Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
a) b) c) d) 2.
Figura 1 tranzistor bipolar tip pnp; tranzistor bipolar tip npn; tranzistor cu efect de cmp cu canal n; tranzistor cu efect de cmp cu canal p;
a) b) c) d) 3.
Figura 2 tranzistor bipolar tip pnp; tranzistor bipolar tip npn; tranzistor cu efect de cmp cu canal n; tranzistor cu efect de cmp cu canal p;
Un tranzistor bipolar care lucreaz n regiunea activ normal are a) ambele !onc"iuni polarizate direct; b) ambele !onc"iuni polarizate invers; c) !onc"inea baz#emitor polarizat direct $i !onc"inea baz#colector polarizat invers; d) !onc"inea baz#emitor polarizat invers $i !onc"inea baz#colector polarizat direct. Un tranzistor bipolar care lucreaz n regiunea de satura"ie are a) ambele !onc"iuni polarizate direct; b) ambele !onc"iuni polarizate invers; c) !onc"inea baz#emitor polarizat direct $i !onc"inea baz#colector polarizat invers; d) !onc"inea baz#emitor polarizat invers $i !onc"inea baz#colector polarizat direct. Un tranzistor bipolar care lucreaz n regiunea de blocare are a) ambele !onc"iuni polarizate direct; b) ambele !onc"iuni polarizate invers; c) !onc"inea baz#emitor polarizat direct $i !onc"inea
%.
&.
baz#colector polarizat invers; d) !onc"inea baz#emitor polarizat invers $i !onc"inea baz#colector polarizat direct. '. (cua"iile de mai !os reprezint modelul matematic al unui tranzistor bipolar care lucreaz iC=iC(vBE, vCE) iB=iB(vBE, vCE) a) n regim dinamic de semnal mare; b) n regim cvasistatic de semnal mare; c) n regim dinamic de semnal mic; d) n regim cvasistatic de semnal mic. (cua"iile de mai !os reprezint modelul matematic al unui tranzistor bipolar care lucreaz ic = g11v be + g12 v ce ib = g21v be + g22 v ce a) n regim dinamic de semnal mare; b) n regim cvasistatic de semnal mare; c) n regim dinamic de semnal mic; d) n regim cvasistatic de semnal mic. (cua"iile de mai !os reprezint modelul matematic al unui tranzistor bipolar care lucreaz dv dv ic = g11v be + g12 v ce + +11 be + +12 ce dt dt dv dv ib = g21v be + g22 v ce + + 21 be + + 22 ce dt dt a) n regim dinamic de semnal mare; b) n regim cvasistatic de semnal mare; c) n regim dinamic de semnal mic; d) n regim cvasistatic de semnal mic. -n cone.iunea emitor comun a) semnalul de intrare se aplic ntre baz $i emitor semnalul de ie$ire se culege ntre colector $i emitor; b) semnalul de intrare se aplic ntre emitor $i baz semnalul de ie$ire se culege ntre colector si baza; c) semnalul de intrare se aplic ntre baz $i colector semnalul de ie$ire se culege ntre emitor $i colector; d) semnalul de intrare se aplic ntre baz $i colector semnalul de ie$ire se culege ntre colector $i mas.
).
*.
,.
1/.
-n cone.iunea colector comun a) semnalul de intrare se aplic ntre baz $i emitor semnalul de ie$ire se culege ntre colector $i emitor; b) semnalul de intrare se aplic ntre emitor $i baz semnalul de ie$ire se culege ntre colector si baza; c) semnalul de intrare se aplic ntre baz $i colector semnalul de ie$ire se culege ntre emitor $i colector; d) semnalul de intrare se aplic ntre baz $i colector semnalul de ie$ire se culege ntre colector $i mas. -n cone.iunea baz comun a) semnalul de intrare se aplic ntre baz $i emitor semnalul de ie$ire se culege ntre colector $i emitor; b) semnalul de intrare se aplic ntre emitor $i baz semnalul de ie$ire se culege ntre colector si baza; c) semnalul de intrare se aplic ntre baz $i colector semnalul de ie$ire se culege ntre emitor $i colector; d) semnalul de intrare se aplic ntre baz $i colector semnalul de ie$ire se culege ntre colector $i mas.
11.
12.
0a tranzistorul bipolar care lucreaz n regim activ normal1 rela"ia dintre curentul de colector $i curentul de baz poate fi suficient de bine apro.imat prin a) i B = iC
i B > iC c) iC > i B d) iC = i B
b) 13. 0a trazistorulul bipolar care lucreaz n regim saturat1 rela"ia dintre curentul de colector $i curentul de baz poate fi suficient de bine apro.imat prin a) i B = iC
i B > iC c) iC < i B d) iC = i B
b) 1%. 0a trazistorul bipolar care lucreaz n regim activ normal1 rela"ia dintre curentul de colector $i curentul de emitor poate fi suficient de bine apro.imat prin a) i E = iC
b) c)
iC i E
d) iC iC
1&. +are sunt condi"iile corecte de polarizare pentru un tranzistor npn folosit ca simplu amplificator2 a) baza negativ3 fa"3 de emitor1 colectorul negativ fa"3 baz3; b) baza pozitiv3 fa"3 de emitor1 colectorul pozitiv fa"3 baz3; c) baza negativ3 fa"3 de emitor1 colectorul pozitiv fa"3 baz3; d) baza pozitiv3 fa"3 de emitor1 colectorul negativ fa"3 baz3. -n regim de blocare a) tranzistorul bipolar se comport3 ca un circuit ntrerupt b) tranzistorul bipolar se comport3 ca un scurt circuit c) ca un generator de curent comandat d) ca o rezisten" comandat -n regim saturat a) tranzistorul bipolar se comport3 ca un circuit ntrerupt b) tranzistorul bipolar se comport3 ca un scurt circuit c) ca un generator de curent comandat d) ca o rezisten" comandat -n regim activ normal a) tranzistorul bipolar se comport3 ca un circuit ntrerupt b) tranzistorul bipolar se comport3 ca un scurt circuit c) ca un generator de curent comandat d) ca o rezisten" comandat Figura 3 prezint3 caracteristica static3 de ie$ire a unui tranzistor bipolar.
iE
iC
de de de de
1'.
1).
1*.
1,.
i+
Figura 3 5egiunea activ3 normal3 este notat3 cu a) 1; b) 2; c) 3; d) nu este prezentat3. 2/. Figura 3 prezint3 caracteristica static3 de ie$ire a unui tranzistor bipolar. 5egiunea de satura"ie este notat3 cu a) 1; b) 2; c) 3; d) nu este prezentat3. Figura 3 prezint3 caracteristica static3 de ie$ire a unui tranzistor bipolar. 5egiunea de blocare este notat3 cu a) 1; b) 2; c) 3; d) nu este prezentat3. -n figura % este prezentat caracteristica de intrare a unui tranzistor bipolar
i4 v+(1 v+(26v+(1
21.
22.
v4(
Figura % -ntre curentul de baz si tensiunea baz emitor e.ist o rela"ie a) liniar;
b) de tip 372; c) ptratic; d) e.ponen"ial. 23. Figura & prezint modelul unui tranzistor bipolar npn care lucreaz
B uBE E uCE C
Figura & a) n regim cvasistatic de semnal mare in normal b) n regim cvasistatic de semnal mare satura"ie c) n regim cvasistatic de semnal mare blocare d) n regim cvasistatic de semnal mare in normal inversat 2%.
Figura ' prezint modelul unui tranzistor bipolar npn care lucreaz
B uBEsat E C uCEsat
Figura ' a) n regim cvasistatic de semnal mare in normal b) n regim cvasistatic de semnal mare satura"ie c) n regim cvasistatic de semnal mare blocare d) n regim cvasistatic de semnal mare in normal inversat 2&.
iB
iC
vBE
Fi4
iE E
Figura ) a) in regim cvasistatic de semnal mare in normal b) in regim cvasistatic de semnal mare satura"ie c) in regim cvasistatic de semnal mare blocare d) in regim cvasistatic de semnal mare in normal inversat 2'.
8odelul matematic apro.imativ al unui unui tranzistor bipolar npn care lucreaz n satura"ie este i4 / a) i + / . $i b) v 4(9:4(sat $i v +(9:+(sat c) v 4(9const. $i i+9i( d) v 4(9:4(sat $i v +(9 const 8odelul matematic apro.imativ al unui unui tranzistor bipolar npn care lucreaz n regim activ normal este i4 / a) i + / . $i b) v 4(9:4(sat $i v +(9:+(sat c) v 4(9const. $i i+i( d) v 4(9:4(sat $i v +(9 const 8odelul matematic apro.imativ al unui unui tranzistor bipolar npn care lucreaz n regim de blocare este i4 / a) i + / . $i b) v 4(9:4(sat $i v +(9:+(sat c) v 4(9const. $i i+9i( d) v 4(9:4(sat $i v +(9 const 8odelul matematic apro.imativ al unui unui tranzistor bipolar npn care lucreaz n regim activ normal este i4 / a) i + / . $i
2).
2*.
2,.
$i $i $i
8odelul matematic apro.imativ al unui unui tranzistor bipolar npn care lucreaz n regim activ normal este i4 / a) i + / . $i b) v 4(9:4(sat $i v +(9:+(sat v 4( v 4( = i4 = < e.p c) i + = = < e.p $i : : . F ; ; d) v 4(9:4(sat $i v +(9 const Figura * prezint una dintre sc>emele ec>ivalente ale unui tranzistor bipolar npn
B iB
=< F
31.
iC
vBE
v 4( =< e.p : ;
iE E
a) b) c) d) 32.
Figura * comandat in curent care lucreaz n regim de semnal mare; comandat in tensiune care lucreaz n regim de semnal mare; comandat in curent care lucreaz n regim de semnal mic; comandat in tensiune care lucreaz n regim de semnal mic.
Figura de mai !os reprezint una dintre sc>emele ec>ivalente ale unui tranzistor bipolar npn
B iB
=< F
iC
F i4
vBE
iE E
Figura , a) comandat in curent care lucreaz n regim de semnal mare; b) comandat in tensiune care lucreaz n regim de semnal mare; c) comandat in curent care lucreaz n regim de semnal mic; d) comandat in tensiune care lucreaz n regim de semnal mic. 33.
+um variaza v 4( cu cre$terea temperaturii ?n domeniul normal de varia"ie al temperaturii ambiante)2 a) apro.imativ # 2/ m:7 o+; b) apro.imativ # 2 m:7 o+; c) apro.imativ # 2// :7o+; d) apro.imativ @ 2/ :7o+. Figura 1/ prezint una dintre sc>emele ec>ivalente ale unui tranzistor bipolar npn
4 Ube ( =b r =c + gmUbe
3%.
Figura 1/ a) comandat in curent care lucreaz n regim de semnal mare; b) comandat in tensiune care lucreaz n regim de semnal mare; c) comandat in curent care lucreaz n regim de semnal mic; d) comandat in tensiune care lucreaz n regim de semnal mic. 3&.
Figura 11 prezint una dintre sc>emele ec>ivalente ale unui tranzistor bipolar npn
4 Ube ( =b r =c A=b +
Figura 11 a) comandat in curent care lucreaz n regim cvasistatic de semnal mare; b) comandat in tensiune care lucreaz n regim cvasistatic de semnal mare;
c) comandat in curent care lucreaz n regim cvasistatic de semnal mic; d) comandat in tensiune care lucreaz n regim cvasistatic de semnal mic. 3'. This problem treats the problem of the operating modes. For t>e circuit presented in figure 121 determine t>e operating mode for t>e transistor. Bssume t>at t>e resistor >as usual values.
EC R T
a) b) c) d) 3).
Figure 12 cut#off region saturation region active region reverse active region
This problem treats the problem of the operating modes. For t>e circuit presented in figure 131 determine t>e operating mode for t>e transistor. Bssume t>at t>e resistors >ave usual values.
EC R
R T
a)
a) b) c) d)
Figure 13 cut#off region saturation region active region reverse active region
3*.
This problem treats the problem of the operating modes. For t>e circuit presented in figure 1%1 determine t>e operating mode for t>e transistor. Bssume t>at t>e resistor >as usual values
EC R T
a)
a) b) c) d)
Figure 1% cut#off region saturation region active region reverse active region
3,.
