2

NOÞIUNI DE
FIZICA
SEMICONDUCTOARELOR

2.1. Generalitáþi

Dispozitivele electronice moderne, pasive ßi active, ßi circuitele integrate sunt realizate

pe baza a trei tipuri de materiale solide, cunoscute sub numele de materiale electronice solide :
conductoarele, semiconductoarele ßi izolatoarele. Dispozitivele electronice moderne ßi
circuitele integrate conþin, ín mod uzual, mai multe straturi suprapuse subþiri din materiale
conductoare, semiconductoare ßi izolatoare. Datoritá faptului cá performanþele electronice ale
dispozitivelor ßi circuitelor electronice sunt determinate, ín principal, de conducþia electricá
prin straturile lor semiconductoare, acestea sunt cunoscute sub denumirea genericá de
dispozitive ßi circuite semiconductoare.

Analiza ßi proiectarea dispozitivelor ßi circuitelor semiconductoare depind de

ínþelegerea profundá a noþiunilor de fizicá corespunzátoare acestor trei tipuri de materiale
electronice solide. Studiul funcþionárii acestora implicá studiul comportárii materialelor
electronice solide atät ín prezenþa unor factori externi perturbatori (cämpuri electrice, cämpuri
magnetice, radiaþii electromagnetice sau nucleare etc), cät ßi ín absenþa acestora. Pentru
aceasta se introduc douá concepte: echilibru termodinamic ßi neechilibru termodinamic.
Echilibrul termodinamic reprezintá o condiþie globalá ce constá ín índeplinirea simultaná a
patru condiþii de echilibru:
echilibru termic ce constá ín pástrarea unei temperaturi uniforme ßi constante ín tot
volumul materialului;
echilibru electric ce constá ín absenþa factorilor externi ce ar conduce la apariþia unui
curent electric net prin material sau la generarea, recombinarea ßi captura oricárui tip
de purtátori de sarciná;
echilibru chimic ce constá ín absenþa unui flux net de particule prin material ßi a
reacþiilor íntre diferitele tipuri de particule atomice neutre;
echilibru mecanic ce constá ín considerarea unei presiuni hidrostatice constante.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 5

Neíndeplinirea uneia din cele patru condiþii de echilibru plaseazá materialul ín situaþie
de neechilibru termodinamic.
Un material solid conþine ín jur de 10 23 particule (electroni, ioni ßi atomi neutri) ín
unitatea de volum (centimetrul cub), particule ce prezintá distanþe extrem de mici íntre ele.
De aceea, comportarea acestora se studiazá pe baza a douá extensii ale fizicii clasice: cuantica
probabilisticá, ce rezolvá problema distanþelor mici dintre particule, ßi mecanica statisticá, ce
rezolvá problema numárului mare de particule. Aceste extensii furnizeazá principalele
instrumente de studiu ale materialelor implicate ín realizarea dispozitivelor ßi circuitelor
semiconductoare, ßi anume:
modelul benzilor energetice dezvoltat pe baza a douá postulate fundamentale cu
privire la caracterul dual al particulelor materiale ßi al radiaþiei electromagnetice:
condiþia lui Planck - absorbþia ßi emisia radiaþiei electromagnetice se realizeazá ín
cuante discrete, cunoscute sub numele de fotoni ; energia unui foton este datá de
relaþia:
~
E = h ⋅ f = h ⋅ω
unde f reprezintá frecvenþa radiaþiei electromagnetice, h = 6, 6262 ⋅ 10 −34 [J ⋅ s ]
~
(sau h = 4, 1357 [eV ⋅ fs ] ) reprezintá constanta lui Planck ßi h = h /(2 ⋅ π) ;
ipoteza lui de Broglie - impulsul unei particule undá (foton) este invers
proporþional cu lungimea sa de undá:
p = h;
λ
statistica Fermi-Dirac ce furnizeazá distribuþia electronilor ín funcþie de energia
cineticá a acestora la echilibru termic.

Un alt instrument important ín studiul acestor materiale íl reprezintá modelul chimic

al legáturilor. Acest model introduce douá noi particule conceptuale: electronii (ce au aceeaßi
sarciná ca ßi particulele reale ßi o masá efectivá m − ) ßi golurile (particule ce au sarcina egalá
dar de semn contrar celei a electronului real ßi o masá efectivá m + , diferitá ín cele mai multe
cazuri de cea a electronului m − ), menite sá descrie ßi sá facá posibilá analiza matematicá a
proprietáþilor a aproximativ 10 23 electroni ßi atomi reali existenþi ín unitatea de volum.

Curentul continuu sau instantaneu ce apare prin dispozitivele sau circuitele

semiconductoare sub acþiunea unor agenþi externi perturbá atät echilibrul electric cät ßi pe cel
termic. Efectele agenþilor perturbatori sunt descrise calitativ de modelul chimic al legáturilor
ßi cantitativ de modelul benzilor energetice, iar analiza ßi reprezentarea matematicá a acestora
se realizeazá folosind ecuaþiile lui Shockley, ecuaþii dezvoltate pe baza modelului benzilor
energetice. Distribuþia ín spaþiu a particulelor, viteza ßi energia lor se determiná ín
conformitate cu statistica Fermi-Dirac.

Corpurile solide se pot clasifica ín funcþie de proprietáþile lor geometrice, mecanice ßi

electrice. Ín funcþie de configuraþia reþelei atomice corpurile solide se ímpart ín solide
cristaline, solide policristaline ßi solide amorfe. Solidele cristaline au o structurá cristaliná cu
atomii ßi moleculele distribuite íntr-o reþea regulatá, ín care unitatea structuralá a reþelei (cub,
6 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

tetraedru, etc) se repetá periodic. Aceastá periodicitate a reþelei cristaline, ín corpurile solide
reale, este íntreruptá aleator de defecte fizice (dislocarea unui atom din locul sáu din structura
cristaliná) ßi de prezenþa unor atomi de impuritate. Solidele policristaline se compun din
multe cristale legate íntre ele ßi orientate aleator. Solidele amorfe au atomii ßi moleculele
plasate aleator ßi deci nu au ín structura lor cristale.
Ín funcþie de energia de legáturá a atomilor din reþea, corpurile solide se pot clasifica
din punct de vedere al proprietáþilor lor mecanice astfel:
Cristale bazate pe interacþiune dipol-dipol (forþe Van der Wall);
Cristale ionice la care energia de legáturá este de 8÷ 10 eV (forþe electrostatice);
Cristale covalente la care energia de legáturá este de 0,5÷ 5 eV;
Cristale metalice la care concentraþia electronilor delocalizaþi este mare;
Cristale bazate pe legáturi de hidrogen la care energia de legáturá este de 0,1 eV.
Semiconductoarele prezintá legáturi covalente sau slab ionice.
Din punct de vedere al proprietáþilor electrice corpurile solide se pot clasifica funcþie
de conductivitatea electricá sau rezistivitatea electricá a acestora. O astfel de clasificare este
prezentatá ín continuare:

Densitatea
Tipul materialului Rezistivitate electronilor de Exemple
[ohm-cm] conducþie
[cm-3]
Superconductor Sn, Pb la temperaturi cuprinse íntre
0 10 23 0,1...4 K.
la temperaturi joase
A
Superconductor
la temperaturi ínalte 0 ≅ 10 23 Oxizii la temperaturi ínalte.

B Conductoare bune 10 −6 ÷ 10 −5 10 22 ÷ 10 23 Metale ca Na, K, Cu, Au.

C Conductoare 10 −5 ÷ 10 −2 10 17 ÷ 10 22 Semi-metale ca As, B, grafitul
D Semiconductoare 10 −2 ÷ 10 9 10 6 ÷ 10 17 Ge, Si, GaAs, GaP, InP, GaxAsyPz
10 14 1 5
E Semi-izolatoare 10 ÷ 10 10 ÷ 10 Si amorf
F Izolatoare 10 14 ÷ 10 22 1 ÷ 10 Diamantul, SiO2, Si3N4, dielectricele

2.2. Modele electronice pentru corpurile solide

Ín solide, electronii ßi proprietáþile lor electrice pot fi descrise folosind:

modelul calitativ al legáturilor chimice ßi
modelul cantitativ al benzilor energetice.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 7

2.2.1. Modelul legáturilor chimice

Modelul legáturilor chimice oferá o reprezentare ilustrativá lucidá a electronilor ßi

proprietáþilor chimice ale atomilor, moleculelor, polimerilor ßi solidelor amorfe ßi de aceea
este foarte popular ín rändul chimißtilor. Odatá cu descoperirea tranzistorului ín 1948 el a
ínceput sá fie folosit ßi de cátre fizicieni ßi electronißti ca model efectiv pentru ilustrarea
proprietáþilor electrice ale electronilor ßi, implicit, a particulelor fictive (electroni ßi goluri) ce
derivá din el, ín semiconductoare ßi izolatoare.

Ín semiconductoarele elementare cristaline ca C (diamantul), Si ßi Ge forþele de

legáturá íntre atomi sunt asigurate de legáturile ce apar íntre perechi de electroni de valenþá.
Fiecare legáturá conþine doi electroni de valenþá cu spini opußi de la doi atomi vecini. De
aceea, aceste legáturi se numesc covalente sau homo-polare. Ín reþeaua cristaliná a
semiconductoarelor elementare fiecare atom se ínvecineazá la distanþá minimá cu patru atomi
uniform distribuiþi ín spaþiu (figura 2.1.a). Legáturile covalente sunt cele care conduc la
realizarea acestei structuri simetrice ce conferá cristalelor o deosebitá rigiditate ßi duritate.
Reprezentarea simbolicá a acestei reþele, ilustratá ín figura 2.1.b pentru Si, este cunoscutá ca
modelul Shockley pentru semiconductoarele elementare. Ín acest model legáturile covalente
sunt reprezentate prin douá linii paralele pe care se indicá sau nu prezenþa electronilor.
Cercurile, ín care s-a inscris cifra +4, simbolizeazá atomii reþelei fárá electronii de valenþá
prinßi ín legáturile covalente, ín conformitate cu figura 2.1.c.

o
0,5A
+4 +4 +4 +4

Si o
2,35A Legáturá
covalentá
Si +4 +4 +4 +4
3
Orbita sp
Si
Si Si
+4 +4 +4 +4

a) b)

-4 -4
-10
o +14 o
2A +4 0,5A

c)
Figura 2.1. Modelul legáturilor chimice
a) Reþeaua cristaliná spaþialá; b) Modelul Shockley;
c) Reprezentarea atomilor din nodurile reþelei.
8 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

Ruperea unei legáturi covalente se realizeazá prin transmiterea energiei de activare

unui electron al acesteia. Transmiterea energiei de activare se poate face fie prin excitarea
semiconductorului cu un agent extern, fie prin creßterea temperaturii semiconductorului.
Creßterea temperaturii semiconductorului conduce la creßterea energiei de vibraþie termicá a
reþelei atomice a acestuia. Prin ruperea unei legáturi covalente unul din cei doi electroni ai
legáturii devine electron liber ín spaþiul dintre atomii reþelei ßi legáturile covalente (figura
2.2). Prin plecarea electronului apare un exces de sarciná pozitivá, de valoare +q (-q
reprezintá sarcina elementará a electronului), atomul care a pierdut acest electron devenind
ion pozitiv. Aceastá sarciná pozitivá, ce reprezintá o legáturá covalentá nesatisfácutá, se
numeßte gol. Se observá cá prin ruperea unei legáturi covalente este generatá o pereche
electron - gol.

+4 +4 +4 +4
Electron

Gol
+4 +4 +4 +4

Figura 2.2. Generarea unei perechi electron-gol.

Modelul legáturilor chimice de valenþá poate fi folosit cu succes ßi ín cazul unor

semiconductoare compuse (ex. GaAs, GaP etc) ín ciuda caracterului lor ußor ionic. Ín schimb,
pentru izolatoarele tip oxid ßi semiconductoarele compuse cu caracter ionic pronunþat
modelul prezentat anterior nu mai este valabil deoarece legáturile íntre atomi sunt de tip ionic
sau heteropolar.

2.2.2. Modelul benzilor energetice

Modelul legáturilor chimice de valenþá nu poate constitui un punct de plecare pentru

dezvoltarea unei teori cantitative asupra proprietáþilor semiconductoarelor deoarece nu oferá
informaþii cu privire la variaþiile spaþiale ale potenþialului electric ßi cämpului electric ín
semiconductor. De aceea, studiul mißcárii electronilor ín cämpul periodic al ionilor reþelei
monocristaline se realizeazá folosind legile mecanicii cuantice. Principalul rezultat al acesteia
íl constituie modelul benzilor energetice.

Punctul de plecare ín dezvoltarea acestui model íl constituie diagrama energiei

potenþiale a unui electron íntr-un atom izolat ßi apoi generalizarea acesteia pentru cazul mai
multor atomi. Consideränd astfel cazul unui cristal de Si format din 11 atomi, sá vedem cum
se repartizeazá din punct de vedere energetic cei 14 ⋅ 11 electroni ai cristalului la 0 o K . Ín
acord cu principiul de restricþie al lui Pauli numai doi electroni pot avea aceeaßi energie ßi
funcþie de undá. Ín consecinþá, electronii se vor distribui cäte doi pe nivelele energetice
determinate de stárile energetice 1s, 2s, 2p, 3s ßi 3p corespunzátoare Si astfel:
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 9

cei 140 de electroni ce intrá ín componenþa centrilor ionici ai reþelei

22 de electroni pe cele 11 stári 1s,
22 de electroni pe cele 11 stári 2s,
66 de electroni pe cele 33 stári 2p,
ßi cei 44 electroni de valenþá
22 de electroni pe cele 22 stári 3s,
22 de electroni pe 22 stári din cele 66 stári 3p.
Aceste nivele energetice formeazá benzi energetice permise separate íntre ele de benzi
energetice interzise. Din enumerarea de mai sus se observá cá nivelele energetice
corespunzátoare stárilor 1s, 2s, 2p ßi 3s sunt integral ocupate cu electroni, iar nivelele 3p sunt
parþial ocupate cu electroni. Diagrama benzilor energetice corespunzátoare electronilor de
valenþá ín acest caz este ilustratá ín figura 2.3.a. Convenþia de semne cu privire la energia
electronului este:
E< 0 pentru electronii din interiorul materialului ßi
E> 0 pentru electronii extraßi din material.
Evident, ín studiul comportárii electronilor de valenþá, ce reprezintá purtátorii de
sarciná reali ín mecanismele de conducþie, intereseazá numai spectrul energiilor negative. Aßa
cum relevá figura 2.3.a, la 0 o K electronii de valenþá ocupá integral o bandá permisá
(alcátuitá, pentru Si, din nivelele energetice corespunzátoare stárilor 3s ßi 3p) numitá bandá
de valenþá. Energia nivelului superior al benzii se noteazá cu E V iar energia nivelului inferior
al acestei benzi se noteazá cu E V . Ínálþimea energeticá a benzii de valenþá pentru Si este de
E V −E V = 12 eV .
Banda permisá formatá din o parte din nivelele energetice corespunzátoare stárii 3p
care la 0 o K nu este ocupatá cu electroni se numeßte bandá de conducþie. Energia nivelului
minim al benzii de conducþie se noteazá cu E C , iar energia nivelului maxim cu E C . Ínálþimea
energeticá a benzii de conducþie se numeßte afinitate electronicá ßi se noteazá cu χ . Afinitatea
electronicá pentru Si este χ Si =E C −E C = 4, 02 eV . Íntre cele douá benzi permise se gáseßte o
bandá energeticá interzisá a cárei ínálþime energeticá se noteazá cu E G =E C −E V ßi a cárei
valoare pentru Si este E G Si = 1.18 eV .

Íntr-un cristal de 1cm3 sunt ín jur de 1022 atomi ßi deci benzile de valenþá ßi de
conducþie vor conþine ín jur de 1023 nivele energetice. De aceea, ín descrierea fenomenelor ce
apar ín dispozitivele semiconductoare se foloseßte o diagramá energeticá simplificatá ce este
cunoscutá sub numele de diagrama energie-distanþá sau diagrama benzilor energetice E-x ßi
care este prezentatá ín figura 2.3.b.

Izolatoarele au acelaßi model de benzi energetice ca ßi semiconductoarele, dar au

ínálþimea energeticá a benzii interzise mult mai mare. Ín general, solidele ce respectá modelul
benzilor energetice prezentat anterior ßi au ínálþimea energeticá a benzii interzise similará sau
mai micá decät energia unui foton din spectrul vizibil sau infraroßu, adicá ín jur de 0, 1 päná
la 3 eV , se íncadreazá ín categoria semiconductoarelor, iar solidele ce au ínálþimea benzii
interzise de cäteva ori mai mare decät 3 eV se íncadreazá ín categoria izolatoarelor. Dacá ínsá
se considerá ca materiale izolatoare cele ce nu prezintá electroni liberi ín spaþiul dintre
nodurile atomice al reþelei cristaline ßi legáturile chimice ale acestora, atunci graniþa dintre
izolatoare ßi semiconductoare devine imprecisá, depinzänd foarte mult de temperaturá.
10 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

E ' E
Ε 'C x EC
x
χ = E'C- EC Banda de χ
Banda de
χ = 4,02eV conducþie conducþie Si =4,02eV
χ = E' - E
Si ΕC Si C C
EC
EG=EC -EV ΕV EG=1,18eV Banda Banda interzisá E G =E C-E V
interzisá E =1,18eV
V
E20

E15
~ Banda de ~ 12eV
Si=12eV Banda de ( EV - E'V)Si=
E10 valenþá valenþá

E5
E'V
E'V
a. b.
Figura 2.3. Diagrama benzilor energetice E-x: a) corespunzátoare unui cristal format
din 11 atomi de Si; b) diagrama simplificatá folositá ín descrierea fenomenelor ce apar
ín dispozitivele semiconductoare.

La metale diagrama benzilor energetice este compusá dintr-o singurá bandá energeticá
parþial ocupatá cu electroni numitá bandá de conducþie. Aceastá bandá conþine un numár mare
de electroni liberi (sau electroni de conducþie), independent de temperaturá. De aceea,
metalele sunt bune conducátoare de electricitate, conductibilitatea lor fiind puþin dependentá
de temperaturá.

O altá diagramá des folositá ín descrierea proprietáþilor electrice ale

semiconductoarelor, mai ales ín optoelectronicá, este aßa numita diagramá E-k sau
energie-factor de undá. Punctul de plecare pentru determinarea acestei diagrame íl constituie
ecuaþia lui Schrödinger, dupá care dezvoltarea se poate realiza folosind unul din cele douá
modele puse la dispoziþie de fizicá ßi anume:
modelul electronului aproape liber ßi
modelul legáturilor compacte.
Ambele modele sunt excelente unelte pedagogice ce ajutá la ínþelegerea conceptelor
de electron ßi gol ßi cu ajutorul cárora pot fi anticipate ßi analizate caracteristicile
dispozitivelor electronice. Rezultate teoretice furnizate de modelul electronului aproape liber
pentru cazul 1-d ßi 3-d pentru Si sunt prezentate ín figura 2.4. Figura 2.4.b prezintá
dependenþa E-k numai pentru douá direcþii ale vectorului k: <111> ßi <100>, dar ßi aßa
ilustreazá complexitatea acestei diagrame ín cazul solidelor reale tridimensionale (3-d). Ín
conformitate cu convenþiile fizicienilor energiile ín punctele de ínaltá simetrie sunt notate cu
litere greceßti la k = 0 ßi cu litere romane la k = (kx, ky, kz) ≠ 0.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 11

E[eV] E[eV] E[eV]

E'C x E'C Γ2'
5
4
3 Γ15 x1
2
EC EC L1
1,18 Γ25'
EV EV 0
-1
-2 L3'
-3
-4 x4
-5
-6
-7
-8
-9
-10
-11
E'V -12 k
K <111> k=0 <100>0,85 1 2π/a
k= π/a L Γ x
kmin
a. b.
Figura 2.4. Diagrama E-k (energie-factor de undá) pentru:
a) cazul 1-d (unidimensional); b) cazul 3-d (tridimensional).

Poziþiile relative ale nivelelor energetice E C ßi E V ín spaþiul k au un efect esenþial

asupra proprietáþilor optice ale solidelor. Astfel, ín funcþie de configuraþia acestor nivele,
semiconductoarele se ímpart ín:
semiconductoare la care minimul nivelului E C ßi maximul nivelului E V sunt dispuse
ín acelaßi punct al zonei Brillouin (ín mod obißnuit ín punctul k = 0) ca GaAs, ZnS,
InP etc., cunoscute sub numele de semiconductoare "direct energy gap" sau "direct
band gap" sau semiconductoare cu benzi "aliniate";
semiconductoare la care minimul nivelului E C ßi maximul nivelului E V sunt situate la
k diferite ca Si, Ge, GaP etc., cunoscute sub numele de semiconductoare "indirect
energy gap" sau "indirect band gap" sau semiconductoare cu benzi "nealiniate";
Materialele semiconductoare folosite cu precádere ín realizarea dispozitivelor ßi
circuitelor optoelectronice sunt cele "direct energy gap" ce prezintá o eficienþá mai mare atät
ín generarea cät ßi ín absorbþia undelor luminoase.
Ín figura 2.5. sunt prezentate cäteva diagrame E-k pentru materialele semiconductoare
cel mai des folosite ín construcþia dispozitivelor ßi circuitelor semiconductoare.
12 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

Figura 2.5. Diagrame teoretice E-k pentru diverse materiale semiconductoare:

a) Si; b) Ge; c) GaAs; d) InP; e) GaSb; f) ZnS.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 13

2.2.3. Electroni ßi goluri ín semiconductoare

Ín subcapitolul anterior am arátat faptul cá dacá unui electron, prins íntr-o legáturá
covalentá, i se transferá o energie egalá cu energia sa de activare, legátura covalentá a
acestuia este ruptá iar electronul este eliberat ín spaþiul reþelei cristaline ce nu este ocupat de
ionii din ochiurile acesteia ßi de legáturile covalente. Modul ín care se descrie acest fenomen
cu ajutorul diagramei E-x este prezentat ín continuare.
Un electron situat pe un anumit nivel energetic poate trece pe un nivel energetic
superior dacá:
nivelul energetic superior este liber ßi
electronului i se transmite energia necesará saltului.
Saltul energetic ín sens invers, de pe un nivel energetic superior pe unul inferior este
un proces natural, spontan, condiþionat numai de existenþa unui nivel energetic inferior
neocupat.
Din cele expuse mai sus rezutá faptul cá pentru ca íntr-un corp solid sá existe electroni
liberi, ßi deci acesta sá permitá fenomene de conducþie, este necesar sá existe cel puþin o
bandá permisá incomplet ocupatá cu electroni.
Pentru semiconductoare, la temperaturi diferite de 0 o K , electronii ce primesc, de la
reþea, energie egalá sau mai mare decät energia de activare trec ín banda de conducþie
devenind electroni liberi sau electroni de conducþie. Ín felul acesta apar douá benzi permise
parþial ocupate cu electroni: banda de valenþá ßi banda de conducþie. Locul rámas liber pe
nivelul energetic corespunzátor din banda de valenþá poate fi ocupat de un alt electron dintr-o
altá legáturá covalentá. Ca urmare, la aplicarea unui cämp electric extern, prin semiconductor
pot circula curenþi electrici datoritá a douá mecanisme de conducþie diferite, corespunzátoare
celor douá benzi permise parþial ocupate:
deplasarea dirijatá a electronilor de conducþie ßi
deplasarea dirijatá a electronilor din legáturile covalente spre locurile libere din
legáturile covalente incomplete ce au furnizat electronii de conducþie.
Conducþia curentului electric prin aportul a douá benzi energetice este specificá
semiconductoarelor.
Pentru descrierea fenomenelor macroscopice de conducþie s-au dezvoltat modele ce
folosesc particule fictive. Astfel:
mißcarea electronului liber ín banda de conducþie este descrisá de o particulá fictivá,
numitá tot electron, ce are aceeaßi sarciná ca particula realá (notatá cu −q ) ßi o masá
efectivá m − ;
mißcarea electronului ín banda de valenþá (electronul care se desprinde dintr-o
legáturá covalentá pentru a ocupa locul liber dintr-o altá legáturá covalentá ruptá) este
descrisá de o altá particulá fictivá numitá gol, particulá cu sarciná electricá egalá cu
cea a electronului (notatá cu +q ) ßi cu masa efectivá m + .
Ín concluzie, ín semiconductoare conducþia curentului electric este asiguratá de douá
tipuri de purtátori de sarciná mobili, electronii ßi golurile.
14 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

2.3. Semiconductoare omogene la echilibru termodinamic

Ín acest subcapitol se prezintá proprietáþile electronilor ßi golurilor atät ín

semiconductoarele pure cät ßi ín cele impure. Pentru ínceput ínsá se defineßte termenul de
omogen ßi se stablilesc aspecte fizice legate de termenul de echilibru termodinamic.

Un semiconductor este omogen cänd compoziþia sa atomicá este uniform distribuitá ín

spaþiu, adicá:
distanþa íntre atomii aláturaþi ai reþelei de bazá este constantá ín cristalele pure,
unitatea structuralá a reþelei se repetá ín íntregul cristal,
impuritáþile ín semiconductor sunt uniform distribuite ín íntregul cristal.
Prin impuritáþi uniform distribuite se ínþelege cá acestea au concentraþiile locale sau
macroscopice invariante funcþie de poziþia de observaþie ín solid.
Ín general, termenul de echilibru ínseamná cá proprietáþile aflate sub observaþie nu se
modificá ín timp ßi deci transferul de energie este zero. Ín cazul nostru, ceea ce intereseazá
este echilibrul macroscopic (deci definit pentru valorile medii ale proprietáþilor de interes).
Acesta este un echilibru dinamic deoarece electronii ßi golurile se aflá ín continuá mißcare.
Din punct de vedere operaþional echilibrul macroscopic se ímparte ín:
echilibru electronic, ce se referá la echilibrul electrodinamic al electronilor ßi golurilor
ßi reprezintá condiþia ca íntre douá contacte conectate la solid curentul ßi tensiunea
másurate sá fie zero;
echilibru atomic sau termodinamic al cárui ínþeles a fost prezentat íntr-o secþiune
anterioará.
Din cele 4 aspecte ale echilibrului termodinamic se vor detalia numai douá: echilibrul
chimic ßi echilibrul termic.
Echilibrul chimic constá ín absenþa unui flux net de particule prin material ßi a
reacþiilor íntre diferitele tipuri de particule atomice neutre. Aceasta se traduce ín termeni
matematici ín invariaþia concentraþiei de particule, notatá generic cu c, atät ín timp cät ßi cu
direcþia de observaþie, adicá:
 ∂c = 0
 ∂t
 (2.1)
 ∇c = 0 (sau ∂c = 0 pentru cazul unidimensional)
 ∂x
Echilibrul termic constá ín pástrarea unei temperaturi uniforme ßi constante ín tot
volumul materialului, deci a unui transfer nul de cáldurá. Transferul de cáldurá se realizeazá
prin propagarea undelor de vibraþie atomicá produse de oscilaþia aleatoare a atomilor reþelei ín
jurul poziþiei lor de referinþá din unitatea structuralá. Acestor unde de vibraþie le sunt asociate
particule numite fononi (ín mod similar cu asocierea fotonilor cu undele de energie
electromagneticá). Temperatura reþelei descrie cantitativ energia cineticá medie de vibraþie a
atomilor reþelei. Astfel, íntr-un semiconductor pur condiþia de echilibru termic este definitá
cantitativ ca egalitatea íntre energia cineticá medie a elecronilor ßi ionilor reþelei:
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 15

 Ee = Ei

 Ee = 3 ⋅ k ⋅ Te
 2 ⇒ Te = TR (2.2)
 3 ⋅ k ⋅ TR
 ER =
 2
ín care k reprezintá constanta lui Boltzmann, T e reprezintá temperatura electronilor iar T R
temperatura ionilor reþelei sau temperatura reþelei.
Echilibrul termic íntre douá sau mai multe tipuri de particule íntr-un semiconductor
pur sau impur se exprimá astfel:
T R = T n = T p = T D = T A = ... (2.3)
ín care T n reprezintá temperatura electronilor, T p este temperatura golurilor, T D este
temperatura ionilor de impuritate proveniþi din atomi ce au o valenþá superioará atomilor
reþelei de bazá numiþi atomi donori ßi T A este temperatura ionilor de impuritate proveniþi din
atomi ce au o valenþá inferioará atomilor reþelei de bazá numiþi atomi acceptori.

2.3.1. Semiconductoare pure (intrinseci)

Un semiconductor pur este un semiconductor ce nu prezintá ín nodurile reþelei

cristaline atomi de impuritate ßi nu prezintá defecte cristaline. Semiconductoarele pure poartá
denumirea de semiconductoare intrinseci. Aßa cum am arátat ín secþiunile anterioare la
temperaturi scázute foarte puþine legáturi covalente sunt rupte deoarece energia termicá de
vibraþie a atomilor reþelei este micá. Astfel, foarte puþini electroni ßi, respectiv, foarte puþine
goluri se vor gási ín banda de conducþie, respectiv ín banda de valenþá, explicänd
conductivitatea redusá a semiconductoarelor la temperaturi mici. Pe másurá ce temperatura
creßte, creßte ßi energia de vibraþie a reþelei, iar o parte din aceastá energie este transmisá
elecronilor prinßi ín legáturile covalente. Electronii ce primesc o energie egalá sau mai mare
ca energia de activare párásesc legáturile covalente, aceastá rupere a legáturilor covalente
fiind echivalentá cu generarea de electroni ín banda de conducþie ßi goluri ín banda de
valenþá. Electronii ßi golurile generate pe aceastá cale se numesc electroni ßi goluri intrinseci
ßi sunt responsabili de conductivitatea intrinsecá a semiconductoarelor.
Datoritá faptului cá prin ruperea unei legáturi se formeazá o pereche de particule
fictive electron-gol, concentraþiile acestora ín semiconductoarele intrinseci vor fi egale.
Notaþiile standard pentru aceste concentraþii sunt:
n [numár/cm3] pentru concentraþia electronilor ßi
p [numár/cm3] pentru concentraþia golurilor,
iar valoarea lor comuná pentru semiconductoarele intrinseci se numeßte concentraþie
intrinsecá ßi se noteazá cu n i . Se poate deci scrie:
n = p = ni (2.4)
Concentraþia intrinsecá depinde puternic de temperaturá ßi de lárgimea benzii interzise
E G . La 300 o K concentraþia intrinsecá n i este ín jur de 1, 4 ⋅ 10 10 cm −3 pentru siliciu ßi ín jur
de 2 ⋅ 10 13 pentru germaniu.
16 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

2.3.2. Semiconductoare impure (extrinseci)

Materialele semiconductoare reale diferá de semiconductoarele intrinseci tocmai prin

puritatea chimicá limitatá ßi prin prezenþa unor defecte ale reþelei cristaline. Prezenþa
impuritáþilor ín concentraþii controlabile ßi omogene ín semiconductor este beneficá deoarece
realizarea dispozitivelor electronice impune obþinerea unor semiconductoare fie cu exces de
electroni, fie cu exces de goluri. Acest lucru se realizeazá prin procedee de impurificare
controlatá ca:
dopare cu impuritáþi pe durata procesului de creßtere a cristalului semiconductor;
difuzia impuritáþilor íntr-un cristal pur la temperaturi ínalte;
implantarea ionilor de impuritate ín straturile de suprafaþá ale unui cristal;
doparea cu impuritáþi pe parcursul creßterii epitaxiale a unui cristal;
alierea cu un metal ce prezintá valenþa necesará sau un metal ce conþine impuritáþile
corespunzátoare.
Controlul precis al concentraþiei impuritáþilor este foarte important deoarece aceasta
influenþeazá atät márimea conductivitáþii semiconductorului cät ßi tipul de conductibilitate al
acestuia. Dacá datoritá dopajului ín semiconductor avem exces de electroni, adicá n > p ,
coductivitatea semiconductorului este de tip n (conducþia curentului electric este asiguratá ín
principal de electroni), iar semiconductorul poartá numele de semiconductor extrinsec de tip
n. Dacá ínsá, semiconductorul este dopat astfel íncät sá avem exces de goluri, adicá p > n ,
conductivitatea semiconductorului este de tip p (conducþia curentului electric este asiguratá ín
principal de goluri), iar semiconductorul se numeßte extrinsec de tip p.
Un atom de impuritate se poate plasa:
fie íntr-un nod al reþelei cristaline, ínlocuind un atom al reþelei de bazá, caz ín care se
numeßte impuritate de substituþie,
fie ín spaþiul dintre atomii din nodurile reþelei de bazá, caz ín care se numeßte
impuritate interstiþialá.
Impuritáþile interstiþiale au un efect redus asupra proprietáþilor electrice ale
semiconductorului.
Impuritáþile de substituþie sunt cele ce dau atät tipul cät ßi valoarea conductivitáþii
semiconductorului. Existá douá tipuri principale de astfel de impuritáþi: impuritáþi donoare ßi
impuritáþi acceptoare. Ín figura 2.6, pe sistemul periodic parþial, sunt sintetizate posibilitáþile
diverselor elemente de a se constitui ín impuritáþi de substituþie donoare sau acceptoare, ín
raport cu semiconductoarele elementare.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 17

Impuritáþile donoare ßi acceptoare ín

semiconductoarele elementare
I II III IV V VI VII
Li* Be* B C N O F
Na* Mg* Al Si P S Cl
Cu Zn Ga Ge As Se Br
Ag Cd In Sn Sb Te I
Au Hg Tl Pb Bi Po At
Acceptor triplu Donor triplu
Acceptor dublu Donor dublu
Acceptor simplu Donor simplu

Atomii reþelei de bazá

ßi
* Impuritáþi interstiþiale Captori izoelectronici
Figura 2.6. Impuritáþile de substituþie ßi captorii izoelectrici
ín semiconductoarele elementare.

Se numesc impuritáþi de substituþie donoare (sau donori) impuritáþile ce prezintá o

valenþá superioará celei a atomilor reþelei de bazá. Ín funcþie de diferenþa íntre valenþa
donorilor ßi cea a atomilor reþelei de bazá, donorii pot fi simpli, dubli ßi tripli. Aceastá
diferenþá caracterizeazá capacitatea donorilor de a furniza electroni de conducþie fárá ruperea
unor legáturi covalente, deci fárá generarea simultaná de goluri, caz ín care avem n > p , iar
semiconductorul obþinut prin impurificare cu donori este extrinsec de tip n. Pentru a explica
aceastá proprietate a donorilor se considerá cazul siliciului care pentru obþinerea unei
conductivitáþi de tip n se dopeazá cu elemente din coloana a V-a a sistemului periodic (P, As,
Sb ßi Bi), ce sunt pentavalente (au cinci electroni de valenþá). Atomul donor va avea deci 4
electroni de valenþá prinßi ín legáturi covalente cu atomii vecini ai reþelei de bazá ßi un
electron de valenþá neprins íntr-o legáturá covalentá (figura 2.7.b). Energia de activare
necesará acestui electron, ín exces faþá de cei necesari formárii legáturilor covalente cu atomii
reþelei de bazá, este mult mai micá decät a electronilor prinßi ín legáturile covalente (deoarece
acesta se gáseßte pe un nivel energetic superior). Modul ín care un donor modificá local
diagamele energetice E-x ßi E-k este ilustrat ín figura 2.8.a. Energia de activare
corespunzátoare electronului ín exces este definitá de relaþia:
E 1 =E C −E D ≅ 44 meV (pentru P) (2.5)
ßi are o valoare mult mai micá ca E G dar apropiatá de cea a energiei de vibraþie a atomilor
reþelei de bazá la temperatura camerei (E i = (3/2) ⋅ k ⋅ T ≅ 39 meV la T = 300 o K).
18 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

Dacá electronului ín exces i se transferá energia necesará activárii pe cale termicá,

opticá sau prin impact, acesta devine electron de conducþie fárá ínsá a se genera ßi un gol ín
banda de valenþá ca ín cazul ruperii unei legáturi covalente (figura 2.7.a), iar donorul devine
ion pozitiv de sarciná +q . Ín cazul ín care nivelul energetic E D este ocupat de un electron, se
spune cá impuritatea donoare este deionizatá sau neutrá, iar electronul respectiv se numeßte
electron capturat (figura 2.7.a).

Se numesc impuritáþi de substituþie acceptoare (sau acceptori) impuritáþile ce prezintá

o valenþá inferioará celei a atomilor reþelei de bazá. Ín funcþie de diferenþa íntre valenþa
atomilor reþelei de bazá ßi cea a acceptorilor, acceptorii pot fi simpli, dubli ßi tripli. Similar,
aceastá diferenþá caracterizeazá capacitatea acceptorilor de a furniza goluri ín banda de
valenþá fárá ruperea unor legáturi covalente, deci fárá generarea simultaná de electroni, caz ín
care p > n , iar semiconductorul impurificat cu acceptori este extrinsec de tip p. Pentru a
explica aceastá proprietate a acceptorilor se considerá din nou cazul siliciului care pentru
obþinerea unei conductibilitáþi de tip p se dopeazá cu elemente din coloana a III-a a sistemului
periodic (B, Al, Ga, In ßi Tl), ce sunt trivalente (au trei electroni de valenþá). Atomul acceptor
va avea deci cei 3 electroni de valenþá prinßi ín legáturi covalente cu atomii reþelei de bazá ßi
o legáturá covalentá a unui atom al reþelei de bazá rámäne nesatisfácutá (figura 2.7.d).
Energia de activare necesará unui electron prins íntr-o legáturá covalentá pentru ocuparea
locului liber din legátura covalentá nesatisfácutá de impuritatea acceptoare este mult mai micá
decät cea de trecere ín banda de conducþie. Modul ín care un acceptor modificá local
diagramele energetice E-x ßi E-k este ilustrat ín figura 2.8.b, c.
Energia de activare corespunzátoare electronului este definitá de relaþia:
E 1 =E A −E V ≅ 45 meV (pentru B) (2.6)
ßi are o valoare mult mai micá ca E G dar, aßa cum am arátat mai sus, apropiatá de cea a
energiei de vibraþie a atomilor reþelei de bazá la temperatura camerei.
Dacá unui electron prins íntr-o legáturá covalentá i se transferá energia E 1 prin unul
din mecanismele amintite anterior, acesta va ocupa nivelul energetic E A generänd astfel un
gol fárá ínsá a genera ßi un electron ín banda de conducþie (figura 2.7.c), iar impuritatea
acceptoare cáreia íi aparþine nivelul energetic devine ion negativ de sarciná −q . Ín cazul ín
care nivelul energetic este ocupat de un gol, se spune cá impuritatea donoare este deionizatá
sau neutrá, iar golul respectiv se numeßte gol capturat (figura 2.7.c).

Impuritáþile de substituþie ce au aceeaßi valenþá ca atomii reþelei de bazá se numesc

captori izoelectronici.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 19

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

a. b.

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

+4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4

c. d.
Figura 2.7. Modelul legáturilor chimice pentru Si dopat cu:
impuritáþi donoare a) ionizate, b) neutre ßi impuritáþi acceptoare c) ionizate, d) neutre.
20 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

EC EC a.
ED E ED ED
x 44meV

EV EV k

EC EC
E b.
x
EA EA EA
EV EV k
45meV
E

EC EC
E c.
x
EA EA EA
EV EV k
45meV
Figura 2.8. Diagramele benzilor energetice E-x ßi E-k pentru Si impurificat cu:
a) atomi donori (stänga-donorul a ionizat, dreapta-donor neutru);
b) ßi c) atomi acceptori (stänga-donorul a ionizat, dreapta-donor neutru).

2.3.3. Concentraþiile electronilor ßi golurilor la echilibru termic

Aßa cum am arátat ín secþiunea 2.3.1 ín semiconductoarele intrinseci concentraþiile

celor douá tipuri de purtátori de sarciná, electroni ßi goluri, sunt egale iar valoarea lor comuná
se numeßte concentraþie intrinsecá, n i . Pentru determinarea acestei concentraþii la echilibru
termic se utilizeazá douá concepte:
probabilitatea ca un nivel energetic E sá fie ocupat de un electron sau funcþia statisticá
de distribuþie Fermi-Dirac ßi
densitatea nivelelor energetice relativ la unitatea de energie dE ßi unitatea de volum,
D(E).
Conform statisticii Fermi-Dirac probabilitatea ca un electron sá ocupe un nivel
energetic E la echilibru termic este:

f (E) = 1 (2.7)
E − EF 
1 + exp 
k⋅T 
unde E F este energia (sau nivelul) Fermi, definitá ca energia la care f (E F ) = 1/2.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 21

Márimea energiei Fermi depinde de temperaturá ßi de modul de dopare a

semiconductorului. La echilibru termic nivelul Fermi este constant ín tot volumul
semiconductorului. Funcþia de distribuþie Fermi-Dirac datá de relaþia (2.7) este prezentatá ín
figura 2.9.

o
T=0 K f(E)

1
T2
T1 0,5
T2 >T1

Figura 2.9. Funcþia de distribuþie Fermi-Dirac.

Funcþia de distribuþie, ce caracterizeazá probabilitatea ca un nivel energetic E sá fie

ocupat de un gol, conform statisticii Fermi-Dirac este:
g = 1 − f (E) (2.8)
Ín concordanþá cu cele prezentate mai sus concentraþia electronilor ín banda de
conducþie este:
EC − EF 
n 0 = ∫E f (E) ⋅ D (E) ⋅ dE = N C ⋅ exp  −
EC
, (2.9)
C k⋅T 
iar concentraþia golurilor ín banda de valenþá este:
EF − EV 
p 0 = ∫E [1 − f (E)] ⋅ D (E) ⋅ dE = N V ⋅ exp  −
EV
(2.10)
V k⋅T 
ín care N C ßi, respectiv, N V reprezintá densitáþile efective ale nivelelor energetice din
unitatea de volum din banda de conducþie, respectiv din banda de valenþá, introduse prima
datá de Shockley, ßi care depind de temperaturá ín conformitate cu relaþiile:
3/2
N C = const 1 ⋅  T  [cm −3 ]
300 (2.11)
3/2
N = const ⋅  T  [cm −3 ]
V 2  300 

Folosind relaþiile (2.4), (2.9) ßi (2.10) se obþine expresia concentraþiei intrinseci pentru
semiconductoarele pure:
EC − EV  EG 
n i = n 0 ⋅ p 0 = N C ⋅ N V ⋅ exp  −  = N C ⋅ N V ⋅ exp  − =
k⋅T 2 ⋅k ⋅T (2.12)
3/2
EG 
= const ⋅  T  ⋅ exp  −
300 2⋅k⋅T
22 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

Din relaþiile (2.4), (2.9) ßi (2.12) se obþine relaþia analiticá a energiei nivelului Fermi
pentru semiconductoare intrinseci, notatá cu E Fi :
E + EV k ⋅ T N
E Fi = C + ⋅ ln C (2.13)
2 2 NV

Relaþiile (2.9) ßi (2.10) au fost determinate atät pentru semiconductoare pure cät ßi
pentru semiconductoare impure. De aceea, putem afirma cá la echilibru termic produsul
concentraþiilor celor douá tipuri de purtátori de sarciná este egal cu pátratul concentraþiei
intrinseci indiferent de tipul semiconductorului (pur sau impur):
EG 
n 0 ⋅ p 0 = N C ⋅ N V ⋅ exp  −  = n 2i (2.14)
k⋅T
Folosind relaþiile anterioare se pot exprima concentraþiile purtátorilor de sarciná la
echilibru termic pentru semiconductoare extrinseci ín funcþie de márimile n i ßi E Fi :
  E F − E Fi 
 n 0 = n i ⋅ exp  − k ⋅ T 
 (2.15)
 p 0 = n i ⋅ exp  − E Fi − E F 
  k⋅T 

Pentru a stabili relaþiile analitice ale concentraþiilor electronilor ßi golurilor funcþie de

concentraþiile impuritáþilor donoare, N D , ßi acceptoare, N A , se pleacá de la condiþia de
neutralitate a semiconductorului la echilibru termic, exprimatá prin relaþia:

ρ V = p 0 − n 0 + N D∗ − N A∗ = 0 (2.16)
ín care ρ V reprezintá densitatea de sarciná de volum ([C/cm3]), iar N D∗ ßi N A∗ reprezintá
concentraþiile ionilor de impuritate pozitivi, respectiv negativi, la temperatura consideratá.
Folosind relaþia (2.14) sub forma:
n2
p 0 = n i0 (2.17)

ßi ínlocuind-o ín relaþia (2.16) se determiná concentraþiile de electroni ßi goluri la echilibru

termic ín semiconductoarele extrinseci:
de tip n

n 0 = 1 ⋅  N D∗ − N A∗ + (N D∗ − N A∗ ) 2 + 4 ⋅ n 2i 
2   (2.18)
n 2i
p0 = n0

de tip p

p 0 = 1 ⋅  N A∗ − N D∗ + (N A∗ − N D∗ ) 2 + 4 ⋅ n 2i 
2  
(2.19)
n 2i
n0 = p0
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 23

Un semiconductor íßi pástreazá caracterul extrinsec atät timp cät este índeplinitá
relaþia:
pentru semiconductoare de tip n
N D∗ − N A∗ ≥ 10 ⋅ n i (≅ 10 11 cm −3 pentru Si la T = 300 o K) (2.20)
pentru semiconductoare de tip p
N A∗ − N D∗ ≥ 10 ⋅ n i (≅ 10 11 cm −3 pentru Si la T = 300 o K) (2.21)
Ín semiconductoarele impure existá douá surse de purtátori de sarciná:
o sursá intrinsecá, reprezentatá de ruperea legáturilor covalente, ßi
o sursá extrinsecá, reprezentatá de ionizarea impuritáþilor semiconductorului.
Raportul dintre concentraþiile purtátorilor de sarciná generaþi intrinsec ßi extrinsec (ín
conformitate cu relaþiile 2.20 ßi 2.21) dá caracterul semiconductorului: intrinsec sau extrinsec.
Aßa cum am arátat ín secþiunile precedente pe másurá ce temperatura
semiconductorului creßte, energia de vibraþie a reþelei creßte ßi ín consecinþá tot mai multe
legáturi covalente se rup ßi impuritáþi ionizeazá. La o anumitá temperaturá toate impuritáþile
vor fi ionizate ßi concentraþia purtátorilor de sarciná generaþi pe cale extrinsecá va rámäne
aproximativ constantá chiar dacá temperatura va creßte peste acestá valoare. Ín schimb,
concentraþia purtátorilor de sarciná generaþi pe cale intrinsecá va creßte, astfel íncät la o
anumitá temperaturá, numitá temperaturá intrinsecá T i , semiconductorul íßi va pierde
caracterul extrinsec. Temperatura intrinsecá este un parametru foarte important pentru
materialele semiconductoare ßi, implicit pentru dispozitivele semiconductoare, fiind definitá
de relaþia:
 10 ⋅ (N D∗ − N A∗ ) cand N D∗ > N A∗
n i (T i ) =  ∗ ∗ ∗ ∗ (2.22)
 10 ⋅ (N A − N D ) cand N A > N D
Pentru nivele de impurificare a semiconductorului mai mici de 10 18 cm −3 ßi ín
condiþiile índeplinirii relaþiei (2.20) sau (2.21), ín funcþie de tipul semiconductorului,
concentraþiile purtátorilor de sarciná devin:
semiconductor extrinsec de tip n

n 0 = 1 ⋅  N D∗ − N A∗ + (N D∗ − N A∗ ) 2 + 4 ⋅ n 2i  ≅ N ∗ − N ∗ ≅ N − N la T = 300 o K
D A D A
2  
n2 n 2i (2.23)
p 0 = n i0 ≅
ND − NA

semiconductor extrinsec de tip p

p 0 = 1 ⋅  N A∗ − N D∗ + (N A∗ − N D∗ ) 2 + 4 ⋅ n 2i  ≅ N A∗ − N D∗ ≅ N A − N D la T = 300 o K
2  
n2 n 2i (2.24)
n 0 = p i0 ≅
NA − ND
24 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

La nivele ridicate ale concentraþiilor purtátorilor de sarciná ßi la nivele ridicate de

dopare cu impuritáþi (> 10 18 cm −3 ) apar fenomene ce modificá relaþiile de determinare a
concentraþiilor purtátorilor de sarciná prezentate anterior.
Astfel, cänd concentraþiile purtátorilor de sarciná devin mai mari ca 0.1 ⋅ N C , respectiv
0.1 ⋅ N V , caz ín care semiconductoarele se numesc degenerate, relaþiile (2.9) ßi (2.10) íßi
ínceteazá valabilitatea, iar concentraþiile electronilor ßi golurilor íntr-un semiconductor sunt
date de relaþiile:
EF − EC 
n 0 = ∫E f (E) ⋅ D (E) ⋅ dE = N C ⋅ F 1/2 
EC

C k⋅T  (2.25)
E − EF 
p 0 = ∫E [1 − f (E)] ⋅ D (E) ⋅ dE = N V ⋅ F 1/2  V
EV

V k⋅T 
ín care F 1/2 (η) reprezintá integrala Fermi-Dirac de ordin 1/2 definitá, de exemplu, pentru
banda de conducþie, prin:
ε
F 1/2 (η) = 2 ⋅ ∫0
∞
⋅ dε
π 1 + exp (ε − η) (2.26)
E − EC
ε=
k⋅T
Ín acest caz produsul concentraþiilor purtátorilor de sarciná este diferit de pátratul
concentraþiei intrinseci:
EF − EC  E − EF  E
n 0 ⋅ p 0 = N C ⋅ N V ⋅ F 1/2   ⋅ F 1/2  V  < N C ⋅ N V ⋅ exp  − G  = n 2i (2.27)
k⋅T k⋅T k⋅T
ßi nu mai este independent de concentraþiile purtátorilor.

La nivele ridicate de dopare cu impuritáþi apar douá fenomene ce íßi pun amprenta
asupra expresiilor de calcul ale concentraþiilor de purtátori de sarciná ín acest caz:
deionizarea impuritáþilor ßi
apariþia unei benzi energetice a impuritáþilor ín interiorul benzii interzise.
Astfel, datoritá apariþiei acestei benzi energetice a impuritáþilor, creßte probabilitatea
ocupárii nivelelor intermediare cu purtátori de sarciná. Ín consecinþá relaþiile vehiculate
anterior, ßi anume N D∗ ≅ N D , respectiv N A∗ ≅ N A , nu mai sunt valabile la temperatura
T = 300 o K . Acestea vor fi ínlocuite cu relaþiile:
 N D∗ = (1 − f D ) ⋅ N D
 ∗ (2.28)
 N A = (1 − f A ) ⋅ N A
ín care f D ßi f A sunt factorii de ocupare (probabilitáþile de ocupare) cu purtátori de sarciná a
nivelelor energetice corespunzátoare impuritáþilor, date de relaþiile:
f = 1
 D 1 E − EF 
 1 + g D ⋅ exp  D
k⋅T  (2.29)
 1
 f A =
E − EA 
 1 + g1 ⋅ exp  F
 A k⋅T 
unde g A ßi g D sunt factorii de degenerare corespunzátori impuritáþilor folosite.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 25

La neechilibru, nici una din relaþiile prezentate ín aceastá secþiune nu mai este
valabilá. Totußi, pentru a se pástra formalismul relaþiilor (2.15) Shockley a introdus douá
nivele energetice fictive (de calcul), numite cvasinivele Fermi, ce au valori diferite pentru
electroni ßi goluri ßi variazá ín interiorul semiconductorului. Astfel concentraþiile purtátorilor
de sarciná la neechilibru sunt date de relaþiile:
  E Fn − E Fi 
 n = n i ⋅ exp  − k ⋅ T 
 E − E Fp  (2.30)
 p = n i ⋅ exp  − Fi
  k⋅T 

2.4. Fenomenele de generare, recombinare, capturá ßi efect tunel ale

purtátorilor de sarciná

Aßa cum am arátat ín secþiunile anterioare electronii íßi modificá permanent starea
energeticá. Generarea reprezintá fenomenele de trecere dintr-o stare energeticá ín alta a
purtátorilor de sarciná prin care electronii ajung ín banda de conducþie (generarea de
electroni) iar golurile ín banda de valenþá (generare de goluri). Prin recombinare se definesc
fenomenele de schimbare a stárii energetice a purtátorilor de sarciná prin care dispar
electronii din banda de conducþie ßi golurile din banda de valenþá. Fenomenele de capturá
reprezintá atät fenomenele de deionizare a impuritáþilor din semiconductor cät ßi de trecere a
purtátorilor de sarciná pe un nivel energetic corespunzátor unui defect al reþelei cristaline.
Efectul tunel reprezintá fenomenul de trecere a purtátorilor de sarciná printr-o barierá de
potenþial.
Majoritatea acestor fenomene implicá schimbarea energiei purtátorilor de sarciná ßi,
de aceea, se numesc inelastice. Existá ínsá ßi mecanisme (efectul de tunel elastic) ín care
energia purtátorilor de sarciná nu variazá, mecanisme cunoscute sub numele de elastice.
Mecanismele de schimb energetic ín procesele inelastice pot fi: termice, optice, de impact
Auger ßi colective. De asemenea ín aceste procese conteazá mult ßi variaþiile impulsurilor
purtátorilor de sarciná.
Tranziþiile purtátorilor de sarciná ín aceste fenomene pot fi:
tranziþii bandá-bandá sau interbandá sau directe ce ínseamná trecerea directá a
purtátorilor de sarciná íntre banda de valenþá ßi banda de conducþie (recombinárile ßi
generárile interbandá a perechilor de electroni ßi de goluri),
tranziþii indirecte sau tranziþii bandá - nivel intermediar - bandá (recombinári ßi
generári indirecte datorate fenomenelor de emisie ßi de capturá a purtátorilor de
sarciná de impuritáþi sau de defectele cristaline),
tranziþii íntre nivele intermediare sau tranziþii internivel.

Simbolurile IEEE referitoare la fenomenele enunþate mai sus sunt:

ratele de desfáßurare a mecanismelor, ín sensul numárului de particule care se
genereazá/recombiná/captureazá/emit ín unitatea de volum ßi ín unitatea de timp, se
26 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

noteazá cu: g-viteza de generare, r-viteza de recombinare, c-viteza de capturá ßi

e-viteza de emisie a purtátorilor de sarciná de pe nivelele intermediare (centre de
capturá);
particularizarea acestor viteze pentru cazul electronilor sau golurilor se realizeazá prin
folosirea indicilor n, pentru electroni, ßi p, pentru goluri (de exemplu: gn-viteza de
generare a electronilor);
indicarea mecanismelor energetice implicate ín desfásurarea fenomenelor se
realizeazá prin scrierea ín partea superioará a simbolului pentru viteza fenomenului de
interes a literei ce simbolizeazá mecanismul: t-termic, o-optic, ßi n sau p, ín funcþie de
particula de impact, pentru impact Auger.

Procesele interbandá de generare/recombinare pe cale termicá a purtátorilor de sarciná

sunt cele ce determiná concentraþiile intrinseci n i , corespunzátoare echilibrului termic, ín
semiconductoarele pure (intrinseci). Ín aceste procese electronii ßi golurile apar ßi dispar ín
perechi, deci:
g nt ,i = g pt ,i
(2.31)
r nt ,i = r pt ,i
Energia necesará trecerii electronilor ín banda de conducþie (deci generárii de electroni
ßi goluri) este preluatá de la reþea, iar energia rezultatá ín urma recombinárii este cedatá
reþelei sub formá de cádurá. Aceste procese sunt descrise pe diagramele energetice E-x ßi E-k
ín figura 2.10. Ratele de desfáßurare a proceselor de generare g nt ,i = g pt ,i ín cazul siliciului sunt
foarte mici deoarece pentru fiecare tranziþie este necesará acþiunea simultaná a mai mult de 20
de fononi (energia unui fonon este de aproximativ 60 meV ín comparaþie cu ínálþimea
energeticá a benzii interzise a Si de 1, 2 eV ).
Timpul mediu de viaþá pe care un electron íl petrece ín banda de conducþie ínainte de a
se recombina cu un gol se numeßte timp de viaþá al electronilor ßi se noteazá cu τ n 0 . Ín mod
analog, timpul de viaþá al golurilor, τ p 0 , reprezintá timpul mediu cät existá un gol ín banda de
valenþá. Þinänd seama de modul ín care s-au definit concentraþiile purtátorilor de sarciná ßi
vitezele de recombinare, se pot scrie relaþiile:
n
r nt ,i = τ n00
p [m −3 ⋅ s −1 ] (2.32)
r pt ,i = τ p00

E
E k
x

EC
a. b. Emisie
Emisie
fononi fononi
EV Absorbþie Absorbþie
fononi fononi
Figura 2.10. Procesele interbandá de generare/recombinare pe cale termicá
reprezentate pe diagramele: a) E-x, b) E-k.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 27

Procesele interbandá de generare/recombinare pe cale opticá sunt cunoscute sub

denumirea de absorbþia opticá interbandá sau intrinsecá ßi, respectiv, recombinarea radiativá
interbandá sau intrinsecá. Absorbþia intrinsecá constá ín ruperea unei legáturi covalente prin
preluarea energiei de activare de la un foton. Procesul invers este recombinarea radiativá
intrinsecá ín care energia rezultatá ín urma acestui proces este eliberatá sub forma unui foton.
§i ín aceste procese electronii ßi golurile apar ßi dispar ín perechi, deci:
g no,i = g po,i
(2.33)
r no,i = r po,i
Aßa cum arátat ín secþiunea introductivá eficienþa opticá a unui material este dictatá de
poziþiile relative ale nivelelor energetice E C ßi E V ín spaþiul k deoarece ín cazul
interacþiunilor dintre radiaþiile electromagnetice ßi purtátorii mobili de sarciná din
semiconductor acþioneazá atät legea conservárii energiei cät ßi legea conservárii impulsului,
adicá:
~ ~ ~
k f =h ⋅ k o = h ⋅ k f −h ⋅ k i (2.34)
unde po ßi ko reprezintá impulsul ßi factorul de undá al fotonului, iar kf, respectiv ki, reprezintá
factorul de undá iniþial, respectiv final al purtátorului mobil de sarciná.
La materialele semiconductoare cu benzi aliniate, deoarece extremele benzilor de
valenþá ßi de conducþie sunt situate la acelaßi punct ín spaþiul k, ∆ k = kf − ki = 0 ßi deci
eficienþa opticá este mare.
Siliciul ßi germaniul sunt materiale semiconductoare cu benzi nealiniate, la care pe
längá schimbarea energiei purtátorilor de sarciná mobili se schimbá ßi impulsul acestora
deoarece minimul benzii de conducþie ßi maximul benzii de valenþá se aflá, pe diagrama E-k,
la k diferiþi, deci ∆ k ≠ 0 . Aceastá variaþie a impulsului purtátorilor de sarciná cu greu poate fi
preluatá sau cedatá de un foton, explicändu-se astfel valoarea redusá a ratelor de
generare/recombinare intrerbandá pe cale opticá.

Aceste raþionamente sunt ilustrate ín figura 2.11 pentru cazul recombinárilor radiative
a purtátorilor de sarciná. Astfel, pentru siliciu, impulsul pe care l-ar putea prelua un foton ar
fi:

po = h = h = 4 ⋅ 10 −11 eV⋅s⋅cm −1 (2.35)

λ h ⋅ c
 EG 
iar schimbarea impulsului unui electron este
~ ~
∆ p =h ⋅∆ k = h ⋅ 2 a⋅ π = 4 ⋅ 10 −7 eV⋅s⋅cm −1 >> po. (2.36)
Pentru ca recombinárile radiative interbandá sá aibá loc este necesará o altá particulá
care sá preia acest impuls al electronului. De regulá, aßa cum este indicat ßi ín figura 2.11,
aceastá particulá este un fonon.
28 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

E
k E
∆Kelectron k
E
E
x
x
EC Emisia unui EC
fonon Emisia unui
Emisia unui foton
foton
EV EV

a. b.
Figura 2.11. Procesele interbandá de generare/recombinare pe cale opticá reprezentate
pe diagramele E-x ßi E-k pentru semiconductoare cu benzi:
a) nealiniate, b) aliniate.

Procesele interbandá de generare/recombinare prin impact/efect Auger sunt specifice

atät semiconductoarelor cárora li se aplicá un cämp electric intens (joncþiunilor p-n polarizate
invers), cät ßi semiconductoarelor puternic dopate ßi implicá intervenþia unei particule,
electron sau gol, care sá cedeze, respectiv sá preia, energia corespunzátoare tranziþiei. Aceste
procese au fost modelate de Shockley, iar modelul dezvoltat se numeßte modelul balistic.
Deoarece ín urma acestor procese electronii ßi golurile apar ßi dispar ín perechi avem:
g nn,im = g np.im
p p
g n,im = g p.im
(2.37)
r nn,A = r pn.A
p p
r n,A = r p.A

Tranziþiile termice indirecte de generare/recombinare/capturá au fost studiate ßi

modelate analitic de Shockley, Reed ßi Hall. Impuritáþile ßi defectele reþelei cristaline joacá
un rol important ín aceste procese. Ín funcþie de poziþia ín sistemul periodic, acestea introduc
nivele energetice suplimentare ín interiorul benzii interzise situate fie ín imediata vecinátate a
marginilor benzilor de conducþie sau de valenþá (nivele superficiale introduc impuritáþile
clasice pentru Si: B, Al, P, As, etc.), fie aproape de mijlocul benzii interzise (nivele profunde
introduce Au ín Si). Nivelele profunde sunt centre de generare-recombinare mai eficiente
decät cele superficiale. Nivelele intermediare pot fi implicate ín urmátoarele procese:
recombinarea unui electron cu un gol se petrece cänd capturarea unui electron (figura
2.12.b) este urmatá de capturarea unui gol (figura 2.12.c), caz ín care impuritatea sau
defectul ce a introdus nivelul respectiv poartá numele de centru de recombinare
electron-gol;
generarea unei perechi electron-gol se petrece cänd emisia unui electron (figura
2.12.a) este urmatá de emisia unui gol (figura 2.12.d);
capturarea unui electron;
capturarea unui gol.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 29

E
x

a . b. c. d.
Figura 2.12. Cele patru procese de tranziþie indirecte caracteristice majoritáþii
semiconductoarelor impure.

Ín funcþie de aceste procese, impuritáþile ßi defectele reþelei cristaline se pot clasifica

ín: centre de recombinare electron-gol, centre de generare electron-gol, centre de capturá a
electronilor ßi centre de capturá a golurilor.
Tranziþiile termice indirecte de generare/recombinare electron-gol sunt descrise
satisfácátor de modelul SRH (de la numele autorilor: Shockley, Read ßi Hall). Conform
acestui model vitezele nete de recombinare corespunzátoare celor douá tipuri de purtátori de
sarciná sunt date de relaþiile:
p ⋅ n − n 2i
R n,SHR = R p,SHR = U =
τ n 0 ⋅ (p + p t ) + τ p 0 ⋅ (n + n t )
(2.38)
R n,SHR = r n,SHR − g n,SHR
R p,SHR = r p,SHR − g p,SHR
ín care τ n 0 ßi τ p 0 sunt douá constante ce reprezintá timpii medii de viaþá ai electronilor,
respectiv golurilor, iar n t ßi p t reprezintá concentraþii fictive de electroni, respectiv goluri
pentru un semiconductor ín care nivelul Fermi se suprapune peste nivelul energetic
suplimentar (E F = E t ).
Din relaþia (2.37) se desprind urmátoarele concluzii:
la echilibru termic (n ⋅ p = n 2i ) viteza netá de recombinare este nulá;
la neechilibru, ín condiþii de exces de purtátori de sarciná (n ⋅ p > n 2i ) viteza netá de
recombinare este pozitivá (U > 0 ), deci predominá recombinarea;
la neechilibru, ín condiþii de lipsá de purtátori de sarciná (n ⋅ p < n 2i ) viteza netá de
recombinare este negativá (U < 0 ), deci predominá generarea.
Ca atare, se poate concluziona cá un semiconductor aflat la neechilibru íßi dezvoltá
mecanisme care tind sá-l readucá la echilibru.
Pe baza acestor observaþii pentru vitezele nete de recombinare s-au dezvoltat
formalisme mai simple ßi anume:
n−n
Rn = τ n 0
p−p (2.39)
Rp = τ p 0

ín care τ n ßi τ p se numesc timpi de viaþá ai purtátorilor de sarciná ín exces faþá de situaþia de

echilibru termic. Aceßti timpi de viaþá reprezintá o caracteristicá importantá a unui
semiconductor ßi au valori de ordinul (10 −3 ÷ 10 −9 ) s.
30 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

Tranziþiile optice indirecte de generare/recombinare/capturá au fost de asemenea

studiate ßi modelate analitic de Shockley, Reed ßi Hall, iar modelul prezentat anterior (SRH)
este aplicabil ßi acestor fenomene.

Tranziþiile indirecte de capturá Auger, respectiv emisie prin impact implicá prezenþa
unui purtátor de sarciná care sá preia energia de capturá corespunzátoare trecerii unui purtátor
de sarciná pe nivelul intermediar, respectiv sá cedeze energia de emisie necesará eliberárii
unui purtátor de sarciná de pe nivelul intermediar. Existá 8 posibilitáþi de astfel de tranziþii ce
sunt ilustrate ín figura 2.13.

a. b. c. d. e. f. g. h.
Figura 2.13. Tranziþiile indirecte de capturá Auger, respectiv emisie prin impact.

Procesele de efect de tunel elastice prin tranziþii interbandá, indirecte ßi internivel sunt
ilustrate ín figura 2.14. Trebuie subliniat faptul cá variaþia de energie a purtátorilor de sarciná
implicaþi ín aceste procese este nulá. Aceste mecanisme prezintá importanþá ín funcþionarea
memoriilor EPROM ßi sunt principalele mecanisme implicate ín ímbátränirea ßi defectarea
tranzistoarelor submicronice MOS din Si.

E
x

E C2 E C2
EV2 EV2
EC1 EC1
EV1 EV1

a. b.
Figura 2.14. Procesele de efect de tunel elastice prin tranziþii:
a) interbandá, b) indirecte.

Procesele de efect tunel inelastice necesitá prezenþa unei a treia particule care sá preia
sau sá doneze energia necesará acestora ßi de aceea ratele de desfáßurare corespunzátoare
acestora sunt mai mici ca cele corespunzátoare tranziþiilor elastice prin efect tunel. Ín total
sunt 9 astfel de mecanisme, dar ín figura 2.15 sunt ilustrate cele mai importante dintre
acestea.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 31

Fonon
Foton EC1
EC1
Fonon E C2
EC2 EV1
EV2 EC2
E C1 EV2 EV1 EV2
E V1

a. b. c.
Figura 2.15. Procesele interbandá de efect tunel inelastice:
a) termice, b) optice, c) impact Auger.

Tranziþiile cu mecanism energetic colectiv se referá la tranziþiile interbandá, indirecte

sau internivel la care energia necesará procesului, respectiv energia rezultatá ín urma
procesului, este furnizatá, respectiv preluatá, de aßa numitele unde energetice colective
corespunzátoare ansamblului electronilor de valenþá din solid. Undele energetice colective
sunt ßi ele cuantizate, iar cuanta de energie este cunoscutá sub denumirea de plasmon (ßi este
ín gama de 4 eV÷30 eV ).

2.5. Mecanismele de transport corespunzátoare purtátorilor de sarciná

ín semiconductor

Íntr-un semiconductor omogen, aflat la echilibru termic, electronii ßi golurile suferá

doar o mißcare de agitaþie termicá ce are un caracter haotic ßi este ínsoþitá de ciocniri cu
reþeaua. Aceastá situaþie duce la absenþa curenþilor electrici macroscopici de conducþie
(curenþi medii nuli).
Starea de echilibru a unui semiconductor poate fi perturbatá prin expunerea acestuia la
un agent fizic extern: cämpuri electrice, magnetice ßi electromagnetice, fluxuri de particule
etc. Ín funcþie de mißcarea purtátorilor de sarciná, mecanismele de transport la neechilibru se
pot clasifica ín urmátoarele categorii fundamentale:
drift - deplasarea purtátorilor de sarciná sub acþiunea unui cämp electric;
difuzie - deplasarea purtátorilor de sarciná este determinatá de gradienþii
concentraþiilor purtátorilor de sarciná;
generarea - recombinarea purtátorilor de sarciná;
capturarea
captu rarea - emisia purtátorilor de sarciná;
efectul tunel.

Curentul de drift (sau de cämp) predominá ín tranzistoarele unipolare, iar curentul de

difuzie ín tranzistoarele bipolare ßi ín joncþiunile p-n. G enerarea, recombinarea, capturarea,
GRCT cauzeazá curenþii de pierdere ín joncþiunile p-n, ín
emisia ßi efectul de tunel (GRCT
GRCT)
32 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

tranzistoarele bipolare ßi sunt responsabile de instabilitatea, ímbátränirea ßi strápungerea

dispozitivelor electronice. Deoarece ín secþiunea anterioará au fost prezentate mecanismele
GRCT,
GRCT ín acest subcapitol se vor analiza doar mecanismele de drift ßi de difuzie ímpreuná cu
modelarea matematicá a acestora.

2.5.1. Mißcarea purtátorilor de sarciná sub acþiunea cämpului electric

(drift)

Ín prezenþa cämpului electric purtátorii de sarciná íßi pástreazá mißcarea haoticá

datoratá ciocnirilor cu atomii reþelei de bazá ßi cu cei de impuritate, dar se deplaseazá ßi ín
direcþia cämpului. Deplasarea ín sensul cämpului are loc datoritá faptului cá ín intervalul íntre
douá ciocniri apare o creßtere a componentei de vitezá orientatá ín sensul cämpului. Acest
efect de antrenare a purtátorilor de sarciná ín sensul cämpului electric se numeßte drift.
Antrenarea ín sensul cämpului a purtátorilor de sarciná se realizeazá cu o vitezá medie
numitá vitezá de drift, v dn ßi v dp . Consideränd un model unidimensional ín care v dn = v nx ,
electronii ce se deplaseazá dintr-un volum A⋅dx de semiconductor ín direcþia +x (vezi figura
2.16), ín intervalul de timp dt , produc un curent electric I nx :
dQ n −q ⋅ n ⋅ A ⋅ dx
I nx = = = −q ⋅ n ⋅ A ⋅ v nx , (2.40)
dt dt
iar densitatea curentului I nx este:
I nx
J nx = = −q ⋅ n ⋅ v nx . (2.41)
A
Judecänd ín mod similar ßi pentru goluri, se obþine:
dQ p q ⋅ p ⋅ A ⋅ dx
I px = = = q ⋅ p ⋅ A ⋅ v px
dt dt (2.42)
I px
Jpx = = q ⋅ p ⋅ v px
A

y
vx

A
x

z dx
Figura 2.16. Sistemul de coordonate ßi elementul de volum folosite pentru calculul
curentului de drift.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 33

Ín scopul determinárii vitezelor de drift corespunzátoare celor douá tipuri de purtátori

de sarciná sá considerám mai íntäi deplasarea, supusá legii lui Newton, a unui electron íntre
douá ciocniri succesive. Viteza finalá a acestuia, cápátatá ín urma deplasárii, este datá de
relaþia:
q
v x = v 0 − m − ⋅ E x ⋅ τ fn (2.43)
ín care τ fn reprezintá timpul dintre douá ciocniri succesive ßi v 0 reprezintá viteza iniþialá
avutá de electron ínainte de deplasarea sub acþiunea cämpului electric, cunoscutá sub
denumirea de vitezá termicá.
Mediind atät asupra ciocnirilor cät ßi asupra numárului de electroni de conducþie din
unitatea de volum se obþine:
− − q − q
v x =v 0 − m − ⋅ E x ⋅τ fn = − m − ⋅ E x ⋅ τ n = v dn (2.44)

Aßa cum se observá, ín relaþia de mai sus valoarea medie a vitezei termice a fost
consideratá nulá deorece direcþiile lui v 0 sunt aleatoare datoritá vibraþiilor aleatoare ale
atomilor reþelei ßi a ionilor de impuritate. Ín realitate, media vitezei termice este diferitá de
zero, aceasta fiind cauza zgomotului termic ín semiconductoare.

Mobilitatea electronului se defineßte ca viteza sa medie de drift pe unitatea de cämp

electric:
v dn q ⋅ τn
µn = ≅ m− (2.45)
Ex
Combinänd relaþia (2.44) cu (2.45) expresia vitezei medii v dn devine:
v dn = −µ n ⋅ E x (2.46)

Judecänd ín mod similar ßi pentru goluri, se obþine:

v dp q ⋅ τp
µp = ≅ m+ (2.47)
Ex
v dp = µ p ⋅ E x (2.48)
Mobilitáþile purtátorilor de sarciná sunt un rezultat al ciocnirilor acestora cu atomii
reþelei de bazá ßi cu atomii de impuritate. Mobilitáþile depind deci de concentraþia de
impuritáþi, de temperaturá ßi de intensitatea cämpului electric aplicat. Datoritá condiþiilor
specifice ín care se deplaseazá purtátorii de sarciná mobilitatea electronilor este mai mare ca
mobilitatea golurilor, adicá µ n > µ p .
Ín figura 2.17 se prezintá dependenþa mobilitáþilor purtátorilor de sarciná funcþie de
concentraþia totalá de impuritáþi. Se observá cá mobilitáþile scad odatá cu creßterea
concentraþiei de impuritáþi deoarece creßte numárul ciocnirilor cu atomii de impuritate iar
drumul mediu íntre douá ciocniri consecutive scade.
34 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

Electroni
1000

.
µ[cm2 /Vs]

500
Goluri
200

100

14 15 16 17 18 19 20 21
10 10 10 10 10 10 10 10
-3
N[cm ]
Figura 2.17. Dependenþa mobilitáþilor purtátorilor de sarciná ín funcþie de concentraþia
totalá de impuritáþi pentru semiconductorul impur de Si la 300 o K .

Determinarea dependenþei cu temperatura a mobilitáþiilor purtátorilor de sarciná se

poate face folosind regula lui Matthissen:
1 1 1
µ = µ1 + µ2 (2.49)

ín care µ 1 reprezintá mobilitatea determinatá de ciocnirile cu atomii de impuritate ßi µ 2

reprezintá mobilitatea determinatá de ciocnirile cu atomii reþelei de bazá.
Mobilitatea determinatá de ciocnirile cu atomii de impuritate creßte odatá cu creßterea
temperaturii ín conformitate cu relaþia genericá:

µ1 = AI 0 ⋅ T
3/2
(2.50)
N
unde A I 0 reprezintá o constantá (A I 0n pentru electroni ßi A I 0p pentru goluri) ßi N
concentraþia ionilor de impuritate.
Mobilitatea determinatá de ciocnirile cu atomii reþelei de bazá depinde de undele
longitudinale de vibraþie ale reþelei cristaline. Aceste unde longitudinale sunt de douá
categorii: cu frecvenþe cuprinse ín gama acusticá de frecvenþe, numite unde longitudinale
acustice, ßi cu frecvenþe mai ínalte cuprinse ín gama infraroßu a spectrului optic, numite unde
longitudinale optice. Astfel, mobilitatea µ 2 este relevatá de expresia genericá:
1 1 1
µ 2 = µ A + µO (2.51)

ín care µ A reprezintá mobilitatea determinatá de undele longitudinale acustice de vibraþie:

µ A = A A ⋅ T −3/2 , (2.52)
µ O reprezintá mobilitatea determinatá de undele longitudinale optice de vibraþie:
∼
 h ⋅ω O 
−1/2
µO = AO ⋅ T ⋅ exp  , (2.53)
 k⋅T 
iar A A ßi A O sunt constante ce au valori diferite pentru cele douá tipuri de purtátori de
sarciná.
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 35

Dependenþa de intensitatea cämpului electric a mobilitáþilor purtátorilor de sarciná este

relevatá de relaþia empiricá genericá dezvoltatá de Shockley:
µ0
µ= γ (2.54)

1+  E 
EC
ín care E C reprezintá valoarea criticá a intensitáþii cämpului electric pentru care apare o
saturare (limitare) a vitezei de drift a purtátorilor de sarciná, iar γ este o constantá empiricá.
Micßorarea mobilitáþilor purtátorilor de sarciná odatá cu creßterea intensitáþii cämpului
electric se datoreazá scáderii timpului de accelerare (íntre douá ciocniri succesive). Ín figura
2.18 este ilustratá dependenþa vitezelor de drift ale purtátorilor de sarciná funcþie de
intensitatea cämpului electric aplicat.

Electroni
7
10
vn >vp [cm/s]

Goluri
6
10

5
10
2 3 4 5 6
10 10 10 10 10
E [V/cm]
Figura 2.18. Dependenþa vitezelor de drift ín funcþie de intensitatea cämpului electric
aplicat pentru purtátorii de sarciná din Si la 300 o K .

Ín consecinþá, densitatea curentului de drift total este:

j c = j nc + j pc = q ⋅ ( p ⋅ v p − n ⋅ v n ) = q ⋅ (p ⋅ µ p + n ⋅ µ n ) ⋅ E =
1 ⋅E (2.55)
= (σ n + σ p ) ⋅ E = σ ⋅ E = ρ

ín care σ reprezintá conductivitatea semiconductorului iar ρ rezistivitatea acestuia.

Relaþia
1 ⋅E ,
jc=ρ (2.56)

ín care

ρ= 1 , (2.57)
q ⋅ (p ⋅ µ p + n ⋅ µ n )
reprezintá legea lui Ohm pentru semiconductoare.
Aßa cum relevá relaþia (2.57) rezistivitatea semiconductoarelor este puternic
dependentá de temperaturá. Figura 2.19 prezintá calitativ aceastá dependenþá.
36 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

ρ[Ωcm]

I II III

ο
300 K T[ ο K]
Figura 2.19. Dependenþa de temperaturá a rezistivitáþii unui semiconductor impur.

La 0 o K semiconductorul este izolator perfect. La creßterea temperaturii (porþiunea I a

curbei) impuritáþile ionizeazá, deci concentraþiile purtátorilor de sarciná cresc, iar
rezistivitatea scade. La temperaturile uzuale de lucru (porþiunea II a curbei) aproape toate
impuritáþile au ionizat, concentraþiile de purtátori de sarciná rámänänd practic constante, dar
mobilitáþile electronilor ßi golurilor scad, conducänd astfel la o ußoará creßtere a rezistivitáþii.
La temperaturi ridicate (porþiunea III a curbei) creßte ín mod semnificativ numárul legáturilor
covalente rupte, semiconductoarele íßi pierd caracterul extrinsec, generarea de perechi
electron-gol, pe aceastá cale, conducänd la creßterea concentraþiei de purtátori de sarciná ßi
deci la scáderea rezistivitáþii.

2.5.2. Difuzia purtátorilor de sarciná

Difuzia purtátorilor de sarciná ín volumul unui semiconductor apare atunci cänd existá
o distribuþie neuniformá a purtátorilor de sarciná. Fluxul de purtátori de sarciná ce se
deplaseazá din regiunile cu concentraþie mai mare a acestora cátre regiunile cu concentraþie
mai micá se numeßte flux de difuzie, iar procesul se numeßte difuzie. Rata de difuzie a
purtátorilor de sarciná este determinatá de aceleaßi mecanisme de ciocnire cu atomii reþelei de
bazá ßi cu ionii de impuritate ßi de vibraþie acusticá ßi opticá a atomilor reþelei ßi a ionilor de
impuritate. Parametrul care másoará ßi caracterizeazá rata de difuzie este coeficientul de
difuzie, notat cu D n pentru electroni ßi cu D p pentru goluri. Deoarece difuzia ßi driftul sunt
controlate de aceleaßi mecanisme, íntre constantele de difuzie ßi mobilitáþi existá o legáturá
stränsá relevatá de relaþiile lui Einstein:

D n = k q⋅ T ⋅ µ n = V T ⋅ µ n
(2.58)
D p = k q⋅ T ⋅ µ p = V T ⋅ µ p

Márimea V T = (k ⋅ T)/q ce apare ín relaþia (2.58) se numeßte tensiune termicá ßi are

valoarea de aproximativ 26 mV la temperatura de 300 K .
Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor 37

Astfel, pentru cazul unidimensional, numárul de particule care traverseazá o suprafaþá

unitará perpendiculará pe direcþia de transport ín unitatea de timp este dat de relaþia:

F x = −D ⋅ dc (2.59)
dx
Generalizänd obþinem urmátoarea relaþie íntre fluxul de particule F ßi gradientul
concentraþiei de impuritáþi ∇c :
F = −D ⋅ ∇c (2.60)

Multiplicänd aceastá relaþie cu sarcina electronului, respectiv golului, obþinem

expresiile densitáþilor de curent de difuzie:

j nd = −q ⋅ F n = q ⋅ D n ⋅ ∇n
(2.61)
j pd = q ⋅ F p = −q ⋅ D p ⋅ ∇p

2.6. Ecuaþiile de bazá ale unui semiconductor

Orice dispozitiv semiconductor, ale cárui caracteristici depind de un numár mare de

particule, poate fi descris cu ajutorul unui sistem de ecuaþii liniare ßi diferenþiale, numite
ecuaþiile lui Shockley, ín condiþiile precizárii condiþiilor la limitá, iniþiale, de dopare cu
impuritáþi ßi de mediu. Acest sistem cuprinde trei tipuri de ecuaþii:
ecuaþiile de densitate a curentului,
ecuaþiile de continuitate ßi
ecuaþia lui Poisson.

Ecuaþiile de densitate a curentului exprimá analitic transportul purtátorilor de sarciná

prin drift ßi difuzie. Astfel, ín cazul aplicárii unui cämp de intensitate constantá ßi a existenþei
unor gradienþi de concentraþii de purtátori de sarciná, densitatea totalá de curent este relevatá
de expresiile:
j =j n +j p
j n = j nc + j nd = q⋅ n ⋅ µ n ⋅ E + q ⋅ D n ⋅ ∇n (2.62)
j p = j pc + j pd = q⋅ p ⋅ µ p ⋅ E − q ⋅ D p ⋅ ∇p

Ín cazul aplicárii unor cämpuri de intensitate variabilá ín timp, expresia densitáþii

totale de curent devine:
j =j n +j p +j d
_
(2.63)
j d =ε⋅ ∂E
∂t
unde j d reprezintá densitatea de curent de deplasare.
38 Cap. 2. Noþiuni de fizica semiconductoarelor

Ecuaþiile de continuitate descriu analitic variaþia ín timp a concentraþiilor de purtátori

de sarciná. Cauzele variaþiei ín timp a concentraþiei de purtátori pot fi:
generarea datoratá unor agenþi externi,
generarea-recombinarea interná,
fenomene de transport (prin intermediul curenþilor),
iar aceastá dependenþá este exprimatá analitic astfel:
∂n = G − R + 1 ⋅ ∇j
∂t Ln n q n
∂p (2.64)
= G Lp − R p − 1q ⋅ ∇j p
∂t
unde G Ln ßi G Lp reprezintá ratele de generare pentru electroni ßi goluri sub acþiunea unui
factor extern.
Un caz particular al acestor relaþii, íntälnit la majoritatea dispozitivelor
semiconductoare, este dat de absenþa sau de posibilitatea neglijárii efectului agenþilor externi (
G L = 0 ), de cazul unidimensional (desfáßurarea proceselor dupá o singurá direcþie) ßi de
considerarea unor relaþii simplificate pentru vitezele nete de recombinare. Astfel, ecuaþiile
(2.64) devin:

∂n = − n − n 0 + 1 ⋅ ∂j n
∂t τn q ∂x
(2.65)
∂p p − p 0 1 ∂j p
=− τ −q⋅
∂t p ∂x

Ecuaþia lui Poisson se referá la legátura dintre potenþialul electrostatic, u , dintr-un

semiconductor ßi densitatea volumicá macroscopicá de sarciná, ρ V :
ρV
∆u = − ε
(2.66)
ρ V = q ⋅ (p − n + N D∗ − N A∗ )
Relaþia íntre cämpul electric ßi potenþialul u este:
−
E = −∇u (2.67)

Dispozitivele semiconductoare de dimensiuni submicronice, cu numár redus de

purtátori de sarciná, pentru care statisticile folosite ín dezvoltatea relaþiilor precedente nu sunt
valabile, se analizeazá pornind direct de la legile mecanicii cuantice.