Sisteme cu circuite integrate digitale

Structuri logice CMOS

Prof. dr. ing. Sorin Hintea

Departamentul Bazele Electronicii
 Cuprins

Structuri logice CMOS

 Tehnologia CMOS
 Inversorul CMOS. Mod de funcţionare şi caracterisitici
 Puterea disipată
 Marginea de zgomot şi fan-out-ul
 Porţi logice CMOS
 Poarta de transmisie, inversorul cu 3 ieşiri, multiplexorul
 Bistabilul D
 Familii de circuite logice CMOS

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 2

 Tehnologia CMOS
 Cea mai răspandită tehnologie de producţie a circuitelor integrate digitale VLSI
 Tehnologia CMOS foloseşte perechi de tranzistoare cu canal n (nMOS) şi cu canal p
(pMOS) dispuse în randuri şi coloane
 Tranzistorul nMOS este construit în substratul de tip p iar pentru dispozitivul pMOS
este creată o regiune n-well cu scopul de a acţiona ca “bulk” pentru regiunile difuzate
p+
 Dimensiunile tranzistorului sunt date de dimensiunile canalului şi au devenit tot mai
mici cu fiecare decadă, permiţând implementarea unui număr tot mai mare de
tranzistoare pe un singur chip (miliarde)
 Scopul studierii circuitelor CMOS: de a cunoaşte cum sunt construite şi care este
comportamentul lor, care le sunt caracteristicile şi performanţele.

met
met

poly poly
met

met

met

met
oxid oxid
Iso p+ n+ n+ Iso p+ p+ n+ Iso

n-well

substrat p-

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 3

 Inversorul CMOS – principiul de implementare
 Principiul de implementare a circuitelor CMOS
 Inversorul este cel mai simplu circuit fundamental
 Este realizat cu o pereche de tranzistoare: unul NMOS iar celalalt PMOS
 Tranzistoarele lucrează ca douǎ comutatoare care se deschid alternativ

 Un comutator comandat cu ‘0’ închide un scurtcircuit la V DD – comutator pMOS

 Un comutator comandat cu ‘1’ închide un scurtcircuit la GND – comutator nMOS

VDD

‘1’
‘0’ ‘0’
‘1’

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 4

 Logica de comutaţie

 In SCID, tranzistorul MOS este echivalent cu un comutator comandat

 Pentru a implementa aceste comutatoare vom folosi tranzistoare complementare

VG = GND ‘0’ conducţie

pMOS

VG = VDD ‘1’ blocat

VG = GND ‘0’ blocat

nMOS

VG = VDD ‘1’ conducţie

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 5

 Inversorul CMOS – principiul de implementare

 Inversorul – realizat din două dispozitive complementare: nMOS şi pMOS

VDD VDD VDD

Mp
a M p Mn f=a
a a 1 0 0 1 0 on off 1
Mn
1 off on 0

 La fiecare tranziţie, tranzistoarele trec prin trei stări:

blocat |VGS| < |VTh| n.a. ID = 0

liniar |VGS| > |VTh| |VDS| < VOD I D   VGS  VTh  VDS


saturat |VGS| > |VTh| |VDS| > VOD ID  VGS  Vth  2
2

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 6

 Inversorul CMOS – principiul de implementare

 Inversorul CMOS:

 structura de bază a circuitelor CMOS

 realizat din două dispozitive complementare: unul nMOS şi celalalt pMOS

 Funcţionarea se bazeaza pe principiul existenţei a două căi: pull-up ( de încărcare) şi pull-down (de
descărcare).
 Când tranzistorul cu canal n este în starea ON celălalt trebuie să fie în starea OFF şi invers.

 Dacă intrarea este ‘0’, tranzistorul nMOS este OFF (blocat) iar cel pMOS este ON (conducţie liniară)

 Dacă intrarea este ‘1’, dispozitivul nMOS este ON (conducţie liniara) iar cel pMOS este OFF (regiunea de
blocare)

 La o tranziţie, tranzistoarele trec prin trei stări: VDD

VGS  Vth ; I D  0
 blocare:

 saturaţie: VDS  VGS  Vth ; I D  VGS  Vth  2 Vin Vout
2
 conducţie liniară:  V 
VDS  VGS  Vth ; I D   VGS  Vth  DS   VDS
 2 

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 7

 Inversorul CMOS – principiul de functionare
 Dacă intrarea este ‘0’, tranzistorul nMOS este OFF (blocat) iar cel pMOS este ON (conducţie
liniară) 6
VOUT  VDD  R DSp  I OFF  5V  10 10 V  5V  10mV
4

 Când intrarea este ‘1’, dispozitivul nMOS este ON (conducţie liniară) iar cel pMOS este OFF
(regiunea de blocare)
VOUT  R DSp  I OFF  10 4 10 6 V  10mV

 Inversorul lucrează aşa cum este descris în tabelul de adevăr: când intrarea este ‘0’ ieşirea este
‘1’ iar dacă intrarea este ‘1’ răspunsul circuitului este ‘0’
 Nivelurile logice la ieşire sunt foarte aproape de cazul ideal ( 4.990 V and 0.010 V)
 Concluzie: în stările stabile nu circulă curenţi VDD VDD VDD

dinspre potentialul pozitiv al sursei spre masă

rDSp
cu excepţia unor curenţi de scurgere de valoare mică. Vout Vout
Vin Vout ‘1’ ‘0’
 Vor exista însă valori mai mari de curent prin
rDSn
dispozitiv atunci când există tranziţii ale semnalului
la intrare.

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 8

 Inversorul CMOS – descrierea funcţionarii

 Vin variază de la LOW (‘0’) la HIGH (‘1’)

1 2 3 4 5 Vout
1 2 3 4 5
VDD
VDD VDD VDD VDD VDD

rDSp rDSp
IDp IDp
Vout Vout
Vout Vout Vout
‘1’ ‘0’
IDn IDn rDSn rDSn
Vthn VDD-|Vthp| VDD Vin

ID
1 2 3 4 5
VSGp=VDD VSGp > |Vthp| VSGp > |Vthp| VSGp > |Vthp|
VSGp=0
VSDp=0 VSDp ≈ GND < Vodp VSDp > Vodp VSDp ≈ VDD > Vodp Imax
VGSn = VDD
VGSn = 0 VGSn > Vthn VGSn > Vthn VGSn > Vthn
VDSn=0
VDSn ≈ VDD > Vodn VDSn > Vodn VDSn ≈ GND < Vodn

Mp – lin Mp – lin Mp – sat Mp – sat Mp – b

Mn – b Mn – sat Mn – sat Mn – lin Mn – lin
Vthn VDD-|Vthp| VDD Vin

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 9

 Inversorul CMOS – niveluri logice

VDD VDD
IoHmax HIGH  VOHmin → nivelul minim al tensiunii de
ieşire pentru starea HIGH
VoHmin ViHmin  VOLmax → nivelul maxim al tensiunii de
VDD VDD
ieşire pentru starea LOW
LOW
IoLmax  IOHmax → curentul de ieşire maxim
generat în starea HIGH
VoLmax ViLmax
 IOLmax → curentul de ieşire maxim
Vout generat în starea LOW
‘1’ VDD
HIGH VOHmax  VIHmin → nivelul minim al tensiunii de
intrare recunoscut ca HIGH
 VILmax → nivelul maxim al tensiunii de
intrare recunoscut ca LOW
‘0’ VOLmax
LOW
VILmax VIHmin VDD Vin

‘0’ ‘1’
LOW HIGH

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 10

 Inversorul CMOS – marginea de zgomot

VDD VDD iesire VDD intrare

IoHmax HIGH VOHmin
VDD - 0.1V
‘1’ - HIGH mH=VOHmin-VIHmin ‘1’ - HIGH
VIHmin
0.7∙VDD
VoHmin ViHmin
nedefinit
VDD VDD
LOW VILmax
0.3∙VDD
IoLmax
mL=VILmax-VOLmax ‘0’ - LOW
VOLmax ‘0’ - LOW
GND + 0.1V
VoLmax ViLmax GND

Vout

‘1’ VDD Marginea de zgomot → nivelul maxim de

HIGH VOHmax
zgomot acceptat la intrare astfel încât semnalul de
ieşire să nu fie afectat
 mH = VOHmin – VIHmin
‘0’ VOLmax
LOW
VILmax VIHmin VDD Vin  mL = VOLmax - VILmax
‘0’ ‘1’
LOW HIGH

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 11

 Inversorul CMOS – fanout

 Fiecare inversor nou conectat la ieşirea unui inversor creşte capacitatea de sarcină
 cresc constantele de timp de încărcare şi descărcare, precum şi timpii de tranziţie
 datorită timpilor lungi, se pot pierde niveluri logice
 Fanout → parametru care specifică sarcina maximă ce poate fi comandată de o poartă logică,
fără a se pierde niveluri logice (tranziţii incomplete)
 reprezintă numărul maxim de intrări care se conectează la o singură ieşire

 exemplu: CMOS seria HC: Imax,in = ±1 μA , IOLmax = IOHmax = 20 μA => FO = 10

 în tehnologiile CMOS VLSI, uzual se ia FO ≤ 3 – 4, pentru a nu mări sarcinile capacitive

VDD
Vout
Vin
CL
fanout

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 12

 Inversorul CMOS – consumul de putere

 Consumul de putere determină consumul de energie de la sursa de alimentare şi provoacă

încălzirea cipului în timpul funcţionării
 Cunoaşterea acestui parametru este importantă pentru a calcula capacitatea sursei de
alimentare, durata de viaţă a bateriei, dimensionarea liniilor de alimentare, modul de incapsulare
şi modalitatea de răcire a capsulei
 Consumul de putere are trei componente:

 Pdyn – puterea dinamică disipată în urma încărcării şi descărcării capacităţii de sarcină

 Pdp – puterea dinamică disipată datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor nMOS şi

pMOS
 Pstat – puterea statică disipată datorită curentului care circulă între liniile de alimentare în
regim static de funcționare (în stările stabile).

Ptot  Pdyn  Pdp  Pstat

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 13

 CMOS inverter – static power consumption

Puterea statică disipată

 Pe durata stărilor stabile (modelele 1 şi 5) unul dintre tranzistoare este blocat şi prin
urmare nu există cale de curent închisă între VDD şi GND
 ideal, inversorul nu consumă putere
 In cazul real, există un curent de scurgere prin joncţiunile drenă -substrat şi sursă –
substrat care sunt polarizate invers, precum şi un curent de sub-prag care circula prin
tranzistoare

VDD 1 5
VDD VDD
VDD

rDSp

Vin Vout Vout Vout

‘1’ ‘0’
curent de fuga
rDSn

curent de subprag

Systems with Digital Integrated Circuits – CMOS Logic Structures 14

 Inversorul CMOS – consumul de putere

Puterea statică disipată

 Pe durata stărilor stabile (modelele 1 şi 5) unul dintre tranzistoare este blocat şi nu
se închide nici o cale de curent între VDD si GND
 ideal, inversorul nu consumă putere statică
 In realitate apare un curent de fugă prin joncțiunile drenă-substrat și sursă-substrat
polarizate invers, precum şi un curent de conducţie în subprag

Pstat  I stat  VDD  ( I fuga  I subprag)  VDD

VDD
Vin
VDD
Vout
VDD
met

met

met

met

met

met
poly poly
oxid oxid
p+ n+ n+ p+ p+ n+
Vin Vout
curent de fuga
n- well

curent de subprag substrat p-

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 15

 Inversorul CMOS – consumul de putere

Puterea statica– doua componente

 Curentul de subprag – între drenă şi sursă
 Curentul de fugă – între poartă / drenă/ sursă şi substrat

Pstat  I stat VDD  ( I fuga  I subprag )  VDD

 În procesele de dimensiune peste 180 nm, curentul de fugă era în general nesemnificativ cu
excepţia aplicaţiilor de putere foarte mică
 În procesele de 90 şi 65 nm, curenţii de fugă de subprag ating valori de la 1 nA pană la 10 nA
pe tranzistor
 În procesele de 45 nm, grosimea izolatorului scade până la punctul în care curentul de fugă prin
poartă devine comparabil cu valoarea curentului de subprag
 Consumul de putere statică devine important când se multiplică cu milioane sau miliarde de
tranzistoare pe chip
 Curentul de fugă static a devenit o ţintă de proiectare importantă în tehnologiile nanometrice:
aproape o treime din puterea totală consumată este componenta statică.

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 16

 Inversorul CMOS – consumul de putere

Exemplul 1. Calculati puterea statică consumată de un tranzistor NMOS. Dimensiunile tranzistorului sunt W N / LN
 
=0.1µ /0.05µ = 2/1. Curentul de scurgere de subprag este de 10nA/μm pentru fiecare transistor. Curentul de scurgere
din grilă este de 5nA/ μm. Tensiunea de alimentare este 1.2V.
 
Curentul de scurgere de subprag consumat de un tranzistor
 

 
Curentul de fuga din grilă consumat de un tranzistor
 

 
Puterea statică consumată de tranzistorul NMOS este:
 

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 17

 Inversorul CMOS – consumul de putere

 Puterea dinamică disipată în urma încărcării şi descărcării capacităţii de sarcină

2
Pdyn  f  C L VDD
Vin
VDD
f – frecvenţa de comutaţie a inversorului
CL – capacitatea de sarcină

VDD - tensiunea de alimentare t

Vout
VDD

VDD VDD

t
rDSp ICL
Vout = HIGH Vout = LOW
‘1’ ‘0’ Imax
CL rDSn CL

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 18

 Inversorul CMOS – consumul de putere

Exemplul 1. Calculaţi puterea disipată dinamică datorată incărcării / descărcării unui condensator pentru un inversor CMOS in
 tehnologie de 0.25 µm, care are o capacitate parazită de sarcină de 6 fF, tensiune de alimentare de 2.5 V si frecvenţa maximă permisă
de timpul de propagare mediu al inversorului egal cu 80 ps.
 
Frecvenţa maximă permisă este
 
  
Puterea disipată dinamică
 

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 19

 Inversorul CMOS – consumul de putere

 Puterea dinamică disipată datorită conducţiei simultane a tranzistoarelor

 Pe durata comutaţiei, când unul dintre tranzistoare
(modelele 2 şi 4) sau ambele (modelul 3) sunt în saturaţie,
se închide o cale de curent între VDD si GND Vout

VDD

 3 t
Pdp  I Dmed  VDD   VDD  2Vth   r
12 T

1 2 3 4 5 VDD Vin

VDD VDD VDD VDD VDD ID

rDSp rDSp
IDp IDp IDmax
Vout Vout
Vout Vout Vout
‘1’ ‘0’
IDn IDn rDSn rDSn

VILmax VIHmin VDD Vin

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 20

 Inversorul CMOS – consumul de putere

Exemplul 1. Calculati puterea dinamică datorată curentilor de scurt-circuit pentru un inversor CMOS in tehnologie de 0.25 um, care
 are o capacitate parazită de sarcină de 6 fF, tensiune de alimentare de 2.5 V si frecvenţa maximă permisă de timpul de propagare
mediu al inversorului egal cu 80 ps.
 

 
Această valoare este mult mai mică decat cea datorată incărcării condensatoarelor parazite, motiv pentru care se neglijează in calcule.

Exemplul 2. Recalculati puterea dinamică datorată curentilor de scurt-circuit pentru un inversor CMOS in tehnologie de 0.25 um,
care are o capacitate parazită de sarcină de 6 fF, tensiunea de alimentare de 2.5 V si frecvenţa maximă permisă de timpul de
propagare mediu al inversorului egal cu 80 ps.
 

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 21

 Porţi logice CMOS – principiu de implementare
VDD
 scurtcircuit la VDD – reţea “pull-up” pMOS
 reţeaua “pull-up” implementează funcţia în logica i0
complementară i1 pMOS

...
in
“pull-ul”
 scurtcircuit la GND – reţea “pull-down” pMOS
f
 reţeaua “pull-down” implementează funcţia în logica
directă nMOS

...
“pull-down”
 “pull-up” şi “pull-down” sunt complementare
 variabilele funcţiei sunt conectate la ambele reţele
 pull-up – n tranzistoare
 pull-down – n tranzistoare
 ieşirea porţii se ia de la nodul comun al celor două reţele
 porţile logice CMOS realizate astfel implementează funcţia logică negată

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 22

 Porţi logice CMOS – principiu de implementare

 Porţi logice CMOS → tranzistoarele nMOS şi pMOS sunt dispuse complementar

 Tranzistorul MOS poate fi privit ca un comutator comandat
 conexiune serie → funcţie ŞI → semnalul ajunge de la intrare la ieşire dacă
ambele comutatoare sunt închise
 conexiune paralel → funcţie SAU → semnalul ajunge de la intrare la ieşire
dacă cel puţin unul dintre comutatoare este închis
a
a b
b
In Out In Out

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 23

 Porţi logice CMOS – poarta ŞI-NU cu 2 intrări
VDD

Mp1 Mp2

a b f = ab
a 0 0 1 f
f 0 1 1
b 1 0 1 a Mn1
1 1 0

b Mn2

 f = ‘1’ → legătură la VDD, se realizează dacă a = ‘0’ SAU b = ‘0’

 2 tranzistoare pMOS în paralel
 f = ‘0’ → legătură la GND, se realizează dacă a = ‘1’ ŞI b = ‘1’
 2 tranzistoare nMOS în serie

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 24

 Porti logice CMOS – poarta ŞI-NU cu 2 intrări
VDD VDD
Tranzistorul MOS – model comutator Mp1 Mp2 Mp1 Mp2

ideal
f=1 f=1
 pMOS, VG = LOW → conducţie
a=0 Mn1 a=0 Mn1
 pMOS, VG = HIGH → blocat
b=0 Mn2 b=1 Mn2
 nMOS, VG = LOW → blocat

 nMOS, VG = HIGH → conducţie

VDD VDD
Mp1 Mp2 Mp1 Mp2
a b Mp1 Mp2 Mn1 Mn2 f = ab
0 0 on on off off 1 f=1 f=0
0 1 on off off on 1 a=1 Mn1 Mn1
a=1
1 0 off on on off 1
1 1 off off on on 0 b=0 Mn2 b=1 Mn2

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 25

 Porti logice CMOS – poarta SAU-NU cu 2 intrări
VDD

a Mp1

a b f = a+b
a 0 0 1 b Mp2
f 0 1 0
b 1 0 0 f
1 1 0

Mn1 Mn2

 f = ‘1’ → legătură la VDD, se realizează dacă a = ‘1’ ŞI b = ‘1’

 2 tranzistoare pMOS serie
 f = ‘0’ → legătură la GND, se realizează dacă a = ‘1’ SAU b = ‘1’
 2 tranzistoare nMOS paralel

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 26

 Porti logice CMOS – poarta SAU-NU cu 2 intrări
VDD VDD
Tranzistorul MOS – model comutator
a=0 Mp1
ideal a=0 Mp1

 pMOS, VG = LOW → conducţie b=0 Mp2 b=1 Mp2

f=1 f=0
 pMOS, VG = HIGH → blocat

 nMOS, VG = LOW → blocat Mn1 Mn2

Mn1 Mn2

 nMOS, VG = HIGH → conducţie

VDD VDD

a b Mp1 Mp2 Mn1 Mn2 f = a+b a=1 Mp1 b=1 Mp1

0 0 on on off off 1
0 1 on off off on 0 b=0 Mp2 a=1 Mp2

1 0 off on on off 0 f=0 f=0

1 1 off off on on 0 Mn1 Mn2 Mn1 Mn2

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 27

 Porti logice CMOS – dimensionare

Exemplu de proiectare – porţi fundamentale cu 2 intrări

Inversor NAND2 NOR2

VDD VDD

Mp1 Mp2
VDD a Mp1

Mp
f b Mp2
Vin Vout
a Mn1 f
Mn

b Mn2
Mn1 Mn2

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 28

 Porti logice CMOS – porti cu 3 intrari

Exemplu de proiectare – porţi fundamentale cu 3 intrări

Inversor VDD NAND3 VDD

NOR3
Mp1 Mp2 Mp3

a Mp1

VDD
b Mp2
f
Mp
a Mn1
Vin Vout c Mp3

f
Mn b Mn2

c Mn3

Mn1 Mn2 Mn3

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 29

 Porti logice CMOS – exemple

Exemplul 1: f = ab + c

VDD
SI SAU
pull-down → 2 tranzistoare pull-down → 1 tranzistor a b

nMOS serie nMOS paralel cu grupul ab

pull-up → 2 tranzistoare serie c
pMOS paralel pull-up → 1 tranzistor
f
pMOS serie cu grupul ab
paralel a
c
Dimensionare b

 pull-up → două tranzistoare serie pe oricare cale

→ se dublează geometria faţă de inversor (4W/L)
 pull-down → două tranzistoare serie pe calea ab
→ se dublează geometria faţă de inversor (2W/L);
tranzistorul de pe calea c ca la inversor (W/L)

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 30

 Porti logice CMOS – exemple

Exemplul 2: f = a∙(b + c)

VDD
SI SAU
pull-down → 1 tranzistor pull-down → 2 tranzistoare b
nMOS serie cu grupul (b+c) nMOS paralel a
paralel pull-up → 2 tranzistoare c
pull-up → 1 tranzistor pMOS pMOS serie
f
paralel cu grupul (b+c) serie
a

Dimensionare b c

 pull-up → două tranzistoare serie pe calea (b+c) →

se dublează geometria faţă de inversor (4W/L);
tranzistorul de pe calea a ca la inversor (2W/L)
 pull-down → două tranzistoare serie pe oricare cale
→ se dublează geometria faţă de inversor (2W/L)

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 31

 Porti logice CMOS – exemple

Implementarea funcţiei în logică directă necesită conectarea unui inversor la ieşirea

funcţiei negate

AND2 OR2
VDD VDD

f = ab b

a f = a+b

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 32

 Porti logice CMOS – exemple

Exemplul 3 - porţile SI-SAU şi SAU-SI cu 4 intrări

 SI-SAU f1 = ab + cd

 SAU-SI f2 = (a+b) ∙ (c+d)

VDD
VDD
a c
a b

b d

a b f2
f1 a b

a c

c d
b d

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 33

 Porti logice CMOS – exemple

Exemplul
  4 – Implementaţi funcţiile logice în tehnologie CMOS

1.

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 34

 Porti de transmisie

Poarta de transmisie → circuit care permite sau inhibă transmiterea unui semnal între
două puncte de circuit, funcţie de un semnal de comandă
 este realizată cu două MOS complementare
 tranzistoarele sunt comandate cu semnale de control în antifază (A)

A
A
X Y X Y

 A = 1: tranzistoarele conduc, Y = X
 A = 0: tranzistoarele sunt blocate, Y = Z (impedanţă înaltă)

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 35

 Logica de comutatie

 Niveluri logice: ‘1’ → HIGH → VDD  Nivel logic la ieşire înseamnă scurtcircuit
la alimentare
‘0’ → LOW → GND  Cum evităm scurtcircuitul între VDD şi
GND?

‘1’ ‘0’ HZ

VDD VDD VDD VDD

VOUT VOUT VOUT VOUT

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 36

 Aplicatii cu porti de transmisie

 Buffer CMOS → conectarea în cascadă a unui inversor şi a unei porţi de transmisie

VDD
A

X Y X Y

 Buffer CMOS → doua buffere comandate în antifază Y  AX 0  AX1

X0
X0 Y
Y X1
A
X1

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 37

 Aplicatii cu porti de transmisie

 Bistabilul D → bloc logic fundamental în SCID

 celula componentă a registrelor
 celula de memorare
 Structura → două MUX 2:1 într-o conexiune master-slave
 ck = 0: Master urmăreşte D (QM = D), Slave menţine starea anterioară

 tranziţie ck 0→1: Master menţine starea, Slave preia starea intermediară QM de la

master

D X0 X0 D Q
Y Y Q
QM
X1 X1
A A ck Q
Q
ck

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 38

 Obiectivele proiectarii circuitelor logice CMOS

 Poarta ideală: rapidă şi cu consum mic

 Proiectarea SCID trebuie să urmărească o viteză de lucru cât mai mare, putere
consumată cât mai mică şi aria circuitului de asemenea cât mai mică
 Power-delay product (PDP) → se defineşte ca o masură a calităţii circuitelor logice
care lucrează în comutaţie, şi reprezintă produsul dintre timpul de întârziere şi puterea
consumată
 PDP este constant pentru o tehnologice şi topologie dată :
 pentru scăderea timpului de propagare, tranzistoarele sunt redimensionate prin
mărirea lăţimii canalului
 creşte suprafaţa tranzistorului, ceea ce duce la creşterea curentului şi a puterii
consumate
 produsul celor două mărimi (PDP) rămâne constant

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 39

 Familii de circuite logice CMOS

 CMOS 4000 – prima familie CMOS

 structură simplă a porţilor fundamentale
 putere consumată redusă
 viteză de lucru redusă
 interfaţare dificilă cu circuitele TTL

 CMOS HC (High Speed CMOS) şi HCT (TTL Compatible)

 viteză ridicată, compatibilitate TTL: 74LLLnnn (74 – cod Texas Instruments din gama
comercială, 54 – gama militară, nnn – funcţia circuitului, LLL - familia)

 CMOS VHC (Very High Speed), VHCT (TTL Compatible)

 frecvenţă de lucru dublă faţă de generaţiile anterioare

 CMOS FCT (Fast CMOS, TTL Compatible)

 CMOS FCT-T (with TTL VOH)
 cel puţin la fel de rapide ca şi TTL, consum redus şi compatibile TTL (VOH<5V, compatibil
cu nivelul HIGH TTL)

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 40

 Familii de circuite logice CMOS

Familia de circuite CMOS

Parametru UM HC HCT VHC VHCT

Timp de propagare tipic ns 9 10 5,2 5,5
Curent de alimentare μA 2,5 2,5 5 5
Putere statică disipată μW 12,5 12,5 25 25
Putere dinamică disipată mW/MHz 0,55 0,38 0,48 0,43
Curent rezidual de intrare μA ±1 ±1 ±1 ±1
Capacitate maximă de intrare pF 10 10 10 10
Tensiune de intrare la nivelul LOW VIL max V 1,35 0,8 1,35 0,8
Tensiune de intrare la nivelul HIGH VIL min V 3,85 2,0 3,85 2,0

Curent de ieşire la nivelul LOW mA 0,02 0,02 0,05 0,05

Curent de ieşire la nivelul HIGH mA -0,02 -0,02 -0,05 -0,05

Tensiune de ieşire la nivelul LOW V 0,1 0,1 0,1 0,1

Tensiune de ieşire la nivelul HIGH V 4,4 4,4 4,4 4,4

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 41

 Probleme propuse

 
Probleme propuse
1. Determinaţi rezistenţa in conducţie unei porţi de transmisie realizată cu două tranzitoare conectate in paralel: unul cu canal n si
altul cu canal p. Ambele au dimensiuni minime : LN=1µ si WN =1µ, iar LP=1µ si WP =1µ.
 

2. Calculati puterea statică consumată de un tranzistor NMOS. Dimensiunile tranzistorului sunt W N / LN =0.1µ /0.05µ = 2/1.
Curentul de scurgere de subprag este de 10nA/μm pentru fiecare transistor. Curentul de scurgere din grilă este de 5nA/ μm.
Tensiunea de alimentare este 1.2V.
 
Curentul de scurgere de subprag consumat de un tranzistor
 

 
Curentul de scurgere din grilă consumat de un tranzistor
 

 
Puterea statică consumată de un tranzistor este:
 

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 42

 Probleme propuse

Probleme
  propuse
3. Calculaţi puterea statică consumată de o memorie de 1GB avand celulele realizate cu tranzistoare NMOS. Dimensiunile
tranzistoarelor sunt WN / LN =0.1µ /0.05µ = 2/1. Curentul de scurgere de subprag este de 10nA/μm pentru fiecare transistor.
Curentul de scurgere din grilă este de 5nA/ μm. Tensiunea de alimentare este 1.2V.
 
Curentul de scurgere de subprag consumat de un miliard de tranzistoare
 

 
Curentul de scurgere din grilă consumat de un miliard de tranzistoare
 

 
Puterea statică consumată este:
 

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 43

 Probleme propuse

 
Probleme propuse
4. Calculaţi puterea disipată dinamică datorată incărcării / descărcării unui condensator pentru un inversor CMOS in tehnologie de
0.25 µm, care are o capacitate parazită de sarcină de 6 fF, tensiune de alimentare de 2.5 V si frecvenţa maximă permisă de timpul de
propagare mediu al inversorului egal cu 80 ps.
 
Frecvenţa maximă permisă este
 
  
Puterea disipată dinamică
 

5.Calculaţi puterea dinamică datorată incărcării / descărcării capacitătii de sarcină a celulelor de memorie (un miliard de celule).
Frecvenţa de lucru este de 1GHz. Capacitatea parazită de sarcină a unei celule este de 6 fF iar tensiunea de alimentare 1.2V. Factorul
de activitate al celulelor este 0.02.
 

 
Se observă că puterea statică este de circa 16% din cea dinamică, ceea ce reprezintă un procent important.

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 44

 Probleme propuse

 
Probleme propuse
6. Calculati puterea dinamică datorată curentilor de scurt-circuit pentru un inversor CMOS in tehnologie de 0.25 um, care are o
capacitate parazită de sarcină de 1.6 fF, tensiune de alimentare de 5 V si frecvenţa maximă egală cu 1 GHz.
 

 
Această valoare este mult mai mică decat cea datorată incărcării condensatoarelor parazite, motiv pentru care se neglijează in
calcule.

7. Recalculati puterea dinamică datorată curentilor de scurt-circuit pentru un inversor CMOS in tehnologie de 0.25 um, care are o
capacitate parazită de sarcină de 1.6 fF, tensiunea de alimentare de 5 V si frecvenţa maximă egală cu 1 GHz.
 

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 45

 Probleme propuse
Parametrii tranzistoarelor MOS cu canal lung ( L=W= 1µm) si tensiune de alimentare VDD=5V

Parametru NMOS PMOS

Tensiune prag VTHN = 800 mV VTHP = 900 mV
Grosime oxid Tox=200 A Tox=200 A
Conductibilitate canal KN=120µA/V2 KP=40µA/V2

Capacitate oxid pe Cox=1.75fF/µm2 Cox=1.75fF/µm2

unitate

Curent conductie liniara

Curent stare OFF

Parametrii tranzistoarelor MOS cu canal scurt ( L=W=50nm) si tensiune de alimentare VDD=1V

Parametru NMOS PMOS

Tensiune prag VTHN = 280 mV VTHP = 280 mV
Grosime oxid Tox=14 A Tox=14 A
Capacitate oxid pe Cox=25fF/µm2 Cox=25fF/µm2
unitate

Curent conductie IDSon = 600 µA/µm IDSon =300 µA/µm

liniara

Curent stare OFF IDSoff =7.1 nA/µm IDSoff =10 nA/µm

Sisteme cu circuite integrate digitale – Structuri logice CMOS 46