Cursuri ME

Materiale pentru
electronică Curs 1
12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021)

Titulari curs și laborator
 Curs:
Ș.l. dr. ing. Valentin FEIEȘ
Departamentul: Tehnologie Electronică și
Fiabilitate
Sala: A210, A401
E-mail: valentin.feies@upb.ro
 Laborator (pe semigrupe):
Ș.l. dr. ing. Valentin FEIEȘ
Conf. dr. ing. Doina MORARU
12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 1

Ponderile diferitelor activități
și modul de evaluare
Activitate Puncte
 Evaluarea activității la laborator 30
 condiție de promovare: min. 50% din punctajul maxim
 Examen parțial 35
 în săpt. 7-10; din prima jumătate a materiei
 test combinat (întrebări tip grilă + tip eseu) pe Moodle
 Examen final 35
 în sesiune, din restul materiei
 test combinat (întrebări tip grilă + tip eseu) pe Moodle
TOTAL 100

Detalii laborator (1)
 6 lucrări de laborator, cu următoarele tematici:
 L1 - Materiale dielectrice
 L2 - Materiale feroelectrice
 L3 - Proprietățile conductoare ale materialelor
 L4 - Materiale pentru optoelectronică
 L5 - Proprietăţi ale materialelor feromagnetice şi ferimagnetice
la semnal mare
 L6 - Caracterizarea materialelor feromagnetice și ferimagnetice
la semnal mic
 Îndrumar de laborator:
 Paul Șchiopu, Adrian Manea, Materiale pentru electronică.
Îndrumar, Editura Matrix ROM, București, 2011
 Platformele de laborator vor fi publicate pe Moodle

Detalii laborator (2)
 Lucrările se efectuează prin rotație, pe semigrupe
 Mod de desfășurare mixt (online + prezență fizică)
 în primele 4 săptămâni  activitate online, prin Teams
 desfășurarea cu prezență fizică  sălile A404 și A406,
cu respectarea actualelor prevederi în rigoare privind
distanțarea socială și dezinfecția sălilor de laborator
 Referate după fiecare lucrare (predate prin Moodle)
 Colocviu final în săpt. 13-14 (cf. orarului)
 test tip grilă (pe Moodle) cu întrebări din lucrările de lab.
 fără condiție de punctaj minim la testul grilă

Ponderi activități laborator
Activitate Pondere
Referate (media pentru cele 6 lucrări) 33,33%
Testul grilă de evaluare finală 66.67%
TOTAL 100%

Structura cursului (1)
 Cap. 1 – Noțiuni de structura materialelor (~6 ore)

Structura atomică a materialelor. Stări structurale ale materiei.
Structura materialelor solide. Tipuri de legături în monocristale.
Fononi. Electroni în corpul solid. Distribuţia energiilor
electronilor.
 Cap. 2 – Materiale solide cristaline (~8 ore)

Introducere în cristalografie. Simetria poliedrelor cristaline.
Categorii, sisteme și clase cristalografice. Direcții și plane
cristalografice. Proprietățile de grup ale operațiilor de simetrie.
Imperfecțiuni în aranjamentul atomic. Rețeaua inversă.
Influența simetriei cristaline asupra proprietăților de material.

 Cap. 3 – Proprietățile conductoare ale materia-

lelor (~8 ore)
Conductivitatea și legea lui Ohm. Conductivitatea în metale,
dielectrici și semiconductori. Teoriile clasică și cuantică ale
conductivității. Rezistivitatea electrică a metalelor. Mobilitatea
electronilor și densitatea purtătorilor în metale și nemetale.
 Cap. 4 – Materiale dielectrice (~6 ore)

Proprietăți dielectrice. Teoria polarizării în dielectrici și tipuri de
polarizare. Constanta dielectrică și dependența sa de frecvență
și de temperatură. Tipuri de materiale dielectrice. Conducția în
materialele dielectrice. Străpungerea dielectricilor. Feroelectrici-
tatea. Electreți. Piezoelectricitatea. Piroelectricitatea.

 Cap. 5 – Materiale magnetice (~8 ore)

Introducere. Concepte de bază. Diamagnetismul. Paramagne-
tismul. Feromagnetismul. Antiferomagnetismul și ferimagnetis-
mul. Influența temperaturii asupra comportamentului magnetic
al materialelor. Domenii magnetice și histerezis. Materiale mag-
netice moi și dure. Pierderi energetice în materialele magnetice.
 Cap. 6 – Materiale semiconductoare (~6 ore)

Semiconductoare intrinseci și extrinseci. Variația cu tempera-
tura a conductivității și a concentrației purtătorilor în materialele
semiconductoare. Masele efective în semiconductori. Tehnici
de fabricare a dispozitivelor semiconductoare.

Bibliografie
 Drăgulinescu M., Manea A., Materiale pentru
electronică, vol. I+II, Editura Matrix Rom, București,
2006
 Drăgulinescu A., Materials for Electronics and
Optoelectronics, Editura Matrix Rom, București, 2015
 Hummel, R.E., Electronic Properties of Materials,
4th edition, Springer, New York, 2011
 Callister, W.D. Jr., Material Science and Engineering:
An Introduction, John Wiley & Sons, New York, 2007
 Mitchell, B.S., An Introduction to Materials
Engineering and Science for Chemical and Materials
Engineers, John Wiley & Sons, New York, 2004
Materiale pentru
electronică
Capitolul 1 – Noțiuni de
structura materialelor
(partea I-a)

Structura atomică a
materialelor (1)
 Materia este constituită din atomi, molecule sau
macromolecule
 Atomul = nucleu + electroni (nor electronic)
Obs.: dimens. nucleului / dimens. norului electronic  10-4
 Nucleul = neutroni (fără sarcină electrică) + protoni
(încărcaţi cu sarcină pozitivă, egală în valoare abso-
lută cu cea a electronului: q = 1.60217662 × 10-19 C)
 Atomii pot fi:
 neutri (dacă nr. electroni = nr. protoni)
 cu sarcină electrică (dacă nr. electroni  nr. protoni),
caz în care se numesc ioni (pozitivi sau negativi)

Structura atomică a
materialelor (2)
 Numărul atomic (Z) = nr. de protoni ai unui atom
 Masa atomică = greutatea unui atom
 U.M.: [Da] (Dalton) sau [u] (unitate de masă atomică
unificată)
 Definiție: 1 Dalton = 1/12 din masa izotopului de 12C
 1 Da = 1 u = 1.66053906660(50)10−27 kg
m p  1,67  10 24 g
 99,97% concentrată în nucleu:   28
 1833
me  9,11  10 g
 Masa molară = greutatea unui mol de substanță,
adică exact NA atomi sau particule
 NA = 6.022140761023 (numărul lui Avogadro)

Nivelurile energetice ale
electronilor (1)
 Cf. mecanicii cuantice, electronii au energii discrete
în interiorul atomului, definite de 4 numere cuantice:
 n = 1, 2, 3,...  numărul cuantic principal căruia i se
asociază literele K, L, M,... corespunzătoare straturilor
(păturilor) electronice
  = 0, 1, 2, 3,…, n - 1  numărul cuantic azimutal ce
caracterizează momentul cinetic al electronului și căruia
i se asociază literele s, p, d, f,... corespunzătoare
sub-straturilor electronice
 m = 0, 1, 2,...   numărul cuantic magnetic asociat
momentului magnetic al electronului și care indică numărul
de orbitale atomice din sub-stratul electronic 
 ms = 1/2  numărul cuantic magnetic de spin

Nivelurile energetice ale
electronilor (2)
 Cf. principiului de excluziune al lui Pauli  nu pot
exista 2 electroni cu aceleaşi numere cuantice
 Un orbital atomic poate fi ocupat de cel mult
2 electroni, având spin diferit (ms = 1/2)
 Sub-straturile electronice s, p, d și f au, respectiv,
1, 3, 5 și 7 orbitale atomice, deci pot fi ocupate de
maximum 2, 6, 10, respectiv 14 electroni
 Notația prescurtată pentru un sub-strat electronic:
stratul electronic 2p4 nr. electroni din
de care aparține sub-stratul sub-stratul electronic
sub-stratul electronic
 Un strat electronic conține maximum 2n2 electroni
Regula de umplere a straturilor
electronice (principiul Aufbau)
D
ir
ec
ția
de
c re
șt
er
ea
va
lo
ri
in
+
 15
Exemple (1)
 Germaniu (Z = 32): 1s22s22p63s23p63d104s24p2
ceea ce este echivalent cu:
K L M N
Nr. atomic (n=1) (n=2) (n=3) (n=4)
1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s 4p
32 2 2 6 2 6 10 2 2
 Siliciu (Z = 14): 1s22s22p63s23p2

echivalent cu: K L M
Nr. atomic (n=1) (n=2) (n=3)
1s 2s 2p 3s 3p
14 2 2 6 2 2

Exemple (2)
 Fier (Z = 26): 1s22s22p63s23p63d64s2
ceea ce este echivalent cu:
K L M N
Nr. atomic (n=1) (n=2) (n=3) (n=4)
1s 2s 2p 3s 3p 3d 4s
26 2 2 6 2 6 6 2
 Observație: Sub-stratul 3d necompletat stă la baza

comportamentului feromagnetic al acestui material

Valența atomică (1)
 Indicator al abilității atomului de a intra în combinaţie
chimică cu alți atomi
 Este determinată în special de numărul de electroni
ce se găsesc în stratul electronic exterior, numit din
acest motiv strat electronic de valență
 Depinde de natura reacţiei chimice și de condiţiile
de desfăşurare a acesteia
 Atomii prezintă două tendinţe ce determină
reactivitatea materialului:
 de a-şi ocupa complet stratul de valență
 de a-şi goli complet stratul de valență
Valența atomică (2)
 Exemple
 12Mg: 1s22s22p63s2 valenţa este 2
 13Al: 1s22s22p63s23p1 valenţa este 3
 32Ge: 1s22s22p63s23p63d104s24p2 valenţa este 4
 17Cl: 1s22s22p63s23p5 valenţa este 1 (= 6 - 5)
 8O: 1s22s22p4 valenţa este 2 (= 6 - 4)
 15P: 1s22s22p63s23p3 ( + O2 ) valenţa este 5
 15P: 1s22s22p63s23p3 ( + H2 ) valenţa este 3 (= 6 - 3)
 18Ar: 1s22s22p63s23p6 valenţa este 0 (= 6 - 6)
Observație: valență zero  element inert (nereactiv)

Electronegativitate și
electropozitivitate
 Descriu tendinţa unor atomi de a câştiga, respectiv
a ceda electroni
 În general, elementele cu stratul electronic de
valenţă aproape plin sau aproape gol sunt puternic
electronegative, respectiv electropozitive
 Exemple
 Clor (halogen): 1s22s22p63s23p5
 Sodiu (metal alcalin): 1s22s22p63s1

Tabelul periodic al elementelor
Grupe
IUPAC 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Mendeleev I II III IV V VI VII VIII I II III IV V VI VII
CAS IA IIA IIIB IVB VB VIB VIIB VIIIB IB IIB IIIA IVA VA VIA VIIA VIIIA
Hidrogen si
K metale alcaline
M
Perioade
N
3
P
110 111 112 113 114 115 116 110 118
Q Ds Rg Cn Nh Fl Mc Lv Ts Og

Metale

Semiconductoare (elementare și compuși)

Compuși ceramici (metale + nemetale)

Stări structurale ale materiei
 În funcție de condițiile de temperatură și presiune,
substanțele din natură se pot afla într-una din
următoarele stări de agregare:
 gazoasă
 plasmă
 lichidă
 cristal lichid
 solidă

Starea gazoasă
 La gaze, distanța dintre atomi (molecule) este
mare relativ la dimensiunile acestora
 interacțiune slabă între particule
 Umplu uniform spațiul în care se găsesc și au
densitate mică
 Agitația termică  ciocniri între atomi
(molecule) și pereții vasului în care se află
 exercitarea unei presiuni interne
 La T>>0 sau la aplicarea de câmpuri intense
 gazele se pot ioniza  plasmă
Plasma
 Plasmă = gaz ionizat total (ioni pozitivi +
electroni liberi)
 Poate fi considerată o stare distinctă de
agregare în care interacţiunile dintre particulele
constituente, încărcate electric, sunt specifice
(datorită câmpurilor electrice și magnetice
generate de acestea)
 Are proprietăţi conductive deosebite şi un
comportament diamagnetic

Starea lichidă
 La lichide, forţele intermoleculare sunt:
 suficient de mari pentru a menţine interacţia
 nu atât de mari pentru ca lichidul să-și păstreze forma
 Lichid = ansamblu compact, dar neregulat de atomi
(molecule), fără formă proprie
 Atomii (moleculele) lichidului sunt supuse la 2 tipuri
de forțe:
 de coeziune, în interiorul lichidului
 de adeziune, la interfața cu alte medii: solide, gazoase sau
chiar lichide, cu care acesta nu se amestecă (nemiscibile)
 Raportul între aceste forțe dictează aderența sau nu
a lichidului la solidele cu care vine în contact
Starea solidă
 La materialele solide, forțele de legătură dintre atomi
sunt puternice, depășind cu mult forțele de agitație
termică
 Forţele de legatură determină o anumită ordine în
aşezarea atomilor (sau moleculelor)
 Atomii au poziţii fixe, însă suferă vibrații în jurul unei
poziții de echilibru datorită agitației termice
 Materialele solide au formă proprie și sunt, în
general, rigide

Schimbarea stării de agregare
 Are loc în condiții de temperatură şi presiune spe-
cifice fiecărei substanţe, atunci când amplitudinile de
vibrație ale atomilor devin comparabile cu forțele de
legătură dintre atomi
 Se face fie cu consum, fie cu eliberare de energie:
solid  lichid  gaz  plasmă
T T T  consum de energie
plasmă  gaz  lichid  solid
T T T  eliberare de energie
Observație: Starea solidă corespunde cu valoarea
cea mai mică a energiei libere

 Când condiţiile de temperatură şi presiune
corespunzătoare schimbării în starea de agregare
solidă sunt îndeplinite, structura internă a solidului
se modifică până când energia liberă:
F = U – TS
atinge o valoare minimă ce corespunde stării de
echilibru termodinamic
 Obs.: În relația de mai sus, U este energia internă,
T temperatura, iar S entropia

 Această stare de energie minimă corespunde cu
starea cristalină (stare stabilă) în care atomii sunt
așezați în mod ordonat pe domenii întinse (ordine
îndepărtată)
 Prin contrast, starea amorfă (caracterizată prin
lipsa vreunei ordini anume a atomilor) este o stare
metastabilă

Materiale pentru
electronică Curs 2

Materiale pentru
electronică
(partea a II-a)

Faza mezomorfă (cristal lichid)
 O stare intermediară între faza lichidă şi cea
solidă este starea mezomorfă sau mezofaza,
cunoscută mai mult sub denumirea de „cristal lichid”
 Această stare – prezentată într-o anumită plajă de
temperaturi (și/sau concentrații) de către unele
substanţe lichide, în special organice, având
molecule de formă alungită – este caracterizată de
un anumit grad de ordine la distanță în aranjamentul
moleculelor
 Situația fiind specifică cristalelor, dar manifestân-
du-se într-un lichid  denumirea de „cristal lichid”
Tranziția în starea mezomorfă
Temperatură
cristal cristal lichid (mezofaze) lichid
rețea 3-D rețea 1-D nu există rețea nu există rețea

 orientare  orientare  orientare  orientare
preferențială preferențială preferențială preferențială
solid fluid fluid fluid
anizotrop anizotrop anizotrop izotrop

Tipuri de cristale lichide (1)
 După felul în care are loc tranziția în mezofază,
materialele ce prezintă starea mezomorfă se împart
în trei categorii:
 cristale lichide termotrope (cele mai utilizate) – tranziția are
loc prin modificarea temperaturii
 cristale lichide liotrope – tranziția are loc prin modificarea
temperaturii și a concentrației substanței într-un solvent
(tipic, apă)
 cristale lichide metalotrope – tranziția are loc prin modifi-
carea temperaturii, a concentrației substanței, precum și a
fracției moleculare organic-anorganic a substanței

Sursa: http://cleanenergywiki.org/index.php?title=Classification_and_Examples_of_Liquid_Crystals
 După modul de aliniere a moleculelor, cristalele
lichide (mezofaze) cu molecule de tip alungit se
împart în:
 nematice
 smectice (tip A si C)
 colesterice
Colesteric

Cristale lichide nematice
 Termenul „nematic” provine din lb.
greacă și are sensul de „structură filară”
 Singurul tip de cristal lichid fără o ordine
de translație la distanță
 Este mezofaza cu cel mai mic grad de
ordonare a moleculelor
 Moleculele constituente sunt orientate
după o anumită direcție
 preferențială
numită „directoare” ( n )

Cristale lichide smectice (1)
 Termenul „smectic” provine din lb.
greacă și are sensul de „săpun”
 Prezintă o ordine de translație la
distanță unidimensională
 Moleculele sunt aliniate preponderent
paralel, în straturi (plane) numite
„straturi smectice”, care „alunecă”
între ele
 Nu există corelație între straturi în ceea
ce privește pozițiile moleculare

Cristale lichide smectice (2)
 Smectic A: moleculele tind

 să se
  normala z la straturile
orienteze după
smectice (n || z )
 Smectic C: moleculele tind să se orien-

teze paralel cu o direcție înclinată la un
unghi  față de normala
 la straturile
smectice ( ( n , z )   )

Cristale lichide colesterice (1)
 Moleculele sunt aliniate preponderent
paralel, în straturi ce se rotesc succesiv
 Prezintă o structură elicoidală pe 
direcția perpendiculară pe straturile n
moleculare
 Se mai numesc:
 cristale lichide nematice chirale, deoarece
moleculele ce alcătuiesc materialul sunt
chirale (= nu prezintă simetrie axială)
 cristale lichide nematice răsucite, datorită
structurii stratificate elicoidale
Colesteric

Cristale lichide colesterice (2)
 Perioada spațială a structurii stratificate
elicoidale este de ordinul a câteva sute
de nanometri (corespunzătoare lungimi-

lor de undă din domeniul vizibil) n
 Se folosiesc la afișajele LCD
Colesteric

Aplicații ale cristalelor lichide
 Structura acestor materiale este puternic influenţată
de parametrii externi (temperatură, câmp electric,
presiune, etc.), fiind astfel posibilă modificarea
indusă a proprietăţilor optice ale acestora
 Aplicații ale cristalelor lichide (în special ale celor
colesterice):
 afișaje LCD (Liquid Crystal Display)  v. pag. următoare
 afișaje TFT (Thin-Film Transistor)
 modulatoare optoelectronice SLM (Spatial Light Modulator)
etc.

