EA Unitatea 4

Tranzitorul bipolar
Unitatea de învăţare nr. 4
TRANZISTORUL BIPOLAR - regim cvasistatic de semnal mare
Cuprins Pagina
Obiectivele unităţii de învăţare nr. 4 81

4.1 Preliminarii 83
4.1.1 Structură simbol notații 84
4.1.2 Principiul de funcţionare 85
4.1.3 Conexiunile tranzistorului 86
4.2 Comportarea tranzistorului bipolar în regim cvasistatic de semnal mare 87
4.2.1 Caracteristici statice 87
4.2.2 Modele aproximative pentru TB 88
4.2.3 Abateri de la teoria ideală 89
4.2.4 Limitări în funcţionare 91
De reținut 96
Test de autoevaluare 98
Lucrare de verificare – unitatea de învăţare nr. 4 114
Răspunsuri şi comentarii la întrebările din testele de autoevaluare 117
Recapitulare 117
Concluzii 134
Bibliografie – unitatea de învăţare nr. 4 137
Instructiuni si timp mediu necesar de studiu: studentul va parcurge materialul pus la

dispozitie, va reprezenta si in mod individual elementele grafice prezentate si nu se va limita
la o simpla vizionare. Studiul individual aferent unitatii este acoperit in 3-4h.
81
Electronică analogică și digitală I – curs și aplicații
Tranzitorul bipolar
82
Tranzitorul bipolar
OBIECTIVELE unităţii de învăţare nr. 4
Principalele obiective ale Unităţii de învăţare nr. 4 sunt:

• Familiarizarea cu efectul de tranzistor
• Sublinierea aspectelor practice legate de funcționare în
regim cvasistatic de semnal mare respectiv regim
cvasistatic de semnal mic
• Recunoaşterea modelelor de utilizate în regim
cvasistatic de semnal mare respectiv regim cvasistatic
de semnal mic
• Aplicarea cu succes a unor elemente simple de calcul
Capitolul 2, -capitol dedicat diodei cu joncţiuni - a făcut o analiză a aşa numitului efect de diodă
caracterizat prin faptul că printr-o diodă curentul circulă într-un singur sens: de la anod spre catod.
Considerându-se neglijabilă ca valoare tensiunea de deschidere a diodei, analiza fenomenului a permis
formularea a douǎ concluzii:
1. printr-o joncţiune polarizată direct trece curent electric;
2. printr-o joncţiune polarizată invers nu trece curent electric.
Prezentul capitol vine să contrazică cea de a doua concluzie şi să arate că există situaţii în care printr-
o joncţiune polarizată invers poate să treacă un curent de valori apreciabile. Acesta situaţie aparent
neobişnuită va fi numită efect de tranzistor. Se va arăta că acest efect apare în anumite condiţii în
structuri de tip npn sau pnp, structuri cunoscute în literatura de specialitate sub numele de tranzistoare
bipolare (TB).
Fenomenul a fost descoperit de Schockley, Brattain şi Bardeen pe data de 16 Decembrie 1947. Anunţul
public a fost făcut în Iunie 1948, acesta fiind considerat momentul care certifică naşterea tranzistorului
bipolar (TB). Capitolul este dedicat analizei acestui dispozitiv electronic. Structura capitolului este:
▪ Subcapitolul unu este dedicat noţiunilor generale;
▪ Subcapitolul doi prezintă comportarea TB în regim cvasistatic de semnal mare. Sunt prezentate
principalele caracteristici statice precum şi modele uzuale;
▪ Subcapitolul trei prezintă comportarea TB în regim cvasistatic de semnal mic. Sunt prezentate
modelele matematice precum şi modelele electrice;
▪ Subcapitolul patru este dedicat problemelor speciale legate de polarizarea TB.
4.1 Preliminarii
Acest subcapitol se ocupă de:

1. Structură, simbol, notaţii;
2. Principiul de funcţionare;
3. Conexiunile tranzistorului;
83
Tranzitorul bipolar
4.1.1 Structură, simbol, notaţii

În mod uzual, tranzistorul bipolar este definit ca fiind o structură de tip “npn”sau “pnp” care respectă
două condiţii:
▪ baza foarte îngustă;
▪ emitorul puternic dopat.
După cum se poate observa, structura conţine două joncţiuni (figura 4.1 sau figura 4.2) şi ar părea
norma ca să aibă comportamentul unei entităţi care înglobeazǎ douǎ diode. În fapt, cele două joncţiuni
sunt cuplate electric (datorită bazei extrem de înguste) şi ca atare, în structură apare efectul de
tranzistor, efect despre care se discuta pe larg în acest capitol.
După cum a fost deja amintit, există două tipuri de tranzistoare bipolare:
Figura 4.1 Figura 4.2
▪ tranzistoare npn (figura 4.1)

▪ tranzistoare pnp (figura 4.2)
unde:
E emitor; are rolul de a “emite” (genera) purtători;
C colector; are rolul de “colecta” purtătorii emişi de emitor;
B are rolul de a controla fluxul de purtători dintre emitor şi colector

Simbolurile acestor tranzistoare sunt prezentate în figura 4.3 (tranzistor npn) respectiv figura 4.4
(tranzistor pnp).
C iC C iC
iB vCB iB vBC
vCE vEC
B B
vBE vEB
E iE E iE
Figura 4.3 Figura 4.4
Notaţiile folosite au următoarele semnificaţii:

iC curent de colector;
iE curent de emitor;
iC curent de bază;
vCE tensiune colector-emitor;
vCB tensiune colector-bază;
vBE tensiune bază-emitor;
Observaţie: Sensurile curenţilor şi tensiunilor sunt cele naturale.
84
Tranzitorul bipolar
4.1.2 Principiul de funcţionare

După cum s-a amintit deja, şi după cum se poate observa din figurile 4.1, 4.2 tranzitorul bipolar are în
structură două joncţiuni:
▪ joncţiunea bazǎ– emitor (sau joncţiunea emitorului) şi
▪ joncţiunea bazǎ –colector (sau joncţiunea colectorului).
Funcţionarea tranzistorului depinde în mod evident de starea acestor joncţiuni. Din acest punct de
vedere pot exista patru situaţii dupǎ cum urmeazǎ
1. Ambele joncţiuni sunt blocate. Tranzistorul se comportǎ ca un circuit întrerupt. Curenţii prin
tranzistor au valori neglijabile ceea ce matematic înseamnă:
iC  0 (4.1)
iB  0 (4.2)
Explicaţia constǎ în faptul cǎ fiecare joncţiune în parte se comportǎ ca un circuit întrerupt.
Despre tranzistor se spune cǎ lucreazǎ în regim de blocare.
2. Ambele joncţiuni sunt în conducţie. Tranzistorul se comportǎ ca un scurcircuit. Tensiunile pe
joncţiunile tranzistorului sunt foarte mici ceea ce matematic înseamnă:
v BC  0 (4.3)
v BE  0 (4.4)
Explicaţia constǎ în faptul cǎ fiecare joncţiune în parte se comportǎ ca un scurtcircuit. Despre
tranzistor se spune cǎ lucreazǎ în regim saturat.
3. Joncţiunea emitorului este în conducţie, iar joncţiunea colectorului este polarizată invers. În
această situaţie apare efectul de tranzistor. Mai exact, purtătorii injectaţi de emitor ajung practic
în totalitate în colector parcurgând astfel o joncţiune polarizată invers şi anume joncţiunea
colectorului. Ne aflăm astfel în faţa unei situaţii inedite – printr-o joncţiune polarizată invers trece
un curent de valoare relativ mare. Explicaţia constǎ în faptul cǎ, baza fiind foarte îngustǎ (mult
mai micǎ decât lungimea de difuzie), purtǎtorii injectaţi de emitor ajung în joncţiunea colectorului
de unde sunt preluaţi de câmpul accelerant existent la nivelul joncţiunii; dând astfel naştere unui
curent de colector de valori apreciabile. Valoarea acestui curent este egalǎ cu valoarea
curentului injectat de emitor din care se scade o micǎ componenta datoratǎ fenomenului de
recombinare din bazǎ. Tranzistorul se comportǎ între colector şi emitor ca un generator de
curent comandat (de tensiunea dintre bazǎ şi emitor sau de curentul de bază funcţie de
aplicaţie). Apare astfel funcţia de amplificare. Detaliind se poate scrie:
iC   i E (4.5)
unde α este un factor de transport cu valori cuprins se intre 0.9 şi 0.99. Observând cǎ pe un
tranzistor se poate scrie întotdeauna:
i E = iC + i B (4.6)
şi introducând mǎrimea:

= (4.7)
1−
între curectul de bazǎ (curentul de comandǎ) si curentul de colector (curentul comandat) se
obţine relaţia – fundamentalǎ în teoria tranzistorului:
iC   i B (4.8).
Relaţia (4.8) trebuie completatǎ cu relaţia:
v BE  V (4.9)
85
Tranzitorul bipolar
unde Vγ este tensiunea de deschidere a unei diode dintre bază şi emitor (aprox. 0.6V). Despre
tranzistor se spune cǎ lucreazǎ în regim activ normal..
4. Joncţiunea colectorului este în conducţie, iar joncţiunea emitorului este blocatǎ. În practică
această stare nu este utilizată. Despre tranzistor se spune cǎ lucreazǎ în regim activ inversat
4.1.3 Conexiunile tranzistorului.
Dupǎ cum a fost evidenţiat pâna in acest moment, tranzistrul bipolar este un dispozitiv caracterizat de
apariţia funcţiei de amplificare. Din acest punct de vedere se poate discuta despre existenţa unei porţi
de comandǎ (sau de intrare) precum şi a unei porţi comandate sau de ieşire. Identificarea acestor porti
se face funcţie de aşa numita conexiune a tranzistorului dupǎ cum urmeazǎ:
a.) Conexiunea emitor comun. Este prezentatǎ in figura 4.5
iC
iB
vCE Iesire
Intrare vBE
Figura 4.5
Semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt:

▪ tensiunea vBE – tensiunea bazǎ emitor, şi
▪ curentul iB – curentul de bazǎ
Semnalele de ieşire (sau comandate)
▪ tensiunea vCE – tensiunea colector emitor, şi
▪ curentul iC – curentul de colector
b.) Conexiunea colector comun. Este prezentatǎ in figura 4.6
iE
iB
vEC Iesire
Intrare vBC
Figura 4.6

▪ tensiunea vBC – tensiunea bazǎ colector, şi
▪ curentul iB – curentul de bazǎ
▪ tensiunea vEC – tensiunea emitor colector, şi
▪ curentul iE – curentul de emitor
c.) Conexiunea bazǎ comunǎ. Este prezentatǎ in figura 4.7
iE iC
Intrare vEB vCB Iesire
Figura 4.7

▪ tensiunea vEB – tensiunea emitor bazǎ, şi
86
Tranzitorul bipolar
▪ curentul iE – curentul de emitor

▪ tensiunea vCB – tensiunea colector bazǎ, şi
▪ curentul iC – curentul de colector.
4.2 Comportarea tranzistorului bipolar in regim cvasistatic de semnal mare
În regim cvasistatic de semnal mare tranzistorul bipolar este integral descris de douǎ şi numai douǎ
ecuaţii, numite ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt, caracteristici statice. În mod uzual acestea
sunt:
iC = iC (vCE , iB ) (4.9)
iB = iB (v BE , vCE ) (4.10)
Prezentul subcapitol işi propune sǎ prezinte forme explicite pentru expresiile (4.9) şi (4.10), iar pe baza
lor sǎ dezvolte modele aproximative pentru tranzistoarele bipolare. Suplimentar, este prezentat modul
de definire al valorilor limitǎ ale parametrilor electrici ce pot fi suportate de tranzistoare În consecintǎ,
structura subcapitolului este:
1. Caracteristici statice;
2. Modele de semnal mare pentru TB
3. Abateri de la teoria ideală
4. Limitări în funcţionare.
4.2.1 Caracteristici statice
Prezentul subcapitol nu va prezenta modul în care se pot deduce relaţiile (4.9) şi (4.10). Se vor prezenta
doar reprezentările lor grafice care vor fi utilizate pentru obţinerea modelelor. Câteva observaţii sunt
totuşi necesare. Pentru a reprezenta în R2 (în plan) a modului de variaţie al lui iC şi iB se foloseşte
următoarea procedură: Relaţia (4.9) se înlocuieşte cu
iC = iC (vCE ) iB =const . (4.11)
relaţie cunoscută sub numele de caracteristica de ieşire, şi
iC = iC (i B ) vCE =const . (4.12)
relatie care este practic explicitată de (4.8). Relaţia (4.10) se înlocuieşte cu:
i B = i B (v BE ) vCE =const . (4.13)
relaţie cunoscută sub numele de caracteristica de intrare, şi
i B = i B (vCE ) vBE =const . (4.14)
relaţie care nu se foloseşte întrucât iB practic nu depinde de uCE.
a.) Caracteristica de ieşire este prezentată în figura 4.8. Pe această caracteristică se pot pune în
evidenţă cele trei regimuri de funcţionare menţionate în sub capitolul 4.1.2. Fiecărui regim îi corespunde
o regiune după cum se vede în figură, şi anume: regiunea de saturaţie; regiunea activă normală şi
regiunea de blocare.
87
Tranzitorul bipolar
iC
vCB=0 iB4
Regiunea activă normală
Regiunea de iB3
saturatie
iB2
Regiunea de
blocare iB1
vCE
Figura 4.8
b.) Caracteristica de intrare este reprezentată în figura 4.9.

iB
vCE1
vCE2>vCE1
Vγ vBE
Figura 4.9
Se constată că:
1. este vorba de caracteristica unei diode,

2. practic iC nu depunde de vCE
4.2.2 Modele aproximative pentru TB

Caracteristicile de ieşire prezentate în figura 8 au pus în evidenţă cele trei regimuri fundamentale ale
tranzistorului: blocare, activ şi saturaţie. Modelele ce vor fi dezvoltate în continuare vor liniariza pe
porţinuni aceaste caracteristici.
a.) Modele aproximative pentru regimul de blocare.
Tranzistorul are joncţiunile polarizate invers şi deci curenţii sunt aproximativ zero. Ecuaţiile de dispozitiv
sunt:
iB=0 (4.15)
iC=0 (4.16)
Schema echivalentă este prezentată în figura 4.10
B C iB iC iB iB
B C B C
B C
v BE vCE vBE FiB IS/F FiB
E E E E
Figura 4.10 Figura 4.11 Figura 4.12 Figura 4.13
b.) Modele aproximative pentru regimul de saturaţie.

În această situaţie ambele joctiuni sunt polarizate direct. Tranzistorul se comportă, practic ca un
scurtcircuit. Ecuaţiile de dispozitiv devin:
vBE=0 (4.17)
vCE=0 (4.18)
88
Tranzitorul bipolar
Schema echivalentă este prezentată în figura 4.11.

c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal.
Pentru acest regim se vor prezenta mai multe tipuri de modele care vor diferi între ele prin nivelul de
aproximare acceptat.
Model de ordin zero
Acest model presupune uBE constant şi egal cu o valoare cuprinsă între 0.6V - 0.7 V, precum şi
egalitatea curentului de emitor cu cel de colector. Ecuaţile de dispozitiv devin:
vBE=const. (4.19)
iC=iE (4.20)
Pentru modelul de ordin zero nu se construieşte schemă echivalentă.
Model de ordin unu
Modelul de ordin unu are la baza ecuaţiile 4.8 şi 4.9
iC   i B (4.8).
v BE  V (4.9)
Schema echivalenta este prezentată în figura 4.12
Model de ordin doi
Acest tip de model utilizează un model matematic mai evoluat pentru tranzistor şi anume:
v 
iC = I S exp BE  (4.21)
 eT 
IS v 
iB = exp BE  (4.22)
F  eT 
unde IS poartă denumirea de curent de saturaţie. Schema echivalentă este prezentată în figura 4.11
4.2.3 Abateri de la teoria ideală
Analiza prezentată până în acest moment a considerat tranzistorul bipolar un dispozitiv ideal. Din punct
de vedere formal, au fost omise două categorii de factori care pot influenţa comportarea tranzistorului:
a) fenomenul de străpungere al joncţiunilor;
b) efectele temperaturii.
a.) Străpungerea tranzistorului bipolar

Există in principiu trei probleme ce vor fi prezentate:
I. străpungerea normală (primară),
II. străpungerea secundară şi
III. ambalarea termică.
I. Străpungerea normală (primară),

