8

DISPOZITIVE
MULTIJONCÞIUNE §I
TRANZISTOARE UNIJONCÞIUNE

Dispozitivele multijoncþiune sunt dispozitive electronice a cáror structurá

incorporeazá trei sau mai multe joncþiuni. Din aceastá categorie de dispozitive fac parte
diodele pnpn, tiristoarele, diacele, triacele etc.
Sub denumirea de tranzistoare unijoncþiune (TUJ) se íntälnesc dispozitive electronice
realizate ín diverse variante constructive dar ale cáror caracteristici I − V sunt asemánátoare.
Astfel, structura de bazá a acestora poate fi o joncþiune p-n sau, ín ciuda denumirii, poate sá
fie de tip pnpn. Ín acest ultim caz putem include aceste structuri ín clasa dispozitivelor
multijoncþiune.
Toate dispozitivele prezentate ín acest capitol au caracteristici I − V ce prezintá douá
sau trei regiuni de stabilitate ín funcþionare ßi ca atare pot fi folosite ín circuitele de
comutaþie, ín circuitele de conversia energiei, ín circuitele de impulsuri etc.

8.1. Dioda pnpn

8.1.1. Generalitáþi

Dioda pnpn este o structurá de siliciu monocristalin cu patru regiuni de

conductibilitáþi alternate p-n-p-n, cunoscutá ín literaturá ßi sub denumirile de dinistor, diodá
Shockley, diodá cu patru straturi. Simbolul, caracteristica staticá ßi modelul unidimensional
corespunzátoare acestei structuri sunt prezentate ín figura 8.1.

Regiunile extreme, puternic dopate, p++ (sau p+) ßi n+ ale structurii poartá denumirea
de emitori. Emitorul p++ (sau p+) se mai numeßte ßi anod, iar emitorul n+ - catod. Regiunea
medianá de tip n+ (sau n) poartá denumirea de bazá groasá, iar regiunea medianá de tip p
poartá denumirea de bazá subþire. Cele trei joncþiuni ale structurii sunt plasate la distanþe
mici íntre ele astfel íncät joncþiunile J1 − J 2 , respectiv J3 − J 2 , sá poatá índeplini funcþia de
tranzistor.
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 249

J1 J2 J3 iA
A C
p1+ n2 p3 n+4
a. IL
IH
B . .
A iA C VBR IB0 A
0 VH VL VB0 vA
vA
A iA C

vA
b. c.
Figura 8.1. Dioda pnpn: a) modelul unidimensional; b) simboluri utilizate;
c) caracteristicá staticá.

Dioda pnpn prezintá interes prin forma caracteristicii sale ín polarizare directá , formá
tipicá elementelor de comutaþie cu douá stári funcþionale stabile. Dacá aplicám o tensiune
pozitivá íntre anodul ßi catodul dispozitivului atunci joncþiunile extreme J1 ßi J3 se
polarizeazá direct, iar joncþiunea medianá J2 se polarizeazá invers. Curentul prin structurá
are valori mici, fiind practic curentul invers al joncþiunii J2 . Aceastá situaþie corespunde
regiunii 0A a caracteristicii statice, numitá regiune de blocare, ín care funcþionarea structurii
pnpn este stabilá. Datoritá fenomenului de multiplicare ín avalanßá la joncþiunea J2 , la o
anumitá tensiune VB 0 , numitá tensiune de amorsare sau de aprindere sau de íntoarcere,
curentul prin structurá creßte brusc iar tensiunea ce cade pe structurá scade. Astfel
dispozitivul trece ín cealaltá stare de funcþionare stabilá cáreia íi corespunde regiunea BC a
caracteristicii statice, numitá regiune de conducþie. Coordonatele punctului B de intrare ín
conducþie ín condiþii de stabilitate a funcþionárii sunt notate, ín conformitate cu standardele
IEEE, cu (I L , V L ) ßi se numesc curent ßi tensiune de "ínchidere" (latching). Porþiunea
intermediará AB a caracteristicii statice, ce corespunde unei funcþionári instabile a diodei
pnpn, relevá o rezistenþá dinamicá negativá. Comutarea inversá, din starea de conducþie ín
starea de blocare, are loc atunci cänd curentul sau tensiunea pe dispozitiv scad sub valorile
notate cu I H , respectiv VH , numite de menþinere.
Ín polarizare inversá joncþiunile J1 ßi J2 sunt polarizate invers, iar joncþiunea J3 este
polarizatá direct. Ín consecinþá curentul prin structurá are valori mici de ordinul curentului
invers printr-o joncþiune p-n. Datoritá fenomenelor de multiplicare ín avalanßá la cele douá
joncþiuni polarizate invers, la o tensiune notatá cu VBR ßi numitá tensiune de strápungere
curentul prin diodá creßte brusc.
Valorile parametrilor de catalog corespunzátori caracteristicii I − V ai diodelor pnpn
variazá ín funcþie de realizárile tehnologice ßi de destinaþia acestora. Astfel, tensiunea de
amorsare VB 0 variazá de la zeci la sute de volþi, iar curentul corespunzátor acesteia I B 0 de la
microamperi päná la cäþiva miliamperi. Rezistenþa corespunzátoare stárii de blocare poate
lua valori cuprinse íntre cäþiva MΩ päná la sute de MΩ . Ín starea de conducþie curentul prin
structurá poate avea valori de la cäþiva miliamperi päná la cäþiva amperi, iar coordonatele
punctului de menþinere ín conducþie pot varia íntre limitele (1 mA; 0,5 V)÷(50 mA; 20 V) .
Rezistenþa corespunzátoare stárii de conducþie este foarte micá, diodele pnpn de micá putere
prezentänd cea mai ridicatá valoare a acesteia (aproximativ 10 Ω ).
250 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

Caracteristica staticá a diodei pnpn este puternic dependentá de temperaturá. Atät

tensiunea de amorsare cät ßi curenþii de menþinere ßi ínchidere scad odatá cu creßterea
temperaturii. Ín figura 8.2. este reprezentatá caracteristica staticá a unei structuri pnpn de
putere micá la douá temperaturi de lucru.

IA[mA]
T1
T2

-30 -20 -10

10 20 30 40 V [V]
A
T1 T2
Figura 8.2. Variaþia cu temperatura a caracteristicii statice a diodei pnpn.

Datoritá caracteristicii sale cu douá stári funcþionale stabile, dioda pnpn este utilizatá
ín circuitele de comandá a porþii tiristoarelor, ín circuitele de protecþie la supratensiuni, ín
generatoarele de impulsuri de relaxare etc.

8.1.2. Determinarea caracteristicii I-V a diodei pnpn

Ín acest subcapitol se vor prezenta procesele fizice ce au loc ín dioda pnpn, procese
fizice caracteristice funcþionárii tuturor dispozitivelor multijoncþiune, ßi pe baza acestora,
partiþionänd ßi modeländ ín mod corespunzátor structura, se va determina expresia
caracteristicii statice a dispozitivului.
Modelul folosit ín analiza funcþionárii structurii este cel propus de Ebers ßi prezentat
ín figura 8.3. Ín conformitate cu acesta structura pnpn se descompune ín douá structuri de
tranzistor, T1 de tip pnp ßi T2 de tip npn, conectate ca ín figura 8.3.b. Joncþiunile periferice J1
ßi J3 constituie joncþiunile emitor-bazá ale tranzistoarelor T1 ßi T2, iar joncþiunea medianá
J2 corespunde joncþiunilor colector-bazá ale celor douá tranzistoare. Relaþiile ce
caracterizeazá acest model sunt:
IA = IE 1 = I E 2 = IC 1 + I C 2
(8.1)
IC 1 = I B 2; I C 2 = IB 1

J1 J2 iA= i E1 T1 iC1=iB2
A
A n2 p3
p+1
C
C iB1=iC2 T2 iE2=iC
n2 p3 n+4 + -
J2 J3 VA R
Figura 8.3. Modelarea structurii pnpn.
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 251

