Regimul de Comutare Al Dispozitivelor Semiconductoare

11
REGIMUL DE
COMUTARE
COMUTARE AL DISPOZITIVELOR
SEMICONDUCTOARE
11.1. Generalitáþi
Regimul de lucru al unui dispozitiv semiconductor ín care, sub acþiunea unei comenzi
exterioare, acesta trece din starea de blocare ín cea de conducþie sau invers se numeßte regim
de comutare. Comutaþia se numeßte directá dacá trecerea se face din regim de blocare ín
regim de conducþie ßi inversá dacá trecerea se face din regimul de conducþie ín cel de
blocare.
Regimul de comutare este un caz particular al funcþionárii dispozitivelor ín regim

variabil de semnal mare, unde comportarea neliniará a dispozitivelor semiconductoare nu
mai poate fi neglijatá. Acest regim este íntälnit ín aplicaþiile legate de formarea, generarea ßi
prelucrarea impulsurilor. Cei mai importanþi parametri ce descriu regimul de comutare sunt
timpii de comutare: direct ßi invers, ín concordanþá cu tipul comutárii. Determinarea
acestora implicá evidenþierea proceselor tranzitorii ce au loc ín dispozitive ßi obþinerea de
soluþii analitice pentru problemele neliniare ce le corespund. Ín tratarea regimului de
comutare putem folosi una din urmátoarele metode:
metoda rezolvárii aproximative a ecuaþiei de continuitate ín regim variabil;
metoda circuitului echivalent de semnal mare;
metoda de control prin sarciná sau, mai scurt, metoda sarcinii;
metoda numericá.
Metoda rezolvárii aproximative a ecuaþiei de continuitate ín regim variabil constá

ín liniarizarea ecuaþiei de continuitate prin utilizarea urmátoarelor aproximaþii:
model unidimensional al structurii;
aproximaþia de golire prin care dispozitivul se ímparte ín zone de sarciná spaþialá,
zone active ßi zone neutre;
nivel mic de injecþie ce implicá neglijarea curentului de drift al purtátorilor
minoritari;
condiþii la limitá impuse unor márimi asupra cárora nu avem un control direct.
312 Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare
Forma liniarizatá a ecuaþiei de continuitate este cunoscutá sub denumirea de ecuaþie

de difuzie. Ecuaþiile de difuzie corespunzátoare celor douá tipuri de purtátori mobili de
sarciná, cosideränd direcþia x ca fiind caracteristicá modelului unidimensional, sunt:
∂n p np − n p 0 ∂2 np
= − τn + Dn ⋅
∂t ∂ x2 (11.1)
∂p n p −p ∂2 pn
= − n τ n 0 + Dp ⋅
∂t p ∂ x2
ín care n p ßi p n reprezintá concentraþiile de purtátori mobili de sarciná ín exces faþá de
situaþia de echilibru termic, adicá n p = n p − n p 0 , p n = p n − p n 0 .
Condiþiile iniþiale pentru aceste ecuaþii sunt repartiþiile staþionare corespunzátoare
stárilor funcþionale dinainte de comutare. Condiþiile la limitá se impun fie concentraþiilor de
purtátori minoritari la interfeþele cu regiunile de sarciná spaþialá (vezi condiþiile la limitá ale
lui Shockley), fie gradienþilor concentraþiilor purtátorilor de sarciná.
Soluþia analiticá obþinutá, pe längá faptul cá este aproximativá, are o formá
neatractivá deoarece conþine funcþia eroare, erf (α).
Metoda circuitului echivalent, constá ín utilizarea circuitului echivalent de semnal

mare de regim dinamic pentru dispozitivul al cárui regim de comutare se studiazá. Folosind
transformatele Laplace ale ecuaþiilor de circuit se determiná relaþiile pentru curenþii ßi
tensiunile ce descriu regimul de comutare. Dezavantajul principal al acestei metode constá
ín faptul cá valabilitatea circuitelor echivalente de semnal mare este limitatá superior ín
frecvenþá.
Metoda sarcinii constá ín descrierea funcþionárii dispozitivului prin relaþii íntre

curenþii la terminalele dispozitivului ßi sarcina acumulatá ín exces ín dispozitiv faþá de
situaþia de echilibru termic, adicá prin modelele de control prin sarciná.
Ecuaþiile modelului de control prin sarciná sunt forme integrale ale ecuaþiilor de
continuitate scrise pentru purtátorii minoritari din regiunile active ßi neutre ale
dispozitivului. Astfel, consideränd un model unidimensional pentru dispozitiv ßi notänd cu Q
sarcina de purtátori minoritari ín exces faþá de situaþia de echilibru termic ín regiunea
consideratá [x 1 , x 2 ] , adicá:
x2
Q = ∫ q ⋅ A ⋅ c ⋅dx (11.2)
x1
unde A este aria transversalá a regiunii considerate ßi c concentraþia purtátorilor minoritari

ín exces, se obþine ecuaþia sarcinii ín regiunea de interes:
dQ Q
i p.m. (0) − i p.m. (W) = + τp.m. (11.3)
dt
ín care i p.m. (0) ßi i p.m. (W ) sunt curenþii de purtátori minoritari la extremitáþile zonei, iar τp.m.
este timpul de viaþá al purtátorilor minoritari.
Ecuaþiile modelului de control prin sarciná sunt ecuaþii diferenþiale liniare ßi ordinare
ßi de aceea metoda sarcinii este folositá pe scará largá ín tratarea analiticá a regimului de
comutare.
Cap. 11. Regimul de comutare al dispozitivelor semiconductoare 313
Metoda numericá rezolvá problema neliniará a funcþionárii dispozitivului ín regim

de comutare fárá a folosi nici una din aproximaþiile íntrebuinþate ín mod uzual ín abordárile
anterioare. Ecuaþiile lui Shockley sunt scrise pentru íntregul dispozitiv, condiþiile la limitá
impunändu-se numai la contacte asupra curenþilor ßi mai rar asupra tensiunilor.
Ín acest capitol se vor evidenþia procesele tranzitorii ßi timpii de desfáßurare ai

acestora pentru urmátoarele structuri principale ce se íntälnesc ín componenþa a aproape
tuturor dispozitivelor semiconductoare: joncþiunea p-n, tranzistorul bipolar, tranzistoarele cu
efect de cämp cu grilá joncþiune ßi MOS.
11.2 . Regimul de comutare al joncþiunii p-n

11.2.
Diodele bazate pe joncþiunea p-n au aplicabilitate largá ín circuitele de comutaþie.

Timpii de comutare directá ßi inversá sunt bineínþeles cei mai importanþi parametri ai sái ce
stabilesc limita superioará a vitezei de ráspuns a circuitului ín care acestea sunt folosite.
Aceßti timpi sunt controlaþi ín principal de fenomenele de difuzie ßi recombinare ale
purtátorilor de sarciná minoritari. Formele de undá pentru curentul ßi tensiunea la bornele
diodei ín regim de comutaþie sunt determinate de viteza cu care purtátorii de sarciná
minoritari sunt injectaþi ín regiunile active ßi, respectiv, de viteza cu care sarcina de purtátori
minoritari acumulatá ín regiunile active este evacuatá.
Cele mai utilizate metode de analizá a regimului de comutare a joncþiunii p-n sunt
metoda rezolvárii aproximative a ecuaþiei de continuitate ßi metoda sarcinii, metodá ce se
constituie ca un excelent instrument didactic ßi care va fi prezentatá ín continuare.
11.2.1. Modelul de control prin sarciná al joncþiunii p-n
Modelul de control prin sarciná este folosit pe scará largá ín descrierea fenomenelor
ce au loc ín joncþiune ín regim de comutare a acesteia din regim de conducþie ín regim de
blocare ßi invers.
Considerám o structurá asimetricá de tip p+-n. Modeländ unidimensional aceastá
structurá, ecuaþia de continuitate pentru golurile minoritare injectate ín regiunea n devine:
∂ p n ( x, t ) p ( x, t ) − p n 0 1 ∂ j p ( x, t )
=− n τ −q⋅ (11.4)
∂t p ∂x
Ecuaþia de control prin sarciná a unei joncþiuni p-n se determiná prin integrarea
ecuaþiei de continuitate (11.4) íntre limitele regiunii cvasineutre n, x 1 ßi x 2 :
x 2 ∂ p n ( x, t ) x 2 p n ( x, t ) − p n 0 x 2 ∂ j p ( x, t )
Aj ⋅ q ⋅ ∫ ⋅ dx = −Aj ⋅ q ⋅ ∫ τ ⋅ dx − A j ⋅ ∫ ⋅ dx
x1 ∂t x1 p x1 ∂x (11.5)
∂ Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
+ τp = i p (x 1 , t ) − i p (x 2 , t )
∂t
ín care
x2
Qp (x 1 , x 2 ) = A j ⋅ q ⋅ ∫ [p n (x, t ) − p n 0 ]⋅dx (11.6)
x 1
reprezintá sarcina acumulatá ín exces ín regiune.

Ecuaþia (11.5) reprezintá de fapt bilanþul fluxurilor de purtátori minoritari ín regiunea
cvasineutrá n (regiunea activá n + regiunea neutrá n). Astfel Qp (x 1 , x 2 , t )/τp reprezintá
componenta ce compenseazá sarcina pierdutá prin recombinare, iar ∂Qp (x 1 , x 2 , t )/∂t
componenta de íncárcare a capacitáþii de difuzie. Curentul i p (x 2 , t ) reprezintá curentul de
goluri ce iese din regiunea n pe la contactul de anod. Majoritatea contactelor reprezintá
suprafeþe cu vitezá mare de recombinare ßi ín cazul ín care x 2 − x 1 >> L p se poate considera
i p (x 2 , t ) ≅ 0 . Totußi, pentru a include ßi cazul joncþiunilor subþiri (x 2 − x 1 << L p ), se
considerá cá
Q p (x 1 , x 2 )
i p (x 2 , t ) = τs (11.7)
ín care τs reprezintá timpul de viaþá al purtátorilor minoritari la interfaþa catodului.
Ínlocuind (11.7) ín (11.5) se obþine:
∂ Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 )
i p (x 1 , t ) = + τp + τs =
∂t
∂ Q p (x 1 , x 2 , t )
= + Qp (x 1 , x 2 , t ) ⋅  τ1 + τ1  = (11.8)
∂t p s
∂ Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
= + τef
∂t
ín care
τef = 1 (11.9)
1 + 1
τp τ s
reprezintá timpul de viaþá efectiv al purtátorilor de sarciná minoritari care þine seama atät de
recombinarea ín volum cät ßi de cea de la interfaþa catodului.
Ín regim tranzitoriu variazá atät sarcina din regiunile cvasineutre ale structurii cät ßi
sarcina QB+ = Q B− din regiunea de trecere. Acestor variaþii le corespund urmátorii curenþi de
purtátori majoritari:
dQ −B dQ − dv j dv j
i p− = − =− B ⋅ = C b (v j ) ⋅
dt dv j dt dt
+ (11.10)
+ dQ B dQ +B dv j dv j
in = − =− ⋅ = C b (v j ) ⋅
dt dv j dt dt
unde C b (v j) reprezintá capacitatea de barierá a joncþiunii, iar v j tensiunea ce cade pe
regiunea de sarciná spaþialá.
Aceßti curenþi sunt importanþi atunci cänd joncþiunea p -n este polarizatá invers ßi se
pot neglija cänd aceasta este polarizatá direct. Relaþia (11.10) este neliniará, dar se poate
liniariza introducänd un nou parametru, capacitatea de barierá de semnal mare , notat cu C B
sau cu C j ßi definit de relaþia:
1 v j final
Cj = v
j initial − v j final
⋅ ∫ v j initial
C b (v j )⋅dv j (11.11)
Astfel, avänd ín vedere cá joncþiunea este de tip p+-n ßi neglijänd cáderea de tensiune
pe regiunile cvasineutre ale structurii, se poate aproxima curentul joncþiunii i A prin
urmátoarea relaþie:
∂ Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t ) dv
i A ≅ i p (x 1 , t ) + i p− = + τ + Cj ⋅ A (11.12)
∂t ef dt
cunoscutá sub denumirea de ecuaþia de control prin sarciná.
11.2.2 . Comutarea directá a joncþiunii p -n

11.2.2.
Analiza regimului de comutare a joncþiunii p -n se va face pentru o structurá cu profil

de impuritáþi abrupt ßi asimetric ßi concentraþie uniformá a impuritáþilor ín cele douá regiuni
ale sale, conectatá ín circuitul prezentat ín figura 11.1. Rezistenþa de sarciná R L este mult
mai mare ca rezistenþa diferenþialá a joncþiunii R d .
Regim de blocare
p+ n
p+ p(x)
n n(x)
Comutare Comutare
K RL VL inversá directá
1 0 2 vI n
p+ n(x) p(x)
+ -
- VF VR
+
Regim de conducþie
Figura 11.1. Circuitul utilizat pentru analiza regimului de comutare
al unei joncþiuni p -n.
La t = 0 , prin trecerea comutatorului K din poziþia 0 ín poziþia 1, joncþiunea este

polarizatá direct cu o tensiune VF , tensiune ce corespunde unui nivel mic de injecþie.
Formele de undá ce se obþin pentru márimile de interes sunt prezentate ín figura 11.2.a.
Curentul prin structurá este dat de urmátoarea relaþie:
 VF
 RL la t = 0
 V − v (t )
i F (t ) =  F A la t ∈ (0, t cr ) (11.13)
 RL
 V F − VA la t ≥ t cr
 RL
Datoritá faptului cá R d << R L se poate considera cá v A << VF ßi, ín consecinþá,
curentul prin structurá este:
VF − V A VF
IF = ≅ = i F (t = 0) (11.14)
RL RL
Formele de undá relevá clar faptul cá la t = 0 dispozitivul comutá ín curent . Problema

care se pune este: de ce existá o íntärzie ín stabilirea tensiunii pe joncþiune la valoarea
corespunzátoare curentului ce o parcurge:
IF
VA = VT ⋅ ln  + 1  . (11.15)
I0
Aceastá íntärziere se datoreazá timpului necesar acumulárii sarcinii injectate ín
regiunea activá de tip n, fenomen modelat prin íncárcarea capacitáþilor joncþiunii
(capacitatea de difuzie ßi capacitatea de barierá). Capacitarea de barierá este foarte micá ín
polarizare directá ßi de aceea efectul acesteia poate fi neglijat. Ín consecinþá ecuaþia de
control prin sarciná ín cazul polarizárii directe a joncþiunii devine:
∂ Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
i A ≅ IF ≅ + τ ef (11.16)
∂t
Condiþia iniþialá a acestei ecuaþii este Qp (x 1 , x 2 , 0 ) = 0 . Variaþia ín timp a sarcinii
acumulate ín regiunea cvasineutrá n poate fi determinatá rezolvänd ecuaþia (11.17). Se
obþine astfel:
Qp (x 1 , x 2 , t ) = I F ⋅ τef ⋅  1 − exp  − τt   (11.17)

 ef 
Timpul, notat cu t cr , ín care sarcina acumulatá ín exces faþá de situaþia de echilibru

termodinamic ajunge la 0,9 din valoarea sa finalá Qp (x 1 , x 2 , ∞) = I F ⋅ τ ef , poartá denumirea
de timp de creßtere. Expresia analiticá a acestuia este determinatá ín continuare:
t
Qp (x 1 , x 2 , t cr) = I F ⋅ τef ⋅  1 − exp  − τcr   = 0, 9 ⋅ I F ⋅ τef
 ef 
t
 cr 
exp  − τ  = 0, 1
ef (11.18)
t cr
− τ = ln 0, 1 = ln 1 = −ln 10
ef 10
t cr = τef ⋅ ln 10 ≅ 2, 3 ⋅ τ ef
Ín acest caz, cänd comutarea are loc din situaþia de echilibru termodinamic, timpul de
comutare directá, notat cu t cd , este chiar timpul de creßtere t cr . Dacá ínsá comutarea directá
ar fi avut loc din regiunea de blocare, timpul de comutare directá ar avea douá componente:
timpul de íntärziere, datorat descárcárii capacitáþii de barierá de la tensiunea −VR la
tensiune nulá, notat cu t d , ßi timpul de creßtere t cr , corespunzátor acumulárii sarcinii ín
regiunea activá de tip n. Ín consecinþá, timpul de comutare directá este dat de expresia:
t cd = t d + t cr (11.19)
Dacá tensiunea directá aplicatá la intrarea circuitului este mare (nivel mare de
injecþie) formele de undá ale tensiunii ßi curentului se modificá (vezi figura 11.2.b).
Supracreßterea tensiunii la bornele structurii se explicá prin variaþia rezistivitáþii regiunilor
joncþiunii ßi saltului mare de curent prin dispozitiv, i F (0) = VF /R L . Astfel, rezistivitatea
regiunilor neutre ale joncþiunii la t = 0 este cea datá de concentraþiile corespunzátoare
situaþiei de echilibru termic. Pe másurá ce concentraþia purtátorilor minoritari ín regiunile
cvasineutre creßte datoritá injecþiei ßi difuziei rezistivitatea regiunilor cvasineutre scade.
vI vI
VF
VF
t t
0 0
iA iA
IF
IF
t t
0 t cr=t cd 0
vA vA
VA VA
t t
0 t cr=t cd 0 t cd
. Q(x1 ,x 2 )
IF τ F
0,9 .I F.τF
t
0 t cr=t cd
a. b.
Figura 11.2. Comutarea directá a joncþiunii p -n: +
a) la nivel mic de injecþie; b) la nivel mare de injecþie.
11.2.3 . Comutarea inversá a joncþiunii p -n

11.2.3.
Prin trecerea comutatorului K din poziþia 1 ín poziþia 2 dioda este comutatá invers.
Modelul de control prin sarciná va fi folosit ßi ín acest caz pentru determinarea timpului de
comutare inversá. Formele de undá caracteristice acestui proces tranzitoriu sunt prezentate ín
figura 11.3. Se observá cá formele de undá sunt mai complicate ín acest caz.
Consideränd ca moment iniþial momentul trecerii comutatorului pe poziþia 2, se poate
afirma cá la t = 0 curentul prin diodá va comuta imediat la valoarea:
V + VA VR
i R (0) = I R = R ≅ (11.20)
RL RL
Tensiunea pe diodá nu poate varia brusc deoarece sarcina acumulatá ín exces faþá de
situaþia de echilibru termic ín regiunile active ale joncþiunii se evacueazá íntr-un timp finit.
Evacuarea acestei sarcinii se realizeazá prin curentul invers i R (t ) ßi prin recombinare.
Timpul t s ín care tensiunea pe joncþiune v A (t ) rámäne pozitivá, adicá v A (t ) ≥ 0, poartá
denumirea de timp de stocare. Analitic timpul de stocare se poate defini prin relaþiile:
v A (t s ) = 0 sau p n (x 1 , t s) = 0 .
vI
VF
-VR
iA
IF
I0
ts
-0,1. IR t
-I R
t dsc
vA
VA
t
ts t s+ t dsc =t ci
-VR+I0.R L
Figura 11.3. Comutarea inversá a joncþiunii p-n.
Curentul prin structurá ín acest interval este dat de relaþia:

V + v (t ) V
i R (0 ≤ t ≤ t s) = R A ≅ R ≅ I R (11.21)
RLRL
Astfel, se poate considera cá ín intervalul de timp [0, t s] curentul invers prin structurá
este constant. Folosind aceastá aproximaþie ecuaþia de control prin sarciná pentru acest
interval de timp devine:
∂ Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t )
−I R ≅ + τ ef (11.22)
∂t
Condiþia iniþialá a acestei ecuaþii este:
Qp (x 1 , x 2 , 0 ) = I F ⋅ τef (11.23)
ßi, ín consecinþá, variaþia sarcinii acumulate ín exces faþá de situaþia de echilibru
termodinamic ín regiunea cvasineutrá de tip n ín intervalul [0, t s] este:
Qp (x 1 , x 2 , t )= −I R ⋅ τef + (I F + I R ) ⋅ τef ⋅ exp  − τt  . (11.24)
0≤t ≤ts ef
Folosind relaþia analiticá de definiþie a timpului de stocare v A (t s ) = 0 , þinänd cont de

relaþia (3.39) ín care l n ≡ x 1 ßi adoptänd implicit aproximaþiile ce au condus la obþinerea
acestei relaþii, suplimentate de cea a regimului cvasistaþionar, se obþine:
x2
Qp (x 1 , x 2 , t s) = A j ⋅ q ⋅ ∫ [p n (x, t ) − p n 0 ] ⋅ dx ≅
x1
q ⋅ v A (t s )   x − x1 
p n 0 ⋅  exp  − 1  ⋅ exp −
x2
≅ Aj ⋅ q ⋅ ∫ ⋅ dx = (11.25)
x1  k⋅T     Lp 
x2  x − x1 
= Aj ⋅ q ⋅ ∫ p n 0 ⋅ [1 − 1] ⋅ exp − ⋅ dx = 0
x1  Lp 
Ín consecinþá folosind relaþiile (11.24) ßi (11.25) se deduce expresia timpului de

stocare:
t
Qp (x 1 , x 2 , t s ) = −I R ⋅ τef + (I F + I R ) ⋅ τef ⋅ exp  − τ s  = 0 ⇒
ef
IF 
t s = τef ⋅ ln  1 + (11.26)
IR 
Ín realitate sarcina Qp (x 1 , x 2 , t s ) este diferitá de 0 ßi, de aceea, aceastá expresie a
timpului ín care tensiunea pe joncþiune rámäne pozitivá conduce la valori mai mari decät
cele obþinute experimental. Ín acest caz expresia obþinutá prin rezolvarea aproximativá a
ecuaþiei de continuitate:
2
I
t s = −τ ef ⋅ erf  F  < t s ,
∗ (11.27)
IF + I R
conduce la valori mai apropiate de cele experimentale.
Odatá evacuatá sarcina acumulatá ín exces din regiunea cvasineutrá n, tensiunea

v A (t > t s ) devine negativá, rezistivitatea regiunilor joncþiunii creßte ßi curentul invers íncepe
sá scadá cátre I 0 . Timpul necesar íncárcárii capacitáþii de barierá a joncþiunii de la 0 la
tensiunea inversá VR − I 0 ⋅ R L poartá denumirea de timp de descreßtre ßi este notat cu t dsc .
Ecuaþia de control prin sarciná pentru intervalul (t s , t s + t dsc ] devine:
∂ Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t ) dv (t )
−i R (t ) ≅ + τ − Cj ⋅ R (11.28)
∂t ef dt
Aplicänd Kirchhoff II circuitului din figura 11.1 se obþine:
v R (t ) = V R − i R (t ) ⋅ R L (11.29)
Ínlocuind (11.29) ín (11.28), aceasta devine:
∂ Q p (x 1 , x 2 , t ) Q p (x 1 , x 2 , t ) di (t )
−i R (t ) ≅ + τ + Cj ⋅ RL ⋅ R (11.30)
∂t ef dt
Din relaþia de definiþie (11.6) a sarcinii Qp (x 1 , x 2 , t ) se observá cá ín intervalul de
timp (t s , t s + t dsc ] aceasta este foarte micá ßi se poate neglija ín expresia (11.30):
di (t )
−i R (t ) ≅ C j ⋅ R L ⋅ R (11.31)
dt
Condiþia iniþialá a acestei relaþii diferenþiale este:
i R (t s ) = I R , (11.32)
iar soluþia corespunzátoare este:
 t − ts 
i R (t ) ≅ I R ⋅ exp − (11.33)
 Cj ⋅ RL 
Uzual se considerá cá la t = t s + t dsc curentul invers prin structurá a scázut la valoarea
0, 1 ⋅ I R ßi deci expresia lui t dsc se determiná din egalitatea:
 t 
0, 1 ⋅ I R ≅ I R ⋅ exp − dsc (11.34)
 Cj ⋅ R L 
ce conduce la:
t dsc = 2, 3 ⋅ C j ⋅ R L (11.35)
Ín consecinþá, timpul de comutare inversá al joncþiunii p-n, notat cu t ci , este dat de

expresia:
IF 
t ci = t s + t dsc ≅ τef ⋅ ln  1 + + 2, 3 ⋅ C j ⋅ R L (11.36)
IR 
11.2.4.
11.2.4 . Metode de micßorare a timpilor de comutare
Relaþiile (11.18) ßi (11.36) aratá clar faptul cá timpii de comutare t cd ßi t ci depind

atät de modul tehnologic de realizare a diodei (timpii de viaþá ai purtátorilor minoritari,
capacitatea de barierá), cät ßi de circuitul exterior, prin valorile curenþilor I F ßi I R .
Trei metode tehnologice sunt ín general folosite pentru reducerea timpilor de
comutare:
creßterea densitáþii centrelor de recombinare a purtátorilor de sarciná; doparea cu Au
reduce τef al purtátorilor de sarciná ín Si la 10 −10 s ;
micßorarea dimensiunilor structurii: micßorarea ariei joncþiunii conduce la scáderea
capacitáþii de barierá, iar micßorarea lárgimii regiunii de tip n, x 2 − x 1 , conduce la
scáderea timpului de viaþá efectiv al purtátorilor de sarciná;
folosirea unor structuri de tipul p + -n -n + ín care regiunea de tip n este foarte subþire,
cunoscute sub denumirea de structuri cu contact de purtátori majoritari (majority
carrier contact);
O diodá specializatá pentru lucrul ín regim de comutare este dioda cu revenire ín

treaptá, step recovery diode, prezentatá pe scurt ín capitolul dedicat dispozitivelor de
microunde. Structura este de tip p -i-n , cu un profil de impuritáþi neuniform, ce determiná
formarea unui cämp electric intern ce se opune difuziei purtátorilor minoritari, astfel íncät
sarcina stocatá este ínmagazinatá ín imediata apropiere a regiunii de trecere. Ca urmare
sarcina stocatá, care nu se disperseazá datoritá prezenþei regiunii intrinseci, este eliminatá
rapid aproape ín íntregime ín timpul de stocare. Deoarece capacitatea de barierá este micá ßi
pentru cá, ín acest caz, erorile aproximárii Qp (t s ) ≅ 0 sunt extem de mici se obþine o formá
de undá pentru curent aproape dreptunghiulará (vezi figura 11.4), de unde ßi denumirea
acestui dispozitiv. Timpii de tranziþie obþinuþi cu acest dispozitiv sunt de ordinul
10 −9 ÷ 10 −11 s.
vI
VF
t
-VR
iA
IF
ts t
-I R
Figura 11.4. Forma de undá corespunzátoare curentului la comutarea inversá a unei SRD.
O altá categorie de diode specializate pentru lucrul ín regim de comutaþie íl

constituie diodele Schottky, care, fiind structuri a cáror funcþionare se bazeazá pe transportul
purtátorilor majoritari, nu mai acumulezá sarciná, astfel íncät t s = 0 . Aceste diode au fost
prezentate pe larg ín capitolele 3 ßi 4.
O metodá de circuit menitá sá reducá timpii de comutare inversá ai diodelor este

prezentatá ín figura 11.5. Prin legarea ín paralel cu rezistenþa de sarciná R L a unui
condensator C se poate reduce parþial sau total timpul de stocare. Condensatorul C poartá
denumirea de condensator de compensare sau de accelerare.
vI C RL
Figura 11.5. Exemplu de metodá de circuit folositá pentru reducerea timpului de

comutare inversá a unei diode p-n.
La t = 0 , datoritá saltului de tensiune la intrarea circuitului ßi tensiunii mici pe

dispozitiv, condensatorul C se poate íncárca cu sarcina QC ≅ C ⋅ (VF + VR ) . Dacá aceastá
sarciná QC este mai micá ca cea stocatá ín dispozitiv la acest moment Qp (x 1 , x 2 , 0 ) = I F ⋅ τef
, numai o parte din sarcina stocatá este preluatá de condensator, sarcina rámasá
Qp (x 1 , x 2 , 0 ) − QC fiind evacuatá íntr-un timp t s < t s (t s fiind timpul de stocare
corespunzátor situaþiei ín care condensatorul C lipseßte din schemá). Dacá sarcina QC este
egalá cu Qp (x 1 , x 2 , 0 ) íntreaga sarciná stocatá este transferatá condensatorului C ßi timpul
de stocare devine nul. Aceastá situaþie corespunde alegerii unui condensator cu capacitatea:
I F ⋅ τef V F ⋅ τef
C≅ ≅ = C critic (11.37)
(V F + V R ) R L ⋅ (V F + V R )
Dupá preluarea completá a sarcinii stocate, tensiunea pe capacitor scade cátre zero cu
constanta de timp τC ≅ C ⋅ R L (dacá se neglijeazá capacitatea de barierá a joncþiunii diodei ßi
se considerá cá ín conducþie inversá R d → ∞ ).
11.3.
11.3 . Regimul de comutare al TBJ
11.3.1. Generalitáþi
Funcþionarea tranzistorului bipolar ín regim de comutaþie implicá trecerea bruscá a

acestuia din starea de blocare ín starea de conducþie (comutare directá) sau din starea de
conducþie ín starea de blocare (comutare inversá). Comutarea TBJ se poate realiza pentru
oricare conexiune a sa ßi cu un semnal de excitaþie atät de tip tensiune cät ßi de tip curent.
Bineínþeles cá timpii de comutare ai TBJ diferá ín funcþie de conexiune ßi ín funcþie de tipul
sursei de semnal ce comandá comutaþia. Trebuie subliniat faptul cá, indiferent de conexiunea
de funcþionare a TBJ, ráspunsul acestuia la aplicarea unui semnal treaptá de valoare mare pe
intrare, este considerabil mai lent decät ráspunsul la aplicarea unei trepte de semnal mic.
Acest lucru este perfect logic deoarece, ín momentul ín care se iniþiazá regimul tranzitoriu
de semnal mic, TBJ este deja polarizat íntr-un punct static de funcþionare, valorile
elementelor de semnal mic ce modeleazá funcþionarea acestuia fiind astfel constante bine
definite.
TBJ satisface cel mai bine cerinþele unui comutator comandat, respectiv ale unui
inversor logic, ín conexiune EC. Avantajele oferite de aceastá conexiune: putere de comandá
micá, rezistenþá de ießire micá ín conducþie ßi mare ín starea de blocare, curent rezidual mic
etc., au impus folosirea acesteia pe scará largá ín realizarea circuitelor mai sus menþionate.
De aceea, studiul comutaþiei TBJ se va face pe un astfel de circuit, prezentat ín figura 11.6.
-VC C
RC
RB i iC
B
vI
Figura 11.6. Circuit inversor cu TBJ ín conexiune EC.
Timpii de comutare directá ßi inversá ai TBJ se vor determina folosind modelul de

control prin sarciná. Acesta este un model de regim cvasistaþionar ßi ca atare nu poate pune
ín evidenþá timpul de tranzit prin difuzie al purtátorilor minoritari prin bazá. Ecuaþiile
generale ale modelului de control prin sarciná pentru TBJ intrinsec de tip pnp, deduse ín
capitolul 5, sunt:
Q BF (0, W, t ) ∂Q BR (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) ∂q VC
i C (t ) = τF − − τBR − τR −
∂t ∂t
∂Q BF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) ∂Q BR (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) ∂q VE ∂q VC
i B (t ) = + τBF + + τBR + + (11.38)
∂t ∂t ∂t ∂t
∂Q BF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) Q BR (0, W, t ) ∂q VE
i E (t ) = + τBF + τF − τR +
∂t ∂t
Dacá tranzistorul bipolar funcþioneazá ín RAN ßi eficienþa γ E a acestuia este mare, se
poate considera cu o buná aproximaþie cá QBR (0, W, t ) ≅ 0 ßi deci relaþiile (11.38) devin:
QBF (0, W, t ) ∂q VC
i C (t ) = τF −
∂t
∂QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) ∂q VE ∂q VC
i B (t ) = + τBF + + (11.39)
∂t ∂t ∂t
∂QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) ∂q VE
i E (t ) = + τBF + τF +
∂t ∂t
De asemenea, introducänd capacitáþile de barierá de semnal mare ale joncþiunilor
structurii (vezi relaþiile 5.155, 11.10 ßi 11.11), ecuaþiile (11.39) devin:
QBF (0, W, t ) ∂v
i C (t ) = τF − C jC ⋅ CB
∂t
∂QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) ∂v ∂v
i B (t ) = + τBF + C jE ⋅ EB + C jC ⋅ CB (11.40)
∂t ∂t ∂t
∂QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) ∂v
i E (t ) = + τBF + τF + C jE ⋅ EB
∂t ∂t
Datoritá faptului cá ín RAN joncþiunea emitor-bazá este polarizatá direct, capacitatea
de barierá C jE este micá ßi efectul acesteia este neglijabil:
QBF (0, W, t ) ∂v
i C (t ) ≅ τF − C jC ⋅ CB
∂t
∂QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) ∂v
i B (t ) ≅ + τBF + C jC ⋅ CB (11.41)
∂t ∂t
∂QBF (0, W, t ) QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t )
i E (t ) ≅ + τBF + τF
∂t
Atunci cänd TBJ funcþioneazá ín regim de saturaþie sarcina acumulatá ín exces ín

regiunea bazei neutre poate fi descompusá ín douá componente ín douá moduri diferite:
QB (0, W, t ) = QBF (0, W, t ) + QBR (0, W, t ), (11.42)
aßa cum s-a procedat la deducerea modelului de control prin sarciná (vezi figura 11.7.a);
QB (0, W, t ) = QB SI(0, W, t ) + Q S (0, W, t ), (11.43)
unde QB SI(0, W, t ) reprezintá sarcina acumulatá ín regiunea bazei neutre, ín exces faþá de
situaþia de echilibru termodinamic, la saturaþie incipientá (v EB > 0 , v CB = 0 ), iar QS (0, W, t )
reprezintá sarcina acumulatá ín exces faþá de cea acumulatá la saturaþie incipientá (vezi
figura 11.7.b)
p'n (x)
QB QBF QBR
a.
x
0 W 0 W 0 W
p'n (x)
QB QBSI QS b.
x
0 W 0 W 0 W
Figura 11.7. Cele douá posibilitáþi de descompunere a distribuþiei de purtátori de
sarciná minoritari acumulaþi ín exces ín regiunea bazei neutre.
Ínainte de a trece la dezvoltarea unui model de control prin sarciná pentru regiunea
de saturaþie bazat pe descompunerea (11.43) trebuiesc lámurite cäteva aspecte legate de
constantele de timp corespunzátoare purtátorilor minoritari de sarciná ín sens direct ßi invers
prin structurá. Pentru tranzistoarele ideale intrinseci τF = τR = t B ßi τBF = τBR = τB . Aceste
constante de timp diferá doar atunci cänd doparea bazei nu este uniformá ßi ín aceastá
regiune existá un cämp electric intern care, ín funcþie de direcþia de transport, accelereazá
sau íncetineßte deplasarea purtátorilor de sarciná. Totußi, pentru a descrie timpul de viaþá al
purtátorilor minoritari ín bazá τB , respectiv timpul de transport al acestora prin bazá t B ,
SEEC a introdus constantele de timp empirice τBF ßi τBR , respectiv τF ßi τR , pentru a
include ßi recombinarea la suprafaþá (caracterizatá de timpi de viaþá ai purtátorilor de sarciná
diferiþi faþá de cazul recombinárii ín volum) ßi pierderile datorate geometriei reale a
structurii (joncþiunea colector-bazá nesuprapusá). Aceste constante nu corespund unei
realitáþi fizice ßi o reprezentare mai corectá ar fi partajarea structurii reale a TBJ, modelarea
separatá a partiþiilor, sumarea corespunzátoare a componentelor obþinute prin modelarea
partiþiilor ßi apoi adáugarea recombinárii parazite de suprafaþá, decät introducerea unor
constante de timp empirice.
Urmänd aceeaßi linie de introducere a unor constante de timp empirice pentru
includerea unor efecte parazite, SEEC a introdus o nouá constantá de timp empiricá τS ,
valabilá numai ín regim de saturaþie, care sá includá efectele de nivel mare de injecþie ßi de
pástrare a curentului de colector ín regim de saturaþie la o valoare aproximativ constantá
(datá de circuitul exterior). Constanta de timp τS poartá denumirea de timp de viaþá
echivalent al purtátorilor de sarciná minoritari ín regim de saturaþie. Relaþia de definiþie
pentru timpul de viaþá echivalent al purtátorilor minoritari la saturaþie este:
QS (0, W )
τS = (11.44)
I B − I B SI
unde s-a notat cu I B SI curentul de bazá corespunzátor saturaþiei incipiente, dat de expresia:
I
I B SI = C SI , (11.45)
βF
ín care I C SI reprezintá valoarea curentului de colector la saturaþie incipientá.
Folosind relaþiile de mai sus ßi þinänd cont de faptul cá ín saturaþie se poate neglija
efectul capacitáþilor de barierá de semnal mare ßi de limitarea impusá de circuitul exterior
curentului de colector (i C sat ≈ I C SI ), ecuaþiile modelului de control prin sarciná pentru
regimul de saturaþie devin:
QB SI(0, W, t )
i C (t ) ≈ I C SI = τF
QB SI (0, W, t ) QS (0, W, t ) dQS (0, W, t )
i B (t ) = τBF + τS + . (11.46)
dt
QB SI (0, W, t ) QB SI (0, W, t ) QS (0, W, t ) dQ S (0, W, t )
i E (t ) = τF + τ BF + τS +
dt
11.3.2.
11.3.2 . Comutarea TBJ ín, respectiv din, regim activ normal
Considerám cá atacám etajul din figura 11.6 cu un semnal v I (t ) prezentat ín figura

11.8.a. Nivelele VF ßi VR sunt alese astfel íncät sá fie mult mai mari ca Vγ ßi sá
índeplineascá condiþia:
VF I
< I B SI = C SI (11.47)
RB βF
ín care
VCC − V EC SI VCC − VEB
I C SI = = , (11.48)
RC RC
astfel íncät TBJ sá comute ín regim activ normal.
Ráspunsul circuitului la acest semnal ímpreuná cu variaþia ín timp a distribuþiei
purtátorilor minoritari ßi excursia punctului de funcþionare al TBJ sunt prezentate ín figura
11.8. Ín stare blocatá (punctul B de pe caracteristica staticá de ießire prezentatá ín figura
11.8.) ambele joncþiuni ale tranzistorului sunt polarizate invers, tranzistorul fiind parcurs de
un curent rezidual mic. La t = 0 polaritatea semnalului de intrare se schimbá, iniþiindu-se
astfel procesul de comutare directá ín regim activ de funcþionare a TBJ. Din punct de vedere
al fenomenelor fizice comutarea directá poate fi ímpárþitá ín douá faze:
faza I rapidá datoratá descárcárii capacitáþilor de barierá ale structurii prin fluxuri de
purtátori majoritari ai regiunilor implicate ín proces;
faza II mai lentá datoratá difuziei purtátorilor minoritari ín bazá.
Cänd timpul de íntärziere datorat fazei II este mult mai mare decät cel datorat fazei I
atunci cele douá fenomene pot fi separate ßi tratate independent. Ín acest mod se va proceda
ín continuare pentru determinarea unei expresii analitice pentru timpul de comutare directá.
Totußi, ín tranzistoarele moderne de comutaþie, timpii de íntärziere datoraþi celor douá faze
sunt comparabili ßi de aceea fenomenele nu se pot separa ßi nu se pot trata independent.
Íntärzierea datoratá fazei I se poate determina neglijänd fenomenele corespunzátoare

purtátorilor minoritari. Ín consecinþá, modelul de control prin sarciná furnizeazá urmátoarea
relaþie pentru curentul de bazá:
dv EB dv
i B (t ) = C jE ⋅ + C jC ⋅ CB (11.49)
dt dt
unde v EB ßi v CB reprezintá cáderile de tensiune pe joncþiunile corespunzátoare
tranzistorului intrinsec.
Ín intervalul de timp corespunzátor acestei faze curentul de colector poate fi
considerat nul ßi deci
v EC ≅ VCC = v EB + v B C
0 = dv EB + dv B C . (11.50)
dv CB = −dv B C = dv EB
vI pn (x)
VR
t t-4
a. (e) t3
t2
-VF
VF pn0 t
iB IBF ~
= 1 x
RB
0 W
p n(x)
t'dsc +
t4
t
b.
t4 t6 t7
t -4
f.
t45
VR t5
- IBF = - t6
ICF iC RB pn0
0,9. ICF
t7 x
W
iC IB4
.
VCC
c.
RC IBF
0,1. ICF t A
IB3
t 1 t2 t3 t4 t5 t6 Dreapta
t d t cr t dsc de sarciná
t cd t ci g. IB2
QBF
.
IB1
τBF.IBF vCE
VCE VCC
d.
VCEsat
t
t2 t3 t4 t5 t 6
Figura 11.8. Comutarea TBJ ín/din regim activ normal:
a), b), c), d) formele de undá caracteristice comutárii; e) distribuþii ale concentraþiei
purtátorilor minoritari ín bazá la diferite momente corespunzátoare comutárii directe;
f) distribuþii ale concentraþiei purtátorilor minoritari ín bazá la diferite momente
corespunzátoare comutárii inverse; g) excursia punctului de funcþionare al TBJ.
Ín consecinþá ecuaþia (11.49), pentru acest circuit, devine:

dv EB
i B (t ) = (C jE + C jC ) ⋅ (11.51)
dt
Expresia curentului de bazá furnizatá de circuit (vezi figura 11.6) este determinatá ín
continuare:
R B ⋅ i B (t ) = −v I (t ) − v EB (t ) = −v I(t ) − v EB (t ) − r bb ⋅ i B (t )
−v I(t ) − v EB (t )
i B (t ) = (11.52)
R B + r bb
Ecuaþia (11.51) devine pentru t ≥ 0 :

dv dv
VF = v EB (t )+(R B + r bb ) ⋅ (C jE + C jC ) ⋅ EB = v EB (t ) + τC ⋅ EB (11.53)
dt dt
τC
cu condiþia iniþialá v EB (t = 0) = −V R ßi soluþia:

v EB (t ) = V F ⋅  1 − exp  − τt   − VR ⋅ exp  − τt  =
 C  C
. (11.54)
= VF − (V F + VR ) ⋅ exp  − τtC 
Consideränd cá faza I dureazá päná cänd tensiunea v EB corespunzátoare

tranzistorului intrinsec devine egalá cu tensiunea de deschidere a joncþiunii E-B Vγ , se
determiná íntärzierea corespunzátoare acestei faze:
t
v EB (t d 1 ) = Vγ = VF − (V F + VR ) ⋅ exp  − τd 1  (11.55)
C
 VF + V R   V + VR 
t d 1 = τ C ⋅ ln = (R B + r bb ) ⋅ (C jE + C jC ) ⋅ ln F (11.56)
 VF − V γ   VF − Vγ 
Ín continuare se determiná íntärzierea datoratá fenomenelor fizice ce þin de difuzia

purtátorilor minoritari, adicá íntärzierea corespunzátoare fazei II. Atunci cänd tensiunea v EB
devine pozitivá íncepe injecþia de purtátori minoritari ín regiunea bazei, astfel íncät la
finalul fazei I sarcina acumulatá ín regiunea bazei neutre, neglijatá ín dezvoltarea anterioará,
este micá dar diferitá de zero (vezi distribuþia corespunzátoare ín figura 11.8.e). Timpul
necesar acestor primi purtátori de sarciná injectaþi ín bazá sá ajungá la colector se evalueazá
la 1/3 din timpul de tranzit al purtátorilor minoritari prin bazá, adicá:
t d 2 ≅ 1 ⋅ t B = 1 ⋅ τF (11.57)
3 3
Ín consecinþá, timpul dupá care curentul de colector íncepe sá creascá vizibil este dat
de expresia:
 V + VR  1
t d = t d 1 + t d 2 ≅ (R B + r bb ) ⋅ (C jE + C jC ) ⋅ ln F + ⋅τ (11.58)
 VF − Vγ  3 F
Dupá ce tranzistorul intrá ín RAN, curentul de colector nu creßte brusc la valoarea
I CF = β F ⋅ I BF ≅ β F ⋅ (VF /R B ). Íntärzierea este cauzatá de timpul necesar formárii distribuþiei
corespunzátoare I CF (vezi figura 11.8.e). Intervalul de timp ín care curentul de colector
creßte de la 0, 1 ⋅ I CF la 0, 9 ⋅ I CF se numeßte timp de creßtere sau de ridicare ßi se noteazá cu
t cr . Expresia analiticá a lui t cr se deduce folosind ecuaþiile modelului de control prin sarciná
valabile ín RAN (11.41) completate cu relaþiile de circuit:
v EC = V CC − R C ⋅ i C
V (11.59)
i B (t ≥ t d ) ≅ I BF = F
RB
Consideränd cá t cr este considerabil mai mare ca t d 1 se poate neglija componenta de
purtátori majoritari C jC ⋅ R C ⋅ (∂i C /∂t ) a curentului de colector ßi folosind relaþiile (11.59)
obþinem:
QBF (0, W, t )
i C (t ) ≅ τF
(11.60)
∂QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) ∂i C
I BF ≅ + τ + C jC ⋅ R C ⋅
∂t BF ∂t
Eliminänd QBF (0, W, t ) íntre cele douá relaþii rezultá ecuaþia diferenþialá:
I BF i C (t ) ∂i
≅ + C, (11.61)
τF + C jC ⋅ R C τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C ∂t
cu condiþia iniþialá i C (t = t 2 ) = 0, 1 ⋅ I CF ßi soluþia:
  t − t2 
i C (t ) = β F ⋅ I BF ⋅  1 − 0, 9 ⋅ exp − (11.62)
  τ BF + β F ⋅ C jC ⋅ R C  
Introducänd relaþia (11.62) ín ecuaþia (11.60.a) se determiná expresia analiticá a
variaþiei sarcinii de purtátori minoritari acumulate ín exces ín bazá la comutare directá:
  t − t2 
QBF (0, W, t ) = τBF ⋅ I BF ⋅  1 − 0, 9 ⋅ exp − (11.63)
  τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C  
Timpul de creßtere se deduce din egalitatea:
i C (t 3 ) = 0, 9 ⋅ I CF , (11.64)
de unde se obþine:
t cr = t 3 − t 2 = (τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C ) ⋅ ln 9 = 2, 2 ⋅ (τ BF + β F ⋅ C jC ⋅ R C ) (11.65)
Ín consecinþá, timpul de comutare directá a TBJ ín RAN este:
t cd = t d 1 + t d 2 + t cr (11.66)
La t = t 4 polaritatea semnalului de intrare se schimbá, iniþiindu-se astfel procesul de

comutare inversá din regim activ de funcþionare ín regim de blocare. Din punct de vedere al
fenomenelor fizice comutarea inversá poate fi ímpárþitá ín douá faze:
faza III datoratá evacuárii sarcinii acumulate ín baza neutrá prin trecerea purtátorilor
minoritari ínapoi ín emitor ßi prin recombinare cu purtátori majoritari asiguraþi de
curentul de bazá;
faza IV datoratá íncárcárii capacitáþilor de barierá ale structurii.
Faza III este caracterizatá de timpul de cádere, notat cu t dcr , definit ca timpul ín care
curentul de colector se micßoreazá de la 0, 9 ⋅ I CF la 0, 1 ⋅ I CF .
La comutarea inversá curentul de bazá variazá prin salt la valoarea:
VR
i B (t ≥ t 4 ) = −I BR ≅ − (11.67)
RB
Expresia analiticá a timpului de cádere se determiná din ecuaþiile modelului de
control prin sarciná completate cu relaþiile de circuit (11.59.a) ßi (11.67):
QBF (0, W, t )
i C (t ) ≅ τF
(11.68)
∂QBF (0, W, t ) Q BF (0, W, t ) ∂i
−I BR ≅ + τ BF + C jC ⋅ R C ⋅ C
∂t ∂t
Eliminänd QBF (0, W, t ) íntre aceste ecuaþii se obþine:
∂i C
−β F ⋅ I BR ≅ i C + (τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C ) ⋅ , (11.69)
∂t
cu condiþia iniþialá i C (t 4 ) = β F ⋅ I BF ßi soluþia:
 t − t4 
i C (t ) = −β F ⋅ I BR + β F ⋅ (I BR + I BF ) ⋅ exp − (11.70)
 τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C 
Din relaþiile
i C (t 0,9 ) = 0, 9 ⋅ I CF
i C (t 0,1 ) = 0, 1 ⋅ I CF (11.71)
t dcr = t 0,9 − t 0,1
se deduce expresia timpului de cádere:
0, 1 ⋅ I CF + β F ⋅ I BR
t dcr = (τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C ) ⋅ ln (11.72)
β F ⋅ I BR + 0, 9 ⋅ I CF
Timpul de cádere este cu atät mai mic cu cät raportul I BR /I BF este mai mare.
Introducänd relaþia (11.70) ín ecuaþia (11.68.a) se obþine expresia analiticá a variaþiei sarcinii
QBF (0, W, t ):
 t − t4 
QBF (0, W, t ) = −τBF ⋅ I BR + τBF ⋅ (I BR + I BF ) ⋅ exp − (11.73)
 τ BF + β F ⋅ C jC ⋅ R C 
Timpul de comutare inversá, notat cu t ci , se defineßte ca intervalul de timp scurs íntre
momentul aplicárii semnalului de comandá a comutaþiei inverse circuitului bazei ßi
momentul cänd curentul de colector scade la 0, 1 din valoarea sa iniþialá (adicá la 0, 1 ⋅ I CF ).
Ín consecinþá timpul de comutare inversá din regiunea activá este:
t ci = t dsc (11.74)
Expresia timpului de comutare inversá nu include ßi íntärzierea datá de fenomenele

fazei a IV-a datoratá íncárcárii capacitáþilor de barierá. §i aceastá íntärzire se poate
determina prin utilizarea modelului de control prin sarciná:
dv EB dv
i B (t ) ≅ C jE ⋅ + C jC ⋅ CB
dt dt (11.75)
i C (t ) = 0
Din ecuaþiile de circuit se deduc relaþiile:
v EC ≅ VCC = v EB + v B C
0 = dv EB + dv B C
, (11.76)
dv CB = −dv B C = dv EB
−i B (t ) ⋅ (R B + r bb ) − V R = v EB (t )
ce conduc la ecuaþia diferenþialá:
di B (t )
i B (t ) ≅ −(C jE + C jC ) ⋅ (R B + r bb ) ⋅ (11.77)
dt
cu condiþia iniþialá i B (t = t 6 ) = −I BR ≅ −(V R /R B ) ßi soluþia:
 t − t 66 
i B (t ) = −I BR ⋅ exp  −  (11.78)
 (C jE + C jC ) ⋅ (R B + r bb )
Expresia analiticá a íntärzierii corespunzátoare fazei IV se deduce din relaþiile:

i B (t 7 ) = −0, 1 ⋅ I BR
, (11.79)
t dcr = t 7 − t 6
ßi este
t dcr = 2, 3 ⋅ (C jE + C jC ) ⋅ (R B + r bb ) (11.80)
11.3.3.
11.3.3 . Comutarea TBJ ín, respectiv din, regim de satutaþie
Dacá atacám etajul din figura 11.6 cu un semnal v I (t ) , prezentat ín figura 11.9.a, ale
cárui nivele VR ßi VF sunt alese astfel íncät sá índeplineascá condiþiile:
VF , V R >> V γ
VF I , (11.81)
> I B SI = C SI
RB βF
comutarea TBJ se va face ín, respectiv din, regim de saturaþie.
Ráspunsul circuitului la acest semnal, ímpreuná cu variaþia ín timp a distribuþiei
purtátorilor minoritari ßi excursia punctului de funcþionare al TBJ sunt prezentate ín figura
11.9. Din punct de vedere al fenomenelor fizice ßi ín acest caz comutarea directá poate fi
ímpárþitá ín douá faze: faza I corespunzátoare descárcárilor capacitáþilor de barierá ßi faza II
corespunzátoare proceselor legate de difuzia purtátorilor de sarciná minoritari ín bazá. Se
observá cá la comutarea directá curentul de colector se limiteazá la valoarea
V CC
I C sat ≅ . (11.82)
RC
Fenomenele ce se petrec ín structurá ín intervalele de timp t d 1 ßi t d 2 sunt similare
celor de la comutarea directá ín regim activ normal ßi de aceea expresiile analitice ale
íntärzierilor corespunzátoare sunt date tot de relaþiile (11.56) ßi (11.57).
Intervalul de timp ín care curentul de colector creßte de la 0, 1 ⋅ I C SI la 0, 9 ⋅ I C SI se
numeßte timp de creßtere sau de ridicare ßi se noteazá cu t cr . Consideränd cá ín acest interval
de timp tranzistorul funcþioneazá ín RAN ßi cá t cr este considerabil mai mare ca t d 1 se poate
neglija componenta de purtátori majoritari a curentului de colector ßi folosind relaþiile de
circuit se reobþin relaþiile (11.60), respectiv (11.61). Condiþia iniþialá a ecuaþiei (11.61) este
ín acest caz i C (t = t 2 ) = 0, 1 ⋅ I C SI ßi conduce la soluþia:
  t − t2 
i C (t ) = β F ⋅ I BF ⋅  1 − exp − +
  τ BF + β F ⋅ C jC ⋅ R C  
(11.83)
 t − t2 
+ 0, 1 ⋅ I C SI ⋅ exp −
 τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C 
Timpul de creßtere se deduce din egalitatea:
i C (t 3 ) = 0, 9 ⋅ I C SI, (11.84)
de unde se obþine:
β F ⋅ I BF − 0, 1 ⋅ I C SI
t cr = t 3 − t 2 = (τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C ) ⋅ ln (11.85)
β F ⋅ I BF − 0, 9 ⋅ I C SI
Se observá cá timpul de creßtere scade pe másurá ce curentul I BF creßte.

Timpul de comutare directá ín saturaþie este:
t cd = t d 1 + t d 2 + t cr (11.86)
vI pn (x)
VR
a. e.
t
t -5
t3 t4
VF t2
t1
iB VF
IBF= >I
RB BSI x
0 W
pn (x)
t b.
0 t5 t8 t9 t +5
t6 t -5 f.
VR
-I BF =
iC RB t7
I Csat t8
I CSI
0,9 . I CSI t9 x
c. 0 W
0,1. I CSI t
.
t 2t 3 t 4 t5 t 6 t7t8 iC IBF
t d t cr tS t dcr VCC A
t cd t ci RC
I'B3
IB3
QB QS
IB2 g.
Q SS
IB1
.
t
Q BSI d.
B
t |VCEsat | VCC |vCE |
t2 t4 t5 t 6 t8
Figura 11.9. Comutarea TBJ ín/din regim de saturaþie:
a), b), c), d) formele de undá caracteristice comutárii; e) distribuþii ale concentraþiei
purtátorilor minoritari ín bazá la diferite momente corespunzátoare comutárii directe;
f) distribuþii ale concentraþiei purtátorilor minoritari ín bazá la diferite momente
corespunzátoare comutárii inverse; g) excursia punctului de funcþionare al TBJ.
La momentul t 4 cänd curentul de colector atinge valoarea I C SI tranzistorul intrá ín

regim de saturaþie. Sarcina QBF (0, W, t ) acumulatá päná ín acest moment ín regiunea bazei
neutre este QB SI(0, W ) = τ F ⋅ I C SI = τBF ⋅ I B SI . Folosind ecuaþiile modelului de control prin
sarciná valabile la saturaþie (relaþiile 11.46) ín care i B (t ) = I BF , cu condiþia iniþialá
QS (0, W, t 4 ) = 0 , se obþine expresia analiticá a sarcinii acumulatá suplimentar faþá de
sarcina QB SI(0, W ) corespunzátoare saturaþiei incipiente:
t−t
QS (0, W, t ) = τS ⋅ (I BF − I B SI ) ⋅  1 − exp  − τ 4   (11.87)
 S 
Procesul de acumulare de sarciná ín regiunea bazei neutre continuá päná la atingerea
valorii finale QS S (0, W ) = τ S ⋅ (I BF − I B SI) dacá t << τ S .
La t = t 5 polaritatea semnalului de intrare se schimbá, iniþiindu-se astfel procesul de

comutare inversá din regim de saturaþie ín regim de blocare. Curentul de colector rámäne la
valoarea I C sat ≈ I C SI ßi dupá momentul t 5 de aplicare a semnalului de comutare, pe o duratá
denumitá timp de stocare, t S , necesará evacuárii sarcinii QS S (0, W ) acumulate la saturaþie.
De asemenea, ín acest interval de timp tranzistorul este ín regim de saturaþie. Curentul de
bazá variazá prin salt la valoarea:
VR
i B (t ) = −I BR ≅ − (11.88)
RB
Folosind ecuaþiile modelului de control prin sarciná (11.46) valabile ín regim de
saturaþie cu i B dat de relaþia (11.88) ßi cu condiþia iniþialá QS (0, W, t 5 ) = Q S S (0, W ) se
obþine expresia variaþiei sarcinii QS (0, W, t ) ín intervalul ín care TBJ rámäne íncá ín regim
de saturaþie:
t −t
QS (0, W, t ) = −τS ⋅ (I BR + I B SI ) + τ S ⋅ (I BF + I BR ) ⋅ exp  − τ 5  (11.89)
S
Din relaþiile:
QS (0, W, t 6 ) = 0
, (11.90)
tS = t6 − t 5
se deduce expresia analiticá a timpului de stocare:
I BF + I BR
t S = τS ⋅ ln (11.91)
I BR + I B SI
La momentul t = t 6 tranzistorul intrá ín regim activ normal ßi din ecuaþiile modelului
de control prin sarciná ce caracterizeazá funcþionarea TBJ se obþine:
∂i C
−β F ⋅ I BR ≅ i C (t ) + (τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C ) ⋅
∂t (11.92)
i C (t = t 6 ) = I C SI = β F ⋅ I B SI
Soluþia ecuaþiei diferenþiale (11.92) este:
 t − t6 
i C (t ) = −β F ⋅ I BR + β F ⋅ (I BR + I B SI) ⋅ exp − , (11.93)
 τ BF + β F ⋅ C jC ⋅ R C 
iar expresia sarcinii QBF (0, W, t ) devine:
 t − t6 .
QBF (0, W, t ) = −τBF ⋅ I BR + τBF ⋅ (I BR + I B SI ) ⋅ exp − (11.94)
 τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C 
Folosind definiþia timpului de cádere t dsc enunþatá ín subcapitolul anterior se

determiná:
I B SI
1 + 0, 1 ⋅
I BR
t dcr = t 0,9 − t 0,1 = (τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C ) ⋅ ln (11.95)
I
1 + 0, 9 ⋅ B SI
I BR
Relaþia (11.95) relevá faptul cá timpul de cádere poate fi micßorat prin creßterea
curentului invers I BR .
Ín consecinþá, timpul de comutare inversá din regim de saturaþie ín regim de blocare
este:
t c i = t S + t dc (11.96)
Desigur, procesul de comutare continuá prin íncárcarea capacitáþilor de barierá ale
structurii. Íntärzierea corespunzátoare acestei faze se poate deduce folosind relaþia (11.80).
11.3.4.
11.3.4 . Metode de reducere a timpilor de comutare a TBJ
Relaþiile deduse anterior aratá clar faptul cá timpii de comutare directá ßi inversá
depind de atät de modul tehnologic de realizare al TBJ (timpi de viaþá ai purtátorilor
minoritari, capacitáþi de barierá etc.), cät ßi de circuitul exterior prin valorile curenþilor I BF ,
I B SI ßi I BR . Ín consecinþá, reducerea timpilor de comutare pentru acest dispozitiv se poate
realiza atät prin creßterea vitezei intrinseci a TBJ via tehnologie, cät ßi prin utilizarea unor
tehnici de circuit.
Micßorarea timpilor de comutare via tehnologie se poate realiza prin urmátoarele cái:
creßterea densitáþii centrelor de recombinare a purtátorilor de sarciná ín bazá;
doparea cu Au reduce timpul de viaþá al purtátorilor de sarciná ín bazá;
micßorarea dimensiunilor structurii ßi a rezistivitáþii bazei: micßorarea ariei
joncþiunilor conduce la scáderea capacitáþilor de barierá, iar micßorarea rezistivitáþii
bazei TBJ conduce la micßorarea rezistenþei r bb ßi deci la scáderea constantei de
timp r bb ⋅ (C jC + C jE ) ;
folosirea unor structuri eterogene de tipul Si/Ge x Si 1−x /Si , Al x Ga 1−x As/GaAs/GaAs
etc.;
Reducerea timpilor de viaþá ai purtátorilor de sarciná minoritari ín bazá prin doparea

cu Au a fost utilizatá pentru prima datá ín 1962 pentru creßterea vitezei circuitelor TTL
(transistor-transistor logic). Aceastá metodá de micßorare a timpilor de comutare prin
creßterea densitáþii centrelor de recombinare are urmátoarele limitári:
temperatura ínaltá la care difuzeazá Au limiteazá micßorarea timpilor τB , respectiv
τBF ßi τBR , la aproximativ 1ns ;
cu excepþia Au este dificilá obþinerea unor concentraþii mari de impuritáþi fárá a
genera defecte ín structura dispozitivului;
doparea cu Au a regiunii bazei ßi uneori a regiunilor din imediata vecinátate a

joncþiunilor determiná reducerea factorului de amplificare ín curent β F , mai ales ín
cazul tranzistoarelor pnp.
Ín tehnologia clasicá de realizare a TBJ creßterea vitezei intrinseci a acestuia se

realizeazá prin micßorarea ariilor joncþiunilor structurii ßi a grosimii bazei. Micßorarea
ariilor joncþiunilor structurii are ca efect micßorarea capacitáþilor de barierá. Micßorarea
grosimii bazei conduce la scáderea timpului de tranzit a purtátorilor de sarciná minoritari ín
bazá, t B , respectiv τF ßi τR . Totußi, micßorarea dimensiunilor regiunii bazei conduce la
creßterea rezistenþei r bb ßi deci la creßterea constantei de timp r bb ⋅ (C jC + C jE ) . Ín
consecinþá, cerinþa de creßtere a vitezei intrinseci a TBJ a condus la dezvoltarea unei noi
tehnologii ín 1980, cunoscutá sub denumirea de self aligned polysilicon-emitter technology .
Aceasta combinatá cu tehnologia izolárii dielectrice, a condus la elaborarea structurii
prezentate ín figura 11.10.
C LC B LE E B B E B LE=LC
WC
WC
+
C B E B B n E B
n+ p+ p p+
p
SiO2
SiO2
l CB
n- n-
n+ n+
l CS
p-
(a) S (b)
Figura 11.10. Secþiune transversalá printr-un TBJ realizat ín: a) tehnologie clasicá;
b) tehnologie self aligned polysilicon-emitter ßi cu izolaþie dielectricá.
Avantajele obþinute cu aceastá tehnologie sunt urmátoarele: dimensiuni reduse ale

ariilor joncþiunilor TBJ, doparea puternicá cu impuritáþi a emitorului fárá a introduce defecte
ín structurá, fapt ce conduce la obþinerea unui β F de valoare mare, obþinerea unei rezistenþe
r bb mici, prin izolare dielectricá aria joncþiunii colector-bazá nesuprapuse se micßoreazá ßi
ín consecinþá ßi efectele parazite introduse de aceasta etc. Inovaþiile aduse ín geometria
structurii de aceste tehnologii pot reduce constanta de timp r bb ⋅ (C jC + C jE ) la aproximativ
1ps .
Aßa cum am prezentat ín subcapitolul anterior principalii parametri ce limiteazá

performanþele TBJ intrinsec sunt: eficienþa emitorului, timpul de tranzit prin difuzie-drift al
emitorului, timpul de tranzit prin difuzie-drift al bazei, timpul de íncárcare/descárcare al
capacitáþilor de barierá ale structurii prin rezistenþa lateralá a bazei r bb , timpul de tranzit
prin drift prin regiunea de sarciná spaþialá a colectorului.
Cele mai multe din limitárile acestor parametri, ce apar ín TBJ omogene, pot fi
depáßite prin utilizarea unor structuri eterogene ín care emitorul, baza ßi colectorul sunt
realizate din materiale diferite. Ín acest fel cele trei regiuni ale TBJ vor avea valori diferite
ale dimensiunilor benzilor energetice, constantelor dielectrice, concentraþiilor intrinseci,
concentraþiilor impuritáþilor donoare sau acceptoare, timpilor de viaþá ßi mobilitáþilor
corespunzátoare celor douá tipuri de purtátori de sarciná. Astfel de TBJ eterogene au fost
fabricate cu succes pe un singur cristal semiconductor sub formá discretá íncepänd cu anul
1972, ajungändu-se ín prezent la performanþe deosebite ín ceea ce priveßte ráspunsul ín
frecvenþá, f T ≈ 400 GHz pentru structuri de tip n-InP/p-InGaAs/n-InGaAs/i-InP. Ín ceea ce
priveßte tehnologia integratá performanþele obþinute au fost mai modeste datoritá
neímperecherilor ce apar íntre reþelele cristaline ale materialelor utilizate. Direcþiile urmate
ín tehnologia integratá au avut la bazá structuri bazate pe: (1) Ga x As1−x , (2) Ga x Al y Asz , (3)
Si/Ge x Si 1−x /Si . Dintre acestea, structurile bazate pe Si/Ge x Si 1−x /Si sunt cele mai
promiþátoare datoritá urmátoarelor motive: vitezei intrinseci de ráspuns foarte mare,
frecvenþei de táiere mare, valorii mari ale factorului de amplificare ín curent β F datoritá
mobilitáþii ridicate a purtátorilor mobili de sarciná ßi a unei lárgimi energetice mai mici a
benzii interzise ín bazá, ußurinþei integrárii acestor structuri ín circuitele integrate bazate pe
Si.
Íncepänd cu anul 1980 integrarea TBJ eterogene de tip Si/Ge x Si 1−x / Si s-a dezvoltat
rapid graþie a trei tehnologii de fabricaþie:
MBE (Molecular Beam Epitaxy) elaboratá ín principal de John C.Bean la ATT Bell
Laboratories ín anii 1984-1986 ßi care nu se constituie ca o tehnologie de masá, fiind
mai mult utilizatá ín toate laboratoarele industriale ßi universitare de profil;
LRP-CVD (Limited Reaction Process) elaboratá de James F. Gibbons la Stanford
University ín 1989;
UHV-CVD-LTE (Ultrahigh-Vacuum/Chemical Vapor Deposition Low-Temperature
Silicon Epitaxy) inventatá ßi perfecþionatá de Bernard S. Meyerson la IBM-Yorktown
Heights Research Laboratories ín anii 1986-1990, folositá cu precádere ín realizarea
circuitelor integrate digitale ultrarapide ßi analogice de ínaltá frecvenþá.
Parametrii tehnologici ce asigurá performanþe electrice superioare structurilor

Si/Ge x Si 1−x /Si sunt:
diferenþa íntre lárgimile energetice ale benzilor interzise ale emitorului ßi bazei (
E G−E ßi E G−B )
∆E G =E G−E −E G−B > 0, (11.97)
asigurá o eficienþá ridicatá (apropiatá de 1) a emitorului;
diferenþa ∆E G apare ín principal ca discontinuitate ín banda de valenþá a structurii de

tip npn
∆E V −EB ≅ ∆E G ≅ (150 ÷ 200) meV
, (11.98)
∆E C−EB ≅ 20 meV
respectiv ín banda de conducþie a structurii de tip pnp;
prin gradarea concentraþiei de Ge x ín bazá se poate obþine o tranziþie liná íntre
nivelele energetice E V −E ßi E V −B , respectiv E C −E ßi E C −B , ßi deci se pot elimina
discontinuitáþile ce íncetinesc procesele de difuzie ßi de drift ale purtátorilor
minoritari ín bazá;
gradarea concentraþiei de Ge x ín bazá ín sensul scáderii acesteia cátre colector
determiná apariþia unui cämp electric intern ce micßoreazá substanþial timpul de
tranzit al purtátorilor minoritari ín bazá;
doparea cu impuritáþi a regiunii emitorului se poate realiza la nivele mai mici faþá de
TBJ omogene, asigurändu-se astfel o tensiune de strápungere VEB 0 mare, o
capacitate de barierá C bE micá ßi prevenind íngustarea benzii interzise a emitorului
ca efect al dopárii puternice, fapt ce creßte de asemenea eficienþa emitorului;
doparea cu impuritáþi a regiunii bazei se poate realiza la nivele mai ridicate faþá de
TBJ omogene obþinändu-se astfel o rezistenþá r bb micá ßi deci o creßtere a frecvenþei
de táiere ßi a vitezei intrinseci a TBJ; de asemenea, o concentraþie mare a
impuritáþilor dopante ín bazá reduce curentul de purtátori minoritari injectat ín bazá
din regiunea colectorului atunci cänd joncþiunea colectorului este polarizatá direct ßi
permite micßorarea grosimii bazei crescändu-se astfel viteza ßi frecvenþa de táiere ßi
micßorändu-se efectul Early;
creßterea mobilitáþii purtátorilor mobili de sarciná ín stratul Ge x Si 1−x micßoreazá
rezistenþa r bb ßi timpul de tranzit ín bazá t B ;
doparea cu impuritáþi a regiunii colectorului se poate realiza la nivele mai scázute
faþá de structurile omogene permiþänd astfel obþinerea unei capacitáþi de barierá C bC
mici ßi a unei tensiuni VCB 0 mari.
Ín figura 11.11 sunt prezentate benzile energetice ideale ale structurilor dublá
heterojoncþiune corespunzátoare TBJ de tip npn ßi pnp pentru douá profile ale concentraþiei
de impuritáþi ín bazá. Se observá cá pentru structurile ideale de tip npn ∆E C−EB = χ E − χ B = 0
ßi deci discontinuitatea apare numai ín nivelul energetic E V (x) , iar pentru structurile ideale
de tip pnp ∆E C−EB ≠ 0 ßi ∆E V −EB = 0.
Creßterea eficienþei emitorului structurilor Si/Ge x Si 1−x /Si este ilustratá pentru o
structurá de tip pnp cu profil constant al concentraþiei de Ge. Ín conformitate cu relaþia de
definiþie a eficienþei emitorului, neglijänd componenta de generare-recombinare
(aproximaþie valabilá pentru acest tip de structuri, dar care nu poate fi aplicatá altor
semiconductoare compuse, ín special combinaþiilor íntre materiale aparþinänd grupelor III ßi
V) ßi utilizänd relaþia (5.19) se obþine:
I Ep 1
γE = ≅ (11.99)
I Ep + I En + I gr EB D
(E )
n W
( )
n pE
1+ ⋅ ⋅
Dp L (nE ) p n
p-Ge x Si1-x n-Ge x Si1-x

+ +
n n p p
(E) (B) (E) (B)

ND NA (C) NA ND (C)
ND x NA x
x x (a)
Ge hetero-TBJ Ge
∆ EV homo-TBJ ∆E C
x x (b)
Ge x Ge x
x x
(c)
x x
(d)
x x (e)
x x
(f )
Figura 11.11. Diagramele energetice ale structurilor Si/GexSi1-x/Si de tip npn ßi de tip pnp
a) profilele concentraþiilor de impuritáþi; b) diagramele energetice ideale pentru profil
constant al concentraþiei de Ge; c) diagramele energetice ideale pentru profil gradat al
concentraþiei de Ge; d) diagramele energetice reale pentru profil constant al concentraþiei
de Ge; e) diagramele energetice reale pentru profil gradat al concentraþiei de Ge;
Raportul íntre concentraþiile purtátorilor de sarciná minoritari ín emitor ßi ín bazá se

poate evalua folosind relaþiile (2.12) ßi (2.14):
2
 n (E ) 
 i  2
E
(E ) (E )  n (E ) 
 i  (B ) exp  − G −E  (B )
np NA ND k ⋅ T ND
pn = 2 = 2 ⋅ (E ) =

⋅
E G −B  N A(E )
=
 n (B )   n (B )  NA exp  −
 i   i  k⋅T 
(B ) (11.100)
ND
( ) (B )
NDB  E G −E − E G −B  N D ∆E
= (E ) ⋅ exp  −  = (E ) ⋅ exp  − G −EB  =
NA k⋅T NA k⋅T
(B )
N ∆E
= D(E ) ⋅ exp  − C −EB 
NA k⋅T
Ínlocuind ín (11.99) raportul n p(E )/p n prin expresia (11.100) se obþine:

γE ≅ 1 (11.101)
(E ) (B )
N ∆E
1 + Dn ⋅ W ⋅ D(E ) ⋅ exp  − C −EB 
Dp L n NA
(E ) k⋅T
Relaþia (11.101) aratá modul ín care diferenþa íntre benzile interzise ale regiunilor
emitorului ßi colectorului asigurá micßorarea raportului I En /I Ep ßi deci creßterea eficienþei
emitorului. Prezenþa termenului exponenþial ín expresia raportului I En /I Ep face posibilá
(B ) (E ) (B )
creßterea raportului ND /NA prin creßterea concentraþiei ND ín bazá ßi micßorarea
concentraþiei NA(E ) ín emitor, obþinändu-se astfel avantajele menþionate anterior.
Micßorarea timpilor de comutare ai TBJ via circuit exterior se poate realiza prin
urmátoarele metode:
utilizarea unor semnale de comandá cu nivele VF ßi VR mari astfel íncät curenþii
I BF , I BR ßi I B SI sá creascá ßi ín consecinþá timpii de comutare sá se micßoreze;
folosirea unui capacitor de accelerare ín circuitul de intrare;
utilizarea unei diode Schottky legatá ín paralel cu joncþiunea colector-bazá care sá
ímpiedice saturarea profundá a TBJ;
utilizarea unei surse de curent constant ín emitor, de valoare mai micá ca cea
corespunzátoare saturaþiei TBJ, care sá fie activatá de semnalul de comandá.
Folosirea unui capacitáþi de accelerare ín circuitul de intrare este una din cele mai
utilizate metode de creßtere a vitezei de comutaþie a TBJ. Circuitul utilizat ßi formele de
undá corespunzátoare sunt prezentate ín figura 11.12.
Curentul de bazá la comutarea directá are iniþial valoarea i B (t = 0) = I BF 0 = VF /R B1
(tensiunea pe condensatorul C fiind nulá la t = 0), scázänd dupá aceea cátre valoarea de
regim staþionar i B (t 1 ) = I BF = VF /(R B1 + R B2 ) < I B SI. Consideränd valabile urmátoarele
inegalitáþi R B1 << R B2 ßi VF << v EB , curentului de bazá ín acest interval de timp devine:
v dv V −v
i B (t ) = i R B 2 + i cond = C + C ⋅ C ≅ F C , (11.102)
R B2 dt R B1
obþinändu-se urmátoarea ecuaþie diferenþialá
dv C
V F = v C + (R B 1 R B 2 ) ⋅ C ⋅ (11.103)
dt
cu soluþia
  t 
v C (t ) = VF  1 − exp  −  . (11.104)
  (R B 1 R B 2 ) ⋅ C  
Din egalitatea
R B2
v C (t 1 ) = V F ⋅ (11.105)
R B1 + R B2
se obþine expresia timpului ín care condensatorul de accelerare se íncarcá de la 0 la valoarea
finalá QC (t 1 ) = C ⋅ V F ⋅ R B2 /(R B1 + R B2 ) :
R + R B2
t 1 = (R B1 R B2 ) ⋅ C ⋅ ln B1 (11.106)
R B1
vI t
-VF
IBF0 i B (t)
-VCC
vC
IBF
C RC
t
iB
-IBR
v0
vI R B1 R B2
vEB
-IBR0
v0 t
-VCC +ICF.RC
-VCC
Q BF
Figura 11.12. Creßterea vitezei de comutare a TBJ prin utilizarea unei

capacitáþi de accelerare.
Sarcina injectatá ín bazá päná la momentul t 1 este:

QBF (0, W, t 1 ) = QC (t 1 ) = τF ⋅ i C (t 1 ), (11.107)
iar valoarea curentului de colector la t 1 este:
C⋅V R B2
i C (t 1 ) = τ F F ⋅ (11.108)
R B1 + R B2
Pentru t ≥ t 1 , la comutare directá, modelul de control prin sarciná furnizeazá
urmátoarea ecuaþie:
∂i C
β F ⋅ I BF ≅ i C (t ) + (τ BF + β F ⋅ C jC ⋅ R C ) ⋅ (11.109)
∂t
cu condiþia iniþialá (11.108) ßi soluþia:
VF   t 
i C (t ) = β F ⋅ ⋅  1 − exp − +
R B1 + R B2   τ BF + β F ⋅ C jC ⋅ R C  
C⋅V R B2  t 
+ τF F ⋅ ⋅ exp − = (11.110)
R B1 + R B2  τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C 
C ⋅ R B2  t 
= β ⋅I +β ⋅I ⋅ 
F BF F BF − 1  ⋅ exp −
 τBF   τBF + β F ⋅ C jC ⋅ R C 
Analizänd relaþia (11.110) se observá cá dacá este índeplinitá condiþia:
C ⋅ R B2 = τBF , (11.111)
atunci
i C (t ≥ t 1 ) = β F ⋅ I BF, (11.112)
iar timpul de íntäziere al curentului de colector ín aceastá etapá devine nul. Ín practicá,
datoritá capacitáþilor ßi inductanþelor parazite, dependenþei factorului β F de valoarea
curentului prin dispozitiv ßi timpului de tranzit al purtátorilor mobili de sarciná prin bazá, se
obþine o micá íntärziere ín stabilirea curentului la valoarea β F ⋅ I BF . Ín consecinþá:
R + R B2
t cd ≅ t 1 = (R B1 R B2 ) ⋅ C ⋅ ln B1 (11.113)
R B1
La momentul t 2 nivelul semnalului de intrare se schimbá ßi íncepe procesul de
comutare inversá a TBJ. Curentul de bazá variazá prin salt la valoarea:
R B2
V R + VF ⋅
V + v (t ) R B1 + R B2
i B (t 2 ) = −I BR 0 = − R C 2 = − (11.114)
RB 1 RB1
ßi scade exponenþial cátre I BR = VR /(R B1 + R B2 ) cu constanta de timp (R B1 R B2 ) ⋅ C .
De la momentul t 3 curentul de bazá scade cátre 0 cu o constantá de timp mult mai
micá determinatá de capacitatea C jE .
Pentru a preveni intrarea ín saturaþie adäncá a TBJ se poate conecta o diodá Schottky
ín paralel cu joncþiunea colector-bazá a acestuia (vezi figura 11.13). Motivele sunt
urmátoarele: curentul direct ín joncþiunile metal-semiconductor de tip n este format din
purtátori majoritari ßi tensiunea de deschidere a acesteia este mai micá ca cea
corespunzátoare unei joncþiuni p-n. Astfel, ín regim de saturaþie al TBJ, dioda Schottky
limiteazá cáderea de tensiune pe joncþiunea colector-bazá la valori mici (mai mici ca Vγ ),
astfel íncät sarcina QS (0, W, t ) acumulatá ín bazá este foarte micá ßi timpul de stocare este
aproape eliminat.
vI
-VCC t
RC -VF
SD
v0
t
RB
fárá diodá Schottky
T
vI
cu diodá Schottky
Figura 11.13. Ímbunátáþirea vitezei de comutaþie al TBJ

prin utilizarea unei diode Schottky.
A patra metodá de creßtere a vitezei de comutaþie a TBJ este prezentatá ín figura

11.14. Ín acest caz semnalul de intrare comandá calea de curgere a curentului constant
furnizat de sursa I EE , ce are valoarea selectatá astfel íncät sá menþiná dispozitivul ín RAN,
íntre TBJ ce trebuie comutat ßi un al doilea TBJ sau o diodá.
Aceastá metodá este folositá ín circuitele logice ECL (Emitter Coupled Logic) ßi se
íntälneßte sub denumirea de CLM (Current Mode Logic). Structura unui astfel de circuit este
similará unui amplificator diferenþial. Stabilirea cáii de curgere a curentului I EE se
realizeazá prin compararea nivelului tensiunii de intrare cu o tensiune de referinþá VREF .
Astfel, cänd v I << VREF tranzistorul T1 se blocheazá ßi curentul circulá prin dioda D sau
tranzistorul T2, iar cänd v I >> VREF tranzistorul T1 comutá ín RAN ßi dioda D sau
tranzistorul T2 se blocheazá.
VCC
VCC
RC
R C1 R C2 =R C1
vO
T2 T3 VREF
T1
vI
vI VREF
I EE
I EE
-VEE
a. b.
Figura 11.14. Creßterea vitezei de comutare prin comutarea unui curent íntre douá
cái: a) TBJ T1 ßi dioda D; b) TBJ T1 ßi TBJ T2.
11.4. Regimul de comutare al tranzistoarelor cu efect de cämp
Tranzistoarele cu efect de cämp, ín special tranzistoarele MOSFET, sunt cele mai

fabricate dispozitive datoritá folosirii lor pe scará largá ín inversoarele logice ßi ín memoriile
logice.
Viteza de comutare a tranzistoarelor cu efect de cämp ín circuitele integrate digitale
este determinatá de douá mecanisme ale cáror timpi de desfáßurare sunt cunoscuþi sub
denumirile de: timp de íntärziere intrinsec sau timp de tranzit datorat timpului finit de
traversare a canalului de purtátorii de sarciná majoritari ßi timpul de íntärziere extrinsec
datorat sarcinii capacitive ßi elementelor parazite capacitive ale FET. Cele douá mecanisme
au loc simultan ín dispozitiv, iar timpul de comutare total este numit timp de íntärziere al
porþii. Ín marea majoritate a circuitelor de comutaþie ßi logice sarcina tranzistoarelor cu efect
de cämp este ín principal capacitivá (circuitul de poartá al tranzistorului cu efect de cämp
comandat). Astfel, timpul de íntärziere extrinsec este datorat: íncárcárii sau descárcárii unei
capacitáþi ßi íntärzierii R ⋅ C datorate liniilor de conexiune íntre cele douá FET-uri.
Timpii de íntärziere, intrinsec ßi extrinsec, ai FET pot fi micßoraþi prin micßorarea
dimensiunilor dispozitivului ßi prin scurtarea liniilor de conexiune. Ín circuitele integrate,
aceste másuri conduc la creßterea densitáþii de integrare a dispozitivelor ßi deci la creßterea
puterii disipate pe unitatea de arie. Pentru a descrie performanþele tranzistoarelor cu efect de
cämp, ín acest caz, este definit un nou criteriu de performanþá cunoscut sub denumirea de
produs putere-íntärziere (power-delay product) sau energie de comutare: Pd ⋅ t d .
Ín acest subcapitol se vor analiza mecanismele intrinseci ßi extrinseci

corespunzátoare comutárii tranzistoarelor cu efect de cämp ßi se vor determina expresii
analitice pentru timpii de íntärzire (intrinsec ßi extrinsec) ßi produsul putere-íntärziere. Mai
íntäi ínsá se vor reaminti principalele proprietáþi ale FET care le deosebesc net de
tranzistoarele bipolare:
rezistenþa de ießire ín stare blocatá este foarte mare, aproximativ (108 ÷ 10 12 ) Ω ;
rezistenþa de ießire ín stare de conducþie este mai mare ca la TBJ, de aproximativ
(104 ÷ 10 5 ) Ω pentru TECJ ßi (103 ÷ 10 4 ) Ω ín regiunea de saturaþie, respectiv
(1 ÷ 103 ) Ω , ín funcþie de valoarea tensiunii grilá-sursá, ín regiunea liniará;
rezistenþa de intrare este de aproximativ (108 ÷ 10 3 ) Ω pentru TECJ ßi de
(1012 ÷ 10 14 ) Ω pentru TECMOS;
tranzistoarele cu efect de cämp funcþioneazá cu purtátori majoritari ßi de aceea nu
sunt afectate de fenomenele de acumulare de sarciná, ráspunsul lor intrinsec fiind
mai rapid ca al TBJ.
Datoritá largii lor utilizári ín circuitele integrate digitale, analiza se va efectua pe un
tranzistor MOS cu canal n. Pentru restul tranzistoarelor cu efect de cämp analiza se poate
efectua íntr-un mod similar.
11.4.1. Timpul de íntärziere intrinsec
Considerám circuitul de test reprezentat ín figura 11.15.a, ce reprezintá de fapt un

circuit inversor. Íntre sarcina acumulatá ín canal ßi curentul de drená al MOSFET existá
urmátoarea relaþie:
dQC
i D (t ) = (11.115)
dt
La comutarea directá a dispozitivului sarcina ín canal variazá íntre 0 ßi valoarea
finalá QC f corespunzátoare unui punct de funcþionare stabil caracterizat de coordonatele
(I D , V DS ) ín planul caracteristicilor de ießire ale MOSFET. Integränd relaþia (11.115) se
obþine:
ttr
t tr = ∫ dt = ∫
QCf 1 ⋅dQ (11.116)
C
0 0 i D (t )
Datoritá faptului cá nu se cunoaßte dependenþa exactá íntre i D ßi QC integrala de mai
sus nu poate fi evaluatá exact. Folosind o aproximaþie cvasi-dinamicá, prin care se considerá
cá ∆QC este proporþionalá cu i D pe íntreaga perioadá de tranzit, ßi utilizänd expresiile (7.53)
ßi (7.113), deduse ín capitolul 7, se obþine:
2 2
2 ⋅ W ⋅ L ⋅ C ⋅ 3 ⋅ (V GS − VP ) − 3 ⋅ (V GS − VP ) ⋅ V DS + VDS
0
QC f 3 2 ⋅ (VGS − V P ) − VDS
t tr ≅ =
ID W ⋅ µ ⋅ C ⋅  (V − V ) ⋅ V − VDS 
2
(11.117)
2 ⋅ L n 0  GS P DS
2 
2 (V GS − V P ) 2 − (V GS − V P ) ⋅ V DS + V DS
2
=8⋅ Lµn ⋅
[2 ⋅ (VGS − V P ) − VDS ]2 ⋅ VDS
Atunci cänd comutaþia se face din regiunea de blocare ín regiunea de saturaþie

expresia timpului de tranzit capátá urmátoarea formá particulará:
t tr ≅ 8 ⋅ L
2 1 (11.118)
µn ⋅ (VGS − V P )
Valoarea timpului de tranzit este foarte micá, maxim zeci de ns.
vi
+VDD
VGG
RD
t1 t
vi C L VD vGS
RG
VP +VGG
+ -
VG = VP VP
t
a. b.
ID sat
iD
4.
. 3 .2 V GS= VP +VGG
D
G
VGS C GS iD (VGS,VDS) CL VD
α tgα =RD
.5 .1
VDD
VDS S S
VDS,sat=VGS -Vp
c. d.
Figura 11.15. Circuitul utilizat pentru evaluarea timpului de comutate al MOSFET.
11.4.2. Produsul putere-íntärziere
Expresia generalá a acestui criteriu de performanþá se poate determina cu ußurinþá

ínlocuind ín expresia de definiþie relaþiile (11.117) ßi (7.113). Se obþine astfel:
E comutare = ∫ i D (t ) ⋅ v D (t ) ⋅ dt ≅ I D ⋅ VDS ⋅ t tr ≅ V DS ⋅ QC f =
3 ⋅ (V GS − VP ) 2 − 3 ⋅ (V GS − VP ) ⋅ V DS + VDS
2 ,(11.119)
= 2 ⋅ W ⋅ L ⋅ C0 ⋅ ⋅ VDS
3 2 ⋅ (VGS − V P ) − VDS
iar pentru comutarea ín regiunea de saturaþie
E comutare st. = 2 ⋅ W ⋅ L ⋅ C 0 ⋅ (VGS − VP ) 2 . (11.120)
3
Valoarea acestui parametru poate varia íntre 0, 25 fJ pentru tranzistoarele cu canal
scurt ßi 120 ÷ 500 fJ pentru MOSFET cu L ∈ [1; 5]µm.
11.4.3. Timpul de íntärziere extrinsec
Pentru determinarea timpului de íntärziere extrinsec utilizám din nou circuitul de test
din figura 11.15. Nivelul 0 al semnalului de intrare menþine tranzistorul MOS blocat, iar la
t = 0 schimbarea nivelului semnalului de intrare la VGG determiná comutarea directá a
dispozitivului, tensiunea aplicatá íntre grilá ßi sursá fiind VGG + V P .
Excursia punctului de funcþionare al MOSFET este prezentatá ín figura 11.15.c. La

aplicarea tensiunii de comandá a comutárii directe , curentul de drená se stabileßte aproape
instantaneu deoarece timpul intrinsec de tranzit al purtátorilor majoritari prin canal este
neglijabil ín raport cu timpii de íntärziere extrinseci ßi punctul de funcþionare trece din
poziþia 1 ín poziþia 2. Tranzistorul MOS comutá astfel din stare de blocare (poziþia 1) ín stare
de saturaþie (poziþia 2) deoarece v DS (2) = V DD > V DS sat = VGS − VP . Consideränd cá relaþia de
dependenþá i D = i D (v GS , v DS ) de regim staþionar poate fi aplicatá ßi ín regim tranzitoriu,
curentul de drená al MOSFET ín punctul static 2 este:
I D (2) = β ⋅ (VGS − V P ) 2 = β ⋅ VGG
2
(11.121)
De aici íncepe procesul de descárcare a capacitáþii de sarciná C L , astfel íncät
tensiunea pe condensator scade de la valoarea iniþialá VDD la valoarea finalá VDS (4)
corespunzátoare punctului 4 (aflat la intersecþia dreptei de sarciná cu caracteristica staticá
v GS = VGG + V P ) din planul caracteristicilor statice de ießire. Aceastá excursie a punctului de
funcþionare poate fi ímpárþitá ín douá subetape:
din punctul de funcþionare 2 ín punctul de funcþionare 3 (corespunzátor saturaþiei
incipiente, VDS (3) = V GS − VP = VGG ), tranzistorul fiind ín regim de saturaþie pe
íntreaga periodá de variaþie a tensiunii drená-sursá;
din punctul 3 ín punctul 4, excursia punctului de funcþionare realizändu-se ín
regiunea neliniará a caracteristicii statice de ießire corespunzátoare VGS = VGG + V P .
Timpul de íntärziere extrinsec, notat cu t d ex , va fi deci suma íntre timpul
corespunzátor excursiei punctului de funcþionare de la 2 la 3, t 23 , ßi timpul corespunzátor
excursiei punctului de funcþionare íntre 3 ßi 4, t 34 , adicá:
t d ex = t 23 + t 34 (11.122)
Neglijänd componenta de curent prin rezistenþa R D , din relaþiile de circuit se obþine:
dv
i D ≅ −C L ⋅ DS (11.123)
dt
Excursia punctului de funcþionare íntre 2 ßi 3 se realizeazá la curent constant,
tranzistorul MOS fiind ín regim de saturaþie:
i D = I D sat = β ⋅ (VGS − V P ) 2 = β ⋅ VGG
2
(11.124)
Ín consecinþá timpul de comutare íntre 2 ßi 3 este:
V DS (3) − V DD C L ⋅ (VDD − VGG )
t 23 ≅ −C L ⋅ = (11.125)
I D sat 2
β ⋅ V GG
Excursia punctului de funcþionare íntre 3 ßi 4 se realizeazá ín regiunea liniará ín care

curentul de drená este dat de expresia:
2
 V DS 
i D = 2 ⋅ β ⋅  (VGS − V P ) ⋅ VDS − (11.126)
 2 
Ínlocuind (11.126) ín (11.123) se obþine o ecuaþie diferenþialá de tip Riccati:
 v2  dv
2 ⋅ β ⋅  (VGS − V P ) ⋅ v DS − DS  = −C L ⋅ DS , (11.127)
 2  dt
cu condiþia iniþialá v DS (t = 0) = V DS (3) = VDS sat = VGS − V P = V GG .
Substituþia variabilei v DS prin 1/z conduce la o ecuaþie diferenþialá liniará ín z:
CL
z− ⋅ dz = 1 , (11.128)
2 ⋅ β ⋅ (VGS − V P ) dt 2 ⋅ (V GS − VP )
cu condiþia iniþialá z 0 = 1/VDS sat = 1/V GG .
Notänd cu
CL
τ= , (11.129)
2 ⋅ β ⋅ V GS − VP )
(
se obþine urmátoarea soluþie pentru ecuaþia (11.128):
z= 1 ⋅  1 − exp  + τt   + z 0 ⋅ exp  + τt  . (11.130)
2 ⋅ (VGS − V P )  
Ín consecinþá, legea de variaþie a tensiunii drená-sursá este:
v DS (t ) = 1 =
1 ⋅ 1 − exp  + τt   + 1 ⋅ exp  + τt 
 
2 ⋅ (V GS − VP )   VDS (3)
, (11.131)
VGG ⋅ exp  − τt 
=
1 ⋅  exp  − t  − 1  + 1
2   τ 
iar timpul de comutare íntre punctele 3 ßi 4 se determiná din condiþia VDS (4) = v DS (t 34) ßi
este dat de urmátoarea expresie analiticá:
2 ⋅ (VGS − V P )
1−
CL V DS (4)
t 34 = ⋅ ln
2 ⋅ β ⋅ (V GS − VP ) 2 ⋅ (VGS − V P )
1− . (11.132)
V GG
CL  2 ⋅ V GG 
= ⋅ ln −1
2 ⋅ β ⋅ VGG  VDS (4) 
Valoarea tensiunii VDS (4) se determiná din sistemul urmátor:
2
  V DS (4) 
 2 ⋅ β ⋅  (VGS − V P ) ⋅ VDS (4) −  = I D (4)
  2  (11.133)

 VDD = VDS (4) + R D ⋅ I D (4)
Timpul de comutare directá este:
t cd = t tr + t d ex = t tr + t 23 (11.134)
La momentul t 1 nivelul semnalului de intrare devine din nou 0 ßi íncepe procesul de

comutare inversá. Punctul static de funcþionare se va deplasa aproape instantaneu (t 45 ≅ t tr )
ín punctul 5, iar din punctul 5 ín 1 íntr-un timp finit, t 51 , necesar íncárcárii condensatorului
de sarciná C L astfel íncät tensiunea v C sá deviná egalá cu 0, 9 ⋅ V DD . Legea de variaþie a
tensiunii drená-sursá se determiná din ecuaþia urmátoare:
dv DS V DD − v DS
i D +i C = i C = C L ⋅ = (11.135)
dt RD
0
Se obþine astfel:
v DS (t ) = VDD − (VDD − V DS (5)) ⋅ exp  − t  (11.136)

R D ⋅ CL 
Din condiþia
v DS (t 51 ) = 0, 9 ⋅ VDD (11.137)
rezultá expresia analiticá a timpului de íntärziere extrinsec la comutare inversá:
(VDD − VDS (5))
t i ex = t 51 = R D ⋅ C L ⋅ ln (11.138)
0, 1 ⋅ VDD
Ín consecinþá, timpul de comutare inversá al MOSFET este:
t ci = t tr + t iex = t tr + t 51 (11.139)

Regimul de Comutare Al Dispozitivelor Semiconductoare

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Regimul de Comutare Al Dispozitivelor Semiconductoare

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

11

Regimul de comutare este un caz particular al funcþionárii dispozitivelor ín regim

Metoda rezolvárii aproximative a ecuaþiei de continuitate ín regim variabil constá

Forma liniarizatá a ecuaþiei de continuitate este cunoscutá sub denumirea de ecuaþie

Metoda circuitului echivalent, constá ín utilizarea circuitului echivalent de semnal

Metoda sarcinii constá ín descrierea funcþionárii dispozitivului prin relaþii íntre

unde A este aria transversalá a regiunii considerate ßi c concentraþia purtátorilor minoritari

Metoda numericá rezolvá problema neliniará a funcþionárii dispozitivului ín regim

Ín acest capitol se vor evidenþia procesele tranzitorii ßi timpii de desfáßurare ai

11.2 . Regimul de comutare al joncþiunii p-n

Diodele bazate pe joncþiunea p-n au aplicabilitate largá ín circuitele de comutaþie.

11.2.1. Modelul de control prin sarciná al joncþiunii p-n

reprezintá sarcina acumulatá ín exces ín regiune.

11.2.2 . Comutarea directá a joncþiunii p -n

Analiza regimului de comutare a joncþiunii p -n se va face pentru o structurá cu profil

La t = 0 , prin trecerea comutatorului K din poziþia 0 ín poziþia 1, joncþiunea este

Formele de undá relevá clar faptul cá la t = 0 dispozitivul comutá ín curent . Problema

Qp (x 1 , x 2 , t ) = I F ⋅ τef ⋅  1 − exp  − τt   (11.17)

Timpul, notat cu t cr , ín care sarcina acumulatá ín exces faþá de situaþia de echilibru

a) la nivel mic de injecþie; b) la nivel mare de injecþie.

11.2.3 . Comutarea inversá a joncþiunii p -n

Curentul prin structurá ín acest interval este dat de relaþia:

Folosind relaþia analiticá de definiþie a timpului de stocare v A (t s ) = 0 , þinänd cont de

Ín consecinþá folosind relaþiile (11.24) ßi (11.25) se deduce expresia timpului de

Odatá evacuatá sarcina acumulatá ín exces din regiunea cvasineutrá n, tensiunea

Ín consecinþá, timpul de comutare inversá al joncþiunii p-n, notat cu t ci , este dat de

Relaþiile (11.18) ßi (11.36) aratá clar faptul cá timpii de comutare t cd ßi t ci depind

O diodá specializatá pentru lucrul ín regim de comutare este dioda cu revenire ín

O altá categorie de diode specializate pentru lucrul ín regim de comutaþie íl

O metodá de circuit menitá sá reducá timpii de comutare inversá ai diodelor este

Figura 11.5. Exemplu de metodá de circuit folositá pentru reducerea timpului de

La t = 0 , datoritá saltului de tensiune la intrarea circuitului ßi tensiunii mici pe

Funcþionarea tranzistorului bipolar ín regim de comutaþie implicá trecerea bruscá a

Figura 11.6. Circuit inversor cu TBJ ín conexiune EC.

Timpii de comutare directá ßi inversá ai TBJ se vor determina folosind modelul de

Atunci cänd TBJ funcþioneazá ín regim de saturaþie sarcina acumulatá ín exces ín

Considerám cá atacám etajul din figura 11.6 cu un semnal v I (t ) prezentat ín figura

Íntärzierea datoratá fazei I se poate determina neglijänd fenomenele corespunzátoare

Ín consecinþá ecuaþia (11.49), pentru acest circuit, devine:

Ecuaþia (11.51) devine pentru t ≥ 0 :

cu condiþia iniþialá v EB (t = 0) = −V R ßi soluþia:

Consideränd cá faza I dureazá päná cänd tensiunea v EB corespunzátoare

Ín continuare se determiná íntärzierea datoratá fenomenelor fizice ce þin de difuzia

La t = t 4 polaritatea semnalului de intrare se schimbá, iniþiindu-se astfel procesul de

Expresia timpului de comutare inversá nu include ßi íntärzierea datá de fenomenele

Expresia analiticá a íntärzierii corespunzátoare fazei IV se deduce din relaþiile:

Se observá cá timpul de creßtere scade pe másurá ce curentul I BF creßte.

La momentul t 4 cänd curentul de colector atinge valoarea I C SI tranzistorul intrá ín

La t = t 5 polaritatea semnalului de intrare se schimbá, iniþiindu-se astfel procesul de

Folosind definiþia timpului de cádere t dsc enunþatá ín subcapitolul anterior se

Reducerea timpilor de viaþá ai purtátorilor de sarciná minoritari ín bazá prin doparea

doparea cu Au a regiunii bazei ßi uneori a regiunilor din imediata vecinátate a

Ín tehnologia clasicá de realizare a TBJ creßterea vitezei intrinseci a acestuia se

Avantajele obþinute cu aceastá tehnologie sunt urmátoarele: dimensiuni reduse ale

Aßa cum am prezentat ín subcapitolul anterior principalii parametri ce limiteazá

Parametrii tehnologici ce asigurá performanþe electrice superioare structurilor

diferenþa ∆E G apare ín principal ca discontinuitate ín banda de valenþá a structurii de

p-Ge x Si1-x n-Ge x Si1-x

(E) (B) (E) (B)

Raportul íntre concentraþiile purtátorilor de sarciná minoritari ín emitor ßi ín bazá se

Ínlocuind ín (11.99) raportul n p(E )/p n prin expresia (11.100) se obþine:

Figura 11.12. Creßterea vitezei de comutare a TBJ prin utilizarea unei

Sarcina injectatá ín bazá päná la momentul t 1 este: