Electronică si automatizari

Cursul 3

1
Cuprins
 Tranzistorul bipolar

 Tiristorul

2
Tranzistorul bipolar
 Tranzistorul este un dispozitiv semiconductor care poate
amplifica semnalul electric.
 Este costruit dintr-un sandwich de 3 straturi, realizat intr-
un monocristal semiconductor, montat într-o capsulă,
prevăzut cu picioruse de conexiune (terminale).

3
Tranzistorul bipolar
 Este format din 3 regiuni semiconducoare, alternativ
dopate cu impurități: pnp sau npn, între care există 2
joncțiuni.
 Terminalele sunt fixate prin contacte metalice pe fiecare
regiune și se numesc:

 emitor (E),
 bază (B) și
 colector (C).

4
Tranzistorul bipolar
 Exemple

5
Tranzistorul bipolar
 Simbol
NPN PNP

 Simbolul conține o săgeată pe emitor (E), iar sensul său indică

tipul tranzistorului (pnp sau npn) precum și sensul curentului prin
tranzistor.
 Funcționează după acelaș principiu, diferă doar sensul tensiunilor
de polarizare și al curenților.

6
Tranzistorul bipolar
 Tranzistor bipolar cu conexiune emitor comun (EC)
 Modelul în tensiune

U CE  U BE  U CB

7
Regimurile de funcționare ale
tranzistoarelor bipolare
 Regimurile depind de polarizarea tranzistorului și de
joncțiunea aleasă pentru comandă.

 Prin polarizarea unui tranzistor se înţelege, modul de

conectare a surselor de alimentare la bornele
tranzistorului, astfel încât acesta să funcţioneze ca
amplificator.

 Prin polarizarea corectă a unui tranzistor se urmăreşte stabilirea

şi menţinerea valorilor corecte pentru tensiunile şi curenţii din
circuit, şi determinarea punctului static de funcţionare.

8
Regimurile de funcționare ale
tranzistoarelor bipolare
 După felul polarizării aplicate celor două joncțiuni se pot
deosebi 4 regimuri de funcționare.
 regimul activ normal:
 joncțiunea emitorului este polarizată direct, iar joncțiunea
colectorului este polarizată invers;
 utilizat în aplicațiile uzuale;
 regimul de saturație:
 ambele joncțiuni sunt polarizate direct;
 regimul de blocare:
 ambele joncțiuni sunt polarizate invers;
 regimul activ invers:
 Joncțiunea emitorului este polarizată invers, iar joncțiunea
colectorului este polarizată direct.

9
Regimurile de funcționare ale
tranzistoarelor bipolare
Joncţiunea Joncţiunea
emitor-bază, emitor-bază,
polarizată polarizată
direct invers
Joncţiunea Regimul de Regimul activ
colector-bază, saturaţie invers
polarizată direct

Joncţiunea Regimul activ Regimul de

colector-bază, normal blocare
polarizată
invers

10
Principiul de funcționare al tranzistorul
bipolar
 Relaţiile de calcul cele mai importante pentru regimul activ
normal sunt:
I C    I E  I CB 0
 α este factorul de amplificare în curent, emitor-colector, al
tranzistorului, cuprins între 0.95 și 0.999
 Aplicând un curent IB în bază, va rezulta un curent de
colector:

IC   I B  I CE 0    I B  I CE 0
1
 ß este factorul de amplificare static (valori de la 20 la 500)
 În conexiunea EC, comanda se face cu IB<IC, și are loc o
amplificare considerabilă în curent și în putere.

11
Principiul de funcționare al tranzistorul
bipolar
 Starile de funcționare a unui tranzistor in
regimul activ normal sunt:

 Tranzistor blocat

 Tranzistor în tranziție

 Tranzistor saturat.

 Comandarea tranzistorului se realizează modificând IB

12
Caracteristici statice. Parametri
 Punctul de funcționare – este determinat de tensiunea și
curentul de ieșire, corespunzătoare tensiunii sau
curentului de comandă.

 Componentele continue ale acestor semnale determină

punctul static de funcționare
 În conexiune EC, punctul de funcțioanare este dat de (i C,uCE)iB
sau (iC, uCE)uBE

 Caracteristicile statice indică dependență în regim

staționar a câte două mărimi, având pe a treia ca și
parametru.
 comportamentul tranzistorului bipolar este descris de curbele
caracteristice.

13
Caracteristici statice
 Caracteristici statice:
 De intrare;
 De ieșire;
 De transfer: IC

 Mărimi de intrare IB
 Curentul de bază
 Tensiunea UBE

 Mărimi de ieșire
 Curentul de colector
 Tensiunea UCE

14
Caracteristici statice
 Caracteristici statice:
 De intrare;
U BE  f ( I B );U CE  cst.
 De ieșire;
I C  f (U CE ); I B  cst.
 De transfer:
 De comandă

I C  f ( I B );U CE  cst.
 De reacție
U BE  f (U CE ); I B  cst.

15
Caracteristici statice ale tranzistorului
bipolar
 Caracteristici statice:
 De intrare;
 De ieșire;
 De transfer:
 De comandă

I C

I B

16
Punctul static de funcționare
 Verifică atât caracteristicile statice cât și dreapta de
sarcină
 punctul S marchează saturarea
 punctul B blocarea

 Prin blocarea tranzistorului rezultă

curenți reduși și UCE apropiată de
tensiunea de alimentare UCC

 Tranzistorul se saturează la:

U cc U CE  U CEsat  1V
I Csat 
RC
U cc  U CEsat
I B  I Bsat 
 Modificând pe IB, PSF parcurge RC 
porțiunea SB a dreptei de sarcină;
17
Punctul static de funcționare
 Valorile admisibile sunt limitate de următorii parametrii
de catalog:
 Tensiune de străpungere:
 tensiunea inversă limită, pentru tranzistorul cu E, C, respectiv B
în gol; nu se admite depășirea acestei valori.
 Puterea disipată pe tranzistor:
 nu trebuie să depășească o valoare limită
 reprezintă o hiperbolă în planul IC(UCE)
PD  U BE I E  U CB I C  U CE I C

 Curentul de colector
 limitat la o valoare peste care, chiar dacă tranzistorul nu se
distruge, performanțele sale scad considerabil.

18
Testarea tranzistorului bipolar
 NPN
 Joncțiunea bază - colector

19
Testarea tranzistorului bipolar
 NPN
 Joncțiunea bază - colector

20
Testarea tranzistorului bipolar
 NPN
 Joncțiunea bază – emitor

21
Testarea tranzistorului bipolar
 NPN
 Joncțiunea bază – emitor

22
Utilizări
 Tranzistoarele pot fi folosite în echipamentele electronice
cu componente discrete în:
 amplificatoare de semnal (în domeniul audio, video, radio),
 amplificatoare de instrumentație,
 oscilatoare,
 modulatoare și demodulatoare,
 filtre,
 surse de alimentare liniare sau în comutaţie

 în circuite integrate, tehnologia de astăzi permiţând integrarea

într-o singură capsulă a milioane de tranzistori.

23
Problemă
 Pentru schema din figura să se determine IC si VC, știind
că β=200, V1=+12V, IB = 0.02 mA. V1

IC   IB  4mA RC
1k
VC
V C  V 1  RC I C  8V V2 RB
Q1

5k VE
RE
1k
 Ce se întâmplă dacă V2=0V?
V
IB   0mA
B 0
RB
Tiristorul
 Tiristoarele fac parte din categoria dispozitivelor
semiconductoare cu mai multe joncțiuni.
 Tiristorul este utilizat în:
 industrie, la comanda şi reglarea tensiunilor şi curenţilor.
 aplicații de redresoare comandate monoalternanță, bialternanță.

 Tiristorul este cunoscut sub denumirea de SCR

(Semiconductor Controlled Rectified = dioda redresoare
comandată)

25
Tiristorul
 Constructiv, tiristorul este alcătuit din patru straturi PNPN
dopate p și n, dispuse alternativ, formând trei joncţiuni
semiconductoare pn notate cu J1, J2, J3 .
J1 J2 J3
A K
p1 n1 p2 n2

 Simbol:

26
Tiristorul
 Tiristorul prezintă 3 electrozi: Anod, Catod, Poartă sau
Grilă.

J1 J2 J3
A K
p1 n1 p2 n2

 Regiunea extremă p este anodul A, regiunea extremă n

constituie catodul C iar regiunea intermediară p reprezintă
electrodul de comandă, numit grilă G sau poartă;
 Sensul direct de conducţie a tiristorului este de la anod la catod.

27
Tiristorul
 Exemple

28
Tiristorul
 Amorsarea:
 intrarea tiristorului în conducţie se obţine „injectând” în
grilă un impuls pozitiv de curent, de amplitudine şi durată
corespunzătoare.
 Curentul de comandă al tiristorului se consideră având sens
pozitiv când intră în grilă (circulă de la grilă spre catod).
 Cu cât curentul de grilă creşte, cu atât se micşorează valoarea
tensiunii anodice la care apare comutaţia.

29
Tiristorul
 Dezamorsarea (oprirea):

 tiristorului se obţine prin reducerea curentului anodic sub

valoarea curentului de menţinere sau prin inversarea
polarităţii tensiunii aplicate între anod şi catod.
 După amorsare, grila îşi pierde rolul de electrod de comandă, în
sensul că nu poate acţiona şi pentru blocarea tiristorului, totuşi
acest rol va fi reluat dar numai după blocarea tiristorului.

30
Tiristorul
 Analiza fenomenelor fizice ce au loc la amorsarea
tiristorului prin injectarea unui curent de grilă se poate
face echivalând structura cu două tranzistoare
complementare, după cum se vede în schema
echivalentă
n1 n2 K

T2
T1
p1 p2
A G

a)
b)

31
Tiristorul ca element de comutație
 Toate dispozitivele de comutaţie inclusiv tiristorul, posedă
cele două stări extreme de funcţionare: blocare şi conducţie.
 Trecerea tiristorului din starea blocată în starea de
conducţie se realizează cu ajutorul grilei (electrod de
comandă).
 În stare blocată, tiristorul este dezamorsat şi se comportă
între anod şi catod ca un întrerupător deschis
 rezistenţă anod-catod foarte mare – până la zeci de MΩ
 curent anodic neglijabil,
 tensiune anod-catod egală cu tensiunea de alimentare.

32
Tiristorul ca element de comutație
 Toate dispozitivele de comutaţie inclusiv tiristorul,
posedă cele două stări extreme de funcţionare: blocare
şi conducţie.
 Trecerea tiristorului din starea blocată în starea de
conducţie se realizează cu ajutorul grilei (electrod de
comandă).
 În stare de conducţie, tiristorul este amorsat şi între
anod-catod se comportă ca un întrerupător închis
 rezistenţă anod-catod neglijabilă – ohmi sau zeci de ohmi,
 curent anodic egal cu curentul de sarcină,
 cădere de tensiune foarte mică 1…2 V.

33
Tiristorul ca element de comulație
 Caracteristica statică
I A  f (U AC )
 Amorsarea cu ajutorul curentului
pe grilă
 Prin injectarea unui curent pe grilă,
tiristorul va intra în conducție la
tensiuni U<UB0
 Curentul anodic este limitat de
circuitul de sarcină

34
Tiristorul ca element de comulație
 Caracteristica statică
I A  f (U AC )
 Starea de conducție
 După amorsare tensiunea AC scade
brusc
 Parametrul important în regim de
conducție este puterea disipată PT în
tiristor, care trebuie să fie mai mică
decât o putere limită

PT  U T  IT

35
Tiristorul ca element de comulație
 Caracteristica statică
I A  f (U AC )
 Blocarea tiristorului
 După amorsare, grila nu mai
influențează curentul IT .
 Blocarea se poate face prin
micșorarea curentului anodic sub o
anumită valoare ITC , numită curent
de menținere.
 Blocarea forțată se poate realiza prin
aplicarea unei tensiuni UAC = 0 pe
tiristor (comutație forțată)

36
Aplicații ale tiristorului
 Redresor comandat
monoalternanță
 Schema electrică

37
Aplicații ale tiristorului
 Redresor comandat
bialternanță
 Schema electrică

38