This problem treats the problem of the operating modes. For t>e circuit presented in figure 1&1 determine t>e operating mode for t>e transistors. Bssume t>at t>e resistors >ave usual values.
EC T1 R T2 RL
a)
a) b) c) d)
Figure 1& cut#off region saturation region active region reverse active region
%/.
This problem treats the problem of the operating modes. For t>e circuit presented in figure 1'1 determine t>e operating mode for t>e transistors. Bssume t>at t>e resistors >ave usual values.
E C1 E C2 RL
T1 R E1
T2 R E2
d) reverse active region %1. This problem treats the problem of quiescent point. For t>e circuit presented in figure1)1 determine t>e Cuiescent point ?= + and :+(). Bssume t>at = 2// and :4(9/.): for t>e transistor. Dne considers t>at t>e current is measured in mB1 t>e voltage in : and t>e resistance in E .
EC (25V) RL (1K) T RB (470K)
a)
a) b) c) d)
%2.
This problem treats the problem of quiescent point. For t>e circuit presented in t>e figure 1*1 determine t>e Cuiescent point ?=+ and :+(). Bssume t>at = 2// and :4(9/.): for t>e transistor. Dne considers t>at t>e current is measured in mB1 t>e voltage in : and t>e resistance in E .
EC (25V) RL (1K) T RE (9.3K) RB (470K)
a)
a) b) c) d)
mB mB mB mB
%3.
This problem treats the problem of quiescent point. For t>e circuit presented in figure 1,1 determine t>e Cuiescent point ?= + and :+(). Bssume t>at = 2// and :4(9/.): for t>e
transistor. Dne considers t>at t>e current is measured in mB1 t>e voltage in : and t>e resistance in E .
RB (470K) EC (25V) RL (1K)
T RE (9.3K)
a)
a) b) c) d)
: : : :
%%.
This problem treats the problem of quiescent point. For t>e circuit presented in figure 2/1 determine t>e Cuiescent point ?= + and :+(). Bssume t>at = 2// and :4(9/.): for t>e transistor. Dne considers t>at t>e current is measured in mB1 t>e voltage in : and t>e resistance in E .
EC (25V) RL (1K) T R B2 (10K) RE (9.3K)
R B1 (15K)
a)
a) b) c) d)
mB mB mB mB
%&.
This problem treats the problem of quiescent point. For t>e circuit presented in figure 211 determine t>e Cuiescent point ?= + and :+(). Bssume t>at = 2// and :4(9/.): for t>e transistor. Dne considers t>at t>e current is measured in mB1 t>e voltage in : and t>e resistance in E .
RB1 (470K)
EC (25V) RL (1K)
a)
a) b) c) d)
%'.
This problem treats the problem of quiescent point. For t>e circuit presented in figure 221 determine t>e Cuiescent point ?= + and :+(). Bssume t>at = 2// and :4(9/.): for t>e transistors. Dne considers t>at t>e current is measured in mB1 t>e voltage in : and t>e resistance in E .
R C1 (11.3)K ) T1 R E1 (3K) EE (-15V) EC (+ 15V) RL (1K) T2 R E2 (1.5K)
mB mB mB mB mB mB mB mB
Figure 22 and :+(1913 : and :+(2913 : and :+(191& : and :+(292' : and :+(19/.) : and :+(292' : and :+(19/.) : and :+(292/ :
2. 3. %. &. '. ). *. ,. 1/. 11. 12. 13. 1%. 1&. 1'. 1). 1*. 1,. 2/. 21. 22. 23.
5spuns corect a.) 5spuns corect c.) 5spuns corect a.) 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect b.) b.) d.) c.) a.) c.) b.) a.) c.) b.) b.) a.) b.) c.) b.) a.) c.) d.) c.)
2&. 2'. 2). 2*. 2,. 3/. 31. 32. 33. 3%. 3&. 3'. 3). 3*. 3,. %/. %1. %2. %3. %%. %&. %'.
5spuns corect a.) 5spuns corect b.) 5spuns corect c.) 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect 5spuns corect a.) c.) c.) b.) a.) b.) d.) c.) c.) b.) a.) c.) c.) d.) b.) d.) c.) b.) d.)