Capitolul 4

Tranzistorul bipolar

4.1 Preliminarii
4.2 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mare
4.3 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mic
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar.

Lucian Balut 1
 4.1 Preliminarii

4.1.1 Structură, simbol, notaţii;

4.1.2 Principiul de funcţionare;

4.1.3 Conexiunile tranzistorului;

Lucian Balut 2
 4.1 Preliminarii
4.1.1 Structură, simbol, notaţii
Definitie: În mod uzual, tranzistorul bipolar este definit ca fiind o
structură de tip “npn”sau “pnp” care respectă două condiţii:
- baza foarte îngustă;
- emitorul puternic dopat.
Joncţiunea Joncţiunea Joncţiunea Joncţiunea
emitorului colectorului emitorului colectorului
E n++ p n C E p++ n p C

B B

tranzistor npn tranzistor pnp

Lucian Balut 3
 4.1 Preliminarii
4.1.1 Structură, simbol, notaţii
C iC C
iB iC
vCB iB vBC
vCE vEC
B B
vBE vEB
E iE E iE

E emitor; are rolul de a “emite” (genera) purtători;

C colector; are rolul de “colecta” purtătorii emişi de emitor;
B are rolul de a controla fluxul de purtători dintre emitor şi colector

iC curent de colector; vCE tensiune colector-emitor;

iE curent de emitor; vCB tensiune colector-bază;
iB curent de bază; vBE tensiune bază-emitor;

Lucian Balut 4
 4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcţionare
Observatie: După cum s-a amintit deja, tranzitorul bipolar are în
structură două joncţiuni:

joncţiunea bazǎ– emitor (sau joncţiunea

emitorului) şi
joncţiunea bazǎ –colector (sau joncţiunea
colectorului).

Funcţionarea tranzistorului depinde în mod evident de

starea acestor joncţiuni. Din acest punct de vedere pot
exista patru situaţii dupǎ cum urmeazǎ:

Lucian Balut 5
 4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcţionare

Jonctiune baza-emitor
Conductie Blocata

Con- Regim saturat Regim activ

Jonctiune ductie inversat
Baza
Colector
Blocata Regim activ normal Regim blocat

Lucian Balut 6
 4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcţionare
1. Ambele joncţiuni sunt blocate. Tranzistorul se comportǎ ca un
circuit întrerupt. Curenţii prin tranzistor au valori neglijabile ceea
ce matematic înseamnă

iC  0
Model matematic
iB  0

Explicaţia constǎ în faptul cǎ fiecare joncţiune în parte se

comportǎ ca un circuit întrerupt. Despre tranzistor se spune cǎ
lucreazǎ în regim de blocare

Lucian Balut 7
 4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcţionare
2. Ambele joncţiuni sunt în conducţie. Tranzistorul se comportǎ
ca un scurcircuit. Tensiunile pe joncţiunile tranzistorului sunt
foarte mici ceea ce matematic înseamnă:

v BC  0
Model matematic
v BE  0

Explicaţia constǎ în faptul cǎ fiecare joncţiune în parte se

comportǎ ca un scurtcircuit. Despre tranzistor se spune cǎ
lucreazǎ în regim saturat.

Lucian Balut 8
 4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcţionare
3. Joncţiunea emitorului este în polarizata direct (conducţie) iar
joncţiunea colectorului este polarizată invers (blocata). În
această situaţie apare efectul de tranzistor (printr-o joncţiune
polarizată invers trece un curent de valoare relativ mare).
emitter collector emitter collector
junction junction junction junction
p++ n p p++ n p
emitter collector
emitter collector

base base
emitter collector
junction junction

emitter
p++ n p

collector
iC   i E
α este un factor de transport cu
valori cuprins se intre 0.9 şi 0.99
base

Lucian Balut 9
 4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcţionare
3. Joncţiunea emitorului este în polarizata direct (conducţie) iar
joncţiunea colectorului este polarizată invers (blocata). – cont.

iC   i E
i E  iC  i B iC   i B


1
iC   i B Tranzistorul se comportǎ
Model matematic între colector şi emitor ca
v BE  V un generator de curent
comandat

Despre tranzistor se spune cǎ lucreazǎ în regim activ normal..

Lucian Balut 10
 4.1 Preliminarii
4.1.2 Principiul de funcţionare
4. Joncţiunea colectorului este în conducţie, iar joncţiunea
emitorului este blocatǎ.