Principiul afișajului LCD

Structura materialelor solide (1)
 Corpul solid = un sistem de puncte materiale ce
ocupă un anumit volum şi ale cărui formă şi
dimensiuni se pot schimba sau nu sub acţiunea
unor forţe exterioare aplicate
 Corpurile solide pot fi clasificate în:
 deformabile, dacă suferă deformații la nivel macroscopic
sau microscopic
 rigide, dacă deformaţiile sunt nule sau neglijabile, chiar și
la nivel microscopic (= variația relativă a distanțelor inter-
atomice sau intermoleculare este neglijabilă)

 Tipuri de deformație a unui corp solid:
 elastică, dacă deformaţiile dispar odată cu
încetarea acţiunii forţelor exterioare
 plastică, dacă deformaţiile rămân şi după ce
acţiunea forţelor exterioare a încetat

 Există două categorii de proprietăţi fizice ale
corpurilor solide:
 macroscopice, în descrierea cărora materialul se consideră
omogen şi continuu (fără a se ţine seama de structura sa
internă)
 au un caracter izotrop (= nu depind de o anume direcție)
 sunt descrise de mărimi scalare
 microscopice, care nu pot fi descrise neținând seama de
particularităţile legate de structura internă a materialului
(= modul de dispunere preferenţială a atomilor în spaţiu)
 au caracter anizotrop (mai mult sau mai puțin pronunțat)
 sunt descrise de mărimi tensoriale (sau tensori)

Clasificarea corpurilor solide
 După gradul de ordine în aranjarea atomilor
(sau moleculelor), corpurile solide pot fi
clasificate în:
 cristaline – caracterizate de aranjarea ordonată a
particulelor după toate cele trei direcții spațiale
(periodicitate tridimensională)
 amorfe/necristaline – caracterizate de lipsa
oricărei ordini în aranjarea particulelor

Materiale solide cristaline (1)
 Starea cristalină = aranjarea ordonată în spaţiu, prin
repetarea periodică „la distanţă” a unei ordini locale
a atomilor/moleculelor din care se compune corpul
 Noţiunea de moleculă poate dispărea, solidul
putând fi considerat drept un ansamblu rigid de
atomi de acelaşi fel (ex., Si, Ge) sau diferiţi (ex., NaCl)
 Prezintă, în general, proprietăți anizotrope
(= depind de direcția considerată) care depind și de
simetria cristalină

 Corpurile cu structură cristalină pot fi:
 monocristaline, dacă acestea au luat naştere prin
aranjarea perfect ordonată a tuturor atomilor în întreg
volumul materialului
 policristaline, dacă aranjamentul atomilor nu se repetă
periodic în întreg volumul materialului, ci doar pe
domenii
 Structură policristalină = regiuni relativ mici de
material cu structură monocristalină, numite
cristalite, având orientări diferite, separate prin
interfeţe de obicei necristaline (v. fig. următoare)
Monocristal vs. policristal
Ilustrarea comparativă a structurilor
monocristalină (stânga) și policristalină (dreapta)

 În general, structura policristalină conferă
materialului un comportament izotrop d.p.d.v.
al proprietăților fizice
 Proprietăţile policristalelor (dar și ale monocrista-
lelor) sunt influenţate de:
 defecte structurale (vacanțe atomice, dislocații
liniare și/sau planare)
 impurităţi (în special cele plasate la interfețele
dintre zonele monocristaline)

Exemple de defecte și impurități
în structura cristalină
impuritate interstițială,
respectiv substituțională
vacanță
atomică
Sursa:
https://saylordotorg.github.io/text_general-chemistry-principles-
patterns-and-applications-v1.0/s16-04-defects-in-crystals.html
defect liniar (dislocație)

Materiale solide amorfe (1)
 Starea necristalină sau amorfă = formă izotropă de
existenţă a materiei condensate, caracterizată prin
absenţa oricărei ordini la distanţă (long-range order)
 Au structură microscopică asemănătoare lichidelor
 Prezintă densitate mai mică decât starea monocris-
talină (la aceeaşi temperatură şi presiune), datorită
aranjamentului mai puțin compact al atomilor
structură monocristalină structură amorfă

 Prezintă proprietăți fizice cu caracter izotrop
 Spre deosebire de materialele cristaline, nu au
o temperatură de topire determinată strict
 Motivație:
1. Lipsa ordinii atomice la distanţă implică legături
interatomice atât mai tari, cât și mai slabe
2. Odată cu creşterea temperaturii, primele legături care se
vor desface vor fi cele slabe, fiind urmate apoi de cele tari
3. Ca atare, trecerea în starea lichidă se face lent, într-un
interval de temperaturi, trecând printr-o fază intermediară
numită fază vitroasă sau sticloasă

 Materialele amorfe şi cele „parţial amorfe”
(= structură policristalină înglobată într-o masă
amorfă) au fost studiate intens în ultimele decenii
 Avantaje:
- tehnologii de fabricație relativ simple și cost redus de
producție
 Dezavantaj:
- proprietăţile de material pot diferi în mod semnificativ
de la un eşantion la altul, chiar dacă acestea sunt
obținute prin procedee asemănătoare

Tipuri de legături în monocristale.
Energia de coeziune (1)
 Energia de coeziune (sau de legătură) UC = energia
câștigată prin aranjarea atomilor/moleculelor în
formă cristalină comparativ cu starea gazoasă
 Definiție echivalentă:
U C   U F ri    U B ri  , i  1, 2, 3,  N
i i
unde N este numărul total de particule constituente
ale corpului solid considerat, iar UF(ri) și UB(ri) sunt
energiile particulei i considerată a fi liberă, respectiv
legată (= în interacțiune cu celelalte particule ce
constituie corpul)
Tipuri de legături în monocristale.
Energia de coeziune (2)
 Energia de coeziune UC este o mărime macrosco-
pică care caracterizează stabilitatea stării de
agregare a corpului
 Starea monocristalină se datorează forțelor de
legătură dintre particulele unui solid
 Dintre toate stările de agregare, cristalul corespunde
cu valoarea max. a energiei UC sau, echivalent,
folosindu-ne de relația precedentă cu valoarea min.
a sumei:
 U B ri , i  1, 2,  N
i

Forțele de interacțiune între
atomi (1)
 Forțele ce acționează între particulele constituente
(atomi, molecule sau grupuri de molecule) ale unui
corp pot fi:
 de atracție
 de respingere
 Echilibrul dintre aceste 2 tipuri de forțe (atracție și
respingere) determină stabilitatea diferitelor stări de
agregare
 Din condiția de echilibru a acestor forțe se
determină de energia de coeziune UC

atomi (2)
 Natura forțelor de interacțiune dintre atomi:
 electrostatice
 nucleare
 de natură cuantică
 magnetice  influență foarte mică; pot fi neglijate
 gravitaționale  neglijabile

atomi (3)
Forțe de respingere (învelișuri
electronice periferice complete)
Forțe de atracție (cuantice)
Forțe de respingere (nuclee)
Forțe de respingere (învelișuri
electronice interioare)
Completare înveliș electronic
 Nivel energetic electronic ocupat
 Nivel energetic electronic liber
r Distanța dintre atomi

Energia potențială pentru un
sistem de doi atomi
A B
U r   U r r   U a r   n  m
Ur(r) r r
A, B – constante dependente de natura chimică a substanței
U(r) m,n – numere naturale (n > m)
TEMĂ:
f. de respingere
r0 De demonstrat
0
r relațiile de mai jos
 UC f. de atracție
  Rezultatul final:
Fa ,r   U a ,r r 

Fr r  Fa r  1
Ua(r)    nA nm

r0   
Fa r   Fr r   0  mB 
(condiția de echilibru) n
mn  mB  n m
U r0   U C  A  0
m  nA 
Materiale pentru
electronică Curs 3

Materiale pentru
electronică
(partea a III-a)

sistem de doi atomi (1)
A B
U r   U r r   U a r   n  m
Ur(r) r r
A, B – constante dependente de natura chimică a substanței
U(r) m,n – numere naturale (n > m)
Rezultatul final:
f. de respingere
r0 1
0  nA  nm
r r0   
 UC f. de atracție  mB 
 
Fa ,r   U a ,r r 

Fr r  Fa r  U r0   U C 
Ua(r)   n
Fa r   Fr r   0 mn  mB  n m
 A  0
(condiția de echilibru) m  nA 

sistem de doi atomi (2)
 În cazul a doi atomi,
 condiția de echilibru între
forțele Fa r  și Fr r  corespunde cu poziționarea
acestora la acea distanță relativă care le conferă
cea mai mică energie potențială
 Energia de coeziune UC (corespunzătoare minimului
energiei potențiale) poate fi mai mare sau mai mică,
în funcție de
 natura atomilor care interacționează
 tipul de interacțiune dintre aceștia
 În exemplu precedent, aceste aspecte sunt
modelate prin constantele A, B, m și n
sistem multiatomic
 Problema reală este mult mai complexă:
 într-un corp sunt f. mulți atomi ( 1023-1024 atomi/cm3)
 în jurul unui atom există 3 sfere de coordinație (v. pag.
următoare) care exercită influență asupra sa

 energia potențială U(r ) are mai multe minime relative,
orientate pe mai multe direcții r
 Stabilitatea maximă a unui atom corespunde în
acest caz cu poziționarea acestuia în minimul
absolut al energiei potențiale

Sfere de coordinație
 Prima sferă de coordinație = ansamblul de particule (atomi/
molecule/ioni) legate direct de o particulă (considerată
drept centru)
 A doua sferă de coordinație =
ansamblul de particule legate
de particulele ce fac parte din
prima sferă de coordinație
.... ș.a.m.d
 Exemplu (2-D, în fig. alăturată):
 cu roșu – atomul central
 cu albastru – prima sf. de coord.
 cu verde – a doua sferă de coord.
 cu galben – a treia sferă de coord.
Clasificarea legăturilor în
monocristale
 Există două tipuri de legături în monocristale:
 legături tari (sau primare):
 ionice  cristale ionice (heteropolare)
 covalente  cristale covalente (homopolare)
 metalice  cristale metalice
 legături slabe (sau secundare):
 moleculare  cristale moleculare
 de hidrogen
 van der Waals

Legătura ionică (1)
 Se formează prin transferul electronilor de valenţă
(pătura electronică exterioară) de la un tip de atomi
la altul
 Regula generală:
 atomii cu < 4 electroni de valenţă îi pot pierde devenind
ioni pozitivi
 atomii cu 4 - 8 electroni de valenţă pot câştiga alți electroni
devenind ioni negativi
 Presupune diferențe mari între electronegativitatea
atomilor ce interacționează (ex.: NaCl, CaF2, MgO)
 Coeziunea este de natură coulombiană (interacțiune
între ionii formați prin transferul de electroni)
Na (metal) Cl (nemetal)
instabil instabil
Na+ (cation) Cl– (anion)

stabil stabil
Sursa: http://web.eng.fiu.edu/wangc/EGN3365-2b
Sursa:
https://en.wikipedia.org/wiki/File:NaF.gif

 Energiile potențiale ale forțelor de atracție
(coulombiană) și de respingere în cazul legăturii
ionice între doi atomi:
U a r  
 z1q  z2 q 

z1 z2 q 2
 B
z1 z2 q 2
, m 1
4 0 r 4 0 r 4 0
unde z1q și –z2q sunt sarcinile celor doi ioni
A
U r r   n
r
A și n depind de natura atomilor; în multe cazuri, n = 8

 Legătura ionică este puternică (UC are valori mari)
 Reţeaua ionică se realizează prin alternarea ionilor
de semne contrare
 Exemplu: NaCl
 Distanţa dintre ionii materialului (pentru care se

obţine energie minimă) poate fi inferioară sumei
dintre razele ionice  întrepătrundere ionică
 Este tipul de legătură predominant la mat. ceramice

Cristale ionice: caracteristici
 Sunt dure, stabile, se topesc la temperaturi ridicate
 Conductivitate electrică redusă la temperaturi joase,
dar crește cu temperatura
 Conductivitate termică redusă
 Sunt în general transparente (= absorbție redusă)
în domeniul vizibil
 Defectele de structură cristalină şi impurităţile pot
influența culoarea cristalului (= spectrul de absorbție
în domeniul vizibil)
 Exemplu notoriu: cristalul de rubin Al2O3:Cr este incolor în
absenţa ionilor de crom Cr3+
Exemple de cristale ionice
cedează electroni câștigă electroni


Legătura covalentă (1)
 Este un tip de legătură puternică (UC are valori mari)
 Notă: Ușor mai slabă decât legătura ionică
 Se formează între atomii ce îşi pun în comun câte
un electron de valență
 Atomii pot fi identici sau de natură diferită
 Presupune ca atomii ce interacționează să posede
electronegativitate identică sau apropiată
 Orbitalele moleculare (rezultate din combinarea
orbitalelor electronice individuale ale atomilor) sunt
caracterizate de energie mai mică
 Electronii puși la comun sunt distribuiţi sub formă de
perechi cu spin antiparalel în regiunea dintre doi
atomi vecini
 Rezultă o concentraţie importantă de electroni în
jurul atomilor adiacenţi cu legătură covalentă
 Legătura covalentă este caracteristică, printre altele,
materialelor semiconductoare (C, Ge, Si, GaAs,
InAs, InP etc.)

 Exemplu: structura siliciului
electroni puși în comun prin

legături covalente

Cristale covalente:
caracteristici (1)
 Au duritate mare, temperaturi de topire ridicate și
maleabilitate redusă
 Prezintă stabilitate ridicată (datorită configuraţiei
electronice complete, de tip “gaz inert”)
 Conductivitate electrică redusă la temperaturi joase,
dar care crește cu temperatura
 Notă: Impuritățile influențează decisiv proprietățile
conductive
 Conductivitate termică redusă

Cristale covalente:
caracteristici (2)
 Punerea în comun a electronilor modifică nivelurile
energetice de excitaţie electronică, determinând
absorbţia radiaţiei în domeniul vizibil
 Majoritatea cristalelor semiconductoare sunt, din
acest motiv, opace în domeniul vizibil și au un
aspect mat, metalic

Exemple de compuși covalenți
SiO2

Legături ionice vs. covalente
 Majoritatea legăturilor între două tipuri de atomi este
cumva intermediară între ionică și covalentă
 Foarte puțini compuși prezintă legături ionice sau
covalente pure
 Gradul de caracter ionic al legăturii:

 ionic %   1  exp  0.25 A   B 2  100


unde i reprezintă electronegativitatea atomului i
 Diferențierea între cristalele ionice și cele covalente
se face prin măsurarea permitivității dielectrice
(valori mari la frecvențe joase la cristalele ionice
datorită polarizării ionice)
Exercițiu
 Să se ordoneze următoarele materiale semiconduc-
toare în ordinea descrescătoare a parametrului ionic
definit pe pagina precedentă.
1) ZnS, GaP, CuCl
2) ZnSe, ZnS, ZnO

Exercițiu: tabelul periodic
Hidrogen si
metale alcaline
110 111 112 113 114 115 116 110 118

Ds Rg Cn Nh Fl Mc Lv Ts Og

Soluție
 Să se ordoneze următoarele materiale semiconduc-
toare în ordinea descrescătoare a parametrului ionic
definit pe pagina precedentă.
1) ZnS, GaP, CuCl

2 3 1 (ionic,CuCl > ionic,ZnS > ionic,GaP )
Pe randurile tabelului periodic, electronegativitatea
crește dinspre stânga spre dreapta
2) ZnSe, ZnS, ZnO

3 2 1 (ionic,ZnO > ionic,ZnS > ionic,ZnSe )
Pe coloanele tabelului periodic, electronegativitatea
crește de jos în sus

Legătura metalică
 Se întâlnește exclusiv în cazul metalelor și aliajelor
acestora
 Apare frecvent ca rezultat al combinației dintre o
rază atomică mare și o energie de ionizare mică
 Electronii de valenţă, având mare libertate de
mişcare, pot părăsi ușor atomii
 Electronii nu mai sunt localizați în jurul unor anumiți
atomi, ci aparţin întregului cristal (ce poate fi
considerat ca fiind format din ioni pozitivi)
 S-ar putea spune că electronii „liberi” au rolul unui liant de
coeziune

Modelul cristalului metalic
ioni pozitivi ficși
„nor” electronic
sau „mare”
de electroni
 Concentraţia electronilor liberi atinge valori impor-

tante în metale (de ex., pentru Cu  8,45.1028 e-/m3)
Cristale metalice: caracteristici
 Sunt ductile, maleabile şi prezintă o mare plasticitate
 Au conductivitate electrică şi termică importante
(datorită delocalizării electronilor față de atomi)
 Deoarece electronii liberi dintr-un metal pot absorbi
energii importante, metalele sunt, în general, opace
 La metalele de tranzitie (Fe, Ni, Co etc.), care au
păturile electronice interioare incomplete, apar
completări covalente, iar legătura metalică slăbeşte
 Acest tip de legătură conduce la reţele cristaline cu
un grad înalt de compactitate  densitate mare
Legăturile secundare
 Legăturile secundare (moleculare, van der Waals
sau de hidrogen) sunt slabe în comparație cu
legăturile primare
 Există, practic, între orice atomi sau molecule, dar
pot fi mascate de prezența uneia din legăturile
primare (ionică, covalentă sau metalică)
 Apar datorită prezenței unor dipoli atomici sau
moleculari
 Dipol electric = separare între centrele de sarcină
pozitivă și negativă ale unui atom sau molecule
Legătura moleculară
 Cristalele moleculare sunt formate din:
 atomi neutri (cum sunt atomii gazelor rare) sau
 molecule saturate,
legate prin interacţii de schimb (dipolare) slabe
 Cristalele moleculare au temperatură de topire joasă
şi densitate scăzută
 Se evaporă uşor şi se comprimă puternic, fiind uşor
deformabile
 O variantă sunt „cristalele în straturi”, cu legătură
covalentă între straturi

Legătura de hidrogen
 În anumite molecule, hidrogenul formează dipoli
electrici permanenţi cu atomii cu care se combină.
 Exemplu: molecula de apă (H2O)
 Cei 2 e- ai atomilor de H caută să
completeze cei 2 e- lipsă din învelişul
exterior al atomului de O
 Astfel, atomii de H se pozitivează,
iar atomul de O se negativează
 dipoli electrici permanenţi
 Între moleculele cu dipoli permanenţi
se exercită forţe de atracţie
 legătura de hidrogen

Legătura van der Waals
 În toate materialele există şi interacţia universală
van der Waals, foarte slabă (cu aprox. 2 ordine de
mărime sub cea de hidrogen)
 Forţele van der Waals sunt forţe de valenţă
secundare, de tip dipolic
 Există 3 tipuri:
 de dipol (între molecule polare care au dipoli permanenți)
 de inducție (între molecule polare și dipoli induși)
 de disperse (între dipoli fluctuanți)

Legături van der Waals
de dipol
 Apar între molecule ce posedă dipol electric
permanent sau conțin atomi de hidrogen:

de inducție
 Moleculele polare cu aranjament asimetric al
sarcinilor negative și pozitive pot induce dipoli
electrici în molecule adiacente nepolare:

de dispersie
 Se datorează mişcării electronice din atomii
moleculelor legate care conduc la variaţii alternative
sau fluctuații ale câmpului molecular:

Rezumatul tipurilor de legături
Energia de coeziune
Tipul legăturii Comentarii
(de legătură)
Ionică Mare Materiale ceramice
Variabilă
Semiconductoare, materiale
Covalentă (mare: diamant,
ceramice, lanțuri polimerice
mică: bismut)
Variabilă
Metalică (mare: wolfram, Metale
mică: mercur)
Legături intermoleculare,
Secundare Cea mai mică legături între lanțuri
polimerice

Materiale pentru
electronică Curs 4

Materiale pentru
electronică
(partea a IV-a)

Descrierea mișcării atomilor și
electronilor în cristale (1)
 Atomii dintr-un cristal pot doar vibra în jurul pozițiilor
de echilibru (= nodurile rețelei cristaline)
 Electronii pot fi:
 legați de atomi (localizați la nivelul atomilor, pe păturile
electronice interioare sau de valență)
 nu participă la conducția electrică, chiar în prezența
unor câmpuri electrice externe
 liberi (nelegați de atomi), care se pot deplasa în cristal
sub efectul unor câmpuri electrice externe
 concentrația acestora determină proprietățile de
conducție ale materialului

Descrierea mișcării atomilor și
electronilor în cristale (2)
 Modelele energetice folosite pentru descrierea
mișcării atomilor și electronilor în corpuri solide
(cristale) se bazează pe următoarele noțiuni:
 Fonon = excitație colectivă într-un ansamblu elastic de
atomi sau molecule într-un solid; cuantizează energia de
vibrație a atomilor din nodurile rețelei cristaline
 Cuasiparticulă = entitate corpusculară cu ajutorul căreia
mișcarea complicată a electronilor (sau golurilor de
electroni) în interiorul cristalului poate fi simplificată la
mișcarea unei particule în vid

Fononi (1)
 Mișcarea atomilor din nodurile unei reţele cristaline
poate fi descrisă folosind un model simplu:
 atomii  puncte de masă M
 legăturile (chimice) dintre atomi  resorturi elastice
(model unidimensional,
a a a la echilibru)
Adaptare după: Yariv, A., Quantum Electronics, 3rd ed., Wiley & Sons, 1989

Fononi (2)
 La echilibru (T = 0 K),
atomii sunt echidistanţi;
sub efectul agitației
termice, atomii oscilează
elastic, deviind de la Poziții de echilibru Poziții instantanee (excitate)
pozițiile de echilibru
 Deviațiile pot fi:
 longitudinale
 transversale
(atât || , cât și  pe planul
desenului)
Sursa: Manasreh O., Introduction to Nanomaterials
and Devices, Wiley, 2011

Fononi (3)
 Vibraţiile, pornite de la atomi individuali, se propagă
în întreg cristalul sub formă de unde elastice
(acustice) care pot fi longitudinale sau transversale
 Sunt luate în considerare vibrațiile (sub formă de
deviații armonice) unui întreg grup de atomi
(= vibrații colective)
 Sunt posibile mai multe moduri de vibrație, cu
amplitudini cuantizate
 Fononii (= unitățile cuantice de vibrație) corespund
acestor moduri de vibrație ale atomilor

Fononi (4)
 Excitarea termică a unui singur fonon corespunde
cu o deplasare relativă de tip sinusoidală a atomilor:
Dist. interatomică ( a + un – un-1= f(n) )
 a
n
Sursa: Manasreh O., Introduction to Nanomaterials

and Devices, Wiley, 2011
 Excitarea mai multor fononi conduce (prin compu-

nerea undelor) la orice configuraţie posibilă a
pozițiilor relative ale atomilor
Fononi. Descriere matematică
Rețea monoatomică liniară (1)
Obs. Se consideră
doar interacțiunile
cu atomii vecini
x
 Ec. de mișcare: Poziții de echilibru Poziții instantanee (excitate)
 2u n
Fn  m 2
  u n1  u n    u n  u n1    u n1  u n1  2u n  (i)
t
unde m este masa atomilor,  constanta elastică, un deviația pe axa x
 Soluția aleasă: u n  A exp j t  kxn   A exp j t  kna  (ii)
unde k = 2 este constanta de propagare,  frecv. unghiulară,
a constanta rețelei cristaline
Relația de dispersie:  ka  

  m sin   , m  2
(obținută prin înlocuirea (ii) în (i))  2  m
Rețea monoatomică liniară (2)
Prima
fonon k > 2a zonă
Brillouin Adaptare după: Yariv, A.,
Quantum Electronics, 3rd ed.,
Wiley & Sons, 1989
Pentru k foarte mic (ka  1):   m  ka 2


de unde rezultă viteza de fază a undei: v s  m a
2
d  m  ka 
Viteza de grup: v g   a  cos  ; vg = 0 pentru ka = 
dk 2  2 
Valori tipice: vs  3103 m/s; a  310-10 m; m  3 THz

Rețea biatomică liniară (1)
m m m
2n-2 2n-1 2n 2n+1 2n+2

Ecuația de mișcare:
 2u 2 n
F2n  m 2
  u2n1  u2 n    u2n  u2 n1    u2 n1  u2 n1  2u2 n 
t
 2u2 n1
F2n1  M 2
  u2 n 2  u2 n1    u2 n1  u2 n    u2 n 2  u2 n  2u2 n1 
t
 4 sin ka 
2 2
 1 1   1 1
Relația de dispersie:            
2
m M  m M  Mm
Pentru k foarte mic ( ka  1): Pentru ka = /2:
1 1  2 2 2
1  2    , 2   ka 1  , 2 
m M  M m m M

Panta = viteza luminii în
Adaptare după: Yariv, A.,
cristal
Quantum Electronics, 3rd ed.,
Wiley & Sons, 1989
2 1 m  1 M 
Ramura optică
2 m
Zonă de frecvențe
Excitația unui interzise Ramura acustică
fonon optic cu 2 M
ajutorul unei unde
electromagnetice Cuantizarea energiei unui
anume mod (cf. mecanicii
cuantice):
 1
E n   n    
 2
Diferite moduri de vibrație unde n este numărul cuantic
vibrațional

 Mișcarea relativă a atomilor adiacenți are loc:
 (pt. ramura acustică): aproape în fază (dacă ka  1 )
 (pt. ramura optică): aproape în antifază (dacă ka  1 ),

cu amplitudini invers proporționale cu masele atomice
Sursa animației: http://www.chembio.uoguelph.ca/educmat/chm729/Phonons/optmovie.htm

Fononi.
Rețea tridimensională (1)
 În cazul rețelei cristaline 3-D există 3N grade de
libertate (N fiind numărul de atomi)
 Pentru cristalele care au 2 atomi în celula
elementară există, în general:
 3 ramuri acustice (1 longitudinală + 2 transversale)
 3 ramuri optice (1 longitudinală + 2 transversale)
 Dacă constantele elastice sunt aceleași pentru cele

două moduri transversale, relația de dispersie
devine degenerată (aceeași pentru ambele moduri)

Fononi.
Ramuri optice
LO (Longitudinal Optic)
TO1 (Transversal Optic)
TO2
LA (Longitudinal Acustic)
Ramuri acustice
TA1 (Transversal Acustic)
TA2

Fononi.
Energia (în meV) corespunzătoare mai multor moduri de vibrație
fononice pentru câteva materiale semiconductoare
și pentru trei puncte de simetrie diferite (, X, L)
Sursa: Manasreh O., Introduction to Nanomaterials and Devices, Wiley, 2011

Modele fononice aproximative
Modelul E
Einstein (1907) D Modelul
Debye (1912)

Modelul Einstein (1)
 Dezvoltat de Einstein în 1907
 Particularități:
 Fiecare atom din cristal este considerat a fi un oscilator
separat (tridimensional)  3N oscilatoare
 Fononii au cu toții aceeaşi frecvență (= energie), E
 Fononii au viteză nulă (sunt asociaţi undelor staţionare)

Modelul Einstein (2)
 Aproximează ramura fononilor optici
 Multe dintre proprietăţile optice ale solidului sunt
determinate de interacţiunea dintre fononii optici şi
radiația optică
 Notă Aceşti fononi sunt denumiţi fononi optici deoarece, în
cristalele ionice, undele elastice staţionare creează dipoli
electrici care interacţionează cu câmpul electric al unei
radiaţii electromagnetice
 Limitare:
 nu descrie corect comportamentul capacității termice la
temperaturi joase (variație exponențială în loc de variație
cubică)

Modelul Debye (1)
 Dezvoltat de Debye în 1912
 Particularități:
 Abordează vibrațiile atomice ca moduri rezonante într-un
rezonator (= corpul solid)
 Energia fononilor este direct proporţională cu frecvența
(invers proporţională cu lungimea de undă)
 Toţi fononii au aceeaşi viteză, egală cu viteza sunetului în
solid
 Există o frecvență limită, D , numită frecvența Debye, care
reprezintă frecvența maximă posibilă a unui mod de
vibrație

Modelul Debye (2)
 Este folosit pentru a aproxima spectrul fononilor
acustici
 Proprietăţile acustice (sau elastice) ale cristalului
sunt determinate de aceşti fononi
 Descrie corect capacitatea termică a corpurilor
solide la temperaturi mici și mari
 Limitare:
 datorită ipotezei simplificatoare a izotropiei
materialului din punct de vedere al modurilor de
vibrație fononice, nu descrie corect proprietățile
cristalelor la temperaturi intermediare

Metode de investigare a
fononilor (1)
 Se folosește frecvent împrăștierea inelastică a
neutronilor pe fononi de volum
 Avantaj:
 Neutronii prezintă secțiune eficace (cross section) foarte
mică, motiv pentru care pot penetra adânc în volumul
cristalului
 Condiții necesare:
 energia neutronilor să fie de același ordin de mărime cu
cea a fononilor
 lungimea de undă asociată neutronilor să fie de același
ordin de mărime cu cea a fononilor
 Relațiile de dispersie ale fononilor se obțin din
analiza energiei și direcției netronilor împrăștiați
fononilor (2)
 Alte metode:
 împrăștierea inelastică a razelor X pe fononi de volum
 împrăștierea inelastică a atomilor de heliu (HAS)
 împrăștierea inelastică a electronilor (high-resolution
electron energy loss spectroscopy, HREELS)  în special
pentru analiza fononilor de suprafață

fononilor (3)
Exemplu de rezultate experimentale
 HREELS
 împrăștiere inelastică
a razelor X
 împrăștiere inelastică
a neutronilor
Sursa: A. Al Taleb, D. Farías, Phonon dynamics of graphene on metals,

Journal of Physics: Condensed Matter, 28, 10 (2016)

Interacțiuni fonon-electron
 Reprezintă una din cele mai frecvente cauze de
perturbaţii pentru rețeaua cristalină
 Electronul trece dintr-o bandă energetică în alta,
cedând rețelei sau preluând de la aceasta anumite
cuante de energie sub formă de fononi
 Exemplu:
 La materiale semiconductoare, există două tipuri de
astfel de tranziţii:
 intra-vale, când electronul se menţine în valea energetică
de dinainte de ciocnire ( – , X – X, L – L )
 inter-vale, când electronul trece dintr-o vale energetică în
alta ( – X,  – L, X – L)

Interacțiuni fonon-foton
 Într-un cristal, un foton poate crea sau poate absorbi
un fonon
 Fotonul este împrăştiat în acest proces (numit
împrăștiere elastică),
 adică
 vectorul său de undă
variază de la k până la k , iar frecvenţa de la  la ’.

Materiale pentru
electronică Curs 5

Materiale pentru
electronică
(partea a V-a)

Electroni în corpul solid
 Într-un corp solid, electronii pot fi:
 legați de atomi (localizați la nivelul atomilor, pe
păturile electronice interioare sau de valență)
 nu participă la conducția electrică, chiar în
prezența unor câmpuri electrice externe
 liberi (nelegați de atomi), care se pot deplasa în
cristal sub efectul unor câmpuri electrice externe
 concentrația acestora determină proprietățile
de conducție ale materialului

Electroni liberi
 Cum pot electronii deveni „liberi”?
 Prin procese de „colectivizare”, specifice
cristalelor
 În cadrul procesului de formare a rețelei cristaline, nivelurile
energetice discrete ale electronilor din vecinătatea
nucleelor atomice se scindează în benzi energetice
 Unele dintre aceste benzi depășesc barierele de potențial
dintre atomi, astfel că electronii respectivi se pot mișca
nestingheriți în cristal  „gaz electronic”
 Prin excitație energetică din surse externe
(energie termică, iradiere electromagnetică etc.)

Energia de excitație a
electronilor
 Energia de excitaţie (Ee) = energia necesară pentru
a genera un electron liber
 Valoarea energiei de excitație depinde de natura
materialului (legată de proprietățile de conducție):
 aproape nulă (Ee  0)
în cazul metalelor
 mare (Ee > 3-4 eV)
în cazul izolatoarelor
 medie (0 < Ee < 3-4 eV)
în cazul materialelor
semiconductoare

Excitația termică a electronilor
 Este cazul cel mai comun de excitație electronică
 Determină densitatea electronilor liberi (nel) în
material care rezultă dependentă de temperatură
 În acest sens, este interesantă comparația Ee vs.
energia termică medie (Eth = kBT) la temp. ambiantă
(Tamb = 300 K) Categorie Material n (m ) el
-3
 Deși în cazul semiconductoarelor @T=300K
și, mai ales, izolatoarelor,

Eth,amb  26 meV << Ee,
nr. de electroni excitați termic
poate fi relativ mare
Modelul zonelor energetice
pentru electroni în cristale (1)
E
 La atomii izolați, spectrul energetic al
electronilor este discret  niveluri 3d (n = 3, =2)
energetice caracterizate de numerele 4s (n = 4, =0)

cuantice n, , m și ms (în special n și  )
 Nivelurile p, d, ..., caracterizate de 3p (n = 3, =1)
 = 1, 2, ..., sunt niveluri degenerate
(= aceeași valoare a energiei), cu 3s (n = 3, =0)
gradul de degenerare g = 2 +1 = 3, 5, ...
2p (n = 2, =1)
 La cristale, deoarece distanța intera-
tomică (a0) este f. mică (zecimi de nm) 2s (n = 2, =0)
 interacțiunea între atomi este foarte
puternică  nivelurile energetice ale 1s (n = 1, =0)
electronilor se modifică
 Datorită apropierii dintre atomii din cristal, orbitalele
electronice exterioare ale acestora se suprapun
parțial
 Pentru a se respecta în acest caz principiul de
excluziune a lui Pauli, nivelurile energetice ale
electronilor se scindează
 Scindarea nivelurilor energetice poate fi datorată și
efectului Stark
Obs.: Cristal cu N atomi  scindare în N niveluri
energetice (cu câte 2 electroni de spin opus)
 benzi energetice

Orbitalele electronice pentru 2 atomi de hidrogen
atomi izolați atomi legați

E
n =1
stare asimetrică stare simetrică

(momente de spin (momente de spin
d >> dimensiunea paralele) antiparalele)
orbitalelor

Ilustrarea procesului de
„colectivizare” a electronilor (1)
Atomi de Na izolați, care
nu interacționează
(r >> a0)
Densitățile de probabilitate ale

electronilor
Zq 2
Wp(x)   – energia
4 0 r
potențială
W1p, W2p, W3p, W4p – bariere
de potențial pentru electroni

Atomi de Na în rețea
unidimensională
(a0  0,42 nm)
Densitățile de probabilitate ale

electronilor
Wp(x) – energia potențială

(obținută prin însumarea energ.
potențiale ale atomilor izolați)
W'1p, W'2p, W'3p, W'4p – noile
bariere de potențial (mai mici)

 Efectele micșorării distanței dintre atomi asupra
nivelelor energetice:
 Transformarea nivelelor de energie discrete în benzi de
energie
 Micșorarea înălțimii și lărgimii barierelor de potențial
 Ee mai mică (excitarea mai ușoară a electronilor)
 Anumite benzi energetice (complet sau parțial ocupate) se
pot situa deasupra barierelor de potențial (v. banda
corespunzătoare sub-stratului electronic 3s din exemplul
precedent)  „colectivizarea” electronilor
Notă: Este, tipic, cazul benzii de valență (corespunzătoare

sub-stratului electronic de valență)

Formarea benzilor energetice
ale electronilor (1)
 Micșorarea distanței interatomice  fiecare nivel energetic
nedegenerat se scindează în N subniveluri (N = nr. de atomi)
 fiecare nivel s  N subniveluri cu 2N electroni
 fiecare nivel p  gN = 3N subniveluri cu 6N electroni
 fiecare nivel d  gN = 5N subniveluri cu 10N electroni
Energie
Bandă de
conducție
Bandă interzisă
Bandă de
valență
Distanța interatomică

 Intervalul energetic E dintre două subniveluri dintr-o bandă
este foarte mic
Estimare: Cristal de 1 cm3; Ebandă = 1 eV  N  1022 atomi, E  Ebandă /N  10-22 eV
 Deoarece E << Ebandă, benzile pot fi considerate continue
 Distribuția subnivelelor în benzi nu este uniformă  densitate
de stări
Energie
Bandă de
conducție
Bandă interzisă
Bandă de
valență
Distanța interatomică

 Lărgimea benzilor energetice crește odată cu valoarea
energiei
Motivație:
....

Electronii de pe nivelurile interioare 3p2
sunt legați mai puternic de nuclee
și sunt mai puțin influențați de
câmpurile atomilor vecini 3s2
 benzile corespunzătoare sunt
mai înguste
2p2
 Benzile permise (rezultate din
....
scindarea nivelurilor atomice)
sunt separate de benzi interzise
 Lărgimea benzilor interzise scade odată cu valoarea energiei

Particularități legate de natura
chimică a cristalului (1)
 Banda de valență poate fi doar parțial ocupată
 Exemplu:
Li, care are configurația
electronică 1s22s1, prezintă, în
formă cristalină, banda de
valență pe jumătate ocupată
 Similar pentru alte metale alcaline

și pentru metale în general

Particularități legate de natura
chimică a cristalului (2)
 La elementele tetravalente (Si, Ge), procesul de formare
a benzilor este diferit
 Cei 4 electroni de valență sunt
distribuiți astfel: ns2 și np2 (unde
n este primul numar cuantic)
 Exemplu: Si: n = 3; Ge: n = 4
 Benzile provenite din scindarea
nivelurilor s și p se suprapun,
după care se împart în 2 benzi,
fiecare cu câte 4N subnivele:
N de tip s și 3N de tip p (N = nr. de atomi)
 banda de valență complet ocupată

Clasificarea cristalelor după
conductivitatea electrică (1)
 Propriețățile de conducție depind de:
 structura benzilor energetice
 gradul de ocupare a acestora
 Benzile complet libere sau complet ocupate nu
participă la procesele de conducție
 Dacă toate nivelurile dintr-o bandă sunt ocupate,
deplasarea electronilor nu poate avea loc
(s-ar viola principiul de excluziune al lui Pauli)
 Electronii pot participa la procese de conducție
doar dacă se găsesc într-o bandă parțial ocupată

 După modul de ocupare a benzilor energetice,
materialele pot fi:
(1) Conductoare = materiale care, la orice
temperatură, au benzi parțial ocupate
(2) Neconductoare = materiale care, în stare pură
și la temperaturi suficient de joase, au atât benzi
complet ocupate, cât și benzi complet libere
(2.1) Semiconductoare (Wg  4 eV) = au conduc-
tivitate mică la T mici și mare la T mari
(2.2) Dielectrice (izolatoare) (Wg>4 eV)
Conductor Semiconductor Dielectric
(izolator)
BV – banda de valență (ultima bandă complet ocupată)

BC – banda de conducție (prima bandă complet liberă)
BI – bandă interzisă (acea bandă interzisă care separă BV de BC)

Distribuția electronilor în
benzile energetice (1)
 Premise:
 există un număr finit de niveluri energetice
discrete în cristal
 trebuie îndeplinit principiul de excluziune al lui
Pauli
 statistica Maxwell-Boltzman nu mai este
aplicabilă (aceasta fiind construită pe
principiul „orice energie este permisă oricărei
particule din sistem”)

Distribuția electronilor în
benzile energetice (2)
 Distribuţia Fermi-Dirac = descrie modul în care
electronii pot ocupa niveluri energetice în interiorul
benzilor (luate în ansamblu):
1
f (E)  E  EF
k BT
e 1
unde E este energia unui electron, EF este nivelul
Fermi de energie, iar kB și T au semnificaţia
cunoscută
 D.p.d.v. fizic, f(E) definește probabilitatea ca un
electron să ocupe nivelul de energie E
Distribuția Fermi-Dirac
f(E)
 Cele mai rapide schimbări 0,952 T = 900 K
au loc pentru E ≈ EF T = 600 K
T = 300 K
 Exemplu T=0K
intervale
Pentru ΔE = 3kBT în jurul  3 kBT
valorii E = EF se obţine
o variaţie a funcţiei f(E)
între 0,047 și 0,952
0,047
 Din acest motiv, EF poate
E < EF EF E > EF
fi considerat nivelul de 1 eV
demarcaţie între stările
energetice ocupate şi cele libere

Masa efectivă
 Se notează cu m*
 Se utilizează în locul masei fizice a electronului
pentru a ţine cont de interacțiunea acestuia cu ionii
rețelei și cu ceilalți electroni (v. curba periodică de
potențial corespunzătoare rețelei cristaline)
 In general m* < m0 (m0 = masa de repaus a
electronului)
Exemplu: Valori ale raportului m*/m0 pentru câteva
materiale (metale şi semiconductoare)
Metale Al 1,2 Cu 1,0 Zn 0,85
Semiconductoare Si 0,19 GaAs 0,063 CdS 0,2

Calculul masei efective (1)
 Conform teoriei cuantice, viteza de mișcare a unui
electron este egală cu viteza de grup a pachetului
de unde asociate acestuia:
d
v  vg 
dk
unde  și k sunt frecvența unghiulară, respectiv
vectorul de undă ale undei asociate
 Știind că energia electronului este W   , viteza
poate fi rescrisă astfel:
1 dW
v
 dk
 Dacă asupra electronului se aplică un câmp electric
extern Eel  mișcare accelerată, cu accelerația:
dv 1  d 2W  dk
a   2 
 dt
dt   dk 
 Lucrul mecanic efectuat de câmpul electric Eel
într-un interval de timp dt asupra electronului este:
dW  qEel vdt  Fvdt
unde F = qEel este forța electrică exercitată asupra
electronului

 Înocuind în ultima relație expresia vitezei v obținem:
1
 1 dW  F  dk  dk F
dW  F  dt  dW    
  dk    dt  dt 
 Folosindu-ne de ultimul rezultat, expresia
accelerației electronului devine:
1  d 2W 
a  2  2 F

  dk 
de unde, în final, se obține expresia 1
2 d W 
2
masei efective m* a electronului: m*    
2 
 dk 
Materiale pentru
electronică Curs 6

Materiale pentru
electronică
Capitolul 2 – Materiale solide
cristaline. Simetria cristalelor
(partea I-a)

Structuri cristaline (1)
 Un cristal ideal (monocristal) reprezintă o repetare
regulată și infinită în spațiu a unei unități structurale
(numită celulă unitară sau bază) care este formată
din unul sau mai mulți atomi
 Prin repetarea periodică a celulei unitare se obține
rețeaua cristalină care reprezintă un aranjament
regulat de puncte numite noduri ale rețelei
 Structura cristalină propriu-zisă rezultă atunci când
fiecărui nod i se asociază o bază, deci:
Structura cristalină = rețea + bază

Structuri cristaline (2)
Rețeaua A Rețeaua B
Baza
Structura Structura
cristalină A cristalină B
(reprezentare bidimensională)

Translații elementare. Vectorii
fundamentali ai rețelei (1)
 Rețeaua cristalină se obține prin operații de translație
ale celulei elementare
 Translațiile între două noduri vecine ale rețelei, pe
diferite direcții, se numesc translații elementare
 Translațiile elementare
 sunt definite cu ajutorul a
 
3 vectori, a , b și c , necoplanari, numiți vectori
fundamentali de translație
 Acești vectori se mai numesc uneori și axe ale cristalului
Obs. Pentru o rețea dată, există mai multe posibile

variante de alegere a vectorilor fundamentali

a

a
 
b b
Exemple de alegere a vectorilor fundamentali


 Vectorii fundamentali sunt vectori arbitrari (au lungimi
arbitrare și formează între ei unghiuri arbitrare)
 Mărimea vectorilor reprezintă constantele reţelei şi
unităţile de măsură ale lungimii pe cele trei axe
 Metrica reţelei este complet definită de parametrii:
a, b, c, α, β și γ

 O operație de translație între oricare două noduri ale
rețelei cristaline
 poate fi descrisă folosind un vector
de translație, T , definit în baza vectorilor fundamen-
tali astfel:
   
T  ma  n b  pc
unde m, n și p sunt
numere întregi arbitrare

 Celulă a rețelei = paralelogramele (în rețeaua 2-D)
sau paralelipipedele (în rețeaua 3-D) definite de
nodurile rețelei
 Celulă elementară = celula ale cărei laturi sunt
translații elementare (vectori fundamentali)
 Celulă primitivă = celulă elementară care nu
conține niciun nod al rețelei în interiorul ei
Obs.: Prin „interior” al celulei se înțelege ansamblul regiunilor
delimitate de vârfurile acesteia; această definiție include atât
volumul figurii, cât și ariile fețelor
 Vectorii care definesc o celulă primitivă se numesc
vectori primitivi
De ce tip sunt celulele prezentate mai jos?
Răspuns:
 Celula 1 nu este
elementară
5 4  Celulele 2, 3 și 4
2
sunt elementare și
primitive
 Celula 5 este
elementară, dar nu
1 3
primitivă
Exemple de celule ale rețelei (v. explicații pe pagina precedentă)


Variante de celule elementare (1)
 După numărul de noduri dintr-o celulă, există mai
multe feluri de celule elementare (tridimensionale):
 Celula primitivă (simplă) – conține un singur nod (distribuit
în colțurile celulei)
 Celula cu volum centrat – conține 2 noduri (încă un nod în
centrul celulei)
 Celula cu baze centrate – conține 2 noduri (față de celula
simplă, există încă două jumătăți de nod pe fiecare bază
a celulei)
 Celula cu fețe centrate – conține 4 noduri (pe fiecare față
există, în plus, câte o jumătate de nod)

Variante de celule elementare (2)
Celula primitivă Celula cu volum

centrat
Celula cu baze Celula cu fețe

centrate centrate

Vectori primitivi vs. vectori
neprimitivi
 Vectorii primitivi = acei vectori fundamentali de
translație cu ajutorul cărora orice punct din rețeaua
cristalină poate
 fi obținut prin aplicarea vectorului de
translație T obținut cu o combinație de numere
întregi m, n, și p 
a
 Exemplu (bidimensional):
Cf. alegerii vectorilor fundamentali
ca în fig. alăturată, nodurile marcate
cu roșu nu pot fi obținute decât 
dacă m = j/2 și n = k/2, unde b
j și k sunt
 numere întregi
 a și b nu sunt vectori primitivi

Alegerea celulei primitive
 Celula primitivă nu este unică
 Toate celulele primitive au același volum:
  
 
V  a  b  c (pentru rețeaua tridimensională)
sau aceeași arie:
 
A  a b (pentru rețeaua bidimensională)
 Dintre variantele posibile de celule primitive se
alege, de obicei, celula primitivă care are cei mai
mici vectori de translație
 În exemplul precedent, celulele 3 și 4 satisfac, ambele,
această condiție
Operații de simetrie (1)
 Cristalele posedă două tipuri de simetrii:
 simetria internă, care se referă la modul de aranjare a
particulelor constitutive ale cristalului în celula unitară
(= simetria bazei)
 simetria exterioară (geometrică), care se referă la
ansamblul proprietăților de simetrie asociate formei
geometrice specifice (de tip poliedru) a celulei
elementare
 Notă: Simetria geometrică este o consecință a simetriei
interne, fiind determinată de legăturile atomice specifice
ce se formează în procesul de cristalizare

 Rețelele cristaline pot fi grupate într-un număr finit
de clase în funcție de proprietățile lor de simetrie
geometrică
 Simetrie geometrică a cristalului = proprietatea
rețelei cristaline de a coincide cu ea însăși ca
urmare a aplicării unor operații de simetrie
(sau transformări simetrice)
 Operații de simetrie posibile:
 reflexia sau oglindirea (simetria față de un plan sau o dreaptă)
 inversia (simetria față de un punct)
 rotația (în jurul unei axe sau a unui punct)
 translația

 Operațiile de simetrie sunt de două feluri:
1 Finite sau punctuale, în care un punct sau o dreaptă
ale figurii rămân pe loc
Obs. Orice operație de simetrie care nu implică o translație
este operație punctuală
Exemple: rotația, oglindirea, inversia
2 Infinite sau spațiale, în care niciun punct al figurii nu
rămâne pe loc
Exemple: translația și combinații ale acesteia cu operații
punctuale de simetrie

Elemente de simetrie (1)
 După caz, figurile geometrice simetrice au unul sau
mai multe elemente de simetrie, care pot fi:
 puncte (centre) de simetrie
 plane de simetrie
 axe de simetrie
 Centru de simetrie (inversie) = punct al unei figuri
caracterizat de proprietatea că orice dreaptă care
trece prin el întâlnește puncte analoge ale figurii
de amble părți ale sale și la distanțe egale față de el

 Plan de simetrie = plan care împarte figura (sau
poliedrul) în două părți egale, fiecare parte fiind
imaginea în oglindă a celeilalte
 Exemplu:
La un cub avem 9 plane de simetrie: 3 paralele cu fețele,
iar 6 orientate după diagonale
 Axă de simetrie de ordin n = dreaptă caracterizată
de proprietatea că, în urma rotirii în jurul ei cu 2,
figura (poliedrul) coincide cu ea însăși (el însuși)
de n ori
 Obs. În cristalografie, n poate lua valorile 2, 3, 4, 6;
axele de simetrie de ordin 1 nu se iau in considerare
 Variante adiționale de axe de simetrie:
a) Axă de simetrie cu inversie = pe lângă rotirea în
jurul axei, pentru a coincide cu ea însăși, figura
mai trebuie rotită cu  în jurul unei axe
perpendiculare pe prima
b) Axă de simetrie cu oglindire = pe lângă rotirea în
jurul axei, pentru a coincide cu ea însăși, mai este
necesară o operație de oglindire

Grupuri de simetrie (1)
 Operațiile de simetrie mai pot fi clasificate astfel:
1 Grupuri punctuale de simetrie – includ numai operații
punctuale de simetrie sau combinații ale acestora
2 Grupuri spațiale de simetrie – includ, în plus,
combinații ale operațiilor punctuale cu operația de
translație
Grupuri Grupuri
punctuale spațiale
de simetrie de simetrie

Rețeaua cristalină
Structură cristalină A Structură cristalină B Structură cristalină C

(bază cu simetrie sferică) (bază cu simetrie arbitrară) (bază cu axă de simetrie
de ordinul 3)

 Fiecărui grup punctual de simetrie îi corespund mai
multe grupuri spațiale posibile
 În total, există 32 de grupuri punctuale de simetrie și
230 de grupuri spațiale de simetrie
 În ipoteza că baza cristalului are simetrie sferică,
grupurile punctuale de simetrie corespund
sistemelor cristaline, iar grupurile spațiale de
simetrie corespund așa-numitelor rețele Bravais
 În total, există 7 sisteme cristaline și 14 rețele Bravais

Materiale pentru
electronică Curs 7
5-Nov-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021)

Materiale pentru
electronică
(partea II-a)
5-Nov-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 170

Sisteme de notație a elementelor
de simetrie în cristalografie
 Există mai multe tipuri de notații, dintre care cele
mai folosite sunt:
 notația Schönflies, elaborată inițial pentru descrierea
grupurilor punctuale de simetrie în trei dimensiuni
 folosită mai mult în spectroscopie (molecule izolate)
 notația Hermann-Mauguin, utilizată frecvent la descrierea
grupurilor spațiale de simetrie în trei dimensiuni
 folosită în cristalografie (rețele atomice)
 Notația Hermann-Mauguin – la care ne vom referi în
continuare – se mai numește și notația internațională,
fiind adoptată ca standard internațional în anul 1935

Notația Hermann-Mauguin (1)
 Este folosită în geometrie (și, prin extensie, în
cristalografie) pentru reprezentarea elementelor de
simetrie în grupuri punctuale, grupuri planare
și grupuri spațiale de simetrie

 Elementele de simetrie vizate de notația H-M sunt:
 axele de rotație
 axele de rotație cu inversie (rotoinversie)
 planele de oglindire
 centrul de inversie
 Simbolurile folosite în notația H-M sunt compuse din:
 cifre (1, 2, 3, 4 sau 6)  indică axele de rotație
 cifre cu bară deasupra (1, 3, 4 sau 6)  indică axele de
rotație cu inversie și pentru centrul de inversie
 litera m („mirror”)  indică planele de oglindire
 linia de fracție orizontală (–) sau oblică (/)  indică relația
geometrică de perpendicularitate dintre o axă de rotație și
un plan de oglindire
 Simbolurile H-M pot avea 1, 2 sau 3 elemente
 Primul element indică de regulă, axa principală de rotație
 Al doilea element indică (dacă există) axele secundare de
rotație și/sau planele de oglindire
 Al treilea element indică elementele de simetrie
suplimentare
 Axa principală de rotație coincide, de regulă, cu
axa z (corespunzătoare versorului c)
 Excepție: sistemul cristalin monoclinic la care este axa y
(versorul b)

Axe de rotație
 Axele de rotație simple se notează printr-o cifră n,
reprezentând ordinul axei:
Ex.: 1, 2, 3, 4, 6
 Axele de rotație cu inversie (rotoinversie) se notează
la fel ca cele simple, plus o bară deasupra cifrei:
Ex.: 1, 2, 3, 4, 6
 Observații
 Notația 2 este echivalentă cu un plan de oglindire (2  m)
(v. definiția la pag. 178)
 Notația 1 se folosește pentru a indica centrul de inversie

Notația elementelor de
simetrie în cristalografie (3)
Axe de rotație (continuare)
 Dacă o axă de rotație generează tipare (figuri) cu un
număr de puncte mai mare în raport cu alte axe, se
spune că are un grad de simetrie mai mare
 Exemplu
O axă de rotoinversie 3 generează 6 puncte
prin aplicarea repetată a operației de simetrie
Notă: punctele  și  se găsesc deasupra, respectiv sub
planul desenului; cifrele 1-6 și culorile reprezintă cele
6 operații de rotație+inversie succesive; centrul cercului
corespunde cu centrul de inversie al figurii.
Analog, o axă de rotație 3 generează 3 puncte,
iar axele 6 și 6 generează ambele câte 6 puncte

Axe de rotație (continuare)
 Dacă 2 sau mai multe axe au aceeași direcție,
se indică doar cea cu grad de simetrie mai mare
Exemplu: Dacă sunt prezente ambele axe 3 si 3, se alege 3
 Dacă o axă de rotație simplă și una de rotoinversie
au aceeași direcție și același grad de simetrie, este
aleasă axa de rotație simplă
Exemplu: Dacă sunt prezente ambele axe 4 si 4, se alege
axa 4

Plane de oglindire
 Planele de oglindire sunt notate cu litera m
 Direcția unui plan de oglindire = direcția perpendicularei
pe plan
 Dacă o axă de rotație de ordin n este  pe un plan de
oglindire m (adică au aceeași direcție), acest lucru se
n 2 3 4
notează astfel: sau n m Exemple: , ,
m m m m
 Dacă o axă de rotație de ordin n este || cu n plane de
oglindire m (din motive de simetrie), acest lucru se
notează astfel: nm Exemple: 2m, 4m, 6 m

Grupuri de simetrie
punctuală (1)
 Grup de simetrie punctuală = ansamblul operațiilor
de simetrie care, prin compunere, nu generează alte
operații de simetrie
 Ordin al grupului = numărul operaţiilor de simetrie
distincte pe care le cuprinde grupul
 Fiecare grup de simetrie se codifică prin elementele
de simetrie generatoare (din care se obţin toate
elementele grupului)

Grupuri de simetrie
punctuală (2)
Exemple de „table de înmulțire” a operațiilor de simetrie
Elementele generatoare ale grupurilor
• o axă de rotație de ordin 2 • câte o axă de rotație de

de-a lungul axei y ordin 2 de-a lungul axelor x,
y și z
• un plan de oglindire perpen-
dicular pe aceasta

Grupuri de simetrie
punctuală (3)
1) Grupuri primitive: n
 Sunt caracterizate de un singur element de simetrie: o axă
de rotație de ordin n
2) Grupuri primitive de inversie: n
 Sunt caracterizate de un singur element de simetrie: o axă
de rotoinversie de ordin n
n
3) Grupuri centrate: sau n m
m
 Sunt caracterizate de două elemente de simetrie: o axă de
rotație de ordin n și un plan de oglindire  pe aceasta

Grupuri de simetrie
punctuală (4)
4) Grupuri planare: nm
 Sunt caracterizate de o axă de rotație de ordin n și de n
plane de oglindire ce conțin această axă
5) Grupuri planare de inversie: nm
 Sunt caracterizate de o axă de rotoinversie de ordin n și
de n plane de oglindire ce conțin această axă
6) Grupuri axiale: n2
 Sunt caracterizate de o axă de rotație de ordin n și de n axe
de rotație de ordinul 2 situate în planul  pe această axă
n
7) Grupuri plan axiale: m sau n mm
m
 Sunt caracterizate de o axă de rot. de ord. n perpendiculară
pe un plan de oglindire și conținută în n plane de oglindire
Exerciții
1) Să se demostreze echivalența: 4  2
2) Structura hexagonală din fig. alăturată
prezintă mai multe axe de simetrie (de - a
lungul liniei punctate): 2, 3, 6, 3 și 6.
Structura prezintă, de asemenea, și
un plan de oglindire m, perpendicular
pe axe. Cum se notează grupul centrat
de simetrie ce ține cont de aceste axe și
de planul de oglindire?
3
Temă: Să se arate că 6 
m
Tipuri de direcții (axe) de
simetrie
 Într-un cristal, pot exista mai multe transformări de
simetrie simultan
Exemplu: Într-un cristal cu simetrie cubică, avem axe de simetrie
2 și 4 după direcții ce unesc centrele a două fețe opuse
 Direcțiile (axele) de simetrie pot fi:
 singulare
 echivalente
 Direcții (axe) de simetrie echivalente = aceeași
proprietate de simetrie pe mai multe direcții
Exemplu: Într-un cristal cubic, avem axe de simetrie 3 corespunză-
toare celor 4 diagonale

numărul și felul axelor de sim.
 Categoria de simetrie inferioară
 există axe de simetrie singulare sau echivalente de
ordin 2
 nu există axe de simetrie de ordin > 2
 Categoria de simetrie medie (intermediară)
 există o singură direcție singulară corespunzătoare unei
axe de simetrie de ordin > 2
 nu există direcții (axe) echivalente de ordin > 2
 Categoria de simetrie superioară
 există mai multe direcții (axe) echivalente de ordin > 2

sisteme și singonii
 În afară de împărțirea după numărul și felul axelor
de simetrie, cristalele se clasifică după:
 singonii
 sisteme
 Clasificarea pe singonii  după unghiurile
similare între vectorii fundamentali și mărimile
acestora (cf. metricii cristaline a, b, c, α, β și γ)
 Clasificare după sisteme  după tipul simetriei
rețelei cristaline
 Există 6 singonii vs. 7 sisteme cristaline
Sistemele și singoniile
cristaline (1)
 Cele 6 singonii și 7 sisteme cristaline sunt:
 Triclinică S. triclinic
 Monoclinică S. monoclinic categoria
inferioară
 (Orto)rombică S. (orto)rombic
 Tetragonală S. tetragonal
 S. hexagonal categoria
intermediară
 Hexagonală S. trigonal
(romboedric)
 Cubică S. cubic categoria
superioară
Sistemele și singoniile
cristaline (2)

Sistemul triclinic
 Nu acceptă celule cu volum
centrat (I), baze centrate (C)
sau fețe centrate (F)
a  b  c;

   
2
Sursa: www.xtal.iqfr.csic.es/Cristalografia/parte_03_4-en.html
 Doar aprox. 2,5% din totalul materialelor

cristaline cunoscute cristalizează astfel
 Exemple: K2Cr2O7, CuSO4·5H2O, H3BO3

Sistemul monoclinic
 În afară de celula primitivă (P), acceptă și celula cu baze
centrate (C)
 Nu acceptă celule cu volum centrat (I) sau fețe centrate (F)
a  b  c;

