MELTH 1 Curs1

Materiale electrotehnice
I. Proprietati generale ale corpurilor
Materiale electrotehnice Prof.dr.ing. Florin Ciuprina

Facultatea de Inginerie Electrica, 2020-2021, anul IIB+IE
Proprietati generale ale corpurilor
Structura disciplinei
Capitolul Conţinutul
I Proprietati generale ale corpurilor

1 Corpuri cristaline
Stari ale corpurilor
Retele cristaline
Defecte ale retelelor cristaline
2 Electroni in cristale
Modele (clasic si cuantice) ale electronului.
Benzi de energie asociate corpurilor cristaline.
Clasificarea materialelor in conductori, semiconductori si izolatori.
II Conductia electrica
3 Conductia electrica a metalelor.
Conducţia metalelor la temperaturi uzuale
Supraconductibilitatea electrica.
4 Conductia electrica a semiconductorilor
Mecanisme de conductie.
Expresiile conductivitatilor intrinseci si extrinseci
5 Conductia electrica a izolatorilor
Conductia in campuri slabe (Conductia electronica, Conductia ionica),
Conductia in campuri intense (Străpungerea izolatorilor).
Conductia si strapungerea lichidelor si gazelor electroizolante
III Proprietati dielectrice

6 Polarizarea electrica
Tipuri de polarizare
Polarizarea in campuri armonice. Pierderi in dielectrici.
IV Proprietati magnetice
7 Tipuri de magnetism
Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

Proprietati generale ale cristalelor
Bibliografie
◼ F. Ciuprina, Materiale electrotehnice – Note de curs, UPB, 2001,
(www.elmat.pub.ro/~florin)
◼ F. Ciuprina, Materiale electrotehnice – fenomene si aplicatii,
Editura Printech, 2007
◼ P.V.Notingher, Materiale pentru electrotehnica, POLITEHNICA
PRESS, Bucuresti, 2005.
◼ A. Ifrim, P. Notingher, Materiale electrotehnice, Editura Didactica
si Pedagogica, 1992.
◼ L. Solymar, D. Walsh, Electrical Properties of Materials, Oxford
University Press, 2004.
◼ B. Streetman, S. Banerjee, Solid state Electronic Devices,
Prentice Hall, 2005
◼ http://www.superconductors.org/
◼ F. Ciuprina, P.V.Notingher, Materiale electrotehnice – Fise de
laborator, UPB, 2008, (www.elmat.pub.ro/~florin)

Mod de evaluare
◼ Laborator + aplicatii numerice: 40p;
◼ Referate – 15
◼ Test de laborator (Col.) – 15
◼ Aplicații numerice(A.N.) – 5
◼ Tema de casa - 5
◼ Lucrǎri de control: 10p;

◼ Examen (scris): 50p.
◼ Parțial (lucrare de degrevare): 20p
◼ Examen final: 30p
Cerinţele minimale pentru promovare:

◼ efectuarea tuturor activităților de laborator,
◼ obtinerea a cel puțin 30% din punctajul aferent examenului (15 p)
◼ obtinerea a cel puțin 50% din punctajul total (50 p)


Retele cristaline


1. Corpuri cristaline
1.1. Stari ale corpurilor
1.2 Retele cristaline
1.3. Defecte ale retelelor cristaline



A. La nivel macroscopic:
◼ Stare gazoasa
◼ Stare condensata - lichida
- solida
Gaze: interactiuni slabe intre particulele constitutive (molecule, atomi),

nu au nici forma si nici volum propriu.
Lichide: forte intermoleculare mai puternice dacat la gaze,
au volume bine definite, dar nu au forme proprii.
Solide: forte puternice intre particule (atomi, ioni, molecule),
au forma si volum bine definite.


B. La nivel microscopic, in solide:
Energie libera: F = W - TS
◼ Stare cristalina
◼ Stare amorfa
Corpuri cristaline: ordine locala, ordine la distanta

Corpuri amorfe: ordine locala, dezordine la distanta
Corpuri partial cristaline: regiuni amorfe (B) si
regiuni cristaline (A)


Tipuri de cristale:
◼ ionice (NaCl)
◼ covalente (Ge, Si)
◼ metalice (Cu, Au, Ag)
◼ moleculare (cu legaturi Van der Waals, ex. parafina)
◼ cu legaturi de hidrogen


1.2. Retele cristaline

Retea cristalina:
succesiune regulata de puncte din spatiu, numite noduri.
Structura cristalina:
asociere nod - particula.


Sisteme cristaline:


Sisteme cristaline:


◼ 7 Sisteme cristaline ► 14 tipuri de retele (Bravais)
◼ cele mai importante tipuri de retele: CVC, CFC, HC
Cr, Mo, Ta, V, W, Cu, Au, Ag, Al, Ni, Pt, Co, Zn, Mg, Ti
Feα (<770 °C), Feγ (912-1394 °C)
Feβ (770-912 °C),
Feδ (1394-1535 °C)

Indicii Miller
◼ (h,k,l) reprezinta un punct (atentie la virgule!)
❑[hkl] reprezinta o directie

❑<hkl> reprezinta o familie de directii
❑(hkl) reprezinta un plan
❑{hkl} reprezinta o familie de plane
• Numerele/directiile negative se noteaza cu o bara deasupra
numarului


Indicii Miller pentru plane (r1r2r3)
Procedura
1. Se defineste un plan oarecare.
2. Se identifica punctele de intersectie ale planului cu
axele Ox, Oy si Oz.
3. Se impart distantele dintre aceste puncte si originea
axelor de coordonate la constanta retelei.
4. Se calculeaza inversul valorilor obtinute la pct 3.
5. Se elimina fractiile in (r1r2r3) prin inmultirea
componentelor cu numitorul comun.
 ex: (1, ¾ ,½ ) vor fi exprimate ca (432)


2. Se identifica punctele de intersectie ale Exemple
planului cu axele Ox, Oy si Oz.
3. Se impart distantele dintre aceste puncte
si originea axelor de coordonate la
constanta retelei.
4. Se calculeaza inversul valorilor obtinute
la pct 3.
5. Se elimina fractiile in (r1r2r3) prin
inmultirea componentelor cu numitorul
comun: (1, ¾ ,½ ) vor fi exprimate (432)
(a, 0, 0)

constanta retelei.
la pct 3.

constanta retelei.
la pct 3.

constanta retelei.
la pct 3.


Indicii Miller pentru directii [r1r2r3]
Un vector r care trece prin originea unei retele:
r = r1 a + r2 b + r3 c
Unde a, b, c → versori
Indicii Miller → [r1r2r3]
Directiile perpendiculare pe planele reticulare sunt

caracterizate prin aceleasi valori ale indicilor Miller ca
si planele respective


◼ Aplicatie: calculul densitatii unui cristal
Cristalul Cu Al Ag Ni Pt V
mcel Raza atomică, R [Å] 1,278 1,431 1,444 1,246 1,3861 1,316
d= ,
Vcel Masa atomică relativă, M 63,54 26,981 107,87 58,71 105,09 50,942
Reţeaua cristalină CFC CFC CFC CFC CFC CVC
M
mcel = N cel mat = N cel 
NA
4R N cel M Cu 4  63,54
a= d Cu = = = 8,93  103 kg/m 3
Vcel = a 3 2 N A aCu3 26 −10 3
6,023  10  (3,6147  10 )


Defect: orice abatere de la dispunerea

strict ordonata a particulelor in nodurile
retelei ctristaline.
◼ Cristal ideal = fara defecte; la T = 0 K
◼ Cristal real = cu defecte; la T > 0 K

◼ punctuale (zerodimensionale);
◼ liniare (unidimensionale);
◼ de suprafata (bidimensionale);
◼ de volum (tridimensionale).


◼ Defecte punctuale:
 nod vacant,
 particula interstitiala
 particula de impuritate
(interstitiala, de substitutie)
F-F’ = defect Frenkel

,(Al)
Iacov Ilici Frenkel (1894 -1952)

fizician rus
S = defect Schottky
,(Al)
Walter Schottky (1886 -1976)

fizician german


◼ Defecte liniare:
 dislocatii
◼ de tip surub (elicoidal)
◼ de tip muchie


◼ Defecte de suprafata:

◼ Defecte de volum:
 cavitati,
 incluziuni de corpuri straine,
 fisuri


Retele cristaline


2. Electroni in cristale
Conductia electrica
◼ fenomenul de deplasare ordonata a unor purtatori de sarcina
electrica intr-un material sub actiunea campului electric
◼ se datoreaza:
❖ electronilor (metale, semiconductori, izolatori);
❖ ionilor (izolatori)
Conductivitatea electrica
◼ σ [S/m], σ > 0
◼ marime fizica ce caracterizeaza capacitatea unui material de a
conduce curentul electric
◼ J = σ E = legea conductiei electrice
◼ ρ = 1/σ = rezistivitatea electrica, ρ [Ω m]

Conductivitatea electrica a materialelor
Ce sunt electronii?
Modele - clasic
- cuantice

2.1. Modelul clasic al electronului
2.2 Modele cuantice. Unde asociate electronilor
2.3. Sisteme de particule. Numere cuantice
2.4. Starile electronilor in cristale
2.5. Repartitia electronilor pe nivelurile benzilor

permise

permise
2.1 Modelul clasic al electronului
ELECTRON =
bilă minusculă, de rază r ≈ 2, 82 · 10−5 Å,
Ernest Rutherford (1871-1937) Niels Bohr (1885-1962)

fizician britanic fizician danez


permise
electron unda
Louis de Broglie ( 1892 - 1987) Erwin Schrödinger (1887- 1961)

fizician francez fizician german
sau – functie de unda = solutie a ec. Schrödinger:


permise
2.3 Sisteme de particule. Numere cuantice

Sisteme de particule
◼ nuclee + electroni = sistem de N particule.

◼ starile sistemului sunt descrise de functia de unda ,
solutie a ecuatiei Schrödinger:
= densitatea de probabilitate a prezentei primei

particule a sistemului in vecinatatea unui punct dat M1(x1, y1, z1),
a celei de a doua particule in vecinatatea punctului M2(x2, y2, z2) etc.
◼ =Π , = expresii aproximative


Numere cuantice
depind in starile stationare de 4 numere cuantice:
◼ numar cuantic principal n

 determina valorile energiei electronului
 n = 1, 2, 3, …
◼ numar cuantic secundar l
 determina valorile momentului cinetic orbital si ale momentului magnetic orbital
ale electronului
 l = 0, 1, 2, 3, …, n-1
◼ numar cuantic magnetic ml
 determina valorile proiectiei momentului cinetic orbital si ale proiectiei momentului
magnetic orbital pe o directie arbitrara (adesea directia campului magnetic
exterior)
 ml = 0, ±1, ±2, …, ±l
◼ numar cuantic de spin ms
 determina valorile proiectiei momentului cinetic de spin si ale proiectiei
momentului magnetic de spin pe o directie arbitrara (adesea directia campului
magnetic exterior)
 ms = ±½

Numere cuantice
n, l, ml - determina o stare orbitala a electronului
n, l, ml, ms - determina o stare cuantica a electronului
◼ Principiul de excluziune al lui Pauli:

Intr-un sistem format din particule avand numarul cuantic
de spin ms semiintreg (electroni, protoni,neutroni),intr-o
stare cuantica se poate gasi o singura particula
componenta a sistemului.


permise
2.4 Starile electronilor in cristale

Ipoteze simplificatoare:
◼ electroni indiscernabili, functia de unda asociata unui electron
descrie starile oricarui electron din cristal.
◼ cristale unidimensionale.
◼ ioni imobili in noduri (exista, insa, o interactiune electron-ion prin

intermediul campului electric produs de ioni).
◼ exista o interactiune intre electronii studiati si campul electric produs

de alti electroni.


Aproximatia electronilor liberi:
◼ Ipoteze:
 electronii nu interactioneaza cu ionii din nodurile retelei →
 conditie de ciclicitate (Born): (x) = (x+L)


Aproximatia electronilor cvasiliberi:
Ipoteze:
◼ electronii interactioneaza cu ionii din nodurile retelei →
reflexii Bragg cand
, pentru cristalul unidimensional


→ unde stationare:


Masa efectiva a electronului:


Aproximatia electronilor puternic legati:
Ipoteze:
◼ functii de unda de tip Heitler-London






permise
2.5 Repartitia electronilor pe nivelurile

benzilor permise
Statistica Fermi-Dirac:
Repartitia electronilor pe nivelurile benzilor permise Statistica Fermi-Dirac
E = 0, echilibru termic:
E ≠ 0, echilibru termic:


benzilor permise
Conductori, semiconductori, izolatori:
izolator semiconductor intrinsec

wi = > 3 - 5 eV wi = 10-2 – 10-1 eV
2.5 Repartitia electronilor pe nivelurile benzilor

permise
tip n tip p
semiconductor intrinsec semiconductori extrinseci
wi = 10-2 – 10-1 eV wi = 0.5 – 1.5 eV


benzilor permise
metal monovalent metal bivalent


benzilor permise
Concentratia electronilor dintr-o banda permisa:
- concentratia nivelurilor orbitale din
- densitate de stari


benzilor permise
Ipoteze: metal monovalent, T = 0 K


benzilor permise
Ipoteze: metal monovalent, T = 0 K
La temperaturi uzuale (stare cristalina):

MELTH 1 Curs1

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

MELTH 1 Curs1

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Materiale electrotehnice

I. Proprietati generale ale corpurilor

Materiale electrotehnice Prof.dr.ing. Florin Ciuprina

I Proprietati generale ale corpurilor

III Proprietati dielectrice

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

◼ Lucrǎri de control: 10p;

Cerinţele minimale pentru promovare:

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

I Proprietati generale ale corpurilor

III Proprietati dielectrice

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.1. Stari ale corpurilor

1.2 Retele cristaline

1.3. Defecte ale retelelor cristaline

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.1. Stari ale corpurilor

1.2 Retele cristaline

1.3. Defecte ale retelelor cristaline

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.1. Stari ale corpurilor

Gaze: interactiuni slabe intre particulele constitutive (molecule, atomi),

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.1. Stari ale corpurilor

Corpuri cristaline: ordine locala, ordine la distanta

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.1. Stari ale corpurilor

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.1. Stari ale corpurilor

1.2 Retele cristaline

1.3. Defecte ale retelelor cristaline

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.2. Retele cristaline

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.2. Retele cristaline

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.2. Retele cristaline

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.2. Retele cristaline

◼ cele mai importante tipuri de retele: CVC, CFC, HC

1.2. Retele cristaline

❑[hkl] reprezinta o directie

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.2. Retele cristaline

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.2. Retele cristaline

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.2. Retele cristaline

Indicii Miller → [r1r2r3]

Directiile perpendiculare pe planele reticulare sunt

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.2. Retele cristaline

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.1. Stari ale corpurilor

1.2 Retele cristaline

1.3. Defecte ale retelelor cristaline

Materiale electrotehnice, Facultatea de Inginerie Electrica, anul IIB

1.3. Defecte ale retelelor cristaline

Defect: orice abatere de la dispunerea