Cef Cap2

Capitolul II
AMPLIFICATOARE FUNDAMENTALE
08.03.2016
Capitolul II
2.1 Comparatie intre bipolar si MOS

2.2 Etaje de amplificare cu tranzistor bipolar (TB)
2.3 Etaje de amplificare cu TEC-J
2.4 Amplificatoare cascod
2.5 Amplificator parafază
2.6 Amplificatoare diferenţiale (AD)
2.7 Cascodul diferenţial
2.8 Amplificatoare operaţionale (AO)
2.9 Probleme de amplificatoare FUNDAMENTALE
CEF
4.5 Comparaţie între tranzistoarele bipolar şi MOS
2.1 Comparaţie între bipolar şi MOS

Bipolar MOS
B G
Analogie între E S
electrozi C D
- B
C
Simbol B
E
iin (regim iE
cvasistaţionar) iB  0
F
08.03.2016 CEF
Bipolar MOS
rin
rπ ∞
(în B/G)
vGS > VT0
vBE > VBE,on
= 0,4 – 0,7 V
= 0,5 – 0,7 V
Regiune activă (de
amplificare) vDS > VDS,sat =∆vGS
vCE > VCE,sat
= 0,2 – 0,4 V
= 0,1 – 0,2 V
IC / ID
4 - 6 decade 2 – 4 decade
(domeniu)
08.03.2016 CEF
Bipolar MOS
1 1 1
- inversie slabă
Vth 2  1 nVth
IC
1 2k n
I KF - inversie puternică
gm / IC(D) ID
1
I C  I KF
Vth WCoxvsat
1 - saturaţia
I C  I KF ID vitezei
2Vth
08.03.2016 CEF
Bipolar MOS
gm gm
2 C  C  2 C gs  C gd 
n 3 n
fT V VGS
wB2 th
4 L2
C  g m F  C j , E  C  C gs  Cgd 
vsat vsat
fT,max
2wB 2L
08.03.2016 CEF
gm/IC(D)
1
1 Vth
nVth
1
2Vth
IKF IC(D)
Fig. 2.1
08.03.2016 CEF
• Regimul activ de funcţionare (amplificare)
Definite prin condiţii similare

– regim activ normal la tranzistorul bipolar
– regim de saturaţie la MOS
• Circuitul de intrare (regim cvasistaţionar)
– în bază este unic iB = iC / βF
Puterea de comandă în poartă este mult mai mică decât în bază pentru aceeaşi
putere la ieşire
08.03.2016 CEF
Capitolul II

CEF
2.2.1 Etaj emitor comun (EC)
Fig. 2.2a
CEF
R i, t / R o, t - rezistenţa de intrare/ieşire a tranzistorului
Ri / Ro - rezistenţa de intrare/ieşire a etajului
R 'L - rezistenţa echivalentă de sarcină
CEF
rb  0
R 'L  R L || R C || ro
R i  R i, t  r (2.1a)
R o, t  ro
R o  R C || ro  R C ( RC  ro ) (2.1b)
CEF
R 'L
A v  o  g m R 'L (2.1c)
r
R 'L
A v,g  o (2.1d)
R g  r
R 'L
A i  o (2.1e)
RL
Rg R 'L
Ai,g  o (2.1f)
R g  r R L
'2
gmR L
A p  o (2.1g)
RL
CEF
2.2.2 Etaj bază comună (BC)
Fig. 2.2b
CEF
rb  0 , ro  
R 'L  R L || R C
r 1
R i  R i, t   (2.2a)
o  1 g m
R o, t  
Ro  RC (2.2b)
CEF
R 'L
A v  o  g m R 'L (2.2c)
r
g m R 'L
A v,g  (2.2d)
1  gmR g
o R 'L R 'L
Ai     Ai,g (2.2e)
o  1 R L RL
'2
RL
Ap  gm (2.2f)
RL
CEF
2.2.3 Etaj colector comun (CC)
Fig. 2.3c
CEF
rb  0
R 'L  R L || R E || ro
R i  R i, t  r  o  1R 'L (2.3a)
1 1 o  1 o  1
  
R o, t ro r  R g r  R g
1
 1 o  1  r  R g
R o  R E ||     (2.3b)
r R r  o  1
 o g 
CEF
Av 
o  1R 'L
1 (2.3c)
r  o  1R L'
A v,g 
o  1R 'L
1 (2.3d)
r  R g  o  1R 'L
R 'L
Ai  o  1 (2.3e)
RL
Rg 1 Rg
Ai,g  o  1 R 'L  (2.3f)
Rg  Ri R L RL
R 'L
A p  o  1 (2.3g)
RL
CEF
2.1.4 Etaj cu sarcină distribuită şi tranzistor bipolar
Fig. 2.2d
CEF
rb  0 , ro  
R 'L  R L || R C
R i  R i, t  r  o  1R 'L (2.4a)
R o, t  
Ro  RC (2.4b)
CEF
o R 'L R 'L
Av    (2.4c)
r  o  1R E RE
o R 'L R 'L
A v,g   (2.4d)
R g  r  o  1R E RE
R 'L
A i  o (2.4e)
RL
'2
RL
A p  o (2.4f)
R ER L
CEF
Capitolul II

CEF
2.3.1 Etaj sursă comună (SC) cu TEC-J
Fig. 2.3a
CEF
R 'L  R L || R D || rds
R i  R i, t   (2.5a)
R o, t  rds
R o  rds || R D  R D ( RD  rds ) (2.5b)
A v  A v,g  g m R 'L (2.5c)
Ai  Ai , g  A p  A p , g   (2.5d)
CEF
2.3.2 Etaj grilă comună (GC) cu TEC-J
Fig. 2.3b
CEF
rds  
R 'L  R L || R D
1
R i  R i, t  (2.6a)
gm
R o, t  
Ro  RD (2.6b)
CEF
R 'L
A v  o  g m R 'L (2.6c)
r
g m R 'L
A v,g  (2.6d)
1  gmR g
R 'L
Ai   (2.6e)
RL
R 'L g m R g
Ai,g  (2.6f)
R L 1  gmR g
'2
RL
Ap  gm (2.6g)
RL
CEF
2.3.3 Etaj drenă comună (DC) cu TEC-J
Fig. 2.3c
CEF
R 'L  R L || R S || rds
R i  R i, t   (2.7a)
rds
R o, t 
1  g m rds
RS
Ro  R S  rds  (2.7b)
1  gmRS
g m R 'L
A v  A v,g  (2.7c)
1  g m R 'L
Ai  Ai , g  A p  A p , g   (2.7d)
CEF
2.3.4 Etaj cu sarcină distribuită şi TEC-J
Fig. 2.3d
CEF
rds  
R 'L  R L || R D
R i  R i , t  R o, t   (2.8a)
Ro  RD (2.8b)
g m R 'L
A v  A v,g  (2.8c)
1  gmRS
Ai  Ai , g  A p  A p , g   (2.8d)
CEF
2.3 Etaje de amplificare cu MOS
2.3.5 Etaje sursă comună (SC) cu MOS
Fig. 2.3 e-h
CEF
(a),(b),(c),(d) Ri   (2.9a)
1
(a),(b),(c) Ro   rds1 || rds 2 (2.9b)
g ds1  g ds 2
1
(d) Ro  (2.9c)
g m 2  g ds1  g ds 2
CEF
g m1  g m 2
(a) Av   (2.9d)
g ds1  g ds 2
g m1
(b) Av   (2.9e)
g ds1  g ds 2
gm2
(c) Av   (2.9f)
g ds1  g ds 2
g m1
(d) Av   (2.9g)
g m 2  g ds1  g ds 2
(a),(b),(c),(d) Ai  A p   (2.9h)
CEF
2.3.6 Etaj drenă comună (DC) cu MOS
Fig. 2.3i
CEF
R 'L  R L || rds1 || rds 2 || g mbs

1
1
Ri   (2.10a)
1
Ro  (2.10b)
g m1  g mbs1  g ds1  g ds 2
g m1R 'L
Av  (2.10c)
1  g m1R 'L
Ai  Ai , g  A p  A p , g   (2.10d)
CEF
2.3.7 Inversorul CMOS
Fig. 2.3j
CEF
Caracteristica de transfer
( VDD  2v I )  ( VDD  2VT )  2 VDD  ( VDD  v I  VT )2
vO 
1  ( v I  VT )2  2  ( VDD  v I  VT )2
Fig. 2.3k
VI ,A  vI  VI ,B zona activa (de saturatie)
iD2 =iD1 impune blocarea lui Q2 desi are o tensiune efectiva de comanda mai
mare decât tensiunea de prag (VOV2=VDD - vI -VT >0).
VI,B <VI ≤ VDD-VT Q1 functioneaza in zona de trioda iar Q2 se mentine in
saturatie
vI >VDD-VT tranzistorul Q2 se inchide (rezulta vOV2 < 0) si blocheaza si pe Q1
prin vDS1=0
Intre punctele de functionare A si B, Q1 si Q2 sunt in zona de amplificare si
ecuatia caracteristicii de transfer rezulta din egalitatea curentilor de drena
CEF
Castigul la semnal mic
Fig. 2.3l
vo g m1  g m2
Av  Av.max    ( g m1  g m2 )  ( ro1 || ro2 )
vi go1  go2
Ro  ro1 || ro2
CEF
Capitolul II

CEF
2.4.1 Cascodul cu TB
Fig. 2.4a
CEF
ro  
R 'L  R L || R C
g m1  g m 2  g m , r1  r2  r
R i  r || R B  r ( r  R B ) (2.11a)
Ro  RC (2.11b)
CEF
A v  g m R 'L (2.11c)
r
A v,g  g m R 'L (2.11d)
r  R g
Ri R 'L
Ai   A v  o (2.11e)
RL RL
g m R 'L2
A p  o (2.11f)
RL
CEF
Observaţii:
• R i , R o , A v , A v,g au aceleaşi expresii la cascodul TB şi etajul EC
• fsCas TB  fsEC ( f s - frecvenţa limită de sus)
CEF
2.4.2 Cascodul cu TEC-J
Fig. 2.4b
CEF
rds  
R 'L  R L || R D
I D I DSS
g m1  g m 2 2
VT
Ri   (2.12a)
Ro  RD (2.12b)
CEF
A v  A v,g  g m R 'L (2.12c)
Ai  Ai , g  A p  A p , g   (2.12d)
CEF
2.4.3 Cascodul CMOS
Fig. 2.4c
CEF
Ri   (foarte mare) (2.13a)
g m1  RL'
Av  Av ,g  (2.13b)
1  g ds2  RL'
1
( g m2  g ds2 )  rds1
rds1  rds 2   R 'L  R L || rds3

Av  Av,g   gm R'L (2.13c)
R o  rds3 (2.13d)
In absenta sursei cu Q3
Ro  ( gm2  gds2 )  rds1  rds2 (2.13e)
CEF
Amplificarea intrinsecă (în gol)

R'L  
Avo   gm1  rds1  ( gm2  go2 )  ro2  Avo,SC  Avo,GC (2.13f)
Amplificator transconductanţă (Ri , Ro foarte mari)
io g m1
Gm    g m1
vi 1 (2.13g)
vo 0 1
ro1  ( g m2  go2 )
Av   g m1  ( Ro RL )  Gm  ( Ro RL ) (2.13h)
CEF
2.4.4 CASCODUL CMOS pliat
Fig. 2.4d
Cascod CMOS pliat
Q1, Q3 tranzistoare amplificatoare
Q1-etaj SC Q3-etaj GC
Q2, Q4 - surse de curent
I D4  I D1  I D2
g m1 2kn1  I D1
Av   g m1  rds2   (2.14)
g ds2 n2  I D2
 I D1  I D2
2.4.5 Cascodul Bi-TEC
Fig. 2.4d
CEF
rds1  ro 2  
R 'L  R L || R C
Ri   (2.14a)
Ro  RC (2.14b)
A v  A v,g  g m1R 'L (2.14c)
Ai  Ai , g  A p   (2.14d)
CEF
Capitolul II

CEF
Fig. 2.5a
CEF
ro1  ro 2  
g m1  g m 2  g m
r1  r2  r
R 'L  R L || R C
Ri  r (2.15a)
Ro  RC (2.15b)
CEF
Av  gm RL (2.15c)
RL
Av ,g  o (2.15d)
r  Rg
Ai  o (2.15e)
Rg
Ai ,g    o (2.15f)
Rg  r
Ap  o gm RL (2.15g)
CEF
Fig. 2.5b
CEF
Capitolul II

CEF
2.6.1 Definiţie
 Amplificator cu două intrări şi 1 sau 2 ieşiri

 Amplifică diferenţa semnalelor de intrare
 Intrare inversoare (-)
 Intrare neinversoare (+)
CEF
Circuitul de intrare
Fig. 2.6a
ii  ii,c  ii,d ii  ii,c  ii,d
 vi,d  vi,d
v  vi,c 
i v  vi,c 
i
2 2
CEF
2.6.2 Parametrii AD
Parametrii specifici de mod diferenţial
Tensiunea diferenţială de intrare: vi,d  vi  vi
Curentul diferenţial de intrare: ii , d 

1  
 ii  ii
2

Dacă AD are 2 ieşiri:
Tensiunea diferenţială de ieşire: vo,d  vo  vo
Curentul diferenţial de ieşire: i o,d 

1  
 io  io
2

CEF
Parametrii specifici de mod comun
Tensiunea de mod comun la intrare: vi , c

1 

 vi  vi
2

Curentul de mod comun la intrare: ii , c 
1  
 ii  ii
2

Dacă AD are 2 ieşiri:
Tensiunea de mod comun la ieşire: vo,c

1 

 vo  vo
2

Curentul de mod comun la ieşire: i o,c 
1  
 io  io
2

CEF
Excitare pură de mod diferenţial

vi,d
vi,c  0 i i,c  0 
v  v 
i

i
2
Fig. 2.6b
Rezistenţa de intrare de mod diferenţial ( R i,d )

v i,d
R i,d 
i i,d
CEF
Excitare pură de mod comun
vi,d  0 i i,d  0 vi  vi  vi,c
Fig. 2.6c
Rezistenţa de intrare de mod comun ( R i,c )
v i,c
R i,c 
i i,c
CEF
Amplificarea de tensiune de mod diferenţial:
v o,d vo
A v,d  A v,d 
v i,d v i,d v i, c  0
v i, c  0
Amplificarea de tensiune de mod comun:
vo,c vo
A v,c  A v,c 
vi , c v 0
v i,c v i, d  0
i ,d
Factorul de rejecţie al modului comun:
A v,d
CMRR 
A v,c
CEF
Observaţii:
vi , d vi , d
• vi  vi , c  vi  vi , c 
2 2
• Amplificatorul lucrează pe mod pur diferenţial dacă:

vi , d
vi , c  0 vi   vi 
2
• Amplificatorul lucrează pe mod pur comun dacă:
vi , d  0 vi  vi  vi,c
CEF
2.6.3 AD cu TB şi ieşire simetrică
Fig. 2.6d
CEF
Analiza de curent continuu (cc)
Q1  Q2  VBE1  VBE 2  VBE
VEE  VBE
IC1  IC 2  IC 
2R E
VCE1  VCE 2  VCC  R CIC  VBE
Transconductanta(panta) AD
gm1  gm1  gm  40IC
CEF
Analiza de mod diferenţial
Fig. 2.6e
CEF
vi,d vi,d
vi,d  v be1  v be2  2v be1  v be1  , v be2  
2 2
vi,d vi,d
i c1  g m1 v be1  g m , i c2  g m2 v be2  g m
2 2
vo,d   ic2  ic1   RC ro    gmvi,d  RC ro 
Amplificarea de mod diferenţial
  g m  RC ro 
vo,d
Av,d  (2.16a)
vi,d
CEF
Rezistenţa de intrare de mod diferenţial
Fig. 2.6f
vi,d vi,d vi,d

R i,d     2rπ1  2rπ (2.16b)
i i,d i b1 v be1/rπ1
CEF
Analiza de mod comun
CEF
vi,c  v be1  vi,c  v be2  vbe1  v be2  i c1  i c2
ic1  1 
vi,c  vbe1  2Ros ic1   2Ros ic1    2Ros  ic1
g m1  g m1 
vi,c  2Ros ic1

 
v  v  R Ci c1
o o
rc1 ro2 efect neglijabil
CEF
Amplificarea de mod comun
vo  vo 2vo RC

Av,c   
   (2.16c)
vi  vi 2vi 2Ros
Rezistenţa de intrare de mod comun

vi  vi vi vi,c
Ri,c        rπ1   β0  1 2Ros  2β0 Ros
ii  ii ii ib1
(2.16d)
RL'
CMRR  2g m Ros (2.16e)
RC
RL'  RC ||ro
CEF
Observaţii:
• CMRR  dacă R E  şi/sau IC 
• VEE , R E  sursă de curent constant cu R os  R E
R 'L
CMRR  2g m R os (2.16f)
RC
CEF
2.6.4 AD cu TB şi ieşire nesimetrică
Fig. 2.6h
CEF
Q1  Q2 , Q3  Q4
Q1, Q2 - AD
Q3 , Q4 - oglindă de curent (sarcină activă)
CEF
Analiza de cc
VBE1  VBE 2  VBE
VEE  VBE
IC1  IC 2  IC 
2R E
VCE1  VCC  VEB3  VBE
VCE 2  VCC  VEC 4  VBE  VCE1
CEF
Analiza de ca
vBE1  VBE  vi
vBE 2  VBE  vi

 v BE1   VBE   vi 
iC1  IS exp    IS exp   exp  
 Vth   Vth   Vth 
 vi 
i C1  I C exp  
 Vth 
 v BE 2   vi 
i C2  IS exp    I C exp  
 Vth   Vth 
CEF
Neglijând curenţii de bază 
iC1  iC3  iC4
iO  io  iC2  iC4
  vi   vi 
i o  IC exp    exp  
  Vth   Vth 
CEF
vi , vi  Vth (semnal mic) 
vi  vi
i o  IC
Vth

 g m vi  vi 

vo  R Lio  g m R L vi  vi 
CEF
• Modul diferenţial
vi , d
vi   vi 
2
v o , d  g m R L vi , d
A v, d  g m R L (2.17a)
CEF
• Modul comun
vi  vi  vi,c
A v,c  0 (2.17b)
CMRR   (foarte mare) (2.17c)
CEF
• Intrarea inversoare (-)

vi  0  vo  g m R L vi
• Intrarea neinversoare (+)
vi  0  vo  g m R L vi
CEF
Observaţie:
Dacă nu se neglijează curenţii de bază şi efectul Early
• A v,c  0
• CMRR finit
CEF
2.6.5 AD – CMOS
Fig. 2.6i
CEF
Q1  Q2 , Q3  Q4
k n1  k n 2  k n
VT1  VT 2  VT 0
VT3  VT 4  VT' 0
CEF
Analiza de cc
VGS1  VGS2  VGS
VSG 3  VSG 4
kn
I D1  I D 2  I D3  I D 4  I D  VGS  VT 0 2
2
VDS1  VDD  VSG 3  VGS
VDS2  VDD  VSD 4  VGS
CEF
Analiza de ca
g m1  g m 2  g m  k n VGS  VT 0 
vGS1  VGS  vi
vGS2  VGS  vi
i D1  i D3  i D 4
io  i D 2  i D1
CEF
vo  R Lio  R L i D1  i D2 
vo  R L
kn
2

vGS1  VT 0 2  vGS2  VT 0 2 
vo  R L
kn
2

2VGS  2VT 0  vi  vi vi  vi  
vi , vi  2VGS  VT 0  (semnal mic)
vo  R L k n (VGS  VT 0 ) ( vi  vi )  g m R L ( vi  vi )
CEF
vi , d
vi   vi 
2
A v, d  g m R L (2.18a)
CEF
• Modul comun
A v,c  0 (2.18b)
CMRR   (2.18c)
CEF
Observaţie:
Când se ţine cont de efectul scurtării canalului
• A v,c  0
• CMRR finit
CEF
2.7.1 Cascodul diferenţial cu TB
Fig. 2.7a
CEF
Capitolul II

CEF
Analiza de cc
VBE1  VBE 2  VBE3  VBE 4  VBE
VEE  VBE
IC1  IC 2  IC3  IC 4  IC 
2R E
R B2
VCE1  VCE 2  VB  VCC
R B1  R B2
VCE3  VCE 4  VCC  VBE  VB  R CIC
CEF
Analiza de ca
ro   , rb  0
g m1  g m 2  g m3  g m 4  g m
r1  r2  r3  r4  r
RL
R 'L  R C ||
2
CEF
• Semicircuitul de mod diferenţial
Fig. 2.7b
CEF
R i,d  2r (2.19a)
A v,d  g m R 'L (2.19b)
CEF
• Semicircuitul de mod comun
Fig. 2.7c
CEF
R i,c  r  o  12R E  2o R E (2.19c)
RC
A v,c  (2.19d)
2R E
R 'L
CMRR  2g m R E (2.19e)
RC
CEF
2.7.2 Cascodul diferenţial CMOS
Fig. 2.7d
CEF
Q1  Q2 n-MOS, Q3  Q4 p-MOS
Q5  Q6 n-MOS cu B  S
CEF
Analiza de cc
VT1  VT 2  VT 0 , VT3  VT 4  VT' 0
k n1  k n 2  k n , k p3  k p 4 , k n 5  k n 6
VGS1  VGS2  VGS , VSG 3  VSG 4 , VGS5  VGS6
ID1  ID2  ID3  ID4  ID5  ID6  ID
CEF
VT5  VT 6  VT 0   n  2 F  VBS5  2 F  (1)
k n5
ID  VGS5  VT5 2 (2)
2
VGS5  VBS5  VGG  VSS (3)
Din (1), (2) şi (3)  VGS5 , VT5 , VBS5
VDS1  VDS2  VGG  VGS5  VGS
CEF
Analiza de ca
vGS1  VGS  vi
vGS2  VGS  vi
g m1  g m 2  g m  k n VGS  VT 0 
CEF
vo  R Lio  R L i D4  i D6   R L i D1  i D2 
vo  R L
kn
2

vGS1  VT 0 2  vGS2  VT 0 2 
vo  R L
kn
2

2VGS  2VT 0  vi  vi vi  vi  
vi , vi  2VGS  VT 0  (semnal mic)
vo  k n R L (VGS  VT 0 ) ( vi  vi )  g m R L ( vi  vi )
CEF
vi , d
vi   vi 
2
A v, d  g m R L (2.20a)
CEF
• Modul comun
vo, c  0
A v,c  0 (2.20b)
CEF
2.7.3 Cascodul diferenţial Bi-TEC
Fig. 2.7e
CEF
ID1  ID2  IC3  IC4  IC5  IC6  ID
2 I D I DSS
g m1  g m 2  gm 
VT 0
A v, d  g m R L (2.21a)
A v,c  0 (2.21b)
CEF
Capitolul II

CEF
Amplificator operational- schema de baza
Fig. 2.8a
vo
Ri ,d   Av ,d   
vi  vi
CEF
2.8 Amplificatoare operationale
Etajul de intrare- amplificator diferential

M1-M2 – tranzistoare amplificatoare
M3-M4 – sarcina activa
Etajul intermediar- etaj EC

Q1 – tranzistor amplificator
I B , M5-M7 – retea de polarizare la curent constant a etajelor

I B  0, 4mA RL  100k  0  300
Av1   g m1 Ri 2   g m1r
I D1  I D 2  0, 2mA
 0 RL
k p1  k p 2  0,1mA / V 2
Av 2   g m RL  
r
g m  2k p1 I D1  0, 2mA / V Av ,d  Av1 Av 2  g m1 0 RL  6000
Fig. 2.8b
CEF
vi  vi
R i  R i,d   
ii  ii
vo
Ro 
io v i  v i  0
vo
a v  a v,d  
vi  vi
CEF
AO ideale: a v   , Ri   , Ro  0
• vo  0 dacă vi  vi  0
• CMRR  
AO reale: a v  105...106 , R i  2M , R o  100

 
v
• i  v i (mV)
• ii  ii  0 (zeci de nA)
CEF
Aplicaţii
 Circuit inversor
Fig. 2.8c
CEF
vi  0
vi  R1i
vo  R 2i
vo R2
Av   (2.22a)
vi R1
v o în antifază cu vi
CEF
 Circuit sumator
Fig. 2.8d
nvi , k
vo  R  (2.22b)
k 1 R k
CEF
 Circuit de derivare
Fig. 2.8e
CEF
dvi
iC
dt
vo  R i
dvi
vo  RC (2.22c)
dt
CEF
 Circuit de integrare
Fig. 2.8f
CEF
vi  Ri
dvo
i  C
dt
dvo
vi  RC
dt
1 t
vo    vi dt (2.22d)
RC 0
CEF
 Circuit neinversor
Fig. 2.8g
CEF
vi  vi  vi
vi  R1i
vo  R1  R 2 i
vo R2
Av  1 (2.22e)
vi R1
v o în fază cu vi
CEF
 Circuit repetor
Fig. 2.8h
vi  v o
Av  1 (2.22f)
CEF
 Amplificator diferenţial
Fig. 2.8i
CEF
v  R1i  vi
vo  R 2i  vi
R4
vi  v
R3  R 4
v   vi vo  vi
i 
R1 R2
v  vo  1 1  R4  1 1  
  vi        v
R1 R 2  R1 R 2  R 3  R 4  R1 R 2 
CEF
R 4 R1  R 2  R 2 
vo  v  v
R 3  R 4 R1 R1
R1 R 3

R2 R4
 vo 
R2 
R1
v  v 
vo R2
A v, d   
 (2.22g)
v v R1
CEF
 Amplificator logaritmic
Fig. 2.8j
CEF
vi  Ri
vo   vBE
 v BE 
i  i C  IS exp   (Q în RAN)
 Vth 
vi
vo  Vth ln (2.22h)
RIS
CEF
 Convertor tensiune – curent
Fig. 2.8k
vi
Io  I D  (2.22i)
RS
CEF
 Convertor curent – tensiune
Fig. 2.8m
vo  R i  R I (2.22j)
CEF
Capitolul II

CEF
2.9.1 Algoritm de abordare
Determinarea parametrilor FUNDAMENTALE, frecvenţă joasă, ai

amplificatoarelor fără reacţie negativă globală are la bază următorul
algoritm:
 Se stabileşte schema de curent continuu a amplificatorului. Pentru

aceasta pe schema generală :
• se pasivizează sursele de semnal,

• se elimină ramurile ce conţin condensatoare,
• se substituie bobinele prin rezistenţa lor internă.
CEF
 Se determină psf şi parametrii dinamici ai dispozitivelor:

g m , ro , etc.
 Din schema generală se obţine schema de curent alternativ (de regim

dinamic) a amplificatorului prin:
• pasivizarea surselor de tensiune/curent continuu,
• scurtcircuitarea condensatoarelor C  ,
• eliminarea ramurilor care includ bobine de şoc/surse de curent
constant ideale.
CEF
 Se desenează schema de regim dinamic ca în Fig. 2.9a
Fig. 2.9a
 Amplificarea de tensiune se poate calcula prin inspecţie directă
vo vo i o i 2 i1 ii
Av   
vi i o i n i1 ii vi
CEF
Rapoartele din relaţia de mai sus se determină folosind:
• Legea lui Ohm, de exemplu (Fig. 2.9a)
vo
 R L
io
• Regula divizorului de curent, de exemplu (Fig. 2.9a)
i2 R

i1 R  R i 2
CEF
• Relaţiile între curenţii tranzistorului bipolar la semnal mic,

frecvenţe joase
ie ic ic o
 o  1  o  1
ib ib i e o  1
• Ecuaţia de transfer a TEC la semnal mic, frecvenţe joase
id  g m vds
CEF
• Rezistenţele de intrare/ieşire în tranzistorul bipolar ideal ( rb  0 ,

r  ro   ) la semnal mic, frecvenţe joase (Fig. 2.9b)
(a) (b) (c)

Fig. 2.9b
CEF
R be  r  o  1R E (Fig. 2.9b (a,b))
R be  r când R E  0
r  R B
R eb  (Fig. 2.9b (c))
o  1
r 1
R eb   când R B  0
o  1 g m
R ce  R cb   (Fig. 2.9b (a,c))
r 1
R ec   (Fig. 2.9b (b))
o  1 g m
CEF
• Rezistenţele de intrare/ieşire în TEC-ul ideal ( rds  ) la semnal

mic, frecvenţe joase (Fig. 2.9c)
(a) (b) (c)

Fig. 2.9c
R gs  R ds  R dg   (Fig. 2.9c (a,b,c))
1
R sg  R sd  (Fig. 2.9c (b,c))
gm
CEF
 Rezistenţele de intrare/ieşire în amplificator se deduc, de asemenea,

direct pe schema de regim dinamic (Fig. 2.9a)
R i  R i1 R o  R on
 Restul amplificărilor A vg , A i , A ig , etc, se calculează cunoscând A v ,

R i , R o cu formulele (1.3b … 1.12b)
CEF
2.9.2 Exemplu de amplificator FUNDAMENTALE
Determinaţi amplificarea de tensiune, rezistenţele de intrare şi ieşire

pentru amplificatorul FUNDAMENTALE cu două căi din Fig 2.9d.
Tranzistoarele au aceiaşi parametri:
VBE  0.6V , β F  β0  100 , rb  0 , ro  rμ  
CEF
Fig. 2.9d
CEF
Analiza de curent continuu

Schema de curent continuu a amplificatorului este prezentată în
Fig. 2.9e. Circuitul e simetric.
Fig. 2.9e
CEF
Se scriu relaţiile:
VCC  I1 R1  R 2   IB1R 2  I1 R1  R 2 
VCC
I1   1mA ( s-a presupus I B1  I1 )
R1  R 2
VB1  VB2  I1R 2  10V
VE  VB1  VBE  9.4V
VE  I2 R 5  R 6  , I2  1mA ( s-a considerat IB3  I2 )
CEF
VB3  I2R 6  4.7V
VE3  VB3  VBE  4.1V
VE3  I3R 7 , IE3  IC3  1mA
Deoarece VB1  VB2 şi respectiv VE1  VE 2 rezultă VBE1  VBE 2 .
IC1
Ca urmare IC1  IC2  1mA şi I B1  I B2  I B3   10A .
F
Deci curenţii de bază sunt neglijabili în raport cu I1 şi I 2 .
CEF
Se determină rezistenţa r a tranzistoarelor:
o o 100
r1  r 2  r3     2.5k
g m 40  IC 40
Tensiunile VCE se pot calcula fără dificultăţi. Se obţin valorile

VCE1  VCE2  5.6V , VCE3  5.3V , ce asigură funcţionarea
tranzistoarelor în RAN.
CEF
Observaţie:
Echivalarea Thevenin în baza unui tranzistor bipolar nu este necesară

dacă rezistenţele divizorului din bază sunt mai mici de 10k, deoarece
curentul prin divizor este mult mai mare decât curentul de bază.
CEF
Analiza de curent alternativ (regim dinamic)

Schema de regim dinamic e dată în Fig. 2.9f. Semnalul este transmis
de la generator la ieşire pe 2 căi: prin Q1 şi Q 2 respectiv prin Q 3
şi Q 2 .
Fig. 2.9f
CEF
Prin separarea celor două căi se obţine schema din Fig. 2.9g, pe care
se aplică teorema superpoziţiei.
Fig. 2.9g
CEF
Se pasivizează mai intâi generatorul v g2 . Se obţine schema din

Fig. 2.9h , unde R12  R1 R 2 şi R 89  R 8 R 9 .
Fig. 2.9h
CEF
Tranzistorul Q1 nu e activ (nu amplifică), comportându-se ca o

rezistenţă. Schema este redesenată în Fig. 2.9i , unde R  R eb1 || R 5 .
Fig. 2.9i
CEF
Pentru determinarea amplificării de tensiune se scrie (Fig. 2.9i):
vo1 vo1 i c 2 i e 2 i c3 i e3 ii1

A v1  
vg1 i c 2 i e 2 i c3 i e3 ii1 vg1
unde
vo1 ic2 ie 2 R
 R 4 1 
ic 2 ie2 i c3 R  R eb 2
i c3 i e3 R7 ii1 1 1
1   
i e3 ii1 R 7  R eb 3 vg1 R i1 R 7 R eb 3
CEF
Trecând la calcule se obţine:

R1R 2
R12   5k  R 89
R1  R 2
r1  R12
R eb1   75  R eb 2
o  1
r3
R eb 3   25
o  1
R i1  R 7 || R eb3  4.1k || 25  25
R  75 4.7k || 5k  75

A v1  100
CEF
În etapa a 2-a se pasivizează generatorul v g1(pe Fig. 2.9g se face

v g1  0 ) şi rezultă schema din Fig. 2.9h.
Fig. 2.9j
CEF
Tranzistorul Q 3 nu este activ (are doi electrozi la masă) şi se

comportă ca o rezistenţă. Schema este redesenată în Fig. 2.9k.
Fig. 2.9k
CEF
Amplificarea de tensiune este:
vo 2 vo 2 i c 2 i e 2 ie1 i b1 ii 2
Av2  
vg 2 i c 2 i e 2 i e1 i b1 ii 2 vg 2
unde
vo 2 ic2 ie 2 R5
 R 4 1   1
ic 2 ie2 i e1 R 5  R eb 2
i e1 i b1 R1 ii 2 1
 o  1  
i b1 ii 2 R1  R be1 vg 2 R i 2
CEF
Numeric rezultă:
R1R be1
R i2  R 2   15k
R1  R be1
R eb 2  75 , R be1  r1  o  1R 5 R eb 2   10k
A v 2  16.7
Semnalul total la ieşire este vo  vo1  vo 2 ; ca urmare

vo
Av   A v1  A v 2  116.7
vg
CEF
Pentru determinarea rezistenţei de intrare se are în vedere că la

intrare curentul total este (Fig. 2.9f): ii  ii1  ii 2 .
1
Rezultă: R i  R i11  R i21 . Cum R i1  R i 2 , se obţine:
R i  R i1  25
Rezistenţa de ieşire se poate calcula pe circuitul din Fig. 2.9g.

Rezultă:
R o  R 4 R cb 2  R 4  5k
CEF

Cef Cap2

Încărcat de

Informații document

Titlu original

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Cef Cap2

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Capitolul II

2.1 Comparatie intre bipolar si MOS

2.1 Comparaţie între bipolar şi MOS

• Regimul activ de funcţionare (amplificare)

Definite prin condiţii similare

• Circuitul de intrare (regim cvasistaţionar)

– în bază este unic iB = iC / βF

2.1 Comparatie intre bipolar si MOS

2.2.1 Etaj emitor comun (EC)

R i, t / R o, t - rezistenţa de intrare/ieşire a tranzistorului

Ri / Ro - rezistenţa de intrare/ieşire a etajului

R 'L - rezistenţa echivalentă de sarcină

2.2.2 Etaj bază comună (BC)

2.2.3 Etaj colector comun (CC)

R i  R i, t  r  o  1R 'L (2.3a)

2.1.4 Etaj cu sarcină distribuită şi tranzistor bipolar

R i  R i, t  r  o  1R 'L (2.4a)

2.1 Comparatie intre bipolar si MOS

2.3.1 Etaj sursă comună (SC) cu TEC-J

R o  rds || R D  R D ( RD  rds ) (2.5b)

A v  A v,g  g m R 'L (2.5c)

2.3.2 Etaj grilă comună (GC) cu TEC-J

2.3.3 Etaj drenă comună (DC) cu TEC-J

2.3.4 Etaj cu sarcină distribuită şi TEC-J

2.3.5 Etaje sursă comună (SC) cu MOS

Fig. 2.3 e-h

2.3.6 Etaj drenă comună (DC) cu MOS

R 'L  R L || rds1 || rds 2 || g mbs

2.3.7 Inversorul CMOS

VI ,A  vI  VI ,B zona activa (de saturatie)

Castigul la semnal mic

2.1 Comparatie intre bipolar si MOS

• R i , R o , A v , A v,g au aceleaşi expresii la cascodul TB şi etajul EC

• fsCas TB  fsEC ( f s - frecvenţa limită de sus)

2.4.2 Cascodul cu TEC-J

A v  A v,g  g m R 'L (2.12c)

2.4.3 Cascodul CMOS

Ri   (foarte mare) (2.13a)

rds1  rds 2   R 'L  R L || rds3

Amplificarea intrinsecă (în gol)

Avo   gm1  rds1  ( gm2  go2 )  ro2  Avo,SC  Avo,GC (2.13f)

Amplificator transconductanţă (Ri , Ro foarte mari)

2.4.5 Cascodul Bi-TEC

A v  A v,g  g m1R 'L (2.14c)

2.1 Comparatie intre bipolar si MOS

2.1 Comparatie intre bipolar si MOS

 Amplificator cu două intrări şi 1 sau 2 ieşiri

 Intrare inversoare (-)

 Intrare neinversoare (+)

ii  ii,c  ii,d ii  ii,c  ii,d

Parametrii specifici de mod diferenţial

Tensiunea diferenţială de intrare: vi,d  vi  vi

Curentul diferenţial de intrare: ii , d 

Tensiunea diferenţială de ieşire: vo,d  vo  vo

Curentul diferenţial de ieşire: i o,d 

Parametrii specifici de mod comun

Tensiunea de mod comun la intrare: vi , c

Tensiunea de mod comun la ieşire: vo,c

Excitare pură de mod diferenţial

Rezistenţa de intrare de mod diferenţial ( R i,d )

Excitare pură de mod comun

vi,d  0 i i,d  0 vi  vi  vi,c

Amplificarea de tensiune de mod diferenţial: