Tranzistoare Mosfet

7
TRANZISTORUL
METAL-OXID-SEMICONDUCTOR
7.1. Generalitáþi
Tranzistorul MOS (sau MOSFET) este un dispozitiv electronic ale cárui caracteristici
electrice sunt determinate de modulaþia conductivitáþii unei regiuni, numitá canal, situate ín
vecinátatea semiconductoare a interfeþei oxid-semiconductor, prin intermediul unui cämp
electric perpendicular pe lungimea canalului, aplicat printr-un electrod izolat de
semiconductor (poarta). Izolatorul folosit este un strat subþire de oxid (SiO 2 ) crescut prin
oxidare termicá la suprafaþa siliciului. Aßa cum am arátat ßi ín capitolul precedent, principiul
de funcþionare bazat pe modulaþia conductivitáþii unei regiuni semiconductoare situeazá acest
dispozitiv ín clasa dispozitivelor cu efect de cämp.
Pentru ínþelegerea ßi determinarea caracteristicilor electrice ale MOSFET sunt

suficiente cunoßtinþele legate de proprietáþile fundamentale ale materialelor semiconductoare
completate de cele legate de drift ín gama tensiunilor ßi curenþilor mici ßi medii ßi de cele
legate de difuzie ßi generare-recombinare-capturá-emisie ín gama curenþilor foarte mici. La
fel ca la celelalte dispozitive studiate päná acum, la tensiuni inverse mari aplicate joncþiunilor
p-n corespunzátoare structurii trebuie considerate mecanismele de generare prin impact.
Curentul dominant ín MOSFET (la tensiuni ßi curenþi mici ßi medii) este asigurat de
un singur tip de purtátori de sarciná: electronii ín dispozitivele MOSFET cu canal n
(n-MOSFET sau n-MOS) ßi golurile ín dispozitivele MOSFET cu canal p (p-MOSFET sau
p-MOS). Acesta este motivul pentru care aceste dispozitive se íncadreazá ín clasa
dispozitivelor unipolare. Ín funcþie de modul de formare a canalului conductiv existá douá
tipuri de MOSFET:
cu canal indus, la care canalul conductiv se formeazá nunai la aplicarea unei tensiuni
prin inversarea tipului de conductibilitate a regiunii din vecinátatea interfeþei
oxid-semiconductor;
cu canal iniþial, caracterizate prin existenþa unui canal conductiv chiar ín lipsa
aplicárii unei tensiuni pe poartá.
Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor 207
Ín funcþie de tipul conductibilitáþii canalului existá tot douá tipuri MOSFET: cu canal
n ßi cu canal p.
Ín figura 7.1.a este reprezentat un tranzistor MOS cu canal indus ßi substrat de tip p,
iar ín figura 7.1.b sunt reprezentate etapele de fabricaþie tipice ale acestuia. Cele douá regiuni
de tip n + reprezentate ín figurá au fost denumite de Shockley drená ßi sursá. Pentru
tranzistoarele MOS simetrice cele douá regiuni n + ßi regiunile adiacente corespunzátoare
porþii izolate sunt simetrice, iar sursa ßi drena sunt interschimbabile. Ín cele mai multe cazuri
aria drenei este diferitá de aria sursei, iar regiunile de oxid adiacente lor sunt diferite din
punct de vedere al densitáþii oxidului ßi densitáþii nivelelor de capturá din oxid. Poarta este
realizatá dintr-un material conductor care poate fi Al (ín cele mai multe cazuri), dar poate fi
realizatá ßi din Si puternic dopat, metale refractare (tungsten), silicaþi (TiSi, MoSi, TaSi,
WSi) sau un sandviß din acestea. Ín figura 7.1.a, pentru simplificarea geometriei structurii,
grosimea oxidului a fost consideratá aceeaßi atät sub electrodul de poartá cät ßi ín regiunile
corespunzátoare drenei ßi sursei. Ín realitate, grosimea oxidului ín regiunile corespunzátoare
o
drenei ßi sursei este ín jur de 5000 A , mult mai mare decät cea corespunzátoare oxidului
o
porþii de 50 ÷ 2000 A. Conducþia se realizeazá între drená ßi sursá, la suprafaþa substratului de
Si corespunzátor interfeþei oxid-semiconductor, prin inversarea tipului de conductibilitate a
acesteia datoritá tensiunii aplicate porþii. Ín cele mai multe cazuri substratul este legat la
acelaßi potenþial cu sursa. Totußi, electrodul corespunzátor substratului poate fi folosit ßi
independent, caz íntälnit mai ales ín structurile integrate.
Dimensiunile critice ale MOSFET, adicá dimensiunile ce influenþeazá ín mod decisiv

caracteristicile statice ale dispozitivului, sunt: grosimea oxidului x 0 , lungimea canalului L ,
láþimea canalului W ßi grosimea canalului d C . Din punct de vedere al acestor dimensiuni
existá trei tipuri de structuri MOSFET:
tranzistoarele de dimensiuni mici folosite ín circuitele rapide ßi de putere micá
integrate pe scará largá, foarte largá ßi extrem de largá (VLSI, ULSI ßi ELSI) ín care:
W ≈ L , L > (2...3) ⋅ x 0 , x 0 > 10 ⋅ d C ;
tranzistoarele cu canal scurt folosite ín circuitele VLSI, ULSI ßi ELSI rapide ßi de
putere medie ín care:
W >> L , L > (2...3) ⋅ x 0 , x 0 > 10 ⋅ d C ;
tranzistoarele cu canal lung folosite ín circuitele discrete ßi integrate de vitezá medie,
putere micá ßi medie ßi tensiuni de alimentare medii, ín care:
W >> L , L >> x 0 , x 0 >> d C .
De fapt, condiþia de mai sus impusá dimensiunilor critice ale tranzistoarelor MOS
poartá denumirea de lege de scalare sau condiþie Dennard.
208 Cap. 7. Tranzistorul metal-oxid-semiconductor
VGS VDS
sursá z grilá drená
SiO 2
x0 n+ n+ y a.
dc canal de
tip n
x L substrat Si(p)
W
substrat
VBS
n+ n+
p-Si
p-Si
1.
5. Depunerea metalului
prin evaporare pe
p-Si suprafeþele structurii
2. Creßterea SiO2 pe
n+ n+
ambele suprafeþe b.
p-Si
6. Ínláturarea surplusului
p-Si de metal ßi definirea
contactelor prin litografie
3. Practicarea ferestrelor
de drená ßi sursá prin Sursá Grilá Drená
fotolitografie
n+ n+
n+ n+ p-Si
p-Si
Substrat
4. Difuzia sau implantarea
ionicá pentru formarea 7. Conectarea pinilor
joncþiunilor de drená ßi sursá corespunzátori structurii
Figura 7.1. Structura unui MOSFET cu canal indus de tip n.
Simbolurile grafice folosite pentru cele patru variante de tranzistoare MOS, precum ßi
sensul convenþional al curenþilor ßi tensiunilor corespunzátoare acestora, sunt reprezentate ín
figura 7.2. Ságeata din simbolul grafic indicá tipul conductibilitáþii substratului. Polarizarea
normalá, pentru funcþionarea ca amplificator a MOSFET, este de asemenea ilustratá ín figura
7.2. Curentul static de grilá este nul datoritá prezenþei izolatorului. Ín polarizare normalá
curentul de drená, avänd sensul convenþional, este pozitiv ßi egal cu curentul de sursá.
D D D
ID ID ID
B B B
G G G
VDS VDS VDS

S S S
VGS >0 VGS <0 VGS >0
a. b. c.
D ID
B
G
VDS
S
VGS <0
d.
Figura 7.2. Simbolurile IEEE pentru MOSFET: a) cu canal indus de tip n;
b) cu canal indus de tip p; c) cu canal iniþial de tip n; d) cu canal iniþial de tip p.
Conexiunile fundamentale ale MOSFET, atunci cänd acesta este privit ca un diport,
sunt: drená comuná (DC), sursá comuná (SC) ßi grilá comuná (GC). De regulá, atät expresiile
analitice, cät ßi reprezentárile teoretice ßi experimentale ale caracteristicilor statice
corespunzátoare MOSFET sunt date pentru conexiunea SC.
Pentru a ußura înþelegerea funcþionárii tranzistorului MOS vom studia pentru început
capacitorul MOS. Avänd ca bazá teoria dezvoltatá pentru capacitorul MOS se vor determina
apoi caracteristicile ideale ale MOSFET ßi, aßa cum am procedat cu dispozitivele studiate
päná acum, se vor puncta diferenþele faþá de cazul ideal ßi se vor modela principalele efecte
2 - d ßi 3 - d . Prezentarea circuitelor de polarizare caracteristice dispozitivului va fi urmatá de
studiul dinamic al MOSFET ce va include modelul de control prin sarciná, modelul de
semnal mic ßi comportarea la ínaltá frecvenþá.
7.2. Capacitorul MOS
Ín figura 7.3 este reprezentatá o secþiune printr-un capacitor MOS (MOSC) ßi

modelarea acesteia pentru determinarea caracteristicilor ideale. Structura MOSC este alcátuitá
din trei heterojoncþiuni determinate de cele patru straturi ale acestuia: metalul porþii, izolator (
SiO 2 ), semiconductor de tip p sau n, metalul de contact al substratului.
Grilá
M O S
SiO 2 SiO2 Si(p sau n)
Si p sau n
Substrat 0 x0 x
a. b.
Figura 7.3. Secþiune transversalá printr-un capacitor MOS.
Importanþa structurii MOSC este relevatá de larga sa utilizare ín tranzistoarele discrete

ßi ín circuitele integrate. Structura MOSC a fost propusá pentru prima datá ín 1959 de cátre
Jhon Moll pentru a fi folositá ca o capacitate controlabilá pe cale electricá (varicap). Astázi ea
este folositá ín dispozitivele cu transfer de sarciná, ca structurá de comandá ín tranzistoarele
MOS etc., evoluänd de la suprapunerea a patru straturi Al/SiO2/Si/metal, propusá de Moll, la
suprapuneri de tipul Al/poly-Si/Si3N4/SiO2/Si/Al, utilizate pentru stocarea sarcinii
(informaþiei) ín DRAM (dynamic random access memory).
7.2.1. Capacitorul MOS ideal
Pentru a ußura ínþelegerea fenomenelor ce au loc ín MOSC la aplicarea unei tensiuni

externe se considerá mai íntäi o structurá idealá caracterizatá de urmátoarele ipoteze:
comportarea la suprafaþá a semiconductorului este identicá cu cea din volum;
absenþa oricáror sarcini în oxid sau la interfaþa oxid-semiconductor.
Construcþia diagramei energetice a structurii este relevatá ín figura 7.4. Astfel, ín
figura 7.4.a sunt reprezentate diagramele energetice ale straturilor izolate corespunzátoare
MOSC: metal (Al), oxid de Si ßi semiconductor de tip p. Figura 7.4.b aratá diagrama E-x
corespunzátoare celor trei straturi aláturate. Ín ciuda diferenþei íntre energiile de extracþie a
electronilor din metal ßi din semiconductor nu are loc nici un transfer de electroni íntre cele
douá materiale datoritá prezenþei izolatorului (SiO2) íntre ele. Diferenþa íntre aceste energii de
extracþie se noteazá cu E MS ßi este datá de relaþia:
E MS = q ⋅ Φ MS = q ⋅ (Φ M − Φ S ) (7.1)
Modul ín care se modificá diagrama energeticá a structurii atunci cänd metalul este
scurtcircuitat la semiconductor (pentru a asigura condiþia de echilibru termodinamic) este
prezentat ín figurile 7.4.c ßi 7.4.d. Electronii metalului trec ín semiconductorul de tip p,
datoritá energiei lor superioare, íncárcänd negativ semiconductorul. Teoretic, oxidul de siliciu
nu are nici un rol ín acest transfer de particule deoarece, datoritá ínálþimii energetice mari a
benzii interzise (> 8 eV ), generarea termicá a purtátorilor de sarciná la temperatura camerei
este practic nulá. Datoritá excesului de electroni (primiþi din metal) benzile energetice ale
semiconductorului se curbeazá la interfaþa SiO2/Si. Regiunea pe care acestea se curbeazá
poartá denumirea de regiune de sarciná spaþialá de suprafaþá, iar grosimea acesteia se
determiná cu formula binecunoscutá:
2 ⋅ ε ⋅ VS 0
xd 0 = (7.2)
q ⋅ NA
unde V S reprezintá potenþialul suprafeþei semiconductorului la interfaþa SiO2/Si ßi care, ín
cazul de faþá al echilibrului termic, este chiar diferenþa íntre potenþialele de extracþie
corespunzátoare metalului ßi semiconductorului,V S 0 = Φ MS .
Ín conformitate cu teorema lui Gauss, sarcina negativá existentá la suprafaþa
semiconductorului este compensatá de sarcina pozitivá de la suprafaþa metalului la interfaþa
metal/SiO2. Datoritá concentraþiei mari a electronilor ín metal, regiunea de sarciná spaþialá de
la suprafaþa metalului este foarte íngustá. Láþimea acesteia este cunoscutá sub denumirea de
lungime Debye ßi este notatá cu L DB .
M SiO2 Semiconductor M SiO2 Semiconductor

VL VL VL VL VL VL
χ0 χ0
EC0 χS q.ΦS χS
EC E EC
EFM q.Φ F FM
EFp EF0 EFp
EF0 EV EV
EV0
EV0
E'V0
E'V0
E'V E'V
a. b.
M SiO2 Semiconductor M SiO2 Semiconductor VLR
VL VL VLL
. .
EFM
. . E FM =E F
EFp
E Fp =EF
. Metal
c. d.
Figura 7.4. Construcþia diagramei energetice corespunzátoare structurii MOSC ideale.
Aßa cum am arátat mai sus o caracteristicá principalá a structurii MOSC o reprezintá
diferenþa íntre energiile (sau potenþialele) de extracþie a electronilor din metal ßi din
semiconductor, E MS (sau Φ MS ). Figura 7.5 prezintá diagrame energetice posibile pentru
MOSC ideal ín funcþie de semnul ßi márimea acestei diferenþe.
V00=0
ΦMS= ΦM - ΦS=0 ΦMS= ΦM - Φ S <0
ΦS =χS+VCF V00>0 ΦS =χS+VCF
ΦM χS χS
VS0 =0 VCF ΦM VS0>0
EC EC
EF EF EF EF
EV
EV
a. b.
V00<0 Φ MS= ΦM - ΦS >0
ΦM χS
VS0<0
EC
EF EF
EV
c.
Figura 7.5. Diagrame energetice posibile ale MOSC ideal cu semiconductor de tip p.
Efectul polarizárii asupra diagramei energetice a unui MOSC ideal cu semiconductor

de tip p ßi Φ MS < 0 este ilustrat ín figura 7.6. Dacá tensiunea aplicatá porþii este negativá
(V G < 0) , are loc o acumulare de goluri la suprafaþa semiconductorului (prin efectul atracþiei
electrostatice) ßi, ín funcþie de márimea tensiunii aplicate, regiunea de sarciná spaþialá
negativá de suprafaþá existentá se micßoreazá päná la dispariþie, formändu-se o regiune de
sarciná pozitivá (vezi figurile 7.6.a,b,c). Datoritá calitáþii de bun izolator a oxidului, curentul
prin structurá este practic nul ßi deci nivelul Fermi din semiconductor este constant (ca ßi la
echilibru termodinamic). Sarcina acumulatá la suprafaþa semiconductorului, Q S , îßi gáseßte
corespondentul în sarcina acumulatá la suprafaþa metalului la interfaþa metal/SiO2, Q G , adicá:
Q G = −Q S (7.3)
Tensiunea V FB , faþá de care se raporteazá tensiunea negativá V G aplicatá, reprezintá
(aßa cum sugereazá ßi figura 7.6.b) tensiunea de benzi netede, care pentru structura MOSC
idealá este:
V FB ideal = Φ MS . (7.4)
Dacá tensiunea aplicatá MOSC este pozitivá, V G > 0 , ßi dacá márimea tensiunii
aplicate nu depáßeßte o anumitá valoare, numitá tensiune intrinsecá ßi notatá cu V GI , adicá
V G < V GI , golurile de la suprafaþa semiconductorului vor fi respinse, márindu-se astfel
regiunea de sarciná spaþialá negativá de la suprafaþa semiconductorului la interfaþa SiO2/Si.
Acest regim de lucru al capacitorului MOS se numeßte regim de golire. Diagramele
energetice ale MOSC corespunzátoare acestui caz, ímpreuná cu variaþia densitáþilor de sarciná
ín structurá, sunt prezentate ín figura 7.6.d. Se observá creßterea curbárii benzilor energetice
la interfaþa SiO2/Si ßi creßterea diferenþei de potenþial pe semiconductor faþá de situaþia de
echilibru termodinamic, de la V S 0 la V S . Sarcina negativá datoratá ionilor acceptori din
regiunea golitá, pentru cazul ín care semiconductorul este uniform dopat, poate fi determinatá
cu relaþia:
Q S∗ = q ⋅ N A ⋅ x d , (7.5)
∗
ín care cu Q S s-a notat sarcina acumulatá la suprafaþa semiconductorului pe unitatea de arie,
iar x d reprezintá grosimea regiuni de golire datá de relaþia:
2 ⋅ εS ⋅ VS
xd = (7.6)
q ⋅ NA
Dacá tensiunea pozitivá aplicatá structurii depáßeßte valoarea V GI (corespunzátoare
unui potenþial al suprafeþei egal cu potenþialul Fermi, adicá V S = Φ F ), benzile energetice se
curbeazá ßi mai mult, astfel íncät la suprafaþa semiconductorului nivelul Fermi se va plasa
deasupra nivelului Fermi intrinsec (E F >E F i ) ßi deci ín vecinátatea [0, d c ] a interfeþei SiO2/Si
semiconductorul devine de tip n (vezi figurile 7.6.e,f). Acest fenomen este cunoscut sub
numele de inversie a conductibilitáþii semiconductorului. Sarcina acumulatá la suprafaþa
semiconductorului (Q S ) este formatá atät de ionii acceptori (Q B ) cät ßi de electronii din
stratul de inversie de suprafaþá (Q n ) :
Q S∗ = Q B∗ + Q n∗ = −q ⋅ N A ⋅ x d + Q n∗ (7.7)
Ín regim de inversie, dependenþa sarcinii Q n de potenþialul V S este exponenþialá (vezi
relaþia 2.30), iar dependenþa sarcinii Q B este parabolicá (vezi relaþiile 7.5 ßi 7.6), astfel íncät
la creßterea tensiunii aplicate acumularea electronilor la suprafaþa semiconductorului este
mult mai accentuatá decät creßterea sarcinii corespunzátoare regiunii de sarciná spaþialá.
Tensiunea V G pentru care concentraþia purtátorilor de sarciná mobili din stratul de
inversie de suprafaþá (electroni ín cazul de faþá) devine egalá cu concentraþia purtátorilor de
sarciná majoritari ai semiconductorului substratului se numeßte tensiune de prag ßi se noteazá
cu V P .
Pentru tensiuni V G > V P se poate considera cá extinderea regiunii de sarciná spaþialá
este nesemnificativá, deci:
Q B∗ (V G > V P ) ≅ Q B∗ (V P ) = −q ⋅ N A ⋅ x d max
2 ⋅ ε S ⋅ V S (V P ) (7.8)
x d max =
q ⋅ NA
Tensiunea de prag V P reprezintá un parametru important atät pentru capacitorul MOS
cät, mai ales, pentru tranzistorul MOS.
VG <VFB VG =VFB
VG < 0 VG < 0
EFM EFM
EC
EC EFi
Φ F>0
EFp
EFi EV
EFp
VS =0
EV
VS<0
a. b.
EC
EC EFi
EFi EFp
VG =0 EV
EFM EFp VG =VGI VS = Φ F
EV V >0 VS >0
VS >0 G
EFM
c. d.
EC
EC
EFi
EFi
EFp
EFp EV
EV VS =2.ΦF +2.VT
VS=2.Φ F VS >0
VS >0
VG =VP
VG >0 VG >VP
EFM VG >>0
EFM
e. f.
Figura 7.6. Efectul aplicárii unei tensiuni V G asupra benzilor energetice ale unei
structuri MOSC cu semiconductor de tip p ßi Φ MS < 0 .
Calculul tensiunii de prag íncepe de la relevarea modului de distribuþie a tensiunii

aplicate structurii pe straturile acesteia. Astfel, expresia tensiunii de grilá este:
V G = V 0 + Φ MS + V S (7.9)
unde V 0 reprezintá tensiunea ce cade pe stratul de oxid.
Potenþialul suprafeþei pentru care concentraþia purtátorilor mobili de sarciná din stratul
de inversie de la suprafaþá este egalá cu concentraþia purtátorilor de sarciná de tip opus din
volumul semiconductorului se determiná din sistemul de ecuaþii:
 q ⋅ V S = E F i (inv) − E Fi p

  E F − E Fi (inv)  = n ⋅ exp  E F ip − E F  (7.10)
 n = p ⇒ n i ⋅ exp  k⋅T  i
 k⋅T 

Ín consecinþá, potenþialul suprafeþei corespunzátor tensiunii V P este:
V S (V P ) = 2 ⋅ Φ F . (7.11)
Deoarece s-a presupus absenþa oricáror sarcini în stratul de oxid ßi la suprafaþa
oxidului de la interfaþa SiO2/Si, cämpul electric în aceastá regiune este constant (E 0 ) , iar
tensiunea ce cade pe stratul de oxid poate fi expimatá prin relaþia:
V0 = E0 ⋅ x0 (7.12)
Ín conformitate cu teorema lui Gauss aplicatá structurii ideale a MOSC se poate scrie:
dV 0 ε ⋅V
Q ∗G = ε ox ⋅ E 0 = ε ox ⋅ = oxx 0 = C 0 ⋅ V 0 = −Q ∗S = −ε S ⋅ E S , (7.13)
dx 0
ín care ε ox = K ox ⋅ ε 0 ßi ε S = K S ⋅ ε 0 , cu K ox ßi K S constantele dielectrice ale izolatorului,

respectiv semiconductorului, iar ε 0 permitivitatea spaþiului liber, E S reprezintá intensitatea
cämpului electric la suprafaþa semiconductorului, iar cu C 0 s-a notat capacitatea specificá (pe
unitatea de arie) a stratului de oxid, adicá:
ε
C 0 = xox0 (7.14)
Din relaþia (7.13) rezultá expresia tensiunii pe oxid:

Q ∗S ε ⋅E
V0 = − =− S S (7.15)
C0 C0
Tensiunea de poartá este deci legatá de caracteristicile regiunii de sarciná spaþialá de
suprafaþá prin relaþia:
Q ∗S
VG = − + Φ MS + V S . (7.16)
C0
Ín consecinþá, expresia tensiunii de prag pentru structuri ideale este:
Q S∗ Q B∗ + Q n∗
VG = − + Φ MS + 2 ⋅ Φ F = − + Φ MS + 2 ⋅ Φ F . (7.17)
C0 C0
Datoritá faptului cá pentru V S = 2 ⋅ Φ F sarcina din stratul de inversie poate fi neglijatá
în raport cu sarcina ionilor de impuritate din regiunea de golire (Q n << Q B ) , expresia
tensiunii de prag devine:
Q B∗ q ⋅ N A ⋅ x d max
VP ≅ − + Φ MS + 2 ⋅ Φ F = + Φ MS + 2 ⋅ Φ F =
C0 C0
2 ⋅ q ⋅ N A ⋅ ε S ⋅ V S (V P )
= + Φ MS + 2 ⋅ Φ F = . (7.18)
C0
4 ⋅ q ⋅ NA ⋅ εS ⋅ Φ F
= + Φ MS + 2 ⋅ Φ F
C0
7.2.2. Capacitorul MOS real
Parametrii capacitorului MOS real (ßi implicit ai MOSFET) au expresii diferite de

cele determinate anterior. Aceaste diferenþe apar datoritá existenþei unor sarcini în volumul
oxidului ßi la suprafaþa oxidului corespunzátoare interfeþei SiO2/Si. Apariþia acestor sarcini
este inerentá procesului tehnologic de fabricaþie al acestor dispozitive. Astfel, incorporarea
unor impuritáþi sau formarea unor defecte cristaline ín procesul de creßtere a oxidului de
siliciu determiná apariþia unor sarcini repartizate aleator ín volumul SiO2, suma acestora
purtänd denumirea de sarcina ínmagazinatá ín nivelele de capturá ale oxidului sau, mai scurt,
sarcina oxidului. Densitatea volumicá a sarcinii oxidului, notatá cu ρ OT (x), are o variaþie
aleatoare ßi extrem de lentá ín timp ßi de aceea aceastá sarciná este numitá de tehnologi
sarcina fixá a oxidului. Totußi, variaþia acesteia este cauza instabilitáþii electrice a
dispozitivelor ßi circuitelor integrate realizate ín tehnologie MOS. Suprafeþele
heterojoncþiunilor metalurgice sunt ßi ele sediul unor defecte ce se constituie ín nivele de
capturá pentru purtátorii mobili de sarciná. Densitatea acestor nivele de capturá de suprafaþá
variazá cu tensiunea aplicatá heterojoncþiunii. Ín cazul de faþá sarcina ínmagazinatá ín nivele
de capturá de la suprafaþa oxidului se noteazá cu Q IT . Distribuþia densitáþii de sarciná ín
interiorul structurii MOSC este reprezentatá ín figura 7.7.
M O S
VG >0
ρ (x)
ρ0T (x) Q IT
x
QG
xp
Qn QB
xi
x0 xd
Figura 7.7. Distribuþia densitáþii de sarciná ín structura MOSC.
Efectul acestor sarcini asupra parametrilor structurilor MOS poate fi incorporat prin
adáugarea unor termeni suplimentari ín expresiile acestora. Termenii suplimentari se
determiná prin aplicarea teoremei lui Gauss unui MOSC ßi din condiþia de neutralitate globalá
a structurii. Se obþine astfel:
Q G + Q OT + Q IT + Q S = 0 ⇒ Q ∗G = −(Q ∗OT + Q ∗IT + Q ∗S )
dV ε ⋅V (7.19.a)
Q ∗G = ε ox ⋅ E 0 = ε ox ⋅ 0 = oxx 0 0 = C 0 ⋅ V 0
dx
Q ∗S = −ε S ⋅ E S
(7.19.b)
Q ∗OT = ∫0 xx0 ⋅ ρ OT (x) ⋅ dx
x0
Ín consecinþá, expresia cáderii de tensiune pe stratul de oxid pentru o structurá MOSC

realá este:
εS ⋅ ES Q ∗OT Q ∗IT
V0 = − − (7.20)
C0 C0 C0
Ínlocuind ín relaþia (7.9) expresia (7.20) se obþine:
εS ⋅ ES Q ∗OT Q ∗IT  Q ∗OT Q ∗IT  ε S ⋅ E S
VG = − − + Φ MS + V S = Φ MS − − + + VS (7.21)
C0 C0 C0  C0 C0  C0
Din relaþia (7.21), prin anularea márimilor E S ßi V S se poate deduce expresia tensiunii
de benzi netede corespunzátoare structurii reale:
Q ∗IT Q ∗OT
V FB = Φ MS − − . (7.22)
C0 C0
În general, penru tehnologia MOS standard V FB < 0.
În aceste condiþii expresia tensiunii de prag devine:
4 ⋅ q ⋅ NA ⋅ εS ⋅ Φ F
VP ≅ + V FB + 2 ⋅ Φ F (7.23)
C0
Aßa cum este ilustrat ín figura 7.8.a se considerá mai íntäi structura MOSC polarizatá
cu o tensiune continuá V G (prin trecerea comutatorului K de pe poziþia 1 pe 2) ßi apoi
considerám cá tensiunii continue V G i se adaugá o componentá alternativá cu amplitudinea
V g << V T (prin trecerea comutatorului de pe poziþia 2 pe 3). Ín regim permanent, pentru
primul caz, din condiþia de neutralitate globalá a structurii ßi prin aplicarea teoremei lui Gauss
se obþine urmátoarea relaþie:
0 = Q ∗G + Q ∗OT + Q ∗IT + Q ∗S = C 0 ⋅ V 0 + Q ∗OT + C IT ⋅ V S + C S ⋅ V S , (7.24)
din care rezultá modelul echivalent ín curent continuu corespunzátor MOSC reprezentat ín
figura 7.8.b.
Capacitáþile de semnal mare ce apar ín acest model sunt:
C IT , ce reprezintá capacitatea de curent continuu a interfeþei SiO2/Si;
C S , ce reprezintá capacitatea de curent continuu a oxidului.
Tensiunea V BI prezentá ín model incorporeazá diferenþa de potenþial datoratá
prezenþei sarcinii ínmagazinate ín volumul oxidului Q OT ßi diferenþa íntre potenþialele de
extracþie ale metalului ßi semiconductorului.
Ín scopul obþinerii modelului de control prin sarciná, necesar determinárii comportárii
la semnal mic a MOSC, diferenþiind relaþia ce descrie neutralitatea structurii ßi relaþia (7.9) se
obþine:
0 = dQ ∗G +dQ ∗OT +dQ ∗IT + dQ ∗S = dQ ∗G + dQ ∗IT + dQ ∗B + dQ ∗n ⇒
=0 d QB∗ +dQ n∗
∗
dQ G = −(dQ ∗IT ∗
+ dQ B + dQ n ) ∗ (7.25)
dv G = dv 0 +dΦ MS +dv S = dv 0 + dv S
=0
Astfel capacitatea de semnal mic a structurii este:

dQ ∗G dQ ∗G 1 1 1
Cg = = = = = (7.26)
dv G dv 0 + dv S dv 0 dv S 1 dv S 1 + 1
∗ + +
C C s C it
+
∗
dQ G dQ G C 0 −(dQ IT + dQ S )
∗ ∗ 0
unde capacitáþile implicate ín relaþie sunt:

C s - capacitatea de semnal mic ce modeleazá variaþia sarcinii ín semiconductor:
dQ ∗S
Cs = − ; (7.27)
dv S
C it - capacitatea de semnal mic ce modeleazá variaþia sarcinii la interfaþa SiO2:
dQ ∗IT
C it = − . (7.28)
dv S
Capacitatea C s este rezultatul variaþiei a douá tipuri de sarciná: electroni ßi goluri. Ín
conformitate cu cele douá variaþii de sarciná modelate, capacitatea C s poate fi exprimatá
astfel:
dQ ∗S dQ ∗n dQ ∗B
Cs = − =− − = Cn + Cp
dv S dv S dv S
dQ ∗
Cn = − n (7.29)
dv S
dQ ∗B
Cp = −
dv S
Expresiile generale ale sarcinilor acumulate la suprafaþa semiconductorului pe unitatea
de arie sunt:
Q ∗n = −q ⋅ ∫0 [n(x, v S ) − n 0 ] ⋅ dx = −q ⋅ ∫v [n(v, v S ) − n 0 ] ⋅ dx ⋅ dv
∞ 0
S dv (7.30)
∞ ∞ dx
Q B = q ⋅ ∫0 [p(x, v S ) − p 0 ] ⋅ dx = q ⋅ ∫0 [p(v, v S ) − p 0 ] ⋅ ⋅ dv
∗
dv
Ín consecinþá, expresiile generale ale capacitáþilor C n ßi C p sunt:
dQ ∗B q ⋅ [p(V S ) − p 0 ] q ⋅ [ p( V S ) − p 0 ]
Cp = − = =
dv S dv −E S
dx v =VS (7.31)
dQ n∗ q ⋅ [ n( V S ) − n 0 ]
Cn = − =
dv S ES
Modelul echivalent de semnal mic corespunzátor structurii MOSC este prezentat ín
figura 7.8.c.
Relaþiile generale (7.31) pot cápáta forme particulare ín funcþie de frecvenþa

semnalului variabil aplicat ßi ín funcþie de aproximárile ce se efectueazá pe parcursul
dezvoltárilor analitice. Ín figura 7.9 este ilustratá dependenþa teoreticá a capacitáþii structurii
ín funcþie de diversele condiþii de lucru ßi de aproximare.
Astfel pentru cazul ideal, ín care Q OT = Q IT = 0 ßi pentru regiunea de sarciná spaþialá
este folositá aproximaþia de golire cu forþarea C s ≈ C p , se obþine dependenþa notatá cu C golire
ín figura 7.9.
M O S
1 2 3
VG ~ Vg
VG dQG ρ (x)
ρ0T(x) ~
~ dQ IT
QIT
x
QG dQB
Qn dQn QB
a.
G C0 VBI CS B
C iT
b.
G C0 Cp B
Cn
Cit
c.
Figura 7.8. Modelele echivalente ale MOSC pentru:
b) polarizarea cu o tensiune continuá V G > 0 ; c) condiþii de semnal mic.
10 CLF
9
Cgth Co
M 8 Cfb CHF
Cg (pF)
7 Ci Cg∞
C O 6
VG p-Si S 5 CD
4
p-Si MOSC
NA=1,45 1016cm-3
3 x0 =0,2µm
-4 -2 0 2 4 6 8 10 12 14
VG [V]
Figura 7.9. Dependenþa teoreticá C g = C g (V G ) pentru o structurá MOSC cu
semiconductor de tip p.
Expresia intensitáþii cämpului electric la interfaþa SiO2/Si este datá de ecuaþia lui
Poisson, completatá de condiþiile la limitá: E (x d ) = 0 , V (x d ) = 0 ßi V (x = 0) = V S . Se obþine
astfel:
q ⋅ NA ⋅ xd 2 ⋅ q ⋅ NA ⋅ VS
ES = εS = εS (7.32)
Íntroducänd ín expresia (7.9) relaþia (7.15) se obþine expresia tensiunii ce cade pe

semiconductor, V S , ín funcþie de tensiunea aplicatá pe grilá:
2
 ε ⋅ q ⋅ NA εS ⋅ q ⋅ NA 
V S =  V G − V FB + S −  =
 2 ⋅ C02
2 ⋅ C 02 
 
=  V G − V FB + V AA − V AA 
2 (7.33)
ε ⋅ q ⋅ NA
V AA = S
2 ⋅ C 02
Ín consecinþá, ín regim de golire capacitatea ce modeleazá variaþia sarcinii ín regiunea
de sarciná spaþialá este:
q ⋅ [ p( V S ) − p 0 ] q ⋅ NA ε q ⋅ NA ⋅ εS
Cp = ≅ = xSd = =
−E S q ⋅ NA ⋅ xd 2 ⋅ VS
εS (7.34)
−1
V AA ⋅ C 02 V AA  V G − V FB 
= = C0 ⋅ = C0 ⋅  + 1 − 1
VS VS  V AA 
Atunci cänd semnalele aplicate au frecvenþe ínalte (> 1 MHz ) sarcina acumulatá la
interfaþa SiO2/Si, adicá Q IT ßi Q n , nu poate urmári variaþiile tensiunii alternative iar
dependenþa capacitate-tensiune aplicatá este cea notatá cu C HF ín figura 7.9. Capacitáþile
particulare ce apar punctate pe aceastá curbá sunt:
capacitatea de semnal mic corespunzátoare tensiunii de prag
C 0 ⋅ C s th C0
C g th = = ; (7.35)
C 0 + C s th C0
1+
q ⋅ NA ⋅ εS
4 ⋅ VF
capacitatea asimptoticá de semnal mic de ínaltá frecvenþá
C0 ⋅ Cs ∞ C0
Cg ∞ = = . (7.36)
C0 + Cs ∞ C0
1+
q ⋅ NA ⋅ εS
2 ⋅ (2 ⋅ V F + 3 ⋅ V T )
Atunci cänd semnalele aplicate au frecvenþe mici ín relaþia (7.26) nu mai pot fi
efectuate neglijári. Intensitatea cämpului electric la interfaþa SiO2/Si se determiná din ecuaþia
lui Poisson completatá cu condiþiile la limitá:
2 2
−ε
ε S ⋅ dE = −ε S ⋅ d V2 = −ε S ⋅  dV  ⋅  d  ⋅  dV  = S ⋅  d  ⋅  dV  ⇒
dx dx dx dV dx 2 dV dx
ε S  d   dV  2 ε S dE 2
− ⋅  ⋅  =− ⋅ = q ⋅ (p − p 0 − n + n 0 ) ≅ q ⋅ (−n + n 0 ) ⇒ (7.37)
2 dV dx 2 dV
ε S dE 2
⋅ ≅ q ⋅ n 0 ⋅  exp  V  − 1 
2 dV   VT  
V(x = 0) = V S ; V(∞) = 0; E(x = 0) = E S ; E(∞) = 0
Integränd se obþine expresia intensitáþii cämpului electric la interfaþa SiO2/Si:

2⋅q⋅n V
E S =  ε S 0  ⋅ V T ⋅  exp  S  − 1  + V S (7.38)
 VT 
Folosind relaþia (7.21) ín care E S se ínlocuießte prin expresia de mai sus se determiná
dependenþa tensiunii V S de tensiunea aplicatá structurii, V G . Ín consecinþá, ínlocuind
dependenþa gásitá, V S = V S (V G ) , ín expresia intensitáþii cämpului electric la interfaþa SiO2/Si
se obþine dependenþa E S = E S (V G ) ßi deci expresiile capacitáþilor C n ßi C p :
q ⋅ n( V S ) − n 0
Cn =
ES
(7.39)
q ⋅ p − p0
Cp =
ES
7.2.3. Inversia conductibilitáþii semiconductorului în prezenþa unei

joncþiuni
Structura tranzistorului MOS, prezentatá ín figura 7.1, incorporeazá pe längá o

structurá MOSC ßi douá joncþiuni p-n+ ce stabilesc practic lungimea canalului tranzistorului.
Prezenþa ßi polarizarea acestor joncþiuni modificá procesul de inversie a conductibilitáþii la
suprafaþa semiconductorului. Analiza acestui proces se va realiza pe un model simplificat
prezentat ín figura 7.10.
Tranzistorul ideal MOS este un dispozitiv bidimensional (2- d ). Cele douá direcþii ce
trebuiesc considerate ín analiza unui MOSFET ideal sunt direcþia perpendiculará, x , ßi
direcþia paralelá, y , relativ la canalul conductiv. Din tipurile dimensionale prezentate ín
introducerea acestui capitol numai tranzistoarele MOS cu W ≈ L fac excepþie de la aceasta,
fiind dispozitive tridimensionale. Analiza tuturor tranzistoarelor MOS ce índeplinesc
urmátoarea condiþie referitoare la dimensiunile critice:
W >> L >> x 0 >> d C , (7.40)
numitá lege de scalare sau condiþie Dennard, poate fi descompusá ín douá analize
unidimensionale. Acestá descompunere este posibilá deoarece pentru dispozitivele cu
L >> x 0 , ín oxid, pe aproape íntreaga lungime a canalului, cämpul electric principal este pe
direcþia x ßi este contolat de tensiunea aplicatá pe grilá. Mai mult, ín aceste condiþii,
intensitatea cämpului electric la interfaþa SiO2/Si pe direcþia x (≈ V G /x 0 ) este mult mai mare
decät cämpul electric de drift pe direcþia y produs de tensiunea de drená (≈ V D /L) .
Astfel, ín conformitate ßi cu aproximaþia gradualá a lui Shockley se poate considera cá

ín fiecare plan perpendicular pe direcþia y se pot aplica rezultatele modelului unidimensional
dezvoltat pentru capacitorul MOS. Singura diferenþá faþá de acesta este faptul cá atunci cänd
se aplicá o tensiune pe o joncþiune potenþialul suprafeþei semiconductorului variazá ín funcþie
de coordonata y. Ín consecinþá, íntr-o secþiune a structurii aflatá la coordonata y potenþialul
suprafeþei semiconductorului devine:
V S∗ (y) = V S − V(y), (7.41)

iar expresia tensiunii de prag ín secþiunea y este:
Q ∗B (V S∗inv ) Q ∗ (V ∗ )
V P ( y) ≅ − + V FB + V S∗ inv (y) = − B S inv + V FB + 2 ⋅ Φ F − V(y ) (7.42)
C0 C0
Pentru ca inversia conductibilitáþii semiconductorului sá se realizeze pe toatá lungimea
canalului este necesar ca tensiunea aplicatá pe grilá V G sá índeplineascá condiþia:
V G > max V P (y ) (7.43)
y∈[0;L]
Ín practicá, existá situaþii ín care substratul tranzistorului MOS se polarizeazá cu o

tensiune V BS , aplicatá íntre sursá ßi substrat, astfel íncät joncþiunea sursá-substrat sá fie
polarizatá invers. Ín aceste condiþii tensiunea de prag corespunzátoare structurii creßte, fapt
cunoscut sub denumirea de efect de substrat ("body effect"), ßi este datá de:
Q ∗B (V S∗inv )
V GB inv = V GS inv + V SB = V P + V SB ≅ − + V FB + 2 ⋅ Φ F + V SB ⇒
C0
V SB
Q ∗B (2 ⋅ Φ F ) ⋅ 1 +
2 ⋅ ΦF
V GS inv = V P = − + V FB + 2 ⋅ Φ F =
C0
V SB (7.44)
Q ∗B (2 ⋅ Φ F ) ⋅ 1 + − Q ∗B (2 ⋅ Φ F )
2 ⋅ ΦF
= VP 0 − =
C0
2 ⋅ q ⋅ NA ⋅ ε S  
= VP 0 +  2 ⋅ Φ F + V SB − 2 ⋅ Φ F  =
C0
= V P 0 + γ ⋅  2 ⋅ Φ F + V SB − 2 ⋅ Φ F 
unde cu V P 0 s-a notat valoarea tensiunii de prag pentru V SB = 0, iar parametrul γ , cunoscut
sub denumirea de constanta de efect de substrat, este dat de relaþia:
2 ⋅ q ⋅ NA ⋅ εS
γ= (7.45)
C0
G
VG >0
SiO2
VSB >0
S n+
p
B
R.S.S.
Figura 7.10. Modelul simplificat pe care se realizeazá analiza inversiei conductibilitáþii
semiconductorului ín prezenþa unei joncþiuni.
7.3. Teoria MOSFET ín regim staþionar
Ín acest capitol, mai íntäi, vor fi relevate caracteristicile statice corespunzátoare

tranzistoarelor MOS ideale cu canal indus. Apoi se vor prezenta abaterile de la idealitate
pentru diferitele tipuri dimensionale de MOSFET, inclusiv conducþia sub prag. De asemenea,
pentru diferite tipuri de MOSFET se vor prezenta cele mai utilizate modele de curent
continuu ßi circuitele tipice de polarizare corespunzátoare acestora.
7.3.1. Caracteristicile statice ideale ale tranzistorului MOS cu canal

indus
Pentru a deduce caracteristicile teoretice I − V ale MOSFET cu canal indus ne folosim

de o structurá cu substrat de tip p al cárei model este prezentat ín figura 7.11. Atunci cänd
sunt índeplinite condiþiile lui Dennard se poate face urmátoarea aproximaþie referitoare la
cämpul electric ín structurá: ín oxid cämpul elecric este ín principal pe direcþia x, E x , iar ín
canal cämpul electric ce produce curentul de drift este ín principal pe direcþia y, E y . Aceastá
separare, aßa cum am mai spus, descompune ßi simplificá problema bidimensionalá ín douá
probleme unidimensionale rezolvabile analitic. Ín analiza ce va urma se va presupune cá sursa
este legatá la masá ßi cá pe celelalte terminale se aplicá tensiunile V GS , V DS ßi V BS . Dacá
tensiunea V GS este mai mare ca tensiunea de prag, la suprafaþa semiconductorului se
formeazá un canal conductor de tip n ßi aplicarea unei tensiuni V DS conduce la apariþia unui
curent de la drená la sursá, a cárui densitate de curent, ín conformitate cu separarea
cämpurilor, poate fi aproximatá prin componenta de drift pe axa y, J y . Polarizarea negativá a
joncþiunii drená-substrat este mai puternicá decät polarizarea negativá a joncþiunii
sursá-substrat ßi, ín consecinþá, adäncimea regiunii golite este mai mare längá drená. Pentru
ca inversia conductibilitáþii semiconductorului la suprafaþá sá se producá päná la drená, ín
conformitate cu (7.42), tensiunea V DS trebuie sá índeplineascá urmátoarea condiþie:
 Q ∗B (V S∗inv ) 
V DS < V GS −  − + V FB + 2 ⋅ Φ F  = V GS − V P (7.46)
 C0 
Ín canal, la coordonata y tensiunea faþá de sursá este V(y ) . Folosind ecuaþiile lui
Shockley pentru semiconductoare, curentul de drená, aproximat prin curentul de drift al
electronilor ín direcþia y, poate fi exprimat prin relaþia:
∞ ∞
−I D = ∫ J ny ⋅ dx ⋅ W ≅ ∫ q ⋅ µ n ⋅ n(x, y ) ⋅ E y ⋅ dx ⋅ W =
0 0
   
= ∫ q ⋅ µ n ⋅ n(x, y) ⋅ − dV ⋅ dx ⋅ W ≅ µ n ⋅ − dV ⋅ W ⋅ ∫ q ⋅ n(x, y) ⋅ dx =
∞ dC
0  dy   dy  0
 
= −µ n ⋅ − dV ⋅ W ⋅ Q C∗ (y)
 dy 
(7.47)
unde cu Q C∗ s-a notat densitatea superficialá de sarciná ín canal, adicá:
dC
Q C∗ (y) = −∫0 q ⋅ n(x, y ) ⋅dx . (7.48)
VGS >0
S G VDS>0
D
SiO2
n+ n+
canal +
- V(y)
R.S.S.
x y y
L a.
Substrat Si - p dy
B
VBS <0
Jn (y)
canal n dy
SiO 2
Substrat Si - p b.
x=0 x=d c x
D
G C0 Cn B
c.
S
Figura 7.11. Modelele folosite pentru studiul unui MOSFET cu canal n.
Ín relaþia (7.47) pe längá neglijarea curentului de difuzie au mai fost fácute

urmátoarele douá aproximári: mobilitatea electronilor ín canal a fost consideratá constantá,
independentá de coordonata x, ßi cämpul electric longitudinal E y este presupus constant
pentru x ∈ [0; d C ] .
Ín scopul eliminárii márimii Q C∗ (y) se face urmátoarea aproximare:
dC ∞
Q C∗ (y ) = −∫0 q ⋅ n(x, y ) ⋅dx ≅ −q ⋅ ∫0 [n(x, y ) − n 0 ] ⋅dx = Q n∗ (y ) (7.49)
Din condiþia de neutralitate globalá a structurii ßi aplicänd teorema lui Gauss se obþin
urmátoarele relaþii:
Q n∗ + Q B∗
V GS = V FB − + V S + V(y ) ⇒
C0
Q n∗ (y )  Q B∗ (y ) 
− = V GS −  V FB − + V S + V(y )  =
C0  C 0 
 Q B∗ (y) 
= V GS −  V FB − + 2 ⋅ Φ F + (V S − 2 ⋅ Φ F ) + V(y )  =
 C0 
∗ ∗
Q Q ( V + V + V )
= V GS −  V P + B inv − B  (7.50)
S SB
+ (V S − 2 ⋅ Φ F ) + V(y )  =
 C 0 C 0 
  V − 2 ⋅ Φ + V  
 Q B∗ inv ⋅  1 + S F
− 1 
  2 ⋅ Φ + V 
+ V(y )  ≅
F SB
≅ V GS −  V P −
 C0 
 
 
≅ V GS − [V P + V(y )]
ín care Q B∗ inv = Q B∗ (V S∗inv ) = Q B∗ (2 ⋅ Φ F + V SB ), iar Q B∗ (y ) = Q ∗B (V S + V SB + V ) .
Din relaþia (7.50) se obþine expresia densitáþii superficiale de sarciná Q n∗ (y ):
Q n∗ (y ) ≅ −C 0 ⋅ [V GS − V P − V(y )] (7.51)
Eliminänd Q ∗C (y ) ín relaþia (7.46) prin utilizarea aproximaþiilor (7.49) ßi (7.51) se
obþine ecuaþia diferenþialá fundamentalá pentru o structurá MOSFET unidimensionalá:
 
−I D = µ n ⋅ C 0 ⋅ W ⋅ [V GS − V P − V(y )] ⋅ − dV , sau
 dy  (7.52)
I D ⋅ dy = µ n ⋅ C 0 ⋅ W ⋅ [V GS − V P − V(y )] ⋅ dV.
Soluþia ecuaþiei diferenþiale a MOSFET cu canal lung se poate obþine prin integrarea
acesteia de la sursá (y = 0 , V(y = 0) = 0 ) la drená (y = L , V(L) = V DS ). Se obþine astfel:
L V DS
∫0 I D ⋅ dy = ∫0 µ n ⋅ C 0 ⋅ W ⋅ (V GS − V P − V ) ⋅ dV
I D = W ⋅ µ n ⋅ C 0 ⋅ ∫0 (V GS − V P − V ) ⋅ dV =
V DS
L
 V2  (7.53)
= W ⋅ µ n ⋅ C 0 ⋅  (V GS − V P ) ⋅ V DS − DS  =
L  2 
2
 V 
= 2 ⋅ β ⋅  (V GS − V P ) ⋅ V DS − DS 
 2 
unde β = W ⋅ µ n ⋅ C 0 este un parametru constructiv al tranzistotrului MOS.

2⋅L
Relaþia (7.53) este valabilá numai atunci cänd canalul existá ín totalitate de la drená la
sursá, adicá este índeplinitá relaþia (7.46). Creßterea tensiunii V DS duce la micßorarea sarcinii
Q n din dreptul drenei, päná la completa dispariþie a canalului ín aceastá regiune Q n (L) = 0 , ca
la JFET. Aceastá táiere a canalului se obþine, ín conformitate cu (7.51), pentru:
V DS = V DS sat = V GS − V P . (7.54)
Pentru tensiuni V DS > V DS sat calculele anterioare nu mai sunt valabile. Lungimea
canalului se scurteazá la L < L , potenþialul sáu la capátul dinspre drená fiind V S inv + V DS sat .
Astfel, tensiunea aplicatá íntre drená ßi sursá cade ín principal pe regiunea de sarciná spaþialá
a drenei, tensiunea ce cade pe canalul conductor menþinändu-se la o valoare constantá
V(L ) − V(0) = V DS sat . Ca urmare, curentul de drená nu mai este controlat (teoretic) de
tensiunea V DS , menþinändu-se la o valoare constantá:
I D ≈ I D sat = I D (V DS = V DS sat ) = β ⋅ (V GS − V P ) 2. (7.55)
Teoria fácutá pentru tranzistoarele MOS cu canal indus de tip n se poate adapta cu
ußurinþá ßi pentru tranzistoarele cu canal de tip p.
Caracteristicile statice teoretice de ießire ale unor MOSFET cu canal indus, lung, sunt
prezentate ín figura 7.12.a. Relaþia (7.55) reprezintá expresia caracteristicii de transfer a
MOSFET ín regiunea de saturaþie, a cárei reprezentare graficá este prezentatá ín figura
7.12.b.
5 5
VGS =6V VDS =6V
4 4
ID [mA]
ID [mA]
5V
3 3
4V
2 2 VP
3V
1 2V 1
0 1 2 3 4 5 6 7 8 0 3
1 42 5 6
VDS[V]
VDS[V]
a. b.
Figura 7.12. Caracteristicile statice teoretice pentru o structurá MOSFET
cu canal indus de tip n: a) de ießire; b) de transfer.
7.3.2. Abateri de la caracteristicile statice ideale ale MOSFET cu canal

indus
Caracteristicile ideale ale MOSFET au fost determinate ín condiþiile simplificatoare

ale neglijárii componentei de difuzie a curentului de drená, neglijárii modulaþiei lungimii
canalului pentru tensiuni V DS > V DS sat , neglijárii variaþiei mobilitáþii cu coordonatele pe axele
x, y ßi chiar z pentru tranzistoarele de dimensiuni mici, neglijárii variaþiei vitezei de drift ßi a
intensitáþii cämpului electric cu coordonata x etc.
Principalele efecte produse asupra caracteristicilor I − V de aceste neglijári sunt listate
ín continuare:
conducþia sub prag datoratá curentului de difuzie;
aßa numitele efecte de cämp electric intens:
efectul de saturare a vitezei de drift a purtátorilor de sarciná ín raport cu
intensitarea cämpului electric longitudinal;
scáderea mobilitáþii purtátorilor de sarciná odatá cu creßterea cämpului electric

transversal;
apariþia unui curent de grilá (ßi creßterea celui de substrat), datoritá efectului de
tunel Fowler-Nordheim prin care electronii trec prin bariera de potenþial SiO2/Si,
odatá cu creßterea intensitáþii cämpului electric transversal;
creßterea tensiunii de prag datoritá creßterii sarcinii din interiorul oxidului prin
capturarea electronilor ce traverseazá aceastá regiune prin efect de tunel;
distorsionarea caracteristicii I − V a MOSFET datoritá variaþiei longitudinale a
sarcinii ínmagazinate ín volumul oxidului ßi la interfaþa SiO2/Si;
aßa numitele efecte de tensiune ínaltá ce se íntälnesc ín unele structuri MOSFET chiar
ßi atunci cänd cämpul electric nu este foarte intens:
modularea lungimii canalului conductor;
modularea láþimii electrice a canalului datoritá efectelor de margine ale cämpului
electric;
creßterea curentului de substrat (ßi chiar apariþia unui curent de poartá) datoritá
generárii prin impact a purtátorilor de sarciná la tensiuni inverse mari aplicate
joncþiunii drená-substrat;
modificarea tensiunii de prag datoritá fenomenelor de capturá ßi generare de
purtátori de sarciná, din volumul ßi de la suprafaþa oxidului, produse de electronii
acceleraþi ai "avalanßei";
distorsionarea caracteristicii statice a MOSFET datoritá variaþiei longitudinale a
sarcinii ínmagazinate ín volumul oxidului ßi la interfaþa SiO2/Si.
Ín aceastá secþiune, din toate aceste abateri de la idealitate, vor fi analizate cele ale
cáror efecte asupra caracteristicii I − V pot fi exprimate analitic.
Conducþia sub prag a MOSFET
Analiza funcþionárii statice a MOSFET cu canal n din secþiunea precedentá a fost

fácutá pentru cazul aplicárii unor tensiuni V GS mai mari ca tensiunea de prag, adicá pentru
cazul existenþei unui canal conductor bine definit. Totußi, atunci cänd tensiunea aplicatá grilei
este mai micá decät cea de prag (adicá V S < 2 ⋅ Φ F ), prin structurá circulá un curent de
purtátori minoritari (electroni pentru MOSFET cu substrat de tip p). Acesta este cunoscut sub
denumirea de curent sub prag, iar regiunea de pe caracteristica I − V corespunzátoare acestuia
este cunoscutá sub denumirea de regiune de conducþie sub prag sau sub denumirea puþin
forþatá de regiune de inversie slabá. Purtátorii minoritari sunt injectaþi de joncþiunea n + − p a
sursei, difuzeazá prin canalul superficial ßi sunt colectaþi de joncþiunea n + − p a drenei,
polarizatá invers. Este practic acelaßi mecanism, íntälnit ßi la TBJ, de injecþie de purtátori
minoritari-difuzie-colectare. Diferenþele majore constau ín faptul cá difuzia nu are loc íntr-o
regiune subþire (regiunea bazei neutre), ci íntr-o regiune de sarciná spaþialá de lungime mare,
care din punct de vedere al conductibilitáþii poate fi intrinsecá sau ußor de tip p, ßi cá
modalitatea de control a injecþiei purtátorilor minoritari la MOSFET se realizeazá prin
scáderea barierei de potenþial a joncþiunii sursei prin intermediul tensiunii aplicate pe grilá.
Ín analiza anterioará a structurii MOSFET acest curent de difuzie a fost neglijat pentru
a simplifica relaþiile analitice ßi deoarece componenta de difuzie este neglijabilá ín raport cu
componenta de drift atunci cänd suprafaþa semiconductorului este ín regim de inversie

puternicá. §i ín regim de inversie slabá curentul de difuzie are o valoare foarte micá.
Regiunea de conducþie sub prag este delimitatá de urmátoarele relaþii:
0 ≤ VS ≤ 2 ⋅ Φ F (7.56)
sau
Q B∗ (V SB ) Q B (V SB + 2 ⋅ Φ F )
− + V FB ≤ V GS ≤ − + V FB + 2 ⋅ Φ F. (7.57)
C0 C0
Pe másurá ce tensiunea V GS creßte de la limita sa inferioará la cea superioará (ín
conformitate cu 7.57), joncþiunea sursá-canal se schimbá din n + − p ín n + − i , apoi ín n + − n −
ßi ín final ín n + − n .
Curentul sub prag poate fi aproximat prin curentul de difuzie ßi astfel poate fi calculat
folosind relaþia:
 
I D = −∫0 Jny ⋅ dx ⋅ W = W ⋅ D n ⋅ d ⋅ Q n∗
∞
 dy 
 
Jny ≅ q ⋅ D n ⋅ dn (7.58)
 dy 
∞
Q n = −q ⋅ ∫0 [n(x, y ) − n 0 ] ⋅ dx
∗
Integränd relaþia (7.58) ßi folosind expresia lui Boltzmann pentru a exprima

concentraþia purtátorilor de sarciná la suprafaþa semiconductorului se obþine:
∗
 Q B sp 
 V GS − V FB −
C0    V DS   =
I D ≅ I D 0 ⋅ exp   ⋅  1 − exp  −
 VT   V T   (7.59)
 
V V
≈ I D 0 ⋅ exp  GS  ⋅  1 − exp  − DS  
 n ⋅ VT    VT  
ín care parametrii implicaþi sunt daþi de relaþiile:
1
 2
 
ID 0 =  W  ⋅  1
∗  ⋅ Dn ⋅ q ⋅ n0 ⋅ xC (7.60.a)
L  Q B sp 
V + V SB − V FB −
 GS C0 
Q B∗ sp = 2 ⋅ q ⋅ ε S ⋅ N A ⋅ (V GS + V SB − V FB )
V + V SB − V FB    V GS + V SB − V FB 
1 − exp  − GS  ⋅  
 ,
 − 1 
(7.60.b)
VT VT
xC = d C ⋅
2 ⋅ (V GS + V SB − V FB )/V T
unde x C reprezintá grosimea efectivá a canalului la conducþia sub prag.
Pentru a se ilustra acest efect ín figura 7.13 este reprezentatá caracteristica unui
tranzistor cu canal n ce are W = L = 20 µm folosindu-se douá scári diferite. Graficul din
figura 7.13.a reprezintá dependenþa I D ín funcþie de V GS . Reprezentárile grafice de acest
tip sunt folosite curent pentru determinarea experimentalá prin extrapolare a tensiunii de prag.
Panta caracteristicii reprezintá parametrul 2 ⋅ β . Abaterea de la liniaritate observatá ín

vecinátatea tensiunii de prag corespunde zonei de conducþie sub prag. Ín reprezentarea din
figura 7.13.b s-a folosit scará logaritmicá pentru I D pentru a evidenþia graniþele zonei de
conducþie sub prag, corespunzátoare regiunii liniare a caracteristicii.
Funcþionarea sub prag a MOSFET se utilizeazá pe scará largá ín aplicaþiile de putere
foarte micá. Principalul dezavantaj al lucrului ín regiunea de conducþie sub prag íl constituie
scáderea dramaticá a frecvenþei de táiere a dispozitivului.
log ID [A]
10- 3
ID [(µA)1/2]
10-4
20 10-5 Regiunea
10-6 corespunzátoare
10-7 caracteristicii
15 VDS =5 V pátratice
10-8 Regiune
W=20µ m
10 10-9 exponenþialá VDS=5V
L=20µm
10-10 de conducþie W= L=20µm
10-11 sub prag
5
10-12
0 1 2 3 4 5 VGS [V] 0 0,5 1 1,5 2 VGS [V]

VP extrapolat =0,7 V
a. b.
Figura 7.13. Caracteristica de transfer a unui MOSFET trasatá ca:
a) I D funcþie de V GS ; b) log I D funcþie de V GS .
Efectele de cämp electric intens ßi de tensiune ínaltá asupra caracteristicii I-V a

MOSFET
Creßterea intensitáþii cämpului electric ßi a tensiunilor aplicate afecteazá funcþionarea
structurilor dispozitivelor semiconductoare deoarece parametrii ce caracterizeazá transportul
(prin drift sau difuzie), generarea-recombinarea, emisia-captura ßi efectul de tunel depind de
cämpul electric din dispozitiv.
Astfel, aßa cum am arátat ín capitolul 2, mobilitáþile ßi constantele de difuzie ale
purtátorilor mobili de sarciná scad odatá cu creßterea intensitáþii cämpului electric aplicat
dispozitivului datoritá pierderilor de energie cauzate de creßterea frecvenþei ciocnirilor
acestora cu atomii reþelei cristaline aflaþi ín vibraþie. De asemenea, odatá cu creßterea
intensitáþii cämpului electric creßte energia cineticá a purtátorilor mobili de sarciná ßi deci
cresc ratele de generare, de emisie ßi de trecere prin efect de tunel a unei bariere de potenþial
ale purtátorilor mobili de sarciná, iar cele de recombinare ßi de capturá scad. Ín consecinþá, se
poate afirma cá atät performanþele dispozitivelor semiconductoare cät ßi timpul de viaþá al
acestora pot fi micßorate de aplicarea unor cämpuri electrice de intensitate mare.
Datoritá numárului mare de heterojoncþiuni, precum ßi a imperfecþiunilor materialelor
ce le alcátuiesc, funcþionarea tranzistoarelor MOS este mai mult influenþatá de intensitatea
cämpului electric decät cea a tranzistoarelor bipolare sau cu efect de cämp cu grilá joncþiune.
Efectele dependenþei mobilitáþii purtátorilor mobili de sarciná de intensitatea

cämpului electric asupra caracteristicii I-V a MOSFET
Ín canalul conductor mobilitatea purtátorilor de sarciná este influenþatá atät de
intensitatea cämpului longitudinal cät ßi de intensitatea cämpului transversal. Cele douá
mecanisme de reducere a mobilitáþii sunt: creßterea vibraþiei optice a atomilor reþelei
semiconductoare cu creßterea intensitáþii cämpului longitudinal ßi íngrámádirea purtátorilor
de sarciná la interfaþa SiO2/Si odatá cu creßterea intensitáþii cämpului transversal. Exprimarea
analiticá a acestor mecanisme conduce la urmátoarele relaþii:
µ0
µ=
γ
1
  Ey   γ
1 +  E  
 CL  (7.61)
µ0
µ= δ
  Ex  
1 +  E  
 CT 
ín care µ 0 reprezintá mobilitatea purtátorilor de sarciná la intensitáþi mici ale cämpului
electric, E CL intensitatea criticá a cämpului electric longitudinal, E CT intensitatea criticá a
cämpului electric transversal, γ ßi δ sunt parametri empirici ce teoretic variazá cu intensitatea
cämpului aplicat ßi cu temperatura.
Intensitatea criticá a cämpului electric transversal este ín jur de 100 kV/cm ßi
reprezintá intensitatea maximá a cämpului electric la interfaþa SiO2/Si. Parametrul δ variazá
de la 0, 5 päná la 2 odatá cu creßterea tensiunii aplicate pe grilá.
Intensitatea criticá a cämpului electric longitudinal este datá de viteza de saturaþie a
purtátorilor mobili de sarciná, ín conformitate cu relaþia:
v
E CL = µsat0 (7.62)
Valoarea parametrului empiric γ este cu aproximaþie 2.
Ín scopul determinárii efectului variaþiei mobilitáþii cu intensitatea cämpului

longitudinal se introduce expresia (7.61.a) ín relaþia (7.52.a). Se obþine astfel urmátoarea
ecuaþie diferenþialá:
 dV 
−
ID  dy 
− = (V GS − V P − V ) ⋅ (7.63)
µ n 0 ⋅ C 0 ⋅ W ⋅ E CL 2
 
2
E CL + − dV
 dy 
Notänd cu
ID
ID N = , (7.64)
µ n 0 ⋅ C 0 ⋅ W ⋅ E CL
ridicänd la pátrat ecuaþia diferenþialá (7.63), ßi separänd termenii ce conþin (dy) 2 de cei ce
conþin (dV ) 2 se obþine urmátoarea relaþie:
(I DN ) 2 ⋅ E CL
2
⋅ (dy ) 2 =  (V GS − V P − V ) 2 − (I DN ) 2  ⋅ (dV ) 2. (7.65)
Ín consecinþá ecuaþia diferenþialá ce descrie funcþionarea MOSFET ín condiþiile

aplicárii unor cämpuri transversale puternice este:
I DN ⋅ E CL ⋅dy = [V GS − V P − V(y )] 2 − (I DN ) 2 ⋅dV (7.66)

Integränd ßi folosind relaþia:
∫ x 2 − a 2 ⋅dx = 1 ⋅  x ⋅ x 2 − a 2 − a 2 ⋅ ln x + x 2 − a 2  (7.67)
2
se obþine urmátoarea ecuaþie transcedentalá:
2 ⋅ I DN ⋅ E CL ⋅ L = (V GS − V P ) ⋅ (V GS − V P ) 2 − (I DN ) 2 −
− (V GS − V P − V DS ) ⋅ (V GS − V P − V DS ) 2 − (I DN ) 2 −
(7.68)
 (V GS − V P ) + (V GS − V P ) 2 − (I DN ) 2 
2 
− (I DN ) ln  

 (V GS − V P − V DS ) + (V GS − V P − V DS ) 2 − (I DN ) 2 
 
Aceastá ecuaþie, deßi complicatá, relevá totußi scáderea curentului de drená la
intensitáþi crescute ale cämpului electric longitudinal. Ín general, chiar dacá tensiunea aplicatá
pe drená este departe de a produce un cämp electric intens ín cea mai mare a canalului, totußi
längá drená intensitatea cämpului este destul de mare ßi curentul de drená al dispozitivului va
fi mai mic decät cel prezis de ecuaþia teoreticá (7.53). Ecuaþia teoreticá unidimensionalá
(7.53) conduce la erori mici faþá de situaþia realá dacá este indeplinitá condiþia:
V DS
<< E CL (7.69)
L
Relaþia (7.69) ne aratá cá la tranzistoarele MOSFET cu canale de lungimi L ≤ 1 µm
efectul dependenþei mobilitáþii purtátorilor mobili de sarciná de intensitatea cämpului electric
longitudinal este pregnant. De aceea, acest efect se mai numeßte ßi efect de canal scurt.
Pentru a reliefa mai clar acest efect se considerá un tranzistor cu canal scurt la care
intensitatea cämpului electric este apropiatá de cea criticá ín aproape tot canalul. Ín aceastá
situaþie se poate considera cá viteza purtátorilor de sarciná s-a saturat, adicá:
µ n ⋅ dV = v sat = ct. (7.70)

dy
Astfel, ín condiþii de saturaþie (V DS = V DS sat = V GS − V P ) se obþine pentru curentul de
drená urmátoarea expresie:
I D = C 0 ⋅ W ⋅ v sat ⋅ (V GS − V P ) (7.71)
L
Se constatá astfel cá pe másurá ce lungimea canalului scade, caracteristica I − V a
MOSFET tinde spre o funcþie liniará.
Efectul variaþiei mobilitáþii cu cämpul electric transversal asupra caracteristicii I − V a

MOSFET se poate determina procedänd íntr-un mod asemánator celui anterior. Astfel,
pornind de la expresia
µ0  
ID = − ⋅ dV ⋅ W ⋅ Q C∗ (y ) (7.72)
1 + E x /E CT  dy 
ßi folosind relaþiile
Q C∗ (y ) ≅ Q n∗ (y )
Q S∗ = −ε S ⋅ E x = Q n∗ + Q B∗ (7.73)
∗
Q CT = −ε S ⋅ E CT
se obþine urmátoarea ecuaþie diferenþialá:
∗ Q n∗
I D ⋅ dy ≅ µ 0 ⋅ W ⋅ Q CT ⋅ ∗ ⋅ dV (7.74)
Q CT + Q n∗ + Q B∗
Þinänd seama de expresiile densitáþiilor superficiale de sarciná ßi integränd (7.74) se

obþine expresia curentului de drená ín condiþiile aplicárii unor cämpuri transversale intense.
Micßorarea curentului de drená nu este la fel de mare ca ín cazul anterior, dar poate deveni
supárátoare ín aplicaþii.
Efectele modulárii lungimii ßi a láþimii electrice a canalului conductor asupra

caracteristicii I-V a MOSFET
Ín abordárile anterioare dimensiunile canalului, W ßi L , au fost considerate constante

geometrice, determinate de procesul tehnologic. Ín realitate, márimile W ßi L ce intervin ín
expresiile analitice ale caracteristicilor I − V ale MOSFET corespund dimensiunilor
electronice ale canalului, depinzänd de tensiunile aplicate structurii. Aceastá dependenþá este
mai accentuatá pentru dispozitivele ce au dimensiuni geometrice submicronice.
Modularea lungimii canalului devine sesizabilá la aplicarea unor tensiuni pe drená

V DS > V DS sat . La astfel de tensiuni, lungimea electricá a canalului se micßoreazá datoritá
prezenþei regiunii de sarciná spaþialá íntre punctul de ínchidere al canalului ßi regiunea de
drená (vezi figura 7.14.a). Micßorarea lungimii canalului are urmátoarele efecte: creßterea
curentului de drená odatá cu creßterea tensiunii aplicate pe drená (conductanþa de drená la
saturaþie este nenulá) ßi creßterea transconductanþei structurii.
Ín conformitate cu figura 7.14.a lungimea electronicá a canalului este datá de relaþia:
LE = L − yD − yS ≅ L − yD (7.75)
iar y D este dat de relaþia:
y D = 2 q⋅ ε ⋅ 1 ⋅ (Φ B 0 + V R ) = 2 q⋅ ε ⋅ 1 ⋅ (Φ B 0 + V n − V p ) =
NA NA
(7.76)
= 2 ⋅ ε ⋅ 1 ⋅ [Φ + V − (V − V )]
q NA B0 DS GS P
ín care Φ B 0 reprezintá bariera interná de potenþial corespunzátoare joncþiunii p-n a drenei, iar
V n ßi V p reprezintá potenþialele faþá de sursá ale regiunilor n ßi p corespunzátoare aceleiaßi
joncþiuni.
Ín consecinþá curentul de drená ín regiunea de saturaþie este dat de expresia:
I D ≅ W ⋅ µ n ⋅ C 0 ⋅ (V GS − V P ) 2 (7.77)
2 ⋅ LE
iar conductanþa ín regiunea de saturaþie este:
∂I D ∂L E
gd = ≅ − W 2 ⋅ µ n ⋅ C 0 ⋅ (V GS − V P ) 2 ⋅ =
∂V DS 2 ⋅ LE ∂ V DS
∂y D ∂y D (7.78)
I
= W 2 ⋅ µ n ⋅ C 0 ⋅ (V GS − V P ) 2 ⋅ = D ⋅
2 ⋅ LE ∂V DS L E ∂V DS
Relaþia (7.78) relevá faptul cá se poate defini o tensiune similará tensiunii Early de la
TBJ:
−1
ID ∂y q
V A(MOSFET) = = L E ⋅  D  = L E ⋅ y D ⋅ N A ⋅ ε (7.79)
∂I D /∂V DS ∂V DS 
Pentru tranzistoarele MOSFET parametrul cel mai utilizat pentru a caracteriza
conductanþa de ießire este:
λ = 1 = qε ⋅ 1 ⋅ 1 (7.80)
VA N A (L − y D ) ⋅ y D
Acest efect este relevat de caracteristica realá a unui tranzistor MOS cu canal n
reprezentatá ín figura 7.14.b. Valorile tipice pentru λ se plaseazá ín gama (0, 05 ÷ 0, 005) V −1 .
Micßorarea acestui efect se poate realiza prin incorporarea unei regiuni slab dopate längá
regiunea drenei la interfaþa SiO2/Si (vezi figura 7.14.c) care face ca lungimea electronicá a
canalului sá fie insensibilá faþá de creßterea tensiunii aplicatá drenei.
Micßorarea tensiunii de prag se datoreazá regiunii de sarciná spaþialá de la joncþiunea
sursei (vezi figura 7.14.a) ce nu este controlatá de tensiunea aplicatá porþii. Aceastá micßorare
a tensiunii de prag este foarte importantá ín tranzistoarele cu canal scurt ßi este cunoscutá sub
denumirea de efect Yau. Analitic aceastá micßorare poate fi exprimatá prin relaþia:
q ⋅ NA y S x d =y S ε S ⋅ (2 ⋅ Φ F + V SB )
∆V P = − ⋅ x d (y = 0) ⋅ = − (7.81)
C0 2⋅L C0 ⋅ L
Efectele variaþiei láþimii electronice W E a canalului cu tensiunile aplicate sunt:

micßorarea curentului de drená pentru valori ale tensiunii V GS apropiate de tensiunea de prag
datoritá faptului cá W E < W , márirea curentului de drená ßi a conductanþei de drená la valori
foarte mari ale tensiunii V GS datoritá creßterii láþimii electronice a canalului (W E > W ) ßi
creßterea tensiunii de prag. Primele douá efecte sunt ilustrate ín figura 7.15.
Creßterea tensiunii de prag se datoreazá micßorárii láþimii electronice a canalului cu
grosimile regiunilor de sarciná spaþialá ale joncþiunilor drenei ßi sursei. Expresia analiticá a
acestei creßteri este:
 ∆Q ∗B  z S q ⋅ N A ⋅ x d (y = 0) z S x d =z S
∆V P = 2 ⋅  ⋅ =2⋅ ⋅ =
 C0  2 ⋅ W C0 2⋅W (7.82)
x d =z S 2 ⋅ ε S
= ⋅ (2 ⋅ Φ F + V SB )
C0 ⋅ W
Efectul micßorárii láþimii electronice a canalului asupra caracteristicii I − V , pentru
tensiuni V GS apropiate de tensiunea de prag, poate fi analizat prin ínlocuirea dimensiunii
geometrice W cu cea electronicá W E :
   
I D = µ n ⋅ − dV ⋅ W E ⋅ Q ∗C (y ) = µ n ⋅ − dV ⋅ W E ⋅ Q ∗n (y )
 dy   dy  (7.83)
V DS
I D ⋅ L = −∫0 µ n ⋅ W E ⋅ Q ∗n (y ) ⋅ dV
G
S D
n+ n+
yS canal L a.
E yD
p - Si L
B
ID Regiunea
Regiunea de saturaþie
de tip real
triodá
ideal b.
real
ideal
real
ideal
-1 VDS
λ G
S D
n+ p- n+
yS canal L c.
E yD
p - Si L
B
Figura 7.14. Modularea lungimii canalului ßi ilustrarea efectului acestui fenomen
asupra caracteristicilor I − V ale MOSFET.
Sarcina suplimentará incorporatá ín relaþia caracteristicii ideale I − V poate fi evaluatá

prin relaþia:
Q ∗B ⋅ z S
Q ∗n ⋅ (W − W E ) = 2 ⋅ = −q ⋅ N A ⋅ x d (y ) ⋅ z S = −q ⋅ N A ⋅ x 2d (y ) =
2 (7.84)
= −2 ⋅ ε S ⋅ [2 ⋅ Φ F + V SB + V(y )]
Ín consecinþá expresia curentului de drená devine:
I D = − 1 ⋅ ∫0
VDS
µ n ⋅ { W ⋅ Q ∗n (y) + 2 ⋅ ε S ⋅ [2 ⋅ Φ F + V SB + V(y)]} ⋅ dV =
L
2 ⋅ εS  V2  (7.85)
= I D ideal − ⋅ µ n ⋅  (2 ⋅ Φ F + V SB ) ⋅ V DS + DS 
L  2 
Relaþia (7.85) relevá scáderea curentului de drená la valori mici ale tensiunii V GS ßi
implicit scáderea conductanþei de drená.
Atunci cänd tensiunea aplicatá pe grilá are valori mari, láþimea regiunii de sarciná
spaþialá controlatá de aceastá tensiune creßte, devenind la un moment dat mai mare ca láþimea
geometricá a grilei (W E > W ). Aceastá sarciná suplimentará conduce la creßterea curentului

de drená ßi a conductanþei acesteia. Calculul creßterii marginale z se poate face astfel:
2
x 02z [V GS − V(y )]
z(y ) = x 02z (y ) − x 02 = x 0 ⋅ 2
− 1 ≅ x0 ⋅ −1 (7.86)
x0 V P2
Creßterea marginalá maximá se obþine la y = 0 :
2
V GS
zM = x0 ⋅ −1 (7.87)
V P2
Efectul acestei creßteri poate fi estimat astfel:
2 ⋅ µ n V DS  zM ∗
Q (z, V ) ⋅ dz  ⋅ dV =
L ∫0  ∫0 n
I D = I D ideal −
2 ⋅ µ n V DS  z M
C ⋅ [V GS − V P − V(y )] ⋅ dz  ⋅ dV =
L ∫ 0  ∫ 0 0z
= I D ideal +
 z 
2 ⋅ µn V DS  M ε0  ⋅ dV =
= I D ideal +
L ∫0 [V GS − V P − V(y )] ⋅  ∫0
 2 2
⋅ dz 

 x0 + z  (7.88)
2 ⋅ ε 0 ⋅ µ n V DS  zM + x + z 2 
2
 0 M 
= I D ideal +
L ∫ 0
[ V GS − V P − V(y )] ⋅ ln 
 x 0
 ⋅ dV =
 
2 ⋅ ε0 ⋅ µn  2
V   V 2
V GS 
= I D ideal + ⋅  (V GS − V P ) ⋅ V DS − DS  ⋅ ln  GS
− 1 + 
L  2   VP
2 VP 
S G D G
n+ n+ xS
zS
yS LE yD WE a.
B B
WG
zM
S G S G
n+ n+ xS
zS b.
WE
B B
Figura 7.15. Modularea grosimii canalului:
a) la tensiuni V GS apropiate de V P (W E < W ) ; b) la tensiuni V GS foarte mari (W E > W ) .
Curentul de substrat al MOSFET
La valori mari ale tensiunii aplicate pe drená poate sá apará ín regiunea golitá a
acesteia procesul de ionizare prin ßoc prin care se genereazá perechi electron-gol. Astfel,
pentru un MOSFET cu canal n unele din golurile rezultate "curg" spre substrat iar electronii
cátre terminalul de drená dänd naßtere unui curent de substrat. Valoarea acestui curent de
substrat depinde de tensiunea pe regiunea golitá a drenei (datoritá faptului cá energia
purtátorilor de sarciná este determinatá de aceasta) ßi, de asemenea, de valoarea curentului de
drená (ce determiná concentraþia purtátorilor de sarciná din canal ce intrá ín regiunea golitá).
Acest efect este mai puþin important pentru tranzistoarele MOSFET cu canal p deoarece
eficienþa cu care golurile din canal genereazá perechi electron-gol este mult mai micá decät
cea a electronilor. Caracterizarea acestui curent de substrat se face cu urmátoarea relaþie
empiricá:
K2
I DB = K 1 ⋅ (V DS − V DS sat ) ⋅ I D ⋅ exp  −  (7.89)
V DS − V DS sat 
ín care K 1 ßi K 2 sunt parametri dependenþi de procesul de fabricaþie al MOSFET.
Efectul major al acestui fenomen asupra performanþelor de circuit este apariþia unei
conductanþe parazite íntre drená ßi substrat:
∂I DB ∂I ∂V DS I DB  K2 
= DB ⋅ = ⋅ 1 +  (7.90)
∂V DB ∂V DS ∂V DB V DS − V DS sat  V DS − V DS sat 
Creßterea excesivá a valorii tensiunii de drená conduce la strápungerea joncþiunii
drená-substrat prin procesul de multiplicare ín avalanßá.
Observaþie
La valori mari ale tensiunii aplicate pe grilá poate sá apará strápungerea oxidului
grilei, proces destructiv pentru tranzistor. Valorile tipice ale tensiunii de stápungere a oxidului
V 0 sunt de aproximativ (25 ÷ 50) V . Datoritá faptului cá oxidul este un bun dielectric,
electrodul de poartá poate sá acumuleze sarcini, astfel íncät strápungerea oxidului poate avea
loc chiar prin simpla atingere a electrodului de poartá cu mäna sau cu obiecte electrizate. De
aceea, unele tranzistoare MOS au o diodá Zener, conectatá íntre poartá ßi sursá, incorporatá ín
structurá. Simbolul unui astfel de tranzistor este reprezentat ín figura 7.16. Dezavantajul
major al acestei soluþii constá ín micßorarea impedanþei de intrare a tranzistorului.
Tranzistoarele MOSFET neprotejate trebuie sá fie manipulate cu grijá pentru a se evita
strápungerea acestora.
D
ID
G . B
.
S
Figura 7.16. Simbolul folosit pentru structurile MOSFET protejate.
7.3.3. Modele statice de semnal mare pentru MOSFET cu canal indus
Rezultatele obþinute päná acum permit elaborarea unor modele statice de semnal mare
pentru tranzistoarele MOSFET cu canal indus. Aceste modele se folosesc pe scará largá ín
calculul punctelor statice de funcþionare corespunzátoare MOSFET.
Tranzistoarele MOS moderne se realizeazá íntr-o varietate constructivá largá. Una din
principalele direcþii de evoluþie este legatá de creßterea vitezei de lucru. Ín acest sens canalul
se realizeazá din ce ín ce mai scurt, iar la suprafaþá se formeazá un cämp electric intern
printr-o dopare neuniformá a substratului. Efectele acestor modificári au fost prezentate pe
larg ín subcapitolul anterior.
Pentru tranzistoarele MOS cu canal indus lung (L ≥ 5 µm ) caracteristicile statice
reprezentate ín figura 7.17 se pot modela folosind urmátoarele expresii analitice:
pentru MOSFET cu canal n
ín regiunea de blocare V GS < V P
ID ≅ 0 (7.91)
ín regiunea de tip triodá V GS > V P , V DS < V DS sat
V
I D ≅ 2 ⋅ β ⋅  V GS − V P − DS  ⋅ V DS (7.92)
2
ín regiunea de saturaþie V GS > V P , V DS ≥ V DS sat
I D ≅ β ⋅ (V GS − V P ) 2 ⋅ (1 + λ ⋅ V DS ) (7.93)
pentru MOSFET cu canal p
ín regiunea de blocare V GS > V P
ID ≅ 0 (7.94)
ín regiunea de tip triodá V GS < V P , V DS < V DS sat
V
I D ≅ −2 ⋅ β ⋅  V P − V GS + DS  ⋅ V DS (7.95)
2
ín regiunea de saturaþie V GS < V P , V DS ≥ V DS sat
I D ≅ β ⋅ (V P − V GS ) 2 ⋅ (1 + λ ⋅ V DS ) (7.96)
Semnificaþia parametrului λ , negativ pentru un MOSFET cu canal p ßi pozitiv pentru
un MOSFET cu canal n, este ilustratá ín figura 7.17.a. Acesta modeleazá, ín principal, efectul
modulaþiei lungimii canalului conductiv ßi corespunde inversului tensiunii Early de la TBJ.
Pentru tranzistoarele MOS cu canal indus scurt (L < 2 µm ) caracteristicile statice
reprezentate ín figura 7.17.b se pot modela folosind urmátoarele expresii analitice:
pentru MOSFET cu canal n
ín regiunea de blocare V GS < V P
ID ≅ 0 (7.97)
ín regiunea de tip triodá V GS > V P , V DS < V DS sat
2⋅β V
ID ≅ ⋅  V GS − V P − DS  ⋅ (1 + λ ⋅ V DS ) (7.98)
1 + θ 1 ⋅ (V GS − V P ) 2
ín regiunea de saturaþie V GS > V P , V DS ≥ V DS sat

β
ID ≅ ⋅ (V GS − V P ) 2 ⋅ (1 + λ ⋅ V DS ) (7.99)
1 + θ 1 ⋅ (V GS − V P )
pentru MOSFET cu canal p
ín regiunea de blocare V GS > V P
ID ≅ 0 (7.100)
ín regiunea de tip triodá V GS < V P , V DS < V DS sat
2⋅β V
ID ≅ − ⋅  V − V GS + DS  ⋅ (1 + λ ⋅ V DS ) (7.101)
1 + θ 1 ⋅ V DS  P 2
ín regiunea de saturaþie
β
ID ≅ − ⋅ (V P − V GS ) 2 ⋅ (1 + λ ⋅ V DS ) (7.102)
1 + θ 1 ⋅ (V P − V GS )
Parametrii implicaþi ín aceste expresii sunt daþi de relaþiile:
WE
β = ⋅µ ⋅C
2 ⋅ LE n 0 . (7.103)
θ1 = 1
L E ⋅ E CL
Ín unele cazuri, pentru regiunea de saturaþie ín locul expresiilor prezentate mai sus se
foloseßte o relaþie mult simplificatá:
I D = β ⋅ (V GS − V P ) m ⋅ (1 + λ ⋅ V DS ) (7.104)
unde m este un coeficient ce depinde de procesul tehnologic ßi de dimensiunile MOSFET ßi
care are valori cuprinse íntre 1 ßi 2 (m ∈ [1, 2] ).
Efectul dat de procesul de ionizare prin ßoc la joncþiunea drenei poate fi modelat
printr-un generator de curent plasat íntre drena ßi substratul tranzistoarelor aßa cum se indicá
ín figura 7.17.c.
Observaþie
Ín cazul tranzistoarelor cu canal iniþial, ale cáror caracteristici sunt reprezentate ín
figura 7.18, ín locul parametrului β , folosit pentru MOSFET cu canal indus, se foloseßte
valoarea curentului de drená pentru V GS = 0 ßi V DS sat , adicá:
I DSS = β ⋅ V P2 (7.105)
Astfel, expresiile folosite pentru a modela caracteristicile MOSFET cu canal iniþial n
sunt:
0 pentru V GS < V P
 V V V
 2 ⋅ I DSS ⋅  GS − 1 − DS  ⋅ DS pentru V GS > V P , V DS < V DS sat
ID =   VP 2 ⋅ VP  VP (7.106)
 2
 I DSS ⋅  1 − V GS  ⋅ (1 + λ ⋅ V DS ) pentru V GS > V P , V DS ≥ V DS sat
  VP 
MOSFET cu canal n
D
ID
ID [mA]
ID [mA] B 5
5 VGS=6V
G 4
4 5V
3 3
4V
S 2
2 3V
1 2V 1
0 1 2 3 4 5 6 7 VDS[V] 0 1 2 3 4 5 VGS[V]
MOSFET cu canal p
D
ID [mA] ID
5 ID [mA]
VGS=6V
B 5
4 5V G
3 4
4V 3
2 S
3V 2
1 1
0 1 2 3 4 5 6 7 -VDS[V] -6 -5 -4 -3 -2 -1 0 VGS[V]
a.
Regiunea D
ID [mA] activá
5 VGS=6V
Efecte de
4 5V canal scurt I DB
3 B
4V G
2 3V
1 2V
S
0 1 2 3 4 5 6 7 VGS[V]
MOSFET cu canal n
b. c.
Figura 7.17. Caracteristicile statice ale MOSFET: a) cu canal lung; b) cu canal scurt.
c) Modelarea fenomenului de ionizare prin ßoc la joncþiunea drenei.
Ín mod similar se pot obþine ßi expresiile caracteristicilor statice ale MOSFET cu canal
iniþial de tip p.
Tranzistoarele MOS cu canal iniþial pot lucra cu tensiuni de poartá atät pozitive cät ßi
negative. Dacá V GS > 0 pentru MOSFET cu canal n, respectiv V GS < 0 pentru MOSFET cu
canal p, regimul de lucru se numeßte regim de ímbogáþire, datoritá creßterii concentraþiei de
purtátori mobili de sarciná ín canalul conductor. Dacá V GS < 0 pentru MOSFET cu canal n,
respectiv V GS > 0 pentru MOSFET cu canal p, regimul de lucru se numeßte regim de sárácire,
deoarece concentraþia de purtátori mobili de sarciná ín canalul conductor scade.
MOSFET cu canal iniþial de tip n

ID [mA] VGS =2V ID [mA]
6 VGS =1V 6
4 VGS =0V 4
VGS =-1V
2 VGS =-1,2V 2
0 2 4 6 8 10 VDS[V] -3 -2 -1 0 1 2 3 VGS [V]
MOSFET cu canal iniþial de tip p
ID [mA] ID[mA]
VGS =-2,5V
6 6
VGS =-1,5V
4 VGS=0V 4
2 VGS =0,5V
2
0 2 4 6 8 10 -V [V] -3 -2 -1 0 1 2 3 VGS[V]
DS
Figura 7.18. Caracteristici statice I − V pentru MOSFET cu canal iniþial.
7.3.4. Efectul variaþiei temperaturii asupra caracteristicilor statice ale

MOSFET
Din punctul de vedere al dependenþei de temperaturá, tranzistoarele MOS prezintá

aceleaßi avantaje ca ßi tranzistoarele JFET.
Odatá cu creßterea temperaturii, I D scade deoarece β scade datoritá scáderii mobilitáþii
purtátorilor de sarciná (vezi subcapitolul 2.5.1). Zona preferatá de lucru a MOSFET folosit ca
amplificator este cea corespunzátoare saturaþiei. Deoarece ín aceastá regiune coeficientul de
temperaturá este negativ rezultá cá la MOSFET problema ambalárii termice nu se pune. De
asemenea, tranzistoarele MOS nu vor prezenta niciodatá fenomenul de ambalare termicá.
7.3.5. Circuite de polarizare pentru MOSFET
Circuitele de polarizare ale MOSFET trebuie sá asigure funcþionarea acestuia íntr-un

anumit punct de funcþionare ín regim static (numit punct static de funcþionare), caracterizat de
coordonatele (I D , V DS ), ßi menþinerea funcþionárii MOSFET ín acest punct ín condiþiile unei
dispersii de fabricaþie a parametrilor structurii semiconductoare. Alegerea unui punct static de
funcþionare se face ín funcþie de scopul urmárit: obþinerea unei anumite pante
g m = (∂I D /∂V GS ) VDS =ct. , folosirea unei regiuni cät mai liniare a caracteristicilor etc.
Circuitele de polarizare pentru MOSFET cu canal indus trebuie sá asigure aceeaßi

polaritate a tensiunilor aplicate pe drená ßi pe sursá, iar circuitele de polarizare pentru
MOSFET cu canal iniþial trebuie sá asigure pentru tensiunile aplicate pe drená ßi pe sursá fie
aceeaßi polaritate ín cazul cänd se doreßte funcþionarea MOSFET ín regim de ímbogáþire, fie
polaritáþi diferite pentru funcþionarea ín regim de sárácire.
Cele mai uzuale circuite de polarizare ale MOSFET sunt reprezentate ín figura 7.19
pentru un dispozitiv cu canal n.
+VDD +V DD
R1 RD R1 RD
T T
R2 R2 RS
a. b.
Figura 7.19. Circuite uzuale de polarizare pentru MOSFET.
Circuitul din figura 7.19.a poate fi folosit pentru MOSFET cu canal indus ßi pentru
MOSFET cu canal iniþial atunci cänd se doreßte funcþionarea lui ín regim de ímbogáþire,
deoarece oferá aceeaßi polaritate pentru tensiunile aplicate pe poartá ßi pe drená.
Relaþiile ce caracterizeazá circuitul sunt:
R2
V GS = ⋅V
R 1 + R 2 DS (7.107)
V DS = V DD − R D ⋅ I D
Prima relaþie a ecuaþiilor (7.107) defineßte dreapta de polarizare a MOSFET ce se
figureazá ín planul caracteristicii de transfer a acestuia.
Sá considerám cá tranzistorul MOS pe care dorim sá-l polarizám pentru a funcþiona ín
regiunea de saturaþie este cu canal lung ßi cá are valoarea parametrului λ extrem de micá.
Astfel, ecuaþia caracteristicii de transfer a acestuia devine:
I D = β ⋅ (V GS − V P ) 2 (7.108)
Intersecþia íntre dreapta de polarizare ßi caracteristica de transfer determiná punctul
static de funcþionare al dipozitivului. Rezolvarea analiticá (respectiv numericá) a sistemului
de gradul doi format din ecuaþiile (7.107.a) ßi (7.108) conduce la determinarea a douá soluþii,
una adeváratá ßi una falsá, la fel ca ín cazul JFET. Evident, numai soluþia corespunzátoare
unei tensiuni V GS > 0 este corectá.
Circuitul din figura 7.19.b poate fi folosit pentru toate tipurile de tranzistoare
MOSFET deoarece este capabil a aplica pe poartá atät tensiuni pozitive cät ßi negative.
Relaþiile ce caracterizeazá circuitul sunt:

R2
V GS = ⋅V −I ⋅R
R 1 + R 2 DS D S (7.109)
V DS = V DD − (R D + R S ) ⋅ I D
§i ín acest caz intersecþia íntre dreapta de polarizare (datá de relaþia 7.109.a) ßi
caracteristica de transfer determiná punctul static de funcþionare al dipozitivului.
7.4. Regimul variabil de semnal mic al MOSFET
Proprietáþile dinamice ale MOSFET sunt determinate de sarcinile acumulate ín

structurá care depind de tensiunile aplicate pe electrozii dispozitivului. Ín consecinþá,
modelele statice determinate anterior pot fi extinse pentru a include ßi variaþiile rapide ale
tensiunii joncþiunilor prin includerea unor componente care sá reflecte suplimentul de curent
la terminalele dispozitivului atunci cänd sarcina ínmagazinatá ín acesta variazá. Aceste
componente pot fi determinate prin analiza sarcinii acumulate sau analiza de control prin
sarciná.
Astfel, sarcina stocatá ín canalul conductor de lungime L ßi W este datá de relaþia:
L V DS dy
Q C∗ = W ⋅ ∫0 Q n∗ (y )⋅dy = W ⋅ ∫0 Q n∗ (y ) ⋅ ⋅dV (7.110)
dV
Folosind relaþia (7.47) ßi þinänd cont de egalitatea (7.49) se obþine urmátoarea
expresie:
dy µ n ⋅ Q ∗n (y ) ⋅ W
=− (7.111)
dV ID
Ínlocuind aceastá relaþie ín (7.110) se obþine:
µn ⋅ W 2 VDS 2
Q C∗ = − ⋅∫ [Q n∗ (y)] ⋅ dV , (7.112)
ID 0
iar utilizarea relaþiei (7.51) ín (7.112) conduce la determinarea expresiei dependenþei sarcinii
acumulate ín canal de tensiunile aplicate structurii:
µ n ⋅ W 2 ⋅ C 02 V DS
⋅∫
∗ 2
QC = − [V GS − V P − V(y )] ⋅ dV =
ID 0
2
3 ⋅ (V GS − V P ) 2 ⋅ V DS − 3 ⋅ (V GS − V P ) ⋅ V DS 3
+ V DS
= − 2 ⋅ W ⋅ L ⋅ C0 ⋅ = (7.113)
3 2 ⋅ (V GS − V P ) ⋅ V DS − V DS 2
2
3 ⋅ (V GS − V P ) 2 − 3 ⋅ (V GS − V P ) ⋅ V DS + V DS
= − 2 ⋅ W ⋅ L ⋅ C0 ⋅
3 2 ⋅ (V GS − V P ) − V DS
Sarcina stocatá la grilá poate fi obþinutá printr-o procedurá similará:
L L
Q G∗ = ∫0 C 0 ⋅ V 0 (y) ⋅ W ⋅ dy = ∫0 [C 0 ⋅ (V P − Φ MS − 2 ⋅ Φ F ) − Q n∗ ] ⋅ W ⋅ dy =
V DS dy (7.114)
= W ⋅ L ⋅ C 0 ⋅ (V P − Φ MS − 2 ⋅ Φ F ) − W ⋅ ∫ Q n∗ (y) ⋅ ⋅ dV =
0 dV
= W ⋅ L ⋅ C 0 ⋅ (V P − Φ MS − 2 ⋅ Φ F ) − Q C∗
Se pot calcula acum variaþiile sarcinii existente ín canal ßi la grilá ín funcþie de

variaþiile tensiunilor aplicate structurii.
Determinarea unui model de semnal mic pentru MOSFET se poate face prin utilizarea
unor metode similare acelora folosite la TBJ. Deoarece aceastá structurá este utilizatá ca
amplificator ín regiunea de saturaþie a caracteristicilor statice, circuitul echivalent de semnal
mic se va determina pentru funcþionarea acesteia ín aceastá regiune.
Ín consecinþá elementele corespunzátoare circuitului echivalent ín regim cvasistaþionar

(regim variabil valabil pentru frecvenþe joase) se pot obþine prin diferenþierea relaþiilor (7.93),
respectiv (7.99), ín funcþie de lungimea canalului conductor. Se obþine astfel:
transconductanþa de semnal mic sau panta MOSFET
 2 ⋅ ID pentru MOSFET
 (V − V )
∂I D  GS P cu canal lung
gm = ≅ (7.115)
∂V GS  ID 2 + θ 1 ⋅ (V GS − V P )  pentru MOSFET
⋅ 
V DS = ct.
 
 V GS − V P  1 + θ 1 ⋅ (V GS − V P ) 
( ) cu canal scurt
conductanþa de ießire de semnal mic
∂I D
gd = ≅ λ ⋅ ID (7.116)
∂V DS V GS = ct.
Circuitul echivalent de semnal mic ín regim cvasistaþionar pentru cazul ín care

tensiunea íntre substrat ßi sursá nu variazá este reprezentat ín figura 7.20. Substratul
tranzistoarelor MOS se leagá fie la cel mai negativ potenþial al circuitului (sursa de tensiune
negativá) dacá este cu canal n, fie la cel mai pozitiv potenþial al circuitului (sursa de tensiune
pozitivá) dacá este cu canal p. Totußi, ín foarte multe cazuri, sursa tranzistorului poate avea
un potenþial de curent alternativ semnificativ. Astfel, tensiunea íntre substrat ßi sursá variazá
afectänd tensiunea de prag a tranzistorului ßi deci influenþänd curentul de drená. Ca urmare se
poate considera substratul ca o a doua grilá de comandá, iar transconductanþa corespunzátoare
acesteia este:
 −2 ∂V P pentru MOSFET
 (V − V ) ⋅ I D ⋅ ∂V
∂I D  GS P BS cu canal lung
g mb = = 2 (7.117)
∂V BS  − V GS − V P − θ 1 ∂V P pentru MOSFET
 ⋅ ID ⋅
 [1 + θ 1 ⋅ (V GS − V P )] ∂V BS cu canal scurt
Din relaþia (7.44) se obþine prin derivare rata de variaþie a tensiunii de prag faþá de
variaþia tensiunii dintre substrat ßi sursá:
∂V P γ
=− = −χ (7.118)
∂V BS 2 ⋅ 2 ⋅ Φ F + V SB
care se constituie ßi ca relaþie de definiþie pentru parametrul χ . Acest parametru exprimá
raportul dintre cele douá transconductanþe ale dispozitivului, adicá:
g mb
gm = χ (7.119)
Ínlocuind expresia (7.118) ín (7.117) se obþine:

 2 ⋅ γ ⋅ ID pentru MOSFET

 2 ⋅ (V GS − V P ) ⋅ 2 ⋅ Φ F + V SB cu canal lung
∂I D
g mb = = θ (7.120)
∂V BS  γ ⋅  1 + 1  ⋅ I D
 V GS − V P 2  pentru MOSFET
 cu canal scurt
 [1 + θ 1 ⋅ (V GS − V P ) ] ⋅ 2 ⋅ Φ F + V SB
Circuitul echivalent de semnal mic ßi regim cvasistaþionar corespunzátor acestui caz
este reprezentat ín figura 7.20.b.
G D G D
1
Vgs gm.Vgs rd= g1 Vgs gm.Vgs gmb.Vbs rd= gd
d
S S S S
V bs
B
a. b.
Figura 7.20. Circuite echivalente de semnal mic pentru MOSFET ín regim
cvasistaþionar.
Atunci cänd viteza de variaþie a tensiunilor aplicate structurii creßte, circuitul

echivalent de semnal mic trebuie completat cu elementele capacitive ce modeleazá variaþia
sarcinii acumulate ín structurá. La saturaþie expresia sarcinii acumulate ín canal devine:
Q C∗ = − 2 ⋅ W ⋅ L ⋅ C 0 ⋅ (V GS − V P ) (7.121)
3
Astfel, capacitatea de semnal mic vázutá íntre grilá ßi sursá cu drena scurtcircuitatá la
sursá se determiná din relaþia:
∂Q G∗ ∂Q C∗
C g scc = =− = 2 ⋅ W ⋅ L ⋅ C0
∂V GS V DS=ct. ∂V GS V DS=ct. 3
, (7.122)
∂Q ∗C
= − 2 ⋅ W ⋅ L ⋅ C0
∂V GS V DS=ct. 3
iar capacitarea de semnal mic vázutá íntre drená ßi sursá cu grila scurtcircuitatá la sursá este
datá de relaþia:
∂Q C∗
C d scc = =0 (7.123)
∂V DS V GS=ct.
Presupunänd cá ín modelul de semnal mic íntre terminalele structurii sunt capacitáþile

C gs , C gd ßi C ds , expresiile acestora pentru un model unidimensional ßi pentru funcþionarea ín
regim de saturaþie se determiná din relaþiile:
C gs + C gd = C g scc = 2 ⋅ W ⋅ L ⋅ C 0
3 (7.124)
C ds + C gd = C d scc = 0
Rezolvarea acestui sistem ne conduce la:

C ds = C gd = 0
(7.125)
C gs = 2 ⋅ W ⋅ L ⋅ C 0
3
Deßi ín urma analizei unidimensionale efectuatá anterior, la saturaþie, capacitatea
funcþionalá C gd este nulá, totußi íntre aceste douá terminale existá o capacitate parazitá
constantá de suprapunere ßi o capacitate funcþionalá datoratá efectelor 2- d . Ín consecinþá,
circuitul echivalent de semnal mic la frecvenþe ínalte pentru cazul cänd tensiunea
substrat-sursá nu variazá este reprezentat ín figura 7.21.a. Dacá ínsá aceastá tensiune variazá,
circuitul echivalent complet este ilustrat ín figura 7.21.b. Capacitáþile C sb ßi C db corespund
regiunilor de sarciná spaþialá substrat-sursá, respectiv substrat-drená. Expresiile acestora sunt:
C sb 0 ε S ⋅ A SJ
C sb = ; C sb 0 =
V SB l 0S
1+ S
Φ B0
(7.126)
C db 0 ε S ⋅ A DJ
C db = ; C db 0 =
V l 0D
1 + DB D
Φ B0
unde A SJ ßi A DJ reprezintá ariile joncþiunilor drenei ßi sursei, iar l 0S ßi l 0D reprezintá lárgimile
regiunilor de sarciná spaþialá corespunzátoare joncþiunilor drenei ßi sursei.
Capacitatea C gb modeleazá capacitatea formatá íntre materialul de contact al grilei,
oxid ßi substrat ín afara ariei active a tranzistorului. Valorile tipice pentru toate aceste
elemente apar tot ín figura 7.21.b.
.
G Cgd D G Cgd (1. 10)fF D
Vgs
Vgs Cgs gm.Vgs rd Cgs gm Vgs . .
gmb Vbs rd
C. gb . . . .
(1. 5)fF (1. 100)fF (1. 10)mA/V (0,1. 3)mA/V (10 .100)k Ω
S .Cdb
(1. 30)fF
S S
V bs C
. sb
(1. 50)fF
a. B b.
Figura 7.21. Circuite echivalente de semnal mic ßi frecvenþe ínalte pentru MOSFET.
7.5. Ráspunsul la frecvenþe ínalte al MOSFET
Performanþele la frecvenþe ínalte ale tranzistoarelor MOS, ce lucreazá ín condiþii de

semnal mic, se apreciazá, ín marea majoritate a cazurilor, prin valoarea unor frecvenþe
caracteristice: frecvenþa de táiere a tranzistorului, f T , ßi produsul amplificare-bandá, PBW .
Folosind circuitul echivalent din figura 7.22 determinám expresia amplificárii ín
curent a tranzistorului cu ießirea ín scurtcircuit, la frecvenþe ínalte.
I0 G Ig Cgd D
Ig T Vgs Cgs gm.Vgs rd I0

Vg ~
S S
Figura 7.22. Circuitul echivalent de semnal mic pentru MOSFET ín conexiune SC
cu ießirea ín scurtcircuit.
Aplicänd Kirchhoff I ín nodurile de intrare ßi de ießire ale circuitului echivalent de

semnal mic din figura 7.22, se obþin expresiile curenþilor de interes:
I g = j ⋅ ω ⋅ (C gs + C gd ) ⋅ V gs
(7.127)
I 0 = g m ⋅ V gs − j ⋅ ω ⋅ C gd ⋅ V gs
ßi deci
I0 g m − j ⋅ ω ⋅ C gd gm
AI = = ≅ (7.128)
I g j ⋅ ω ⋅ (C gs + C gd ) j ⋅ ω ⋅ (C gs + C gd )
Ín consecinþá expresia frecvenþei pentru care cäßtigul ín curent devine unitar
(frecvenþa de táiere) este:
gm
fT = 1 ⋅ (7.129)
2 ⋅ π C gs + C gd
Presupunänd cá termenul intrinsec C gs este dominant, expresia (7.129) se poate scrie
pentru dispozitivele cu canal lung ßi sub forma:
g 1, 5 µ n
fT = 1 ⋅ m = ⋅ ⋅ (V GS − V P ) (7.130)
2 ⋅ π C gs 2 ⋅ π L 2
Celálalt factor de merit al MOSFET se determiná din expresia amplificárii ín tensiune
(vezi figura 7.23). Aplicänd teorema lui Miller se obþine circuitul echivalent din figura 7.23.b,
ín care:
C gd = (1 − K) ⋅ C gd
 
C gd = 1 − 1 ⋅ C gd ≅ C gd
K >>1
(7.131)
 K
K ≅ −g m ⋅ (r d R L ) = −g m ⋅ R L ech
Din analiza pe circuit se deduce expresia amplificárii ín tensiune:
V0 g m ⋅ R L ech
AV = =− =
V gs 1 + j ⋅ ω ⋅  C gd + C ds  ⋅ R L ech
(7.132)
AV 0 A V 0ideal
= ω =
1 + j ⋅ ωS (1 + ε out ) ⋅  1 + j ⋅ ω 
 ωS 
ín care parametrii implicaþi reprezintá:
A V 0 - amplificarea ín tensiune la frecvenþe joase,

A V 0 = −g m ⋅ R L ech ; (7.133)
A V 0ideal - amplificarea idealá ín tensiune la frecvenþe joase,
A V 0 ideal = −g m ⋅ R L ; (7.134)
ε out - abaterea relativá a amplificárii ín tensiune la frecvenþe joase faþá de cea
corespunzátoare MOSFET ideal intrinsec,
R
ε out = r dL ; (7.135)
ωS - pulsaþia corespunzátoare frecvenþei limitá superioare a MOSFET,
1 K >>1 1
ωS = ≅ (7.136)
 C + C ds  ⋅ R L ech  C + C ds  ⋅ R L ech
 gd   gd 
Produsul amplificare-bandá este dat de expresia analiticá:
ω gm K >>1
PBW = A V 0 ⋅ S = ≅
2⋅π
2 ⋅ π ⋅ C + C   gd ds 
K >>1 gm C ds →0 gm (7.137)
≅ ≅
2 ⋅ π ⋅  C gd + C ds  2 ⋅ π ⋅ C gd
I0 G Ig Cgd D
Ig T RL Vg =Vgs Cgs gm.Vgs rd RL

Vg ~
S S
a.
G D
Vg =Vgs Cgs +C'gd gm.Vgs C"gd RLech
S S
b.
Figura 7.23. Circuitul echivalent de semnal mic pentru MOSFET ín conexiune SC cu
sarciná conectatá pe ießire.

Tranzistoare Mosfet

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Tranzistoare Mosfet

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

7

Pentru ínþelegerea ßi determinarea caracteristicilor electrice ale MOSFET sunt

Dimensiunile critice ale MOSFET, adicá dimensiunile ce influenþeazá ín mod decisiv

Figura 7.1. Structura unui MOSFET cu canal indus de tip n.

VDS VDS VDS

7.2. Capacitorul MOS

Ín figura 7.3 este reprezentatá o secþiune printr-un capacitor MOS (MOSC) ßi

Importanþa structurii MOSC este relevatá de larga sa utilizare ín tranzistoarele discrete

7.2.1. Capacitorul MOS ideal

Pentru a ußura ínþelegerea fenomenelor ce au loc ín MOSC la aplicarea unei tensiuni

M SiO2 Semiconductor M SiO2 Semiconductor

V00<0 Φ MS= ΦM - ΦS >0

Efectul polarizárii asupra diagramei energetice a unui MOSC ideal cu semiconductor

Calculul tensiunii de prag íncepe de la relevarea modului de distribuþie a tensiunii

ín care ε ox = K ox ⋅ ε 0 ßi ε S = K S ⋅ ε 0 , cu K ox ßi K S constantele dielectrice ale izolatorului,

Din relaþia (7.13) rezultá expresia tensiunii pe oxid:

7.2.2. Capacitorul MOS real

Parametrii capacitorului MOS real (ßi implicit ai MOSFET) au expresii diferite de

Ín consecinþá, expresia cáderii de tensiune pe stratul de oxid pentru o structurá MOSC

Astfel capacitatea de semnal mic a structurii este:

unde capacitáþile implicate ín relaþie sunt:

Relaþiile generale (7.31) pot cápáta forme particulare ín funcþie de frecvenþa

Íntroducänd ín expresia (7.9) relaþia (7.15) se obþine expresia tensiunii ce cade pe

Integränd se obþine expresia intensitáþii cämpului electric la interfaþa SiO2/Si:

7.2.3. Inversia conductibilitáþii semiconductorului în prezenþa unei

Structura tranzistorului MOS, prezentatá ín figura 7.1, incorporeazá pe längá o

Astfel, ín conformitate ßi cu aproximaþia gradualá a lui Shockley se poate considera cá

V S∗ (y) = V S − V(y), (7.41)

Ín practicá, existá situaþii ín care substratul tranzistorului MOS se polarizeazá cu o

7.3. Teoria MOSFET ín regim staþionar

Ín acest capitol, mai íntäi, vor fi relevate caracteristicile statice corespunzátoare

7.3.1. Caracteristicile statice ideale ale tranzistorului MOS cu canal

Pentru a deduce caracteristicile teoretice I − V ale MOSFET cu canal indus ne folosim

Ín relaþia (7.47) pe längá neglijarea curentului de difuzie au mai fost fácute

unde β = W ⋅ µ n ⋅ C 0 este un parametru constructiv al tranzistotrului MOS.

7.3.2. Abateri de la caracteristicile statice ideale ale MOSFET cu canal

Caracteristicile ideale ale MOSFET au fost determinate ín condiþiile simplificatoare

scáderea mobilitáþii purtátorilor de sarciná odatá cu creßterea cämpului electric

Conducþia sub prag a MOSFET

Analiza funcþionárii statice a MOSFET cu canal n din secþiunea precedentá a fost

componenta de drift atunci cänd suprafaþa semiconductorului este ín regim de inversie

Integränd relaþia (7.58) ßi folosind expresia lui Boltzmann pentru a exprima

Panta caracteristicii reprezintá parametrul 2 ⋅ β . Abaterea de la liniaritate observatá ín

0 1 2 3 4 5 VGS [V] 0 0,5 1 1,5 2 VGS [V]

Efectele de cämp electric intens ßi de tensiune ínaltá asupra caracteristicii I-V a

Efectele dependenþei mobilitáþii purtátorilor mobili de sarciná de intensitatea

Valoarea parametrului empiric γ este cu aproximaþie 2.

Ín scopul determinárii efectului variaþiei mobilitáþii cu intensitatea cämpului

Ín consecinþá ecuaþia diferenþialá ce descrie funcþionarea MOSFET ín condiþiile

I DN ⋅ E CL ⋅dy = [V GS − V P − V(y )] 2 − (I DN ) 2 ⋅dV (7.66)

µ n ⋅ dV = v sat = ct. (7.70)

Efectul variaþiei mobilitáþii cu cämpul electric transversal asupra caracteristicii I − V a

Þinänd seama de expresiile densitáþiilor superficiale de sarciná ßi integränd (7.74) se

Efectele modulárii lungimii ßi a láþimii electrice a canalului conductor asupra

Ín abordárile anterioare dimensiunile canalului, W ßi L , au fost considerate constante

Modularea lungimii canalului devine sesizabilá la aplicarea unor tensiuni pe drená

Efectele variaþiei láþimii electronice W E a canalului cu tensiunile aplicate sunt:

Sarcina suplimentará incorporatá ín relaþia caracteristicii ideale I − V poate fi evaluatá

geometricá a grilei (W E > W ). Aceastá sarciná suplimentará conduce la creßterea curentului

Efectul acestei creßteri poate fi estimat astfel:

Curentul de substrat al MOSFET

7.3.3. Modele statice de semnal mare pentru MOSFET cu canal indus

ín regiunea de saturaþie V GS > V P , V DS ≥ V DS sat

MOSFET cu canal iniþial de tip n