Curs 11

TRANZISTOARE BIPOLARE ȘI CMOS

DE CUPRINS C11

 TB
 Punct static de funcționare – problemă

 Tranzistoare CMOS
 Simboluri
 Structura fizică
 Principiul de funcționare
 Caracteristici de transfer
 Carateristici de ieșire
 Regiuni de funcționare
 Punct static de funcționare
 Moduri de utilizare

pentru TMOS cu canal n indus şi canal p indus. 2

DE TB C11
Problemă

Pentru circuitul dat, β = 100 şi vBE,o n = 0.7V.

a) care este PSF Q(VCE , IC)?

b) în ce regiune se află T ?

Rezolvare

a) Deoarece IB este foarte mic şi IC = IE + IB, rezultă IC = IE.

VRB2 - divizorul de tensiune

3
DE TB C11

și I C = IE

Așadar

Q(2.15mA; 4.25V)

4
DE TB C11

b) Deoarece VRB2 > vBE, on,

T se află în regiunea activă sau în regiunea de saturaţie.

IC < ICex
?
IC > ICex

IC < ICex
15  0.2 14.8
I Cex    2.96mA
3k  2k 5 10 3
TB → regiunea activă
2.15mA < 2.96mA

5
DE Tranzistoare CMOS - tranzistoare cu efect de câmp metal-oxid-semiconductor C11
Simboluri

D – drenă
G – grilă
S – sursă
B – bază (substrat)

6
DE Tranzistoare CMOS C11
Structura fizică
Canal n indus

Condiții pentru a avea curent între drenă și sursă:

 formarea unui canal cu purtători majoritari de tip n de la drenă la

sursă
 crearea unei diferențe de potențial pozitive drenă – sursă care
să antreneze purtătorii pentru a creea un curent electric

7
DE Tranzistoare CMOS C11
OPȚIONAL
Structura fizică

VP - tensiunea de prag

8
DE Tranzistoare CMOS C11
OPȚIONAL
Structura fizică

ID = 0

9
DE Tranzistoare CMOS C11
OPȚIONAL
Structura fizică

Curentul depinde liniar de VGS

10
DE Tranzistoare CMOS C11
Structura fizică OPȚIONAL

Curentul depinde neliniar de (VGS –VP)2 11

DE Tranzistoare CMOS C11
Curentul prin tranzistor

Curentul prin tranzistor ID depinde de:

 VGS - formarea canalului

 VDS – deplasarea dirijată a purtătorilor între D și S

I D  f (VGS , VDS )

12
DE Tranzistoare CMOS C11
Principiu de funcționare

Pentru a înţelege funcţionarea TMOS vom utiliza

caracteristicile statice la terminalele TMOS cu canal n:

I D  f (VGS , VDS )

 Familia de caracteristici de transfer

iD  iG  iS nod de curent
iG  0
iD (vGS ) cu parametrul vDS
i D  iS
 Familia de caracteristici de ieșire vGS  vCo
iD (vDS ) cu parametrul vGS v DS  v Al
13
DE Tranzistoare CMOS C11
Caracteristici de transfer iD (vGS ) cu parametrul vDS

• Regiunea de saturație vDS  VDSsat

iD   (vGS  VP ) 2
iD – depinde doar de pătratul vGS VDSsat  vGS  VP
tensiunea drenă-sursă
de saturație

• Regiunea liniară vDS  VDSsat, vDS – mic,

iD   [2(vGS  VP )vDS  vDS ]

2

iD – depinde liniar de tensiunea de comandă vGS

VP=0.58V, β=104μA/V2
- depinde de tensiunea de ieșire vDS,
14
DE Tranzistoare CMOS C11
Caracteristici de ieșire iD (vDS ) cu parametrul vGS

• Regiunea de saturație (activă)

iD   (vGS  VP ) 2

vDS  VDSsat

• Regiunea liniară

iD   [2(vGS  VP )vDS  vDS ]

2

vDS  VDSsat
15
DE Tranzistoare CMOS C11
Exemplu VCo1  0.5V
• Ce valori au VGS, ID, VDS, VGD, VDSsat VCo 2  2V
pentru următoarele valori ale VCo?
VCo 3  3V 5V

• Plasați punctele statice de

functionare Q(VDS, ID), în planul
caracteristicilor de ieșire.

• În ce regiuni de funcționare
lucrează tranzistorul?

iD (vGS )
VP=0.58V, β=104μA/V2 iD (vGS ) 16
DE Tranzistoare CMOS C11
Regiuni de funcționare

Regiunea activă Regiunea liniară

iD   (vGS  VP ) iD   [2(vGS  VP )vDS  vDS ]

2 2

β – parametru constructiv al tranzistorului TMOS;

– factorul beta se măsoară în µA/V2, mA/V2, A/V2;
– pentru tranzistoare discrete se poate extrage din caracteristicile de catalog

Pentru tranzistoarele integrate avem:


KW
iD 
KW
vGS  VP 2 regiunea activă
2 L 2 L
K - parametrul transconductanţă şi se măsoară în µA/V2
W - lăţimea canalului prin care circulă iD
L - este lungimea canalului prin care circulă iD 17
DE Tranzistoare CMOS C11
Punct static de funcționare

Dreapta de sarcină:
vDS =VAl -RD iD

Punctul static de funcționare Q(ID, VDS) se află

la intersecţia dintre drepta de sarcină și
VDS caracteristica corespunzătoare tensiunii vGS
18
DE Tranzistoare CMOS C11
Moduri de utilizare

T – (b): VGS < VP IDex

T – (aF): VP < VGS < VGS3
T – (cex): VGS >VGS3

Regiunile (cex) şi (aF) sunt separate de curba

VDSsat=VGS –VP
VD
S

în comutare (b) (cex)

Moduri de
ca amplificator (aF)
utilizare
rezistenta liniară comandată în tensiune, vDS mică (cex)
19
DE Tranzistoare CMOS C11
Problemă Pentru T se cunosc VP=1V, β=2mA/V2

a) În ce regiune se află T pentru:

i) vGS=0.8V; ii) vGS=2.5V; iii) vGS =4V

b) Valoarea minimă a vGS pentru care T este în (cex)?

Rezolvare
a) i) vGS<VP, deci T (b)
ii) vGS>VP, deci T (cex) sau (aF) iD =2·(2.5 -1)2= 4.5mA vDS =20-3 · 4.5= 6.5V

comparam vDS cu vDSsat vDS =VAl -RD ·iD vDS sat= vGS –VP=2.5-1= 1.5V
presupunem T în (aF) iD= β (vGS –VP)2 vDS>vDssat presupunerea T - (aF) este adevărată
T este în (aF)

iii) vGS=4V>VP, deci T (cex) sau (aF) iD =2·(4-1)2 =18mA presupunerea T - (aF) este falsă
vDS =20-3·18= -34V T este în (cex) 20
 DE Tranzistoare CMOS C11
Problemă
Altă modalitate de rezolvare iii) : compararea valorii iD în (aF) cu iDex
V Al  vDS ,ex V Al 20
iDex     6.67 mA
R R 3

Dacă se dorește determinarea Q în (cex) se utilizează pentru iD ecuația din regiunea liniară și ecuația dreptei de sarcină.

iD=18mA > iDex=6.67mA  T - (cex)

b) Valoarea minimă vGSmin pentru care T este în (cex) corespunde plasării lui T pe curba vDSsat.

vDSsat = vGSmin-VP iD = β·(vGSmin-VP)2

vDSsat = VAl -R·iD (vGSmin-VP) -VAl + R·β(vGSmin -VP)2 = 0
VAl -R·iD= vGsmin -VP din soluţia (vGSmin -VP )>0 VGSmin =2.744V
21
DE C11
Activitate curs - P10

Pentru circuitul din figură se dă caracteristica de comanda iD(vGS).

Să se determine regiunea de funcționare a tranzistorului și punctul static de funcționare Q(ID,VDS) pentru:
a) R1=4.5 MΩ; R2=0.5 MΩ.
b) R1=12 MΩ; R2=6 MΩ.

Observații ajutătoare pentru rezolvare:

- din caracteristica de comandă se observă că VP=2V și β=0.5mA/V2 (de ex. pt vGS=4V valoarea curentului este iD=2mA);
- tensiunea din grila T se determină cu ajutorul divizorului de tensiune.
22
DE C11

Ce am învățat azi despre tranzistoarele CMOS?

 Simboluri
 Structura fizică
 Principiul de funcționare
 Caracteristici de transfer
 Carateristici de ieșire
 Regiuni de funcționare
 Punct static de funcționare
 Moduri de utilizare

23