Convertoare Curs Complet

CURSUL NR.
Introducere în Electronica de Putere.

Dioda semiconductoare de putere.
Cursul nr.1 Electronica de putere

Prezentare
Electronica Aplicată
Sem. Tipul Activitati normate [ore/sapt.] Total ore
disci- C S L P TOTAL [ore/sem.] Credite
plinei
I Cr1 (Ob) 2 2 1 5 70 5
Electromecanica, ISEE
Sem. Tipul Activitati normate [ore/sapt.] Total ore

disci- C S L P TOTAL [ore/sem.] Credite
plinei
I Cr1 (Ob) 2 2 4 56 4 2
Notare
Pondere în nota finală
Activitate EA EM, ISEE
Examen 40% 60%

Laborator 30% 40%
Proiect 30%
Notă: Pentru a promova este obligatoriu ca la fiecare componentă să
obțineți minim nota 5
Prezenţă curs*** bonus
3
SCOPUL CURSULUI
Cursul prezintă principalele aspecte privind:
• obiectivul electronicii de putere,
• regimul de funcţionare al dispozitivelor
electronice de putere,
• caracteristicile dispozitivelor electronice de
putere,
• comanda dispozitivelor electronice de putere ,
• structura dispozitivelor electronice de putere,
• structura, conducția,blocarea și comutația
diodei semiconductoare de putere .

OBIECTIVE
• Cunoașterea conceptului de dispozitiv electronic de

putere ,
• Cunoașterea regimului de funcționare și comanda
dispozitivelor electronice de putere.
• Clasificarea dispozitivelor electronice de putere
• Cunoașterea conceptelor de joncţiune P-N polarizată
direct şi indirect, purtători majoritari şi minoritari,
sarcină stocată şi curentul de revenire

CONȚINUTUL CURSULUI
• 1. Capitol 1. INTRODUCERE ÎN ELECTRONICA DE PUTERE
• 1.1. Obiectul electronicii de putere
• 1.2. Regimul de funcționare al dispozitivelor electronice de

putere
• 1.3. Comparație între regimul de comutație și regimul liniar

de funcționare al dispozitivelor electronice
• 1.4. Caracteristicile dispozitivelor electronice de putere
• 1.5. Comanda dispozitivelor electronice de putere

1.6. Structura dispozitivelor electronice de putere
1.6.1.Dispozitive electronice de putere cu două straturi
1.6.2.Dispozitive electronice de putere cu trei straturi
1.6.3.Dispozitive electronice de putere cu patru straturi
1.6.4.Dispozitive electronice de putere cu mai mult de patru
straturi

2. Capitol 2. DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE.
2.1. Structura diodei semiconductoare de putere
2.2. Conducția diodei semiconductoare de putere
2.3. Blocarea diodei semiconductoare de putere
2.4. Analiza comutației diodelor semiconductoare de putere

Obiectul electronicii de putere
Electronica de putere este o ramură a electronicii având drept obiectiv
transferul energiei electrice între o sursă de alimentare şi o sarcină prin
conversia controlată a acestei energii dintr-o formă în alta.
Intrare de putere
(energie electrică)
vi, ii, fi
Ieşire de putere
(energie electrică)
Semnale de
Semnale comandă vo, io, fo
Electronica Electronica
de Sarcina
referinţă de control de putere
Semnale de reacţie obţinute de la traductoare
Schema bloc a unui sistem electronic de putere

Clasificarea convertoarelor
 pentru : fi = fo  0 se definesc variatoarele de curent

alternativ ;
 pentru : fi = fo = 0 se definesc variatoarele de curent
continuu ;
 pentru : fi = 0 ; fo  0 se definesc invertoarele;
 pentru : fi  0 ; fo  0 şi fi  fo se definesc convertoarele de
frecvenţă ;
 pentru : fi  0 ; fo = 0 se definesc convertoarele de curent ,
care la rândul lor pot fi unidirecţionale sau bidirecţionale. În
această clasă sunt incluse şi redresoarele.

Obiectul electronicii de putere
• controlul vitezei unui motor de curent continuu
• controlul vitezei unui motor motor asincron
• controlul vitezei de rotaţie a unei pompe
• înlocuirea releelor electromecanice cu
contactoare statice
• sursele de alimentare de rezervă (UPS)
• sursele stabilizate de curent continuu

Comparație între regimul de comutație și regimul
liniar de funcționare al dispozitivelor electronice.
Regimul liniar.
Pz E  VCE   i C 62,5
    0,5  50%
PE E  iC 125
2
Pd1  E  i C  R C  i C 0
Figura1.2. Etaj convenţional de amplificare

Comparație între regimul de comutație și regimul liniar de
funcționare al dispozitivelor electronice.
Regimul de comutație .
E t ON E t ON
I med    
R L t ON  t OFF R L TS
PSTATIC  PON  I ON VON
PDINAMIC  f S WON  WOFF 

Comanda dispozitivelor electronice de putere
• dispozitive necontrolabile (dioda, diacul).

• dispozitive parţial controlabile (tiristorul, triacul).
• dispozitive complet controlabile (tranzistorul bipolar cu
joncţiune, tranzistorul MOS de putere, tranzistorul bipolar
cu grilă izolată, tiristorul cu stingere pe poartă, etc.).
• dispozitive cu comandă intermitentă (tiristorul, triacul,

tiristorul cu stingere pe poartă).
• dispozitive cu comandă permanentă (tranzistorul bipolar cu
joncţiune, tranzistorul MOS de putere, tranzistorul bipolar
cu grilă izolată etc.).

Structura dispozitivelor electronice de putere
Fluxul de purtători
A
d
d
N -
rON 
rON
A
Dispozitive electronice de putere cu două straturi

ANOD (A)
A
P
N-
N+ K
CATOD (K)
a) b)
Dioda semiconductoare de putere
Dispozitive electronice de putere cu trei straturi
EMITOR (E) SURSĂ (S) SURSĂ (S)
N N N
BAZĂ GRILĂ GRILĂ
(B) P (G) P P (G) P
N- N- N-
SiO2
N+ N+ N+
COLECTOR (C) DRENĂ (D) DRENĂ (D)
C D D
B
G
G
E S
S
a) b) c)
a) tranzistorul bipolar cu joncţiune (BJT – Bipolar Junction Transistor)

b) tranzistorul cu efect de câmp cu joncţiune (JFET–Junction Field Effect Transistor)
c) tranzistorul MOS de putere.

Dispozitive electronice de putere cu patru straturi
GRILĂ CATOD GRILĂ GRILĂ
GRILĂ CATOD GRILĂ EMITOR EMITOR
(G) (K) (G) (G) (G)
(K) (G) (E) (E)
N+ P N+ N+ N+
P
P P
TNPN TNPN
N- N- N-
TPNP SiO2
TPNP
P+ N+ N+ N+ P + P+
ANOD (A) ANOD (A) COLECTOR (C)
A A C
G
G G
K K E
a) b) c)
a) tiristorul convenţional (SCR–Silicon Controlled Rectifier)
b) tiristorul cu stingere pe poartă (GTO–Gate Turn-Off)
c) tranzistorul bipolar cu grilă izolată (IGBT–Insulated Gate Bipolar Transistor).

Dispozitive electronice de putere cu mai mult de patru straturi
MT1
N+ N+ GRILĂ
(G) MT2
P
N-
G
MT1
P +
N
Triacul – dispozitiv cu şase straturi
MT2
GRILĂ (G) GRILĂ (G)
SiO2
CATOD (K) SiO2 ANOD (A)
P+ P+
N- N+ N-
P GRILĂ (G)
N-
P+ CATOD (K)
ANOD (A)
a) b)
Tiristorul MCT (MOS Controlled Thyristor)

Structura și conducția diodei semiconductoare
de putere
ANOD (A)
A
P
N-
N+ K
CATOD (K)
Curentul IP de goluri injectate din stratul P
în stratul N- ;
+ Curentul IN de electroni injectaţi din stratul
A N- în stratul P.
QN P
Ip IN N- vAK  0
QP
N+ sarcinile QP, stocată în regiunea N-

K
a catodului şi sarcina QN, stocată în
- regiunea P a anodului
Blocarea diodei semiconductoare de putere
Valoarea de vârf Irr a curentului de
iD
revenire la blocarea diodei depinde de
di D
mărimea I0 a curentului de sarcină, de viteza
dt
cu care se reduce curentul direct prin
I0 trr diodă şi de temperatura joncţiunii
ta
conform relaţiei
tb t
0
10% Irr
-Irr QS
di D
I rr  2I 0
vAK vAK(ON) t dt
0
-vAK(OFF)
 este timpul mediu de viaţă al
-vAK(MAX)
purtătorilor de sarcină

Blocarea diodei semiconductoare de putere
iD
di D
dt
I0 trr
ta tb
t dioda la blocarea abruptă
0
-Irr QS
iD
di D
dt
I0 trr
ta tb
t
dioda la blocarea lentă
0
-Irr QS

Analiza comutației diodelor semiconductoare
de putere
Figura 2.6 Comutaţia diodelor

a) din conducţie în blocare (on-off) b) din blocare in conducţie(off-on)

de putere . Timpul de revenire.
trr = 0,1 (sec) pentru diode Schottky;

trr = 0,3 (sec) pentru diode cu revenire rapidă şi
trr = 1,5 (sec) pentru diode "standard" (de joasă frecvenţă).

Analiza comutației diodelor semiconductoare de
putere . Principalele date nominale ale diodelor .
• VF – tensiunea directă
• VR – tensiunea inversă
• VRRM –tensiunea maximă inversă repetitivă
• VPIV – tensiunea de vârf inversă, maximă
• IF - curent direct (ca valoare medie)
• IR) – curent invers

de putere . Pierderile de putere pe diode.
Pt  Pcond  Pbloc  Pcomutatie
Pcond  VF  IFM  t on TC 
Pbloc  VR  IR  t off TC 
VF  I FM  t on VR  I R  t off
Pt   
TC TC
VRM  I RM  t rr V I t
 0,25  0,318 FM FM fr
TC TC

TESTE DE
AUTOEVALUARE:
formulare test şi răspuns
• Prin formularea testelor se solicită studentului să înţeleagă şi
să aplice formule, fapte, concepte şi principii, să construiască,
calculeze etc. pentru ca să demonstreze abilităţile câştigate.
• Răspunsurile pentru testul de autoevaluare trebuie să fie
sintetice, de obicei într-o singură frază
– Dacă testul de autoevaluare solicită studentului realizarea unui eseu
despre subiect, este foarte dificil să daţi o sugestie de răspuns care să
acopere toată problematica
– În aceste cazuri se face o enumerare sintetică a structurii impuse a
eseului şi o listă a principalelor probleme ce ar trebui abordate
– Dacă testul de autoevaluare solicită realizarea unui calcul vă
recomandăm ca răspunsul să conţină tot calculul (sau o referire la
demonstraţia din textul cursului), nu doar rezultatul final

BIBLIOGRAFIE
• Niculaie Palaghiţă - Electronică de putere –
partea I –Dispozitive semiconductoare de putere
Editura MEDIAMIRA Cluj-Napoca 2002.paginile 1-
17.
• Rashid M., Power Electronics: Circuits, devices
and Applications, Second Edition, Prentice Hall,
USA, 1993.Capitolele 1 și 2..
• Robert W. Erickson, Fundamentals of Power
Electronics, University of Colorado,Chapter 1.
• http://www.infineon.com
CURSUL NR. 2
TRANZISTORUL BIPOLAR DE
PUTERE (BJT)
SCOPUL CURSULUI
• Cursul prezintă principalele aspecte privind tranzistorul
bipolar de putere BJT.
• Sunt prezentate poziția tranzistorului BJT în cadrul
dispozitivelor electronice de putere, structura de bază
și funcționarea acestuia, caracteristicile statice și
dinamice legate de comutația acestuia, precum și
principiile de comandă ale acestuia.
• Legat de funcționarea tranzistorului BJT sunt
prezentate aspecte legate de parametrii și alegerea
tipului de tranzistor corespunzător unei aplicații,
precum și modalitatea practică de utilizare a acestuia
prin conexiunea Darlington.
2
OBIECTIVE
• Cunoașterea structurii și a modului de funcționare a

tranzistorului bipolar de putere.
• Cunoașterea principiilor de comandă în bază și a
circuitelor care realizează buna funcționare a
dispozitivului.
• Cunoașterea modului de funcționare al dispozitivului
și dezvoltarea de aptitudini în proiectarea unui circuit
în care să utilizeze acest tip de tranzistor.
3
• 2.1. Introducere
• 2.2. Structura de bază și funcționarea
tranzistorului BJT
• 2.3. Caracteristica statică
• 2.4. Caracteristici dinamice de comutație
• 2.3.1. Intrarea în conducție a tranzistorului BJT
• 2.3.2. Ieșirea din conducție a tranzistorului
BJT
4
• 2.5. Circuite de comandă în bază pentru

tranzistorul BJT
• 2.6. Funcționarea tranzistorului BJT
• 2.6.1. Alegerea tranzistorului BJT
• 2.6.2. Ariile de operare sigură la tranzistorul BJT
• 2.6.3. Protecția la suprasarcină a tranzistorului
BJT
• 2.7. Conexiunea Darlington la tranzistoarele BJT
5
Regiunile de operare a semiconductoarelor de
putere
6
Structura de bază și funcționarea tranzistorului
BJT
7
BJT
Structura verticală a • N+ - stratul colectorului,
tranzistorului BJT cu dopare 1019/cm3;
• N- - stratul sărăcit, cu
dopare 1014/cm3;
• P - stratul bazei, cu
dopare 1016/cm3;
• N+ - stratul emitorului,
cu dopare 1019/cm3.
8
BJT
Dependenţa timpilor de comutaţie t s şi tf, a factorilor de

amplificare în curent F şi Fsat şi a tensiunii VCEO.MAX
de grosimea “d” a stratului N . -
9
Funcţionarea şi principiile comenzii în bază
ale unui tranzistor BJT. Comutația directă.
• Un tranzistor bipolar cu joncţiune poate fi adus în
conducţie prin aplicarea în bază a unui curent pozitiv i B1
în condiţiile în care terminalele de forţă sunt polarizate
direct (vCE  0).
Distribuţia curenţilor şi a sarcinilor stocate Distribuţia sarcinilor Qb, Qc şi Qd în

în structura unui tranzistor BJT aflat în structura tranzistorului în funcţie de
starea de conducţie gradul de saturaţie
10
Funcţionarea şi principiile comenzii în bază
ale unui tranzistor BJT. Comutația directă.
Utilizarea reţelei Baker (diodele Reducerea duratei tranziţiei directe prin

D1 şi D2) pentru limitarea utilizarea circuitului de accelerare R1/3 , C1
gradului de saturare al unui
tranzistor BJT aflat în conducţie
11
Comutaţia inversă a tranzistorului BJT
Blocarea tranzistorului bipolar cu joncţiune prin comandă în bază :

a) blocarea la curent de bază zero;
b) blocarea cu un curent negativ în bază generat de sursa -V2;
c) utilizarea unei inductanţe LB pentru reducerea timpului de
cădere al curentului de colector;
d) înlocuirea sursei -V2 prin condensatorul C2 încărcat pe durata
conducţiei tranzistorului. 12
Comutaţia inversă a tranzistorului BJT
Etapele procesului de blocare al unui

tranzistor bipolar cu joncţiune
13
Principiile comenzii în bază
Schema funcţională a unui circuit de comandă în bază
Formele de undă
caracteristice comutaţiei
tranzistorului bipolar cu
joncţiune
14
Principiile comenzii în emitor
Schema de principiu a unei comenzi în

emitor (montaj cascodă)
Faza a III-a în procesul

blocării unui tranzistor BJT :
a) comanda în bază; b)
comanda în emitor
15
Conexiunea Darlington
Conexiune Darlington compusă din două

tranzistoare bipolare cu joncţiune
Accelerarea tranziţiei inverse a unei

structuri de tip Darlington cu ajutorul
unei diode de accelerare (speed-up diode)
16
Circuite de comandă în bază
Cerințe:
• să asigure curenţi de bază pozitivi şi negativi, pentru realizarea celor două
regimuri dinamice;
• să asigure separarea galvanică între circuitul de comandă şi cel de forță;
• să asigure evitarea saturării profunde a tranzistorului
Circuit de comandă în bază în care Comanda în bază cu refacerea în circuitul

rolul sursei negative este jucat de secundar a semnalului dreptunghiular de
un condensator încărcat în prealabil comandă cu ajutorul reacţiei pozitive
17
Caracteristica statică a tranzistorului BJT
Caracteristica statică a tranzistorului Caracteristica current-tensiune pentru

BJT tranzistorul BJT
18
Caracteristici dinamice de comutație
Circuit de comutație a tranzistorului

BJT pe sarcină inductivă
19
Ariile de funcţionare sigură şi protecţia
tranzistorului BJT
• Aria de funcţionare sigură SOA (Safe Operating Area), defineşte acea
zonă din planul mărimilor de ieşire iC – vCE în care se poate mişca
punctul de funcţionare al tranzistorului fără riscul distrugerii structurii
acestuia. În funcţie de polarizarea joncţiunii bază-emitor în procesul
de blocare se disting două tipuri de arii de funcţionare sigură :
20
Protecția la intrarea în conducție a tranzistorului
BJT
tON = td + tri + tfv

t ri t ri
I0
WON   vCE  iC dt   vCE t dt
0 0
t ri
WON  Vd I 0 t ri
K  1 tri
LS   Vd  L
K I0
Circuit de protecție la
intrarea în conducție
21
Protecția la ieșirea din conducție a tranzistorului BJT
tOFF  t s  t fi
I 0 t fi
CS 
2 VCESUS
Vd
RS 
I CM  I 0  I RRM
t
RS  m
4 CS
Circuit de protecție snubber la

ieșirea din conducție Traiectoriile caracteristice
comutaţiei unui tranzistor
BJT în cazul unei sarcini
puternic inductive :
a) în absenţa circuitului
snubber;
b) în prezenţa circuitului
snubber
22
Protecția la ieșirea din conducție a tranzistorului BJT
Utilizarea curentului de descărcare al

condensatorului CS pentru accelerarea
tranziţiei directe a tranzistorului de putere
Formele de undă
caracteristice blocării unui
tranzistor BJT :
a) în absenţa circuitului
snubber;
b) în prezenţa circuitului
snubber
23
Protecţia la supratensiune a tranzistorului
bipolar cu joncţiune
se realizează cu circuite de tip detector de

maxim
24
Protecția la suprasarcină a tranzistorului BJT
• sesizarea curentului de
suprasarcină;
• elaborarea comenzii de
inhibare a conducţiei;
• verificarea dacă tranziţia
ON-OFF se încadrează în
RBSOA;
• timpul total de lucru al
protecţiei se încadrează în Schemă de protecţie
limita de timp. simplificată
25
Alegerea tranzistorului BJT.
Cerințe:
• rezistenţele termice Rthjc, RthCR şi eventual RthRA;
• curentul nominal IC, reprezentând curentul continuu suportat
de tranzistor un timp îndelungat, fără depăşirea regimului
termic admisibil;
• curentul maxim ICM, reprezentând curentul maxim admis de
tranzistor în regim de impuls;
• aria de funcţionare sigură.
Problemele principale:
• stabilirea punctului de funcţionare;
• calculul regimului termic;
• protecţia la curenţi de scurtcircuit
26
CONCLUZII
• Structura robustă și performanțele pozitive au dus la

includerea tranzistorului bipolar în structura tranzistorului
IGBT.
• Tranzistorul bipolar BJT ca prim dispozitiv electronic de putere
complet comandabil este înlocuit de tranzistorul MOSFET de
putere în aplicațiile de tensiune mică datorită performanțelor
superioare ale acestuia în ceea ce privește circuitele de
comandă și timpii de comutație.
• Tranzistorul bipolar BJT a fost înlocuit de tranzistorul IGBT în
aplicațile de înaltă tensiune datorită comenzii în tensiune a
acestuia și deci a performanțelor superioare.
27
BIBLIOGRAFIE
• Rashid M., Power Electronics: Circuits, devices and
Applications, Second Edition, Prentice Hall, USA,
1993.Capitolul 3.
• Niculaie Palaghiţă - Electronică de putere – partea I –
Dispozitive semiconductoare de putere Editura MEDIAMIRA
Cluj-Napoca 2002.
• Robert W. Erickson, Fundamentals of Power Electronics,
University of Colorado,Chapter 2.
• www_RegieLive_ro_ELECTRONICA_DE_PUTERE_SI_REGALRE_
AUTOMATA
• www_RegieLive_ro_ELECTRONICA_DE_PUTERE
28
TRANZISTORUL MOSFET DE
PUTERE
1
SCOPUL CURSULUI
• Cursul prezintă principalele aspecte privind
tranzistorul MOSFET de putere, structura și
polarizarea acestuia, caracteristicile statice și
dinamice ale acestuia, principalele aspecte ale
comutației tranzistorului MOSFET de putere.
• Sunt prezentate principiile comenzii în
grilă,unele considerații privind funcționarea și
protecția tranzistorului MOSFET de putere, și
aspecte privind utilizarea acestuia
2
OBIECTIVE

tranzistorului MOSFET de putere.
• Cunoașterea principiilor de comandă în grilă și a
dispozitivului.
în care să se utilizeze acest tip de tranzistor.
3
• 3.1.Introducere
• 3.2.Structura și polarizarea tranzistorului MOSFET de
putere
• 3.3.Caracteristica statică la tranzistorului MOSFET de
putere
• 3.4.Caracteristicile dinamice ale tranzistorului
MOSFET de putere
• 3.4.1.Intrarea în conducție
• 3.4.2.Ieșirea din conducție
4
• 3.5.Circuite de comandă în grilă

• 3.6.Considerații privind funcționarea
tranzistorului MOSFET de putere
• 3.7.Protecția tranzistorului MOSFET de putere
• 3.8. Considerații privind utilizarea
tranzistoarelor MOSFET de putere
5
TRANZISTORUL MOSFET DE PUTERE.
Principii.
• crearea canalului de conducție prin câmp electric,
deci printr-o comandă de putere redusă;
• asigurarea conducției în canal prin purtători de tip
majoritar
• cădere mai mare de tensiune drenă-sursă, ca urmare
a densității reduse a purtătorilor de sarcină din canal;
• un timp de ieșire din conducție, tOFF , redus, din
aceleași motive;
• comanda în tensiune a dispozitivului
6
Structura și polarizarea tranzistorului MOSFET
de putere
• prezența stratului slab dopat, n- , cu o dopare de 1014 – 1015/cm3, care va
asigura capabilitatea în tensiune a dispozitivului;
• realizarea întrețesută a ansamblului corp-sursă, respectiv poartă-sursă, în
scopul asigurării unei cât mai bune pătrunderi a câmpului electric în
dispozitiv;
• realizarea de structuri de felul celei din figura, cu secțiune transversală
redusă și conectarea, în același cip, pentru curenți mari, a mai multor
asemenea structuri în paralel, prin intermediul metalizării.
• introducerea stratului puternic dopat n+ care asigură o rezistență de

contact cu terminalul mult mai mică.
7
de putere
Tranzistorul MOS de putere:

a) – structura; b) – simbolul.
8
de putere. Capacitățile parazite ale tranzistorului
MOSFET de putere
• între grilă şi sursă, tranzistorul prezintă o

•capacitatea poartă-sursă, CGS; capacitate cu valoarea cuprinsă între 1nF
•capacitatea dren-sursă, CDS; şi 2nF.
•capacitatea poartă-dren CGD • O capacitate având valoarea de
aproximativ 10 ori mai mică decât prima
apare şi între grilă şi drenă.
9
de putere. Structurile parazite ale tranzistorului
MOSFET de putere
Schemele electrice echivalente ale tranzistorului MOSFET Circuitul pentru

de putere cu tranzistorul npn parazit a) și dioda internă anularea diodei
parazită b) interne a tranzistorului
MOSFET de putere
Schemele electrice echivalente ale
tranzistorului MOSFET
10
Caracteristica statică la tranzistorului MOSFET de
putere
Circuit pentru ridicarea caracteristicii statice la

tranzistorului MOSFET de putere
11
Caracteristicile statice ale tranzistorului MOSFET
de putere
iD  k VGS  VTH 
2
VTh se numește tensiune de prag cu

valori între 6 şi 8V
iD  k vDS
2
RDS(ON) poate lua valori de la zeci de miliohmi

până la câțiva ohmi în funcție de tensiunea la
care lucrează tranzistorul.
Caracteristicile statice ale tranzistorului Caracteristica de transfer a tranzistorului

MOSFET de putere MOSFET de putere
12
Caracteristicile dinamice ale tranzistorului
MOSFET de putere
 1  RG CGD  CGS 
1
Circuit pentru studiul caracteristicilor dinamice Dependența capacităților parazite CGD

ale tranzistorului MOSFET de putere și CGS de tensiunea drenă-sursă vDS
13
Modelele echivalente al a tranzistorului MOSFET de putere pe
intervalele td, tri, tfv1 și sfârșitul perioadei de comutație
tON=zeci ns
PC  EJC  f
14
Comutația directă. Forme de undă.
t ON  t d  t ri  t fv1  t fv2
tC  tri  t fv1  t fv2
15
Comutația inversă. Forme de undă.
tOFF  td  trv1  trv 2  t fi
16
Circuite de comandă în grilă
Structura de principiu a unui circuit Soluţie de circuit pentru a putea introduce

de comandă în grilă rezistenţe de grilă diferite, RG.ON pentru
comutaţia directă şi RG.OFF ,pentru
comutaţia inversă.
Formele de undă tipice ale circuitului de

grilă la comutaţia tranzistorului MOS
17
Comanda în grilă utilizând circuite logice CMOS :

a) utilizarea unei porţi NAND;
b) punerea în paralel a unor buffere inversoare
Reducerea capacităţii efective de intrare

Comanda în grilă utilizând două prin înserierea în grilă a unui condensator
tranzistoare bipolare cu joncţiune în de valoare apropiată capacităţii Cgs
conexiune push-pull
18
Circuit de comandă în grilă cu viteză ridicată de comutaţie
Tensiunea pe condensatorul C2:
19
Circuit de comandă în
grilă cu separare
galvanică
prin optocuplor.
Circuit de comandă în
grilă cu separare
galvanică prin
transformator de
impulsuri şi refacerea
semnalului
dreptunghiular în
secundar prin tehnica
reacţiei pozitive
20
5
+V +5V +15V +Vd
12
13
R3 T4
R2 14
R1 T2
3 7 8
1 OC C3
1 4
R4 C2
2
2
3
9 10 RG 11 Tp
T3
T1 DZ1
6 Rb D
4 15
0
DZ2
Vcom
GND
GND
GND GND
Circuit tipic de comandă în grilă la tranzistorul

MOSFET de putere
21
Funcționarea tranzistorului MOSFET de putere
Aria de operare sigură la tranzistorul MOSFET de putere
Limitări:
• la tensiunea maximă în sens direct, VDSmax;
• la curent maxim, în curent continuu. , iD , iar
în regim de impuls, IDmax ;
• la putere maximă disipată în tranzistor Pdmax,
curbele înclinate.
22
Protecția tranzistorului MOSFET de putere
Circuit de protecția la supratensiuni drenă-sursă
Protecția cu circuit snubber la

ieșirea din conducție
Formele de undă corespunzătoare

comutaţiei inverse asistate de circuitul
limitator de tensiune de tip detector de
maxim
23
Considerații privind utilizarea tranzistoarelor
MOSFET de putere
Conectarea în paralel a tranzistoarelor MOSFET

de putere
24
CONCLUZII
• Tranzistorului MOSFET de putere este un

dispozitiv cu comandă în tensiune ceea ce îi
conferă multiple avantaje.
• Este dispozitivul electronic de putere cel mai
rapid, putând lucra până la frecvențe de
ordinul megaherților.
• Tranzistorului MOSFET de putere a înlocuit
tranzistorul BJT în majoritatea aplicațiilor de
tensiune mică.
25
BIBLIOGRAFIE
Applications, Second Edition, Prentice Hall, USA, 1993.
• Niculaie Palaghiţă - Electronică de putere – partea I –
Cluj-Napoca 2002.
University of Colorado,
• www_RegieLive_ro_ELECTRONICA_DE_PUTERE_SI_REGALRE_
AUTOMATA
• www_RegieLive_ro_ELECTRONICA_DE_PUTERE
26
CURSUL NR. 4
TIRISTORUL SCR.
TRIACUL.
1
SCOPUL CURSULUI
• Cursul prezintă principalele aspecte privind tiristorul
SCR, structura și polarizarea acestuia, caracteristicile
statice și dinamice ale acestuia, principalele aspecte
ale comutației tiristorului și amorsările parazite ale
acestuia.
• Sunt prezentate principiile comenzii în grilă, unele
considerații privind funcționarea și protecția
tiristorului SCR, și aspecte privind utilizarea acestuia.
• Sunt prezentate și principalele aspecte privind triacul,
structura și polarizarea acestuia, caracteristica statică
și considerații privind protecția acestuia.
2
OBIECTIVE
• Cunoașterea structurii și a modului de operare al
tiristorului SCR , a regimului de funcționare și
comanda acestui dispozitiv.
• Cunoașterea principiilor de comandă în grilă, a
modalităților de amorsare și problema amorsărilor
parazite ale tiristorului.
• Cunoașterea problemelor privind utilizarea și
protecția tiristorului la diverși factori externi.
• Cunoașterea structurii și modului de funcționare a
triacului, a caracteristicii statice a acestuia, a
modului de utilizare și protecția acestui dispozitiv
electronic de putere.
3
• 4. TIRISTORUL SCR
• 4.1. Introducere
• 4.2. Structura tiristorului SCR
• 4.3. Caracteristica statică la tiristorul SCR
• 4.4. Polarizarea tiristorului SCR
• 4.5. Amorsarea tiristorului SCR prin comandă în grilă
• 4.6. Caracteristicile dinamice ale tiristorului SCR
• 4.7. Amorsări parazite ale tiristorului SCR
• 4.8. Circuite de comandă în grilă la tiristorul SCR
4
• 4.9. Alegerea tiristoarelor

• 4.10.Protecţia tiristorului SCR
• 4.11.Parametri de catalog ai tiristoarelor
• 4.12.TRIACUL
• 4.12.1.Structura și funcționarea triacului
• 4.12.2. Caracteristica statică a triacului
• 4.12.3.Protecția triacului
5
Structura tiristorului SCR
Structura și simbolul Modelul comportamental și schema electrică

tiristorului SCR echivalentă a tiristorului SCR
6
Structura tiristorului SCR
• Stratul anodului este de tipul p+ cu o impurificare de
1019 /cm3,pentru a asigura un contact ohmic bun cu
metalizarea exterioară.
• Stratul catodului este de tipul n+ cu o impurificare de
1019.
• Stratul grilei, p, are o impurificare medie de 1017
/cm3 .
• Al patrulea strat permanent este n- , cu o
impurificare de 1014/ cm3 , având rolul de a asigura
capabilitatea în tensiune a dispozitivuluil .
7
Caracteristica statică la tiristorul SCR
IF
- +
1
0.000 A
2
R8
3
VPS1
5 Q3
+
R11 R12 0.000 V VF 0
4 0 -
V2 0
0
Montaj pentru ridicarea caracteristicii statice a

tiristorului SCR
Parametri: Caracteristica statică a
tiristorului SCR
• VRBD, tensiunea de străpungere în sens invers,
• IL , curent de amorsare
• IH , curent de menținere
• IRM – curentul invers de saturație
• VFBD - tensiunea de străpungere în direct
8
Amorsarea tiristorului SCR prin comandă în grilă.
iB2= iG
iB2= iC1
iC1  1 i E1  I CO1

iC2   2 i E 2  I CO2 ,
iK= iE2= iA + iG
 2 iG  I CO1  I CO 2
iT 
1  1   2 
1  2  1 - blocare
Circuit pentru amorsarea
tiristorului SCR 1  2  1 - conducție
9
Amorsarea tiristorului SCR prin comandă în grilă.
Concluzii.
• amorsarea conducției are ca punct de plecare
injectarea unui curent IG>0 în joncțiunea grilă-catod;
• după amorsarea conducției, curentul de grilă se
poate anula, permițând o comandă de tip impuls;
• în stare de conducție cele două tranzistoare sunt în
saturație astfel că rezistența anod-catod a tiristorului
scade la valori de ordinul m, curentul în acest
circuit fiind limitat practic de rezistența de sarcină R;
• întreruperea conducției prin tiristor se poate realiza
numai prin micșorarea curentului anodic sub
valoarea curentului de menținere IH.
10
Caracteristicile dinamice ale tiristorului SCR
Circuitul de comandă
al tiristorului SCR tON  td  tri  t fv
Intrarea în conducție a
tiristorului SCR
11
Caracteristicile dinamice ale tiristorului SCR
Circuitul de comandă
al tiristorului SCR tOFF  t  t s  t f  tq
Ieșirea din conducție a

tiristorului SCR
12
Amorsări parazite ale tiristorului SCR
1.Tensiunea anod catod depăşeşte valoarea de

străpungere în direct VFBD
I CB0
iA 
2.Regimul termic al structurii este instabil 1   N   P 
3. Tensiunea de polarizare directă a tiristorului se

aplică cu o viteză ridicată de creştere (efectul dv/dt).
G G -
- K
K
G
N+ P (iG = 0) TN+PN-
- - - - - - - -
regiune de Cb
trecere golită de
dv AK
Cb
+ + + + + + + + purtători având dt
capacitatea de
N- TPN-P
barieră Cb
P A
+
+ A
13
Circuite de comandă în grilă la tiristorul SCR.
Condiții de îndeplinit.
• un curent de grilă iG > 0

• valoarea curentului de grilă să nu conducă la
încălzirea excesivă a joncțiunii G-K
• este necesar să fixeze precis momentul intrării
în conducție
• să asigure separarea galvanică
• sincronizarea comenzii cu tensiunea A-K
14
Condiții de amorsare.
• dispozitivul are terminalele de forţă

polarizate direct ( vAK  0 )
• în grilă se aplică un impuls pozitiv de
curent de amplitudine cel puţin egală cu
IGT şi de o durată tp necesară curentului
anodic pentru a depăşi valoarea de
acroşare IL.
15
Condiții de amorsare.
iG
IGT t
iA a
IL
b
t
tp
Forme de undă explicative Tipuri de impulsuri de comandă în grilă

pentru amorsarea tiristorului
16
Circuit de comandă în grilă cu separare galvanică

prin transformator de impulsuri
17
Circuite de comandă în grilă la tiristorul SCR
Us
Trecerile prin
zero le tensiunii
sincronizare t
Tensiunea Tensiunea
liniar variabilă de comandă
Impulsul de
comandă a a a
t
grilă
Formele de undă explicative pentru producerea impulsurilor

de comandă în grilă cu controlul fazei de aprindere
18
Circuite de comandă în grilă la tiristorul SCR
Circuit de comandă în grilă cu separare galvanică

prin optocuplor
19
Amorsarea tiristorului prin control de fază. Schema
bloc funcţională a circuitului integrat UAA 145
Tensiune de
comandă
Tensiune de
sincronizare Bloc Generator Comparator
de de tensiune de
sincronizare liniar variabilă tensiune
Formator
de
impulsuri
P1 P2
Inhibare impulsuri
20
Protecţia tiristorului SCR
di
Protecţie la
dt LS dv
Protecţie la
dt
Th
RS
(110) nF CS
Circuit pentru protecţia tiristorului SCR
21
Parametri de catalog ai tiristoarelor
• pentru circuitul de poartă VG, IG ;

• tensiunea de prăbușire în sens direct VBD
• curenții de amorsare și de menținere, IL și IH
• gradienții de curent și tensiune admisibili
diA/dt,dvA/dt ;
• sarcina stocată QS .
22
TRIACUL.
Structura și funcționarea triacului
MT2 MT2
N+ P MT2
TB N- TA TA TB
G G
P
MT1
GRILÃ N+ +
N
(G)
MT1
MT1
a) b) c)
Triacul: structura a), schema electrică echivalentă b) și simbolul c)
23
TRIACUL.CARACTERISTICA STATICĂ.
iT
conducţie în direct
blocare în
invers IL
iG = 0
- VBO IH
v MT2 MT1
-IH +VBO
iG = 0 -IL
blocare în
direct
conducţie în invers
a) în cadranul I al caracteristicii curent-tensiune
cu un curent pozitiv în grilă;
b) în cadranul I al caracteristicii curent-tensiune
cu un curent negativ în grilă;
c) în cadranul III al caracteristicii curent-
tensiune cu un curent pozitiv în grilă;
d) în cadranul III al caracteristicii curent-
tensiune cu un curent negativ în grilă.
24
Amorsarea triacului în cadranul I
MT2 (+)
MT2 (++)
N+ P N+ P
TB TA TB TA
IN
N- IN IP N-
VMT2 MT1  0; VMT2 MT1  0;
iG  0 iG  0; iG  0;
TA intră în conducţie; (-) P IP TA intră în conducţie;
G TB rămâne blocat. G
N+
P TB rămâne blocat.
(+) N+ N+ N+
iG  0
MT1
MT1
25
Amorsarea triacului în cadranul III
MT2 MT2
N+ P N+ P
TB TA TB TA
IP IP
N- VMT2 MT1  0; N- VMT2MT1  0;
IN
iG  0 iG  0; iG  0;
IN iG  0
P TA rămâne blocat; P TA rămâne blocat;
G TB intră în conducţie. G TB intră în conducţie.
(++) N+ N+ N+ N+
(-)
MT1 MT1
(+) (+)
26
Principiile comenzii în grilă
Tensiunea
de
sincronizare
t
iG  0 iG  0
cadranul I cadranul I
Impulsul de v MT2 MT1  0 iG  0 v MT2 MT1  0
comandă în cadranul III
grilă a v MT2 MT1  0 a
t
a
27
Schema bloc funcţională a
circuitului specializat L120
-12V +12V
(nestab.) (nestab.)
C2 C1 220V (50Hz)
+8V
(stab.)
Rv
L120
BLOCUL SURSELOR
DE ALIMENTARE DETECTOR Lsarcină
DE TENSIUNE
ZERO
Rsarcină
GENERATOR BLOC DETECTOR Ri
DE TENSIUNE LOGIC DE CURENT
C3 LINIAR ZERO
VARIABILĂ
TRIAC
P + COMPARATOR FORMATOR ETAJ RG

A.O. DE DE DE
- TENSIUNE IMPULSURI IEŞIRE
V
GND
28
TRIACUL.
Protecția triacului
MT2
RS
MT1 CS
Circuitul RS-CS pentru protecţia triacului la efectul dv/dt
29
Concluzii
• Tiristorul SCR este un dispozitiv electronic de butere robust și simplu, ceea

ce îl face să fie folosit în continuare în aplicațiile de putere mare.
• Este un circuit cu comandă în curent ceea ce constituie un dezavantaj.
• Datorită timpilor de comutație mai mari, tiristorul va fi utilizat în circuite
care funcționează la frecvențe joase.
• În circuitele de frecvențe mai mari tiristorul a fost înlocuit de tranzistorul
IGBT.
• Faptul că este un dispozitiv electronic parțial controlabil este un
dezavantaj, aria lui de aplicare restrângându-se mult.
• Triacul așa cum o spune și denumirea lui este un circuit folosit numai în
circuitele de curent alternativ, el păstrând avantajele și dezavantajele
tiristorului.
30
BIBLIOGRAFIE
1.Rashid M., Power Electronics: Circuits, devices and Applications,
Second Edition, Prentice Hall, USA, 1993.
2.Niculaie Palaghiţă - Electronică de putere – partea I –Dispozitive
semiconductoare de putere Editura MEDIAMIRA Cluj-Napoca
2002.
3.Robert W. Erickson, Fundamentals of Power Electronics, University
of Colorado.
4.www_RegieLive_ro_Electronica_de_putere_si_regalre_automata
5.www_RegieLive_ro_Electronica_de_putere
6. http://www.infineon.com
31
CURSUL NR. 5
TRANZISTORUL BIPOLAR CU GRILĂ

IZOLATĂ (IGBT)
1
SCOPUL CURSULUI
tranzistorul IGBT, structura și polarizarea
acestuia, caracteristicile statice și dinamice
ale acestuia, principalele aspecte ale
comutației tranzistorului IGBT.
• Sunt prezentate principiile comenzii în
grilă,unele considerații privind funcționarea și
protecția tranzistorului IGBT, și aspecte
privind utilizarea acestuia.
2
OBIECTIVE

tranzistorului bipolar cu grilă izolată.
• Cunoașterea principiilor de comandă în grilă și a
dispozitivului.
în care să utilizeze acest tip de tranzistor.
3
• 4.1.Introducere
• 4.2.Structura și polarizarea tranzistorului IGBT
• 4.3.Funcționarea tranzistorului IGBT. Caracteristica
statică
• 4.4. Caracteristicile dinamice ale tranzistorului IGBT
• 4.4.1. Intrarea în conducție-comutația directă.
• 4.4.1. Ieșirea din conducție-comutația inversă
• 4.5. Circuite de comandă în grilă la tranzistorul IGBT
• 4.6. Protecția tranzistorului IGBT
4
NOȚIUNI INTRODUCTIVE
Pentru a obține un dispozitiv de putere
performant, este avantajos să avem o C
rezistență în conducție mică ca și la tranzistorul
BJT cu o comandă printr-o poartă izolată ca și
la tranzistorul MOSFET de putere. 2
G 4
O mai bună structură de putere pentru a
obține beneficiile maxime ale comenzii în grilă MOSFET
și ale conducției bipolare, se obține integrând 1 BJT
fizic MOSFET și BJT în același semiconductor.
Tranzistoarele IGBT au înlocuit tranzistoarele 3

E
MOSFET de putere în aplicații de tensiuni mari
cu pierderi în conducție mici. Configurația Darlington hibridă
Ele au tensiunea în conducție și densitatea de MOSFET și BJT
curent comparabile cu tranzistoarele BJT cu
viteza de comutație mult mai mare.
5
Structura și polarizarea tranzistorului IGBT
simetric
• stratul colectorului de tip p+, înalt
dopat, 1019/cm3, pentru a asigura
un contact bun cu metalizarea
exterioara în vederea rezistenței
în conducție;
• stratul de sărăcire de tip n-, slab
dopat, 1014/cm3, strat care
asigură capabilitatea în tensiune a
dispozitivului;
• corpul p, mediu dopat, 1017/cm3;
• stratul emitorului n+ , înalt dopat,
1019/cm3.
6
Tranzistorul bipolar cu grilă

izolată simetric.(NPT-IGBT) :
a) structura; b) simbolul; c)
schema electrică echivalentă
Condiția de funcționare
ca tranzistor IGBT
• Pentru a putea controla curentul
principal prin dispozitiv utilizând grila
structura ce corespunde tiristorului
Daca
trebuie dezactivată.
• Depunerea metalică a emitorului exterior
realizează un scurtcircuit între straturile P
şi N+ respectiv, între baza şi emitorul tiristorul parazit amorsează
tranzistorului NPN. necontrolat
7
asimetric
• introducerea unui strat N+
puternic dopat între regiunea
de drift N- a tranzistorului şi
stratul P+ al colectorului
• Reducerea valorii factorului de
amplificare în curent PNP al
tranzistorului PNP echivalează
cu creşterea de două sau trei
ori a valorii curentului de
agăţare IL a tiristorului parazit.
Obs: tranzistorul simetric poate
funcționa alimentat atât în c.c. cât și • Ca inconvenient se menţionează
c.a., în timp ce tranzistorul asimetric o creştere a căderii de tensiune
poate funcționa alimentat numai cu pe tranzistor în regim de
tensiune continuă conducţie
8
Funcționarea tranzistorului IGBT.
Principii.
3
+Vd
Rs
Df
Ls
Rg T1
4 2
+Eg G E
Circuit de funcționare a
tranzistorului IGBT
VCE(on)= Vp+n+ Vdrift + VMOSFET
VMOSFET = Vch + VJFET + Vacc
Tensiunea VCEON , care caracterizează

tranzistorul IGBT, are valori între 0,9 … , 2,2V
9
Funcționarea tranzistorului IGBT.
Caracteristici statice.
Caracteristicele statice Caracteristica de transfer

ic=f(VCE) ale ic = f(VGE) la tranzistorul IGBT
tranzistorului IGBT
10
Funcționarea tranzistorului IGBT .
Curenții prin tranzistor
vGE > 0 G vGE > 0 E
E E
N+ n n N+
P P Rbe
Curentul principal
(Curentul MOS)
G
Curentul BJT
Regiunea TNPN
de drift IN N-
IP IP
N+
P+ TPNP
Rezistenţa regiunii
C de drift N-
C
a) b)
curenţii prin structură schema electrică echivalentă
11
Caracteristicile dinamice ale tranzistorului IGBT.
Intrarea în conducție-comutația directă.
Capacităţile parazite ale

unui tranzistor IGBT
Comutația directă pe o sarcină inductivă la un

tranzistor IGBT
12
Ieșirea din conducție-comutația inversă.
Variația curentului de colector

pe durata blocării
tranzistorului IGBT
Comutația inversă pe o sarcină inductivă la un

tranzistor IGBT
13
Circuite de comandă în grilă la tranzistorul IGBT.
Comparația MOSFET- IGBT
• capacităților parazite poartă-emitor, CGE, și poartă-colector, CGC, intervin în
procesul de comutație în același mod ca și capacitățile CGD și CGS.
• Diferențe:
• timpii mai mari de intrare în conducție, tON, și ieșire din conducție tOFF, la
tranzistorului IGBT
• la începutul ieșirii din conducție, înaintea începerii scăderii curentului de
colector, apare un vârf destul de însemnat al acestui curent, cauzat de
începerea recombinării golurilor din stratul de colector;
• la tranzistorul asimetric prezența stratului tampon n+ , asigură o
recombinare directă a golurilor din stratul de colector, reducând
supracurentul și micșorând substanțial timpul de blocare tOFF;
• ca urmare a impedanței mari de intrare a circuitului de poartă pot să
apară oscilații ale comenzii, motiv pentru care se introduc filtre pe
semnalul de comandă, iar conexiunile circuitului de comandă se realizează
cu lungime cât mai mică
14
Circuite de comandă în grilă la tranzistorul IGBT
+Vd
RG= (VGE(on)+ VGE(off))/ IGmax D1 RG1

ON J1 1
3
IG <1A 6 1N4007
4 5 Tp
V1
OFF D2
0 V2 RG2
2 0
0
Schema de principiu a circuitului de comandă

în grilă pentru un tranzistor IGBT
15
Circuite de comandă în grilă la tranzistorul IGBT
8
Diferențe față de MOSFET V1

T1 15 V
0 5
prezența filtrului RC pentru Rc Vcc
oscilațiilor
3 C2
preîntâmpinarea 2 4
0
comenzii; R1 C1
polarizarea negativă la ieșirea 1

RG
9 Tp
din conducție cu scopul de a T2

Vcom R DZ1
reduce vârful de curent de la
începutul blocării. 6 7
0
C DZ2
Circuit tipic de comandă în grilă la tranzistorul IGBT
16
Circuite de comandă în grilă cu cuplaj direct
Utilizarea amplificatoarelor operaţionale Utilizarea circuitelor logice CMOS

pentru comanda în grilă a unui IGBT pentru comanda în grilă a unui tranzistor
IGBT
17
Circuite de comandă în grilă cu separare
galvanică
Reducerea puterii vehiculate prin transformatorul de impulsuri

prin derivarea în primar a semnalului dreptunghiular de comandă şi
refacerea formei acestuia în secundar cu ajutorul timerului 555.
18
Protecția tranzistorului IGBT
• Prima protecție se referă la circuitul grilă-emitor, deoarece supratensiunile
grilă-emitor pot produce străpungerea stratului de oxid de siliciu. Tensiunile maxime
grilă-emitor admise sunt de până la 25 … 30V.
• Protecția la supratensiuni colector-emitor se realizează cu circuite RC asemănătoare
cu cele de la tiristoare sau circuite RCD ca la tranzistoarele bipolare
• Protecția la supracurenți folosește proprietatea tranzistorului de a se bloca, într-un
timp scurt, prin comanda adecvată pe poartă
• O altă problemă constă în sensibilitatea tranzistorului IGBT la gradient de tensiune
dVCE/dt în procesul de ieșire din conducție
C
C
Dp
1 2
1
Rp Cp Rp
4 Q1 4 Q1
G 2 G
3 Cp 3
Protecţia grilei la E
E
supratensiune prin Circuit RC de protecție Circut RCD de protecție la

conectarea în antiserie
la supratensiuni supratensiuni colector- emitor
a două diode Zener
de 15V
colector- emitor 19
Protecția tranzistorului IGBT.
Aria de operare sigură.
Ariile de operare sigură pentru tranzistorul IGBT
20
Protecția tranzistorului IGBT.
Protecția la scurtcircuit
Vp=0,7V + VCEsat
• Analizând semnalul din punctul P care
monitorizează evoluţia tensiunii colector-
emitor şi semnalul de comandă se poate
P detecta dacă tranzistorul funcţionează
sau nu în regim de supracurent
(scurtcircuit)
• Dioda Dp trebuie să reziste la tensiuni
inverse ridicate ea având rolul de a
separa circuitul de monitorizare a
tensiunii VCE de tensiunea de alimentare
a circuitului de colector atunci când
Circuit de protecţie la
tranzistorul se blochează
scurtcircuit şi supracurent utilizând
monitorizarea tensiunii colector-
emitor
21
Protecţia la scurtcircuit şi supracurent a unui
tranzistor IGBT
Protecţia la scurtcircuit
şi supracurent a unui
tranzistor IGBT prin
utilizarea funcţiilor
incluse într-un driver
inteligent
Comportarea circuitului de
protecţie la scurtcircuit şi
supracurent
22
Protecţia la supracurent şi supratensiune
utilizând structura Sense-IGBT
Dacă tensiunea VSENSE depăşeşte pragul fixat de referinţa VREF circuitul

de protecţie se activează blocând tranzistorul de putere şi ignorând
semnalul de comandă aplicat la intrarea INPUT a modulului
23
CONCLUZII
• Tranzistorul IGBT este un dispozitiv de putere bipolar cu

comanda în tensiune.
• Este un dispozitiv mai lent decât tranzistorul MOSFET de
putere, dar mai puternic.
• Tranzistorului IGBT prezintă efectul de coadă de curent ceea
ce îi reduce performanțele în comutație.
• Aplicațiile tranzistorului IGBT sunt în domeniul tensiunilor
mari având o capabilitate în tensiune mai mare ca și
tranzistorul MOSFET de putere, și frecvențe de funcționare
până la sute de kiloherți.
• O arie de aplicație importantă pentru tranzistorul IGBT este
în domeniul conversiei energiei solare.
24
BIBLIOGRAFIE
1.Rashid M., Power Electronics: Circuits, devices and
2.Niculaie Palaghiţă - Electronică de putere – partea I –
Cluj-Napoca 2002.
3.Robert W. Erickson, Fundamentals of Power Electronics,
University of Colorado.
4.www_RegieLive_ro_Electronica_de_putere_si_reglare_automa
ta
5.www_RegieLive_ro_Electronica_de_putere
25
CURSUL NR.6
TIRISTORUL GTO.
TIRISTORUL MCT.
1
SCOPUL CURSULUI
• Cursul prezintă principalele aspecte privind tiristorul
GTO, structura și polarizarea acestuia, caracteristicile
statice și dinamice ale acestuia, principalele aspecte
ale comutației tiristorului GTO și amorsările parazite
ale acestuia.
• Sunt prezentate principiile comenzii în grilă, unele
considerații privind funcționarea și protecția
tiristorului GTO, și aspecte privind utilizarea acestuia.
• Sunt prezentate și principalele aspecte privind
tiristorul MCT, tipuri, structura și polarizarea acestuia,
caracteristica dinamică și considerații privind protecția
acestuia.
2
OBIECTIVE
• Cunoașterea structurii și a modului de operare al
tiristorului GTO , a regimului de funcționare și
comanda acestui dispozitiv.
• Cunoașterea principiilor de comandă în grilă, a
modalităților de amorsare și problema amorsărilor
parazite ale tiristorului.
• Cunoașterea problemelor privind utilizarea și
protecția tiristorului la diverși factori externi.
• Cunoașterea structurii și modului de funcționare a
tiristorului MCT, a tipurilor de tiristoare MCT, a
caracteristicilor dinamice, a modului de utilizare și
protecția acestui dispozitiv electronic de putere.
3
• 6.TIRISTORUL GTO.TIRISTORUL MCT

• 6.1.Introducere
• 6.2..Structura tiristorului GTO
• 6.3.Polarizarea tiristorului GTO
• 6.4.Caracteristica statică și amorsarea tiristorului GTO
• 6.5.Ieșirea din conducție- blocarea tiristorului GTO.
• 6.6.Caracteristicile dinamice ale tiristorului GTO
• 6.6.Caracteristicile dinamice ale tiristorului GTO
• 6.7.Protecția tiristorului GTO
4
• 6.8.Tiristorul MCT
• 6.8.1.Structura și funcționarea tiristoarelor MCT.
• 6.8.2. Performanţele dinamice ale unui tiristor
MCT
• 6.8.3 Protecția unui tiristor MCT
5
Structura tiristorului GTO
G K G
K
G
+
N A (anod)
P TN+PN-
N-
TPN-P
G (grilã)
+ + + K (catod)
N N N P RS
A
A
a) b) c)
Tiristorul GTO:
a) structura; b) schema electrică echivalentă; c) simbolul
• Tiristorul cu stingere pe poartă provine dintr-o structură de tiristor SCR în
care stratul P al anodului este scurtcircuitat din loc în loc de insule N+.
6
Structura tiristorului GTO
• structura catod-poartă, straturile N+ și P, este
realizată înalt interțesută în scopul asigurării unui cât
mai bun acces
• catodul este realizat sub forma unor degete, cu
contact direct la metalizarea catodului
• în structura P+ a anodului sunt intercalate porțiunile
de dimensiune redusă de straturi N+
• P+, N – impurificare de 1019/cm3
• N- - impurificare de 1013 –1014/cm3
• P – impurificare de 1017/cm3
7
Amorsarea prin comandă în grilă
a tiristorului GTO
Condițiile formale de amorsare :
 NiG
iA 
1   N   P 
• factorul de amplificare în curent la
amorsare GON
• condiţiile formale de amorsare :

amorsarea unui tiristor GTO este posibilă
dacă dispozitivul are terminalele de forţă  N   P  1
polarizate direct (vAK 0) şi în grilă se 
aplică un impuls pozitiv de curent de i A  
amplitudine cel puţin egală cu IGT şi o • IGT curentul de grilă minim necesar
durată tp necesară curentului anodic să amorsării
atingă valoarea de acroşare IL. 8
Caracteristica statică și amorsarea tiristorului
GTO
iA
Amorsarea prin comanda în grilă
Comportare de tip tiristor
( iGF  IGT)
IL Terminalele de forţă polarizate
Comportare de tip tranzistor
bipolar cu joncţiune( iGF  IGT)
direct (vAK  0)
vAK
Impuls pozitiv de curent IGT
Comportarea tiristorului GTO la

intrarea în conducție
9
Amorsări parazite ale tiristorului GTO
1.Tensiunea anod-catod depăşeşte valoarea de

străpungere în direct VFBD
I CB0
iA 
2.Regimul termic al structurii este instabil 1   N   P 
3. Tensiunea de polarizare directă a tiristorului se

aplică cu o viteză ridicată de creştere (efectul dv/dt).
-
- K
G K G
G
N+ P (iG = 0) TN+PN-
- - - - - - - -
regiune de Cb
trecere golită de dv AK
Cb
+ + + + + + + + purtători având dt
capacitatea de
N- TPN-P
barieră Cb
N+ N+ N+ P A RS
A +
+
10
Ieșirea din conducție- blocarea tiristorului GTO
iGR  0
G K G K Condiția de ieșire din conducție
iGR  0 iGR
iK
N+ P G TN+PN-
iCP
iP iCN
iN N-
TPN-P
N+ N+ N+ P iA RS •P cât mai mic(0,1-0,12);

A
A •Ncât mai mare(0,6-0,8).
• factorul de amplificare în curent la blocare

a) b)
A
G OFF cu valori cuprinse între 2 şi 10
Rs R
3
4
T1
2
Ea
T2
1
G
Eg
iG=(10% - 50%)iA
K 0
Circuit pentru ieșirea din conducție a tiristorului GTO

11
Caracteristicile dinamice ale tiristorului GTO.
Intrarea în conducție.
Circuit de comandă în grilă la

tiristorul GTO
iG
Intrarea în conducție a tiristorului GTO

+IGF
0
t
tON  td  tri
-IGR
Forma tipică a curentului de grilă
12
Caracteristicile dinamice ale tiristorului GTO.
Ieșirea din conducție.
Circuit de comandă în grilă la Ieșirea din conducție a tiristorului GTO

tiristorul GTO
t OFF  t S  t fi  t rv  t C
13
Principiile comenzii în grilă ale unui tiristor
Cerințe: GTO
• realizarea curentului de poartă de
menținere, IGF
• realizarea curentului de poartă negativ,
iG <0, pentru ieșirea din conducție
Forma caracteristică a Structura funcţională a circuitelor de

curentului de grilă necesar comandă în grilă pentru tiristorul GTO
comenzii tiristorului GTO
14
Circuite de comandă în grilă cu cuplaj direct
Circuit de comandă în grilă utilizând Circuit de comandă în grilă utilizând

două surse de polarizare a circuitului o singură sursă de polarizare.
de comandă
15
galvanică
Circuit de principiu de comandă în grilă cu

izolare galvanică
16
galvanică
Circuit de comandă în grilă cu refacerea semnalului dreptunghiular de

comandă în secundar prin efectul de agăţare al unei bucle cu reacţie pozitivă
17
Principiile comenzii în catod
• Principalul avantaj al comenzii în catod îl

constituie faptul că pentru controlul
tiristorului GTO se pot utiliza semnale în
tensiune compatibile cu logica CMOS
• Datorită prelungirilor ce apar în curentul
anodic la tranziţia inversă şi a pierderilor
de putere frecvenţa de comutaţie se
Schema de principiu a unui circuit limitează superior la aproximativ 16kHz
de comandă în catod
18
Protecția tiristorului GTO
+Vd
Dfugă Sarcină R-L
GTO DS RS
CS
Protecţia tiristorului
Protecția la supracurent iA
 dv AK   dv AK 
GTO cu circuitul
folosind tiristor auxiliar    
 dt 1  dt  2 snubber RS-CS-DS
SOA
vAK
0
Aria de funcţionare sigură a unui tiristor GTO
19
TIRISTORUL MCT.
Structura și funcționarea tiristoarelor MCT.
GRILĂ (G) GRILĂ (G)
SiO2
ANOD (A) SiO2
Canalul p al N+ N+ Canalul p al
tranzistorului tranzistorului
ON-MOS P P+ P ON-MOS
Canalul n al Canalul n al
tranzistorului N tranzistorului
OFF-MOS OFF-MOS
P-
N+
CATOD (K)
Tiristorul P-MCT: structura, schema electrică echivalentă și simbolul
Tiristorul N-MCT: structura, schema electrică echivalentă și simbolul

20
TIRISTORUL MCT.
Caracteristicile dinamice ale unui tiristor
MCT
Tensiunea
grilă-catod
Vth (N) t
Vth (P)
Tensiunea
anod-catod
Vd
t
Curentul
anodic
I0
10%
t
td.on tri td.off tfi
Formele de undă la comutaţia unui

tiristor MCT
21
TIRISTORUL MCT.
Protecția unui tiristor MCT
Curentul
anodic
IMAX • Curentul pe care îl poate vehicula

un tiristor MCT aflat în conducţie
este cuprins în gama de valori
Tensiunea
100-200A, iar capabilitatea în
anod-catod tensiune în stare blocată poate
0 atinge 2-3kV.
VBO
• Din punct de vedere dinamic
Aria de funcţionare sigură (SOA) pentru un
tiristorul MCT este sensibil la
tiristor MCT
efectele dv/dt şi di/dt
• Valorile uzuale pentru dv/dt sunt
cuprinse între 500 şi 1000V//s.
• Pentru curentului anodic se admit
pante de aproximativ 500A/ s.
22
Tiristorul MTO
O variantă a tiristorului MCT o reprezintă tiristorul MTO (MOS Turn-
Off). Simbolul acestui dispozitiv electronic de putere este redat în figură
Anod (A)
G2 G1
Catod (K)
Simbolul tiristorului MTO
Pentru intrarea în conducţie se aplică un curent pozitiv în grila G 1

pentru ca, blocarea să se realizeze printr-o comandă în tensiune (+15V)
aplicată grilei G2. Acest tip de tiristor este destinat electronicii de
mare putere (500A, 4500V) cum ar fi acţionările electrice şi circuitele
oscilante.
23
Alte tipuri de tiristoare MCT
În categoria tiristoarelor MCT se lansează noi dispozitive din
ce în ce mai performante cum ar fi : TGTO (Transparent Gate
Turn-Off Thyristor) sau SAMCT (Self Aligned MOS Controlled
Thyristor). Un tiristor TGTO are pierderi de comutaţie de trei
ori mai reduse faţă de un tiristor GTO operând în aceleaşi
condiţii. Pe de altă parte, un tiristor SAMCT, poate suporta în
stare de blocare o tensiune de 5kV pentru ca, în stare de
conducţie, căderea de tensiune între terminalele de forţă să fie
de numai de 1,6V la o densitate maximă de curent controlabil
de 60A pe cm2.
24
CONCLUZII
• Tiristorul GTO este un dispozitiv cu comandă
în curent complet controlabil, având astfel un
avantaj față de tiristorul SCR.
• Nivelul ridicat al curentului de comandă, mai
ales la comutația inversă este un dezavantaj
major al acestuia.
• La fel ca și tiristorul SCR , și tiristorul MCT
prezintă problematica amorsărilor parazite.
• Tiristorul GTO este mai rapid decât tiristorul
SCR.
25
CONCLUZII
• Tiristorul MCT este un dispozitiv cu șase

straturi cu comanda în tensiune, fiind un
dispozitiv complet controlabil.
• Tiristorul MCT este un dispozitiv la care
comanda de intrare în conducție și de blocare
se face prin intermediul unor tranzistoare
MOSFET.
• Tiristorul MCT este cel mai rapid dispozitiv
dintre tiristoarele prezentate.
• 26
BIBLIOGRAFIE
Cluj-Napoca 2002.
4.www_RegieLive_ro_Electronica_de_putere_si_reglare
automata.
5.www_RegieLive_ro_Electronica_de_putere.
27
CURSUL NR.7
TENDINŢE ÎN DEZVOLTAREA
DISPOZITIVELOR ELECTRONICE DE
PUTERE
1
SCOPUL CURSULUI
• Scopul cursului este de a prezenta principalele
tendințe în dezvoltarea dispozitivelor electronice
de putere moderne, a materialelor noi folosite în
electronica de putere și a dispozitivelor
electronice de putere noi.
• Sunt prezentate tehnologiilor noi cum ar fi
tehnologia Cool MOS, tehnologia Fieldstop,
tehnologia Trenchgate și tehnologia Trenchstop-
IGBT.
• Este prezentată o comparație a performanțelor
dispozitivelor noi cu dispozitivele deja
consacrate.
2
OBIECTIVE
• Cunoașterea materialelor noi folosite în dezvoltarea
dispozitivelor electronice de putere și a
performanțelor acestora.
• Cunoașterea dipozitivelor noi realizate pe baza
carburii de siliciu și a avantajelor oferite de acestea.
• Cunoașterea tehnologiilor noi cum ar fi tehnologia
Cool MOS, tehnologia Fieldstop, tehnologia
Trenchgate și tehnologia Trenchstop-IGBT.
• Cunoașterea și compararea performanțelor
dispozitivelor noi cu dispozitivele deja consacrate.
3
• 7. Tendinţe în dezvoltarea dispozitivelor electronice

de putere
• 7.1.Introducere
• 7.2.Dioda Schottky cu carbură de siliciu SiC
• 7.3.Tranzistoare MOSFET în tehnologia Cool MOS
• 7. 3.1.Principiul superjoncţiunii
• 7.3.2. Caracteristicile dispozitivului
4
• 7.4.Tranzistoare Trenchstop IGBT

• 7.4.1.Tehnologia Fieldstop
• 7.4.2.Tehnologia Trench gate
• 7.4.3.Performaţe statice ale tranzistorului
Trenchstop-IGBT
• 7.4.4.Performanţe dinamice
• 7.5. Comparație între SiC MOSFET și IGBT
5
Introducere
• Dispozitive electronice de putere pe baza de carbură de siliciu (SiC) şi nitrura
de aluminiu (AlN) au fost cu succes dezvoltate şi demonstrate.
• Comparativ cu dispozitivele pe baza de Si, acestea pot opera la frecvenţe de
10 ori mai mari, cu pierderi de putere de 100 de ori mai mici şi temperaturi
de operare de 3 ori mai mari.
• Folosind convertoare şi redresoare mai eficiente pe baza de SiC şi AlN ar
rezulta o reducere a necesarului actual de energie de până la 50%.
• Datorită potenţialului aplicativ şi proprietăţilor sale superioare faţă de siliciu,
ţinta unui studiu profund au devenit, mai cu seamă, semiconductorii grupei
III-V.
• Ca rezultat, dispozitive optoelectronice, senzori, tranzistori de putere şi
frecvenţe înalte au fost elaborate şi implementate în baza arsenurii de galiu
(GaAs) , fosfurii de indiu (InP) , nitrurii de galiu (GaN), carburii de siliciu (SiC)
şi soluţiilor solide ale acestora.
• Cheltuielile mari legate de procesare şi preţurile ridicate ale cristalelor sunt
principalele obstacole ce limitează implementarea pe scară largă a acestor
semiconductori.
6
Introducere
Proprietăţile termice, de putere şi frecvenţă la diferiți semiconductori
7
Dioda Schottky cu carbură de siliciu SiC
Beneficiilor oferite de materialele SiC.
• Dispozitivele cu SiC aparțin așa numitei categorii de semiconductoare
cu banda largă, astfel încât tensiunea de lucru pentru diodele
Schottky cu SiC poate fi extinsă la mai mult de 1000V. Acest lucru este
posibil datorită beneficiilor oferite de materialele SiC:
- Curent invers redus datorită faptului că bariera metal-semiconductor
este de două ori mai mare ca la siliciu;
- O valoare atractivă a rezistenței în conducție, comparabilă cu diodele
cu Si și GaAs(vezi fig. 2.1);
- Densitatea mare de curent care asigură dimensiuni reduse și o
conductibilitate termică ridicată (mai mult de 3 ori mai mare decât la Si),
comparabilă cu cea a cuprului.
8
Comparația rezistenței în conducție

funcție de tensiunea de blocare, pentru
diferite diode Schottky.[5]
Dependenţa de temperatură a caracteristicii directe şi

inverse la o diodă SiC Schottky de 600 V
9
Performanţele dinamice ale diodei SiC Schottky sunt aproape de ale unei
diode ideale.
Sarcina QC la o dioda SiC

Schottky de 600 V comparativ
cu diodele cu Si
Comutaţia inversă la diferite tipuri de diode
10
Eficienţa unui sistem PFC şi dimensiunile inductoarelor

funcţie de frecvenţă
11
Dioda Schottky cu carbură de siliciu SiC.
Avantajele utilizării în aplicații de putere.
• Creşterea frecvenţei de comutaţie;
• Reducerea mărimii comonentelor pasive ca şi
inductoarele;
• Micşorarea mărimii comutatoarelor
semiconductoare;
• Micşorarea sau lipsa radiatoarelor;
• Creşterea fiabilitaţii ;
• Creşterea densitaţii de putere.
12
Tranzistoare MOSFET în tehnologia Cool MOS.
Necesitate.
Cool MOS este o tehnologie revoluţionară pentru tranzistoarele MOS-FET de tensiune mare
şi proiectate cu ajutorul principiului super-joncţinii.
Tranzistoarele MOS-FET de putere convenţionale suferă prin aşa-numita “silicon limit”, care
presupune că o dublare a tensiunii de blocare duce la o creştere a rezistenţei în conducţie
directă RDSON de cinci ori.
Tehnologia superjoncţiunii (SJ)

permite realizarea unei rezistenţe
în conducţie pentru un tranzistor
MOS-FET de putere care se apropie
de zero
Rezistenţa specifică în conducţie directă

Rds(on) în funcţie de tensiunea de blocare 13
Principiul superjoncţiunii.
Secţiune transversală la MOSFET standard şi SJ MOSFET
14
Principiul superjoncţiunii.
Rezistenţa în conducţie pentru diferite tipuri de tranzistoare

15
Avantajele utilizării.
Cool MOS 900V este pasul următor spre comutatorul ideal de
înaltă tensiune. El prezintă avantaje ca:
• pierderi foarte mici în conducţie şi comutaţie;
• rezistenţă în conducţie directă foarte mică;
• sarcina de grilă QG extrem de mică şi ca rezultat cel mai scăzut
FOM (figure-of-merit), FOM = RDSON *QG
• încălzire a dispozitivului foarte redusă;
• mărime şi greutate foarte redusă;
• cerinţe de putere foarte reduse pentru drivere, rezultând un
cost redus pentru CI şi drivere;
• reducerea semnificativă a costului sistemului
16
Tranzistoare Trenchstop IGBT.
Tehnologia Fieldstop.
Secţiune transversală şi câmpul electric la blocare la tranzistoarele NPT-

IGBT şi Fieldstop IGBT
17
Tehnologia Trench-gate
Structura tranzistoarelor IGBT standard şi Trenchgate IGBT

combinat cu tehnologia Fieldstop
18
Caracteristici statice.
Caracteristica statică la Trenchgate-IGBT(IKP10N60T) şi

Fast-IGBT(SKP10N60A)
19
Caracteristici dinamice.
Tensiunea şi curentul la comutaţie inversă la

Trenchgate-IGBT(IKP10N60T) şi Fast-IGBT(SKP10N60A)
20
Comparație între SiC MOSFET și IGBT
• Capabilitatea mai mare la străpungerea în

câmp electric (de 10 ori mai mare)
• Conductibilitatea termică mai mare (mai bun
ca şi Cu)
• Temperatura de lucru mai mare
• SiC este ma bun decât Si ca metal
semiconductor în aplicaţiile V>600V.
21
Structura tranzistorului SiC DMOSFET cu prezentarea

componentelor rezistenţei în conducţie
22
Pierderile in conducţie la tranzistoarele SiC MOSFET si IGBT
23
CONCLUZII
• Diodele SiC Schottky sunt primele dispozitive

realizate din carbură de siliciu şi se folosesc cu
success la 600V şi 1200V reducând semnificativ
pierderile în circuitele electronice de putere
• În împărţirea pieţii între tranzistoarele MOSFET şi
IGBT există o porţiune relativ îngustă în care se pune
problema alegerii unuia dintre ele
• Tehnologiile noi la dispozitivele electronice de putere
realizate din siliciu apar aproximativ odată la cinci
ani.
24
CONCLUZII
• Tehnologia CoolMOS reduce foarte mult rezistenţa
în conducţie şi face posibilă înlocuirea tranzistorului
IGBT la tensiunide 900V cu reducerea semnificativă a
pierderilor în conducţie şi comutaţie
• Tehnologia Trenchstop-IGBT reduce tensiunea de
saturaţie Vcesat , parametru important al
tranzistoarelor IGBT ,cu aproximativ 0,5V ( reducere
cu aproximativ 30 %) şi deci reduce pierderile în
conducţie
• Tehnologia Trenchstop-IGBT reduce pierderile în
comutaţie prin eliminarea aproape în totalitate a
efectului coadă de curent.
25
CONCLUZII
• Tranzitoarele SiC MOSFET oferă avantajele
tehnologiei cu materiale din carbură de siliciu
reducând rezistenţa în conducţie,mărind tensiunile
de lucru şi temperatuta de funcţionare (1500C).
• Comutatorul SiC MOSFET devine cel mai eficient
dispozitiv pentru sistemele de conversie de mare
putere înlocuind cu succes tranzistoarele IGBT.
• Noile tehnologii cu materiale ca SiC sau GaN vor avea
un cuvânt greu de spus în viitorul dispozitivelor de
putere.
26
BIBLIOGRAFIE
Cluj-Napoca 2002.
4.www_RegieLive_ro_Electronica_de_putere_si_reglare
automata.
5.www_RegieLive_ro_Electronica_de_putere.
27
VARIATOARE DE TENSIUNE
ALTERNATIVĂ

SCOPUL CURSULUI
• Cursul prezintă principalele aspecte legate de
variatoarele te tensiune alternativă.
• Sunt prezentate principiile de funcționare a
variatoarelor de tensiune alternativă,
modalitățile de control a principalilor
parametrii ai acestora și schemele de
principiu corespunzătoare.
• Sunt prezentate principalele aspecte legate de
variatoarel de tensiune alterativă monofazate
și trifazate

OBIECTIVE
• Cunoașterea noțunii de variator de tensiune

alternativă și principalele aplicații a acestuia.
• Cunoașterea principiilor de funcționare a
variatoarelor de tensiune alternativă.
• Cunoașterea schemelor de principiu la
variatoarele monofazate și trifazate de
tensiune alternativă.

• 8 .VARIATOARE DE TENSIUNE ALTERNATIVĂ

• 8.1. Noţiuni introductive
• 8.2. Principiile de funcţionare ale variatoarelor de
tensiune alternativă
• 8.2.1.Principiul comutării cu număr întreg de
perioade
• 8.2.2.Principiul controlului unghiului de amorsare

• 8.2.3.Principiul controlului unghiului de fază, cu

comutaţie forţată
• 8.2.4.Principiul strategiei modulării în durată (PWM)
cu frecvenţă ridicată
• 8.3.Variatoare de curent alternativ monofazate
• 8.4.Variatoare de tensiune alternativă trifazate

Introducere.
Domeniul de aplicaţie.
• încălziri industriale;
• cuptoare electrice industriale;
• controlul iluminatului;
• controlul vitezei motoarelor monofazate sau polifazate;
• controlul electromagneţilor de curent alternativ;
• controlul echipamentului de sudură sau dezlipire fină în
tehnologia electronică;
• comutarea sub sarcină a ploturilor transformatoarelor de
putere;
 variatoare monofazate
 variatoare trifazate.

Principiile de funcționare ale variatoarelor de
tensiune alternativă
Comutarea cu număr întreg de perioade
Controlul unghiului de amorsare
Controlul unghiului de fază, cu comutaţie

forţată
Combinarea celor două strategii b) și b’)
Strategia modulării în durată cu frecvenţă

ridicată (PWM):
Strategii de control la variatoarele de tensiune alternativă

Principiul comutării cu număr
întreg de perioade
Circuitul de putere a variatorului

de tensiune alternativă
 n Principiul comutării cu
n  m factorul de umplere
număr întreg de perioade
Vo V
I0   a 
RL RL Vo  Va 
• reglarea automată a temperaturii
V
PL  V0  I o  0    Pa   cuptoarelor încălzite electric
Rr
Pa este puterea nominală în cazul unei conectări directe

Principiul controlului unghiului de amorsare
Va
200
 0........................pentru 0  t   / 0
 0
v 0 (t)  
-200

Vm sin( 0 t )....pentru  / 0  t  T0 / 2 1
Vg
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Vo
200
-200
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05

Time (s)
Formele de undă teoretice pentru un unghi

=60o şi o sarcină rezistivă
Variator de tensiune alternativă cu     0.5 sin 2

V0   Va
condensator pentru compensarea 
puterii reactive la intrare
I0      0.5sin 2  Va
 RL
P0  (1   )  Pa


Principiul controlului unghiului de fază, cu comutaţie
forţată
e   2  
V  1  2   sin 2  V
o   a
Controlul unghiului de fază cu comutaţie

forţată P  (1  2 /   sin 2 / )  Va2 / RL
• puterea reactivă (Q) este egală cu zero, ceea

ce constituie avantajul esenţial al acestei
0  t1  , (   2) strategii.
0  t 2  e , (e  )

Principiul strategiei modulării în durată (PWM)
cu frecvenţă ridicată
(1-)Tm
Forma tensiunii la un variator de tensiune Aproximarea tensiunii de ieşire

folosind strategia modulaţiei în durată
T0 / 2 T0
Tm  
n 2n
Po    Va2 / RL

Schema de principiu a unui variator monofazat
de curent alternativ cu modulație PWM

Variatoare de curent alternativ monofazate
Schema de principiu a unui convertor monofazat de curent alternativ:

a)cu triac și b) cu tiristoare

Variante de convertoare c.a-c.a

Variatoare de curent alternativ monofazate cu
control de fază
Schema de principiu a unui convertor monofazat de

curent alternativ cu control de fază

Variatoare de curent alternativ monofazate
Va
200
-200
Vg1 Vg2
0.8
0.4
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05

Time (s)
Vo
300
200
100
-100
-200
-300
0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05

Time (s)
Formele de undă ale semnalelor pentru un convertor

monofazat de curent alternativ cu control de fază

Variatoare de tensiune alternativă
trifazate
Secvenţa de amorsare a tiristoarelor este (T1,
T6, T3, T2, T5) şi (T4)
0    5/6 Unghiul de întârziere
Pentru 60    90, doar două

tiristoare conduc în orice moment şi nu
există discontinuităţi (întreruperi) de
curent.
Pentru 90o    150o, tot două
tiristoare sunt în conducţie dar există
Schema de principiu a unui variator
trifazat cu o sarcină rezistivă perioade în care nici un tiristor nu este
conectată în stea amorsat (regim de curent întrerupt).
Pentru   150o, nu există perioade în
care să conducă cel puţin două tiristoare şi
deci tensiunea de ieşire devine nulă.
Variatoare de tensiune alternativă trifazate
. Formele de undă ale tensiunilor de alimentare, unghiurile de conducţie ale

tiristoarelor şi tensiunile de fază la un variator trifazat pentru  = 60

CONCLUZII
• Variatoarele de tensiune alternativă sunt convertoare
de putere de tip c.a–c.a., care folosesc comutaţia
naturală, curentul prin dispozitivele semiconductoare
scăzând la zero la sfârşitul fiecărei semiperioade de
conducţie.
• Transferul de putere este controlat prin variaţia
valorii efective a tensiunii alternative aplicate sarcinii.
• În principiu oricare dintre strategiile de control poate
fi aplicată atât variatoarelor monofazate cât şi celor
trifazate.

CONCLUZII
• Armonicile de ordin superior în strategia PWM
generează o fundamentală de curent în fază cu
tensiunea de alimentare iar puterea reactivă
(Q) este în acest caz egală cu zero.
• Dispozitivele semiconductoare de putere
folosite sunt însă mai pretenţioase, întrucât
trebuie să funcţioneze cu pierderi rezonabile
la puteri şi frecvenţe ridicate (f >>50 Hz).

BIBLIOGRAFIE
• BIBLIOGRAFIE:
• Palaghiţă, N., Petreuş, D., Fărcaş, C., Electronică de putere-
partea a II-a, , Ed. Mediamira, Cluj-Napoca, 2004
•
www_regielive_ro_Electronica_de_putere_si_reglare_automa
ta .
• www_regielive_ro_Electronica_de_putere
• http://www.infineon.com.
CURSUL NR.9
VARIATOARE DE CURENT
ALTERNATIV CU MODULAȚIE
PWM
1
SCOPUL CURSULUI
variatoarele de curent alternativ cu modulație
PWM.
• Sunt prezentate principiile modulației PWM la
variatoarele de curent alternativ, avantajele și
dezavantajele acestui tip de comandă.
• Sunt prezentate principalele topologii de
variatoare de curent alternativ cu modulație
PWM și similitudinea lor cu alte circuite
2
OBIECTIVE
• Cunoașterea noțiunilor despre variatoarele de

curent alternativ cu modulație PWM.
• Cunoașterea principiului de funcționare al
variatoarele de curent alternativ cu modulație
PWM.
• Cunoașterea principalelor tipuri de variatoare
de curent alternativ cu modulație PWM, a
schemelor de principiu a acestora și a
funcționării lor.
3
• 8. Variatoare de curent alternativ cu modulație PWM

• 8.1. Principiul variatorului de curent alternativ cu modulaţie
PWM
• 8.2 Variator monofazat de c.a. coborâtor de tensiune (Buck)
• 8.3. Variator monofazat de c.a. ridicător de tensiune (Boost)
• 8.4. Variator monofazat de c.a. coborâtor – ridicător de
tensiune (Buck-Boost)
• 8.5. Alte tipuri de variatoare de curent alternativ. cu
modulaţie PWM
4
Principiul variatorului de curent alternativ cu
modulaţie PWM
Schema de principiu a unui variator monofazat

de curent alternativ cu modulaţie PWM
5
Principiul variatorului de curent alternativ cu
modulaţie PWM
Semnalele de comandă S1, S2, S3, S4 ale comutatoarelor şi

forma de undă a tensiunii de la ieşirea variatorului
6
Variator monofazat de c.a. coborâtor de
tensiune (Buck).
Conducţia simultană a
tuturor celor patru
tranzistoare trebuie
evitată
Schema electrică de principiu a unui variator de c.a. de tip coborâtor

• Pe durata alternanţei pozitive a tensiunii de intrare , tranzistorul T1 realizează modulaţia
PWM în timp ce, tranzistorul T3 este în conducţie completă pentru a asigura o cale de
scurgere (regimul de conducţie liberă) a curentului de sarcină Io atunci când T1 se
blochează. În tot acest interval de timp, tranzistorul T4 rămâne în stare de blocare
• Pe durata alternanţei negative, tranzistorul T2 realizează modulaţia PWM iar tranzistorul
T1 este în conducţie permanentă în tot acest interval. Tranzistorul T4 asigură regimul de
conducţie liberă în timp ce, tranzistorul T3 rămâne blocat.
7
tensiune. Regimul activ.
• Curentul de sarcină,
considerat pozitiv, se
închide prin tranzistorul
T1 şi sarcina şi dioda D2.
• Este modul în care se
transferă putere dinspre
sursă spre sarcină.
Regimul activ. Io>0, T1=ON, T2=OFF, T3=ON sau OFF, T4=OFF
Regimul activ al convertorului monofazat de c.a.
8
tensiune. Regimul de conducţie liberă.
Regimul de conducţie liberă. Io>0, T1=OFF, T2=ON, T3=ON, T4=OFF
• Curentul de sarcină are, în continuare, sensul pozitiv şi se închide

prin tranzistorul T3 şi dioda D4, componente care, prin conducţia lor,
realizează un scurtcircuit la bornele sarcinii asemeni unei “diode de
nul”.
• Legătura energetică dintre sursă şi sarcină este întreruptă.
9
tensiune. Regimul de recuperare .
Regimul de recuperare: Io<0, T1=ON sau OFF, T2=ON, T3= ON sau OFF T4=OFF
• Curentul de sarcină, negativ, de această dată, asigură transferul puterii (putere
recuperată) dinspre sarcină spre sursă. Regimul de recuperare este datorat
caracterului inductiv al sarcinii, când curentul, rămâne în urma tensiunii.
• Circulaţia curentului este asigurată prin conducţia tranzistorului T2 şi a diodei D1.
10
Variator monofazat de c.a. coborâtor de tensiune
Vo=D*Vin
D-factorul de umplere
0≤D≤1
si Vo<Vin
Convertorul se comportă asemenea

Echivalarea unui variator de c.a. pe un unui transformator coborâtor de
interval de comutaţie corespunzător perioadei tensiune având raportul de
PWM, în cadrul alternanţei pozitive, cu un transformare subunitar:
variator de c.c. în configuraţie Buck.
N2/N1=D (factorul de umplere)≤1
• Inductanța L şi condensatorul C sunt elementele unui filtru trece jos necesar

atenuării componentelor spectrale de joasă frecvenţă din tensiunea de ieşire
11
Variator monofazat de c.a. ridicător de tensiune
(Boost)
Schema electrică de principiu a unui variator de c.a.

monofazat de tip ridicător de tensiune (Boost)
12
Variator monofazat de c.a. ridicător de tensiune
(Boost)
Variatorul de c.a. Boost se

comportă asemenea unui
transformator ridicător de
tensiune având raportul de
transformare supraunitar:
N2/N1=1/(1-D)≥1
Echivalarea unui variator de c.a. pe un interval

de comutaţie corespunzător perioadei
semnalului PWM, în cadrul alternanţei pozitive,
cu un variator de c.c. Boost
13
Variator monofazat de c.a. coborâtor – ridicător
de tensiune (Buck-Boost)
Schema electrică unui variator de c.a. monofazat de tip

coborâtor –ridicător de tensiune (Book – Boost).
14
Variator monofazat de c.a. coborâtor – ridicător
de tensiune (Buck-Boost)
Vo= -D*Vin(1-D) cu 0≤D≤1
Variatorul de c.a. se comportă ca un

transformator, fie coborâtor de
Echivalarea unui variator de c.a. pe un interval de tensiune, fie ridicător de tensiune, în
comutaţie corespunzător perioadei semnalului PWM, funcţie de valoarea factorului de
în cadrul alternanţei pozitive, cu un variator de c.c. în umplere al semnalului PWM
configuraţie Book – Boost
15
Alte tipuri de variatoare de curent alternativ. cu
modulaţie PWM. Configurație Cuck.
Variator monofazat de c.a. în configuraţie Cuk
16
modulaţie PWM. Configurație Sepik.
Variator monofazat de c.a. în configuraţie Sepik
17
modulaţie PWM. Variator de c.a. trifazat
coborâtor de tensiune.
Schema electrică de principiu a unui variator

de c.a. trifazat coborâtor de tensiune (Buck).
18
Configurații de variatoare de c.a. trifazate
19
Variatoare cu izolare galvanică
Variator monofazat de c.a. de tip Buck cu

izolare galvanică între sursă și sarcină
20
Variatoare cu izolare galvanică
Variator monofazat de c.a. de tip Boost cu

izolare galvanică între sursă și sarcină
21
CONCLUZII
• Variatoarele de curent alternative reprezintă o clasa de
circuite electronice de putere cu ajutorul cărora se poate
controla puterea furnizată de o reţea de curent alternativ unei
sarcini de curent alternativ.
• O îmbunătăţire a performanţelor variatorului se poate obține
dacă, pe durata unei alternanţe a tensiunii de alimentare,
dispozitivele electronice de putere comută de mai multe ori,
comandate fiind după o tehnică de tip PWM (Pulse Width
Modulation).
• Tensiunea efectivă în sarcină va fi controlată prin valoarea
impusă factorului de umplere.
22
CONCLUZII
• Variatorul coborâtor de c.a. Buck se comportă
asemenea unui transformator coborâtor de tensiune
având raportul de transformare subunitar.
• Variatorul ridicător de c.a. Boost se comportă
asemenea unui transformator ridicător de tensiune
având raportul de transformare supranitar.
• Variatorul de c.a. Buck-Boost se comportă ca un
transformator, fie coborâtor de tensiune, fie ridicător
de tensiune, în funcţie de valoarea factorului de
umplere al semnalului PWM.
23
BIBLIOGRAFIE
• BIBLIOGRAFIE:
• Palaghiţă, N., Petreuş, D., Fărcaş, C., Electronică de putere-partea
a II-a , Ed. Mediamira, Cluj-Napoca, 2004
• www_regielive_ro_Electronica_de_putere_si_reglare_automata
24
CURSUL NR.10
CONVERTOARE UNIDIRECȚIONALE
DE CURENT
1
SCOPUL CURSULUI
funcționarea convertoarelor unidirecționale
de curent.
• Sunt prezentate principiile și regimurile de
funcționare a acestora.
• Sunt prezentate principalele topologii de
convertoare unidirecționale de curent,
schemele de principiu și formele de undă a
semnalelor
2
OBIECTIVE
• Cunoașterea regimurilor de funcționare a

convertoarelor unidirecționale de curent.
• Cunoașterea schemelor de principiu și a modului de
comandă a comutatoarelor e la principalele topologii
de convertoare unidirecționale de curent.
• Cunoașterea diferenței dintre un convertor complet
comandat și un convertor semicomandat.
• Cunoașterea rolului diodei de nul în funcționarea
convertoarelor unidirecționale de curent.
3
• 10.CONVERTOARE UNIDIRECŢIONALE DE CURENT
• 10.1. Convertoare unidirecţionale de curent – generalităţi
• 10.2. Convertoare unidirecţionale de curent – montaje
polifazate în stea
• 10.3. Convertoare unidirecţionale de curent – montaje
polifazate în punte
• 10.3.1. Montaje în punte complet comandată (punte
simetrică)
• 10.3.2. Montaje în punte semicomandată (punte asimetrică)
• 10.4. Convertoare unidirecţionale de curent cu diodă de nul
• 10.5. Convertoare unidirecţionale de curent cu sarcină pur
rezistivă
4
Convertoare unidirecţionale de
curent – generalităţi
Regimuri de funcţionare ale unui convertor
unidirecţional de curent:
● redresor în cadranul I, având Vd > 0; Id > 0;
● invertor în cadranul II, având Vd < 0; Id > 0.
Domeniul de funcţionare al unui convertor unidirecţional de curent

• Redresoarele comandate sunt denumite “convertoare
unidirecţionale de curent”
5
Convertoare unidirecţionale de curent .
Montaje polifazate în stea.
Studiul convertoarelor unidirecţionale de
curent se va face pentru sarcină rezistiv –
inductivă în ipotezele simplificatoare Lc = 0
(inductanţa de comutaţie este neglijabilă) şi L =
∞ (inductanţa sarcinii se consideră infinită)
Unghiul α de amorsare al
tiristoarelor este măsurat din
momentul egalităţii a două tensiuni
secundare succesive având valoarea
instantee pozitivă faţă de punctul
neutru N al secundarului
Convertor unidirecţional de curent – montaj

trifazat în stea
6
Valoare medie a tensiunii redresate
Formele de undă la un convertor unidirecțional

de curent trifazat în montaj stea
7
Forma tensiunii redresate pentru diferite valori

ale unghiului de amorsare
8
Montaje polifazate în punte .
Tensiunea instantanee vd de
la bornele sarcini se
compune din două tensiuni
parţiale vd1 şi vd2, raportate
la acelaşi punct neutru N
Vd1: T1, T3, T5

Convertor undirecţional de curent – montaj Vd2: T2, T4, T6
trifazat în punte complet comandată
9
Formele de undă la un convertor undirecţional de curent – montaj trifazat în punte

complet comandată la o sarcină puternic inductivă
• Montajul în punte este o înseriere de două montaje stea
• Tensiunea medie redresată la bornele sarcini va avea o valoare dublă faţă de valoarea
corespunzătoare montajului stea
10
Formele de undă ale tensiunii redresate pentru

câteva valori ale unghiului de amorsare α
11
Montaje în punte semicomandată.
Schema electrică a unui montaj trifazat în

punte semicomandată (punte simetrică).
Montajele în punte asimetrică conţin două redresoare în stea comandate cu
unghiuri de aprindere diferită, α1 = α pentru montajul cu tiristoare şi, α2=0
pentru montajul cu diode
12
Montaje în punte semicomandată.
Formele de undă pentru un montaj trifazat în punte semicomandată în

cazul unei sarcini puternic inductive
Tensiunea instantanee vd la bornele sarcini are în componeţa sa numai
porţiuni pozitive datorită diodelor care se deschid, cu un unghi α = 0
13
Punte monofazată asimetrică comandată simetric
Punte monofazată asimetrică comandată simetric: schema electrică și formele de

undă
14
Punte monofazată asimetrică comandată simetric
cu diodă de fugă.
Funcţionarea punţii monofazate asimetrice comandată

simetric prevăzută cu diodă de fugă la unghiuri mari de
amorsare: schema electrică și formele de undă
15
Convertoare unidirecţionale de curent .Punte
monofazată asimetrică comandată asimetric.
Puntea monofazată asimetrică comandată asimetric:

schema eletrică și formele de undă
16
Convertoare unidirecţionale de curent cu diodă
de nul.
Convertor unidirecţional de curent cu diodă

de nul în montaj trifazat în stea
17
Convertoare unidirecţionale de curent cu diodă
de nul.
Formele de undă ilustrative pentru funcţionarea unui convertor

unidirecţional de curent trifazat în montaj stea prevăzut cu diodă de nul
18
0
Convertoare unidirecţionale de curent cu

sarcină pur rezistivă
conducţie permanentă
conducţie întreruptă
Convertor unidirecţional de curent în montaj

trifazat în stea cu sarcină pur rezistivă
19
0

Regimul conducţiei permanente
20
0

Regimul conducţiei întrerupte
21
CONCLUZII
• Circuitele de redresare alcătuite din diode
realizează conversia alternativ-continuu fără
să permită şi controlul valorii medii a tensiunii
redresate.
• Înlocuirea totală sau parţială a diodelor cu
tiristoare sau tranzistoare conferă circuitelor
de redresare facilităţi suplimentare.
• În cazul tiristoarelor, prin controlul unghiului
de amorsare α, se poate regla valoare medie a
tensiunii redresate.
22
CONCLUZII
• Cele două regimuri de funcţionare ale unui
convertor unidirecţional de curent sunt cel de
redresor și cel de invertor.
• Convertoarele unidirecţionale de curent cu diodă de
nul reprezintă o categorie de redresoare comandate
la care, sarcina, presupusă puternic inductivă, este
scurtircuitată de către o diodă.
• Cele două regimuri de funcționare determinate de
forma curentului pe sarcină sunt: regimul conducției
permanente și regimul conducției întrerupte.
•
23
BIBLIOGRAFIE
• BIBLIOGRAFIE:
24
CURSUL NR.11
VARIATOARE DE CURENT
CONTINUU
1
SCOPUL CURSULUI
• Cursul prezintă principalele aspecte legate de
funcționarea variatoarelor de curent continuu.
• Sunt prezentate principalele topologii de variatoare
de curent continuu și principiul lor de funcționare.
• Este prezentat principiul de control al tensiuniimedii
pe sarcină și modalitățile de realizare al acestuia.
• Sunt prezentate principiul și funcționarea
variatoarelor de curent continuu de tip coborâtor de
tensiune, ridicător de tensiune și inversor de
tensiune
2
OBIECTIVE
• Cunoașterea principiilor legate de variatoarele de

curent continuu și al aplicațiilor acestor circuite.
• Cunoașterea principalelor topologii de variatoare de
curent continuu și a principiilor de funcționare al
acestora.
• Cunoașterea modalităților de control al tensiunii
medii pe sarcină la variatoarelor de curent continuu.
• Cunoașterea schemelor de principiu și a funcționării
variatoarelor de curent continuu de tip
coborâtor,ridicător și inversor de tensiune.
3
• 11.VARIATOARE DE CURENT CONTINUU
• 11.1.Introducere
• 11.2.1. Variatoare de curent continuu cu transferul puterii de
la sursă la sarcină
• 11.2.2.Variatoare de c.c. cu transferul puterii de la sarcină la
sursă
• 11.2.3.Variatoare de curent continuu în montaje de tip
semipunte
• 11.2.4. Variatoare de curent continuu în montaje de tip punte
• 11.3. Controlul tensiunii medii pe sarcină la variatoare de
curent continuu funcționând în cadranul I
4
• 11.3. 1. Modulația in durată a impulsurilor (PWM)
• 11.3.2 Modulația in frecvență a impulsurilor (PFM)
• 11.3.3 Modulație Delta
• 11.4. Variatoare de curent continuu funcționând în cadranul I
cu sarcină rezistivă
• 11.4.1. Variatorul de curent continuu coborâtor de tensiune
Step-down (buck)converter
• 11.4.2. Variatorul de c.c. ridicător de tensiune
• 11.4.3. Variatorul de c.c. coborâtor-ridicător de
tensiune(inversor)
5
VARIATOARE DE CURENT CONTINUU.
Strategii de bază.
• Funcţionarea la frecvenţă constantă: tON + tOFF = TS =
1/fS = const., dar cu (tON) şi (tOFF) variabile: această
strategie poartă numele de strategia de modulare în
durată a impulsurilor PWM (Pulse Width
Modulation);
• Menţinerea constantă a duratei (tON) şi modificarea
duratei (tOFF): strategia este numită cu modulare în
frecvenţă, PFM (Pulse Frequency Modulation);
• Toţi trei parametrii (tON), (tOFF) şi (fS) sunt variabili.
6
Variatoare de curent continuu cu transferul
puterii de la sursă la sarcină
Schema de principiu a unui

variator de curent continuu
cu transferul puterii de la
sursă la sarcină
Formele de undă tipice
7
Variatoare de curent continuu cu transferul
puterii de la sursă la sarcină
0<D<1
• Se obseră că, prin varierea

continuă a valorii factorului de
umplere între zero si unu, se
poate controla tensiunea medie
pe sarcină între zero şi valoarea
Vd a sursei de alimentare.
Caracteristica ideală a unui variator de c.c. cu

transferul puterii de la sursă către sarcină
8
Variatoare de c.c. cu transferul puterii de la
sarcină la sursă
Schema de principiu a unui

variator de c.c. cu transferul
puterii de la sarcină la sursă
Formele de undă pentru funcționarea variatorului
9
Variatoare de c.c. cu transferul puterii de la
sarcină la sursă
În condiții ideale puterea recuperată

în sarcină este transferată în
totalitate sursei de alimentare.
Caracteristica ideală a unui variator de c.c. aflat

în regim de recuperare
10
Variatoare de curent continuu în montaje de tip
semipunte
• Prin conectarea în paralel a celor două
tipuri de variatoare de c.c. prezentate
anterior, se poate obține o structuctură ce
permite, atât transferul direct al puterii de
la sursă către sarcină cât şi, transferul invers
necesar regimului de recuperare.
• Topologia astfel obținută se va numi
semipunte (Half Brige) sau ramură de
invertor (Inverter Leg).
• S1, împreună cu dioda D2, asigură transferul
Configurația unui variator de c.c.de direct al puterii dinspre sursă spre sarcină
tip semipunte sau ramură de invertor • S2 si D1 , vor fi activate pentru
regimul de recuperare de energie
• Pentru a evita scurtcircuitarea sursei de alimentare, comutatoarele S1 si S2 nu

pot fi simultan in conducție
11
punte
Variator de c.c în montaj punte
Formele de undă pentru funcționarea unui

variator de c.c în montaj punte
12
punte
valoarea medie V(0.AV) a tensiunii pe sarcină
Vo,AV=(2D-1)Vd
• Pentru un factor de umplere D cuprins între

0 şi 0,5, tensiunea medie pe sarcină este
negativă în timp ce, pentru o valoare a
acesteia cuprinsă intre 0,5 şi 1, tensiunea
medie pe sarcină este pozitiă.
• În cazul în care factorul de umplere se
menține constant la 0,5 montajul punte
funcționează ca un invertor monofazat, în
Caracateristica de transfer a această situație, componenta medie a
variatorului de c.c. în montaj punte tensuinii este zero.
13
Controlul tensiunii medii pe sarcină la variatoare de
curent continuu funcționând în cadranul I.
Modulația in durată a impulsurilor (PWM)
Sunt prezentate comparativ două situații

diferite în funcție de valoarea factorului de
umplere D=T1/T
Avantajul acestui tip de reglaj constă in
păstrarea constantă a perioadei de comutație,
ceea ce permite reducerea pulsațiilor
curentului de sarcină si o solicitare mai
uniformă a comutatorului electronic.
Ca dezavantaj se va menționa un domeniu de
reglaj ceva mai restrâns.
În literatura tehnică metoda este cunoscută
Formele de undă ilustrative pentru sub denumirea de modulație PWM (Pulse
principiul modulației în durată a Width Modulation).
impulsurilor
14
Modulația in frecvență a impulsurilor (PFM).
Se constată că prin cresterea frecvenței de

comutatie creste tensiunea medie pe sarcină.
Metoda prezintă avantajul unui domeniu de

reglaj mai extins decât în cazul anterior.
În schimb reducerea pulsațiilor curentului de

sarcină este mai dificilă.
Comutatorul electronic este cu atăt mai

solocitat cu căt creste frecvența de comutațe.
Forme de undă ilustrative pentru principiul
modulației în frecvență a impulsurlor Literatura tehnică consemnează această
metodă sub denumirea de modulație PFM
(Pulse Frecquency Modulation)
15
Modulație Delta
Algoritmul de reglare poate fi descris după
cum urmează:
• Dacă io ≤ Imin comutatorul S intră în

conducție. Tensiunea instantanee la bornele
sarcinii devine egală cu Vd iar curentul de
Caracteristica de reglaj de tip releu cu sarcină creste ((dio)/dt > 0);
histerezes a curentului de sarcină • Dacă io ≤ Imax comutatorul S se blochează.
(modulație Delta) Tensiunea instantanee la bornele sarcinii
devine egală cu 0 prin intrarea în conducție
a diodei de fugă. Curentul prin sarcină
scade ((dio)/dt < 0
16
Variatoare de curent continuu funcționând în
cadranul I cu sarcină rezistivă
Introducerea filtrului trece-jos între variatorul

de c.c. și sarcină
17
Variatoare de curent continuu funcționând în
cadranul I cu sarcină rezistivă. Topologii.
• Variator coborâtor de tensiune “step-down
converter” ,sau variator serie “buck converter”;
• Variator ridicător de tensiune “step-up converter”
sau variator paralel “boost converter”;
• Variatoarele coborâtoare-ridicătoare de tensiune sau
convertoare serie-paralel, obținute prin combinarea
celor doua tipuri de variatoare .
18
Variatorul de curent continuu coborâtor de
tensiune Step-down (buck)converter
Schema de principiu a unui variator de curent

continuu coborâtor de tensiune
19
S=ON S=OFF
Schemele echivalente ale variatorului de cc de
tip coborâtor de tensiune: a) comutatorul este
în conducție, b) comutatorul este blocat.
20
Regimul conducției permanente la variatorul

de c.c. coborâtor
21
Regimul conducției întrerupte la variatorul de

c.c. coborâtor
22
Formele de undă pentru evaluarea ondulațiilor

tensiunii de ieșire
23
Variatorul de c.c. ridicător de tensiune
Schema de principiu a unui variator de c.c. de

tip ridicător de tensiune (Boost).
24
S=ON S=OFF
Schemele echivalente ale variatorului de c.c. de tip ridicător de tensiune în

funcţie de starea comutatorului S: a) comutatorul este în conducție b)
comutatorul este blocat
25
cu D=T1/T≤1
Formele de undă caracteristice conducţiei permanente a

variatorului de c.c. ridicător de tensiune
26
Formele de undă caracteristice conducţiei întrerupte a

variatorului de c.c. ridicător de tensiune
27
Ondulaţiile tensiunii de ieşire
28
Variatorul de c.c. coborâtor-ridicător de
tensiune(inversor)
Structura unui variator de c.c.de tip coborâtor-

ridicător de tensiune (Buck-Boost)
29
tensiune(inversor)
S=ON S=OFF
Schemele echivalente ale variatorului de c.c. Buck-Boost în funcţie de starea

comutatorului S: a) comutatorul este în conducţie;b) comutatorul este blocat.
30
tensiune(inversor)
Vo/Vd=T1/(T-T1)= D/(1-D)
Dacă 0<D<0,5 , Vo>Vd

Dacă 0,5<D<1 , Vo<Vd
Formele de undă caracteristice conducţiei permanente a

variatorului de c.c. inversor de tensiune
31
CONCLUZII
• Variatoarele de curent continuu sunt circuite

electronice prin intermediul cărora se poate
controla puterea într-o sarcină de curent
continuu alimentată de la o sursă de tensiune
continuă.
• La ieşirea variatoarele de curent continuu se
obține o succesiune de impulsuri având fie,
perioada constantă şi durata variabilă fie,
durata constantă si perioada variabială
32
CONCLUZII
• Există trei strategii de bază pentru a controla
convertoarele de tensiune continuă.
• Controlul tensiunii medii pe sarcină la
variatoare de curent continuu se face prin:
modulația în durată a impulsurilor (PWM),
modulația în frecvență a impulsurilor (PFM) și
modulația Delta.
33
BIBLIOGRAFIE
• BIBLIOGRAFIE:
34
INVERTOARE
1
INVERTOARE
•Introducere
•Tipuri fundamentale de invertoare
•Ramura de invertor
•Invertoare cu undă dreptunghiulară plină (Full-Wave)
•Invertoare monofazate în semipunte (Half-Bridge)
•Invertoare monofazate în punte (Full-Bridge)
•Invertoare trifazate cu undă dreptunghiulară plină (Six-Step Operation)
•Invertoare cu modulaţie PWM
•modulaţia PWM vectorială

•modulaţia PWM cu eliminarea programată a armonicilor;
•modulaţia PWM sinusoidală;
•Aplicaţii tipice ale invertoarelor
2
INVERTOARE
Caracteristicile principale ale invertoarelor sunt:

•frecvenţa generată;
•amplitudinea tensiunii de c.a.;
•formele de undă ale tensiunii de c.a.;
•numărul şi secvenţa fazelor;
Schema de principiu a invertorului
3
Comutatorul bidirecţional (Bidirectional Switch)
Schema electrică a unui

"comutator bidirecţional".
Forme de undă explicative pentru

funcţionarea comutatorului bidirecţional în
cazul unei sarcini inductive.
4
Ramura de invertor
Schema electrică a unei "ramuri de invertor ".
5
Modalitatea de comandă a unei ramuri de
invertor
• Dacă semnalele s1 şi s2 sunt generate ca semnale neflotante, adică raportate la o
masă electronică, aplicarea lor pe terminalele de comandă ale tranzistoarelor
presupune o separare galvanică întrucât punctele de aplicare ale comenzii au
potenţiale diferite.
• Separarea galvanică se poate realiza cu transformatoare de impulsuri, optocuploare
sau fibre optice.
• O modalitate de comandă în grilă (sau bază) prin care se evită separarea galvanică o
constituie tehnica Bootstrap
6
Protecţia la scurtcircuit a unei ramuri de invertor
• Protecţia prin comandă a ramurii de invertor
• Protecţia prin polaritatea semnalului de blocare al
elementelor ramurii de invertor
• Protecţia prin alimentare a ramurii de invertor
7
Influenţa curentului de revenire al diodelor de fugă
Blocare a diodei D1 şi intrare în conducţie a tranzistorului T2:

a) circuitul echivalent; b) formele de undă.
8
Protecţia cu circuite snubber a tranzistoarelor
ramurii de invertor
Utilizarea circuitului snubber Rs-Cs-Ds Utilizarea unui singur condensator

însoţit de snubberul Ls în cazul unei ramuri pentru protecţia la blocare a ambelor
de invertor. tranzistoare ale ramurii de invertor.
9
Invertoare monofazate în semipunte (Half-Bridge)
Invertor monofazat în semi punte cu sarcină rezistiv-inductivă:

a) schema electrică; b) formele de undă.
10
Invertoare monofazate în punte (Full-Bridge)
Schema de principiu a unui invertor

monofazat cu sarcină rezistiv-inductivă
11
Invertoare monofazate cu undă dreptunghiulară plină
cu comandă simetrică
12
Comportarea unui invertor monofazat cu sarcină
rezistiv-inductivă cu comandă simetrică
13
Structura spectrală a undei dreptunghiulare pline
pentru un invertor monofazat
14
Invertoare monofazate cu undă dreptunghiulară plină cu comandă
asimetrică
15
INVERTOARE
Invertoare trifazate cu undă dreptunghiulară plină (Six-Step Operation
16
INVERTOARE
Invertoare trifazate cu undă dreptunghiulară plină (Six-Step Operation)
17
INVERTOARE CU MODULAȚIE PWM.
Tipuri de modulații.
• modulaţia PWM cu eliminarea programată a
armonicilor;
• modulaţia PWM sinusoidală;
• modulaţia PWM vectorială;
• modulaţia PWM cu bandă de toleranţă;
• modulaţia PWM cu controlul curentului
instantaneu.
18
INVERTOARE
Invertoare cu modulaţie PWM
Modulaţia PWM cu eliminarea programată a armonicilor
Prin această tehnică de modulaţie, cunoscută

în literatura de specialitate sub numele SHE-
PWM (Selected Harmonic Elimination-PWM),
se urmăreşte eliminarea unor armonici
nedorite de joasă frecvenţă din spectrul
semnalului dreptunghiular.
Mai multe armonici nedorite se pot elimina dacă în unda dreptunghiulară plină se
introduc nişte decupări ("Notches”) simetrice faţă de π /2 , respectiv, 3π/2, la anumite
unghiuri αk.
19
INVERTOARE
Modulaţia PWM sinusoidală SPWM (Sinusoidal Pulse Width Modulation).
•Strategia PWM sinusoidală se caracterizează prin următorii parametri mai importanţi
•indicele de modulare în amplitudine sau coeficientul de reglaj în tensiune
•indicele de modulare în frecvenţă
•gradul de modulaţie
Prin frecvenţa undei sinusoidale de referinţă se impune frecvenţa

fundamentalei iar, prin amplitudinea Vref.max a acesteia, se impune
amplitudinea, respectiv, valoarea efectivă, dorite pentru semnalul de ieşire.
20
Modulaţia PWM sinusoidală pentru un invertor în
semipunte
Formele de undă caracteristice modulaţiei PWM sinusoidale, corespunzătoare zonei

liniare, pentru ma = 0,8 şi mf = 7.
Structura spectrală a unui semnal obţinut

printr-o modulaţie PWM sinusoidală cu
ma = 0,8 şi mf=15.
21
Modulaţia PWM pentru invertoarele în
semipunte .
Algoritm:
• dacă vref > vtr conduce tranzistorul T1
rezultând vA0=+Vd/2
• dacă vref < vtr conduce tranzistorul T2
rezultând vA0=-Vd/2
Circuitul de comandă și schema unui invertor

cu modulație PWM monofazat în semipunte
22
Modulaţia PWM pentru invertoarele în
semipunte .
Vsin Vtr
-2
-4
-6
Vpwm
0.8
0.6
0.4
0.2
0 0.01 0.02 0.03 0.04

T ime (s)
Vs
200
100
-100
-200
-300
0 0.01 0.02 0.03 0.04

T ime (s)
Formele de undă caracteristice modulaţiei PWM sinusoidale,

corespunzătoare zonei liniare, pentru ma = 0,83 şi mf = 7.
23
Modulația PWM sinusoidală bipolară pentru un
invertor în punte
Algoritm:
• dacă vref > vtr conduc tranzistoarele T1 şi
T4 şi sunt blocate tranzistoarele T2 şi T3 ;
• dacă vref < vtr vor conduce tranzistoarele
T2 şi T3 în timp ce, perechea (T1, T4),
rămâne blocată.
Modulația PWM bipolară pentru un

invertor monofazat în punte
24
Modulația PWM sinusoidal bipolară.
Principiul și forma tensiunilor de comandă.
Vsin Vtr
2
1
0
-1
-2
-3
Vpwm1
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Vpwm2
0.8
0.4
0 0.01 0.02 0.03 0.04

Time (s)
Forma tensiunilor de comandă pentru modulația PWM bipolară

cu ma=0,8 și mf=7.
25
Tensiunea de ieșire.
V1n
200
100
0
-100
-200
-300
V2n
200
100
0
-100
-200
-300
Vs
400
-400
0 0.01 0.02 0.03 0.04

Time (s)
Forma tensiunii de ieșire pentru modulația PWM bipolară
26
Analiza tensiunii de ieșire.
• nu este o tensiune sinusoidală;
• este formată din pulsuri dreptunghiulare cu variaţie
bipolară, , a căror lăţime este variabilă în funcţie de
amplitudinea tensiunii de comandă;
• armonica fundamentalei v0(t) are frecvenţa tensiunii
de comandă, f;
• există un conţinut oarecare de armonici superioare,
variabil în funcţie de tensiunea de comandă Vref şi
cea modulatoare Vtri.
27
Analiza influenței indicelui de modulație.
Vsin Vtr
-1
-2
-3
Vpwm1
0.8
0.6
0.4
0.2
Forma tensiunilor de comandă pentru modulația PWM bipolară cu m a=1,1 și mf=7.

0 0.01 0.02 0.03 0.04
T ime (s)
Vsin Vtr
10
-5
-10
Vpwm1 Vs
400
200
-200
-400
0 0.01 0.02 0.03 0.04

T ime (s)
Forma tensiunilor de comandă și de ieșire pentru ma=4 și mf=7.
28
Analiza influenței indicelui de modulație.
Spectrul de armonici pentru modulația PWM

bipolară
29
Modulația PWM sinusoidală unipolară.
Modulația unipolară la invertoarele

în punte monofazate
30
Algoritm.
Ramura A
• dacă vref >vtr conduce tranzistorul T 1 iar tranzistorul T2 rămâne
blocat;
• dacă vref < vtr va conduce T2 în timp ce, tranzistorul T1,
primeşte comanda de blocare.
Ramura B
• dacă vref >vtr conduce tranzistorul T 3 iar tranzistorul T4 rămâne
blocat;
• dacă vref < vtr conduce T4 urmând ca, tranzistorul T 3, să
primească comanda de blocare.
31
Vsin1 Vsin2 Vtr
2
1
0
-1
-2
-3
Vpwm12
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
Vpwm34
0.8
0.4
0 0.01 0.02 0.03 0.04

Time (s)
Principiul de generare și forma tensiunilor de comandă la

modulația PWM unipolară
32
V1n
200
100
0
-100
-200
-300
V2n
200
100
0
-100
-200
-300
Vs
400
-400
0 0.01 0.02 0.03 0.04

Time (s)
Forma tensiunii de ieșire la modulația PWM unipolară
33
Spectrul de armonici pentru modulația PWM

unipolară
34
Modulaţia PWM sinusoidală în cazul invertorului
trifazat
35
Modulația PWM sinusoidală pentru invertoare
trifazate
Modulația PWM sinusoidală pentru invertoare trifazate
36
Modulaţia PWM vectorială SVPWM (Space-Vector
Pulse Width Modulation)
• pare a fi una dintre cele mai bune metode de modulaţie PWM
dedicate acționărilor electrice frecvenţă variabilă.
• Modulaţia PWM vectorială se bazează pe construirea unui vector
spaţial de referinţă Vs.ref, pe o durată de eşantionare , egală cu
jumătatea perioadei de comutaţie TS a elementelor invertorului
•reducerea conţinutului de armonici.

•reducerea pierderilor de comutaţie
37
Modulaţia PWM vectorială
Utilizarea vectorilor de stare zero (vectorii de nul)
secvenţa vectorială
sector 1
38
INVERTOARE
Utilizarea vectorilor de stare zero (vectorii de nul)
Semnalele de comandă ale ramurilor invertorului pentru cele şase sectoare în cazul
modulaţiei SVPWM simetrice.
39
INVERTOARE
Algoritm general de implementare a modulaţiei PWM vectoriale
•modulaţia PWM vectorială presupune determinarea pe fiecare perioadă de

comutaţie TS a valorii medii a unui vector spaţial de referinţă
•determinarea intervalelor Tk, Tk+1, T0 şi T7

•determinare a sectorului în care este poziţionat vectorul de referinţă
40
INVERTOARE
Comparaţie între modulaţia PWM vectorială şi modulaţia PWM sinusoidală
41
INVERTOARE
Comparaţie între modulaţia PWM vectorială şi modulaţia PWM sinusoidală
Corespondenţa dintre undele de referinţă ale modulaţiei PWM sinusoidale şi sectoarele

I÷VI ale hexagonului utilizat în modulaţia PWM vectorială .
42
CONCLUZII
• Invertorul este un convertor static capabil să

transforme tensiunea unei surse de curent continuu
în curent alternativ.
• Frecvenţa generată de invertor este dată de
frecvenţa de comutare a dispozitivelor
semiconductoare de putere, determinată de circuitul
de comandă.
• Amplitudinea tensiunii de c.a. poate fi modificată fie
variind tensiunea de intrare de c.c. , fie prin
„modularea”, prin diferite tehnici, a undei ieşirii.
43
CONCLUZII
• Invertoarele sunt construite pentru a da o tensiune
de ieşire monofazată sau una trifazată în funcție de
structura și modul de comandă a acestora.
• Invertoarele moderne constituie surse eficiente şi
convenabile de putere de c.a., cu frecvenţe fixe sau
variabile, monofazate sau trifazate, cu aplicaţii în
cele mai diferite domenii.
• Invertoarele rezonante pot funcţiona la frecvenţe
mult mai înalte față de cele cu comutație forțată
44
CONCLUZII
• Dintre tehnicile de modulație PWM, sunt folosite cu
precădere cele două tehnici în invertoarele monofazate și
trifazate: modulaţia PWM sinusoidală și modulaţia PWM
vectorială.
• Modulaţia PWM sinusoidală reprezintă tipul de modulaţie larg
răspândită în aplicaţiile industriale ale electronicii de putere.
• La invertoarele comandate cu tehnica PWM sinusoidală,
semnalele ce comandă elementele invertorului sunt generate
prin compararea unei unde sinusoidale, de frecvenţă joasă şi
un semnal triunghiular.
• Modulaţia PWM sinusoidală în cazul invertorului trifazat
constă în determinarea momentului comutaţiei elementelor
invertorului
45
CONCLUZII
• Modulația PWM fazorială sau vectorială este cunoscută în
literatura tehnică sub numele de SVPWM (Space-Vector Pulse
Width Modulation), și pare a fi una dintre cele mai bune
metode de modulaţie PWM dedicate acționărilor electrice cu
frecvenţă variabilă.
• În cazul modulaţiei PWM vectoriale se transformă sistemul
trifazat de referinţă într-un sistem de două coordonate (α,β)
din care se construieşte, în etapa următoare, un vector rotitor
de referinţă .
• Modulaţia PWM vectorială nu se poate realiza decât
numeric, necesitând un microprocesor specializat.
46
BIBLIOGRAFIE
• BIBLIOGRAFIE:
47

Convertoare Curs Complet

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Convertoare Curs Complet

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

CURSUL NR.

Introducere în Electronica de Putere.

Cursul nr.1 Electronica de putere

Sem. Tipul Activitati normate [ore/sapt.] Total ore

Examen 40% 60%

Prezenţă curs*** bonus

Cursul nr.1 Electronica de putere

• Cunoașterea conceptului de dispozitiv electronic de

Cursul nr.1 Electronica de putere

• 1.1. Obiectul electronicii de putere

• 1.2. Regimul de funcționare al dispozitivelor electronice de

• 1.3. Comparație între regimul de comutație și regimul liniar

• 1.4. Caracteristicile dispozitivelor electronice de putere

• 1.5. Comanda dispozitivelor electronice de putere

1.6. Structura dispozitivelor electronice de putere

1.6.1.Dispozitive electronice de putere cu două straturi

1.6.2.Dispozitive electronice de putere cu trei straturi

1.6.3.Dispozitive electronice de putere cu patru straturi

1.6.4.Dispozitive electronice de putere cu mai mult de patru

Cursul nr.1 Electronica de putere

2. Capitol 2. DIODA SEMICONDUCTOARE DE PUTERE.

2.1. Structura diodei semiconductoare de putere

2.2. Conducția diodei semiconductoare de putere

2.3. Blocarea diodei semiconductoare de putere

2.4. Analiza comutației diodelor semiconductoare de putere

Cursul nr.1 Electronica de putere

Semnale de reacţie obţinute de la traductoare

Schema bloc a unui sistem electronic de putere

Cursul nr.1 Electronica de putere

 pentru : fi = fo  0 se definesc variatoarele de curent

Cursul nr.1 Electronica de putere

Cursul nr.1 Electronica de putere

Figura1.2. Etaj convenţional de amplificare

Cursul nr.1 Electronica de putere

PSTATIC  PON  I ON VON

PDINAMIC  f S WON  WOFF 

Cursul nr.1 Electronica de putere

• dispozitive necontrolabile (dioda, diacul).

• dispozitive cu comandă intermitentă (tiristorul, triacul,

Cursul nr.1 Electronica de putere

Dispozitive electronice de putere cu două straturi

COLECTOR (C) DRENĂ (D) DRENĂ (D)

a) tranzistorul bipolar cu joncţiune (BJT – Bipolar Junction Transistor)

Cursul nr.1 Electronica de putere

Cursul nr.1 Electronica de putere

Tiristorul MCT (MOS Controlled Thyristor)

N+ sarcinile QP, stocată în regiunea N-

Cursul nr.1 Electronica de putere

Cursul nr.1 Electronica de putere

Figura 2.6 Comutaţia diodelor

Cursul nr.1 Electronica de putere

trr = 0,1 (sec) pentru diode Schottky;

Cursul nr.1 Electronica de putere

Cursul nr.1 Electronica de putere

Pt  Pcond  Pbloc  Pcomutatie

Cursul nr.1 Electronica de putere

Cursul nr.1 Electronica de putere

• Cunoașterea structurii și a modului de funcționare a

• 2.5. Circuite de comandă în bază pentru

Dependenţa timpilor de comutaţie t s şi tf, a factorilor de

Distribuţia curenţilor şi a sarcinilor stocate Distribuţia sarcinilor Qb, Qc şi Qd în

Utilizarea reţelei Baker (diodele Reducerea duratei tranziţiei directe prin

Blocarea tranzistorului bipolar cu joncţiune prin comandă în bază :

Etapele procesului de blocare al unui