   
2
 Aprox. 15% din materialele cristaline

cunoscute cristalizează astfel
 Exemple: Se, CrSe, FeSe, AsS, AuTe2,
PbCrO3

Sistemul ortorombic
 În afară de celula primitivă (P),
acceptă și celule cu volum
centrat (I), baze centrate (C)
și fețe centrate (F)
a  b  c;

    
2
 Aprox. 18,5% din materialele cristaline
 Majoritatea sunt din clasa: mmm
 Exemple: P, S, Ga, CdZn, GeS, KNO3,
BaSO4

Sistemul tetragonal
 În afară de celula primitivă (P), acceptă și celula cu volum
centrat (I)
 Nu acceptă celule cu baze centrate (C) și fețe centrate (F)
a  b  c;

    
2

 Exemple: In, Sn, SnO2, P, S, FeSe, MoB,
TiO2, BaSO4

Sistemul hexagonal
 Există numai celulă primitivă (P)
a  b  c;

2
   ;  
2 3

 Exemple: Ti, Mg, Co, Zn, Zr, Te, Be,
Cd, ZnO, ZnS, ZnSe, SiC, CdS, CdSe, Sursa:
www.xtal.iqfr.csic.es/Cristalografia/parte_
grafitul 03_4-en.html

Sistemul trigonal (romboedric)
 Există numai celulă primitivă, care în acest caz se
numește romboedrică (R)
a  b  c;

    
2
 Aprox. 12% din materialele
cristaline cunoscute cristali-
zează astfel
 Exemple: C, P, Te, CdI2,TaS2,
TeS2, Cr2O3, LiNbO3, LiTaO3,
MgTiO2, Ti2O3, CaCO3, HgS

Sistemul cubic
 În afară de celula primitivă (P),
acceptă și celule cu volum
centrat (I) și fețe centrate (F)

a  b  c;      
2
 Cele mai multe materiale (~30%)

cristalizează astfel
 Exemple: (P): Po
(I): Li, Na, K, Rb, Cs, Nb, Ta,Te, Ca,
Mo, W, CsCl, RbCl, CuZn, AgMg
(F): Pt, Cu, Ag, Au, Pb, Fe, NaCl, PbS,
MgO, KCl, CaF2

Materiale semiconductoare cu
structuri cristaline complexe
 Multe din materialele semiconductoare folosite in
electronică au structuri cristaline complexe, obţinute
prin „combinaţii” ale structurilor elementare prezentate
 Exemple:
 Si, Ge  structură de tip „diamant” (= cuburi cu feţe centrate
întrepătrunse)
 GaAS, InP, InSb  structură de tipul „blendei de zinc”
(asemănătoare cu cea a diamantului)
 compușii AII-BVI  structură de tip „wurzită” (care derivă din
structura hexagonală)

Cele 32 de grupuri de
simetrie punctuală
 Pentru cele 7 singonii cristaline sunt posibile
următoarele 32 de grupuri de simetrie punctuală:
Nr. Sistemul Nr. Simbolurile grupurilor Nr. aprox. al materialelor
crt. cristalin grupuri coresp. fiecărui grup
1 Triclinic 2 1, 1 41, 249
2 Monoclinic 3 2, m, 2/m 367, 70, 1908
3 (Orto)rombic 3 222, mm2, mmm 596, 226, 1158
4 Tetragonal 7 4, 4, 4/m, 422, 4mm, 42m, 4/mmm 17, 47, 135, 68, 14, 107, 579
5 Hexagonal 7 6, 6, 6/m, 622, 6mm, 6m2, 6/mmm 18, 1, 97, 52, 80, 42, 355
6 Trigonal 5 3, 3, 32, 3m, 3m 25, 152, 72, 103, 444
7 Cubic 5 23, m3, 432, 43m, m3m 15, 212, 21, 219, 1223

Clase de simetrie
uzuale sau rare
 Printre cele 32 de clase de simetrie există unele
foarte reprezentate:
 de exemplu: 2/m (mică, feldspat, etc.), mm2
sau, dimpotrivă, foarte rare
 de exemplu: 3, 4, 6, 432
 Aproape toate metalele şi aliajele lor cristalizează
 fie în clasa m3m din singonia cubică
 fie în clasa 6/mmm din singonia hexagonală
 Materialele semiconductoare cu structură de tip
diamant cristalizează în clasa m3m

Caracteristici ale
celulelor elementare
 Celula elementară se poate raporta la 2 sisteme de
axe de coordonate:
 s. propriu (x, y, z), bazat pe
vectorii fundamentali a, b, și c
ce formează unghiurile ,  și 
 s. rectangular (x1, x2, x3), unde:
x3 coincide cu z
x1  (x, z)
x2  (x1, x3)
 Definirea celulei se face:
 fie prin const. rețelei a, b și c, și unghiurile ,  și 
 fie prin proiecțiile vectorilor fundamentali pe axele x1, x2 și x3
Volumul celulei elementare
 Definit în baza vectorilor fundamentali:
  a1 b1 c1  
 

 

VC  det a b c  det  a 2 b2 
c2   componentele vectorilor
 a b2 c3  
fundamentali pe axele
 3 x1, x2 și x3
     
a  a a b a c 1 cos  cos 
     
VC  b  a b  b b  c  a 2b 2 c 2 cos 
2
1 cos   F12  F2 2
     
c a c b c c cos  cos  1
unde:
F1  abc ; F2  1  2 cos  cos  cos   cos 2   cos 2   cos 2 

Densitatea nodurilor
 Densitatea nodurilor = nr. de noduri pe unitatea de
volum a celulei elementare
 Obs. Este identică cu densitatea nodurilor în întreaga rețea
NC nr. de noduri din celula elementară

N0 
VC volumul celulei elementare
 Dacă celula elementară este și primitivă:

1 celula primitivă conține un singur nod
N0 
V0 volumul celulei primitive

Factorul de împachetare
atomică (1)
 Cum se determină?
 Se identifică toate nodurile din celula elementară
 În locul atomilor (presupuși a fi identici), în fiecare nod se
„așează” sfere identice, de volum VS, având o rază astfel
încât să se atingă între ele, dar fără să se întrepătrundă
 În aceste condiții, se determină volumul sferelor conținut în
interiorul celulei elementare (NCVS)
 Factorul de împachetare atomică al structurii se definește
astfel:
nr. de noduri din celula elementară
N C  VS volumul unei sfere
APF 
VC volumul celulei elementare

atomică (2)
 Are legătură cu stabilitatea cristalelor
 APF mare  structura cristalelor este mai compactă
 legăturile interatomice mai puternice
 structura cristalină mai stabilă
 Metalele au APF mare, deoarece:
 rețeaua cristalină metalică este, în general, formată
dintr-un singur tip de atomi (= razele sferelor sunt identice)
 legătura metalică nu este direcțională (= nu se preferă
anumite direcții de interacțiune)
 distanțele interatomice tind să fie mici (echivalent cu o
valoare minimă a energiei potențiale)

atomică (3)
Exemplificare: Structura cubică simplă (SC)
Se întâlnește rar datorită compactității reduse
Exemplu: poloniu (Po)
4
1   0,5a 
3
APF  3 3  0,52
a
atomică (4)
Exemplificare: Structura cubică cu volum centrat (BCC)
Exemple: Cr, W, Fe (), Ta, Mo
3a
2a
4
2   3a / 4 3
APF  3 3
 0,68
a
atomică (5)
Exemplificare: Structura cubică cu fețe centrate (FCC)
Exemple: Al, Cu, Au, Pb, Ni, Pt, Ag
4
4   2a / 4 3
APF  3 3
 0,74
a
Numărul de coordinare
 Se definește ca numărul de sfere cu care o anumită
sferă, de referință, vine în contact (NC)
 Pentru exemplele precedente:
 Structura cubică simplă: NC = 6
 Structura cubică cu volum centrat: NC = 8
 Structura cubică cu fețe centrate: NC = 12

Materiale pentru
electronică Curs 8

Materiale pentru
electronică
(partea a III-a)

Descrierea proprietăţilor
corpurilor cristaline
 Descrierea proprietăţilor fizice ale unui cristal
înseamnă cunoaşterea răspunsului materialului la
stimuli sau excitații externe (câmpuri, forţe,
temperatură etc.)
 În acest sens, sunt importante următoarele aspecte:
 direcţiile după care aceste excitaţii sunt aplicate
 simetria cristalului (care determină natura răspunsului
acestuia la stimuli)
 De aceea, este utilă identificarea în cristal a anumitor
direcții privilegiate sau plane privilegiate

Coordonatele nodurilor rețelei
cristaline
 Poziția unui nod al rețelei cristal se indică prin coordo
-
natele acestuia în raport cu axele cristalografice, luând
ca origine un vârf al celulei elementare, iar ca unitate
de măsură mărimile
  vectorilor
fundamentali a ,b și c
 Se exprimă prin triplete de
numere întregi u,v,w, fără
spații sau virgule între ele
 Sunt posibile și coordonate
fracționare
Exemplu: Coordonatele nodului
central al celulei elementare cu volum centrat sunt: ½½½

Direcții cristalografice (1)
 Direcție cristalografică = dreaptă orientată definită de
două noduri ale rețelei cristaline
 Se notează prin triplete de numere întregi u, v, w,
fără spații sau virgule, scrise între paranteze drepte:
[uvw]
 Valorile negative se marchează cu bară deasupra
 Exemplu: dacă u > 0, v < 0 și w >0, notația este [uvw]

Etapele în determinarea tripletelor [uvw]:
1. Se identifică coordonatele celor două puncte care definesc
direcția cristalografică: (a1, b1, c1), (a2, b2, c2)
2. Se calculează diferențele între coordonatele celor două
puncte pe fiecare axă  (a1-a2), (b1-b2), (c1-c2)
3. Se găsesc cele mai mici numere întregi u, v, w care se află în
același raport cu diferențele calculate anterior
 (a1-a2) : (b1-b2) : (c1-c2)  u : v : w
4. Numerele obținute se scriu între paranteze drepte, fără spații
sau virgule:
[uvw]

 Exemplu: Determinarea tripletelor [uvw] pentru direcțiile
A, B și C din fig. alăturată
x y z
 Identificarea coord.: 1 0 0
0 0 0
Diferența coordonatelor: 1 0 0
Găsirea numerelor uvw: 1 0 0
Indicii direcției: [100]
 Identificarea coord.: 1 1 1
0 0 0
Diferența coordonatelor: 1 1 1
Găsirea numerelor uvw: 1 1 1

 Exemplu: Determinarea indicilor uvw pentru direcțiile
A, B și C din fig. alăturată
x y z
 Identificarea coord.: -1 0 1
1/2 1 0
Diferența coordonatelor: -3/2 -1 1
Găsirea numerelor uvw: -3 -2 2

Observații:
 Dacă o anumită direcție este perpendiculară pe una
din axe, indicele corespunzător acelei axe are
valoarea 0
 O direcție dată și cea obținută prin multiplicarea
indicilor uvw cu o constantă sunt identice
(= au aceeași orientare)
 Exemple: [100] = [400]; [122] = [244]
 O direcție dată și cea complementară ei nu sunt
identice (= au orientări diferite)
 Exemple: [100]  [100]; [111]  [111]
Direcții cristalografice
echivalente (1)
 Direcții cristalografice echivalente = direcții ce au
orientări diferite, dar de-a lungul cărora cristalul
prezintă proprietăți fizice identice
 Există în virtutea proprietăților de simetrie ale
cristalului (în special la sistemul cubic)
 Se obțin prin redefinirea sistemului de coordonate
(permutări ale axelor sau schimbarea semnului
acestora, operații echivalente cu transformările
punctuale de simetrie de tip rotație și oglindire)
 [u v w]  [u v w], [v w u], [w u v]

echivalente (2)
Exemplu: Prin rotirea sistemului de coordonate cu 90 în jurul
axei z, direcția [100] devine [010]  direcțiile [100] și [010]
sunt echivalente

echivalente (3)
 Direcțiile echivalente se grupează în așa-numite
familii de direcții cristalografice
 Acestea se notează tot prin triplete de numere, dar
folosind paranteze ascuțite: <uvw>
Exemple:
<100> = [100], [100], [010], [010], [001], [001]
 familie de 6 direcții echivalente (datorită simetriei)
<110> = [110], [110], [110], [110], [011], [011], .... [101]
 familie de 12 direcții echivalente (datorită simetriei)
Observație: Oricare dintre direcțiile echivalente poate fi aleasă
ca „reprezentantă” a familiei

Caz particular: celula
elementară hexagonală (1)
 În sistemul hexagonal se utilizează
patru axe de coordonate, iar notația
direcțiilor cristalografice se face
folosind cuadruplete de numere
întregi (numite indici Miller-Bravais):
[uvtw]
 Etapele de determinare a
cuadrupletelor [uvtw] sunt
similare cu cele prezentate
pentru tripletele [uvw]

Caz particular: celula
elementară hexagonală (2)
a1 a2 a3 z
 Identificarea coord.: -1/2 1 -1/2 1
-1/2 -1/2 1 0
Diferența coordonatelor: 0 3/2 -3/2 1
Găsirea numerelor uvw: 0 3 -3 2
Indicii Miller-Bravais: [0332]
 Identificarea coord.: 1/2 1/2 -1 0
0 0 0 0
Diferența coordonatelor: 1/2 1/2 -1 0
Găsirea numerelor uvw: 1 1 -2 0
Indicii Miller-Bravais: [1120]

Unghiul între două direcții
cristalografice
 Unghiul între două direcții cu indicii [u1v1w1] și
[u2v2w2] poate fi calculat cu relația:
u1u 2  v1v 2  w1 w2
cos  
u2
1 
 v12  w12 u 22  v 22  w22 
Exemplu:
Considerând direcțiile [111] și [100], rezultă:
1 0  0 1  1 
cos       arccos 
1  1  11  0  0 3  3

Densitatea atomică liniară
 În funcție de structura bazei cristaline și de simetria
celulei elementare, densitatea atomică liniară (DAL)
(exprimată în nr. atomi/m) este diferită pentru diferite
direcții/familii de direcții cristalografice z
Exemplu:
Aluminiu (sist. cubic cu fețe centrate),
a = 0,405 nm [011]
DAL[110] = 2 atomi/(a2) = 3,5 nm-1

y
DAL[011] = DAL[110] x
[100]
DAL[100] = 1 atom/a = 2,47 nm-1

Plane cristalografice (1)
 Plan cristalografic = plan determinat de trei noduri
necoliniare ale rețelei cristaline (de regulă, punctele
de intersecție cu axele de coordonate)
 Se notează prin triplete de numere întregi h, k, l
(numite indici Miller), fără spații sau virgule, folosind
paranteze rotunde:
(hkl)
 Valorile negative ale indicilor hkl se marchează cu
bară deasupra
 Exemplu: dacă h < 0, k > 0 și l > 0, notația este [hkl]

Etapele de determinare a indicilor Miller:
1. Se identifică coordonatele punctelor de intersecție a planului
considerat cu axele sistemului de coordonate: (a1, 0, 0),
(0, b2, 0), (0, 0, c3)  a1, b2, c3
2. Se calculează valorile inverse (reciproce) ale coordonatelor
a1, b2, c3 determinate la punctul anterior  1/a1, 1/b2, 1/c3
3. Se găsesc cele mai mici numere întregi h, k, l care se află în
același raport cu valorile precedente
 1/a1 : 1/b2 : 1/c3  h : k : l
4. Numerele obținute se scriu între paranteze rotunde, fără
spații sau virgule:
(hkl)
 Exemplu: Determinarea indicilor Miller
pentru planele din fig. alăturată
x y z
 Intersecțiile cu axele: 1 1 
Valorile inverse: 1/1 1/1 1/
1 1 0
Găsirea numerelor hkl: 1 1 0
Indicii Miller: (110)
 Intersecțiile cu axele: 1/2  
Valorile inverse: 2/1 1/ 1/
2 0 0

 Exemplu: Determinarea indicilor Miller
pentru planele din fig. alăturată
x y z
 Intersecțiile cu axele: 1/2 1 3/4
Valorile inverse: 2/1 1/1 4/3
2 1 4/3
 Intersecțiile cu axele: 1/2 1 1/3
Valorile inverse: 2/1 1/1 3/1
2 1 3


Observații:
 Dacă un anumit plan este perpendicular pe una din
axe, indicele corespunzător acelei axe are valoarea 1
 Un plan dat și cel obținut prin multiplicarea indicilor
hkl cu o constantă sunt identice (= sunt paralele)
 Exemple: (010) = (020) = (030); (123) = (246)
 Un plan dat și cel complementar lui nu sunt identice
(= se găsesc în părți opuse față de origine)
 Exemple: (020)  (020); (121)  (121)

Observații:
 Indicii Miller hkl caracterizează o familie de plane
paralele cu planul pentru care se calculează indicii
 Planele din această familie trec prin noduri ale rețelei,
dar nu intersectează axele neapărat în noduri (adică
coordonatele de intersecție cu axele pot fi
fracționare)
 Direcția [uvw] este paralelă cu planul (hkl) dacă este
îndeplinită relația:
uh  vk  wl  0

Familii de plane cristalografice
echivalente
 Plane cristalografice echivalente = plane neparalele,
dar care corespund cu proprietăți fizice identice
 Există în virtutea proprietăților de simetrie ale
cristalului (în special la sistemul cubic)
 Acestea se notează tot prin triplete de numere,
dar folosind acolade:
{uvw}
Exemplu:
{100} = (100), (100), (010), (010), (001), (001)
 familie de 6 plane echivalente (datorită simetriei)

Densitatea atomică planară
 În funcție de structura bazei cristaline și de simetria
celulei elementare, densitatea atomică planară (DAP)
(exprimată în nr. atomi/m2) este diferită pentru diferite
plane/familii de plane cristalografice
celula unitate 2D
Exemplu: Fier (sist. cubic

cu volum centrat; T<912C),
R = 0,1241 nm, a = 0,2865 nm 2R
Poziția atomilor:
în plan
DAP(100) = 1 atom/a2 = 12,1 nm-2 deasupra
celula
DAP(111) = 1 atom/(16R23/3) unitate
2D
dedesubt
= 7 nm-2

Distanța dintre planele
cristalografice
 Distanța dhkl dintre două plane adiacente cu aceiași
indici Miller (hkl) este dată, în cazul general (sistem
triclinic) de relația:
1  cos 2   cos 2   cos 2   2 cos  cos  cos 
d hkl 
h2 k2 l2 2kl
2
sin   2 sin   2 sin 2  
2 2
cos  cos   cos    2hl cos  cos   cos    2hk cos  cos   cos  
a b c bc ac ab
iar în cazul particular al unei rețele cubice cu

constanta de rețea a se exprimă astfel: a
d hkl 
h2  k 2  l 2
 Distanța dhkl și densitatea atomică planară (DAP)

sunt mai mici pentru planele cu indici Miller mai mari

Materiale pentru
electronică Curs 9

Materiale pentru
electronică
(partea a IV-a)

Rețeaua inversă (1)
 Denumiri echivalente: rețea reciprocă sau conjugată
 Conceptul a fost introdus cu scopul de a descrie mai
ușor două proprietăți importante ale planelor
cristaline:
 direcțiile planelor (= direcțiile normalelor la plane)
 distanțele interplanare
 Are importanță deosebită în cadrul metodei de
determinare a structurii cristaline cu ajutorul razelor X
 Motivație: Figura de difracție a razelor X reprezintă o „hartă”
a rețelei reciproce, după cum imaginea la microscop a unui
cristal este o „hartă” a structurii fizice a acestuia
 Poate fi obținută din rețeaua directă (fizică, reală)
printr-o transformare a vectorilor fundamentali
 Obs. 1: Această transformare corespunde cu transformata
Fourier a rețelei directe
 Obs. 2: Prin aplicarea de două ori a acestei transformări se
revine la rețeaua directă (reală)
* * *
 Prin definiție, vectorii fundamentali a1 , a2 și a3 care
definescreţeaua
  inversă sunt legați de vectorii funda-
mentali a1 , a2 și a3 ai rețelei directe (fizice) astfel:
  *  2 pentru i  j
ai  a j   ; i, j  1, 2, 3
0 pentru i  j
 Pornind de la celula primitivă directă, celula primitivă
reciprocă se poate obține (luând aceeași origine ca și
în rețeaua directă) folosind următoarele relații:
   
* a2  a3 a2  a3
a1  2     2
a1 , a2 , a3  V0
   
* a3  a1 a3  a1
a2  2     2
a1 , a2 , a3  V0
   
* a1  a2 a1  a2
a3  2     2
a1 , a2 , a3  V0
 Volumul celulei primitive reciproce este: V * 
2 3
0
V0
 În baza relațiilor precedente, putem face următoarele
observații:
 Vectorii fundamentali ai rețelei reciproce sunt orientați
conform cu relațiile de mai jos:
*   *   *  
a1  a2 , a3 , a2  a3 , a1 , a3  a1 , a2 
adică sunt perpendiculari pe planele (100), (010), respectiv
(001) ale rețelei directe
 Aceștia au dimensiunea [m-1], spre deosebire de vectorii
fundamentali ai celulei directe care au dimensiunea [m]
 reţeaua directă este o reţea în spaţiul real, iar cea inversă
este o reţea în spaţiul Fourier (al vectorilor de undă)

Vectorul Miller (1)
 Un punct (= nod) al reţelei inverse *poate
* fi*
reprezentat cu ajutorul vectorilor a1 , a2 și a3 astfel:
 * * *
rmnp  ma1  na 2  pa3
unde m, n și p sunt numere întregi
 Dacă m, n și p sunt egale cu indicii Miller h, k și l ai
unui plan cristalografic al rețelei directe, atunci se
obține așa-numitul „vector Miller”:
 * * * *
G  rhkl  ha1  ka2  la3
 Obs.: Există o infinitate de vectori Miller, după cum există o
infinitate de familii de plane cristaline în rețeaua directă

Vectorul Miller (2)
 Vectorul Miller prezintă următoarele particularități:
 este perpendicular pe planul (hkl) al rețelei directe:

G  hkl 
 modulul său este invers proporțional cu distanța dhkl dintre
două plane din familia de plane paralele definite de indicii
Miller (hkl) considerați:
2
d hkl  
G
(vezi demonstrația pe pag. următoare)

Demonstrație (1)
 Planul (hkl) intersectează axele în punctele:
a1 a a
00, 0 2 0, 00 3
h k l
  
 Vectorii u , v și w se pot exprima
astfel:
     
 a1 a3  a2 a1  a3 a2
u   , v   , w 
h l k h l k
de unde rezultă ușor că:
     
u  G  0, v  G  0, w  G  0

adică G  hkl 

Demonstrație (2)
 Normala la planul (hkl) poate fi exprimată astfel:
  
n G/G
iar distanța interplanară dhkl
poate fi obținută ca distanța,
de-a lungul normalei n, dintre
planul (hkl) și origine,
 adică:
  
a  n a G
d hkl  3   
l l G


 * * *

a  ha1  ka2  la3

2 l 2
   
l G l G G
Vectorul Miller. Concluzie
 Fiecărui nod al rețelei inverse, determinat de
numerele m, n, p și de vectorul:
 * * *
rmnp  ma1  na 2  pa3
îi corespunde o familie de plane în  rețeaua directă
prin intermediul vectorului Miller G care satisface
relația:
 * * * * * *

rmnp  ma1  na 2  pa3  q ha1  ka 2  la3  qG 
unde q reprezintă c.m.m.d.c al numerelor m, n și p

Aplicație: difracția razelor X
pe planele cristaline (1)
 Datorită distanţelor mici dintre atomi (~10-10 m), o
rețea cristalină se comportă pentru razele X la fel ca
o reţea optică pentru radiaţiile luminoase  difracţie
 În figura alăturată se prezintă difracția razelor X pe
planele atomice
 Relația Bragg:
2d sin   q
unde q = 1, 2, 3 ...
este ordinul de
difracție
1 2
 Dacă q = 1 (ordinul întâi de difacție): sin  
 d
 Relația de mai sus ne permite să determinăm pe d
dacă cunoaștem pe  și direcția fasciculului incident,
indicată de vectorul de undă k , a cărui mărime | k | este
invers proporțională cu 
 2
k 


 Considerăm rețeaua reciprocă, construită din originea
rețelei directe (punctul O)
 Trasăm vectorul AO de mărime
(AO) = 2
 Trasăm sfera de rază (AO)
cu centrul în A (sfera Ewald)
 Cf. relației Bragg, putem spune
că se va forma un fascicul
reflectat dacă această sferă va
intersecta oricare alt nod al rețelei
reciproce

 Fie B alt punct de intersecție a sferei cu rețeaua reciprocă
 Vectorul OB corespunde cu un
vector Miller G
 Deoarece AE  OB, direcția AE
este paralelă cu planele atomice
ale rețelei directe pe care vectorul
Miller G este perpendicular

 Rezultă relația vectorială: k ' k  G
adică unda difractată diferă de cea
incidentă printr-un vector al
rețelei reciproce
 Din condiția de difracție elastică rezultă:
 2 2  2 2   2 2 1
k '  k  k  G  k  2k  G  G  0  sin  
 d
Mărimi cauză și mărimi efect
 Proprietățile macroscopice de material (U),
cuantizabile prin mărimi măsurabile fizic, definesc o
relație între o mărime cauză (A) și o mărime efect (B)

Tipuri de mărimi cauză și efect
 Atât mărimile cauză, cât și cele efect pot fi de
următoarele feluri:
 scalare (temperatura, densitatea, entropia, etc.)
 se notează: A
 vectoriale (intensitatea câmpului electric, intensitatea
câmpului magnetic, inducţia magnetică, polarizarea
electrică, etc.)
 se notează: A sau A
 tensoriale (tensiunea mecanică, deformaţia elastică, etc.)
 se notează: A sau A

Mărimi scalare
 Sunt mărimi de stare care sunt definite complet
printr-un singur număr (pozitiv sau negativ, după caz)
 Nu îşi schimbă valoarea (= sunt invariante) atunci
când se schimbă sistemul de referinţă (S  S')
S  S'  A = A'
 Excepție
Există și mărimi pseudoscalare, caracterizate prin
faptul că îşi pot schimba semnul atunci când se trece
de la un sistem dextrogir la un sistem levogir
S  S'  A = A' (după cum S și S' sunt de același tip (+)
sau de tip diferit (-))

Sisteme de referință
dextrogir și levogir (1)
 Există două feluri de sisteme de referință:
 dextrogir, caracterizat de relația:
  
i j k
 levogir, caracterizat  de relația:
 
i  j  k
  
unde i , j și k sunt versorii celor trei axe
 Schimbarea sist. de referință dintr-unul
dextrogir într-unul levogir sau invers cores-
punde cu inversarea sensurilor axelor:
(x, y, z)  (-x, -y, -z)
operație care se mai numește și
transformare de paritate

Sisteme de referință
dextrogir și levogir (2)
 Denumirile „dextrogir” și „levogir” provin
de la proprietatea unor materiale de a roti
direcția de polarizare a unei unde optice
polarizate liniar:
 fie în sens orar (= dextrogir),
 fie în sens trigonometric (= levogir),
din perspectiva observatorului către care

se propagă unda
 Această proprietate, numită activitate
optică, este prezentă doar la materialele
necentrosimetrice (= care nu au centru
de simetrie)

Mărimi vectoriale (1)
 Sunt mărimi fizice care sunt definite printr-un set de
3 mărimi scalare, reprezentând proiecţiile (compo-
nentele) vectorului respectiv (A1, A2, A3) pe cele trei
axe de coordonate
  (x,
 y, z) sau (x1, x2, x3):
A  A1i  A2 j  A3 k
 Se deosebesc două tipuri de vectori:
 vectori polari (sau vectori adevărați), ale căror componente
sunt exprimate prin scalari
Ex.: intensitatea câmpului electric, inducţia electrică, etc.
 vectori axiali (sau pseudovectori), ale căror componente
sunt exprimate prin pseudoscalari
Ex.: intens. câmpului magnetic, inducţia magnetică, etc.

 Reprezentarea matriceală a vectorilor:
 A1 
   
A  A1 A2 A3  sau A  A2
 
 A3 
 Schimbarea sistemului de referință din S(x1, x2, x3)
în S'(x'1, x'2, x'3) se scrie matriceal astfel:
 
A  c A
unde [c] reprezintă matricea de transformare a unui
sistem de referință în altul

 Elementele matricei de transformare sunt așa-numiții
cosinuși directori:
 c11 c12 c13   cos 11 cos 12 cos 13 
c  c21 c22 c23   cos  21 cos  22 cos  23 
c31 c32 c33  cos  31 cos  32 cos  33 
 
unde  ij   xi , xj , i, j  1, 2, 3
 Componentele vectorului A în noul sistem de
referință se exprimă, în general, astfel:
3
Ai   cij A j , i  1, 2, 3
j 1
 În cazul vectorilor polari (cu componente scalare):
3
Ai   cij A j , i  1, 2, 3
j 1
 În cazul vectorilor axiali (pseudovectori, cu
componente pseudoscalare):
3
Ai    cij A j , i  1, 2, 3
j 1
după cum sistemele de referință S și S’ sunt de
același tip (+) sau de tip diferit (-)

Mărimi tensoriale (1)
 Sunt mărimi fizice care sunt definite de un tablou
(matrice) de mărimi scalare:
 A11 A12 A13 
 
A   A21 A22 A23  (exemplu de tensor
de ordinul 2)
 A31 A32 A33 
 Se deosebesc două tipuri de tensori:
 tensori polari (sau tensori adevărați), ale căror componente
sunt exprimate prin scalari
 tensori axiali (sau pseudotensori), ale căror componente
sunt exprimate prin pseudoscalari
 Uzual, există tensori:
 de ordinul 2 (cu 32 = 9 componente - vezi exemplul
precedent)
 de ordinul 3 (cu 33 = 27 de componente)
 de ordinul 4 (cu 34 = 81 de componente)
 Mărimile scalare și vectoriale sunt cazuri particulare
de tensori:
 mărimile scalare  tensori de ordinul 0
 mărimile vectoriale  tensori de ordinul 1

 Un tensor se numește simetric dacă Aij  A ji ,
respectiv antisimetric dacă Aij   A ji , i, j  1, 2, 3
 Orice tensor poate fi exprimat ca o sumă între un
tensor simetric și unul antisimetric:
 s a
A A A
s a
unde A și A sunt definiți în baza relațiilor:
Aij  A ji Aij  A ji
Aijs  , Aija  , i, j  1, 2, 3
2 2

 La schimbarea sistemului de referință, componentele
unui tensor de ordinul 2 se modifică conform relației:
3 3
Aij    cik c jl Akl , i, j  1, 2, 3
k 1 l 1
unde semnele (+) sau (-) se referă la situația pseudo-
tensorilor (ale căror componentele sunt pseudosca-
lari), fiind valabilă aceeași observație ca în cazul
pseudovectorilor

Descrierea matematică a
proprietăților de material
 Din punct de vedere matematic, o proprietate de
material poate fi descrisă, în general, cu ajutorul unui
tensor (de ordin 0 până la 4)
 Relația dintre mărimea cauză (A) și mărimea efect
(B) este presupusă a fi liniară  componentele
scalare ale tensorului asociat proprietății de material
sunt independente de valoarea mărimii cauză (A)
 În funcție de natura mărimilor cauză și efect, pot
exista mai multe tipuri de relații între mărimile A, B
și U
Tipuri de relații între mărimile
cauză și efect (1)
(1) Mărimile A și B sunt mărimi scalare, iar proprietatea
de material U este descrisă tot de un scalar:
B U  A
Exemplu:
A  T (temperatura)
B  E (energia)
U  S (entropia)

(2) Mărimea A este scalară, mărimea B este un vector,
iar proprietatea de material U este descrisă de un
vector:
 
B U  A Bi  U i  A , i  1, 2, 3
Exemplu: efectul piroelectric

A  T (temperatura)
 
B  D (inducția câmpului electric)
 
U   (coeficienții piroelectrici)

(3) Mărimile A și B sunt vectori, iar proprietatea de
material U este descrisă de un tensor de ordinul 2:
    3 
B U  A  Bi   U ij  A j , i  1, 2, 3 
 
 j  1 
Exemplu: legea polarizației electrice
 
A  E (intensitatea câmpului electric)
 
B  D (inducția câmpului electric)
 
U   (permitivitatea dielectrică absolută)

(4) Mărimea A este vector, mărimea B este un tensor
de ordinul 2 (sau invers), iar proprietatea de
material U este descrisă de un tensor de ordinul 3:
       3 
B U  A sau B  U  A  Bij   U ijk  Ak 
 j 1 
Exemplu: efectul piezoelectric invers  
 
A  E (intensitatea câmpului electric)  i, j  1, 2, 3 
 
B  S (deformarea specifică)
 
U  d t (coeficienții piezoelectrici)

(5) Mărimile A și B sunt tensori de ordinul 2, iar
proprietatea de material U este descrisă de un
tensor de ordinul 4:
    3 3 
B U  A  Bij   U ijkl  Akl 
 k 1 l 1 
Exemplu: legea lui Hooke  i, j  1, 2, 3 
 
A  T (tensiunea mecanică)
 
 
B  S (deformarea specifică)
 E
U  s (coeficienții de elasticitate)

Materiale pentru
electronică Curs 10

Materiale pentru
electronică
(partea a V-a)

Grupurile punctuale de
simetrie infinite (Curie) (1)
 Diferitele mărimi fizice pot prezenta anumite
simetrii limită:
 Poligon regulat cu n laturi   cerc
n 
 Rotație cu  = 2/n   rotație cu unghi   0
n 
pentru obținerea unei figuri identice
 axe de simetrie de ordin 
 Există 7 grupuri punctuale de simetrie limită
(toate având comună o axă de rotație de ordin )
 definite de Pierre Curie la sfârșitul sec. al XIX
- lea
 Sunt importante deoarece toate celelalte grupuri
punctuale de simetrie sunt subgrupuri ale acestora
(1)  - simetria conului rotitor
(2) m - simetria conului imobil (+ o  de plane de oglindire ce
conțin axa de rotație)
(3) /m - simetria cilindrului rotitor (+ un plan de oglindire  pe axa
de rotație)
(4) 2 - simetria cilindrului răsucit (+ o  de axe de ordin 2  pe axa
de rotație)
(5) /mm - simetria cilindrului imobil (+ un plan de oglindire  pe
axa de rotație și o  de plane de oglindire ce conțin axa de
rotație)
(6) / - simetria sferei chirale (fără plane de oglindire) (+ o  de
axe de ordin   pe axa de rotație)
(7) /m - simetria sferei (+ o  de axe de ordin   pe axa de
rotație și o  de plane de oglindire ce conțin aceste axe)

(1) (2)
(3) (4) (5)
(6) (7)
Adaptată după: https://www.intechopen.com/books/recent-advances-in-

crystallography/histories-of-crystallography-by-shafranovskii-and-schuh

Încadrarea tipurilor de mărimi
fizice în grupurile Curie
 Simetria scalarilor și pseudoscalarilor
  (6) / și (7) /m
 Simetria vectorilor axiali

  (3) /m, (4) 2 și (5) /mm
 Simetria vectorilor polari

  (1)  și (2) m

Influența simetriei cristaline
asupra proprietăților de material (1)
 În materialele cristaline, gradul concret de simetrie a
diferitelor mărimi fizice este mult mai mic decât cel
corespunzător unuia din grupurile Curie
 Acest lucru se explică prin faptul că în simetria
mărimilor efect intervin elementele de simetrie
caracteristice materialului (= simetria cristalină)

 Principiu general, formulat de Pierre Curie la sfârşitul
secolului al XIX-lea (parafrazat):
„Când anumite principii provoacă anumite consecinţe,
atunci aceste consecințe conțin toate elementele de
simetrie ale cauzelor.”
 Formulare echivalentă (parafrazată):
„Dacă într-un anume fenomen se constată anumite
disimetrii (= lipsa unei simetrii), atunci în mod obligatoriu
aceste disimetrii se regăsesc în cauze.”

 Proprietățile fizice de material sunt descrise de
tensori
 Pentru materiale de natură fizică diferită, dar
prezentând aceeași simetrie cristalină, o aceeași
proprietate fizică prezintă aceleași proprietăți de
simetrie
 tensorii asociați vor avea aceeași formă

 Elementele de simetrie ale cristalului determină:
 configuraţiile concrete ale coeficienților tensorilor ce
definesc proprietățile de material
 implicit, și simetria oricăror proprietăți fizice ale materialului
 Datorită elementelor de simetrie proprii structurii
cristaline a materialului:
 unii dintre coeficienții tensorilor se anulează
 între ceilalți coeficienți se stabilesc anumite relaţii de
legătură

Invarianța proprietăţilor de
material la operații de simetrie (1)
 Considerăm un cristal fix în spaţiu, caracterizat
printr-un set de elemente de simetrie proprii, având
anumite proprietăţi fizice descrise într-un sistem de
coordonate S
 La schimbarea sistemului de coordonate (din S în
S', S", ... ) prin operaţii de simetrie proprii cristalului,
proprietăţile fizice măsurate nu se modifică
 Altfel spus, proprietăţile cristalului vor fi invariante ca
direcţie, mărime şi sens la operaţiile de simetrie ce
aparţin grupului din care cristalul face parte
(consecință a principiului lui Neumann)
Invarianța proprietăţilor de
material la operații de simetrie (2)
 Dacă proprietatea de material acceptă o transformare de
simetrie, atunci prin trecerea de la sistemul de referință
S(x1, x2, x3) la sistemul S'(x'1, x'2, x'3) ce corespunde
operației de simetrie considerate, componentele
tensorului asociat nu se modifică
 proprietatea rămâne invariantă
 Echivalent: dacă matricea de transformare [c] aferentă
schimbării sistemului de referință corespunde unei
transformări de simetrie
 tensorul rămâne invariant la această transformare:
3 3
U ij  U ij   cik c jlU kl , i, j  1, 2, 3
k 1 l 1
Matricea de transformare.
Exemplul 1
 Pentru o axă de rotație de ordin n, cu direcția
precizată (de exemplu, paralelă cu axa x1):
 
1 0 0  x'1
 2 2 
c  A ||x
n  0 cos  sin  x'2
1
 n n 
2 0 sin 2 cos
2 
x'3

n  n n 
x1 x2 x3
matricea de transformare

Exemplul 2
 Pentru un plan de oglindire (de exemplu,  pe x1):
  1 0 0
c  m x1   0 1 0
 0 0 1

Exemplul 3
 Pentru un centru de inversie (= originea sistemului de
referință):
 1 0 0 
c  c.inv.  0  1 0 
 0 0  1

Temă
a) Să se determine expresia matricei de transformare
[c] corespunzătoare unei axe de rotoinversie de
ordin 3, paralelă cu axa x1
b) Să se determine expresia matricei de transformare

[c] corespunzătoare unei axe simple de rotație de
ordin 4, paralelă cu axa x3

Determinarea configurației
tensorilor
 Principiile ce stau la baza determinării formei exacte
a tensorilor ce descriu proprietățile de material au
fost definite de Neumann și generalizate de Curie
 Principiul lui Neumann:
„Grupul simetriilor punctuale ale unui material este în
mod obligatoriu un subgrup al simetriei oricărei proprietăți
fizice a materialului”
 Acest principiu conduce la anumite restricții privind
configurația tensorului (= relații între componentele
sale sau anulări ale unora din acestea)

Metoda de determinare a
elementelor unui tensor (1)
 Vom descrie în continuare, pe pași, metoda generală
de determinare a elementelor unui tensor, exemplifi-
când fiecare etapă pentru un caz particular de tensor,
descris mai jos
Exemplificare
Considerăm un tensor de ordinul 2 care descrie o proprietate de
material (de exemplu, permitivitatea dielectrică) a unui cristal ce face
parte din clasa de simetrie 2/m (sistemul monoclinic)

1) În primul rând, se identifică toate elementele de
simetrie proprii clasei de simetrie din care face parte
cristalul
Exemplificare pt. cazul particular considerat

Cristalul face parte din clasa de simetrie 2/m (sistemul monoclinic).
Avem, așadar, următoarele elemente de simetrie:
#1) o axă de simetrie de ordinul 2, paralelă cu axa x2
#2) un plan de oglindire  pe axa de simetrie, adică pe axa x2

2) Se determină matricea de transformare [c] corespun-
zătoare fiecărui element de simetrie în parte

 1 0 0 
#1) axă de ordinul 2 || x2 : c 
(1)
  0 1 0 
 0 0  1
1 0 0 
#2) plan de oglindire  x2 : c ( 2)    0  1 0
0 0 1

3) În raport cu fiecare transformare de simetrie în parte
(cf. matricelor [c] determinate anterior), se scrie
condiția de invarianță a tensorului (de ordin M):
3 3
U i... j  U i... j   ...  cik  ...  c jl  U k
...l
 
1
k l 1
  
M indici M indici
   M coeficienti
M indici
M sume

3 3
#1) axă de ordin 2 || x2 : U ij  U ij   cik(1) c (jl1)U kl  cii(1) c (jj1)U ij , i, j  1, 2, 3
k 1 l 1
(1) (1) (1)
c11  c33  1 ; c22  1 ; cij(1,)i  j  0

4) Din condița de invarianță vor rezulta 3M relații de
legătură între elementele tensorului Ui...j din care,
determinând elementele independente și nenule,
se ajunge la o configurație simplificată a tensorului

#1) cii(1) c (jj1)U ij  U ij , i, j  1, 2, 3
U11 0 U13 
cii(1) c (jj1)  1  U ij  0   
(1) (1) (1)   U12  U 21  U 23  U 32  0  U   0 U 22 0 
c11  c33  1; c22  1
U 31 0 U 33 

5) Se repetă pașii 3) și 4) pentru toate transformările
de simetrie
Notă: Cu cât tensorul este de ordin mai mic, cu atât este mai probabil
ca transformările ulterioare să lase tensorul neschimbat

3 3
#2) plan oglindire  x2 : U ij  U ij   cik( 2) c (jl2)U kl  cii( 2) c (jj2)U ij , i, j  1, 2, 3
k 1 l 1
cii( 2) c (jj2)  1  U ij  0 
( 2) ( 2) ( 2)   U12  U 21  U 23  U 32  0
c11  c33  1 ; c22  1
 nu rezultă restricții suplimentare asupra elementelor tensorului

Descrierea proprietăților de
material
 Proprietățile de material se pot clasifica după gradul
tensorului asociat:
 proprietăți de ordin 0 (descrise de scalari)
 proprietăți de ordin 1 (descrise de vectori)
 proprietăți de ordin 2 (descrise de tensori de ordin 2)
 În cazul proprietăților de ordin 0, simetria cristalină a
materialului nu impune niciun fel de restricție
(= comportament izotrop)

Particularități ale proprietăților
de material de ordin 1 (1)
 Materialele cristaline centrosimetrice (= care prezintă
centru de inversie) nu pot avea proprietăți de
material de ordin 1
Demonstrație
 Matricea de transformare  1 0 0 
pentru operația de inversie este: c c.inv.  0  1 0 
 0 0  1
 Din condiția de invarianță 3
la operația de inversie rezultă: U i  U i   cijU j  ciiU i  U i , i  1, 2, 3
j 1

 U i  0, i  1, 2, 3
Relația nu poate fi îndeplinită decât dacă:
adică toate componentele vectorului U sunt nule

 Dacă cristalul prezintă un plan de oglindire, atunci
nu există efect după direcția perpendiculară pe acest
plan
Demonstrație
 Matricea de transformare pentru operația 1 0 0 
de oglindire este (presupunem planul  x2): c  m x  0  1 0 2
0 0 1
 Ținând cont de valorile cosinușilor directori, din condiția de invarianță
la operația de oglindire rezultă:
3
i  2 : U 2  U 2 ,
U i  U i   cijU j  ciiU i , i  1, 2, 3  U 2  U2  0
j 1 
adică componenta după x2 a vectorului U este nulă
 O axă de simetrie de ordin n permite unui cristal să
aibă proprietăți de ordin 1 numai de-a lungul acesteia
Demonstrație  
 Prespunem că axa de rotație 1 0 0 
 2 2 
de ordin n este || x1. Matricea de c A || x n  0 cos  sin 
transformare corespunzătoare este:
1
 n n 
0 sin 2 cos
2 
 Din condiția de invarianță la operația de rotire  n n 
cu unghiul  = 2/n rezultă:
U1  U1   c1 jU j  c11U1  c12U 2  c13U 3  U1
U 2  U 2   c2 jU j  c21U1  c22U 2  c23U 3  cos   U 2  sin   U 3 
  U 2  U3  0
U 3  U 3   c3 jU j  c31U1  c32U 2  c33U 3  sin   U 2 cos   U 3 

adică singura componentă nenulă a vectorului U este cea după axa x1
 Existența unei axe de simetrie de ordinul 2 paralelă
cu una dintre axele de coordonate face ca elemen-
tele tensoriale care conțin această axă să fie nule
U11 0 0 
 Exemplu: U A2 || x
1
  0 U 22 U 23 
 0 U 32 U 33 
 Notă:
Pentru demonstrație, a se revedea cazul particular discutat la
prezentarea metodei de determinare a elementelor unui tensor

 Dacă mai există și o a doua axă de simetrie de
ordinul 2, perpendiculară pe prima și paralelă cu o
altă axă de coordonate tensorul va avea formă
diagonală
U11 0 0 
 Exemplu: U A2 || x1 , A2 || x2   0 U 22 0 
 0 0 U 33 
 Observație
Două axe de simetrie de ordin 2 ortogonale „generează”
automat o a treia axă, ortogonală pe ambele
 clasa de simetrie 222 (sistemul ortorombic)

 Existența unei axe de simetrie de ordinul 3 paralelă
cu una dintre axe face ca elementele non-diagonale
ale tensorului să fie nule, iar elementele diagonale
care nu conțin această axă să fie egale
U11 0 0 
 Exemplu: U A3 || x1   0 U 22 0 
 0 0 U 22 
 Observație
În acest caz particular, materialul are
 un comportament
transversal izotrop
 (= dacă
 vectorul
 A se
 găsește
 în planul 
pe axă, atunci: B  U  A  U 22  A  B || A )

 Pentru proprietățile de ordinul 2, sistemul cubic este
izotrop:
U11 0 0 
U sist .cubic   0 U11 0 
 0 0 U11 
      
B  U  A  U11  A , A  A || B

 Materialele cristaline centrosimetrice nu pot avea
proprietăți de material de ordinul 3
Demonstrație
 Matricea de transformare  1 0 0
 0 
pentru operația de inversie este: c  c.inv.  0  1
 0 0  1
 Din condiția de invarianță la operația de inversie rezultă:
3 3 3
    cil c jm cknU lmn  cii c jj ckkU ijk  U ijk , i, j , k  1, 2, 3
U ijk  U ijk
l 1 m 1 n 1
 Condiția nu poate fi îndeplinită decât dacă: U ijk  0, i, j , k  1, 2, 3

adică toate componentele tensorului U sunt nule

 Consecință
Materialele cristaline centrosimetrice nu prezintă
efect piezoelectric

de material de ordin 4
 Nu există materiale care să se comporte izotrop
d.p.d.v. al proprietăților de ordin 4

Simplificarea tensorilor datorită
simetriei proprietăților fizice
 Din cele 3M elemente ale unui tensor, numărul celor
independente este mult mai mic, din două motive:
 simetria cristalină (v. principiul lui Neumann)
 simetria intrinsecă a proprietăților fizice
 În cazul simetriei intrinseci a proprietăților fizice, două
sunt mecanismele prin care se reduce nr. de elem.:
1) Datorită felului în care sunt definite anumite proprietăți
fizice, tensorul asociat acestora este simetric
2) În cazul tensorilor care descriu proprietăți de echilibru
termodinamic, aceste condiții de echilibru termodinamic
impun egalități între diferite elemente ale tensorului
Materiale pentru

Materiale pentru
electronică
Aplicații – Exemple de
probleme și exerciții pentru
examenul parțial

Exerciții și probleme
1) Fără a folosi numărul atomic, dar ținând cont de principiul Aufbau de
umplere a straturilor electronice, determinați pentru fiecare dintre
următoarele configurații electronice de mai jos dacă este vorba de un gaz
inert, un halogen, un metal alcalin, un metal alcalin pământos sau un
metal de tranziție. Justificați fiecare răspuns.
(a) 1s22s22p63s23p63d74s2
(b) 1s22s22p63s23p6
(c) 1s22s22p5
(d) 1s22s22p63s23p64s2
(e) 1s22s22p63s2
(f) 1s22s22p63s23p63d24s2
(g) 1s22s22p63s23p64s1
(h) 1s22s22p63s23p63d104s2

2) Folosindu-vă de tabelul periodic, specificați configurațiile electronice
pentru următorii ioni:
(a) Fe2+
(b) Al3+
(c) Cu+
(d) Ba2+
(e) Br–
(f) O2–
3) Calculați forța de atracție dintre un ion K+ și unul O2– dacă distanța dintre
centrele acestora este de 1,5 nm.
Se cunosc: - sarcina electronului: q = 1,6·10-16 C
- permitivitatea vidului: 0 = 8,85·10-12 F/m

4) Energia potențială U corespunzătoare unei legături ionice între doi ioni
adiacenți de K+ și Cl– este dată de relația generală:
A B
U r   U r r   U a r   
rn rm
în care Ur și Ua reprezintă energiile potențiale corespunzătoare forțelor
de respingere, respectiv atracție, exercitate între cei doi ioni. Se cere:
(a) Ținând cont că este vorba de o legătură ionică, să se determine valorile
constantelor B și m.
(b) Știind că n = 9, iar relația numerică dintre constantele A și B este A = 4·B·10-6
(distanța r fiind exprimată în nanometri), să se calculeze valoarea energiei de
coeziune UC, exprimându-se rezultatul în eV.
(c) Să se calculeze distanța r0 dintre cei doi ioni la echilibru.
Se cunosc: - sarcina electronului: q = 1,6·10-16 C
- permitivitatea vidului: 0 = 8,85·10-12 F/m
5) Care dintre celulele cristaline prezentate în figura alăturată sunt celule
primitive?
6) Să se calculeze volumul celulei primitive pentru fosforul violet care

cristalizează în sistemul monoclinic.
Se cunoaște metrica rețelei cristaline: a = 0,921 nm, b = 0,913 nm,
c = 2,189 nm și β = 97,78.

7) Pentru celula elementară a sistemului trigonal
(romboedric) prezentată în figura alăturată
se cunosc: h = 3a; a = 0,5 nm. Să se calculeze
volumul celulei primitive.
8) În figura alăturată este prezentată o celulă
elementară a unui metal ipotetic.
(a) Celula elementară prezentată este și primitivă?
(b) Cărui sistem cristalin aparține această celulă
elementară?
(c) Care este denumirea completă a acestui tip de
structură cristalină?
(d) Calculați densitatea nodurilor rețelei în celula
elementară considerată.

9) Să se calculeze factorul de împachetare atomică (APF) pentru celula
elementară considerată la problema 8.
10) Rețeaua cristalină bidimensională prezentată în figura alăturată admite o
axă de simetrie de ordinul 4?
11) Exprimați în cuvinte elementele de simetrie care sunt codificate prin

notația internațională 6/mm corespunzătoare grupurilor plan-axiale de
simetrie.
12) Câte grupuri de simetrie punctuală (din totalul de 32 de grupuri) sunt
posibile pentru cristalele din sistemul monoclinic?
13) a) Determinați indicii direcțiilor cristalografice marcate A, B, C și D în
celula cubică alăturată.
b) Calculați unghiul dintre direcțiile A și D.
14) Pentru cristalele din sistemul tetragonal, enumerați direcțiile

cristalografice care sunt echivalente cu fiecare din direcțiile de mai jos:
(a) [001] (b) [110] (c) [010]

15) Determinați indicii Miller ai planelor cristalografice marcate A și B în
figura alăturată.
16) În cadrul fiecărui set de plane cristalografice indicate mai jos la fiecare
punct, indicați care plane sunt echivalente pentru un cristal din sistemul
tetragonal:
(a) (1 00), (010) și (0 01) (b) (110), (101), ( 0 11) și (110) (c) (111), (111), (111) și (111)

17) Ce semnificație are notația <110> pentru un cristal?
(a) Reprezintă o familie de plane cristalografice echivalente.
(b) Reprezintă o familie de direcții cristalografice echivalente.
18) Calculați distanța dintre planele cristalografice (100) și densitatea

atomică planară (DAP) pentru aceste plane în cazul aluminiului (sistem
cristalin cubic cu fețe centrate, a = 0,1431 nm).
19) Să se scrie matricea de transformare [c] a sistemului de referință

corespunzătoare unei axe de simetrie 6 (axă de rotație de ordinul 6 cu
inversie) paralelă cu axa z, rotația efectuându-se în sens trigonometric
relativ la direcția axei z.

20) Considerăm tensorul permitivitate (de ordin 2) ce descrie polarizarea
electrică a unui material. Folosind metoda invarianței tensorului la
operațiile de simetrie proprii materialului și tinând cont de faptul că,
datorită simetriei intrinseci a efectului de polarizare electrică, tensorul
permitivitate este un tensor simetric, să se deducă configurația
elementelor acestui tensor în cazul cristalelor din clasa de simetrie 4 2m
(sistemul tetragonal)?

Materiale pentru

Materiale pentru
electronică
Capitolul 3 – Proprietățile
conductoare
ale materialelor
(partea I-a)

Scurt istoric
~600 î.H. Thales din Milet: o bucată de chihlimbar frecată cu o bucată
de pânză poate atrage pene și alte particule ușoare
~1700 Stephen Grey: există substanțe care conduc electricitatea și
altele care nu
1733 Charles DuFay: există două tipuri de electricitate, în funcție
de materialul care este frecat: electricitatea sticlei și
electricitatea chihlimbarului
1897 J. J. Thomson descoperă electronul
1900 Paul Drude propune primul model al conducției electrice
 modelul Drude (teoria clasică)
1905 Hendrik Lorentz extinde m. Drude  modelul Drude-Lorentz
1933 Arnold Sommerfeld completează m. Drude cu rezultatele din
teoria cuantică  modelul Drude-Sommerfeld

Conducția electrică (1)
 Înțelegerea fenomenului conducției electrice și a
modului în care are loc transferul sarcinilor electrice
în materiale este esențială pentru alegerea sau dez-
voltarea materialelor cu aplicații în realizarea de
dispozitive electronice diverse
 Conductivitatea electrică () = una dintre cele mai
importante proprietăți ale unui material:
 descrie cantitativ capabilitatea materialului de a conduce
un curent electric
 se măsoară în S/m (Siemens pe metru); 1 Siemens = 1 -1

 Clasificarea materialelor după conductivitate (la tem-
peratura ambiantă):
 conductoare (metale):  = 105...107 S/m
 semiconductoare:  = 10-5...105 S/m
 izolatoare (dielectrici):  = 10-18...10-5 S/m
 Sunt acoperite aprox. 25 de ordine de mărime
SiO2
Porțelan
Lemn uscat
Cauciuc Si dopat
Cuarț Sticlă
Izolatoare Semiconductoare Metale

 La metale și aliajelor lor este de tip unipolar
= prin deplasarea electronilor (în special a electro-
nilor de valență)
 La semiconductoare este de tip bipolar
= prin deplasarea atât a electronilor, cât și a golurilor
 Există două teorii ce descriu mișcarea electronilor
într- un material sub acțiunea unui câmp electric:
 teoria clasică (modelul Drude, cu varianta îmbunătățită
Drude-Lorentz)
 teoria cuantică (modelul Drude-Sommerfeld)

Legea lui Ohm (1)
 Înainte de descrierea teoriilor deplasării electronilor
 recapitularea unei legi fundamentale legată de
conducția electrică: legea lui Ohm V
I
 Legea lui Ohm = lege empirică
(dedusă experimental)
 Forma clasică (integrală): V  R  I
unde: V [V] = tensiunea (dif. de potențial) aplicată materialului
R [] = rezistența electrică a probei de material
I [A] = intensitatea curentului electric rezultat
 În principiu, rezistența R este constantă (nu depinde
direct de curent), dar variază cu temperatura
Legea lui Ohm (2)
 Forma locală (sau vectorială): J    E
leagă densitatea de curent J (= curentul raportat la
secțiunea transversală a probei de material, A):
J  I A A / m2  
de intensitatea câmpului electric în interiorul probei
de material de lungime L, rezultat ca urmare a
V
aplicării diferenței de potențial V: I
E  V L V / m
prin conductivitatea  [S/m]
 În general, J și E sunt vectori   = tensor de ord. 2
Legea lui Ohm (3)
 Combinând formele clasică și locală ale legii lui Ohm
și ținând cont și de expresiile densității de curent J și
a intensității câmpului electric E, rezultă binecunos-
cuta relație de definiție a rezistenței electrice în
funcție de dimensiunile probei de material:
V EL EL L
R    R
I J A  EA A
unde  = 1/ [m] este rezistivitatea materialului
(mărime de material)
 În general, rezistivitatea  este tot un tensor de ord. 2

Rezumatul teoriilor ce descriu
deplasarea electronilor
 Dualismul undă-corpuscul (Louis de Broglie):
 electronii pot fi tratați fie ca particule, fie ca unde
 În consecință, există două metode de descriere a
fenomenului de conducție și a rezistenței pe care o
opune un material deplasării electronilor (= rezistența
electrică):
 metoda ce consideră electronii ca fiind particule
(teoria clasică)
 metoda ce consideră electronii ca fiind unde
(teoria cuantică)

Teoria clasică
(electroni = particule)
 Descrie rezistența electrică prin intermediul
coliziunilor electronilor cu atomii rețelei cristaline, cu
atomii impuritate și cu imperfecțiunile rețelei
 Cu cât au loc mai multe coliziuni, cu atât rezistența este mai
mare
 Explică d.p.d.v. calitativ creșterea rezistenței odată
cu creșterea densității imperfecțiunilor cristaline
(impurități, defecte, vacanțe atomice, atomi interstițiali)
 Explică creșterea rezistenței odată cu creșterea
temperaturii
 crește energia de vibrație a atomilor rețelei
 crește probabilitatea de coliziune cu electronii în deplasare
Teoria cuantică
(electroni = unde) (1)
 Electronii (= unde) sunt împrăștiați de atomii rețelei
 Împrăștiere = disiparea radiațiilor pe particule mici în
toate direcțiile.
 Atomii absorb energia unei unde incidente (= electron)
și astfel oscilează
 La rândul lor, aceste oscilatoare re-emit energia sub
formă de unde sferice
 Dacă doi sau mai mulți atomi sunt implicați, relația de
fază dintre aceste unde re-emise trebuie luate în
considerare

Teoria cuantică
 Dacă structura atomică este periodică:
 undele ce se propagă înainte sunt în fază, deci
interferează constructiv
 Acest mecanism se numește împrăștiere coerentă
 Consecințe:
 O undă care se propagă printr-un cristal ideal (având atomii
aranjați periodic) nu suferă nicio schimbare de intensitate
sau direcție
 Cu alte cuvinte, unda de electroni trece fără piedici printr-un
cristal ideal, suferind doar o modificare a vitezei

Teoria cuantică
 Dacă structura atomică nu este periodică (datorită
impurităților, defectelor, vacanțelor atomice, atomilor
interstițiali, vibrațiilor termice ale atomilor etc.):
 undele ce se propagă înainte nu sunt corelate
d.p.d.v. al fazei
 Situația corespunde cu o împrăștiere necoerentă
 Consecințe:
 Energia undelor (=electronilor) împrăștiate incoerent este
mai mică după direcția înainte  undele pierd energie
 Această pierdere de energie explică calitativ rezistența
electrică

Modelul Drude al conducției
electrice (1)
 Se bazează pe următoarele presupuneri:
1) Interacţiunile dintre electroni sunt instantanee şi elastice
2) Interacţiunile de alt tip decât elastic dintre electroni (inclusiv
cele coulombiene de repulsie), precum şi cele dintre
electroni şi ionii rețelei, sunt neglijate
3) Electronii sunt particule ce pot fi descrise în baza statisticii
Maxwell-Boltzmann  „gaz ideal” sau „plasmă” de electroni
4) Timpul mediu dintre două ciocniri ale electronului nu
depinde de poziţia şi viteza electronului
 Extins de Lorentz prin considerarea interacţiei dintre
electronii liberi şi cei legaţi  m. Drude-Lorentz

electrice (2)
 Presupunem un metal monovalent (de exemplu, Na)
 fiecare atom contribuie la plasma de electroni cu
câte un electron
 Numărul de atomi pe cm3:
N a  N A / M
unde NA este numărul lui Avogadro,  densitatea și
M masa atomică a elementului
 Rezultă aproximativ 1022...1023 atomi/cm3, adică
1022...1023 electroni liberi/cm3 (pentru un metal
monovalent)

electrice (3)
 Electronii se mișcă aleator (în toate direcțiile posibile) astfel
încât în absența unui câmp electric vitezele lor individuale se
compensează reciproc, iar viteza netă este nulă
 Situația se schimbă atunci când
se aplică un câmp electric: electronii v1
sunt accelerați către anod cu o forță: v4 v3 v
Fe  qE v2
rezultând o mișcare netă a electronilor
ce poate fi exprimată astfel (legea lui Newton):
dv
m  qE
dt
unde q și m sunt sarcina, respectiv masa electronului

electrice (4)
 Implicații ale ecuației precedente:
 atâta timp cât persistă un câmp electric, electronii
sunt în mod constant accelerați
 după ce câmpul a fost înlăturat, electronii continuă
să se deplaseze cu viteză constantă prin cristal
 Acest comportament nu se verifică în general, cu
excepția câtorva materiale și la temperaturi extrem
de scăzute (în regim de supraconductibilitate)
 Modelul electronilor liberi are nevoie, așadar, de o
ajustare pentru a ține cont de rezistența electrică
 coliziuni cu atomii rețelei
electrice (5)
 Cf. acestui model,
electronii sunt accelerați
de câmpul electric până
când survine o coliziune
 În acest moment, electronul a dobândit o anumită
viteză de deplasare instantanee pe care o poate
pierde, total sau parțial, ca urmare a coliziunii
 Echivalent, mișcarea electronilor poate fi descrisă ca
fiind contracarată de o forță de „frecare” Ff = v
(unde  este o constantă, iar v este viteza netă),
care se opune forței electrostatice Fe = qE
electrice (6)
 Ecuația de mișcare a electronilor poate fi rescrisă, în
acest caz, astfel: v
dv
m   v  qE vd
dt
 Deoarece forța de frecare
depinde de viteza netă a
0
electronilor, această viteză t
va crește până la o valoare finală vd, corespunză-
toare echilibrului dintre cele două forțe (Fe = Ff)
 În acest caz, mișcarea electronilor este echivalentă
cu mișcarea într-un mediu vâscos
electrice (7)
 În baza condiției de regim staționar:
v  vd  const.  dv dt  0
ecuația de mișcare a electronilor se reduce la
condiția de echilibru a forțelor:
 vd  qE
de unde rezultă:
qE

vd

electrice (8)
 Folosind rezultatul precedent, obținem ecuația
completă de mișcare a electronilor:
dv qE
m  v  qE
dt vd
a cărei soluție este:
  qE    t 
v  vd 1  exp  
t   vd 1  exp  
  mvd     
mvd
unde   se numește timp de relaxare
qE

electrice (9)
 Timpul de relaxare  poate fi interpretat ca fiind
timpul mediu între două coliziuni
 Densitatea de curent mai poate fi exprimată astfel:
V
I 1 Q 1 nq  AL  I
J    nqv
A A t A L/v
unde n este densitatea volumică a electronilor liberi

nq 2E nq 2
qE
 Rezultă: J  nqvd  nq   
m m m
Materiale pentru
7-Dec-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021)

Materiale pentru
electronică
Capitolul 3 – Proprietățile
conductoare
ale materialelor
(partea a II-a)
7-Dec-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 333

electrice (rezumat șed.preced.)
 Ecuația completă de mișcare a electronilor:
dv qE   t 
m  v  qE  v  vd 1  exp  
dt vd    
unde   mvd  qE  s.n. timp de relaxare, având și sem-
nificația de timp mediu între două coliziuni ( 10-14s@Tamb)
 Obs.: 1/ = probab. medie pe secundă ca o coliziune să aibă loc
 Densitatea de curent: V
1 Q 1 nq  AL 
I
J  
A t A L vd
qE nq 2E nq 2
 nqvd  nq  (l. lui Ohm)   
m m m
Viteza de drift vs. viteza
termică (1)
 Cf. modelului Drude, mișcarea electronilor este
caracterizată, pe lângă viteza de drift (deplasare) vd,
și de viteza termică vth (= agitația termică)
 Cf. principiului echipartiției energiei cinetice medii,
viteza termică poate fi legată de temperatură astfel:
mvth2 2  3k BT 2  vth  3k BT m
 viteza termică vth are valori mari (~105-106 m/s)
 Prin comparație, viteza de drift (deplasare) vd are
valori foarte mici (~10-2 m/s)

Viteza de drift vs. viteza
termică (2)
v1
Deplasare cu Deplasare cu
viteză termică v viteză de drift
v4 v3
(între două
coliziuni)
v2
 Ambele viteze (și vd, și vth) sunt viteze medii,

calculate pentru toți electronii
 |vd| << |vth|  viteza medie totală a electronilor
  
nu este afectată de câmpul extern ( vth  vd  vth )
 Se definește calea liberă medie:   vth  (  107 m )

Mobilitatea electronică
 La deducerea expresiei conductivității , viteza de
drift vd a fost exprimată în funcție de intensitatea câm-
pului electric E folosind relația de definiție a timpului
de relaxare  : mvd q
  vd   E  e  E
qE m
q
 Mărimea  e  se numește mobilitate electronică
m
și reprezintă o măsură a ușurinței cu care se mișcă
electronii în material (a se observa că:   e )
 Unitatea de măsură a mobilității electronice: [m2V/s]
Conductivitatea electrică
conform modelului Drude
 Din expresia conductivității cf. modelului clasic al lui
Drude:
nq 2
  nq e
m
rezultă că valoarea acesteia este cu atât mai mare
cu cât:
 densitatea de electroni liberi n este mai mare
 timpul de relaxare este mai mare (i.e. mobilitatea
electronică e este mai mare)
 Deși pornește de la niște aproximări grosiere,
predicția modelului Drude asupra conductivității este
identică cu cea a modelului Drude-Sommerfeld
Conductivitatea electrică în
regim AC (1)
 Considerăm câmpul electric de forma:

E t   Re E  e  jt 
 Ecuația de mișcare a electronului poate fi scrisă
astfel:
dpt  pt 
  qE t 
dt 
 Căutăm o soluție de forma:

p t   Re p  e  jt 
regim AC (2)
 Înlocuind pt  și E t  în ecuația de mișcare și ținând
cont de faptul că ecuația trebuie să fie satisfăcută
atâtâ de partea reală, cât și de cea imaginară a
oricărei soluții complexe, obținem:
p 
 j  p    qE  

de unde rezultă:
qE  
 j  1    p   qE    p  
1   j

regim AC (3)
 Deoarece J  nqv  nq p m putem scrie:

J t   Re J  e  jt 
nqp   nq 2 E  
și, deci: J          E  
m m1   j 
nq 2 1 0 nq 2
unde:       ; 0 
m 1  j 1  j m
 0 fiind conductivitatea în regim DC (pt.   0 )

regim AC (4)
0 0 0
      j
1  j 1   
2 2
1   2 2
Exemplu numeric
( = 10-5; 0 = 1)
(sursa: Wikipedia)

Aplicație: propagarea undelor
electromagnetice în metale (1)
 Posibile limitări ale modelului pentru descrierea
propagării undelor electromagnetice:

1) în cazul unei unde electromagnetice, câmpul electric
 E
este însoțit de un câmp magnetic perpendicular H care nu
a fost luat în considerare în derivarea expresiei lui   
2) câmpurile unei unde electromagnetice variază nu numai în
timp, ci și în spațiu, în timp ce ecuația de mișcare a
electronilor a fost dedusă presupunând o forță uniformă în
spațiu

 Probl.#1 – Câmpul magnetic ortogonal celui electric
 În ecuația de mișcare (scrisă vectorial) ar trebui
întrodus un termen adițional:
  
dv mv  
m   qE  qv  B
dt 
 Acest termen adițional
 se poate neglija în raportul
cu termenul în E :
 
vB v  H v  10 2
m s  1, 256  10 6
Hm
  d 0
 d 0
  3,33 10 11
E E Z0 377 

 Probl.#2 – Variabilitatea în spațiu a câmpului electric
 Nu reprezintă o problemă dacă câmpul nu variază
semnificativ pe distanțe comparabile cu calea liberă
medie a electronilor
 Matematic, acest lucru se poate scrie astfel:   
unde  este lungimea de undă a radiației electromag-
netice
 Condiția de mai sus este în mod obișnuit satisfăcută
la lungimile de undă din domeniul vizibil (400–700nm)

Acuratețea modelului Drude
 Modelul electronilor liberi al lui Drude (bazat pe
teoria clasică a gazelor) reușește să explice pentru
unele metale și la temperaturi apropiate de cea
ambiantă, cu un grad rezonabil de acuratețe:
 conductivitatea în regimurile DC și AC
 efectul Hall și efectul magnetorezistiv
Explică în parte legea Wiedemann-Franz (= legătura
dintre conductivitatea termică și cea electrică)
 Nu explică conductivitatea în materiale nemetalice
(izolatoare și semiconductoare)

Efectul Hall (1)
 Considerăm un câmp magnetic B aplicat perpendicular pe o
bară metalică paralelipipedică prin care trece un curent electric
 Purtătorii de sarcină -q (= electronii) sunt deviați pe direcţia
laterală sub acțiunea unei forțe Lorentz  curent lateral:
  
FB  qv  B  Mișcarea
 B  electronilor
 Pe măsură ce tot mai mulți v
+ FE
electroni sunt deviaţi, acu- +
 – + +
mularea de sarcină produce FB –
– 
un “câmp Hall” EH care dă z – E
naștere
 unei forţe electrice: y
FE  qE H electronii se
aglomerează
pe această față
ce se opune forţei Lorentz x

Efectul Hall (2)
 Se atinge echilibrul atuncicândcele două forţe se
compensează reciproc: FB  FE  qvB  qE H
moment în care curgerea curentului lateral încetează
 Ținând cont de forța Lorentz,
ec. de mișcare a electronilor  Mișcarea
 B  electronilor
(cf. modelului Drude, dar v
scrisă de această dată + + FE
vectorial) se modifică astfel:  – + +
  FB –
 – 
dv mv   z – E
m   qE  qv  B
dt  y
electronii se
aglomerează
pe această față
x

Efectul Hall (3)

 În regim staționar ( / dt  0 ), ecuația de mai sus, defalcată
d v
pe componentele vectorilor, se reduce la sistemul:
m  v x  qE x  qv y B

m  v y   qE y  qv x B
 Înmulțind cu  nq / m aceste 

B
Mișcarea
electronilor
v 
ecuații obținem succesiv: + + FE
 nqv x  E x  q / m nqv y B  – + +
 –
 nqv y  E y  q / m nqv x B z
FB – 
– E
 J x  E x  q / m J y B y
 electronii se
 J y  E y  q / m J x B
aglomerează
pe această față
x

Efectul Hall (4)
 La deducerea ultimelor relații, s-a ținut cont și de relația
(dedusă anterior pt modelul Drude, luând însă acum în
considerare și semnul sarcinii): J   nqv
 Câmpul Hall E H  E y se determină impunând condiția J y  0
(echivalentă cu condiția de echilibru a forțelor pe direcția x):
 J x  E x

E   q J B  E    J x B  E  E   J x B
 y m
x y
nq 
y H
nq
 Obs.: La același rezultat se ajunge pornind de la condiția de
 
echilibru a forțelor pe direcția x și considerând că v  vd :
  nqEH JB
FB  FE  vd B  E H  Drude : J  nqvd    EH  
B nq

Efectul Hall (5)
 Se definește coeficientul Hall:
Ey EH 1
RH   
JxB JxB nq
 Experimental, se măsoară tensiunea VH și curentul I, astfel că:
EH UH w UHt 1
RH    
J x B I wt B IB nq
 Obs.1: În conformitate cu modelul Drude, efectul nu depinde decât de
densitatea de purtători în material
 Obs.2: Semnul coef. Hall RH și, implicit, al tensiunii UH corespunde cu tipul
sarcinii purtătorilor: negativ pentru electroni, pozitiv pentru goluri (în cazul
semiconductoarelor)

Efectul Hall (6)
 Se definește coeficientul Hall:
Ey EH 1
RH   
JxB JxB nq
 Experimental, se măsoară tensiunea VH și curentul I, astfel că:
EH UH w UHt 1
RH    
J x B I wt B IB nq
 Obs.3: Valoarea tensiunii UH rezultă, tipic, foarte mică (microvolți)
 Obs.4: Din acest motiv, grosimea t a barei metalice trebuie să fie cât mai
mică pentru ca tensiunea UH să fie cât mai mare (la curent I constant).
Uzual, grosimea t este de ordinul zecimilor de milimetru
 Obs.5: De asemenea, valorile curentului I și a inducției, câmpului magnetic
trebuie să fie cât mai mari

Efectul Hall la materiale cu
conducție de tip bipolar (1)
 În cazul materialelor semiconductoare, la care
conducția este bipolară (electroni + goluri), purtătorii
de ambele feluri sunt deviați de forțe Lorentz care
acționează în aceeași direcție (deoarece se
deplasează în direcții opuse, dar au semne opuse)
 atât electronii, cât și golurile se acumulează de
aceeași parte a barei metalice
 Forțele Lorentz sunt diferite, deoarece mobilitățile și,
implicit, vitezelor de drift ale purtătorilor sunt diferite
 două tensiuni Hall de polarități diferite, dar de
mărimi diferite
Efectul Hall la materiale cu
conducție de tip bipolar (2)
 Din condiția de echilibru între cele două forțe Lorenz
și forțele electrice datorate câmpului Hall, rezultă:
p h2  ne2
RH 
q p h  n e 2
unde n și p sunt densitățile de electroni, respectiv de
goluri, iar e și h sunt mobilitățile electronilor,
respectiv golurilor
 În cazul conducției unipolare, relația de mai sus se
reduce la forma dedusă anterior

Predicții ale coeficientului Hall
în baza modelului Drude
 Măsurători ale coef. RH pentru metale în stare solidă și lichidă
 Semnul lui RH  semnul sarcinii
 Discrepanţe variabile pentru metale solide:
 m. alcaline (Na) – predicție bună
 m. nobile (Cu, Ag, Au) – predicție
mai puțin bună
 Be, Zn – predicție f. proastă
(inclusiv semnul sarcinii !!)
 Discrepanţe aproape nule pentru
metale lichide
 sugerează că discrepanţele
provin de la interacţiunea electron-
reţea, neluată în considerare în
cadrul modelului Drude

Aplicații ale efectului Hall
 Efectul Hall este util pentru determinarea:
 densității electronice într-un metal (sau semiconductor):
EH 1 1
RH    n
JxB nq qRH
 mobilității purtătorilor:
  nqe 

1    e   RH ; vd   e
Jx E
 J x RH  H
RH    B
nq 
 inducţiei unui câmp magnetic:
UHt UHt
RH   B
IB IRH
Legea Wiedemann-Franz (1)
 1853 - Wiedemann și Franz arată că raportul conduc-
tivităţilor termică () şi electrică () are aproximativ
aceeaşi valoare pentru diferite metale la o
temperatură dată T:

 constant

 1872 - L. Lorenz a găsit că acest raport este
proporţional cu temperatura (T):
2
   kB 
2
L    2,44 10-8 W    K -2 const. Lorenz
T 3  q 

Valori
experimentale ale
conductivităților
termice și estimări
ale numărului
Lorenz pentru
diferite metale la
temperaturile
273 K și 373 K

 În metale, la T mari, contribuţia electronilor la con-
ductivitatea termică  o depăşeşte pe cea a reţelei
cristaline
 Cf. teoriei cinetice a gazelor, conductivitatea termică
este exprimată astfel:
3 k B2  n
   T
2 m
unde semnificația mărimilor este cea prezentată la
modelul Drude

 Ținând cont de expresia conductivității electrice
conform modelului Drude:
nq 2

m
se ajunge la următoarea predicție asupra raportului
dintre conductivitățile termică și electrică:
2
 3  kB 
    1,116 10 8 W  Ω  K  2
 T 2  q 
adică aprox. jumătate din valoarea constantei lui
Lorenz

Cursuri ME

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cursuri ME

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Materiale pentru

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021)

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 1

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 2

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 3

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 4

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 5

 Cap. 1 – Noțiuni de structura materialelor (~6 ore)

 Cap. 2 – Materiale solide cristaline (~8 ore)

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 6

 Cap. 3 – Proprietățile conductoare ale materia-

 Cap. 4 – Materiale dielectrice (~6 ore)

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 7

 Cap. 5 – Materiale magnetice (~8 ore)

 Cap. 6 – Materiale semiconductoare (~6 ore)

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 8

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 10

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 11

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 12

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 13

 Siliciu (Z = 14): 1s22s22p63s23p2

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 16

 Observație: Sub-stratul 3d necompletat stă la baza

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 17

Observație: valență zero  element inert (nereactiv)

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 20

Mendeleev I II III IV V VI VII VIII I II III IV V VI VII

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 21

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 22

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 23

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 24

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 25

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 27

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 29

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 30

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 31

12-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 32

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021)

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 33

rețea 3-D rețea 1-D nu există rețea nu există rețea

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 35

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 36

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 38

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 39

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 40

 Smectic A: moleculele tind

 Smectic C: moleculele tind să se orien-

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 41

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 42

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 43

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 44

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 45

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 46

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 47

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 48

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 49

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 50

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 52

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 53

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 54

structură monocristalină structură amorfă

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 55

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 56

15-Oct-20 Materiale pentru electronică (Licență - Anul II - 2020/2021) 57