Polarizänd direct structura cu o tensiune VA < VB 0 , joncþiunile J1 ßi J3 se polarizeazá

direct, iar joncþiunea J2 se polarizeazá invers. Astfel, tranzistoarele modelului funcþioneazá
ín regim activ normal. Tensiunea aplicatá structurii se repartizeazá astfel pe cele trei
joncþiuni:
VA = VEB 1 − VCB 1 + V BE 1 = VEB 1 − V BC 2 + V BE 1 (8.2)
Tensiunea inversá pe joncþiunea medianá poate avea valori ridicate astfel íncät
fenomenul de multiplicare ín avalanßá la aceastá joncþiune trebuie considerat ín exprimarea
curenþilor de colector ai celor douá tranzistoare. Ín conformitate cu modelul Ebers-Moll
curenþii de colector ai tranzistoarelor structurii pot fi exprimaþi astfel:
I C 1 ≅ M ⋅ (α F 1 ⋅ I E 1 + I CB 0,1 )
(8.3)
I C 2 ≅ M ⋅ (α F 21 ⋅ I E 2 + I CB 0,2 )
ín care α F 1 ßi α F 2 sunt factorii de amplificare ín curent direct, M factorul de multiplicare ín
avalanßá la joncþiunea centralá, iar I CB 0,1 ßi I CB 0,2 curenþii inverßi ai joncþiunilor de colector
ai tranzistoarelor T1 ßi T2.
Introducänd relaþiile (8.3) ín ecuaþia (8.1.d) se obþine urmátoarea expresie pentru
curentul prin structurá:
I A ≅ M ⋅ (α F 1 ⋅ I E 1 + α F 21 ⋅ I E 2 + I CB 0,1 + I CB 0,2 ) = M ⋅ [(α F 1 + α F 2 ) ⋅ I A + I 02 ] (8.4)
adicá:
I 02
IA ≅ −1
(8.5)
M − (α F 1 + α F 2 )

Factorul de multiplicare ín avalanßá este dat de expresia:

1 1
M= n ≅ n (8.6)
V V
1 −  CB 1  1 −  A 
VBR 2 VBR 2
unde VBR 2 reprezintá tensiunea de strápungere a joncþiunii J2 .
Relaþia (8.5) relevá posibilitatea creßterii puternice a curentului prin structurá dacá
este índeplinitá condiþia de amorsare:

αF 1 + αF 2 = 1 (8.7)
M
Introducänd relaþia (8.6) ín (8.7) se obþine expresia tensiunii de amorsare:
VB 0 = V BR 2 ⋅ 1 − (α F 1 + α F 2 ) (8.8)
Pentru a evidenþia fenomenele fizice ce stau la baza amorsárii diodei pnpn relaþia
(8.7) poate fi scrisá sub forma:

α F 1 (I A ) + α F 2 (I A ) = 1
M(VA ) (8.9)
I A ≈ I 02 ⇒ I A = I A VA )
(
Astfel se poate afirma cá dependenþa factorilor de amplificare α F de curentul prin
dispozitiv ßi dependenþa factorului de multiplicare ín avalanßá de tensiunea aplicatá pe
dispozitiv stau la baza amorsárii structurii pnpn. Forma dependenþei factorilor de amplificare
252 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

ín curent α F pentru douá tranzistoare, unul de tip pnp ßi altul de tip npn, ce au aceiaßi
parametri constructivi este reprezentatá ín figura 8.4.
La tensiuni directe de valoare micá curentul prin dispozitiv este foarte mic, fiind
determinat de joncþiunea centralá polarizatá invers. Astfel factorii α F au valori mici, M este
aproximativ unitar ßi ín conformitate cu (8.5) I A ≅ I 0 2 . Márind tensiunea anodicá curentul
rezidual creßte ßi odatá cu acesta cresc ßi valorile factorilor α F . De asemenea, la creßterea
tensiunii directe aplicate creßte ßi valoarea factorului M . Creßterea valorilor factorilor de
amplificare ín curent direct conduce, aßa cum relevá ecuaþiile (8.3), la creßterea curentului
prin dispozitiv ßi ín consecinþá la o nouá creßtere a factorilor α F . Are deci loc un proces
regenerativ ce conduce la índeplinirea condiþiei de amorsare.

αF α F1+ α F2
1
α F2
0.8
0.6
α F1
0.4
0.2

-3 -2
10-5 10-4 10 10 10-1 1 10 10 2 iA [A]
Figura 8.4. Dependenþa factorilor α F de curentul prin structurá.

Creßterea curentului prin structurá datoritá procesului regenerativ determiná scáderea

barierei de potenþial a joncþiunii centrale ßi deci scáderea tensiunii pe dispozitiv. Scáderea
tensiunii pe dispozitiv concomitent cu creßterea curentului prin structurá determiná regiunea
de rezistenþá negativá a caracteristicii I − V .
Pentru a putea explica procesele ce au loc ín dispozitiv este necesar sá se reviná la
expresia (8.5), determinatá ín condiþiile simplificatoare ale aproximárii curentului joncþiunii
centrale cu suma curenþilor reziduali I CB 0,1 ßi I CB 0,2 . De fapt relaþia exactá este:
−I 2
IA = =
M −1 − (α F 1 + α F 2 )
V V (8.10)
−I CB 0,1 ⋅  exp  CB1  − 1  − I CB 0,2 ⋅  exp  BC2  − 1  − I gr 2
 VT   VT 
= −1
M − (α F 1 + α F 2 )
ín care I gr 2 reprezintá curentul de generare-recombinare al joncþiunii mediane dat de relaþia:
VA 2 
I gr 2 = I gr 0,2 ⋅  exp  − 1  (8.11)
 2 ⋅ VT  
Ín regiunea de rezistenþá negativá a caracteristicii, pe másurá ce curentul prin
dispozitiv creßte, tensiunea pe dispozitiv scade determinänd scáderea valorii factorului M
päná la 1. Astfel, la un moment dat, semnul expresiei de la numitorul relaþiei (8.10) devine
negativ iar tensiunea ce cade pe joncþiunea centralá devine pozitivá, tranzistoarele T 1 ßi T2
saturändu-se. Ín consecinþá, dispozitivul trece ín a doua sa stare funcþionalá stabilá cáreia íi
corespunde pe caracteristicá regiunea de conducþie. Ín acest caz expresia (8.10) devine:
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 253

2I
IA = ≅
(α F 1 + α F 2 ) − 1
V V V (8.12)
I CB 0,1 ⋅ exp  CB1  + I CB 0,2 ⋅ exp  BC2  + I gr 0,2 ⋅ exp  A 2 
VT VT 2 ⋅ VT
≅
(α F 1 + α F 2 ) − 1
Comutarea ín sens invers, din conducþie ín blocare, este caracterizatá de coordonatele
punctului de menþinere. Curentul de menþinere poate fi definit drept curentul la care
tensiunea pe joncþiunea centralá devine zero sau este índeplinitá condiþia de menþinere:
α F 1 (I H ) + α F 2 (I H ) = 1 (8.13)
Tensiunea corespunzátoare curentului I H , numitá tensiune de menþinere , se poate
determina cu aproximaþie din ecuaþia:
VH   VH 
I H ≈ I 0,2 ⋅ exp  + I gr 0,2 ⋅ exp (8.14)
VT   2 ⋅ VT 

8.1.3. Amorsárile parazite ale diodei pnpn

Dioda pnpn poate fi prematur amorsatá, la o tensiune mai micá ca VB 0 , prin creßterea
temperaturii sau printr-o variaþie bruscá a tensiunii aplicate structurii. Aceste amorsári poartá
denumirea de amorsari parazite.
La creßterea temperaturii curentul invers prin jocþiunea medianá creßte conducänd la
creßterea valorilor factorilor α F ßi deci la accelerarea procesului regenerativ, adicá la
índeplinirea condiþiei de amorsare (8.7) la o tensiune directá mai micá. Dependenþa de
temperaturá a factorilor de amplificare α F , prezentatá ín figura 8.5, relevá faptul cá
dispozitivul comutá din starea de blocare ín starea de conducþie la o tensiune cu atät mai
micá cu cät temperatura este mai ridicatá.

1
VB0 [V]
0,8 80
0,6 60
αF

a. 0,4 b. 40
0,2 20
-5 -4 -3 -2 -1
10 10 10 10 10 1 10 50 100 150 200 T[oC]
iA[A]
Figura 8.5. Dependenþele de temperaturá ale:
a) factorilor de amplificare ín curent α Fnpn ßi α Fpnp ; b) tensiunii de amorsare.

Amorsarea prematurá a structurii se poate realiza ßi la temperaturá normalá dacá

tensiunea directá aplicatá are o vitezá de creßtere foarte mare. Aceastá amorsare parazitá
poartá denumirea de efect dv /dt . Aceastá comportare a dispozitivului íßi are explicaþia ín
apariþia unei componente de curent suplimentare, adicá a componentei de deplasare
i d = C j 2 ⋅ (dv A /dt), care creßte valoarea curentului ce parcurge joncþiunea medianá. Ín
consecinþá, relaþia (8.5) corespunzátoare regiunii de blocare a caracteristicii devine:
254 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

dv A
I 02 + M −1 ⋅ C j 2 ⋅
IA ≅ dt (8.15)
−1
M − (α F 1 + α F 2 )
unde C j 2 reprezintá ín principal capacitatea de barierá a joncþiunii mediane J2 .
Creßterea curentului prin joncþiunea centralá determiná creßterea valorilor factorilor
de amplificare α F , procesul regenerativ conducänd la o valoare a tensiunii de amorsare mai
micá decät VB 0 . Cu cät viteza de variaþie a tensiunii directe aplicate structurii este mai mare
cu atät tensiunea de amorsare este mai micá.

Evitarea amorsárilor parazite se realizeazá fie prin limitári impuse temperaturii

maxime de lucru ßi vitezei maxime de variaþie a tensiunii aplicate, fie prin soluþii
tehnologice la nivelul structurii fizice. Cele mai utilizate soluþii tehnologice constau ín
ßuntarea joncþiunii J3 cu o rezistenþá sau cu o capacitate, astfel íncät curentul de deplasare sá
evite aceastá joncþiune ßi sá nu afecteze valoarea lui α F 2 care are o variaþie mai pronunþatá
ín funcþie de curent (vezi variaþia α npn din figura 8.4).

8.2.
8.2 . Diacul

Diacul este un dispozitiv multijoncþiune ce prezintá conducþie bidirecþionalá.

Dispozitivul are cinci straturi cu conductibilitáþi alternate ßi patru joncþiuni. Modelul
unidimensional al structurii este prezentat ín figura 8.6.a, iar simbolul dispozitivului este
reprezentat ín figura 8.6.b. Cei doi electrozi ai dispozitivului se numesc terminale.
Modelarea funcþionalá a structurii se poate realiza folosind douá structuri pnpn conectate
antiparalel ca ín figura 8.6.c. Notänd cu I A 1 ßi I A 2 curenþii prin cele douá structuri pnpn se
poate exprima curentul prin dispozitiv ca fiind:
IT = IA 1 − IA 2 (8.16)
La aplicarea unei tensiuni VT > 0 structura pnpn I este polarizatá direct, iar structura
pnpn II este polarizatá invers. Ín consecinþá, curentul prin structurá este dictat de structura
pnpn I, adicá
I T = I A 1 + I inv 2 ≅ I A 1 , (8.17)
iar tensiunea de amorsare corespunzátoare acesteia se noteazá cu VBD sau VB+0 .
Cänd tensiunea aplicatá VT devine negativá structura pnpn II este polarizatá direct
iar structura pnpn I este polarizatá invers. Curentul prin structurá este dat de relaþia:
I T = I inv 1 − I A 2 ≅ −I A 2 , (8.18)
dispozitivul comutänd ín conducþie la tensiunea de amorsare corespunzátoare structurii II,
notatá cu VBR sau VB−0 .
Ín consecinþá, caracteristica staticá a dispozitivului, prezentatá ín figura 8.6.d, este
caracterizatá de douá regiuni stabile de conducþie, una ín polarizare directá ßi alta ín
polarizare inversá. Ín general, tensiunile de amorsare ín sens direct ßi invers sunt aproximativ
egale, valoarea lor comuná notändu-se cu VB 0 .
Datoritá caracteristicii sale bidirecþionale, diacul se foloseßte ín circuitele de curent
alternativ pentru comanda tiristoarelor ßi dispozitivelor triac.
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 255

T2 T2 iT
T2
n iT n
p
p p
n vT - vBR
n n
p p vBD vT
p
n n
T1
T1 T1
a. b. c. d.
Figura 8.6. Diacul: a) structurá; b) simbol; c) modelare funcþionalá;
d) caracteristicá staticá.

8.3.
8.3 . Tiristorul

8.3.1. Tiristorul convenþional

Tiristorul convenþional este un dispozitiv electronic realizat dintr-o structurá pnpn

completatá cu un electrod de comandá numit poartá, conectat la regiunea medianá de tip p.
Modelul unidimensional ßi simbolul acestui dispozitiv sunt prezentate ín figura 8.7.

vA iA iC1 iG
A G
T1 iB2
A p+1 n2 p3 n+4 C A C T2 VGG
iA C
iG i B1 =i C2 iA=iG
vG
G G + -
VAA R
a. b. c.
Figura 8.7. Tiristorul convenþional: a) structurá; b) simbol; c) modelare.

Funcþionarea tiristorului atunci cänd electrodul de poartá este lásat ín gol este
similará cu cea a diodei pnpn. Tensiunea de amorsare corespunzátoare acestui caz se
numeßte tensiune de autoamorsare ßi se noteazá cu VB 0 . Rolul electrodului poartá este de a
permite injectarea unui curent ín joncþiunea J3 a structurii pnpn ßi deci de a controla ín acest
mod tensiunea de amorsare a dispozitivului.
Analiza proceselor fizice ce au loc la amorsarea tiristorului prin injectarea unui
curent pe poartá se poate face folosind modelul funcþional propus de Ebers pentru structura
pnpn (vezi figura 8.7.c). Relaþiile ce caracterizeazá acest model sunt:
I A = I E 1 = I C1 + I C 2
IA + I G = I E 2
(8.19)
I B1 = I C 2
IB 2 = I C 1 + IG
256 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

Pentru tensiuni VA pozitive ßi mai mici ca tensiunea de amorsare, notatá cu VB ,

tranzistoarele modelului sunt polarizate ín RAN. Ín consecinþá, curenþii de colector ai
tranzistoarelor T1 ßi T2 sunt daþi de relaþiile:
I C1 ≅ M ⋅ (α F 1 ⋅ I E 1 + I CB 0,1 ) = M ⋅ (α F 1 ⋅ I A + I CB 0,1 )
(8.20)
I C 2 ≅ M ⋅ (α F 2 ⋅ I E 2 + I CB 0,2 ) = M ⋅ [α F 2 ⋅ (I A + I G ) + I CB 0,2 ]
Astfel, curentul prin structurá se determiná din relaþia:
I A = I C1 + I C 2 ≅ M ⋅ [(α F 1 + α F 2 ) ⋅ I A + α F 2 ⋅ I G + I CB 0,1 + I CB 0,2 ] (8.21)
de unde
α F 2 ⋅ I G + I 0,2
IA ≅ (8.22)
M −1 − (α F 1 + α F 2 )
Relaþile anterioare aratá faptul cá injecþia unui curent prin joncþiunea catodului are ca
efect creßterea curentului I C 2 ßi a factorului α F 2 . Aceste creßteri conduc la creßterea
curentului prin structurá ßi deci procesul regenerativ conduce la o tensiune de amorsare
VB < VB 0 . Este evident faptul cá valoarea tensiunii de amorsare se micßoreazá pe másurá ce
curentul injectat prin electrodul de poartá creßte. Dependenþa factorilor de amplificare ín
curent direct stau ßi ín acest caz la baza amorsárii dispozitivului.

Procesele fizice ce se petrec ín perioada de comutare sunt aceleaßi ca la dioda pnpn ßi

deci ín regiunea de conducþie tranzistoarele structurii se vor satura, iar relaþia ce descrie
funcþionarea dispozitivului este:
I2 − α F 2 ⋅ IG
IA = ≅
(α F 1 + α F 2 ) − 1
V V V (8.23)
I CB 0,1 ⋅ exp  CB1  + I CB 0,2 ⋅ exp  BC2  + I gr 0,2 ⋅ exp  A 2  − α F 2 ⋅ I G
VT VT 2 ⋅ VT
≅
(α F 1 + α F 2 ) − 1

Caracteristica I − V a tiristorului este ilustratá ín figura 8.8.a. Se observá dependenþa

tensiunii de amorsare de curentul injectat pe poartá. Atunci cänd curentul injectat I G
depáßeßte o anumitá valoare amorsarea se produce direct (vezi curba punctatá OB), ca la
joncþiunea p-n. Ín polarizare inversá dispozitivul se comportá ca o diodá pnpn, prin el
trecänd un curent mic.
Comutarea ín sens invers, din conducþie ín blocare, se realizeazá ín mod uzual prin
scáderea curentului I A sau tensiunii VA sub valorile de menþinere. Teoretic, blocarea
tiristorului se mai poate realiza ßi prin extragerea unui curent prin poartá (adicá I G < 0 ).
Efectele aplicárii unui curent negativ pe poartá constau ín creßterea curentului ßi tensiunii de
menþinere precum ßi a tensiunii de amorsare (vezi figura 8.8.b). Practic, este ineficientá
blocarea tiristorului convenþional ín acest mod deoarece valoarea curentului invers necesar
pe poartá ar fi comparabilá cu valoarea curentului principal prin dispozitiv ßi deci s-ar pierde
unul din avantajele principale ale porþii: comanda unor curenþi mari ín circuitul anodic prin
valori mici ale curentului de poartá.
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 257

iA iA

i G2 i G1 i =0 I'' i G2 i G1 i G =0 i'G <0

IL G H i''G <0
IH IH'
VBR
IH
VHVL VB2 VB1VB0 vA

0
vA
a. b.
Figura 8.8. Caracteristicile statice ale tiristorului convenþional.

Aprinderile parazite prin creßterea temperaturii ßi prin efect dv /dt se íntälnesc ßi la

tiristoare. Evitarea acestora se obþine fie prin limitári impuse valorilor maxime ale
temperaturii de lucru ßi a vitezei de variaþie, fie prin soluþii tehnologice. Cea mai folositá
soluþie tehnologicá, prezentatá ín figura 8.9.a, este structura cu ßunt pe emitor. Modelarea
acestei structuri este prezentatá ín figura 8.9.b. Prezenþa rezistenþei R gc modereazá
dependenþa factorului de amplificare α F 2 de valoarea curentului prin dispozitiv prin
realizarea unei rute suplimentare pentru acesta.

G vG C
iG J3 C
Rgc
n+4
p3
J2 G T2
n2
J1
p+1 T1

A A
Figura 8.9. Structura de tiristor cu ßunt pe emitor ßi modelarea acesteia.

Tiristorul poate fi alimentat atät cu o tensiune continuá cät ßi cu o tensiune

alternativá. Comportarea tiristorului la aplicarea unei tensiuni alternative íntre anod ßi catod
este asemánátoare cu cea a unei diode semiconductoare, cu deosebirea cá pragul de intrare ín
conducþie poate fi modificat prin aplicarea unei comenzi adecvate pe electrodul de poartá.
Semnalul de comandá poate fi atät un semnal continuu cät ßi un impuls de polaritate
corespunzátoare. Comutarea tiristorului din blocare ín conducþie ßi invers se realizeazá
íntr-un timp finit, fiind legatá de procese fizice ca injecþia ßi extracþia de purtátori minoritari.
De aceea, impulsurile de comandá trebuie sá aibá o duratá minimá care pentru comutare
directá poartá denumirea de timp de menþinere pe poartá, iar pentru comutare inversá de
timp de revenire pe poartá. Timpii de comutare directá ßi inversá cresc cu temperatura ßi cu
curentul anodic ßi scad cänd modulul amplitudinii semnalului de comandá creßte. Timpii de
comutare variazá de la zeci de nanosecunde, ín tiristoarele rapide, la microsecunde ín
tiristoarele lente. Ín general, timpul de blocare al unui tiristor este mai mare ca cel de
amorsare.
258 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

Comanda porþii tiristoarelor se poate realiza prin douá tehnici ßi anume: comanda pe
verticalá sau prin amplitudine ßi comanda pe orizontalá sau prin fazá. Ín cazul comenzii prin
amplitudine, tensiunea de comandá este ín fazá cu cea aplicatá íntre anodul ßi catodul
dispozitivului, amorsarea la tensiunea doritá realizändu-se prin modificarea amplitudinii
tensiunii de comandá. Un exemplu simplu de polarizare a tiristorului ín curent alternativ
folosind un astfel de circuit de comandá, ímpreuná cu formele de undá corespunzátoare, este
prezentat ín figura 8.10.a. Timpul de conducþie t C al tiristorului este caracterizat uzual prin
unghiul θ = ω ⋅ t C ce poartá denumirea de unghi de conducþie. Unghiul de conducþie al
tiristorului poate fi modificat prin intermediul semnalului aplicat pe poartá. Acest mod de
comandá este imperfect deoarece nu permite un reglaj complet al unghiului de conducþie, ci
numai ín intervalul 90 o ÷ 180 o , ceea ce se traduce prin faptul cá valoarea medie a curentului
nu poate fi variatá päná la zero ci numai päná la 1/2 din valorile maxime respective.
Posibilitatea unei comenzi care sá permitá un reglaj aproape total al unghiului de conducþie
este oferitá de comanda prin fazá. Ín acest caz, pe poartá se aplicá o tensiune de amplitudine
constantá dar de fazá variabilá. Exemple de comandá prin fazá ímpreuná cu formele de undá
ce caracterizeazá funcþionarea circuitelor sunt prezentate ín figurile 8.10.b ßi 8.10.c.
Circuitul R C − C reprezintá un circuit defazor care permite obþinerea unei tensiuni de
comandá pe poartá avänd faza variabilá prin intermediul variaþiei rezistenþei R C .

iA(t) Rs vA ,iA
vA(t)
iA(t)
Tr
R
ωt
vA(t) θ θ

a.
Rs

Tr
RcI
Xc

RC
I

vA(t)
C Vac

b.
Rs vC(t)
T1 =R. C.ln GG H
V -V
VGG-VB
RC Tr VB
vA(t)
VGG C vc VH
ωt
~ ω.T1 θ
c.
Figura 8.10. Posibilitáþi de comandá a tiristorului:
a) comanda prin amplitudine; b) ßi c) comanda prin fazá.
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 259

8.3.2. Tiristorul tetrodá

Tiristorul terodá este un dispozitiv electronic realizat dintr-o structurá pnpn

completatá cu doi electrozi de comandá: unul conectat la regiunea medianá de tip p numit
poartá catodicá ßi altul conectat la regiunea medianá de tip n numit poartá anodicá. Modelul
unidimensional ßi simbolul acestui dispozitiv sunt prezentate ín figura 8.11.

