Denumirea cursului: Dispozitive electronice

Laboratorul nr. 3
Polarizarea tranzistorului bipolar - partea I
Obiective:
 Realizarea circuitului de polarizare a tranzistorului bipolar în mediul de simulare
Orcad/Pspice;
 Determinarea în mediul de simulare Orcad/PSpice a punctului static de funcționare (PSF)
a tranzistorului bipolar, prin analiza de tip Bias Point;
 Determinarea prin calcul a punctului static de funcționare (PSF) a tranzistorului bipolar;

Desfășurarea lucrării:
1. Se realizează în mediul de simulare Orcad/PSpice circuitul de polarizare a tranzistorului
bipolar din Fig. 1.
a) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea activă normală (RAN)
2. Se determină direct în analiza Bias Point Detail valorile următoarelor mărimi:
IC = __730.2uA____ , IE = _734.7uA_____, IB = __4.458uA____, VE = _785.7mV_____, VC
= __11.27V____, VB = __2.638V____
3. Se determină indirect următoarele mărimi:
IC
F 
IB
VBE = _0.654V_____, VCE = ___9.286V___, = __163.79________
b) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea de saturație
4. Se setează valoarea rezistenței RC la o valoare foarte mare, de ordinul kΩ (exemplu RC=56kΩ).
5. Se determină direct în analiza Bias Point Detail valorile următoarelor mărimi:
IC = _199.7uA_____ , IE = __290.9uA____, IB = _91.24uA_____, VE = __785.6mV____, VC
= _816.3mV_____, VB = _1.427V_____
6. Se determină indirect următoarele mărimi:
IC
F 
IB
VBE = __641.4mV____, VCE = __30.7mV____, = ____2.18______
c) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea de blocare
7. Se revine la valoarea anterioara pentru RC (RC=1kΩ).
8. Se scurtcircuitează RB2 (RB2=0Ω)
9. Se determină direct în analiza Bias Point Detail valorile următoarelor mărimi:
IC = _139.2pA_____ , IE = __13.25pA____, IB = _126.3pA_____, VE = __35.76nV____,
VC = _12V_____, VB = __0V____
10. Se determină indirect următoarele mărimi:
IC
F 
IB
VBE = __-35.76nV____, VCE = __12V____, = ___1.1_______

1 din 5
 Denumirea cursului: Dispozitive electronice

Fig. 1. Schema electrică a circuitului de polarizare a tranzitorului bipolar

Calculul PSF pentru tranzistorul bipolar polarizat în regiunea activă normală (RAN)
RB1  RB2
RB  RB1 || RB 2   ____
RB1  RB2
11. Se calculează valoarea echivalentă a rezistenței din bază:
13.95k
RB2
VBB  VCC  ____
RB1  RB2
12. Se calculează potențialul echivalent din bază: 2.7V
VBB  VBE
IC   ____
RB
 RE
13. Se calculează curentul de colector: F 0.73mA , unde βF este parametru
de catalog, și VBE = 0.65 V

14. Se calculeaza tensiunea colector-emitor: VCE  I C  RC  ____ 0.73V .

2 din 5
 Denumirea cursului: Dispozitive electronice

Laboratorul nr. 4
Polarizarea tranzistorului bipolar - partea a II-a
Obiective:
 Realizarea practică a circuitului de polarizare a tranzistorului bipolar analizat în mediul
de simulare Orcad/Pspice în cadrul laboratorului nr. 3;
 Măsurarea punctului static de funcționare (PSF) a tranzistorului bipolar;
 Identificarea anumitor parametri ai tranzistorului bipolar în catalogul de componente;
 Identificarea regimurilor de funcționare ale tranzistorului bipolar.

Materiale necesare și echipamente utilizate:

 Tranzistoare bipolare de mică putere - tip NPN (BC107, 108, 109, etc);
 Rezistoare;
 Breadboard și conectori;
 Multimetru;
 Sursă de tensiune continuă.
Desfășurarea lucrării

3 din 5
 Denumirea cursului: Dispozitive electronice

Fig. 1. Schema de lucru

1. Să se consulte foile de catalog corespunzătoare tranzistorului

utilizat și să se noteze următoarele valori: hfe = βF = ____ (min) ...
____ (max), VCE sat = ____ .
2. Să se identifice cele 3 terminale ale tranzistorului (Emitor, Bază și
Colector) utilizând informațiile afișate în catalog.
3. Se realizează pe placa de test circuitul de polarizare a cărui schemă
de principiu se regăsește în Fig. 1 (atenție la poziționarea
terminalelor tranzistorului conform datelor de catalog).
4. Se pornește sursa de tensiune continuă (Vcc = 12 V).

a) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea activă normală (RAN)

5. Se determina direct, cu ajutorul voltmetrului, potențialele din emitor, bază și colector: V E =
_____, VB = _____, VC = _____;
6. Se determină indirect tensiunea bază-
emitor și tensiunea colector-emitor ca
diferență de potențiale, folosind valorile
determinate la punctul anterior: VBE = VB -
VE = _____, VCE = VC - VE = _____
VE
7. Se determină indirect I E = =¿ ¿ ,
RE
V CC−V C
I C= =¿ ¿
RC
b) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea de saturație
8. Se înlocuiește rezistorul din colector cu un rezistor de valoare foarte mare, de ordinul kΩ
(exemplu RC=56kΩ).
9. Se determina direct, cu ajutorul voltmetrului: VE = _____, VB = _____, VC = _____.
10. Se determină indirect VBE = VB - VE = _____, VCE = VC - VE = _____.
VE V CC−V C
11. Se determină indirect I E = =¿ ¿ , I C = =¿ ¿.
RE RC
c) Tranzistorul bipolar polarizat în regiunea de blocare
12. Se revine la valoarea anterioara pentru RC (RC=1kΩ).
13. Se scurtcircuitează RB2 (RB2=0Ω, se înlocuiește cu un fir).
14. Se determina direct, cu ajutorul voltmetrului: VE = _____, VB = _____, VC = _____.
15. Se determină indirect VBE = VB - VE = _____, VCE = VC - VE = _____.
VE V CC−V C
16. Se determină indirect I E = =¿ ¿ , I C = =¿ ¿.
RE RC

4 din 5
 Denumirea cursului: Dispozitive electronice

Întrebări de verificare a cunoștiințelor

1. Care sunt mărimile care caracterizează punctul static de funcționare pentru un tranzistor
bipolar?
2. Cum se determină PSF în practică?
3. Cum se determină PSF în simulare?
4. Prin ce se caracterizează tranzistorul saturat ?
5. Prin ce se caracterizeaza tranzistorul blocat ?

5 din 5