Electronică de Putere

Electronică de Putere

Curs 1 Introducere în Electronica de Putere

Dioda Semiconductoare de Putere

Disciplina Electronică de Putere

 Conținutul cursului
o Dispozitive
Di iti electronice
l t i de d putere:
t
Dioda de putere, tranzistoarele de putere (BJT,
MOS, IGBT), tiristoarele (SCR, MCT) și triacul;
o Circuite electronice de putere:
Circuite de comandă/protecție și convertoare de putere.
 Metoda de evaluare
o Curs (C): examen scris;
o Aplicații (L + P): verificare pe parcurs (scris și oral);
o Nota disciplina: N = 0.5C + 0.25L + 0.25P.

1
Bibliografie

 N. Palaghiţă, Electronică de putere partea I, Dispozitive

semiconductoare de p putere,, Ed. Mediamira,, Cluj-Napoca,
j p , 2002;;
 N. Palaghiţă, D. Petreuș, C. Fărcaș, Electronică de putere partea
a II-a, Circuite electronice de putere, Ed. Mediamira, 2004;
 I. Ciocan, N. Palaghiță, D. Petreuș, C. Fărcaș, Electronică de
putere - între teorie și practică, Ed. Risoprint, 2017;
 R. Marschalko, F. Denes, P. Teodosescu, Electronica pentru
i i i electrotehnicieni,
ingineri l t t h i i i Elemente
El t moderne
d de
d electronică
l t i ă
de putere, Ed. Mediamira, Cluj-Napoca, 2014;
 M. H. Rashid, Power Electronics Handbook: Devices, Circuits,
and Applications, Third Edition, Elsevier, USA, 2011.

Regimul de funcţionare al dispozitivelor de putere

 Starea de conducţie (starea ON) – comutator închis

 Starea de blocare (starea OFF) – comutator deschis
 TON – durata stării de conducţie Vp
 TOFF – durata stării de blocare OFF ON
 OFF → ON – comutaţia directă (tON) t
 ON → OFF – comutaţia inversă (tOFF)
 fS – fecvenţa de comutaţie
TON T
 TS – perioada de comutaţie D  ON  fS  TON
TON  TOFF TS
 D – factorul de umplere
 https://www.youtube.com/watch?annotation_id=annotation_407137&feature=iv&src_vid=1P476aluue8&v=x1fEL6txgrM

2
Performanțele dispozitivelor electronice de putere

 Dispozitivele semiconductoare de putere trebuie să:

o suporte
t tensiuni
t i i ridicate
idi t la
l blocarea
bl î direct/invers;
în di t/i
o reziste la curenți de valori ridicate în starea de conducție;
o prezinte timpi de comutație (tON și tOFF) cât mai reduși;
o fie capabile să funcționeze la viteze de variație ale
curentului (di/dt) și ale tensiunii (dv/dt) cât mai mari (SOA);
o disipe cât mai puțină putere în starea de conducție
(în regim static) și la comutație (în regim dinamic):
PSTATIC  PON  ION VON PDINAMIC  fS WON  WOFF 

Locul și rolul Electronicii de Putere

Schema funcțională a unui sistem electronic de putere

Intrare de putere
(energie electrică)
vi, ii, fi
Ieşire de putere
(energie electrică)
Semnale de
Semnale comandă vo, io, fo
Electronica Electronica
de Sarcina
referinţă
f i ţă de control de putere

Semnale de reacţie obţinute de la traductoare

3
Clasificarea convertoarelor electronice de putere

 Convertoare AC-DC: redresoare (fi  0; fo = 0);

o redresoare necomandate;
o redresoare comandate (unidirecționale sau bidirecționale);

 Convertoare DC-DC: variatoare de curent continuu (fi = fo=0);

 Convertoare DC-AC: invertoare (fi = 0; fo  0);
 C
Convertoare
t AC AC variatoare
AC-AC: i t d curentt alternativ
de lt ti
o cu frecvență fixă (fi = fo  0);
o cu frecvență variabilă (fi  0; fo  0 şi fi  fo).

Clasificarea dispozitivelor electronice de putere

Clasificare în funcție de modalitatea de comandă:

 dispozitive necontrolabile (dioda semiconductoare);

 dispozitive parţial controlabile (tiristorul SCR, triacul);
 dispozitive complet controlabile (tranzistorul, tiristorul MCT);
 dispozitive cu comandă intermitentă (tiristorul, triacul);
 dispozitive cu comandă permanentă (tranzistorul, etc).

4
Clasificarea dispozitivelor electronice de putere

Clasificare în funcție de structura internă:

 Dispozitive cu două straturi (dioda semiconductoare);

 Dispozitive cu trei straturi (tranzistoarele BJT și MOS);
 Dispozitive cu patru straturi (tiristorul convenţional SCR,
tiristorul cu stingere pe poartă GTO, tranzistorul IGBT);
 Dispozitive cu mai mult de 4 straturi (triacul, tiristorul MCT).

Dioda semiconductoare de putere

Structura internă şi simbolul unei diode de putere

ANOD (A)
A
P

N-

N+ K
CATOD (K)

10

5
Dioda semiconductoare de putere

Procesul de intrare în conducție al unei diode de putere

+
A

QN P

Ip IN vAK  0
N-
QP

N+

K
-

11

Dioda semiconductoare de putere

Procesul de blocare al unei diode de putere

iD
di D
dt diD
Irr  2I0
I0 t rr dt
ta tb t
0
I0 – curentul de sarcină
10% I rr

-Irr QS

vA K vA K(ON) t
 – este timpul mediu de
0 viaţă al purtătorilor
-v A K(OFF)
-vA K(M AX) de sarcină.

12