Tiristoare

1 .Introducere

Tiristoarele (numite uneori SCR-uri adică redresoare comandate cu

semiconductori) sunt unele din cele mai vechi tipuri de dispozitive de putere cu
semiconductori (din 1957 în Laboratoarele de Cercetare General Electric) şi încă au
cea mai mare capabilitate de manevrare a puterii. Ele au o construcţie mică cu patru
straturi şi au o comutare cu agăţare care poate fi amorsată de către terminalul de
comandă (poartă), dar nu pot fi stinşi de către poartă. Caracteristicile tiristoarelor (în
special capabilitatea mare de manevrare a puterii) îi face să aibă un rol important în
aplicaţiile electronice de putere. Proiectantul şi utilizatorul dispozitivelor şi
circuitelor electronice de putere trebuie să cunoască funcţionarea acestora.

2. Structura de bază

În fig.1a este prezentată o secţiune verticală printr-un tiristor. Sunt prezentate

grosimile aproximative ale fiecăreia din cele patru structuri alternative cu dopare de
tip p şi de tip n ce alcătuiesc structura, precum şi densităţile de dopare. După
dimensiunile laterale, tiristoarele sunt printre cele mai mari dispozitive
semiconductoare realizate.
O plachetă completă de siliciu poate fi utilizată pentru a realiza un singur
tiristor de înaltă putere. Vederile plane ale celor două configuraţii diferite ale porţii şi
catodului sunt prezentate în fig.1b. Structura şi distribuţia porţii sunt pentru un tiristor
cu diametru mare (10 cm) în timp ce structura cu electrod de poartă localizat este
numai pentru un tiristor cu diametru mai mic. În general configuraţiile porţilor şi
catozilor tiristoarelor variază mult funcţie de diametrul tiristoarelor, capabilitatea
di/dt şi domeniul vitezelor de comutaţie dorite.
Simbolul pentru tiristor este prezentat în fig.1c. Este în esenţă simbolul unei
diode (sau redresor) cu un al treilea terminal de comandă, poarta care este adăugată
ei. Convenţiile referitoare la tensiunile şi curenţii tiristorului sunt prezentate în figură.
Secţiunea verticală prin tiristor este similară cu cea prin BTJ, incluzând unele
densităţi de dopare şi grosimi de straturi. Catodul este în aceeaşi poziţie ca şi emitorul
BTJ-lui şi amplasarea porţii tiristorului este analogă bazei BTJ-ului. Regiunea n - a
tiristorului absoarbe zona de golire a joncţiunii ce blochează tensiunea aplicată când
tiristorul este în stare blocată, îndeplinind astfel aceeaşi funcţie ca şi regiunea de
deplasare a colectorului n- a BTJ-ului.
Stratul p care formează anodul tiristorului reprezintă o cararcteristică a structurii
tiristorului care nu se întâlneşte la BTJ. Acest strat de anod face ca tiristotul să aibă
caracteristici foarte diferite de cele ale BTJ-tului.

1
 Fig.1.Detalii privind structura tiristorului:
(a) secţiunea vertical; (b) configuraţiile porţii şi catodului; (c) simbol.

2
 3. Caracteristici I-V.

Unicitatea tiristorului constă în principal în caracteristica sa i-v (curentul de

anod iA în funcţie de tensiunea anod-catod VAK), ce este prezentată în fig.2. În direcţie
inversă tiristorului pare similar cu o diodă polarizată invers, ce conduce un curent
foarte mic până când are loc străpungerea în avalanşă. Pentru un tiristor tensiunea
inversă maximă de funcţionare se numeşte V RWM (sunt disponibile dispozitive cu
valori ale lui VRWM până la 7000V). La polarizarea directă, tiristorului are două
straturi sau moduri stabile de funcţionare ce sunt conectate între ele printr-un mod
instabil ce apare ca o rezistenţă negativă pe caracteristica i-v.

Fig.2. Caracteristica curent-tensiune a unui tiristor.

Regiunea de curent scăzut şi tensiune înaltă este starea de blocare directă a

modul cu tensiune scăzută, curent ridicat este starea de conduncţie. Aceste două stări
sunt indicate pe caracteristica i-v. În stare de conducţie un tiristor de mare putere
poate conduce curenţi medii de ordinul 2000-3000A cu căderi de tensiune în
conducţie de numai câţiva volţi.
Valorile specifice pentru tensiune şi curent în cadranul cu polarizare directă al
caracteristicii i-v apar în filele de catalog. Curentul de menţinere I H reprezintă
curentul minim ce poate circula prin tiristor şi menţine dispozitivul în stare de
conducţie. Tensiunea de menţinere VH, reprezintă cea mai de jos posibilă extindere a
porţiunii în stare de conducţie a caracteristicii i-v. Pentru starea blocat, mărimile de
interes sunt tensiunea de blocare VBO (numită uneori tensiune de întoarcere VBO din
3
cauza curbei i-v ce se întoarce şi merge spre porţiunea în stare de conducţie a
caracteristicii) şi curentul însoţitor de întoarcere IBO. Tensiunea şi curentul de
întoarcere sunt definiţi pentru curent de poartă zero, adică poarta este în circuit
deschis (gol).
Dacă un curent de poartă pozitiv este aplicat tiristorului, atunci tranziţia sau
întoarcerea la starea de conducţie va avea loc la valori mici ale tensiunii anod-catod
(fig.2). Tiristorul va comuta în stare de conducţie la valori scăzute ale lui V AK- dacă
curentul de poartă este destul de mare. Deşi nu este indicat pe caracteristica i-v,
curentul de poartă nu trebuie să fie curent continuu ci poate fi un impuls de curent
având o durată minimă.
Această abilitate de a comuta tiristorul în stare de conducţie prin intermediul
unui impuls de curent a stat la baza numeroaselor aplicaţii ale dispozitivului.
Totuşi, odată ce tiristorul este în stare de conducţie, poarta nu poate fi utilizată pentru
a bloca dispozitivul. Singurul mod de a bloca tiristorul este ca printr-un circuit
exterior să fie forţat curentul prin dispozitiv să fie mai mic decât curentul de
menţinere pentru o perioadă minimă de timp specificată.

4. Principiile fizice ale funcţionării dispozitivelor.

4-1.Stări de blocare.

La descrierea modului cum funcţionează tiristorului din punct de vedere fizic,

este prezentat dispozitivul în fig.3a. ca o structură idealizată, unidimensională.
Un circuit aproximativ de joasă frecvenţă compus dintr-un transistor pnp şi
unul npn este arătat în fig.3b, care este uşor de dedus din modelul unidimensional.
În starea de blocare inversă, anodul este polarizat negativ în raport cu catodul.
Joncţiunile J1 şi J3 indicate în fig.3a sunt polarizate invers şi J2 este polarizată direct.
Joncţiunea J1 trebuie să suporte tensionea inversă din cauză că J3 are o tensiune de
străpungere scăzută ca o consecinţă a dopării puternice a ambelor parţi ale juncţiunii
(fig.1).
Capabilitatea de blocare în sens invers a juncţiunii J1 este de obicei limitată de
către lungimea regiunii n-(n1), care este stabilită aproximativ de către limita de
străpungere prin avalanşă dată de ecuaţia .
În starea de blocare în sens direct, joncţiunile J1 şi J3 sunt polarizate directe şi
J2 este polarizată invers. Densităţile de dopare în fiecare strat sunt altfel ca stratul n -
(stratul n1) este acolo unde apare regiunea de golire a joncţiunii J2 polarizată invers
şi astfel această regiune determină din nou capabilitatea tensiunii de blocare, de data
aceasta în starea blocare în sens direct. În general tiristorului este proiectat astfel încât
tensiunea de blocare în sens direct V BO va fi aproximativ egală cu tensiunea de
blocare în sens invers VRWM.

4
 Fig.3 Modele simplificate de tiristor:
(a) model unidimensional de tiristor; (b) circuit echivalent al unui tiristor cu două
tranzistoare.

Valorile lui VBO şi VRWM încep să scadă rapid cu creşterea temperaturii când
temperatura joncţiunii creşte peste 1500C. Majoritatea fabricanţilor de dispozitive
specifică temperatura maximă a joncţiunii pentru tranzistori la 1250C.
Pe baza acestor condiţii de polarizare ale celor trei joncţiuni în stare de blocare
în sens direct, se poate trage concluzia că ambii tranzistori Q1 şi Q2 din circuitul
echivalent al tiristorului din fig.3b sunt în regiune activă. Recunoaşterea acestui fapt
face posibilă o relaţie simplă, deşi admisă calitativ, explicarea caracteristicii i-v a
tiristorului polarizată direct.
Un BTJ în regiunea activă poate fi descris la frecvenţe joase de către ecuaţiile
Ebers–Moll. Pentru tranzistorii Q1 şi Q2 în regiunea activă, aceste ecuaţii sunt:

IC1 = -α1 IE1 +ICO1 (1)

IC2 = -α2 IE2 +ICO2 (2)

Unde curentul de fugă ICO este dat de

ICO=ICS[1-αfαr] (3)

În ecuaţia 3, ICS este curentul de saturaţie în sens invers al diodei colector-bază

cu emitorul în gol şi αf şi αr sunt coeficienţii de transport ai bazei în modul activ în
sens direct şi respectiv în modul activ în sens invers (sau α~β/[1+β]) ai tranzistorului.
5
Daca IA=IE1 şi Ik=-IE2=IA+IG şi făcând suma tuturor curenţilor dintr-un transistor egală
cu zero, se poate arăta că IA este dat de

IA= (4)

În stare blocată suma α1 + α2 trebuie să fie mult mai mică decât unitatea astfel
ca să fie menţinut mic curentul de anod IA, ce variază de la microamperi pentru
dispozitivele de curent scăzut la câteva sute de miliamperi la tiristoarele de curenţi
mari.

4-2. Procesul de amorsare

Ecuaţia 4 indică că dacă α1 + α2 se apropie de unitate, curentul de anod va fi

arbitrar de mare. Dacă se întâmplă aceasta, tiristorul va fi la punct de întoarcere unde
este gata să treacă în starea de rezistenţă negativă, unde amplificarea în curent (β) a
ambelor BTJ-uri este mai mare decât 1. Regiunea de rezistenţă negativă este instabilă
din cauza conexiunii regeneratoare (feedback pozitiv) a celor doi tranzistori. De
îndată ce este în aceasta regiune, dispozitivul se va transporta rapid el însuşi în starea
de conducţie stabilă. Cheia pentru procesul de amorsare este deci înţelegerea modului
în care coeficienţii de transport ai bazei (α) ai BTJ-urilor pot fi crescuţi de la valori
mici necesare pentru funcţionarea în stare blocată spre punctul unde suma lor este
unitatea.
Mecanismul ce provoacă creşterea lui α este mărimea regiunii de golire a
jocţiunii J2 în stratul n1 pe măsură ce tensiunea anod-catod creşte. Aceasta
determină micşorarea grosimii efective a bazei lui p 1 n1 p2 BTJ şi, prin urmare,
creşterea lui αPNP . Extinderea stratului de golire a lui J2 în regiunea p 2 (regiunea
bazei tranzistorului npn) va determina o creştere a lui αNPN .
Combinarea conexiunii de feedback pozitiv a BTJ-urilor npn şi pnp şi a
factorilor de transport ai bazei dependenţei de curent, fac posibil pentru terminalul
poartă ca să amorseze tiristorul. Dacă un curent de poartă pozitiv de mărime
suficientă este aplicat tiristorului, o cantitate semnificativă de electroni de injecţie
trece prin joncţiunea J3 polarizată direct în stratul bazei p2 al tranzistorului npn.
Electronii vor difuza în bază şi vor fi transportaţi prin joncţiunea J2 în stratul bazei n1
al tranzistorului pnp.
Aceşti extra electroni în stratul n1 vor avea simultan două efecte. Primul, stratul
de golire al joncţiunii J2 va creşte în grosime din cauză că este necesară o sarcină
spaţială pozitivă suplimentară de la donorii ionizaţi pentru a compensa parţial sarcina
spaţială negativă a electronilor. Această extindere a stratului de golire în stratul n 1 va
reduce grosimea efectivă a bazei tranzistorului pnp şi va determina astfel α PNP să
crească. Al doilea, injecţia purtătorilor majoritari (electonii) în baza tranzistorului pnp
va determina injecţia golurilor în stratul bazei (din cauza cerinţelor de neutralitate a
sarcinii spaţiale) prin injecţia din joncţiunea bază-emitor a tranzistorului pnp
(joncţiunea p1 n1). Aceste goluri injectate vor difuza prin bază şi vor fi transportate
6
prin regiunea de golire a joncţiunii J2 şi în regiunea bazei BTJ-ului npn. Aceste goluri
vor determina o creştere suplimentară a injecţiei de electroni (din cauză că sarcina
spaţială pozitivă a golurilor atrage electronii din stratul n 2) în regiunea bazei BTJ-ului
npn. Aceşti electroni suplimentari injectaţi vor parcurge acelaşi ciclu ce tocmai a fost
descris pentru injecţia iniţială a electronilor. Această amplificare pozitivă este un
proces regenerator.
Această acţiune regeneratoare duce tiristorul în stare de conducţie. Circulaţia
mare de curent între anod şi catod injectează destui purtători în regiunile bazei pentru
a menţine BTJ-urile saturate fără o circulaţie continuă de curent în bază. Aceasta este
originea acţiunii de agăţare a tiristorului descrisă mai devreme.

4-3. Funcţionarea în stare de conducţie.

În stare de conducţie este o injecţie puternică de purtători minoritari în toate

cele patru regiuni ale structurii tiristorului. Distribuţia de sarcină stocată în cele patru
regiuni este prezentată schematic în fig.4. Joncţiunea J2 este polarizată direct şi BTJ-
urile din circuitul echivalent sunt saturate.

Fig.4. Distribuţiile de purtători în stare de conducţie dintr-un tiristor.

7
 În această situaţie curenţii mari de polarizare directă pot circula (dictaţi de
circuitul extern) şi doar o mică cădere de tensiune în sens direct are loc din cauza
modulaţiei mari a conductivităţii reprezenate de distribuţia de sarcină spaţială (fig.4).
Tensiunea în stare de conducţie este dată aproximativ de

VAK(ON) =VJ1 -VJ2 +VJ3 +Vn- (5)

Unde VJ sunt tensiunile joncţiunilor polarizate direct (0.7-0.9V) şi Vn -, care este de

ordinul a câteva zecimi de volt, este relativ independent de curentul prin dispozitiv şi
este dat aproximativ de ecuaţia . Valoarea lui VAK(ON) din ecuaţia 5 este
similară cu expresia pentru tensiunea în stare de conducţie a unei diode (ecuaţia
). La densităţi mari de curent, tensiunea în stare de conducţie va creşte cu
creşterea curentului din cauza recombinării Auger şi reducerii mobilităţii purtătorilor
şi datorită rezistenţelor ohmice parazite. Efectul de reţea al acestor factori este o
rezistenţă în stare de conducţie.

4-4. Procesul de stingere.

Odată ce tiristorul este agăţat în stare de conducţie terminalul poartă nu mai are
nici un control asupra stării dispozitivului. În particular, poarta nu poate fi utilizată
pentru stingerea tiristorului. Stingerea poate fi realizată doar de un circuit extern prin
reducerea curentului de anod sub curentul de menţinere pentru o perioadă de timp
minimă specificată. În această perioadă, acţiunea simultană a recombinării interne şi
a transportului purtătorilor va îndepărta suficient sarcina stocată astfel încât BTJ-urile
sunt împinse de la saturaţie spre regiunea activă. Când se întâmplă aceasta,
dispozitivul se va stinge prin conectare regeneratoare a tranzistorilor.
La tiristorul standard, un curent negativ de poartă nu poate stinge dispozitivul
din cauză că regiunea catodului are o arie mult mai mare decât aria porţii. Când
circulă un curent de poartă negativ, el poate să polarizeze invers doar local joncţiunea
poartă catod (bază-emitor la un tranzistor npn), ca în fig.5. Căderile de tensiune
laterale în regiunea p2 datorate lui iG negativ are ca efect aglomerarea curentului spre
curentul regiunii catodului similar cu aglomerarea curentului de emitor în timpul
stingerii BTJ-ului. Curentul de anod care circulă acum mai mult în centrul fiecarei
regiuni a catodului menţine joncţiunea poartă-catod polarizată direct în această
porţiune centrală şi tiristorul este în stare de conducţie în ciuda curentului negativ de
poartă.

8
Fig.5.Distribuţia densităţii de curent într-un tiristor în timpul încercării de stingere cu
un curent de poartă negativ ilustrand strangularea curentului în centrul catodului.

5-1 Caracteristici de comutaţie

La descrierea regimului tranzitoriu la amorsare, presupunem că dispozitivul

face parte din circuitul din fig.6, care este o diagramă simplificată a unui redresor
comandat multifazat. Amorsarea unui tiristor se realizează prin aplicarea unui impuls
de curent de mărime şi durată specificate pe poarta dispozitivului. Curentul de poartă
se aplică la t=0 (fig.7) tiristorului TA din fig.6 cu t=0 corespunzând unui timp când
tensiunea pe faza a este mai mare decât cele de pe celelalte două faze. Formele de
undă rezultate pentru curentul de anod şi tensiunea anod-catod sunt prezentate în
fig.7. Curentul de anod creşte cu viteze fixă diF/dt, care este stabilită de către
circuitul extern din cauza timpilor de comutaţie ai altor dispozitive sau din cauza
inductanţei parazite din circuit. Trei intervale distincte de timp pot fi definite: timpul
de întârziere la amorsare td(on); timpul de creştere tr şi timpul de disperşie tps. Pe
durata timpului de întârziere la amorsare, tiristorul pare să rămână în stare blocată.
Totuşi, curenul de poartă în acest timp injectează purtătorii în exces în stratul p 2(baza
tranzistorului npn din circuitul echivalent) în vecinătatea contactului de poartă
(fig.8a). Această creştere a purtătorilor în exces determină ca suma factorilor de
transport ai bazei α1 + α2 să crească până egalează unitatea. În acest moment tiristorul
este la punctul de întoarcere şi începe o puternică injecţie de electroni în stratul p 2 din
stratul n2 al catodului şi o injecţie de goluri din stratul p1 în stratul n1 în vecinătatea
regiunilor porţii (fig.8b).
9
 Curentul de anod începe să crească şi aceasta machează sfârşitul timpului de
întârziere la amorsare şi începutul intervalului de timp de creştere.
Pe durata intervalului de timp de creştere, o densitate mare de purtători în
exces sau plasmă se creează în vecinatatea regiunilor porţii, care apar difuzează
lateral peste faţa catodului până când întreaga secţiune transversală a tiristorului este
umplută cu o densitate mare de purtători în exces.

Fig.6. Redresor multifazat comandat utilizând tiristor.

Fig. 7.Formele de unda ale tensiunii is curentului tiristorului in timpul amorsarii.

10
 Simultan începe şi creşte injecţia de purtători în regiunea anodului p1 în stratul
în care formează baza tranzistorului pnp. Viteza de creştere a curentului este de
obicei destul de mare astfel încât curentul de anod ajunge la valoarea sa constantă de
conducţie în timpi semnificativi mai scurţi decât sunt necesari pentru injecţia de
purtători în exces ce se împrăştie lateral pe întreaga faţă a regiunii catodului.
Atingerea valorii de conducţie a curentului de anod marchează sfârşitul intervalului
de timp de creştere.
Când apare şi creşte densitatea purtătorilor în exces (fig.8b), tensiunea anod-
catod începe să scadă. Pe durata timpului de creştere; căderea de tensiune este destul
de rapidă din cauză că regiunile localizate cu densităţi mari de purtători în exces din
vecinatatea regiunilor porţii asigură o reducere seminificativă a capabilităţilor de
blocare ale tiristorului. Chiar după terminarea intervalului de timp de creştere, plasma
încă continuă să difuzeze spre aria laterală a tiristorului (fig.8b), circuitat de către
densităţile mari ale purtătorilor în exces. Timpul necesar pentru difuzia plasmei din
regiunile iniţiale din jurul terminalelor de poartă către întreaga secţiune transversală a
dispozitivului este timpul de difuzie tps. Vitezele tipice de difuzie a plasmei sunt date
în termeni de viteze de difuzie a plasmei, care are valori în domeniul 20-200um/μs.
Pentru dispozitive cu secţiuni mari, ce au diametre de centimetri, poate dura
câteva sute de microsecunde ca dispozitivul să se amorseze complet dacă plasma
trebuie să difuzeze de la un singur electrod de poartă (fig.1b). Viteza de scădere a
tensiunii pe durata timpului de difuzie a plasmei este mai mare decât tr şi din cauză
că cea mai mare parte a căderii are loc în intervalul tk.
Este important ca viteza de creştere a curentului de anod să fie menţinută mai
mică decât o valoare maximă dată în fila de catalog a tiristorului. Daca d IF/dt
depăşeşte această viteză maximă, dispozitivul poate fi deteriorat.
O astfel de defectare poate apare din cauză că vitezele mari de creştere a
curentului înseamnă că timpul de creştere va fi scurt şi în consecinţă aria de amorsare
din jurul regiunii de poartă a tiristorului va fi destul de mică la sfârşitul timpului de
creştere comparativ cu secţiunea transversală a dispozitivului. O arie mică de
amorsare înseamnă că tensiunea pe tiristor nu a scăzut mult faţă de valoarea în stare
blocată pe durata intervalului de timp de creştere. Prin urmare, disiparea instantanee
de putere pe durata intervalului tr va fi mare şi limitată la un volum relativ mic.
Într-o astfel de situaţie, abilitatea de a îndepărta căldura generată de disipare
va fi mai mică decât viteza de disipare şi astfel temperatura internă a regiunii paote
creşte astfel încât să aibă loc o ambalare termică mare în aria de amorsare şi prin
urmare poate conduce la defectarea sau deterioarea dispozitivului.
Valori mare ale curentului de poartă ale intervalelor td(on) şi tr vor creşte
mărimea de amorsare prin furnizarea unui număr mai mare de purtători în exces. O
arie de amorsare mai mare va reduce valoarea de vârf a disipării instantanee de
putere. Pentru acest motiv, curentul de poartă aplicat este de obicei mare la începutul
intervalului de amorsare şi este redus gradat cu trecerea timpului (fig.9). Există şi
modificări structurale care pot îmbunătăţi viteza diF/dt.

11
Fig.8.Creşterea iniţială şi difuzia laterală a purtătorilor în exces într-un tiristor în
conducţie ce ilustrează necesitatea de a elimina diF/dt: (a) injecţia purtătorilor
minoritari în regiunea bazei p2 de către curentul de poartă pe durata timpului de
întârziere la amorsare ce iniţiază acţiunea de comutaţie regeneratoare; (b) ariile de
amorsare iniţiale ale tiristorului în vecinătatea electrodului de poartă puţin după
timpul de întârziere la amorsare.

12
Fig. 9. Un curent de poartă cu o valoare iniţială mare pentru a maximiza ariile iniţiale
de amorsare ale tiristorului. Curentul este apoi redus la valori mici o perioadă
suficientă de timp pentru a garanta amorsarea dispozitivului.

5-2. Regim tranzitoriu la deconectare.

Deconectarea tiristorului necesită ca el să fie polarizat invers de către circuitul

extern o perioadă minimă de timp. Pentru tiristorul TA din fig.6 deconectarea începe
când tiristorul TB este amorsat, ceea ce se întâmplă când tensiunea pe faza B este mai
mare decât faza A. Tensiunea pe faza B mai mare se polariză invers TA de îndată ce
TB este în stare de conducţie. Timpul de amorsare a unui tiristor este apreciabil mai
scurt decât timpul de deconectare, deci în ceea ce priveşte deconectarea lui TA
amorsarea lui TB este aproape instantanee. Totuşi, comutarea curentului de la TA la
TB nu va fi instantanee ci va avea loc într-o perioadă mai mare de timp cum este
arătat la formele de undă la deconectarea lui TA în fig.10. Curentul prinTA începe să
scadă la t=0 cu o viteză fixă diR/dt, care este determinată de către circuitul extern.
Procesul de stingere pe ansamblu este similar cu deconectarea diodelor de putere. La
scăderea curentului, purtătorii în exces din cele patru regiuni ale tiristorului scad de la
valorile de regim permanent prezentate în distribuţia purtătorilor din fig.4 printr-o
combinare de recombinări interne şi de transport al purtătorilor.
Cu trecerea timpului, curentul continuă să scadă şi repede trece prin zero la
timpul t1 şi apoi creşte spre valori negative (fig.10). Tensiunea pe tiristor rămâne
mică şi pozitivă până când una din jonctiunile J1 sau 3 începe să se polarizeze invers,
fapt ce nu se întâmplă până când densitatea purtătorilor în exces la joncţiune a scăzut
la zero. De obicei J3 se va polariza prima la timpul t2 din fig.10 şi apoi foarte repede
ajunge la străpungere în avalanşă pe măsură ce tensiunea anod-catod devine negativă
din cauză că doparea puternică a straturilor n 2 şi p2 înseamnă că capabilitatea de
blocare în sens invers a acestei joncţiuni nu este foarte mare (de obicei 20-30V).

13
 La sau puţin după timpul t2 distribuţia purtătorilor în exces în tiristor nu mai
este destul de mare pentru a susţine curentul negativ de anod ce creşte în contul mare
şi astfel curentul atinge valoarea sa negativă de vârf Irr şi începe să scadă către zero.
În aproximativ acelaşi timp densitatea purtătorilor în exces la joncţiunea J3 se apropie
de zero şi ea este polarizată invers.

Fig.10. Formele de undă ale tensiunii şi curentului tiristorului pe durata deconectarii.

O tensiune de blocare în sens direct neaplicată nu trebuie aplicată tiristorului până
când o perioadă specificată de timp, timpul de recuperare tq, nu s-a scurs. Viteza de
creştere a tensiunii de blocare în sens direct neaplicate d VF/dt trebuie menţinută sub o
valoare specificată.

Creşterea tensiunii negative anod-catod, care începe la t2, continuă şi depăşeşte

valoarea VREV=VB-VA, care va fi eventual impusă tiristorului TA de către circuit.
Supracreşterea de tensiune provine de la inductanţa circuitului şi este determinată de
cât de rapid curentul de anod scade la zero de la valoarea sa inversă de vârf Irr.

14
 5-3. Timp de deconectare şi limitări ale dVF/dt reaplicat

În cazul diodelor de putere a fost definit că regimul de recuperare în sens

invers s-a terninat când curentul invers a scăzut la o valoare convenabil de mică ca
1/4Irr sau 1/10Irr, care este marcată pe forma de undă a curentului de anod din fig.10
ca timpul t3. Totuşi, o astfel de definiţie nu este potrivită pentru tiristoare. Chiar şi la
timpul t3 există încă purtători în exces subtanţiali rămaşi în regiunile n 1 şi p2 ale
tiristorului. Dacă o tensiune în sens direct este aplicată tiristorului cu viteza dVF /dt
(fig.11), un impuls de curent în sens direct ce descreşte, va circula pe măsură ce
purtătorii în exces ramaşi continuă simultan să se recombine intern şi să fie
transportaţi de tensiunea crescătoare în sens direct.
Impulsul de curent de recuperare în sens direct poate să aibă aceeaşi consecinţă
ca un impuls de curent de poartă aplicat deliberat. Dacă curentul de recuperare în sens
direct este destul de mare, el poate amorsa tiristorul chiar dacă nu s-a dorit amorsarea.
Deoarece cu cât va fi mai mare valoarea lui d VF/dt cu atât va fi mai mare curentul de
vârf de recuperare în sens direct, trebuie făcute două lucruri pentru a preveni
amorsarea accidentală. Primul, timpul în care tiristorul este menţinut în starea de
blocare în sens invers trebuie extins peste timpul t3. Fabricanţii de dispozitive
specifică timpul de deconectare tq pentru tiristoarele lor, ce reprezintă timpul
minimin în care tiristorii lor trebuie să rămână în starea de blocare în sens invers
înainte ca orice tensiune în sens direct să fie reaplicată. Acest timp de deconectare are
de obicei lungimea câtorva durate de viaţă a purtătorilor în exces.

Fig.11. Curent de recuperare în sens direct ce rezultă din reaplicarea unei tensiuni în
sens direct pe tiristor înainte de terminarea timpului de recuperare specificat. Dacă
curentul de recuperare în sens direct este prea mare poate apare o amorsare
accidentală a tiristorului.
15
Al doilea, viteza de creştere a lui dvF/dt pentru tensiunea în sens direct reaplicată
trebuie menţinută sub o valoare maximă care este de asemenea specificată de
fabricantul dispozitivelor. La această valoare maximă se ajunge pe baza mărimii
curentului de deplasare ce poate fi comandat la o dVF/dt prin capacitatea sarcinii
spaţiale a joncţiunii J2. Dacă acest curent de deplasare CJ2 d VF/dt depăşeşte curentul
de întoarcere IBO, poate avea loc amorsarea tiristorului. Prin urmare,dVF/dt reaplicată
trebuie limitată la
dVF|dt|max<IBO/CJ2 (6)
Valorile maxime ale lui dVF/dt variază de la 100 V/μs pentru dispozitive lente
destinate pentru aplicaţii de controlul fazei de joasă frecvenţăa la câteva mii de volţi
pe microsecundă sau mai mari la dispozitivele destinate pentru aplicaţii de invertoare
la frecvenţe şi tensiuni înalte.

6. Metodă de îmbunătăţire a vitezelor di/dt şi dv/dt.

6-1. Îmbunătăţiri ale lui di/dt

Factorul principal pentru îmbunătăţirea vitezei di/dt este creşterea ariei iniţiale
a conducţiei catodului, deoarece acesta este factorul care limitează viteze de creştere
a curentului de anod. O modalitate de creştere a acestei arii este de a creşte curentul
de poartă ce deja a fost menţionat. Dar este de dorit să facem aceasta fără un circuit
de comandă a porţii care să furnizeze curenţi de poartă substanţiali mai mari. Un mod
de realizare a acestui obiectiv este utilizarea unui tiristor mai mic auxiliar sau pilot
care să furnizeze curenţi mari de poartă tiristorului principal (fig.12). Mai mult, acest
tiristor pilot poate fi integrat pe aceeaşi plachetă de siliciu ca şi dispozitivul principal.

Fig.12. Modificări ale tiristorului pentru o conectare şi o deconectare mai rapidă: (a)
tiristor cu un tiristor auxiliar ce furnizează curenţi mari de amorsare; (b) tiristor cu
stingere asistată de poartă (GATT).

16
 O altă îmbunătăţire ce poate fi realizată este modificarea geometriei poartă-
anod astfel încât să existe multe regiuni de catod şi de poartă mici intercalate,
asemanatoare cu regiunile bazei şi emitorului BTJ-urilor de putere. Printr-o astfel de
intercalare utilizând o varietate de geometrii complexe periferia poartă-catod este
făcută mare comparativ cu aria catodului. Structura de poartă distribuită din fig.12b
este un pas în această privinţă. Periferiile poartă-catod mari conduc la o creştere
seminificativă a ariei conductoare iniţiale a tiristorului şi deci la o capabilitate mai
mare di/dt.
Utilizarea unei structuri intercalate poarta-catod contribuie la scurtarea
timpului de deconectare a tiristorului. Aria mare a catodului şi periferia relativ mică
poartă-catod a unui tiristor convenţional cu controlul fazei o face curenţii negativi de
poartă ineficienţi pentru deconectarea dispozitivului. Totuşi o structură poartă-catod
puternic intercalată la care centrul regiunii catodului nu este prea departe de graniţa
anod-catod face ca aglomerarea de curent spre centrul catodului să fie mult mai mai
slabă şi astfel permite curentului negativ de poartă să fie mult mai eficient la
transportarea sarcinii stocată în regiunile n2 şi p2, care în schimb va micşora timpul de
deconectare.
Deoarece o structură poartă-catod puternic intercalată este de obicei utilizată
împreună cu un tiristor pilot, o modificare suplimentară este necesară şi anume
adăugarea unei diode ca în fig.12b. Dacă nu este adaugată dioda, atunci doar tiristorul
pilot va beneficia de curentul negativ de poartă de la tiristorul principal. Circuitul
prezentat în fig.12b ce combină un tiristor pilot, o diodă şi o structură poartă-catod
puternic intercalată, este uneori numit tiristor cu stingere asistată de poartă (GATT).
Chiar şi la acest dispozitiv polarizarea inversă a terminalelor anod-catod de către
circuitul extern este necesară pentru stingerea tiristorului.
Timpul de stingere de 10μs sau mai mici au fost realizaţi pentru dispozitive cu
tensiuni de blocare în sens direct de 2000V şi curenţi de conducţie de 1000-2000A.
Aceste dispozitive pot fi utilizate la frecvenţe de comutaţie de câţiva zeci de
kiloherzi.

6-2. Catod în scurtcircuit.

Un mod de a reduce efectele curenţilor de deplasare care limitează dVF/dt este

prin intermediul catodului în scurtcircuit (fig.13). Aceste scurtcircuitări care sunt
realizate prin suprapunerea metalizării catodului peste porţiuni din regiunea porţii
(regiunea p2) pot să intercepteze parţial curentul de deplasare. Orice porţiune din
curentul de deplasare care este deviată spre scurtcircuitul catodului nu trece prin
joncţiunea poartă-catod şi deci nu provoacă injecţia de purtători în regiunea bazei de
tip.

17
Fig.13. Tiristor cu catod în scurtcircuit pentru amplificarea vitezei dvF/dt a
dispozitivului.

Aceasta înseamnă că curentul total de deplasare şi deci is d VF/dt poate fi mai mare
fără amorsarea dispozitivului. Trebuie să fie evident şi că structura poartă-catod
puternic intercalată va utiliza catodul în scurtcircuit mai eficient decât geometria
convenţională a unui tiristor cu control de fază.

Rezumat

Acest capitol a descris structura şi principiile fizice de funcţionare ale tiristorului.

Au fost studiate caracteristicile de comutaţie unice ale tiristorului.
Concluziile importante sunt următoarele:
1. Tiristorul are o construcţie mică cu patru straturi cu regiuni alternative de tip p şi de tip n.
2. Porţiunea de polarizare inversă a caracteristicii i-v are două regiuni de funcţionare
stabilă, una fiind starea de conducţie şi cealaltă starea de blocare. Porţiunea de
polarizare inversă a caracteristicii este o stare de blocare.
3. Un impuls de curent aplicat pe poartă va agăţa tiristorul în starea de conducţie, dar
apoi poarta nu poate stinge dispozitivul. Circuitul extern de putere trebuie să
polarizeze invers tiristorul pentru a-l stinge.
4. Tiristorul este un dispozitiv cu purtători minoritari şi are cele mai mari capabilităţi
ale tensiunii de blocare şi cele mai mari capabilităţi de conducţie ale curentului dintre
toate dispozitivele semiconductoare de comutaţie.

18
5. Tiristorul este un dispozitiv de comutaţie lent comparativ cu BTJ-urile şi
MOSFET-urile din cauza duratelor lungi de viaţă ale purtătorilor utilizaţi pentru
pierderi de conducţie scăzute şi din cauza cantităţii mari de sarcină stocată. Este
utilizat în mod normal la frecvenţe de comutaţie joase.
6. Viteze de creştere a curentului în stare de conducţie trebuie menţinută între limite
din cauză că difuzia lentă a plasmei pe durata regimului tranzitoriu la amorsare duce
la o aglomerare de curent care poate avea ca efect deteriorarea dispozitivului dacă
di/dt este prea mare.
7. Viteze de creştere a tensiunii de blocare în sens direct reaplicate după stingere
trebuie să fie limitată sau dispozitivul poate fi declanşat din nou de către curenţii de
deplasare induşi. Mai mult, tensiunea directă nu trebuie reaplicată prea repede după
stingere sau dispozitivul va fi amorsat din nou.
8. Modificări speciale de structură, cum sunt configuraţiile puternic intercalate
poartă-catod şi utilizarea catozilor în scurtcircuit pot să îmbunătăţească substanţial
vitezele di/dt si dv/dt.
9. Tiristorii au curenţi mari de recuperare în sens invers.

19