• Preliminarii

• Comportarea DS în regim cvasistatic de semnal mare

• Comportarea DS în regim cvasistatic de semnal mic

Capitolul 2
Dioda semiconductoare “p-n”

Din punct de vedere istoric termenul “diodă”se referă la dioda cu vid, bine
cunoscutul tub electronic cu doi electrozi – anod şi catod – folosit pentru
redresarea curentului alternativ. Sintagma “diodǎ semiconductoare” face referire
la diodele construite folosind materiale semiconductoare. Dintre acestea,
diodele costruite din germaniu sau siliciu ce au la bazǎ o joncţiune "p-n"
constituie o categorie importantă. Prezentul capitol se ocupă de această
categorie de diode.
Structura capitolului este:

Subcapitolul 2.1 intitulat “Preliminarii” prezintă construcţia,
simbolul, notaţiile, principiul de funcţionare precum şi modalităţile
de descriere utilizate pentru diferite regimuri de funcţionare ale
diodei.

Subcapitolul 2.2 este dedicat analizei comportării diodei "p-n" în
regim cvasistatic de semnal mare. Este prezentat un model matematic
împreună cu schemele echivalente aferente. De asemenea sunt
discutate şi aşa numitelele abateri de la teoria ideală precum şi
limitările în funcţionare. În final este prezentată o aplicaţie.

Subcapitolul 2.3 analizează comportarea diodei "p-n" în regim
cvasistatic de semnal mic. După ce este amintită condiţia de semnal
mic, se deduc modelul mathematic şi schema echivalentă
corespunzătoare. În final este prezentată o aplicaţie.

2.1 Preliminarii
Acest subcapitol se ocupă de:
1. Structură şi simbol;
2. Principiul de funcţionare;
3. Metode de descriere.

15
 Electronică analogică

2.1.1 Structură şi simbol

Figura 2.1 prezintă structura în timp ce figura 2.2 prezintă simbolul unei diode

Jonţiune
metalurgică
vA
A C
A C
p ≅ NA n ≅ ND iA
Figura 2.1 Figura 2.2
"p-n".
unde:
A anod;
C catod;
vA valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă;
iA valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;
NA concentraţia de atomi acceptori;
ND concentraţia de atomi donori;
n concentraţia de electroni;
p concentraţia de goluri.

2.1.2 Principiul de funcţionare

În funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă numai de la anod
spre catod. Acest efect poartă numele de efect de diodă şi studiul său face
obiectul acestei secţiuni. Pentru uşurarea înţelegerii explicaţiei apariţiei acestui
efect este utilă figura 2.3. Aceasta prezintă structura "p-n" la echilibru termic.

E
- -- - + + + + +
- -- - + + + + +
p - -- - + + + + + n
- -- - + + + + +
- -- - + + + + +

Regiune Regiune de Regiune

neutra p tranziţie neutră n

Figura 2.3

Se constată apariţia a trei regiuni:

16
 Diode semiconductoare “p-n”

regiunea de tranziţie;

regiunea neutră n;

regiunea neutră p.
Regiunea de tranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în
jurul joncţiunii metalurgice ca efect al difuziei purtătorilor mobili. Fenomenul
de difuzie este cauzat de gradientul de concentraţie existent în jurul joncţiunii
metalurgice. Urmare a acestui fenomen în structură apar sarcini fixe
reprezentate de ionii prinşi în reţeaua cristalină. Aceste sarcini dau naştere unui
camp electric intern care este responsabil de apariţia unei bariere de potenţial.
Nivelul acestei bariere este cel care stabileşte echilibrul în structură. Altfel spus
fenomenul de difuzie continuă până când forţele electrice echilibrează forţele de
difuzie. Regiunile neutre "n" şi "p" sunt regiunile neafectate de fenomenul de
difuzie şi ca atare nu au un rol deosebit în explicarea efectului de diodă.
La polarizare inversă plus (+) pe catod şi minus (-) pe anod bariera internă de
potenţial este crescută şi ca atare prin structură nu circulă curent.
La polarizare directă plus (+) pe anod şi minus (-) pe catod bariera internă de
potenţial este scăzută, ca atare apare fenomenul de injecţie de purtători, şi prin
structura începe să circule curent.

2.1.3 Metode de descriere matematică

Din punct de vedere formal, dioda - fiind un uniport - este integral descrisă de o
singură ecuaţie caracteristică. Forma generală a acestei ecuaţii se obţine prin
particularizarea relaţiei 1.1:
 di dn i dv d mv  (2.1)
E  i A , A , K , nA , v A , A , K , mA , θ1 , K , θ p  = 0
 dt dt dt dt 
unde: θ1, K , θp sunt parametrii neelectrici.