În practică această stare nu este utilizată. Despre tranzistor se

spune cǎ lucreazǎ în regim activ inversat

Lucian Balut 11
 4.1 Preliminarii
4.1.3 Conexiunile tranzistorului
a.) Conexiunea emitor comun.
iC

iB
vCE Iesire
Intrare vBE

Semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt:

tensiunea vBE – tensiunea bazǎ emitor, şi
curentul iB – curentul de bazǎ
Semnalele de ieşire (sau comandate)
tensiunea vCE – tensiunea colector emitor, şi
curentul iC – curentul de colector

Lucian Balut 12
 4.1 Preliminarii
4.1.3 Conexiunile tranzistorului
b.) Conexiunea colector comun
iE

iB
vEC Iesire
Intrare vBC

Semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt:

tensiunea vBC – tensiunea bazǎ colector, şi
curentul iB – curentul de bazǎ
Semnalele de ieşire (sau comandate)
tensiunea vEC – tensiunea emitor colector, şi
curentul iE – curentul de emitor

Lucian Balut 13
 4.1 Preliminarii
4.1.3 Conexiunile tranzistorului
c.) Conexiunea bazǎ comuna
iE iC

Intrare vEB vCB Iesire

Semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt:

tensiunea vEB – tensiunea emitor bazǎ, şi
curentul iE – curentul de emitor
Semnalele de ieşire (sau comandate)
tensiunea vCB – tensiunea colector bazǎ, şi
curentul iC – curentul de colector.

Lucian Balut 14
 4.2 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mare
Observatie În regim cvasistatic de semnal mare tranzistorul bipolar
este integral descris de douǎ şi numai douǎ ecuaţii,
numite ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt,
caracteristici statice
iC  iC  vCE , i B 
i B  i B  v BE , vCE 
Prezentul subcapitol işi propune sǎ prezinte forme explicite
pentru expresiile de mai sus, iar pe baza lor sǎ dezvolte
modele aproximative pentru tranzistoarele bipolare.

Lucian Balut 15
4.2 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mare

4.2.1 Caracteristici statice;

4.2.2 Modele de semnal mare pentru TB

4.2.3 Abateri de la teoria ideală

4.2.4 Limitări în funcţionare.

Lucian Balut 16
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.1 Caracteristici statice
iC  iC  vCE , i B 
iC  iC  vCE  iB  const .
caracteristica de ieşire,

iC  i C  i B  vCE  const . iC   i B

i B  i B  v BE , vCE 

i B  i B  v BE  vCE  const . caracteristica de intrare

i B  i B  vCE  v BE  const . nu se foloseşte întrucât iB practic

nu depinde de vCE

Lucian Balut 17
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.1 Caracteristici statice (cont.)
a.) caracteristica de ieşire iC  iC  vCE  iB  const .

iC

vCB=0 Regiunea activă normală iB4

Regiunea de iB3
saturatie
iB2
Regiunea de
blocare iB1

vCE

Lucian Balut 18
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.1 Caracteristici statice (cont.)
b.) caracteristica de intrare i B  i B  v BE  vCE  const .

iB
vCE1
1. este vorba de
vCE2>vCE1
caracteristica unei diode,
2. practic iC nu depunde de
vCE

Vγ vBE

Lucian Balut 19
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
a.) Modele aproximative pentru regimul de blocare.
Ecuaţiile de dispozitiv
iB=0
iC=0
C
B C

B vBE vCE

E
E

Lucian Balut 20
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
b.) Modele aproximative pentru regimul de saturatie.
Ecuaţiile de dispozitiv
vBE≈0
vCE≈0
C
iB iC
B C

B
E
E

Lucian Balut 21
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal.
Model de ordin zero
v BE  V
Model matematic
i C i E
Model de ordin unu
iC   i B
Model matematic v BE  V
C
iB
B C
vBE F iB
B
E
E
Lucian Balut 22
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal (cont).
Model de ordin doi  v BE 
iC  I S exp 
 eT 
Model matematic IS  v BE 
iB  exp 
F  eT 

C iB
B C
IS/F  v BE 
B i C  IS exp 
 eT 
E
E

Lucian Balut 23
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB
c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal (cont).
Model de ordin doi (varianta)
i C  i B
Model matematic IS  v BE 
iB  exp 
F  eT 

C iB
B C
IS / F  F iB
B
E
E
Lucian Balut 24
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB - aplicatii
Model de ordin unu

EC
I1 I
R B1 RC R B1 RC
I=I1+IB
B C
EC I1=I2+IB
IB VBE
 IB VCE IB+IB=IE
I2 EC=IBRC+VCE+IERE
R B2 RE E -VBE=-VCE-IBRC+I1RB1
R B2 RE
VBE=I2RB2-IERE
IE

Lucian Balut 25
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB - aplicatii
Model de ordin zero

E C 25V

R B1 RC
15k 1k
10 V
24 V

9.3V
R B2 RE
10k 9.3k

1 mA

Lucian Balut 26
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB - aplicatii
+E C +12V

R1 R2 R5 R6
12 K 12 K 4K 4K
T7
Ui-
T1 T2 T5 T6
R7
Ui+ 6.7 K
T8
R 12 4.17K R 13 9.85 K
T3 T9
UO
T4 T10

R3 R4 R 11 R 10 R9 R8
3K 1.5 K 8.67K 1.5 K 1.5 K 6K
-E E -12V

Lucian Balut 27
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.2 Modele aproximative pentru TB - aplicatii
Nodul Potentialul Potentialul Nodul Potentialul Potentialul
manual (V) automat (V) manual (V) automat (V)
UI- 0 0 VET5 5,35 5,336
UI+ 0 0 VCT10 -9,85 -9,856
VCT1 6 5,994 VET10 -10,50 -10,51
VCT2 6 5,994 VET9 -10,50 -10,51
VET1 -0,65 -0,64 VCT9 0,65 0,638
VET1 -9 -8.997 VCT7 7,35 7,343
VCT4 -5,35 -5,339 Uo 0 -0,038
VET4 -9 -9,015 EC 12 12
VCT5 8 8,041 EE -12 -12
VCT6 8 8,001

Lucian Balut 28
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.3 Abateri de la teoria ideală

Comentariu Analiza prezentată până în acest moment a

considerat tranzistorul bipolar un dispozitiv ideal.
Din punct de vedere formal, au fost omise două
categorii de factori care pot influenţa comportarea
tranzistorului:

-fenomenul de străpungere al joncţiunilor;

-efectele temperaturii.

Lucian Balut 29
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.3 Abateri de la teoria ideală
a.) Străpungerea tranzistorului bipolar

Există in principiu trei probleme ce vor fi prezentate:

- străpungerea normală (primară),
- străpungerea secundară şi
- ambalarea termică.
I. Străpungerea normală (primară),
iC IB=-0.02mA

IB=-0.01mA

IB=0.04mA

IB=0.02mA
IB=0
IB=0.01mA vCE
VS = a prox.30 V
Lucian Balut 30
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.3 Abateri de la teoria ideală
a.) Străpungerea tranzistorului bipolar
II. Străpungerea secundara
iC
Străpungere
secundară

Străpungere
IB=0 primară

vCE

III. Ambalarea termică

Ta  Tj  iC Ta - temperatura ambiantă

Tj - temperatura joncţiunii

Lucian Balut 31
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.3 Abateri de la teoria ideală

b.) Variaţia cu temperatura Parametrii în discuţie sunt cei ce apar în

schemele echivalente prezentate. Pentru regiunea activă normală
este mai variatia lui vBE., Referitor la vBE - fiind tensiunea unei joncţiuni
polarizată direct - respectă legea de variaţie amintită si anume,
valoarea coeficientului cVF este cuprinsă între 2-2.5mV/oC.

Lucian Balut 32
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.4 Limitări în funcţionare

În cazul joncţiunii pn s-a arătat că există în principiu trei tipuri

de limitări de care trebuie să ţină cont un proiectant:

- limitare la tensiune inversă maximă necesară pentru

evitarea fenomenului de străpungere;
- limitare la curent direct maxim necesară pentru
evitarea efectelor termice distructive.
- limitarea functie de puterea maxim disipata

Lucian Balut 33
 4.2 Regim cvasistatic de semnal mare
4.2.4 Limitări în funcţionare
iC arie de siguranţă
PDmax
I Cmax

regiune de
blocare
regiune de
saturaţie
vCE
VCES

tensiune maximă colector - emitor; depăşirea acestei valori duce la

apariţia fenomenului de multiplicare în avalanşă la nivelul joncţiunii de
colector;
curent maxim de colector; depăsirea acestei valori duce la distrugerea
termică a structurii;
putere disipată maximă; această valoare trebuie să fie mai mică decât
limita impusă de catalog; depăsirea acestei valori duce la distrugerea
structurii tot prin efect termic Lucian Balut 34
4.3 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mic
 v BE 
iC  I S exp  ic  g m vbe
 eT  Liniarizare Taylor
IS  v BE  vbe
iB  exp  ib 
F  eT  r
diC IC
gm   gm[mS]=40IC[mA]
dv BE eT
1 1 
r   
di B diC di B gm
du BE du BE diC

Lucian Balut 35
4.3 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mic
Model matematic Model matematic

ic  g m vbe i c  i b
vbe vbe
ib  ib 
r r
Schema echivalenta Schema echivalenta
ib ic B
ib ic
C
B C
vbe r g mvbe r βib

E E

  g m r
Lucian Balut 36
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar

1. Punct static de funcţionare

2. Circuit elementar de polarizare

Lucian Balut 37
 4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.1 Punct static de funcţionare
Definitia 1: Termenul de polarizare desemnează procedeul de
aplicarea a tensiunilor de curent continuu pe dispozitiv,
în vederea funcţionării corespunzătoare a lui.

Definitia 2: Totalitatea tensiunilor şi curenţilor de curent continu

“formează” punctul static de funcţionare (PSF)

Comentariu Pentru un tranzistor bipolar PSF cuprinde: VBE, VCE, VCB, IC,
IB şi IE

Observaţia 1. Pentru specificarea PSF sunt necesare numai două din

cele şase mărimi menţionate.
Observaţia 2. În calculul PSF este suficient să fie determinată o
singură mărime. Uzual aceasta este IC.

Lucian Balut 38
 4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.1 Punct static de funcţionare
Problema Stabilizarea PSF funcţie de efectele temperaturii şi
dispersia parametrilor.
Observatia 3 Pentru a considera stabilizat PSF funcţie de variaţiile de
temperatură şi dispersia parametrilor este suficient să
se asigure stabilizarea IC

Criterii de alegere a PSF

1. Menţinerea unei funcţionări liniare.

2. Controlul parametrilor de semnal mic.
3. Controlul disipaţiei puterii.

Lucian Balut 39
 4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.2 Circuit elementar de polarizare
a.) schema EC

b.) rol elemente, notaţii folosite RB RC

RB rezistenţă pentru polarizarea bazei.
RC rezistenţă de sarcină.; are importanţă
în analiza de curent alternativ
c.) analiza de semnal mar

I
I=IB+IB RB RC
EC=IB RC+VCE B C
VBE=-IBRB+IBRC+VCE IB VBE
EC
IB VCE
E C  VBE
IC  I B  
RB E

Lucian Balut 40
 4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.3 Circuit practic de polarizare
EC
a.) schema
R B1 RC
b.) rol elemente, notaţii folosite

RB1, RB2 divizor de polarizare; asigură

R B2 RE
în bază potenţialul necesar
PSF
RC rezistenţă de sarcină
RE asigură stabilizarea termică a
etajului;

T  IC  VRE   VE   VBE 

 IC 

Lucian Balut 41
 4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.3 Circuit practic de polarizare
c.) analiza de curent continuu

EC
I1 I
R B1 RC R B1 RC
B C
IB VBE EC
IB VCE
I2
R B2 RE E
R B2 RE
IE

Lucian Balut 42
 4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.3 Circuit practic de polarizare
c.) analiza de curent continuu (cont.)

I=I1+IB I1 I
R B1 RC
I1=I2+IB B C
IB+IB=IE IB VBE EC

EC=IBRC+VCE+IERE IB VCE

I2
-VBE=-VCE-IBRC+I1RB1 E
R B2 RE
VBE=I2RB2-IERE
IE

Sistemul conţine şase necunoscute deci problema este rezolvată. IC

se calculează prin înmulţirea cu  a lui IB. Acest tip de abordare nu se
întâlneşte în literatura de specialitate. Motivaţia stă în numărul mare
de ecuaţii care oricum conţin necunoscute neinteresante din punctul
de vedere al PSF.
Lucian Balut 43
 4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.3 Circuit practic de polarizare
c.) analiza de curent continuu (cont.)

EC EC
I
R B1 RC RC RC
B C
IB VBE EC
EB  IB VCE
EB
R B2 RE RB RE
E
RB RE
IE

Echivalare Thevenin

Lucian Balut 44
 4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar
4.4.3 Circuit practic de polarizare
c.) analiza de curent continuu (cont.)

I
RC
IE=IB+IB B C
EC
EC=IBIC+VCE+IE IB VBE
EB IB VCE
EB-VBE=REIE+RBIB
E
R B2 RB RE
EB  EC
R B1  R B2 IE

R B1 R B2
RB 
R B1  R B2

  EB  VBE 
IC 
RB     1 RE

Lucian Balut 45