Tranzistorul fiind o structură cu două joncţiuni este normal ca problema străpungerii să se pună la
nivelul fiecărei joncţiuni. Există străpungere la nivelul joncţiunii de emitor şi există de asemenea
străpungere la nivelul joncţiunii de colector. Problema este însă mai complicată întrucât cele două
joncţiuni sunt cuplate electric şi este de aşteptat ca acest lucru să aibă implicaţii în procesul propriu zis.
89
Tranzitorul bipolar
În fapt cuplajul joncţiunilor se pune în evidenţă atunci când tranzistorul lucrează în regiunea activă
normală şi nu atunci când tranzistorul este blocat. Ca atare, străpungerea joncţiunii de emitor se poate
trata ca pentru orice joncţiune, în timp ce problema străpungerii joncţiunii de colector depinde de
conexiunea tranzistorului. În cele ce urmează nu se va prezenta abordarea formală. Practic fenomenul
de străpungere primară este exemplicat de caracteristca statica prezentată în figura 4.14.
iC IB=-0.02mA
IB=-0.01mA
IB=0.04mA
IB=0.02mA
IB=0
IB=0.01mA vCE
VS= aprox.30 V
Figura 4.14
Se poate constata că fenomenul de străpungere apare la aproximativ 30V. Tensiunea notată Vs în
figură poartă numele de tensiune de susţinere.
II. Străpungerea secundară
O situaţie neobişnuită o reprezintă fenomenul de străpungere secundară. Acest fenomen constă în
scăderea tensiunii pe joncţiunea colectorului o dată cu creşterea curentului de colector. El este pus în
evidenţă de figura 4.15. Fenomenul nu este explicat satisfăcător până in prezent.
iC
Străpungere
secundară
Străpungere
IB=0 primară
vCE
Figura 4.15
III. Ambalarea termică
Este fenomenul prin care datorită creşterii temperaturii se poate întâmpla ca iC să crească necontrolat.
Explicaţia rezidă în fenomenul regenerativ ce poate avea loc în structură. Pentru a pune în evidenţă
acest fenomen regenerativ amintim:
▪ creşterea temperaturii joncţiunii duce la creşterea curentului direct prin ea (asupra cauzelor se
va reveni)
▪ creşterea curentului direct prin joncţiune duce la creşterea temperaturii joncţiunii, (efect termic
la trecerea curentului.)
În aceste condiţii să presupunem că temperatura ambiantă creşte. În structură apare un proces
reprezentat simbolic mai jos
S-au folosit notaţiile: Ta  Tj  iC

Ta - temperatura
ambiantă
Tj - temperatura joncţiunii
Această înlănţuire de fenomene poate să ducă la distrugerea tranzistorului. Soluţiile posibile costau în
limitarea - din exterior - a temperaturii maxime a joncţiunii sub o valoare la care nu este posibilă
amorsarea procesului regenerativ. Acest lucru se face utilizând radiatoare speciale pentru
tranzistoarele (în general de putere) care pot fi afectate de fenomenul de ambalare termică.
90
Tranzitorul bipolar
b.) Variaţia cu temperatura a principalilor parametri electrici ai tranzistorului bipolar. Parametrii în

discuţie sunt cei ce apar în schemele echivalente prezentate în subcapitolul 4.2. Pentru regiunea activă
normală este mai variatia lui vBE., Referitor la vBE - fiind tensiunea unei joncţiuni polarizată direct -
respectă legea de variaţie amintită în subcapitolul 2, Valoarea coeficientului cVF este cuprinsă între 2-
2.5mV/oC.
4.2.4 Limitări în funcţionare.

În cazul joncţiunii pn s-a arătat că există în principiu trei tipuri de limitări de care trebuie să ţină cont un
proiectant:
▪ limitare la tensiune inversă maximă necesară pentru evitarea fenomenului de străpungere;
▪ limitare la curent direct maxim necesară pentru evitarea efectelor termice distructive.
▪ Limitarea
Tot în cazul joncţiunii pn s-a arătat că variaţiile de temperatură pot duce la variaţii semnificative ale
caracteristicilor statice şi prin aceasta la depăşirea limitelor menţionate.
Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat că mărimile cele mai importante care limitează funcţionarea
tranzistorului sunt definite în planul caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun. Figura
4.16 le pune în evidenţă:
Figura 4.16
Acestea sunt:
▪ tensiune maximă colector - emitor; depăşirea acestei valori duce la apariţia fenomenului de
multiplicare în avalanşă la nivelul joncţiunii de colector;
▪ curent maxim de colector; depăsirea acestei valori duce la distrugerea termică a structurii;
▪ putere disipată maximă; această valoare trebuie să fie mai mică decât limita impusă de catalog;
depăsirea acestei valori duce la distrugerea structurii tot prin efect termic.
Regiunea care rămâne după eliminarea limitărilor amintite - regiune nehaşurată în figura 4.16- se
numeşte regiune permisă sau zonă de siguranţă. Punctul static de funcţionare al tranzistorului trebuie
poziţionat în această regiune.
91
Tranzitorul bipolar
De reţinut!
Regim cvasistatic semnal mare regiune activă

Simbol
Model de ordin doi
Schema Echivalentă Model matematic
iC =  iB
IS v 
iB = exp BE 
  VT 
Simbol ANSI B Pcomandat în curent B Pcomandat în curent
v 
i C = IS exp BE 
 VT 
I v 
i B = S exp BE 
Simbol DIN   VT 
B Pcomandat în tensiune B P comandat în tensiune
Regim cvasistatic semnal mare regiune activă

Simbol
Model de ordin unu, Model de ordin zero
iC =  iB
VBE = const.
Symbol ANSI
Model ordin unu Model ordin unu
iC  iE
VBE = const.
Symbol DIN Model ordin zero
Regim cvasistatic semnal mare regiune saturată,

Simbol
Model de ordin zero
v CE  0
VBE  0
Symbol ANSI
Model ordin zero Model ordin zero
Symbol DIN
92
Tranzitorul bipolar
Regim cvasistatic semnal mare regiune blocată,

Simbol
Model de ordin zero
Equivalent Circuit Mathematical Model
Symbol ANSI iC  0
iB  0
Symbol DIN Model de ordin zero Model de ordin zero
Test de autoevaluare 4.1
Tranzistoare bipolare
1. Pentru ca o structură de tip „pnp” sau „npn” să se comporte ca un tranzistor

bipolar este necesar ca:
3p
a) baza să fie foarte îngustă;
b) emitorul să fie puternic dopat;
c) baza să fie foarte îngustă şi emitorul puternic dopat;
d) baza să fie foarte îngustă sau emitorul puternic dopat;
2. Emitorul unui tranzistor bipolar:

2p
a) are rolul de “colecta” fluxul principal de purtători care circulă
prin structură;
b) are rolul de a controla fluxul principal de purtători care circulă
prin structură;
c) are rolul de a “emite” (genera) fluxul principal de purtători care
circulă prin structură;
d) nu are un rol specific
3. Colectorul unui tranzistor bipolar:

2p
prin structură;
prin structură;
93
Tranzitorul bipolar

d) nu are un rol specific.
4. Baza unui tranzistor bipolar:

2p
prin structură;
prin structură;
d) nu are un rol specific.
5. Figura 3.1 prezintă

1p
C
Figura 3.1
a) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n;

b) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal p;
c) un tranzistor bipolar pnp;
d) un tranzistor bipolar npn.
6. Figura 3.2 prezintă:

1p
C
Figura 3.2
a) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n;

b) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal p;
c) un tranzistor bipolar pnp;
d) un tranzistor bipolar npn.
7. Un tranzistor bipolar care lucrează în regim blocat se comportă ca:

2p
a) un generator de curent comandat;
94
Tranzitorul bipolar
b) un scurtcircuit;
c) un circuit întrerupt;
d) un comutator
8. Un tranzistor bipolar care lucrează în regim saturat se comportă ca:

2p
b) un scurtcircuit;
d) un comutator
9. Un tranzistor bipolar care lucrează în regim activ normal se comportă între

emitor şi colector ca:
2p
b) un scurtcircuit;
d) un comutator
10. Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucrează în

regim blocat este:
3p
a) iC  0 şi i B  0
b) v BC  0 şi v BE  0
c) iC   i B şi v BE  V
d) iC   i E şi v BE  V
11. Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucrează în

regim de saturaţie este:
3p
a) iC  0 şi i B  0
b) v BC  0 şi v BE  0
c) iC   i B şi v BE  V
d) iC   i E şi v BE  V
12. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ normal:

2p
a) joncţiunea emitorului este în conducţie, iar joncţiunea
colectorului este polarizată invers;
b) joncţiunea emitorului este polarizată invers, iar joncţiunea
colectorului este în conducţie;
c) ambele joncţiuni sunt polarizate invers;
d) ambele joncţiuni sunt în conducţie.
95
Tranzitorul bipolar
13. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim saturat:

2p
14. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim de blocare:

2p
15. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ inversat:

2p
16. Pentru ca un tranzistor bipolar să funcţioneze ca simplu amplificator este

necesar ca tranzistorul să opereze:
1p
a) în regim activ normal;
b) în regim saturat;
c) în regim de blocare;
d) în regim activ inversat.
17. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ normal

joncţiunea emitorului este în conducţie, iar joncţiunea colectorului este
3p
polarizată invers. În această situaţie apare efectul de tranzistor. Acesta
constă în:
a) trecerea unui curent de valoare relativ mare prin joncţiunea
polarizată direct a emitorului;
b) trecerea unui curent de valoare relativ mică prin joncţiunea
polarizată direct a emitorului;
c) trecerea unui curent de valoare relativ mică prin joncţiunea
polarizată invers colectorului;
d) trecerea unui curent de valoare relativ mare prin joncţiunea
polarizată invers colectorului.
96
Tranzitorul bipolar
18. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ normal, în

structură apare aşa numitul efect de tranzistor. Explicaţia constǎ în faptul
3p
cǎ:
a) există un efect de tunelare în bază;
b) există un efect multiplicare în avalanşă la nivelul bazei;
c) baza fiind foarte îngustǎ (mult mai micǎ decât lungimea de
difuzie), purtǎtorii injectaţi de emitor ajung în joncţiunea
colectorului de unde sunt preluaţi de câmpul accelerant existent
la nivelul joncţiunii;
d) câmpul electric din bază accelerează purtătorii injectaţi de
emitor;

1p
iC
iB
vCE Iesire
Intrare vBE
Figura 3.3
a) conexiunea emitor comun;

b) conexiunea bază comună;
c) conexiunea colector comun;
d) conexiunea drenă comună.

1p
iE
iB
vEC Iesire
Intrare vBC
Figura 3.4


1p
97
Tranzitorul bipolar
iE iC
Figura 3.5

22. În conexiunea emitor comun:

2p
a) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor,
şi curentul de bazǎ, iar semnalele de ieşire (sau comandate) sunt
tensiunea colector emitor şi curentul de colector;
b) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ colector
tensiunea emitor colector şi curentul de emitor;
c) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea emitor bazǎ
şi curentul de emitor, iar semnalele de ieşire (sau comandate) sunt
tensiunea colector bazǎ şi curentul de colector;
d) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor,
tensiunea emitor colector şi curentul de emitor.
23. În conexiunea colector comun:

2p
24. În conexiunea bază comună:

2p
98
Tranzitorul bipolar

25. În regim cvasistatic de semnal mare tranzistorul bipolar este integral

descris de douǎ şi numai douǎ ecuaţii, numite ecuatii caracteristice statice,
3p
sau pe scurt, caracteristici statice. În mod uzual acestea sunt:
a) iC = iC (vCB , iB ) şi i B = i B (v BE , vCE )
b) iC = iC (vCE , i B ) şi iB = iB (vBC , vCE )
c) iC = iC (vCE , i B ) şi i B = i B (v BE , vCE )
d) iC = iC (iC , iB ) şi i B = i B (v BE , vCE )
26. Caracteristica statică de ieşire este:

3p
a) iC = iC (vCE ) iB =const .
b) iC = iC (i B ) vCE =const .
c) i B = i B (v BE ) vCE =const .
d) i B = i B (vCE ) vBE =const .
27. Caracteristica statică de intrare este:

3p
a) iC = iC (vCE ) iB =const .
b) iC = iC (i B ) vCE =const .
c) i B = i B (v BE ) vCE =const .
d) i B = i B (vCE ) vBE =const .
28. Figura 3.6 prezintă caracteristica statica de ieşire. Cu 1 este notată:

1p
99
Tranzitorul bipolar
iC
vCB=0 iB4
1 iB3
3
iB2
2 iB1
vCE
Figura 3.6
a) regiunea activă normală;

b) regiunea de saturaţie;
c) regiunea de blocare;
d) regiunea activă inversată.

1p
iC
vCB=0 iB4
1 iB3
3
iB2
2 iB1
vCE
Figura 3.6


1p
iC
vCB=0 iB4
1 iB3
3
iB2
2 iB1
vCE
Figura 3.6

100
Tranzitorul bipolar

iB
vCE1
vCE2>vCE1
Vγ vBE
Figura 3.7
a) caracteristica statică de ieşire;

b) caracteristica statică de intrare;
c) caracteristica statică de transfer;
d) caracteristica dinamică de transfer.
32. Schema echivalentă a unui tranzistor care funcţionează în regim de blocare

este prezentată în figura notată:
3p
a.) b.)
B C iB iC
B C
v BE vCE
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
vBE FiB IS/F FiB
E E
33. Schema echivalentă a unui tranzistor care funcţionează în regim de

saturaţie este prezentată în figura notată:
3p
a.) b.)
B C iB iC
B C
v BE vCE
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
34. Modelul de ordin zero al unui tranzistor bipolar care operează în regim
activ normal este reprezentat de:
3p
101
Tranzitorul bipolar
a) vBE=const. şi iC=iE
b) iC   i B şi v BE  V
 v BE  IS v 
c) iC = I S exp  şi iB = exp BE 
 eT  F  eT 
d) iB   iC şi v BE  V
35. Modelul de ordin unu al unui tranzistor bipolar care operează în regim
cvasistatic de semnal mare în regiunea activă normală este reprezentat de:
3p
 v BE  IS v 
 eT  F  eT 
36. Modelul de ordin doi al unui tranzistor bipolar care operează în regim
cvasistatic de semnal mare în regiunea activă normală este reprezentat de:
3p
 v BE  IS v 
 eT  F  eT 
37. Schema echivalentă corespunzătoare modelului de ordin unu al unui

tranzistor bipolar care operează în regim cvasistatic de semnal mare în
3p
regiunea activă normală este reprezentat în figura:
a.) b.)
B C iB iC
B C
v BE vCE
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
38. Schema echivalentă corespunzătoare modelului de ordin doi al unui

tranzistor bipolar care operează în regim cvasistatic de semnal mare în
3p
regiunea activă normală este reprezentat în figura:
102
Tranzitorul bipolar
a.) b.)
B C iB iC
B C
v BE vCE
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
39. În figura 3.8 cu 1 s-a notat:

3p
iC
2.
1.
IB=0
vCE
Figura 3.8
a) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de

străpungere primară;
b) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere secundară;
c) regiunea din caracteristică ce evidenţiază efectul temperaturii;
d) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere terţiară.
40. În figura 3.8 cu 2 s-a notat:

3p
a) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere primară;
b) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere secundară;
c) regiunea din caracteristică ce evidenţiază efectul temperaturii;
d) regiunea din caracteristică ce evidenţiază fenomenul de
străpungere terţiară.
41. Ambalarea termică este fenomenul prin care:

3p
a) datorită creşterii temperaturii se poate întâmpla ca iC să scadă
necontrolat;
b) datorită scăderii temperaturii se poate întâmpla ca iC să scadă
necontrolat;
103
Tranzitorul bipolar
c) datorită creşterii temperaturii se poate întâmpla ca iC să crească

necontrolat;
d) datorită scăderii temperaturii se poate întâmpla ca iC să crească
necontrolat;
42. Ambalarea termică este fenomenul prin care datorită creşterii temperaturii
se poate întâmpla ca iC să crească necontrolat. Explicaţia rezidă în
3p
fenomenul regenerativ ce poate avea loc în structură. Pentru a pune în
evidenţă acest fenomen regenerativ amintim:
a) creşterea temperaturii joncţiunii duce la creşterea curentului direct
prin ea şi creşterea curentului direct prin joncţiune duce la
creşterea temperaturii joncţiunii;
b) creşterea temperaturii joncţiunii duce la scăderea curentului direct
prin ea şi creşterea curentului direct prin joncţiune duce la
creşterea temperaturii joncţiunii;
c) creşterea temperaturii joncţiunii duce la creşterea curentului direct
prin ea şi creşterea curentului direct prin joncţiune duce la scăderea
temperaturii joncţiunii;
d) creşterea temperaturii joncţiunii duce la scăderea curentului direct
prin ea şi creşterea curentului direct prin joncţiune duce la scăderea
temperaturii joncţiunii;
43. Căderea de tensiune pe joncţiunea bază emitor variază o dată cu variaţia

temperaturii cu aproximativ:
3p
a) 1-1.5 mV/oC.
b) 2-2.5 mV/oC.
c) 10-15 mV/oC.
d) 20-25 mV/oC.
44. Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat că mărimile cele mai

importante care limitează funcţionarea tranzistorului sunt definite în
1p
planul caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun. Figura
3.9 le pune în evidenţă. Cu 1 s-a notat:
iC 4
2
1
regiune de
blocare
regiune de
saturaţie
vCE
3
Figura 3.9
a) tensiunea maximă colector - emitor;

b) curentul maxim de colector;
c) puterea disipată maximă;
d) regiunea permisă sau zona de siguranţă.
104
Tranzitorul bipolar

1p

1p

1p
48. Unul dintre modelele matematice pentru regimul cvasistatic de semnal mic
al unui transistor bipolar este:
3p
a) iC   i B şi v BE  V
 v BE  IS v 
b) iC = I S exp  şi iB = exp BE 
 eT  F  eT 
1 v
c) ic = vbe şi ib = be
gm r
v
d) ic = g m vbe şi ib = be
r
49. diC I
Mărimea g m =  C poartă numele de transconductanţă (pantă).
3p dv BE eT
Valoarea ei este:
105
Tranzitorul bipolar
a) gm[mS]=2.5IC[mA]
b) gm[mS]=4IC[mA]
c) gm[mS]=25IC[mA]
d) gm[mS]=40IC[mA]
50. Între g m (transconductanţă) şi r (rezistenţa de intrare) există relaţia:

3p
a) g m r = 
b) g m  = r
c) r  = g m
gm
d) =
r
51. Circuitele de polarizare ale unui tranzistor bipolar au rolul de a:

3p
a) stabiliza PSF numai funcţie de efectele temperaturii;
b) stabilizarea PSF numai funcţie de efectele dispersiei parametrilor;
c) stabilizarea PSF funcţie de efectele temperaturii sau dispersia
parametrilor;
d) stabilizarea PSF funcţie de efectele temperaturii şi dispersia
parametrilor.
52. Figura 3.10 prezintă un circuit elementar de polarizare al unui tranzistor

bipolar. Schema echivalentă pentru regimul static a acestui circuit este:
4p
EC
RB RC
Figura 3.10
a.) b.)
I I
RB RC RB RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
IB VCE IB VCE
E E
c.) d.)
I I
RB RC RB RC
B C B C
IB
EC EC
VBE IB VBE
IB VCE IB VCE
E E
106
Tranzitorul bipolar
53. Figura 3.10 prezintă un circuit elementar de polarizare al unui tranzistor

bipolar. Curentul IC are expresia:
4p
EC − VBE
a) IC= 
RC
E + VBE
b) IC=  C
RC
E − VBE
c) IC=  C
RB
E + VBE
d) IC=  C
RB
54. Figura 3.11 prezintă un circuit practic de polarizare al unui tranzistor

bipolar. Rezistorul RE asigură stabilizarea termică a etajului. Mecanismul
4p
prin care se realizează aceasta este:
EC
RB1 RC
RB2 RE
Figura 3.11
a) T  IC  VRE   VE   VBE   IC 
b) T  IC  VRE   VE   VBE   IC 
c) T  IC  VRE   VE   VBE   IC 
d) T  IC  VRE   VE   VBE   IC 
unde:
VRE - căderea de tensiune pe RE;
VE - potenţialul emitorului.

bipolar. Schema echivalentă a lui este:
4p
a) b)
107
Tranzitorul bipolar
I1 I I1 I
RB1 RC RB1 RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
IB VCE IB VCE
I2 I2
E E
RB2 RE RB2 RE
IE IE
c) d)
I1 I I1 I
RB2 RC RB2 RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
IB VCE IB VCE
I2 I2
E E
R1 RE RB1 RE
IE IE

bipolar. Figura 3.12 prezintă schema echivalentă pentru regimul static a
4p
circuitului din figura 3.11. Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obţine
sistemul de ecuaţii:
I1 I
RB1 RC
B C
EC
IB VBE
IB VCE
I2
E
RB2 RE
IE
Figura 3.12
a) I=I1+IB
I2=I1+IB
IB+IB=IE
EC=IBRC+VCE+IERE
-VBE=-VCE-IBRC+I1RB1
VBE=I2RB2-IERE
b) I=I1+IB
I1=I2+IB
IB+IB=IE
EC=IBRC+VCE+IBRE
108
Tranzitorul bipolar
VBE=I2RB2-IERE
c) I=I1+IB
I1=I2+IB
IB+IB=IE
EC=IBRC+VBE+IERE
VBE=I2RB2-IERE
d) I=I1+IB
I1=I2+IB
IB+IB=IE
EC=IBRC+VCE+IERE
VBE=I2RB2-IERE

bipolar. Echivalând Thevenin divizorul din bază se obţine schema din
4p
figura:
a) b)
EC EC
RE RC
EB EB
RB RC RB RE
c) d)
EC EC
RC RB
EB EB
RE RB RC RE
RB 2 RB1 RB 2
unde: EB = EC şi RB =
RB1 + RB 2 RB1 + RB 2
109
Tranzitorul bipolar

4p
figura 3.13. Schema echivalentă pentru regimul static a acestui circuit este:
EC
RC
EB
RB RE
Figura 3.13
a) b)
I I
RC RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
EB IB VCE
EB IB VCE
E E
RB RE RB RE
IE IE
c) d.)
I I
RC RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
EB IB VCE
EB IB VCE
E E
RB RE RB RE
IE IE

4p
figura 3.13. Schema echivalentă pentru regimul static a acestui circuit este
prezentată în figura 3.14. Aplicând teoremele lui Kirchhoff se obţine
sistemul de ecuaţii:
I
RC
B C
EC
IB VBE
EB IB VCE
E
RB RE
IE
Figura 3.14
110
Tranzitorul bipolar
a) IE=IE+IB
EC=IBIC+VCE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB
b) IE=IB+IC
EC=IBIC+VCE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB
c) IE=IB+IB
EC=IBIC+VCE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB
d) IE=IB+IB
EC=IBIC+VBE+IE
EB-VBE=REIE+RBIB
RB 2 RB1 RB 2
unde: EB = EC şi RB =
RB1 + RB 2 RB1 + RB 2

bipolar. Curentul IC are expresia:
4p
a)  (EB − VBE )
IC =
RB + ( + 1)RE
b)  (EC − VBE )
IC =
RB + ( + 1)RE
c)  (EB − VBE )
IC =
RE + ( + 1)RB
d)  (EB − VCE )
IC =
RB + ( + 1)RE
al unui transistor bipolar este:
3p
a) iC   i B şi v BE  V
 v BE  IS v 
b) iC = I S exp  şi iB = exp BE 
 eT  F  eT 
111
Tranzitorul bipolar
1 vbe
c) ic = vbe şi ib =
gm r
v
d) ic =  ib şi ib = be
r
vbe
2p al unui transistor bipolar este ic =  ib şi ib = . Schema echivalentă
r
corespunzătoare este prezentată în figura notată:
a.) b.)
ib ic ib ic
B C B C
r βib vbe r gmvbe
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
vbe
2p al unui transistor bipolar este ic = g m v be şi ib = . Schema echivalentă
r
a.) b.)
ib ic ib ic
B C B C
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
Răspunsuri
1. Răspuns corect c.) 33. Răspuns corect b.)

2. Răspuns corect c.) 34. Răspuns corect a.)
112
Tranzitorul bipolar
3. Răspuns corect a.) 35. Răspuns corect b.)

4. Răspuns corect b.) 36. Răspuns corect c.)
5. Răspuns corect d.) 37. Răspuns corect c.)
6. Răspuns corect c.) 38. Răspuns corect d.)
7. Răspuns corect c.) 39. Răspuns corect a.)
8. Răspuns corect b.) 40. Răspuns corect b.)
9. Răspuns corect a.) 41. Răspuns corect c.)
11. Răspuns corect b.) 42. Răspuns corect a.)
12. Răspuns corect a.) 43. Răspuns corect b.)
13. Răspuns corect d.) 44. Răspuns corect b.)
14. Răspuns corect c.) 45. Răspuns corect c.)
15. Răspuns corect b.) 46. Răspuns corect a.)
16. Răspuns corect a.) 47. Răspuns corect d.)
17. Răspuns corect d.) 48. Răspuns corect d.)
19. Răspuns corect a.) 50. Răspuns corect a.)
21. Răspuns corect b.) 52. Răspuns corect d.)
22. Răspuns corect a.) 53. Răspuns corect c.)
23. Răspuns corect b.) 54. Răspuns corect a)
24. Răspuns corect c.) 55. Răspuns corect a)
26. Răspuns corect a.) 57. Răspuns corect b)
27. Răspuns corect a.) 58. Răspuns corect c)
28. Răspuns corect b.) 59. Răspuns corect c)
29. Răspuns corect c.) 60. Răspuns corect a)
30. Răspuns corect a.) 61. Răspuns corect d)
31. Răspuns corect b.) 62. Răspuns corect a)
32. Răspuns corect a.) 63. Răspuns corect b)
113
Tranzitorul bipolar
Lucrare de verificare la Unitatea de învăţare nr. 4

1p
C
Figura 3.2
e) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n;

f) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal p;
g) un tranzistor bipolar pnp;
h) un tranzistor bipolar npn.
2. În conexiunea colector comun:

2p
e) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, şi
curentul de bazǎ, iar semnalele de ieşire (sau comandate) sunt
f) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ colector şi
g) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea emitor bazǎ şi
curentul de emitor, iar semnalele de ieşire (sau comandate) sunt
h) semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt tensiunea bazǎ emitor, şi

1p
iC
vCB=0 iB4
1 iB3
3
iB2
2 iB1
vCE
Figura 3.6
e) regiunea activă normală;

f) regiunea de saturaţie;
g) regiunea de blocare;
h) regiunea activă inversată.
114
Tranzitorul bipolar
4. Schema echivalentă a unui tranzistor care funcţionează în regim de saturaţie

este prezentată în figura notată:
3p
a.) b.)
B C iB iC
B C
v BE vCE
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
5. Pentru tranzistorul bipolar trebuie specificat că mărimile cele mai importante

care limitează funcţionarea tranzistorului sunt definite în planul
1p
caracteristicilor de ieşire pentru conexiunea emitor comun. Figura 3.9 le pune
în evidenţă. Cu 2 s-a notat:
iC 4
2
1
regiune de
blocare
regiune de
saturaţie
vCE
3
e) tensiunea maximă colector - emitor;

f) curentul maxim de colector;
g) puterea disipată maximă;
h) regiunea permisă sau zona de siguranţă.
6. Între g m (transconductanţă) şi r (rezistenţa de intrare) există relaţia:

3p
e) g m r = 
f) g m  = r
g) r  = g m
gm
h) =
r
7. Figura 3.11 prezintă un circuit practic de polarizare al unui tranzistor bipolar.

Schema echivalentă a lui este:
4p
115
Tranzitorul bipolar
EC
RB1 RC
RB2 RE
Figura 3.11
a) b)
I1 I I1 I
RB1 RC RB1 RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
IB VCE IB VCE
I2 I2
E E
RB2 RE RB2 RE
IE IE
c) d)
I1 I I1 I
RB2 RC RB2 RC
B C B C
EC EC
IB VBE IB VBE
IB VCE IB VCE
I2 I2
E E
R1 RE RB1 RE
IE IE
8. Unul dintre modelele matematice pentru regimul cvasistatic de semnal mic al

vbe
2p unui transistor bipolar este ic = g m v be şi ib = . Schema echivalentă
r
a.) b.)
ib ic ib ic
B C B C
E E
c.) d.)
iB iB
B C B C
E E
116
Tranzitorul bipolar
Răspunsuri şi comentarii la întrebările din testele

de autoevaluare
1. Răspuns corect c)
2. Răspuns corect b)
6. Răspuns corect a)
7. Răspuns corect a)
Recapitulare
Capitolul 4
Tranzistorul bipolar
4.1 Preliminarii
4.2 Comportarea tranzistorului bipolar in regim
cvasistatic de semnal mare
cvasistatic de semnal mic
4.4 Polarizarea tranzistorului bipolar.
Lucian Balut 1
117
Tranzitorul bipolar
4.1 Preliminarii
4.1.1 Structură, simbol, notaţii;
4.1.2 Principiul de funcţionare;
4.1.3 Conexiunile tranzistorului;
Lucian Balut 2
4.1 Preliminarii
Definitie: În mod uzual, tranzistorul bipolar este definit ca fiind o
structură de tip “npn”sau “pnp” care respectă două condiţii:
- baza foarte îngustă;
- emitorul puternic dopat.
tranzistor npn tranzistor pnp
Lucian Balut 1
118
Tranzitorul bipolar
4.1 Preliminarii
C iC C
iB iC
vCB iB vBC
vCE vEC
B B
vBE vEB
E iE E iE
E emitor; are rolul de a “emite” (genera) purtători;

C colector; are rolul de “colecta” purtătorii emişi de emitor;
B are rolul de a controla fluxul de purtători dintre emitor şi colector
iC curent de colector; vCE tensiune colector-emitor;

iE curent de emitor; vCB tensiune colector-bază;
iB curent de bază; vBE tensiune bază-emitor;
Lucian Balut 4
4.1 Preliminarii
Observatie: După cum s-a amintit deja, tranzitorul bipolar are în
structură două joncţiuni:
joncţiunea bazǎ– emitor (sau joncţiunea

emitorului) şi
joncţiunea bazǎ –colector (sau joncţiunea
colectorului).
Funcţionarea tranzistorului depinde în mod evident de

starea acestor joncţiuni. Din acest punct de vedere pot
exista patru situaţii dupǎ cum urmeazǎ:
Lucian Balut 5
119
Tranzitorul bipolar
4.1 Preliminarii
Jonctiune baza-emitor
Conductie Blocata
Con- Regim saturat Regim activ

Jonctiune ductie inversat
Baza
Colector
Blocata Regim activ normal Regim blocat
Lucian Balut 6
4.1 Preliminarii
1. Ambele joncţiuni sunt blocate. Tranzistorul se comportǎ ca un
circuit întrerupt. Curenţii prin tranzistor au valori neglijabile ceea
ce matematic înseamnă
iC  0
Model matematic
iB  0
Explicaţia constǎ în faptul cǎ fiecare joncţiune în parte se

comportǎ ca un circuit întrerupt. Despre tranzistor se spune cǎ
lucreazǎ în regim de blocare
Lucian Balut 7
120
Tranzitorul bipolar
4.1 Preliminarii
2. Ambele joncţiuni sunt în conducţie. Tranzistorul se comportǎ
ca un scurcircuit. Tensiunile pe joncţiunile tranzistorului sunt
foarte mici ceea ce matematic înseamnă:
v BC  0
Model matematic
v BE  0
Explicaţia constǎ în faptul cǎ fiecare joncţiune în parte se

comportǎ ca un scurtcircuit. Despre tranzistor se spune cǎ
lucreazǎ în regim saturat.
Lucian Balut 8
4.1 Preliminarii
3. Joncţiunea emitorului este în polarizata direct (conducţie) iar
joncţiunea colectorului este polarizată invers (blocata). În
această situaţie apare efectul de tranzistor (printr-o joncţiune
polarizată invers trece un curent de valoare relativ mare).
emitter collector emitter collector
junction junction junction junction
p++ n p p++ n p
emitter collector
emitter collector
base base
emitter collector
iC   i E
junction junction
p++ n p
emitter collector
α este un factor de transport cu

valori cuprins se intre 0.9 şi 0.99
base
Lucian Balut 9
121
Tranzitorul bipolar
4.1 Preliminarii
3. Joncţiunea emitorului este în polarizata direct (conducţie) iar
joncţiunea colectorului este polarizată invers (blocata). – cont.
iC   i E
i E = iC + i B iC   i B

=
1−
iC   i B Tranzistorul se comportǎ
Model matematic între colector şi emitor ca
v BE  V un generator de curent
comandat
Despre tranzistor se spune cǎ lucreazǎ în regim activ normal..
Lucian Balut 10
4.1 Preliminarii
4. Joncţiunea colectorului este în conducţie, iar joncţiunea
emitorului este blocatǎ.
În practică această stare nu este utilizată. Despre tranzistor se

spune cǎ lucreazǎ în regim activ inversat
Lucian Balut 11
122
Tranzitorul bipolar
4.1 Preliminarii
4.1.3 Conexiunile tranzistorului
a.) Conexiunea emitor comun.
iC
iB
vCE Iesire
Intrare vBE

tensiunea vBE – tensiunea bazǎ emitor, şi
curentul iB – curentul de bazǎ
tensiunea vCE – tensiunea colector emitor, şi
curentul iC – curentul de colector
Lucian Balut 12
4.1 Preliminarii
b.) Conexiunea colector comun
iE
iB
vEC Iesire
Intrare vBC

tensiunea vBC – tensiunea bazǎ colector, şi
curentul iB – curentul de bazǎ
tensiunea vEC – tensiunea emitor colector, şi
curentul iE – curentul de emitor
Lucian Balut 13
123
Tranzitorul bipolar
4.1 Preliminarii
c.) Conexiunea bazǎ comuna
iE iC

tensiunea vEB – tensiunea emitor bazǎ, şi
curentul iE – curentul de emitor
tensiunea vCB – tensiunea colector bazǎ, şi
curentul iC – curentul de colector.
Lucian Balut 14

Observatie În regim cvasistatic de semnal mare tranzistorul bipolar
este integral descris de douǎ şi numai douǎ ecuaţii,
numite ecuatii caracteristice statice, sau pe scurt,
caracteristici statice
iC = iC (vCE , iB )
iB = iB (v BE , vCE )
Prezentul subcapitol işi propune sǎ prezinte forme explicite
pentru expresiile de mai sus, iar pe baza lor sǎ dezvolte
modele aproximative pentru tranzistoarele bipolare.
Lucian Balut 15
124
Tranzitorul bipolar

4.2.1 Caracteristici statice;
4.2.2 Modele de semnal mare pentru TB
4.2.4 Limitări în funcţionare.
Lucian Balut 16
4.2 Regim cvasistatic de semnal mare

4.2.1 Caracteristici statice
iC = iC (vCE , iB )
iC = iC (vCE ) iB =const . caracteristica de ieşire,
iC = iC (i B ) vCE =const . iC   i B
iB = iB (v BE , vCE )
i B = i B (v BE ) vCE =const . caracteristica de intrare
i B = i B (vCE ) vBE =const . nu se foloseşte întrucât iB practic

nu depinde de v CE
Lucian Balut 17
125
Tranzitorul bipolar

4.2.1 Caracteristici statice (cont.)
a.) caracteristica de ieşire iC = iC (vCE ) iB =const .
iC
vCB=0 iB4
Regiunea activă normală
Regiunea de iB3
saturatie
iB2
Regiunea de
blocare iB1
vCE
Lucian Balut 18

4.2.1 Caracteristici statice (cont.)
b.) caracteristica de intrare i B = i B (v BE ) vCE =const .
iB
vCE1
1. este vorba de
vCE2>vCE1
caracteristica unei diode,
2. practic iC nu depunde de
v CE
Vγ vBE
Lucian Balut 19
126
Tranzitorul bipolar

a.) Modele aproximative pentru regimul de blocare.
Ecuaţiile de dispozitiv
iB=0
iC=0
C
B C
B v BE vCE
E
E
Lucian Balut 20

b.) Modele aproximative pentru regimul de saturatie.
Ecuaţiile de dispozitiv
v BE≈0
v CE≈0
C
iB iC
B C
B
E
E
Lucian Balut 21
127
Tranzitorul bipolar

c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal.
Model de ordin zero
v BE  V
Model matematic
i C i E
Model de ordin unu
iC   i B
Model matematic v BE  V
C
iB
B C
vBE FiB
B
E
E
Lucian Balut 22

c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal (cont).
Model de ordin doi v 
iC = I S exp BE 
 eT 
Model matematic IS v 
F  eT 
C iB
B C
IS/F v 
B i C = IS exp BE 
 eT 
E
E
Lucian Balut 23
128
Tranzitorul bipolar

c.) Modele aproximative pentru regimul activ normal (cont).
Model de ordin doi (varianta)
i C = i B
Model matematic IS v 
F  eT 
C iB
B C
IS/F FiB
B
E
E
Lucian Balut 24

4.2.2 Modele aproximative pentru TB - aplicatii
Model de ordin unu
EC
I1 I
RB1 RC RB1 RC
I=I1+IB
B C I1=I2+IB
IB VBE EC
IB+IB=IE
IB VCE
I2 EC=IBRC+VCE+IERE
RB2 RE E
RB2 RE VBE=I2RB2-IERE
IE
Lucian Balut 25
129
Tranzitorul bipolar

Model de ordin zero
EC 25V
RB1 RC
15k 1k
10 V
24 V
9.3V
RB2 RE
10k 9.3k
1 mA
Lucian Balut 26

+EC +12V
R1 R2 R5 R6
12 K 12 K 4K 4K
T7
-
Ui
T1 T2 T5 T6
R7
Ui+ 6.7 K
T8
R12 4.17K R13 9.85 K
T3 T9
UO
T4 T10
R3 R4 R11 R10 R9 R8
3K 1.5 K 8.67K 1.5 K 1.5 K 6K
-EE -12V
Lucian Balut 27
130
Tranzitorul bipolar

Nodul Potentialul Potentialul Nodul Potentialul Potentialul
manual (V) automat (V) manual (V) automat (V)
UI- 0 0 VET5 5,35 5,336
UI+ 0 0 VCT10 -9,85 -9,856
VCT1 6 5,994 VET10 -10,50 -10,51
VCT2 6 5,994 VET9 -10,50 -10,51
VET1 -0,65 -0,64 VCT9 0,65 0,638
VET1 -9 -8.997 VCT7 7,35 7,343
VCT4 -5,35 -5,339 Uo 0 -0,038
VET4 -9 -9,015 EC 12 12
VCT5 8 8,041 EE -12 -12
VCT6 8 8,001
Lucian Balut 28

Comentariu Analiza prezentată până în acest moment a

considerat tranzistorul bipolar un dispozitiv ideal.
Din punct de vedere formal, au fost omise două
categorii de factori care pot influenţa comportarea
tranzistorului:
-fenomenul de străpungere al joncţiunilor;

-efectele temperaturii.
Lucian Balut 29
131
Tranzitorul bipolar

Există in principiu trei probleme ce vor fi prezentate:
- străpungerea normală (primară),
- străpungerea secundară şi
- ambalarea termică.
I. Străpungerea normală (primară),
iC IB=-0.02mA
IB=-0.01mA
IB=0.04mA
IB=0.02mA
IB=0
IB=0.01mA vCE
VS= aprox.30 V
Lucian Balut 30

II. Străpungerea secundara
iC
Străpungere
secundară
Străpungere
IB=0 primară
vCE
III. Ambalarea termică

Ta  Tj  iC Ta - temperatura ambiantă

Tj - temperatura joncţiunii
Lucian Balut 31
132
Tranzitorul bipolar

b.) Variaţia cu temperatura Parametrii în discuţie sunt cei ce apar în

schemele echivalente prezentate. Pentru regiunea activă normală
este mai variatia lui v BE., Referitor la v BE - fiind tensiunea unei
joncţiuni polarizată direct - respectă legea de variaţie amintită si
anume, valoarea coeficientului cVF este cuprinsă între 2-2.5mV/oC.
Lucian Balut 32

4.2.4 Limitări în funcţionare
În cazul joncţiunii pn s-a arătat că există în principiu trei tipuri

de limitări de care trebuie să ţină cont un proiectant:
- limitare la tensiune inversă maximă necesară pentru

evitarea fenomenului de străpungere;
- limitare la curent direct maxim necesară pentru
evitarea efectelor termice distructive.
- limitarea functie de puterea maxim disipata
Lucian Balut 33
133
Tranzitorul bipolar

4.2.4 Limitări în funcţionare
tensiune maximă colector - emitor; depăşirea acestei valori duce la

apariţia fenomenului de multiplicare în avalanşă la nivelul joncţiunii de
colector;
curent maxim de colector; depăsirea acestei valori duce la distrugerea
termică a structurii;
putere disipată maximă; această valoare trebuie să fie mai mică decât
limita impusă de catalog; depăsirea acestei valori duce la distrugerea
structurii tot prin efect termic Lucian Balut 34
Concluzii
De reţinut!
Regim cvasistatic semnal mare regiune

Simbol activă
Model de ordin doi
iC =  iB
IS v 
  VT 
B Pcomandat în B Pcomandat în
Simbol ANSI
curent curent
v 
i C = IS exp BE 
 VT 
I v 
i B = S exp BE 
Simbol DIN   VT 
B Pcomandat în
B P comandat în
tensiune tensiune
134
Tranzitorul bipolar

Simbol activă
Model de ordin unu, Model de ordin zero
iC =  iB
VBE = const.
Symbol ANSI
Model ordin unu Model ordin unu
iC  iE
VBE = const.
Symbol DIN Model ordin zero

Simbol saturată,
Model de ordin zero
v CE  0
VBE  0
Symbol ANSI
Model ordin zero Model ordin zero
Symbol DIN

Simbol blocată,
Model de ordin zero
Equivalent Circuit Mathematical Model
iC  0
Symbol ANSI
iB  0
Model de ordin
Symbol DIN Model de ordin zero
zero
135
Tranzitorul bipolar
Regim cvasistatic semnal mic regiune

Simbol activă
Mathematical
Equivalent Circuit
Model
I c = g m Vbe
Vbe
Ib =
r
Symbol ANSI
B P comandat în B P comandat în
tensiune tensiune
Ic =  I b
Vbe
Ib =
r
Symbol DIN B Pcomandat în

B Pcomandat în curent
curent
Bibliografie
Băluţ L. Componente si dispozitive electronice (Electronic Components and

Devices) Ed. Leda Constanta 1997 ISBN 973–97712–1-1
Băluţ L. Circuite electronice Ed.Metafora; Constanta 1999; ISBN 973-93-40-
25-3
Băluţ L. Device Modeling for Circuit Analysis; Ed. Muntenia & Leda ISBN
973-8304-50-4 973-8082- 84-6 Constanta 2002;
Băluţ L et. al Teste de evaluare Ed. Nautica ISBN 973-86813–3–2 Constanta 2004
*** Designing with field-effect transistors New York : McGraw-Hill,

c1990.
*** Discrete semiconductors. Transistors. San Diego, Calif. : D.A.T.A.
Business Pub.,c1988-
Arx, C., F. Realization and optimization of pnp transistors in a modular
CBiCMOS process for analog and smart-power applications
Konstanz : Hartung-Gorre, 1996
Ashburn, P. Design and realization of bipolar transistors Chichester [England] ;
New York : Wiley, c1988
Chang M. F. Current trends in heterojunction bipolar transistors,. Singapore ;
River Edge, NJ : World Scientific c1996.
Çilingiroæglu Systematic analysis of bipolar and MOS transistors Boston : Artech
House, c1993.
Dye, N. Radio frequency transistors : principles and practical applications
Boston Butterworth-Heinemann, c1993.
Graaff, H Compact transistor modelling for circuit design New York: Springer-
Verlag, c1990. ISBN 0387821368
136
Tranzitorul bipolar
Graaff, H. Compact transistor modelling for circuit design Wien : Springer-

Verlag, c1990.
Gray, P. Analysis and design of analog integrated circuits New York : Wiley,
c1984
Gray, P. Analysis and design of analog integrated circuits New York ; Toronto
: Wiley, c1993
Grebene, A. Bipolar and MOS analog integrated circuit design New York : J.
Wiley, c1984
Greenfield, J. Practical transistors and linear integrated circuits New York : Wiley,
c1988.
Hess, K. Advanced theory of semiconductor devices Englewood Cliffs, N.J. :
Prentice-Hall, c1988
Liu, William Handbook of III-V heterojunction bipolar transistors New York
Wiley, c1998
Marston, R. M Diode, transistor & FET circuits manual Oxford ; Boston : Newnes,
1991 ISBN 0750602287
Mounic, M. Transistors, problemes avec solutions, du debutant au technicien
superieur Paris, Foucher, 1967-
Neudeck, G. The bipolar junction transistor, Reading, Mass. : Addison-Wesley,
c1983
Ryter, Roland Analysis and development of high voltage bipolar transistors for
BiCMOS smart power applications Konstanz : Hartung-Gorre,, 1996
Sanborn, P. Fundamentals of transistors Garden City, N.Y., Doubleday [1970]
Schroder, D. Advanced MOS devices, Reading, Mass. : Addison-Wesley Pub. Co.,
c1987
Towers, T. D Towers' International transistor selector Blue Ridge Summit, Pa. :
TAB Books, 1982 ISBN 0830614168
Warner, R. M. Transistors : fundamentals for the integrated-circuit engineer
Malabar, Fla. : R.E. Krieger Pub. Co., 1990
137

EA Unitatea 4

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

EA Unitatea 4

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Tranzitorul bipolar

Unitatea de învăţare nr. 4

TRANZISTORUL BIPOLAR - regim cvasistatic de semnal mare

Obiectivele unităţii de învăţare nr. 4 81

Instructiuni si timp mediu necesar de studiu: studentul va parcurge materialul pus la

OBIECTIVELE unităţii de învăţare nr. 4

Principalele obiective ale Unităţii de învăţare nr. 4 sunt:

Acest subcapitol se ocupă de:

4.1.1 Structură, simbol, notaţii

Figura 4.1 Figura 4.2

▪ tranzistoare npn (figura 4.1)

B are rolul de a controla fluxul de purtători dintre emitor şi colector

Figura 4.3 Figura 4.4

Notaţiile folosite au următoarele semnificaţii:

4.1.2 Principiul de funcţionare

Semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt:

Semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt:

Intrare vEB vCB Iesire

Semnalele de intrare (sau de comandǎ) sunt:

▪ curentul iE – curentul de emitor

4.2 Comportarea tranzistorului bipolar in regim cvasistatic de semnal mare

b.) Caracteristica de intrare este reprezentată în figura 4.9.

1. este vorba de caracteristica unei diode,

4.2.2 Modele aproximative pentru TB

Figura 4.10 Figura 4.11 Figura 4.12 Figura 4.13

b.) Modele aproximative pentru regimul de saturaţie.

Schema echivalentă este prezentată în figura 4.11.

a.) Străpungerea tranzistorului bipolar

I. Străpungerea normală (primară),

b.) Variaţia cu temperatura a principalilor parametri electrici ai tranzistorului bipolar. Parametrii în

4.2.4 Limitări în funcţionare.

Regim cvasistatic semnal mare regiune activă

Simbol ANSI B Pcomandat în curent B Pcomandat în curent

Regim cvasistatic semnal mare regiune activă

Model ordin unu Model ordin unu

Regim cvasistatic semnal mare regiune saturată,

Model ordin zero Model ordin zero

Regim cvasistatic semnal mare regiune blocată,

Symbol DIN Model de ordin zero Model de ordin zero

Test de autoevaluare 4.1

1. Pentru ca o structură de tip „pnp” sau „npn” să se comporte ca un tranzistor

2. Emitorul unui tranzistor bipolar:

3. Colectorul unui tranzistor bipolar:

c) are rolul de a “emite” (genera) fluxul principal de purtători care

4. Baza unui tranzistor bipolar:

5. Figura 3.1 prezintă

a) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n;

6. Figura 3.2 prezintă:

a) un tranzistor cu efect de câmp cu joncţiune cu canal n;

7. Un tranzistor bipolar care lucrează în regim blocat se comportă ca:

8. Un tranzistor bipolar care lucrează în regim saturat se comportă ca:

9. Un tranzistor bipolar care lucrează în regim activ normal se comportă între

10. Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucrează în

11. Modelul matematic aproximativ al unui tranzistor bipolar care lucrează în

12. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ normal:

13. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim saturat:

14. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim de blocare:

15. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ inversat:

16. Pentru ca un tranzistor bipolar să funcţioneze ca simplu amplificator este

17. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ normal

18. În situaţia în care un trazistor bipolar lucrează în regim activ normal, în

19. Figura 3.3 prezintă:

a) conexiunea emitor comun;

20. Figura 3.4 prezintă: