6

TRANZISTOARE CU
EFECT DE CÄMP CU
GRILÁ JONCÞIUNE

6.1. Generalitáþi

Tranzistoarele ín care conducþia electricá este asiguratá de un singur tip de purtátori de

sarciná se numesc tranzistoare unipolare. Datoritá faptului cá funcþionarea tranzistoarelor
unipolare se bazeazá pe principiul modulaþiei conductivitáþii unei regiuni semiconductoare,
numite "canal", prin aplicarea unui cämp electric transversal (ce modificá fie dimensiunile,
fie concentraþiile purtátorilor mobili de sarciná corespunzátoare canalului), acest tip de
tranzistoare se numesc ßi tranzistoare cu efect de cämp. Pentru aceste dispozitive se foloseßte
curent prescurtarea de TEC sau FET (Field Effect Transistor). Tranzistoarele cu efect de
cämp pot fi grupate astfel:
ín funcþie de compoziþia grilei sau porþii (elementul de comandá prin care se aplicá
cämpul transversal ce moduleazá conductivitatea canalului) avem trei tipuri de FET:
cu poartá de tip barierá Schottky metal-semiconductor, tranzistoarele numindu-se
MESFET;
cu poartá de tip metal-izolator-semiconductor (MOS), tranzistoarele numindu-se
MOSFET sau TECMOS;
cu poartá de tip joncþiune p-n, tranzistoarele numindu-se JFET sau TECJ;
ín funcþie de geometria grilei avem douá tipuri de FET:
cu grila poziþionatá pe o singurá parte a structurii semiconductoare;
cu grila situatá pe douá feþe ale structurii semiconductoare;
ín funcþie de compoziþia regiunii semiconductoare a canalului avem:
FET cu canal indus ßi
FET cu canal iniþial, dopat;
ín funcþie de omogenitatea structurii semiconductoare:
FET omogene;
FET heterogene.

Dintre tranzistoarele cu efect de cämp, acest capitol trateazá pe cele cu poartá de tip
joncþiune p-n, prezentändu-se caracteristicile statice ideale, circuitele tipice de polarizare,
184 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

modele de semnal mare ßi de semnal mic corespunzátoate JFET. Tranzistoarele MOSFET vor
fi prezentate ín capitolul urmátor. Tranzistoarele FET heterogene sunt utilizate cu precádere
ín aplicaþiile optoelectronice de mare vitezá ßi ín cele de comutaþie ßi nu vor fi prezentate ín
cadrul acestei lucrári.

Tranzistorul cu efect de cämp cu grilá de tip joncþiune (JFET sau TECJ) a fost
inventat teoretic de Shockley ín 1952 ín scopul ínláturárii problemelor de instabilitate ßi
reproductibilitate a caracteristicilor tranzistoarelor MESFET, datorate stárii suprafeþelor de
contact metal-semiconductor, ßi fabricat pentru prima datá ín 1953 de Decay ßi Ross. Acest
dispozitiv este ín esenþá un rezistor (o regiune semiconductoare de tip n sau p numitá canal
conductiv sau coductor) a cárui secþiune este controlatá de grosimea regiunii de sarciná
spaþialá a unei (sau a douá) joncþiuni p-n. Ín figura 6.1. este prezentat un JFET
planar-epitaxial cu canal conductiv de tip n. Canalul conductiv are grosimea delimitatá de
regiunile de sarciná spaþialá corespunzátoare joncþiunilor poatá-canal ßi substrat-canal, aceasta
fiind de 10 ÷ 100 ori mai micá ca lungimea canalului, iar cele douá capete ale sale sunt
conectate prin contacte ohmice la douá terminale numite drená (D) ßi sursá (S). Ín cele mai
multe cazuri substratul este legat la acelaßi potenþial cu grila, obþinändu-se astfel un "efect de
cämp" aproximativ simetric faþá de axa longitudinalá. Totußi, electrodul corespunzátor
substratului poate fi folosit independent, caz ín care se obþine tetroda cu efect de cämp. Un
control eficace al secþiunii canalului se obþine dacá joncþiunile poatá-canal ßi substrat-canal
sunt polarizate invers, deoarece astfel dimensiunile regiunilor de sarciná spaþialá se modificá
semnificativ odatá cu modificarea tensiunilor aplicate.

Drená Grilá
Sursá

y n+ p+ n+
n W
x
Substrat p+

Substrat
Figura 6.1. Secþiune printr-un JFET planar-epitaxial cu canal conductiv de tip n.

Simbolurile grafice folosite pentru cele douá variante de tranzistoare cu efect de cämp
cu grilá joncþiune planar-epitaxiale, precum ßi sensul convenþional al curenþilor ßi tensiunilor
corespunzátoare acestora, sunt reprezentate ín figura 6.2. Ságeata din simbolul grafic indicá
tipul conductibilitáþii canalului. Polarizarea normalá, pentru funcþionarea ca amplificator, a
JFET este de asemenea ilustratá ín figura 6.2. Aßa cum am menþionat anterior pentru un
control eficient al conductibilitáþii canalului trebuie ca joncþiunile poartá-canal ßi
substrat-canal sá fie polarizate invers. Astfel, curentul de grilá corespunde curentului unor
joncþiuni polarizate invers, practic putänd fi considerat nul (I G ≅ 0) . Ín polarizare normalá
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 185

curentul de drená I D , avänd sensul convenþional, este pozitiv ßi este aproximativ egal cu cel
de sursá I S .

JFET cu canal n JFET cu canal p

D iD D
iD

i G _~ 0 i G _~ 0
VDS >0 VDS <0
G G
VGS <0 VGS>0
S S
Figura 6.2. Simbolurile grafice, sensurile convenþionale ale tensiunilor ßi curenþilor ßi
polarizarea normalá corespunzátoare celor douá tipuri de JFET.

Conexiunile fundamentale ale JFET, atunci cänd acesta este privit ca un diport, sunt:
drená comuná (DC), sursá comuná (SC) ßi grilá comuná (GC). De regulá, atät expresiile
analitice, cät ßi reprezintárile teoretice ßi experimentale ale caracteristicilor statice
corespunzátoare JFET sunt date pentru conexiunea SC.

Tranzistoarele cu efect de cämp cu grilá joncþiune au avantaje importante faþá de

tranzistoarele bipolare cu joncþiuni, din care enumerám urmátoarele:
rezistenþa de intrare pe electrodul de poartá este foarte mare (sute sau mii de MΩ )
permiþänd astfel realizarea unor amplificatoare cu rezistenþá de intrare foarte mare;
prezintá cel mai mic zgomot 1/f ßi 1/f 2 la frecvenþe joase dintre toate tranzistoarele
bipolare ßi unipolare realizate ín tehnologii uzuale;
dependenþa de temperaturá a caracteristicilor statice este mult mai redusá.
Totußi, ín comparaþie cu tranzistoarele bipolare, tranzistoarele cu efect de cämp nu
amplificá ín curent ßi, datoritá pantei mici a caracteristicilor statice, amplificarea lor ín
tensiune este micá.

6.2. Teoria JFET ín regim staþionar

Ín aceastá secþiune vor fi prezentate caracteristicile statice corespunzátoare modelului

simetric idealizat al JFET, abaterile comportárii reale a JFET de la aceste caracteristici ideale,
variaþia cu temperatura a caracteristicilor statice ßi circuitele de polarizare tipice ale JFET.

6.2.1. Caracteristicile statice ale JFET

Analiza funcþionárii structurii semiconductoare a JFET se va face pentru dispozitivul

cu canal conductiv n ín conexiune SC, folosind un model numit "simetric idealizat", prezentat
ín figura 6.3.a, ce implicá:
neglijarea rezistenþelor regiunilor cvasineutre ale drenei ßi sursei;
joncþiuni p+-n asimetrice abrupte;
canal uniform dopat avänd pe fiecare parte douá grile simetrice.
186 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

0 y G

x
S D

2b
Canal n

2a
VDS=0 a.
L

G
VGS

l(y)
S Canal n D
V(y) b(y) b.
l(y) δ VDS

VDS=VDSsat +∆V
G
VGS
Figura 6.3. Modelul simetric idealizat folosit pentru studiul funcþionárii JFET.

Pentru fiecare joncþiune existá o regiune golitá care ín absenþa tensiunilor de

polarizare prezintá o diferenþá interná de potenþial
N ⋅ N 
Φ B 0 = V T ⋅ ln  A 2 D  (6.1)
 ni 
ßi o lárgime:
l 0 ≅ l n 0 ≅ (2 ⋅ ε ⋅ Φ B 0 )/(q ⋅ N D ) (6.2)
Consideränd terminalele drená ßi sursá legate la masá ßi polarizarea grilei la un
potenþial negativ (V GS < 0 ), potenþialul canalului conductiv va fi practic nul, iar profilul
acestuia uniform aßa cum indicá figura 6.3.a. Utilizänd aproximaþia de golire lárgimea
regiunii de sarciná spaþialá a unei joncþiuni p-n a grilei este:

l = a − b ( y) ≅ l n ≅ 2 ⋅ ε ⋅ (Φ − V ) (6.3)
B0 GS
q ⋅ ND
Dacá tensiunea aplicatá grilei se negativeazá puternic grosimea canalului, b (y) , poate
deveni nulá. Tensiunea grilá-sursá corespunzátoare acestei ínchideri a canalului conductiv se
numeßte tensiune de prag sau de táiere ßi este datá de relaþia:
q ⋅ ND
VP = Φ B 0 − ⋅ a2 (6.4)
2⋅ε
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 187

Atunci cänd tensiunea V GS devine egalá cu tensiunea de prag V P , ideal canalul este
golit ín totalitate de purtátori, iar curentul care curge íntre drená ßi sursá este nul. Aceastá
situaþie corespunde intrárii ín regim de táiere sau blocare a JFET. Ín consecinþá, plaja de
tensiuni V GS corespunzátoare unei funcþionári eficace a JFET este:
V P < V GS < 0 . (6.5)
Ín acest domeniu de tensiuni, consideränd ín continuare terminalele sursá ßi drená
conectate la masá, conductanþa canalului este datá de relaþia:
2 ⋅ b ( y) ⋅ W
G = q ⋅ µn ⋅ ND ⋅ =
L
 2 ⋅ ε ⋅ (Φ − V )  ⋅ W
2 ⋅ a − B0 GS 
 q ⋅ ND 
= q ⋅ µn ⋅ ND ⋅ =
L (6.6)
 (Φ B 0 − V GS ) 
= q ⋅ µn ⋅ ND ⋅ 2 ⋅ a ⋅ W ⋅ 1 − =
L  (Φ B 0 − V P ) 
 (Φ B 0 − V GS ) 
= G0 ⋅ 1 −
 (Φ B 0 − V P ) 
ín care W reprezintá láþimea canalului, iar márimea G 0 datá de relaþia:
G =q ⋅ µ ⋅ N ⋅ 2 ⋅ a ⋅ W = 2 ⋅ a ⋅ σ ⋅ W
0 n D (6.7)
L L
≅σ

poate fi consideratá cu aproximaþie conductanþa maximá a canalului, obþinutá pentru V GS = 0 .

Se considerá acum situaþia ín care pe grilá se aplicá o tensiune negativá V GS , cuprinsá

ín gama datá de relaþia (6.5), iar pe drená o tensiune pozitivá V DS , sursa fiind legatá la masá.
Ín aceastá situaþie potenþialul canalului nu mai este uniform, ín dispozitiv existänd un cämp
transversal datorat tensiunii V GS ßi un cämp longitudinal datorat aplicárii tensiunii V DS .
Determinarea analiticá a distribuþiei bidimensionale a cämpului electric este dificilá ßi, de
aceea, pentru simplificarea analizei funcþionárii structurii Shockley a propus o aproximaþie,
cunoscutá sub denumirea de aproximaþia gradualá a lui Shockley, care considerá cá
modificarea lárgimii canalului se realizeazá suficient de lent astfel íncät, ín fiecare secþiune
transversalá a acestuia, sá poatá fi aplicat modelul unidimensional. Ín conformitate cu acesta,
notänd cu V(y) potenþialul canalului la distanþa y de sursá ßi folosind relaþiile (6.3) ßi (6.4),
lárgimea canalului la aceastá coordonatá este:
 
2 ⋅ b (y) = 2 ⋅ [a − l (y)] = 2 ⋅  a − 2 ⋅ ε ⋅ [Φ B 0 + V(y) − V GS ]  =
 q ⋅ ND 
(6.8)
 Φ B 0 + V(y) − V GS 
= 2 ⋅ a ⋅ 1 − 
 Φ B 0 − VP 
Legea lui Ohm pentru conducþia curentului ín canal ín cazul ín care acesta este deschis
indiferent de coordonata y consideratá, adicá V GS − V(y) > V P , ∀y ∈ [0, L], este:
Jy = σ ⋅ E y (6.9)
unde J y reprezintá densitatea de curent la coordonata y , E y este componenta pe axa y a
cämpului electric, iar σ conductivitatea canalului.
188 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

Relaþia (6.9) se poate scrie ßi astfel:

−I D dV(y)
= −σ ⋅ (6.10)
W ⋅ 2 ⋅ b ( y) dy
Integränd expresia de mai sus ín lungul canalului se obþine:
L V (L)
∫0 I D ⋅ dy = σ ⋅ W ⋅ ∫V (0) 2 ⋅ b (y) ⋅ dV(y) (6.11)

Ínlocuind expresia (6.8) ín relaþia (6.11), integränd ßi þinänd seama cá V(0) = 0 ßi

V(L) = V DS se obþine:
 (Φ B 0 + V DS − V GS ) 3/2 − (Φ B 0 − V GS ) 3/2 
I D = G 0 ⋅  V DS − 2 ⋅  (6.12)
 3 Φ B 0 − VP
 
Aceasta este ecuaþia ce permite determinarea caracteristicilor statice corespunzátoare
JFET. Astfel, caracteristicile de transfer corespunzátoare dispozitivului sunt date de relaþia
I D = I D (V GS ) V DS = ct. , iar caracteristicile de ießire de relaþia I D = I D (V DS ) V GS = ct. .
Mai íntäi se vor trasa caracteristicile de ießire teoretice. Pentru tensiuni de drená mici
( V DS << Φ B 0 ) , tranzistorul se comportá ca un rezistor aproximativ liniar. Pentru tensiuni
V DS mai mari, extinderea regiunii de sarciná spaþialá längá drená íngusteazá canalul,
conducänd la creßterea rezistivitáþii acestuia ßi, deci, la curbarea accentuatá a caracteristicilor.
Ínchiderea canalului la drená se produce pentru tensiunea V DS furnizatá de ecuaþia:
 Φ B 0 + V(L) − V GS   Φ B 0 + V DS − V GS 
b (L) = a ⋅  1 −  = a ⋅ 1 −  =0 (6.13)
 Φ B 0 − VP   Φ B 0 − VP 
Soluþia acestei ecuaþii este:
V DS = V GS − V P (6.14)
Crescänd tensiunea de drená peste aceastá valoare ce corespunde ínchiderii canalului
(vezi figura 6.3.b), ín concordanþá cu aproximarea de golire aplicatá regiunilor de sarciná
spaþialá ale dispozitivului, curentul de drená rámäne teoretic constant, electronii majoritari
traversänd regiunea de sarciná spaþialá formatá la drená exact ín acelaßi mod ín care electronii
minoritari din baza unui TBJ de tip npn traverseazá regiunea de sarciná spaþialá a
colectorului. Dacá tensiunea de drená creßte ßi mai mult, regiunea golitá de längá drená se
íngroaßá, ceea ce conduce la o scurtare a canalului conductiv, L < L , dar potenþialul
canalului V(L ) este tot V GS − V P ßi, ín consecinþá, curentul de drená este cu aproximaþie tot
acelaßi. De aceea, tensiunea de drená datá de relaþia (6.14) poartá denumirea de tensiune de
saturaþie :
V DS sat = V GS − V P (6.15)
Astfel, curentul corespunzátor situaþiei de ínchidere a canalului la drená, determinat
prin ínlocuirea relaþiei (6.15) ín expresia (6.12), este:
 (Φ B 0 − V P ) 3/2 − (Φ B 0 − V GS ) 3/2 
I D sat = G 0 ⋅  V GS − V P − 2 ⋅  (6.16)
 3 Φ B 0 − VP
 
Valoarea maximá teoreticá a curentului de drená, notatá I DSS , se obþine pentru
V DS ≥ V DS sat ßi V GS = 0 ßi este datá de urmátoarea expresie:
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 189

 (Φ B 0 − V P ) 3/2 − (Φ B 0 ) 3/2 
I D SS = G 0 ⋅  −V P − 2 ⋅  (6.17)
 3 Φ B 0 − VP
 
Caracteristicile statice teoretice de ießire sunt reprezentate ín figura 6.4.a.

Caracteristicile statice de transfer I D = I D (V GS ) V DS = ct. se deduc tot din relaþia (6.12).

Acestea prezintá interes numai pentru tensiuni V DS ≥ V DS sat , regiune ín care acest tranzistor
este folosit ca amplificator ßi care poartá denumirea de regiune de saturaþie sau regiune de
ínchidere a canalului la drená. Trebuie remarcat faptul cá termenul de saturaþie la JFET are o
cu totul altá semnificaþie decät la TBJ, regiunea de saturaþie a JFET corespunzänd practic
regiunii active normale a TBJ. Cum expresia curentului de drená ín regiunea de saturaþie nu
mai depinde de tensiunea de drená, teoretic, tranzistorul ín aceastá regiune are o singurá
caracteristicá de transfer datá de relaþia (6.16). Caracteristicile statice teoretice de ießire sunt
reprezentate ín figura 6.4.a., iar cea de transfer ín figura 6.4.b.

JFET cu canal n JFET cu canal p

ID Saturaþie -VP ID

VGS =0 VDS
VGS2

VGS1 <0 VGS1 <VGS2

VGS2 <VGS1
VGS3 VGS =0
VP
0 VP Saturaþie
VDS
ID a. ID
VP >0 VGS
IDSS
0

VGS

VP <0 0
-IDSS
b.
Figura 6.4. Caracteristicile statice teoretice ale JFET:
a) caracteristica de ießire; b) caracteristica de transfer.

6.2.2. Abateri de la caracteristicile statice ideale ale JFET

Abaterile de la caracteristicile ideale ale JFET se datoreazá atät ignorárii geometriei

reale a structurii, cät ßi aproximárilor funcþionale folosite pentru deducerea acestora. Ín figura
190 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

6.5 sunt prezentate caracteristicile statice experimentale de ießire I D = I D (V DS ) V GS = ct. pentru

cele douá tipuri diferite de JFET, unul discret cu canal n ßi altul integrat cu canal p.

ID 12 VGS =0V
[mA]
10 -0,5V
8 -1V
a.
6
-2V
4 -2,5V
2 -3,5V
VDS
1 0 5 10 15 20 25 30 [V]
λ
ID [mA] 1
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 VDS λ
VGS=1V [V]
-0,5
0,5V -1

-1,5 b.
0V
-2

-2,2

Figura 6.5. Caracteristicile statice experimentale de ießire:

a) pentru un JFET discret cu canal n; b) pentru un JFET integrat cu canal de tip p.

Ín funcþie de márimea tensiunii de drená pe caracteristicile statice de ießire distingem

mai multe regiuni: regiunea liniará a caracteristicilor pentru V DS ≤ (0, 1 ÷ 0, 2)V , regiunea
neliniará pentru tensiuni de drená cuprinse ín intervalul V DS ∈ [(0, 1 ÷ 0, 2)V;V DS sat ],
regiunea de saturaþie pentru V DS ∈ [V DS sat , V (BR )DS ] ßi regiunea de strápungere.

La JFET reale regiunea de liniaritate este puþin mai extinsá decät cea prezisá de teorie
datoritá cáderilor de tensiune suplimentare pe regiunile cvasineutre ale drenei ßi sursei ce nu
sunt "acoperite" de joncþiunea grilei, iar dependenþa pantei caracteristicilor de tensiunea V GS
este mai accentuatá.

Ín regiunea neliniará caracteristicile reale diferá foarte puþin de cele prezise de teorie,
diferenþele minore datorändu-se cáderii transversale a curentului principal al structurii pe
regiunile rezistive corespunzátoare drenei ßi sursei, ce face ca tensiunea ce cade pe canalul
conductiv intern sá fie mai micá ca cea aplicatá din exterior. Crescänd tensiunea V DS peste
limita corespunzátoare ínchiderii canalului se constatá cá, spre deosebire de predicþiile teoriei,
ín regiunea de saturaþie curentul de drená are o ußoará creßtere. Aceastá creßtere este
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 191

rezultatul cumulárii mai multor cauze dintre care cele mai semnificative sunt: creßterea
conductanþei canalului G 0 datoritá micßorárii lungimii acestuia, efect ce poartá denumirea de
modulaþia canalului, ßi contribuþia curentului de generare-recombinare corespunzátor regiunii
de sarciná spaþialá din regiunea drenei.
Atunci cänd tensiunea V DS creßte foarte mult, la capátul de längá drená, unde canalul
s-a ínchis, apare strápungerea prin multiplicare ín avalanßá a joncþiunii poartá-canal.
Deoarece JFET este un dispozitiv a cárui funcþionare nu depinde de concentraþiile de purtátori
minoritari, procesul de strápungere este lipsit de complicaþii. Strápungerea are loc atunci cänd
tensiunea grilá-canal atinge ßi depáßeßte valoarea criticá V BR , corespunzátoare strápungerii
joncþiunii. Astfel pentru un JFET cu canal n vom avea:
V (BR)DS − V GS = V BR , (6.18)
obþinänd tensiunea de strápungere drená-sursá ußor crescátoare cu V GS :
V (BR)DS = V GS + V BR (6.19)
Dintre toate JFET, cele realizate prin implantare ionicá au cele mai mari tensiuni de
strápungere drená-sursá.

6.2.3. Modele statice de semnal mare pentru JFET

Rezultatele obþinute päná acum permit elaborarea unor modele statice de semnal mare
pentru JFET ín cele douá regiuni de interes ín care acesta este folosit cu preponderenþá:
regiunea liniará ßi regiunea de saturaþie. Aceste modele se folosesc pe scará largá ín calculul
punctelor statice de funcþionare corespunzátoare JFET.

Ín regiunea liniará, JFET este asimilat unui rezistor a cárei valoare este comandatá
electronic de tensiunea grilá-sursá, ín conformitate cu relaþia:
I D = G ⋅ V DS (6.20)
ín care G reprezintá conductanþa canalului datá de relaþia (6.6).

Ín regiunea de saturaþie, caracteristica de ießire este modelatá de relaþia:

V GS  2 (
I D = I DSS ⋅  1 − ⋅ 1 + λ ⋅ V DS ) (6.21)
VP 
iar caracteristica de transfer de relaþia:
V GS  2
I D = I DSS ⋅  1 − (6.22)
VP 
Semnificaþia parametrului λ , negativ pentru un JFET cu canal p ßi pozitiv pentru un
JFET cu canal n, este ilustratá ín figura 6.6.b. Acesta modeleazá, ín principal, efectul
modulaþiei lungimii canalului conductiv ßi corespunde inversului tensiunii Early de la TBJ.
Valoarea tipicá a acestui parametru este de 10 −2 V −1 .
Modelele teoretice prezentate mai sus sunt ilustrate ín figura 6.6 atät sub forma unor
caracteristici idealizate, cät ßi sub forma unor circuite echivalente dispozitivului studiat.
192 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

ID V Regiune de ID
GS3 >VGS2 VGS=0V
VGS2 >VGS1 saturaþie
ID
VGS1
VGS1 VGS VDS
VGS2 <VGS1
VGS =VP VDS

1 VDS
λ
a. b.
ID G D
IDSS nJFET
1
IDSS .(1-
VGS 2
Legea pátraticá VGS <0 ) G=λ VDS >0
0,8 VP
0,6
Caracteristica TECJ S S
0,4 cu joncþiuni abrupte G D
pJFET
0,2
- IDSS .(1-
VGS 2
VGS >0 ) G= −λ VDS <0
VP
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 VGS
VP
c. S d. S
Figura 6.6. Modele statice de semnal mare pentru JFET:
a) caracteristici statice ßi circuitul echivalent pentru regiunea liniará; b) caracteristica
staticá de ießire idealizatá; c) caracteristica staticá de transfer idealizatá valabilá ín
regiunea de saturaþie; d) circuite echivalente pentru JFET ín regiunea de saturaþie.

6.2.4. Efectul variaþiei temperaturii asupra caracteristicilor statice ale

JFET

Pentru acest tip de dispozitiv efectul variaþiei temperaturii se apreciazá ín planul

caracteristicilor statice de transfer, caracterizate de cei doi parametri importanþi ín
funcþionarea JFET: curentul maxim la saturaþie I DSS ßi tensiunea de prag V P .
Odatá cu creßterea temperaturii, I DSS scade deoarece G 0 scade datoritá scáderii
mobilitáþii purtátorilor de sarciná (vezi subcapitolul 2.5.1), iar modulul tensiunii de prag
creßte datoritá scáderii diferenþei interne de potenþial Φ B 0 . Ín consecinþá, variaþia
caracteristicilor de transfer cu temperatura este cea ilustratá ín figura 6.7.
Se observá cá ín funcþie de plasarea punctului static de funcþionare al JFET pe
caracteristicá, coeficientul de temperaturá al JFET
∆I D
cI = (6.23)
∆T V GS = ct.

poate sá fie negativ (porþiunea M−I DSS a caracteristicii), pozitiv (porþiunea V P −M a

caracteristicii) ßi nul (punctul M al caracteristicii).
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 193

ID

IDSS1
IDSS2

M ID 0

VP2 VP1 VGS

Figura 6.7. Variaþia caracteristicilor statice de transfer cu temperatura.

Zona preferatá de lucru este cea corespunzátoare curenþilor mari (regiunea M−I DSS a
caracteristicii de transfer), corespunzátoare relaþiei I D ≥ I D 0 , zoná ín care ßi panta
tranzistorului
di D
gm = (6.24)
dv GS v DS = ct.

este mai mare. Deoarece ín aceastá regiune coeficientul de tempetaturá c I este negativ rezultá
cá la JFET problema ambalárii termice nu se pune. Coordonata I D 0 corespunzátoare
punctului M, ín care c I = 0 , este indicatá uneori ín catalog sau se poate calcula cu formula
aproximativá:
I DSS
I D 0 ≅ 0, 43 ⋅ (6.25)
V P2

6.2.5. Circuite de polarizare pentru JFET

Circuitele de polarizare ale JFET trebuie sá asigure polarizarea acestuia íntr-un anumit
punct de funcþionare ín regim static (punct static de funcþionare), caracterizat de coordonatele
(I D , V DS ), ßi menþinerea funcþionárii JFET ín acest punct ín condiþiile unei temperaturi
variabile ßi a unei dispersii de fabricaþie a parametrilor structurii semiconductoare. Aßa cum
am arátat ín subcapitolul precedent, se recomandá a se dimensiona reþeaua de polarizare
pentru un curent de drená I D ≥ I D 0 , asiguränd astfel evitarea problemelor legate de disiparea
puterii ín dispozitiv, iar ín cazul ín care curentul de drená este apropiat ca valoare de I D 0 ,
chiar o stabilitate termicá ín funcþionarea JFET. Dispersia de fabricaþie a parametrilor JFET
este foarte mare, raportul valorilor extreme poate sá fie uneori de 5/1, ßi de aceea se
recomandá ca ín proiectare sá se þiná seama de acest fapt.
Cele mai uzuale circuite de polarizare ale JFET sunt reprezentate ín figura 6.8 pentru
un dispozitiv cu canal n.
194 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

VDD VDD
RD R1 RD

T T
a. b.
VGS VGS
RG RS R2 RS

Figura 6.8. Circuite tipice de polarizare ale JFET: a) circuit de polarizare automatá a
grilei; b) circuit de poarizare cu divizor rezistiv pe poartá.

Ín circuitul de polarizare prezentat ín figura 6.8.a polarizarea grilei se realizeazá prin

cáderea de tensiune datá de curentul de sursá I S = I D pe rezistenþa R S ßi de aceea circuitul se
numeßte de polarizare automatá a grilei. Tensiunea de polarizare se aplicá pe grilá prin
rezistenþa R G , care are valori de ordinul MΩ . Relaþiile ce caracterizeazá circuitul sunt:
V GS = −R S ⋅ I D
(6.26)
V DD = I D ⋅ (R D + R S ) + V DS
Prima relaþie a ecuaþiilor (6.26) defineßte dreapta de polarizare a JFET ce se figureazá
ín planul caracteristicii de transfer a acestuia. Cáderea de tensiune pe rezistenþa de grilá R G a
fost neglijatá deoarece valoarea acesteia este foarte micá ín comparaþie cu R S ⋅ I D , ín ciuda
valorii ridicate a R G . De exemplu, pentru I G = 10 −9 A cáderea de tensiune pe R G este de
ordinul mV.
Dispozitivul este caracterizat ín regiunea de saturaþie de caracteristica de transfer a
acestuia:
V GS  2
I D = I DSS ⋅  1 − (6.27)
VP 
Intersecþia íntre dreapta de polarizare ßi caracteristica de transfer determiná punctul
static de funcþionare al dipozitivului. Rezolvarea analiticá (respectiv numericá) a sistemului
de gradul doi format din ecuaþiile (6.26.a) ßi (6.27) conduce la determinarea a douá soluþii,
una adeváratá ßi una falsá, aßa cum este ilustrat ín figura 6.9.a. Evident, numai soluþia
corespunzátoare unei tensiuni V GS ∈ (V P , 0) este corectá. Astfel, ecuaþia
I D2
−  1 + 2  I +1 =0
⋅ D (6.28)
( V P /R S ) 2
 I DSS ( V P /R S ) 
furnizeazá soluþiile:
2
 1 + 2 ±  1 + 2  −4⋅ 1 ⋅  1 + 2 
    
I
 DSS V P /R S I
 DSS V P /R S ( V P /R S ) 2 I
 DSS V P /R S 
I D α,β = , (6.29)
2⋅ 1
( V P /R S ) 2
iar relaþia (6.26.a) furnizeazá tensiunile de grilá corespunzátoare:
V GS α,β = −R S ⋅ I D α,β (6.30)
ßi folosind criteriul prezentat mai sus se alege soluþia corectá.
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 195

Datoritá dispersiei parametrilor de fabricaþie ai JFET, caracteristica staticá furnizatá de

catalog este nesigurá (vezi figura 6.9.b ín care s-au reprezentat caracteristicile extreme), iar
proiectarea unui circuit de polarizare de acest tip care sá menþiná ín limite dorite (de obicei
impuse de aplicaþiile ín care dispozitivul este folosit) curentul de drená este dificilá, dacá nu
imposibilá cänd aceste limite sunt foarte mici. Ín figura 6.9.b este relevat acest fapt, prin
reprezentarea a douá tipuri de limite corespunzátoare punctului static de funcþionare: (A, B)
pentru care este posibilá gásirea unei drepte corespunzátoare de polarizare care sá treacá prin
origine (deci a unui circuit de autopolarizare) ßi (B', B) pentru care nu se poate asigura
polarizarea cu acest tip de circuit.

Soluþie falsá ID ID
ID= IDSS .(1- GS )2
V IDSSmax
VGS = −RD.I D
VP
IDSSmin

VGS = −RD.I D A IDA

Soluþie adeváratá
B' IDB'
VGS IDB
B VGS
VP Caracteristicá realá VPmax VPmin
a. b.
Figura 6.9. Reprezentarea ín planul caracteristicilor de transfer a dreptei de polarizare
corespunzátoare unui circuit de autopolarizare.

Circuitul de polarizare care permite menþinerea variaþiei curentului de drená ín limite

stränse odatá cu variaþia parametrilor tehnologici ai JFET este ilustrat ín figura 6.8.b.
Ecuaþiile ce caracterizeazá acest circuit sunt:
R2
V GS = V GG − R S ⋅ I D ; V GG = ⋅V
R 1 + R 2 DD (6.31)
V DD = I D ⋅ (R D + R S ) + V DS
Prezenþa a douá grade de libertate, V GG ßi R S , ín dreapta de polarizare (6.31.a), face
posibilá gásirea unei soluþii chiar ín cazul unor limite foarte stränse impuse variaþiei
curentului de drená. Reprezentarea ín planul caracteristicilor de transfer a dreptei de
polarizare corespunzátoare acestui tip de circuit este datá ín figura 6.10. Determinarea
punctului static de funcþionare se realizeazá ín mod similar cazului anterior, ínlocuind ín
expresia caracteristicii de transfer pe cea a dreptei de sarciná (6.31.a) ßi rezolvänd ecuaþia de
gradul doi rezultatá.
Dimensionarea acestei reþele de polarizare (R 1 , R 2 , R S , R D ) astfel íncät curentul de
drená sá se modifice íntre limitele impuse I D max ßi I D min , iar tensiunea medie drená-sursá sá
fie V DS med , cänd parametrii tehnologici ai JFET variazá este urmátoarea. Particularizänd
ecuaþia 6.27 pentru aceste valori extreme, putem gási coordonatele punctelor statice de
funcþionare din planul caracteristicilor de transfer prin care trebuie sá treacá dreapta de
sarciná a curentului de drená:
 I D max   I D min 
V GS max = V P max ⋅  1 −  ; V GS min = V P min ⋅  1 − (6.32)
 I DSS max   I DSS min 
196 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

ID
IDSSmax

IDSSmin

A IDmax
IDmin VGS =VGG−RD.I D
B

VGS
VPmax VPmin VGSmax VGSmin
Figura 6.10. Reprezentarea ín planul caracteristicilor de transfer a dreptei de polarizare
corespunzátoare unui circuit de polarizare cu divizor rezistiv ín grilá.

Cu aceste date se pot determina parametrii corespunzátori dreptei de sarciná:

V GS max − V GS min
RS =
I D max − I D min (6.33)
V GG = V GS max + R S ⋅ I D max
Folosind ecuaþia
R2
V GG = ⋅V (6.34)
R 1 + R 2 DD
ßi impunänd o anumitá valoare rezistenþei de intrare a schemei:
RG = R1 R2 (6.35)
se deduc valorile rezistenþelor divizorului de intrare R 1 ßi R 2 .
Ecuaþia (6.31.b) poate furniza valoarea rezistenþei de drená R D :
V − VD 0
R D = DD − RS (6.36)
ID 0

6.3. Regimul dinamic al JFET

Proprietáþile dinamice ale JFET sunt determinate de sarcina din regiunea porþii. Ín
consecinþá modelul static dat de ecuaþiile (6.12), (6.16) ßi (6.17) sau ecuaþiile (6.20) ßi (6.21)
poate fi extins pentru a include ßi variaþiile rapide ale tensiunii joncþiunilor prin adáugarea
unei ínmagazinári de sarciná care sá reflecte suplimentul de curent la terminalul porþii atunci
cänd variazá sarcina ínmagazinatá ín regiunile de sarciná spaþialá ale joncþiunilor grilá-canal
(sau grilá-canal ßi substrat-canal). Deoarece cämpul ín regiunea de sarciná spaþialá depinde
neliniar de tensiunea de poartá, fenomenele de ínmagazinare de sarciná nu se vor putea
modela ín general printr-o capacitate liniará. Sarcina care se asociazá regiunii golite a
joncþiunii poartá-canal este datá de relaþia:
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 197

L
Q j = W ⋅ q ⋅ N D ⋅ ∫0 [a − b (y)] ⋅ dy =
V DS dy
= W ⋅ q ⋅ ND ⋅ ∫ [ a − b (y)] ⋅ ⋅ dV =
0 dV
V DS W ⋅ 2 ⋅ σ ⋅ b (V ) (6.37)
= W ⋅ q ⋅ ND ⋅ ∫ [a − b (V )] ⋅ ⋅ dV =
0 ID
G V DS b (V )
= W ⋅ q ⋅ N D ⋅ 0 ⋅ ∫ [a − b (V )] ⋅ a ⋅ dV
ID 0

Folosind expresia (6.8) ßi integränd se obþine expresia sarcinii Q j care poate fi folositá
ín determinarea capacitáþilor grilá-sursá ßi grilá-drená de semnal mare. De exemplu,
capacitatea grilá-sursá se determiná cu relaþia:
1 v GS f
GS f v GS i ∫ v GS i
C GS = v − ⋅ C gs ⋅ dv GS
dQ j (6.38)
C gs =
dv GS V DS = ct.
Ín acest fel modelele statice reprezentate ín figura 6.6 pot fi completate prin adáugarea
capacitáþilor C GS ßi C GD ce modeleazá variaþia sarcinii acumulate ín structurá ßi a capacitáþii
C DS , capacitate parazitá datoratá geometriei reale a JFET. Se obþine astfel:
dv DS
i D (v GS , v DS ) = I D (v GS , v DS ) − C GD ⋅
dt v GS = ct.
. (6.39)
dv GS dv DS
i G (v GS , v DS ) = C GS ⋅ + C GD ⋅
dt v DS = ct. dt v GS = ct.

6.3.1. Regimul dinamic de semnal mic al JFET

Determinarea unui model de semnal mic pentru JFET se poate realiza prin utilizarea
unor metode similare acelora folosite la TBJ. Deoarece aceastá structurá este folositá ca
amplificator ín regiunea de saturaþie a caracteristicilor statice, circuitul echivalent de semnal
mic se va determina pentru funcþionarea ín aceastá regiune. Folosind ecuaþiile modelului de
control prin sarciná al JFET, prin aplicarea relaþiilor (5.131) se obþin elementele modelului
echivalent de semnal mic. Diferenþiind ecuaþia (6.39.a) ßi (6.37) se obþin urmátorii parametri:
transconductanþa de semnal mic sau panta JFET
∂I D 2 ⋅ ID 2 ⋅ I DSS  V
gm = = ≅ ⋅  1 − GS  ; (6.40)
∂V GS V DS = ct. V GS − V P VP VP
conductanþa de ießire de semnal mic
2 λ⋅V <<1
∂I D V
= λ ⋅ I DSS ⋅  1 − GS 
DS
gd = 
≅ λ ⋅ ID ; (6.41)
∂V DS V GS = ct. VP
capacitatea grilá-sursá de semnal mic
dQ j
C gs = , (6.42)
dv GS V DS = ct.
care ín cazul unui profil de impuritáþi gradat (nu abrupt) poate fi determinatá cu
formula aproximativá:
198 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

C gs 0
C gs = , C gs 0 = C gs (6.43)
 1 + V GS  V GS =0, V DS =ct.
 ΦB0 
capacitatea grilá-drená de semnal mic
dQ j
C gs = , (6.44)
dv DS V GS = ct.
care ín cazul unui profil de impuritáþi gradat (nu abrupt) poate fi determinatá cu
formula aproximativá:
C gd 0
C gd = , C gd 0 = C gd (6.45)
 1 + V GD  VGD =0, V GS =ct.
 ΦB 0 
Relaþia (6.40) relevá dependenþa liniará a transconductanþei g m de tensiunea V GS ßi
faptul cá valoarea acesteia este dictatá atät de curentul de polarizare cät ßi de dimensiunile
JFET, ín particular de raportul W/L. De asemenea trebuie observat faptul cá la curenþi de
polarizare egali (I D = I C ), transconductanþa JFET este simþitor mai micá decät
transconductanþa TBJ.
Ín figura 6.11 este prezentat circuitul echivalent de semnal mic complet al unui JFET,
valabil pentru ambele tipuri de tranzistoare: cu canal n ßi cu canal p. Aláturi de elementele
prezentate mai sus, ín aceastá figurá au fost reprezentate cu linie punctatá ßi elementele
parazite de semnal mic corespunzátoare structurii reale a JFET: rezistenþele serie ale drenei ßi
sursei ßi capacitarea drená-sursá. Valorile tipice ale elementelor modelului de semnal mic
sunt: g m ∈ [0, 1; 10] mA/V , r d = 1/g d ∈ [50; 100] KΩ , C gs 0 ∈ [1; 4] pF, C gd 0 ∈ [0, 3; 1] pF ,
C ds ∈ [0, 1; 1] pF, r serie d , r serie s ∈ [50; 100] Ω .

G Cgd rserie d D

Vgs Cgs gm. Vgs rd Cds

S' S'
rserie s

S S
Figura 6.11. Circuitul echivalent de semnal mic al JFET.

6.3.2. Specificarea ráspunsului ín frecvenþá al JFET

Performanþele la frecvenþe ínalte ale JFET, ce lucreazá ín condiþii de semnal mic, se

apreciazá, ín marea majoritate a cazurilor, prin valoarea unor frecvenþe caracteristice:
frecvenþa de táiere a tranzistorului, f T , ßi produsul amplificare-bandá, PBW .
Folosind circuitul echivalent din figura 6.12 determinám expresia amplificárii ín
curent a tranzistorului cu ießirea ín scurtcircuit, la frecvenþe ínalte.
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 199

I0 D G Cgd DI0

G Ig T Vgs Cg s gm. Vgs rd Cds

Vgs

S S S S
Figura 6.12. Circuitul echivalent de semnal mic pentru JFET ín conexiune SC
cu ießirea ín scurtcircuit.

Aplicänd Kirchhoff I ín nodurile de intrare ßi de ießire ale circuitului echivalent de

semnal mic din figura 6.12, se obþin expresiile curenþilor de interes:
I g = j ⋅ ω ⋅ (C gs + C gd ) ⋅ V gs
(6.46)
I 0 = g m ⋅ V gs − j ⋅ ω ⋅ C gd ⋅ V gs
ßi deci
ω<<
gm
I0 g m − j ⋅ ω ⋅ C gd C gs gm
AI = = ≅ (6.47)
I g j ⋅ ω ⋅ (C gs + C gd ) j ⋅ ω ⋅ (C gs + C gd )
Ín consecinþá expresia frecvenþei pentru care modulul cäßtigului ín curent devine
unitar (frecvenþa de táiere) este:
gm
fT = 1 ⋅ (6.48)
2 ⋅ π C gs + C gd

Celálalt factor de merit al JFET se determiná din expresia amplificárii ín tensiune a

JFET (vezi figura 6.13). Aplicänd teorema lui Miller se obþine circuitul echivalent din figura
6.13.b, ín care:
C gd = (1 − K) ⋅ C gd
 
C gd = 1 − 1 ⋅ C gd ≅ C gd
K >>1
(6.49)
 K
K ≅ −g m ⋅ (r d R L ) = −g m ⋅ R L ech

G Cgd D Teorema G D
lui
Miller
Cgs C'gd gm. Vgs rd Cds C"gd RL V0
Vgs Cg s gm. Vgs r d Cds RL Vgs

S S S S
a. b.
Figura 6.13. Circuitul echivalent de semnal mic pentru JFET ín conexiune SC cu
sarciná conectatá pe ießire.
200 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

Ín consecinþá, din analiza pe circuit deducem expresia amplificárii ín tensiune:

V0 g m ⋅ R L ech
AV = =− =
V gs  
1 + j ⋅ ω ⋅  C gd + C ds  ⋅ R L ech
(6.50)
AV 0 A V 0ideal
= ω =
1 + j ⋅ ωS (1 + ε out ) ⋅  1 + j ⋅ ω 
 ωS 
ín care parametrii implicaþi reprezintá:
A V 0 - amplificarea ín tensiune la frecvenþe joase,
A V 0 = −g m ⋅ R L ech ; (6.51)
A V 0ideal - amplificarea idealá ín tensiune la frecvenþe joase,
A V 0 ideal = −g m ⋅ R L ; (6.52)
ε out - abaterea relativá a amplificárii ín tensiune la frecvenþe joase faþá de cea
corespunzátoare JFET ideal intrinsec,
R
ε out = r dL ; (6.53)
ωS - pulsaþia corespunzátoare frecvenþei limitá superioare a JFET,
1 K >>1 1
ωS = ≅ (6.54)
 C + C ds  ⋅ R L ech  C + C ds  ⋅ R L ech
 gd   gd 

Produsul amplificare-bandá este dat de expresia analiticá:

ω gm K >>1
PBW = A V 0 ⋅ S = ≅
2 ⋅ π 2 ⋅ π ⋅ C + C 
 gd ds 
K >>1 gm C ds →0 gm (6.55)
≅ ≅
2 ⋅ π ⋅ C gd
2 ⋅ π ⋅  C gd + C ds 

6.3.3. Exemple de utilizare a modelului de semnal mic al JFET

Amplificator de semnal mic cu cuplaj RC cu JFET ín conexiune SC

O schemá practicá de amplificator cu JFET ín conexiune SC este reprezentatá ín

figura 6.14. Ca ßi ín cazul amplificatoarelor cu TBJ, capacitáþile C G ßi C D se numesc
capacitáþi de cuplaj deoarece au rolul de a cupla generatorul de semnal, respectiv rezistenþa de
sarciná, iar capacitatea C S se numeßte capacitate de decuplaj, avänd exact acelaßi rol ca ßi
capacitatea C E la amplificatoarele cu TBJ. La frecvenþele de lucru aceste capacitáþi trebuie sá
prezinte impedanþe neglijabile, adicá trebuie sá se comporte ca nißte scurtcircuite.
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 201

VDD
RD
R1 CD Rg Ig G D
CG
T Vg RG Vgs gm. Vgs r d RD RL V0
RL
Rg
R2 RS CS S S
Vg ~ b. Zout

a. Rg Ig G Cgd D

Vg RG Cgs Vgs gm. Vgs r d Cds RD RL V0

S S
Zout
c.
Rg Ig G D

Vg RG Cgs + C'gd Vgs gm. Vgs r d Cds C"gd RD RL V0

S S Zout
d.
Figura 6.14. Amplificator de semnal mic cu JFET ín conexiune SC.

Analiza acestui etaj de amplificare necesitá parcurgerea aceloraßi etape ca ßi ín cazul

TBJ, adicá:
analiza ín curent continuu, ce are ca punct final determinarea punctelor statice de
funcþionare ale dispozitivelor schemei;
determinarea parametrilor dinamici de semnal mic corespunzátori dispozitivelor
circuitului;
determinarea schemei echivalente de semnal mic ín curent alternativ;
determinarea performanþelor de interes ale amplificatorului prin analizá pe schema
echivalentá de semnal mic.

Analiza de curent continuu se reduce la determinarea soluþiilor sistemului de ecuaþii

format din relaþiile (6.31) ßi (6.27). Odatá ce au fost determinate coordonatele punctului
static, se trece la verificarea funcþionárii ín regim de saturaþie a JFET. Aceastá verificare se
realizeazá prin compararea tensiunii drená-sursá cu tensiunea corespunzátoare pragului de
saturaþie, adicá:
V DS = V DD − I D ⋅ (R S + R D ) ≥ V DS sat = V GS − V P (6.56)
Schemele echivalente de semnal mic ßi frecvenþe joase, respectiv ínalte, determinate ín
urma parcurgerii celor douá etape prezentate ín capitolul 5.3.4, sunt date ín figura 6.14.b, c.
Unilateralizarea JFET, respectiv a etajului de amplificare, este prezentatá ín figura 6.14.d.
Impedanþele de intrare ßi de ießire la frecvenþe joase sunt:
202 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

Vg
Z in 0 = = RG + Rg
Ig
V (6.57)
Z out 0 = 0 =r R
I 0 V =0 d D
g

Amplificarea ín tensiune la frecvenþe joase este datá de expresia:

R L ech

V 0 −g m ⋅ V gs ⋅(r d R D R L ) −g m ⋅ R L ech
AV 0 = = = =
Vg Rg + RG Rg + RG
⋅ V gs (6.58)
RG RG
−g m ⋅ R L ech −g m ⋅ R L A V 0 ideal
= = =
1+
Rg  Rg   R L  (1 + ε in ) ⋅ (1 + ε out )
1+ ⋅ 1+
RG  RG   rd RD 
La frecvenþe ínalte capacitatea de intrare, considerabil máritá prin efect Miller, tinde
sá scurtcircuiteze intrarea ßi din aceastá cauzá amplificarea ín tensiune scade. Expresia
capacitáþii de intrare a etajului este:
C in = C gs + C gd = C gs + C gd ⋅ (1 − K ) = C gs + C gd ⋅ (1 + g m ⋅ R L ech ) (6.59)
iar expresiile impedanþelor caracteristice amplificatorului sunt:
Vg RG
Z in = = Rg +
Ig 1 + j ⋅ ω ⋅ C in ⋅ R G
V r d RD . (6.60)
Z out = 0 =
I 0 V =0 1 + j ⋅ ω ⋅  C + C  ⋅ r R
g
 ds gd  ( d D)

Amplificarea ín tensiune a etajului este:

R L ech
−g m ⋅ V gs ⋅
V 1 + j ⋅ ω ⋅  C ds + C gd  ⋅ R L ech
AV = 0 = =
Vg RG
Rg +
1 + j ⋅ ω ⋅ C in ⋅ R G
⋅ V gs
RG
1 + j ⋅ ω ⋅ C in ⋅ R G
−g m ⋅ R L ech (6.61)
= ≅
 Rg 
1+ ⋅ [1 + j ⋅ ω ⋅ C in ⋅ (R g R G )] ⋅  1 + j ⋅ ω ⋅  C ds + C gd  ⋅ R L ech 
 RG   
AV 0
= =
[1 + j ⋅ ω ⋅ C in ⋅ (R g R G )] ⋅  1 + j ⋅ ω ⋅  C ds + C gd  ⋅ R L ech 
 
AV 0
=
1 + j ⋅ ω  ⋅ 1 + j ⋅ ω 
 ωin   ωout 
ín care pulsaþiile caracteristice intrárii ßi ießirii, ωin ßi ωout , sunt:
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 203

ωin = 1
C in ⋅ (R g R G )
1 (6.62)
ωout =
 C ds + C  ⋅ R L ech
 gd 

Frecvenþa limitá superioará a etajului se determiná din condiþia:

2 2
 f S∗   f S∗ 
2 = 1+j⋅ ⋅ 1+j⋅ (6.63)
 f in   f out 
ßi este

 f in2 + f out
2
  2 
f 2 ⋅ f out
f S∗ =   ⋅  1 + 1 + 4 ⋅ in2 2 
(6.64)
 2   f in + f out 

Amplificator de semnal mic cu cuplaj RC cu JFET ín conexiune DC

O schemá practicá de amplificator cu JFET ín conexiune DC este reprezentatá ín

figura 6.15.a. Schemele echivalente de semnal mic corespunzátoare domeniilor de frecvenþe
joase, respectiv ínalte, sunt date ín figura 6.15.b,c.

VDD

R1
Rg Ig G Vgs S
CG
T Vg RG RS gm. Vgs r d RL V0
CS
Rg
R2 D
RS RL
Vg ~ Zout
b.

a. Vgs
Rg Ig G Cg s S

Vg RG Cgd RS gm. Vgs rd Cds RL V0

c. D
Zout
Rg Ig G Vgs S

Vg RG Cgd+ C'gs RS gm. Vgs rd Cds + C"gs RL V0

D Zout
d.
Figura 6.15. Amplificator de semnal mic cu cuplaj RC cu JFET ín conexiune DC.
204 Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune

La frecvenþe joase impedanþele de intrare ßi de ießire sunt:

Vg
Z in 0 = = RG + Rg
Ig
V V0 V0
Z out 0 = 0 = = =
, (6.65)
I 0 V =0 V0 V0
g − g m ⋅ V gs + gm ⋅ V0
rd RS rd RS
rd RS g m ⋅(r d R S )>>1 1
= → gm
1 + g m ⋅ (r d R S )
iar amplificarea ín tensiune este:
V0 g m ⋅ V gs ⋅ (r d R S R L )
AV 0 = = =
Vg RG + Rg 
⋅  V gs + g m ⋅ V gs ⋅ (r d R S R L ) 
RG
g m ⋅ (r d R S R L )
= =
 Rg 
1+ ⋅ [1 + g m ⋅ (r d R S R L )]
 RG 
A V 0ideal
(6.66)
gm ⋅ RL
1 + gm ⋅ RL
= =
 Rg   RL 
1+ ⋅ 1 +
 R G  (r d R S ) ⋅ (1 + g m ⋅ R L ) 

R g <<R G
A V 0ideal g m ⋅(r d R S R L)>>1
= → 1
(1 + ε in ) ⋅ (1 + ε out )
Se observá cá amplificarea ín tensiune la frecvenþe joase este subunitará, tinzänd cátre
1 atunci cänd sunt índeplinite condiþiile specificate mai sus. Acesta este motivul pentru care
circuitul prezentat ín aceastá secþiune se numeßte repetor pe sursá.

La frecvenþe ínalte unilateralizarea TECJ conduce la circuitul echivalent din figura

6.15.d, ín care expresiile elementelor echivalente sunt:
C gs
C gs = C gs ⋅ (1 − K) =
1 + g m ⋅ (r d R S R L )
  C gs
C gs = C gs ⋅ 1 − 1 = − (6.67)
 K g m ⋅ (r d R S R L )
g m ⋅ (r d R S R L )
K=
1 + g m ⋅ (r d R S R L )
Impedanþele de intrare ßi de ießire sunt:
Vg RG
Z in = = Rg +
Ig 1 + j ⋅ ω ⋅ C in ⋅ R G ; (6.68.a)
C in = C gd + C gs
Cap. 6. Tranzistoare cu efect de cämp cu grilá joncþiune 205

V0 V0
Z out = = =
I0 V g =0
V0
− g m ⋅ V gs
rd RS
1 + j ⋅ ω ⋅  C ds + C gs  ⋅ (r d R S )
(6.68.b)
r d RS
1 + g m ⋅ (r d R S ) Z out 0
≅ =
 r d RS  [ 1 + j ⋅ ω ⋅ C ds ⋅ Z out 0 ]
 1 + j ⋅ ω ⋅ C ds ⋅ 
 1 + g m ⋅ (r d R S ) 
Amplificarea ín tensiune la frecvenþe ínalte este:
V0 AV 0
AV = =
V g  1 + j ⋅ ω  ⋅ 1 + j ⋅ ω 
 ωin   ωout 
ωin = 1 ;
 C gd + C  ⋅ (R G R g ) , (6.69)
 gs 

1 g m ⋅(r d RS R L )>>1 1
ωout = →
 C ds + C  ⋅ (r d R S R L )  C ds + C  ⋅ 1
 gs  g m
 gs 
1 + g m ⋅ (r d R S R L )
iar frecvenþa limitá superioará se poate determina utilizänd formula (6.64).
Se observá cá pentru etajul DC polii corespunzátori intrárii ßi ießirii sunt situaþi la
frecvenþe mult mai ínalte decät polii corespunzátori etajului SC ßi, ín consecinþá, frecvenþa
limitá superioará a acestuia este mult mai mare decät cea corespunzátoare etajului SC.