  (x ) W p = −qU
 (x )
U ( x ) = ct. −
Wp
Potenţialul intern: U = −
q q
 ' (x )
Câmpul intern: E = − grad U =
q
40
20
23/10/2021
Constanta de difuzie şi Mobilitatea (2)

Curentul de electroni la echilibru termic:
dn
jn = qDnn + qn n E = qDn + qn n E = 0
dx
 (x)
−  ( x)
n =  ne kT ln n = ln n −
kT
 ' (x ) dn n
 ' (x )
dn
=− dx sau: =−
n kT dx kT
41

,
Curentul de electroni devine:
n  ' (x )
− qDn  ' ( x ) + qn n =0
kT q
de unde, pentru:  ' ( x )  0,

Dn Dp
n = p = relaţiile Einstein
kT kT
42
21
23/10/2021

,
Ecuaţiile de transport devin:
 q 
jn = qDn  n + E n
 kT 
 q 
j p = qD p  − p + E p
 kT 
kT/q = 26 mV la temperatura camerei
Concluzie :
Echilibrul termic nu depinde de mobilitate sau de
constanta de difuzie
43
Ecuaţiile de continuitate
,
Variaţia în timp a concentraţiei de purtători:
• generare de purtători (termic, iradiere, etc.) – Gn, Gp
• recombinare de purtători (gol + electron → dispar + foton) – Rp, Rn

• deplasare de purtători (div j ≠ 0)
p div j p div j p
= Gp − Rp − = Sp −
t q q
n div j n div j n
= Gn − Rn − = Sn −
t −q −q
S p = Gp − Rp viteza efectivă de creştere
44
22
23/10/2021
Ecuaţiile de continuitate (2)

,
Recombinare:
• Directă
• Indirectă
centri de recombinare
capcane
centri de alipire
Considerăm o generare de purtători care, la un moment

dat, se opreşte. Există p1 > p0 (concentraţia la echilibru)
Sp va fi proporţională cu concentraţia de purtători în exces,

p-p0 de forma:
p − p0 τp este durata efectivă de viaţă a
Sp = −
p purtătorilor în exces
45

,
Dacă : div j p = 0 se obţine ecuaţia diferenţială:

dp p − p0
=−
dt p
Şi având condiţia iniţială p(0)=p1
Soluţia este:
t
−
p
p(t ) = p0 + ( p1 − p0 )e
46
23
23/10/2021

,
Concluzii:
• Recombinarea depinde de concentraţiile de purtători:
R p =  pn, unde γ este coeficient de proporţionalitate
• Generarea se face pe cale termică şi viteza de

generare depinde doar de temperatură:
G p =  p0 n0
• Rezultă:
S p = G p − R p = − ( pn − p0 n0 )
47

,
Concluzii (2):
• Fie: p = p − p0 , n = n − n0
S p = − (n0 p + p0 n + np ) 
−  (n0 p + p0 n )
• În cazul semiconductorilor de tip N:
n0  p0 → S p  − n0 p = − n0 ( p − p0 )
• Dar:
p − p0 1 1
Sp = − → p = 
p  n0  N d
48
24
23/10/2021

,
Concluzii (3):
Forma generală a ecuaţiilor de continuitate:
p p − p0 div j p
=− −
t p q
n n − n0 div j n
=− +
t n q
49
Aplicaţii
,
Forma generală a ecuaţiilor de continuitate:
• regim staţionar
• semiconductori de tip N
• model unidimensional
• câmp electric slab
dpn dp
j p = qpn  p E − qD p  −qD p n
dx dx
pn − pn 0 1 dj p
0=− −
p q dx
50
25
23/10/2021
Aplicaţii (2)
dpn dp pn − pn 0 1 d  dp 
j p = qpn  p E − qD p  −qD p n +  − qD p n  = 0
dx dx p q dx  dx 
pn − pn 0 1 dj p ; d 2 pn pn − pn 0
0=− − − =0
p q dx dx2 p
Notăm: L p = D p p lungimea de difuzie a golurilor

x
−
pn ( x) = pno +  pn (0) − pn 0 e
Lp
51
Aplicaţii (3)
 durata efectivă de viaţă
a purtătorilor în exces
(variază între 1ns şi 1ms în
Si şi depinde de densitatea
contaminanţilor cum ar fi
Au sau Pt)
lungimea de difuzie a
golurilor
52
26
23/10/2021
Aplicaţii (3)
53
Concluzii pentru Semiconductoare
• Cel mai utilizat material este Siliciul

• Cristalele pure sunt semiconductori intrinseci
• Cristalele dopate (impurificate) sunt
semiconductori extrintrinseci
• Cristalele dopate (impurificate) pot fi de tip n
sau de tip p type
• Semiconductorii de tip n au purtători minoritari
(goluri).
• Semiconductorii de tip p au purtători minoritari
(electroni).
54
27
23/10/2021
Diamantul Hope
Diamantul Hope este unul din
exemplele cele mai frapante de
semiconductori naturali dopaţi
Este cel mai mare diamant albastru

din lume (45,52) carate
Diamantul Hope conţine urme de bor şi conduce electricitatea faţă de un diamant pur,
care este izolator.
Nivelul energiei acceptor este foarte mică, chiar şi energia termică la nivelul temperaturii
camerei poate produce această schimbare, iar golurile rezultate din banda de valenţă se
pot deplasa în prezenţa unui câmp electric
55
56
28
23/10/2021
57
29
Analogică (EEA)

• Joncţiunea P-N;
liniare.
1
Joncţiunea P-N
1. Procese fizice
Joncţiunea P-N
Joncţiunea P-N este un semiconductor eterogen format din două regiuni
distincte
• una este dopată cu impurităţi acceptoare, iar
• cealaltă cu impurităţi donoare;
Cele două regiuni formează o singură reţea cristalină.
Material de tip P Material de tip N Joncţiunea P-N ideală

ALLPORT, Christopher, SINES, Paul, SCHREINER, Brandon & DAS, Biswajit
Department of Computer Science & Electrical Engineering, West Virginia University, USA
Doparea diferită se realizează prin procedee tehnologice adecvate.
2
Analiză
Presupunere
existenţa unei joncţiuni P-N în care în zona P s-a folosit
o concentraţie de impurităţi acceptoare, pp
p p  Na
iar in zona N, s-a folosit o concentraţie de impurităţi nn  N d

donoare, nn
practic sunt ionizate în întregime la temperatura

camerei,
Analiză (2)
3
Analiză (3)
© Analog Devices
Nivelul Fermi în semiconductor
Tip P (stânga) şi de tip N (dreapta)

4
Faptul că cele două regiuni de tip diferit sunt una lângă alta face ca în
dreptul joncţiunii golurile din zona P să difuzeze în zona N;
golurile pătrunse în zona N se recombină rapid cu electronii care sunt
majoritari;
acelaşi lucru se întâmplă cu electronii din zona N care difuzează în zona P;
rezultă că apare un curent de difuzie.
Prin plecarea golurilor din zona P în zona N, în imediata vecinătate a

joncţiunii apare o zonă cu sarcină negativă care este sarcina ionilor acceptori
pentru neutralizarea cărora nu mai sunt suficiente goluri; la fel, în zona N;
această sarcină spaţială fixă crează un câmp electric, ρ(x), care duce la
aparitia unui curent de câmp ce se opune curentului de difuzie.
Deci, în dreptul joncţiunii apare o barieră de potenţial care duce, prin

curentul de câmp, la starea de echilibru; deci, prin joncţiune, la echilibru
termodinamic, nu există un transport net de purtători.
Nivelul Fermi în semiconductor (2)
Tip P Ge dopat cu Ga
Tip N Ge dopat cu As
wanda.fiu.edu
10
5
wanda.fiu.edu
11
wanda.fiu.edu
12
6
In regiunile neutre există purtători mobili de sarcină în număr mare, iar
conductibilităţile electrice vor fi:
- în regiunea p:  p  q p p p
- în regiunea n:  n  q n pn
unde :
μp mobilitatea purtătorilor de tip p
pp concentraţia purtătorilor de tip p
μn mobilitatea purtătorilor de tip n
pn concentraţia purtătorilor de tip n
valori suficient de mari pentru a considera conducţia curentului foarte bună.

În primă aproximaţie, se presupune că rezistenţa electrică a acestor zone
este suficient de mică astfel încât pot fi neglijate căderile de tensiune
corespunzătoare. În aceste condiţii, limitarea curentului prin joncţiune va fi
determinată de regiunea de trecere în care numărul de purtători mobili de
sarcină este mai mic.
13
Joncţiunea P-N
2. Echilibru termodinamic
14
7
Se determină:
• lungimea regiunii de trecere, l=lp+ln
• înălţimea barierei de potenţial, U0
Aproximaţii:
ni2
p p  n p p p n p = ni2 p p  Na np 
Na
n2
nn  pn nn pn = ni2 nn  N d pn  i
Nd
Model unidimensional
15
Lungimea regiuni de trecere

Densitatea de sarcină electrică din regiunea de trecere:
− l p  x  0  = q− N a + p( x) − n( x)  −qN a

0  x  ln  = qN d + p( x) − n( x)  qN d
în zona de trecere p(x) şi n(x) sunt neglijabile, regiune golită de purtători mobili de sarcină
sunt neglijabile, regiune golită de purtători mobili de sarcină
Concluzie:
• pentru semiconductorul P:  2  −qN a  −qp p
• pentru semiconductorul N: 1  qN d  qnn
16
8
Se determină variaţia lui u(x) în
regiunea de trecere:
u2(x) şi u1(x)
Se rezolvă ecuaţia lui Poisson în

cele două regiuni şi se pun
condiţiile de continuitate în origine:

u = −

Unde ε = εrε0 este permitivitatea electrică a materialului semiconductor
17
Zona 2
d 2u2 ( x) qp p
=
dx 2 
du2 ( x)
cu condiţiile la limită: u2 ( x) x = −l = 0 =0
p
dx x=−l p
du2 ( x) qp p qp p l p
Integrând: = x + C1 C1 =
dx  
(x + l p ) u2 ( x) = 12  p (x + l p )2 + C2
du2 ( x) qp p qp
=
dx 
C2 = 0 u2 ( x) =
1 qp p
(x + l p )2
2 
18
9
Zona 1
d 2u1 ( x) qpn
=
dx 2 
du1 ( x)
cu condiţiile la limită: u1 ( x) x =ln = 0 =0
n
dx x =ln
du1 ( x) qn qnn ln n
Integrând: = − n x + C3 C3 =
dx  
du1 ( x)
= − n ( x − ln ) u1 ( x) = −
qn 1 qnn
(x − ln )2 + C4
dx  2 
C4 = U 0 u1 ( x) = U 0 −
1 qnn
(x − ln )2
2 
19
Racordarea soluţiilor:
• Pentru: x= 0 u1 (0) = u2 (0)

U0 =
1 qp p 2 1 qnn 2 1 q
2 
lp +
2 
ln =
2
nnln2 + p p l p2 ( )
du1 ( x) du2 ( x) qp p qnn

= lp = ln
dx x =0 dx x =0  
lp nn
nnln = p p l p =
ln pp
20
10
Racordarea soluţiilor (2):
nn
Avem: l = ln + l p lp = l
p p + nn
1q l 2 p 2p l 2 nn2 
U0 = nn +
2   (nn + p p )2 (nn + p p )2 
p p
Se deduce lungimea zonei de trecere:

2U 0 p p + nn
l=
q p p nn
Observaţii:
• lungimea de trecere este mică dacă zonele sunt dopate puternic;
• regiunea de trecere se extinde mai mult în zona mai puţin dopată cu
impurităţi.
21
Înălţimea barierei de potenţial
Varianta 1:
dp
La echilibru termic: j p = qp p E − qD p =0
dx
dn
jn = qn n E + qDn =0
dx
D p 1 dp kT 1 dp kT 1 dn
Se deduc: E= = E=−
 p p dx q p dx q n dx
du kT dp kT dn
Dar: E=− du = − =
dx q p q n
kT p ( x) kT n( x)
u ( x) = − ln = ln
q pc q nc
pc, nc constante de integrare
22
11
Înălţimea barierei de potenţial (2)
Concentraţiile de purtători:
qu ( x ) qu ( x )
−
p ( x ) = pc e kT
n( x) = nc e kT
Condiţii la limită:
x → − u = 0  p = pp ; n = np  pc = p p ; nc = n p
x →  u = U0  p = pn ; n = nn
qU 0 qU 0
−
pn = p p e kT
nn = n p e kT
kT nn kT p p kT p p nn kT N a N d
U0 = ln = ln = ln 2 = ln
q np q pn q ni q ni2
23
Înălţimea barierei de potenţial (3)

Pentru valori tipice ale concentraţiilor de impurităţi,
rezultă valori de ordinul zecimi de V:
N a = 1015 / cm3 ;
N d = 1018 / cm3 ; U 0 = 0,777 V
ni2 = 10 20 / cm 6
24
12
Varianta 2
Se foloseşte structura de benzi
energetice ale semiconductorului:
Se constată:
 2 − 1
 2 = 1 + qU 0 ; U 0 =
q
dar:
W − 1 W −  2
− −
p (ln ) = pn =  p e kT
; p (−l p ) = p p =  p e kT
W − 1 W −  2 +  2 − 1  − 1 qU 0
− − − 2 −
pn =  n e kT
=  ne kT
= p pe kT
= p pe kT
2 1 +  2 − 1 1  2 − 1  − 1
− − − − − 2
n(−l p ) = n p =  n e kT
=  ne kT
=  ne kT
e kT
= nn e kT
Se obţin imediat relaţii identice cu cele obţinute prin metoda

anterioară.
25
Joncţiunea P-N
3. Joncţiunea P-N cu tensiune aplicată
26
13
Regim de echilibru termodinamic
• 4 componente ale curentului

• Numărul de purtători care difuzează
(purtători care înving bariera de
potenţial) depinde de U0
iD = i pM − i pm + inM − inm = 0
27
Regim de echilibru termodinamic (2)
28
14
Aplicare tensiune inversă:

Fizic: la polarizare inversă, nu există difuzie de purtători, dar în
imediata vecinătate a regiunii de trecere apare o generare termică de
perechi de purtători care sunt antrenaţi de câmpul electric; astfel,
curentul invers este un curent de generare.
iD = i pM − i pm + inM − inm  0
Aplicare tensiune directă:
Fizic: la polarizare directă, în imediata vecinătate a regiunii de trecere,
în zona N, va fi un exces de goluri, dar care nu trăiesc mai mult de şi nu
pătrund mai mult de . La fel pentru electronii din zona P. Apare o
recombinare puternică în ambele zone şi se obtine curentul direct
care este un curent de recombinare.
iD = i pM − i pm + inM − inm  0
29
Concluzii:
Curentul prin joncţiune depinde de tensiunea de la bornele
joncţiunii.
 i pM 
i pM − i pm 
= i pm  − 1 = i pm  f (u D ) − 1
 i pm 
Cu condiţia: f(0)=1
La fel şi pentru electroni. Rezultă curentul prin joncţiune de forma:
iD = i pm  f (u D ) − 1 + inm  f (u D ) − 1 = I 0  f (u D ) − 1
I 0 = i pm + inm curent de saturaţie
30
15
Deducerea caracteristicii
curent-tensiune
Aproximaţii pentru calcul:
• joncţiunea este dintr-un semiconductor monocristalin cu ni ;

• fluxuri unidimensionale de purtători;
• regiunea de trecere complet golită de purtători;
• în regiunea de trecere nu au loc fenomene de generare-recombinare;
• lungimile de difuzie sunt mai mici decât lungimile zonelor neutre
(aproximaţia de diodă groasă);
• joncţiune abruptă;
• se neglijează rezistenţele zonelor neutre;
• se neglijează efectele de suprafaţă;
• se consideră temperaturi ambiante; impurităţile sunt ionizate
complet.
31
curent-tensiune (2)
Densitatea curentului
electric este aceeaşi în
orice secţiune:
L p + ln  x   purtătorii de sarcină sunt numai electroni; există

curent de câmp;
ln  x  L p + ln componenta de difuzie a golurilor

componenta de câmp a electronilor
− l p  x  +l n se neglijează generarea -recombinarea de purtători;

densităţile de curent rămân constante;
Similar în zona P
32
16
curent-tensiune (3)
Condiţii la limită:
Lungimea regiunii de trecere se obţine dacă: U 0  U 0 − uD
2U 0' p p + nn u Polarizare directă: l < l0
l= = l0 1 − D
q p p nn U0 Polarizare inversă: l > l0
La limitele zonei de trecere concentraţiile de purtători vor fi:
qU 0' qU 0 qu D qu D
− −
p (l n ) = p p e kT
= ppe kT
e kT
= pn e kT Condiţiile la limită de tip
Shockley;
qU 0' qU 0 qu D qu D
− − uD>0 apare o injecţie de
n(−l p ) = nn e kT
= nn e kT
e kT
= npe kT
purtători
33
curent-tensiune (4)
Densitatea de curent: j D = jn + j p
jn = jn camp + jn dif j p = j p camp + j p dif
În semiconductorul de tip P: p>>n
dn dn
j D = qp p E p + qDn + qn n E p  qp p E p + qDn
dx dx
curent de câmp de goluri + curent de difuzie de electroni + curent de câmp de goluri – neglijabil
Similar în semiconductorul de tip N: n>>p
dp
jD  qn  n En − qD p
dx
34
17
curent-tensiune (5)
Continuitate în regiunea de trecere (la limite):

dn dp
j D = qDn + qp p E p x = − l j D = − qD p + qn n E n x =ln
dx x = − l p p dx x = l n
dp dp dn
qp p E p = −qD p j D = −qD p + qDn
x = −l p dx x =ln dx x = l n dx x = − l p
Ecuaţia de continuitate, în regim staţionar şi pentru flux unidimensional de purtători:
p p − p0 1 dj p j p ( x) = −qD p
dp
=− − =0
t p q dx dx
p − p0 1 d  dp  d 2 p ( x) p ( x) − pn
Rezultă: − −  − qD p  = 0 cu: p = p(x) şi: − =0
p q dx  dx  dx 2 L2p
x x
−
p ( x) = p n + Ae + Be
Lp Lp
Soluţia:
35
curent-tensiune (6)
;
x x
−
p ( x) = p n + Ae + Be
Lp Lp
Soluţia:
cu condiţia la limită: x
−
x→ p( x) → pn  B = 0 p ( x) = p n + Ae
Lp
Condiţia la limită Shockley:

qu D qu D ln
x = ln p(l n ) = pn e kT
A = p n (e kT
− 1)e
Lp
x −ln
qu D −
p ( x ) = p n + p n (e − 1)e
Lp
Pentru uD= 0 p(x)=p0 (echilibru termodinamic)
kT
Pentru uD>0 apare concentraţia în exces care dispare după x>Lp
Se calculează curentul de goluri:

x −ln
1 −
qu D qu D
dp qD p pn
j p (ln ) = −qD p = −qD p pn (e kT − 1)(− = (e kT − 1)
Lp
)e
dx x =ln Lp Lp
x =ln
36
18
curent-tensiune (7)
;
qDn n p qu D
Analog: jn (−l p ) = (e kT
− 1)
Ln
qD p pn qu D
qDn n p qu D
Rezultă: jD = (e kT
− 1) + (e kT
− 1)
Lp Ln
Considerând A aria transversală a joncţiunii: iD = AjD
 qD p qD n  qu D
iD = A p n + n p (e kT
− 1)
 Lp Ln 
qu D
considerăm: iD = I 0 (e kT
− 1)
 qD p qD n 
I 0 = A p n + n p 
 Lp Ln 
I0 curentul de saturaţie
37
curent-tensiune (8)
;
kT kT
Pentru: u D  0 u D  ( = 26mV )
q q
qu D
la temperatura ambiantă, rezultă: iD = I 0 e kT
Pentru: uD  0 u D 
kT
q
iD = − I 0
Semnificaţia curentului de saturaţie:
 qD p pn qDn n p   qD p ni2 qDn ni2   qD p 1 qDn 1  2
I 0 = A + = A +  == A + ni
 L Ln   L N Ln N a   L N Ln N a 
 p  p d  p d
W W
− −
Deoarece: ni = ct.T e
2 3 kT
I 0 = ct.T 3 e kT
Concluzie: I0 se dublează la fiecare 100C pentru Ge şi la 60C pentru Si

I0 este mult mai mic la Si decât la Ge (circa 3 ordine de mărime)
38
19
Joncţiunea P-N
5. Caracteristica diodei reale
39
Caracteristica diodei
Caracteristica ideală a diodei:
 qu D 
iD = I 0  e kT − 1
 
 
40
20
Caracteristica unei diode reale
Caracteristica unei diode reale:
zona I – zona caracteristicii ideale;
zona III – zona curenţilor mari - contează rezisţentele zonelor
neutre – apare o tendinţă de liniarizare a caracteristicii;
zona II – zona curenţilor direcţi de valoare mică – nu se mai pot
neglija fenomenele de generare-recombinare din regiunea de
trecere (care creşte); se obţine o caracteristică de tipul :
qu D
kT Cu valori pentru η de circa 1,2 (pentru Ge) şi, respectiv
e de 1- 1.5 (pentru Si)
zona IV – zona tensiunilor inverse mici (normale);

curentul invers are mai multe componente:
• curentul de saturaţie al joncţiunii (constant);
• curentul de generare din regiunea de trecere (creşte odată cu creşterea valorii inverse a
tensiunii aplicate);
• curentul de pierderi la suprafaţă (dependent de tensiunea aplicată)
Ponderile acestor componente sunt diferite în funcţie de material.
zona V – zona tensiunilor inverse mari, în care curentul invers creşte nelimitat (poate fi limitat
numai de circuitul exterior). Sunt 2 fenomene:
• fenomen Zener – smulgerea de purtători din reţea prin câmp electric;
• fenomen de multiplicare în avalanşă – producere de purtători prin generare sau prin câmp
electric, accelerarea acestora, ciocnirea cu reţeaua şi smulgerea altor purtători.
41
Caracteristica unei diode reale (2)
Curentul invers prin dioadă (negativ): iinvers = MI 0
1
Coeficient de multiplicare în avalanşă: M= m
u 
1 −  D 
 U str 
U str tensiune de străpungere – dependentă de

concentraţiile de impurităţi;
m exponent dependent de material: 3 pentru Ge tip P+N, 4-7

pentru Ge tip PN+, Si.
42
21
Caracteristica unei diode reale (3)
Aproximarea caracteristicilor:
dioda ideala;
dioda idealizată, cu tensiune de prag, UD cu valori de 0,2-0,3V pentru Ge

şi 0,6V pentru Si (la curenţi relativ mici);
dioda idealizată cu tensiune de prag şi cu rezistenţă serie.
Curentul invers se neglijează, practic, întotdeauna; eventual se ţine

seama de rezistenţa de pierderi, de valoare foarte mare.
43
Joncţiunea P-N
6. Regimul dinamic al joncţiunii PN
44
22
Circuit de polarizare
45
Determinarea PSF
PSF (Punctul Static de Funcţionare)
UD, ID
Ecuaţii: E = RiD + uD
M ( I D ,U D )
iD = iD (uD )
PSF
dreapta de funcţionare statică
Regimul dinamic se aplică peste regimul de curent continuu. Punctul de

funcţionare se deplasează în jurul PSF iar pentru semnale variabile suficient
de mici, comportarea diodei poate fi considerată liniară.
46
23
Determinarea PSF (2)
Regimul dinamic se aplică peste regimul de curent continuu. Punctul de
funcţionare se deplasează în jurul PSF iar pentru semnale variabile suficient
de mici, comportarea diodei poate fi considerată liniară.
Este necesar un model (o schema echivalentă) valabil pentru regimul

dinamic şi anume pentru determinarea curentului prin circuit şi a tensiunii
la bornele diodei.
47
Model la frecvenţe joase

Se pot neglija fenomenele reactive şi modelul va fi
caracterizat printr-o rezistenţă dinamică.
uD = U D + ud
Fie: 
iD = I D + id
componente PSF şi componente variabile
 qu D   q (U D +ud )   qU D qud 
iD = I 0  e kT − 1 = I 0  e kT − 1 = I 0  e kT e kT − 1 =
     
 qU D  qu    qUkTD  qU
qud kTD
= I 0  e kT 1 + d − =
  0
1 I  e − 1  + I
 0 kT e
  kT    
qU D
qud
Rezultă: id = I 0 e kT
kT
48
24
Rezistenţa dinamică
ud kT 1 kT
rd = = =
id q qU D
kT
q( I D + I 0 )
I 0e
La polarizare directă: kT
U D  0, U D  = 0,026 V
q
rd =
kT

kT vT
= rd =
vT 26
= ;  = mV 
q( I D + I 0 ) qI D I D ID ID mA
kT
La polarizare inversă: U D  0, U D 
q
kT
rd = foarte mare
qI 0
49
Model la frecvenţe înalte
Apar elemente capacitive:

• datorită sarcinilor fixe din regiunea de trecere
• datorită sarcinilor mobile din zonele în care are loc difuzia de
purtători de sarcină
Capacitatea de barieră
Sarcina acumulată în regiunea de trecere
(sarcină electron ●concentraţie● volum):
nn
Qb = −qNa AL p = −qNa A l
nn + p p
nn u
Qb = −qN a A l0 1 − D uD  Qb  Cb
nn + p p U0
50
25
Model la frecvenţe înalte (2)
dQb nn  1 1  1 Cb 0
Cb = = −qN a A l0  −  Cb = ;
du D nn + p p  2 U 0  U UD
M
1− D 1−
U0 U0
nn
qN a A l0
nn + p p
Cb 0 = Cb0 este proporţional cu aria joncţiunii;
2U 0
Cb 0
În funcţie de profilul de impurităţi Cb = m Cu m având valori
 uD 
se obţin relaţii de forma: 1 −  cuprinse între 0,3 si 0,5.
 U0 
De regulă, are efect negativ (întârzie răspunsul la frecvenţe înalte).
Aplicaţie: Se foloseşte sub forma de diodă Varicap.
51
Capacitatea de difuzie
Este determinată de surplusul de sarcină obţinut prin difuzie:
x −ln
 qu D  −
Qdp = qAl pexces dx = qAl pn  e kT − 1e
 
dx =
Lp
 
 
n n
x −ln 
 qu D  −  qu D 
= qApn  e kT − 1(− L p )e = qApn L p  e kT − 1
Lp
   
  ln
 
uD  Qdp  Cd
qU D
dQdp q
C dp = = qApn L p e kT
duD kT componenta determinată de goluri;
M
Similar pentru electroni.
52
26
Capacitatea totală de difuzie:
Aq 2 ( pn Lp + n p Ln ) qU D
Cd = e kT
= ct.I D (din PSF).
kT
 N a  N d ; p p 2  nn ;

Pentru o jonctiune P-N:  ni2 ni2
n
 p p=  = pn
 p nn
qU D qU
Aq 2 pn L p 2
q qApn D p L p kTD
Cd  Cdp = e kT = e ;
kT kT L p D p
q
Cd =  pID
kT
53
Concluzii:
• Capacitatea de difuzie este proportională cu curentul direct prin
diodă.
• Capacitatea de difuzie este mai importantă decât capacitatea de
barieră în conducţie directă şi este neglijabilă la polarizarea
inversă a diodei.
Circuitul echivalent la semnale mici al diodei va fi:
54
27
Joncţiunea P-N
7. Variante constructive ale diodelor
55
Variante constructive ale diodelor

Diode Schottky, cu funcţii asemănătoare
diodelor realizate cu joncţiuni PN.
Se realizează prin contact metal-
semiconductor de tip redresor, de obicei Al cu
SiN slab dopat cu impurităţi (< 1017 /cm3)
la contact se formează o barieră de potenţial şi o regiune de sarcină spaţială

extinsă numai în semiconductor. Rezultă că dioda Schottky funcţionează
numai cu purtători majoritari.
la echilibru termodinamic curentul prin diodă este nul prin compensarea
celor două componente de electroni ce depăşesc cele două bariere de
potential, ΦB şi U0
la polarizare directă (uD > 0) bariera semiconductor-
 qu D 
metal se micşorează şi creşte numărul de electroni ce
iD = I 0  e kT − 1, cu   1
trec din semiconductor în metal; apare curent direct care  
ascultă de relaţia:  
la polarizare inversă (uD < 0) bariera de potenţial creşte şi

fluxul de electroni de la semiconductor spre metal scade
foarte mult.
56
28
Variante constructive ale diodelor (2)
Diode Schottky - Proprietăţi
Căderea de tensiune directă este mai mică (circa la jumătate) decât la o

diodă bazată pe joncţiune PN (regiunea de trecere se extinde numai în
semiconductor);
în regim dinamic contează numai rezistenţa diamică şi capacitatea de

barieră (capacitatea de difuzie nu există deoarece nu sunt purtători
minoritari de sarcină) →funcţionare foarte bună la frecvenţe mari şi în
comutaţie (timpi de comutaţie mai mici de 100 ps).
57

Diode de semnal mic
Diverse utilizări
Parametri:
• curentul maxim direct admisibil – 50 - 100 mA
• tensiunea invers maxim admisibilă – 20 – 100 V
• putere disipată maxim admisibilă – 150 mW
58
29
Diode redresoare
Utilizare în conversia ca – cc pentru frecvenţe de până la 400 Hz
Parametri:
• curentul maxim direct admisibil –10 mA – 100 A
• tensiunea invers maxim admisibilă – 10 – 1000 V
• putere disipată maxim admisibilă – 0,1 – 100 W
(se pot utiliza şi sub forma de punţi redresoare)
59

Diode de detecţie
Demodularea semnalelor, funcţionează la frecvenţe mari şi
foarte mari, dar la puteri mici. Pot fi diode cu joncţiuni sau
diode Schottky
Diode varicap
cu utilizare în circuite acordate, oscilatoare, filtre, la care
se foloseşte dependenţa capacităţii de barieră a diodei de
tensiunea inversă aplicată; capacitatea de barieră este
proporţională cu aria joncţiunii:
Cb 0
Cb = m
 UD 
1 − 
 U0 
60
30
Diode de comutaţie
Utilizate în circuite de comutaţie; parametrii principali îi
reprezintă timpii de comutaţie directă şi inversă; de obicei,
parametrii referitori la mărimile maxim admisibile nu sunt
limitativi.
Diode Zener
se bazează pe fenomenul de multiplicare în avalanşă.
tensiunea stabilizată este cuprinsă între 3V şi 100V iar
curentul prin diodă este de ordinul a 10 - 100 mA, în funcţie
de puterea diodei.
61
Diode Tunel (Esaki)

Sunt de tipul P+N+ la care surplusul de purtători trece peste
bariera de purtători prin efect tunel; are caracteristica cu
rezistenţă negativă şi se foloseşte în circuite care funcţionează
la frecvenţe mari sau în circuite de comutaţie.
Diode generatoare şi amplificatoare de microunde

IMPATT, TRAPATT, BARIT – funcţionează după alte principii
fizice.
62
31
Fotodiode (fotoelemente)
Sunt diode cu joncţiuni sau de tip
Schottky la care radiaţiile luminoase
pot pătrunde prin capsulă şi sunt
absorbite de materialul semiconductor
– ca urmare se intensifică procesul de
generare de perechi electron-gol şi se
modifică curentul de saturaţie al
diodei. Se foloseşte numai cu
polarizare inversă.
Sunt realizate din joncţiuni de tipul GaAs,

semiconductor cu banda interzisă de circa 1,6 -
1,7 eV. În urma recombinărilor directe, se emit
cuante de lumină în spectrul vizibil, cu diferite
culori. Functionează numai la polarizare directă.
63

Diode electroluminiscente (LED)
64
32
Diode electroluminiscente (LED)
65
33
Analogică (EEA)

• Joncţiunea P-N;
liniare.
1
Circuite elementare cu
diode
1. Procese fizice
Dioda
• O dioda este formata prin

interfatarea unui semiconductor
de tip n cu un semiconductor de
tip p.
• Jonctiunea pn este interfata
dintre regiunile n si p.
Simbolul Diodei
2
Potenţialul de-a lungul joncţiunii
Densitatea de sarcina Cimpul electric Potentialul
N N 
 j = −  E(x)dx = VT ln
kT
A D
2
, VT =
 ni  q

5
Potenţialul joncţiunii diodei pentru diferite tensiuni
3
Caracteristica i-v a diodei
Is este curentul invers de saturatie
Ecuaţia Diodei
  qv     v  
i D = I S  exp D  − 1 = I S  exp D  − 1
  nkT     nVT  
Unde: IS = curentul de saturatie inversa (A)
vD = tensiunea aplicata diodei (V)
q = sarcina electronului (1.60 x 10-19 C)
 k = constanta lui Boltzmann (1.38 x 10-23 J/K)
T = temperatura absoluta (K)
n = factor de neidealitate (fara dimensiune)
VT = kT/q = tensiunea termica (V) (25 mV la temperatura camerei)
IS are valori tipice intre 10-18 si 10-9 A, si este puternic dependent de temperatura si este
dat de ni2. Factorul de neidealitate este aproape de 1, dar poate fi aproape 2 pentru
dispozitive cu densitati mari de curent.
4
Curentul diodei pentru polarizare inversă, zero şi
directă
• Polarizare inversa:
  v  
iD = I S exp D  − 1  I S 0 − 1  − I S
  nVT  
• Polarizare zero:
  v  
i D = I S  exp D  − 1  I S 1 − 1  0
  nVT  
• Polarizare directa:
  v    v 
 i D = I S  exp D  − 1  I S exp D 
  nVT    nVT 


9
Reprezentarea Semi-logaritmică a curentului diodei
I S [ A] = 10I S [B] = 100I S [C ]
10
5
Analiza circuitului cu Diode
Ecuatia buclei de circuit este :

V = I D R + VD
Aceasta este asa numita linie de
sarcina pentru dioda. Solutia acestei
ecuatii poate fi gasita prin:
• Analiza grafica utilizind metoda
V si R poate reprezenta
liniei de sarcina.
echivalentul retelei Thevenin.
• Analiza utilizind modelul
Objectivul analizei circuitului matematic al diodei.
diodei este de a gasi punctul static • Analiza simplificata utilizind
de functionare pentru dioda, modelul ideal al diodei.
constind dintr-un curent si tensiune • Analiza simplificata utilizind
continue care definesc modelul cu tensiune constanta.
caracteristica i-v a diodei.
11
Exemplu: Analiză linia de sarcină
Problema: Gasirea PSF (punctul Q)

Date: V=10 V, R=10kW.
Analiza: 10 = I D 104 + VD
Pentru a defini linia de sarcina

folosim:
VD= 0 I D = (10V / 10kW) = 1mA
VD= 5 V, ID =0.5 mA
Rezulta:
PSF ( punctul Q) = (0.95 mA, 0.6 V)
12
6
Analiză: Modelul Ideal pentru Diodă
Daca dioda este polarizata direct, tensiunea de-a

lungul diodei este zero.
Daca dioda este polarizata invers, curentul prin
dioada este zero.
vD =0 pt iD >0 si vD =0 pentru vD < 0
Astfel dioda poate fi considerata ca fiind

deschisa sau inchisa.
13
Modelul Ideal pentru Dioda: Exemplu
Sursa forteaza un curent pozitiv prin Sursa forteaza un curent invers prin
dioda ceea ce presupune ca dioda este dioda ceea ce presupune ca dioda este
deschisa. inchisa. Prin urmare ID =0 . Ecuatia
buclei este:
(10 − 0)V
ID = = 1mA 10 + VD + 10 4 I D = 0
10kW
VD = −10V Presupunerea noastra este
I D  0 Presupunerea noastra este
adevarata.
adevarata.
PSF: punctul Q este (1 mA, 0V) PSF: punctul Q este (0, -10 V)
14
7
Analiza modelului pentru dioda cu tensiune
constantă
Analiza:
Sursa de 10V forteaza un curent pozitiv prin

dioda, ceea ce presupune ca dioda este deschisa.
.
(10 − Von ) V
ID =
vD = Von pt iD >0 si 10kW
vD = 0 pt vD < Von. (10 − 0.6) V
= = 0.94 mA
10kW
15
Analiza circuitelor cu doua diode
Alegem modelul ideal pentru diode Pentru inceput

sursa de 15V forteaza un curent pozitiv prin D1 si D2
si sursa de -10V forteaza un curent pozitiv prin dioda
D2, presupunind ca ambele diode sunt deschise.
Tensiunea in nodul D este zero datorita scurt
circuitului diodei ideale D1,
(15 − 0)V
I1 = = 1.50mA I D2 = 0 − (−10)V = 2.00mA
10kW 5kW
I =I +I I =1.5 − 2 = −0.50mA
1 D1 D2 D1
PSF: punctele Q sunt (-0.5 mA, 0 V) si (2.0 mA, 0 V)
Dar, ID1 <0 nu este permis pentru dioda !
16
8
Analiza circuitelor cu două diode (2)
Curentul prin dioda D1 este zero, ID2 = I1,

15 −10,000I − 5,000I − (−10) = 0
1 D2
25V
I = =1.67mA
1 15,000W
V =15 −10,000I =15 −16.7 = −1.67V
D1 1
Pentru inceput este curent in
D2 dar acesta este invalid in
PSF: punctele Q sunt
D1, deci in aceasta situatie
dioda D1 este inchisa si D1 : (0 mA, -1.67 V):inchisa
dioda D2 este deschisa.
D2 : (1.67 mA, 0 V) :deschisa
17
Dioda în Modul de funcţionare inversă
Alegem 2 puncte (0V, -4 mA) si (-5 V, -3 mA)

pentru a trasa linia de sarcina, care intersecteaza
caracteristica i-v in punctul Q (-2.9 mA, -5.2 V).
Utilizind modelul liniar pe portiuni:
I = −I  0
Z D
20 − 5100I − 5 = 0
Z
(20 − 5)V
I = = 2.94mA
Z 5100W
Utilizind analiza liniei de sarcina: Avem IZ >0 (ID <0), solutia este consistenta
− 20 =V + 5000I cu presupunerea facuta pentru dioda Zener.
D D
18
9
Regulator de tensiune utilizând dioda Zener
V −V (20 − 5)V
I = S Z= = 3mA
S R 5kW
V 5V
I = Z= = 1mA
L R 5kW
L
I = I − I = 2mA
Z S L
Pentru o functionarea corecta curentul prin
dioda Zener trebuie sa fie pozitiv. Daca curentul
Zener <0, atunci dioda nu poate controla
Dioda Zener pastreaza tensiunea tensiunea si este in zona de intrerupere a
constanta de-a lungul rezistentei functionarii.
de sarcina. Pentru functionarea V 



normala a diodei Zener trebuie I = S −V  1 + 1   0 R  R = R
Z R Z  R R  L  V 
 min
ca IZ >0.  L  S −1
V 
 Z 
19
Regulator de tensiune utilizând dioda Zener:

Exemple (Considerând rezistenţa Zener)
Problema: Sa determinam tensiunea

de iesire si curentul diodei Zener
pentru un regulator cu dioda Zener .
Date: VS=20 V, R=5 kW, RZ= 0.1 kW,

VZ=5 V
Analiza: Tensiunea de iesire este V − 20V V − 5V V

Z + L + L =0
functie de curentul prin dioda Zener. 5000W 100W 5000W
V = 5.19V
L
V − 5V 5.19V − 5V
I = L = =1.9mA  0
Z 100W 100W
20
10
Circuite Redresoare
• Redresoarele la baza convertesc o tensiune alternativa (ac)

intr-o tensiune continua (dc) pulsatorie.
• Un filtru elimina apoi componenta alternativa a formei de unda
pentru a produce la iesire o tensiune continua aproape constanta.
• Circuitele redresoare sunt utilizate in toate dispozitivele electronice
pentru a converti surse de tensiune alternativa (220V – 50Hz; 120V
– 60Hz) la o tensiune continua dorita pentru functionarea
dispozitivelor electronice.
• In circuitele redresoare, starea diodelor se schimba in timp si gasirea
modelului liniar pe portiuni este valabil doar pe anumite intervale de
timp.
21
Circuite redresoare semialternanţă cu sarcină

rezistivă
Pentru un semiciclu pozitiv al intrarii, sursa forteaza un curent pozitiv prin

dioda, dioda fiind deschisa, vo = vs.
Pe durata negativa a semiciclului, curentul negativ nu poate fi in dioda,
dioda este blocata, curentul prin rezistor este zero si vo =0 .
22
11
Circuite redresoare semialternanţă cu sarcină
rezistivă(2)
Pe durata pentru care starea diodei este

vo =(VP sinwt)- Von. Tensiunea de iesire este zero
cind dioda este blocata.
Adesea un transformator ridicator sau cobaritor de
tensiune este folosit pentru a converti tensiunea de
220V-50Hz sau 120V-60V la o valoare alternativa
dorita.
Componentele variabile in timp in circuitul de

iesire sunt eliminate utilizind un filtru capacitiv.
23
Circuit detector de vârf
Pe durata cresterii tensiunii, dioda este

deschisa si capacitorul (initial descarcat)
se incarca pina la valoarea tensiunii de
intrare mai putin valoarea caderii de
tensiune pe dioda.
La virful tensiunii de intrare, curentul
prin dioda incearca sa se schimbe, dioda
se blocheaza, condensatorul nu are cale
de descarcare si pastreaza tensiunea
constanta furnizind o tensiune constanta
la iesire:
Vdc = VP - Von.
24
12
Circuit redresor semialternanţă cu sarcină RC
Tensiunea de intrare creste pe durata primului
sfert de ciclu, dioda este deschisa si
capacitorul (initial descarcat) se incarca pina la
valoarea virfului tensiunii de intrare.
La virful tensiunii de intrare, curentul prin
dioda incearca sa se schimbe, dioda se
blocheaza, condensatorul se descarca
exponential prin rezistenta R. Descarcarea
continua pina cind tensiunea de intrare
depaseste tensiunea de iesire care are loc
aproape de virful urmatorului ciclu. Procesul
se repeta la fiecare ciclu.
Acest circuit poate fi folosit pentru a genera
tensiune negativa, daca condensatorul are
montat terminalul superior la masa. In acest
caz, Vdc = -(VP - Von)
25
Circuit redresor semialternanţă cu sarcină RC (2)
Tensiunea de iesire nu este constanta ca in cazul detectorului de virf, dar are

o tensiune de riplu Vr.
Dioda conduce pentru un scurt timp DT numit interval de conductie si
dureaza fiecare ciclu si unghiul echivalent este numit unghi de conductie θc.
T  DT  (VP −Von ) T
Vr  (V −Von ) 1− 
P RC  T  R C
1 2T (VP −Von ) 1 2Vr

DT  w =w
RC V V
P P
2Vr
c = wDT =
V
P
26
13
Analiza Circuitului redresor semialternanţă : Exemplu
Problema: Sa se calculeze tensiunea continua de iesire, curentul de iesire,

tensiunea de riplu, intervalul de conductie, unghiul de conductie.
Date: tensiunea secundarului Vrms 12.6 (50 Hz), R= 15 W, C= 25,000 mF, Von = 1 V
Analiza:
V =V −Von = (12.6 2 −1)V = 16.8V
dc P
V −V
I = P on = 16.8V = 1.12A
dc R 15W
(V −V )
Utilizind pentru intervalul de timp T=1/50 s, V  P on T = 0.896V
r
R C
2Vr
c = wDT = = 0.377rad = 24.00
V
P
 
DT = wc = c = 0.377 =1.200ms
2f 100
27
Curentul de vârf prin diodă
In redresoare, exista un curent diferit de

zero pentru o foarte mica fractiune a
perioadei T, cind circula un curent
continuu spre sarcina.
Sarcina totala pierduta de capacitor in
fiecare ciclu este alimentata de catre
dioda pe durata intervalului scurt de
conductie, ce cauzeaza un virf de curent
mare prin dioda. Acest puls de curent
repetitiv este modelat ca un triunghi cu
inaltimea IP si latimea DT,
I = I 2T = 37.33A
P dc DT
Utilizind valorile exemplului anterior.
28
14
Curentul de pornire
In afara de curentul de virf, cind sursa de putere este pornita, apare un

curent foarte mare prin dioda, numit curent de pornire.
Pe durata primului sfert de ciclu, curentul prin dioda este aproximativ:
 d 
i (t ) = ic (t )  C  V sinwt  = wCV coswt
d 
 dt
P 

P
Valorile de virf ale acestui curent initial de pornire in jurul valorii t = 0+:
I = wCV =140A
SC P
(utilizind valorile din exemplu anterior).
Valorile curentului de pornire pot fi mai mari decit valoarea estimata

datorita neglijarii rezistentei serie asociata diodei redresoare si
deasemenea a transformatorului.
29
Tensiunea inversă de vârf
Tensiunea inversa de vârf (TIV) a diodei

redresoare determina tensiunea inversa.
Cind dioda este blocata, polarizarea
inversa a diodei este Vdc - vs. Cind vs
atinge virful negativ,
TIV V − vsmin =V −Von − (−V )  2V

dc P P P
Valoarea TIV corespunde cu valoarea
minima a tensiunii Zener pentru dioda
redresoare.
30
15
Puterea disipată în diodă
Puterea medie disipata in dioda este data de:
1T 1T I
P =  v (t )i (t)dt = Voni (t)dt =Von P DT
D T D D T0 D 2 T
0
Von I
dc
Simplificarea este data presupunind aproximarea triunghiulara a curentului prin
dioda si ca tensiunea de-a lungul diodei este constanta la Vdc.
Puterea disipata medie in dioda serie cu rezistenta este data de:
1T
P =  i 2 (t )R dt = I 2R DT = T I 2R
1 4
D T D S 3 P S T 3 DT dc S
0
Aceasta disipare de putere poate fi redusa prin minimizarea curentului de virf prin
utilizarea unei filtru capacitiv mic sau utilizind un circuit redresor bialternanta.
31
Redresoare bialternanţă
Redresoarele bialternanta reduc timpul de

descarcare a condensatorului la jumatate si
necesita jumatate din valoarea filtrului
capacitiv pentru a asigura aceeasi tensiune de
riplu. Restul specificatiilor sunt la fel ca
pentru redresoarele semialternanta.
Inversind polaritatea diodelor se obtine un
redresor bialternanta cu tensiune negativa de
iesire.
32
16
Redresoare bialternanţă în punte
Utilizarea unui transformator cu punct

median pentru redresare bialternata
elimina 2 diode
Toate celelalte specificatii sunt aceleasi
ca pentru redresoarele semialternanta, cu
exceptia TIV=VP.
33
Comparaţie topologie redresoare
• Filtrul capacitiv este factorul major in determinarea costului, marimii

si greutatii in proiectarea redresoarelor.
• Pentru tensiunea de riplu redresorul bialternanta necesita jumatate din
capacitatea de filtrare a unui redresor simpla alternanta. Reducerea
curentului de virf poate reduce disiparea de caldura in diode.
• Beneficiile redresarii bialternanta cresc costurile si complexitatea
circuitului.
• Redresoarele in punte elimina transformatoarele cu punct median,
valoarea tensiunii inverse de virf (TIV) este redusa. Costul diodelor in
plus este neglijabil.
34
17
Utilizarea regulatoarelor de tensiune integrate cu 3
terminale
• Folosesc reactie cu amplificator cu factor mare de amplificare pentru a reduce

riplul tensiunii de iesire. Capacitatile de trecere asigura o cale de impedanta
redusa pentru semnalele de frecventa mare.
• Asigura o stabilizare a sarcinii, mentinind constanta tensiunea de iesire atunci
cind curentul de iesire variaza in limite largi.
• Principala constringere in utilizarea in aplicatii este VREG care nu trebuie sa
scada sub o valoare minima specificata (citiva volti).
35
Convertoare DC-DC: “Boost Converter”
Cind comutatorul este inchis, dioda este

blocata:
Ton V V
i (Ton ) = i (0+ ) +  S dt = i (0+ ) + S Ton
L L L L
0 L
Cind comutatorul este deschis, dioda este i (T ) = i (0+ ) Vo = s
V
L L
deschisa: 1−
V V −V unde  = Ton/T este factorul de
i (T ) = i (0+ ) + S Ton + S o T
L L L L off umplere
Intrucit: 0<<1, Vo > VS.
36
18
Convertoare DC-DC: “Buck Converter”
Cind comutatorul este inchis, dioda

este blocata: T
on V −V V −V
i (Ton ) = i (0+ ) +  S o dt = i (0+ ) + S o Ton
L L L L L
i (T ) = i (0+ )
0
L L
Cind comutatorul este deschis, dioda
Ton
este deschisa: Vo =Vs =Vs
T
V −V
i (T ) = i (0+ ) + S o Ton − o T
V Unde  este factorul de umplere
L L L L off Intrucit 0<<1, Vo < VS.
37
Circuite de prindere sau restaurare CC
Dupa o tranzitie initiala, mai putin de

un ciclu in ambele circuite, forma de
unda este o replica nedistorsionata a
intrarii.
Ambele forme de unda sunt prinse la
zero.
Nivelele sale de cc sunt refacute de
catre circuitele de prindere.
Nivelul de prindere poate fi deplasat
(shiftat) fata de zero adaugind o sursa
de tensiune in serie cu dioda.
38
19
Circuite de tăiere sau limitare
Circuitele de taiere au o cale de cc intre intrare si

iesire, in timp ce circuitele de prindere utilizeaza
cuplare capacitiva intre intrare si iesire.
Caracteristica de transfer a tensiunii prezinta o
amplificare unitara pentru vI < VC, si amplificarea
este zero pentru vI > VC.
Un al doilea nivel de taiere poate fi stabilit (sau
dioda poate fi utilizata) pentru controlul
amplificarii prin comutarea rezistoarelor in cadrul
circuitelor.
39
Comportamentul comutării dinamice a diodei
Capacitatea zonei de golire a diodei

previne modificarea instantanee a
tensiunii si determina un timp de
recuperare. Atit curentul direct cit si cel
invers au o supracrestere cind dioda
comuta deschis sau inchis.
 
 I 
Timpul de stocare este dat de:  = ln 1− F  

S T I  
R 
40
20
Analogică (EEA)
• Procese electronice în dispozitive semiconductoare de

circuit;
• Joncţiunea pn;
• Principii de realizare a circuitelor integrate liniare.
1
Tranzistoare Bipolare
1. Procese fizice
Introducere
Semiconductor eterogen dotat cu impurităţi astfel încât se formează două

joncţiuni PN:
Regiunea din mijloc – bază foarte îngustă d  L p

ordin de mărime: 0,1
Regiuni laterale – emitor, colector
• mult mai dopate
• de acelaşi tip
• au proprietăti electrice şi fizice diferite (prin dopări diferite şi prin
dimensiuni diferite).
2
Procedee de fabricare:
• Aliere
• Difuzie
profilul şi adâncimea zonei difuzate pot fi controlate prin:
• concentraţia de impurităţi,
• prin temperatura de difuzie şi
• prin durata procesului de difuzie.
Regimurile de lucru se stabilesc după modul de polarizare

a celor 2 joncţiuni:
Regim de lucru Joncţiunea EB Joncţiunea CB
Regiunea activă normală (RAN) Direct Invers
Regiunea de saturaţie (SAT) Direct Direct
Regiunea de blocare (BL) Invers Invers
Regiunea activă inversă (RAI) Invers Direct
Procese fizice
Tranzistorul este de tip P+NP+,
funcţionând în RAN.
Joncţiunea EB este polarizată direct:

golurile din emitor trec în bază,d  Lp
puţine goluri se recombină
cele mai multe ajung la colector;
acesta este polarizat invers,
este un câmp electric puternic care
favorizează trecerea golurilor în colector.
goluri injectate de emitor colectate de colector iP ( w) + ir = iP (0)

w este grosimea efectivă a bazei wd
iP ( w) i
Se defineşte: factorul de transport în bază: t = = 1− r → 1
iP (0) iP (0)
3
Procese fizice
golurile din emitor trec în bază
d  L p puţine goluri se recombină
cele mai multe ajung la colector
acesta este polarizat invers
este un câmp electric puternic care
favorizează trecerea golurilor în colector
goluri injectate de emitor
colectate de colector
iP ( w) + ir = iP (0)
Tranzistorul este de tip P+NP+, funcţionând în RAN Se defineşte:
factorul de transport în bază:
w este grosimea efectivă a bazei wd t =

iP ( w) i
= 1− r → 1
iP (0) iP (0)
Procese fizice (2)

Circulă un curent de electroni local datorat
difuziei electronilor din bază în emitor
Baza este mult mai puţin dopată cu impurităti
decât emitorul, curentul de electroni va fi
mult mai mic decât curentul de goluri:
iE = iP (0) + in
Se defineşte:
eficienţa emitorului:
iP (0) i
= = 1− n → 1
iE iE
Tranzistorul este de tip P+NP+, funcţionând în RAN
Joncţiunea CB este polarizată invers:
d  L p
există un curent local al joncţiunii (ca la
w este grosimea efectivă a bazei wd dioda polarizată invers)
4
Procese fizice (3)
Concluzii:
tensiunea mică de pe joncţiunea EB
impune curenţi de colector a căror
valoare nu depinde, practic, de tensiunea
de pe joncţiunea CB;
dispozitivul se comportă la ieşire ca o

sursă de curent
mărime de ieşire (curent) comandată de

o mărime de intrare (tensiune)
Tranzistorul este de tip P+NP+, funcţionând în RAN transfer resistor → transistor.
d  L p
w este grosimea efectivă a bazei wd
2. Ecuaţii de funcţionare
10
5
Ecuaţii de funcţionare
Ipoteze simplificatoare:
• model unidimensional;
• concentraţii constante de impurităţi;
• grosimile zonelor neutre ale E şi C >> lungimile de difuzie;
• nivele mici de injectie (conc. purtători injectaţi << conc. maj.);
• se neglijează fenomenele de generare-recombinare în regiunile de
trecere;
• se presupune absenţa altor agenţi externi;
• tranzistor PNP în RAN;
d  L p , p p , p 'p  nn → se neglijează regiunea de trecere EB.
11
Ecuaţii de funcţionare (3)
Condiţii la limită (de tip Schokley):
qu E qu E
n(−l1 ) = n p e kT
; p (l2 ) = pn e kT
 p ( 0)
quC quC
n(l4 ) = n e '
p
kT
; p (l3 ) = pn e kT
 p ( w)
12
6
Etapa I:
Se neglijează curentul de recombinare din bază;
curentul de goluri din bază este constant
dp dp j p ( 0)
j p ( x) = −qD p = j p (0) = ct. sau: =−
dx dx qD p
j p (0) x = 0 → p ( x ) = p ( 0) = C
Se integrează: p ( x) = C − x cu condiţiile:
qD p x = w → p ( x) = p ( w)
j p (0)
p( x) = p(0) − x (variaţie liniară);
qD p
j p ( 0) qD p
Se calculează: p ( w) = p (0) − w şi rezultă: j p ( 0) =  p(0) − p( w)
qD p w
qD p pn  qukTE quC

sau: j p (0) =  e − e kT 
w  

qu E
kT qD p pn
Pentru RAN: uC  0, uC  j p (0) = e kT
q w
13
Etapa I:

j p ( 0) =  e − e kT 
w   

Pentru RAN:
qu E
kT qD p pn
uC  0, uC  j p (0) = e kT
q w
Semnificaţia lui w:
w  d −l = d −
( )
2 U 0' −u C nn + p p
'
q nn p 'p
Se observă că dacă
uC   w   efect de modulaţie a grosimii bazei (ceea ce duce la ideea de

reacţie internă în tranzistor).
14
7
Etapa II:
Se calculează curentul de recombinare pornind
de la ecuaţia de continuitate, în regim
staţionar:
p p − pn 1 dj p ( x) dj p ( x)
=− − =0
q
 p ( x ) − pn  + =0
t p q dx p dx
w w
  p( x) − p dx +  dj
q
Se integrează pe toată lungimea bazei: ( x) = 0
p
n p
0 0
w w w
 j p ( 0) 
  p( x) − p dx =    p(0) − p
q q
 dj
0
p ( x) = j p ( w) − j p (0) = − jr jr =
p 0
n
 p 0
n −
qD p 
x dx =
1 q j p ( 0) 2
=  p (0) − pn w −
q
w =
p 2  p qD p
qw  1 w qD p pn  kTE  qwpn  kTE 

qu E qu quC qu qu qu
1 E 1 C
 pn e kT − pn −  e − e kT =

 e − 1 − e kT + e kT



 p  2 qD p w   p  2 2 
15
Etapa II:
qpn w  kTE 
qu quC
Rezultă: jr =  e + e kT
− 2
2 p  
qu
qpn w kTE
Pentru RAN: jr  e
2Dp
Etapa III: Curentul local de electroni la joncţiunea emitor-bază:
qDn n p  qukTE 
j n ( 0) =  e − 1
Ln   

16
8
Etapa IV:
Curentul propriu la joncţiunea colector-bază
(ca la o joncţiune PN polarizată invers, dar cu
zona P “subţire”→w):
 qD p pn qDn' n 'p  qukTC 

− jco =  +  e − 1
 w '   colectorul este dopat diferit cu
 L n   impurităţi în comparaţie cu emitorul
 qD p pn qDn' n 'p  Pentru jco s-a luat semnul corelat cu

Pentru RAN: jco =  + 
 w L'n  semnul curentului de colector

Dacă A este aria secţiunilor transversale ale joncţiunilor, curenţii vor fi:

iE = A j p (0) + jn (0) 
iC = A j p  
( w) + jco = A j p (0) − jr + jco 
iB = A jn (0) + jr − jco  = iE − iC
17
Determinarea parametrilor tranzistorului:
Factorul de injectie al emitorului (eficienţa emitorului):

i p ( 0) j p ( 0) 1 1 1
= = = == 
iE j p ( 0) + j n ( 0) j ( 0)
1+ n qDn n p  qukTE  w Dn n p
 e − 1 1+
j p ( 0) Ln    Ln D p pn
1+ 

 e − e kT 
w  

ni2 q
Dar :  n = qnn  n = q Dn
pn kT Dn n p n
=
2
n q D p pn p
 p = qp p  p = q i
Dp
n p kT
1
= →1
w n
1+ baza mai slab dopată decât emitorul, σn << σp
Ln  p
baza cât mai îngustă, w << Ln
18
9
Determinarea parametrilor tranzistorului (2):
Factorul de transport:
i p ( w) j p ( w) j p ( 0) − j r jr
t = = = = 1− =
i p ( 0) j p ( 0) j p ( 0) j p ( 0)
qpn w  kTE 
qu quC
 e + e kT − 2  2 qu E quC

2 p   1  w  e kT + e kT − 2
= 1−  = 1−
 2  L p  qu E quC
 e − e kT  e kT − e kT
w  

2
1 w 
Pentru RAN:  t  1 −   → 1 w  L p
2  L p 
Se observă:
iC = i p ( w) + ico =  t i p (0) + ico =  t iE + ico =  oiE + ico
19
Determinarea parametrilor tranzistorului (3):
Relaţia fundamentală a tranzistorului:
1  1  w 2  w  n 1  w 
2
0  1−     1− −
w  n  2  Lp   Ln  p 2  L p 
1+    
Ln  p
α0 este factorul de curent al tranzistorului în conexiunea BC. Valorile tipice sunt

apropiate de 1 dar mai mici decât 1.
20
10
Reprezentare simbolica
npn pnp
E n p n C E p n p C
B B
C C
B B
E E
• Doparea colectorului ~ 106
• Doparea bazei ~ 107 – 108
• Doparea emitorului ~ 1015
21
Reprezentare simbolica (2)
npn
IE IC
- VCE +
E n p n C E C
- -
VBE IB VBC
B
+ +
C B
B npn
IE = IB + IC
VCE = -VBC + VBE
E
22
11
pnp
IE IC
+ VEC -
E p n p C E C
+ +
VEB IB VCB
B
-
C B
B pnp
IE = IB + IC
VEC = VEB - VCB
E
23
IE IC IE IC
- VCE + + VEC -
E C E C
- - + +
VBE IB VBC VEB IB VCB
+ + -
B B
npn pnp
IE = I B + IC IE = IB + IC
VCE = -VBC + VBE VEC = VEB - VCB
24
12
Modul de operare a tranzistorului npn în zona activă
(RAN)
25
Modul de operare a tranzistorului npn în zona activă

(RAN)
Profilul concentraţiei purtătorilor minoritari în bază şi în emitorul tranzistorului

npn care operează în zona activă vBE  0 şivCB  0.
26
13
3. Caracteristici statice
27
Caracteristici statice
Generale:
1. Caracteristica de transfer
2. Caracteristica de ieşire
3. Caracteristica de intrare
28
14
Caracteristici statice (2)
Generale:
o mărime de ieşire în funcţie de o mărime de

intrare:
- v0 (vi ) sau io (vi ) cu parametru ii ;
- v0 (ii ) sau io (ii ) cu parametru vi ;
29
Generale:
o mărime de ieşire în funcţie de cealaltă mărime de ieşire cu
parametru o mărime de intrare:
- io (vo ) cu parametru ii sau vi ;

- vo (io ) cu parametru ii sau vi ;
30
15
Generale:
o mărime de intrare în funcţie de cealaltă mărime de
intrare cu parametru o mărime de ieşire:
- ii (vi ) cu parametru vo sau io ;

- vi (ii ) cu parametru vo sau io .
31
Caracteristici statice - Conexiuni
Caracteristicile statice ale TBIP:

• în conexiunea BC
• în conexiunea EC
• în conexiunea CC
32
16

33
Conexiunea BC
Caracteristica de ieşire: iC = iC (uC ) i
E = ct .
Relaţii: iC =  oiE + ico
 qD p pn qDn' n 'p  qu C 
ico = − A +  e kT − 1
 w '
Ln   
 
1  1  w 2 
0  1 −   
1+
w n  2  L p  
 
Ln  p
 qu C  pentru uC = 0 , iC = 0
iE = 0 iC = −ico  e kT − 1
  pentru uC  0 iC = ic 0 = ct.
 
34
17
Conexiunea BC (2)
Caracteristica de ieşire: iC = iC (uC ) i
E = ct .
Relaţii: iC =  oiE + ico
35
Conexiunea BC (3)
Observaţii:
caracteristici aproape orizontale, abaterea provenind de la variaţia lui ic0 şi
a lui α0 cu tensiunea uc prin intermediul lui w
caracteristici aproape echidistante la creşteri egale ale curentului de emitor

provenind de la variaţia lui α0 cu cu curentul de emitor (colector);
anularea curentului de colector se face pentru tensiuni de colector pozitive,

mici şi foarte apropiate ca valoare pentru diferite valori ale curentului de
emitor.
Regimuri de funcţionare:
regiunea de blocare (tăiere), pentru iE  0
regiunea activă normală;
regiunea de saturaţie.
36
18
Conexiunea BC (4)
Caracteristica de ieşire: iC = iC (uC ) u = ct .
E
Relaţii:
0
qu E qu E
qD p pn
iC =  oiE + ico =  0 A e kT
+ ico = ct. e kT
+ ico
w w
Observaţii:
caracteristicile nu sunt echidistante;
panta caracteristicilor este mai mare (w apare şi
explicit la numitor şi el scade când tensiunea de
colector creşte în modul);
anularea curentului se face tot pentru valori
pozitive ale lui uc
Aceste caracteristici sunt necesare în cazul

determinării condiţiilor optime pentru cuplarea
în cascadă a unor etaje de amplificare în putere.
37
Conexiunea BC (5)
Caracteristica de intrare: iE = iE (u E ) u = ct .
C
qD p pn  qu E quC
 qD p qu E
Relaţii: iE = A e kT
−e kT   A p n e kT
w  
 w
Observaţii:
caracteristica este exponenţială;
pentru uc=0, caracteristica trece prin origine
influenţa lui uc este mică, prin intermediul lui w
Caracteristica de transfer: iC = iC (iE ) iC = iC (u E )

Relaţii: iC =  o iE + ico
Observaţii:
practic, paralelă cu prima bisectoare;
la curenţi mari, α0 scade
38
19
Conexiunea BC (6)
Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor statice:
Observaţii:
caracteristicile se deplasează către stânga
sus, PSF se apropie de zona de saturaţie.
39
Conexiunea BC (7)
Aproximarea caracteristicilor (model în curent continuu):
Modelul în curent continuu al unui tranzistor
bipolar de tip PNP pentru circuitul de ieşire
cu ic0
Modelul în curent continuu al unui

tranzistor bipolar de tip NPN pentru
circuitul de ieşire fără ic0
Observaţii:
la intrare, tranzistorul poate fi modelat în cea mai
simplă formă cu o tensiune de prag, VD cu valori
tipice de 0,2 V pentru Ge şi 0,6 V pentru Si; curentul
de emitor este stabilit de circuitul exterior;
în colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent
comandat de curentul din emitor; de cele mai multe ori se foloseşte
egalitatea iC  iE care presupune că pentru factorul de curent α0 se ia
valoarea 1.
40
20

41
Conexiunea EC
Caracteristica de ieşire: iC = iC (u 'C ) i

B = ct .
Relaţii: iC =  o iE + ico iE = iC + iB
ico
Se elimină iE şi rezultă: iC =  0iB + iceo iceo =
1− 0
0 factorul de curent
0 = al tranzistorului în
1− 0 conexiune EC
Observaţii:
caracteristicile au panta mai mare deoarece depinde mai
puternic de uc = uC − u E prin intermediul lui w
'
2
1 w  w n
1−   −
0 2  L p  Ln  p 1
0 =  
1− 0  1  w 2 w   1  w 2 w 
1 − 1 −   − n    + n
 2  L p  Ln  p  2  L p  Ln  p
 
caracteristicile trec printr-un punct foarte apropiat de origine;
caracteristicile nu sunt echidistante deoarece dependenţa de curentul de colector a
factorului de curent în conexiune EC este mai mare decât în cazul conexiunii BC.
42
21
Conexiunea EC (2)
Caracteristica de ieşire: iC = iC (u 'C ) u 'B =ct .
Relaţii:
qu E qu ' B
qD p pn qD p pn −
iC =  0iE + ico =  0 A e kT + ico =  0 A e kT
+ ico
w w
uc' = uC − u E = uC + u ' B
Caracteristica de intrare: iB = i ' B (u ' B ) u '

C = ct .
Relaţii:
iB = iE − iC = iE −  0iE − ico = (1 −  0 )iE − ico
2
1 w  w n
1− 0 =   +
2  L p  Ln  p puternic influenţat de u'C
Observaţii:
• Caracteristicile nu trec prin origine;
• Tensiunea u'C are o influenţă mică.
43
Conexiunea EC (3)
44
22
Conexiunea EC (4)
Caracteristica de transfer: iC = iC (iB )

parametru u'C
Relaţie: iC =  0iB + ico
Observaţii:
influenţă mai mare a tensiunii de colector prin
intermediul lui w, care determină o variaţie mai
puternică a lui β0 ;
45
Conexiunea EC (5)
Aproximarea caracteristicilor statice:
Observaţii:
la intrare, tranzistorul poate fi modelat în cea mai simplă formă cu o tensiune de prag,
VD cu valori tipice de 0,2 V pentru Ge şi 0,6 V pentru Si; curentul de emitor este
stabilit de circuitul exterior;
în colector, tranzistorul este modelat printr-un generator de curent comandat

de curentul din bază; de cele mai multe ori se foloseşte egalitatea iC ≈ iE care
presupune că relaţia pentru curentul de colector devine: iC =β0 iB prin
neglijarea curentului rezidual, iC0
46
23
17 Noiembrie – 23 Decembrie 1947
John Bardeen, William Shockley şi Walter Brattain (Laboratoarele Bell)
47
4. Modelul Early
48
24
Factorii de amplificare în curent ai tranzistorului
• Tranzistorul este utilizat pentru prelucrarea semnalelor variabile.

• Semnalele variabile se aplică în serie cu tensiunile de polarizare -
ca urmare, se vor modifica curenţii, deci şi tensiunile pe
rezistenţa de sarcină.
• În cazul general, semnalul variabil se suprapune peste regimul de
curent continuu.
• Tranzistorul – element neliniar – adică relaţiile dintre tensiuni şi
curenţi sunt neliniare. Liniarizarea se poate face în condiţii de
semnal mic.
49
Factorul de amplificare în curent

Definiţie:
i2
factor de amplificare în curent:
i1 u 2 = 0
iC
pentru conexiunea BC: =
iE uC = ct .
iC
pentru conexiunea EC: '=
iB u 'C = ct .
iE
pentru conexiunea CC:  ''=
iB u ''C = ct .
50
25
Factorii de amplificare în curent (2)
Conexiunea BC:
Relaţii: iC =  0iE + ico rezultă, prin derivare:
 d 0   d 
=  0 +  iE 
diC du E
=  0 +  iE  0
diE  diE  u  du E diE 
C = ct .  uC = ct . uC = ct . 
qD p pn qu E
 diE  q
Deoarece: iE = A e kT   = IE
w  du E  PSF kT
d 0 kT 1 kT d 0
rezultă:  = 0 + IE = 0 +
du E uC = ct .
q IE q du E uC = ct .
Deoarece în RAN α0 depinde puţin de uE , rezultă: α ≈ α0
51
Conexiunea BC:
Dependenţa α0 de PSF:
Variaţia lui α0 cu curentul de colector (emitor) este determinată de:
generarea de purtători electroni-goluri din zona de trecere (γ)

efecte la nivel mare de injecţie (βt)
52
26
Conexiunea EC:
Relaţii: iC
'= =
iB u 'C = ct .

iE = iC + iB → iE = iC + iB iC = iE  =
1−
Factor de amplificare în regim variabil în conexiunea EC:  = h21e
Variaţia lui β cu curentul de emitor (colector) este mult mai puternică decât în
cazul conexiunii BC
Conexiunea CC:
nu prezintă elemente importante din punct de vedere al regimului static de
funcţionare; referirile se fac la conexiunea EC.
53
Modelul Early
Condiţii:
semnale variabile mici;
regim staţionar.
Circuitul de intrare iE = iE (u E , uC )
iE iE
Se diferenţiază în jurul unui PSF M (U E , U C , I E , I C ) iE = u E + uC
u E M
uC M
1 1 uC
u E = iE + uC = ren iE +
iE iE K
u E u E
m
− M
iE
uC M
Observaţii: ren rezistenţa naturală a emitorului:

qu E qu
qD p pn iE qD p pn q kTE q
iE = A e kT RAN: uC  0, uC 
kT =A e = IE
w q u E w kT kT
M
54
27
Modelul Early (2)
Rezultă:
1 kT 1 0,026
ren = = = valoare mică;
 iE  q IE IE
 

 E M
u K - coeficientul de modulaţie a grosimii bazei:
qu
iE E
 1  w  1  w
= AqD p pn e kT  − 2  = IE − 
uC M  w  uC M  w  uC M
iE qI E
u E kT 1 reprezintă influenţa ieşirii asupra
K =− M
=− = intrării prin intermediul grosimii
iE 1 w kT 1 w
− IE efective a bazei – reacţia internă în
uC M
w uC M
q w uC M tranzistor
wd −
( )
2 U 0' − uC nn + p p
'
u
= d − l0' 1 − C'
w
=
l0' 1
q nn p 'p U0 uC 2U 0' U
M 1 − C'
U0
Valori tipice pentru K: 103  105

55
Modelul Early (3)

Circuitul de ieşire:
iC =  0iE + ic 0 =  0 (iE , uC )iE + ic 0 (uC )
Se diferenţiază
  0    0  i c 0
iC =  0 i E +  i E  i E +  i E 
  u  u C + u u C
 i E M  C M C M
   0     0  i 
iC =  0 +  iE   iE +  iE  + c 0  uC iC = iE − g cn uC
  i E M   u C M uC M
Observaţii:
 factor de amplificare în curent în conexiunea BC
g cn conductanţa naturală a emitorului – dependenţa de PSF:
56
28
Modelul Early (4)
2 2
1 w  w n 1 w 
 0 = 1 −   −  1−  
2  L p  Ln  p 2  L p 
 0 1 1 w w  1  w  2  1 w 1 w
=− 2 = 2 −    = −2(1 −  0 )
uC 2 L p L p uC  2  L p   w uC w uC
   
 i   0   1 w
g cn = −  c 0 +  iE   = g c 0 + 2 I E (1 −  0 )
 uC M  uC  M  w uC M
1 w kT q 2(1 −  0 )
g cn = g c 0 + 2 I E (1 −  0 ) = gc0 +
w uC M
q kT Kren
Se obţin valori mici pentru conductanţa

naturală a emitorului 10−6 − 10−7 S
Conferă TBIP caracterul de generator de curent
şi în regim dinamic
Pentru semnale rapid variabile, intervin

elementele capacitive Pentru circuitul Early elementele de
circuit depind şi de frecvenţă, ceea
Se adaugă şi rezistenţa distribuită a bazei rx = rbb ' face dificilă utilizarea lui.
57
Capacităţile tranzistorului
La joncţiunea emitor-bază – polarizată direct – capacitatea de
difuzie este mai importantă decât capacitatea de barieră; la
joncţiunea colector bază – polarizată direct – contează ambele Ce = Cde + Cbe Cc = Cdc + Cbc
componente, mai importantă fiind, totuşi, capacitatea de barieră.
Cbe 0 Cbc 0
Capacităţile de barieră – ca la joncţiunea PN: Cbe = Cbc =
U U
1− E 1 − C'
Capacitatea de difuzie este determinată de variaţia sarcinii U0 U0
purtătorilor mobili de sarcină din bază la variaţii ale tensiunii
emitor bază respectiv colector-bază.
qu E qu C
Relaţii: Condiţii la limită de tip Shockley: p(0) = pn e kT ; p( w) = pn e kT

w w
p (0) + p ( w) 1  qu E quC
 1 qu E
Cantitatea totală de sarcină: Qd =  dQd =  qAp ( x)dx = qAw = qAwpn  e kT + e kT   qAwpn e kT

 2
0 0
2 2  
qU E
dQd 1 q w2 q
Capacitatea de difuzie la joncţiunea emitor-bază: Cde = = qAwp n e kT
= IE
duE M
2 kT 2 D p kT
Capacitatea de difuzie la joncţiunea colector-bază:
w kT 1 w
qU E qU E
dQd 1 1 qD p pn q w2 w 2 qI E 1 Cde
Cdc = = qApn e kT
= A e kT
= =
duC M
2 uC M
2 w q w uC M
kT D p 2 D p K kT K K
58
29
5. Modelul Giacoletto
59
Modelul Giacoletto (1)

Este un model pentru care parametrii nu depind de frecvenţă până la o valoare foarte
mare a acesteia  0,5 f
Se deduce din modelul Early:
uC
u E = ren iE +
K
iC = iE − g cn uC
u E uC
iE = − 1
ren Kren 1− −
iE = uE + K u + uE − uC
E
ren ren Kren
u u − uC
iE = E + Su E + E
ren ro
60
30
 u u 
iC =  iC − g cn uC =   E − C  − g cn uC =
 ren Kren 
1
−
= K + u E − uC −  g − 1 −  u
 cn Kr  C
ren Kren  en 
uE − uC uC

iC = SuE + −
ro r
61

Interpretarea rezultatelor
mA
1 S este panta tranzistorului, în
− V
S= K     o =  q I  40I S = 40
mA
o C C
ren ren ren kT V
ren  1   kT
r =  = Sr =    o ro = Kren  K K
1− 1− S S S qI C
1 1− 1− 1 1−

= gcn − = gcn − S = gco +
r Kren  K Kren
62
31
Schema simplificată pentru
frecvenţe joase
Schema simplificată pentru:
amplificare mică frecvenţe înalte

63
6. Parametrii de cuadripol
64
32
Parametrii de cuadripol (1)
Din punct de vedere dinamic, tranzistorul poate fi
caracterizat printr-un model matematic prin care se iau
în considerare relaţiile dintre mărimile de intrare
(curent, tensiune) şi mărimile de ieşire (curent,
tensiune) ale acestuia considerat ca un cuadripol.
Mărimi de intrare:
curentul de intrare, Ii
tensiunea de intrare, Ui
Mărimi de ieşire:
curentul de ieşire, I0
tensiunea de ieşire, U0
65

Relaţiile dintre cele patru
mărimi – determină seturi de
parametri – mai importanţi :
• parametrii y (pentru analiza circuitelor funcţionând la frecvenţe mari)

• parametrii h (pentru analiza circuitelor funcţionând la frecvenţe mici).
Parametrii h se pot măsura în cele mai bune condiţii:

• scurt circuit la ieşire (sarcina formată dintr-o capacitate mare)
şi
• întrerupere la intrare (comandă prin generator de curent).
Vi = hi I i + hrVo
I o = h f I i + hoVo
66
33
Vi = hi I i + hrVo
I o = h f I i + hoVo
67

Vi = h11I i + h12 Vo
Vi
h11 =
Ii Vo = 0V
Vi
h12 =
Vo Vo = 0V
I O = h 21I i + h 22 Vo
Rezolvand Vo = 0V ,
Ii
h 21 =
Io Vo = 0V
Io
h 22 =
Vo I o = 0A
h22 este conductanţa
68
34
Deducerea parametrilor h din parametrii
circuitului echivalent Giacoletto pentru
conexiunea EC
Parametrii h se deduc pornind de la definitie:
Ui
h11 = hi = == rx + Z  Z  =rx + r r  r x + r Valori tipice: kΩ
pentru curenţi de
Ii ordinul mA
kT
Dependent de PSF - prin r =  0 rx are importanţă la curenţi mari;
qI C
La frecvenţe mari intervine şi o dependenţă de frecvenţă;
u b 'e 1
Sub 'e − S−
I2 Z r
h21 = h f = = =  Sr = 
I1 u b 'e u b 'e 1 1
U 2 =0 + +
Z Z  r r
69
I2
h21 = h f =  Sr = 
I1 U 2 =0
• principalul parametru dinamic al tranzistorului;

• numeric, practic egal cu parametrul static β0
• valori tipice: 50 ..... 300
Sr =  permite determinarea parametrului hi dacă se

cunoaşte curentul din PSF
70
35
Se poate pune în evidenţa panta tranzistorului:

 hf hf hf 1
S= = = =
r r hi − rx hi 1 − rx
hi
Ui Z Z r
h12 = hi = =   = 
Uo Ii
Z  + Z  Z  r
• Valori tipice: 10-4 ..... 10-5

• Dependent de PSF;
• Dependent de frecvenţă;
71
1 1 Z  
U o  + +S
Io  ro Z  + Z  Z  + Z 
h22 = ho = = =
Uo I i =0
Uo
1 1 + Sr 1 1 + 
= + = +
ro r ro r
• Valori tipice: 10-4 ..... 10-5 S

• Dependent de PSF;
• Dependent de frecvenţă;
72
36
7. Modelul Ebers-Moll
73
Modelul Ebers-Moll
Set de ecuaţii şi un model valabile pentru orice regim de funcţionare;
Se determină legătura dintre curenţi şi tensiunile aplicate la borne;
• tranzistor cu joncţiuni plane, flux unidimensional;
baza mai slab dopată cu impurităţi p p , p p  nn
'
•
• lungimile zonelor neutre ale emitorului şi colectorului
LE  Ln ; LC  L'n
mult mai mari decât lungimile de difuzie ale electronilor
• lungimea bazei mult mai mică decât lungimea de
difuzie a golurilor d , w  L p , w  d
• nivele mici de injecţie;
• efecte de suprafată neglijabile;
• rezistenţa distribuită a bazei se neglijează
Se determină : p ( x, t ); n( x, t )
74
37
Modelul Ebers-Moll (2)

Ecuaţiile de transport: j p ( x, t ) = −qD p x p( x, t ) 0  x  w,

jn ( x, t ) = qDn n ( x, t ) x0 xd
x
s-a neglijat curentul de câmp faţă de cel de difuzie, tranzistor fără câmp intern
Ecuaţiile de continuitate (valabile pentru orice x şi t)

p ( x, t ) p ( x, t ) − pn 1 
=− − j p ( x, t )
t p q x
n( x, t ) n ( x, t ) − n p 1 
=− + jn ( x, t )
t n q x
Densităţile de curent:
jE (0, t ) = j p (0, t ) + jn (0, t ) iE = AjE (0, t )
curenţii:
jC ( w, t ) = j p ( w, t ) + jn ( w, t ) iC = AjC ( w, t )
75

Se presupune regim sinusoidal de semnal mic:
p( x, t ) = p0 ( x) + p1 ( x)e jt p1 ( x)  p0 ( x)
jt
n( x, t ) = n0 ( x) + n1 ( x)e n1 ( x)  n0 ( x)
Din ecuaţia de continuitate:

p( x, t ) p( x, t ) − pn 1   p( x, t ) 
=− − − qD p
t p q x  dx 
p0 ( x) + p1 ( x)e jt − pn   2 p0 ( x )  2 p1 ( x) 
jp1 ( x)e jt = − + Dp  + e j t  D p p = L2p
p  x
2
x 2 
d 2 p0 ( x ) p0 ( x ) − p n
Ecuaţia de regim staţionar: − =0
dx 2 L2p
d 2 p1 ( x) 1 + j p
Ecuaţia de regim variabil: − p1 ( x) = 0
dx 2 L2p
76
38
qu E
Condiţii la limită Shockley: x=0  p0 (0) = pn e kT pentru orice tensiuni
quC aplicate
x=w  p0 ( w) = pn e kT
x x
−
p0 ( x) = pn + Ae + Be
Lp Lp
Soluţia pentru ecuaţia de regim staţionar:
qu E
Condiţiile la limită: x = 0  p0 (0) = A + B + pn = pne kT
w w
− quC
Lp Lp
x=w  p0 ( w) = Ae + Be + pn = pne kT
Se determină A şi B :
 qu E 
A + B = pn  e kT − 1 = pn BE
  1 1 w
−
w
  w
= =e −e = 2 sh
Lp Lp
w w
−
−
w w
 qu
 Lp Lp Lp
= pn  e kT − 1 = pn BC
Lp Lp e e
Ae + Be
 
 
77

w w
−
− BC B − BE e
Lp Lp
BE e
A= pn ; B= C pn
w w
2 sh 2 sh
Lp Lp
Soluţia pentru regim staţionar:

w w
x − x
− BC − L p
Lp Lp
BE e B − BE e Lp
p0 ( x) = pn e + pn C e + pn
w w
2 sh 2 sh
Lp Lp
 w− x x 
 BE sh + BC sh 
L L
p0 ( x) = pn 1 + p p 
 w 
 sh
Lp 
 
78
39
Pentru RAN:
kT
u E  0; uC  0; uC 
q
qu E quC
BE = e kT − 1; BC = e kT − 1  −1 w  L p ; x  L p
  qu E w− x x 
  e kT − 1 + (−1) 
   Lp qu
Lp  w − x kTE distribuţia liniară din
p0 ( x) = pn 1 +  
  pn e teoria elementară a
w Lp TBIP
 
 Lp 
 
79

w− x x
− BE ch + BC ch
dp0 ( x) Lp Lp
Curenul de goluri: j p 0 ( x) = − qD p = −qD p pn
dx w
L p sh
Lp
Curentul de goluri la joncţiunea emitor-bază:

qD p pn  
j p 0 (0) =  BE ch w − BC 
w  Lp 
L p sh  
Lp
Curentul de goluri la joncţiunea colector-bază:
qD p pn  
j p 0 ( w) =  BE − BC ch w 
w  L p 
L p sh 
Lp
80
40
Curenţii de electroni de la cele două qDn n p  qukTE  qDn n p
j n 0 ( 0) =  e − 1 = BE
joncţiuni (se scriu ca pentru diode): Ln   
 Ln
qDn' n' p  qukTC  qD'n n' p
jn 0 ( w) =  e − 1 = BC
L 'n   
 Ln
Densităţile de curent continuu la cele jE 0 = j p 0 ( 0) + j n 0 ( 0)

două joncţiuni: jC 0 = j p 0 ( w) + jn 0 ( w)
Curenţii de emitor şi de colector (i=jA)
qD p pn   qD n
iE = A  BE ch w − BC  + A n p BE = a11BE − a12 BC
w  Lp  Ln
L p sh  
Lp
qD p pn   qD ' n'
iC = A  BE − BC ch w  − A n p BE = a21BE − a22 BC
w  L p  Ln '
L p sh 
Lp
81
qD p pn w qD n
a11 = A ch +A n p
w Lp Ln
L p sh
Lp
qD p pn
a12 = a21 = A
w
L p sh
Lp
qD p pn w qDn' n'p
a22 = A ch +A
w Lp Ln '
L p sh
Lp
82
41
Ecuaţiile Shockley-Sparks-Teal:
iE = a11 BE − a12 BC
iC = a21 BE − a22 BC
• cele mai generale ecuaţii pentru funcţionarea TBIP;

• parametrii aij depind de parametrii fizici, geometrici
şi tehnologici ai TBIP şi sunt greu de măsurat
83

Punerea în evidenţă a parametrilor măsurabili:
kT
a) RAN u E  0; uC  0; uC  BC = −1 iE = a11BE + a12
q
de unde: i E a12
BE = −
a11 a11
i a  a a
iC = a21BE + a22 = a21  E − 12  + a22 = 21 iE +
 a11 a11  a11 a11
Dar:
iC =  0iE + I c 0
αo şi Ico sunt parametri de c.c. în RAN, măsurabili direct

a21 a
0 = Ic0 =
a11 a11
84
42
b)
kT
uC  0; u E  0; u E  BE = −1
q
rezultă: a12 a
i = I e0 =
a22 a22
αo şi Ieo sunt parametri de c.c. măsurabili direct
Semnificaţiile celor 4 parametri:
din egalitatea: α21 = α12 rezultă: αo Ieo = α1 Ico
deoarece: α0 >> αi (TBIP este nesimetric), rezultă: Ieo << Ico
Se presupune că sunt cunoscuţi parametrii măsurabili α0 , αi , Ieo , Ico
a a11a22 − a12 a21 a11a22 − a11a22 0 i

I c0 = = = = a22 (1−  0 i )
a11 a11 a11
I c0  0 I e0 I e0  i I c0
a22 = a21 = a11 = a12 =
1−  0 i 1−  0 i 1−  0 i 1−  0 i
85
Se înlocuiesc în ecuaţiile Sparks-Teal si rezultă ecuaţiile Ebers-Moll:
I e0 I
iE = BE − i c 0 BC
1 −  0 i 1 −  0 i
 0 I e0 I c0
iC = BE − BC
1 −  0 i 1 −  0 i
Ecuaţiile Ebers-Moll – cele mai generale relaţii ale TBIP –

indiferent de tensiunile de polarizare a joncţiunilor TBIP.
86
43
Relaţiile anterioare se pot scrie sub forma:
BC I c 0 =  0 I e 0 BE − (1 −  0 i )iC
BE I e 0 =  i I c 0 BC + (1 −  0 i )iE
i
iE =
I e 0 BE
−  0 I e0 BE − (1 −  0 i )iC  iE = I e 0 BE +  i iC
1 −  0 i 1 −  0 i
Similar:
0
iC =  i I c 0 BC + (1 −  0 i )iE  − I c 0 BC iC =  0iE − I c 0 BC
1 −  0 i 1 −  0 i
Rezultă:
iE = I e 0 BE +  iiC iC =  0iE − I c 0 BC
Ecuaţiile pentru cei doi curenţi se

pot reprezenta sub forma unui
circuit electric; modelul Ebers-Moll:
87
44
Analogică (EEA)
4. Structuri fundamentale cu TBIP
4. Structuri fundamentale cu
TBIP
4.1. TBIP in conexiune emitor la masă
1
Conexiunea emitor la masă
Schema de principiu:
TBIP - caracterizat prin parametrii
hibrizi hi, hf, hr, ho
Amplificarea de tensiune, Au:

hf Zs
Au = − în majoritatea situaţiilor practice (există şi
hi + Z s h excepţii) este îndeplinită condiţia |ZsΔh| << hi
hf Zs
Au  − = − SZ s Se constată că, pentru o sarcină rezistivă:
hi
• amplificarea este negativă (adică circuitul schimbă faza semnalului de la ieşire cu 180º
faţă de faza semnalului de la intrare);
• valoarea modulului amplificării este proporţională cu impedanţa de sarcină şi, pentru
valori rezonabile ale acesteia poate fi de ordinul zeci-sute;
• modulul amplificării depinde esenţial de PSF prin intermediul pantei S (S40Ic)
Conexiunea emitor la masă
Amplificarea de curent, Ai :
hf Pentru sarcini rezonabile: |hoZs| << 1 şi amplificarea de

Ai = curent se poate calcula cu relaţia aproximativă:
1 + ho Z s
Ai  h f (amplificare de curent mare)
Impedanţa de intrare Zi :
hi + Z s h hr h f Z s kT
Zi = = hi − Z i  hi  h f
1 + ho Z s 1 + ho Z s qI C
(amplificatorul cu EM are o impedanţă de intrare de valoare medie - sute de
Ω sau kΩ - invers proporţională cu curentul de colector din PSF)
2
Conexiunea emitor la masă (2)
Impedanţa de ieşire, Z0:
hi + Z g Raportul dintre hi şi Zg nu poate fi precizat, rezultă

Zo = că nu poate fi luată în consideraţie o relaţie
h + Z g ho aproximativă;
Se pot pune în evidenţă cele două situaţii limită:

Zg = 0, adică pentru comanda cu generator de tensiune ideal,
se obţine:
hi hi 1 1
Z o ( Z g = 0) = = = 
h hi ho − hr h f ho hr h f
1−
hi ho
Zg → ∞, adică pentru comanda cu generator de curent ideal (mai
greu de realizat din cauza circuitelor de polarizare în c.c. a bazei)
se obţine:
1
Z o ( Z g → ) =  Z o ( Z g = 0)
ho
Amplificarea globală de tensiune:

În mod similar se poate determina
U2 Zi − hf Zs şi o amplificare globală de curent
Aug = = Au Aug 
U g Zi + Z g hi + Z g dacă excitarea schemei se face cu
generator de curent.
Amplificarea de putere: (în impedanţă de sarcină rezistivă, Zs=Rs)
h f Rs hf h 2f Rs
AP = Au  Ai =  AP 
hi + Rs h 1 + ho Rs hi
3
Amplificarea de putere realizată de schema
cu emitor la masă este foarte mare (Rs şi hi
+VCC pot avea valori de acelaşi ordin de mărime)
întrucât, în această conexiune, tranzistorul
amplifică şi în tensiune şi în curent;
vout
Dependenţă mai complicată de rezistenţa de
sarcină, în sensul că amplificarea de putere
vin
4Vpp devine nulă atât pentru Rs → 0, cât şi pentru
Rs → ∞, ceea ce înseamnă că există o valoare
Load optimă a rezistenţei de sarcină pentru care
20mVpp
se obţine o amplificare de putere maximă;
hi
Rsopt =
ho h
Cu valorile normale pentru hi şi ho, valoarea

rezistenţei de sarcină optimă este de ordinul
zecilor de kΩ, ceea ce este foarte greu de
realizat în practică.
TBIP
4.2. TBIP în conexiune bază la masă
4
Conexiunea bază la masă
Observaţie: este incomod să se
folosească parametrii hibrizi în
conexiunea bază comun deoarece hrb,
hib, şi hob sunt foarte mici, iar hfb este
foarte apropiat de unu (-1) şi, pentru
toţi aceşti parametri, măsurătoarea Se folosesc relaţiile generale în care
lor directă este mai dificilă şi mai parametrii H se înlocuiesc cu
puţin precisă decât în cazul parametrii hibrizi în conexiunea BC:
parametrilor corespunzători pentru
conexiunea emitor comun, cu valori
numerice mai rezonabile. hi h f + h
hib = ; h fb = − ;
N N
h − h ho h
h rb = − r ; h ob = ; h b =
N N N
Cu N = hf + 1 + Δh – hr
Conexiunea bază la masă (2)
Amplificarea de tensiune, Au:
Aub = −
h fb Z s
=
(h f + h )Z s • expresie asemănătoare cu aceea pentru schema
cu emitor la masă; - amplificarea de tensiune
hib + Z s h b hi + Z s h este pozitivă;
• egală cu aceea a schemei cu emitorul comun (ca
hf Zs modul)
Aub  = SZ s
hi • depinde de curentul de colector din PSF (prin S)
Amplificarea de curent:
h fb h f + h h f + h hf
Aib = =− =− Aib  − = −  −1
1 + hob Z s N + hob Z s h f + 1 + h − hr + hob Z s hf +1
• amplificarea de curent este, practic, egală cu –1;

• semnul (–) nu are semnificaţie, el depinde numai de convenţia de semne
pentru curenţii de intrare şi de ieşire.
10
5
Impedanţa de intrare:
hib + Z s hb hi + Z s h hi 1
Z ib = = expresie aproximativă: Z ib  
1 + ho Z s N + ho Z s hf +1 S
Se recomandă ca, în cazul amplificatoarelor cu mai multe etaje, să nu se conecteze un
amplificator cu BM după un amplificator cu EM pentru că amplificarea de tensiune a acestuia
va fi mult micşorată.
Impedanţa de ieşire:
hib + Z g hi + Z g N
Z ob = =
hb + Z g hob h + Z g ho
Impedanţa de ieşire are o valoare mare (la numărătorul expresiei apare termenul NZg);
Tranzistorul se comportă, la ieşire, ca un generator de curent şi în regim dinamic; (scheme cu BM pot
fi folosite ca sarcini dinamice sau ca generatoare de curent constant, exemple de astfel de scheme
fiind întâlnite în toate circuitele integrate liniare).
Nu se poate da o formă aproximativă atâta timp cât nu este precizată impedanţa de generator, Zg,
decât, cel mult, înlocuind pe N cu hf+1;
pentru cele două situaţii limită în care se poate afla Zg, se obţin rezultatele:
11
Impedanţa de ieşire (2):
Când tranzistorul este comandat cu generator ideal

de tensiune, impedanţa de ieşire este aceeaşi pentru
cele două conexiuni:
hi
Z ob ( Z g = 0) = = Z o ( Z g = 0)
h
Dacă este comandat cu generator de curent:
N hf +1 1
Z ob ( Z g → ) =  
ho ho hob
Valoare foarte mare pentru impedanţa de ieşire, dată de impedanţa joncţiunii colector-bază cu
emitorul în gol;
O valoare foarte mare a impedanţei de ieşire se obţine chiar pentru valori relativ mici ale
impedanţei de generator, fiind suficient ca Zg>>Zib.
hi + Z g (h f + 1) hi + Z g hf Z g hf Z g
Z ob  = + = Zo +
h + Z g ho h + Z g ho h + Z g ho h + Z g ho
din care se observă că, pentru Zg≠0, rezultă Zob>Zo.
12
6
Amplificarea globală de tensiune:
Z ib Este foarte mult afectată de valoarea mică a impedanţei de intrare,

Aug = Aub chiar pentru valori mici ale impedanţei generatorului de tensiune de
Z ib + Z g comandă.
În cazul unei comenzi cu generator de curent, amplificarea globală de
curent este puţin afectată de rezistenţa generatorului de curent de
comandă dacă Zg>>Zib, condiţie uşor de îndeplinit.
Amplificarea de putere: (pentru schema de bază şi pentru o impedanţă de sarcină

rezistivă):
hf h f Rs
AP = Au  Ai = Rs  (1) = = SRs
hi hi
Valoare mare a amplificării de putere (numai pe seama amplificării de tensiune a schemei).
În cazul excitării schemei cu generator de tensiune cu Rg≠0 şi amplificarea totală de putere va

fi afectată dacă Rg nu este neglijabil în comparaţie cu Zib, condiţie, în general, greu de
îndeplinit.
13

+VCC
vin vout
20mVpp 2Vpp
Load
-VEE
• Amplificare în tensiune medie

• Amplificare in curent foarte scăzută
• Impedanţă de intrare scăzută
• Impedanţă de ieşire mare
14
7
TBIP
4.3. TBIP în conexiune colector la masă
15
Conexiunea colector la masă
Observaţie: se folosesc relaţiile
generale în care parametrii H se
înlocuiesc cu parametrii hibrizi
în conexiunea CC, hc, deduşi în
funcţie de parametrii h în
conexiunea emitor comun:
hic = hi ; h oc = ho ; h fc = −(h f + 1) ; h rc = 1 − hr ; h c = N
cu: N = hf + 1 + Δh – hr ≈ hf + 1.
16
8
Conexiunea colector la masă (2)
Amplificarea de tensiune:
− h fc Z s (h f + 1) Z s (h f + 1) Z s
Auc = = 
hic + Z s hc hi + Z s N hi + (h f + 1) Z s
• Amplificarea de tensiune este pozitivă şi subunitară.
• Dacă este îndeplinită condiţia |(hf+1)Zs|>>hi, amplificarea de tensiune devine
aproape egală cu unitatea, adică circuitul repetă la ieşire tensiunea aplicată
la intrare, şi de aici şi denumirea de repetor pe emitor pentru această
conexiune a tranzistorului BIP.
• Condiţia impusă se poate scrie şi sub forma:
hi 1
Zs   hib  sau S Zs  1
hf +1 S
Şi se îndeplineşte în cea mai mare parte a cazurilor practice.
Formula aproximativă pentru amplificarea de SZ s

tensiune a repetorului pe emitor se scrie:
Auc  1
1 + SZ s
17
h fc − (h f + 1)
Aic = =
1 + hoc Z s 1 + ho Z s
Relaţia aproximativă pentru cazul în care |hoZs|<<1, condiţie îndeplinită
aproape întotdeauna în schemele concrete:
Aic  −(h f + 1)
Amplificarea de curent are valoare mare, iar faptul că este negativă nu

are semnificaţie întrucât acest semn depinde de semnele acceptate
pentru cei doi curenţi.
18
9
hic + Z s hc hi + Z s N Dacă se înlocuieşte N cu expresia aproximativă şi se

Z ic = = ţine seama de faptul că, de obicei, |hoZs|<<1,
1 + hoc Z s 1 + ho Z s
rezultă o expresie aproximativă pentru Zic sub
forma:
Z ic  hi + (h f + 1) Z s care arată că impedanţa de intrare în repetorul pe

emitor este foarte mare, de ordinul a zeci de kΩ.
altă formă:
 hf +1 
Z ic  hi 1 + Z s   hi (1 + SZ s )  Z i (1 + SZ s )
 hi 
din care se vede că este mult mai mare decât impedanţa de intrare a amplificatorului
cu emitorul la masă deoarece |SZs|>>1 (în mod obişnuit).
Impedanţa de intrare mare arată că, în cazul unui amplificator realizat din mai multe
etaje în cascadă, cuplarea unui repetor pe emitor ca sarcină nu încarcă prea mult etajul
amplificator anterior şi, deci, nu-i micşorează amplificarea de tensiune;
Această impedanţă de intrare mare va fi afectată mai mult decât în celelalte cazuri de
elementele circuitului de polarizare în c.c. a bazei tranzistorului.
19

Impedanţa de ieşire:
hic + Z g hi + Z g sau, dacă se înlocuieşte N cu relaţia aproximativă
Z oc = =
hc + Z g hoc N + Z g ho şi se neglijează Zgho:
hi + Z g hi Zg 1 Zg
Z oc  = +  +
hf +1 hf +1 hf +1 S hf +1
Impedanţa de ieşire a repetorului pe emitor este foarte mică în comparaţie cu
impedanţele de ieşire ale celorlalte două amplificatoare elementare. Dacă se compară
impedanţele de ieşire ale repetorului pe emitor şi amplificatorului cu emitorul la masă
pentru Zg = 0 se obţine:
hi h h h Raportul hf / Δh este de circa 104, rezultă
Z oc ( Z g = 0) = = i  = Zo
h f + 1 h h f + 1 hf +1 acelaşi raport între cele două impedanţe
de ieşire.
Impedanţa de ieşire de valoare mică arată că repetorul pe emitor este capabil să

comande rezistenţe de sarcină de valoare mică.
20
10
Concluzii:
Repetorul pe emitor:
• Impedanţa de intrare este mare (deci circuitul nu încarcă esenţial

etajul anterior);
• Impedanţa de ieşire este mică (deci circuitul poate comanda orice
sarcină);
• Amplificarea de tensiune este practic unitară.
Repetorul pe emitor este un foarte bun etaj de adaptare între

alte etaje de amplificare ale unui amplificator de tensiune cu
mai multe etaje (şi răspunsul în frecvenţă al repetorului pe
emitor este foarte bun).
21
Amplificarea globală de tensiune :
Este afectată mai puţin de prezenţa impedanţei generatorului de semnal de

valoare nu prea mare, deoarece impedanţa de intrare în repetor este mare:
Z ic
Aug = Au
Z ic + Z g
Amplificarea de putere :
Pentru amplificatorul elementar încărcat cu sarcină rezistivă:
(h f + 1)(h f + 1) Rs
AP = Au  Ai =  hf +1
hi + (h f + 1) Rs
Repetorul pe emitor are amplificare de putere mare realizată pe seama

amplificării de curent.
22
11
+VCC
vin
vout
2Vpp
1.8Vpp
Load
•Amplificare de curent medie
•Amplificare în tensiune foarte mică
•Impedanţă de intrare mare
•Impedanţe de ieşitre zero
23
12
Analogică (EEA)
5. Amplificatoare
Amplificatoare:
• Parametrii amplificatoarelor;
• Amplificatoare elementare cu TBIP şi cu TEC;
• Circuite de polarizare în curent continuu;
• Scheme echivalente şi tranzistoare compuse;
• Circuite de intrare, de ieşire şi cu sarcină dinamică;
• Amplificatoare de putere;
• Amplificatoare diferenţiale;
• Răspunsul în frecvenţă al unui amplificator;
1
5.1. Caracterizarea generala a
amplificatoarelor electronice
5.1.a. Parametrii amplificatoarelor
Parametrii amplificatoarelor
2
Model general Zout
Zin A
Zin A Zout
Mărimi ce caracterizează un amplificator:

Observatie:
în cazul general toate
mărimile sunt complexe
U2
Amplificarea de tensiune: Au = A =
U1
I2
Amplificarea de curent: Ai = Depind de Zs
I1
U
Impedanţa de intrare: Z int = 1
I1
Se anulează sursa de
U semnal dar impedanţa sa
Impedanţa de ieşire: Z ies = 2 internă, Zg , rămâne în
I2 E g = 0; Z g  0; Z s →
circuit
3
Parametrii amplificatoarelor (2)
Amplificarea globală de tensiune: Amplificarea globală de curent:

U2 (pentru excitaţie cu I2
Aug = generator de tensiune) Aig = (pentru excitaţie cu
generator de curent)
Eg Ig
Amplificarea de putere: Amplificare globală de putere
(pentru sarcină
Ap = Au Ai rezistivă)
în cele două situaţii.
Tip
Simbol Relaţie
Amplificare
vout
Tensiune Av Av =
vin
iout
Curent Ai Ai =
iin
Pout
Putere Ap Ap =
Pin
4
Exemplu
𝑣𝑖𝑒𝑠𝑖𝑟𝑒 500 𝑚𝑉
𝐴𝑣 = = = 4.666,67
𝑣𝑖𝑛𝑡𝑟𝑎𝑟𝑒 0,120 𝑚𝑉
Modelul Amplificatorului de tensiune
RS Zout
vS vin Zin Avvin vL RL
Z in RL vL
vin = vS vout = Av vin vL = vout Av (eff ) =
RS + Z in Z out + RL vS
10
5
Efectul combinat al circuitelor de intrare şi de ieşire

RS Zout
20 250
vS Zin RL
v vout vL
15mV in 980 1.2k
Av=340
Z in 980Ω RL 1.2kΩ
vin = vS = (15mV ) vL = vout = ( 5V )
RS + Z in 1kΩ Z out + RL 1.45kΩ
= 14.7mV = 4.14V
vout = Av vin = 340 14.7mV vL 4.14V
Av( eff ) = = = 276
= 5V vS 15mV
11
Caracteristici ale Amplificatorului de tensiune
Ideal Real
Orice valoare a amplificarii O anumită valoare a

amplificării ( nu se poate
(poate fi  dacă este nevoie)
ajunge la infinit)
Impedanţă de intrare infinită Impedanţă de intrare mare
Impedanţă de ieşire zero Impedanţă de ieşire mică
12
6
Alţi parametri:
▪ Banda de frecvenţe
▪ Tensiunea echivalentă de
zgomot;
▪ Puterea debitată în sarcină;
▪ Puterea absorbită de la sursele
de alimentare;
▪ Valori limită absolute pentru
tensiuni, curenţi, puteri;
▪ Etc.
13

5.1.b. Circuitul de ieşire al unui
amplificator
14
7
Circuitul de ieşire al unui amplificator
Zs
U2 = U0
Z s + Z ies
Zs
Zs →  U 2 = U 0 U 2 = U 2
Z s + Z ies
U2 U 2 U 2 U 2 Zs
=A = A =
U1 U1 U1 U1 Z s + Z ies
Zs A 
A = A Z ies = Z s   − 1
Z s + Z ies  A 
15

5.1.c. Amplificator caracterizat prin
parametrii de cuadripol
16
8
Parametri de cuadripol
Orice amplificator, independent de structura sa, de

numărul de elemente active sau pasive şi de tipul
acestora poate fi caracterizat global prin parametrii săi
de cuadripol cu care se pot determina performanţelor
sale globale atunci când este comandat la intrare cu un
generator de tensiune (sau de curent) şi când lucrează pe
o sarcină precizată, Zs
Amplificatorul este caracterizat prin parametrii hibrizi

de cuadripol, H.
17
Parametri de cuadripol (2)

Relaţiile de calcul:


Tranzistor
U 2 = − Z s I 2
U1 = H i I1 + H r U 2 
 U g = U1 + Z g I1
 I 2 = H f I1 + H o U 2 
 U1
 I g = + I1
 Zg
Observatie: pentru circuitul de intrare relaţiile vor

fi diferite – în funcţie de modul de comandă a
amplificatorului.
18
9
I2 Hf
Ai = = U1 = H i I1 − H r Z s I 2 = H i I1 − H r Z s Ai I1
I1 1+ HoZs
U1
Impedanţa de intrare: Z int = = H i − H r Ai Z s
I1
Hr H f Zs H i + Z s H
Z int = H i − =
1+ HoZs 1+ HoZs
U1 = Z int I1 Zs H f Zs
Au = − Ai Mai rezultă: Au = −
U 2 = −Z s I 2 Z int H i + Z s H
Au reprezintă expresia generală a amplificării de tensiune a

amplificatorului caracterizat prin parametrii de cuadripol
19
U g = Z int I1 + Z g I1
U2 Zs
Aug = =− Ai
U 2 = −Z s I 2 Ug Z s + Z int
Amplificarea globală de tensiune
Înlocuind pe Zint şi pe Ai, se obţine:
H f Zs
Aug = −
H i + Z s H + Z g (1 + H o Z s )
Aceeaşi expresie se obţine şi dacă se

observă că:
U 2 U 2 U1 Z int S-a pus în evidenţă divizorul de tensiune

Aug = = = Au între impedanţa Zg şi impedanţa de intrare
U g U1 U g Z int + Z g a amplificatorului
20
10
Amplificarea globală de curent
I 2 I 2 I1 Zg S-a pus în evidenţă divizorul de tensiune

Aig = = = Ai între impedanţa Zg şi impedanţa de intrare
I g I1 I g Z g + Z int a amplificatorului
H f Zg
Aig =
Z g (1 + H o Z s ) + H i + Z s H
Impedanţa de ieşire, în ambele cazuri se anulează generatorul de

tensiune (sau de curent), dar impedanţa sa
H fU2 internă rămâne în circuit
U1 = Z g I1 I1 = −
Z g + Hi
Hr H fU2 U2 Hi + Z g
I2 = − + H oU 2 Z ies = =
Z g + Hi I2 U g , I g =0 H + Z g H o
Z g 0
21
Amplificarea de putere :
Se calculează conform relaţiilor generale
deduse numai pentru sarcini rezistive:
Ap = Au Ai
22
11
Concluzii:
• Relaţiile pot fi folosite pentru orice amplificator caracterizat prin

parametrii H, indiferent de structura sa.
• Pentru circuitele elementare (emitor la masă, bază la masă,
respectiv colector la masă) amplificările de tensiune şi de curent
şi impedanţele de intrare şi de ieşire vor fi determinate cu
relaţiile deduse în care, în locul parametrilor H, vor fi introduşi
parametrii hibrizi corespunzători.
• În funcţie de circuitele concrete de polarizare vor putea fi
determinate amplificările globale de tensiune Aug sau de curent
Aig şi apoi amplificările de putere AP numai pentru sarcini
rezistive.
23

Concluzii (2):
• Având în vedere faptul că impedanţele de intrare şi de ieşire sunt
afectate, uneori în mod esenţial, de rezistenţele din circuitele de
polarizare în c.c., impedanţa de intrare a schemei de principiu va
fi notată cu Zi (pentru schema cu emitor la masă), respectiv Zib
(pentru schema cu bază la masă) şi Zic (pentru schema cu colector
la masă) şi va fi calculată cu relaţia dedusă aici, iar impedanţa de
intrare în amplificator, inclusiv cu circuitul de polarizare se va
nota cu Zint.
• Pentru schema cu EM) respectiv Zob (pentru schema cu BM) şi Zoc
(pentru schema cu CM) şi va fi calculată cu relaţia dedusă în
cazul general, iar impedanţa de ieşire din amplificator, inclusiv
cu elementele circuitului de polarizare se va nota cu Zieş.
• Influenţa elementelor circuitului de polarizare, mai mare sau mai
mică, depinde de schema concretă de polarizare în c.c. şi de
valorile elementelor de circuit în comparaţie cu parametrii
elementelor active.
24
12
5.2. Amplificatoare
elementare cu tranzistoare
Scheme de principiu, scheme electrice,
scheme echivalente
25

scheme echivalente
Performanţele unui amplificator elementar cu tranzistoare
BIP sunt determinate de modul de conectare a acestora.
• terminal de referinţă
• terminal de intrare (de comandă)
• terminal de ieşire (de execuţie)
Circuitele de polarizare în c.c. care au rolul de a asigura

funcţionarea tranzistoarelor într-un punct static de
funcţionare (PSF) în jurul căruia sunt aplicate semnalele
variabile.
TBIP sunt caracterizate prin parametrii de cuadripol hibrizi

în conexiunea EM (dar şi parametrii circuitului echivalent
Giacoletto).
26
13
scheme echivalente (2)
• Schema de principiu prin care se realizează funcţia dorită

(de exemplu amplificare de tensiune, producere de oscilaţii,
modulare, demodulare, etc.)
• Schema electrică completă conţine toate elementele fizice

necesare realizării funcţiei dorite: elemente necesare pentru
polarizarea corectă a tranzistoarelor, pentru corecţii statice
sau dinamice, pentru reglaje, etc.
• Schemele echivalente pun în evidenţă anumite performanţe

ale circuitului cum ar fi comportarea în c.c., comportarea în
regim dinamic, caracteristica de frecvenţă, de zgomot, etc.
27

Exemplu: schemă elementară de amplificare cu un tranzistor, conectat cu

emitorul comun, comandat cu un generator de semnal cu o anumită
rezistenţă de generator Rg şi care lucrează pe o sarcină dată Rs.
Modul de realizare a schemelor echivalente pentru c.c. şi pentru regim

dinamic.
Fiecare mărime electrică are o componentă continuă peste care se

suprapune o componentă variabilă a cărei valoare maximă este astfel
încât să nu modifice comportarea în c.c. a circuitului (condiţie de semnal
minim necesară pentru o comportare liniară a dispozitivelor active).
28
14
Capacităţile Cb şi Cc realizează cuplarea la amplificator a

generatorului de semnal respectiv a rezistenţei de sarcină.
29

Capacităţile Cb şi Cc
Împiedică trecerea curentului continuu

spre generatorul de semnal sau spre
sarcină în aşa fel încât acestea să nu
influenţeze PSF-ul tranzistorului;
Asigură trecerea semnalelor variabile; se va considera că reactanţele

acestor capacităţi la frecvenţele de lucru ale semnalelor sunt foarte mici
(nule) în comparaţie cu rezistenţele care apar în serie cu bornele lor; pe
aceste capacităţi se va stabili o tensiune continuă, dar prin ele nu va
circula decât curentul variabil.
Legile lui Kirchhoff pe ochiuri şi în noduri şi legăturile dintre curenţii şi

tensiunile tranzistorului)
30
15
Legile lui Kirchhoff:
iB = I B + ib uCE = U CE + uce

 
iC = I C + ic u BE = U BE + ube
iRb = I Rb + iRb (v)


iRc = I Rc + iRc (v)
 EC = RbiRb + u BE u g = Rg ig + U Cb + u BE
E = R i + u u = U + u
 C c Rc CE  CE Cc s
ig + iRb = iB iB = iB (uCE , u BE )

i + i = i us = − Rsis 
 Rc s C iC = iC (uCE , u BE )
31

Legile lui Kirchhoff (2):
( )
 EC = Rb I Rb + iRb (v) + U BE + ube

( )
 EC = Rc I Rc + iRc (v) + U CE + uce
u g = Rg ig + U Cb + U BE + ube
U + u = U + u
 CE ce Cc s
În absenţa semnalului variabil (ug=0), în circuit
 I B + ib = ig + I Rb + iRb (v) se stabileşte numai un regim de curent
 continuu:
 I Rc + iRc (v) = is + I C + ic
 EC = Rb I Rb + U BE

 EC = Rc I Rc + U CE
0 = U Cb + U BE  I B = I Rb
U = U I = I
 CE Cc  C Rc
32
16
( )
 EC = Rb I Rb + iRb (v) + U BE + ube

( )
 EC = Rc I Rc + iRc (v) + U CE + uce
u g = Rg ig + U Cb + U BE + ube
U + u = U + u
 CE ce Cc s
În absenţa semnalului variabil (ug=0), în circuit se
 I B + ib = ig + I Rb + iRb (v) stabileşte numai un regim de curent continuu:

 I Rc + iRc (v) = is + I C + ic  EC = Rb I Rb + U BE 0 = U Cb + U BE  I B = I Rb
  I = I
 EC = Rc I Rc + U CE U CE = U Cc  C Rc
Caracterizează comportarea circuitului în curent continuu şi permit determinarea PSF. Se

observă că aceste relaţii corespund unui circuit echivalent în c.c.
33

Caracterizează comportarea circuitului în
curent continuu şi permit determinarea
PSF. Se observă că aceste relaţii corespund
unui circuit echivalent în c.c.
Regulă: acest circuit echivalent de curent

continuu poate fi construit direct din schema
electrică prin considerarea capacităţilor ca o
întrerupere de circuit (prin ele nu circulă
curent continuu).
34
17
Determinarea PSF:
 EC = Rb I B + U BE

 EC = Rc I C + U CE
 I B = I B (U BE ,U CE )

 I C = I C (U BE ,U CE )
Metoda analitică - caracter profund neliniar al celor două

caracteristici statice ale tranzistorului;
Metoda grafo-analitică
35

Metoda grafo-analitică:
1. Pentru circuitul de intrare:
Caracteristica statică de intrare a

tranzistorului în conexiunea EC (UCE are
o influenţă mică).
Ecuaţia corespunzătoare dreaptei de

funcţionare statică (în planul iB, uBE).
La intersecţia celor două curbe se obţine

punctul static de funcţionare (în planul
iB, uBE), M’, de coordonate (IB,UBE).
36
18
Metoda grafo-analitică (2):
2. Pentru circuitul de ieşire:
Caracteristicile statice ale

tranzistorului în conexiunea EC
având ca parametru curentul de
bază.
Dreapta de funcţionare statică (în

planul iC, uCE) a tranzistorului.
La intersecţia dintre această dreaptă şi caracteristica corespunzătoare

curentului de bază IB (dacă nu este trasată ea poate fi dedusă prin interpolare)
se obţine punctul static de funcţionare M” în planul (iC, uCE) de coordonate
(IC, UCE).
În acest fel, coordonatele complete ale PSF vor fi: M (IB, IC, UCE, UBE)
37

Observaţie:
Se poate folosi şi o metodă iterativă pentru determinarea coordonatelor

PSF (de obicei, este satisfăcătoare o primă iteraţie având în vedere
dispersia parametrilor tranzistorului şi toleranţele componentelor pasive
de circuit şi a surselor de alimentare).
a) se presupune UBE=0,6V (Si, sau 0,3V Ge); EC − U BE

Rezultă curentul de bază: IB =
Rb
b) caracteristicile de ieşire ale tranzistorului se apreciază prin relaţia iC
= β0iB şi se determină curentul de colector al tranzistorului: IC = β0IB
(β0 este un parametru de catalog al tranzistorului şi dispersia acestuia are influenţă
foarte mare asupra coordonatelor PSF, pentru acest circuit de polarizare foarte simplu).
c) tensiunea UCE rezultă: UCE = EC - RcIC
38
19
Observaţie (2):
Indiferent de metoda folosită (determinată de modelul tranzistorului

pentru curent continuu), se cunosc coordonatele PSF (în special
curentul de colector) şi, ca urmare, se pot determina parametrii de
regim variabil ai tranzistorului (pentru oricare dintre modelele de c.a.
ale TBIP).
Se determină tensiunile continue cu care se încarcă capacităţile de

cuplare Cb şi Cc
39

Determinarea tensiunilor continue cu care se încarcă capacităţile
de cuplare Cb şi Cc:
U Cb = −U BE = −0,6V U Cc = −U CE
În regim dinamic (la semnale mici şi de joasă frecvenţă), se scad relaţiile

corespunzătoare regimului de c.c. din ecuaţiile respective generale:
0 = RbiRb (v) + ube  u g = Rg ig + ube ib = ig + iRb (v)

  
0 = Rc iRc (v) + uce uce = u s  iRc (v) + is = ic
Curenţii iRb(v) respectiv 

iRc(v) din primele două  u = R i +u
relaţii şi se înlocuiesc în  g g g be
 ube ib = ib (ube , uce )
ultimele relaţii;  ib = ig − 
 Rb ic = ic (ube , uce )
 us us
ic = − R − R
 s c
Definesc comportarea în
regim dinamic a circuitului.
40
20
Ecuaţiile pot fi reprezentate şi sub forma unui circuit echivalent
pentru regim dinamic al circuitului:
Acest circuit echivalent pentru regim dinamic poate fi construit direct

din schema electrică folosind următoarele reguli:
• Sursele de curent continuu sunt considerate scurtcircuit în regim

dinamic;
• Capacităţile de cuplare şi de decuplare sunt considerate
scurtcircuit la frecvenţele de lucru ale semnalului.
41

Modelul de regim dinamic :
Performanţele de regim dinamic ale
circuitului analizat pot fi deduse pe baza
circuitului echivalent obţinut în care TBIP
poate fi caracterizat prin orice model de
regim dinamic (modelul Early, Giacoletto,
cu parametri hibrizi, sau alte modele).
Pentru determinarea performanţelor în regim dinamic se folosesc fie relaţiile

generale de rezolvare a unui circuit electronic, disponibile prin metodele
electrotehnice, fie soluţii de tip “electronic”
us uce
Ultima relaţie se poate scrie şi sub forma: iC = =
Rs || Rc Rs || Rc
Ea reprezintă ecuaţia unei drepte în planul (IC, UCE) denumită dreapta de
funcţionare dinamică, şi care este reprezentată prin segmentul de dreaptă
AB care are o pantă diferită de cea a dreptei de funcţionare statice.
42
21
Modelul de regim dinamic :
• Dreapta de funcţionare dinamică este, de fapt, un segment de dreaptă,
care trece (simetric) prin PSF şi are o lungime finită, determinată de
amplitudinea semnalului (presupus sinusoidal).
• Dreapta de funcţionare dinamică poate să aibă o pantă mai mică decât a
celei statice, egală cu aceasta dacă rezistenţa de sarcină este chiar Rc,
respectiv mai mare în cazul în care colectorul tranzistorului amplificator
este cuplat prin transformator la sursa de tensiune de alimentare.
43

Modelul de regim dinamic (2) :
• Static, dreapta de funcţionare este determinată de rezistenţa serie a

primarului (foarte mică) fiind aproape verticală;
• Dreapta de funcţionare dinamică este determinată de rezistenţa

reflectată de secundar în primar, de valoare mai mare.
• Dreapta de funcţionare dinamică permite determinarea amplitudinii

maxime a semnalului variabil ce poate fi obţinut la ieşirea
amplificatorului astfel încât elementele active să nu intre în zonele de
funcţionare profund neliniare.
44
22
Amplificator EC
Relaţia fază semnale intrare-ieşire:
VB
+VCC
IB 15 A
10 A
5 A RC
RB
Q1
VC 8V
6V
Ai = 100 4V
IC 1.5 mA
1 mA
500 A
45
Amplificator EC (2)
R2 2.2kΩ
+10 V
VB  VCC = (10V ) = 1.8V
R1 + R2 12.2kΩ
RC VE VB − 0.7V
R1 IE = = = 1.1mA
10k 4k RE 1kΩ
RL
hFE = 300 15k
R2
2.2k RE
1k 25mV 25mV
re = = = 22.7Ω
IE 1.1mA
46
23
Amplificator EC (3)
Determinarea grafică a rezistenţei emitorului:
IE
IE Q2 VBE
re =
I E
Q1
IE
VBE
VBE VBE
47
Amplificator EC (4)
Determinarea factorului : IC
hFE = cc 
IC Q
hfe= ac 
IB
IB
48
24
Amplificator EC (5)
Modelul TBIP în cc:
ic = acib
C C
B B b
ib
E E r'e
npn pnp
e
49
Amplificator EC (6)
Cuplarea amplificatoarelor:
VCC
CC3
CC1
CC2
Load
50
25
Amplificator EC (7)
Cuplarea amplificatoarelor CC (2):
GND
CC3
CC1
CC2
Load
51
Amplificator EC (8)
Cuplarea amplificatoarelor AC (3):
VCC
CC3
CC1
CC2
Load
52
26
Amplificator EC (9)
Cuplarea amplificatoarelor Semnalele (4):
VCC 1.8V
5.6V
5.6V
1.8V
0V
0V
1.1VDC 1.1VDC
53
5.3. Performanţelor
amplificatoarelor elementare cu
TBIP
54
27
Influenţa circuitelor de polarizare
• Performanţele calitative şi cantitative ale celor trei amplificatoare fundamentale
permit aprecierea rapidă a performanţele unei scheme mai complicate şi pot fi
alese cele mai potrivite scheme pentru realizarea unei funcţii de prelucrare
analogică date.
• Performanţe sunt afectate, mai mult sau mai puţin, de circuitele de polarizare
ale tranzistorului. Acesta precizarea PSF în jurul căruia variază semnalele
variabile. Coordonatele PSF influenţează parametrii de regim dinamic ai
tranzistorului şi, deci, performanţele dinamice ale amplificatorului. Trebuie să
asigure o stabilitate cât mai bună a PSF în condiţiile reale de funcţionare (dispersii
ale parametrilor, variaţia temperaturii, variaţia tensiunilor de alimentare,
îmbătrânirea componentelor, variaţia sarcinii).
• PSF trebuie astfel ales încât să asigure evoluţia semnalului variabil în limitele
necesare fără ca elementele active să intre în regiunile profund neliniare (saturaţie
sau blocare).
• În general, condiţiile de proiectare a circuitelor de polarizare vin în contradicţie cu
condiţiile de obţinere a unor performanţe maxime ale amplificatorului.
55
Influenţa circuitelor de polarizare (2)

• Deosebirile dintre cele trei amplificatoare elementare;
• Influenţa circuitelor de polarizare,
– Se va considera o schemă de polarizare clasică (cu patru rezistenţe) a unui tranzistor; precizarea PSF şi
apoi schema respectivă va fi conectată pe rând în fiecare din cele trei conexiuni fundamentale, în regim
dinamic.
• Calcularea parametrilor circuitului atât pentru schema de principiu cât şi pentru
amplificatorul complet, cu circuitele de polarizare.
Tranzistorul este caracterizat prin următorii parametri:

Pentru regimul static:
0 →  permite neglijarea curentului de bază în raport cu alţi

curenţi
VBE = 0,6 V
Pentru regimul dinamic:
h f = 100, S = 40I C h i = h f /S
hr = 0 h0 = 0 pentru a putea folosi relaţiile simplificate
R g = Zg = 1k Rb1 = 30k Re = 1,2k

R s = Zs = 3k Rb2 = 10k Rc = 3k Ec = 12V
56
28
Influenţa circuitelor de polarizare (3)
M (IB, IC, VCE, VBE)
Rb 2
VB VB = Ec = 3V
Rb1 + Rb 2
VE = VB - VBE = 2,4 V
VE I C  I E = 2mA
VCE = E C - R C I C - R E I E = 3,6V
hi
hf hf 100
hi = = = =1,25 k
S 40 I C 40  2
57
Amplificator cu emitorul la masă

Amplificarea de tensiune Au:
hf hf
Au = − Zs = − Rs || Rc = −120
hi hi
Amplificarea de curent Ai: A i = h f = 100
Impedanţa de intrare Zi: Zi = h i = 1,25k
Impedanţa de ieşire Zo: Z0 → 
Impedanţa de intrare în amplificator Zint :
Toate capacităţile au reactanţa foarte mică
în comparaţie cu rezistenţele echivalente Zint = R b1 || R b2 || Zi = 1,07k
la borne
Amplificarea globală de curent Aug :
U 2 U 2 U1 Z int
Aug = = = Au = 62.
Ug U1 U g Z int + Z g
Impedanţa de ieşire a amplificatorului Zies :

Zies =  0  Rc = Rc = 2k efectul rezistenţei de colector
Amplificarea de putere Ap: A p =| A u |  | A i |= 120 100 = 12000 R s → R s R s || R c
Pentru Rc =  amplificarea de putere maximă ce ar fi putut fi realizată cu acest montaj este de 24000
Rs I s2 U 2 I s
Amplificarea totală de putere Apt: Apt = = = Aug  Aig = 62  42,8 = 2654
UgIg UgIg
amplificare de putere de numai circa 20% din
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare amplificarea de putere maximă posibilă cu acest circuit
58
29
Amplificator cu baza comună
Amplificarea de tensiune Au:
hf Zs hf
Aub = = Rc Rs =120.
hi hi
Amplificarea de curent Ai: A ib = -1
hi
Impedanţa de intrare Zi: Z ib   12,4 
h f +1
Toate capacităţile sunt de valori mari

Impedanţa de ieşire Zo: Z0b → 

Zint = Zib || R e  12,3
Amplificarea globală de tensiune Aug :

U U U Z int
Aug = 2 = 2 1 = Au  1,46. Zg  Zib
U g U1 U g Z int + Z g
59
Amplificator cu baza comună (2)
Amplificarea globală de curent Aig :

Is I I I Rc Re
Aig = = s 2 1 = Ai  −0,5.
Ig I 2 I1 I g Rc + Rs Re + Z ib
Zies =  0  Rc = Rc = 3k
Amplificarea de putere Ap:
Toate capacităţile sunt de valori mari A pb =| A ub |  | A ib |= 120 1 = 120
Amplificarea totală de putere Apt:

Rs I s2 U 2 I s
Apt = = = Aug  Aig = 62  42,8 = 2654
UgIg UgIg
Amplificatorul cu BM trebuie comandat cu un generator de tensiune cât mai

apropiat de cel ideal din cauza impedanţei de intrare de valoare foarte mică;
În circuitul de ieşire, amplificatorul cu BM se comportă ca un generator de curent,

dar caracterul său este puternic modificat de rezistenţa de polarizare din colector.
60
30
Amplificator colector comun (repetor pe emitor)
Amplificarea de tensiune Au: A uc = 1
hf
S  Z S = S  Re || Rs = Re||Rs  69  1. Au=0,986
hi
Amplificarea de curent Ai: A ic = -101
Impedanţa de intrare Zi:

Z ic = hi + (h f + 1) Re || Rs = 87,8k
Impedanţa de ieşire Zo:

hi + Z g hi + Rg || Rb1 || Rb 2
Z oc = = = 21,1 
hf +1 hf +1
Zint = R b1 || R b2 || Zic = 6,91k
Amplificarea globală de tensiune Aug :

U 2 U 2 U1 Z int 6,91
Aug = = = Aic = 1 = 0,873
U g U1 U g Z int + Z g 7,91
61
Amplificator colector comun (repetor pe emitor)

Amplificarea globală de curent Aig :
Is Re Rb1 || Rb 2
Aig = =  Ai  = −2,27
I g Re + Rs Rb1 || Rb 2 + Z ic
Zies = Zoc || R e = 19,3 
conferă caracterul unui generator de
tensiune pentru repetorul pe emitor
Amplificarea de putere Ap:

A PC =| A uc |  | A ic |= 1101 = 101
Amplificarea totală de putere Apt:

va fi mult micşorată datorită micşorării
amplificării globale de curent
Eficienţa repetorului pe emitor este cu atât mai bună cu cât circuitul de

polarizare a bazei are o influenţă mai mică asupra impedanţei de intrare
a circuitului
62
31
Concluzii generale
Configuratii Amplificatoare cu TBIP:
• Amplificator Emitor-Comun (AEC);

• Amplificator Colector-Comun (ACC);
• Amplificator Baza-Comuna (ABC).
63
Concluzii generale (2)
Gama de proprietati
Proprietate Mica Medie Mare
Amplificare < 100 100-1000 >1000
Impedanta <1k 1k-10k >10k
64
32
Amplificator Emitor-Comun (AEC)

+VCC
• Valori medii ale
amplificarii in tensiune
si curent.
vout
• Amplificare mare in
vin putere
4Vpp
• Valoare medie a
Load impedantei de intrare
20mVpp
• Valoare medie a
impedantei de iesire
65

Amplificator Colector-Comun (ACC)
+VCC • Amplificare medie in curent;
• Amplificare in tensiune foarte
mica;
• Impedanta de intrare mare;
vin
• Impedanta de iesire mica.
vout
2Vpp
1.8Vpp
Load
66
33
Amplificator Baza-Comuna (ABC)
+VCC
vin vout
20mVpp 2Vpp
Load
• Amplificare medie in
tensiune;
-VEE
• Amplificare in curent foarte
mica (mai mica de 1);
• Impedanta de intrare mica;
• Impedanta de iesire mare.
67

O comparatie intre caracteristicile circuitelor
Amplificatoarelor EC, CC, si BC
Tip Av Ai Ap Zin Zout

Mare Foarte
EC Mare Medie Mare
negativa mare
Foarte Foarte
CC 1 Mare  Ai
mare mica
Mare Foarte Foarte
BC -1  Av
pozitiva mica mare
(A p = Av Ai )
68
34
Conexiunile TBIP
Tip Emitor Baza Colector
EC Comun Intrare Iesire
CC Iesire Intrare Comun
BC Intrare Comun Iesire
69
Clasificarea Amplificatoarelor
• Clasa A – distorsiuni reduse, pierdere mare;

• Clasa B – unele distorsiuni, pierdere redusa;
• Clasa C – distorsiuni mari, pierderea cea mai
redusa
• Altele:
• Clase D, E, G, H, T
70
35
Clasificarea Amplificatoarelor (2)
Amplificatoare Clasa A
VCC
Functionare: Tranzistorul
conduce pe ambele alternante
(3600) ale semnalului alternativ
Eficienta maxima teoretica: 25%
R1 RC Distorsiuni: Mici (sub rezerva
distorsiunilor neliniare)
Q1 Load
R2
RE
71

Amplificatoare Clasa B
+VCC Functionare: Fiecare tranzistor
conduce pentru o alternanta (1800) a
semnalului alternativ de intrare.
R1
Eficienta maxima teoretica: 78.5%
Q1 Distorsiuni: Mici. Distorsiunea de
racordare este cea mai frecventa.
R2
RL
Q2
R3
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare Caracteristica vo(vi)
72
36
Amplificatoare Clasa AB
+VCC
R1 R1
Q1 Q1
R2
RL
Q2 Q2
R2
R3
73

Amplificatoare Clasa C
+VCC
Functionare: Fiecare tranzistor
conduce pentru mai putin de 1800
a semnalului alternativ de intrare.
L1 C1
Eficienta maxima teoretica: 99%
Distorsiuni: Usoare pina la severe
Q1 RL
-VBB
74
37
Amplificatoare Clasa D
• Transforma semnalul sinusoidal in semnal dreptunghiular, la iesire
semnalul fiind refacut la valoarea corespunzatoare analogica prin
filtrare.
• Se bazeaza pe modularea in amplitudine sau durata a unor
impulsuri.
• Functioneaza in comutatie, rezultand scheme relativ complicate
• Eficienta maxima teoretica: 80 – 95%
• Putere disipata redusa;
• In general, realizate cu AO
Intrare
Iesire
Schema bloc
75
Notiuni generale
Decibeli (dB)
Pout
Ap (dB) = 10 log Ap = 10 log dB
Pin
Valoare dB Ap Valoare dB Ap
3 2 -3 1/2
6 4 -6 1/4
12 16 -12 1 / 16
20 100 -20 1 / 100
76
38
Notiuni generale (2)
Amplificarea in Decibeli (dB) se sumeaza
Pout
Pin
Intrare
Input A A Iesire
Output
Ap1 = 20 dB Ap2 = 6 dB
ApT = 26 dB
77
Notiuni generale (3)

Amplificarea in tensiune (dB)
Pout
Pin
Pout v2 R v R
Ap (dB) = 10 log = 10 log out 2in = 20 log out + 10 log in
Pin Rout vin vin Rout
vout
Ap (dB) = Av (dB) = 20 log Av = 20 log ( Rout = Rin )
vin
78
39
Analogică (EEA)
6. Circuite cu impedanţă de intrare

mărită
Circuite cu impedanţă de intrare mărită

Structura unui amplificator:
• Etaj de intrare; Etajul de intrare (Preamplificator) – Amplifică semnale de

• Etaj intermediar; nivel mic la un nivel intermediar cu scopul principal de a
• Etaj de ieşire. păstra un bun SNR şi fidelitate. De multe ori realizează
compresie
Etajul intermediar – Amplifică şi procesează semnalul de nivel
intermediar cu un bun SNR pentru mixare, egalizare,
compresie, expandare, şi a altor efecte a semnalului procesat.
Etajul de ieşire sau Amplificatorul de Putere – Amplifică cu
un SNR mare semnale de nivel intermediar la un nivel cu
putere ridicată pentru comanda unei sarcini de impedanţă
mică ( ex. elemente electro-acustice).
1
Circuite cu impedanţă de intrare mărită
Circuit echivalent la intrare:
Z int
U1 = E g U1 → E g Z int → 
Z int + Z g
Alegere între structurile elementare: BC, EC, CC
Z ic = hi + (h f + 1) Z s Dacă hr şi h0 sunt egali cu 0
Trebuie folosită relaţia exactă pentru că, pentru valori mari ale
impedanţei de intare, nu mai pot fi neglijaţi cei doi parametri.
hi + NZ s
Z int = (dificil de interpretat)
1 + ho Z s
Schema Giacoletto
Schema Giacoletto
Se neglijează rx şi se redesenează
Se defineşte un “tranzistor ideal” caracterizat prin:
hiid = r = hi ; h rid = 0; h idf =  = h f ; hoid = 0
hiid + Z s' N id
Z iid = = hiid + (hiid + (h idf + 1) Z 's = hi + (h f + 1) Z s'
1 + hoid Z s'
Z s' = Z s ro
Se pun în evidenţă:
Z i' Z i'' = Z  Z ic = Z i' Z i"
Z i' = hi + (h f + 1) Z s'

 ''
Z i = Z 
2
Schema de polarizare
Schemă simplă de polarizare şi schema echivalentă în regim dinamic:
Z int = Z ic Rb1 Rb 2 
Z int = Rb1 Rb 2 Z  hi + (h f + 1) Z s ro 
Efectele circuitelor de polarizare în c.c. (din bază şi din colector)
Se obţin impedanţe de intrare de ordinul zecilor de k
Pentru a obţine impedanţă de intrare mai mare se va acţiona

asupra tuturor componentelor
Tehnica bootstrapării:
V1
Z AB =
I1
Z AB   I1 
V1 V1 Z
Z AB = = =
I1 V1 − kV1 1 − k
Z
k  1; k → 1  Z AB 
Exemplu: impedanţa de intrare a unui

repetor pe emitor:
hi hi hi
Z ic = = = = hi + (h f + 1) Z s
1 − k 1 − Auc
1−
(h f + 1)Z s
hi + (h f + 1)Z s
3
Reducerea efectului circuitului de polarizare în bază
a) Schemă electrică cu divizor
fără boostrapare:
Se obţine o impedanţă de intrare

ceva mai mare, dar Rb nu poate fi
prea mare (stabilitatea termică a
circuitului, zgomote proprii)
Aplicarea “bootstrapării”:
Echivalare (T+Rb)≡T’ cu parametrii:
Rb Rb
hi'  hi  hi ; h 'f  h f
Rb + hi Rb + hi
Rb  hi ; Rb1 , Rb 2  Re

Z int  Z  hi + (h f + 1)ro Re 
Reducerea efectului circuitului de polarizare în bază

b) Schemă electrică fără bootstrapare
cu o singură rezistenţă de polarizare:
Impedanţa de intrare este mai mare decât

pentru o polarizare cu divizor de tensiune
în bază
Echivalare (T+Rb)≡T’ cu parametrii:
Se obţine o expresie identică cu precedenta,

dar cu alte valori exacte ale echivalărilor
Se obţin impedanţe de intrare de

ordinul zecilor-sutelor de k
4
Micşorarea efectului rezistenţei de polarizare din
emitor
Rezistenţa Re nu poate fi mărită din considerente statice:
Ec = U CE + Re I E ReIE cel mult jumătate din Ec
Se înlocuieşte rezistenţa de polarizare cu un circuit (dispozitiv) care să prezinte rezistenţă mică în cc

şi impedanţă mare în regim dinamic:
• Nu se poate folosi inductanţă (valoarea impedanţei depinde de frecvenţă)
• TBIP în conexiune BC are aceste proprietăţi
T’ este în conexiune BM prin

capacitatea de decuplare;
Micşorarea efectului rezistenţei de polarizare din

emitor (2)
Static: Ec  U CE + U CE
'
+ Re' I E
prin tranzistoare circulă, practic,

acelaşi curent
Dinamic:
Rezistenţa Re din expresia impedanţei
de intrare va fi înlocuită de
impedanţa de ieşire a tranzistorului T’
în conexiune BC:

Z int = Rb1 Rb 2 hi + (h f + 1)ro Z iesT 'BM 
hi' + Re' N ' Comparabilă sau mai mare decât r0 chiar pentru valori
Z iesT 'BM = nu prea mari ale rezistenţei de emitor (valori uzuale –
h ' + Re' ho'
sute de  )
Se obţin (împreună cu circuitele de polarizare de la

intrare bootstrapate) valori de sute – mii de k
10
5
Utilizarea tranzistorului compus Darlington
Se pot folosi relaţiile pentru
tranzistorul compus şi apoi
relaţiile generale; mai
convenabil este să se
folosească schema Giacoletto:

Z int = Rb Z  hi + (h f + 1)ro Z int T ' 

Z int T ' = Z ' hi' + (h 'f + 1)ro' R e
'

Se obţin impedanţe de intrare de ordinul sutelor de k (dacă se bootstrapează
circuitul de polarizare de la intrare);
Dezavantajele utilizării schemei de bază:

dependenţa factorului de amplificare în curent de curentul de colector din PSF;
dependenţa tensiunii echivalente de zgomot de curentul de colector din PSF;
Tranzistoarele nu pot fi alese astfel încât să fie în

PSF optime pentru ambele tranzistoare.
11
Introducerea unei rezistenţe în emitorul

primului tranzistor
U BE + R e' I E'
I E = I B' +
Re

Z int = Rb hi + (h f + 1)ro Re Z ic'   
Z ic' = Z ' hi' + (h 'f + 1)ro' Re'  Re
12
6
Diminuarea influenţei rezistenţei Re prin
boostrapare
Static, se păstrează situaţia
din cazul precedent dacă:
Re = Re1 + Re 2
Dinamic, se echivalează (T’+Re1) cu T” cu principalii parametrii echivalenţi (aproximativi):

Re1 Re1
hi" = hi' h"f = h 'f
hi' + Re1 hi' + Re1

Zint = Rb hi + (h f + 1)ro Zic''  
Zic'' = Z '' hi'' + (h'f' + 1)ro' Re 2 Re' 
Rezultă o impedanţă de intrare foarte mare: 102 – 103 k
13
Creşterea curentului continuu prin T’ cu

generator de curent
Generatorul de curent se poate realiza cu TBIP

în conexiune BC sau în alte variante specifice
CIL.
14
7
Micşorarea efectului impedanţei Z
Prin bootstraparea impedanţei;
Polarizarea tranzistorului T’ se poate face cu o rezistenţă între bază şi colector (T’ nu

se poate satura niciodată);
Prin bootstraparea lui Z se realizează şi bootstraparea rezistenţei de polarizare;
În schemele echivalente apar tranzistoare compuse de tipul super-D (TBIP pot fi de

acelaşi tip sau complementare);
Polarizarea în cc se poate face

fie serie fie paralel şi se pot
asigura curenţi de colector prin
tranzistoare cât mai apropiaţi
sau chiar egali;
15
Schema cu polarizare paralel a TBIP
Z int =
Rb Z 
1− k
h + (h
i f + 1) Z ic'' 
Ambele componente sunt de ordinul
zecilor sau sutelor de M , deoarece:

Z ic'' = Z ' hi'' + (h 'f' + 1)ro' Re 2 Re' Rc 
(h + 1)Z ic'' (h ''
f )
+ 1 ro' Re 2 Re' Rc
k = Ac Ac'' 
f
hi + (h f + 1)Z ic hi'' + h 'f' + 1 ro' Re 2 Re' Rc

''
( )
(foarte aproape de 1)
16
8
Schema cu polarizare paralel a TBIP (2)
Parametrii h”i şi h”f rezultă din echivalarea:
(T’+Re1)≡T”
Prin echivalări succesive se poate
ajunge la schema de principiu a
circuitului cu repetor pe emitor în
care tranzistorul este un tranzistor
compus de tipul superD (după
echivalări de tranzistoare cu diferite
rezistenţe);
Se pot folosi formulele de bază cu

parametrii echivalenţi.
17
Schema cu polarizare serie a TBIP
18
9
Schema cu polarizare serie a TBIP (2)
19
20
10
21
Schema cu Tranzistoare Complementare
Super-D
22
11
Analogică (EEA)
7. Circuite cu impedanţă de ieşire

micşorată
23
Circuite cu impedanţă de ieşire micşorată

Structura unui amplificator:
• Etaj de intrare; Etajul de intrare (Preamplificator) – Amplifică semnale de

• Etaj intermediar; nivel mic la un nivel intermediar cu scopul principal de a
• Etaj de ieşire. păstra un bun SNR şi fidelitate. De multe ori realizează
compresie (neliniară/caracteristică de transfer logaritmică
pentru a preveni hard clipping).
Etajul intermediar – Amplifică şi procesează semnalul de nivel
intermediar cu un bun SNR pentru mixare, egalizare,
compresie, expandare, şi a altor efecte a semnalului procesat.
Etajul de ieşire sau Amplificatorul de Putere – Amplifică cu
un SNR mare semnale de nivel intermediar la un nivel cu
putere ridicată pentru comanda unei sarcini de impedanţă
mică ( ex. elemente electro-acustice).
24
12
Circuite cu impedanţă de ieşire micşorată (2)
Circuitul echivalent la ieşirea unui amplificator:
Zs
V2 = V0 V2 → V0 Z ies → 0
Z s + Z ies
Schemele fundamentale, EC, BC, CC
Repetorul pe emitor: Repetorul pe emitor compus:
hi + Z g 1 Zg
Z ies   +
hf +1 S hf +1
Z s  V0  (Vi − V0 )  V1 ( EC )  V2 (EC ) 
Efectul TBIP; efectul lui Zg
25
Repetorul pe emitor compus

Schema echivalentă a circuitului (modelul Giacoletto):
Se neglijează Z şi r0
Efectul rezistenţei
distribuite a bazei se ia
în consideraţie prin
parametrii echivalenţi:
Z
S' = S ;
Z  + rx
Z ' = Z  + rx
Z = Z c (rx 2 + Z  2 )
26
13
Repetorul pe emitor compus (2)
Schema echivalentă a circuitului (modelul Giacoletto):
Se neglijează curenţii de bază

ai tranzistoarelor:
I 2  I c1 − I c 2 = Si'Vi ' − S 2' Vi " =

(
= S1'Vi ' − S 2' − ZS1'Vi ' = )
1 (
= S 1 + S Z Vi = SVi '
' '
2 ) '
Dar: V1' = Vi − V0
= S (Vi − V0 )
V0
I2 =
Zs
V0 SZ s Zs
V0 = SZ s (Vi − V0 )
1
Au = = = Z ies =
Vi 1 + SZ s Z + 1 S
s
S
I 2  I c 2  I c1
27
Repetorul pe emitor compus (3)

Schema electrică:
• Curenţii continui sunt egali
• Capacitatea C2 valoare
foarte mare
28
14
Schemă cu tranzistor super-G
Schema electrică structură super-G:
Rc asigură PSF convenabil
S echiv  hi' S '

h fechiv  h 'f h"f
Exemple utilizare:
• sursă de stabilizare
• generator de baleiaj în curent
29
Sursă de stabilizare
30
15
Generator de baleiaj în curent
31
Analogică (EEA)
8. Amplificatoare cu sarcină
dinamică
32
16
Considerente
Amplificatoare cu sarcină dinamică
Scopul: amplificare de tensiune cât mai mare;

Alegere între structurile fundamentale: EC, BC, CC
• Amplificare de tensiune mare (în modul);
• Impedanţă de intrare medie;
Schema de principiu Schema electrică elementară
Dacă: Rs = Rc
Au  − SRs = − SRc = −40 I C Rc
Ec = Rc I C + VCE
Dar RcIc maxim 0,5Ec
EC
Au max  −40  = −20 EC
2
33
Considerente (2)
Expresia completă:
hf Zs
Au = − ; la amplificări mari – expresia exactă
hi + Z s h
Amplificare cât mai mare: Rezistenţa de

colector poate fi înlocuită cu un dispozitiv
(circuit) cu următoarele proprietăţi:
• static – o valoare cât mai mică;
• dinamic – o valoare cât mai mare;
Nu se poate inductanţă (impedanţă dependentă de frecvenţă)
• Tranzistor bipolar în conexiune bază la masă în circuitul de colector;

• Tranzistor bipolar în conexiune colector la masă în circuitul de intrare.
34
17
dinamică
8.1. Amplificator cu sarcină TBIP în conexiune BM
8.2. Amplificator cu sarcină bootstrapată cu polarizare serie
a tranzistoarelor
8.3. Amplificator cu sarcină bootstrapată cu polarizare
paralel a tranzistoarelor
35
dinamică
a tranzistoarelor
36
18
Amplificator cu sarcină TBIP în conexiune BM
Schema electrică
Schema echivalentă
37
Amplificator cu sarcină TBIP în conexiune BM

hf Zs
Au = − ; Z s = R1 ZiesT2 BM
hi + Z s h
hi + NRg hf
ZiesT2 BM = ZiesT2 BM  R1 Au  −
h + Re h0 h
Valoarea maximă posibilă
Valoarea rezistenţei R1 este mult

mai mare decât valoarea rezistenţei
Rc din cadrul schemei (EC).
38
19
dinamică
a tranzistoarelor
39
Amplificator cu sarcină bootstrapată cu

polarizare serie a tranzistoarelor
Schema electrică
Schema echivalentă
40
20
Amplificator cu sarcină bootstrapată cu
polarizare serie a tranzistoarelor
Schema electrică Rc Rc
hi'2  hi 2 ; h 'f 2  h f 2
Rc + hi 2 Rc + hi 2
T2'  (T2 , Rc ) h f 1Z s
Au = −
hi1 + Z s h1
 ( ) 
Z s = Rb Z int T ' ; Z int T ' = Z T2 hi'2 + h 'f 2 + 1 roT2
2 2
Uşor de realizat: Z int T '  Rb

2
hf 1
Au → Au max = −
h1
Valoarea rezistenţei Rb poate fi mai
mare decât valoarea rezistenţei R1.
Se obţine o structură de tip super-G

cu emitorul la masă, cu panta
echivalentă foarte mare şi, ca
urmare, cu amplificare de tensiune
foarte mare;
41
8.Amplificatoare cu sarcină
dinamică
a tranzistoarelor
42
21
Amplificator cu sarcină bootstrapată cu polarizare
Schema electrică Schema echivalentă
T2'  (T2 , Rc1 ) hi'2  hi 2

Rc1 Rc1
; h 'f 2  h f 2
Rc1 + hi 2 Rc1 + hi 2
 ( )
Z s = Z int T ' = Z T2 hi'2 + h 'f 2 + 1 Rc 2 Re 2 roT2
2

hf 1
Au → Au max = −
h1
Teoretic, se obţine cea mai mare
valoarea a amplificării de tensiune Prin echivalări, se obţine tot o structură de tip superG
dintre toate cele trei scheme cu emitorul la masă, ca şi în circuitul precednt, cu
sarcina formată din cele două rezistenţe
43
Analogică (EEA)
9. Amplificatoare diferenţiale
44
22
9.1. Tensiunile de ieşire
9.2. Impedanţe de intrare
9.3. Factorul de merit
9.4. Influenţa nesimetriilor asupra performanţelor AD
9.5. Scheme electrice
45
Amplificatoare diferenţiale
Caracteristică importantă:
• are două intrări
• amplifică semnalele în antifază (de mod diferenţial);
• rejectează semnalele în fază (de mod comun).
• Semnalele de la intrare se pot aplica separat pe

cele două intrări (bazele tranzistoarelor) sau între
intrări;
• Semnalele de la ieşire se pot culege de pe cele
două colectoare (semnale nesimetrice) sau între
cele două colectoare (semnal simetric).
• Rezultă că, în principiu, se pot defini 9 (nouă)
amplificări diferite; se preferă deducerea
tensiunilor de ieşire în funcţie de tensiunile de
intrare şi apoi se particularizează în funcţie de
circuitul real analizat: V1(e1,e2), V2(e1,e2)
46
23
Amplificatoare diferenţiale (2)
Calculul tensiunilor de ieşire:
Se echivalează T”, Z”s cu un tranzistor echivalent
în conexiunea CM
Schema echivalentă Thevenin
A = 1, Z ies = zib
"
Se introduce R0 (rezistenţă de cuplaj)

şi echivalare Thevenin
R0 zib" R0
Z1 = R0 zib" = k1 =
R0 + zib" R0 + zib"
k1 este un coeficient de cuplaj în

tensiune de laT” la T’
47
Circuitul echivalent pentru T’:

Se echivalează grupul T’, Z1 cu un tranzistor T*
hi' + N ' Z1 h 'f − h 'o Z1

hi* =  hi
'
+ N '
Z1 ; h *
=  h 'f ;
1 + ho* Z1 f
1 + ho* Z1
hr' + ho* Z1 ho'
hr* =  hr' + ho' Z1; ho* =  ho' ;
1 + ho Z1
*
1 + ho* Z1
( ) (
h* = hi*ho* − h*f hr*  hi' + N ' Z1 ho' − h 'f hr' + ho' Z1  h ' )
ho' hi''
ho' Z1 = ho' k1 zib''  k1 →0
h"f
Tensiunea la ieşirea lui T’ V1 = Au*e1 + Aub
*
k1e2 = − Aub
*
(e1 − k1e2 ) deoarece
Au* = −
h*f Z s'
; *
Aub =
(h*
f )
− h* Z s'
 Au* = − Aub
*
hi* + Z s' h *
hi* + Z s' h*
48
24
Calculul lui A*ub:

vo vo vi' z' z'
*
Aub = = ' = ' ib Aub' = − Au' ' ib
vi vi vi zib + Z1 zib + Z1
zib' h 'f Z s'

V1 = Au' (e − k e ) A '
= −
zib' + Z1 u
1 1 2
hi' + Z s' h '
Amplificarea de tensiune a tranzistorului T’
Se definesc:
tensiunea diferenţială de la intrare: vid = e1 − e2
e + e2
tensiunea de mod comun de la intrare: vic = 1
2
vid v
Se deduc tensiunile de intrare: e1 = vic + ; e2 = vic − id
2 2
49

1 − k1 1 − k2
Din expresiile factorilor de cuplaj se calculează: zib'' = R0 ; zib' = R0
k1 k2
Tensiunea de ieşire:
1 − k2
R0
zib'   
V1 = A ''
(e1 − k1e2 ) = Au 1 − k k2 1 − k
' v v
 vic + id − k1  vic − id  
zib + Z1
u
R0 2
+ R0 1  2  2 
k2 k1
(1 − k2 )(1 + k1 )  v + 2(1 − k1 ) v  2r1 − 1 2r − 1
V1 = Au'
2(1 − k1k 2 ) 
id
1 + k1
ic  Notaţie: k1 = ; k2 = 2
 2r1 + 1 2r2 + 1
r1  v  r2  v 
V1 = Au'  vid + ic  V2 = Au''  − vid + ic 
r1 + r2  r1  r1 + r2  r2 
Au' r1 + Au'' r2 A' − Au''

V1− 2 = vid + u vic
r1 + r2 r1 + r2
50
25
9. Cazuri particulare
Amplificarea de tensiune
1. Amplificatorul diferenţial simetric
2. Excitaţia diferenţială simetrică
3. Excitaţia pe mod comun
4. Excitaţia diferenţială nesimetrică
51
1. Amplificatorul diferenţial simetric
Condiţia de simetrie: Identitatea tranzistoarelor, PSF-uri şi sarcini
T '  T "  h 'f = h 'f' = h f hf Zs

Au' = Au' ' = Au = −
I C' = I C''  hi' = hi'' = hi hi + Z s h
Z s' = Z s'' = Z s r1 = r2 = r
1  v  1  v 
V1 = Au  vid + ic ; V2 = Au  − vid + ic ; V1−2 = Au vid
2  r  2  r 
r → influenţă mică a tensiunii de mod comun
• Tensiunea de mod comun de la intrare nu pătrunde în tensiunea simetrică de la ieşire

• Această tensiune trece în tensiunile nesimetrice de la ieşire, este necesar ca factorul
de rejecţie să fie cât mai mare
52
26
2. Excitaţia diferenţială simetrică
Condiţia: tensiunea de mod comun de la intrare este nulă
e1 − e2 = vid ; e1 + e2 = 0  vic = 0
r1 r A' r + Au'' r2
V1 = Au' vid ; V2 = − Au'' 2 vid ; V1− 2 = u 1 vid
r1 + r2 r1 + r2 r1 + r2
r1 r2
Notaţie: Ad' = Au' Ad'' = Au'' amplificare diferenţială
r1 + r2 r1 + r2
1
V1 = Ad' vid V2 = − Ad'' vid Ad' = Ad'' = Ad = Au pentru un circuit simetric
2
• Tensiunile de ieşire de la cele două colectoare sunt egale ca nivel şi în antifază
53
3. Excitaţie pe modul comun
Condiţia: tensiunea diferenţială de la intrare este nulă
e1 − e2 = 0; e1 = e2 = vic ; vid = 0.
Au' Au''
Notaţie:
'
AMC = ''
; AMC =
r1 + r2 r1 + r2
V1 = AMC
'
vic ; V2 = AMC
''
vic ; V1− 2 = AMC
'
− AMC
''
vic ( )
• Tensiunea de mod comun pătrunde atenuată la ieşirile nesimetrice

• În cazul amplificatorului diferenţial simetric, nu pătrunde în semnalul diferenţial
de la ieşire
54
27
3. Excitaţie pe modul comun (2)
Au A
Observaţie: pentru un AD simetric, se poate scrie că: AMC = = u
r1 + r2 2r
Din cele două moduri de excitaţie se V1 (vid ) = Ad vid
poate scrie, pentru un circuit simetric:
V1 (vic ) = AMC vic
Pentru a produce acelaşi efect la ieşire, este necesar ca: r vid = vic
aceeaşi tensiune la ieşire este realizată de o tensiune de mod comun la
intrare de r ori mai mare decât tensiunea de mod diferenţial de la intrare
Factorul de rejecţie a modului comun, CMR = Raportul dintre tensiunea de mod comun
şi tensiunea de mod diferenţial de la intrare care provoacă acelaşi efect la ieşire
(CMR ' ) = r1 ; (CMR" ) = r2 Tensiunile de ieşire se mai pot scrie şi sub forma:
Pentru circuitul simetric: (CMR ) = r  vic 

V1 = Ad' vid + AMC
'
vic = Ad'  vid + 
Valori tipice: (-100 -140) dB  (CMR ) ' 
(Amplificări în tensiune 105 - 106)
 vic 
Ap(dB)=10log10(P2/P1) V2 = − Ad'' vid + AMC
''
vic = Ad''  − vid + 
 (CMR ) '' 
55
4. Excitaţie diferenţială nesimetrică

Pentru un AD nesimetric, se poate scrie că:
vid
e1 = vid ; e2 = 0  vic =
2
 1 vid  2r + 1
V1 = Ad'  vid +  = Ad' 1 vid  Ad' vid
 r1 2  2r1
Au
În cazul unui circuit simetric Ad =
2
• Pentru ieşire nesimetrică, se pierde 0,5 din amplificarea pe
care este capabil să o asigure tranzistorul T’
• Necesită artificii de circuit pentru recuperarea amplificării
în cadrul structurilor de amplificatoare operaţionale
56
28
57
Impedanţa de intrare pentru amplificatorul

diferenţial
Circuitul echivalent la intrare :
Din amplificarea de curent a tranzistorului
h*f
I c' = I b' Ai' = I b'  Ai' I b'
1 + ho*Z s'
I c' U1 1 1 /
r1  v 
I b' = = − = − A '
 vid + ic 
Ai ' '
Z s Ai' ' ' u
Ai Z s r1 + r2  r1 
Z s' 1 r1  v 
Au' = − Ai' I b' =  vid + ic 
Z i' Z i r1 + r2 
'
r1 
1 r2  v 
I b'' =  − vid + ic 
Z i r1 + r2 
''
r1 
hi' + Z s' h' hi'' + Z s''h''

Z i' =  hi
'
; Z i
''
=  hi''
1 + ho' Z s' 1 + ho'' Z s''
58
29
Impedanţa de intrare pentru amplificatorul
diferenţial
Cazuri particulare:
Excitaţie nesimetrică (impedanţa de intrarea diferenţială)
Excitaţie pe modul comun: (impedanţa de intrare pe modul comun)
59
Excitaţie nesimetrică
(impedanţa de intrarea diferenţială)
Cazuri particulare:
Curenţii de intrare:
1 r1 vic v
I b' = = ' ic
Z i r1 + r2 r1 Z i (r1 + r2 )
'
vic
I b'' =
(
Z i r1 + r2
''
)
Impedanţele de intrare pe cele două intrări:
e1 vic
Z ic' = = = Z i' (r1 + r2 ); Z ic'' = Z i'' (r1 + r2 )
I b' vic
Z i' (r1 + r2 )
60
30
(impedanţa de intrarea diferenţială) (2)
Impedanţa de intrare pe modul comun:
Z ic = Z ic' Z ic'' = (r1 + r2 )Z i' Z i''

Pentru AD simetric:
Zi hi + Z s h
Z ic = 2r = rZ i Zi =
2 1 + ho h
Coeficientului de rejecţie:
Ro
1+
1 + k1 Ro + zib''
2 R + z '' R 1
r1 = = = o '' ib = 'o' +
2(1 − k1 )  Ro  2 zib zib 2
21 − 
'' 
 Ro + zib 
h '' Ro h 'f' Ro h 'f
zib'' = i'' r1  '' r2  '
hf hi hi
61
Recalculare impedanţe de intrare diferenţiale:
Ro h 'f' Ro h 'f
+
hi'' hi= ' h 'f
Z id' = Z i' = hi' + hi''
Ro h 'f' h 'f'
hi' '
h 'f'
Z id'' = hi'' + hi'
h 'f
tranzistoare identice h 'f = h 'f' Z id' = Z id'' = hi' + hi''
Rezultă că amplificatorul diferenţial se comportă simetric la intrare indiferent de PSF

(din punct de vedere al impedanţei de intrare)
62
31
Recalculare impedanţe de intrare de mod comun:
 Ro h 'f Ro h 'f'  '

Z ic' = Z i' (r1 + r2 )  hi'  ' + ''  = h 'f Ro + Ro h 'f' hi
 h hi  hi''
 i 
hi''
Z ic'' = h 'f' Ro + Ro h 'f Z ic = Zic ' Z ic''
hi'
Pentru un circuit simetric: Z ic' = Z ic'' = 2h f Ro
Comparativ:
Z id = 2hi Z ic = h f Ro
La amplificatorul diferenţial, impedanţa de intrare pe modul comun este mult mai mare
decât impedanţa de intrare pe modul diferenţial
63
64
32
Factorul de merit
Este dat de:

Ro h f
M = Z id r = 2hi = 2h f Ro Cu cât M este mai mare, cu atât
hi performanţele AD sunt mai bune
pentru a avea M cât mai mare: hf  Ro 
Metode de creştere a factorului de merit:
1. Mărirea rezistenţei de cuplaj

2. Înlocuirea rezistenţei de cuplaj cu o sarcină dinamică
3. Mărirea (electronică) a lui hf
4. Utilizarea reacţiei negative de tip serie
65
Factorul de merit (2)

1. Mărirea rezistenţei de cuplaj
R0 limitată de căderea de tensiune în curent continuu, la rândul ei fiind
limitată de tensiunea de alimentare şi de excursia maximă de tensiune
necesară pe sarcină;
2. Înlocuirea rezistenţei de cuplaj cu o sarcină dinamică
Sarcină dinamică ce prezintă o rezistenţă mică în curent continuu (o
cădere de tensiune mică la bornele ei) şi o impedanţă în regim variabil
dinamică mare. Nu se poate folosi o bobină pentru că aceasta are o
reactanţă dependentă de frecvenţă L
Se foloseşte circuitul elementar cu BM în circuitul de ieşire care are cea
mai mare impedanţă de ieşire dintre cele trei circuite elementare:
Pentru circuite integrate liniare, grupul

format din rezistenţele de polarizare şi
capacitatea de decuplare se poate
înlocui cu o rezistenţă şi o diodă, fiind
posibile mai multe variante, specifice
circuitelor integrate; oglindă de curent.
66
33
3. Mărirea (electronică) a lui hf prin tranzistoare compuse:
a) tranzistor compus Darlington:
H i  hi' + hh' hi''  2hi' H f  h 'f h 'f'

dacă h 'f = h 'f' = h f hi' = hi'' = hi
Z id = 2 H i  4hi M  4h 2f Ro
Concluzie: s-a mărit şi impedanţa de intrare (nu numai factorul de rejecţie)
b) tranzistor compus SuperG:
H i  hi' H f  h 'f h 'f'

dacă h 'f = h 'f' = h f hi' = hi'' = hi
Z id = 2 H i  2hi M  2h 2f Ro
67

4. Utilizarea reacţiei negative de tip serie Se poate face echivalarea:
h af  h f hia  hi + (h f + 1)Re
Se calculează:
M = 2h f Ro Z id  2hi + 2h f Re
Pentru PSF
(
Z id  2hi + (h f + 1) Re' + Re'' )
Prin utilizarea potenţiometrului, se pot regla
curenţii de colector (din PSF) pentru a se realiza
un circuit simetric
68
34
69
Influenţa nesimetriilor asupra performanţelor AD

Nesimetrie :
• Tranzistoarele nu sunt identice
• PSF-urile nu sunt identice
• Impedanţele de sarcină nu sunt identice
Tranzistoarele sunt identice, funcţionează în PSF identice dar rezistenţele de sarcină sunt
diferite,
Z s' = Z s (1 +  ) Z s'' = Z s (1 −  )
Tensiunile de la cele două ieşiri ale AD sunt:
r1  v  r2  v 
V1 = Au'  vid + ic  V2 = Au''  − vid + ic  r1 = r2 = r
r1 + r2  r1  r1 + r2  r2 
h f Z s' hf
Au'  − =− Z s (1 +  ) = Au (1 +  )
hi hi
h f Z s'' hf
Au''  − =− Z s (1 −  ) = Au (1 −  )
hi hi
70
35
Influenţa nesimetriilor asupra performanţelor AD (2)
 v   v 
Au (1 +  ) vid + ic 
1
Au (1 −  ) − vid + ic 
1
V1 = V2 =
2  r  2  r 
Folosim următoarele notaţii:
amplificarea cu care tensiunea diferenţială de la intrare pătrunde în
Add = Au
tensiunea diferenţială de la ieşire;
Au amplificarea cu care tensiunea de mod comun de la intrare pătrunde în
Acd = tensiunea diferenţială de la ieşire;
2
Au amplificarea cu care tensiunea diferenţială de la intrare pătrunde în
Adc =
2 tensiunea de mod comun de la ieşire;
Au amplificarea cu care tensiunea de mod comun de la intrare pătrunde în
Acc =
2r tensiunea de mod comun de la ieşire
Se deduc tensiunile diferenţiale şi de mod comun de la ieşire:

Au
Vod = V1 − V2 = Au vid + vic = Add vid + Acd vic se vede influenţa factorului
2 de rejecţie a modului
V1 + V2 Au A comun şi influenţa
Voc =
2
=
2
vid + u vic
r
= Adc vid + Acc vic nesimetriilor circuitului.
71
72
36
Scheme electrice
1. Polarizare separată a bazelor celor două tranzistoare:
abateri mici ale rezistenţelor

pot duce la blocarea unuia
dintre tranzistoare
2. Polarizare comună a bazelor celor două tranzistoare:
73
Scheme electrice (2)

3. Reacţia negativă serie de curent:
4. Utilizarea de tranzistoare complementare:
factorul de rejecţie este infint, dar sursele de

semnal trebuie să conţină şi circuitele de
polarizare
74
37
Scheme electrice (3)
5. Circuit de intrare diferenţial pentru amplificatoare operaţionale:
75
38
Analogică (EEA)
11. Reacţia negativă în amplificatoare
Reacţia negativă în amplificatoare:
• Considerente generale;
• Analiza circuitelor cu recţie;
• Influenţa reacţiei negative serie de tensiune asupra
performanţelor unui amplificator;
• Influenţa reacţiei negative paralel de tensiune asupra
performanţelor unui amplificator;
• Influenţa reacţiei negative asupra tensiunilor
perturbatoare;
• Influenţa reacţiei negative asupra benzii de trecere

Reacţia negativă în
amplificatoare
1. Generalităţi
Considerente generale
Reacţia = procedeu folosit în circuitele electronice pentru a controla performanţele (şi

funcţiile) acestora; (amplificatoare, oscilatoare, etc.)
Reacţia: aplicarea la intrarea amplificatorului a unei tensiuni sau curent proporţional

cu unul dintre parametrii semnalului de la ieşire, tensiune sau curent; semnalul de
reacţie se aplică peste semnalul se amplificat;
❶ Mod apariţie:
Neintenţionată:
• Introdusă de elemente parazite (ex. C)
• Ca efect secundar (ex. Re pentru polarizarea TBIP în conexiune EC)
Intenţionată:
• Când este introdusă prin circuite adecvate în scopul modificării
performanţelor amplificatorului.

Considerente generale (2)
❷ Combinarea semnalului de reacţie cu semnalul de amplificat:
• reacţie pozitivă – când cele două semnale sunt în fază (modulul

amplificării de tensiune creşte);
• reacţie negativă – când cele două semnale sunt în antifază (modulul
amplificării de tensiune scade);
❸ Schema de principiu:
vi + via vo Un sistem cu reacţie negativă este

C A format din 4 componente:
_ 1) Sistemul de amplificare,
vr 2) Mecanismul de sens,
r 3) Reţeaua de reacţie şi
4) Comparatorul (sumatorul)

❹ Presupuneri (aproximaţii):
• Transferul direct se face numai prin amplificatorul de bază;

• Transferul invers (reacţia) se face numai prin circuitul de reacţie.
❺ Relaţii:
vi + via vo
Amplificatorul de bază (A): C A
_
vo  Avia vr
r
Circuitul de reacţie (r):
vr   r vo
vo  Avi   r vo 
Circuitul de comparare (sau de diferenţă) (C):
A
via  vi  vr vo  vi
1  r A
❻Amplificarea cu reacţie: vi via vo
+
C A
A _
A' 
1  r A
vr
r
Relaţie Tip
1 r A  1 Reacţie negativă;
1  r A  1 Reacţie pozitivă;
1  r A  1 Oscilator vo  0 vi  0
Toate cele trei cazuri au aplicaţii în circuitele electronice
Analiza circuitelor cu reacţie
1. Cuadripoli
2. Triporţi
3. Analiza simplificată

❶ Cuadripoli:
vi + via vo
C A
A şi r pot fi cuplaţi în mai multe moduri: _
vr
r
Amplificatorul
Circuitul de reacţie

❶ Cuadripoli (2):
• La intrare se compară
tensiunile (reacţie serie sau de
tensiune) sau curenţii (reacţie
paralel sau de curent);
• La ieşire se eşantionează
tensiunea (reacţie paralel sau
de tensiune) sau curentul de
ieşire (reacţie serie sau de
curent);

❶ Cuadripoli (3):
Modul de realizare a comparării este independent de modul de realizare a

eşantionării:
• Reacţie serie de tensiune

(reacţie serie‐paralel);
• Reacţie serie de curent (reacţie
serie‐serie);
• Reacţie paralel de tensiune
(reacţie paralel‐paralel);
• Reacţie paralel de curent (reacţie
paralel‐serie);
Toate tipurile de reacţii sunt utilizate.


❶ Cuadripoli (4):
• Reacţie serie de tensiune (reacţie serie‐paralel);

❶ Cuadripoli (5):
• Reacţie serie de curent (reacţie serie‐serie);

❶ Cuadripoli (6):
• Reacţie paralel de tensiune (reacţie paralel‐paralel);

❶ Cuadripoli (7):
• Reacţie paralel de curent (reacţie paralel‐serie);

❶ Cuadripoli (4):
Reţeaua de reacţie este plasată în serie cu sursa de intrare.
• Reacţie serie de tensiune

(reacţie serie‐paralel);
• Reacţie serie de curent (reacţie
serie‐serie);
• Reacţie paralel de tensiune
(reacţie paralel‐paralel);
• Reacţie paralel de curent (reacţie
paralel‐serie);
Reţeaua de reacţie este plasată în paralel cu sursa de intrare.
❶ Cuadripoli (5):
Prin cuadripoli:
• Se determină parametrii de cuadripol ai circuitului cu reacţie în funcţie de

parametrii de cuadripol adecvaţi ai amplificatorului de bază şi ai
circuitului de reacţie şi
• Se determină performanţele amplificatorului cu reacţie ca un circuit
caracterizat prin parametrii de cuadripol;
Amplificator cu reacţie serie de curent
via  iia  vir  iia 

v   Z 
a   v   Z 
r  
 oa  ioa   or  iir 
vi  via  vir ii  iia  iir
vo  voa  vor io  ioa  ior
vi  ii 
v   Z i  Z   Z a   Z r 
 o  o
Amplificatorul
Se calculează apoi mărimile caracteristice: Au , Ai , Z int , Z ies
Dezavantaje:
• Nu se pot pune în evidenţă explicit cei doi cuadripoli
Circuitul de reacţie (cu excepţia configuraţiei paralel de tensiune);
• Pentru fiecare mărime este necesar un calcul separat;
• Nu se poate pune în evidenţă efectul global al reacţiei;

❷ Analiza circuitelor cu reacţie prin triporţi:
Avantaj:
• Se poate justifica foarte uşor desfacerea buclei de reacţie pentru
calculul performanţelor amplificatoarelor;
❸ Analiza simplificată a celor patru tipuri de reacţie
Influenţa reacţiei negative

serie de tensiune asupra
performanţelor unui
amplificator

Reacţia negativă serie de tensiune
❶ Schema de principiu:
Amplificatorul de bază caracterizat prin:

(se neglijează transferul invers
A , Z ia , Z oa prin amplificator);
Circuitul de reacţie caracterizat prin:
 r , Zir , Z or (se neglijează transferul direct

prin circuitul de reacţie);
În mod obişnuit:
Z ia  Z ir ; Z oa  Z or
(circuitul de reacţie trebuie să influenţeze cât mai
puţin amplificatorul de bază)
❷ Amplificarea cu reacţie:
vo Z s Z or
A'  vo  A via  AZ s , Z or via
vi Z oa  Z s Z or
AZ s , Z or  Amplificarea amplificatorului de

bază ţinând seama de impedanţa
de sarcină şi de încărcarea pe care
o produce circuitul de reacţie;
La intrare:
via 
Z ia
vi   r vo  (prin divizor);
Z ia  Z ir
Z ia
vo  AZ s , Z or  vi   r vo 
Z ia  Z ir
❷ Amplificarea cu reacţie (2):
Se notează:
Z ia
AZ s , Z or , Z ir   AZ s , Z or 
Z ia  Z ir
Amplificarea amplificatorului de bază cu
încărcările pe care le produce circuitul de
reacţie şi sarcina;
A' 
vo


A Z s , Z or , Z ir 
 
Rezultă:
vi 1   r A Z s , Z or , Z ir
Dacă: Z oa  Z or
Z ia  Z ir AZ s , Z or , Z ir   AZ s   A
Z oa  Z s
❸ Impedanţa de intrare:
Curentul de intrare este acelaşi prin Zia şi Zir , (condiţie greu de realizat)

via vo 1
ii  
Z ia AZ s , Z or  Z ia
AZ s , Z or 
Z int 
vi vi
 AZ s , Z or Z ia  1   r AZ s , Z or , Zia Zia 
ii vo AZ s , Z or , Z ir 
Z ia  Z ir
 1   r AZ s , Z or , Zia Zia 
Z ia
 Zia  Zir   r AZ s , Z or , Zia Zia  Zir  
 Z 
 Zia  Zir   r AZ s , Z or Zia  Z ia 1   r AZ s , Z or   ir 
 Z ia 
Dacă: Z ia  Z ir Z int  Zia 1   r A Concluzie:
Impedanţa de intrare este
mărită substanţial.
❸ Impedanţa de intrare (2):
Rif  Ri 1   r A
 r A  1
Concluzie:
Impedanţa de intrare este
mărită substanţial.
❸ Impedanţa de intrare (3):
r
Vin
 Rin 1  A r 
I in
Concluzie:
Impedanţa de intrare este mărită substanţial.
❹Impedanţa de ieşire:
Se pasivizează tensiunea de intrare iar impedanţa generatorului de semnal rămâne

în serie cu impedanţa de intrare a amplificatorului de bază.
vo  A via vo
io  
Z oa Z or
Z ia
vi  0 via    r vo (divizor de tensiune)
Z ia  Z ir
Z ia
vo  A   r vo 
Z ia  Z ir vo
io  
Z oa Z or
❹Impedanţa de ieşire (2):
Rezultă:
Z oa Z oa
Z ies  Z or  Z or
1   r A
Z ia 1   r AZ ir , Z g 
Z ia  Z ir
Dacă:
Z oa
Z ir  Z ia Z ies  Z or
1   r A
Observatie:
Impedanţă de ieşire foarte mică, amplificatorul se
comportă ca un generator de tensiune la ieşire.

Altfel: Z oa
Z or
Z oa 1   r A ( Z ir )
Z ies  Z or  
1   r A ( Z ir ) Z  Z oa
1   r A ( Z ir )
or
Z or Z oa
Z or Z oa Z or  Z oa
 
Z or  Z oa   r A ( Z ir ) Z or 1   A ( Z ) Z or
r 
Z or  Z oa
ir
Z or Z oa
Z ies 
1   r A ( Z or , Z ir )
Observatie:
Impedanţă de ieşire fără reacţie, cu influenţa circuitului de reacţie
micşorată cu diferenţa de întoarcere
O
A
r
Vo Ro

I o 1  A r  Concluzie:
Impedanţa de ieşire este
micşorată substanţial.
paralel de tensiune asupra
performanţelor unui
amplificator
Reacţia negativă paralel de tensiune
Reacţia paralel presupune o impedanţă a generatorului de semnal diferită

de zero, altfel reacţia dispare.

❶ Schema de principiu (2):
Cazul cel mai des întâlnit, reacţia printr‐o

impedanţă cuplată între intrare şi ieşire:
Se echivalează circuitul de ieşire

pentru a lua în considerare efectul
impedanţei de sarcină:
ZS
A( Z S )  A
Z S  Z oa

Ro
Vo Ro

I in 1  Ro  r 
r
❷ Impedanţa de intrare:
via  vo
iia 
1 i i Z2 i 1 via  vo 1 1  v 
 ia ir   ia    1  o 
Z int via via via Z 2 via Z ia Z 2  via 
Dar:
Z 2  Z1 Z ia Z oa Z s
vo  AZ s via
Z ia
 vi 
Z 2  Z1 Z ia  Z oa Z s Z ia  Z1 Z 2  Z1 Z ia  Z oa Z s
 AZ s via  AZ s , Z or via

Z or (al doilea termen este neglijabil, el
Z or  Z oa Z s reprezintă transferul direct prin
circuitul de reacţie care se neglijează);

❷ Impedanţa de intrare (2):
AZ s , Z or   AZ s 
Z or Zs Z or
 A 
Z or  Z oa Z s Z s  Z oa Z or  Z oa Z s
Z s Z or
 A • Influenţa sarcinii;
Z or  Z s Z or • Influenţa încărcării circuitului de reacţie.
Rezultă:
Z2
Z int  Z ia
1  AZ s , Z or 
• Amplificarea de tensiune este negativă;

• Importanţa esenţială a celui de al doilea termen;
• Impedanţă de intrare foarte mică.
❸ Amplificarea de tensiune:
Tensiunea de le intrarea
amplificatorului:
Z ia
vi '  vi
Z1  Z ia vo v'
 i
Z1 Z ia Z Z1 Z ia
r  via  2   r vo  1   r vi '
Z 2  Z1 Z ia 1

1
Z 2 Z1 Z ia
Z or Z oa Z s
vo  AZ s via  vi ' (al doilea termen se neglijează
Z or  Z oa Z s Z or  Z oa Z s fiind transferul direct prin
circuitul de reacţie)
Z or
 AZ s via  AZ s , Z or via
Z or  Z oa Z s

❸ Amplificarea de tensiune (3):
vo  AZ s , Z or  r vo  1   r vi '

AZ s , Z or 
Rezultă: vo  1   r vi ' 
1   r AZ s , Z or 
AZ s , Z or  Z2 Z ia Z1
 vi 
1   r AZ s , Z or  Z 2  Z oa Z s Z ia  Z1 Z1
AZ s , Z or  Z 2
 vi
1   r AZ s , Z or  Z1
Z 2 AZ s , Z or 
Deci: A'  Amplificator inversor; pentru
Z1 1   r AZ s , Z or  ca reacţia să fie negativă este
Z2 necesar ca A<0 ;
Dacă:  r A( Z s , Z or )  1 A'   Stabilitatea amplificării cu
Z1
reacţie;
❹ Impedanţa de ieşire:
Circuitul echivalent:
v v  A  r v

v 1 i Z  Z1 Z ia Z oa
Z ies    2
i Z ies v v
1 1 1   r A Z oa
  Z ies  Z or
Z ies Z or Z oa 1   r A
Impedanţa de ieşire este foarte mică

❹ Impedanţa de ieşire (2):
1 Z  Z or   r A Z or Z oa  Z or  Z or 
 oa  1   r A 
Z ies Z or Z oa Z or Z oa  Z or  Z oa 
1

1
1   r A( Z or )
Z ies Z oa Z or
Z oa Z or
Sau: Z ies  Z oa Z or este impedanţa de ieşire
1   r AZ or  fără reacţie
Reacţia negativă serie de curent
Gm
Io Gm

Vin 1  Gm  r 
r

Gm
r
 Rin 1  Gm  r 
Vin
I in
❸ Impedanţa de ieşire:
Gm
r r
 Rout 1  Gm  r 
Vx
O foarte buna sursă de curent
Ix
Reacţia negativă paralel de curent
Ai
Io Ai

r I in 1  Ai  r 
Ai
r
Vx Rin

I x 1  Ai  r 

❸ Impedanţa de ieşire:
Ai
r
 Rout 1  Ai  r 
Vx
O foarte buna sursă de curent
Ix

asupra tensiunilor
perturbatoare

Influenţa reacţiei negative asupra tensiunilor
perturbatoare
❶ Surse:
• Zgomote proprii ale componentelor electrice şi electronice;

• Modificări ale PSF;
• Variaţia tensiunilor de alimentare, inclusiv zgomote suprapuse peste acestea;
• Neliniarităţi ale circuitelor.
❷ Schema echivalentă la ieşire fără tensiuni perturbatoare şi fără reacţie:
Notaţie
• indice s = semnal
• indice p = perturbaţie
Zs
vo  A via  v os
Z s  Z oa

perturbatoare
❸ Schema echivalentă la ieşire cu tensiuni perturbatoare şi fără reacţie:
Zs Zs
vo  A via  ep  vos  vop
Z s  Z oa Z s  Z oa
vos
Se defineşte raportul semnal/perturbaţie: Rsp 
vop
Observaţie:
Raportul semnal/perturbaţie se defineşte pentru
valoare nominală a semnalului.

perturbatoare
❹ Schema echivalentă la ieşire cu tensiuni perturbatoare,
fără semnal util la intrare şi cu reacţie:
via  vir    r vopr
vopr  Zs
Z s  Z oa e p  Z s Z sZ oa A  r vopr  vop  A r vopr
vop
vopr 
1 r A
vos r vos vos

Raportul semnal/perturbaţie R sp 
r
   Rsp 1   r A
pentru circuitul cu reacţie: vopr vopr vop
1 r A
• Raportul semnal/perturbaţie se măreşte;
• Semnalul util este acelaşi la ieşire;
• La circuitul cu reacţie se va aplica la intrare un semnal util mult mai mare.

asupra benzii de trecere

Influenţa reacţiei negative asupra benzii de
trecere
❶ Elemente care afectează caracteristica de frecvenţă a unui amplificator:
• La frecvenţe mari: capacităţile TBIP, capacităţile parazite, capacitatea de

intrare a sarcinii, dependenţa factorului de amplificare în curent de frecvenţă,
capacităţi de compensare;
• La frecvenţe joase: capacităţile de cuplare şi de decuplare, capacităţi de
compensare.
❷ Dependenţa A(f) (numai pentru frecvenţe înalte):
Se presupune o dependenţă cu un singur pol:

Ao
A f  
f
1 j
fs
A0 ‐ Amplificarea de tensiune la frecvenţe
joase fără reacţie;
fs ‐ Frecvenţa de tăiere la frecvenţe înalte fără
reacţie

trecere
❸ Amplificarea cu reacţie :
Ao
f
1 j
A( f ) fs Ao
Ar ( f )   
1   r A( f ) 1   Ao f
1  j   r Ao
r
f fs
1 j
fs
Ao
1   r Ao Aor
Ar ( f )  
f f
1 j 1 j r
f s (1   r Ao ) fs

trecere
❸ Amplificarea cu reacţie (2) :
unde:
Ao
Aor  f sr  f s (1   r Ao )
1   r Ao
Concluzie:
Banda de trecere a amplificatorului se măreşte.
Observaţie:
Produsul amplificare‐bandă este constant indiferent de gradul
de reacţie:
Aor f sr  Ao f s  ct.

trecere
❸ Amplificarea cu reacţie (3) :
Sistem
3 poli

Concluzii la utilizarea reacţiei negative în
amplificatoare
• Modulul amplificării de tensiune scade;

• Stabilitatea amplificării de tensiune la diferite variaţii creşte;
• Se pot controla impedanţele de intrare şi de ieşire;
• Se reduc tensiunile perturbatoare inclusiv cele introduse de
neliniarităţile circuitului;
• Se măreşte banda de trecere a amplificatorului;
• Există posibilitatea apariţiei unei instabilităţi dinamice
(producere de oscilaţii).

❶ Cuadripoli (4): Tensiune‐Tensiune
Vout A0

Vin 1  A0
❶ Cuadripoli (4): Tensiune‐Curent
V out RO

I in 1   RO

❶ Cuadripoli (4): Curent‐Tensiune
I out Gm

Vin 1   G m

❶ Cuadripoli (4): Curent‐Curent
I out AI

I in 1  AI
Analogică (EEA)
12. Impedanţe simulate
Impedanţe simulate
Se simulează electronic impedanţe controlabile

(efecte capacitive sau inductive);
Amplificatorul cu reacţie paralel de tensiune

fără tensiune aplicată la intrare
Amplificatorul

Impedanţa de ieşire
❷ Impedanţa de ieşire:
Z oa Se neglijează efectul
Z AB  Z ies
'
 circuitului de reacţie
1   r A
Se transformă la ieşire în
dacă:  r A  1
schemă echivalentă Norton
Z oa Z 1 1 1
Z AB    oa 
  r A A  r S A  r
A
SA   Panta echivalentă a
amplificatorului;
Z oa
dacă: Z ia  Z1
Z1 1 Z1  Z 2 1 Z
r  Z AB    2
Z1  Z 2 S A Z1 S A S A Z1
Exemple
Convertor inductanţă – capacitate
Convertor capacitate – inductanţă
Multiplicator de inductanţă
Multiplicator de capacitate

Exemple
Circuitul cu amplificator cu tranzistoare
T1 este repetor pe emitor (pentru impedanţă de

intrare mare);
T2 amplificator cu EM pentru amplificare mare

(şi negativă), cu panta echivalentă S2;
Circuitul de reacţie între punctele M, N şi P
Exemple (2)
❶ Convertor inductanţă – capacitate:
Z 2  R2 ; Z1  jL1
1 1 R2 1 1 1
Z AB      RAB 
S 2 S 2 jL1 S 2 j S 2 L1 jC AB
R2
1 S 2 L1
RAB  C AB  Reglabilă prin S2
S2 R2

Exemple (3)
❷ Convertor capacitate – inductanţă:
1
Z 2  R2 ; Z1 
jC1
1 CR
Z AB   j 1 2  RAB  jLAB
S2 S2
1 C1R2
RAB  LAB  Reglabilă prin S2
S2 S2
Exemple (4)
Factorul de calitate al inductanţei:
RAB  LAB
1 1 Z2 Z2
  1
S2 S 2 Z1 Z1
Z1
r   1 Condiţia iniţială:  r A  1
Z1  Z 2
Este necesar un amplificator cu mai multe etaje

Exemple (5)
❸ Multiplicator de inductanţă:
Z1  R1 Z 2  jL2
1 1 jL2
Z AB    RAB  jLAB
S 2 S 2 R1
1 L2
RAB  LAB 
S2 S 2 R1
S2 R1  1 Greu de realizat
Exemple (6)
❹ Multiplicator de capacitate:
1
Z1  R1 Z2  ;
j C 2
1 1 1
Z AB    RAB 
S 2 S 2 jC2 R1 jC AB
1
RAB  C AB  C2 S2 R1
S2
S 2 R1  1 Uşor de realizat

Exemple (7)
❹ Multiplicator de capacitate (2):
C2 capacitatea de barieră a unei diode (varicap) iar
R1 rezistenţa de polarizare în c.c.
Multiplicare de capacitate variabilă prin tensiunea continuă de polarizare

Analogică (EEA)
13. Circuite de intrare în
amplificatoarele elementare
Circuite de intrare în
13.1. Circuitul de intrare al
amplificatorului EM
amplificatorului cu CM

Circuitul de intrare al amplificatorului EM
• La frecvenţe înalte apar capacităţi parazite care afectează funcţionarea

amplificatorului;
• Frecvenţe medii: domeniul de frecvenţe în care amplificarea de tensiune
nu depinde de frecvenţa semnalului (amplificator aperiodic);
❷ Schema echivalentă Giacoletto:
Se pune în evidenţă un amplificator

cu reacţie paralel de tensiune (prin
Z)
Amplificatorul este caracterizat la

intrare prin Z= Z iar circuitul de
reacţie prin Z2= Z 
❷ Impedanţa de intrare: 1 1 1 A
 
Z int Z ia Z2
❸ Amplificarea de tensiune:
1 1 1  SZ s
A   SZ s şi rezultă:  
Z int Z Z
Cazul Zs= Rs sarcină pur rezistivă :
1 1  SRs 1 1  SRs
 j C  1  SRs C 
1
   
Z int Z Z r r
r
Cint  C  1  SRs C
1 1
  jCint Rint  r
Z int Rint 1  SRs

❹ Schema echivalentă:
Observaţii:
• La frecvenţe mari, capacitatea de intrare şuntează rezistenţa de intrare a
etajului EM;
• Nu se poate conecta etaj EM după circuit cu sarcină dinamică;
• Soluţie: se foloseşte schemă BM sau cascodă pentru etaj de intrare;
• Se foloseşte repetor pe emitor ca etaj intermediar.

❺ Cazul unei amplificări complexe:
A   A0e j   A0 cos  j sin  
1 1
  jC  1  A0e j
Z int r
  r1  jC 
  
1 1 1  A0 cos
  jC   A0C sin  
Z int r r
jA0 sin 
 jC 1  A0 cos  
r

❺ Cazul unei amplificări complexe (2):
1 1 1 1
    j ...........
Z int r r 1
1  A0 cos A0C sin 
1 1
  jCint
Z int Rint
Rint  Rint (  ) Rint ( )

1
Rint ()  
A0C sin 

❺ Cazul unei amplificări complexe (3):
Observaţie:
Pe intrare apare o componentă de rezistenţă negativă în paralel cu
componenta pozitivă;
La o anumită frecvenţă, rezistenţa de intrare poate deveni negativă ceea
ce presupune o instabilitate a circuitului;
Această comportare poate să apară numai dacă >0, deci pentru sarcină
inductivă:
Ls
Z s  Rs  jLs ;   arctg 0
Rs
Cazuri reale:
Circuite cu relee;
Circuite cu transformatoare;
Remediu:
Rezistenţă antioscilantă:
Circuite de intrare în
amplificatorului EM
amplificatorului cu CM
Circuitul de intrare al amplificatorului cu CM

❶ Schema amplificatorului CM:

❶ Schema amplificatorului CM (2):
1 1 1 A 1 1 A 1 1 
      jC  1  A  jC 
Zint Zia Z2 Z Z r  r 
SZ s 1 1 1 1
A 1 A   
1  SZ s 1  SZ s Z int Z  Z (1  SZ s )

❷ Cazul Zs= Rs sarcină pur rezistivă :
1 1 1  C 
   j  C  
Z int r 1  SRs r  1  SRs 
Rint  r 1  SRs r  r r  h f Rs 
C
Cint  C 
1  SRs
Capacitatea de intrare este redusă foarte mult iar rezistenţa de intrare creşte

❸ Cazul unei sarcini capacitive:
1 1
  j C s Se presupune că: SZ s  1
Z s Rs
1 1 1 1  1 
  jC    jCs   jC 
Z int r S  Rs  r 
1 1 1  2C Cs  C C 
    j  C    s 
Z int r Sr Rs S  SRs Sr 
C C
Cint  C   s
SRs Sr
Capacitatea de intrare este mică (etaj de cuplare) şi
Capacitatea de sarcină se reflectă micşorată la intrare;

❸ Cazul unei sarcini capacitive (2):
S
Rint  r Sr Rs 
 2CsC
• Rezistenţă de intrare mare;

• Componentă negativă
dependentă de pătratul
frecvenţei semnalului devine
importantă la frecvenţe relativ
mici;
• Compensarea se poate face cu
rezistenţă antioscilantă în serie
cu baza:

Analogică (EEA)
14. Amplificatoare Operaţionale
Amplificatoare Operaţionale
14.1 Amplificatorul operaţional real

Parametrii unui amplificator
operaţional real

Parametrii unui amplificator operaţional real
❶ Generalităţi
Amplificatorul operaţional (AO) este un circuit integrat liniar complex
care poate fi caracterizat prin comportarea sa la bornele de intrare şi de
ieşire.
De regulă, AO are o structură de tip diferenţial pe intrare şi o ieşire

nesimetrică
În afara bornelor de intrare (două) şi de ieşire (una), AO mai dispune

de două borne de alimentare precum şi de borne de acces pentru
compensări statice sau dinamice.
Alimentarea se poate face simetric faţă de masă sau asimetric,

una din borne fiind conectată la masă)
Compensările statice sunt necesare pentru reducerea efectului
mărimilor reziduale rezultate din nesimetria circuitului iar cele
dinamice pentru corectarea caracteristicii de frecvenţă a AO.
❷ Simbolizare:
Bornele de intrare
• inversoare şi
• neinversoare
Borna de ieşire
Bornele corespunzătoare
tensiunilor de alimentare
Relaţia fundamentală simplificată a AO este: vo = –A0vd.

Amplificatorul
Relaţia fundamentală simplificată a AO este: vo = –A0ve
Ca pentru orice dispozitiv sau circuit electronic, se pot pune în evidenţă

caracteristicile statice
• de transfer,
• de intrare,
• de ieşire,
• de alimentare, din care se vor deduce
parametrii circuitului.
Structura unui AO integrat prezintă o mare complexitate,

Este necesar un număr mare de parametri care să caracterizeze complet
comportarea acestuia în diverse regimuri de funcţionare.
Parametrii AO pot fi grupaţi în mai multe categorii în funcţie şi de modul

în care intervin în proprietăţile circuitelor cu AO depinzând şi de aplicaţia
pentru care este realizat circuitul respectiv.

Presupunere iniţială
Toţi parametrii AO depind, mai mult sau mai
puţin, de condiţiile reale de funcţionare
(tensiunile de alimentare, temperatură, sarcină,
dispersia de fabricaţie, îmbătrânire).
Exemplificare
Parametrii AO reali vor fi exemplificaţi pe un AO
integrat de uz general şi de joasă frecvenţă de tipul
μA741.
Istorie
• Primul AO A741 a fost proiectat de către Bob Widlar
în 1963 la Fairchild Semiconductor.
– A702 preţ 300$/buc.
– A709 preţ 70$/buc.
• National Semiconductor.
– LM101
http://en.wikipedia.org/wiki/Bob_Widlar
AO A741
Configuraţie de AO CMOS cu două etaje

Circuitul echivalent de semnal mic pentru AO CMOS cu două etaje
Circuitul echivalent aproximativ pentru AO CMOS cu două etaje la
frecvenţă mare

Circuitul echivalent de semnal mic pentru AO CMOS cu două etaje
cu R în serie cu Cc
Model pentru AO CMOS cu două etaje cu tensiune diferenţială
aplicată

AO A741
Curent de Polarizare
Referenţă
Etaj Intrare Etaj Intermediar Etaj Ieşire
Amplificatorul

Circuit echivalent pentru AO
Characteristici:
• Curentul de intrare neglijabil
• Rezsistenţă mare de intrare (CA)
• Rezsistenţă mică de ieşire (CA)
Amplificare mare de tensiune
Parametrii de semnal mic
• Amplificarea de tensiune în buclă deschisă

• Impedanţa de intrare diferenţială
• Impedanţa de ieşire
• Factorul de rejecţie a modului comun
• Impedanţele de intrare pe modul comun pe
cele două intrări
• Dependenţa acestor parametri de sarcină

• Amplificarea de tensiune în buclă deschisă
Notată cu A0;
Performanţele circuitelor cu AO sunt cu atât mai
bune cu cât amplificarea în buclă deschisă este mai
mare şi, ca urmare, valorile pentru acest parametru
sunt de regulă mari, de ordinul de mărime 105 ÷ 106,
aşa cum are şi AO μA741;
• Impedanţa de intrare diferenţială

Notată cu Zi,
Valori tipice mai mare de 10 kΩ;
AO reprezentative dispun de impedanţe de
intrare diferenţiale de până la sute de kΩ pentru
AO cu transiztoare bipolare la intrare şi de valori
mult mai mari pentru AO cu tranzistoare cu efect
de câmp la intrare;

• Impedanţa de ieşire
Notată cu Zo,
Valori tipice mai mici de 250 Ω;
În cea mai mare parte a aplicaţiilor,
valoarea acestei impedanţe nu are mare
importanţă deoarece aceste circuite
folosesc reacţia negativă de tensiune care
duce la micşorarea substanţială a
impedanţei de ieşire a circuitului cu AO;
• Factorul de rejecţie a modului comun
Notat cu CMR,
Valori tipice de 100 dB dar poate ajunge şi
la valori de 130 dB;
Importanţa acestui parametru apare în
cazul circuitelor care prelucrează semnale
variabile utile de nivel mic suprapuse peste
tensiuni continue de valori importante;

• Impedanţele de intrare pe modul comun pe

cele două intrări
Z+ic şi Z–ic, au în mod obişnuit, valori foarte
mari (sute de MΩ) şi contează numai în cazul
circuitelor cu impedanţă de intrare foarte
mare;
Mărimile reziduale
• Tensiunea de decalaj raportată la intrare

• Curentul de polarizare la intrare
• Curentul de decalaj de la intrare
• Derivele termice ale acestor mărimi

Mărimile reziduale
• Tensiunea de decalaj raportată la intrare

Notată VD, definită ca fiind tensiunea care
se aplică între bornele de intrare ale AO
pentru ca tensiunea de la ieşirea acestuia să
fie nulă în absenţa semnalului util;
Valorile tipice sunt de ordinul mV şi diferă
mult în funcţie de structura etajului de
intrare al AO;
Mărimile reziduale
• Curentul de polarizare la intrare
Notat Ip, definit ca semisuma curenţilor de

intrare pe cele două borne ale AO, necesari
pentru polarizarea în curent continuu a
tranzistoarelor (în cazul AO cu tranzistoare
bipolare pe intrare) sau a curenţilor reziduali
de intrare ai transiztoarelor cu efect de câmp
în cazul utilizării acestei tehnologii de
realizare a AO;
Valorile sunt de ordinul zecilor de nA pentru
AO cu tranzistoare bipolare sau mult mai mici
pentru AO cu transiztoare cu efect de câmp
pe intrare;
Mărimile reziduale
• Curentul de decalaj de la intrare
Notat ID, definit ca valoarea absolută a

diferenţei curenţilor de intrare ai AO, cu
valori tipice comparabile cu cele ale
curentului de polarizare;
• Derivele termice ale acestor mărimi
Măsurate în V/ºC (pentru VD) respectiv în

nA/ºC (pentru cei doi curenţi)
Mărimile referitoare la funcţionarea

în frecvenţă a AO:
• Frecvenţa de tăiere a AO (banda de trecere) în

buclă deschisă
• Viteza de variaţie a semnalului la ieşire (slew
rate)
• Timpul de creştere şi timpul de stabilire
• Tensiunea echivalentă de zgomot

• Frecvenţa de tăiere a AO (banda de trecere) în

buclă deschisă
Notată cu f0, valorile acestui parametru depind foarte
mult de complexitatea structurii interne a AO şi pot fi
între 10Hz (pentru μA741) şi valori mult mai ridicate
pentru alte AO (de exemplu, sute de MHz pentru
μA733);
Devine importantă pentru circuite care funcţionează
la frecvenţe mari, dar se ţine seama de faptul că AO
este folosit, de regulă, în circuite cu reacţie negativă
de tensiune care îmbunătăţeşte comportarea în
frecvenţă a circuitului cu bucla de reacţie închisă

• Viteza de variaţie a semnalului la ieşire (slew

rate)
Notată cu SR (slew rate), reprezintă raportul dintre
variaţia de tensiune la ieşirea AO şi timpul în care se
realizează acestă variaţie în cazul aplicării unui impuls
de tensiune de valoare mare la intrare astfel încât
ieşirea AO să se deplaseze între cele două valori de
saturaţie determinate de structura circuitului de ieşire
al AO; Valoarea acestui parametru se măsoară în V/μs
variind, în funcţie de structura AO, de la valori de 0,75
V/μs (pentru μA741) la valori cu câteva ordine de
mărime mai mari pentru AO mai performante;
• Timpul de creştere şi timpul de stabilire

Notaţi tcr şi tstab, definiţi pentru răspunsul AO în buclă
deschisă la aplicarea unui impuls de amplitudine
mică şi având valori de ordinul ns;
Caracterizează comportarea în regim tranzitoriu a

AO funcţionând în impulsuri la frecvenţe mari;
În principiu, răspunsul circuitului la un astfel de

impuls caracterizează complet comportarea în
frecvenţă a circuitului;

• Tensiunea echivalentă de zgomot
Notată ezg,
Un AO real care conţine componente pasive şi
active generatoare de zgomot va fi un dispozitiv
zgomotos;
În acest context, zgomotul este considerat sub
forma unor tensiuni aleatorii care limitează
senzitivitatea circuitului.

Disponibilităţile AO la ieşire:
• Curentul maxim disponibil la ieşire

• Tensiunile extreme de la ieşire
• Curentul maxim disponibil la ieşire
Notat Io max, cu valori tipice de 20 mA (pentru μA741);
Pentru mărirea curentului disponibil la ieşire se pot

folosi amplificatoare de curent cu tranzistoare în
conexiunea colector comun (repetoare pe emitor)

• Tensiunile extreme de la ieşire

Se pot obţine fără distorsiuni majore Vo max şi –V'o max, depind
de structura etajului de ieşire al AO şi de tensiunile de
alimentare fiind cu 1 – 2 V mai mici decât acestea;
Valorile absolute ale acestor mărimi sunt diferite pentru că nu

este aceeaşi structură a etajului de ieşire pentru ambele
alternanţe ale semnalului;
Valorile indică posibilitatea circuitului de a da la ieşire un
semnal sinusoidal maxim nedistorsionat într‐o sarcină
precizată;
Limitarea se produce datorită tensiunilor de alimentare,
rezistenţei de sarcină, rezistenţei de ieşire a AO precum şi
efectelor determinate de funcţionarea în frecvenţă a AO.
Caracteristica de alimentare:
• Tensiunile de alimentare
• Curenţii de alimentare
• Puterea consumată
• Factorul de rejecţie a surselor de alimentare
(supply voltage ratio)

• Tensiunile de alimentare
– Folosite pentru polarizarea circuitelor;
– Trebuie remarcat că AO se pot alimenta simetric
(varianta cea mai des folosită) sau nesimetric, cu o
sursă pozitivă faţă de masă;
• Curenţii de alimentare
– Absorbiţi de la sursele de alimentare;
• Puterea consumată
– De la fiecare din sursele de alimentare;
• Factorul de rejecţie a surselor de alimentare

(supply voltage ratio)
Notat SVR, ce reprezintă în ce măsură variaţiile tensiunilor
de alimentare influenţează principalii parametri ai AO;
Raportul dintre variaţia tensiunii de alimentare şi variaţia
tensiunii la ieşirea unui AO în buclă deschisă pe care a
provocat‐o;
AO este capabil să amplifice semnale de curent continuu,
deci este sensibil la schimbările propriilor surse de
alimentare;
Dacă sursele de tensiune de alimentare nu sunt bine filtrate
şi tensiunea de alimentare variază cu frecvenţa de
redresare, atunci şi parametrii AO pot fi influenţaţi de
aceste variaţii.
Valorile limită absolute:
• Tensiunile de alimentare limită

– ce pot fi aplicate AO;
• Tensiunile de alimentare diferenţiale maxime
– care se pot aplica fără deteriorarea circuitului;
• Tensiunile de intrare de mod comun maxime
– care se pot aplica fără deteriorarea circuitului.
Mai pot fi menţionaţi şi alţi parametri limită, importanţi din
punct de vedere practic, dar care pot fi neglijaţi în procesul
de analiză şi de proiectare a circuitelor cu AO.
În plus, trebuie să se ţină seama de dependenţa acestor
parametri de condiţiile reale de funcţionare adică de
modificările lor la variaţii ale surselor de alimentare, ale
sarcinii sau ale temperaturii.
14.2. Amplificatorul
operaţional ideal
Parametrii unui amplificator

operaţional ideal

Parametrii unui amplificator operaţional ideal
• În cazurile reale de analiză şi proiectare a unor

circuite cu AO nu se poate ţine seama de la început
de toţi parametrii acestora inclusiv de dependenţa
lor de condiţiile reale de funcţionare.
• Din acest motiv, pentru o analiză (proiectare) a

circuitelor cu AO, se preferă utilizarea conceptului de
AO ideal în care parametrii amplificatorului real sunt
idealizaţi în primă abordare.
• Se determină principalele performanţe ale circuitului

analizat (proiectat) cu acest concept după care se
face o analiză completă luând în consideraţie acele
neidealităţi ale AO care au importanţă în aplicaţia
respectivă.
• În acest fel, se fac toate corecţiile necesare şi se

poate realiza o analiză (proiectare) rapidă a
circuitelor cu funcţii analogice cu AO oricât de
complexe.

• Pentru un AO ideal, idealizarea parametrilor se face

trecând la limită, adică toţi parametrii care trebuie să
aibă o valoare mare, şi anume (A0, Zi, Z+ic, Z–ic, CMR,
f0, SR, SVR, Io max, Vo max) vor fi consideraţi cu valoare
infinită,
• Iar toţi parametrii care trebuie să aibă valoare mică

(Z0, VD, Ip, derivele acestora tcr, tstab, ezg) vor fi
consideraţi nuli.
Circuitele cu AO vor fi analizate considerând:
1. AO ideale şi
2. Vor fi luate în considerare acele neidealităţi
care au importanţă în aplicaţia respectivă.

Analogică (EEA)
15. Structuri inversoare cu

Amplificatoare Operaţionale
Structuri inversoare cu AO
1. Schema de principiu cu AO ideal

Schema de principiu cu AO ideal
❶ Schema:
Determinăm:
i2
A, Zint, Zies
i1 ii Z int  
ii  0
ei
in i1  i2 Legea I Kirchhoff
 vi  ei
 i1 
 Z1

i  ei  vo
 2 Z2
Z2
vo   vi
vo = –A0ei. Z1
❷ Reacţia negativă: vi + via vo
C A
_
A vr
r
vo  A(vi   r vo )   Aei  ei  0  U   U 
 Z2 Z1
U   ui  uo
 Z1  Z 2 Z1  Z 2
U  0
 
Amplificatorul
u0 Z
A  2
ui Z1
Impedanţa de intrare Zint = Z1 Circuitul de reacţie
Impedanţa de ieşire Zies = 0

vo = –A0ei.
Efectele neidealităţii AO
❸ Parametri:
vo = –A0ei.

❸ Parametri: A0, Zint, Zies, UD, ID, IP

Efecte datorate derivelor
termice ale mărimilor
reziduale:
U D I D I P
T T T
Z+ este conectată
între puncte de masă
Z   Z i
Z 0  Z s  Z 2
vo = –A0ei.

❸ Circuitul de ieşire:
Teorema lui Thevenin:
Z0
Zs
-A0ei
vo = –A0ei.
Z0Zs
Z 01 
Z0  Zs
Zs
A01  A0
Z0  Zs
❸ Circuitul de ieşire:
Utilizarea teoremei lui Millman pentru potentialul de iesire si potentialul
bornei inversoare:
 ei  A01ei Prin eliminarea lui ei se poate

  v
Z2 Z 01 determina amplificarea in bucla inchisa A  o
u o  vi
 1

1

1
 Zs Zo Z2 Pentru simplificarea calculelelor şi pentru a
 pune în evidenţă dependenţa lui A’ de A0
 ui  A01ei
 se utilizează urmatoarea ipoteza
 Z 1 Z 2  Z 01
ei  1 1 1
simplificatoare:
  
 Z 1 Z i Z 2  Z 01 Z 0 // Z s  Z 2

Generatorul de tensiune de la intrare a fost echivalat cu un generator de curent:
Se pun in evidenta
umatoarele relatii:
vo   A01ei ;
vi v  Z2 
ei   Z echiv  i   Z1 IIZ i II 
Z1 Z1  1  A01 
v Z 1 1
A/  o   A01 echiv   A01   A01  
vi Z1 Z1  1 1 1  A01 
Z1     
Z echiv  Z 1 Z i Z 2 
Z2 1
  A01  
Z1  Z 2 Z 2 
   1  A01 
 Z1 Z i 
Factorul de amplificare a buclei de reactie este dat de relatia::
Z1 IIZi 1 1 1
r    Z 2      1
Z 2  Z1 IIZ i r  Z1 Z i 
Amplificarea se poate exprima prin relatia urmatoare:
Z2 1 Z2 1 dezvoltare in serie Taylor Z

A /   A01      2  (1   )
Z1 1 Z1 1 Z
A01  1 1
r A r Aideal
01


1 Z0  Zs Z Z 
Unde:     2  2  1
Ao Zs  Z1 Z i 
Se observa ca pentru reducerea influentei parametrilor analizati asupra amplificarii

se doreste ca A0 sa creasca.
❹ Influenţa UD, ID, IP asupra amplificării :

Se echivaleaza circuitul de intrare cu conditia ui = 0:
Avem succesiv urmatoarele relatii:

V  V
u o Z1
 Z1 IIZ 2  ii  U D  Z 3in
Z1  Z 2
dar
 i
 ii  i P  D
ii  in  i D   Z  i 
 u o  1  2  U D  Z 1 IIZ 2  Z 3 i P  Z 1 IIZ 2  Z 3  D 
2
 
ii  in  2i P i  i  i D  Z1  2
 n P
2
❹ Influenţa UD, ID, IP asupra amplificării :
Discuţie:
 Z 
i P  0, i D  0  u o  1  2 U D  concluzia ca A 
 Z1 
 Z 
U D  0, iD  0, iP  0  uo  1  2 Z1 IIZ 2  Z 0 iP  Z1 IIZ 2  Z 3
 Z1 
 Z  ZZ
Z 3  0 , U D  0 , i D  0  u o  1  2  1 2 ii  Z 2 ii  (ii  implica ca Z 2 )
 Z1  Z1  Z 2
CONCLUZIE:
Impedanţele vazute pe cele două borne ale amplificatorului trebuie să fie
cât mai mici şi egale.

❺ Efectul derivelor termice:

 Z   U D i 1 i 
uo  1  2     Z1 // Z 2  Z 3  P  Z1 // Z 2  Z 3    D 
 Z1   T T 2 T 
U D iP iD Pentru ca influenta lor asupra tensiunii de iesire sa fie

, , cat mai mica trebuie sa fie indeplinita ultima concluzie
T T T
enuntata
❻ Influenţa parametrilor A0, Zint, Zies, asupra impedantelor

de intrare si iesire Z’int, Z’ies :
Z ies // Z s  Z 2 Z ies
  R1  Z int //
Z int  
Z ies
1  A01 1  Ao  r
  
efect Miller
Structura neinversoare cu AO
❶ Schema:
Cazul ideal
ui  0, Ao  , ii  0, in  0
Z1 Z
uo  ui  A ideal  1  2
Z1  Z 2 Z1
Z int  , Z ies  0
Schema pentru calculul influenţelor mărimilor UD, ID, IP asupra

amplificării este identică cu schema prezentată la amplificatorul
inversor.
Rezultatele vor fi identice si vor rezulta aceleaşi concluzii.
Rezultatul este identic şi pentru influenţa derivelor termice.

❷ Influenţa parametrilor A0, Zint, Zies, asupra impedantelor

de intrare si iesire Z’int, Z’ies :
Z i  Z 3
Se vor păstra notaţiile:

Z0Z s Zs
Z 01  ; A01  A0 ; u0  A'ui ; u0  A01ei
Z0  Z s Z0  Z s
Se observă că:
Z1 u
u0  0
Z1  Z 2 Auideal

Dacă se va scrie Kirchhoff II pe buclă se va obţine:
uo
 ui
uo
Au ideal

 ei  ui  Z1 // Z 2  
Au ideal
Z i  Z1 // Z 2
 1 
 1 Au ideal   Z1 // Z 2 
 Z1 // Z 2  
1
uo     ui 1   
 Au ideal A01 Z i  Z1 // Z 2   Z i  Z 1 // Z 2 
 
 1 1 Zi   Zi 
uo      ui   
 01
A Au ideal Z i  Z1 // Z 2  i
Z  Z 1 // Z 2 
Zi Zi
u Z i  Z1 // Z 2 1 Z i  Z1 // Z 2
A'  o   
ui 1 1 Zi 1 Zi A Zi
   1  u ideal 
A01 Au ideal Z i  Z1 // Z 2 Au ideal Z i  Z1 // Z 2 A01 Z i  Z1 // Z 2
    
se da factor comun 
 Au ideal 1   
Au ideal
 A'  Unde:
1 
 Z  Z s  Z o 1 Z i  Z1 // Z 2
  1  2     
 Z1  Zs Ao Zi
 Z   Z  1  Z1Z 2 
 1  2   1  o    1  
 Z1   Z s  Ao  Z i Z 1  Z 
2 
Concluzii:
Dacă: Ao      0 Dacă: Ao  
Aceleaşi concluzii ca la structura inversoare
❸ Determinare Zint :
 
Ipoteza: Z ic  Z1  se va elimina Z ic
ui ei ui uo  1 A' 
i     u 
 Z  A Z 

 Zi
Z ic Z i Z ic A01
i
 ic 01 i 
ui 1  A 
 
Z int   Z ic //  Z i 01 
i 1 A'   A '

 f . mare  
Z ic A01Z i f . mare
Caz particular:
Z1    AO repetor

AO ideal :
u o  ui  A  1
Z ies  0, Z int  
AO real:
Ao
Au 
1  Ao
 A 
Z int  Z ic //  Z i 01  foarte mare
 A' 
Z2 se alege de obicei egală cu impedanţa generatorului pentru a compensa
curenţii de polarizare
Metode de compesare a surselor de eroare

la AO reale

Metode de compesare a surselor de eroare la AO reale
Tensiunea de decalaj şi curenţii de intrare iD şi iP

constitue principalele surse de eroare la amplificatoarele
operationale reale. Compensarea acestor parametrii se
poate realiza prin mai multe metode dintre care
mentionam:
• Introducerea unui dezechilibru ajustabil din exterior,

în etajul de întrare al AO
• Introducerea unui generator de tensiune sau curent,
exterior care să anuleze efectele generatorelor de
eroare.
Analiza structuri cu AO

Amplificatorul


Presupunere iniţială
Toţi parametrii AO depind, mai mult sau mai
puţin, de condiţiile reale de funcţionare
(tensiunile de alimentare, temperatură, sarcină,
dispersia de fabricaţie, îmbătrânire).
Exemplificare
Parametrii AO reali vor fi exemplificaţi pe un AO
integrat de uz general şi de joasă frecvenţă de tipul
μA741.
Circuit echivalent pentru AO
Characteristici:
• Curentul de intrare neglijabil
• Rezsistenţă mare de intrare (CA)
• Rezsistenţă mică de ieşire (CA)
Amplificare mare de tensiune

Inversor
Neinversor (ideal)
Ao este infinit

Neinversor (real)

Neinversor

Circuitul Buffer A=1
(Mare, intrucit Ao este mare) (Aproximare a

seriilor Taylor)

Analogică (EEA)
16. Circuite cu Amplificatoare
Operaţionale Liniare
Repetorul de tensiune
Caz particular al amplificatorului neinversor
Z 2  0, Z1  
❶ Amplificarea de tensiune Au:
u0   A0 ed
u0  ed  ui u0  Au ui
1 A0
u0 (1  )  ui de unde se deduce: Au 
A0 1  A0

Repetorul de tensiune
❷ Impedanţa de intrare Zi:
Avem: u0   A0 ed u0  Au ui
ui
 Z int 
ii
ui ed ui u 1
ii     0 
Z MC Z i Z MC A0 Z i
ui  A0 1
 ui  
Z MC 1  A0  A0 Z i
 Z int  Z MC Z i 1  A0 
1 1 1
  
Z int Z MC Z i 1  A0 
Repetorul de tensiune realizat cu AOI este caracterizat de urmatorii parametri:
A0
Au  | A    1 , Z int   , Z ies  0
1  A0 0
Amplificatorul diferenţial
 uid
uid  ui1  ui 2 u
 i1  u 
 ic
2
 ui1  ui 2  
u ic  u  u  uid
2  i 2 ic
2
Utilizând teorema superpoziţiei deducem :
Z2 Z4  Z  Z  u  Z4  Z2   u 
u0   ui1   1  2   ui 2   2  uic  id   1     uic  id 
Z1 Z3  Z 4  Z1  Z1  2  Z 3  Z 4  Z1   2 
 Z Z 4  Z 2  uid  Z 2 Z 4  Z 2 
 u0   2  1       1    uic
 Z1 Z 3  Z 4  Z1   2  Z1 Z 3  Z 4  Z1  

Dacă se pune condiţia ca amplificarea de mod

comun să fie zero se deduc relaţiile:
 Z2 Z 4  Z 2 
   1    0
 Z 1 Z 3  Z 4  Z1  
Z 4 Z1  Z 2  Z2 Z4 Z2  
Z2   Z 2 Z 3  Z1Z 4    u0    ui1  ui 2 
Z3  Z4 Z1 Z 3 Z1  
Impedanţele de intrare trebuie să fie egale Z int1  Z int 2
Z2 
Z int1  Z1  Z i  Z1 
1  A0 

0   Z1  Z 3  Z 4
Z int 2  Z3  Z4 



Condiţia anterioară poate fi realizată cu schema
Reglaj dificil + bandă de trecere limitată
Observatie:
Condiţia de amplificator diferenţial
poate fi îndeplinită uşor
Z2 Z4
 reglajul amplificarii realizandu‐se din Z5 şi Z6
Z1 Z 3
Alte scheme cu amplificatorul diferenţial
Condiţia anterioară poate fi realizată cu schema
Reglaj dificil + bandă de trecere limitată
Observatie:
Condiţia de amplificator diferenţial
poate fi îndeplinită uşor
Z2 Z4
 reglajul amplificarii realizandu‐se din Z5 şi Z6
Z1 Z 3
❶ Schemă utilizând doua amplificatoare în configuraţie inversoare
Z1
u01    ui1  ui1
Z1
Aplicând KI la borna inversoare la AO2 rezultă
 Z 
 0  u02  ui 2  ui1     2 
ui 2 u01 u02
 
Z1 Z1 Z 2  Z1 
La aceasta configuratie impedanţele de intrare sunt egale  R1

❷ Schemă utilizând doua amplificatoare în configuraţie neinversoare
 Z  Z  Z 
u02  1  4   ui 2  4  ui1  1  2 
 Z3  Z3  Z1 
Z4 Z4  Z2 
AMC  0  1   1    Z1 Z 4  Z 3   Z 4 Z1  Z 2 
Z 3 Z 3  Z1 
Z1 Z 4
  Z int1, 2  
Z 2 Z3
❷ Creşterea Zint se poate realiza şi utilizând un AO diferenţial clasic cu

două repetoare de tensiune
Z int  
AO1 şi AO2 trebuie să aibă CMR f. mare
Observatie: Schema anterioara păstrează totuşi faptul că trebuie să se facă

două reglaje pentru AO3

❸ Schema cu trei AO la care reglajul amplificarii este independent de

AO3
u01  u02 u u
I  i1 i 2
Z   Z 0  Z  Z0
Z1 Z 3
cu condiţia : 
Z2 Z4
 u01  u02    2 Z   Z 0  Z    ui1  ui 2 

Z2 Z 1
Rezultă pentru AO3: u0  
Z1 Z1 Z0
❸ Se poate calcula şi altfel şi anume cu Teorema Superpoziţiei :
 Z  Z
u01  ui1 1    ui 2
 Z0  Z0
Z   Z  
u02  ui1  ui 2  1  
Z0  Z0 
 Z   Z  
 u01  u02    2
Z2 Z
u0    1  
Z1 Z1  Z 0 

Amplificatoare cu câştig reglabil
1
Au   0  1

  0  Z int  0
  1  AO debitează curent mare.
R2
Au   0  1
R1
 R 
Z int  R1 Au    2 ,0 
 R1 
Observatie:
Se poate modifica amplificare şi prin reglajul
rezistentei R1
AO cu intrari multiple
(1) Kirchhoff in V+ ,
V  0
(2) Kirchhoff in V ,
V_  vo V  v1 V  v2 V v
   ....   n  0
Rf R1 R2 Rn
(3) Setind V+ = V–
 v1 v2 vn  n v
Vo   R f    ...     R f 
j
 R1 R2 Rn  j 1 R j

Ra Rc R R R R
vo  v1 ( )( )  v2 ( a )( c )  v3 ( c )  v4 ( c )
R1 Rb R2 Rb R3 R4

Amplificatorul diferential
Amplificator liniar
Teorema superpozitiei
Se aplica superpozitia
Configuratie de invesor
R2
vo1   vI 1
R1

Aplicam superpozitia
Configurare neinversoare
R2 R4
vo 2  (1  )( ）v I 2
R1 R4  R3
Integrator
Configuratie inversoare cu impedante generale in bucla

de reactie si in circuitul de intrare

Integrator Inversor
Circuitul Miller sau integratorul inversor
Raspunsul in frecventa a circuitului integrator

AO diferentiator
Raspunsul in frecventa a circuitului diferentiator

Circuitul Antoniou
Simulator de inductanta
Circuitul Antoniou

AO ‐ circuit rezonator
Un circuit rezonator RLC de ordinul doi
Un circuit “AO-RC rezonator” obtinut prin inlocuirea inductantei L in

circuitul RLC cu o impedanta simulata cu ajutorul circuitului Antoniou

Implementarea amplificatorului buffer K.
• Frecventa Pol-ului
0  1 LC6  1 C4C6 R1 R3 R5 R2
• Factorul de calitate Q al Pol-ului
C6 R2
Q  0C6 R6  R6
C4 R1 R3 R5

Circuit Bistabil
Semnalul de iesire are numai doua stari: o
stare pozitiva – saturatie pozitiva (L+) si
o stare negativa – saturatie negativa (L-).
Circuitul poate ramine nedefinit in

oricare din stari si trece in alta stare
numai daca sesizeaza o trigherare
O bucla de reactie pozitiva este capabila

de generarea unei operatii bistabile
R1
Circuit bistabil (bucla de reactie pozitiva) v  vo  vo 
R1  R2
Circuit Bistabil
VTH  L VTL  L

Circuit Bistabil
Circuit Bistabil cu caracteristica de transfer

neinversoare
R2 R1
v  v I  vo
R1  R2 R1  R2

Circuit Bistabil cu caracteristica de transfer
neinversoare
VTH   L（
 R1 R2）
VTL   L（
 R1 R2）
AO – Generator Semnal dreptunghiular
Conectind un circuit bistabil multivibrator cu caracteristici inversoare de transfer

in bucla de reactie cu circuit RC rezulta un generator de semnal dreptunghiular
Utilizare reactie pozitiva

1  （ L L )
T1  RC ln
1 
1   （ L L )
T2  RC ln
1 
1 
T  2RC ln
1 

AO – Generator Semnal triunghiular
Bistabil
AO – Generator Semnal triunghiular

Impedanta de intrare
1
1 1 A  R ( R f  Ro )
Rin  Ra      Rin  Ra 
 R R f  Ro  R f  Ro  (1  A) R
( R f  Ro )
R f  Ro  (1  A) R Rindevine, Rin ~ Ra 
(1  A)
R f  Ro  (1  A) Rin ~ Ra
AO poate furniza o impedanta

izolata dela intrare catre iesire
Impedanta de iesire
Va fi considerata numai impedanta de iesire,
de ex. Vi este considerata a fi 0 volti
Pentru inceput, utilizam Fig.(a), Rf
Ra
V 
Ra // R
Vo  V 
Ra R
Vo R R io
R f  Ra // R Ra R f  Ra R  R f R V
V
o
+
Utilizind Kirchhoff, io = i1+ i2  -AV
Vo V  ( AV )
io   o
R f  Ra // R f Ro
Substituind ecuatia pentru Fig. (a),
Impedanta de iesire, Rout este
V
Rf i2 R i1
Vo Ro ( Ra R f  Ra R  R f R )
 V V
io (1  Ro )( Ra R f  Ra R  R f R )  (1  A) Ra R +
Ra R  -AV
Rezulta R si A sunt comparabile,
Ro ( Ra  R f )
Rout ~
ARa (a) (b)
Analogică (EEA)
17. Filtre
❶ Schema:
. Filtrele pot fi clasificate ca analogice sau digitale.
. Filtrele Analogice pot fi clasificate ca fiind pasive sau active si

sunt implementate uzual cu componente R, L si C si cu
amplificatoare operationale.
. Filtrele Digitale sunt implementate utilizind un calculator

digital sau un hardware digital specializat.

. Un filtru activ este cel care pe linga componente R, L, si
C, contin de asemenea o sursa de energie care poate
proveni de la un amplificator operational.
. Un filtru pasiv este cel care contine numai componente

R, L, si C. Nu este necesar ca sa fie prezente toate trei.
Inductanta L nu este prezenta de multe ori in filtrele
pasive din cauza marimii si costului.
• Analiza si Sinteza
. Analiza filtrelor analogice. Cele mai populare metode includ

Butterworth, Chebishev si eliptice.
. Sinteza (realizarea) filtrelor analogice, a primit o atentie

deosebita intre 1940 si 1960.

Filtre Analogice Pasive
Patru tipuri de filtre ‐ Cazul “Ideal”
Trece jos Trece sus
Trece banda Opreste banda
Filtre reale:
Trece jos Trece sus
Trece banda Opreste banda

• Filtru Trece Jos
R +
+
V I C VO
_
_
Circuit Filtru Trece Jos
0

0 dB
-3 dB . Reprezentarea Bode
1/RC 
1
x
0.707 Reprezentarea Lineara
0 1/RC 

• Filtru Trece Sus
+
C
+
Vi R
_ VO
_
Circuit Filtru Trece Sus
0


• Filtru Trece Sus
0 dB
. -3 dB
Bode
1/RC
1/RC 
1
0.707 x.
Linear
0 1/RC 
• Filtru Trece Banda
C L +
+
Vi R VO
_
_
R
VO (s) s
 L
Vi (s) s2  R s  1
L LC

• Filtru Trece Banda
0 dB
-3 dB
. . Bode
l hi 
o
1 . .
0.707
Linear
l hi
0 
o
• Filtru Opreste Banda
R +
+ L
VO
Vi
_
C
_
Functia de transfer VO/Vi poate fi scrisa sub forma:
1
s2 
Gv (s)  LC
R 1
s2  s
L LC

Functii Standard de Transfer
• Butterworth
– Banda de trecere plata.
– 20n dB per decada.
• Cebishev
– Banda de trecere ripplu.
– Taiere mai accentuata decit Butterworth.
• Eliptic
– Banda de trecere si opreste banda cu riplu.
– Taiere mai clara.
• Bessel
– Raspuns faza liniar – ex. Nu distorsioneaza semnal in banda de
trecere.
Functii Standard de Transfer

Functii Analogice de Transfer
Functia de transfer a oricarui filtru analogic (activ sau

pasive) poate fi exprimata ca raportul a doua
polinoame:
M 1
N s   s  z m 
H s   K  K mN 01
Ds 
 s  p 
n 0
n
Caz special cind M=0, raspunsul :
K K
H s   
Ds  N 1
 s  p 
n 0
n
Poli si Zero-uri
• Poli
– Valori complexe ale lui s unde functia de transfer este infinita.
• Zero-uri
– Valori complexe ale lui s unde functia de transfer este zero.
• Un filtru de ordinul N va avea N poli si pina la N zero-uri

• Unii poli pot fi in acelasi loc (ca si multe zero-uri).

Exemplu: Filtru Bessel de ordinul 2
Filtru Trece Jos, frecventa de taiere = 1 rad/s:
H s  
1 1

s  1.73s  1 s  p0 s  p1 
2
unde,
p0  0.866  j 0.5
p1  0.866  j 0.5
Utilizarea Amplificatoarelor Operationale
• Toate filtrele active sunt bazate pe

amplificatoare operationale.
• Analiza circuitelor liniare cu AO este bazata pe
urmatoarele simplificari:
– Diferenta dintre intrarile ne-inversoare si inversoare
este zero.
– Curentul de intrare este zero.
– Tensiunea si curentul de iesire sunt oarecare.

Amplificatorul Inversor
Z2
Z1
VIN -
VOUT
+
0V
VIN  VOUT
V  V  0 I Z1  & IZ 2 
Z1 Z2
VIN  VOUT V Z
I  0 I Z1  I Z 2    OUT   2
Z1 Z2 VIN Z1
Amplificatorul Neinversor
VIN +
VOUT
-
Z1 I  0
Z2
Z2
V  VOUT  V  VIN
Z1  Z 2
0V
VOUT Z1  Z 2 Z
  1 1
VIN Z2 Z2

Amplificatorul Repetor
VIN + V  VOUT
VOUT V  VIN
-
V  V VOUT  VIN
• Tensiunea de iesire = Tensiunea de intrare

• Impedanta de intrare este infinita
• Impedanta de iesire este zero
Filtru Pasiv cu 1 Pol
R vout ZC 1 / sC
 
vin R  Z C R  1 / sC
vin C vout
1

sCR  1
• Filtru Trece Jos de ordinul 1

• Frecventa de taiere = 1/CR rad/s
• Constringere: Orice impedanta de sarcina
(sau sursa) modifica raspunsul in frecventa.

Filtru Activ cu 1 Pol
R
vin C
vout
• Acelasi raspuns in frecventa ca filtrul pasiv.

• Amplificatorul Repetor nu incarca reteaua RC.
• Impedanta de iesire este zero.
Filtru Activ Trece Jos si Trece Sus
Trece Sus Trece Jos
vout 1 vout 1
 
vin 1
1 vin sCR  1
sCR

Filtre de Ordin superior
• S-ar putea crede ca putem face filtre de ordin superior

prin simpla cascadare a N filtre de ordunul 1;
• Acest lucru nu functioneaza;
• Singurul pol al filtrului de ordinul 1 trebuie sa fie pur
real (fara parte imaginara)
• Polii filtrului de ordin superior trebuie sa fie complecsi
• Solutie: Se utilizeaza sectiuni de ordinul 2, fiecare in

parte sintetizind o pereche conjugata a polilor
complecsi.
Concluzie
• Proiectarea filtrelor active urmareste sa

inlocuieasca inductantele in filtrele pasive.
• Tehnici de proiectare:
– Sinteza pe sectiuni
– Simularea componentei
– Simulare operationala
• Pentru cele bazate pe AO este esentiala buna
cunoastere a circuitelor AO de baza

Filtru Sallen Key cu 2 poli
Amplificator repetor
Z2
vout  V  v1
Z0  Z2
Z0  Z2
 v1  vout
Z2
Se aplica legea lui

Kirchoff in nodul v1:
v1  vin v1 v v
  1 out  0
Z0 Z0  Z2 Z1
v1 vin v1 v v
   1  out  0
Z 0 Z 0 Z 0  Z 2 Z1 Z1
Z0  Z2
dar v1  vout
Z2

Inlocuind,
vout Z 0  Z 2 vin vout vout Z 0  Z 2 vout
    0
Z0 Z2 Z 0 Z 2 Z1 Z 2 Z1
vout 1
 2  H s 
vin Z0 Z0
 2 1
Z1 Z 2 Z2
Filtru Trece Jos cu 2 poli
Z0  R
1
Z1 
sC1
1
Z2 
sC2
1 1
H s   
Z 02 Z R 2C1C2 s 2  2 RC2 s  1
 2 0 1
Z1 Z 2 Z2

Exemplu: Filtru cu 2 poli
Realizarea unui Filtru Butterworth Trece Jos de ordinul 2.
1 1
H s   
s 2  s 2  1 R 2C1C2 s 2  RC2 s  1
deci, R 2 C 1 C 2  1
RC 2  2
1
R  1, C 2  2 , C1 
2
Filtre de Ordin Superior
• Folosind un singur AO se obtine practic un filtru

de ordin superior de ordinul 2;
• Pentru filtre de ordin superior sunt necesare
mai mult de un AO
• Cea mai simpla tehnica de proiectare este
sinteza in cascada sau sinteza pe sectiuni.

Sinteza pe Sectiuni
H1(s) H2(s)
VIN(s) VIN(s)H1(s) VIN(s)H1(s) H2(s)
• Cind doua (sau mai multe) filtre sunt legate in serie,

functia totala de transfer este produsul functiilor
individuale de transfer.
• HTOT(s) = H1(s) H2(s)
• Functia de transfer ceruta trebuie factorizata intr-o
sectiune de ordinul doi.
Factorizarea Functiei de Transfer
• Tehnicile uzuale de proiectare a filtrelor

genereaza pozitiile polilor (si zero-urilor)
functiei de transfer.
• Este esentiala gruparea impreuna a perechilor
conjugate complexe pentru obtinerea
sectiunilor fizice realizabile.

Exemplu Filtru de ordinul 4
Polii unui Filtru Butterworth Trece Jos de Ordinul 4 sunt:
pn  0.38  j 0.92 si  0.92  j 0.38
Prin urmare, Functia de transfer, este:

1
H s  
s  .38  j.92s  .38  j.92s  .92  j.38s  .92  j.38
1
 2
s  0.77 s  1s 2  1.85s  1
1 1
 2  2
s  0.77 s  1 s  1.85s  1
Realizarea Filtrului de ordinul 4
1 1
s 2  0.77 s  1 s 2  1.85s  1

Exemplu Filtru de ordinul 3
Polii pentru un Filtru Bessel Trece Jos de ordinul 3 sunt:
pn  0.94 si  0.75  j 0.71
Prin urmare, functia de transfer, este:

1
H s  
s  0.94s  0.75  j 0.71s  0.75  j 0.71
1

s  0.94s 2  1.49s  1.06
1 1
  2
s  0.94 s  1.49 s  1.06
Aranjarea (ordonarea) sectiunilor
Pentru un filtru de ordinul 4:

1 1
H s   
s 2  0.77 s  1 s 2  1.85s  1
 H 1 s   H 2 s 
• In teorie, utilizind AO ideale, nu este important care

sectiune este prima sau a doua;
• In practica, insa, decizia se bazeaza pe urmatoarele
considerente:
– Nivelele de saturatie
– Zgomotul

Raspunsul in frecventa pentru filtru de ordinul 2
 02 1
H s   2 
s  2s 0   02 s 2  2s  1
 Daca raportul de
10 amortizare, , este
mai mic decit 1/2,
=0.2
virful cistigului este
1 0.707 0.5
mai mare decit 1.
Amplificarea
1
=2  Acest lucru inseamna
0.1 ca nivelul maxim de
intrare este redus
pentru a evita
0.01 saturarea AO.
0.1 1 10
Frecventa [rad/s]
Exemplu Filtru Butterworth
1 1
H s   
s 2  0.77 s  1 s 2  1.85s  1
 H 1 s   H 2 s 
Amplificarea
Amplificarea
1
  0.385    0.925 
1
2 2
Frecventa [rad/s] Frecventa [rad/s]

1 1
La  = 1 rad/s, H 1 s     1.3
j 2  0.77 j  1 0.77 j
1 1
H 2 s     0.54
j 2  1.85 j  1 1.85 j
H1 s   H 2 s   1.3  0.54  1 / 2
A
sin t 
Asin t  1.3 Asin t  2 VSAT
H1(s) H2(s) Amax 
1.3
A
sin t 
Asin t  0.54 Asin t  2
H2(s) H1(s) Amax  VSAT 2
Ordonarea Sectiunilor
• Pentru a obtine cea mai mare gama a semnalului de

intrare:
– Sectiunea cu cel mai mare factor de amortizare (Q scazut)
trebuie sa fie prima.
– Sectiunile rezonatoare cu factor scazut de amortizare vor
urma, datorita susceptibilitatii de a avea zgomot.
• Pentru a obtine un zgomot redus la iesire.
– Sectiunile cu cel mai mare factor de amplificare (de ex. Cea
mai rezonanta) trebuie sa fie prima.
– Sectiunile subsecvente diminueaza zgomotul.
• Care este cea mai buna ordine?
– Depinde ...

Concluzii
• Configuratia Sallen-Key realizeaza un filtru cu 2

poli utilizind un singur AO;
• Sinteza pe sectiuni creeaza filtre de ordin
superior prin conectarea (cascadarea)
sectiunilor de ordinul unu si doi;
• Sub rezerva considerentelor ideale, ordinul
sectiunilor este nerelevant.
• Practic, considerentele de
• Practically, considerentele dinamice decid
ordinul sectiunilor.
Parametri de Scalare
• Cele mai multe filtre sunt date in forma

normalizata, ca de ex. pentru frecventa de
taiere la 1 rad/s.
• Pentru a transforma pentru o frecventa
arbitrara, valorile componentelor trebuiesc
scalate.

Exemplu proiectare Filtru Trece Jos
1
H s   0 
1

1
R 2C1C2 s 2  2 RC2 s  1 R 2C1C2 RC
 02 1 C  C1C2
 2 
s  2 0 s   0  s  2s
2 2
C2
   1   RC2 0 

 0  0 C
Normalizat Nenormalizat
 0  1 rad/s  0  500 rad/s
  0.38   0.38
R 1  R  10 k
C1  2.6 F 1 1
C  4  200 nF
C2  0.38 F R 0 10  500
C1  C /   200 / 0.38  520 nF
C  C  200  0.38  76 nF
2
Sensibilitatea
• Cind se proiecteaza filtre de ordin superior (de ex.

Ordinul sase sau mai mult), factorul de atenuare al
sectiunilor individuale trebuie sa fie foarte scazut.
• Factorul de amortizare a filtrelor Sallen-Key este
sensibil la amplificarea in bucla deschisa a AO.
• Aceasta sensibilitate este in special notabila cind
frecventa de taiere este mare (implica un factor de
amplificare in bucla deschisa mic)
• Este necesara o calculare detaliata a sensibilitatii
pentru a cuantifica acest efect.
Sensibilitatea (Exemplu)
  0.1,  0  1000 rad/s

10
A0  1000
A0  200
1 A0  100
Amplificarea
0.1
0.01
100 1000 10000
Frecventa [rad/s]

Depasirea problemelor de sensibilitate
• In cazul filtrelor de ordin superior, compunerea

erorilor, poate influenta semnificativ
sensibilitatea configuratiei filtrelor Sallen-Key
• Solutii:
– Folosirea componentelor cu o toleranta buna.
– Utilizarea de diferite configuratii
• Simularea componentelor
• Simularea operationala
Simularea Componentelor
• Proiectarea filtrelor prin simularea componentelor

poate fi impartita in doua etape:
– Proiectarea unei retele pasive RLC care realizeaza functia
de transfer dorita.
– Se inlocuiesc toate inductantele cu retele echivalente
active (convertoare de impedanta).
Ex. Filtru pasiv

Trece Sus

Convertoare de Impedanta
I1 I2
Convertor
V1 de V2
Impedanta
V2  V1
I 2  I1
Tensiunea controleaza tensiune.

Curentul controleaza curent.
Conversia lucreaza in ambele directii - bilateral.
Convertoare de Impedanta
I1 I2
Convertor
V1 de ZL V2
Impedanta
V2
I2 
ZL
V1
 I1 
ZL
V1 Z L
Z IN    K  ZL
I1 

Utilizarea Convertoarelor de Impedanta
• Impedanta apare ca si cum ar fi multiplicata de catre

circuitul convertor.
• Mai multe tipuri de convertoare:
– Convertor de Impedanta Pozitiva (CIP) : K este real si pozitiv.
– Convertor de Impedanta Negativa (CIN) : K este real si negativ.
– Convertor de Impedanta General (CIG) : K este complex si
poate fi dependent de frecventa.
• Exemple,
– ZL = o resistance, R
– K=j
– ZIN = j R
– i.e. intrarea arata ca o inductanta.
Convertor de Impedanta General
Reguli de analiza AO:
V  V
VOUT  oarecare
v1  v3  v5
v2 si v4 sunt arbitrare.

Consideram circulatia
curentiilor de la stinga
la dreapta:
v1  v2
I Z 1  iin   v1  v2  iin Z1
Z1
v2  v3 v2  v1  iin Z1
IZ 2   
Z2 Z2 Z2
v3  v4
IZ3   v3  v4  I Z 3 Z 3
Z3
v4  v5 v4  v3  I Z 3 Z 3
I Z 4  iout   
Z4 Z4 Z4
dar, I Z 3  I Z 2
 i Z  Z i ZZ
iout   in 1  3  out  1 3
 Z2  Z4 iin Z 2 Z 4

Convertor de Impedanta General cu sarcina
Z1 Z 3
I Z 5  iin
Z2Z4
VZ 5  vin  I Z 5 Z 5
 ZZ 
vin   iin 1 3  Z 5
 Z2Z4 
vin
v ZZZ
Z IN  in  1 3 5
iin Z2Z4
0V
Simulator de Inductanta cuplata la masa
Z1 Z 3 Z 5
Z IN 
Z2Z4
R R R

1
R
sC
 sCR 2
Intrarea apare ca
fiind o inductanta
de CR2 Henry.

Filtru Trece Sus
cu 5 poli
Concluzii
• Configuratia filtrului Sallen-Key de ordinul doi este

foarte sensibil la tolerantele componentelor.
• Erorile rezultante sunt in particular problematice
pentru filtrele de ordin superior.
• Simularea componentelor este o tehnica alternativa la
realizarea filtrelor.
• Este simplu sa fie inlocuite inductoarele in filtre pasive
cu circuite active echivalente.
• O configuratie de CIG poate simula o inductanta
conectata la masa utilizind doua AO.

Inductante Flotante
• Un singur Convertor de Impedanta Generalizat

(CIG) poate simula o impedanta conectata la
masa.
• Este suficient pentru filtre trece sus.
• Inductantele sunt flotante in cazul filtrelor
trece jos.
Inductante Flotante
Filtru Trece Sus cu trei poli.

O inductanta la masa si doua
capacitoare.
Filtru Trece Jos cu trei poli.

O inductanta flotanta si doua
capacitoare.

Proprietatile unei Inductante Flotante
I1 I2
L
V1 V2
• Currentul este egal cu cel de iesire

I1  I 2
V1  V2
• Impedanta este egala cu sL  sL
I1
Inlocuirea Inductantei Flotante
I1 I2 R I3 I4
V1 CIG 1 V1 V2 CIG 2 V2
sK sK
V1  V2
I2   sKI1
I 2  sKI1 & I 3  sKI 4 R
sKI1   sKI 4  I1   I 4 V1  V2
 sKR
I1

Inlocuirea Inductantei Flotante
i1  i2
v1  v2
 sCR 2
i1
Dezavantajele Inductantelor Flotante
• O inductanta flotanta necesita doua circuite

CIG ( 4 AO).
• Un Filtru Trece Jos de ordinul N necesita N/2
inductante flotante = 2N AO.
• Un Filtru Trece Sus de ordinul N necesita numai
N AO.
• Solutie : Utilizarea Rezistoarelor Negative
Dependente de Frecventa (RNDF)

Scalarea Componentelor
• Raspunsul in frecventa a unei retele pasive depinde

de raportul dintre impedante.
• Daca toate impedantele sunt multiplicate cu acelasi
factor, raspunsul in frecventa ramine neschimbat.
• Impedanta capacitorului = 1/sC
(Frecventa de taiere = 10 kHz)
Scalarea Componentelor
• Ce se intimpla daca toate impedantele sunt

scalate cu factorul 1/s ?
Inainte Dupa
Rezistor, Z = R Capacitor, Z = R/s
Inductor, Z = sL Rezistor, Z = L
Capacitor, Z = 1/sC “Super Capacitor”, Z = 1/s2C

Rezistor Negativ Dependent de Frecventa (RNDF)
1 1 1
Z  
s 2 D  j 2 D   2 D
D
• Impedanta este reala – ex. o rezistenta
• Aceasta este negativa …
• … si invers proportionala cu patratul frecventei
• Prin urmare – Rezistenta Negativa Dependenta de
Frecventa (RNDF)
• Din pacate, aceasta nu exista …
Realizarea unui RNDF conectat la masa
 1  1 
   R
Z1Z 3 Z 5  sC  sC  1 1
Z IN    
Z2Z4 R2 s 2C 2 R s 2 D
Realizarea unui Filtru Trece Jos utilizind RNDF
Filtru pasiv Butterworth

3 poli FTJ, fc = 10 kHz
Toate impedantele
scalate cu 1/s.
Toate impedantele
scalate cu 107.
Considerente Practice de Realizare
• Impedantele de intrare si iesire sunt (acum)

predominant capacitive.
• Pentru uz practic, amplificatorul repetor este
necesat la intrare si la iesire.


Scalarea Componentelor Filtrelor Pasive
Normalizat Practic
0 1  0 
2fC
  L 
 sL  s  Ex. Divizarea tuturor
2f C 
 C
2 f inductantelor si capacitatilor
s 1 1  2f  cu frecventa de taiere dorita
s   C (in rad/s).
2f C sC s C 
Scalarea Componentelor Filtrelor Pasive
Normalizat Practic
0 1  0 
2fC
2f C 2f C L 1
 sL  C  Ex. Capacitoarele devin
 s 2f C L
inductoare si reciproc.
2f C 1 s 1
s  L
s sC 2f C C 2f C C

Concluzii
• Doua CIG pot fi utilizate pentru a simula o inductanta

flotanta.
• Este mult mai eficienta abordarea scalarii tuturor
impedantelor cu 1/s.
• Singurele componente care necesita sinteza sunt RNDF.
• Este necesar un AO/pol (doua AO/pol pentru sinteza
inductoarelor flotante).
Simularea Operationala
• Etape:
– Realizarea unei retele pasive LC.
– Scrierea unui set de ecuatii diferentiale referitoare
la tensiunile si curentii in retea.
– Un calculator analogic care rezolva aceste ecuatii.
• Calculatorul analogic rezolva setul de ecuatii

diferentiale in timp real si prin urmare
simuleaza reteaua LC.

Filtru pasiv cu doi poli
RS  RL  1 
vin  v1  i1 RS  v1  vin  i1 RS
1 1 1
    vin  i1  v2  dt
L L L
i1  v1  v 2 d t  vin  v Rs  v 2 d t 
1
v2   i1  i2  dt
C
vout  i2 RL
Diagrama bloc echivalenta
vin
1
i1  i2  dt
C
 v2 
i1 RS  
1 1 v2  vout  i2
L C
x dt x dt
 
1
vin  i1  v2  dt
L
i1 

Integratorul Inversor Sumator
V  V  0
Aplicind legea curentului Kirchoff la
nodul intrarii inversoare:
v1 v2 v3 dv
   C out  0
R1 R2 R3 dt
dvout 1 v v v 
   1  2  3
dt C  R1 R2 R3 
1 v v v 
 vout     1  2  3  dt
C  R1 R2 R3 
Amplificatorul Inversor
vout R
 2
vin R1

Exemplu 1
1
vin  i1  v2  dt
L
i1  vRs  i1
Exemplu 2
1 1
  i2  i1  dt
C C
v2  i1  i2 d t  

Exemplu 3
v2  i2 RL  i2
Filtre de Ordinul I

Filtre de Ordinul I
Filtru de Ordinul I Trece tot
Filtre de Ordinul II


Filtru Activ de Ordinul 2 – Inlocuirea Inductantei
Circuitul Antoniou de simulare a inductantei.


Analogică (EEA)
18. Oscilatoare Armonice
Oscilatoare Armonice
18.1. Consideraţii generale

Consideraţii generale.
❶ Clasificare
Oscilatoarele sunt circuite electronice care, folosind energia de curent
continuu a unei surse de alimentare, produc un semnal periodic, de
diverse forme, fără a primi vreun semnal de intrare.
Se poate spune că oscilatoarele sunt un caz particular (de mică putere)
al convertoarelor cc → ca
Ca generatoare de semnal, oscilatoarele trebuie sa îndeplinească

anumite condiţii privind principalii săi parametri şi anume:
• forma semnalului generat;
• domeniul de frecvenţă în care lucrează;
• stabilitatea frecvenţei semnalului de ieşire;
• mărimea şi stabilitatea amplitudinii semnalului de ieşire;
• posibilitatea reglării amplitudinii şi frecvenţei semnalului de
ieşire;
• coeficientul de distorsiuni neliniare impuse.
❶ Clasificare
O primă clasificare a oscilatoarelor poate fi făcută după
principiul de funcţionare specificat prin ecuaţiile care
guvernează producerea oscilaţiilor:
• oscilatoare armonice (au o funcţionare liniară sau
cvasiliniară, având un model descris de o ecuaţie
diferenţială a cărei soluţie este o funcţie sinusoidală);
• oscilatoare de relaxare (au o funcţionare neliniară, chiar
dacă deseori este liniară pe porţiuni, forma de semnal
furnizată fiind nesinusoidală).
Oscilatoarele armonice, care după principiul de funcţionare pot
fi clasificate în:
• oscilatoare cu reacţie pozitivă;
• oscilatoare cu rezistenţă negativă.

❶ Clasificare
Oscilatoarele armonice de tip amplificator cu reacţie pozitivă se
clasifică după natura reţelei de reacţie astfel:
• oscilatoare LC (reţea de reacţie cu inductanţe şi capacităţi);
• oscilatoare cu cuarţ;
• oscilatoare RC (reţea de reacţie cu rezistenţe şi capacităţi).
Oscilatoarele pot lucra pe frecvenţă fixă sau variabilă. După gama

de frecvenţe pe care o acoperă, ocilatoarele sunt:
• oscilatoare de frecvenţă foarte joasă, sub 10 Hz (se folosesc
oscilatoare de relaxare, analogice sau numerice);
• oscilatoare de audiofrecvenţă, 10 Hz - 100 kHz (oscilatoare
armonice RC, LC, relaxare);
• oscilatoare de radiofrecvenţă, 100 kHz - 1GHz (oscilatoare
armonice LC);
• oscilatoare de microunde, peste 1 GHz (oscilatoare cu rezistenţă
negativă, speciale).
❶ Clasificare
Pot fi realizate şi alte clasificari care ţin seama, de exemplu,
de tipul dispozitivului activ pe care îl conţine oscilatorul (cu
amplificatoare operaţionale, cu tranzistoare bipolare, cu
tranzistoare cu efect de câmp, etc.) sau de performanţele
oscilatorului.

18.2. Principii de Funcţionare ale
Oscilatoarelor Armonice
a. Oscilatoare cu reacţie pozitivă
Oscilatoare cu reacţie pozitivă
❶ Principiul oscilatoarelor cu reacţie pozitivă
Folosim structura generală a amplificatoarelor cu reacţie
A ‐ este amplificatorul de bază, caracterizat prin amplificarea sa de tensiune A;
 r‐ este circuitul de reacţie caracterizat prin factorul de reacţie  r
l(v) - este circuitul de limitare caracterizat printr-un factor de transfer l(v)

❶ Principiul oscilatoarelor cu reacţie pozitivă (2)
Din analiza schemei se pot pune în evidenţă relaţiile:
=
= +
=
= + (1)
Conduc la expresia amplificării globale a vo Al(v)
Ar   (2)
amplificatorului cu reacţie: vi 1  r Al(v)
Intuitiv, dacă ar fi îndeplinită condiţia

1  r Al(v)  0 (3)
exprimată de relaţia (3) amplificarea ar
tinde spre infinit, ceea ce sugerează că ar
putea fi produs semnal de ieşire, v0 ≠ 0
fără aportul unui semnal de intrare, vi = 0.
Atât amplificarea, cât şi factorul de transfer sunt redate prin numere
complexe, relaţia (3), este echivalentă cu două condiţii reale, una
referitoare la module, iar cealaltă referitoare la faze.
Un număr complex se poate scrie: (4)

unde: este modulul numărului complex iar este faza sa.
Relaţia (3), fără funcţia de transfer a elementului de limitare (la

semnale mici =1 se poate pune sub forma exprimată de relaţia (5),
denumită şi relaţia lui Barkhausen.
r A   r e j   e j   r  e 
j  
1 (5)
din care rezultă simultan relaţiile: r   1 (6)
e j   1 (7)

Deoarece: 1 ,relaţia (7) poate fi pusă sub forma:
    2k, k=0, 1, ... (8)

Relaţiile (6) şi (8) arată că factorul de transfer al cuadripolului de
reacţie trebuie să aibă modulul egal cu inversul modulului amplificării
iar defazajul cuadripolului de reacţie trebuie să fie astfel încât
oricare ar fi defazajul introdus de amplificator în circuit, semnalul de
reacţie aplicat să fie în fază cu semnalul de la intrarea
amplificatorului.
Prima condiţie se numeşte condiţie de amplitudine (determină
condiţia de întreţinere a oscilaţiilor), iar a doua condiţie, referitoare
la fază, poartă numele de condiţie de fază (determină frecvenţa de
oscilaţie).
Dacă condiţia de fază şi cea de amplitudine sunt satisfăcute pentru o
singură frecvenţă de oscilaţie, oscilaţia generată este armonică. În
caz contrar, oscilaţia va fi distorsionată cu atât mai mult, cu cât
condiţiile de oscilaţie sunt satisfăcute de mai multe frecvenţe.
Oscilatoarele armonice cu reacţie pozitivă pot fi realizate atât cu
circuite de reacţie de tip RC cât şi de tip LC.
Condiţia de oscilaţie armonică, exprimată prin relaţiile (6) şi (8), are
şi o interpretare foarte intuitivă: dacă semnalul care se propagă în
bucla de reacţie revine într-un punct cu aceeaşi fază şi cu aceeaşi
amplitudine, după parcurgerea întregii bucle, înseamnă că se poate
propaga continuu, creând un semnal periodic.
Totuşi, în practică, realizarea condiţiei de întreţinere a oscilaţiilor

(relaţia 2.6) este foarte greu de realizat. Apariţia (amorsarea)
oscilaţiilor se poate produce în mai multe situaţii:
• La conectarea sursei de alimentare, prin salt treaptă, se obţine un
spectru larg de frecvenţe dintre care unele sunt favorizate de
reţeaua selectivă a circuitului;
• Din cauza zgomotelor proprii ale circuitului;

Pentru amorsarea oscilaţiilor întreţinute trebuie îndeplinită
condiţia data de relaţia (9).
r A  1 (9)
Conditia de amorsare a oscilaţiilor întreţinute
Condiţia dată de relaţia (9) garantează amorsarea oscilaţiilor,
dar acestea se pot amplifica până la saturarea
amplificatorului. Apare ca evidentă necesitatea de a limita
amplitudinea oscilaţiilor. Acestă limitare se realizează prin
introducerea deliberată a unor elemente neliniare, în
structura oscilatorului.
Cel mai frecvent, circuitul de reacţie pozitivă se alege liniar,
iar neliniaritatea se introduce în amplificatorul de bază.
Elementul neliniar poate fi:
• unul din dispozitivele amplificatoare, care îşi micşorează
amplificarea odată cu creşterea amplitudinii semnalului
(ex.: tranzistorul bipolar, TEC etc.). Această metodă se
aplică, în special, la oscilatoarele LC.
• una din componentele rezistive ale reţelei de reacţie
negativă (termistori PTC, NTC, grupuri de diode, etc.).
Această metodă se aplică la oscilatoarele RC.
18.2. Principii de Funcţionare ale
Oscilatoarelor Armonice
b. Oscilatoare cu rezistenţă negativă
Oscilatoare cu reacţie negativă
❶ Principiul oscilatoarelor cu reacţie negativă
Principiul de funcţionare al acestor oscilatoare se bazează pe
existenţa unui circuit rezonant, în care trebuie întreţinute
oscilaţiile armonice.
Încărcând un condesator de la o sursă
de tensiune continuuă şi apoi
descărcându-l pe o inductanţă, în
circuit iau naştere oscilaţii armonice
amortizate, având frecvenţa dată de
formula lui Thomson:
1
f (10)
2 LC

❶ Principiul oscilatoarelor cu reacţie negativă (2)
Amortizarea oscilaţiilor este determinată de existenţa
pierderilor în acest circuit (datorită rezistenţei rL transferul
energiei electrice în energie magnetică şi invers se face cu
pierderi). Pentru a întreţine aceste oscilaţii, circuitul rezonant
LC este introdus în circuitul unui dispozitiv electronic activ,
care compensează energia pierdută.
Introducerea în circuit a unei cantităţi de energie egale cu

aceea pierdută se poate face prin două metode:
• Introducerea in circuit a unui element cu rezistenţă
negativă;
• Aplicarea, la intrarea amplificatorului, prin intermediul
unui cuadripol, a unui semnal de la ieşire care să
genereze o reacţie pozitivă în circuit.
Anularea rezistenţei de pierderi cu o rezistenţă negativă egală ca
valoare cu rezistenţa echivalentă paralel a circuitului rezonant se
poate realiza cu dispozitive electronice ale căror caracteristici, i(u),
au porţiuni cu pantă negativă (de ex: diodă semiconductoare de tip
Tunel), sau cu circuite electronice care prezintă o impedanţă
dinamică negativă (convertor de impedanţă negativă, girator, etc.).
Schema de principiu a oscilatorului LC

cu convertor de impedanţă negativă.
Rp este rezistenţa echivalentă a
bobinei. Dacă bobina are un factor de
calitate ridicat, valoarea rezistenţei
paralel se calculează cu relaţia (11).
(L) 2
Rp  (11)
rL

Rezistenta totală a circuitului poate fi:
RP - Zint > 0, circuitul având pierderi de energie prin căldură,

oscilaţiile se amortizează până la zero;
RP - Zint = 0, energia introdusă de elementul exterior compensează
pierderile, oscilaţiile îşi păstrează amplitudinea
constantă;
RP - Zint < 0, oscilatiile cresc treptat, teoretic până la infinit,
practic fiind limitate de caracteristicile neliniare ale
elementelor active din circuit.
(11)
Privit ca un cuadripol, convertorul de impedanţă negativă (C.I.N.)
este caracterizat prin sistemul matricial descris de relaţiile (12):
 i1  0 K   u1 
 u   1 0   i  (12)
 2   2 
C.I.N. are proprietatea că impedanţa văzută la una dintre porţile
de acces este proporţională cu valoarea negativă a impedanţei
conectate la cealaltă poartă de acces.
Din analiza schemelor, pe baza

ecuaţiilor descrise de relaţiile
(12), rezultă relaţiile (13).
u1 u 2 Z u 2 Ku1
Zint    Zi es     KZ (13)
i1 Ki 2 K i2 i1

Convertor de impedanţă negativă realizat cu A.O.
Trebuie remarcat că, reacţia

globală a schemei trebuie să
fie negativă, altfel circuitul
are tendinţă de instabilitate.
Constanta de multiplicare
are valoarea:
K = R2/R1
18.3. Oscilatoare LC cu reacţie

Oscilatoare LC cu reacţie
❶ Principiul oscilatoarelor LC cu reacţie
Oscilatoarele LC cu reacţie se realizează cu amplificatoare cu reacţie
pozitivă, având fie în componenţa circuitului de sarcină, fie în
cuadripolul de reacţie un circuit oscilant alcătuit din bobine şi
condensatoare.
Aceste oscilatoare se bazează pe compensarea pierderilor din circuit

prin intermediul unui semnal de reacţie pozitivă, adus de la ieşire la
intrarea amplificatorului, prin intermediul cuadripolului de reacţie.
Domeniul de lucru al acestor oscilatoare este cel al frecvenţelor medii

şi înalte, pentru care se pot realiza relativ uşor bobine cu
inductivitate mică.
❷ Oscilatoare în trei puncte
Se caracterizează prin conectarea cuadripolului de reacţie între trei
puncte ale amplificatorului de bază (ieşirea amplificatorului, intrarea
amplificatorului, punctul de masă). Cuadripolul este format din trei
impedanţe cuplate într-o configuraţie Π.
Se consideră amplificatorul de bază,

caracterizat prin amplificarea sa
complexă, cu sarcină infinită (14), şi
impedanţa de ieşire (15).
U o  A  Ui (14)
Modelul cuadripol generator de tensiune
al amplificatorului de bază  A 
Zo  Zs   1 (15)
 A 

❷ Oscilatoare în trei puncte (2)
Se echivalează etajul de ieşire al amplificatorului, determinându-se
curentul generatorului de curent de la ieşire (relaţia 16).
Uo A
Io   Ui (16)
Zo Zo
Modelul cuadripolului generator de

curent al amplificatorului
Amplificatorul este caracterizat prin modelul cu parametrii H, din
relaţiile (17), (18) se deduc expresiile impedanţei de ieşire (19) şi a
curentului generatorului de curent (20), unde S - panta amplificatorului.
 H f Zs
A (17)
H i  Zs H
H
A   f (18)
H
 H 
  f  H
A  H
Z o  Z s    1   Zs   1  i (19)
 A    H f Zs  H
 H  Z H 
 i s 
A Hf
Io  Ui    SU i (20)
Zo Hi
H
H
Pentru oricare tip de oscilator aspectele cele mai importante sunt:
• relaţia pe care trebuie să o îndeplinească parametrii circuitului
pentru a asigura amorsarea oscilaţiilor;
• valoarea frecvenţei de oscilaţie;
• stabilitatea frecvenţei de oscilaţie.
Rezolvarea acestor probleme

se face impunând
elementelor etajului cele
două condiţii ce rezultă din (18)
relaţia Barkhausen: condiţia
de amplitudine (relaţia 6) şi
condiţia de fază (relaţia 8). (17)
Modelul cuadripol al
oscilatorului în trei puncte
Condiţia de fază se poate îndeplini prin (20)
cuadripolul de reacţie
(19)
Rezolvarea acestor probleme se face impunând elementelor etajului
cele două condiţii ce rezultă din relaţia Barkhausen: condiţia de
amplitudine (relaţia 6) şi condiţia de fază (relaţia 8).
Condiţia de fază se poate îndeplini prin cuadripolul de reacţie (cea mai
bună soluţie), prin defazajele interne ale amplificatorului de bază (nu
este bine) sau combinat.
Se echivalează impedanţele cuplate în paralel

ale circuitului de intrare şi circuitului de ieşire
(relaţiile 21, 22).
Z1  Z i Z10 (21)
Modelul cuadripol al
oscilatorului în trei puncte Z 2  Z o Z 20 (22)
Modelul echivalent al oscilatorului în trei puncte
Oscilatoarele în trei puncte pot avea constructiv două variante:
• Oscilator de tip Colpitts (a);
• Oscilator de tip Hartley (b).
(a) (b)
Oscilator de tip Colpitts
Determinarea frecvenţei de oscilaţie.
1 1
X1   X12  L12 X2   (23)
C1 C 2
1 1 1 
     L12  0 (24)
  C1 C2 
1 1 1
Notând cu C capacitatea echivalentă   L  L12 (25)
pentru circuitul format din C1, C2 şi C C1 C 2
cu L inductanţa (relaţiile 25), se 1
obţin relaţiile (26), din care rezultă   L  0 (26)
C
pulsaţia şi frecvenţa de oscilaţie
(relaţiile 27). 1 1
0  f0  (27)
LC 2 LC
1 1
0  f0  (27)
LC 2 LC
Se observă ca f0 (frecvenţa de oscilaţie) este chiar

frecvenţa de rezonanţă a circuitului acordat, format
din L şi C. Cu această valoare a frecvenţei de oscilaţie,
se obţine valoare minimă a pantei S, pentru
amorsarea oscilaţiilor:
RT C1  C 2
S  R T 02 C1C 2  R T
1 1 L (28)
0 C1 0 C 2
Oscilator de tip Hartley
Determinarea frecvenţei de oscilaţie.
1
X1  L1 X12  X 2  L 2 (29)
C12
L  L1  L 2 C  C12 (30)
1 1
0  f0  (31)
LC 2 LC
şi valoarea minimă a pantei S:
LC
S  RT (32)
L1L 2
❸ Stabilitatea frecvenţei de oscilaţie
Analiza stabilităţii este făcută pentru oscilatorul
Colpitts, cu filtru trece jos.
Frecvenţa de oscilaţie este dată de relaţia:
1
Circuitul cuadripol de reacţie osc  (33)
pentru oscilatorul Colpitts LC
1 1
Se presupune că se modifică capacitatea ln osc   ln L  ln C (34)
echivalentă C. Se diferenţiază relaţia (34), 2 2
presupunând că numai capacitatea are osc 1 C
variaţii iar inductanţa este constantă.  (35)
osc 2 C
Se determină variaţia relativă a capacităţii
C considerând numai influenţa lui C1
ln C  ln C1  ln C2  ln  C1  C2  (36)
❸ Stabilitatea frecvenţei de oscilaţie (2)
osc 1 C R C R T C
   T2  
osc SZ C SX C 1
S 2 2 C
osc C (37)
R T C 2 C R  C  C
   T osc   osc
SCL C Sosc L SQ
Relaţia (37) pune în evidenţă faptul că frecvenţa de oscilaţie este cu atât
mai stabilă cu cât:
• panta amplificatorului este mai mare;
• factorul de calitate al circuitului acordat este mai mare;
• frecvenţa de oscilaţie este mai mică.
Similar pentru Oscilatorul de tip Hartley

.
❸ Concluzii
Domeniul optim pentru frecvenţe se situează în gama 100kHz – 1MHz.
Cerinţa de pantă S mare impune alegerea unor reactanţe X1, X2 cât mai
mici. Acest lucru înseamnă un cuplaj cât mai slab al tranzistorului cu
circuit acordat. Printr‐un cuplaj mai slab se evită şi influenţa variaţiilor
capacităţilor sau rezistenţelor de intrare şi de ieşire ale tranzistorului
asupra frecvenţei de oscilaţie.
Pentru reducerea cuplajului, tranzistorul se conectează la circuitul oscilant
prin prize create pe bobina de acord sau prin introducerea parţială a
condensatorului de acord, înseriind trei condensatoare.
Oscilatorul de acest tip, derivând dintr‐un oscilator Colpitts se numeşte
oscilator de tip Clapp. Acestă configuraţie de oscilator prezintă o mare
stabilitate a frecvenţei, dacă sunt îndeplinite condiţiile:
C1  C12 C 2  C12 C '  C12 (38)
.
❸ Concluzii (2)
Oscilatoare de tip Clapp – scheme de principiu

.
❹ Scheme de principiu ale oscilatoarelor LC, în trei puncte
Scheme de principiu – oscilatoare de tip Hartley
Cu tranzistor în conexiune emitor la masă
Cu tranzistor în conexiune bază la masă,
.
❹ Scheme de principiu ale oscilatoarelor LC, în trei puncte (2)
Scheme de principiu – oscilatoare de tip Hartley
Cu tranzistor în conexiune colector la masă Cu tranzistor TEC în conexiune sursă la masă

.
Scheme de principiu – oscilatoare de tip Colpitts
Cu tranzistor în conexiune emitor la masă Cu tranzistor în conexiune colector la masă
.
Scheme de principiu – oscilatoare de tip Colpitts
Cu tranzistor în conexiune bază la masă Cu tranzistor TEC în conexiune sursă la masă

.
❺ Oscilatoare cu circuite acordate
Oscilatorul cu cuplaj magnetic (Armstrong)
Schema de principiu a unui oscilator
cu circuit acordat în colectorul
tranzistorului, reacţia la intrarea
amplificatorului realizându‐se prin
cuplaj electromagnetic.
Schema de principiu a oscilatorului cu cuplaj magnetic,
Tranzistorul este în conexiune emitor cu circuit acordat în colectorul tranzistorului
la masă.
Deoarece tranzistorul inversează faza
semnalului, trebuie ca şi
transformatorul să inverseze faza.
Schema echivalentă a oscilatorului cu cuplaj
magnetic
.
❺ Oscilatoare cu circuite acordate (2)
Oscilatorul cu cuplaj magnetic (Armstrong) (2)
Determinarea condiţiei de amorsare a oscilaţiei poate fi realizată direct (relaţiile
39 – 42), pornind de la condiţia Barkhausen sau prin echivalarea circuitului cu un
oscilator în trei puncte (rezultă relaţiile 43 – 45).
U2 M
U1   jMI L   jM   U2 (39)
j L L
U 2  SZ0 U1 (40)
U2
A (41)
U1
L
unde: Z0  este impedanţa la acord a circuitului oscilant paralel, iar R
CR este rezistenţa totală de pierderi a circuitului oscilant.

.
Oscilatorul cu cuplaj magnetic (Armstrong) (3)
Condiţia de amorsare a oscilaţiilor este dată de relaţiile (42), amorsarea
realizându‐se prin modificarea lui M sau S.
M SL CR
 A 1  1  S  (42)
L CR M
Circuitul poate fi considerat ca un oscilator în trei puncte:
2 M 2 2 M 2 L
ZI  jL1   (43) Z II  (44)
R R CR
Rezultă condiţia 1 1 1 CR
de amorsare a S    (45)
oscilaţiilor:
Z I Z II 2 M 2 L 1 M 2L M
R CR LC RCR
.
Oscilatorul Franklin
Oscilatorul Franklin nu este un oscilator în trei puncte; el dispune de un circuit
acordat, format din inductanţa L şi capacitatea C, care determină frecvenţa de
oscilaţie.
Condensatoarele C’, C”, asigură
un cuplaj slab cu amplificatorul
pentru ca frecvenţa de oscilaţie
să nu fie influenţată de
impedanţele de intrare şi de
ieşire ale amplificatorului.
Condensatorul C0 asigură cuplaj
strâns cu amplificatorul.
Schema de principiu a oscilatorului Franklin
Pentru a asigura un defazaj nul şi o amplificare suficient de mare, amplificatorul
necesită două etaje de amplificare.

.
Oscilatoare cu cuarţ; Rezonatoare cu cuarţ
Atunci când este necesară o stabilitate
foarte bună a frecvenţei, în locul circuitului
rezonant clasic format din bobine şi
condensatori, se foloseşte un cristal de
cuarţ (din punct de vedere electric prezintă
o impedanţă cu proprietăţi de circuit
rezonant), a cărui funcţionare se bazează Cristalul de cuarţ
Schema electrică echivalentă
pe efectul piezoelectric. Unui cristal de
cuarţ i se poate asocia o schemă electrică
echivalentă, simplificată (o schemă
echivalentă mai elaborată pune în evidenţă
posibilitatea rezonanţei pe armonicile
impare ale frecvenţei fundamentale ‐
overtone).
Cristalul de cuarţ,
Variaţia reactanţei în funcţie de frecvenţă
.
Rezonatoare cu cuarţ (2)
Circuit oscilant serie, valorile elementelor de circuit fiind
determinate de proprietăţile mecanice ale cristalului:
• Inductanţa Lq ‐ inductanţa echivalentă masei, (10‐2 –
10‐3)H;
• Capacitatea Cq ‐ capacitatea echivalentă elasticităţii
cristalului, 10‐2 pF;
• Rezistenţa de pierderi Rq ‐ rezistenţa de pierderi
datorită frecărilor din cristal, Ω ‐ sute Ω;
• Capacitatea C0 ‐ reprezintă capacitatea dintre electrozii Cristalul de cuarţ
Schema electrică echivalentă
plani între care se află cristalul (100pF – nF), prin
intermediul cărora acesta se poate conecta în circuitul
electric.

.
Circuitul electric echivalent al rezonatorului cu cuarţ poate fi privit ca
înserierea reactanţei efective cu rezistenţa sa efectivă. Pentru un cristal de
cuarţ, analiza celor două componente conduce la definirea a şase frecvenţe
caracteristice:
• fr ‐ frecvenţa de rezonanţă ‐ este frecvenţa la care rezonatorul prezintă
impedanţă rezistivă (reactanţă nulă) minimă în condiţia de fază zero;
• fa ‐ frecvenţa de antirezonanţă ‐ este frecvenţa la care rezonatorul
prezintă impedanţă rezistivă (reactanţă nulă) maximă în condiţia de fază
zero;
• fs ‐ frecvenţa de rezonanţă serie ‐ este frecvenţa pentru care reactanţa
circuitului serie Lq, Cq, Rq, din circuitul echivalent al rezonatorului, se
anulează:
1
fs  (46)
2 L q Cq
.
• fp ‐ frecvenţa de rezonanţă paralel ‐ este frecvenţa pentru care reactanţa
inductanţei Lq, devine egală cu reactanţa capacităţii rezultate din
înserierea capacităţilor Cq şi C0;
1
fp  (47)
C0 Cq
2 L q
C0  Cq
• fm ‐ frecvenţa la care impedanţa rezonatorului cu cuarţ este minimă;
• fn ‐ frecvenţa la care impedanţa rezonatorului cu cuarţ este maximă.
În deducerea relaţiilor (46) şi (47) s‐a neglijat contribuţia rezistenţei de pierderi
Rq deoarece valoarea ei este mult mai mică decât reactanţa inductivă ωLq.

.
Deoarece rezonatoarele cu cuarţ prezintă valori ridicate ale factorului de
calitate Q (104 – 106) şi a raportului capacităţilor C0/Cq (103 – 105), în practică se
poate considera că: fr = fs= fm şi fa = fp = fn .
Pentru frecvenţele cuprinse între fs şi fp comportamentul

cristalului este inductiv şi în afara acestui domeniu el
devine capacitiv. Cele două frecvenţe sunt foarte
apropiate, diferenţa dintre ele:
1 C Cristalul de cuarţ,
f p  fs  fs q (48) Variaţia reactanţei în funcţie de frecvenţă
2 C0
fiind de cele mai multe ori mai mică decât 1%.
.
Pentru ajustarea frecvenţei unui rezonator cu cuarţ la o valoare specificată: fs< fosc <fp ,
se foloseşte un condensator (condensator de sarcină: Cs) conectat în serie sau în paralel
cu cuarţul. Frecvenţa de rezonanţă în sarcină va fi frecvenţa la care impedanţa electrică a
combinaţiei rezonator – condensator de sarcină este rezistivă:
1
f osc 
(C0  Cs )Cq
2 L q
C 0  Cs  C q
Valoarea capacităţii Cs se alege de 3 ‐ 4 ori mai mare decât valoarea lui C0 pentru a
asigura funcţionarea stabilă a cristalului. Dacă rezonatorul este în rezonanţă serie şi se
doreşte creşterea frecvenţei nominale capacitatea se cuplează în serie, respectiv dacă
rezonatorul este în rezonanţă paralel şi se doreşte scăderea frecvenţei capacitatea se
conectează în paralel cu rezonatorul.
Rezonatoarele cu cuarţ având un factor de calitate ridicat asigură o stabilitate foarte
bună a frecvenţei de oscilaţie în raport cu variaţiile de temperatură, atunci când este
folosit ca circuit rezonant în oscilatoare.
.
❻ Oscilatoare cu cuarţ
Un oscilator la care cristalul de cuarţ este montat între colector şi bază este
oscilatorul Pierce. Acest oscilator poate funcţiona ca oscilator Colpitts sau ca
oscilator Clapp.
Când montajul lucrează ca
oscilator Clapp este necesar
ca: C1 , C2 ≫ Cq şi pentru o
stabilitate maximă a
frecvenţei se alege C1 = C2 .
Oscilatoare cu cuarţ de tip Pierce în montaj:
a – emitor comun; b – bază comună
.
❻ Oscilatoare cu cuarţ (2)
Condiţia de amorsare a oscilaţiilor
se determină cu relaţia:
1 S
Cs  (49)
2f s Rq
unde: Cs 
C1C 2
C1  C 2
Oscilatoare cu cuarţ de tip Pierce în montaj:
a – emitor comun; b – bază comună
este capacitatea de sarcină a cristalului,
S este panta tranzistorului, iar Rq este
rezistenţa serie a cristalului de cuarţ.
Frecvenţa de oscilaţie poate fi ajustată în limite mici dacă se montează un
condensator variabil (trimer), în serie cu cuarţul.

.
Cristalul de cuarţ este folosit ca inductanţă. Pentru
a se obţine un semnal cu un conţinut mic de
armonici în colectorul tranzistorului este prevăzut
un circuit oscilant LC, acordat pe o frecvenţă mai
mică decât frecvenţa de oscilaţie (< 20 %).
Circuitul acordat permite o uşoară corecţie a
frecvenţei de oscilaţie. Oscilatorul poate fi acordat
Oscilatoare cu cuarţ de tip Pierce în montaj: şi pe o armonică superioară frecvenţei
Bază comună fundamentale a cuarţului.
Oscilatoarele cu rezonator cu cuarţ pot
fi realizate şi cu tranzistoare cu efect de
câmp.
Stabilitatea frecvenţei oscilatoarelor cu cuarţ
este de ordinul: 10‐6 – 10‐7 şi poate atinge
valoarea de 10‐9 dacă se termostatează cuarţul.
Oscilatoare cu tranzistor cu efect de
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare câmp de tip Pierce
.
Oscilatorul de tip Miller
Oscilatorul de tip Miller este de fapt un

oscilator de tip Hartley la care reacţia este
realizată prin capacitatea drenă – sursă a
tranzistorului şi capacitatea C12 .
Circuitul oscilant LC din drenă trebuie să
fie acordat pe o frecvenţă mai mare cu
20% decât frecvenţa de oscilaţie pentru a
reprezenta o reactanţă inductivă. Cristalul
de cuarţ prezintă şi el o reactanţă Oscilator cu tranzistor cu efect de câmp de
inductivă întrucât lucrează pe o frecvenţă tip Miller
cuprinsă între frecvenţa de rezonanţă
serie şi cea derivaţie.
Oscilatorul de tip Miller are o stabilitate a frecvenţei mai mică faţă de oscilatorul
Pierce însă prezintă avantajul că poate să oscileze pe frecvenţe overtone
(frecvenţe ale armonicilor impare).
.
Rezonator Ceramic
18.4. Oscilatoare RC cu reacţie

.
Oscilatoare RC
❶ Generalităţi
În domeniul frecvenţelor joase şi medii de obicei se utilizează oscilatoare RC, cu
ajutorul cărora se pot genera semnale armonice fără a se utiliza bobine şi
condensatoare de dimensiuni mari. Oscilatoarele RC prezintă avantajul că
permit un reglaj de frecvenţă în limite largi, în domeniul de utilizare. O reţea de
reacţie RC este mai puţin selectivă decât o reţea LC, în condiţii de lucru identice.
Din acest motiv, forma de undă generată va avea un grad de distorsiuni mai
mare decât cea generată cu un oscilator LC.
1. Principalele tipuri de oscilatoare armonice cu reţea de reacţie de tip RC.
2. Realizare:
• Cu amplificatoare operaţionale (se consideră: amplificarea constantă, se
neglijează efectul capacităţilor parazite de intrare şi ieşire ale
amplificatorului).
• Cu TBIP (frecvenţa de oscilaţie, condiţia de amorsare şi de întreţinere a
oscilaţiilor vor fi influenţate de performanţele amplificatorului).
.
Oscilatoare RC
❷ Structură
Din analiza generală a condiţiilor de oscilaţie a unui oscilator armonic a rezultat
că trebuie îndeplinite codiţiile exprimate de relaţiile:
A r  1 A  r  0 sau 2 (50)
Deoarece, în general, amplificatoarele operaţionale performante asigură un
defazaj pentru: A  0 sau A   , din condiţia de fază rezultă că
oscilatoarele RC pot fi clasificate după defazajul introdus de blocul de reacţie
în:
• oscilatoare cu reţele de defazare în care: A   şi   r  
• oscilatoare cu reţele de fază minimă în care: A  0 şi   r  0

.
Oscilatoare RC
❷ Structură
Pentru întreţinerea oscilaţiilor trebuie satisfăcută prima
formulă din relaţiile (50). După amorsarea oscilaţiilor
amplitudinea acestora creşte până când se intră în zonele
neliniare ale amplificatorului ceea ce conduce la o scădere
a amplificării.
Neliniarităţile sunt introduse de dispozitivele active şi, ca
urmare, vor depinde de condiţiile reale de funcţionare.
Presupunând că semnalul (iniţial pur sinusoidal) este
deformat, în spectrul lui de frecvenţe apar, pe lângă
fundamentală şi armonici care sunt apoi transmise de
reţeaua de reacţie la intrarea amplificatorului (reţeaua de
reacţie RC nefiind prea selectivă).
Semnale nu pot fi neglijate, ele fiind amplificate, iar
datorită neliniarităţilor amplificatorului apar semnale ale
căror frecvenţe sunt combinaţii liniare ale frecvenţelor
semnalelor de la intrare, printre acestea şi frecvenţa
fundamentală care va avea o componentă întâmplătoare a
fazei faţă de faza fundamentalei şi care va determina o
deplasare a frecvenţei de oscilaţie.
Structura oscilatoarelor RC: cu reţea de
defazare (sus); cu reţea de fază minimă (jos)
.
Oscilatoare RC
❷ Structură (2)
Pentru a micşora acest efect se pot folosi mai multe
criterii:
• îndeplinirea la limită a condiţiei A r  1
• utilizarea amplificatorului la semnale mici;
• separarea circuitelor de amplificare de circuitele
de limitare a amplitudinii semnalelor;
• folosirea, pentru limitarea amplitudinii oscilaţiilor,
a unor elemente neliniare cu caracteristică
dependentă de tensiune sau a unor circuite de
reglaj automat al amplificării.
Structura oscilatoarelor RC: cu reţea de
defazare (sus); cu reţea de fază minimă (jos)
.
Oscilatoare RC
❸ Oscilatoare cu reţea de defazare
Oscilatoarele cu reţea de defazare folosesc reţele care să realizeze un defazaj de 180
grade la frecvenţa de rezonanţă iar amplificatorul va fi de tip inversor. Reţelele de
defazare pot fi de tipul trece sus sau de tipul trece jos, după cum amplifică semnalele
de frecvenţă ridicată, respectiv de joasă frecvenţă.
Schema de principiu a oscilatorului RC cu reţea
de defazare de tip trece sus
.
Oscilatoare RC
❸ Oscilatoare cu reţea de defazare (2)
Determinarea frecvenţei oscilaţiilor şi a

rezistenţei Rr necesară pentru amorsarea
oscilaţiilor. Metoda de calcul se bazează pe
două echivalări succesive ale schemei, cu
teorema lui Thevenin, în urma cărora se Schema echivalentă a reţelei de defazare
obţin relaţiile (51) şi (52). Prima echivalare Thevenin
sCR R
U1ech  U o (s) Z1ech  (51)
1  sCR 1  sCR
R
U 2ech  U1ech
1
R  Z1ech
sC (52) Schema echivalentă a reţelei de defazare
 1  A doua echivalare Thevenin
Z2ech  R  Z1ech  
 sC 

.
Oscilatoare RC
Ţinând cont că intrarea inversoare a U 0 (s) U 2ech

amplificatorului operaţional este un punct
 0 (53)
Rr 1
vittual de masă (PVM = 0), se obţine: Z2ech 
sC
U 0 (s) s 3 C3 R 2
 U 0 (s)  0; (54)
1  sCR   RsC  sCR 1  2sCR 
2
Rr
Deoarece: U 0 (s)  0 , este necesar să fie îndeplinită condiţia:
1 s 3C 3 R 2
  0; (55)
R r 1  4sCR  3s 2C 2 R 2
s3C3 R r R 2  3s 2 C 2 R 2  4sCR  1  0 (56)
Formula (56) reprezintă relaţia lui Barkhausen pentru oscilatorul descris
.
Oscilatoare RC
Pentru un regim sinusoidal permanent, s  jo ,rezultă expresia frecvenţei

de oscilaţie (57) şi condiţia de întreţinere a oscilaţiilor (58 şi 59).
1
1  3o2 C2 R 2  0  o  (57)
RC 3
3o C3 R r R 2  4o CR  0 (58)
4o CR 4
Rr   2 3C 2 R 2  12R (59)
o C R
3 3 2
CR
Pentru amorsarea oscilaţiilor este necesar ca să fie îndeplinită condiţia
exprimată de relaţia (60).
R r  12R (60)

.
Oscilatoare RC
Tensiunea de ieşire poate fi exprimată în funcţie de tensiunea U1 (61):
Rr
U 0 ( j)   U1 ( j)   jo CR r U1 ( j) (61)
1
jo C
sau:
1 1
U1 ( j)   U 0 ( j)  j U 0 ( j) (62)
jo CR r o CR r
Relaţia (62) pune în evidenţă faptul că din semnalele U0 şi U1 se pot obţine
două semnale în cuadratură (sin şi cos) (63)
R1 1 R1
U '0 ( j)   U1 ( j)   j U 0 ( j) (63)
R o CR r R
.
Oscilatoare RC
Schema electrică a unui oscilatoar RC cu reţea de defazare
care furnizează semnale în cuadratură
.
Oscilatoare RC
Tensiunea ′ se obţine prin introducerea unui amplificator operaţional în

conexiune de amplificator inversor .
Pentru ca semnalele de ieşire să poată fi exprimate de relaţiile (64) este
necesar ca rezistenţa să prezinte valoarea descrisă de relaţia (65).
U 0 (t)  A sin o t; U '0 (t)  A cos o t (64)
1
R1  o CRR r  CR 12R  4 3R (65)
3CR
Schema electrică a oscilatorului conţine şi circuitul de limitare a amplitudinii
oscilaţiilor, realizat cu diodele şi , plasate ca o buclă de reacţie negativă.
.
Oscilatoare RC
❹ Oscilatoare cu reţea Wien
Puntea Wien este una dintre reţele pasive cele mai utilizate pentru generarea unor
tensiuni sinusoidale cu distorsiuni reduse.
Transferul reţelei Wien este maxim când faza
tensiunii pe şi , este aceeaşi cu faza
tensiunii aplicate pe şi . Amplificatorul
operaţional (în conexiune neinversoare)
considerat ideal este caracterizat de
parametrii exprimaţi de relaţiile (66).
R"
A  1 ; Zint  ; Zies  0 (66)
Schema de principiu a unui oscilator cu reţea Wien R'
În această situaţie, schema echivalentă a

oscilatorului cu reţea Wien are structura:
Schema de principiu, echivalentă, a unui oscilator cu reţea Wien
.
Oscilatoare RC
❹ Oscilatoare cu reţea Wien (2)
Schema echivalentă a oscilatorului cu reţea Wien:
Relaţia lui Barkhausen: A r  1 , după calculul
impedanţelor echivalente (relaţiile 67şi 68), are
expresia dată de relaţia (69)
Schema de principiu, echivalentă, a unui
1 R2 oscilator cu reţea Wien
Z2  R 2  (67)
sC2 1  sC2 R 2
1 1  sC1R 1
Z1  R 1   (68)
sC1 sC1
Z2 AR 2
Ar  A  1 (69)
Z2  Z1 C2 R 2 1  2 C1C2 R1R 2
R2   R1 
C1 jC1
.
Oscilatoare RC
Pentru un regim sinusoidal permanent, ,

rezultă condiţia de amplitudine (71), pentru
întreţinerea oscilaţiilor şi condiţia de fază (70),
pentru determinarea frecvenţei de oscilaţie.
Schema de principiu, echivalentă, a unui
1
1   C1C2 R1R 2  0  o 
2
o (70)
oscilator cu reţea Wien
C1C2 R1R 2
AR 2 C R
 1  A  1 2  1 (71)
CR C1 R 2
R 2  2 2  R1
R1
Dacă se consideră: = = C şi = = R, condiţiile exprimate de relaţiile (70) şi (71) devin:
1
o  ; A3 (72)
CR

.
Oscilatoare RC
Stabilizarea amplitudii oscilaţiilor la oscilatoarele cu reţea Wien
Stabilizarea amplitudii oscilaţiilor poate fi realizată
fie utilizând în locul rezistenţei un termistor cu
coeficient pozitiv de temperatură (PTC), fie utilizând
în locul rezistenţei " un termistor cu coeficient
negativ de temperatură (NTC). Această soluţie
produce o pendulare a amplitudinii semnalului de
ieşire la alimentarea amplificatorului operaţional
sau la schimbarea frecvenţei de lucru, datorită
inerţiei termistorului.
Un circuit care elimină acest inconvenient:

• montarea pe bucla de reacţie negativă a unui
dipol realizat cu două diode conectate
antiparalel.
Schema de principiu a unui oscilator cu reţea Wien
cu stabilizarea amplitudinii oscilaţiilor cu diode
.
Oscilatoare RC
La amorsarea oscilaţiilor semnalul de ieşire este

prea mic pentru a polariza diodele. Amplificarea
este mare, deoarece bucla de reacţie negativă
este deschisă şi cea de reacţie pozitivă este
închisă. Semnalul de ieşire creşte rapid
producând deschiderea diodelor ceea ce va
conduce la stabilizarea amplificării la o valoare
aproximativ egală cu 3. Diodele treebuie să fie
alese cu o caracteristică aproape identică, zona
de neliniaritate a acestora putând fi restrânsă
prin intermediul rezistenţei R (montată în paralel
cu diodele).
O reducere substanţială a distorsiunilor şi o
stabilitate mai ridicată a amplitudinii semnalului Schema de principiu a unui oscilator cu reţea Wien
de ieşire se poate obţine prin utilizarea unei cu stabilizarea amplitudinii oscilaţiilor cu diode
bucle de reglare automată a amplificării (RAA).

.
Oscilatoare RC
La alimentarea cu tensiune a amplificatorului
operaţional rezistenţa drenă – sursă a tranzistorului
cu efect de câmp este mică, reacţia negativă este
redusă astfel încât amplificarea globală este mai
mare de 3. O parte din semnalul de ieşire, redresat
prin dioda D şi filtrat de grupul , este aplicat pe
poarta tranzistorului.
Odată cu creşterea amplitudinii semnalului de ieşire
creşte tensiunea continuă aplicată pe poarta
tranzistorului şi prin urmare creşte rezistenţa drena
– sursă a tranzistorului. Când această rezistenţă
ajunge la o valoare pentru care amplificarea
satisface condiţia de întreţinere a oscilaţiilor
amplitudinea semnalului de ieşire rămâne
constantă. Orice variaţie a amplitudinii semnalului
de ieşire va produce o variaţie în acelaşi sens a
rezistenţei de drenă care, prin modificarea gradului
Schema de principiu a unui oscilator cu reţea Wien cu de reacţie negativă, va menţine amplitudinea
stabilizarea amplitudinii oscilaţiilor cu un tranzistor cu constantă.
efect de câmp
De obicei, constanta de timp a filtrului , se
alege de zece ori mai mare decât perioada
semnalului armonic generat.
.
Oscilatoare RC
❺ Oscilatoare cu Reţea dublu T
Presupunînd că cuadripolul este alimentat în tensiune şi
lucrează cu ieşirea în gol, funcţia sa de răspuns la frecvenţă
are un extrem la pulsaţia:
1
0  (76)
RC
r este real. Reţea de reacţie dublu T
Caracteristica sa de frecvenţă depinde de parametrul k. Prima variantă (k < 0,5; caracteristică

de filtru trece bandă) prezintă un
maxim.
Varianta de reţea la care k > 0,5
(caracteristică de filtru rejector de
bandă) prezintă un minim, aşa încît,
pentru a obţine selectivitate, reţeaua
dublu T trebuie montată în reţeaua de
Caracteristica reţelei dublu T, pentru diferite valori ale lui k reacţie negativă.
În acest caz, reţeaua de reacţie
pozitivă poate fi neselectivă.

.
Oscilatoare RC
❺ Oscilatoare cu Reţea dublu T (2)
Modulul factorului de transfer în tensiune, pentru frecvenţa
centrală, este:
k (2k  1)
 r ( j 0 )  (77)
2k 2  k  1
Acesta arată că, pentru k = 0,5, se

obţine rejecţia totală a semnalului
de intrare. Avantajul reţelei dublu T,
faţă de reţeaua Wien, constă în
selectivitatea foarte bună, deci o
stabilitate a frecvenţei ridicată, în
schimb reglarea frecvenţei se
realizează mai dificil.
Oscilatoare cu reţea dublu T
.
Oscilatoare RC
❻ Oscilatoare în cuadratură
Furnizează la ieşire, simultan,
două semnale în cuadratură (sin
şi cos). Faţă de oscilatorul cu
reţea Wien această structură
prezintă avantajul unei stabilizări
în amplitudine mai uşor de
realizat în practică, fără
introducerea unor distorsiuni
importante. Cea mai simplă
soluţie constă în introducerea
Schema de principiu a unui oscilator în cuadratură unei rezistenţe pe bucla de
reacţie negativă la al doilea
Principiul de funcţionare al acestui oscilator se amplificator operaţional
bazează pe faptul că dubla integrare a unei sinusoide (rezistenţă plasată în paralel cu
oferă o sinusoidă de aceaşi frecvenţă dar defazată la
condensatorul .
1800 faţă de prima.

.
Oscilatoare RC
❻ Oscilatoare în cuadratură (2)
Pentru deducerea relaţiei lui Barkhausen (80) se calculează amplificarea modulului
amplificator, , (78) şi amplificarea cuadripolului de reacţie (79).
1
1 sC1
U1 1  1 
A  1 r   
sC 2 R 2
(78) 1 U 0 1  sC1R1  sC3R 3 
 (79)
R1 
sC1
1  sC 2 R 2 1 1
1 (80) rezultă:
sC 2 R 2 1  sC1R 1 sC3R 3
1  sC 2 R 2  sC 2 R 2 1  sC1R 1 sC3R 3  0 (81)
s 3C1C 2 C3 R 1R 2 R 3  s 2 C 2 C3 R 2 R 3  sC 2 R 2  1  0 (82)
Dacă , atunci se deduc condiţiile de amplitudine şi de fază ale oscilatorului.
1
o  (83) 1  o2C1C3R 1R 3 (84)
C 2 C3 R 2 R 3
.
Oscilatoare RC
❻ Oscilatoare în cuadratură (3)
Frecvenţa de oscilaţie este dată de valorile componentelor , , , , iar din se
controlează condiţia de amorsare şi de întreţinere a oscilaţiilor.
Schema electrică a unui oscilator în cuadratură cu limitarea amplitudinii, oscilând pe
frecvenţa de 5/π Hz

.
Circuite cu AO
❼ Limitator ‐ Comparator
.
Circuite cu AO
❼ Oscilator cu Punte Wien
Fara stabilizarea amplitudinii

.
Circuite cu AO

Cu stabilizarea amplitudinii
.
Circuite cu AO
Cu stabilizarea amplitudinii (varianta)

.
Circuite cu AO
❽ Oscilator cu Schimbare de fază
Cu stabilizarea amplitudinii (varianta)

.
Circuite cu AO
❽ Oscilator cu Schimbare de fază
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare Cu stabilizarea amplitudinii

.
Circuite cu AO
❾ Oscilator în cuadratură
.
Circuite
❾ Oscilator Pierce
Inversor CMOS ca un Amplificator

Analogică (EEA)
19. Surse de tensiune
Surse de tensiune
19.1. Stabilizatoare liniare de
tensiune

Surse de tensiune
Aspecte generale
Tensiunea de intrare/frecventa de lucru
Surse de tensiune
Aspecte generale

Surse de tensiune
Aspecte generale
Surse de tensiune continua

Surse de tensiune în comutaţie
Surse de tensiune
❶ Clasificare
Surse de tensiune continua
în funcţie de modul de conversie a energiei şi regimul de fucţionare:
• surse de tensiune liniare
• surse de tensiune în comutaţie
Fig. 1.2. Schema bloc a unei surse de alimentare liniare

Surse de tensiune
❶ Clasificare
Surse de tensiune în comutaţie fară separare galvanică (fig);
Surse de tensiune în comutaţie cu separare galvanică,
Surse de tensiune
❶ Clasificare
Surse de tensiune în comutaţie fară separare galvanică;
Surse de tensiune în comutaţie cu separare galvanică (fig).

Surse de tensiune
19.2. Redresoare
Redresoare
Redresoarele sunt dispozitive utilizate pentru a realiza conversia din
curent alternativ în curent continuu.
❶ Clasificare
După natura sarcinii, tipul sursei de energie, structura şi modul de comandă.
• redresoare cu sarcină rezistiva (R);
• redresoare cu sarcina inductivă (LR);
• redresoare cu sarcină capacitivă (RC).
• redresoare cu sarcină RLE
După numărul de alternante redresate:
• redresoare monoalternanţă;
• redresoare dublă alternanţă.
Tensiune reglabilă la iesire:
• redresoare necomandate (tensiune de ieşire fixă);
• redresoare comandate (tensiune de ieşire variabilă).
După numărul de faze redresate:
• redresoare monofazate (folosite până la puteri de 1 kW);
• redresoare trifazate (folosite la puteri mai mari de 1kW).
Redresoare
❷ Mărimi caracteristice unui redresor:
• Caracteristica externă U 0  U 0 (I 0 )
• Factorul de ondulaţie – raportul dintre amplitudinea celei mai U1m

importante armonici a semnalului, obtinută din descompunerea în U0
serie Fourier, şi valoarea tensiunii medii:
• Frecvenţa cea mai mică a tensiunii redresate:   2f
• Randamentul redresării – raportul dintre puterea utilă Pu

furnizată sarcinii şi puterea absorbită de la reţea: Pa
Componentele uzuale utilizate pentru implementarea redresoarelor sunt:
• dioda redresoare (pentru redresoarele necomandate),
• tiristorul, triacul (pentru redresoarele comandate).
Redresoare Monofazate
❸ Monoalternanţă :
Cu sarcină rezistivă
u  U m sin t
R s U m sin t
uo 
Rs  Ri

❸ Monoalternanţă:
Cu sarcină RC
U 0  U m cos  cos   U m cos 
❹ Dublă alternanţă:
Redresoarele monofazate dublă alternanţă se utilizează sub forma a două
montaje fundamentale:
• Redresorul monofazat cu transformator cu priză mediană în secundar
• Redresorul monofazat dublă alternanţă cu sarcină LR;
• Redresorul monofazat dublă alternanţă cu sarcină RC
• Redresorul monofazat dublă alternanţă în punte

Redresorul monofazat cu transformator cu priză mediană în secundar
2 RsUm
U0  R s I0 
 Rs  Ri
Redresorul monofazat dublă alternanţă cu sarcină LR
2U m 2 2
u0  (1  cos 2t  cos 4t...)
 3 35
2U m 2
u0  (1  cos 2t)
 3
2U m 4U m
i0   cos(2t  )
R s 3 R s2  42 L2
4U m R s
U1m  L  R s
3 R s2  42 L2
Rs

3L
Redresorul monofazat dublă alternanţă cu sarcină RC
U inv max  2U m
U   2 
 
U 0 R s C
Redresorul monofazat dublă alternanţă în punte;
U inv max  U m

❺ Filtre de netezire:
Filtrele de netezire sunt circuite electrice de tip cuadripol care suprimă (atenuează)
componentele variabile (pulsaţiile) din tensiunea de ieşire. Filtrele pot fi filtre
simple sau filtre complexe.
Filtre simple: Filtre complexe:
Filtru LR Filtru compus LC Filtru LC în π
Coeficientul de netezire (LC)
1
k net 
42 LC
Filtru RC Filtru RC în π
Redresoare Polifazate
❶ Clasificare:
Redresoarele polifazate sunt clasificate în funcţie de
numărul de faze ale secundarului transformatorului de
alimentare:
• trifazat,
• hexafazat ş.a.,
şi în funcţie de tipul conexiunii:
• cu punct median sau
• în punte.
De asemenea redresoarele polifazate se pot clasifica în
• redresoare necomandate (cu diode) şi
• redresoare comandate (cu tiristoare)

Redresorul trifazat cu punct median:
Redresorul trifazat în punte:

Formele de undă pentru redresoarele trifazate monoalternanţă
şi bialternanţă:
Redresoare cu multiplicare de tensiune
Redresoarele cu multiplicare de tensiune permit obţinerea unor
tensiuni mari (multiplu al tensiunii generatorului), având
dezavantajul unui curent de sarcină de valoare relativ mică.
Redresor cu dublarea
tensiunii în montaj punte
Redresor cu multiplicare
de tensiune
u i  U m (i  1  sin t)
Ui  iU m

Surse de tensiune
19.3. Stabilizatoare liniare de
tensiune
Stabilizatoare liniare de tensiune
Sistemul electronic care menţine invariante în timp caracteristicile
semnalelor de ieşire în condiţii de variaţie, în domenii specificate,
a mărimilor de intrare sau a mărimilor de sarcină poartă numele
de stabilizator.
Stabilizatoarele de tensiune asigură la ieşire tensiuni constante
sau variabile (prescrise) în raport cu variaţiile tensiunii de reţea, a
sarcinii, a temperaturii şi a altor factori perturbatori.
În procesul de stabilizare a unei tensiuni se utilizează două tehnici
principale:
• stabilizarea paralel şi
• stabilizarea serie.

❶ Clasificare
O primă clasificare a stabilizatoarelor de tensiune, generată de modul de
realizare a surselor de tensiune, se face după structura şi modul de comandă al
elementului de reglaj:
• cu acţiune continuă (stabilizator liniar);
• cu acţiune discontinuă (în comutaţie).
După modul de conectare a elementului de reglaj în raport cu
sarcina stabilizatoarele se clasifică în:
• cu element de reglare serie ;
• cu element de reglare paralel .
În raport cu metoda de stabilizare se disting două tipuri de stabilizatoare:
• în buclă deschisă (parametrice);
• în buclă închisă (cu reacţie).
După posibilitatea de ajustare a nivelului tensiunii de ieşire oferite
utilizatorului, stabilizatoarele se clasifică în:
• stabilizatoare de tensiune variabilă (de uz general);
• stabilizatoare de tensiune fixă.
Schema bloc
• Nu necesită scheme de
protecţie. În cazul unui
scurtcircuit la ieşire, schema
debitează întreaga putere pe
rezistenţa de balast.
• Randament scăzut
• Se comporta ca o rezistenţă
variabilă;
• Schema stabilizează atât la
variaţiile tensiunii de
intrare cât şi la variaţiile
rezistenţei (curentului) de
sarcină.
• În cazul unui scurtcircuit la
ieşire elementul de reglaj
se poate distruge
❷ Parametrii stabilizatoarelor de tensiune liniare
Două categorii:
• valori limită absolută;
• caracteristicile electrice.
Valorile limită absolută, care descriu încărcarea maximă a stabilizatorului, reprezintă
parametrii prin a căror respectare se garantează funcţionarea stabilizatorului în
conformitate cu specificaţiile caracteristicilor electrice:
• tensiunea maximă de intrare;
• puterea disipată maximă;
• domeniul temperaturii ambiante de funcţionare;
• domeniul temperaturii de stocare.
❷ Parametrii stabilizatoarelor de tensiune liniare
Două categorii:
• valori limită absolută;
• caracteristicile electrice.
Caracteristicile electrice descriu funcţionarea propriu‐zisă a stabilizatorului;
acestea se referă la :
• Limitele semnalelor de intrare şi ieşire:
• tensiune de intrare;
• tensiune de ieşire;
• diferenţa de tensiune intrare‐ieşire;
• curentul de vârf la ieşire;
• curentul de ieşire în scurtcircuit;
• curentul de consum în gol;
• Precizia cu care se controlează nivelul tensiunii de ieşire în domeniul de
variaţie, la acţiunea unor factori perturbatori variabili (tensiunea de intrare,
tensiunea de ieşire, curentul de ieşire, temperatura ambiantă, etc.).

❸ Stabilizatoare Parametrice cu Diode Zener
Stabilizatoarele de tensiune parametrice funcţionează după tehnica de
reglare paralel (tehnica derivaţie). Funcţionarea stabilizatoarelor parametrice
se bazează pe capacitatea unor componente electronice de a menţine într‐un
domeniu dat (domeniu de stabilizare) tensiunea constantă la bornele lor.
Schema echivalentă de regim dinamic
❸ Stabilizatoare Parametrice cu Diode Zener (2)
c. Diodă Zener
simulată (electronică)
b. Stabilizator parametric cu 1 ∝
diode Zener, compensat cu
temperatura
)
∝
a. Stabilizator
parametric cu diodă
Zener pentru tensiuni 0 < α < 1
mari
❹ Stabilizatoare cu element de reglaj derivaţie
• Rezistenţa de balast, R, are acelaşi rol
ca la stabilizatoarele parametrice de
tip derivaţie;
• Elementul de reglare derivaţie, ER,
asigură mai multe funcţii: menţine
tensiunea de ieşire la nivelul
specificat sub controlul
amplificatorului de eroare, furnizează
curentul de ieşire sau îl blochează
dacă stabilizatorul are în componenţa
sa un circuit de protecţie, micşorează
rezistenţa serie a stabilizatorului;
• Amplificatorul de eroare, AE, compară tensiunea de referinţă cu o parte sau cu întreaga tensiune de ieşire,
pentru a acţiona asupra elementului regulator. Amplificatorul de eroare poate fi implementat cu amplificator
operaţional sau cu tranzistoare;
• Sursa referinţă de tensiune, REF, furnizează tensiunea de referinţă Uref caracterizată printr‐o mare stabilitate în
timp la variaţia tensiunii de intrare şi a temperaturii, precum şi printr‐un nivel de zgomot redus;
• Circuitul detector al tensiunii de ieşire, format din rezistentele R1, R2 furnizează amplificatorului de eroare o
fracţiune (kUs)din valoarea tensiunii de ieşire.
❹ Stabilizatoare cu element de reglaj derivaţie (fără AE)
US  U Z  U BE

❹ Stabilizatoare cu element de reglaj derivaţie (cu AE)
 R2
e d  U Z  U S R  R
 1 2
 US  u 0  U BE
u  A e
 0 0 d

A 0 U Z  U BE  R 
US   U Z 1  1 
AR  R2 
1 0 2
R1  R 2
❺ Stabilizatoare cu element de reglaj serie
Realizate după principiul
sistemelor de urmărire care,
în esenţă, conţin o conexiune
cu reacţie negativă.
Eroarea sistemului este:
0  U REF  A 0r US
Schema bloc a unui stabilizator liniar de tensiune cu element
de reglare serie şi cu buclă de reacţie

❺ Stabilizatoare cu element de reglaj serie ‐ fără AE
Schema echivalentă de regim dinamic
US  U Z  U BE
❺ Stabilizatoare cu element de reglaj serie ‐ fără AE (2)
Dimensionarea elementului de reglaj serie:
• Tensiunea maximă şi minimă de sarcină USmax, USmin
• Curentul maxim prin sarcină Ismax
• Tensiunea de intrare dată de redresor şi variaţiile acesteia datorate
variaţiei tensiunii de reţea
Tensiunea minimă pe tranzistor UTmin (pentru a rămâne în RAN) depinde de:
• tipul de element de reglaj;
• curentul maxim în sarcină;
• pulsaţiile tensiunii redresate.
Alegerea tranzistorului se face după parametrii:
• UCEmax, ICmax  ISmax

Tipuri de elemente de reglaj:
Pentru o funcţionare optimă elementul de reglare (tranzistorul care funcţionează ca repetor pe emitor),
trebuie să prezinte: impedanţă de intrare mare, impedanţă de ieşire mică şi un factor de curent mare.
Absenţa acestor parametri conduce la înrăutăţirea performanţelor dinamice ale stabilizatorului şi obligă
la utilizarea unor componente auxiliare de putere mai mare.
Ca element de reglaj se folosesc tranzistoare compuse de tip Darlington sau superG.
Tranzistoare compuse de tip Darlington:
a – tranzistor echivalent NPN,
b – tranzistor echivalent PNP
a) b)
Tranzistoare compuse de tip superG:
a – tranzistor echivalent NPN,
b – tranzistor echivalent PNP
a) b)
Tipuri de elemente de reglaj (2):
Combinaţie între o structură de
tip Darlington şi una superG.
Tranzistoare cuplate în paralel

❺ Stabilizatoare cu element de reglaj serie ‐ cu AE
U BE  kU S  U Z
R1
k
R1  R 2
R1  R 2
US  (U Z  U BE )
R1
❺ Stabilizatoare cu element de reglaj serie ‐ cu AE (2)
Stabilizator cu element de reglaj serie cu
amplificator diferenţial
Stabilizator de tip serie cu reglaj de la zero

❻ Stabilizatoare de tensiune duale cu urmărire
Tensiunile de alimentare,
faţă de masă, pot fi simetrice
sau nesimetrice.
Proprietatea de autoajustare
a tensiunii pe una din ieşirile
unui stabilizator de tensiune
dual, în funcţie de variaţia
tensiunii de pe cealaltă
ieşire, pentru a menţine
invariant un anumit raport
între ele, se numeste
urmărire
❼ Protecţia stabilizatoarelor cu element de reglaj serie
În funcţionarea echipamentelor electronice sunt situaţii în care pot apărea
regimuri de suprasarcină, supracurenţi sau supratensiuni cu efecte care
conduc la defectarea sarcinilor sau a sistemelor de alimentare.
Protecţia termică a stabilizatoarelor
Se bazează în principiu pe variaţia parametrilor unui tranzistor în funcţie
de temperatură. Principalii parametrii care au o variaţie importantă cu
temperatura sunt:
• ICB0, are o variaţie exponenţială şi este mai mare la tranzistoarele
cu Ge;
• Tensiunea UBE, valoarea sa se diminuează în funcţie de
temperatură variaţia fiind mai mare la tranzistoarele cu siliciu;
• Factorul de curent 0.

❽ Stabilizatoare de tensiune integrate
Stabilizatoarele de tensiune cu componente discrete pot fi executate cu
uşurinţă, dar prezintă o serie de neajunsuri legate de performanţele de
stabilizare, gabaritul lor relativ mare şi a preţului de cost ridicat.
În general, stabilizatoarele cu buclă de reacţie se implementează cu structuri
integrate.
Prin integrare se pune accent pe:
• Sursa de referinţă,
• Amplificatorul de eroare şi
• Protecţii.
Stabilizatoarele de tensiune integrate se pot clasifica, în funcţie de structură, în
mai multe clase:
• Stabilizatoare de uz general;
• Stabilizatoare cu trei terminale.
Stabilizatoarele cu trei terminale se pot clasifica la rândul lor în:
• Stabilizatoare de tensiune fixă;
• Stabilizatoare de tensiune variabilă.
❽ Stabilizatoare de tensiune integrate de uz general
Stabilizator pentru tensiuni de ieşire pozitive, mici,
realizat cu circuitul LM723
Structura circuitului integrat μA723 / LM723
Stabilizator pentru tensiuni de ieşire pozitive, mari,
realizat cu circuitul LM723
❾ Stabilizatoare integrate de tensiune fixă, cu trei terminale
Din categoria stabilizatoarelor de tensiune fixă, cu trei terminale, un tip reprezentativ
îl reprezintă circuitele din seria FF78XX (pentru tensiuni pozitive) şi FF79XX (pentru
tensiuni negative), produse de mai multe firme (FF este indicativul firmei: μA –
Fairchild, LM – Naţional Semiconductor, ...).
Ultimele două cifre înscrise pe integrat (XX) reprezintă tensiunea fixă pe care o
furnizează la ieşire.
❾ Stabilizatoare integrate de tensiune fixă, cu trei terminale (2)
Schema de principiu a stabilizatoarelor de tensiune din seria 79XX

Vin
GND
Schema de principiu a stabilizatoarelor de tensiune din seria 78XX
Referinţa (galben),
AE (portocaliu),
Tranzistor ieşire (roşu),
Protecţie (violet),
Circuit pornire (verde).
Schema stabilizatorului de tensiune 7805

Chip‐ul stabilizatorului de tensiune 7805
❾ Stabilizatoare integrate de tensiune variabilă,
cu trei terminale
Stabilizatoarelor de tensiune variabilă,
cu trei terminale:
• LM317 (pentru tensiuni pozitive) şi
• LM337 (pentru tensiuni negative),
Nu necesită decât componente pasive
pentru ajustarea tensiunii de ieşire.
Stabilizator de tensiune pozitivă cu integratul LM317

cu trei terminale (2)
Stabilizatoarelor de tensiune variabilă,
cu trei terminale:
• LM317 (pentru tensiuni pozitive) şi
• LM337 (pentru tensiuni negative),
Nu necesită decât componente pasive
pentru ajustarea tensiunii de ieşire.
Stabilizator de tensiune negativă cu integratul LM337
cu trei terminale (3) Aplicaţii
Stabilizator de tensiune negativă de mare
stabilitate cu integratul LM137/337
Sursă dublă de tensiune cu urmărire
În gama +/‐ 1,25V la +/‐ 20V
Regulator de curent
Linear technologies LT137A/LM137/LT337A/LM337 Data Sheet
Surse de tensiune
19.4. Stabilizatoare în comutaţie.
Stabilizatoare în comutaţie
❶ Consideraţii generale
Stabilizatoarele de tensiune în comutaţie fac parte din categoria
dispozitivelor care realizază conversia: cc → cc, şi din acest motiv, se va utiliza
şi denumirea de convertor.
Două regimuri de funcţionare:
• Curent de sarcină neîntrerupt;
• Curent de sarcină întrerupt.
• Comutatoarele (tranzistoare, diode) sunt elemente de circuit ideale;
• Pierderile de putere în bobine şi capacitoare sunt neglijabile;
• Sursa de alimentare a convertorului este de impedanţă nulă;
• Ondulaţiile curenţilor şi impulsurile de tensiune, de scurtă durată
(voltage spikes) sunt neglijate;
• Sarcina convertorului este pur rezistivă.

❷ Principiul de funcţionare al stabilizatoarelor în comutaţie
Un convertor cc → cc poate controla valoarea medie a tensiunii la bornele
unui consumator atât în cazul în care tensiunea de intrare fluctuează cât şi în
cazul în care valoarea sarcinii se modifică.
Valoarea medie a tensiunii de ieşire se controlează prin modificarea
intervalelor de timp, de conducţie ( ton ), respectiv de blocare ( toff ) a
comutatoarelor intercalate între intrare şi ieşire.
În marea majoritate a structurilor topologice, printr‐un tranzistor de putere
se aplică periodic o tensiune de curent continuu (redresată şi fitrată) unei
inductanţe; curentul inductanţei creşte pe durata fiecărui impuls permiţând
stocarea unei energii ½( LI2) în câmpul magnetic; energia stocată este
transferată unei capacităţi de filtrare care asigură curentul în sarcină între
impulsuri;
❷ Principiul de funcţionare al stabilizatoarelor în comutaţie (2)
Ca şi la stabilizatoarele liniare, printr‐o reacţie se compară tensiunea
stabilizată cu o tensiune de referinţă şi furnizează o tensiune (mărimea de
eroare) blocului de comandă a tranzistorului. Acest modul, printr‐un
generator de impulsuri comandat în tensiune, furnizează un tren de impulsuri
pentru comanda tranzistorului, reglarea realizânduse prin modificarea
frecvenţei sau a factorului de umplere a semnalului furnizat de generator.
Această tehnică de comandă poartă numele de comandă PWM (Pulse Width
Modulation).
Tehnica de control utilizată, în această lucrare, constă în menţinerea
constantă a frecvenţei şi ajustarea timpilor de comutare ( δ ‐ variabil).
t on
t on  t off  T  ct.,  
T
Utilizarea tehnicilor PWM la stabilizatoarele în comutaţie permite obţinerea
unor tensiuni de ieşire calitativ bune, care sunt uşor de filtrat, deoarece
armonicile tensiunii de ieşire se translatează spre domeniul frecvenţelor înalte.

Avantaje:
• Elementul de control funcţionează în comutaţie (saturat – blocat) ceea ce
înseamnă că sursa are un randament bun;
• Se pot genera tensiuni stabilizate mai mari sau mai mici, decât tensiunea
de intrare;
• Se pot genera tensiuni stabilizate negative din tensiuni de intrare pozitive;
• Pot fi proiectate fără legătură galvanică între intrare şi ieşire, deci pot
funcţiona cu tensiune redresată de la sursa de alimentare de curent
alternativ;
• Au cel mai mare grad de utilizare în aplicaţiile de electronică digitală şi în
domeniul electronicii de putere, dar nu se recomandă pentru alimentarea
circuitelor analogice (din cauza zgomotului propriu).
Tipuri de tranzistoare utilizate la stabilizatoarele în comutaţie:
Ca elemente de comutaţie, în electronica de putere, pot fi folosite:
• Tranzistoare de putere cu joncţiuni (bipolar juncţion transistor, BJT),
• Tranzistoare de putere cu efect de câmp (metal ‐ oxide – semiconductor –
field – efect tansistor, MOSFET),
• IGBT‐uri (isolate gate bipolar transistor), tiristoare, triace, etc.
La tranzistorul bipolar conducţia se face prin purtători de sarcină minoritari,
excesul de sarcină fiind introdus sau evacuat la intrarea în conduţie, respectiv la
blocare. Tranzistorul MOSFET nu prezintă sarcină electrică stocată, comanda sa
făcându‐se prin încărcarea, respectiv descărcarea capacităţilor de intrare.
Tranzistorul MOSFET de putere, în varianta VMOS, este preferat în construcţia
stabilizatoarelor de tensiune în comutaţie datorită performanţelor pe care le
are, în comparaţie cu tranzistorul bipolar de putere.

❸ Clasificare:
Făcută în funcţie de modul de transfer a energiei între sursa de tensiune,
elementul acumulator de energie şi sarcină şi de soluţia constructivă (cu
izolare, sau fără izolare galvanică între intrare şi ieşire).
❸ Clasificare:
Forward Flyback
Energia de la intrare se transferă simultan Energia de la intrare se transferă circuitului magnetic.
circuitului magnetic şi circuitului de sarcină După aceea această sarcină este transferată circuitului de
sarcină
Neinversoare:
Fară transformator • Step‐down(Buck) Tensiunea de ieşire are aceaşi polaritate cu tensiunea de
(fără izolare intrare Tensiunea de ieşire este mai mică decât intrare
– ieşire) tensiunea de intrare şi are aceaşi polaritate  Step‐up(Boost) Tensiunea de ieşire este mai mare
decât tensiunea de intrare
 SEPIC Tensiunea de ieşire este mai mare sau mai
mică decât tensiunea de intrare
Inversoare :
Tensiunea de ieşire are polaritatea inversă faţă de
tensiunea de intrare
 Inverting(Buck‐Boost)
 Ćuk Curentul de ieşire este continuu
 True Buck‐Boost
Tensiunea de intrare este de aceaşi polaritate cu tensiunea de ieşire şi poate fi mai mare sau mai mică
 Split‐Pi (Boost‐Buck)
Permite conversia bidirectională de tensiune, de aceaşi polaritate, cu o valoare mai mare sau mai mică
 Push‐ pull
Cu transformator  Forward  Flyback (1 sau 2 tranzistoare de comutaţie)
(cu izolare intrare –  Half bridge (2 tranzistoare de comutaţie)
ieşire)  Full bridge (4 tranzistoare de comutaţie)

Stabilizatoare în comutaţie fără izolare galvanică
❸ Clasificare:
• CONVERTORUL STEP‐DOWN (BUCK)
• CONVERTORUL STEP‐UP (BOOST)
• CONVERTORUL INVERTER (BUCK‐BOOST)
• CONVERTORUL ĆUK
• CONVERTORUL SEPIC
❶ Convertorul STEP‐DOWN (BUCK):
Convertorul STEP‐DOWN este o sursă de tensiune în comutaţie care permite
obţinerea unei tensiuni de iesire mai mici decât tensiunea de intrare.
Schema de principiu a convertorului STEP‐DOWN (BUCK).

❶ Convertorul STEP‐DOWN (BUCK) (2):
Schema de principiu a convertorului STEP‐DOWN (BUCK)
Tranzistorul T – în starea deschis (on).
T este în conducţie, Dioda D este blocată, Diferenţa de tensiune UR‐US
este aplicată inductanţei L. Determină o creştere liniară a curentului prin
bobină (curentul se închide prin capacitatea C şi sarcina stabilizatorului).
Aceasta conduce la acumularea unei energii, pe inductanţa L, având
valoarea: 2
LI
E
2
Schema de principiu a convertorului STEP‐DOWN (BUCK)
Tranzistorul T – în starea închis (off).
T este blocat, Dioda D se deschide. Curentul prin inductanţă (care are
acelaşi sens) este identic cu curentul prin diodă. În acest caz tensiunea
pe inductanţă are valoarea: ‐ US

Variaţia curentului prin bobină, pentru dI L
UL  L (1.1)
cele două stări de funcţionare, care se dt
determină pe baza relaţiei (1.1), este
U  US
t on
descrisă de relaţiile (1.2) şi (1.3): UL
I L(on )  0
L
dt  R
L
t on (1.2)
Dacă se presupune că funcţionarea T

UL U
convertorului este în starea de
echilibru, energia stocată în fiecare
I L(off )  
t on
L
dt   S (T-t on ) (1.3)
L
componentă la sfârşitul unui ciclu de
comutaţie este egală cu cea de la (1.4)
începutul ciclului. Curentul prin bobină I L(on )  I L(off )  0
are aceaşi valoare la momentele de
timp 0 şi T. În aceste condiţii, din U R  US U
relaţiile (1.4), (1.5), rezultă expresia t on  S (T  t on )  0 (1.5)
L L
funcţiei de transfer ideale (relaţia 1.6),
a convertorului Buck. t 
U S   on  U R  U R (1.6)
 T 
Relaţia (1.6) pune în evidenţă faptul
că tensiunea de ieşire variază liniar,
reglarea sa realizându‐se prin
modificarea factorul de umplere al
impulsurilor de comandă furnizate
de blocul PWM (0 < δ < 1).
Neglijând toate pierderile de putere
în circuitul de comutaţie se poate
spune că puterea absorbită de la
sursa de alimentare este egală cu
puterea debitată pe sarcină, de unde
se deduce raportul dintre curenţul
absorbit şi debitat:
U R I R  U S IS
(1.7)
IS U R 1
 
IR US 
Convertorului STEP‐DOWN (BUCK)
Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare Formele de undă
Curentul pe sarcină este un curent
neîntrerupt, în timp ce curentul
absorbit de la intrare este pulsatoriu.
Relaţiile (1.8) – (1.11) precizează
valorile maxime ale tensiunilor şi
curenţilor pe care trebuie să le
suporte elementele de comutaţie.
I T (max)  I S (1.8)
U DS  U R (1.9)
I D  I S 1    (1.10)
UD  UR (1.11)
Convertorului STEP‐DOWN (BUCK)
❷ Convertorul STEP‐UP (BOOST):
Convertorul STEP‐UP este o sursă de tensiune în comutaţie care permite
obţinerea unei tensiuni de ieşire mai mare decât tensiunea de intrare.
Schema de principiu a convertorului STEP‐UP (BOOST).

❷ Convertorul STEP‐UP (BOOST) (2):
Când tranzistorul T este în conducţie, dioda D este polarizată invers (ieşirea
este izolată faţă de circuitul de intrare), curentul prin bobina L creşte şi se
acumulează energie în câmpul magnetic.
Schema de principiu a convertorului STEP‐UP (BOOST)
Tranzistorul T – în starea deschis (on)
Când tranzistorul T este blocat, bobina L tinde să menţină constant curentul,
dioda se deschide şi curentul se comută în capacitate. Tensiunea pe sarcină
va fi suma dintre tensiunea redresată şi tensiunea de pe inductanţă.
Schema de principiu a convertorului STEP‐UP (BOOST)
Tranzistorul T – în starea închis (off)

Variaţia curentului prin bobină, pentru
cele două stări de funcţionare, are
expresia descrisă de relaţiile (1.12),
(1.13), din care se deduce expresia
funcţiei de transfer ideale (relaţia 1.14) a
convertorului Boost.
t on
UL U
I L(on )  0
L
dt  R t on
L
(1.12)
U  US
T
UL
I L(off )  
t on
L
dt   R
L
(T-t on ) (1.13)
US  T   1 
     (1.14)
U R  T  t on  1  
Convertorului STEP‐UP (BOOST)
Dacă pierderile de putere pe elementele
de comutaţie sunt nule se deduce IS U R
  1  (1.15)
raportul curenţilor absorbiţi de la sursa IR US
de energie şi debitat pe sarcină:
Curentul absorbit de la sursa de tensiune  1 

este un curent neîntrerupt (cu pulsaţii I T (max)  I S   (1.16)
1  
mici). Această calitate îl recomandă
pentru aplicaţii în care sarcina este
capacitivă (blitz‐uri foto, încărcător de U DS  U S (1.17)
acumulatori, etc.) sau ca prestabilizator
înaintea regulatorului principal. I D  IS (1.18)
Relaţiile (1.16) – (1.19) precizează valorile U D  US (1.19)

maxime ale tensiunilor şi curenţilor pe
care trebuie să le suporte elementele de
comutaţie.

❸ Convertorul INVERTER (BUCK‐BOOST):
Convertorul INVERTER este un stabilizator în comutaţie de tip inversor de
tensiune ( UR > 0, US < 0), obţinut prin conectarea în cascadă a unui convertor
Buck şi a unui convertor Boost. În regim stationar pot rezulta tensiuni mai
mari sau mai mici decât tensiunea de alimentare.
Schema de principiu a convertorului INVERTER (BUCK ‐ BOOST).
❸ Convertorul INVERTER (BUCK‐BOOST) (2):
Când tranzistorul T conduce, dioda D este blocată şi sursa de alimentare
determină creşterea energiei electromagnetice care se acumulează în
bobina L.
Schema de principiu a convertorului INVERTER (BUCK ‐ BOOST)

Cânt tranzistorul este blocat, pentru a menţine curentul constant, inductanţa
cedează energia circuitului de sarcină. Curentul se va închide de la capacitate
spre inductanţă prin dioda D; tensiunea de ieşire este negativă (inductanţa îşi
inversează polaritatea faţă de punctul comun al schemei), iar valoarea ei
absolută poate fi mai mare sau mai mică decât tensiunea redresată, după
cum se fixează prin circuitul de reacţie.
Schema de principiu a convertorului INVERTER (BUCK ‐ BOOST)
Pentru cele două stări de funcţioare
ale tranzistorului, în regim staţionar,
se observă că:
U R t on  US (T  t off )  0 (1.20)
de unde se deduce expresia funcţiei
de transfer ideale:
 t   
  
US
  on  (1.21)
UR  T  t on  1  
Relaţia (1.21) pune în evidenţă

faptul că modulul raportului dintre
tensiunea de ieşire şi cea de intrare
este egal cu produsul factorilor de
conversie ale convertoarelor Buck şi
Boost.
Convertorului INVERTER (BUCK ‐ BOOST)
Raportul curenţilor de intrare şi de ieşire IS 1  
are valoarea descrisă de relaţia (1.22).  (1.22)
IR 
 1 
Relaţiile (1.23) – (1.26) precizează I T (max)  I S   (1.23)
valorile maxime ale tensiunilor şi 1  
curenţilor pe care trebuie să le suporte
elementele de comutaţie. U DS  U R  U S (1.24)
I D  IS (1.25)
U D  U R  US (1.26)
❹ Convertorul ĆUK:
Convertorul Ćuk realizează o funcţie similară convertorului Buck ‐ Boost
permiţând obţinerea unei tensiuni de ieşire de polaritate inversă faţă de
tensiunea de intrare. Această tensiune, în modul, poate avea o valoare mai
mare sau mai mică decât valoarea tensiunii de intrare.
Avantajul acestei topologii, faţă de convertorul Inverter: curentul de intrare
este un curent neîntrerupt.
Schema de principiu a convertorului Ćuk
Topologia a fost prezentată pentru prima dată de
Slobodan Ćuk –California Institute of Technology.
❹ Convertorul ĆUK (2):
Când tranzistorul T conduce, sursa de alimentare determină creşterea energiei
electromagnetice care se acumulează în bobina (figura 1.97). Dioda D este
blocată prin tensiunea de pe capacitatea , iar inductanţa este conectată prin
capacitatea la circuitul de sarcină, fiind valabilă relaţia:
U L2  US  U C1 (1.27)
Când tranzistorul este blocat, dioda D este deschisă şi inductanţa este
conectată în continuare la circuitul de ieşire. Inductanţa este conectată, în
serie cu capacitatea , la sursa de alimentare. Căderea de tensiune pe această
inductanţă are o valoare descrisă de relaţia (1.28).
U L1  U R  U C1 (1.28)

Limitele între care variază tensiunile pe cele două inductanţe.
Având în vedere faptul că tensiunea pe

capacitatea C1 este menţinută aproximativ
constantă pe tot parcursul funcţionării, iar
integrala de timp, pe o perioadă, la bornele
inductanţelor este nulă, se pot scrie relatiile:
• Pentru L1:
U R t on  (U R  U C1 )(T  t on )  0,
1 (1.29)
U C1  UR
1 
• Pentru L2:
(US  U C1 )t on  (US )(T  t on )  0,
Convertorului Ćuk – formele de undă
1 (1.30) ale tensiunilor pe inductanţe
U C1   US

Din relaţiile (1.29) şi (1.30) rezultă expresia factorului de transfer ideal al
convertorului Ćuk:
 t   
  
US
  on  (1.31)
UR  T  t on  1  
Factorul de transfer este identic cu cel al convertorului Inverter, fiind

valabilă şi relaţia (1.22), care precizează raportul curenţilor de intrare şi de
ieşire.
Un avantaj al convertorului Ćuk constă în faptul că inductanţele sunt
parcurse de curenţi cu pulsaţii foarte mici. Un dezavantaj al acestei
topologii constă în valoarea relativ mare a capacităţii C1.

❺ Convertorul SEPIC:
Convertorul SEPIC (Single Ended Primary Inductor Convertor) prezintă o
topologie care permite obţinerea unei tensiuni de ieşire mai mare sau mai
mică decât tensiunea de intrare, dar de aceeaşi polaritate cu tensiunea de
intrare.
Schema de principiu a convertorului SEPIC
❺ Convertorul SEPIC (2):
Circuitele care se formează când tranzistorul T se află în cele două stări:
conducţie şi blocare.
Schema de principiu a convertorului SEPIC tranzistorul T – în starea deschis (on).
Schema de principiu a convertorului SEPIC tranzistorul T – în starea închis (off).

Factorul de transfer ideal al
convertorului SEPIC este
descris de relaţia:
U S  t on    
    
U R  T  t on
(1.31)
 1  
Acest factor de transfer

are, în modul, aceeasi
valoare cu factorul de
transfer al convertorului
Cuk.
Convertorului SEPIC – formele de undă
ale tensiunilor pe inductanţe
Diferenţa dintre structura convertorului Cuk şi a convertorului SEPIC constă
în principal din alegerea punctului de masă al schemei. Trebuie facută
precizarea că cele două inductanţe sunt realizate pe acelaşi miez de ferită.
Comparaţie între schemele de principiu ale convertoarelor Cuk şi SEPIC

Similitudinea dintre cele două configuraţii face ca unii autori să considere că
denumirea SEPIC derivă din SEcundary Polarity Inverted Cuk. Cele două
topologii sunt utilizate, de obicei, ca prestabilizatoare.
Relaţiile (1.32) – (1.35) precizează valorile maxime ale tensiunilor şi
curenţilor pe care trebuie să le suporte elementele de comutaţie.
 1 
I T (max)  I S   (1.32)
1  
U DS  U R  U S (1.33)
I D  IS (1.34)
U D  U R  US (1.35)
Stabilizatoare în comutaţie cu izolare galvanică
Sursele de tensiune liniare realizează separarea galvanică, faţă de reteaua de

alimentare, printr‐un transformator încorporat în modulul redresorului.
La sursele de tensiune în comutaţie această funcţie se realizează în cadrul
convertorului. Acest aspect reprezintă un avantaj pentru convertoarele în
comutaţie, ştiind faptul că, pentru aceaşi putere debitată, dimensiunea şi
greutatea unui transformator variază invers proporţional cu frecvenţa de
funcţionare.
Un alt avantaj al utilizării transformatoarelor în cadrul convertoarelor în
comutaţie este reprezentat de posibilitatea de a obţine mai multe tensiuni de
ieşire prin utilizarea mai multor înfăşurări secundare, cu un raport de
transformare corespunzător tensiunii care se doreşte a fi obţinută.
Utilizarea mai multor înfăşurări secundare oferă posibilitatea ca tensiunile de
ieşire să aibă polarităţi diferite.
Majoritatea convertoarelor de tensiune în comutaţie au la bază principiile de
funcţionare prezentate la convertoarele de tensiune în comutaţie fără izolare
galvanică.

Cele mai uzuale topologii de convertoare în comutaţie cu separare galvanică:
CONVERTORUL FLYBACK
CONVERTORUL FORWARD
CONVERTORUL PUSH ‐ PULL
CONVERTORUL HALF BRIDGE
CONVERTORUL FULL BRIDGE
❻ Convertorul FLYBACK:
Topologie este echivalentă cu cea a unui convertor Boost, inductanţa fiind
primarul unui transformator. Prin urmare, principiile de funcţionare ale
ambelor convertoare sunt foarte apropiate.
Schema de principiu a convertorului FLYBACK

❻ Convertorul FLYBACK (2):
Tranzistorul este în conducţie, primarul transformatorului este conectat direct
la sursa de tensiune de la intrare. Aceasta are ca rezultat o creştere a fluxului
magnetic al transformatorului, care înmagazinează energie. Tensiunea în
secundar este negativă, astfel încât dioda este blocată, iar energia furnizată
circuitului de sarcină este dată de condensator.
Convertorului FLYBACK
Tranzistorul este blocat, tensiunea din secundarul transformatorului îşi
schimbă polaritatea, dioda D se deschide iar energia stocată în transformator
este transferată la ieşirea convertorului. Faptul că toată energia este
înmagazinată în miezul transformatorului, face ca dimensiunea miezului şi
costurile aferente să fie mai mari ca la alte topologii, unde numai energia de
excitaţie (magnetizare) a miezului, în mod normal mică, este înmagazinată.
Convertorului FLYBACK
Funcţia de transfer ideală a convertorului Flyback, în regim de curent continuu
este descrisă de relaţia (1.36)
US NS 
 (1.36)
UR NP 1 
Tensiunile pe care le suportă elementele de comutaţie (tranzistor şi diodă)
sunt descrise de relatiile (1.37) şi respectiv (1.38).
N 
U DS  U R  U S  P  (1.37)
 NS 
N 
U D  U S  U R  S  (1.38)
 NP 
în momentul blocării tranzistorului, tensiunea de ieşire este reflectată în
primar, ceea ce necesită o dimensionare corespunzătoare a tranzistorului.
Acest dezavantaj (care micşorează randamentul convertorului) poate fi
eliminat prin introducerea unei înfăşurări de recuperare în primarul
transformatorului.
Această înfăşurare permite

recuperarea scurgerilor de
energie către circuitul de
intrare. Un alt dezavantaj al
acestei topologii este faptul că
necesită o capacitate de filtraj
relativ mare, fapt ce limitează
domeniul de putere maximă
furnizată la ieşire.
cu înfăşurare de recuperare

❼ Convertorul FORWARD:
Convertorul Forward se bazează pe topologia Buck, prezentată anterior,
şi foloseşte, de asemenea, ca element de comutaţie tot un tranzistor.
Schema de principiu a convertorului FORWARD
❼ Convertorul FORWARD (2):
Când tranzistorul T se află în conducţie, curentul prin înfăşurarea
primară începe să crească, în ea înmagazinându‐se energie. Datorită
alegerii aceluiaşi sens de bobinare pentru înfăşurarea secundară,
tensiunea indusă în secundar va polariza direct dioda D1. Aceasta va intra
în conducţie şi inductanţa de filtrare L va înmagazina energie. Dioda D2
este polarizată invers, deci este blocată.

Când tranzistorul T este adus în starea blocare, tensiunile induse în
înfăşurări îşi schimbă polarităţile. Dioda D1 se blochează, iar dioda D2 se
deschide permiţând menţinerea circulaţiei curentului prin circuitul de
sarcină şi prin bobina L. Dioda D3 şi înfăşurarea secundară permit
demagnetizarea transformatorului, în intervalul de timp cât tranzistorul
este blocat, prin cedarea energiei înmagazinate sursei de alimentare.
Datorită înfaşurării secundare tensiunea pe tranzistor nu poate depăşi
valoarea 2UR.
Formele de undă mai scot în
evidenţă că această tensiune se
menţine la această valoare atât
timp cât conduce dioda D3.
Funcţia de transfer ideală a
convertorului Forward este descrisă
de urmatoarea relaţie:
US N 
  S  (1.39)
UR  NP 
Curentul prin sarcină este

continuu. Pulsaţiile acestui curent
(este curentul care circulă prin
inductanţa L) pot fi foarte uşor
reduse suplimentar prin utilizarea
unei capacităţi de valoare relativ
mică.
Convertorul FORWARD
Energia înmagazinată în miezul transformatorului este mai mică decât la
convertorul Flyback. Prin urmare, se pot folosi inductanţe mari pentru
primarul transformatorului care implicit vor conduce la curenţi mai mici prin
tranzistor.
Această topologie prezintă dezavantajul că funcţionarea transformatorului
este asimetrică fapt ce conduce la dimensiuni relativ mari ale acestuia.
Relaţiile (1.40) – (1.43) precizează valorile maxime ale tensiunilor şi curenţilor
pe care trebuie să le suporte elementele de comutaţie.
N 
I T (max)   S I S (1.40)
 NP 
U DS  2 U R (1.41)
I D  IS (1.42)
N 
U D  U S  U R  S  (1.43)
 NP 
❽ Convertorul PUSH ‐ PULL:
Convertorul PUSH – PULL poate fi echivalat cu două convertoare de tip
FORWARD care lucrează în contratimp.
Schema de principiu a convertorului PUSH PULL

❽ Convertorul PUSH – PULL (2):
Functia de transfer ideală a
convertorului PUSH PULL este
descrisă de relaţia:
US N 
 2 S  (1.44)
UR  NP 
unde δ reprezintă factorul de
umplere al impulsurilor de
comandă al tranzistoarelor.
Acest factor trebuie să fie mai
mic de 0,5 pentru împiedica
apariţia scurtcircuitului în
primarul transformatorului
datorită conducţiei simultane a
celor două tranzistoare.
Convertorul PUSH PULL
Formele de undă
Această restricţie pune în evidenţă următoarea situaţie:
• tranzistoarele sunt blocate – circuitul primarului este un circuit
deschis şi curentul de magnetizare al înfăşurării secundare este forţat
să se închidă prin diodele D1 şi D2 . Curentul de sarcină şi curentul de
magnetizare se însumează într‐o diodă şi se scade în cealaltă diodă.
La un curent de sarcină redus, una din diode se poate bloca, curentul
de magnetizare fiind furnizat circuitului de ieşire prin cealaltă diodă.
Dacă ambele diode se blochează, energia proporţională a curentului
de magnetizare este redată circuitului de intrare, care poate fi
recuperată prin diodele de protecţie ale tranzistoarelor. Marea
majoritate a tranzistoarelor MOSTEC de putere au în structura lor
încorporată dioda de protecţie, cuplată între drena şi sursa
tranzistorului (în cazul în care tranzitorul nu are această protecţie, ea
trebuie prevăzută în schemă).

Relaţiile (1.45) – (1.48) precizează valorile maxime ale tensiunilor şi
curenţilor pe care trebuie să le suporte elementele de comutaţie.
N 
I T (max)   S I S (1.45)
 NP 
U DS  2 U R (1.46)
IS IS
I D  IS  1  2 ID  (1.47)
2 2
N 
U D  2U R  S  (1.48)
 NP 
Convertorul PUSH PULL utilizează miezul transformatorului într‐un mod mai

eficient, faţă de structurile prezentate, permiţând obţinerea unor puteri în
sarcină ridicate. Un alt avantaj al acestei structuri este acela că pentru o
anumită valoare medie a curentului de sarcină, curentul mediu prin diode
este jumătate din curentul de sarcină, fapt ce determină o solicitare
termică a acestora mult mai mică.
Principalul dezavantaj al acestei structuri îl reprezintă faptul că

transformatorul trebuie să fie prevăzut cu priză mediană atât la înfăşurarea
primară cât şi la cea secundară, cele două înfăşurări necesitând o
echilibrare.

❾ Convertorul HALF BRIDGE:
Dintre toate convertoarele simetrice, convertorul HALF BRIDGE este cel mai
utilizat în construcţia surselor de tensiune în comutaţie. Ca şi la convertorul
PUSH‐PULL comanda transformatorului se realizează cu două tranzistoare,
care lucrează în contratimp.
Spre deosebire de topologia menţionată, transformatorul are o singură
înfăşurare primară. Un capăt al înfăşurării transformatorului este conectat la
un punct de potenţial a cărui valoare este UR/2, creat de capacităţile C1 şi C2 ,
iar celălalt capăt la un punct comun al celor două tranzistoare T1 şi T2.
❾ Convertorul HALF BRIDGE (2):
Când T1 conduce, acesta ajunge la potenţialul pozitiv al sursei de alimentare
UR. Când tranzistorul T1 se blochează şi intră în conducţie T2, se schimbă
sensul de circulaţie al curentului în primar, pentru că acelaşi capăt al
primarului, prin T2, ajunge la potenţialul negativ al sursei de alimentare.
Circuitul de ieşire al acestei topologii este la fel ca la convertorul PUSH PULL.
Formele de semnal care descriu funcţionarea convertorului sunt identice cu
cele ale convertorului PUSH‐PULL, cu excepţia faptului că tensiunea pe
tranzistoare este înjumătăţită.
Funcţia de transfer ideală a acestui convertor este exprimată de relaţia:
US N 
  S  (1.49)
UR  NP 
Ca şi la convertorul PUSH PULL, factorul de umplere al impulsurilor de
comandă δ trebuie să fie mai mic de 0,5 (în cazul acestei topologii, conducţia
simultană a tranzistoarelor conduce la scutcircuitarea sursei de tensiune). De
asemenea, este valabilă observaţia referitoare la protecţia tranzistoarelor.

❾ Convertorul HALF BRIDGE (3):
Relaţiile (1.50) – (1.53) precizează valorile maxime ale tensiunilor şi curenţilor
pe care trebuie să le suporte elementele de comutaţie.
N 
I T (max)   S I S (1.50)
 NP 
U DS  U R (1.51)
IS
I D  IS  1  2 (1.52)
2
N 
U D  U R  S  (1.53)
 NP 
❿ Convertorul FULL BRIDGE:
Convertorul FULL BRIDGE este o versiune de putere a convertorului HALF‐
BRIDGE.
Spre deosebire de convertorul în semipunte, convertorul în punte conţine
două ramuri cu elemente active (tranzistoare). Acestă structură permite
reducerea puterii disipate pe fiecare tranzistor.
Schema de principiu a convertorului FULL BRIDGE

❿ Convertorul FULL BRIDGE (2):
Functionarea convertorului în punte este identică cu cea a convertorului în
semi‐punte, cu menţiunea că la aceasta configuraţie tranzistoarele trebuie
comandate pereche, T1 şi T4 , respectiv T2 şi T3
Funcţia de transfer ideală a acestui convertor este exprimată de relaţia:
US N 
 2 S  (1.54)
UR  NP 
Valorile maxime ale tensiunilor şi curenţilor pe care trebuie să le suporte
elementele de comutaţie sunt specificate în relaţiile (1.54) – (1.58).
US N 
 2 S  (1.54)
UR  NP 
N 
I T (max)   S I S (1.55)
 NP 
U DS  U R (1.56)
IS
I D  IS  1  2 (1.57)
2
N 
U D  2 U R  S  (1.58)
 NP 

Cu aceeaşi tensiune de intrare de curent continuu, tensiunea maximă de

ieşire a convertorului în punte este dublă faţă de cea a convertorului în
semipunte. Aceasta face ca, pentru aceeaşi putere, curentul de ieşire şi
curentul prin dispozitivele electronice de putere să reprezinte jumătate
din curenţii convertorului în semipunte. La nivele de puteri mari, aceasta
este un avantaj important, deoarece reduce numărul dispozitivelor
conectate în paralel.

Ilovepdf Merged

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Ilovepdf Merged

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Elemente de Electronică

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• Număr ore curs: 42 ore

• Precondiţii: parcurgerea şi/sau promovarea

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

OBIECTIVELE DISCIPLINEI (2)

• cunoaşterea principalelor programe de analiză, simulare şi

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Competenţe specifice unui inginer de calculatoare cu pregătire

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

CONŢINUTUL TEMATIC (1)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

CONŢINUTUL TEMATIC (3)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

CONŢINUTUL TEMATIC (5)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

CONŢINUTUL TEMATIC (7)

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Cerinţele minimale pentru promovare:

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Legile lui Kirchhoff exprimă modul de conservare a energiei

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Teoria circuitelor: Divizorul de tensiune

Utilizind ecuatiile anterioare,

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Teoria circuitelor: Divizorul de curent

Utilizind ecuatiile anterioare cu valorile

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Teoria circuitelor: Determinarea tensiunii echivalente

Aplicind legea lui Kirchhoff pentru iesire,

Combinind ecuatiile anterioare

 Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Teoria circuitelor: Determinarea rezistentei echivalente

Abordare: Gasirea Rth ca rezistenta de iesire

Adaugam o tensiune vx la circuitul considerat.

Aplicind prima lege a lui Kirchhoff,

ix = −i1 − i1 + GS v x = G1v x + G1v x + GS v x

Circuitele echivalente finale Thévenin si Norton

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• Semnalele nerepetitive avind spectre continue ocupa de

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

0 = 2/T (rad/s) este frecventa fundamentala in radiani, si f0 = 1/T

Categorie semnal Gama frecventa

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• Se pot transfera de la un atom la

• Suprafata metalica ofera o bariera pentru electronii liberi, si

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

Emisia de electroni (3)

• Totusi, daca este data suficienta energie electronului liber,

Elemente de Electronică Analogică (EEA) – specializarea Calculatoare

• 1 electron-volt = Q V = (1.602 × 10−19) × 1 J

• “Functia de lucru” pentru metale pure variaza intre 2 si 6eV.

Tipuri ale emisiei de electroni