Funcţie de regimul de lucru această ecuaţie se simplifică după cum urmează:

1. regim cvasistatic de semnal mare; ecuaţia (2.1) devine:
E (i A , v A ) = 0 (2.2)
sau:
iA=iA(vA) (2.3)
sub această forma ecuaţia fiind cunoscută sub numele de “ecuaţie
caracteristică statică” sau mai simplu “caracteristică statică”.

17
 Electronică analogică

2. regim cvasistatic de semnal mic; ecuaţia (2.1) devine:

ia = g a v a (2.4)
unde:
ia valoarea instantanee de semnal mic a curentului;
va valoarea instantanee de semnal mic a căderii de tensiune;
ga conductanţa echivalentă de semnal mic a diodei.

2.2 Comportarea DS în regim cvasistatic de semnal mare

Acest subcapitol se ocupă de:

1. Caracteristica statică;
2. Modele liniare de semnal mare;
3. Abateri de la teoria ideală;
4. Limitări în funcţionare.

2.2.1 Ecuaţia caracteristică statică

Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) a diodei
ideale este:
 v   (2.5)
i A = I S exp A  − 1
  eT  
unde:
eT =
kT (2.6)
q
şi poartă numela de tensiune termică. S-au folosit notaţiile:
k constanta lui Boltzman
q sarcina electronului
T temperatura absolută
La temperatura ambiantã VT are valoarea:
eT≅25 mV (2.7)
Reprezentând grafic (2.5) se obţine figura 2.4

18
 Diode semiconductoare “p-n”

iA D

IS Vγ

A B C uA

Figura 2.4
unde:
IS curent rezidual (între 10-9A pentru germaniu şi 10-12A pentru
siliciu)
Vγ tensiune de prag (0.2 V pentru germaniu şi 0.6 V pentru siliciu)
Se pot pune în evidenţă 3 regiuni importante:
Regiunea AB Regiunea de blocare la polarizare inversă. Dioda se comportă
ca un generator de curent de valoare IS. Întrucât curentul
rezidual are valori foarte mici, în aplicaţiile practice se
consideră că dioda se comportă ca un circuit întrerupt.
Regiunea BC Regiunea de blocare la polarizare directă. Dioda are acelaşi
coportament cu cel din regiunea AB
Regiunea CD Regiunea de conducţie. Prin diodă pot circula curenţi de valoare
mare, căderea de tensiune fiind aproximativ Vγ. Dioda se
comportă ca un scurtcitcuit.

2.2.2 Modele liniare de semnal mare

Caracteristica (2.5) reprezintă o funcţie neliniară ceea ce o face greu de utilizat
în aplicaţiile practice. În mod uzual, pentru a evita complicaţiile legate de
neliniarităţile lui (2.5), se apelelează la procedeul liniarizării pe porţiuni. Figura
2.5 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 2.4. şi poartă
numele de model de ordin zero.
iA

Model de ordin zero Caracteristica reală

vA

Figura 2.5
Schema echivalentă este: (figura 2.6):

19
 Electronică analogică

A C
Diodă în conducţie
A C
A C
Diodă blocată

Figura 2.6

2.2.3 Abateri de la teoria ideală

Caracteristica reală a unei diode semiconductoare este prezentată în figura 2.7
Figura pune în evidenţa existenţa unei noi regiuni si anume regiunea de
străpungere, regiune în care are loc fenomenul de străpungere al diodei. Se
iA
Tensiune de
V BR Blocare prag
Vγ ≅0.7 V

vA

Străpungere

Regiune de Regiune de
polarizare polarizare
inversă directă

Figure 2.7
observă că acest fenomen constă în creşterea bruscă a curentului invers atunci
când tensiunea inversă ajunge la valoarea VBR (tensiune de străpungere). Din
punct de vedere fizic, două mecanisme pot fi responsabile pentru apariţia
acestui fenomen:

multiplicarea în avalanşă şi

efectul "tunel".
Multiplicarea în avalanşă are loc la tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor
slab dopate. Este cauzată de ionizarea de impact. În acest proces, un electron
accelerat de câmpul electric intern existent în regiunea de sarcină spaţială capătă
suficient de multă energie ca prin ciocnirea unui atom să elibereze o pereche
gol-electron. Noul electron astfel generat – numit electron secundar – este la
rândul lui accelerat şi poate la rândul său să genereze noi electroni secundari.
Acest fenomen duce la creşterea necontrolată a curentului prin jonţiune.
Efectul "tunel" are loc la tensiuni mici şi este specific jonţiunilor puternic
dopate. Procesul constă în saltul electronilor din stările ocupate din banda de
valenţă a regiunii "p" pe stările libere din banda de conducţie a regiunii "n",
întrucât regiunea de sarcină spaţială este foarte îngustă.

20
 Diode semiconductoare “p-n”

În general regiunea de străpungere trebuie evitată în funcţionare normală

întrucât în absenţa unor circuite de limitare a curentului, dioda se poate distruge.
iZ
IZM

vZ Străpungere

A C IZm
iZ vZ
Regiune de Regiune de VZ
polarizare polarizare
directă inversă

Figura 2.8. Figura 2.9

Există însă o categorie de diode şi anume diodele stabilizatoare sau Zener care
lucrează tocmai în acestă regiune. Figura 2.8 prezintă simbolul unei asemenea
diode, iar figura 2.9 caracteristica statică. Se poate constata că atât timp cât
curentul prin diodă satisface condiţia:
I Z m ≤ iZ ≤ I Z M (2.8)

căderea de tensiune pe diodă va avea valoarea:

v Z ≅ VZ (2.9)

2.2.4 Limitări în funcţionare

Analiza prezentată până în acest moment a considerat că atât tensiunile de pe
diodă cât şi curenţii prin diodă pot lua orice valori. În situaţii reale există
anumite limitări pentru a evita distrugerea dispozitivului. Funcţie de aplicaţie,
cele mai uzuale limitări sunt:
a. diode redresoare

IFM curentul direct maxim admisibil; reprezintă valoarea
maximă a curentului direct prin diodă când ea se află în
conducţie; proiectantul trebuie să aibă grijă ca în funcţionare
normală curentul direct să nu depăşescă această valoare.

VBR tensiunea de stăpungere; reprezintă valoarea maximă a
tensiunii inverse pe diodă; proiectantul trebuie să aibă grijă ca
în funcţionare normală tensiunea inversă să nu depăşescă
această valoare
b. diode stabilizatoare

VZ tensiunea nominală de stabilizare; de obicei în catalog
sunt prezentate limitele maxime şi minime.

21
 Electronică analogică

IZM curentul maxim admisibil prin diodă; spre deosebire de

IFM, acest curent circula prin diodă când aceasta lucrează în
regiunea de stăpungere.

2.2.5 Metodă de analiză pentru circuite cu DS în regim cvasistatic de

semnal mare
Prezentul subcapitol prezintă o metodă uzuală de analiză a circuitelor cu diode
care lucrează în regim cvasistatic de semnal mare, metodă ce are la bază
modelele prezentate anterior. Acest subcapitol este structurat astfel:
a) Prezentarea algoritm;
b) Aplicaţie.

a.) Prezentare algoritm

În principiu, analiza unui circuit electric - după cum a fost amintit - se face în
trei etape:
1. Modelarea circuitului. În aceastǎ etapǎ elementele active se modeleazǎ
funcţie de regimul de lucru. Circuitul electronic devine un circuit electric.
Se spune cǎ problema de electronicǎ este redusǎ la o problemǎ electricǎ
2. Rezolvarea circuitului obţinut la etapa unu. Circuitul electric este analizat
utilizând una dintre metodele studiate (Kirchhoff, Laplace, etc…). Se va
obţine un sistem de ecuaţii. Se spune cǎ problema electricǎ a fost redusǎ la o
problemǎ algebricǎ
3. Rezolvarea sistemului obţinut la etapa precedentǎ
În cazul circuitelor cu diode este necesar ca modelul diodei sǎ fie ales funcţie de
starea diodei (conducţie sau blocare). Ca atare este necesar ca anterior
parcurgerii algoritmului prezentat sǎ fie identificatǎ starea diodelor. Un posibil
algoritm pentru determinarea stǎrii unei diode este prezentat în continuare:
1. Se presupune cǎ dioda este în conducţie şi se modeleazǎ circuitul ca
atare.
2. Se calculeazǎ curentul prin diodǎ.
3. Se comparǎ valoarea obţinutǎ cu zero. Dacǎ aceastǎ valoare este
pozitivǎ atunci presupunerea a fost adevǎratǎ (dioda conduce). În caz
contrar presupunerea a fost falsǎ (diodǎ blocatǎ).

b.) Aplicaţie
Formularea problemei. Pentru circuitul prezentat în figura 2.10 sǎ se calculeze
punctul static de funcţionare al diodei D. Punctul static de funcţionare este

22
 Diode semiconductoare “p-n”

definit în mod uzual ca fiind mulţimea valorilor tensiunilor si curenţilor,

asociate unui dispozitiv electronic pentru regimul static. În cazul unei diode este
vorba de mulţimea {IA, VA}.
R1(1kΏ)
(1k)
IR

I R2(1kΏ) E
(2mA) (1k) (10V)
IA
D VA

Figura 2.10

Soluţia problemei
1.) Testarea stǎrii diodei
a.) Se presupune cǎ dioda este în conducţie şi deci se va folosi modelul din

(1) R1
I

A IA1 IR1

I V1 (I) R2 (II) E

C D
A
C

Figura 2.11 Figura 2.12

figura 2.11. Circuitul din figura 2.10 se modeleazǎ ca în figura 2.12.

b.) Se calculeazǎ curentul prin diodǎ. Sistemul de ecuaţii este format din
ecuaţiile (2.10)÷(2.12): Pentru nodul notat (1) în figura 2.12 aplicând teorema
întâi a lui Kirchhoff se obţine:
(1) I = I A1 + I R1 (2.10)
Aplicarea celei de-a doua teoreme a lui Kirchhoff în pe ochiurile (I) şi (II)
conduce la:
(I) 0 = I A1 R2 − V1 (2.11)

(II) E = − I A1 R 2 + I R1 R1 (2.12)
Rezolvând sistemul se obţine:
I A1 = −4 A
c.) Întrucât, IA1<0 rezultǎ cǎ dioda este blocatǎ. Aceastǎ informaţie este utilǎ
pentru a putea trece la rezolvarea propriu-zisǎ a problemei.
2.) Prezentarea algoritmului de rezolvare

23
 Electronică analogică

a.) Modelarea circuitului. Ştiind cǎ dioda este blocatǎ pentru ea se va folosi

modelul din figura 2.13. În aceste condiţii schema din figura 2.10 se modeleazǎ
ca în figura 2.14

I R1

IA
A
I V R2 E
C
A
VA
C

Figura 2.13 Figura 2.14

b.) Rezolvarea circuitului. Circuitul din figura 2.14 conţine o singurǎ buclǎ
parcursǎ de curentul debitat de generatorul de curent “I”, întrucât IA=0.
Amintim cǎ pe ramurile care conţin generatoare de curent necunoscute sunt
cǎderile de tensiune, în cazul de faţǎ “V”. Aplicând teorema a doua a lui
Kirchhoff pe bucla exterioarǎ se obţine:
E = −V + IR1 (2.13)
iar “V” devine:
V = IR1 − E = −8V (2.14)
c.) Calculul punctului static de funcţionare. Dupǎ s-a amintit deja IA=0A Mai
trebuie calculat “VA”. Aplicând teorema a doua a lui Kirchhoff pe bucla
interioarǎ (cea punctatǎ în figura 2.14) se obţine:
E = −V A + IR1 (2.15)
iar “VA” devine:
V A = IR1 − E = −8V (2.16)
În concluzie, puntul static de funcţionare a diodei este:
I A = 0A
V A = −8V

2.3 Comportarea DS în regim cvasistatic de semnal mic

După cum a fost deja menţionat caracteristica statică este puternic neliniară.
Subcapitolul 2.2 a prezentat o posibilă liniarizare. Trebuie spus că acest tip de

24
 Diode semiconductoare “p-n”

liniarizare poate introduce în anumite situaţii erori apreciabile. Dacă semnalul

pe diodă este mai mic de 10 mV – aşa numita condiţie de semnal mic –
caracteristica poate fi liniarizată Taylor (mult mai precis) în jurul unui punct. În
figura 2.15 acest punct este notat Q. Practic, figura 2.15 pune în evidenţă faptul
că pentru variaţii foarte mici ale lui ∆v, dioda se comportă ca un rezistor a cărui
rezistenţă este egală cu valoarea inversului pantei tangentei în punctul Q. Altfel
spus:
V 
I S exp  Q 
ga =
d iA
=  eT  = I A + IS (2.17)
dv A eT eT
v A = VQ

unde ga este conductanţa (inversul rezistenţei) de semnal mic. Reformulând,

conductanţa de semnal mic se confundă cu conductanţa diferenţială.
Caracteristică neliniară

Regiune liniară

∆i

Q(V Q, IQ)

v
∆v

Figura 2.15
În multe situaţii:
IA >> IS (2.18)
astfel că ga este de obicei aproximată prin:

ga ≅
IA (2.19)
VT

Amintind că VT ≅ 25 mV , în final se obţine pentru ga expresia:

ga [mS ] = 40 IA [mA ] (2.20)

Modelul matematic va fi evident dat de (2.4):
ia = g a v a (2.4)

unde ga are valoarea dată de (2.17).

Schema echivalentă asociată acestui model este prezentată în figura 2.16

25
Electronică analogică

va

ia ga
A C

Figura 2.16

26