A
A A
A C GC A
iGA GA
iA
p1 GA T1
p1+ n+4 p3 p1+
n2 GA vA
n2 GC p3 vGA
iGC GC
GC T2
n4
vGC
GA C
C
C
a. b. c. d.
Figura 8.11. Tiristorul tetrodá: a) structurá; b) model unidimensional; c) simbol;
d) modelare funcþionalá.

Spre deosebire de tiristorul convenþional acest dispozitiv poate fi amorsat la o

tensiune VB < VB 0 ín trei moduri:
aplicänd o tensiune sau un impuls pozitiv pe poarta catodicá,
aplicänd o tensiune sau un impus negativ pe poarta anodicá,
aplicänd tensiuni sau impulsuri corespunzátoare pe ambele porþi.
Folosind modelul funcþional propus de Ebers pentru structura pnpn (vezi figura
8.11.c) se obþine urmátoarea relaþie
I A = I C1 + I G 2 + I C 2 ≅ I G 2 + M ⋅ [α F 1 ⋅ I A + I CB 0,1 + α F 2 ⋅ (I A + I G1 − I G 2 ) + I CB 0,2 ] (8.24)
din care se determiná curentul prin structurá:
α F 2 ⋅ I G1 + (M −1 − α F 2 ) ⋅ I G 2 + I 0,2
IA = (8.25)
M −1 − (α F 1 + α F 2 )
Expresia (8.25) relevá faptul cá amorsarea pe poarta anodicá necesitá un curent mai
mare decät pe poarta catodicá.

Amorsárile parazite se pot evita folosind aceleaßi metode ca la tiristorul convenþional

dar ßi prin metode specifice datorate existenþei porþii anodice. Ín figura 8.12 sunt prezentate
douá din aceste metode. Ín schema din figura 8.12.a influenþa efectului dv /dt este diminuatá
prin íncárcarea capacitáþii de barierá a joncþiunii centrale C j 2 la aproximativ tensiunea
anodicá, prin intermediul porþii anodice, ínainte de alimentarea circuitului anodic. Ín schema
din figura 8.12.b influenþa efectului dv /dt este anulatá prin íncárcarea capacitáþii C j 2 la o
tensiune mai mare ca tensiunea anodicá ínainte de alimentarea circuitului anodic.
260 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

+VAA +VAA1 VAA2 >VAA1

k k

R1 R2 R1 R2

A A
GA GA
T1 T1
Cj R1 GC Cj
GC T2 T2
R1

C C
a. b.
Figura 8.12. Metode de evitare a amorsárilor parazite aplicabile tiristoarelor tetrodá.

Existenþa porþii anodice extinde posibilitáþile de utilizare ale tiristorului tetrodá ín

raport cu acelea ale tiristorului convenþional. Principalele dezavantaje ale acestui tip de
dispozitiv constau ín valorile relativ reduse ale tensiunilor de lucru ßi ale puterilor disipate
maxim admisibile.

8.3.3.
8.3.3 . Tiristorul bioperaþional

Tiristorul bioperaþional, numit ßi tiristorul cu blocare pe poartá, este un dispozitiv

electronic ale cárui caracteristici principale sunt identice cu cele ale tiristorului
convenþional, dar a cárui poartá nu íßi pierde rolul de electrod de comandá ín comutarea
inversá, din conducþie ín blocare, a dispozitivului.
Pentru a explica de ce poarta anodicá íßi pástreazá calitatea de electrod de comandá
ín blocarea dispozitivului trebuie prezentate mai íntäi cauzele ce ímpiedicau blocarea
tiristorului convenþional prin aplicarea unui impuls negativ pe poartá de amplitudine
comparabilá cu cea corespunzátoare impulsului pozitiv de amorsare. Aßa cum arátat ín
secþiunea dedicatá tiristorului convenþional pentru blocarea acestuia trebuie ca tensiunea
aplicatá pe poartá sá íl scoatá din starea ín care α F 1 + α F 2 ≥ 1 . Datoritá faptului cá ín
regiunea de conducþie variaþia factorilor de amplificare ín curent α F cu valoarea curentului
anodic este lentá, aplicarea unui impuls pe poartá de amplitudine comparabilá cu cea a
impulsului pozitiv aplicat pentru amorsare nu reußeßte sá micßoreze sub unu valoarea sumei
(α F 1 + α F 2 ). Pentru a se putea bloca tiristorul convenþional prin aplicarea unui impuls
negativ pe poartá, amplitudinea acestuia trebuie sá fie mult mai mare decät amplitudinea
unui impus pozitiv ce ar amorsa direct dispozitivul (vezi curba punctatá 0B din figura 8.8).
Acest lucru conduce la concluzia cá este ineficientá folosirea porþii la blocarea tiristorului
convenþional, adicá la acceptarea ideii cá poarta íßi pierde calitatea de electrod de comandá
dupá amorsarea dispozitivului.
Tiristorul bioperaþional rezolvá problema variaþiei lente a sumei factorilor de
amplificare ín curent ín sens direct prin diverse soluþii tehnologice. Astfel, o posibilitate de
creßtere a variaþiei sumei (α F 1 + α F 2 ) cu valoarea curentului anodic constá ín ínlocuirea
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 261

joncþiunii J3 a catodului printr-un contact metal-semiconductor cu caracter redresor. Ín acest

fel se obþine un heterotranzistor T2 al cárui factor de amplificare α F 2 variazá, ín regiunea de
conducþie a dispozitivului, foarte brusc ín funcþie de valoarea curentului anodic. Ín figura
8.13 sunt prezentate variaþiile ín funcþie de curentul anodic ale factorilor α F 2 , α F 1 ßi sumei
(α F 1 + α F 2 ) .

α F1 α F1 + α F2
αF2 1 2,5
1
-1
0,8 2
10 0,6 1,5
-2 0,4 1
10
0,2 0,5
-3
10
10
-1
1 10 10
2 iA[mA] 10
-1
1
2
10 10 iA[mA] 10-2 10-1 1 2
10 10 iA[mA]
Figura 8.13. Variaþia factorilor de amplificare de ín curent ín sens direct ín funcþie de
valoarea curentului anodic pentru o heterostructurá de tiristor bioperaþional.

O altá variantá tehnologicá de tiristor bioperaþional este prezentatá ín figura 8.14.a.

Modelarea funcþionalá a acestei structuri este prezentatá ín figura 8.14.b. La aplicarea pe
poartá a unui impus pozitiv amorsarea structurii se produce aproximativ la fel ca ßi ín cazul
tiristorului convenþional. Datoritá intrárii ín conducþie ßi a tranzistorului T3 variaþia factorilor
α F cu valoarea curentului anodic este mai lentá decät ín cazul unei structuri convenþionale.
Ín schimb, la aplicarea unui impuls negativ pe poartá tranzistorul T3 se blocheazá ßi astfel
aria activá a joncþiunii colectorului tranzistorului T1 se micßoreazá, micßoränd astfel
valoarea factorului α F 1 . Realizarea condiþiei de blocare α F 1 + α F 2 < 1 implicá ínsá ca
amplitudinea tensiunii aplicatá pe poartá sá depáßeascá valoarea tensiunii statice de
strápungere ín avalanßá a joncþiunii poartá-catod. De aici rezultá imposibilitatea blocárii
dispozitivului prin aplicarea unei tensiuni negative continue pe poartá. Blocarea structurii
folosind electrodul de poartá se realizeazá numai prin aplicarea unor impulsuri negative de
amplitudine corespunzátoare a cáror duratá se limiteazá la valori ce nu permit depáßirea
temperaturii maxime admisibile a joncþiunii poartá-catod.

A A

p1
n2 T3 T1

p3 G T2
n4

C G C
a. b.
Figura 8.14. Exemplu de realizare structuralá a tiristorului bioperaþional.
262 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

Ín general, tiristoarele bioperaþionale sunt dispozitive de micá ßi medie putere ai

cáror timpi de comutare sunt mai mici decät ai tiristoarelor convenþionale de puteri similare.
Aria aplicaþiilor acestui dispozitiv coincide cu cea a tiristorului convenþional dar utilizarea
acestuia prezintá avantajele urmátoare: electrodul de poartá se poate folosi eficient pentru
blocarea dispozitivului ßi dupá amorsarea sau blocarea dispozitivului nu mai este necesará
prezenþa unei tensiuni pe electrodul de comandá.

8.4. Triacul

Triacul este un dispozitiv electronic care spre deosebire de tiristor posedá

proprietatea de conducþie bidirecþionalá. Structura dispozitivului, al cárei model
unidimensional este prezentat ín figura 8.15.a, conþine cinci straturi ßi este echivalentá cu
douá tiristoare conectate antiparalel ín acelaßi monocristal de siliciu, ce au o singurá poartá
de comandá. Simbolul corespunzátor acestui dispozitiv, ímpreuná cu sensurile convenþionale
pentru curenþi ßi tensiuni, sunt prezentate ín figura 8.15.b. Cei doi electrozi íntre care circulá
curentul principal se numesc terminale ßi se noteazá cu T 1 ßi T 2 .
Caracteristica I − V , prezentatá ín figura 8.15.c, are forma corespunzátoare
caracteristicii unui tiristor pentru polarizare directá ín ambele polaritáþi ale tensiunii v T . De
aceea, triacul este íntälnit ßi sub denumirea de tiristor bidirectional. Comanda pe poartá
(grilá) se poate face cu semnale de ambele polaritáþi pentru fiecare din cele douá sensuri ale
curentului principal i T . Tensiunile de amorsare ín sens direct ßi invers sunt notate cu VB+0 ßi
VB−0 pentru v G = 0 ßi cu VB+ ßi VB− pentru v G ≠ 0 . Deßi ín figura 8.15.c tensiunile de
amorsare ín sens direct ßi invers sunt considerate egale, ín practicá acestea diferá ín proporþie
de ±10 % .

T2
iT
T2
p1 n5
i G1= 0 iG= 0
n2 - VB0 - VB
+
IH
VT
+ vT
nG n4 G -IH VB+ VB0

VG
G T1 T1
a. b. c.
Figura 8.15. Triacul: a) model unidimensional; b) simbol; c) caracteristicá staticá.

Ín funcþie de polaritáþile tensiunilor aplicate structurii, v T ßi v G , se disting patru

moduri de funcþionare, prezentate ín figura 8.16.
Modul I de funcþionare este determinat de aplicarea unor tensiuni pozitive structurii,
adicá v T > 0 ßi v G > 0 . Ín acest mod de funcþionare comportarea dispozitivului este
determinatá de structura p1n2p3n4 de tiristor convenþional, stratul p3 avänd rolul de poartá
catodicá. Structura p3n2p1n5, conectatá antiparalel, este blocatá.
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 263

Modul II de funcþionare este determinat de aplicarea unei tensiuni v T > 0 ßi a unei

tensiuni v G < 0 . Structura p1n2p3n4, polarizatá direct, este comandatá prin electrodul de tip
joncþiune nG-p3. La aplicarea potenþialului negativ pe poartá, datoritá ßunturilor determinate
de electrozii T 1 ßi G , pe stratul intern p3 apare o cádere de tensiune ßi astfel íntre regiunea p3
din vecinátatea electrodului T 1 ßi nG circulá un curent i G (vezi figura 8.16.b), joncþiunea
corespunzátoare p3-nG fiind polarizatá direct. Acest curent amorseazá tiristorul auxiliar
p1n2p3nG ßi astfel joncþiunile compuse din regiunea p3 din vecinátatea superioará a regiunilor
nG ßi n4 ßi din regiunile n2 ßi n4 devin polarizate direct, iar tiristorul principal p1n2p3n4 se
amorseazá.
Modul III de funcþionare corespunde aplicárii unor tensiuni negative structurii, adicá
v T < 0 ßi v G < 0 . Ín acest mod de funcþionare structura p3n2p1n5 este polarizatá direct iar
structura p1n2p3n4 conectatá antiparalel invers. Comanda de amorsare a structurii pnpn
polarizate direct se face prin emitorul auxiliar nG. Astfel, la aplicarea potenþialului negativ
pe poartá, joncþiunea formatá din regiunea p3 corespunzátoare structurii p3n2p1n5 ßi regiunea
nG se polarizeazá direct, amorsänd tiristorul auxiliar p3n2p3nG (vezi figura 8.16.c). Joncþiunea
p3-n2 se polarizeazá direct ßi astfel se amorseazá ßi tiristorul principal p3n2p1n5. Ín consecinþá,
ín modul III de funcþionare comanda se face indirect pe poarta anodicá n2 .
Modul IV de funcþionare corespunde aplicárii unei tensiuni v T < 0 ßi unei tensiuni
v G > 0 . Structura principalá p3n2p1n5, polarizatá direct, se amorseazá indirect prin "comandá
de la distanþá" a porþii anodice n2. Astfel, tensiunea pozitivá aplicatá pe poartá polarizeazá
direct joncþiunea formatá din regiunea p3 corespunzátoare porþii G ßi regiunea n4. Ín acest fel
se injecteazá electroni din regiunea n4 ín regiunea p3 (vezi figura 8.16.d). Aceßti electroni
difuzeazá ín regiunea p3 corespunzátoare terminalului T1, fiind colectaþi de joncþiunea p3-n2
corespunzátoare structurii principale. Creßterea curentului prin aceastá joncþiune conduce la
amorsarea tiristorului p3n2p1n5.

T2 T2
Mod I Mod II
vT >0 n5 vT >0 n5
iT p1 iT p1
vG >0 vG <0
n2 n2
p3 p3
iG iG
nG n4 nG n4

G T1 G T1
T2 T2
Mod III Mod IV
vT <0 n5 vT <0 n5
vG<0 iT p1 vG >0 iT p1
n2 n2
p3 p3
nG iG nG iG
n4 n4

G T1 G T1
Figura 8.16. Modurile de funcþionare corespunzátoare tiristorului.
264 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

Modurile de funcþionare I ßi II corespund caracteristicii statice din cadranul I, iar

modurile de funcþionare III ßi IV corespund caracteristicii din cadranul III. Valoarea
curentului principal influenþeazá valoarea curentului de comandá ßi astfel sensibilitatea la
semnalul de comandá este mai mare cänd cei doi curenþi circulá ín sensuri opuse.

Triacul se foloseßte ín circuitele de reglare ßi comandá a puterii ín curent alternativ.

Tensiunea de autoamorsare trebuie sá fie mai mare decät valoarea de vírf a tensiunii aplicate
triacului íntre terminalele T1 ßi T2 pentru a asigura amorsarea dispozitivului pe poartá la
orice valoare instantanee a tensiuni de alimentare. Un circuit de comandá prin fazá a
triacului este prezentat ín figura 8.17.

RL

RC Tr
VA
C D
VGG

Figura 8.17. Circuit de comandá prin fazá a triacului.

8.5. Tranzistorul unijoncþiune

Tranzistorul unijoncþiune (TUJ) este un dispozitiv electronic a cárui funcþionare se

bazeazá pe proprietáþile unei joncþiuni p-n situatá íntre contactele ohmice a douá terminale
numite baze ßi a cárei polarizare se realizeazá prin intermediul unui electrod numit emitor
conectat la regiunea p. Modelul unidimensional al tranzistorului unijoncþiune este prezentat
ín figura 8.18.a. Datoritá structurii sale tehnologice, tranzistorul unijoncþiune se mai numeßte
ßi dioda cu bazá dublá. Simbolul ßi sensurile convenþionale pentru curenþii ßi tensiunile ce
caracterizeazá funcþionarea TUJ sunt prezentate ín figura 8.18.b.

B2 B2
IB2
IE
E VBB
E p 0

n VE
B1
B1
Figura 8.18. Tranzistorul unijoncþiune: a) model unidimensional; b) simbol.

Caracteristica staticá de interes pentru funcþionarea TUJ este caracteristica staticá de

intrare I E = I E (VE )
V BB =ct. , prezentatá ín figura 8.19. Caracteristica staticá de intrare are
forma tipicá a caracteristicilor statice corespunzátoare dispozitivelor de comutaþie cu douá
stári de funcþionare stabile. Regiunea AP a caracteristicii corespunde stárii de blocare a
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 265

dispozitivului ßi ín consecinþá se numeßte regiune de blocare. Punctul P, de coordonate

(I P , V P ) , se numeßte punct de värf al caracteristicii. Curentul de värf este de ordinul a
2 ÷ 25 µA . Regiunea PV a caracteristicii statice prezintá rezistenþá dinamicá negativá ßi
corespunde unei funcþionári instabile a dispozitivului. Punctul V, de coordonate (I V , V V ) se
numeßte punct de vale al caracteristicii statice. Curentul de vale I V este de ordinul a
1 ÷ 8 mA . Regiunea VB corespunde stárii de conducþie a dispozitivului ßi se numeßte regiune
de conducþie sau de saturaþie. Coordonatele punctelor de värf ßi de vale depind de tensiunea
VBB aplicatá TUJ. Astfel, tensiunea de värf VP creßte odatá cu creßterea tensiunii VBB , iar
curentul de värf I P scade odatá cu creßterea tensiunii VBB . Coordonatele punctului de vale
(I V , V V ) cresc odatá cu creßterea tensiunii VBB .

iE iE B
VBB = 0 VBB1<VBB2 < VBB3
IV V

IP P
VP1 VP 2VP3 vE
VV V0 VP vE
0
Figura 8.19. Caracteristica staticá de intrare a TUJ.

Modelarea funcþionalá ín regim static a structurii TUJ este prezentatá ín figura 8.20.
Dioda D reprezintá joncþinea p-n, a emitorului, iar rezistenþele r B 1 ßi r B 2 reprezintá
rezistenþele distribuite ale monocristalului de Si de tip n íntre cele douá baze ßi un punct
interior notat cu 0, situat aproximativ ín dreptul joncþiunii de emitor (vezi figura 8.18.a).
Suma celor douá rezistenþe ce modeleazá rezistenþele distribuite ale structurii se numeßte
rezistenþá interbazá ßi se noteazá cu r BB , adicá
r BB = r B 1 + r B 2 , (8.26)
iar raportul acestora
r
η = r BBB1 (8.27)
se numeßte raport de divizare intrinsec , valoarea acestuia fiind η ≅ 0, 5 atunci cänd dioda D
este blocatá.
Pentru o tensiune VBB = 0 modelul echivalent al TUJ se simplificá devenind o diodá
ín serie cu o rezistenþá de valoare r ech = r B 1 r B 2 . Astfel, caracteristica staticá de intrare a
TUJ corespunzátoare acestei situaþii va fi carateristica unei diode ce prezintá o rezistenþá
serie mai mare (r B 1 r B 2 ) .
Pentru tensiuni VBB > 0 , dioda D este polarizatá invers dacá VE < V0 ßi polarizatá
direct dacá VE > V0 , unde tensiunea V0 este definitá de relaþia:
V0 = η ⋅ VBB . (8.28)

Atunci cänd dioda D este polarizatá direct, deschiderea acesteia are loc numai dupá
ce tensiunea ce cade pe ea depáßeßte tensiunea de prag Vγ . Tensiunea de emitor VE la care
are loc deschiderea diodei D se numeßte tensiune de värf VP ßi este datá de relaþia:
Vp = V0 + V γ = η ⋅ VBB + V γ . (8.29)
266 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

iB2
B2
rB2 rS rN
iE
a. E VBB B1
0 b. 0
VE V0 rB1
B1
Figura 8.20. Modelarea funcþionalá a TUJ.

Päná ín punctul P prin diodá trece un curent mic, negativ cänd VE < V0 ßi pozitiv
cänd V0 < VE < VP . Atunci cänd dioda D se deschide curentul de emitor creßte ßi are loc o
injecþie puternicá de goluri ín regiunea 0B1 a monocristalului de tip n. Astfel are loc o
scádere a rezistivitáþii acestei regiuni, deci a rezistenþei r B 1 , fenomen cunoscut sub
denumirea de modulaþie a conductivitáþii bazei 0B1. Tensiunea VE ín aceastá situaþie este
datá de relaþia:
V E = V A + r B 1 (I E ) ⋅ (I E + I B 2 ) (8.30)
ín care VA reprezintá tensiunea ce cade pe dioda D deschisá.
Datoritá faptului cá rezistenþa r B 1 scade mai repede decät creßte curentul I E ,
tensiunea VE scade, iar pe caracteristicá apare o regiune de rezistenþá negativá PV. Scáderea
rezistenþei regiunii OB1 poate fi modelatá prin ínserierea unei rezistenþe pozitive constante
r S cu o rezistenþá negativá r N care scade ín modul odatá cu creßterea curentului de emitor,
aßa cum este indicat ín figura 8.20.b.
Odatá cu creßterea curentului de emitor scade durata de viaþá a purtátorilor de sarciná
injectaþi ín regiunea bazei 0B1 ßi deci, ín conformitate cu relaþiile (2.45) ßi (2.46), scad
mobilitáþile acestora, asfel íncät, la un moment dat, creßterea concentraþiei purtátorilor
minoritari este compensatá de scáderea mobilitáþii lor ßi conductivitatea nu mai variazá cu
valoarea curentului. Acestá stabilizare a valorii conductivitáþii regiunii 0B1 se íntämplá ín
punctul de vale V ßi se poate modela prin anularea rezistenþei negative r N . Astfel ín regiunea
de saturaþie expresia tensiunii VE devine:
V E = V A (I E ) + r S ⋅ (I E + I B 2 ) (8.31)
Valorile tipice pentru rezistenþa pozitivá r S se situeazá ín intervalul [5; 15]Ω .

Caracteristicile de ießire i B 2 = i B 2 (V BB ) I E =ct. ,

prezentate ín figura 8.21, se aseamáná
cu caracteristicile de ießire ale unui TBJ. Dependenþa curentului de ießire de cel de intrare se
datoreazá ín principal fenomenului de modulaþie a conductivitáþii regiunii 0B1.

I B2 IE3 > I E2
IE2 > IE1

IE1 > 0

IE = 0
VBB
Figura 8.21. Caracteristicile de ießire ale TUJ.
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 267

Dependenþa de temperaturá a parametrilor TUJ-ului nu este pronunþatá ßi deci alura

caracteristicii de intrare este puþin influenþatá de temperaturá.

Timpul de comutaþie al tranzistorului unijoncþiune este determinat de timpul necesar

golurilor pentru a strábate distanþa l íntre emitor ßi baza B1, adicá

tC = l2 (8.32)
µp ⋅ V E
Ín regim variabil, TUJ-ul se foloseßte ín majoritatea aplicaþiilor de comutaþie, la
comanda tiristoarelor ßi ín generatoarele de oscilaþii. Asemánarea caracteristicii sale de
intrare cu cea a unei diode pnpn ín polarizare directá a condus la descrierea TUJ-ului ín
regim de comutare prin schema echivalentá prezentatá ín figura 8.22, deßi aceasta nu
corespunde proceselor fizice ce se petrec ín dispozitiv

E B2

R B1

T1 A

T2 R B2

B1
Figura 8.22. Schema echivalentá a TUJ folositá ín regim de comutare.

Ín figura 8.23.a este prezentatá o aplicaþie a TUJ ßi anume comanda unui tiristor.
Formele de undá caracteristice funcþionárii circuitului sunt prezentate ín figura 8.23.b. La
aplicarea tensiunii E , condensatorul C se íncarcá prin rezistorul R V , constanta de íncárcare
fiind τ = R V ⋅ C . Ín momentul cänd tensiunea pe condensator u C (t ) depáßeßte tensiunea de
värf VP , tranzistorul comutá ín starea de saturaþie ßi condensatorul se descarcá rapid prin
rezistenþa r E B 1 ≅ r S de valoare micá päná la atingerea tensiunii de vale cänd TUJ-ul se
blocheazá, formänd astfel impulsul de tensiune u P (t ) folosit pentru comanda porþii.

+V uC(t)
RV R2 VP

VV
Th
t
(tiristor) up(t)
uC(t) C
R1
uP(t)

t
Figura 8.23. Comanda tiristoarelor folosind tranzistorul unijoncþiune.
268 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

8.6. Tranzistorul unijoncþiune programabil (TUJP)

(TUJP )

Tranzistorul unijoncþiune programabil este un dispozitiv cu o structurá asemánátoare

unui tiristor de micá putere cu poartá anodicá care permite obþinerea unei caracteristici
statice I A = I A (VA ) asemánátoare cu cea a tranzistorului unijoncþiune. Modelul
unidimensional, simbolul ßi caracteristica staticá corespunzátoare structurii sunt prezentate
ín figura 8.24. Deoarece structura sa este asemánátoare celei corespunzátoare unui tiristor,
electrozii dispozitivului se numesc: anod, catod ßi poartá. Acest dispozitiv se numeßte
programabil deoarece parametrii caracteristicii statice pot fi modificaþi ín funcþie de dorinþa
utilizatorului prin modificarea valorii rezistenþelor R 1 ßi R 2 montate ín exterior. Aceste
rezistenþe exterioare joacá rolul rezistenþelor distribuite r B 1 ßi r B 2 ale tranzistorului
unijoncþiune, anodul corespunde emitorului, iar catodul corespunde bazei B1.

A A iA
iA iG
p G
n G IV1 VG1
p vA
n IP1
.V
vG
vA
C C 0 VV1 S1 VP1
a. b. c.
Figura 8.24. Tranzistorul unijoncþiune programabil: a) model unidimensional;
b) simbol; c) caracteristicá staticá.

Modelarea funcþionalá a TUJP este prezentatá ín figura 8.25. Inspectänd schema

echivalentá din figura 8.25.b putem scrie urmátoarele relaþii:
VA = VEB 1 (I A ) + VG
V + 0V − I
G
R2 R 1 R1
VG = = ⋅ V − (R 1 R 2 ) ⋅ I G
1 + 1 R1 + R2 . (8.33)
R1 R2
IG = IC 2 − IB 1
IB 2 = I C 1
Folosind notaþiile:
R1
VG G = ⋅V=η⋅V
R 1 + R2 (8.34)
RG = R1 R 2
relaþia (8.33.a) devine:
VA = VEB 1 (I A ) + VGG − R G ⋅ I G = V EB 1 (I A ) + η ⋅ V − R G ⋅ I G (8.35)
Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune 269

A E B2 A E B2 A E
G RG
R2 IA R2 T1
IG
+ G + +
G VA V
− T1 − - VA T2 VS
R1
R1 T2

C B1 C B1 C B1
Figura 8.25. Modelarea funcþionalá a TUJP.

Se observá cá atät timp cät VA < η ⋅ V joncþiunea emitor-bazá a tranzistorului T1 este

polarizatá invers ßi tranzistoarele T1 ßi T2 sunt blocate, iar curentul I G ≅ 0. Ín momentul ín
care tensiunea VA depáßeßte pragul
VP = Vγ + η ⋅ V (8.36)
joncþiunea emitor-bazá a tranzistorului T1 se deschide fiind parcursá de un curent care, prin
reacþia regenerativá dintre tranzistoarele T1 ßi T2, conduce la amorsarea structurii pnpn.
Asfel, amorsarea TUJP-ului ßi regiunea de rezistenþá negativá a caracteristicii statice se
explicá prin reacþia regenerativá a structurii pnpn ßi nu prin efectul de modulaþie a
conductivitaþii bazei ca la TUJ.
Aßa cum relevá relaþiile (8.35) ßi (8.36) parametrii de interes ai acestui dispozitiv pot
fi modificaþi, pentru o tensiune V de valoare constantá, prin intermediul rezistenþelor R 1 ßi
R 2 . Trebuie remarcat faptul cá valorile curenþilor de värf ßi de vale depind de valoarea
rezistenþelor externe ín sensul cá aceßti curenþi scad cänd R G creßte.
Datoritá faptului cá au o caracteristicá I − V programabilá, utilizarea acestor
dispozitive ín diferite aplicaþii implicá mai puþine constängeri. Faþá de tranzistoarele
unijoncþiune, ele prezintá tensiuni inverse maxime anod-catod mai mari, de aproximativ
40 ÷ 100 V , cáderi de tensiune ín conducþie mai mici ßi timpi de comutaþie mai mici (zeci de
nanosecunde). De asemenea, tensiunile de alimentare pot fi foarte mici (de cca 2 V ), iar
puterile de impuls pot fi mari datoritá rezistenþei lor interne foarte mici (cäþiva ohmi).
O aplicaþie similará celei din figura 8.23, de comandá a unui tiristor, folosind ínsá un
TUJP este prezentatá ín figura 8.26. Dupá alimentare, capacitatea C se íncarcá prin
rezistenþa R V , iar cänd tensiunea v A atinge valoarea de värf TUJP se amorseazá ßi
capacitorul C se descarcá rapid prin rezistenþa scázutá a regiunii anod-catod páná la
tensiunea de vale VV , cänd TUJP se blocheazá. Ín catod, pe rezistenþa R , se obþine un impuls
de tensiune pozitiv.

+V
RV R2

R1
C

8.26. Comanda tiristoarelor folosind TUJP.

270 Cap. 8. Dispozitive multijoncþiune ßi tranzistoare unijoncþiune

8.7. Tranzistorul unijoncþiune complementar (TUJC)

Tranzistorul unijoncþiune complementar poate fi privit drept complementul unui TUJ

avänd, ín comparaþie cu el, aceeaßi comportare pe care o are tranzistorul npn faþá de cel pnp.
Structura, simbolul ímpreuná cu sensurile convenþionale pentru curenþii ßi tensiunile ce
caracterizeazá funcþionarea TUJC ßi caracteristicile de intrare sunt prezentate ín figura 8.27.

B1 iE
B1 E B2
VE
VBB2 < VBB1
p n p p
VB B - VBB2 - VBB1
n E
iE
iB2
SB - vE
- VP2 -VP 1
B2
a. b. c.
Figura 8.27. Tranzistorul unijoncþiune complementar: a) structurá; b) simbol;
c) caracteristica staticá de intrare.

Modelarea funcþionalá a structurii TUJC este prezentatá ín figura 8.28, unde

rezistenþele R 1 ßi R 2 reprezintá rezistenþele interbaze ale regiunilor p3-p1 ßi p3-p2. Aßa cum
relevá structura de tip pnpn a TUJC, deßi proprietáþile electrice ale dispozitivului sunt
asemánátoare cu cele ale tranzistorului unijoncþiune, procesul fizic ce stá la baza funcþionárii
acestuia este procesul regenerativ caracteristic structurii pnpn. Cät timp tensiunea negativá
aplicatá emitorului rámäne, ín valoare absolutá, mai micá decät η ⋅ VBB , joncþiunea EB a
tranzistorului T2 este polarizatá invers ßi structura este blocatá. Cänd aceastá tensiune atinge
valoarea de värf
v E = VP = η ⋅ v BB + V γ (8.37)
joncþiunea emitor-bazá a T2 se deschide, procesul regenerativ realizänd comutarea structurii
ín regiunea de saturaþie.

B1

SB
T1
R1
T2

R2
E B2
Figura 2.28. Modelarea funcþionalá a structurii TUJC.