12

ZGOMOTUL
ELECTRIC

12.1. Generalitáþi

Ín general prin zgomot electric se ínþelege orice semnal perturbator indiferent cá este
generat de o sursá interná sau externá dispozitivului sau circuitului studiat. În acest capitol se
trateazá numai zgomotele care îßi au originea ín fenomenele fizice microscopice ce au loc ín
elementele de circuit ßi se lasá la o parte zgomotele care rezultá prin captarea unor semnale
generate de diverse surse externe. Astfel, prin zgomot ínþelegem un semnal electric fluctuant
(tensiune sau curent), cu o variaþie aleatoare ín timp.
Existenþa zgomotului constituie o consecinþá fundamentalá a faptului cá sarcina
electricá nu este continuá, transportul ei realizändu-se în mod aleator, în cantitáþi discrete,
egale cu sarcina electronului. Rezultá cá zgomotul este asociat direct proceselor fundamentale
din componentele ßi dispozitivele semiconductoare.
Studiul zgomotului este important deoarece zgomotul impune limita inferioará a
valorii unui semnal electric care mai poate fi amplificat de un circuit fárá o deteriorare
semnificativá a calitáþii semnalului. De asemenea, tot considerente de zgomot impun ßi limita
superioará a valorii cäßtigului unui amplificator (dacá cäßtigul este prea mare etajele de ießire
ale amplificatorului vor începe sá limiteze din cauza amplificárii zgomotului dat de etajele de
intrare).
Semnalele de zgomot electric se caracterizeazá printr-o anumitá densitate spectralá.
Dacá un semnal de zgomot are densitatea spectralá uniformá íntr-o bandá largá de frecvenþe,
acesta se numeßte zgomot alb.

În acest capitol se descriu diversele surse de zgomot electronic care apar în structurile
de bazá ale dispozitivelor uzuale: joncþiunea p-n, tranzistorul bipolar cu joncþiuni ßi cele douá
tipuri de tranzistoare cu efect de cämp, cu grilá joncþiune ßi MOS, ßi se prezintá circuitele
echivalente de semnal mic ale acestora care conþin generatoare de zgomot. În final se prezintá
cäteva metode uzuale de specificare a performanþelor de zgomot ale unui circuit.
348 Cap. 12. Zgomotul electric

12.2. Natura zgomotului electric

12.2.1. Zgomotul de alice

Zgomotul de alice este prezent în toate dispozitivele ce conþin joncþiuni p-n ßi contacte
metal-semiconductor de tip redresor, fiind asociat întotdeauna cu trecerea unui curent
continuu. Pentru a explica originea zgomotului de alice se va considera o joncþiune p-n. Aßa
cum s-a arátat în capitolul 3, curentul prin joncþiune, I, se compune din golurile din zona p ßi
electronii din zona n care au suficientá energie pentru a învinge bariera interná de potenþial ßi
care, dupá ce au traversat regiunea de sarciná spaþialá, difuzeazá mai departe ca purtátori
minoritari. Astfel, trecerea fiecárui purtátor peste regiunea de sarciná spaþialá este un
eveniment pur aleator (dependent de faptul cá purtátorul mobil de sarciná are atät o energie
suficientá cät ßi o vitezá corespunzátoare) ßi, ca urmare, curentul I din circuitul exterior care
apare ca fiind constant este, de fapt, compus dintr-un numár mare de impulsuri de curent
aleatoare, independente. Fluctuaþiile curentului I sunt denumite zgomot de alice.
În general zgomotul de alice se specificá prin variaþia pátraticá medie a curentului prin
joncþiune faþá de valoarea sa medie I A :
T
T→∞ ∫0
i 2 = (I − I A ) 2 = lim (I − I A ) 2 ⋅dt = 2 ⋅ q ⋅ I A ⋅ ∆f (12.1)

unde q este sarcina electronului, iar ∆f este banda de frecvenþá în care are loc másurarea
exprimatá în Hz.
Densitatea spectralá a curentului de zgomot definitá prin relaþia:

S i = i = 2 ⋅ q ⋅ I A  A 2 /Hz ,
2
(12.2)
∆f
este independentá de frecvenþá ßi ín consecinþá zgomotul de alice este un zgomot alb.
Deoarece zgomotul este un semnal pur aleator, valoarea sa instantanee nu poate fi
prezisá pentru nici o valoare a timpului. Singura informaþie disponibilá pentru a fi utilizatá în
calculele de circuit se referá la valoarea pátraticá medie a zgomotului datá de relaþia (12.1) ín
care banda de frecvenþá ∆f este determinatá de circuitul în care acþioneazá sursa de zgomot.
Expresia 12.1 este valabilá päná la frecvenþe comparabile cu inversul timpului de
trecere a purtátorilor mobili de sarciná prin regiunea de sarciná spaþialá a joncþiunii, adicá
päná la frecvenþe de ordinul GHz.
Efectul zgomotului de alice se poate reprezenta în circuitul echivalent de semnal mic
al unei joncþiuni p-n prin includerea în paralel cu joncþiunea a unui generator de curent (vezi
figura 12.1.a) caracterizat prin valoarea efectivá:
I z = 2 ⋅ q ⋅ I A ⋅ ∆f (12.3)
ßi care, deoarece semnalul de zgomot are o fazá aleatoare, nu are polaritate.
Cap. 12. Zgomotul electric 349

Curentul de zgomot produs prin mecanismul de zgomot de alice are o amplitudine

care variazá aleator în timp, specificarea acestei amplitudini fiind posibilá numai printr-o
funcþie de densitate de probabilitate.

12.2.2. Zgomotul termic

Zgomotul termic este generat printr-un mecanism complet diferit de acela al

zgomotului de alice. El íßi are originea ín mißcarea termicá aleatoare a electronilor ßi nu este
afectat de prezenþa sau absenþa unui curent continuu, deoarece viteza tipicá pe care o capátá
un electron care se mißcá într-un conductor sub influenþa cämpului electric este mult mai
micá decät viteza sa termicá. Fluctuaþiile de energie ale electronilor liberi determiná apariþia
unui curent fluctuant prin orice structurá rezistivá sau, ín mod echivalent, a unei tensiuni
fluctuante la borne. Energia cineticá medie a electronilor este proporþionalá cu temperatura T
ßi deci zgomotul termic este direct proporþional cu T.
Media ín timp a curentului fluctuant sau a tensiunii fluctuante de zgomot este zero, dar
mediile pátratice ale acestora sunt diferite de zero:

i 2 = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ ∆f
R (12.4)
v = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ R ⋅ ∆f
2

unde k este constanta lui Boltzmann, T temperatura structurii rezistive, R rezistenþa structurii
ßi ∆f banda de frecvenþá ín care se realizeazá másurátorile.
Se poate aráta cá zgomotul termic al unei structuri cu rezistenþa R se poate reprezenta
printr-un generator de curent i 2 conectat în paralel cu structura rezistivá (vezi figura 12.1.b)
sau printr-un generator de tensiune v 2 conectat în serie cu structura rezistivá (vezi figura
12.1.c). Aceste douá reprezentári sunt echivalente, valorile efective ale generatoarelor sunt:

I z = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ ∆f
R (12.5)
V z = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ R ⋅ ∆f

iA
vA Ri Cj i2=2.q.IA.∆f Vz= 4.k.T. R.∆f
R Iz= 4.k.T.∆f
R R
vA=VA +va
iA=IA+ia
a. b. c.
Figura 12.1. Circuitele echivalente de semnal mic care includ: a) zgomotul de alice
pentru o joncþiune p-n; b) ßi c) zgomotul termic pentru un rezistor.

Se observá cá expresia 12.4.b a generatorului echivalent Norton se poate obþine din

expresia 12.4.a:
v 2 = R2 ⋅ i 2 (12.6)
350 Cap. 12. Zgomotul electric

Densitatea spectralá a zgomotului termic este independentá de frecvenþá ßi, ín

consecinþá, zgomotul termic este un zgomot alb.
Ín figura 12.2 se indicá modul ín care se poate calcula zgomotul a douá rezistoare
legate ín serie, respectiv ín paralel. La legarea ín serie a douá rezistenþe tensiunea
generatorului echivalent de zgomot este datá de relaþia:
v 2 = v 12 + v 22 , (12.7)
iar la legarea ín paralel a acestora expresia curentului generatorului echivalent de zgomot
este:
i 2 = i 12 + i 22 (12.8)

Vz1
Vz
R1 Iz1 R2 Iz2 R Iz
R
Vz2
Iz1 = 4.k.T. ∆f Iz= 4.k.T.∆f
R1 R
Vz = 4.k.T. R.∆ f
R=R1+R 2 ...
Iz2 = 4 k T ∆f
R=R1//R 2
R2
Vz1= 4.k.T. R1.∆ f
Vz2= 4.k.T.R2.∆f
a. b.
Figura 12.2. Modul de determinare a generatoarelor de zgomot echivalente ín cazul: a)
legárii ín serie a douá rezistoare; b) legárii ín paralel a douá rezistoare.

Zgomotul termic este un fenomen fizic fundamental prezent în orice rezistor liniar
pasiv. Aceastá categorie de rezistoare include rezistoarele convenþionale, rezistenþa de radiaþie
a antenelor, difuzoarele, microfoanele. În cazul difuzoarelor ßi microfoanelor sursa de zgomot
o constituie mißcarea termicá a moleculelor de aer. În cazul antenelor sursa de zgomot este
datá de radiaþia de corp negru a obiectului spre care este îndreptatá antena.

12.2.3. Zgomotul de licárire (zgomotul 1/f )

Zgomotul de licárire, este un tip de zgomot care se întälneßte în toate dispozitivele

active ßi în unele componente pasive discrete cum ar fi, de exemplu, rezistoarele cu carbon.
Provenienþa zgomotului de licárire este variatá. În tranzistoarele bipolare zgomotul de licárire
este determinat în principal de nivelele de capturá, asociate diverselor impuritáþi ßi defectelor
reþelei cristaline, existente în regiunea de sarciná spaþialá emitor-bazá. Capturarea ßi generarea
purtátorilor de sarciná de cátre aceste defecte se realizeazá în mod aleator. Valoarea
constantelor de timp asociate procesului de capturare ßi generare de purtátori de sarciná face
ca zgomotul care ia naßtere sá aibá energia concentratá la frecvenþe joase.
Cap. 12. Zgomotul electric 351

Zgomotul 1/f este asociat întotdeauna cu trecerea unui curent continuu ßi poate fi
reprezentat printr-un generator de curent cu valoarea pátraticá medie datá de expresia:
a
i 2 =const.⋅ I b ⋅ ∆f (12.9)
f
ín care ∆f este o bandá de frecvenþe joase centratá pe frecvenþa f , I este curentul continuu
prin structurá, a este un parametru cu valoarea cuprinsá în intervalul [0, 5; 2] , b este o
constantá cu valoarea aproximativ unitará, iar constanta notatá cu const. este caracteristicá
unui anumit tip de dispozitiv.
Dacá în relaþia (12.9) parametrul b = 1, densitatea spectralá a zgomotului are o
dependenþá de frecvenþá de forma 1/f , dependenþá care justificá denumirea de „zgomot 1/f ”
ßi care aratá cá zgomotul de licárire va avea efectul cel mai important la frecvenþe joase.
Aceastá sursá de zgomot poate sá fie semnificativá chiar päná la frecvenþe de ordinul MHz.
Aßa cum am arátat ín secþiunile anterioare zgomotul de alice ßi zgomotul termic au
valori pátratice medii bine definite care se pot exprima în funcþie de intensitatea curentului
continuu, respectiv de rezistenþá, ßi de un anumit numár de constante fizice bine cunoscute.
Pentru zgomotul de licárire situaþia se schimbá, expresia (12.9) conþinänd o constantá
necunoscutá dependentá de tipul de dispozitiv utilizat. Ín unele cazuri aceastá constantá poate
varia foarte mult chiar ßi pentru diferite exemplare de tranzistoare sau circuite integrate care
provin din aceeaßi plachetá de siliciu ßi care au parcurs acelaßi proces de fabricaþie. Aceastá
comportare se datoreazá dependenþei zgomotului de licárire de contaminarea cu impuritáþi ßi
de imperfecþiunile cristalului.

12.2.4. Zgomotul de explozie („zgomot de floricele”)

Originea zgomotului de explozie nu este pe deplin lámuritá, fiind legatá ín principal

de contaminarea semiconductorului cu ioni ai metalelor grele. Astfel dispozitivele dopate cu
aur prezintá un nivel foarte ridicat al zgomotului de explozie.
Zgomotul de explozie este caracterizat printr-un generator de curent cu valoarea
pátraticá medie de forma:

i 2 =const.⋅ Ic ⋅ ∆f (12.10)
2
f
1+
 fc 
unde I este curentul continuu al structurii, c este un parametru cu valoarea cuprinsá ín
domeniul [0, 5; 2] , iar f c este o valoare particulará a frecvenþei pentru procesul considerat.
Valoarea constantei ce apare ín definiþia (12.10) depinde de tipul dispozitivului
considerat ßi de aceea trebuie determinatá experimental.

12.2.5. Zgomotul de avalanßá

Zgomotul de avalanßá este determinat de apariþia fenomenelor de multiplicare ín

avalanßá ßi efect Zener íntr-o joncþiune p-n.
352 Cap. 12. Zgomotul electric

În cazul strápungerii prin avalanßá, golurile ßi electronii pot cápáta în regiunea golitá a
joncþiunii p-n polarizatá invers suficientá energie pentru a genera prin ciocnirea cu atomii de
siliciu noi perechi gol-electron. Acest proces este cumulativ, ducänd la producerea unei serii
aleatoare de värfuri mari de zgomot. Zgomotul de avalanßá este întotdeauna asociat cu
trecerea unui curent continuu, fiind mult mai mare, pentru aceeaßi valoare a curentului
continuu, decät zgomotul de alice, deoarece un singur purtátor poate declanßa un proces de
avalanßá. Acest tip de zgomot nu intervine ín mod obißnuit ín dispozitivele discrete ßi ín
circuitele integrate deoarece tensiunile inverse aplicate acestora se aleg mai mici ca tensiunile
de strápungere.
Situaþia cea mai obißnuitá în care se pune problema zgomotului de avalanßá este aceea
în care în circuit se utilizeazá diode Zener ßi ca urmare utilizarea lor în circuitele de zgomot
mic trebuie ßi este în general evitatá.
Zgomotul de avalanßá al unei joncþiuni poate fi reprezentat printr-un generator de
tensiune legat ín serie cu aceasta, v 2 . Valoarea pátraticá medie a generatorului v 2 este greu
de prezis, deoarece depinde de structura dispozitivului. Valoarea tipicá másuratá pentru
densitatea spectralá a zgomotului de avalanßá pentru o diodá Zener parcursá de un curent
continuu de 0, 5 mA este S u = v 2 /∆f ≈ 10 −14 V 2 /Hz .

12.3. Zgomotul dispozitivelor semiconductoare

12.3.1. Dioda semiconductoare

Circuitul echivalent complet al unei joncþiuni p-n ce include sursele de zgomot este
reprezentat ín figura 12.3. Sursele de zgomot modelate ßi incluse ín circuitul echivalent sunt:
zgomotul termic al resistenþelor serie ale regiunilor neutre n ßi p:
v s2 = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ (r n + r p ) ⋅ ∆f = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ R S ⋅ ∆f ; (12.11)
zgomotul de alice al joncþiunii p-n:
i a2 = 2 ⋅ q ⋅ I A ⋅ ∆f (12.12)
zgomotul de licárire reprezentat printr-un generator de curent legat ín paralel cu
rezistenþa diferenþialá R i a joncþiunii:
I Aa
i 1/2 f ≅const.⋅ ⋅ ∆f (12.13)
f

Iz= i2a+i1/f
2

Vz= vs2 R Ri
s

Cj

Figura 12.3 Circuitul echivalent de semnal mic al unei joncþiuni p-n completat cu

sursele de zgomot caracteristice acesteia.
Cap. 12. Zgomotul electric 353

12.3.2. Sursele de zgomot ín tranzistoarele bipolare ßi modelarea

acestora

Tranzistoarele bipolare sunt caracterizate ín principal de zgomotul de alice, asociat

emisiei sarcinii electrice ce susþine curenþii caracteristici acestora. Van der Ziel a calculat
teoretic, pentru prima datá, zgomotul asociat cu fluctuaþiile aleatoare ín curenþii terminali ai
joncþiunilor tranzistorului. Astfel, ín regim activ normal, densitáþile spectrale ale surselor de
zgomot asociate curenþilor de bazá, de colector ßi de emitor sunt date de relaþiile:

i B2 /∆f = 2 ⋅ q ⋅ I B
i C2 /∆f = 2 ⋅ q ⋅ I C (12.14)
i E2 /∆f = i B2 /∆f + i C2 /∆f + 2 ⋅ Re{ i B ⋅ i C∗ }/∆f = i B2 /∆f + i C2 /∆f
ín care Re{ i B ⋅ i C∗ }/∆f reprezintá partea realá a spectrului de corelaþie íntre curenþii respectivi.

Tranzistoarele bipolare prezintá ßi zgomot termic asociat rezistenþelor serie

corespunzátoare regiunilor neutre ßi rezistenþelor de contact ale terminalelor. Cea mai
importantá dintre sursele de zgomot termic este cea asociatá rezistenþei bazei. Minimizarea
acestei surse de zgomot poate fi realizatá prin tehnici de layout (contacte multiple pentru
bazá, distanþe laterale mici íntre emitor ßi bazá, folosirea de emitoare multiple). Rezistenþa
serie a colectorului, r cc , poate sá fie la fel de mare ca cea a bazei dar fiind plasatá în serie cu
nodul de impedanþá mare al colectorului, efectul zgomotului termic al acesteia devine
neglijabil ßi de aceea nu mai este inclus de obicei în model. Rezistenþele r π , r µ ßi r 0 din
circuitul echivalent de semnal mic al TBJ fiind un rezultat exclusiv al modelárii nu prezintá
zgomot termic.

De asemenea, tranzistoarele bipolare prezintá ßi zgomot 1/f . Experimentele au

confirmat pentru acest tip de zgomot modelul fluctuaþiei densitáþii purtátorilor mobili de
sarciná implicaþi ín procesele de generare-recombinare, ín volumul ßi la suprafaþa
semiconductorului, ín regiunea de sarciná spaþialá a joncþiunii emitor-bazá, propus de
McWhorter. Ín conformitate cu acest model, densitatea spectralá a sursei de zgomot 1/f din
bazá poate fi exprimatá ín RAN prin:
A
KF ⋅ IB F
i 1/2 f /∆f = (12.15)
f
unde K F ßi A F reprezintá parametri ce depind de tehnologia de fabricaþie.
Tot experimental s-a constatat existenþa unui zgomot de explozie asociat curentului de
bazá al tranzistorului bipolar. Mecanismul de apariþie a acestui zgomot nu este íncá pe deplin
ínþeles, dar experimentele evidenþiazá faptul cá acesta este legat de imperfecþiunile structurii
cristaline. Densitatea spectralá a acestuia, ín RAN, este:
2 KB ⋅ IB
i BB /∆f = 2
(12.16)
f
1+
 fc 
354 Cap. 12. Zgomotul electric

unde K B este o constantá dependentá de procesul tehnologic, iar f c reprezintá rata principalá
de repetiþie a semnalului. Ín tehnologiile moderne de integrare acastá formá de zgomot poate
fi, ín mare másurá, eliminatá.
Ín consecinþá modelarea surselor de zgomot corespunzátoare tranzistoarelor bipolare,
ín regim activ normal, este ilustratá ín figura 12.4.

4.k.T.∆f
rbb' rµ

rbb' Cµ
B C
V b'e IzB= i2B Iz1/f = i21/f rπ Cπ gm. V b'e IzC= i2C r0
E E
Figura 12.4. Circuitul echivalent de semnal mic al TBJ care include
sursele principale de zgomot.

Ín practicá este mult mai convenabilá folosirea modelului cu generatoare de zgomot

echivalente la intrare, model reprezentat ín figura 12.5.

rµ
Vzi= vi2
rbb' Cµ
B C

Izi= i2i rπ V b'e Cπ gm. V b'e r0

E E
Figura 12.5. Circuitul echivalent de semnal mic al TBJ cu generatoare de zgomot
echivalente la intrare.

Expresiile analitice ale valorilor pátratice medii ale acestor generatoare sunt:
2
g π + j ⋅ ω ⋅ (C π + C µ ) i C2 j⋅ω 2
i i2 = i 2B + i 1/2 f + i C2 ⋅ gm ≈ i B2 + i 1/2 f + 2
⋅ 1+ ω
β
(12.17)
βF

r 2 i C2
2
v i = (i B + 2
i 1/2 f 2
+ i r ) ⋅ r bb
2
+ 1 + rbbπ + j ⋅ ω ⋅ r bb ⋅ (C π + C µ ) ⋅ 2 ≈
gm (12.18)
 
≈ i 1/2 f 2
⋅ r bb + 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ r bb + 1
 2 ⋅ gm 
ín care parametrii implicaþi sunt:
frecvenþa la care modulul factorului de amplificare ín sens direct ín conexiune EC, β ,
scade la 1/ 2 din valoarea sa de frecvenþe joase β F :
ωβ = 1 ;
r π ⋅ (C π + C µ )
Cap. 12. Zgomotul electric 355

valoarea pátraticá medie a zgomotului termic al rezistenþei serie a bazei:

k ⋅ T ⋅ ∆f .
i r2 = 4 ⋅r bb
Se observá cá valorile pátratice medii ale ambelor generatoare de zgomot echivalente
la intrare depind de i 1/2 f ßi de i C2 . Ín consecinþá, íntre i i2 ßi v i2 existá corelaþie. Aceastá
corelaþie se manifestá pregnant numai la frecvenþe foarte joase unde zgomotul 1/f este
dominant ßi la frecvenþe foarte ínalte la care factorul de amplificare ín curent direct ín
conexiune EC, β , al TBJ scade ín mod semnificativ ßi efectul corelaþiei devine semnificativ.
De asemenea, se observá cá, în conformitate cu (12.18), densitatea spectralá a tensiunii
echivalente de zgomot la intrare este independentá de frecvenþá.
Acest circuit este valabil atät pentru tranzistoare bipolare de tip npn cät ßi pentru cele
de tip pnp.

Sá presupunem cá TBJ este utilizat íntr-un etaj amplificator. Dacá impedanþa sursei de
semnal cu care este atacat amplificatorul este micá, generatorul de zgomot v i2 devine
important, iar generatorul de zgomot i i2 tinde sá fie scurtcircuitat. Ín aceste condiþii este clar
cá obþinerea de performanþe de zgomot bune impune reducerea valorii rezistenþei
R ech = r bb + 1/(2 ⋅ g m ) . Aceastá minimizare se obþine prin proiectarea tranzistorului astfel
încät sá se obþiná o valoare micá pentru rezistenþa r bb ßi prin utilizarea tranzistorului la
curenþi de colector mari pentru a reduce valoarea termenului 1/(2 ⋅ g m ) .
Ín circuitele în care tranzistorul este comandat de o sursá de impedanþá mare
generatorul de curent de zgomot echivalent la intrare este dominant. Ín aceste condiþii, pentru
obþinerea unor performanþe de zgomot bune, trebuie folosit un tranzistor cu factor de
amplificare β F mare ßi este necesará polarizarea acestuia la curenþi mici.

12.3.3. Sursele de zgomot ßi modelarea acestora ín tranzistoarele MOS

La tranzistoarele MOS se disting douá surse importante de zgomot: zgomotul termic

asociat canalului conductiv rezistiv ßi zgomotul 1/f datorat mecanismului de conducþie la
suprafaþá.

Mecanismul zgomotului termic al canalului este binecunoscut. Mißcarea aleatoare a

purtátorilor de sarciná mobili ín interiorul acestuia genereaza zgomot termic la terminalele
dispozitivului. Ín acord cu teorema lui Nyquist, densitatea spectralá a curentului de zgomot
termic, de scurtcircuit, al canalului, corespunzatoare tranzistoarelor MOS ce opereazá ín
regiunea de saturaþie este:
i d2 /∆f = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ γ ⋅ g m (12.19)
ín care k este constanta lui Boltzman, T este temperatura absolutá, g m este transconductanþa
MOS-ului, iar γ reprezintá o funcþie foarte complexá ce depinde de parametrii de bazá ai
tranzistorului ßi de condiþiile de polarizare.
Mißcarea aleatoare a purtátorilor de sarciná prin canal genereazá ßi un curent de
zgomot de grilá, via capacitatea grilá-canal, a cárui densitate spectralá este:
356 Cap. 12. Zgomotul electric

2
i g2 /∆f ≅ 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ 1 ⋅ (2 ⋅ π ⋅ f ) 2 ⋅ C = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ g m ⋅  f  (12.20)
gs
5 ⋅ gm 5  fT 
ín care f T reprezintá frecvenþa de táiere caracteristicá tranzistorului.
Comparativ cu i d2 , efectul curentului de zgomot de grilá este important numai la
frecvenþe mai mari ca f T ßi, ín majoritatea cazurilor practice, acesta poate fi neglijat.

Mecanismul implicat ín producerea zgomotului 1/f a constituit subiect de disputá pe

perioada cätorva decenii. Diferite teorii ßi modele fizice au fost propuse pentru a explica
fenomenul zgomotului 1/f ín MOSFET-uri. Dintre acestea se disting douá modele de bazá:
modelul fluctuaþiei mobilitáþii purtátorilor de sarciná exprimat prin relaþia empiricá a lui
Hooge ßi modelul fluctuaþiei numárului de purtátori mobili de sarciná, asociat fenomenelor de
capturá ßi emisie a acestora la interfaþa oxid-semiconductor, propus de McWhorter.
Folosirea primului model conduce la urmátoarea relaþie, valabilá numai ín regiunea de
saturaþie, pentru densitatea spectralá a tensiunii de zgomot 1/f la intrare:
q ⋅ µ f ⋅ (V GS − V p )
v 21/f /∆f = α l ⋅ (12.21)
2 ⋅ µ eff ⋅ C ox ⋅ W ⋅ L ⋅ f
ín care µ f reprezintá mobilitatea efectivá de zgomot 1/f , µ eff este mobilitatea efectivá a
purtátorilor de sarciná majoritari ín canalul conductiv ín acord cu teorema lui Matthiessen, iar
C 0 reprezintá capacitatea oxidului pe unitatea de arie.
Totußi, aceastá teorie, ín majoritatea covärßitoare a cazurilor, nu este confirmatá de
rezultatele experimentale ín ceea ce priveßte dependenþa de condiþiile de polarizare ßi de C 0 .
Ín schimb, experimentele confirmá modelul propus de McWhorter, ceea ce conduce la
ideea cá apariþia zgomotului 1/f se datoreazá ín principal fluctuaþiei densitáþii purtátorilor
mobili de sarciná. Conform acestei teori, pentru un tranzistor ce funcþioneazá ín regiunea de
saturaþie, valoarea pátraticá medie a curentului de zgomot 1/f de drená se calculeazá ußor cu
relaþia:
K F ⋅ I DS
i d21/f = (12.22)
C0 ⋅ W ⋅ L ⋅ f
iar valoarea pátraticá medie a generatorului de zgomot 1/f echivalent la intrare cu relaþia:
KF Kf
v 1/2 f = 2
= 2 (12.23)
2 ⋅ µ ⋅ C0 ⋅ W ⋅ L ⋅ f C0 ⋅ W ⋅ L ⋅ f

Ín cele mai multe cazuri practice, folosirea celor douá surse principale de zgomot
(zgomotul termic ßi zgomotul 1/f ) este suficientá ín estimarea performanþelor de zgomot ale
circuitelor CMOS. Totußi, pentru aplicaþiile ín care cerinþele de zgomot sunt drastice, aceste
douá surse de zgomot pot fi minimizate ßi astfel alte surse de zgomot pot deveni importante.
Sursele de zgomot adiþionale sunt:
zgomotul termic asociat grilelor rezistive tip "poly", modelat printr-o sursá de curent
echivalentá la ießire cu densitatea spectralá datá, la saturaþie, de expresia:
Rg
i d2th = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ ⋅ g m2 (12.24)
12 ⋅ n 2
Cap. 12. Zgomotul electric 357

ín care R g este rezistenþa totalá a porþii, g m este transconductanþa totalá a

MOSFET-ului considerat ßi n reprezintá numárul de fäßii ce compun grila;
zgomotul termic asociat substratului rezistiv, modelat printr-o sursá de curent de
zgomot cu densitatea:
2
i dB = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ B ⋅ b ⋅ g mb
2
(12.25)
W
unde B reprezintá o constantá de proporþionalitate, b este láþimea substratului
considerat, iar g mb este transconductanþa substratului la saturaþie datá de expresia:
γ
g mb = g m ⋅ (12.26)
2 ⋅ 2 ⋅ Φ F + V BS
ín care γ reprezintá constanta de efect de substrat datá de relaþia (7.45);
zgomotul de alice asociat curenþiilor de pierderi ai joncþiunilor drená-substrat ßi
sursá-substrat polarizate invers, care, datoritá valorii reduse a acestuia, poate fi
neglijat ín majoritatea cazurilor.

Modelul de semnal mic de zgomot al tranzistorului MOS, valabil ín regiunea de

saturaþie, este reprezentat ín figura 12.6.

4.k.T.∆f
Rg

Rg Cgd
G D
V gs Cgs gm. V gs gm.V bs rd I zd= i2d Iz1/f = i21/f Cbd
Cbs
S B
S V bs
Cbc Rb

4.k.T.∆f
Rb
Figura 12.6. Modelul de semnal mic al MOSFET ce include ßi
sursele principale de zgomot.

Ín acest model curenþii de zgomot termic ßi 1/f asociaþi capacitáþii grilá-canal au fost
neglijaþi deoarece aceßtia devin importanþi la frecvenþe mai mari decät frecvenþa de táiere a
tranzistorului.
La fel ca ín cazul tranzistorului bipolar performanþele de zgomot ale MOSFET sunt
cel mai adesea reprezentate prin douá generatoare de zgomot echivalente la intrare cu
densitáþile spectrale, v i2 ßi i i2 . Astfel, ín figura 12.7 este reprezentat circuitul de zgomot mic
al MOSFET ín care apar generatoarele de zgomot echivalente la intrare.
358 Cap. 12. Zgomotul electric

Vzi= vi2 Cgd

Rg
G D
Izi= i2i V gs Cgs gm. V gs gm.V bs rd Cbd
Cbs
S B
S V bs
Cbc Rb

Figura 12.7. Modelul de semnal mic al MOSFET cu generatoare de zgomot

echivalente la intrare.

Expresiile analitice ale densitáþilor spectrale ale celor douá generatoare de zgomot
echivalente la intrare sunt:

2 (i d2 + i d21/f + i dB
2
)
v i /∆f = 2
+ 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ Rg (12.27)
g m − j ⋅ ω ⋅ C gd

2 2 (i d2 + i d21/f + i dB
2
)
i i /∆f = j ⋅ ω ⋅ (C gs + C gd ) ⋅ 2
(12.28)
g m − j ⋅ ω ⋅ C gd
Aßa cum se observá din relaþiile de mai sus, primii termeni ai v i2 ßi i i2 depind puternic
de acelaßi set de surse de zgomot, ceea ce ínseamná cá aceßti termeni sunt 100% corelaþi.

12.3.4. Sursele de zgomot ßi modelarea acestora ín JFET

Sursele de zgomot ale tranzistoarelor cu efect de cämp cu grilá joncþiune sunt ín cea
mai mare parte aceleaßi cu cele ale tranzistoarelor MOS. De aceea, prezentarea acestora va fi
succintá.
Deoarece materialul canalului este rezistiv el va avea un zgomot termic care constituie
sursa majorá de zgomot în JFET. Acest zgomot se poate reprezenta printr-un generator de
curent de zgomot, i 2d , plasat în circuitul echivalent de semnal mic al JFET între drená ßi sursá.
De asemenea, dupá cum s-a determinat experimental, ín dispozitiv apare ßi un zgomot 1/f
datorat fenomenelor de generare-recombinare ín regiunile de sarciná spaþialá ale joncþiunilor
grilá-substrat. Zgomotul de licárire se poate reprezenta printr-un generator de curent i d21/f
plasat între drená ßi sursá. Aceste douá surse de zgomot sunt caracterizate prin urmátoarele
relaþii analitice:

i d2 = 4 ⋅ k ⋅ T ⋅  2 ⋅ g m  ⋅ ∆f
3
a
I DS (12.29)
2
i d1/f = K f ⋅ ⋅ ∆f
f
unde K f este o constantá dependentá de tipul dispozitivului, iar a este o constantá cu valoarea
cuprinsá între 0,5 ßi 2.
Altá sursá de zgomot în JFET o constituie zgomotul de alice generat de curentul
rezidual de grilá, modelat printr-un generator de curent i g2 plasat íntre grilá ßi drená:
Cap. 12. Zgomotul electric 359

i g2 = 2 ⋅ q ⋅ I G 0 ⋅ ∆f (12.30)
unde cu I G 0 s-a notat curentul invers de saturaþie al joncþiunii grilá-canal.
În mod obißnuit acest zgomot este foarte mic. El devine semnificativ numai atunci
cänd impedanþa sursei de semnal conectatá la grilá este foarte mare.
Circuitul echivalent de semnal mic al JFET ce include principalele surse de zgomot
este prezentat ín figura 12.8.

Cgd
G D
I zg= i2g V gs Cgs gm. V gs rd I zd= i2d Iz1/f = i21/f
S S
Figura 12.8. Circuitul echivalent de semnal mic al JFET, care include ßi
sursele de zgomot.

Circuitul de zgomot mic al JFET ín care apar generatoarele de zgomot echivalente la

intrare este prezentat ín figura 12.9.

Vzi= vi2 Cgd

G D
I zi = i2i V gs Cgs gm. V gs rd
S S
Figura 12.9. Circuitul echivalent de semnal mic al JFET cu generatoare de zgomot
echivalente la intrare.

Expresiile analitice ale densitáþilor spectrale ale celor douá generatoare de zgomot
echivalente la intrare sunt:

2
(i d2 + i d21/f )
v i /∆f = 2
g m − j ⋅ ω ⋅ C gd
(12.31)
2 (i d2 + i d21/f )
i i2 /∆f = 2 ⋅ q ⋅ I G 0 + j ⋅ ω ⋅ (C gs + C gd ) ⋅ 2
g m − j ⋅ ω ⋅ C gd

La ambele tranzistoare cu efect de cämp, la frecvenþe joase, densitatea spectralá a

generatorului de curent de zgomot echivalent la intrare are o valoare foarte micá. Ín
consecinþá, în cazul în care impedanþa sursei de semnal este mare, tranzistoarele cu efect de
cämp au performanþe de zgomot cu mult mai bune decät acelea realizate de tranzistoarele
bipolare, deoarece, în aceste condiþii, generatorul de curent de zgomot la intrare este
dominant.
Trebuie totußi subliniat cá densitatea spectralá a generatorului de tensiune de zgomot
echivalent la intrare al unui tranzistor bipolar este tipic mai micá decät cea corespunzátoare
generatorului de tensiune de zgomot echivalent la intrare al TEC deoarece pentru o aceeaßi
360 Cap. 12. Zgomotul electric

valoare a curentului static valoarea tranconductanþei tranzistorului bipolar este mai mare decät
cea a tranzistorului cu efect de cämp. Ca urmare, pentru surse de impedanþá micá tranzistorul
bipolar realizeazá ín general performanþe de zgomot superioare acelora ale TEC.

12.4. Specificarea performanþelor de zgomot ale circuitelor electronice

Semnificaþia performanþelor de zgomot ale unui circuit este datá de fapt de limitarea
pe care zgomotul o impune asupra valorii celei mai mici a semnalului care mai poate fi
acceptatá fárá ca zgomotul sá degradeze calitatea semnalului de la ießire. Din acest motiv
funcþionarea în condiþiile în care se þine seama de zgomot se exprimá în mod uzual în
termenii unui semnal de zgomot echivalent la intrare, care furnizeazá la ießire acelaßi zgomot
ca ßi circuitul în discuþie. În acest fel zgomotul echivalent la intrare se poate compara direct
cu semnalele aplicate, efectul zgomotului asupra acestor semnale fiind apoi ußor de
determinat.
Aceastá metodá de caracterizare a performanþelor de zgomot se poate extinde
obþinändu-se o reprezentare mult mai generalá ßi de mare utilitate, în care performanþele de
zgomot pentru orice diport sunt descrise prin intermediul a douá generatoare de zgomot
echivalente la intrare.
Situaþia este descrisá în figura 12.10 unde un diport care conþine diverse generatoare
de zgomot este echivalat prin aceeaßi reþea, dar cu toate generatoarele de zgomot pasivizate (o
reþea fárá zgomot) ßi cu douá generatoare de zgomot, unul de tensiune, v i2 , ßi unul de curent,
i i2 , conectate la intrare. Aceastá reprezentare este valabilá pentru orice valoare a impedanþei
sursei de semnal, cu condiþia de a þine seama de corelaþia existentá între cele douá generatoare
de zgomot. Includerea corelaþiei în modelárile de zgomot introduce o creßtere considerabilá a
complexitáþii calculelor ßi în cazul în care corelaþia este importantá este de multe ori mai
convenabil sá se reviná la reþeaua iniþialá cu surse interne de zgomot. Totußi pentru marea
majoritate a circuitelor corelaþia este micá ßi se poate neglija. De asemenea neglijarea
corelaþiei este posibilá dacá unul din generatoarele de zgomot echivalente de la intrare este
dominant.
Valorile pátratice medii ale generatoarelor de zgomot echivalente la intrare din figura
12.10 sunt ußor de determinat. Algoritmul este urmátorul: mai íntäi se scurtcircuiteazá
intrárile ambelor circuite ßi prin egalarea zgomotului de la ießire determinat pentru fiecare caz
în parte se calculeazá v i2 ; apoi, se lasá în gol intrarea fiecárui circuit ßi egaländ zgomotul la
ießire determinat pentru fiecare circuit în parte se calculeazá i i2 .

Vzi= vi2

Reþea Reþea
zgomotoasá I zi = i2i fárá
zgomot

Figura 12.10. Reprezentarea zgomotului unui circuit prin generatoare de zgomot

echivalente la intrare.
Cap. 12. Zgomotul electric 361

Ín acest mod au fost determinate expresiile analitice ale generatoarelor de zgomot

echivalente la intrare ale tranzistoarelor bipolare ßi unipolare prezentate ín secþiunile
anterioare.

Ín mod curent performanþele de zgomot ale dispozitivelor ßi circuitelor electronice se

specificá printr-un parametru numit factor de zgomot. Dezavantajul acestei metode constá ín
faptul cá ea se preteazá numai la aplicaþiile ín care impedanþa sursei este rezistivá.
Definiþia factorului de zgomot F al unui circuit este urmátoarea:
raportul semnal − zgomot la intrare P i /P zi ( S /N ) i
F == = = (12.32)
raportul semnal − zgomot la ießire P 0 /P z 0,tot (S /N ) 0
unde P i este puterea semnalului la intrare, P 0 este puterea semnalului la ießire, P zi reprezintá
puterea zgomotului la intrare corespunzátoare generatorului (sau circuitului) de atac al
amplificatorului ßi P z 0,tot este puterea totalá de zgomot la ießire.
Factorul de zgomot se exprimá de obicei ín decibeli (dB), adicá
10 ⋅ lg F = 10 ⋅ lg (P i /P z ) − 10 ⋅ lg (P 0 /P z,tot )
. (12.33)
F dB = (S /N ) i dB − (S /N ) 0 dB
Dacá se conecteazá ín cascadá mai multe etaje amplificatoare atunci zgomotul cel mai
important este cel al primului etaj de amplificare deoarece acesta este amplificat de toate
celelalte etaje.
Expresiile analitice ale valorilor pátratice medii corespunzátoare generatoarelor de
zgomot echivalente la intrare deduse ín secþiunile precedente pentru diverse tipuri de
tranzistoare relevá faptul cá acestea depind de frecvenþá. Ín consecinþá, pentru determinarea
factorului de zgomot este necesar a se preciza banda de frecvenþe pentru care se face calculul.
Existá situaþii ín care factorul de zgomot se specificá pentru o bandá íngustá ∆f , centratá pe o
frecvenþá f c (∆f << f c ), denumirea acestuia ín acest caz fiind de factor de zgomot de bandá
íngustá. Astfel, performanþele de zgomot ale amplificatoarelor acordate ßi amplificatoarelor
urmate de circuite selective ín frecvenþá sunt caracterizate prin factorul de zgomot de bandá
íngustá. Pentru restul amplificatoarelor se specificá un factor de zgomot mediu, determinat
pentru íntrega bandá de frecvenþe de interes.

Rezistenþa optimá a generatorului de semnal

Generatorul de semnal este ín acelaßi timp ßi o sursá de zgomot datoritá impedanþei

interne a generatorului. Dacá impedanþa sursei de semnal este o rezistenþá purá generatorul
furnizeazá un zgomot termic. Ín acest caz existá o rezistenþá optimá a generatorului din punct
de vedere al zgomotului introdus de amplificator. Aceastá rezistenþá optimá se determiná
utilizänd circuitul din figura 12.11.b. Zgomotul intern al amplificatorului este reprezentat prin
cele douá generatoare de zgomot echivalente la intrare v i2 ßi i i2 , iar zgomotul termic al
generatorului de semnal este reprezentat printr-un generator de tensiune de zgomot v g2 ín
serie cu rezistenþa R g . Amplificarea circuitului se noteazá cu A V , iar rezistenþa de sarciná a
acestuia cu R L . Pentru a ußura calculele presupunem cá ín gama frecvenþelor de interes cele
douá surse de zgomot ale amplificatorului (v i2 ßi i i2 ) sunt necorelate.
362 Cap. 12. Zgomotul electric

2 2
Rg R g Vzg= vg Vzi= vi
Reþea
Reþea
Ug ~ RL Ug ~ I zi = i2i fárá RL
zgomotoasá zgomot
AV AV
a. b.
Figura 12.11. Circuitul echivalent de zgomot al amplificatorului cu
sursá de semnal rezistivá.

Pentru a determina rezistenþa optimá a generatorului de semnal trebuie mai íntäi gásitá
expresia factorului de zgomot ín funcþie de rezistenþa generatorului, iar apoi determinate
extremele acestei expresii prin rezolvarea ecuaþiei:
∂F = 0 (12.34)
∂R g
ßi, ín final, aleasá dintre aceste extreme R g opt pentru care factorul de zgomot este minim.
Expresia factorului de zgomot poate fi simplificatá astfel:
P i /P zi P P z 0,tot P z 0,tot P z 0,tot
F= = i ⋅ = = (12.35)
P 0 /P z 0,tot P 0 P z A P ⋅ P zi Pz 0
unde P z 0 reprezintá puterea de zgomot la ießire corespunzátoare sursei de zgomot a
generatorului sau circuitului de atac al amplificatorului.
Zgomotul la poarta de intrare a amplificatorului datorat surselor interne ale acestuia se
determiná aplicänd teorema superpoziþiei ßi este:
Zi Rg
V ziA = ⋅ V zi + ⋅I ⋅Z
Zi + Rg Z i + R g zi i
2 (12.36)
2 Zi 2 2 Rg ⋅ Z i
v ziA = 2
⋅ v zi + 2
⋅ i zi2
Zi + Rg Zi + Rg
Zgomotul la poarta de intrare a amplificatorului datorat zgomotului rezistenþei
generatorului este:
Zi
V zgA = ⋅ V zg
Z i + Rg
Zi 2 (12.37)
2 2
v zgA = 2
⋅ v zg
Zi + Rg
Puterea totalá de zgomot la ießirea amplificatorului este:
AV 2 2 A 2 2
P z 0,tot = ⋅ v ziA + V ⋅ v zgA , (12.38)
RL RL
iar puterea de zgomot la ießire corespunzátoare zgomotului rezistenþei serie a generatorului de
semnal este:
AV 2 2
Pz 0 = ⋅ v zgA (12.39)
RL
Cap. 12. Zgomotul electric 363

Ín consecinþá factorul de zgomot este dat de relaþia:

AV 2 2 A 2 2
⋅ v ziA + V ⋅ v zgA 2
v ziA 2
+ v zgA 2
P RL RL v ziA
F = z 0,tot = = = 1 + =
Pz 0 AV 2 2 v 2
v 2
⋅ v zgA zgA zgA
(12.40)
RL
v zi2 + R g2 ⋅ i zi2 v zi2 + R g2 ⋅ i zi2 v zi2 R g ⋅ i zi2
=1+ =1+ =1+ +
v zg
2 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ R g ⋅ ∆f 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ R g ⋅ ∆f 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ ∆f

Prin derivarea expresiei (12.40) ßi egalarea cu 0 a derivatei obþinem expresia analiticá a

rezistenþei optime a generatorului pentru care factorul de zgomot este minim:

2 2
∂F = − v zi i zi
+ =0
∂R g 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ R g ⋅ ∆f 4 ⋅ k ⋅ T ⋅ ∆f
2
(12.41)
v2
− zi2 + i zi2 = 0
Rg

2 v zi2
R g opt = . (12.42)
i zi2
Acest rezultat este valabil chiar ßi ín cazul ín care corelaþia íntre semnalele v zi2 ßi i zi2
este semnificativá. Trebuie subliniat faptul cá rezistenþa optimá din punct de vedere al
zgomotului nu corespunde transferului maxim de putere.